FrancophonIA/DGT-Translation_Memory huggingface dataset:
English: Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
French: Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) est un procédé de revêtement par recouvrement ou revêtement par modification de surface par lequel un métal, un alliage, un matériau "composite", un diélectrique ou une céramique est déposé sur un substrat chauffé.
Polish: Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakładania powłoki lub modyfikacji powierzchni podłoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podłożu metalu, stopu, "materiału kompozytowego", dielektryka lub materiału ceramicznego.
Hungarian: Gőzfázisú kémiai leválasztás (Chemical Vapour Deposition – CVD) olyan rétegfelviteli vagy felületmódosítási bevonási folyamat, amelynek során fémet, ötvözetet, "kompozitot" vagy kerámiát visznek fel hevített hordozó felületére.
Slovenian: Kemijski postopek nanašanja (Chemical Vapour Deposition, CVD) je postopek nanašanja dodatnih nanosov ali modifikacije osnovnega materiala, kjer so osnova nanosov kovine, zlitine, "kompozita", dielektričnega ali keramičnega materiala na razgreto podlago.
Estonian: Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise või pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline või keraamiline komposiit, sadestatakse kuumutatud põhimikule.
Latvian: Ķīmisko savienojumu tvaiku kondensācijas pārklāšana (CVD) ir virsmas pārklāšanas vai modificēšanas process, kurā sakarsētam substrātam uzklāj metālus, to sakausējumus, "kompozītu", dielektriskus vai keramikas materiālus.
Lithuanian: Cheminis nusodinimas iš garų fazės (CVD) yra viršutinio sluoksnio sudarymo ar paviršiaus pakeitimo (modifikavimo) dengimo procesas, kurio metu metalas, lydinys, "kompozitas", dielektrikas ar keramika yra nusodinami ant įkaitinto padėklo.
Maltese: Deposizzjoni ta' Fwar tal-Kimika (CVD) hija kisja fuq xi ħaġa oħra jew proċess ta' kisi għall-immodifikar tal-wiċċ li fih metall, liega, "kompost", dielettriku jew taċ-ċeramika huwa depożitati fuq substrate imsaħħan.
English: 1 CVD includes the following processes:
Lithuanian: CVD apima tokius procesus:
English: 2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Lithuanian: Paketas reiškia į miltelių mišinį panardintą padėklą.
English: 3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Lithuanian: Dujiniai reagentai, naudojami ištisiniam (nepaketiniam) padengimui, yra gaunami naudojant tas pačias pagrindines reakcijas ir parametrus, kaip ir per paketinės cementacijos procesą, išskyrus tai, kad dengiamas padėklas nesiliečia su miltelių mišiniu.
English: Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
French: Le dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) est un procédé de revêtement par recouvrement exécuté dans un vide, à une pression inférieure à 0,1 Pa, par lequel une source d'énergie thermique est utilisée pour la vaporisation du matériau de revêtement.
Polish: Naparowywanie termiczne-fizyczne osadzanie par (TE-PVD) jest procesem powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 Pa, w którym do odparowania materiału powlekającego używa się energii termicznej.
Hungarian: Termikus gőzölögtetésű-fizikai gőzfázisú leválasztás (TE-PVD) olyan bevonatkezelési eljárás, amelyet 0,1 Pa-nál kisebb nyomású vákuumban végeznek el, úgy, hogy a bevonóanyag elgőzölögtetésére hőenergiát használnak fel.
Slovenian: Fizično plinsko nanašanje prek termičnega izgorevanja (Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition, TE-PVD) je postopek nanašanja prevleke na površino, ki poteka v vakuumu pod tlakom manj kakor 0,1 Pa in pri katerem vir toplotne energije služi za izhlapevanje nanosnega materiala.
Estonian: Termoaurustamine - füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse läbi vaakumis rõhul vähem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat.
Latvian: Fizikāli termiskā tvaiku pārklāšana (TE-PVD) ir virsmas pārklāšanas process vakuumā, kas dziļāks par 0,1 Pa, kurā pārklājuma materiālu iztvaicēšanai izmanto termiskās enerģijas avotu.
