English: The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea. The product concerned also includes DRAMs presented in (non-customised) memory modules or (non-customised) memory boards, or in some other kind of aggregate form, provided the main purpose of which is to provide memory.
Hungarian: A jelen vizsgálat szempontjából érintettnek számító termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy csip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb. Az érintett termék magában foglalja a (nem egyedi kialakítású) memóriamodulok vagy (nem egyedi kialakítású) memórialapok formájában, illetve másféle összetett formában kiszerelt DRAM-okat is, amennyiben ezek fő rendeltetése az adattárolás.
Estonian: Käesoleva uurimise vaatlusalune toode on sama, mida käsitleti esialgses uurimises, st Korea Vabariigist pärit dünaamiliste muutmäludena (DRAM) tuntud teatavate elektrooniliste mikrolülituste kõik tüübid, tihedused ja variandid, olgu need komplektsed, töödeldud integraallülituste toorikkristallidesse või pooljuhtkristallidesse (kiipidesse), toodetud erinevaid metalloksiidpooljuhtide (MOS) tootmistehnoloogiaid kasutades, kaasa arvatud komplementaarse metalloksiidränistruktuuri (CMOS) tüüpi, igasuguse tihedusega (kaasa arvatud tihedus tulevikus), sõltumata pöörduskiirusest, konfiguratsioonist, kiibikestast või raamist jne. Vaatlusalune toode hõlmab ka dünaamilisi muutmälusid (DRAM), mis esinevad (kohandamata) mälumooduleis ning (kohandamata) mäluplaatidel või mõne muu agregaatvormi kujul, tingimusel et selle peamine eesmärk on kanda mälu.
Latvian: Šajā izmeklēšanā attiecīgais ražojums ir tas pats, kas minēts sākotnējā izmeklēšanā, t.i., dažas Korejas Republikas izcelsmes elektroniskas mikroshēmas, kas pazīstamas kā dinamiskās brīvpiekļuves atmiņas (DRAM), jebkādā veidā, ar jebkādu blīvumu, to variants var būt jebkāds, tās var būt komplektā, saliktu apstrādāta diska vai mikroshēmu veidā vai izgatavotas, izmantojot metālu oksīdu pusvadītāju (MOS) apstrādes tehnoloģiju variantus, tostarp jebkura blīvuma (arī vēl neesoša blīvuma) komplementārā MOS (CMOS) veidus, lai kāds būtu piekļuves ātrums, konfigurācija, iepakojums vai rāmis utt. Attiecīgais ražojums ir arī DRAM, kas ir (standarta) atmiņas moduļu vai (standarta) atmiņas plašu formā vai kāda cita veida salikumā, ja to galvenais mērķis ir nodrošināt atmiņas funkciju.