English: The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
French: Les produits concernés par la présente enquête sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories – mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée.
German: Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
Spanish: El producto afectado por la presente investigación es el mismo que el de la investigación original, a saber, determinados microcircuitos electrónicos conocidos como DRAM (Dynamic Random Access Memories, memorias dinámicas de acceso aleatorio) de todos los tipos, densidades y variedades, ensamblados tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variaciones de la tecnología del proceso para crear semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, MOS), incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todas las densidades (incluidas densidades que todavía no existen) independientemente de su velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc. originarios de la República de Corea.
Italian: Il prodotto in esame oggetto dell’inchiesta presente è lo stesso dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories - memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea.
Portuguese: O produto objecto do inquérito é idêntico ao do inquérito inicial, ou seja, certos microcircuitos electrónicos conhecidos por memórias dinâmicas de acesso aleatório (DRAM) de todos os tipos, densidades e variações, sejam ou não conjuntos DRAM, sob forma de discos (wafers) ou pastilhas (chips), fabricados através da utilização de variantes da transformação de semicondutores de óxidos metálicos (MOS), incluindo tipos de MOS complementares (CMOS), de todas as densidades (incluindo densidades futuras), independentemente da velocidade de acesso, configuração, montagem ou cápsula, etc., originários da República da Coreia.
Dutch: Het betrokken product in het kader van dit onderzoek is hetzelfde als in het oorspronkelijke onderzoek, namelijk bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.
Danish: Den pågældende vare i denne undersøgelse er den samme som i den oprindelige undersøgelse, dvs. visse elektroniske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (dynamic random access memories), af samtlige typer, tætheder og varianter, både samlet og i plade- og terningeform, fremstillet ved hjælp af forskellige former for MOS-teknologi (Metal Oxide Semiconductor), herunder supplerende MOS-typer (CMOS), af samtlige tætheder (herunder fremtidige tætheder), uanset hvilken adgangshastighed, konfiguration, pakning eller ramme der er tale om, med oprindelse i Republikken Korea.
Swedish: Den produkt som är föremål för undersökningen (nedan kallad ”den berörda produkten”) är samma som omfattades av den ursprungliga undersökningen, dvs. vissa elektroniska mikrokretsar av dram-typ av alla typer, tätheter och variationer, antingen i form av bearbetade kiselskivor eller i form av kiselbrickor, tillverkade med hjälp av olika varianter av metalloxidhalvledarteknik (MOS) inbegripet komplementära MOS-typer (CMOS), av alla tätheter (inklusive framtida tätheter), oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m., med ursprung i Sydkorea.
Finnish: Tarkasteltavina olevat tuotteet ovat tässä tutkimuksessa samat kuin alkuperäisessä tutkimuksessa eli Korean tasavallasta peräisin olevat dynaamisiksi hakumuisteiksi kutsutut tietyt elektroniset mikropiirit (DRAM-muistit), joiden tyyppi, tiheys (tulevat tiheydet mukaan luettuina), muunnelma, hakunopeus, konfiguraatio, pakkaus, kehys jne. voivat olla millaisia tahansa ja jotka voivat olla koottuja ja jotka on jalostettu puolijohdekiekoiksi tai -siruiksi ja valmistettu käyttäen metallioksidipuolijohdeteknologian (MOS-teknologian) muunnelmia, kuten komplementaarista MOS-teknologiaa (CMOS).
Greek: Το προϊόν που αφορά η παρούσα έρευνα είναι το ίδιο με εκείνο της αρχικής έρευνας, δηλαδή ορισμένα ηλεκτρονικά μικροκυκλώματα, γνωστά ως δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης (εφεξής «DRAM»), κάθε τύπου, πυκνότητας και παραλλαγής, είτε συναρμολογημένα είτε όχι, σε επεξεργασμένα πλακίδια ή τσιπ (μήτρες) κατασκευασμένα με χρήση παραλλαγών της τεχνολογίας διεργασιών των ημιαγωγών μεταλλικών οξειδίων (τεχνολογία ΜΟS)· συγκαταλέγονται συμπληρωματικοί τύποι ΜΟS (CMOS), όλων των πυκνοτήτων (περιλαμβανομένων και των μελλοντικών πυκνοτήτων), ανεξάρτητα από την ταχύτητα πρόσβασης, την διάταξη, τη συσκευασία ή το πλαίσιο κ.λπ., καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας.