Lithuanian: Šiluminis (terminis) garinimas – fizikinis nusodinimas iš garų fazės (TE-PVD) – tai viršutinio sluoksnio susidarymo procesas, vykstantis vakuume, kurio slėgis mažesnis kaip 0,1 Pa, o dengiančiajai medžiagai išgarinti naudojamas šiluminis energijos šaltinis.
Maltese: Deposizzjoni ta' Fwar Fiżiku-Evaporazzjoni Termali (TE-PVD) hija proċess ta' kisja ta' fuq xi ħaġa oħra mmexxija f'vakwu bi pressjoni ta' anqas minn 0,1 Pa li fih sors ta' enerġija termali huwa wżat biex jitfawwâr il-materjal tal-kisi.
English: Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
French: La cémentation métallique en caisse est un procédé de revêtement par modification de surface ou revêtement par recouvrement, par lequel un substrat est plongé dans un mélange de poudres (caisse) comprenant:
Slovak: Cementovanie v prášku v uzavretých nádobách je proces povliekania modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povlaku, pri ktorom sa substrát ponorí do práškovej zmesi (uzatvorená nádoba), ktorá pozostáva z:
Polish: Osadzanie fluidyzacyjne jest techniką powlekania lub modyfikacji powierzchni podłoża, w której podłoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, składającej się z:
Hungarian: A pack-cementálás olyan felületmódosító bevonási vagy rétegfelviteli eljárás, amelynek során a hordozót porkeverékbe (az ún. pack) merítik, amely a következőkből áll:
Slovenian: Utrjevanje je površinska modifikacija ali površinska plast, kjer je substrat potopljen v mešanico prahov, ki sestoji iz:
Estonian: Tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:
Latvian: Cementēšana karbonizatorā ir virsmas pārklāšanas vai virsmas modificēšanas process, ievietojot substrātu pulverveida maisījumā (karbonizatorā), kas sastāv no:
Lithuanian: Paketinis cementavimas yra paviršiaus modifikavimo dangos ar viršutinio sluoksnio sudarymo procesas, kurio metu padėklas yra panardintas į miltelių mišinį (paketą), sudarytą iš:
Maltese: Kif isir jew jingħata s-siment ta' Pakk hija kisja għall-modifikazzjoni tal-wiċċ jew proċess tal-kisi fuq xi ħaġa oħra li fih substrate huwa mgħaddas f'taħlita ta' trab (pakk), li jikkonsisti minn:
English: Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
French: La projection de plasma est un procédé de revêtement (par recouvrement) par lequel un canon (chalumeau ou torche à plasma) produisant et contrôlant un plasma reçoit des matériaux de revêtement sous forme de poudre ou de fil, les fait fondre et les projette sur un substrat où se forme ainsi un revêtement intégralement adhérent.
Slovak: Plazmové striekanie je proces prekrývacieho povliekania, v ktorom pištoľ (rozprašovací horák), ktorá vytvára a riadi plazmu, prijíma práškové alebo drôtové povlakové materiály, taví ich a ženie smerom k substrátu, na ktorom sa vytvorí jednotne viazaný povlak.
Polish: Napylanie plazmowe jest techniką powlekania, w której do pistoletu służącego do wytwarzania i sterowania strumieniem plazmy jest doprowadzany materiał do powlekania w postaci proszku lub pręta. Pistolet topi materiał i wyrzuca go na podłoże, na którym powstaje silnie z nim związana powłoka.
Hungarian: A plazmaszórás olyan rétegfelviteli eljárás, amely során a plazmát egy szórófej állítja elő és szabályozza; a porított vagy huzalos bevonóanyag a szórófejbe kerül be, amely azt megolvasztja, és ezt szórja ki a hordozó felé, ahol az teljes mértékben tapadó bevonatot képez.
