FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: 3B Test, Inspection and Production Equipment
Portuguese: 3B Equipamentos de ensaio, de inspecção e de produção
English: 3B001 Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Portuguese: 3B001 Equipamentos para fabrico de dispositivos ou materiais semicondutores e componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos:
English: "Stored programme controlled" equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Portuguese: Equipamentos com "controlo por programa residente" concebidos para crescimento epitaxial:
English: Equipment capable of producing a layer thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Portuguese: Equipamentos capazes de produzir camadas cuja espessura apresente uma uniformidade melhor que ± 2,5 % numa distância igual ou superior a 75 mm;
English: Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Portuguese: Reactores de deposição de organometálicos em fase vapor por processo químico (MOCVD) especialmente concebidos para o crescimento de cristais de semicondutores compostos através de reacção química entre materiais referidos em 3C003 ou 3C004;
English: Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Portuguese: Equipamentos de crescimento epitaxial através de feixe molecular que utilizem fontes de gás ou sólidos.
English: "Stored programme controlled" equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Portuguese: Equipamentos com "controlo por programa residente" concebidos para implantação iónica com uma das seguintes características:
English: A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
Portuguese: Energia de feixe (tensão de aceleração) superior a 1 MeV;
English: Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Portuguese: Especialmente concebidos e optimizados para funcionar com uma energia de feixe (tensão de aceleração) inferior a 2 keV;
English: Direct write capability; or
Portuguese: Capacidade de escrita directa; ou
English: Being capable of high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Portuguese: Capazes de realizar a implantação de oxigénio com elevada energia num "substrato" de material semicondutor aquecido;
English: "Stored programme controlled" anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Portuguese: Equipamentos de erosão seca através de plasma anisotrópico com "controlo por programa residente":
English: Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Portuguese: Equipamentos com funcionamento cassete-a-cassete e fecho de carga, com uma das seguintes características:
English: Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 µm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Portuguese: Concebidos ou optimizados para produzir dimensões críticas iguais ou inferiores a 0,3 µm com um erro de ± 5 % de 3 sigma; ou
English: Designed for generating less than 0,04 particles/cm² with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
Portuguese: Concebidos para gerar menos de 0,04 partículas/cm² com um diâmetro mensurável das partículas superior a 0,1 µm;
English: Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Portuguese: Equipamentos especialmente concebidos para equipamentos referidos em 3B001.e. e com uma das seguintes características:
English: "Stored programme controlled" plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Portuguese: Equipamentos CVD enriquecidos com plasma, com "controlo por programa residente":
English: Designed according to the manufacturer's specifications or optimised to produce critical dimensions of 0,3 µm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Portuguese: Concebidos de acordo com as especificações do fabricante ou optimizados para produzir dimensões críticas iguais ou inferiores a 0,3 µm com um erro de ± 5 % de 3 sigma; ou
English: "Stored programme controlled" automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Portuguese: Sistemas multicâmaras de tratamento central de bolachas com carregamento automático e "controlo por programa residente", com todas as seguintes características:
English: Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Portuguese: Interfaces para entrada e saída de bolachas, às quais podem ser ligadas mais de duas unidades de equipamento de tratamento de semicondutores; e
English: Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Portuguese: Concebidos para formar um sistema integrado em ambiente de vácuo para o tratamento sequencial de múltiplas bolachas;
English: Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Portuguese: Nota: 3B001.e. não abrange sistemas robóticos de tratamento automático de bolachas não concebidos para funcionar em ambiente de vácuo.
