FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: An activator (normally a halide salt);
French: un activant (généralement un sel halogéné);
Polish: aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa);
Hungarian: Aktivátor (általában egy halogénsó).
Slovenian: aktivatorja (navadno soli halidov);
Estonian: Aktivaator (tavaliselt halogeniidisool);
Latvian: aktivatora (parasti halogenīda);
Lithuanian: Aktyvatoriaus (paprastai halogenido druskos);
Maltese: Attivatur (normalment melħ alîdu);
English: An inert powder, most frequently alumina.
French: une poudre inerte (la plupart du temps de l'alumine).
Slovak: inertného prášku, najčastejšie aluminy.
Polish: proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.
Hungarian: Egy semleges por, általában timföld.
Slovenian: inertnega prahu, najpogosteje aluminijev obksit.
Estonian: Inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid.
Latvian: inerta pulvera (parasti alumīnija oksīda).
Lithuanian: Inertinių miltelių (dažniausiai aliuminio oksido).
Maltese: Trab inerti, l-aktar frekwentement alumina.
English: The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
French: Le substrat et le mélange de poudres sont placés dans une cornue qui est portée à une température comprise entre 1030 K (757 °C) et 1375 K (1102 °C) pendant un temps suffisant pour permettre le dépôt du revêtement.
Slovak: Substrát a prášková zmes sa nachádza v retorte, ktorá sa zahreje na teplotu 1030 K na dobu postačujúcu na to, aby sa vytvoril povlak.
Polish: Podłoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1030 K (757 °C) do 1375 K (1102 °C) przez okres wystarczający do osadzenia powłoki.
Hungarian: A hordozót és a porkeveréket egy retortában helyezik el, amelyet a bevonóanyag leválásához szükséges időtartamra 1030 K (757 °C) – 1375 K (1102 °C) közötti hőmérsékletre fűtenek fel.
Slovenian: Substrat in mešanica prahov sta v retorti, ogreti na temperaturo med 1030 K (757 °C) in 1375 K (1102 °C), za čas, ki zadošča za nanos prevleke.
Estonian: Põhimik ja pulbrisegu asetatakse retorti, mida kuumutatakse katte sadestamiseks piisava aja jooksul temperatuurivahemikus 1 030 K (757 °C) kuni 1 375 K (1 102 °C).
Latvian: Substrātu un maisījuma pulveri ievieto retortē, kuru uzkarsē līdz 1 030 - 1 375 K (757 - 1 102 °C) temperatūrai, un šādu temperatūru uztur pārklājuma veidošanai vajadzīgo laiku.
Lithuanian: Padėklas ir miltelių mišinys sudedami į kamerą, kuri kaitinama 1030 K (757 °C)–1375 K (1102 °C) temperatūroje tiek laiko, kiek reikia dangai susidaryti.
Maltese: Is-substrate u t-taħlita tat-trab huma miżmuma fi storta li hija msaħħna sa bejn1030 K (757 °Ċ) u 1375 K (1102 °Ċ) għal ħin suffiċjenti biex jiddepożita l-kisja.
English: Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
French: La pulvérisation de plasma peut être une pulvérisation à faible pression ou une pulvérisation à grande vitesse.
Slovak: Plazmové striekanie predstavuje buď plazmové striekanie pri nízkom tlaku alebo plazmové striekanie pri vysokej rýchlosti.
Polish: Odmianami tej techniki są napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością.
Hungarian: A plazmaszórás vagy kisnyomású plazmaszórásból vagy víz alatti, nagy sebességű plazmaszórásból áll.
Slovenian: Pršenje s plazmo je možno prek plazme z nizkim ali visokim tlakom pršenja.
Estonian: Plasmapihustus on kas madalrõhu plasma pihustus või ülikiire plasma pihustus.
Latvian: Pārklājumus plazmā veic ar pazemināta spiediena vai liela ātruma plazmas uzsmidzināšanu.
Lithuanian: Plazminiam purškimui gali būti naudojama mažo slėgio arba didelio greičio plazma.
Maltese: Traxxix tal-plażma jikkostitwixxi jew traxxix tal-plażma bi pressjoni baxxa jew traxxix tal-plażma b'veloċità għolja.