Slovenian: Pršenje s plazmo je postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem razpršilka oblikuje in krmili plazmo, praškaste ali nitkaste nanosne materiale, jih tali in vrtinči proti podlagi, na kateri se oblikuje integralno povezan nanos.
Estonian: Plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht.
Latvian: Plazmas uzsmidzināšana ir virsmas pārklāšanas process, kura laikā pulverizācijas deglis, ar ko veido un vada plazmu, ņem pulveri vai pārklājamā materiāla stiepli, to izkausē un virza uz pārklājamo substrātu, uz kura veidojas integrāli saistīts pārklājums.
Lithuanian: Plazminis purškimas yra viršutinio sluoksnio sudarymo procesas, kai plazmą formuojantis ir valdantis prožektorius priima miltelių ar vielos pavidalo dengiančiąsias medžiagas, jas išlydo ir stumia prie padėklo, ant kurio formuojama gerai surišta danga.
Maltese: Traxxix tal-Plażma huwa proċess tal-kisi ta' fuq xi ħaġa oħra li fih pistola (torċa tar-raxx) li tipproduċi u tikkontrolla plażma tilqa' materjali tal-kisi tat-trab jew tal-wajer, tħollhom u timbotthom 'il quddiem lejn substrate, li fuqu kisja marbuta integralment hija ifformata.
English: 1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Lithuanian: Žemas slėgis reiškia mažesnį kaip atmosferos slėgį.
English: 2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Lithuanian: Didelis plazmos greitis reiškia, kad iš prožektoriaus tūtos išeinančių dujų greitis esant 293 K (20 °C) temperatūrai ir 0,1 MPa slėgiui yra didesnis kaip 750 m/s.
English: Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
French: Le dépôt par pulvérisation cathodique est un procédé de revêtement par recouvrement, fondé sur un phénomène de transfert d'énergie cinétique, par lequel des ions positifs sont accélérés par un champ électrique et projetés sur la surface d'une cible (matériau de revêtement).
Slovak: Vylučovanie naprašovaním je proces prekrývacieho povliekania založený na prenose hybnosti, pri ktorom sú kladné ióny urýchľované elektrickým poľom smerom k povrchu terča (povliekací materiál).
Polish: Rozpylanie jonowe jest procesem powlekania, opartym na zjawisku przenoszenia pędu, w którym naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy).
Hungarian: A katódporlasztás olyan rétegfelviteli folyamat, amelyben pozitív töltésű részecskéket gyorsítanak és mozgatnak elektromos térben a céltárgy (bevonóanyag) felszíne felé.
Slovenian: Nanašanje z brizganjem je nanašanje prevleke na površino, ki temelji na principu visokega podtlaka in prehoda delcev, kjer so pozitivni ioni pospešeni z elektronskim poljem v smeri substrata.
Estonian: Atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas.
Latvian: Pārklāšana uzputinot ir virsmas pārklāšanas process, kas pamatojas uz momentānās pārneses parādību, pozitīvajiem joniem elektriskajā laukā paātrinoties virzienā uz mērķi (pārklājamo materiālu).
Lithuanian: Dulkinamasis nusodinimas yra viršutinio sluoksnio sudarymo procesas, pagrįstas judesio kiekio perdavimo reiškiniu: teigiamųjų jonų judėjimą link taikinio (dengiamosios medžiagos) paviršiaus pagreitina elektrinis laukas.
Maltese: Deposizzjoni tat-Tbeżżiq huwa proċess tal-kisi fuq xi ħaġa oħra ibbażat fuq fenomenu ta' momentum ta' transferiment, li fih joni posittivi huma mħaffa minn kamp elettriku lejn il-wiċċ ta' targit (materjal tal-kisi).
English: 1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Lithuanian: Lentelėje pateikiami tik duomenys apie triodinį, magnetroninį ar reaktyvinį dulkinamąjį nusodinimą, kuris naudojamas dangos adhezijai padidinti ir nusėdimo spartai pagreitinti, ir apie radijo dažnių (RF) suintensyvintą dulkinamąjį nusodinimą, naudojamą nemetalinėms dengimo medžiagoms išgarinti.