Czech: Výrobkem, kterého se toto šetření týká, je týž výrobek jako v původním šetření, tj. některé elektronické mikroobvody nazývané dynamické paměti s libovolným přístupem (DRAM) všech typů, hustot záznamu a variant, též montovaných, ve formě zpracovaných waferů nebo čipů, vyrobených pomocí variant technologie kovových oxidových polovodičů (MOS), včetně technologie CMOS, všech hustot záznamů (i budoucích), bez ohledu na přístupovou dobu, konfiguraci, obal nebo rám atd., pocházející z Korejské republiky.
Slovak: Príslušný výrobok, ktorého sa týka toto prešetrovanie, je rovnaký ako výrobok zahrnutý v pôvodnom prešetrovaní, t. j. niektoré mikroelektronické obvody známe ako dynamické pamäte s priamym prístupom (DRAM) všetkých typov, hustôt, druhov, bez ohľadu na to, či sú zmontované vo forme spracovaných doštičiek alebo čipov (foriem), vyrobených s využitím rôznych druhov technológie vytvárania polovodičovej štruktúry na základe oxidov kovov (MOS) vrátane doplnkových typov MOS (CMOS), všetkých hustôt (vrátane budúcich hustôt), bez ohľadu na rýchlosť prístupu, konfiguráciu, balenie alebo rám atď., s pôvodom v Kórejskej republike.
Polish: Obecnym dochodzeniem objęty jest ten sam produkt, który objęty był dochodzeniem pierwotnym, tj. niektóre mikroukłady elektroniczne znane jako pamięci DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie swobodnym), wszystkich typów, gęstości i odmian, także zmontowane, w postaci przetworzonych płytek półprzewodnikowych lub układów chipowych wykonane z zastosowaniem odmian technologii wytwarzania półprzewodników opartych na tlenkach metali (MOS), wraz z komplementarnymi typami MOS (CMOS), o wszystkich gęstościach (wraz z jeszcze nieistniejącymi), niezależnie od szybkości dostępu, konfiguracji, obudowy lub obramowania itp., pochodzące z Republiki Korei.
Slovenian: Zadevni izdelek v tej preiskavi je enak izdelku, obravnavanemu v prvotni preiskavi, tj. nekatera elektronska mikrovezja, poznana kot DRAM (dinamični-bralno pisalni pomnilnik), vseh vrst, gostot in različic, sestavljenih na rezinah ali čipih (matricah), proizvedenih z uporabo različic procesne tehnologije kovinskooksidnih polprevodnikov („MOS“), vključno z dopolnilnimi vrstami MOS (CMOS), vseh gostot (vključno s prihodnjimi gostotami), ne glede na hitrost dostopa, konfiguracijo, paket ali okvir itd., s poreklom iz Republike Koreje.
Lithuanian: Atliekant tyrimą aptariamas produktas yra tas pats produktas, kuris buvo nagrinėtas pradinio tyrimo metu, t. y. tam tikri Korėjos Respublikos kilmės visų tipų, tankių ir variantų, surinktų arba ne, perdirbtuose lustuose arba plokštelėse, gaminamų naudojant metalų oksidų puslaidininkių (toliau – MOP) proceso technologijos variantus, įskaitant papildomus MOP tipus (PMOP), visų tankių (įskaitant būsimus tankius), nepriklausomai nuo prieigos greičio, konfigūracijos, pakuotės ar rėmo ir t. t. elektroniniai mikrograndynai, vadinami DRAM (dinaminės laisvosios kreipties atmintinės).