English: "Stored programme controlled" lithography equipment, as follows:
Portuguese: Equipamentos litográficos com "controlo por programa residente":
English: Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Portuguese: Equipamentos com repetição de alinhamento e exposição (avanço em bolacha) ou avanço e varrimento (dispositivo de varrimento) para o processamento de bolachas através de métodos de raios X ou foto-ópticos, com uma das seguintes características:
English: A light source wavelength shorter than 350 nm; or
Portuguese: Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 350 nm; ou
English: Capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature" size of 0,5 µm or less;
Portuguese: Capazes de produzir um padrão com dimensão do "traço mínimo resolúvel" igual ou inferior a 0,5 µm;
English: The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula: where the K factor = 0,7
Portuguese: A dimensão do "traço mínimo resolúvel" é calculada pela seguinte fórmula:
English: MRF = minimum resolvable feature size 2. Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focused electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Portuguese: em que o factor K = 0,7 TMR = dimensão do traço mínimo resolúvel. 2. Equipamentos especialmente concebidos para a realização de máscaras ou para o tratamento de dispositivos de semicondutores através de feixes de electrões, iões ou "laser" focados e reflectidos, com uma das seguintes características:
English: A spot size smaller than 0,2 µm;
Portuguese: Dimensão de ponto inferior a 0,2 µm;
English: Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Portuguese: Serem capazes de produzir um padrão com uma dimensão de traço inferior a 1 µm; ou
English: An overlay accuracy of better than ± 0,20 µm (3 sigma);
Portuguese: Precisão no revestimento melhor que ± 0,20 µm (3 sigma);
English: Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Portuguese: Máscaras e retículas concebidas para circuitos integrados referidos em 3A001;
English: Multi-layer masks with a phase shift layer.
Portuguese: Máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase.
English: 3B002 "Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Portuguese: 3B002 Equipamentos de ensaio com "controlo por programa residente" especialmente concebidos para o ensaio de dispositivos de semicondutores, terminados ou não, e componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos:
English: For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31 GHz;
Portuguese: Para ensaio dos parâmetros S de dispositivos com transístores a frequências superiores a 31 GHz;
English: For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a "pattern rate" of more than 333 MHz;
Portuguese: Para ensaio de circuitos integrados capazes de realizar um ensaio funcional (tabela de verdade) com uma "frequência padrão" superior a 333 MHz;
English: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Portuguese: 3B002.b. não abrange equipamentos de ensaio especialmente concebidos para o ensaio de:
English: "Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
Portuguese: "Conjuntos electrónicos" ou uma categoria de "conjuntos electrónicos" para aplicações domésticas ou de lazer;
English: Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Portuguese: Componentes electrónicos, "conjuntos electrónicos" ou circuitos integrados não sujeitos a controlo;
English: Memories.
Portuguese: Memórias.
English: For the purpose of this entry, "pattern rate" is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Portuguese: Para efeitos deste ponto, "frequência padrão" define-se como sendo a frequência máxima de funcionamento digital de um sistema de ensaio.
English: It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in a non-multiplexed mode.
Portuguese: Equivale, portanto, à frequência máxima de sinais que o sistema de ensaio pode fornecer em modo não multiplexado.
English: It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Portuguese: É também conhecida por velocidade de ensaio, frequência digital máxima ou velocidade digital máxima.
English: For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Portuguese: Para ensaio dos circuitos integrados de micro-ondas referidos em 3A001.b.2.
English: 3C Materials
Portuguese: 3C Materiais
English: 3C001 Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Portuguese: 3C001 Materiais hétero-epitaxiais constituídos por um "substrato" com múltiplas camadas sobrepostas obtidas por crescimento epitaxial de:
English: Silicon;
Portuguese: Silício;
English: Germanium;
Portuguese: Germânio;
English: III/V compounds of gallium or indium.
Portuguese: Compostos III/V de gálio ou índio.
English: III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
Portuguese: Os compostos III/V são produtos policristalinos ou monocristalinos binários ou complexos constituídos por elementos dos grupos IIIA e VA da tabela de classificação periódica de Mendeleiev (por ex., arsenieto de gálio, arsenieto de alumínio e gálio, fosforeto de índio).
English: 3C002 Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Portuguese: 3C002 Resinas fotossensíveis e "substratos" revestidos de resinas fotossensíveis submetidas a controlo:
English: Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Portuguese: Resinas fotossensíveis positivas concebidas para litografia de semicondutores especialmente ajustadas para utilização em comprimentos de onda inferiores a 350 nm;
English: All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm² or better;
Portuguese: Todas as resinas concebidas para utilização com feixes de electrões ou iões, com uma sensibilidade igual ou superior a 0,01 µcolomb/mm²;
English: All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm² or better;
Portuguese: Todas as resinas fotossensíveis para utilização com raios X com uma sensibilidade igual ou melhor que 2,5 mJ/mm²;
English: All resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
Portuguese: Todas as resinas fotossensíveis optimizadas para as tecnologias de imagem em superfície, incluindo resinas fotossensíveis "sililadas".