English: N.B.1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
French: 1 Par basse pression, on entend une pression inférieure à la pression atmosphérique ambiante.
Latvian: Pazemināts spiediens ir spiediens, kas mazāks par atmosfēras spiedienu.
English: N.B.2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
French: 2 Par grande vitesse, on entend une vitesse du gaz à la sortie du chalumeau supérieure à 750 m/s, calculée à 293 K (20 °C) et à une pression de 0,1 MPa.
Latvian: Liels ātrums ir gāzes ātrums izejā no sprauslas, kas 293 K (20 °C) temperatūrā un pie spiediena 0,1 MPa pārsniedz 750 m/s.
English: The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
French: L'énergie cinétique dégagée par le choc des ions est suffisante pour que des atomes de la surface de la cible soient libérés et se déposent sur le substrat placé de façon adéquate.
Slovak: Kinetická energia dopadajúcich iónov je dostatočná na to, aby uvoľnila atómy z bombardovaného povrchu a naniesla ich na vhodne umiestnenom substráte.
Polish: Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża.
Hungarian: A becsapódó ionok kinetikus energiája elegendő ahhoz, hogy a céltárgy felületéből atomok váljanak ki, és a megfelelően elhelyezett hordozón kiváljanak.
Slovenian: Kinetična energija ionov, ki se zaletijo v substrat, je tako velika, da se atomi na površini nanosnega materiala sprostijo in nanesejo na primerno nameščeno podlago.
Estonian: Põrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid märklauast välja lüüa ning sadestada sobivalt asetatud põhimikule.
Latvian: Jonu trieciena kinētiskā enerģija ir pietiekama, lai atbrīvotu mērķa virsmas atomus un ar tiem pārklātu attiecīgi novietotu substrātu.
Lithuanian: Smūgiuojančių jonų kinetinės energijos užtenka taikinio paviršiaus atomams išmušti ir nusodinti ant tinkamai įtvirtinto padėklo.
Maltese: L-enerġija kinetika tal-joni impatti hija suffiċjenti biex tikkawża l-atomi tal-wiċċ tat-targit jiġu meħlusa u iddepożitati fuq substrates posizzjonati b'mod xieraq.
English: N.B.1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
French: 1 Le tableau se réfère uniquement au dépôt par triode, par magnétron ou par pulvérisation cathodique, qui est utilisé pour augmenter l'adhérence du revêtement et la vitesse de dépôt, et au dépôt par pulvérisation cathodique amélioré par radiofréquence, utilisé pour permettre la vaporisation de matériaux de revêtement non métalliques.
Latvian: Tabulas dati attiecas tikai uz pārklāšanu uzputinot, izmantojot triodes, magnetronus vai reaktīvo uzputināšanu, ko lieto pārklājuma adhēzijas un pārklājuma veidošanas ātruma palielināšanai, kā arī uzputināšanu radiofrekvencēs (RF), ko lieto nemetālisku pārklājuma materiālu uzputināšanai.
English: N.B.2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
French: 2 Des faisceaux ioniques à faible énergie (.
Latvian: Pārklāšanas procesa aktivācijai var izmantot zemas enerģijas (zem 5 keV) jonu kūļu avotus.
English: This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
French: Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.
Slovak: Toto zahŕňa aj procesy, pri ktorých sa implantovanie iónov vykonáva zároveň prostredníctvom fyzikálneho pokovovania zrážaním kovových pár pomocou elektrónového lúča alebo prostredníctvom nanášania poprašovaním.
Polish: Proces ten może być stosowany równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów lub rozpylaniem jonowym.
Hungarian: Ez magában foglalja azokat az eljárásokat, amelyek során az ionbeültetés az elektronsugaras fizikai gőzfázisú leválasztással vagy katódporlasztással egyidejűleg történik.
Slovenian: Ta postopek vključuje postopek, pri katerem potekata istočasno ionska implantacija in fizično plinska metoda nanašanja s pomočjo elektronskega žarka ali visokega podtlaka.
Estonian: See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega.
Latvian: Pie jonu implantācijas pieder arī procesi, kuros jonu implantāciju veic vienlaicīgi ar elektronstaru kūļa vai uzputināšanas pārklāšanu.
