FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: N.B.1 CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Portuguese: 1 A designação "deposição em fase vapor por processo químico" abrange os seguintes processos: deposição fora de caixa com fluxo de gás dirigido, CVD pulsante, deposição térmica com nucleação controlada (CNTD) e processos de deposição em fase vapor por processo químico activados ou assistidos por plasma.
English: N.B.2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Portuguese: 2 O termo "caixa" designa um substrato imerso numa mistura de pós.
English: N.B.3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Portuguese: 3 Os reagentes gasosos utilizados no processo fora de caixa são obtidos recorrendo às mesmas reacções e parâmetros básicos utilizados no processo de cementação em caixa, com a diferença de que o substrato a revestir não está em contacto com a mistura de pós.
English: Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Portuguese: A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE-PVD) é um processo de revestimento por cobertura conduzido em câmara de vácuo, a uma pressão inferior a 0,1 Pa, caracterizado por se utilizar uma fonte de energia térmica para vaporizar o material de revestimento.
English: This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Portuguese: Este processo dá lugar à condensação, ou à deposição, das espécies vaporizadas sobre substratos convenientemente posicionados.
English: The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Portuguese: A introdução de gases na câmara de vácuo durante o processo de revestimento, para sintetizar revestimentos compostos, constitui uma variante corrente do processo.
English: The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Portuguese: A utilização de feixes de iões ou de electrões, ou de plasma, para activar ou assistir a deposição do revestimento constitui também uma modificação corrente desta técnica.
English: The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Portuguese: É ainda possível utilizar instrumentos de controlo para medir as características ópticas e a espessura dos revestimentos no decurso destes processos.
English: Specific TE-PVD processes are as follows:
Portuguese: A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE-PVD) abrange os seguintes processos:
English: Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Portuguese: A deposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões, na qual se utiliza um feixe de electrões para aquecer e vaporizar o material que irá constituir o revestimento;
English: Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Portuguese: A deposição em fase vapor por processo físico com aquecimento por resistência assistida por feixes de iões, na qual se utilizam fontes de aquecimento por resistência eléctrica em associação com o impacto de feixes de iões de forma a produzir um fluxo controlado e uniforme do material vaporizado que irá constituir o revestimento;
English: "Laser" Vaporisation uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporise the material which forms the coating;
Portuguese: A vaporização por "laser", na qual se utilizam feixes "laser" contínuos ou pulsantes para aquecer o material que irá constituir o revestimento;
English: Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Portuguese: A deposição por arco catódico, na qual se utiliza um cátodo consumível do material que irá constituir o revestimento e se produz uma descarga de arco na superfície, por contacto momentâneo de um disparador ligado à terra.
English: Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
Portuguese: A movimentação controlada do arco desgasta a superfície do cátodo, criando um plasma fortemente ionizado.
English: The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Portuguese: O ânodo poderá ser um cone, fixado na periferia do cátodo com um isolador, ou a própria câmara.
English: Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Portuguese: A polarização do substrato permite efectuar a deposição em zonas fora da linha de visão.
English: This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Portuguese: Esta definição não abrange a deposição por arco catódico não dirigido em substratos não polarizados.
English: Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Portuguese: A metalização iónica, que é uma modificação especial do processo geral TE-PVD, na qual se utiliza uma fonte de iões ou um plasma para ionizar a espécie a depositar e se aplica uma polarização negativa ao substrato, de modo a facilitar a extracção da espécie do plasma.
English: The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Portuguese: A introdução de espécies reactivas, a vaporização de sólidos na câmara onde decorre o processo e a utilização de instrumentos de controlo para medir as características ópticas e a espessura dos revestimentos no decurso do processo constituem modificações correntes deste processo.
English: Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Portuguese: A cementação em caixa é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por cobertura, no qual um substrato é imerso numa mistura de pós (caixa), da qual fazem parte:
English: The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Portuguese: Os pós metálicos a depositar (em geral, de alumínio, crómio, silício ou combinações destes);
English: An activator (normally a halide salt); and
Portuguese: Um activador (normalmente um halogeneto); e
English: An inert powder, most frequently alumina.
Portuguese: Um pó inerte, quase sempre alumina.
English: The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Portuguese: O substrato e a mistura de pós são introduzidos numa retorta, que é aquecida a uma temperatura compreendida entre 1030 K (757 °C) e 1375 K (1102 °C) durante o tempo necessário para a deposição do revestimento.
English: Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Portuguese: A pulverização por plasma é um processo de revestimento por cobertura no qual um canhão (maçarico pulverizador), que produz e controla um plasma, contém os materiais que irão constituir o revestimento, sob a forma de pó ou de fio, procede à sua fusão e os projecta contra um substrato, onde se forma um revestimento totalmente aderente.
English: Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Portuguese: A pulverização por plasma poderá ser uma pulverização por plasma a baixa pressão ou uma pulverização por plasma a alta velocidade.
English: N.B.1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Portuguese: 1 Por baixa pressão, entende-se uma pressão inferior à pressão atmosférica ambiente.