English: "Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Portuguese: As técnicas de "sililação" definem-se como sendo processos que incluem a oxidação da superfície da resina para melhorar o seu comportamento na revelação quer a húmido quer a seco.
English: 3C003 Organo-inorganic compounds, as follows:
Portuguese: 3C003 Compostos organo-inorgânicos:
English: Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Portuguese: Compostos organo-metálicos de alumínio, gálio ou índio, com um grau de pureza (no que respeita ao elemento metálico) superior a 99,999 %;
English: Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Portuguese: Compostos orgânicos de arsénio, antimónio ou fósforo com um grau de pureza (no que respeita ao elemento inorgânico) superior a 99,999 %.
English: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Portuguese: 3C003 abrange apenas os compostos cujo elemento metálico, semimetálico ou não metálico está directamente ligado a átomos de carbono da parte orgânica da molécula.
English: 3C004 Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Portuguese: 3C004 Hidretos de fósforo, de arsénio ou de antimónio com um grau de pureza superior a 99,999 %, mesmo quando diluídos em gases inertes ou em hidrogénio.
English: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Portuguese: 3C004 não abrange hidretos com 20 % molar ou mais de gases inertes ou de hidrogénio.
English: 3D Software
Portuguese: 3D Suporte lógico
English: 3D001 "Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Portuguese: 3D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para o "desenvolvimento" ou "produção" de equipamentos referidos em 3A001.b. a 3A002.g ou 3B.
English: 3D002 "Software" specially designed for the "use" of "stored programme controlled" equipment specified in 3B.
Portuguese: 3D002 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a "utilização" de equipamentos com "controlo por programa residente" referidos em 3B.
English: 3D003 Computer-aided-design (CAD) "software" having all of the following:
Portuguese: 3D003 "Suportes lógicos" de concepção assistida por computador (CAD) com todas as seguintes características:
English: Designed for the "development" of semiconductor devices or integrated circuits; and
Portuguese: Concebidos para o desenvolvimento de dispositivos de semicondutores ou circuitos integrados,
English: Designed to perform or use any of the following:
Portuguese: Concebidos para executar ou utilizar:
English: Design rules or circuit verification rules;
Portuguese: Regras de concepção ou de verificação de circuitos;
English: Simulation of the physically laid out circuits; or
Portuguese: Simulação de circuitos fisicamente implantados; ou
English: "Lithographic processing simulators" for design.
Portuguese: "Simuladores de tratamento litográfico" para a fase de desenho.
English: A "lithographic processing simulator" is a "software" package used in the design phase to define the sequence of lithographic, etching and deposition steps for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor material.
Portuguese: Um "simulador de tratamento litográfico" é um "suporte lógico" utilizado na fase de desenho para definir a sequência das etapas de litografia, erosão e deposição para a transposição de padrões de máscaras em padrões topográficos específicos em materiais condutores, dieléctricos ou semicondutores.
English: 3D003 does not control "software" specially designed for schematic entry, logic simulation, placing and routing, layout verification or pattern generation tape.
Portuguese: 3D003 não abrange "suportes lógicos" especialmente concebidos para inserção de esquemas, simulação lógica, colocação e ligação dos componentes, verificação do traçado ou banda de geração de padrões.
English: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Portuguese: Bibliotecas, atributos de desenho ou dados associados à concepção de dispositivos de semicondutores ou circuitos integrados são considerados "tecnologia".
English: 3D101 "Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Portuguese: 3D101 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para a "utilização" de equipamentos referidos em 3A101 b.