English: 2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Lithuanian: Nusėdimui suaktyvinti gali būti panaudoti mažos (mažesnės kaip 5 keV) energijos jonų pluoštai.
English: Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
French: L'implantation ionique est un procédé de revêtement par modification de surface par lequel l'élément à allier est ionisé, accéléré par un gradient de potentiel et implanté dans la zone superficielle du substrat.
Slovak: Implantovanie iónov je proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa prvok, ktorý sa má zlievať, ionizuje, urýchli prostredníctvom gradientu potenciálu a implantuje sa do oblasti povrchu substrátu.
Polish: Implantacja jonowa jest procesem modyfikacji powierzchni polegającym na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjałów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podłoża.
Hungarian: Az ionbeültetés az a felületmódosító bevonási eljárás, amelynek során az ötvözőelemet ionizálják, erőtérben felgyorsítják és a hordozó felületének meghatározott részébe ültetik.
Slovenian: Ionska implantacija je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine, pri katerem se element, predviden za zlitino, ionizira, pospešuje skozi potencialni padec in vsadi v površino podlage.
Estonian: Ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas.
Latvian: Jonu implantācija ir virsmas modificēšanas process ar pārklāšanu, kurā leģējošo elementu jonizē, ar potenciālu starpību paātrina un implantē noteiktā substrāta virsmas apgabalā.
Lithuanian: Jonų implantavimas yra paviršių keičiantis dengimas arba viršutinio sluoksnio sudarymo procesas, kurio metu įlydomasis elementas yra jonizuojamas, jonų judėjimas įgreitinamas potencialiniame lauke, o jonai implantuojami į padėklo paviršinę sritį.
Maltese: Tidħil tal-jone hija proċess ta' kisi ta' modifikazzjoni tal-wiċċ li fih l-element li għandu jiġi illegat huwa jonizzat, mħaffef bi gradjent potenzali u mdaħħal fil-reġjun tal-wiċċ tas-substrate.
English: General purpose integrated circuits, as follows:
French: Circuits intégrés d'usage général, comme suit:
Slovak: Univerzálne integrované obvody:
Polish: Następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia:
Hungarian: Általános célú integrált áramkörök, az alábbiak szerint:
Estonian: Üldise kasutusega integraallülitused:
Lithuanian: Bendrosios paskirties integriniai grandynai, išvardyti toliau:
Maltese: Ċirkuwiti integrati b'għan ġenerali, kif ġej:
English: A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
French: une dose totale de 5 × 103 Gy (silicium) ou plus;
Slovak: celkovej dávke najmenej 5 × 103 Gy (kremík);
Polish: dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (krzem) lub wyższą; lub
Hungarian: 5 × 103 Gy (Si) vagy ennél nagyobb teljes dózis;
Slovenian: skupno dozo 5 × 103 Gy (silicij) ali več;
Estonian: Kogudoos, mille väärtus on 5×103 Gy (räni) või rohkem;
Latvian: kopējo apstarojuma devu 5 x 103 Gy (silīcijs) vai augstāku;
Lithuanian: Suminę spinduliuotės dozę 5 × 103 Gy (Si) ar didesnę;
Maltese: Doża totali ta' 5 × 103 Gy (silikon) jew għola;
English: A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher;
French: un débit de dose de 5 × 106 Gy (silicium)/s ou plus;
Hungarian: 5 × 106 Gy(Si)/s vagy magasabb dózisintenzitás-változás;
Slovenian: določeno stalno dozo 5 × 106 Gy (silicij)/s ali več;
Estonian: Doosikiirus, mille väärtus on 5×106 Gy (räni)/s või rohkem;
Latvian: apstarojuma devas intensitāti 5 x 106 Gy (silīcijs) vai augstāku;
Lithuanian: Pažaidos dozės galią 5 × 106 Gy (Si)/s ar didesnę;
Maltese: Rata ta' doża maqluba ta' 5 × 106 Gy (silikon)/silikoni jew għola;
English: A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
French: une fluence (flux intégré) de neutrons (1 MeV équivalent) de 5 × 1013 n/cm2 ou plus sur le silicium, ou son équivalent pour d'autres matériaux;
Slovak: pôsobeniu (integrovanému toku) neutrónov (ekvivalentnému 1 MeV) najmenej 5 x 1013 n/cm2 na kremík alebo jeho ekvivalentu pre iné materiály.