English: N.B.2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Portuguese: 2 Por alta velocidade, entende-se uma velocidade do gás à saída do canhão superior a 750 m/s, calculada a 293 K (20 °C) para uma pressão de 0,1 MPa.
English: Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Portuguese: A deposição de barbotina é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por cobertura, no qual um pó metálico ou cerâmico com um ligante orgânico, em suspensão num líquido, é aplicado a um substrato por pulverização, imersão ou pintura. Depois de seco ao ar ou num forno, o conjunto é submetido a um tratamento térmico, a fim de se obter o revestimento pretendido.
English: Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Portuguese: A deposição por pulverização catódica é um processo de revestimento por cobertura baseado num fenómeno de transferência de quantidade de movimento, no qual iões positivos são acelerados por um campo eléctrico até à superfície de um alvo (do material que irá constituir o revestimento).
English: The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Portuguese: A energia cinética dos iões que chocam com o alvo é suficiente para libertar átomos da sua superfície, indo estes depositar-se num substrato convenientemente posicionado.
English: The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Portuguese: O quadro diz respeito, unicamente, à deposição por pulverização catódica com tríodo, com magnetrão ou reactiva, utilizadas para aumentar a aderência do revestimento e a velocidade de deposição, e à deposição por pulverização catódica intensificada por radiofrequência (RF), utilizada para permitir a vaporização de materiais de revestimento não metálicos.
English: N.B.2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Portuguese: 2 Para activar a deposição podem ser utilizados feixes iónicos de baixa energia (inferior a 5 keV).
English: Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Portuguese: A implantação iónica é um processo de revestimento por modificação da superfície, no qual o elemento a ligar é ionizado, acelerado num gradiente de potencial e implantado na zona superficial do substrato.
English: This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Portuguese: Esta definição abrange processos em que a implantação iónica seja concomitante com uma deposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões ou com uma deposição por pulverização catódica.
English: ELECTRONICS
Portuguese: ELECTRÓNICA
English: 3A Systems, Equipment and Components
Portuguese: 3A Sistemas, equipamentos e componentes
English: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Portuguese: O estatuto dos equipamentos e componentes referidos em 3A001 ou 3A002, com excepção dos referidos em 3A001.a.3. a 3A001.a.10. ou 3A001.a.12., que sejam especialmente concebidos para apresentar as mesmas características funcionais que outros equipamentos ou que possuam essas mesmas características é determinado pelo estatuto desses outros equipamentos.
English: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Portuguese: O estatuto dos circuitos integrados referidos em 3A001.a.3. a 3A001.a.9. ou 3A001.a.12., concebidos ou programados de forma inalterável para uma função específica para outros equipamentos, é determinado pelo estatuto dos outros equipamentos.
English: N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Portuguese: N.B.: Caso o fabricante ou o requerente não possam determinar o estatuto dos outros equipamentos, o estatuto dos circuitos integrados é determinado em 3A001.a.3. a 3A001.a.9. e em 3A001.a.12.
English: If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Portuguese: Caso o circuito integrado seja um "microcircuito microcomputador" ou um microcircuito microcontrolador à base de silício referido em 3A001.a.3. com um comprimento de palavra dos operandos (dados) de 8 bits ou inferior, o estatuto do circuito integrado é determinado em 3A001.a.3.
English: 3A001 Electronic components, as follows:
Portuguese: 3A001 Componentes electrónicos:
English: General purpose integrated circuits, as follows:
Portuguese: Circuitos integrados de uso geral:
English: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Portuguese: O estatuto das bolachas (acabadas ou não acabadas), nas quais tenha sido determinada a função, será avaliado em função dos parâmetros apresentados em 3A001.a.
English: Integrated circuits include the following types:
Portuguese: Nos circuitos integrados estão incluídos os seguintes tipos:
English: "Monolithic integrated circuits";
Portuguese: "Circuitos integrados monolíticos";
English: "Hybrid integrated circuits";
Portuguese: "Circuitos integrados híbridos";
English: "Multichip integrated circuits";
Portuguese: "Circuitos integrados multipastilhas";
English: "Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Portuguese: "Circuitos integrados do tipo película", incluindo circuitos integrados de silício sobre safira;
English: "Optical integrated circuits".
Portuguese: "Circuitos integrados ópticos".
English: Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Portuguese: Circuitos integrados concebidos ou classificados como reforçados contra radiações, capazes de suportar:
English: A total dose of 5 × 10³ Gy (silicon) or higher; or
Portuguese: uma dose total de 5 × 10³ Gy (silício) ou superior; ou
English: A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher;
Portuguese: uma taxa de aumento da dose de 5 × 106 Gy (silício)/s ou superior;
English: "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Portuguese: "Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos microcomputadores", microcircuitos microcontroladores, circuitos integrados de memória fabricados a partir de um semi-condutor composto, conversores analógico-digitais, conversores digital-analógicos, "circuitos integrados ópticos" ou electro-ópticos para "processamento de sinais", dispositivos de campo programáveis, circuitos integrados de redes neuronais, circuitos integrados por encomenda (custom) cuja função é desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em equipamentos cujo estatuto é desconhecido, processadores de transformação de Fourier rápida (TFR), memórias programáveis apagáveis electronicamente somente para leitura (EEPROM), memórias instantâneas ou memórias estáticas de acesso aleatório (SRAM),com uma das seguintes características:
English: Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Portuguese: Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C);
English: Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (- 55 °C); or
Portuguese: Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente inferior a 218 K (- 55 °C); ou
English: Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (- 55 °C) to 398 K (125 °C);
Portuguese: Classificados como aptos a funcionar em toda a gama de temperaturas ambientes de 218 K (- 55 °C) a 398 K (125 °C);
English: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Portuguese: 3A001.a.2. não abrange circuitos integrados destinados a aplicações em automóveis civis ou comboios dos caminhos de ferro.
English: "Microprocessor microcircuits", "micro-computer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
Portuguese: "Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos microcomputadores" e microcircuitos microcontroladores que possuam uma das seguintes características:
English: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Portuguese: 3A001.a.3. inclui processadores de sinais digitais, processadores matriciais digitais e coprocessadores digitais.
English: A "composite theoretical performance" ("CTP") of 6500 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bit or more;
Portuguese: Um "desempenho teórico composto" (CTP) de 6500 milhões de operações teóricas por segundo (Mtops) ou superior e uma unidade lógica aritmética com acesso de largura igual ou superior a 32 bits;
English: Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
Portuguese: Fabricados a partir de um semicondutor composto e funcionando com uma frequência de relógio superior a 40 MHz, ou
English: More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
Portuguese: Mais do que um barramento de dados ou de instruções ou porta de comunicação série que permita a interligação externa directa entre "microcircuitos microprocessadores" paralelos com um débito de transferência superior a 150 Mbyte/s;
English: Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Portuguese: Circuitos integrados de memória fabricados a partir de um semicondutor composto;
English: Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Portuguese: Circuitos integrados conversores analógico-digitais e digital-analógicos:
English: Analogue-to-digital converters having any of the following:
Portuguese: Conversores analógico-digitais com uma das seguintes características:
English: SEE ALSO 3A101.
Portuguese: N.B.: VER TAMBÉM 3A101.
English: A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a "total conversion time" of less than 5 ns;
Portuguese: Resolução igual ou superior a 8 bits, mas inferior a 12 bits, com um "tempo total de conversão" inferior a 10 ns;
English: A resolution of 12 bit with a "total conversion time" of less than 200 ns; or
Portuguese: Resolução de 12 bits, com um "tempo total de conversão" inferior a 200 ns; ou
English: A resolution of more than 12 bit with a "total conversion time" of less than 2 µs;
Portuguese: Resolução superior a 12 bits, com um "tempo total de conversão" inferior a 2 µs;
English: Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Portuguese: Conversores digital-analógicos com uma resolução igual ou superior a 12 bits e um "tempo de estabilização" inferior a 5 ns;
English: A resolution of n bits corresponds to a quantisation of 2n levels.
Portuguese: Uma resolução de n bits corresponde a uma quantização de 2n níveis.
English: "Total conversion time" is the inverse of sample rate.
Portuguese: O "tempo total de conversão" é o inverso da frequência de amostragem.
English: Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Portuguese: "Circuitos integrados ópticos" ou electro-ópticos para "processamento de sinais" com todas as seguintes características:
English: One or more than one internal "laser" diode;
Portuguese: Um ou mais díodos "laser" internos;
English: One or more than one internal light detecting element; and
Portuguese: Um ou mais elementos internos detectores de luz; e
English: Optical waveguides;
Portuguese: Guias de ondas ópticas;
English: Field programmable logic devices having any of the following:
Portuguese: Dispositivos lógicos de campo programáveis com uma das seguintes características:
English: An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Portuguese: Um número equivalente de portas lógicas utilizáveis superior a 30000 (portas lógicas de duas entradas);
English: A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,4 ns; or
Portuguese: Um "tempo de propagação por porta lógica elementar" típico inferior a 0,4 ns; ou
English: A toggle frequency exceeding 133 MHz;
Portuguese: Uma frequência de comutação superior a 133 Mhz;
English: Note: 3A001.a.7. includes:
Portuguese: Nota: 3A001.a.7 inclui:
English: Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Portuguese: Dispositivos lógicos programáveis simples (SPLD)
English: CPLDs (Complex Programmable Logic Devices),
Portuguese: Dispositivos lógicos programáveis complexos (CPLD)
English: FPGAs (Field Programmable Gate Arrays),
Portuguese: Matrizes de portas de campo programáveis (FPGA)
English: FPLAs (Field Programmable Logic Arrays),
Portuguese: Matrizes de lógicas de campo programáveis (FPLA)
English: FPICs (Field Programmable Interconnects).
Portuguese: Interligações de campo programáveis (FPIC)
English: N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Portuguese: Os dispositivos lógicos de campo programáveis são também conhecidos por matrizes de portas de campo programáveis ou matrizes lógicas de campo programáveis.
English: Not used;
Portuguese: Não utilizado
English: Neural network integrated circuits;
Portuguese: Circuitos integrados de redes neuronais;