English: 3E Technology
Portuguese: 3E Tecnologia
English: 3E001 "Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Portuguese: 3E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o "desenvolvimento" ou "produção" de equipamentos ou materiais referidos em 3A, 3B ou 3C;
English: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of:
Portuguese: 3E001 não abrange "tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "produção" de:
English: Microwave transistors operating at frequencies below 31 GHz;
Portuguese: Transístores de micro-ondas que funcionem a frequências inferiores a 31 GHz;
English: Integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Portuguese: Circuitos integrados referidos em 3A001.a.3 a 3A001.a.12., com ambas as seguintes características:
English: Using "technology" of 0,7 µm or more, and
Portuguese: Utilizarem tecnologia de 0,7 µm ou mais, e
English: Not incorporating "multi-layer structures".
Portuguese: Não incorporarem "estruturas multicamadas".
English: The term "multi-layer structures" in Note b.2. to 3E001 does not include devices incorporating a maximum of two metal layers and two polysilicon layers.
Portuguese: Na nota b.2. a 3E001, a expressão "estruturas multicamadas" não inclui os dispositivos que incorporem um máximo de duas camadas metálicas e duas camadas de polissilícios.
English: 3E002 "Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "micro-computer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
Portuguese: 3E002 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, diferente da especificada em 3E001, para o "desenvolvimento" ou "produção" de "microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos microcomputadores" e microcircuitos microcontroladores com um "desempenho teórico composto" ("CTP") de 530 milhões de operações teóricas por segundo (Mtops) ou mais e uma unidade lógica aritmética com uma largura de acesso de 32 bits ou mais.
English: The decontrol note to 3E001 also applies to 3E002.
Portuguese: As excepções referidas para o ponto 3E001 aplicam-se também a 3E002.
English: 3E003 Other "technology" for the "development" or "production" of:
Portuguese: 3E003 Outras "tecnologias" para o "desenvolvimento" ou "produção" de:
English: Vacuum microelectronic devices;
Portuguese: Dispositivos microelectrónicos de vácuo;
English: Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Portuguese: Dispositivos de semicondutores com hétero-estrutura como transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transístores hetero-bipolares (HBT), dispositivos de poços quânticos ou de super-redes;
English: "Superconductive" electronic devices;
Portuguese: Dispositivos electrónicos "supercondutores";
English: Substrates of films of diamond for electronic components;
Portuguese: Substratos de películas de diamante para componentes electrónicos;
English: Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Portuguese: Substratos de silício sobre isolador (SOI) para circuitos integrados, nos quais o isolador é o dióxido de silício;
English: Substrates of silicon carbide for electronic components;
Portuguese: Substratos de carboneto de silício para componentes electrónicos;
English: 3E101 "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
Portuguese: 3E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a "utilização" de equipamentos ou "suportes lógicos" referidos em 3A001.a.1 ou 2, 3A101 ou 3D101.
English: 3E102 "Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
Portuguese: 3E102 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o "desenvolvimento" de "suportes lógicos" referidos em 3D101.
English: 3E201 "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
Portuguese: 3E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a "utilização" de equipamentos referidos em 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225 a 3A233.
English: CATEGORY 4
Portuguese: CATEGORIA 4
English: COMPUTERS
Portuguese: COMPUTADORES
English: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Portuguese: Os computadores, equipamentos associados ou "suportes lógicos" que realizam funções de telecomunicações ou de "redes locais" devem ser também avaliados face às características de desempenho da categoria 5, Parte 1 (Telecomunicações).
English: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Portuguese: As unidades de comando que estabelecem uma interconexão directa de barramentos ou canais de unidades centrais de processamento, de "memória principal" ou de controladores de disco não são consideradas como equipamentos de telecomunicações descritos na categoria 5, Parte 1 (Telecomunicações).
English: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Portuguese: Para o estatuto dos suportes lógicos especialmente concebidos para comutação de pacotes, ver 5D001.
English: Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Portuguese: Os computadores, equipamentos associados ou "suportes lógicos" que realizam funções criptográficas, criptanalíticas, de segurança certificável multiníveis ou de isolamento certificável de utilizadores, ou que limitam a compatibilidade electromagnética (EMC), devem ser também avaliados face às características de desempenho definidas na categoria 5, Parte 2 ("Segurança da Informação").
English: 4A Systems, Equipment and Components
Portuguese: 4A Sistemas, equipamentos e componentes