Polish: płynność (scalone nieustanne zmiany) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 lub wyższą na krzemie, lub jego ekwiwalencie dla innych materiałów;
Hungarian: 5 × 1013 n/cm3 vagy magasabb neutronfolyam (integrált fluxus) (1 MeV ekvivalens) szilíciumon, vagy ennek megfelelője más anyagon.
Slovenian: tok (integrirani tok) nevtronov (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 ali več za silicij ali ekvivalentne vrednosti za druge materiale;
Estonian: Neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5×1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral;
Lithuanian: Neutronų įtėkis (suminis srautas) (1MeV ekvivalentas) į silicį, lygus 5 × 1013 n/cm2 arba didesnis, ar jo ekvivalentas kitoms medžiagoms;
Maltese: Influwenza (fluss integrat) ta' newtroni (ekwivalenti 1 MeV) ta' 5 × 1013 n/ċm2 jew għola fuq silikon, jew l-ekwivalenti tiegħu għal materjali oħra;
English: Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
French: prévus pour fonctionner à une température ambiante supérieure à 398 K (125 °C);
Slovak: určené na prevádzku pri teplote prostredia nad 398 K (125 °C);
Polish: przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C);
Hungarian: 398 K (+125 °C) feletti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték.
Slovenian: so prirejeni za delovanje pri temperaturi okolja nad 398 K (125 °C);
Estonian: Määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (125 °C);
Latvian: paredzētas darbam vidēs ar temperatūru virs 398 K (125 °C);
Lithuanian: Skirti veikti aplinkos temperatūroje, didesnėje kaip 398 K (125 °C);
Maltese: Stmati għal operazzjoni f'temperatura tal-post għola minn 398 K (125 °Ċ);
English: Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (- 55 °C);
French: prévus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 218 K (- 55 °C);
Polish: przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (-55 °C);
Hungarian: 218 K (–55 °C) alatti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték.
Slovenian: so prirejeni za delovanje pri temperaturi okolja pod 218 K (–55 °C);
Estonian: Määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (-55 °C);
Latvian: paredzētas darbam vidēs ar temperatūru zem 218 K (-55 °C);
Lithuanian: Skirti veikti aplinkos temperatūroje, mažesnėje kaip 218 K (-55 °C);
Maltese: Stmati għal operazzjoni f'temperatura tal-post anqas minn 218 K (- 55 °Ċ);
English: Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (- 55 °C) to 398 K (125 °C);
French: prévus pour fonctionner dans toute la gamme de températures ambiantes comprise entre 218 K (- 55 °C) et 398 K (125 °C).
Slovak: určené na prevádzku v celom rozsahu teplôt prostredia 218 K (- 55 °C) až 398 K (125 °C).
Polish: przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur 218 K (-55 °C)–398 K (125 °C);
Hungarian: A 398 K (+125 °C) és a 218 K (–55 °C) közötti hőmérséklet-tartományban történő működésre méretezték.
Slovenian: so prirejeni za delovanje pri temperaturi okolja od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C);
Estonian: Määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (-55 °C) kuni 398 K (125 °C);
Lithuanian: Skirti veikti aplinkos temperatūros srityje nuo 218 K (-55 °C) iki 398 K (125 °C).
Maltese: Stmati għal operazzjoni fuq il-marġni kollha ta' temperatura tal-post minn 218 K (- 55 °Ċ) sa 398 K (125 °Ċ);
English: Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
French: fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé et fonctionnant à une fréquence d'horloge supérieure à 40 MHz;
Polish: są wykonane z półprzewodników złożonych i pracują z częstotliwością zegara powyżej 40 MHz;
Hungarian: Vegyes félvezetőből készült, és 40 MHz-et meghaladó órajel frekvencián működik.