Lithuanian: Tai apima procesus, kurių metu jonų implantavimas vykdomas kartu su elektronų pluošto fizikiniu nusodinimu iš garų fazės ar dulkinamuoju nusodinimu.
Maltese: Dan jinkludi proċessi li fihom it-tidħil tal-jone huwa magħmul simultanjament mad-deposizzjoni tad-dija ta' l-elettron ta' fwar fiżiku jew mad-deposizzjoni tat-tbeżżiq.
English: CATEGORY 3
French: CATÉGORIE 3
Slovak: KATEGÓRIA 3
Polish: KATEGORIA 3
Hungarian: 3. KATEGÓRIA
Slovenian: SKUPINA 3
Estonian: KATEGOORIA
Latvian: KATEGORIJA
Lithuanian: 3 KATEGORIJA
English: ELECTRONICS
French: ÉLECTRONIQUE
Slovak: ELEKTRONIKA
Polish: ELEKTRONIKA
Hungarian: ELEKTRONIKA
Slovenian: ELEKTRONIKA
Estonian: ELEKTROONIKA
Latvian: ELEKTRONIKA
Lithuanian: ELEKTRONIKA
English: 3A Systems, Equipment and Components
French: 3A Systèmes, équipements et composants
Slovak: 3A Systémy, zariadenia a súčasti
Polish: 3A Systemy, urządzenia i podzespoły
Slovenian: 3A Sistemi, oprema in komponente
Estonian: 3A Süsteemid, seadmed ja komponendid
Lithuanian: 3A Sistemos, įranga ir komponentai
Maltese: 3A Sistemi, Tagħmir jew Komponenti
English: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
French: Le statut des équipements, dispositifs et composants décrits aux paragraphes 3A001 ou 3A002 autres que ceux décrits aux alinéas 3A001 a.3. à 10 ou à l'alinéa 3A001.a.12., qui sont spécialement conçus pour ou qui présentent les mêmes caractéristiques fonctionnelles que d'autres équipements, est déterminé par le statut de ces autres équipements.
Slovak: Zariadenia a súčasti opísané v 3A001 alebo 3A002 okrem zariadení a súčastí opísaných v 3A001.a.3. až 3A001.a.10. alebo 3A001.a.12., ktoré sú zvlášť navrhnuté pre iné zariadenia alebo ktoré majú rovnaké funkčné charakteristiky ako iné zariadenia, sa riadia tak ako tieto iné zariadenia (z hľadiska kontroly).
Polish: Status kontroli urządzeń i podzespołów opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż opisane w pozycji 3A001.a.3–3A001.a.10 lub 3A001.a.12, specjalnie opracowanych lub posiadających te same właściwości funkcjonalne co inne urządzenia, jest określony przez status kontroli innych urządzeń.
Hungarian: A 3A001.a.3.–3A001.a.10. alatt, vagy a 3A001.a.12. alatt meghatározottaktól eltérő, a 3A001 vagy 3A002 alatt ismertetett berendezések és alkatrészek – amelyeket más berendezésekhez speciálisan terveztek, illetve amelyek ugyanolyan funkcionális jellemzőkkel rendelkeznek, mint a többi berendezés – ellenőrzési státusát a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
Estonian: Punktis 3A001 või 3A002 nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine (v.a punktides 3A001.a.3-3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud), mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudes seadmetes või millel on muudele seadmetele iseloomulikud tunnused, määratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
Latvian: piezīme: 3A001 vai 3A002 pozīcijā iekārtām un komponentiem, izņemot 3A001.a.3. līdz 3A001.a.10. vai 3A001.a.12. pozīcijā norādītos, kas speciāli paredzēti citām iekārtām vai kam ir tādi paši funkcionālie raksturlielumi kā citām iekārtām, nosaka tādu pašu kontroles režīmu kā šīm citām iekārtām.
Lithuanian: įrangos ir komponentų, aprašytų 3A001 arba 3A002, išskyrus aprašytus 3A001.a.3–3A001.a.10 arba 3A001.a.12, kurie specialiai yra tuo tikslu sukurti arba kurie turi tas pačias funkcines charakteristikas kaip ir kita įranga, kontrolės statusas nustatomas pagal kitos įrangos kontrolės statusą.
