English: Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
French: Note: L'alinéa 3B001.h. ne vise pas les masques multicouches comportant une couche à décalage de phase conçus pour la fabrication de dispositifs mémoire non visés par le paragraphe 3A001.
German: Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Unternummer 3A001erfasst sind.
Spanish: Nota: El subartículo 3B001.h. no somete a control las máscaras multicapas con una capa de cambio de fase diseñadas para la fabricación de dispositivos de memoria no sometidos a control por el artículo 3A001.
Italian: Nota: il 3B001.h. non sottopone ad autorizzazione le maschere multistrato con uno strato a spostamento di fase progettate per la fabbricazione di dispositivi di memoria non sottoposti ad autorizzazione in 3A001.
Portuguese: Nota: 3B001.h. não abrange as máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase concebidas para o fabrico de elementos de memória não abrangidos por 3A001.
Dutch: Noot: In 3B001.h zijn niet bedoeld maskers bestaande uit verscheidene lagen met een faseverschuivingslaag die ontworpen zijn voor de fabricage van geheugenmedia die niet onder 3AB001 vallen.
Danish: Note: 3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol if. 3A001.
Swedish: Anm.: Avsnitt 3B001.h omfattar inte flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager konstruerat för tillverkning av minnen som inte omfattas av avsnitt 3A001.
Finnish: Huom.: 3B001.h kohta ei aseta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.
Czech: Poznámka: 3B001.h. Podle 3B001.h. se neřídí vícevrstvé marky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, které se neřídí podle 3A001.
Slovak: Poznámka: Podľa 3B001.h. sa neriadia viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových prístrojov, ktoré sa neriadia podľa 3A001.
Polish: Uwaga: Pozycja 3B001.h. nie obejmuje kontrolą wielowarstwowych masek z warstwą z przesunięciem fazy, zaprojektowanych do wytworzenia urządzeń pamięciowych, nie objętych kontrolą przez pozycję 3A001.
Hungarian: Megjegyzés: A 3B001.h. nem vonja ellenőrzés alá azokat a fáziseltolásos rétegekkel ellátott többrétegű maszkokat, amelyeket a 3A001 pontban meg nem határozott memóriaeszközök gyártására terveztek.
Slovenian: Opomba: Točka 3B001.h ne ureja večplastnih mask s faznimi premičnimi plastmi, narejenih za izdelavo spominskih enot, ki jih točka 3A001 ne ureja.
Estonian: Märkus: Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihke kihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.
Latvian: Saskaņā ar 3B001.h. pozīciju kontroli neattiecina uz daudzslāņu maskām ar fāžu nobīdes slāni, kas paredzētas tādu atmiņu iekārtu ražošanai, uz kurām neattiecina kontroli saskaņā ar 3A001 pozīciju.
Lithuanian: Pastaba: 3B001.h. netaikomas daugiasluoksnėms kaukėms su fazės poslinkio sluoksniu, sukurtoms atmintinių įtaisų, kuriems netaikomas 3A001, gamybai.