Slovenian: izdelani so iz sestavljenega polprevodnika in delujejo na urni frekvenci, večji od 40 MHz;
Estonian: Valmistatud liitpooljuhist ja toimib taktsagedusel üle 40 MHz;
Latvian: izgatavoti no saliktiem pusvadītājiem, kas darbojas ar takts frekvenci virs 40 MHz;
Lithuanian: Pagaminti iš sudėtinių puslaidininkių ir veikiantys esant disždesniam kaip 40 MHz taktų dažniui;
Maltese: Immanifatturati minn semikunduttur kompost u jopera bi frekwenza ta' arloġġ li teċċedi 40 MHz;
English: More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
French: plus d'un bus de données ou d'instructions ou d'un port de communications série permettant une interconnexion externe directe entre des "microcircuits microprocesseurs" parallèles avec un taux de transfert supérieur à 150 Moctets/s;
Slovak: viac ako jedna dátová zbernica, zbernica inštrukcií alebo sériový komunikačný port na priame vonkajšie prepojenie medzi paralelnými "mikroobvodmi mikroprocesora" s rýchlosťou prenosu nad 150 Mbyte/s.
Polish: posiadają więcej niż jedną szynę danych lub rozkazów lub szeregowy port komunikacji zewnętrznej w procesorze równoległym o prędkości transmisji danych powyżej 150 Mbajtów/s;
Hungarian: Egynél több adat- vagy utasításbusz vagy soros kommunikációs port, amely 150 MB/s-ot meghaladó átviteli sebességű közvetlen külső kapcsolatot létesít páruzamos "mikroszámítógép mikroáramkörök" között.
Slovenian: več kakor eno podatkovno ali ukazno vodilo ali zaporedna komunikacijska vrata za zunanjo medsebojno povezavo med paralelnimi "mikroprocesorskimi mikrovezji" s stopnjo prenosa več kakor 150 Mbajtov/s;
Estonian: Rohkem kui üks andme- või käsusiin või järjestikuline järjestikport väliseks ühenduseks paralleelprotsessoris, edastuskiirusega üle 150 megabaidi sekundis;
Latvian: ir ar vairāk nekā vienu datu vai komandkopni vai ar virknes datu ievades portu ārējam savienojumam ar paralēlām "mikroprocesoru mikroshēmām", kuru datu pārsūtīšanas ātrums pārsniedz 150 MB/s;
Lithuanian: su daugiau kaip viena duomenų ar komandų magistrale arba nuosekliuoju ryšio prievadu, leidžiančiais tiesioginį išorinį lygiagrečių "mikroprocesorių integrinių grandynų" sujungimą, esant didesnei kaip 150 MB/s perdavimo spartai;
Maltese: Aktar minn data waħda jew istruzzjoni ta' sett speċifiku ta' kondutturi li jmexxu d-data jew port ta' komunikazzjoni li qiegħed f'serje li jipprovdi interkonnessjoni esterna diretta bejn "mikroċirkuwiti mikroproċessuri" paralleli b'rata ta' trasferiment li teċċedi 150 Mbyte/s;
English: Analogue-to-digital converters having any of the following:
French: convertisseurs analogique-numérique, présentant l'une des caractéristiques suivantes:
Slovak: analógovo-digitálne prevodníky vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
Polish: przetworniki analogowo-cyfrowe posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
Hungarian: Analóg/digitális átalakítók, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Slovenian: analogno-digitalni pretvorniki, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Estonian: Analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Latvian: ciparanalogu pārveidotāji ar kādu no šīm īpašībām:
Lithuanian: Analoginiai skaitmenų keitikliai, turintys bet kurią iš šių charakteristikų:
Maltese: Konvertituri minn analogu għal diġitali li għandhom xi wieħed minn dawn li ġejjin: