English: A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc., originating in the Republic of Korea.
French: Il est institué un droit antidumping définitif sur les importations de certains circuits électroniques intégrés dits “DRAM” (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée.
German: Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt.
Spanish: Se impone un derecho compensatorio definitivo sobre las importaciones de determinados circuitos electrónicos integrados conocidos como memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) fabricados utilizando variaciones de la tecnología para crear semiconductores de óxido metálico (metal oxide-semiconductors (MOS), incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS)), de todos los tipos, densidades, variedades, velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc., originarios de la República de Corea.
Italian: È istituito un dazio compensativo sulle importazioni di alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originarie della Repubblica di Corea.
Portuguese: É instituído um direito de compensação definitivo sobre as importações de certos microcircuitos electrónicos conhecidos por DRAM (memórias dinâmicas de acesso aleatório) fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia.
Dutch: Er wordt een definitief compenserend recht ingesteld op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., van oorsprong uit de Republiek Korea.
Danish: Der indføres en endelig udligningstold på importen af visse elektroniske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (dynamic random access memories), fremstillet ved hjælp af forskellige former for MOS-teknologi (Metal Oxide Semiconductor), herunder supplerende MOS-typer (CMOS), af samtlige typer, tætheder, varianter, adgangshastighed, konfiguration, pakning eller ramme osv. med oprindelse i Republikken Korea.
Swedish: En slutgiltig utjämningstull skall införas på import av vissa elektroniska integrerade kretsar av dram-typ, tillverkade med hjälp av olika varianter av metallhalvledarteknik (MOS) inbegripet komplementära MOS-typer (CMOS), av alla typer, tätheter och variationer, oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m., med ursprung i Sydkorea.
Finnish: Lopullinen tasoitustulli kannetaan tuotaessa yhteisöön eräitä Korean tasavallasta peräisin olevia dynaamisiksi hakumuisteiksi (DRAM) kutsuttuja integroituja elektronisia piirejä, jotka on valmistettu käyttäen metallioksidipuolijohdeteknologian (MOS-teknologian) muunnelmia, kuten komplementaarista MOS-teknologiaa (CMOS), ja joiden tyyppi, tiheys, muunnelma, hakunopeus, konfiguraatio, pakkaus, kehys jne. voivat olla millaisia tahansa.
Greek: Επιβάλλεται οριστικός αντισταθμιστικός δασμός στις εισαγωγές ορισμένων τύπων ηλεκτρονικών μικροκυκλωμάτων, γνωστών ως DRAM (δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης), που κατασκευάζονται με χρήση παραλλαγών της τεχνολογίας διεργασιών των ημιαγωγών μεταλλικών οξειδίων (τεχνολογία ΜΟS), στους οποίους συγκαταλέγονται συμπληρωματικοί τύποι ΜΟS (CMOS), κάθε τύπου, πυκνότητας και παραλλαγής, ταχύτητας πρόσβασης, διάταξης, συσκευασίας ή πλαισίου κ.λπ., καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας.
Czech: Ukládá se konečné vyrovnávací clo z dovozu některých elektronických integrovaných obvodů nazývaných dynamické paměti s libovolným přístupem (DRAM) všech typů, hustot záznamu a variant, přístupových dob, konfigurací, obalů nebo rámů atd., vyrobených pomocí variant technologie kovových oxidových polovodičů (MOS), včetně technologie CMOS, pocházejících z Korejské republiky.
Slovak: Týmto sa ukladá konečné vyrovnávacie clo na dovoz niektorých elektronických integrovaných obvodov známych ako dynamické pamäte s priamym prístupom (DRAM) vyrobených s využitím rôznych druhov technológie vytvárania polovodičovej štruktúry na základe oxidov kovov (MOS) vrátane doplnkových typov MOS (CMOS), všetkých typov, hustôt, druhov, rýchlostí prístupu, konfigurácií, balení alebo rámov, atď., s pôvodom v Kórejskej republike.
Polish: Niniejszym nakłada się ostateczne cło wyrównawcze na przywóz niektórych elektronicznych układów scalonych znanych jako pamięci DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie swobodnym), wykonane z zastosowaniem odmian technologii wytwarzania półprzewodników opartych na tlenkach metali (MOS), wraz z typami komplementarnymi MOS (CMOS), wszystkich typów, gęstości, odmian, bez względu na szybkość dostępu, konfigurację, obudowę lub obramowanie itp., pochodzących z Republiki Korei.
Hungarian: Végleges kiegyenlítő vámot kell kivetni a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramkörökre, függetlenül azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
Slovenian: Uvede se dokončna izravnalna dajatev pri uvozu nekaterih elektronskih integriranih vezij, poznanih kot dinamični pomnilniki za branje in pisanje (DRAM), proizvedenih z uporabo različic procesne tehnologije kovinskooksidnih polprevodnikov (MOS), vključno z dopolnilnimi vrstami MOS (CMOS), vseh vrst, gostot, različic, hitrost dostopa, konfiguracijo, paket ali okvir itd., s poreklom iz Republike Koreje.
Estonian: Käesolevaga kehtestatakse lõplik tasakaalustav tollimaks Korea Vabariigist pärinevate dünaamiliste muutmäludena (DRAM) tuntud teatavate elektrooniliste mikrolülituste impordi suhtes, mis on toodetud erinevaid metalloksiidpooljuhtide (MOS) tootmistehnoloogiaid kasutades, kaasa arvatud komplementaarse metalloksiidränistruktuuri (CMOS) tüüpi, sõltumata tüübist, tihedusest, variatsioonidest, pöörduskiirusest, konfiguratsioonist, kiibikestast või raamist jne.
Latvian: Ar šo nosaka galīgo kompensācijas maksājumu, ko iekasē par dažu Korejas izcelsmes integrēto elektronisko mikroshēmu, proti, dinamiskās brīvpiekļuves atmiņas (DRAM), ievedumiem; minētie ražojumi var būt jebkādā veidā, ar jebkādu blīvumu, lai kāds būtu to variants, piekļuves ātrums, konfigurācija, iepakojums vai rāmis utt., un tie ir izgatavoti, izmantojot metālu oksīdu pusvadītāju (MOS) apstrādes tehnoloģiju variantus, tostarp komplementārā MOS (CMOS) veidus.
Lithuanian: Galutinis kompensacinis muitas nustatomas tam tikriems Korėjos Respublikos kilmės visų tipų, tankių, variantų, prieigos greičių, konfigūracijos, pakuotės ar rėmo ir t. t. importuojamiems elektroniniams mikrograndynams, vadinamiems dinaminės laisvosios kreipties atmintinėmis (DRAM), gaminamiems naudojant metalų oksidų puslaidininkių (MOP) proceso technologijos variantus, įskaitant papildomus MOP tipus (PMOP).