Maltese: L-istatus ta' kontroll tat-tagħmir u tal-komponenti deskritt fi 3A001 jew 3A002, ħlief dawk deskritti fi 3A001.a.3. sa 3A001.a.10. jew 3A001.a.12., li huma iddisinnjati b'mod speċjali għal jew li għandhom l-istess karatteristiċi funzjonali bħal tagħmir ieħor huwa determinati mill-istatus ta' kontroll tat-tagħmir l-ieħor.
English: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
French: Le statut des circuits intégrés décrits aux alinéas 3A001.a.3 à 9 ou à l'alinéa 3A001.a.12, qui sont programmés ou conçus, de façon non modifiable, pour une fonction spécifique pour d'autres équipements, est déterminé par le statut des autres équipements.
Slovak: Integrované obvody opísané v 3A001.a.3. až 3A001.a.9. alebo 3A001.a.12., ktoré sú nemenne naprogramované alebo navrhnuté pre zvláštnu funkciu v iných zariadeniach, sa riadia tak ako tieto iné zariadenia (z hľadiska kontroly).
Polish: Status kontroli układów scalonych opisanych w pozycjach 3A001.a.3-3A001.a.9 lub 3A001.a.12, zaprogramowanych na stałe, bez możliwości wprowadzenia zmian lub przeznaczonych lub posiadających te same właściwości funkcjonalne co inne urządzenia, jest określony przez status kontroli innych urządzeń.
Hungarian: A 3A001.a.3.–3A001.a.9. alatt, vagy a 3A001.a.12. alatt ismertetett integrált áramkörök ellenőrzési státusát – amelyeket megváltoztathatatlan módon programoztak vagy más berendezéshez egyedi funkcióra terveztek – a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
Estonian: Punktides 3A001.a.3-3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse.
Latvian: 3A001.a.3. līdz 3A001.a.9. vai 3A001.a.12. pozīcijā norādītajām integrālajām shēmām, kam ir nemaināma programmu vai kas paredzētas specifiskai funkcijai citās iekārtās, nosaka tādu pašu kontroles režīmu kā šīm citām iekārtām.
Lithuanian: integrinių grandynų, aprašytų 3A001.a.3–3A001.a.9 arba 3A001.a.12, kuriuose naudojamos pastoviosios programos arba kurie yra sukurti kitos įrangos savitoms funkcijoms atlikti, kontrolės statusas nustatomas pagal kitos įrangos kontrolės statusą.
Maltese: L-istatus ta' kontroll ta' ċirkuwiti integrati deskritti fi 3A001.a.3. sa 3A001.a.9. jew 3A001.a.12. li huma ipprogrammati b'mod li ma jistgħux jinbidlu jew iddisinnjati għal funzjoni speċifika għal tagħmir ieħor huwa determinat mill-istatus ta' kontroll tat-tagħmir l-ieħor.
English: N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
French: N.B.: Lorsque le fabricant ou le demandeur de la licence ne peut déterminer le statut de ces autres équipements, le statut des circuits intégrés est déterminé aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.9. et 3A001.a.12.
Latvian: Gadījumos, kad ražotājs vai pieteikuma iesniedzējs šīs citas iekārtas kontroles režīmu noteikt nevar, integrālajām shēmām kontroles režīmu nosaka saskaņā ar 3A001.a.3 līdz 3A001.a.9. un 3A001.a.12. pozīciju.
English: If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
French: Si le circuit intégré est un "microcircuit microprocesseur" ou un "microcircuit microcontrôleur" à base de silicium décrit à l'alinéa 3A001.a.3. ayant une longueur de mot d'opérande (données) inférieure ou égale à 8 bits, son statut est déterminé à l'alinéa 3A001.a.3.
Slovak: Ak je však integrovaný obvod "mikropočítačový mikroobvod" na báze kremíka alebo mikroobvod mikroradiča opísaný v 3A001.a.3., ktorý má dĺžku slova operandu (údaju) najviac 8 bitov, potom sa integrovaný obvod riadi podľa bodu 3A001.a.3.
Polish: Jeżeli układ scalony jest krzemowym "mikroukładem mikrokomputerowym" lub mikrosterownikiem określonym w pozycji 3A001.a.3 o długości słowa operandu (danych) 8 bitów lub mniej, status kontroli układu scalonego określony jest w pozycji 3A001.a.3.
Hungarian: Ha az integrált áramkör a 3A001.a.3. alatt jellemzett szilíciumalapú "mikroszámítógépes mikroáramkör" vagy "mikrokontroller mikroáramkör", melyek operandus (adat) szóhosszúsága 8 bit vagy annál kevesebb, az integrált áramkör ellenőrzési státusát a 3A001.a.3. határozza meg.
Slovenian: Če je integrirano vezje "mikroračunalniško mikrovezje" na podlagi silicija ali mikrokrmilniško mikrovezje, opisano v točki 3A001.a.3, in če je dolžina njegovega podatka za obdelavo 8 bitov ali manj, je nadzorni status integriranega vezja določen v točki 3A001.a.3.
Estonian: Kui integraallülitus on punktis 3A001.a.3 nimetatud, ränist valmistatud mikroarvuti mikroskeem või mikrokontrolleri mikroskeem, mille operandi (andmed) sõna pikkuseks on 8 bitti või vähem, on selle integraallülituse kontrolli alla kuulumine määratud punktis 3A001.a.3.
Latvian: Ja integrālā shēma ir uz silīcija bāzes izgatavota "mikrodatora mikroshēma" vai mikrokontrolera mikroshēma, kas aprakstīta 3A001.a.3. un ir ar operanda (datu) vārda garumu 8 biti vai mazāku, integrālās shēmas kontroles režīmu nosaka saskaņā ar pozīciju.
Lithuanian: Jei integrinis grandynas yra silicio integrinis mikrokompiuterių grandynas arba integrinis mikrovaldiklių grandynas, aprašytas 3A001.a.3, turintis 8 ar mažesnio bitų kiekio operando (duomenų) žodžio ilgį, integrinio grandyno kontrolės statusas yra nustatomas pagal 3A001.a.3.
Maltese: Jekk iċ-ċirkuwitu integrat huwa "mikroċirkuwitu mikrokompjuter" mibni mis-silikon jew mikroċirkuwitu mikrokontrollur deskritt fi 3A001.a.3. li għandu t-tul ta' kliem li fuqha ssir l-operazzjoni (data) ta' 8 bit jew anqas, l-istatus ta' kontroll taċ-ċirkuwitu integrat huwa determinat fi 3A001.a.3.
English: 3A001 Electronic components, as follows:
French: 3A001 Composants électroniques, comme suit:
Slovak: 3A001 Elektronické súčasti:
Polish: 3A001 Następujące podzespoły elektroniczne:
Estonian: 3A001 Elektroonilised komponendid:
Latvian: 3A001 Elektroniskie komponenti:
Lithuanian: 3A001 Elektroniniai komponentai, išvardyti toliau:
Maltese: 3A001 Komponenti elettroniċi, kif ġej:
English: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
French: Le statut des plaquettes (finies ou non finies) dans lesquelles la fonction a été déterminée doit être évalué en fonction des paramètres de l'alinéa 3A001.a.
Slovak: Pri hodnotení, podľa ktorého bodu sa riadia plátky čipov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a.
Polish: Status kontroli płytek (gotowych lub niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję, należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a.
Hungarian: Azoknak a (befejezett vagy be nem fejezett) lapkáknak, amelyeken a funkciót meghatározták, az ellenőrzési státusát a 3A001.a. alatti paraméterek szerint kell értékelni.
Estonian: Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.
Latvian: piezīme: Kontroles režīmu pusvadītāju sagatavēm (pabeigtām un nepabeigtām), kuru funkcijas jau ir noteiktas, nosaka pēc 3A001.a. dotajiem parametriem.
Lithuanian: (baigtų arba pusiau baigtų) puslaidininkinių plokštelių, kurių funkcijos yra apibrėžtos, kontrolės statusas yra įvertinamas pagal 3A001.a parametrus.
Maltese: L-istatus ta' kontroll ta' wajfers (mitmuma jew mhux mitmuma) li fihom il-funzjoni ġiet determinata, għandha tkun evalwati mal-parametri ta' 3A001.a.
English: Integrated circuits include the following types:
French: Les circuits intégrés comprennent les types suivants:
Slovak: Integrované obvody zahŕňajú nasledujúce typy:
Polish: Do układów scalonych zaliczane są następujące typy:
Hungarian: Integrált áramkörök alatt a következő típusokat értjük:
Estonian: Integraallülituste tüübid:
Latvian: Integrālās shēmas ir šādas:
Lithuanian: Integriniams grandynams priskiriami:
Maltese: Ċirkuwiti integrati jinkludi dawn it-tipi li ġejjin:
English: "Monolithic integrated circuits";
French: "circuits intégrés monolithiques";
Slovak: "monolitické integrované obvody",
Polish: "Układy scalone monolityczne";
Hungarian: "Monolit integrált áramkörök".
Estonian: Monoliit-integraallülitused;
Latvian: "monolītās integrālās shēmas";
Lithuanian: "Monolitiniai integriniai grandynai";
Maltese: "Ċirkuwiti integrati monolitiċi";
English: "Hybrid integrated circuits";
French: "circuits intégrés hybrides";
Slovak: "hybridné integrované obvody",
Polish: "Układy scalone hybrydowe";
Hungarian: "Hibrid integrált áramkörök".
Estonian: Hübriidintegraallülitused;
Latvian: "hibrīdiskās integrālās shēmas";
Lithuanian: "Hibridiniai integriniai grandynai";
Maltese: "Ċirkuwiti integrati ibridi";
English: "Multichip integrated circuits";
French: "circuits intégrés à multipuces";
Slovak: "mnohočipové integrované obvody",
Polish: "Układy scalone wielopłytkowe";
Hungarian: "Multicsip integrált áramkörök".
Estonian: Mitmekiibilised integraallülitused;
Latvian: "daudzelementu integrālās shēmas";
Lithuanian: "Daugialusčiai integriniai grandynai";
Maltese: "Ċirkuwiti integrati multichip";
English: "Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
French: "circuits intégrés à film", y compris les circuits intégrés silicium sur saphir;
Slovak: "vrstvové integrované obvody" vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre,
Polish: "Układy scalone warstwowe" włącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze;
Hungarian: "Film típusú integrált áramkörök", beleértve a szilícium/zafír integrált áramköröket is.
Estonian: Kile-tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;
Latvian: "plēves tipa integrālās shēmas", arī silīcijs-uz-safīra integrālās shēmas;
Lithuanian: "Sluoksniniai integriniai grandynai", įskaitant silicio ant safyro integrinius grandynus;
Maltese: "Ċirkuwiti integrati tat-tip tal-film", inklużi ċirkuwiti integrati tas-silikon fuq żaffir;
English: "Optical integrated circuits".
French: "circuits intégrés optiques".
Slovak: "optické integrované obvody".
Polish: "Układy scalone optyczne".
Hungarian: "Optikai integrált áramkörök".
Estonian: Optilised integraallülitused.
Latvian: "optiskās integrālās shēmas".
Lithuanian: "Optiniai integriniai grandynai".
Maltese: "Ċirkuwiti integrati ottiċi".
English: Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
French: circuits intégrés conçus ou prévus comme circuits résistants aux radiations pour supporter:
Slovak: Integrované obvody navrhnuté alebo klasifikované ako kalené radiáciou tak, aby odolávali:
Polish: układy scalone skonstruowane lub przystosowane w taki sposób, że są odporne na promieniowanie jonizujące i wytrzymują:
Hungarian: A sugárzásállónak tervezett vagy minősített integrált áramkörök, melyek ellenállnak a következők bármelyikének:
Slovenian: integrirana vezja, izdelana ali označena kot odporna proti sevanju, ki lahko prenesejo:
Estonian: Integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:
Latvian: integrālās shēmas, kas ir izveidotas ar paaugstinātu izturību pret radiācijas iedarbību vai kas šādi novērtētas, un iztur:
Lithuanian: Integriniai grandynai, sukurti ar suprojektuoti atsparūs jonizuojančiajai spinduliuotei ir atlaikantys bet kurią iš šių verčių:
Maltese: Ċirkuwiti integrati, iddisinnjati jew stmati bħala ittemprati kontra r-radjazzjoni biex jilqgħu xi wieħed minn dawn li ġejjin: