证券简称：韦尔股份 证券代码：603501 股票上市地点：上海证券交易所上海韦尔半导体股份有限公司
重大资产购买报告书
（草案）
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|交易对方|住所|
|瑞滇投资管理有限公司|云南省昆明市高新区海源北路六号招商大厦|

独立财务顾问
二〇一八年十二月
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）声明
一、公司声明
本公司及全体董事、监事、高级管理人员保证本报告书及其摘要内容的真实、准确、完整，对报告书及其摘要中的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏负连带责任。
本公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证本报告书及其摘要中财务会计资料真实、准确、完整。
本次交易完成后，本公司经营与收益的变化，由本公司自行负责；因本次交易引致的投资风险，由投资者自行负责。
投资者若对本报告书存在任何疑问，应咨询自己的股票经纪人、律师、专业会计师或其它专业顾问。
二、交易对方声明
本次重大资产重组的交易对方瑞滇投资承诺：
1、对所持标的公司股权拥有合法的、完整的所有权和处分权，在股东主体资格方面不存在任何瑕疵或异议的情形，不存在任何形式的委托持股、信托持股或者类似安排，不存在产权纠纷或潜在纠纷；已足额缴付所持标的公司股权对应的注册资本，不存在任何虚假出资、迟延出资、抽逃出资等违反作为股东所应承担的义务及责任的行为；所持标的公司股权不存在质押、查封、冻结、权属争议及其他权利限制，不存在可能影响标的公司合法存续的情况，并承诺前述情况保持至本次交易实施完毕前；承诺方所持标的公司股权过户或权属转移至韦尔股份名下不存在法律障碍。
2、承诺方将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）误导性陈述或者重大遗漏，向韦尔股份及参与本次交易的各中介机构所提供的资料均为真实、准确、完整的原始书面资料或副本资料，资料副本或复印件与其原始资料或原件一致，所有文件的签名、印章均是真实的；如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。
3、如本次交易所提供或披露的信息涉嫌虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，被司法机关立案侦查或者被中国证监会立案调查的，在形成调查结论以前，承诺方不转让在韦尔股份拥有权益的股份（如有），并于收到立案稽查通知的两个交易日内将暂停转让的书面申请和股票账户提交韦尔股份董事会，由董事会代本机构向证券交易所和登记结算公司申请锁定；未在两个交易日内提交锁定申请的，授权董事会核实后直接向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息并申请锁定；董事会未向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息的，授权证券交易所和登记结算公司直接锁定相关股份。如调查结论发现存在违法违规情节，承诺方承诺锁定股份自愿用于相关投资者赔偿安排。
三、相关证券服务机构声明
本次重大资产重组的证券服务机构及相关经办人员保证披露文件的真实、准确、完整。本次重大资产重组的证券服务机构承诺如本次重组申请文件存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，相关证券服务机构未能勤勉尽责的将承担连带赔偿责任。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）目录
声明 ............................................................................................................................. 2一、公司声明 ................................................................................................................................... 2二、交易对方声明 ........................................................................................................................... 2三、相关证券服务机构声明 ........................................................................................................... 3目录 ............................................................................................................................. 4释义 ............................................................................................................................. 8重大事项提示 ............................................................................................................. 12一、本次交易方案 ......................................................................................................................... 12二、标的资产评估值及交易作价 ................................................................................................. 12三、本次重组的对价支付方式 ..................................................................................................... 13四、本次交易构成重大资产重组 ................................................................................................. 13五、本次交易不构成重组上市 ..................................................................................................... 14六、本次交易不构成关联交易 ..................................................................................................... 14七、本次交易对上市公司的影响 ................................................................................................. 14八、本次交易已履行和尚需履行的批准程序 ............................................................................. 15九、本次交易相关方作出的重要承诺 ......................................................................................... 17十、相关方对本次重组的原则性意见及相关股份减持计划 ..................................................... 22十一、对股东权益的保护安排 ..................................................................................................... 23重大风险提示 ............................................................................................................. 25一、与本次交易有关的风险 ......................................................................................................... 25二、标的资产经营风险 ................................................................................................................. 26三、与上市公司相关的风险 ......................................................................................................... 29四、其他风险 ................................................................................................................................. 30第一节本次交易概况 ............................................................................................... 31一、本次交易的背景 ..................................................................................................................... 31二、本次交易的目的 ..................................................................................................................... 34三、本次交易的具体方案 ............................................................................................................. 35四、本次交易构成重大资产重组 ................................................................................................. 44五、本次交易不构成重组上市 ..................................................................................................... 45六、本次交易不构成关联交易 ..................................................................................................... 45七、本次交易对上市公司的影响 ................................................................................................. 45八、本次交易已履行和尚需履行的批准程序 ............................................................................. 46第二节上市公司基本情况 ....................................................................................... 48一、基本信息 ................................................................................................................................. 48二、设立情况 ................................................................................................................................. 48
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）三、最近六十个月的控股权变动情况 ......................................................................................... 48四、最近三年的重大资产重组情况 ............................................................................................. 49五、主营业务发展情况 ................................................................................................................. 49六、主要财务指标 ......................................................................................................................... 49七、控股股东、实际控制人概况 ................................................................................................. 50八、上市公司的合法合规情况 ..................................................................................................... 50第三节交易对方基本情况 ....................................................................................... 51一、基本信息 ................................................................................................................................. 51二、历史沿革及最近三年注册资本变化情况 ............................................................................. 51三、最近三年主营业务情况 ......................................................................................................... 53四、最近两年主要财务指标 ......................................................................................................... 53五、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图 ................................................. 53六、主要下属企业情况 ................................................................................................................. 54七、其他事项说明 ......................................................................................................................... 54第四节交易标的基本情况 ....................................................................................... 56一、芯能投资 ................................................................................................................................. 56二、芯力投资 ................................................................................................................................. 59三、芯能投资、芯力投资下属企业北京豪威情况 ..................................................................... 62第五节标的资产的评估情况 ................................................................................. 140一、标的资产的评估基本情况 ................................................................................................... 140二、北京豪威股权评估............................................................................................................... 141三、独立董事对本次交易评估事项的意见 ............................................................................... 160第六节本次交易的主要合同 ................................................................................. 162一、关于芯能投资100%股权的产权交易合同......................................................................... 162二、关于芯力投资100%股权的产权交易合同......................................................................... 165第七节本次交易的合规性分析 ............................................................................. 170一、本次交易符合《重组管理办法》第十一条的规定 ........................................................... 170二、本次交易不适用《重组管理办法》第四十三条、四十四条的规定 ............................... 172三、本次交易不构成《重组管理办法》第十三条规定的交易情形 ....................................... 173四、独立财务顾问和法律顾问意见 ........................................................................................... 173第八节管理层讨论与分析 ..................................................................................... 174一、本次交易前上市公司财务状况和经营成果的讨论分析 ................................................... 174二、标的资产所处行业特点分析............................................................................................... 181三、美国豪威的行业地位和核心竞争力 ................................................................................... 193四、标的公司最近两年及一期的财务状况分析 ....................................................................... 199五、本次交易对上市公司的影响 ............................................................................................... 223第九节财务会计信息 ............................................................................................. 226一、芯能投资最近两年及一期财务报表 ................................................................................... 226二、芯力投资最近两年及一期财务报表 ................................................................................... 230
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）三、上市公司备考合并财务报告 ............................................................................................... 234第十节同业竞争与关联交易 ................................................................................. 239一、同业竞争情况 ....................................................................................................................... 239二、关联交易情况 ....................................................................................................................... 239第十一节风险因素 ................................................................................................. 242一、与本次交易有关的风险 ....................................................................................................... 242二、标的资产经营风险 ............................................................................................................... 243三、与上市公司相关的风险 ....................................................................................................... 246四、其他风险 ............................................................................................................................... 247第十二节其他重要事项 ......................................................................................... 248一、本次交易完成后上市公司是否存在资金、资产被实际控制人或其他关联人占用和为实际控制人或其他关联人提供担保的情形 ....................................................................................... 248二、上市公司负债结构的合理性说明 ....................................................................................... 248三、上市公司最近十二个月重大资产交易情况 ....................................................................... 248四、本次交易对上市公司治理机制的影响 ............................................................................... 249五、相关主体买卖上市公司股票的自查情况 ........................................................................... 250（一）交易对方 ........................................................................................................................... 250（二）国信证券 ........................................................................................................................... 251六、利润分配政策与股东回报计划 ........................................................................................... 251七、本次交易对中小投资者权益保护的安排 ........................................................................... 254八、关于本次重组聘请第三方的情况及核查 ........................................................................... 256九、独立董事及中介机构意见 ................................................................................................... 257第十三节本次交易的有关中介机构情况 ............................................................. 260一、独立财务顾问 ....................................................................................................................... 260二、法律顾问 ............................................................................................................................... 260三、审计机构 ............................................................................................................................... 261四、评估机构 ............................................................................................................................... 261第十四节本次交易相关各方的声明 ..................................................................... 262上市公司全体董事、监事及高级管理人员声明 ....................................................................... 262独立财务顾问声明 ....................................................................................................................... 263独立财务顾问声明 ....................................................................................................................... 264法律顾问声明 ............................................................................................................................... 265审计机构声明 ............................................................................................................................... 266资产评估机构声明 ....................................................................................................................... 267第十五节备查文件及备查地点 ............................................................................. 268一、备查文件 ............................................................................................................................... 268二、备查地点 ............................................................................................................................... 268附件一：北京豪威及其合并报表范围内子公司、分公司房屋租赁情况 ........... 271附件二：截至 2018年7月31日北京豪威专利明细表 ....................................... 276
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）一、在中国境内拥有的专利权................................................................................................... 276二、在中国境外拥有的专利权................................................................................................... 315
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）释义
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|公司/本公司/韦尔股份/上市公司|指|上海韦尔半导体股份有限公司，在上海证券交易所上市，股票代码为603501|
|交易对方/瑞滇投资|指|瑞滇投资管理有限公司|
|标的公司|指|深圳市芯能投资有限公司、深圳市芯力投资有限公司|
|芯能投资|指|深圳市芯能投资有限公司|
|芯力投资|指|深圳市芯力投资有限公司|
|北京豪威/豪威科技|指|北京豪威科技有限公司|
|本次交易/本次重组/本次重大资产重组/|指|韦尔股份现金购买芯能投资、芯力投资各100%股权|
|标的资产/交易标的/拟购买资产|指|芯能投资100%股权、芯力投资100%股权|
|云南城投|指|云南省城市建设投资集团有限公司（曾用名“云南省城市建设投资有限公司）|
|云交所|指|云南产权交易所有限公司|
|本次重大资产购买|指|韦尔股份拟以现金购买瑞滇投资持有的芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的行为|
|本报告书/重组报告书/重大资产购买报告书|指|上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书（草案）|
|绍兴韦豪|指|绍兴市韦豪股权投资基金合伙企业（有限合伙）|
|青岛融通|指|青岛融通民和投资中心（有限合伙）|
|Seagull（A3）|指|Seagull Strategic Investments（A3）,LLC|
|嘉兴水木|指|嘉兴水木豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|
|嘉兴豪威|指|嘉兴豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|
|上海唐芯|指|上海唐芯企业管理合伙企业（有限合伙）|
|海鸥开曼|指|Seagull Holdings Cayman Limited|
|海鸥香港|指|Seagull Holdings Hong Kong Limited|
|Seagull Investments|指|Seagull Investments, LLC|
|金石暴风|指|青岛金石暴风投资咨询有限公司|
|珠海融峰|指|珠海融锋股权投资合伙企业（有限合伙）|
|润信豪泰|指|北京润信豪泰投资中心（有限合伙）|
|西藏长乐|指|西藏长乐投资有限公司|
|泰康保险|指|泰康保险集团股份有限公司|
|泰康人寿|指|泰康人寿保险有限责任公司|
|创意传奇|指|Creative Legend Investments Ltd.|
|奥视嘉创|指|深圳市奥视嘉创股权投资合伙企业（有限合伙）|
|深圳测度|指|深圳市测度通信技术有限公司|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|清控华科|指|清控华科（天津）投资中心（有限合伙）|
|首誉光控|指|首誉光控资产管理有限公司|
|开元朱雀|指|开元朱雀（深圳）股权投资合伙企业（有限合伙）|
|元禾华创|指|合肥元禾华创中合股权投资合伙企业（有限合伙）|
|北京集电|指|北京集成电路设计与封测股权投资中心（有限合伙）|
|天元滨海|指|北京天元滨海股权投资基金合伙企业（有限合伙）|
|惠盈一号|指|深圳惠盈一号投资合伙企业（有限合伙）|
|领智基石|指|马鞍山领智基石股权投资合伙企业（有限合伙）|
|金信华创|指|北京金信华创股权投资中心（有限合伙）|
|金信华通|指|南通金信华通股权投资中心（有限合伙）|
|西藏大数|指|西藏大数和泰实业有限公司|
|上海威熠|指|上海威熠企业管理咨询有限公司|
|西藏锦祥|指|西藏锦祥投资有限公司|
|上海摩勤|指|上海摩勤智能技术有限公司|
|Seagull（A1）|指|Seagull Strategic Investments（A1）, LLC|
|Seagull（C1-Int’l）|指|Seagull Equity Investments（C1-Int’l）（Hong Kong）Limited|
|Seagull（C3-Int’l）|指|Seagull Equity Investments (C3-Int’l) (Hong Kong) Limited|
|Seagull（C1）|指|Seagull Equity Investments（C1）,LLC|
|Seagull（C3）|指|Seagull Equity Investments (C3), LLC|
|Seagull（B1）|指|Seagull Equity Investments (B1) (Cayman), LLC|
|Seagull（B2）|指|Seagull Equity Investments (B-2) (Hong Kong) Limited|
|德威资本|指|深圳德威资本投资管理有限公司|
|深圳远卓|指|深圳市远卓财富投资企业（有限合伙）|
|深圳兴平|指|深圳市兴平股权投资管理企业（有限合伙）|
|上海清恩|指|上海清恩资产管理合伙企业（有限合伙）|
|香港韦尔|指|韦尔半导体香港有限公司，上市公司子公司|
|美国豪威|指|OmniVision Technologies, Inc.|
|豪威国际控股|指|OmniVision International Holding Ltd|
|豪威半导体|指|豪威半导体（上海）有限责任公司|
|豪威科技（上海）|指|豪威科技（上海）有限公司|
|中国证监会|指|中国证券监督管理委员会|
|上交所/证券交易所|指|上海证券交易所|
|中登上海分公司|指|中国证券登记结算有限责任公司上海分公司|
|国务院|指|中华人民共和国国务院|
|发改委|指|中华人民共和国国家发展和改革委员会|
|商务部|指|中华人民共和国商务部|
|工信部|指|中华人民共和国工业和信息化部|
|独立财务顾问|指|国信证券股份有限公司、中德证券有限责任公司|
|国信证券|指|国信证券股份有限公司|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|中德证券|指|中德证券有限责任公司|
|立信会计师|指|立信会计师事务所（特殊普通合伙）|
|普华永道|指|普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）|
|律师/法律顾问/天元律师|指|北京市天元律师事务所|
|评估机构/立信评估|指|上海立信资产评估有限公司|
|《公司法》|指|《中华人民共和国公司法》|
|《证券法》|指|《中华人民共和国证券法》|
|《重组管理办法》|指|《上市公司重大资产重组管理办法》|
|《26号准则》|指|《公开发行证券的公司信息披露内容与格式准则第 26 号——上市公司重大资产重组》|
|《重组若干规定》|指|《关于规范上市公司重大资产重组若干问题的规定》|
|《公司章程》|指|《上海韦尔半导体股份有限公司章程》|
|《上市规则》|指|《上海证券交易所股票上市规则》|
|《暂行规定》|指|《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》|
|报告期/最近两年及一期|指|2016年、2017年和2018年1-7月|
|最近一年及一期|指|2017年和2018年1-7月|
|报告期各期末|指|2016年12月31日、2017年12月31日和2018年7月31日|
|评估基准日|指|2018年7月31日|
|元、万元、亿元|指|人民币元、万元、亿元|
|美元|指|美国美元，美国货币单位|
|半导体产品|指|广义的半导体、电子元器件产品，包括集成电路芯片和其他电子元器件产品|
|半导体分销业务|指|广义的半导体、电子元器件分销业务，包括集成电路芯片和其他电子元器件分销业务|
|IC|指|Integrated Circuit即集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路|
|TVS|指|Transient Voltage Suppresser，即瞬态电压抑制器，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压|
|CMOS|指|Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 的简写，即互补型金属氧化物半导体，是一种电压控制的半导体放大器件，是大规模集成电路的基础单元|
|CP测试|指|Chip Prober测试，即IC在后工序之前都必须进行的测试程序，以验证产品的功能是否正常，挑出不良的产品，并区分性能等级|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|EMS|指|Electronic Manufacturer Service 或 称 Electronic ContractManufacturing，中文又译为专业电子代工服务，或电子专业制造服务，是为电子产品品牌拥有者提供制造、采购、部分设计以及物流等一系列服务的生产厂商|
|OEM|指|Original Equipment Manufacturer，贴牌生产合作模式，俗称“贴牌生产”。指企业利用自己掌握的品牌优势、核心技术和销售渠道，将产品委托给具备生产能力的制造商生产后向市场销售。品牌拥有者（委托方）一般自行负责设计和开发新产品，有时也与制造商（受委托方）共同设计研发，但品牌拥有者控制销售渠道|
|ODM|指|Original Design Manufactuce，原始设计制造商。它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期维护的全部服务，客户只需向ODM 服务商提出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思，ODM服务商就可以将产品从设想变为现实|
|IDM|指|Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造商，代表垂直整合制造模式，指业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试等全业务环节的集成电路企业组织模式|
|Fabless|指|无晶圆厂的集成电路设计企业，与IDM相比，指仅仅从事集成电路的研发设计和销售，而将晶圆制造、封装测试业务外包给专门的晶圆代工、封装测试厂商的模式|
|FAE|指|Field Application Engineer，现场技术支持工程师，也叫售前售后服务工程师。售前对客户进行产品的技术引导和技术培训、为客户进行方案设计以及给公司销售人员提供技术支持；售后对客户进行产品的售后技术服务、市场引导并将市场信息反馈给研发人员|
|CCD|指|Charge Coupled Device，电荷耦合元件|
|CameraCubeChip|指|一种采用先进的芯片级封装技术整合集成晶圆级光学器件和CMOS图像传感器创新的解决方案|
|LCOS|指|Liquid Crystal on Silicon，即液晶附硅，也叫硅基液晶，是一种基于反射模式，尺寸非常小的矩阵液晶显示装置|
|BSI|指|Backside Illumination，背面照射技术|

本报告书中除特别说明外所有数值保留两位小数，若出现各分项数值之和与总数尾数不符的情况，均为四舍五入原因造成。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）重大事项提示
本公司提醒投资者认真阅读本报告书全文，并特别注意下列事项：
一、本次交易方案
2018年 11月 28日，云交所确认韦尔股份为本次瑞滇投资挂牌转让资产芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的受让方。芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的投资实体，合计持有北京豪威10.5464%的股权。
本次重大资产购买，上市公司将以现金购买瑞滇投资持有的芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。
二、标的资产评估值及交易作价
根据立信评估分别出具的《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买所涉及的深圳市芯能投资有限公司股东全部权益资产评估报告》（信资评报字（2018）第 40136-30号）、《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买所涉及的深圳市芯力投资有限公司股东全部权益资产评估报告》（信资评报字（2018）第 40136-29号），截至评估基准日 2018年 7月 31日，芯能投资净资产账面值为54,431.50万元，芯能投资股东全部权益评估值为89,130.52万元，增值 34,699.02万元，增值率63.75%；芯力投资净资产账面值为36,814.20万元，芯力投资股东全部权益评估值为59,900.12万元，增值23,085.92万元，增值率62.71%。
根据瑞滇投资在云交所的挂牌底价，芯能投资100%股权、芯力投资100%股权挂牌底价合计 168,741.925万元，上市公司竞买摘牌及本次交易的成交价格为168,741.925万元，具体如下：
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|交易对方|标的公司|交易价格（万元）|
|瑞滇投资|芯能投资100%股权|100,919.189|
||芯力投资100%股权|67,822.736|
|合计||168,741.925|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）三、本次重组的对价支付方式
本次交易对价的支付方式为现金。资金来源为自筹资金，包括上市公司自有资金、银行借款或其他合法渠道及方式筹集的资金。
经交易各方同意，本次交易对价在《产权交易合同》所约定的交割的前提条件满足后分两期支付，具体支付安排如下：
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|支付比例|支付金额（万元）|支付时间及条件|
|第一期:全部转让款的30%|50,622.5775|韦尔股份于《产权交易合同》生效之日后5个工作日内支付|
|第二期:全部转让款的70%|118,119.3475|韦尔股份于《产权交易合同》生效之日起30个工作日内付清|

四、本次交易构成重大资产重组
《重组管理办法》第十四条规定：上市公司在 12个月内连续对同一或者相关资产进行购买、出售的，以其累计数分别计算相应数额。已按照本办法的规定编制并披露重大资产重组报告书的资产交易行为，无须纳入累计计算的范围。交易标的资产属于同一交易方所有或者控制，或者属于相同或者相近的业务范围，或者中国证监会认定的其他情形下，可以认定为同一或者相关资产。
根据上述规定，将本次重大资产购买前 12个月韦尔股份（含韦尔股份全资子公司）现金购买北京豪威1.9543%和1.97%股权与本次交易标的资产合并计算，相关财务比例计算如下：
单位：万元
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|项目|资产总额|营业收入|资产净额|
|芯能投资100%股权|54,431.60|—|54,431.50|
|芯力投资100%股权|36,814.30|—|36,814.20|
|北京豪威3.9243%股权|54,977.16|35,516.31|54,977.16|
|上述资产合计|146,223.06|35,516.31|146,222.86|
|成交金额|223,719.09|—|223,719.09|
|韦尔股份|282,490.82|240,591.63|117,976.44|
|财务指标占比|79.20%|14.76%|189.63%|

注1：2018年7月和8月，韦尔股份分别收购了北京豪威1.9543%和1.97%股权，合计
3.9243%，成交金额合计54,977.16万元。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）注2：成交金额=芯能投资、芯力投资100%股权成交价+北京豪威3.9243%股权成交价。
根据上表，标的资产成交金额以及 12个月内连续对同一或者相关资产交易金额占上市公司 2017年经审计合并资产总额、资产净额的比例超过50%，因此本次交易构成重大资产重组。
五、本次交易不构成重组上市
本次交易前，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的61.30%，为上市公司控股股东、实际控制人。由于本次交易为现金收购，不涉及发行股份，故本次交易后公司控股股东、实际控制人仍为虞仁荣，本次交易不会导致上市公司控制权发生变更，亦不构成《重组管理办法》第十三条规定的重组上市。
六、本次交易不构成关联交易
根据《公司法》、《证券法》、《上市规则》等法律、法规及规范性文件的相关规定，本次交易的交易对方与上市公司不存在关联关系。因此，本次交易不构成关联交易。
七、本次交易对上市公司的影响
（一）对上市公司股权结构的影响
本次交易为现金收购，不涉及股份发行，不会导致上市公司股权结构发生变化。
（二）对上市公司业务的影响
本次交易前，韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。分销业务主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。
本次交易标的公司芯能投资、芯力投资是专为投资北京豪威设立的实体，北
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）京豪威为芯片设计公司，主营业务为 CMOS图像传感器的研发和销售，韦尔股份与北京豪威的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。通过本次交易，一方面丰富了上市公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来智能手机、安防、汽车、医疗等领域优质的客户资源。此外，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，北京豪威可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
因此，本次交易符合上市公司未来发展战略布局。
（三）对上市公司主要财务数据的影响
根据上市公司财务报表与立信会计师出具的《备考审阅报告》（信会师报字[2018]第ZA15939号），本次交易前后，上市公司主要财务数据对比如下：
单位：万元
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|项目|2018.7.31/2018年1-7月||变动额|变动比率|
||实际数据|备考数据|||
|资产合计|368,462.67|537,204.80|168,742.13|45.80%|
|负债合计|214,356.72|354,943.81|140,587.09|65.59%|
|所有者权益合计|154,105.96|182,260.99|28,155.03|18.27%|
|归属于母公司股东权益合计|153,122.94|181,277.97|28,155.03|18.39%|
|营业收入|230,787.33|230,787.33|0.00|0.00%|
|归属于母公司股东的净利润|19,241.33|19,699.29|457.96|2.38%|
|项目|2017.12.31/2017年||变动额|变动比率|
||实际数据|备考数据|||
|资产合计|282,490.82|446,958.19|164,467.37|58.22%|
|负债合计|163,426.73|304,013.63|140,586.90|86.02%|
|所有者权益合计|119,064.09|142,944.56|23,880.47|20.06%|
|归属于母公司股东权益合计|117,976.44|141,856.92|23,880.48|20.24%|
|营业收入|240,591.63|240,591.63|0.00|0.00%|
|归属于母公司股东的净利润|13,715.63|42,374.84|28,659.21|208.95%|

八、本次交易已履行和尚需履行的批准程序
（一）本次交易已履行的批准程序
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）1、上市公司的决策过程
2018年 10月 25日，韦尔股份第四届董事会第三十一次会议审议通过参与竞买芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的议案。
2018年11月12日，韦尔股份2018年第三次临时股东大会审议通过参与竞买芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的议案。
2018年 11月 14日，韦尔股份第四届董事会第三十二次会议审议通过本次重大资产购买预案等议案。
2018年12月4日，韦尔股份第四届董事会第三十四次会议审议通过本次重大资产购买方案等议案。
2、标的公司的决策过程
芯能投资、芯力投资股东瑞滇投资已作出股东决定，同意通过产权交易所公开出让其持有的芯能投资、芯力投资各100%股权。
3、交易对方的决策过程
瑞滇投资股东云南城投董事会已作出决议，同意瑞滇投资通过产权交易所公开出让所持芯能投资、芯力投资各100%股权。
（二）本次交易尚需获得的授权、批准和核准
本次交易尚需满足多项条件方可完成，包括但不限于：
1、上市公司召开股东大会批准本次交易；
2、相关法律法规所要求的其他可能涉及的批准或核准。
本次交易能否获得上述相关审批、同意，以及获得审批、同意的时间，均存在不确定性，特此提醒广大投资者注意投资风险。
本次交易不属于《重组管理办法》第十三条的情形，不涉及发行股份，无需按照《重组管理办法》第二十九条或第四十四条的规定提交中国证监会上市公司并购重组审核委员会审批。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）九、本次交易相关方作出的重要承诺
（一）交易对方作出的重要承诺
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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于本次交易相关事项的承诺函|瑞滇投资|1、关于标的公司股权的权属事项（1）承诺方对所持标的公司股权拥有合法的、完整的所有权和处分权，在股东主体资格方面不存在任何瑕疵或异议的情形，不存在任何形式的委托持股、信托持股或者类似安排，不存在产权纠纷或潜在纠纷；（2）承诺方已足额缴付所持标的公司股权对应的注册资本，不存在任何虚假出资、迟延出资、抽逃出资等违反作为股东所应承担的义务及责任的行为；（3）承诺方所持标的公司股权不存在质押、查封、冻结、权属争议及其他权利限制，不存在可能影响标的公司合法存续的情况，并承诺前述情况保持至本次交易实施完毕前；（4）承诺方所持标的公司股权过户或权属转移至韦尔股份名下不存在法律障碍。2、关于诉讼、仲裁及行政处罚事项承诺方及主要管理人员最近五年内未受过任何行政处罚（与证券市场明显无关的除外）、刑事处罚，亦不涉及与经济纠纷有关的任何重大民事诉讼或者仲裁，不存在未按期偿还大额债务、未履行承诺、被中国证监会采取行政监管措施或受到证券交易所纪律处分的情况等。3、关于不存在不得参与上市公司重大资产重组的事项承诺方及其董事、监事、高级管理人员、承诺方的控股股东、实际控制人及上述主体控制的机构，均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。5、关于内幕交易事项承诺方及其控股股东、实际控制人不存在泄露本次交易内幕信息以及利用本次交易信息进行内幕交易的情形，不存在因本次交易相关事项涉嫌内幕交易被中国证监会立案调查或者被司法机关立案侦查的情形。6、关于与韦尔股份不具有关联关系事项承诺方不是韦尔股份的关联人（关联人的范围根据《上海证券交易所股票上市规则》确定），承诺方与韦尔股份不存在任何关联关系，承诺方不存在向韦尔股份推荐董事或者高级管理人员的情况。|
|关于提供信息真实、准确、完整的|瑞滇投资|1、 承诺方将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，向韦尔股份及参与本次交易的各中介机构所|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|承诺函||提供的资料均为真实、准确、完整的原始书面资料或副本资料，资料副本或复印件与其原始资料或原件一致，所有文件的签名、印章均是真实的；如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。2、如本次交易所提供或披露的信息涉嫌虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，被司法机关立案侦查或者被中国证监会立案调查的，在形成调查结论以前，承诺方不转让在韦尔股份拥有权益的股份（如有），并于收到立案稽查通知的两个交易日内将暂停转让的书面申请和股票账户提交韦尔股份董事会，由董事会代本机构向证券交易所和登记结算公司申请锁定；未在两个交易日内提交锁定申请的，授权董事会核实后直接向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息并申请锁定；董事会未向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息的，授权证券交易所和登记结算公司直接锁定相关股份。如调查结论发现存在违法违规情节，承诺方承诺锁定股份自愿用于相关投资者赔偿安排。|

（二）标的公司及董事、监事、高级管理人员作出的重要承诺
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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于本次交易相关事项的承诺函|芯能投资、芯力投资|1、芯能投资/芯力投资为依法设立且合法有效存续的有限责任公司，截至目前，不存在《公司法》等法律、法规、规范性文件以及《公司章程》所规定的需要终止的情形, 不存在出资不实、虚假出资或者抽逃出资的情形，不存在影响其合法存续的情况。2、芯能投资/芯力投资近三年在所有重大方面合法、合规，不存在重大违法、违规行为，未受到包括但不限于工商、海关、外汇、产品质量、安全生产、环境保护、税务、劳动与社会保障等部门的行政处罚；不存在对本次交易构成实质性障碍的正在进行或尚未了结的以及可预见的重大诉讼、仲裁及行政处罚案件；不存在对外担保及其他或有事项。3、芯能投资/芯力投资作为一方当事人的合同均为依法成立，合同内容和要件完备，履行正常，属于公司正常经营范围，业务真实，不存在潜在的法律纠纷。4、芯能投资/芯力投资的董事、监事、主要管理人员最近五年内不存在受行政处罚、刑事处罚、或者涉及与经济纠纷有关的尚未了结的对其资产状况、财务状况产生重大不利影响的重大民事诉讼或者仲裁的情形，不存在被证券监管部门立案调查、或被证券交易所公开谴责的情形或其他不良记录，亦不存在涉嫌有重大违法行为的情形。5、芯能投资/芯力投资合法拥有、行使其主要资产的所有权或使用权，且该等财产权属清晰，不存在抵押、质押等权利限制，不涉及重大诉讼、仲裁、司法强制执行等对本次交易构成实质性障碍的争议、纠纷；芯能投资/芯力投资不|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|||存在因涉嫌犯罪被司法机关立案侦查或者涉嫌违法违规被中国证监会立案调查，受到行政处罚或者刑事处罚的情况。6、芯能投资/芯力投资及其董事、监事、高级管理人员均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。7、芯能投资/芯力投资将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。|
|关于本次交易相关事项的承诺函|芯能投资、芯力投资的董事、监事、高级管理人员|1、承诺方将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，向韦尔股份及参与本次交易的各中介机构所提供的资料均为真实、准确、完整的原始书面资料或副本资料，资料副本或复印件与其原始资料或原件一致，所有文件的签名、印章均是真实的；如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担赔偿责任。2、承诺方最近五年内不存在受行政处罚、刑事处罚、或者涉及与经济纠纷有关的尚未了结的对承诺方资产状况、财务状况产生重大不利影响的重大民事诉讼或者仲裁的情形，不存在被证券监管部门立案调查、或被证券交易所公开谴责的情形或其他不良记录，亦不存在涉嫌有重大违法行为的情形。3、承诺方不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第 13 条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。|

（三）上市公司及董事、监事、高级管理人员作出的重要承诺
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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于本次交易相关事项的承诺函|上市公司|1、本次交易提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。2、截至本承诺函出具之日，不存在本公司的权益被控股股东或实际控制人严重损害且尚未消除的情形。3、截至本承诺函出具之日，不存在本公司及下属子公司违规对外提供担保且尚未解除的情形。4、截至本承诺函出具之日，本公司不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规被中国证券监督管理委员会立案调查的情形；本公司最近三年未受到过行政处罚（与证券市场明显无关的除外）或者刑事处罚。5、截至本承诺函出具之日，本公司及本公司控股股东、实际控制人最近十二个月内均不存在受到证券交易所公开谴责的情形，均不存在其他重大失信行为；本公司现任董事、高级管理人员均不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|||查或涉嫌违法违规被中国证券监督管理委员会立案调查的情形；本公司现任董事、高级管理人员亦不存在最近三十六个月受到过中国证监会的行政处罚，或者最近十二个月内受到过证券交易所公开谴责的情形。6、截至本承诺函出具之日，本公司及本公司控股股东、实际控制人、董事、监事、高级管理人员及上述主体控制的机构均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定的不得参与上市公司重大资产重组的情形。|
|关于本次交易相关事项的承诺函|韦尔股份董事、监事、高级管理人员|承诺方及承诺方控制的机构不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定的不得参与上市公司重大资产重组的情形。|
|关于提供信息真实、准确、完整的承诺函|韦尔股份董事、监事、高级管理人员|1、承诺方保证本次交易的信息披露和申请文件真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。承诺方对本次交易申请文件内容的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏承担个别和连带的法律责任。如本次交易所提供或披露的信息涉嫌虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，被司法机关立案侦查或者被中国证监会立案调查的，在形成调查结论以前，承诺方不转让在韦尔股份拥有权益的股份（如有），并于收到立案稽查通知的两个交易日内将暂停转让的书面申请和股票账户提交韦尔股份董事会，由董事会代承诺方向证券交易所和登记结算公司申请锁定；未在两个交易日内提交锁定申请的，授权董事会核实后直接向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息并申请锁定；董事会未向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息的，授权证券交易所和登记结算公司直接锁定相关股份。如调查结论发现存在违法违规情节，承诺方承诺锁定股份自愿用于相关投资者赔偿安排。|
|关于摊薄即期回报采取填补措施的承诺函|韦尔股份实际控制人|1、承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益。2、承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害上市公司利益。3、承诺对职务消费行为进行约束。4、承诺不动用上市公司资产从事与履行职责无关的投资、消费活动。5、承诺由上市公司董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。6、承诺如未来上市公司推出股权激励计划，则拟公布的上市公司股权激励的行权条件与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。7、本承诺出具日后至上市公司本次交易实施完毕前，若中国证监会作出关于填补回报措施及其承诺的其他新的监管规定的，且上述承诺不能满足中国证监会该等规定时，承诺方届时将按照中国证监会的最新规定出具补充承诺。8、承诺方承诺切实履行上市公司制定的有关填补回报措施以及承诺方对此作出的任何有关填补回报措施的承诺，若承诺方违反该等承诺并给上市公司或者投资者造成损失的，承诺方愿意依法承担对上市公司或者投资者的赔偿责任。|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于摊薄即期回报采取填补措施的承诺函|韦尔股份董事、监事、高级管理人员|1、承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害上市公司利益。2、承诺对职务消费行为进行约束。3、承诺不动用上市公司资产从事与履行职责无关的投资、消费活动。4、承诺由上市公司董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。5、承诺如未来上市公司推出股权激励计划，则拟公布的上市公司股权激励的行权条件与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。6、本承诺出具日后至上市公司本次交易实施完毕前，若中国证监会作出关于填补回报措施及其承诺的其他新的监管规定的，且上述承诺不能满足中国证监会该等规定时，承诺方届时将按照中国证监会的最新规定出具补充承诺。7、承诺方承诺切实履行上市公司制定的有关填补回报措施以及承诺方对此作出的任何有关填补回报措施的承诺，若承诺方违反该等承诺并给上市公司或者投资者造成损失的，承诺方愿意依法承担对上市公司或者投资者的补偿责任。|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）十、相关方对本次重组的原则性意见及相关股份减持计划
（一）控股股东及其一致行动人对本次重组的原则性意见
韦尔股份控股股东虞仁荣已出具说明，原则性同意本次交易。
（二）控股股东及其一致行动人、董事、监事、高级管理人员自本次重组
复牌之日起至实施完毕期间的股份减持计划
1、控股股东及其一致行动人的减持计划
上市公司控股股东虞仁荣出具如下说明：在韦尔股份本次重组报告书（草案）披露之日起至本次重组实施完毕期间，本人不存在减持韦尔股份股票的计划。若违反上述声明，由此给韦尔股份或者其他投资者造成损失的，本人承诺将向韦尔股份或其他投资者依法承担赔偿责任。
上市公司控股股东之一致行动人虞小荣出具如下说明：根据《上海韦尔半导体股份有限公司 2017年限制性股票激励计划（草案）》，韦尔股份于 2017年11月29日向本人授予的限制性股票的10%在符合解锁条件的情况下自授予日起 12个月后的首个交易日起可办理解除限售手续。因个人资金需求，本人计划将在韦尔股份本次重组报告书（草案）披露之日起至本次重组实施完毕期间，减持韦尔股份不超过147,200股。本人承诺将严格按照《公司法》、《证券法》及中国证监会、上交所相关规定实施股票减持，并及时履行信息披露义务。若违反上述声明，由此给韦尔股份或者其他投资者造成损失的，本人承诺将向韦尔股份或其他投资者依法承担赔偿责任。
2、董事、监事、高级管理人员的减持计划
上市公司部分董事或高级管理人员马剑秋、纪刚、贾渊等三人出具如下说明：本人于韦尔股份首次公开发行股票并上市前取得的韦尔股份股票已于 2018年 5月 4日解除限售。根据《上海韦尔半导体股份有限公司 2017年限制性股票激励计划（草案）》，韦尔股份于2017年11月29日向本人授予的限制性股票的10%在符合解锁条件的情况下自授予日起 12个月后的首个交易日起可办理解除限售手续。因个人资金需求，本人计划将在韦尔股份本次重组报告书（草案）披露之日起至本次重组实施完毕期间，对韦尔股份进行减持，具体计划如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|姓名|职务|持股数（股）|计划减持股份（股）|
|马剑秋|董事、总经理|7,798,000|3,411,625|
|纪刚|董事、副总经理|7,240,000|3,167,500|
|贾渊|董事、董事会秘书、财务总监|4,775,000|1,355,000|

本人承诺将严格按照《公司法》、《证券法》及中国证监会、上交所相关规定实施股票减持，并及时履行信息披露义务。若违反上述声明，由此给韦尔股份或者其他投资者造成损失的，本人承诺将向韦尔股份或其他投资者依法承担赔偿责任。
截至本报告书签署日，除上述人员外，上市公司其他董事、监事、高级管理人员不持有上市公司股份。
十一、对股东权益的保护安排
上市公司在本次交易的决策过程中，按照《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作的意见》的精神和中国证监会《重组管理办法》的规定，采取了多项措施以保护中小投资者的权益，具体措施如下：
（一）及时、准确披露本次交易的相关信息
公司严格按照《证券法》、《上市公司信息披露管理办法》、《关于规范上市公司信息披露及相关各方行为的通知》、《重组管理办法》、《重组若干规定》等相关法律、法规的要求对本次交易方案采取严格的保密措施、切实履行信息披露义务，公平地向所有投资者披露可能对上市公司股票交易价格产生较大影响的重大事件。本报告书披露后，公司将继续严格按照相关法律法规的要求，及时、准确地披露公司本次交易的进展情况。
（二）严格履行相关程序
公司在本次交易过程中严格按照相关规定履行法定程序进行表决和披露。本报告书在提交董事会讨论时，独立董事就该事项发表了独立意见。公司聘请的中介机构分别出具了独立财务顾问报告、法律意见书、审计报告、评估报告等。根据《重组管理办法》等有关规定，公司董事会将在审议本次交易方案的股东大会召开前发布提示性公告，提醒股东参加审议本次交易方案的股东大会。
（三）提供网络投票平台
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）公司将根据中国证监会《关于加强社会公众股股东权益保护的若干规定》等有关规定，在表决本次交易方案的股东大会中，采用现场投票和网络投票相结合的表决方式，充分保护中小股东行使股东权利。股东大会所作决议必须经出席会议的股东所持表决权的三分之二以上通过。同时，公司对中小投资者投票情况单独统计并予以披露。
（四）确保本次交易定价公允、合理
公司在参与标的资产竞买前，严格履行了董事会、股东大会的批准程序。本次交易标的资产的交易价格以交易对方在云交所挂牌的底价竞买确定，上市公司聘请立信评估对标的资产出具了评估报告，考虑到标的资产与上市公司的协同效应，本次竞买价格合理，公司独立董事已对评估定价的公允性发表独立意见。
（五）严格遵守利润分配政策
公司的利润分配政策保持连续性和稳定性，同时兼顾本公司的长远利益、全体股东的整体利益及本公司的可持续性发展。本公司在经营状况良好、现金流能够满足正常经营和长期发展需求的前提下，应积极实施利润分配政策。本公司将按照法定顺序分配利润的原则，坚持同股同权、同股同利的原则。
本次交易完成后，本公司将按照《公司章程》的约定，继续实行可持续、稳定、积极的利润分配政策，并结合本公司实际情况、政策导向和市场意愿，不断提高运营绩效，完善股利分配政策，增加分配政策执行的透明度，维护全体股东利益。
（六）其他保护投资者权益的措施
公司全体董事、监事、高级管理人员承诺本次重组过程中所提供信息的真实性、准确性和完整性，保证不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并声明承担个别和连带的法律责任。本次交易完成后，公司将继续保持独立性，在资产、人员、财务、机构和业务上遵循独立原则，遵守中国证监会有关规定，继续规范运作。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）重大风险提示
投资者在评价本公司本次交易时，除本预案的其他内容外，还应特别认真考虑下述各项风险因素。
一、与本次交易有关的风险
（一）本次交易可能被暂停、中止或取消的风险
本公司已经按照相关规定制定了严格的内幕知情人登记管理制度，在与交易对方协商过程中严格控制内幕信息知情人员的范围，降低内幕信息传播的可能性，但仍不排除有机构或个人利用本次交易的内幕信息实施交易的行为，存在因公司股价异常波动或异常交易可能涉嫌内幕交易而致使本次交易被暂停、中止或取消的可能。
（二）本次交易的批准风险
本次交易尚需提交公司股东大会审议批准。本次交易是否获得公司股东大会的批准存在不确定性，提请广大投资者注意投资风险。
（三）交易对价资金筹措风险
对于本次重大资产购买涉及的对价，上市公司的资金来源为自有资金及自筹资金。因为本次交易涉及金额较大，若贷款金融机构无法及时、足额为公司提供信贷支持且公司无法通过其他渠道筹集到相关款项，则本次交易存在因交易支付款项不能及时、足额到位的融资风险。
（四）溢价间接收购北京豪威少数股权的风险
本次交易的标的公司芯能投资、芯力投资系上市公司通过云交所竞买取得，交易对方瑞滇投资在进场挂牌前履行了审计、评估及国有资产评估备案程序，上市公司最终摘牌交易价格为挂牌底价，合计 168,741.925万元。芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的投资实体，合计持有北京豪威10.5464%的股权，因此本次交易实质上为收购北京豪威少数股权。
上市公司聘请的立信会计师、立信评估分别对标的资产进行了审计、评估。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）经评估，截至评估基准日 2018年 7月 31日，芯能投资股东全部权益评估值为89,130.52万元，芯力投资股东全部权益评估值为59,900.12万元，合计 149,030.64万元。本次交易摘牌价格虽然为产权交易所的挂牌底价，但较评估值溢价13.23%，提请投资者关注本次交易作价高于评估值的风险。
（五）法律和政策风险
本公司为中国注册成立的 A股上市公司，本次交易最终标的北京豪威的主要经营主体为美国豪威，美国豪威系在美国注册独立法人实体。公司不能排除相关政府和监管机构针对本次交易出台政策、法律或展开调查行动，从而延迟本次交易的交割或导致本次交易终止的风险。根据交易双方《产权交易合同》的约定，如果境外审查机构强制要求对本项交易进行审查，则各方同意无条件配合境外审查机构对本项交易的审查，包括但不限于提供相关资料，签署必要的文件等。如因境外审查机构的审查导致本项交易最终无法完成，则上市公司有权单方解除本协议；如境外审查机构对本项交易提出整改要求，则各方同意以不损害上市公司利益为原则共同商讨解决方案，并按照境外审查机构的要求进行整改。如因上述情形导致上市公司遭受损失的，各交易对方应当尽力配合商讨解决方案，并保障上市公司的利益不受损害。
二、标的资产经营风险
芯能投资、芯力投资是专门为投资北京豪威设立的实体。以下涉及标的公司资产经营风险的描述均针对北京豪威。
（一）宏观经济波动风险
半导体产品应用领域非常广泛，涵盖通讯、安防、汽车电子、医疗、家电、工业控制、航空航天、军事等国民经济的各方面，因此半导体产业不可避免地受到宏观经济波动的影响。宏观经济的变化将直接影响半导体下游产业的供求平衡，进而影响到整个半导体产业自身。
总体来说，全球半导体产业的市场状况基本与世界经济发展形势保持一致。
未来，如果宏观经济出现较大波动，将影响到半导体行业的整体发展，包括北京豪威从事的半导体芯片设计业务。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（二）行业周期性风险
半导体行业是周期性行业，其增速与全球 GDP增速的相关度很高。由于半导体产品受到技术升级、市场格局、应用领域等因素影响，整个半导体行业具有周期性波动的特点。半导体周期通常也称为“硅周期”，指半导体产业在5年左右的时间内会历经从衰落到昌盛的一个周期。近年来，随着半导体产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快，新技术、新工艺在半导体产品中的应用更加迅速，进而导致半导体产品的生命周期不断缩短。从国内来看，我国集成电路产业发展有国家产业政策的支持及巨大内需市场的依托，但智能手机、平板电脑，以及诸多移动产品市场趋向成熟，增长趋缓，价格竞争日趋激烈，新一代虚拟现实、无人驾驶、工业机器人等尚在孕育中，北京豪威业务能否继续保持国内市场的较高速度增长存在不确定性，经营业绩可能会因半导体行业周期性而产生较大的波动。
（三）市场变化风险
北京豪威的主营业务为 CMOS图像传感器的研发和销售，主要产品广泛应用于消费电子和工业应用领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络摄像头、安全监控设备、数码相机、汽车和医疗成像等。
报告期内，北京豪威在移动通信领域的产品销售占比均较大，若该领域的细分市场出现较大不利变化，北京豪威经营业绩将受到重大不利影响。同时，若在未来业务发展中，如果北京豪威未能把握行业发展的最新动态，在下游市场发展趋势上出现重大误判，未能在快速成长的应用领域推出适合下游用户需求的产品和服务，将会对北京豪威的经营业绩造成重大不利影响。
（四）外协加工风险
北京豪威采用 Fabless运营模式，专注于集成电路芯片的设计、研发，在生产制造、封装及测试等环节采用专业的第三方企业代工模式。该模式于近十多年来全球集成电路芯片产业中逐渐得到越来越多厂商的运用，符合集成电路产业垂直分工的特点。虽然无晶圆厂运营模式降低了企业的生产成本，使集成电路设计企业能以轻资产的模式实现大额的销售收入，但同时也带来在产品外协加工环节中由供应商供货产生的不确定性。目前对于集成电路设计企业而言，晶圆是产品
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）的主要原材料，由于晶圆加工对技术及资金规模的要求极高，不同类型的集成电路芯片产品在选择合适的晶圆代工厂时范围有限，导致晶圆代工厂的产能较为集中。
在行业生产旺季来临时，晶圆厂和封测厂的产能能否保障北京豪威的采购需求存在不确定性。同时随着行业中晶圆厂和封测厂在不同产品中产能的切换以及产线的升级，或带来的北京豪威采购单价的变动，若外协加工服务的采购单价上升，会对北京豪威的毛利造成不利影响。此外，突发的自然灾害等破坏性事件时，也会影响晶圆厂和封测厂向北京豪威的正常供货。
虽然北京豪威向多家晶圆厂以及封测厂采购晶圆及封装、测试服务，且报告
期内供应关系稳定，但上述因素可能给北京豪威晶圆厂、封测厂的供应稳定性造成一定影响。因此，北京豪威面临一定程度的原材料供应及外协加工稳定性的风险。
（五）技术不能持续创新风险
豪威科技自设立以来专注于集成电路设计业务，经过多年技术积累，已发展为全球领先的 CMOS图像传感器设计企业，豪威科技掌握了设计高性能 COMS图像传感器的核心技术。持续开发新产品是豪威科技在市场中保持竞争优势的重要手段，随着市场竞争的不断加剧，半导体产品生命周期的缩短，如豪威科技不能及时准确的把握市场需求和技术发展趋势，将导致豪威科技新产品不能获得市场认可，对其市场竞争力产生不利影响。
（六）税收优惠政策变化的风险
北京豪威子公司豪威半导体、豪威科技（上海）均取得《高新技术企业证书》，减按15%的税率计算缴纳企业所得税。
如果未来不能被认定为高新技术企业或相应的税收优惠政策发生变化，上述公司将不再享受相关的税收优惠，对北京豪威经营业绩产生一定影响。
（七）汇率波动风险
北京豪威的主要经营实体为美国豪威及下属企业，美国豪威日常经营活动以美元为结算货币，北京豪威合并财务报表的记账本位币为美元。随着人民币日趋
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）国际化、市场化，人民币汇率波动幅度增大，人民币对美元等货币的汇率变化将导致公司合并财务报表的外币折算风险。
（八）海外业务运营风险
美国豪威的产品研发、销售分布在北美、亚洲、欧洲等国家和地区，如相关国家和地区发生突发政治动荡、战争、经济波动、自然灾害、政策和法律不利变更、税收增加和优惠减少、贸易限制和经济制裁、国际诉讼和仲裁等情况，都可能影响美国豪威业务的正常运营，进而影响重组后上市公司的财务状况和盈利能力。
（九）业绩增长可持续性具有不确定性的风险
标的业绩是否增长，即受北京豪威产品技术先进性、经营管理能力、营销力量等因素的影响，又受市场需求变动、市场竞争情况、国际贸易环境、原材料和外协厂商价格波动等因素的影响。北京豪威管理层将按经营规划努力实现较好的业绩，但由于影响因素较多，并且很多因素变动的不确定性较高，因此标的业绩增长的可持续性具有一定的不确定性。
（十）核心人员变动风险
经过多年的发展和积累，北京豪威建立了经验丰富、业务娴熟、具备较高素质的核心经营管理团队和技术团队，核心人员的稳定对本次交易完成后北京豪威的正常、稳定经营有积极的正面影响。
本次交易完成后，上市公司将采取合理的激励措施，促进核心团队和核心人员的稳定。但若核心人员出现大量流失，则可能对北京豪威长期稳定经营及经营业绩产生不利影响。
三、与上市公司相关的风险
（一）债务融资方式用于支付对价提高上市公司财务费用的风险
本次交易中上市公司需要向交易对方支付 168,741.925万元现金以购买交易对方所持有的芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。上市公司可以通过多种途径筹集资金以满足上述现金对价支付需求，包括但不限于自有资金、银行贷款等其他融资方式。鉴于上市公司自有资金额度有限，且需要通过较大金额的债
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）务融资以满足上述现金对价支付需求，则在未来一定时期内上市公司的资产负债结构可能发生变化，资产负债率将提升，同时上市公司需要为债务融资承担的财务费用将有所增长，进而可能对上市公司的净利润及每股收益造成影响。提请广大投资者关注债务融资方式用于支付对价提高上市公司财务费用的风险。
（二）控股股东股权质押风险
截至 2018年 7月 31日，虞仁荣持有本公司 279,435,000股股份，其中已被质押的股份数量为 183,810,205股，占其持股总数的65.78%，占公司总股本的40.33%。受国家政治、经济政策、市场环境、投资者心理因素、公司经营业绩等内外部多种因素的影响，公司股票价格会产生波动，在极端情况下控股股东所质押的股票有被强制平仓的风险，从而可能带来控股股东和实际控制人发生变更的风险。
四、其他风险
（一）股票市场波动风险
股票市场价格波动不仅取决于企业的经营业绩，还受宏观经济周期、利率、资金、供求关系等因素的影响，同时也会因国际、国内政治经济形势及投资者心理因素的变化而产生波动。由于以上多种不确定因素的存在，公司股票可能会产生脱离其本身价值的波动，从而给投资者带来投资风险。投资者在购买本公司股票前应对股票市场价格的波动及股市投资的风险有充分的了解，并做出审慎判断。
（二）其他风险
上市公司不排除因政治、经济、自然灾害等其他不可控因素给上市公司带来不利影响的可能性，提请广大投资者注意相关风险。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第一节本次交易概况
一、本次交易的背景
（一）全球集成电路产业并购整合加速
集成电路是信息产业的基础，一直以来占据全球半导体产品超过80%的销售额，被誉为“工业粮食”，涉及计算机、家用电器、数码电子、自动化、电气、通信、交通、医疗、航空航天等领域，在几乎所有的电子设备中都有使用。对于未来社会的发展方向，包括5G、人工智能、工业机器人、物联网、自动驾驶等，集成电路都是必不可少的基础，只有在集成电路的支持下，这些应用才可能得以实现。所以，集成电路产业是国民经济中基础性、关键性和战略性的产业，集成电路产业的强弱是国家综合实力强大与否的重要标志。
过去几年，作为衡量行业景气度先行指标的全球半导体设备销售额高速增长。
根据国际半导体产业协会（SEMI）的出货报告，2017年全球半导体制造设备成交金额为566.2亿美元，同比增长高达41%；2018年预计销售额将继续增长，达到约630亿美元。从市场规模来看，根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）的数据，2017年全球集成电路销售额为 3,431.86亿美元，同比增长24%，预计2018年销售额将增长9.5%，达到3,758.99亿美元。
随着人们对互联互通的需求越来越强烈，以及许多国家对智能制造业的强力推进，半导体的需求量也屡创历史新高，推动半导体行业并购交易的风生水起。
IC Insights报告指出，2015年、2016年是全球半导体产业并购最活跃的两年，并购交易总市值分别达到1,073亿美元和998亿美元，2017年下降至277亿美元，但仍比2010-2014年平均并购交易额的约 126亿美元高出两倍多。
2015-2017年，全球半导体产业共有 7起超过 100亿美元的顶级规模并购交易。而在半导体产业史上超过100亿美元的顶级规模并购交易仅8起，分别为安华高（Avago）370亿美元收购博通（Broadcom）、软银（Softbank）320亿美元收购ARM、西部数据（WesternDigital）190亿美元收购闪迪（Sandisk）、黑石集团（BlackstoneGroup）176亿美元收购飞思卡尔（Freescale）、英特尔（Intel） 167亿美元收购阿尔特拉（Altera）、英特尔（Intel）153亿美元收购无比视
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（Mobileye）、亚德诺（AnalogDevices）148亿美元收购凌力尔特（LinearTechnology）、恩智浦（NXP）118亿美元收购飞思卡尔（Freescale）。
近年来，全球集成电路产业资源加速整合，资源越来越向优势企业集中，这也成为半导体巨头们保持行业地位和迎接未来挑战的利器，后发企业面临的竞争压力越来越大。
（二）国家政策大力支持集成电路产业发展
根据中国半导体行业协会统计，2017年我国集成电路产业销售额为 5,411.3亿元，同比增长24.8%。2015-2017年，集成电路行业产值的年均复合增长率达21.5%，其中集成电路设计业在2016年首次超过封装测试业，成为销售额最大的部分。但是，伴随着我国集成电路快速发展的却是贸易逆差的不断扩大，2017年贸易逆差高达 1,933亿美元，同比增长16.6%。我国作为目前世界电子消费第一大国，市场规模占全球进一半，但集成电路自给率仅为10%，特别是高端产品方面，部分产品自给率极低。
我国政府早已认识到发展集成电路的重要性，发布多项支持文件。2011年，国务院发布《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》，提出“旨在进一步优化软件产业和集成电路产业发展环境，提高产业发展质量和水平，培育一批有实力和影响力的行业领先企业”。
2014年，工信部、发改委、科技部、财政部等多部门联合发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，明确主要任务和发展重点是：着力发展集成电路设计业，加速发展集成电路制造业，提升先进封装测试业发展水平，突破集成电路关键装备和材料。
2018年，国务院2018年政府工作报告提出：要加快制造强国建设，推动集成电路、第五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展。
（三）国家政策鼓励上市公司兼并重组
2010年9月，国务院出台《关于促进企业兼并重组的意见》（国发[2010]27号），明确表示通过促进企业兼并重组，加快国有经济结构的战略性调整。
2014年 3月 7日，国务院出台《关于进一步优化企业兼并重组市场环境的
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）意见》（国发[2014]14号），明确在企业兼并重组中改善政府的管理和服务，取消限制企业兼并重组和增加企业负担的不合理规定，引导和激励各种所有制企业自主、自愿参与兼并重组。
2014年 5月 9日，国务院出台《关于进一步促进资本市场健康发展的若干意见》，再次重申“鼓励市场化并购重组，充分发挥资本市场在企业并购重组过程中的主渠道作用”。
2015年8月31日，中国证监会、财政部、国资委、中国银监会等四部委联合发布《关于鼓励上市公司兼并重组、现金分红及回购股份的通知》，通过多种方式进一步深化改革、简政放权，大力推进上市公司并购重组，积极鼓励上市公司现金分红，支持上市公司回购股份，提升资本市场效率和活力。
（四）中国企业跨境并购步伐加快，国家政策进一步放宽
跨境并购作为上市公司增强企业竞争力、提升公司价值的有效方式，成为上市公司全球化运作的主要手段。经过多年的经验摸索和积累，中国部分优质企业已初步具备成功开展跨境投资的实力和条件。
为推动中国资本市场的国际化进程，帮助中国企业适应全球化发展的新形势，政府监管机构近年来相继出台相关规定和措施，进一步放宽中国企业对外投资的审批规定，其中包括发改委、商务部审批备案权限的下放等，支持中国企业进行跨境并购交易。
2014年10月，商务部发布的新的《境外投资管理办法》大大减少了商务部在境外投资方面相关的行政审批，确立了“备案为主、核准为辅”的新型管理模式，进一步提升了境外投资的便利化，并进一步提升了国内企业进行境外投资与并购的自主权。
2015年 2月，国家外汇管理局发布了《关于进一步简化和改进直接投资外汇管理政策的通知》（汇发[2015]13号），取消了境外直接投资项下外汇登记核准行政审批，改由银行按照《直接投资外汇业务操作指引》直接审核办理境外直接投资项下外汇登记，负责境外投资外汇管理职能的主管单位由外汇管理局转为银行负责。自2015年6月1日起，外汇管理局不再负责境外投资外汇登记事项，而只是通过银行对直接投资外汇登记实施间接监管，企业可自行选择注册地银行
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）办理直接投资外汇登记。
2018年 3月 1日，国家发改委发布并施行的《企业境外投资管理办法》，取消“项目信息报告制度”，取消地方初审、转报环节，放宽投资主体履行核准、备案手续的最晚时间要求，进一步便利企业境外投资。
二、本次交易的目的
（一）韦尔股份与北京豪威业务高度协同，符合未来发展战略布局
韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。分销业务以“战略规划、与设计业务互补”为目标，主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。北京豪威的主营业务均为 CMOS图像传感器的研发和销售。
目前，韦尔股份与北京豪威的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。本次交易，一方面能够丰富公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来移动通信、安防、汽车电子、医疗等领域优质的客户资源。
此外，韦尔股份自身拥有强大的半导体分销体系、完善的销售网络和供应链体系以及高技术、高执行力、高服务能力的现场技术支持工程师（FAE）团队。
北京豪威主要从事芯片设计，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，北京豪威可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
本次交易，韦尔股份与北京豪威业务高度协同，符合上市公司未来发展战略布局。未来，韦尔股份将继续立足于半导体设计行业，利用在技术、资质、品牌、销售渠道、服务等方面的优势，以移动通信、数码产品为发展根基，进一步拓展各类产品在安防、汽车、网通、医疗、智能家居、可穿戴设备等领域的应用，努力成为代表行业领先水平、具有重大影响力的高成长、自主创新的企业。
（二）提升上市公司盈利水平和综合竞争实力
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）从销售额和市场占有率来看，豪威科技是位列索尼、三星之后的全球第三大图像传感器供应商，技术处于全球领先水平，其 CMOS图像传感器在中高端智能手机市场占有较高份额，在安防、汽车用图像传感器领域也处于行业领先地位，具有很高的市场接受度和发展潜力。
本次交易完成后，本公司将通过业务整合和分工，充分发挥上市公司与北京豪威的协同效应。上市公司将获得新的业绩增长点，资产质量、业务规模及盈利能力将得到提升，有利于实现股东长远价值的提高。
三、本次交易的具体方案
（一）交易方案概述
2018年11月28日，云交所确认韦尔股份为本次挂牌转让资产芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的受让方。芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的投资实体，合计持有北京豪威10.5464%的股权。
本次重大资产购买，上市公司将以现金购买瑞滇投资持有的芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。
根据瑞滇投资在云交所的挂牌底价，芯能投资100%股权、芯力投资100%股权挂牌底价合计 168,741.925万元，上市公司竞买摘牌及本次交易的成交价格为168,741.925万元，具体如下：
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|交易对方|标的公司|交易价格（万元）|
|瑞滇投资|芯能投资100%股权|100,919.189|
||芯力投资100%股权|67,822.736|
|合计|—|168,741.925|

本次交易完成后，韦尔股份将持有芯能投资和芯力投资100%的股权。
本次交易对价的支付方式为现金。资金来源为自筹资金，包括上市公司自有资金、银行借款或其他合法渠道及方式筹集的资金。
经交易双方同意，本次交易对价在《产权交易合同》所约定的交割的前提条件满足后分两期支付，具体支付安排如下：
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|支付比例|支付金额（万元）|支付时间及条件|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|第一期:全部转让款的30%|50,622.5775|韦尔股份于《产权交易合同》生效之日后5个工作日内支付|
|第二期:全部转让款的70%|118,119.3475|韦尔股份于《产权交易合同》生效之日起30个工作日内付清|

根据《产权交易合同》，评估基准日至标的公司股东变更工商登记手续办理完毕期间标的公司的损益由上市公司承担或享有。
（二）本次交易价格较标的资产前期价格的差异及其合理性分析
1、较瑞滇投资受让标的资产价格的差异及合理性
（1）2017年，瑞滇投资分别取得芯能投资100%股权和芯力投资100%股权的交易对价
2017年8月25日，芯能投资、芯力投资各自唯一股东中信证券投资有限公司作出股东决定，决定将所持芯能投资100%股权、芯力投资100%股权转让给瑞滇投资。
2017年9月25日，股权转让相关方签署《股权转让协议》，约定瑞滇投资将芯能投资100%股权、芯力投资100%股权分别作价883,042,906元、593,448,940元转让给瑞滇投资，截至 2017年 11月 16日，瑞滇投资已向中信证券投资有限公司支付前述股权转让款合计 1,476,491,846元。
（2）本次挂牌价与前述价格的差异及合理性
本次芯能投资100%股权、芯力投资100%股权成交价为 1,687,419,250元，较瑞滇投资自中信证券投资有限公司取得标的资产的价格 1,476,491,846元溢价210,927,404元，溢价率12.50%。
①瑞滇投资国有资产交易履行的有关程序
芯能投资、芯力投资为瑞滇投资全资子公司，瑞滇投资实际控制人为云南省人民政府国有资产监督管理委员会，其股权控制结构图如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）云南省人民政府国有资产监督管理委员会
100% 100%
云南省国有资本运营有限公司 云南省建设投资控股集团有限公司
56.21% 40% 3.79%
云南省城市建设投资集团有限公司
100%
瑞滇投资管理有限公司
交易对方瑞滇投资本次挂牌出售芯能投资100%股权、芯力投资100%股权系根据《企业国有资产交易监督管理办法》（国务院国有资产监督管理委员会财政部令第32号）的规定进行，主要履行了以下程序：
瑞滇投资股东云南省城市建设投资集团有限公司（以下简称“云南城投”）董事会已作出决议，同意瑞滇投资按照北京豪威科技有限公司（以下简称“北京豪威”）整体估值160亿元为价格依据，通过产权交易所公开出让瑞滇投资所持芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。
瑞滇投资已就其本次转让芯能投资100%股权委托资产评估机构对芯能投资100%股权截至2017年12月31日的整体价值进行评估并出具《瑞滇投资管理有限公司拟转让所持有的深圳市芯能投资有限公司100%股权所涉及的深圳市芯能投资有限公司股东全部权益资产评估报告》，该评估报告已经云南城投备案，备案号为云城投评备［2018］07号，经评估，芯能投资2017年12月31日的股东全部权益价值为88,935.05万元。
瑞滇投资已就其本次转让芯力投资100%股权委托资产评估机构对芯力投资100%股权截至2017年12月31日的整体价值进行评估并出具《瑞滇投资管理有限公司拟转让所持有的深圳市芯力投资有限公司100%股权所涉及的深圳市芯力投资有限公司股东全部权益资产评估报告》，该评估报告已经云南城投备案，备案号为云城投评备［2018］08号，经评估，芯力投资2017年12月31日的股东全部权益价值为59,768.77万元。
2018年9月18日，瑞滇投资通过云交所发布股权转让项目预披露公告，披
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）露其将通过云交所挂牌转让其所持芯能投资100%股权、芯力投资100%股权，预披露时间为20个工作日。
2018年 10月 25日，瑞滇投资通过云交所发布正式披露公告，披露其正式通过云交所挂牌转让其所持芯能投资100%股权、芯力投资100%股权，并披露了标的资产转让的相关交易条件，正式披露时间为20个工作日。
②上市公司履行的有关程序
2018年 10月 25日，韦尔股份召开第四届董事会第三十一次会议，审议通过《关于参与竞买深圳市芯能投资有限公司、深圳市芯力投资有限公司各100%股权的议案》，并于 2018年 10月 27日通过上交所网站等指定媒体发布相关公告，确认瑞滇投资已通过云交所公开挂牌出售其所持芯能投资100%股权、芯力投资100%股权，韦尔股份将参与竞买，并说明标的资产在云交所挂牌的相关转让条件，确认本次交易构成重大资产重组并就韦尔股份通过云交所参与竞买标的资产的相关风险进行了提示。
2018年11月12日，韦尔股份召开2018年第三次临时股东大会，审议通过《关于参与竞买深圳市芯能投资有限公司、深圳市芯力投资有限公司各100%股权的议案》，并于 2018年 11月 13日通过上交所网站等指定媒体公告了上述决议。
2018年 11月 14日，韦尔股份召开第四届董事会第三十二次会议，审议通过《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买预案》以及本次交易方案等相关议案，并于 2018年 11月 15日通过上交所网站等指定媒体公告本次交易预案等相关文件。
③价格差异的合理性分析
本次交易的标的公司芯能投资、芯力投资除持有北京豪威10.5464%股权外无其他对外投资，交易对方在确定挂牌价格过程中，综合考虑了国有资产管理原则以及北京豪威经营情况、同行业估值水平等因素，最终确定挂牌底价；上市公司决定参与竞买，亦基于北京豪威未来发展前景、同行业同类型交易估值水平、与上市公司的协同效应等因素慎重考虑，最终决定在履行决策程序后按照挂牌底价报价参与竞买。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）A、北京豪威具有较明显的竞争优势
北京豪威是指经营主体为其子公司美国豪威，美国豪威长期以来致力于 CMOS图像传感器的研发、生产和销售，在中国及中国香港和中国台湾地区、美国、新加坡、日本、韩国、德国、英国、挪威、印度等国家和地区均设有运营主体，产品销往全球主要国家和地区。2017年，美国豪威销售的 CMOS图像传感器超过80kk，是处于市场领先地位的 CMOS图像传感器研发、设计企业。
根据权威市场研究机构 Yole Development的公开报告，美国豪威2017年在 CMOS图像传感器市场占有11%的市场份额，仅次于日本索尼和韩国三星，是全球最主要的三家CMOS图像传感器供应商之一。
美国豪威近三年在 CMOS图像传感器行业的竞争优势进一步提高。美国豪威及其下属企业全球专利数量从2016年末的3,190项，增加到2018年7月末的3,379项,核心技术覆盖智能手机、车载摄像头、监控摄像头和医疗设备领域，其中：智能手机是美国豪威产品最主要的应用市场，四相像素（QPD）等新技术的持续研发有助于美国豪威稳固其市场竞争地位；车载摄像头、图像监视器、医疗设备已逐渐成为 CMOS图像传感器增长速度最快的应用市场，且美国豪威在上述市场有较强的竞争优势，这些新兴应用市场将成为美国豪威未来业绩的增长点。
2016年1月28日私有化以来，美国豪威业务经营持续向好，2016年、2017年、2018年 1-7月北京豪威扣除私有化及相关费用后（包括扣除 2016年一次性员工奖励计划、2017年美国税改、2018年一次性税务事项等因素的影响）的盈利情况分别为2,101.35万元、19,953.41万元和 20,531.50万元，具体情况如下：单位：万元
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|项 目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值的影响（1）|7,276.99|9,699.87|11,884.57|
|因收购美国豪威产生的存货影响（2）|—|—|46,837.31|
|因收购美国豪威所借入并购借款的财务费用的影响（3）|6,025.50|11,523.49|33,004.64|
|因收购美国豪威所支付的相关中介服务费用的影响（4）|—|—|10,624.30|
|一次性员工奖励计划的影响（5）|—|—|100,892.48|
|因收购美国豪威所处置其持有的投资的影响（6）|1,423.29|1,527.76|13,110.99|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|美国税改及其他一次性税务事项的影响（7）|-10,835.92|-277,329.32|—|
|调整后净利润|20,531.50|19,953.41|2,101.35|

B、北京豪威行业发展趋势向好
根据全球半导体贸易统计组织数据显示，全球集成电路市场规模2012年至2017年的年复合增长率为7.58%，其中2017年销售额为3,432亿美元，同比增加了24.03%。2015-2017年，中国集成电路产业年销售额分别为 3,609.8亿元、4,335.5亿元和5,411.3亿元，同比增速分别为19.71%、20.10%和24.81%，增速呈逐年增加趋势，其中半导体设计业销售额为2,073.5亿元，增速为26.10%。
CMOS图像传感器市场潜力较大，根据 Yole Development针对 CMOS图像传感器产业现状进行的调查，2017年全球 CMOS图像传感器市场规模为 139亿美元，而 2021年市场规模有望达到 188亿美元，CMOS图像传感器产业将保持高速增长趋势。
智能手机作为图像传感器目前最主要的应用领域，2017年全球智能手机总出货量为14.72亿部，与2016年的14.73亿部基本持平。根据TSR的统计数据， 2018年三摄手机占比预计为1%，而到 2022年将达到14%。随着双摄像头及三摄像头的普及和推广，消费者对智能手机高倍光学变焦、背景虚化、静态画质提升等图像处理能力提升的需求，以及虹膜识别、面容 ID等新技术的应用推广，越来越多的手机方案采用双摄或三摄模组，CMOS图像传感器依然具有较大市场空间。
汽车、安防等领域也是 CMOS图像传感器的市场的另一个增长点，随着人工智能、面容识别、自动驾驶等新兴技术对图像处理的要求越来越高，汽车及安防设备对摄像头的数量也逐渐增加。
C、同行业可比公司估值水平
北京豪威主营业务属于集成电路设计行业。截至 2018年 7月 31日，与 A股同行业可比上市公司市盈率和市净率比较情况如下：
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|-|-|-|-|-|
|序号|证券代码|证券简称|市盈率（TTM）|市净率|
|1|300373.SZ|扬杰科技|47.49|5.34|
|2|300613.SZ|富瀚微|61.84|5.74|

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|-|-|-|-|-|
|序号|证券代码|证券简称|市盈率（TTM）|市净率|
|3|300623.SZ|捷捷微电|42.12|4.71|
|4|300661.SZ|圣邦股份|88.84|10.46|
|5|300671.SZ|富满电子|62.26|7.78|
|6|300672.SZ|国科微|137.13|6.30|
|7|600171.SH|上海贝岭|45.26|3.36|
|8|600360.SH|华微电子|50.18|2.38|
|9|603160.SH|汇顶科技|45.99|9.13|
|10|603501.SH|韦尔股份|73.39|10.67|
|11|603986.SH|兆易创新|78.16|17.07|
|平均数|||66.61|7.54|
|中位数|||61.84|6.30|
|北京豪威|||29.34|1.67|

注：1、可比上市公司市净率=上市公司市值（2018年 7月 31日）/上市公司净资产（2018年9月30日）；
2、北京豪威市盈率以北京豪威整体估值160亿元以及2018年预计净利润为测算基准，市净率以2018年7月31日经审计净资产值为测算基准。
综上，本次交易价格虽较瑞滇投资 2017年 8月自中信证券投资有限公司取得标的资产的价格有差异，但与 A股同行业可比上市公司相比，估值仍处于较低水平，差异合理。交易对方瑞滇投资根据国有资产转让的有关规定履行了有关决策、评估备案、产权交易所挂牌等程序，上市公司亦根据《上海证券交易所股票上市规则》等规定履行了决策程序并进行了信息披露及风险提示。
2、较原发行股份购买资产预案中标的资产价格的差异及合理性
（1）本次交易对价相对于原发行股份购买资产预案对价增加约2亿元的原因及合理性
2018年8月15日，公司披露的《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易预案》中，芯能投资、芯力投资为公司发行股份购买北京豪威股权方案（以下简称“发行股份购买资产方案”）的交易对方，按照北京豪威2018年5月31日100%股权预估值141亿元测算，芯能投资、芯力投资合计持有的北京豪威10.5464%股权交易价格为148，703.82万元，本次标的资产的挂牌价为 168,741.93万元，较芯能投资、芯力投资在发行股份购买资产方案中取得的交易价格增加约2亿元，除本回复“二、2”的合理性分析之外，发行股份购买资产方案的交易对方尚有通
过换股交易取得上市公司股份后的二级市场股票增值预期，因此标的资产的挂牌
及成交价格与前次交易对价差异合理。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（2）本次交易作价的变更对前次发行股份购买资产方案的影响
2018年 11月 28日，公司就受让芯能投资100%股权和芯力投资100%股权事宜分别与瑞滇投资签署了《产权交易合同》，芯能投资、芯力投资自动退出原发行股份购买资产交易。发行股份购买资产方案将调整减少芯能投资、芯力投资两个交易对象，涉及减少交易对象有关指标、原标的资产相应指标如下：
|||||
|-|-|-|-|
|项目|剔除前原标的资产指标（万元）|剔除对应的指标（万元）|占原标的资产相应指标总量的比例|
|交易作价|1,499,910.20|148,703.82|9.91%|
|资产总额|1,367,133.98|148,777.59|10.88%|
|资产净额|922,890.59|100,948.75|10.94%|
|营业收入|493,113.11|52,896.71|10.73%|

综上，本次调整减少的交易标的对应的交易作价、资产总额、资产净额及营业收入占原标的资产相应指标总量的比例均不超过20%，按照《上市公司监管法律法规常见问题与解答修订汇编》相关规定，不构成对发行股份购买资产方案的重大调整。
鉴于 2018年 11月 28日公司与瑞滇投资签署了《产权交易合同》构成对前次发行股份购买资产方案的影响，上市公司已于 2018年 11月 30日召开第四届董事会第三十三次会议，审议关于调整公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易方案，对发行股份购买资产方案进行了调整，同时披露发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）及相关中介机构意见等文件。
（三）本次交易的资金来源及自筹资金对公司的影响
本次交易为现金收购，上市公司通过自有资金、自筹资金等方式筹集交易价款并按照交易进度进行支付。
1、本次交易自筹资金具体来源、现金对价的支付计划或安排
2018年 11月 23日，云南产权交易所有限公司（以下简称“云交所”）向公司发出书面《受让资格确认通知书》，告知公司符合受让方资格条件，对公司受让资格予以确认。
2018年 11月 28日，公司就本次竞买芯能投资100%股权和芯力投资100%
股权向云交所缴纳了保证金。云交所出具《交易结果通知书》，确认芯能投资
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）100%股权和芯力投资100%股权的受让方为公司。同日，公司就受让芯能投资100%股权和芯力投资100%股权事宜分别与瑞滇投资签署了《产权交易合同》。
公司受让芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的成交价格为瑞滇投资的挂牌底价，即168,741.925万元。公司本次交易所需的资金主要来源如下：
（1）银行并购贷款，预计约10亿元。截至目前，公司已取得中国工商银行上海市张江科技支行10亿元并购贷款授信额度，招商银行上海分行营业部10亿元并购贷款正在招商银行总行审批。
（2）自有资金，预计约 6.8亿元。自有资金主要来源于公司自身经营利润积累及其他现有流动资金。2018年 1-9月，公司剔除 2017年限制性股票股权激励摊销费用影响后归属于母公司股东的净利润为4.13亿元。截至2018年9月30日，公司账面货币资金余额3.32亿元，预计公司2018年4季度经营活动现金净流入可以满足自有资金的需求。
根据公司与瑞滇投资签订的《产权交易合同》，本次交易付款进度安排如下：
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|-|-|
|付款日期|付款进度|
|协议生效5个工作日内（2018年12月5日）|成交价格的30%|
|协议生效30个工作日内（2019年1月9日）|成交价格的70%|

2018年 11月 28日，公司已按照《产权交易合同》的约定，向云交所支付了保证金253,112,887元。
2、截至目前，是否已经取得相关金融机构的授信
截至目前，公司已取得中国工商银行上海市张江科技支行 10亿元并购贷款授信额度，招商银行上海分行营业部10亿元并购贷款正在招商银行总行审批。
3、自筹资金对公司财务费用及净利润的具体影响
（1）对资产负债结构的影响
根据 2018年第三季度报告，截至 2018年 9月 30日，公司短期借款和长期借款余额合计8.75亿元，资产负债率为59.26%，剔除2017年限制性股票股权激励影响后的资产负债率为41.02%。
假设公司2018年1-9月经营业绩为2018年全年经营业绩的四分之三，且公
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）司在2018年底前完成对芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的收购。根据公司2018年10月15日股东大会审议通过的《关于增加公司2018年度银行综合授信额度的议案》，2018年度银行授信额度不超过26亿元。据此以借款余额 26亿元测算，本次交易完成后，公司资产负债率为67.93%，剔除2017年限制性股票股权激励影响的资产负债率为55.88%。
（2）对财务费用及净利润的影响
根据2018第三季度报告财务数据，假设公司2018年1-9月经营业绩为 2018年全年经营业绩的四分之三，则剔除 2017年限制性股票股权激励摊销费用影响后，预计2018年全年归属于母公司股东的净利润为5.51亿元。需要特别说明的是，上述测算的上市公司 2018年全年业绩仅为假设，不构成盈利预测，投资者不应据此进行投资决策。
假设新增并购贷款金额10亿元，利率按8%测算，对财务费用的年化影响金额为8,000万元，对净利润的年化影响金额为7,200万元，占2018年全年净利润假设预测数的比例为13.07%。
四、本次交易构成重大资产重组
《重组管理办法》第十四条规定：上市公司在 12个月内连续对同一或者相关资产进行购买、出售的，以其累计数分别计算相应数额。已按照本办法的规定编制并披露重大资产重组报告书的资产交易行为，无须纳入累计计算的范围。交易标的资产属于同一交易方所有或者控制，或者属于相同或者相近的业务范围，或者中国证监会认定的其他情形下，可以认定为同一或者相关资产。
根据上述规定，将本次重大资产购买前 12个月韦尔股份（含韦尔股份全资子公司）现金购买北京豪威1.9543%和1.97%股权与本次交易标的资产合并计算，相关财务比例计算如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|资产总额|营业收入|资产净额|
|芯能投资100%股权|54,431.60|—|54,431.50|
|芯力投资100%股权|36,814.30|—|36,814.20|
|北京豪威3.9243%股权|54,977.16|35,516.31|54,977.16|
|上述资产合计|146,223.06|35,516.31|146,222.86|

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|-|-|-|-|
|成交金额|223,719.09|—|223,719.09|
|韦尔股份|282,490.82|240,591.63|117,976.44|
|财务指标占比|79.20%|14.76%|189.63%|

注1：2018年7月和8月，韦尔股份分别收购了北京豪威1.9543%和1.97%股权，合计3.9243%，成交金额合计54,977.16万元。
注2：成交金额=芯能投资、芯力投资100%股权成交价+北京豪威3.9243%股权成交价。
根据上表，标的资产成交金额以及 12个月内连续对同一或者相关资产交易金额占上市公司 2017年经审计合并资产总额、资产净额的比例超过50%，因此本次交易构成重大资产重组。
五、本次交易不构成重组上市
本次交易前，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的61.30%，为上市公司控股股东、实际控制人。由于本次交易为现金收购，不涉及发行股份，故本次交易后公司控股股东、实际控制人仍为虞仁荣，本次交易不会导致上市公司控制权发生变更，亦不构成《重组管理办法》第十三条规定的重组上市。
六、本次交易不构成关联交易
根据《公司法》、《证券法》、《上市规则》等法律、法规及规范性文件的相关规定，本次交易的交易对方与上市公司不存在关联关系。因此，本次交易不构成关联交易。
七、本次交易对上市公司的影响
（一）对上市公司股权结构的影响
本次交易为现金收购，不涉及股份发行，不会导致上市公司股权结构发生变化。
（二）对上市公司业务的影响
本次交易前，韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯
片等。分销业务主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设
计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）本次交易标的公司芯能投资、芯力投资是专为投资北京豪威设立的实体，北京豪威为芯片设计公司，主营业务为 CMOS图像传感器的研发和销售，韦尔股份与北京豪威的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。通过本次交易，一方面丰富了上市公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来智能手机、安防、汽车、医疗等领域优质的客户资源。此外，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，北京豪威可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
因此，本次交易符合上市公司未来发展战略布局。
（三）对上市公司主要财务数据的影响
根据上市公司财务报表与立信会计师出具的《备考审阅报告》（信会师报字[2018]第ZA15939号），本次交易前后，上市公司主要财务数据对比如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月||变动额|变动比率|
||实际数据|备考数据|||
|资产合计|368,462.67|537,204.80|168,742.13|45.80%|
|负债合计|214,356.72|354,943.81|140,587.09|65.59%|
|所有者权益合计|154,105.96|182,260.99|28,155.03|18.27%|
|归属于母公司股东权益合计|153,122.94|181,277.97|28,155.03|18.39%|
|营业收入|230,787.33|230,787.33|0.00|0.00%|
|归属于母公司股东的净利润|19,241.33|19,699.29|457.96|2.38%|
|项目|2017.12.31/2017年||变动额|变动比率|
||实际数据|备考数据|||
|资产合计|282,490.82|446,958.19|164,467.37|58.22%|
|负债合计|163,426.73|304,013.63|140,586.90|86.02%|
|所有者权益合计|119,064.09|142,944.56|23,880.47|20.06%|
|归属于母公司股东权益合计|117,976.44|141,856.92|23,880.48|20.24%|
|营业收入|240,591.63|240,591.63|0.00|0.00%|
|归属于母公司股东的净利润|13,715.63|42,374.84|28,659.21|208.95%|

八、本次交易已履行和尚需履行的批准程序
（一）本次交易已履行的批准程序
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）1、上市公司的决策过程
2018年 10月 25日，韦尔股份第四届董事会第三十一次会议审议通过参与竞买芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的议案。
2018年11月12日，韦尔股份2018年第三次临时股东大会审议通过参与竞买芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的议案。
2018年 11月 14日，韦尔股份第四届董事会第三十二次会议审议通过本次重大资产购买预案等议案。
2018年12月4日，韦尔股份第四届董事会第三十四次会议审议通过本次重大资产购买方案等议案。
2、标的公司的决策过程
芯能投资、芯力投资股东瑞滇投资已作出股东决定，同意通过产权交易所公开出让其持有的芯能投资、芯力投资各100%股权。
3、交易对方的决策过程
瑞滇投资股东云南城投董事会已作出决议，同意瑞滇投资通过产权交易所公开出让所持芯能投资、芯力投资各100%股权。
（二）本次交易尚需获得的授权、批准和核准
本次交易尚需满足多项条件方可完成，包括但不限于：
1、上市公司召开股东大会批准本次交易；
2、相关法律法规所要求的其他可能涉及的批准或核准。
本次交易能否获得上述相关审批、同意，以及获得审批、同意的时间，均存在不确定性，特此提醒广大投资者注意投资风险。
本次交易不属于《重组管理办法》第十三条的情形，不涉及发行股份，无需按照《重组管理办法》第二十九条或第四十四条的规定提交中国证监会上市公司并购重组审核委员会审批。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第二节上市公司基本情况
一、基本信息
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|中文名称|上海韦尔半导体股份有限公司|
|英文名称|Will Semiconductor Co., Ltd. Shanghai|
|A股简称（代码）|韦尔股份（603501.SH）|
|统一社会信用代码|9131000066244468X3|
|注册资本|人民币45,581.3940万元|
|法定代表人|马剑秋|
|成立日期|2007年5月15日|
|上市日期|2017年5月4日|
|注册地址|中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层|
|主要办公地址|中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层|
|邮政编码|201203|
|公司网站|http://www.willsemi.com|
|电子信箱|stock@sh-willsemi.com|
|经营范围|集成电路、计算机软硬件的设计、开发、销售，商务信息咨询，从事货物及技术的进出口业务，自有房屋租赁（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

二、设立情况
韦尔股份系自然人虞仁荣和马剑秋发起设立的股份有限公司。2007年 3月 30日，虞仁荣、马剑秋签订《发起人协议》，共同签署创立大会暨第一次股东大会决议，审议通过《上海韦尔半导体股份有限公司章程》，决定设立上海韦尔半导体股份有限公司。韦尔股份于2007年5月15日经上海市工商行政管理局批准成立，上海市工商行政管理局向公司核发了《企业法人营业执照》（注册号：3100001007477）。公司设立时的股权结构为：
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|-|-|-|
|股东姓名|股本（万元）|持股比例（%）|
|虞仁荣|400.00|80.00|
|马剑秋|100.00|20.00|
|合 计|500.00|100.00|

三、最近六十个月的控股权变动情况
韦尔股份自 2007年设立至本报告书签署日，控股股东、实际控制人一直为
虞仁荣先生，未发生过变更。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）四、最近三年的重大资产重组情况
最近三年，韦尔股份不存在重大资产重组情形。
五、主营业务发展情况
公司主营业务为半导体分立器件和电源管理 IC等半导体产品的研发设计，以及被动件（包括电阻、电容、电感等）、结构器件、分立器件和 IC等半导体产品的分销业务，这些产品广泛应用于移动通信、车载电子、安防、网络通信、家用电器等领域。自2007年设立以来，公司主营业务未发生过变更。
目前，公司自行研发设计的半导体产品已进入小米、VIVO、酷派、魅族、华为、联想、摩托罗拉、三星、海信、中兴、波导、努比亚等国内知名手机品牌，以及海康、大华等产品的供应链。同时，公司作为国内主要半导体产品分销商之一，拥有成熟的技术支持团队和完善的供应链管理体系。公司与全球主要半导体供应商紧密合作，为国内OEM厂商、ODM厂商和EMS厂商及终端客户提供针对客户需求的新产品推介、快速样品、应用咨询、方案设计支持、开发环境、售后及物流等方面的半导体产品综合解决方案。
近年来，公司立足于半导体分立器件设计行业，利用在技术、资质、品牌、销售渠道、服务等方面的优势，以移动通信、数码产品为发展根基，积极拓展产品在安防、网通、智能家居、可穿戴设备等领域的应用，实现了经营业绩的稳步增长。
六、主要财务指标
韦尔股份最近两年及一期主要财务指标如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|368,462.67|282,490.82|164,567.19|
|归属于母公司的所有者权益|153,122.94|117,976.44|80,875.80|
|资产负债率（%）|58.18|57.85|50.85|
|项 目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业总收入|230,787.33|240,591.63|216,076.95|
|利润总额|21,639.26|14,538.77|14,189.80|
|归属于母公司股东的净利润|19,241.33|13,715.63|14,169.09|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|经营活动产生的现金流量净额|-31,120.28|-27,195.43|7,011.65|
|毛利率（%）|27.91|20.54|20.12|
|基本每股收益（元/股）|0.42|0.34|0.38|

注：2016年、2017年财务报表经立信会计师审计，2018年1-7月财务报表未经审计。
七、控股股东、实际控制人概况
截至本报告书签署日，公司控股股东、实际控制人为虞仁荣先生，其持有公司61.30%股份。虞仁荣先生具体情况如下：
虞仁荣：1966年出生，中国国籍，无境外永久居留权。1990年 7月毕业于清华大学无线电系。1990年7月至1992年5月，任浪潮集团工程师；1992年6月至 1998年 2月，任香港龙跃电子北京办事处销售经理；1998年 2月至 2001年 9月，任北京华清兴昌科贸有限公司董事长；2001年 9月至今，任北京京鸿志执行董事；2002年8月至今，任深圳京鸿志执行董事；2006年9月至2007年 5月，任香港华清董事长；2007年 5月至 2011年 4月，任公司副董事长、总经理；2011年 4月至今，任公司董事长；2014年 7月至今，任北京泰合志恒董事长；2014年 9月至今，任无锡中普微董事长；2014年 7月至今，任武汉果核科技有限公司董事；2015年9月至今，任上海京恩资产管理合伙企业（有限合伙）执行事务合伙人；2017年 5月至今，任武汉韦尔半导体有限公司董事长；2017年 9月至今，任北京豪威董事、总经理兼首席执行官；2017年 9月至今，任美国豪威首席执行官；2018年 1月至今，任山东新恒汇电子科技有限公司董事；
2018年 2月至今，任青岛清恩资产管理有限公司监事；2018年 5月至今，任北京豪威亦庄科技有限公司执行董事。
八、上市公司的合法合规情况
截至本报告书签署日，公司及其董事、监事、高级管理人员已出具承诺函，承诺最近三年不存在因涉嫌犯罪被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规被中国证监会立案调查的情形，不存在受到过中国证监会行政处罚或被司法机关依法追究刑事责任的情形，或者最近十二个月内受到过证券交易所公开谴责的情形。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第三节交易对方基本情况
本次交易对方为瑞滇投资。
一、基本信息
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|企业全称|瑞滇投资管理有限公司|
|企业性质|有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）|
|成立日期|2011年1月14日|
|注册地址|云南省昆明市高新区海源北路六号招商大厦|
|主要办公地点|云南省昆明市高新区海源北路六号招商大厦|
|法定代表人|张勋华|
|注册资本|150,000万元|
|统一社会信用代码|91530100566244899L|
|经营范围|项目投资；经济信息咨询（依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|

二、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
1、2011年1月设立
2011年 1月 13日，云南省城市建设投资有限公司（后更名为“云南省城市建设投资集团有限公司”）作出股东决定，通过《瑞滇投资管理有限公司章程》，决定出资设立瑞滇投资。
2011年1月12日，经云南银信鼎立会计师事务所有限公司《验资报告》（银信鼎立验字[2011]第001号）验证，截至2011年1月11日，瑞滇投资已收到云南城投缴纳的5,000万元注册资本。
2011年 1月 14日，云南省昆明市工商行政管理局核发注册号为530100000025158的营业执照，瑞滇投资正式成立。
瑞滇投资设立时的出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|云南城投|5,000.00|100.00|
|合 计||5,000.00|100.00|

2、2015年7月增加注册资本
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）2015年7月10日，云南城投作出股东决定，决定瑞滇投资注册资本增加至30,000万元，增加部分全部由云南城投认缴。
2015年7月24日，瑞滇投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，瑞滇投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|云南城投|30,000.00|100.00|
|合 计||30,000.00|100.00|

3、2016年3月增加注册资本
2015年 12月 30日，云南城投作出股东决定，决定瑞滇投资注册资本增加至40,000万元，增加部分全部由云南城投认缴。
2016年3月11日，瑞滇投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，瑞滇投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|云南城投|40,000.00|100.00|
|合 计||40,000.00|100.00|

4、2017年3月增加注册资本
2017年1月20日，云南城投作出股东决定，决定瑞滇投资注册资本增加至44,857.14万元，增加部分全部由云南城投认缴。
2017年3月31日，瑞滇投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，瑞滇投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|云南城投|44,857.14|100.00|
|合 计||44,857.14|100.00|

5、2017年5月增加注册资本
2017年3月20日，云南城投作出股东决定，决定瑞滇投资注册资本增加至74,857.14万元，增加部分全部由云南城投认缴。
2017年5月25日，瑞滇投资完成本次变更的工商登记。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）本次变更后，瑞滇投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|云南城投|74,857.14|100.00|
|合 计||74,857.14|100.00|

6、2017年8月增加注册资本
2017年7月25日，云南城投作出股东决定，决定瑞滇投资注册资本增加至150,000.00万元，增加部分全部由云南城投认缴。
2017年8月9日，瑞滇投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，瑞滇投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|云南城投|150,000.00|100.00|
|合 计||150,000.00|100.00|

三、最近三年主营业务情况
瑞滇投资最近三年主营业务为投资管理。
四、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|245,219.74|34,460.02|
|负债总额|80,985.57|131.81|
|所有者权益|164,234.17|34,328.21|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|827.69|462.84|
|利润总额|65.82|316.15|
|净利润|48.82|243.59|

注：上述数据已经审计
五、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图截至本报告书签署日，瑞滇投资产权结构及控制关系如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）云南省人民政府国有资产监督管理委员会
100% 100%
云南省国有资本运营有限公司 云南省建设投资控股集团有限公司56.21% 40% 3.79%
云南省城市建设投资集团有限公司
100%
瑞滇投资管理有限公司
瑞滇投资实际控制人为云南省人民政府国有资产监督管理委员会。
六、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有芯能投资100%股权、芯力投资100%股权外，瑞滇投资主要对外投资企业情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|企业名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|成都超硅半导体有限公司|100,000.00|75.00|
|2|上海超硅半导体有限公司|66,107.6834|52.94|
|3|香格里拉市悟空出行科技有限公司|10,000.00|30.00|
|4|重庆超硅半导体有限公司|146,271.67|24.51|
|5|中电健康医疗大数据（杭州）股权投资基金合伙企业（有限合伙）|92,600|21.60|
|6|云南标贤捷股权投资基金管理合伙企业（有限合伙）|1,000.00|20.00|
|7|云南辟益股权投资基金合伙企业（有限合伙）|5,200.00|16.42|
|8|脚印兄弟（北京）信息科技有限责任公司|413.64|10.00|
|9|上海建为历保科技股份有限公司|6,718.71|4.76|
|10|云南民族文化旅游产业有限公司|92,748.69|0.32|

七、其他事项说明
（一）交易对方与上市公司之间的关联关系说明
本次交易的交易对方与上市公司不存在关联关系，本次交易不构成关联交易。
（二）向上市公司推荐董事或者高级管理人员的情况
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）截至本报告书签署日，瑞滇投资不存在向上市公司推荐董事、高级管理人员的情况。
（三）交易对方及其主要管理人员最近五年内受到行政处罚、刑事处罚或
者涉及经济纠纷有关的重大民事诉讼或者仲裁情况的说明
截至本报告书签署日，本次交易的交易对方已出具承诺函，交易对方及其主要管理人员最近五年内未受过任何行政处罚（与证券市场明显无关的除外）、刑事处罚，亦不涉及与经济纠纷有关的任何重大民事诉讼或者仲裁。
（四）交易对方及其主要管理人员最近五年合法合规及诚信情况
截至本报告书签署日，本次交易的交易对方已出具承诺函，交易对方及其主要管理人员不存在未按期偿还大额债务、未履行承诺、被中国证监会采取行政监管措施或受到证券交易所纪律处分的情况。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第四节交易标的基本情况
本次重大资产购买的标的资产为芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。
芯能投资、芯力投资是专门为投资北京豪威设立的实体。以下涉及标的公司行业及业务情况描述均针对北京豪威。
一、芯能投资
（一）基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|深圳市芯能投资有限公司|
|企业性质|有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）|
|成立日期|2016年6月16日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|主要办公地点|云南省昆明滇池国际会展中心5号馆|
|法定代表人|张勋华|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91440300MA5DEND774|
|经营范围|股权投资；投资咨询（不含限制项目）；投资兴办实业（具体项目另行申报）。|

（二）历史沿革及最近三年注册资本变化情况
1、2016年6月设立
2016年 6月 16日，金石投资有限公司（简称“金石投资”）签署公司章程，出资1,000万元设立芯能投资。
2016年 6月 16日，深圳市市场监督管理局核发统一社会信用代码为 91440300MA5DEND774的营业执照，芯能投资正式成立。
芯能投资设立时的出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|金石投资|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

2、2017年9月变更股东
2017年 7月 31日，金石投资作出股东决定，决定将芯能投资100%股权转
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）让给中信证券投资有限公司（以下简称“中信证券投资”）。同日，股权转让双方签署《股权转让协议》。
2017年9月8日，芯能投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，芯能投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|中信证券投资|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

3、2017年11月变更股东
2017年 8月 25日，中信证券投资作出股东决定，决定将芯能投资100%股权转让给瑞滇投资。9月25日，股权转让双方签署《股权转让协议》。
2017年11月2日，芯能投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，芯能投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|瑞滇投资|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

（三）最近三年主要业务发展状况
芯能投资2016年成立以来主要从事对外投资、投资咨询业务。
（四）最近两年及一期主要财务数据及非经常性损益情况
根据立信会计师出具的《审计报告》（信会师报字[2018]第 ZA15935号），芯能投资最近两年及一期经审计的主要财务数据如下表所示：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|资产负债表|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|0.04|0.00|1.48|
|非流动资产合计|54,431.56|54,431.56|36,814.26|
|资产总计|54,431.60|54,431.56|36,815.74|
|流动负债合计|0.10|0.00|36,814.26|
|非流动负债合计|0.00|0.00|0.00|
|负债合计|0.10|0.00|36,814.26|
|所有者权益合计|54,431.50|54,431.56|1.48|
|利润表|2018年1-7月|2017年|2016年|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|营业收入|0.00|0.00|0.00|
|营业成本|0.00|0.00|0.00|
|营业利润|-0.06|-37.13|-18.52|
|利润总额|-0.06|-37.13|-18.52|
|净利润|-0.06|-37.13|-18.52|
|扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润|-0.06|-37.13|-18.52|

报告期内，芯能投资无非经常性损益。
（五）与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，芯能投资产权结构及控制关系如下：
云南省人民政府国有资产监督管理委员会
100% 100%
云南省国有资本运营有限公司 云南省建设投资控股集团有限公司
56.21% 40% 3.79%
云南省城市建设投资集团有限公司
100%
瑞滇投资管理有限公司
100%
深圳市芯能投资有限公司
（六）控股股东及实际控制人
芯能投资控股股东为瑞滇投资，实际控制人为云南省人民政府国有资产监督管理委员会。
（七）主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威6.31%股权外，芯能投资无其他对外投资。
（八）资质证照与审批情况
芯能投资为持股型公司，不进行生产经营业务，不持有相关经营资质。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（九）涉及立项、环保等有关报批事项
本次交易收购芯能投资100%股权，不涉及立项、环保、行业准入、用地、规划、施工建设等有关报批事项。
（十）购买资产股权出资及合法存续情况
截至本报告书签署日，芯能投资不存在出资瑕疵或影响合法存续的情况。
（十一）关于交易标的是否为控股权的说明
本次交易的标的资产为芯能投资100%股权，为标的公司控股股权。
（十二）关于交易标的是否取得该公司其他股东的同意或者符合公司章程
规定的股权转让前置条件的说明
芯能投资唯一股东瑞滇投资已出具股东决定，同意通过产权交易所公开出让芯能投资100%股权。
（十三）本次交易涉及的债权债务转移情况
本次交易不涉及标的公司债权债务转移。
（十四）关于交易标的涉及许可使用资产的情况说明
截至本报告书签署日，芯能投资无许可使用资产的情况。
二、芯力投资
（一）基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|深圳市芯力投资有限公司|
|企业性质|有限责任公司（法人独资）|
|成立日期|2016年6月15日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|主要办公地点|云南省昆明滇池国际会展中心5号馆|
|法定代表人|张勋华|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91440300MA5DEL0792|
|经营范围|投资兴办实业（具体项目另行申报）；股权投资；投资咨询（不含限制项目）。（以上各项涉及法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）|

（二）历史沿革及最近三年注册资本变化情况
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）1、2016年6月设立
2016年6月15日，金石投资签署公司章程，出资1,000万元设立芯力投资。
2016年 6月 15日，深圳市市场监督管理局核发统一社会信用代码为 91440300MA5DEL0792的营业执照，芯力投资正式成立。
芯力投资设立时的出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|金石投资|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

2、2017年9月变更股东
2017年 7月 31日，金石投资作出股东决定，决定将芯力投资100%股权转让给中信证券投资。同日，股权转让双方签署《股权转让协议》。
2017年9月8日，芯力投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，芯力投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|中信证券投资|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

3、2017年11月变更股东
2017年 8月 25日，中信证券投资作出股东决定，决定将芯力投资100%股权转让给瑞滇投资。9月25日，股权转让双方签署《股权转让协议》。
2017年11月3日，芯力投资完成本次变更的工商登记。
本次变更后，芯力投资出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|瑞滇投资|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

（三）最近三年主要业务发展状况
芯力投资2016年成立以来主要从事股权投资业务。
（四）最近两年及一期主要财务数据及非经常性损益情况
根据立信会计师出具《审计报告》（信会师报字[2018]第ZA15936号），芯
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）力投资最近两年及一期主要财务数据如下表所示：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|合并资产负债表|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|0.04|0.00|1.48|
|非流动资产合计|36,814.26|36,814.26|36,814.26|
|资产总计|36,814.30|36,814.26|36,815.74|
|流动负债合计|0.10|0.00|36,814.26|
|非流动负债合计|0.00|0.00|0.00|
|负债合计|0.10|0.00|36,814.26|
|所有者权益合计|36,814.20|36,814.26|1.48|
|合并利润表|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|0.00|0.00|0.00|
|营业成本|0.00|0.00|0.00|
|营业利润|-0.06|-19.51|-18.52|
|利润总额|-0.06|-19.51|-18.52|
|净利润|-0.06|-19.51|-18.52|
|扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润|-0.06|-19.51|-18.52|

报告期内，芯力投资无非经常性损益。
（五）与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，芯力投资产权结构及控制关系如下：
云南省人民政府国有资产监督管理委员会
100% 100%
云南省国有资本运营有限公司 云南省建设投资控股集团有限公司56.21% 40% 3.79%
云南省城市建设投资集团有限公司
100%
瑞滇投资管理有限公司
100%
深圳市芯力投资有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（六）控股股东及实际控制人
芯力投资控股股东为瑞滇投资，实际控制人为云南省人民政府国有资产监督管理委员会。
（七）主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威4.24%股权外，芯力投资无其他对外投资。
（八）资质证照与审批情况
芯力投资为持股型公司，不进行生产经营业务，不持有相关经营资质。
（九）涉及立项、环保等有关报批事项
本次交易收购芯力投资100%股权，不涉及立项、环保、行业准入、用地、规划、施工建设等有关报批事项。
（十）购买资产股权出资及合法存续情况
截至本报告书签署日，芯力投资不存在出资瑕疵或影响合法存续的情况。
（十一）关于交易标的是否为控股权的说明
本次交易的标的资产为芯力投资100%股权，为标的公司控股股权。
（十二）关于交易标的是否取得该公司其他股东的同意或者符合公司章程
规定的股权转让前置条件的说明
芯力投资唯一股东瑞滇投资已出具股东决定，同意通过产权交易所公开出让芯力投资100%股权。
（十三）本次交易涉及的债权债务转移情况
本次交易不涉及标的公司债权债务转移。
（十四）关于交易标的涉及许可使用资产的情况说明
截至本报告书签署日，芯力投资无许可使用资产的情况。
三、芯能投资、芯力投资下属企业北京豪威情况
（一）北京豪威基本情况
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||
|-|-|
|公司名称|北京豪威科技有限公司|
|公司类型|有限责任公司（中外合资）|
|住所|北京市海淀区海淀西大街29号2层201室|
|主要办公地点|北京市海淀区海淀西大街29号2层201室|
|法定代表人|吕大龙|
|注册资本|129,750万美元|
|成立日期|2015年7月15日|
|统一社会信用代码|91110108336413677B|

（二）北京豪威历史沿革
1、2015年7月设立，注册资本10万美元
2015年5月20日，北京集电及海鸥开曼共同签署《北京豪威科技有限公司中外合资经营企业合同》和《北京豪威科技有限公司公司章程》，约定共同设立北京豪威，投资总额为14万美元，注册资本为10万美元，其中北京集电出资 5万美元，占北京豪威注册资本总额的50%；海鸥开曼出资5万美元，占北京豪威注册资本总额的50%。
2015年 7月 8日，北京市海淀区商务委员会出具《关于设立北京豪威科技有限公司的批复》（海商审字[2015]571号），同意北京集电与海鸥开曼设立北京豪威；同意各投资方签署的合营公司合同；批准北京豪威投资总额、注册资本和股权结构；公司出资期限为营业执照签发之日起2年内缴清全部出资额；北京豪威经营范围为半导体技术研发、技术推广。
北京豪威设立时股东北京集电、海鸥开曼的出资情况已与北京豪威 2016年 1月第一次增资时的出资情况一并经普华永道于 2016年 11月 25日出具的《验资报告》（普华永道中天验字[2016]第 1588号）验证。根据前述验资报告，北京集电、海鸥开曼实际出资时间符合北京市海淀区商务委员会关于设立北京豪威批复要求的出资时限。
2015年 7月 9日，北京市人民政府核发《中华人民共和国外商投资企业批准证书》（商外资京字[2015]8216号）。
2015年7月15日，北京豪威取得北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》
（注册号：110000450290202）。
北京豪威设立时的股权结构如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|北京集电|50,000.00|50.00|
|2|海鸥开曼|50,000.00|50.00|
|合计||100,000.00|100.00|

2、2016年1月，增加注册资本至 110,000万美元
2015年9月25日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意北京豪威投资总额由 14万美元增加至 190,000万美元，注册资本由 10万美元增加至 110,000万美元，其中北京集电以折合 34,995万美元的人民币现金增加出资；开元朱雀以折合 40,000万美元的人民币现金出资；海鸥香港以 21,165万美元现汇出资；奥视嘉创以折合13,830万美元的人民币现金出资；同意修改公司章程。
同日，北京集电、开元朱雀、奥视嘉创、海鸥香港及海鸥开曼签署根据本次增资情况修改后的《北京豪威科技有限公司公司章程》和《北京豪威科技有限公司中外合资经营企业合同》。
2015年12月1日，北京市商务委员会核发《北京市商务委员会关于北京豪威科技有限公司增资等事项的批复》（京商务资字[2015]964号），同意北京豪威本次增资事项及各方增资金额；新增注册资本于换领营业执照后 2年内缴付；
同意本次增资后的北京豪威股权结构；同意各方于 2015年对合资合同及公司章程进行的重述。
2015年12月4日，北京市人民政府核发本次变更后的《中华人民共和国外商投资企业批准证书》（商外资京字[2015]8216号）。
2016年 1月 6日，北京豪威取得北京市工商局海淀分局核发的本次增资后的《营业执照》。
本次增资完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|开元朱雀|400,000,000.00|36.3636|
|2|北京集电|350,000,000.00|31.8182|
|3|海鸥香港|211,650,000.00|19.2409|
|4|奥视嘉创|138,300,000.00|12.5727|
|5|海鸥开曼|50,000.00|0.0045|
|合计||1,100,000,000|100.0000|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）2016年11月25日，普华永道出具《验资报告》（普华永道中天验字[2016]第 1588号）验证，截至 2016年 11月 8日，北京集电、开元朱雀、奥视嘉创、海鸥香港及海鸥开曼已足额缴纳其已认购的北京豪威注册资本，合计 11亿美元，占注册资本的100%。
3、2016年9月，股权转让
2016年8月25日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意北京集电、开元朱雀、海鸥香港以及奥视嘉创将其所持北京豪威股权转让予相关受让方；同意各方就上述股权转让事宜签署股权转让协议；同意修改公司的合资合同和章程。
同日，前述转让方、受让方与北京豪威及其原股东分别就股权转让事宜签署《股权转让协议》。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的具体情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价|每1美元出资转让价格|
|1|北京集电|嘉兴水木|75,642,965|6.8766|495,000,000元|6.54元|
|2||嘉兴豪威|75,642,965|6.8766|495,000,000元|6.54元|
|3||首誉光控|45,844,221|4.1677|300,000,000元|6.54元|
|4||清控华科|30,562,814|2.7784|200,000,000元|6.54元|
|5||惠盈一号|25,978,392|2.3617|170,000,000元|6.54元|
|6||金信华创|18,337,689|1.6671|120,000,000元|6.54元|
|7||金信华通|12,225,126|1.1114|80,000,000元|6.54元|
|8||西藏大数|9,168,844|0.8335|60,000,000元|6.54元|
|9||西藏锦祥|6,112,563|0.5557|40,000,000元|6.54元|
|10||德威资本|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|11||深圳远卓|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|12||深圳兴平|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|小计|||304,100,002|27.6454|1,990,000,000元|—|
|1|开元朱雀|珠海融锋|175,430,737|15.9482|1,148,001,201元|6.54元|
|2||芯能投资|55,000,000|5.0000|359,914,500元|6.54元|
|3||芯力投资|55,000,000|5.0000|359,914,500元|6.54元|
|4||金石暴风|26,839,155|2.4399|175,632,742元|6.54元|
|5||西藏长乐|24,681,423|2.2438|161,512,766元|6.54元|
|小计|||336,951,315|30.6319|2,204,975,709元|—|
|1|海鸥香港|创意传奇|75,000,000|6.8182|75,000,000美元|1.00美元|
|小计|||75,000,000|6.8182|75,000,000美元|—|
|1|奥视嘉创|润信豪泰|16,348,150|1.4862|107,127,494元|6.55元|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|2|泰康保险|15,000,000|1.3636|98,293,227元|6.55元|
|小计||31,348,150|2.8498|205,420,721元|—|

2016年8月25日，北京豪威股东签署公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之修改协议》。
2016年 9月 8日，北京市商务委员会核发《北京市商务委员会关于北京豪威科技有限公司股权变更等事项的批复》（京商务资字[2016]656号），同意上述股权转让事宜；同意本次股权转让后的北京豪威股权结构，同意各方对合资合同及公司章程的修订。
2016年9月13日，北京市人民政府核发本次变更后的《中华人民共和国外商投资企业批准证书》（商外资京字[2015]8216号）。
2016年9月21日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|珠海融锋|175,430,737.00|15.9482|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|12.4227|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|9.7229|
|4|嘉兴水木|75,642,965.00|6.8766|
|5|嘉兴豪威|75,642,965.00|6.8766|
|6|创意传奇|75,000,000.00|6.8182|
|7|开元朱雀|63,048,685.00|5.7317|
|8|芯能投资|55,000,000.00|5.0000|
|9|芯力投资|55,000,000.00|5.0000|
|10|北京集电|45,899,998.00|4.1727|
|11|首誉光控|45,844,221.00|4.1677|
|12|清控华科|30,562,814.00|2.7784|
|13|金石暴风|26,839,155.00|2.4399|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.3617|
|15|西藏长乐|24,681,423.00|2.2438|
|16|金信华创|18,337,689.00|1.6671|
|17|润信豪泰|16,348,150.00|1.4862|
|18|泰康保险|15,000,000.00|1.3636|
|19|金信华通|12,225,126.00|1.1114|
|20|西藏大数|9,168,844.00|0.8335|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|21|西藏锦祥|6,112,563.00|0.5557|
|22|德威资本|1,528,141.00|0.1389|
|23|深圳远卓|1,528,141.00|0.1389|
|24|深圳兴平|1,528,141.00|0.1389|
|25|海鸥开曼|50,000.00|0.0045|
|合计||1,100,000,000.00|100.0000|

4、2016年11月，股权转让及增加注册资本至129,750万美元
2016年 10月 13日，首誉光控与天元滨海及其普通合伙人北京天元海华投资管理有限公司签署《北京豪威科技有限公司股权转让协议》，约定首誉光控将其所持北京豪威45,844,221美元出资以3亿元人民币对价转让予天元滨海。
同日，珠海融锋与深圳测度签署《股权转让协议》，约定珠海融锋将其所持北京豪威22,493,773美元出资以22,493,773美元等值人民币对价转让予深圳测度。
2016年 11月 4日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意上述股权转让；
同意增资扩股，吸收新投资人加入，投资总额将从19亿美元增加至20.975亿美元，注册资本将从11亿美元增加至12.975亿美元；同意修改公司章程。
各投资者认购北京豪威新增注册资本的情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|投资者|认购的新增出资（美元）|占增资后注册资本的比例（%）|
|1|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|2|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|3|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|4|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|5|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|6|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|7|Seagull（C1-Int’l）|7,878,450.00|0.6072|
|8|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|9|Seagull（C3-Int’l）|5,465,469.00|0.4212|
|合计||197,500,000.00|15.2215|

2016年11月4日，北京豪威全体股东签署根据本次增资及股权转让情况修改后的《北京豪威科技有限公司公司章程》和《北京豪威科技有限公司中外合资经营企业合同》。
2016年 11月 22日，北京豪威就本次增资及本次股权转让在外商投资综合
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201600067）。
2016年12月29日，普华永道出具《验资报告》（普华永道中天验字[2016]第1767号），验证股东已足额缴纳本次新增注册资本。
2016年11月9日，北京豪威取得本次增资和股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
本次增资和股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|珠海融锋|152,936,964.00|11.7870|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|10.5318|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|8.2429|
|4|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|创意传奇|75,000,000.00|5.7803|
|8|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|9|芯能投资|55,000,000.00|4.2389|
|10|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|11|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|12|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|13|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|14|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|15|金石暴风|26,839,155.00|2.0685|
|16|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|17|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|18|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|19|深圳测度|22,493,773.00|1.7336|
|20|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|21|润信豪泰|16,348,150.00|1.2600|
|22|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|23|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|24|泰康保险|15,000,000.00|1.1561|
|25|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|26|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|27|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|28|Seagull（C1-Int’l）|7,878,450.00|0.6072|
|29|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|30|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|31|Seagull（C3-Int’l）|5,465,469.00|0.4212|
|32|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|33|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|34|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|35|海鸥开曼|50,000.00|0.0039|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

5、2017年9月，股权转让
2017年5月19日，金石暴风与芯能投资签署《关于北京豪威科技有限公司之股权转让协议》，约定金石暴风将其所持北京豪威 26,839,155美元出资以176,172,952.82元对价（每1美元注册资本6.56元）转让予芯能投资。
泰康保险与其全资子公司泰康人寿签署《转让协议》，约定泰康保险将其所持北京豪威15,000,000美元出资无偿转让予泰康人寿。
经中国保险监督管理委员会《关于更名设立泰康保险集团股份有限公司并进行集团化改组的批复》（保监许可[2016]816号）批准，泰康人寿保险股份有限公司进行集团化改组，于 2016年 8月 25日更名为泰康保险集团股份有限公司，并独家发起设立泰康人寿保险有限责任公司，泰康保险集团股份有限公司所属保险业务及相关资产、负债转移至泰康人寿保险有限责任公司。此次转让为集团内部因改组进行的转让，故转让价格为0。
2017年8月16日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意上述股权转让事项；同意相应修改公司章程和合营合同。
2017年 9月 8日，北京豪威全体股东签署反映本次股权转让的《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2017年 9月 9日，北京豪威全体股东签署反映本次股权转让的《公司章程修正案》。
2017年9月20日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2017年 11月 17日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201701303）。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|珠海融锋|152,936,964.00|11.7870|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|10.5318|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|8.2429|
|4|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|5|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|6|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|7|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|8|创意传奇|75,000,000.00|5.7803|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|10|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|11|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|12|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|13|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|14|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|15|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|16|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|17|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|18|深圳测度|22,493,773.00|1.7336|
|19|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|20|润信豪泰|16,348,150.00|1.2600|
|21|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|22|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|23|泰康人寿|15,000,000.00|1.1561|
|24|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|25|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|26|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|27|Seagull（C1-Int’l）|7,878,450.00|0.6072|
|28|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|29|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|30|Seagull（C3-Int’l）|5,465,469.00|0.4212|
|31|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|32|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|33|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|34|海鸥开曼|50,000.00|0.0039|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）6、2017年12月，股权转让
2017年 11月 24日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意珠海融锋、深圳测度分别将其所持北京豪威 152,936,964美元出资、22,493,773美元出资转让予青岛融通；同意相应修改公司章程和合营合同。
2017年 11月 30日，珠海融锋、深圳测度分别与青岛融通签署《关于北京豪威科技有限公司之股权转让协议》，约定珠海融锋、深圳测度分别将其所持北京豪威 152,936,964美元出资、22,493,773美元出资以 1,709,122,141元（每 1美元注册资本11.18元）、251,375,498元（每1美元注册资本11.18元）的对价转让予青岛融通。
2017年 12月 19日，北京豪威全体股东签署公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
北京豪威就本次股权转让事项与2018年4月第五次股权转让事项于2018年 5月 10日一并在外商投资综合管理信息系统办理完毕外商投资企业变更备案，备案号为京海外资备201800543。
2017年 12月 28日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|10.5318|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|8.2429|
|4|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|5|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|6|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|7|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|8|创意传奇|75,000,000.00|5.7803|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|10|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|11|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|12|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|13|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|14|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|15|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|16|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|17|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|18|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|19|润信豪泰|16,348,150.00|1.2600|
|20|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|21|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|22|泰康人寿|15,000,000.00|1.1561|
|23|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|24|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|25|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|26|Seagull（C1-Int’l）|7,878,450.00|0.6072|
|27|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|28|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|29|Seagull（C3-Int’l）|5,465,469.00|0.4212|
|30|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|31|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|32|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|33|海鸥开曼|50,000.00|0.0039|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

7、2018年4月，股权转让
2018年3月26日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意海鸥香港等股东将其所持北京豪威出资转让予绍兴韦豪等受让方；同意相应修改公司章程和《合营合同》。
各方就上述股权转让事宜已签署相关股权转让协议。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的情况具体如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价（元）|每1美元出资转让价格（元）|
|1|海鸥香港|绍兴韦豪|136,650,000|10.5318|2,284,238,921|10.79|
||创意传奇||75,000,000|5.7803|||
||海鸥开曼||50,000|0.0039|||
||润信豪泰||16,348,150|1.2600|176,396,223.51|10.79|
|2|泰康人寿|上海清恩|15,000,000|1.1561|161,849,711|10.79|
|3|奥视嘉创|上海唐芯|64,875,000|5.0000|700,000,000|10.79|
|||领智基石|25,950,000|2.0000|280,000,000|10.79|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
||上海清恩|10,560,575|0.8139|113,948,400.77|10.79|
||上海摩勤|5,566,275|0.4290|60,060,000|10.79|
|合计||350,000,000|26.975|3,776,493,256.28|—|

2018年3月30日，北京豪威全体股东已签署反映本次股权转让的公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2018年4月28日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2018年5月10日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201800543）。
根据股权转让协议约定，本次转让每1美元注册资本的转让价格为10.79元。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|绍兴韦豪|228,048,150.00|17.5760|
|2|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|3|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|4|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|上海唐芯|64,875,000.00|5.0000|
|8|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|9|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|10|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|11|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|12|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|13|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|15|领智基石|25,950,000.00|2.0000|
|16|上海清恩|25,560,575.00|1.9700|
|17|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|18|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|19|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|20|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|21|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|22|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|23|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|24|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|25|Seagull（C1-Int’l）|7,878,450.00|0.6072|
|26|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|27|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|28|上海摩勤|5,566,275.00|0.4290|
|29|Seagull（C3-Int’l）|5,465,469.00|0.4212|
|30|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|31|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|32|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

8、2018年7月，股权转让
2018年6月26日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意Seagull（B1）、Seagul（lB2）、Seagul（lC3）以及Seagul（lC3-Int’l）分别将所持北京豪威 28,256,200美元出资、15,740,100美元出资、15,142,500美元出资以及5,465,469美元出资转让予 SeagullInvestments；同意清控华科、西藏长乐分别将其所持北京豪威 30,562,814美元出资、24,681,423美元出资转让予元禾华创；同意相应修改公司章程和《合营合同》。
2018年6月27日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意Seagull（A1）、Seagull（C1-Int’l）以及Seagull（C1）分别将其所持北京豪威 17,962,400美元出资（占注册资本的1.3844%）、4,240,450美元出资以及 3,154,000美元出资转让予香港韦尔；同意相应修改公司章程和《合营合同》。
各方就上述股权转让事宜已签署股权转让协议。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的情况具体如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价|每1美元出资转让价格|
|1|Seagull（B1）|SeagullInvestments|28,256,200|2.1777|41,285,133.82美元|1.46美元|
|2|Seagull（B2）||15,740,100|1.2131|22,997,860.11美元|1.46美元|
|3|Seagull（C3）||15,142,500|1.1671|22,124,706.75美元|1.46美元|
|4|Seagull（C3-Int’l）||5,465,469|0.4212|7,985,596.76美元|1.46美元|
|小计|||64,604,269|4.9791|94,393,297.44美元|—|
|5|清控华科|元禾华创|30,562,814|2.3555|329,772,174元|10.79元|
|6|西藏长乐||24,681,423|1.9022|266,312,079元|10.79元|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|小计|||55,244,237|4.2577|596,084,253元|—|
|7|Seagull（A1）|香港韦尔|17,962,400|1.3844|28,843,437.74美元|1.61美元|
|8|Seagull（C1-Int’l）||4,240,450|0.3268|6,195,721.50美元|1.46美元|
|9|Seagull（C1）||3,154,000|0.2431|4,608,309.40美元|1.46美元|
|小计|||25,356,850|1.9543|39,647,468.64美元|—|

2018年6月28日，北京豪威全体股东签署公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2018年7月20日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2018年 8月 2日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201801011）。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|绍兴韦豪|228,048,150.00|17.5760|
|2|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|3|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|4|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|上海唐芯|64,875,000.00|5.0000|
|8|Seagull Investments|64,604,269.00|4.9791|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|10|元禾华创|55,244,237.00|4.2577|
|11|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|12|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|13|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|15|领智基石|25,950,000.00|2.0000|
|16|上海清恩|25,560,575.00|1.9700|
|17|香港韦尔|25,356,850.00|1.9543|
|18|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|19|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|20|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|21|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|22|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|23|上海摩勤|5,566,275.00|0.4290|
|24|Seagull（A1）|5,198,500.00|0.4006|
|25|Seagull（C1-Int’l）|3,638,000.00|0.2804|
|26|Seagull（C1）|2,825,000.00|0.2177|
|27|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|28|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|29|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

9、2018年8月，股权转让
2018年 8月 6日，上海清恩与韦尔股份签署《股权转让协议》，约定上海清恩将其所持北京豪威 25,560,575美元出资以 277,768,098元（每 1美元注册资本的转让价格为10.87元）的价格转让予韦尔股份。
2018年 8月 7日，北京豪威董事会作出决议，同意上海清恩将其所持北京豪威25,560,575美元出资转让予韦尔股份；同意相应修改《公司章程》和《合营合同》。
2018年8月21日，北京豪威全体股东签署反映本次股权转让事项的《公司章程修正案》和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2018年9月25日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2018年 10月 17日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201801304）。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|绍兴韦豪|228,048,150.00|17.5760|
|2|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|3|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|4|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|上海唐芯|64,875,000.00|5.0000|
|8|Seagull Investments|64,604,269.00|4.9791|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|10|元禾华创|55,244,237.00|4.2577|
|11|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|12|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|13|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|15|领智基石|25,950,000.00|2.0000|
|16|韦尔股份|25,560,575.00|1.9700|
|17|香港韦尔|25,356,850.00|1.9543|
|18|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|19|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|20|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|21|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|22|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|23|上海摩勤|5,566,275.00|0.4290|
|24|Seagull（A1）|5,198,500.00|0.4006|
|25|Seagull（C1-Int’l）|3,638,000.00|0.2804|
|26|Seagull（C1）|2,825,000.00|0.2177|
|27|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|28|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|29|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

（三）北京豪威股权结构及控制关系情况
截至本报告书签署之日，北京豪威股权结构图如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）注①：2018年11月28日，云交所确认韦尔股份为挂牌转让资产芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的受让方。2018年11月28日，交易各方签署了产权交易合同，截至本报告书签署日，尚未办理工商变更登记手续。
截至本报告书签署日，虞仁荣控制的韦尔股份、香港韦尔以及绍兴韦豪合计持有北京豪威21.50%股权，为控制北京豪威股权最多的主体。北京豪威作为中外合资企业，其权力机构为董事会，由9名董事组成。
2018年 4月，虞仁荣控制的绍兴韦豪和上海清恩受让北京豪威股权后，绍兴韦豪和上海清恩即各有权委派一名董事。虞仁荣同时还与享有董事委派权的Seagull（A3）、Seagull（C3）、北京集电分别签订协议，约定Seagull（A3）、Seagull（C3）向北京豪威委派的董事人选要经过虞仁荣同意，北京集电有权委派的两名董事中的一名董事人选要经过虞仁荣同意。
2018年7月，Seagul（lC3）将持有的北京豪威股权转让给 Seagull Investments后，Seagull（C3）向北京豪威委派董事的权力由 Seagull Investments承继，虞仁荣与Seagull Investments签订协议，约定Seagull Investments向北京豪威委派的董事人选要经过虞仁荣同意。
2018年 9月，上海清恩将持有的北京豪威股权转让给韦尔股份后，上海清恩委派董事的权力由韦尔股份承继。
综上，虞仁荣能够控制北京豪威董事会9名成员中5名董事人选的产生。因此，虞仁荣为北京豪威的实际控制人。
（四）北京豪威主要下属公司情况
1、下属子公司基本情况
截至2018年7月31日，北京豪威主要下属公司合计25家，具体如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（1）北京豪威亦庄科技有限公司
|||
|-|-|
|公司全称|北京豪威亦庄科技有限公司|
|公司类型|有限责任公司（法人独资）|
|成立日期|2018年5月14日|
|注册资本|10万元|
|法定代表人|虞仁荣|
|注册地址|北京市北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼5层501-1室|
|统一社会信用代码|91110302MA01C4776U|
|主营业务|技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务;软件开发;集成电路设计;销售计算机、软件及辅助设备、通讯设备、机械设备、电子产品;货物进出口;技术进出口;代理进出口;企业管理咨询。（企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|
|股权结构|北京豪威科技有限公司持有100%股权|

（2）Seagull Investment Holdings Limited.
|||
|-|-|
|公司全称|Seagull Investment Holdings Limited|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2015年4月24日|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||
|-|-|
|已发行股本|62,893,082股普通股（每股面值1美元）|
|注册地址|Willow House, Cricket Square, PO Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|IT-299011|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|北京豪威持有100%股权|

（3）Seagull International Limited.
|||
|-|-|
|公司全称|Seagull International Limited|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2015年4月24日|
|已发行股本|101股普通股（每股面值1美元）|
|注册地址|Willow House, Cricket Square, PO Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|IT-299012|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|Seagull Investment Holdings Limited持有100%股权|

（4）OmniVision Technologies,Inc.（美国豪威）
|||
|-|-|
|公司全称|OmniVision Technologies, Inc.|
|公司类型|注册于美国特拉华州的有限公司|
|成立日期|1995年5月8日（2000年3月27日在美国特拉华州重新注册）|
|已发行股本|100股普通股（每股面值1美元）|
|注册地址|1209 Orange Street, Wilmington, New Castle County, Delaware 19801|
|注册号|3183597|
|主营业务|图像传感芯片的研发、制造、销售等|
|股权结构|Seagull International Ltd.持有100%股权|

美国豪威成立于 1995年 5月 8日，注册号为3183597，注册地址为 1209 Orange Street, Wilmington, New Castle County, Delaware19801，公司类型为私人有限公司，授权股本总额为 100美元，已发行股本为 1美元，主营业务为设计、生产及销售高性能、高集成及高性价比半导体图像传感器设备。
美国豪威系北京豪威的主要经营实体，其原系美国纳斯达克上市公司，2016年被中资财团完成私有化收购后，从纳斯达克退市。美国豪威主要历史股权演变如下：
①1995年5月，设立
1995年 5月 8日，美国豪威成立于美国加利福尼亚州，并向四名创始股东
（Shaw Hong, Raymond Wu, Tai-Ching Shyu和 DatongChen）发行1,200,000股普
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）通股。
②2000年7月，首次公开发行并在纳斯达克上市
2000年3月6日，注册在加利福尼亚州的美国豪威（以下简称“加州美国豪威”）与 2000年 2月 28日在特拉华州新成立的美国豪威签署合并协议及计划，约定加州美国豪威主体并入在特拉华州新成立的美国豪威主体，并且不再作为独立主体存续，特拉华州的美国豪威作为合并后存续的主体同意继承并持有美国豪威的全部资产、权利和债务。2000年3月27日，美国豪威向特拉华州政府部门提交了合并协议及计划，并于当日重新作为特拉华州公司进行注册。
2000年3月1日，美国豪威的董事会批准了普通股公开发行计划，并在 2000年3月8日向美国证监会递交上市注册文件。
2000年7月13日，美国豪威首次公开发行500万股普通股。
2000年7月14日，美国豪威的股票在纳斯达克上市，上市代码为“OVTI”。
③私有化
美国豪威私有化示意图如下：
A.私有化发起人发出私有化要约
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）根据美国豪威 2014年 8月 14日在美国证监会网站的公告，2014年 8月 12日，美国豪威收到来自北京清芯华创投资管理有限公司的有关收购美国豪威股份的非约束性报价函。发出要约后，私有化财团部分成员进行了调整，新组成的私有化财团成员重新签署了相关财团协议。
B.私有化发起人搭建私有化实施主体
2015年4月23日，Seagull AcquisitionCorporation（“AcquisitionSub”）成立。
2015年4月24日，Seagull International Limited和Seagull Investment Holdings Limited成立。具体结构如下：
C.签署财团协议
2015年4月30日，北京清芯华创投资管理有限公司（Hua Capital Management Co.,Ltd.）、中信资本MB（CITIC Capital MB InvestmentLimited）和金石 NC（NEPTUNE CONNECTIONLIMITED）签署了《财团协议》（CONSORTIUMAGREEMENT），约定私有化财团拟通过在境内设立的一家投资实体（即“北京豪威”）用于在未来适当时机收购中信资本持有的 Seagull Investment Holdings Limited的全部股权。
D.取得私有化贷款承诺
2015年4月30日，中国银行澳门分行和招商银行纽约分行组成的借款银团向Seagull International Limited出具贷款承诺函（Debt CommitmentLetter），借款银团将向Seagull International Limited提供美国豪威私有化借款8亿美元。
E.合并协议签署
2015年 4月 30日，美国豪威、Seagull International Limited和 Seagull Acquisition Corporation签署了《合并协议》（Agreement and Plan ofMerger）。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）根据《合并协议》，美国豪威股东所持的股票将以每股29.75美元现金的价格（该对价应根据协议签订之后生效之前美国豪威的权益分派事项作相应调整）被收购注销，具体合并过程将由 Seagull Acquisition Corporation与美国豪威之间通过反三角合并方式完成。合并完成后，Acquisition Sub被注销，美国豪威成为 Seagull International Limited的子公司。
F.私有化实施
2015年4月29日，美国豪威董事会批准了私有化合并相关事项。2015年7月23日，美国豪威召开特别股东大会，审议通过了《合并协议》及相关议案。
2016年1月21日，中信资本向北京豪威转让了其所持有的Seagull Investment Holdings Limited100%股权。2016年 1月 28日，特拉华州政府出具证明， Acquisition Sub被美国豪威吸收合并，完成注销，美国豪威作为合并后的存续主体取得了重述的注册证书。
2016年1月28日， Seagull Investment HoldingsLimited、 Seagull International Limited与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署了《信贷和担保合同》（Credit and Guaranteeagreement），借款银团共向 Seagull International Limited提供借款8亿美元。
2016年1月28日，美国豪威的普通股暂停在纳斯达克交易，并且美国豪威向美国证监会报备Form25，申请终止美国豪威作为纳斯达克上市公司向 SEC提交报告的义务。2016年2月8日，美国豪威向 SEC报备Form 15及《登记终止通知》（Notice of TerminationofRegistration），美国豪威退市。
私有化完成后，Seagull International Limited持有美国豪威100%股权，截至目前未发生过变化。
④私有化的有关政府审批
2014年9月30日，发改委出具了关于华创投资等联合收购美国豪威全部股权的《境外收购或竞标项目信息报告确认函》（发改外资境外确字[2014102号]），并于 2015年 4月 7日出具了延长有效期的《关于延长北京清芯华创投资管理有限公司等联合收购美国 OmniVison Technologies,Inc.全部股权项目信息报告确认函有效期的复函》（发改外资境外确字[2015]108号）。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）2015年5月26日，美国联邦贸易委员会和司法部根据经修订的《1976年哈特-斯科特-罗迪诺反垄断改进法》（“HSR”）签发有关通知，批准提前终止 HSR项下的等待期。
2015年9月30日，商务部反垄断局向中信资本控股有限公司、金石投资有限公司和北京清芯华创投资管理有限公司签发《不实施进一步审查通知》（商反垄初审函[2015]第246号），对收购美国豪威的交易不实施进一步的审查。
2015年 10月 5日，美国豪威收到美国外国投资委员会（“CFIUS”）通知，说明CFIUS已经完成审查且确认 Seagull Investment收购美国豪威的交易不存在未决的国家安全问题。
2015年 10月 26日，台湾经济部投资审议委员会发函（经授审字第10420717620号，针对陆00768号申请），批准台湾豪威光电科技股份有限公司申请上层股权变动，投资人身份由外国投资人变为陆资投资人。
2015年 10月 27日，台湾经济部投资审议委员会发函（经授审字第 10420717660号，针对陆00769、陆 00770号申请），批准台湾豪威国际科技股份有限公司和台湾豪威科技有限公司申请上层股权变动，投资人身份由外国投资人变为陆资投资人。
2015年 12月 23日，北京市商务委员会出具《企业境外投资证书》（境外投资证第 N1100201501446号），批准北京豪威收购美国豪威的100%股权，其中投资的第一层境外企业为 Seagull Investment HoldingsLimited，本项目投资总额19亿美元，中方投资额为19亿美元，其中 11亿美元由中方以现金出资。
2015年 12月 22日，国家外汇管理局北京外汇管理部（通过其授权银行招商银行股份有限公司北京大运村支行）向北京豪威出具了业务类型为 ODI中方股东对外义务出资的业务登记凭证（业务编号35110000201512244193）。
2015年 12月 29日，国家发改委出具了《项目备案通知书》（发改办外资备[2015]476号），同意对于北京豪威通过其境外全资子公司收购美国豪威全部股权项目予以备案，本项目投资总额19亿美元，中方投资额为19亿美元，其中 11亿美元由北京豪威股东增资后以自有资金对外出资，其余 8亿美元由北京豪威境外子公司申请境外贷款解决。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（5）OmniVision CDM Optics, Inc.
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|公司全称|OmniVision CDM Optics, Inc.|
|公司类型|注册于美国特拉华州的有限公司|
|成立日期|2003年1月31日|
|已发行股本|1,000股普通股（每股面值0.001美元）|
|注册地址|2711 Centerville Road, Suite 400, Wilmington, Delaware|
|注册号|3620731|
|主营业务|仅作为持有部分不可转让的证书的主体，无实际业务|
|股权结构|OmniVision Technologies, Inc.持有100%股权|

（6）OmniVision International Holding Ltd.
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|公司全称|OmniVision International Holding Ltd.|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2000年11月10日|
|已发行股本|100,000股普通股（每股面值0.01美元）|
|注册地址|Willow House, Cricket Square, PO Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|CR-105680|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision Technologies, Inc.持有100%股权|

（7）OmniVision TechnologiesDevelopmen（t HongKong）Company Limited
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|公司全称|OmniVision Technologies Development （Hong Kong） CompanyLimited|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2018年4月12日|
|已发行股本|66,666,668.67美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen’s Road Central,Hong Kong|
|注册号|2679630|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|Seagull Investment Holdings Limited 持有 60%的股权，OmniVisionInternational Holding Ltd. 持有40%的股权。|

（8）OmniVision Technology International Ltd.
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|公司全称|OmniVision Technology International Ltd.|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2000年11月10日|
|已发行股本|4,000,000股普通股（每股面值0.001美元）|
|注册地址|Willow House, Cricket Square, P.O. Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|CR-105679|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（9）上海全览半导体技术有限公司
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|公司全称|上海全览半导体技术有限公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2008年10月17日|
|注册资本|1,350万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|上海市松江区茸华路211号一幢三楼|
|统一社会信用代码|9131000067935869XK|
|主营业务|从事半导体集成电路的研究开发、生产制造、封装装配、加工测试及相关服务,从事半导体集成电路的商业性检测和加工,销售自产产品,提供相关的技术服务,并提供仓储及相关配套服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Technology International Ltd.持有100%股权|

（10）豪威半导体（上海）有限责任公司
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|公司全称|豪威半导体（上海）有限责任公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2001年1月19日|
|注册资本|3,000万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|上海市松江区茸华路211号|
|统一社会信用代码|91310000607426059H|
|主营业务|研究开发、生产CMOS图像传感器、图像感应集成芯片及相关零部件和模具,硅基液晶产品及相关零部件,销售公司自产产品,并提供上述产品的商业性检测、仓储服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Technology International Ltd.持有100%股权|

（11）OmniVision Holding（HongKong） Company Limited
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|公司全称|OmniVision Holding （Hong Kong） Company Limited|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2007年5月3日|
|已发行股本|24,760,500美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen’s Road Central,Hong Kong|
|注册号|1129156|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（12）豪威科技（上海）有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|公司全称|豪威科技（上海）有限公司|
|公司类型|有限责任公司（台港澳法人独资）|
|成立日期|2002年3月8日|
|注册资本|2,700万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|上海市张江高科技园区上科路88号|
|统一社会信用代码|91310115736232146T|
|主营业务|影像传感器和相关的集成电路的设计、开发;计算机软件的设计、开发、制作;销售自产产品,并提供相关的技术咨询、技术服务;微创医用影像技术,汽车导航技术的研发及相关技术服务;在上科路 88 号内从事自有生产用房出租。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Holding （Hong Kong） Company Limited持有100%股权|

（13）OmniVision Optoelectronics Company Limited
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|公司全称|OmniVision Optoelectronics Company Limited|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2011年4月11日|
|已发行股本|10,000,000美元|
|经营地址|Willow House, Cricket Square,P.O.Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|CD-254892|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Limited持有100%股权|

（14）豪威光电子科技（上海）有限公司
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|公司全称|豪威光电子科技（上海）有限公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2011年4月22日|
|注册资本|3,250万美元|
|法定代表人|吴志辉|
|注册地址|上海市松江区茸华路211号1幢2层|
|统一社会信用代码|913100005726784231|
|主营业务|硅基液晶产品、图像感应集成芯片、影像传感器集成电路的设计、开发、生产及加工测试,销售自产产品,并提供相关的技术服务、仓储及售后其他配套服务。（依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Optoelectronics Company Ltd.持有100%股权|

（15）台湾豪威光电科技股份有限公司
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|公司全称|台湾豪威光电科技股份有限公司|
|公司类型|注册于台湾的股份有限公司|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|成立日期|2011年7月14日|
|资本总额|新台币1,000,000,000元|
|实收资本额|新台币500,000元|
|注册地址|台北市内湖区瑞光路258巷2号10楼之1|
|公司统一编号|28113151|
|主营业务|产品设计业，研究发展服务业，精密仪器批发业，资讯软体批发业，电子材料批发业|
|股权结构|OmniVision Optoelectronics Company Limited持有100%股权|

（16）豪威科技（武汉）有限公司
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|公司全称|豪威科技（武汉）有限公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2013年7月18日|
|注册资本|350万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|武汉东湖新技术开发区光谷大道 77 号金融港后台服务中心一期 A1栋18楼A区|
|统一社会信用代码|9142010007053098XK|
|主营业务|计算机软件开发;系统及应用程序开发;计算机相关技术开发及许可;半导体集成电路制造技术支持和技术服务;半导体集成电路设计;相关技术产品销售和技术咨询、技术服务及其他配套服务。（上述经营范围中国家有专项规定的项目经审批后或凭许可证在核定期限内经营）|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（17）OmniVision InvestmentHolding（BVI）Ltd.
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|公司全称|OmniVision Investment Holding（BVI）Ltd.|
|公司类型|注册于英属维尔京群岛的有限公司|
|成立日期|2008年5月20日|
|注册地址|P.O.Box 71, Craigmuir Chambers Road Town, Tortola, British VirginIslands|
|注册号|1482731|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（18）台湾豪威科技有限公司
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|公司全称|台湾豪威科技有限公司|
|公司类型|注册于台湾的有限公司|
|成立日期|2007年1月23日|
|资本总额|新台币29,500,000元|
|注册地址|台北市新竹市公道五路二段101号12楼之1|
|公司统一编号|28566098|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|主营业务|产品设计业，研究发展服务业，精密仪器批发业，资讯软体批发业，电子材料批发业|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（19）台湾豪威国际科技有限公司
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|公司全称|台湾豪威国际科技有限公司|
|公司类型|注册于台湾的有限公司|
|成立日期|2007年8月8日|
|资本总额|新台币500,000元|
|注册地址|台北市内湖区瑞光路258巷2号10楼之1|
|公司统一编号|28700692|
|主营业务|产品设计业，研究发展服务业，精密仪器批发业，资讯软体批发业，电子材料批发业|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（20）OmniVision Technologies（HongKong） Company Limited
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|公司全称|OmniVision Technologies （Hong Kong） Company Limited.|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2003年4月9日|
|已发行股本|100,000美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen’s Road Central,Hong Kong|
|注册号|0845181|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（21）OmniVision Trading（HongKong） Company Ltd.
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|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2003年10月13日|
|已发行股本|100,000美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen’s Road Central,Hong Kong|
|注册号|0865806|
|主营业务|销售支持|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（22）OmniVision Technologies Norway AS
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|公司全称|OmniVision Technologies Norway AS|
|公司类型|注册于挪威的私人有限责任公司|
|成立日期|2011年10月24日|
|已发行股本|10.00万挪威克朗|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|注册地址|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|
|注册号|997523695|
|主营业务|研发|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（23）OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.
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|公司全称|OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.|
|公司类型|注册于新加坡的有限公司|
|成立日期|2012年3月30日|
|已发行股本|500,000股（每股1美元）|
|注册地址|3A International Business Park,#06-07 ICON@IBP,Singapore 609935|
|注册号|201207875E|
|主营业务|提供海外销售渠道|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（24）OmniVision Technologies Japan G.K.
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|公司全称|OmniVision Technologies Japan G.K.|
|公司类型|注册于日本的私人公司|
|成立日期|2016年7月13日|
|已发行股本|1,000.00万日元|
|注册地址|18F Attend on Tower, 2-8-12 Shin-Yokohama, Kohoku-ku,Yokohama-shi Kanagawa|
|注册号|0200-03-011575|
|主营业务|研发|
|股权结构|OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.持有100%股权|

（25）OmniVision Semiconductor Technologies Marketing India Private Limited
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|公司全称|OmniVision Semiconductor Technologies Marketing India PrivateLimited|
|公司类型|注册于印度的私人有限公司|
|成立日期|2011年9月28日|
|已发行股本|170.00万INR|
|注册地址|Global Technology Park, Block C, Marathahalli Outer, Ring Road,Devarabeesanahalli Village, Bellandur, Bengaluru-560103, Karnataka,India|
|注册号|U73100KA2011PTC060620|
|主营业务|销售支持|
|股权结构|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited持有100%股权|

2、主要下属分公司/分支机构基本情况
截至本报告书签署日，北京豪威主要境内下属分公司合计3家、境外分支机
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）构4家，具体情况如下：
（1）豪威科技（上海）有限公司北京分公司
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|公司全称|豪威科技（上海）有限公司北京分公司|
|公司类型|分公司|
|成立日期|2006年7月6日|
|公司所在地|北京市朝阳区朝阳门外大街18号9层912单元|
|统一社会信用代码|91110105790651368B|
|主营业务|从事总公司经营范围内的业务咨询及联络服务。（依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。）|

（2）豪威科技（上海）有限公司西安分公司
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|公司全称|豪威科技（上海）有限公司西安分公司|
|公司类型|外商投资企业分公司|
|成立日期|2017年1月14日|
|公司所在地|西安市雁塔区太白南路39号金石柏朗第1幢1单元27层12703号|
|统一社会信用代码|91610113MA6U195FXC|
|主营业务|一般经营项目：影像传感器和相关的集成电路的设计、开发;计算机软件的设计、开发、制作;销售自产产品,并提供相关的技术咨询、技术服务;微创医用影像技术,汽车导航技术的研发及相关技术服务。|

（3）豪威科技（上海）有限公司深圳分公司
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|公司全称|豪威科技（上海）有限公司深圳分公司|
|公司类型|港、澳、台投资独资企业分支机构|
|成立日期|2008年6月20日|
|公司所在地|深圳市南山区粤海街道科技园南区高新南七道1号粤美特大厦2401单元|
|统一社会信用代码|91440300676652789N|
|主营业务|影像传感器和相关集成电路及其相关产品的设计开发;销售自产产品,并提供相关的技术咨询、技术服务;微创医用影像技术、汽车导航技术的研发及相关技术服务。（以上不含限制项目）|

（4）OmniVision Trading（HongKong） UK Branch
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|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） UK Branch|
|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2006年1月26日|
|经营地址|Centaur House, Ancells Road, Fleet, Hampshire GU51 2UJ, UnitedKingdom|
|注册号|BR7429|
|主营业务|销售支持|

（5）OmniVision Trading（HongKong） Korea Branch
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|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） Korea Branch|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2004年2月16日|
|经营地址|2F 53, Seochojungang-ro, Seocho-gu, Seoul, Korea 137-953|
|注册号|110181-0037925|
|主营业务|销售支持|

（6）OmniVision Trading（HongKong） Japan Branch
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|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） Japan Branch|
|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2004年2月23日|
|经营地址|18F Attend on Tower Building 2-8-12 Shin-Yokohama, Kohoku-ku,Yokohama-shi Kanagawa, 222-0033 Japan|
|注册号|0200-03-006994.|
|主营业务|营销服务、促销服务、半导体维护服务|

（7）OmniVision Trading（HongKong） German Permanent Establishment
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|公司全称|OmniVision Trading （ Hong Kong ） German permanentestablishment|
|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2007年1月15日|
|经营地址|Isartalstr. 44A, 80469 Munich, Germany|
|注册号|143/250/62577|
|主营业务|销售支持|

（五）北京豪威主要资产的权属状况、对外担保情况及主要负债、或有负债情况
1、主要资产情况
北京豪威的主要资产为间接持有的美国豪威100%股权。截至 2018年 7月31日，北京豪威合并报表总资产 1,410,695.47万元，其中流动资产573,547.69万元，非流动资产837,147.78万元。主要资产情况如下：
（1）固定资产
北京豪威合并范围内固定资产主要由美国豪威及下属企业持有，主要包括土地、房屋及建筑物、机器设备、办公设备及其他等，截至2018年7月31日，账面主要固定资产如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|
|序号|资产名称|原值|账面价值|成新率（%）|
|1|拥有所有权的土地|23,619.17|23,619.17|-|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|
|2|房屋及建筑物|62,874.56|59,282.74|94.29|
|3|运输工具|115.71|72.21|62.41|
|4|计算机及电子设备|3,173.19|1,549.60|48.83|
|5|机器设备|36,720.64|15,089.80|41.09|
|6|办公设备|1,098.80|252.34|22.96|
|合计||127,602.08|99,865.87|78.26|

（2）房屋所有权及使用权
①已取得房屋所有权证的房产
截至2018年7月31日，北京豪威子公司已取得所有权证的房屋情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|产权证号|地址|面积|用途|他项权利|
|1|美国豪威|Grant Deed No19351305|4275-4295Burton DriveSanta Clara, CA.|207,000ft2|商业|抵押|
|2|美国豪威||2240/2250, 2270Agnew Road,Santa Clara, CA||商业|抵押|
|3|豪威科技（上海）|沪房地浦字（2012）第008927|上科路88号|51,641.01m2|工业|—|

②租赁房产
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司、分公司正在履行的房屋租赁合同共涉及28处，具体情况详见本报告书附件一。
（3）土地所有权及使用权
截至2018年7月31日，北京豪威子公司已取得的土地所有权及使用权情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|所有权人|权证号|房地坐落|土地使用权面积|使用期限|用途|他项权利|
|1|上海全览半导体技术有限公司|沪房地松字（2011）第028907号|松江工业区松开III-89号地块|10,514.6m2|2011.8.19-2061.8.18|工业|—|
|2|豪威科技（上海）|沪房地浦字（2012）第008927号|上科路88号|29,965.0m2|2006.12.31-2056.12.30|工业|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|
|3|美国豪威|Grant DeedNo.19351305|2240, 2250, 2270Agnew Road,Santa Clara, CA,USA、4275-4295Burton DriveSanta Clara, CA，USA|约10英亩|—|商业|抵押|

（4）不动产权
截至2018年7月31日，北京豪威子公司已取得的不动产权情况如下：
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|-|-|-|-|
|不动产权证书编号|权利人|权利类型|坐落|
|沪（2016）松字不动产权第010656号|豪威半导体|国有建设用地使用权/房屋所有权|松江区茸华路211号|
|权利性质|面积|使用期限|用途|
|土地权利性质：出让|宗地面积：41,564.00㎡；建筑面积：39,596.79㎡|国有建设用地使用权使用期限：2001-03-06至2051-03-05|土地用途：出让；房屋用途：厂房|

（5）商标
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司拥有的现行有有效的注册商标共计74项。其中，在中国境内注册的商标共27项，在境外注册的商标共47项，具体情况如下：
①国内注册的商标
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|序号|权利人|商标标识|核定使用类别|注册号|有效期|
|1|美国豪威||9类|1594357|2021.6.27|
|2|美国豪威||9类|G910267|2026.12.19|
|3|美国豪威||9类|G1038931|2020.5.5|
|4|美国豪威||9类|6482947|2020.8.27|
|5|美国豪威||9类|G1222359|2024.7.7|
|6|美国豪威||9类|13469502|2025.2.6|
|7|美国豪威||9类|G1249991|2025.4.3|
|8|美国豪威||9类|13469519A|2025.5.27|
|9|美国豪威||9类|13528542A|2025.6.6|
|10|美国豪威||9类|13469574A|2025.8.13|
|11|美国豪威||38类|16167147|2026.4.6|
|12|美国豪威||9类|13469574|2026.5.27|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|商标标识|核定使用类别|注册号|有效期|
|13|豪威科技（上海）||9类|10634204|2023.5.13|
|14|豪威科技（上海）||9类|10639384|2023.6.20|
|15|豪威科技（上海）||9类|12063804|2024.7.6|
|16|豪威科技（上海）||38类|12063859|2024.7.6|
|17|豪威科技（上海）||42类|12063896|2024.7.6|
|18|豪威国际控股||9类|5247891|2019.4.20|
|19|豪威国际控股||9类|5247887|2019.4.20|
|20|豪威国际控股||9类|5247890|2019.4.20|
|21|豪威国际控股||9类|5247886|2019.4.20|
|22|豪威国际控股||9类|5247889|2019.4.20|
|23|豪威国际控股||42类|5247894|2019.7.13|
|24|豪威国际控股||42类|5247901|2019.7.13|
|25|豪威国际控股||42类|5247895|2019.7.13|
|26|豪威国际控股||42类|5247893|2019.7.13|
|27|豪威国际控股||9类|5247888|2020.5.27|

②国外注册商标
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|序号|权利人|商标标识|注册国家|核定使用类别|注册号|有效期|
|1|美国豪威|OMNIVISION|美国|9类|2429766|2021.2.20|
|2|美国豪威|OMNIPIXEL|美国|9类|3118183|2026.7.18|
|3|美国豪威|OMNIVISION|美国|9类|3229932|2027.4.17|
|4|美国豪威||美国|9类|3772351|2020.4.6|
|5|美国豪威|VIV|美国|9类|4534434|2020.5.20|
|6|美国豪威|PURECEL|美国|9类|4668562|2021.1.6|
|7|美国豪威|OVCHAT|美国|9类|4679718|2021.1.27|
|8|美国豪威|OVCHATand Logo|美国|9类|4679719|2021.1.27|
|9|美国豪威|OMNIHDR|美国|9类|4814239|2021.9.15|
|10|美国豪威|OMNI-ISP|美国|9类|4933381|2022.4.5|
|11|美国豪威|OMNIVISION|加拿大|9类|TMA765731|2020.5.4|
|12|美国豪威||加拿大|9类|TMA765736|2020.5.4|
|13|美国豪威||加拿大|9类|TMA832499|2022.9.20|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号|权利人|商标标识|注册国家|核定使用类别|注册号|有效期|
|14|美国豪威|OMNIVISION andDesign|欧盟|9类|1717669|2020.6.8|
|15|美国豪威|OMNIVISION|欧盟|9类|1669860|2020.5.16|
|16|美国豪威|OMNIVISION|欧盟|9类|910267|2026.12.19|
|17|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|欧盟|9类|1038931|2020.5.5|
|18|美国豪威|OMNIHDR|欧盟|9类|1222359|2024.7.7|
|19|美国豪威|PURECEL|欧盟|9类|1224275|2024.7.30|
|20|美国豪威|OMNIVISION|印度|9类|1520894|2026.12.29|
|21|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|印度|9类|1962318|2020.5.7|
|22|美国豪威|VIV|印度|9类|1170965（2626473）|2023.7.17|
|23|美国豪威|OVCHAT|印度|9类|2616024|2023.10.22|
|24|美国豪威||印度|9类|2616025|2023.10.22|
|25|美国豪威|OMNIVISION|以色列|9类|196334|2026.12.21|
|26|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|以色列|9类|229633|2020.5.9|
|27|美国豪威|OMNI-ISP|以色列|9类|275206|2025.4.3|
|28|美国豪威|OMNIVISION|日本|9类|4533703|2022.1.11|
|29|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|日本|9类|1038931|2020.5.5|
|30|美国豪威|OMNIHDR|日本|9类|1222359|2024.7.7|
|31|美国豪威|PURECEL|日本|9类|1224275|2024.7.30|
|32|美国豪威|OMNIVISION|韩国|9类|910267|2026.12.19|
|33|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|韩国|9类|1038931|2020.5.5|
|34|美国豪威|OMNIVISION|马来西亚|9类|06023761|2026.6.29|
|35|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|马来西亚|9类|2010008383|2020.5.12|
|36|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|墨西哥|9类|1207757|2021.3.22|
|37|美国豪威|OMNIVISION|新西兰|9类|761234|2026.6.29|
|38|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|新西兰|9类|823843|2020.5.7|
|39|美国豪威|OMNIVISION|菲律宾|9类|4-2010-005166|2021.2.24|
|40|美国豪威|OMNIVISION|新加坡|9类|T0702349C(IR 910267)|2026.12.19|
|41|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|新加坡|9类|T1007072C(IR 1038931)|2020.5.5|
|42|美国豪威|OMNIVISION|台湾|9类|00965413|2021.10.15|
|43|美国豪威|OMNIVISION|台湾|9类|1285227|2027.10.31|
|44|美国豪威|OMNIPIXEL2|台湾|9类|1255923|2027.3.31|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号|权利人|商标标识|注册国家|核定使用类别|注册号|有效期|
|45|美国豪威|CAMERACUBE|台湾|9类|1426810|2020.8.31|
|46|美国豪威|OMNIVISION andDesign (NewLogo)|台湾|9类|1448820|2021.1.15|
|47|美国豪威|OMNIVISION|泰国|9类|Kor.284432|2026.12.25|

（6）专利
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司总计拥有专利权3,379项，具体情况详见本报告书附件二。
（7）集成电路布图设计
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司拥有的集成电路布图设计证书共计9项，具体情况如下：
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|序号|权利人|布图设计登记号|布图设计名称|登记证书号|申请日|布图设计颁证日|
|1|豪威科技（上海）|BS.12500252.1|OVC3860|第5800号|2012.2.1|2012.4.9|
|2|豪威科技（上海）|BS.12500253.X|OVC3660|第5801号|2012.2.1|2012.4.9|
|3|豪威科技（上海）|BS.13501011.X|OV490_MIPI_Rx|第8192号|2013.8.19|2013.9.26|
|4|豪威科技（上海）|BS.13501005.5|OV490_MIPI_TX|第8186号|2013.8.19|2013.9.26|
|5|豪威科技（上海）|BS.13501006.3|OV640_MIPI_Rx|第8187号|2013.8.19|2013.9.26|
|6|豪威科技（上海）|BS.13501007.1|OV660_MIPI_Rx|第8188号|2013.8.19|2013.9.26|
|7|豪威科技（上海）|BS.13501008.X|OV660_MIPI_Tx|第8189号|2013.8.19|2013.9.26|
|8|豪威科技（上海）|BS.13501009.8|OV640_MIPI_Tx|第8190号|2013.8.19|2013.9.26|
|9|豪威科技（上海）|BS.13501010.1|OV580_MIPI|第8191号|2013.8.19|2013.9.26|

注：根据《集成电路布图设计保护条例》第十二条规定，布图设计专有权的保护期为10年，自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算，以较前日期为准。但是，无论是否登记或者投入商业利用，布图设计自创作完成之日起15年后，不再受该条例保护。
2、主要负债及或有负债情况
（1）主要负债情况
截至2018年7月31日，北京豪威合并口径负债总额 453,508.64万元，其中
流动负债240,689.64万元，非流动负债212,819.00万元，具体如下表：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）单位：万元
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|-|-|
|项目|2018.7.31|
|应付账款|94,147.68|
|预收款项|9,559.73|
|应付职工薪酬|11,166.34|
|应交税费|21,962.02|
|其他应付款|39,884.26|
|一年内到期的非流动负债|61,348.50|
|其他流动负债|2,621.11|
|流动负债合计|240,689.64|
|长期借款|129,324.99|
|预计负债|77,789.15|
|递延收益|547.15|
|递延所得税负债|4,733.23|
|其他非流动负债|424.48|
|非流动负债合计|212,819.00|
|负债合计|453,508.64|

（2）预计负债情况
截至 2018年 7月 31日，北京豪威预计负债余额为 77,789.15万元，具体构成如下：
单位：万元
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|-|-|
|项目|金额|
|不确定税项|77,789.15|
|亏损合同|2,621.11|
|减：计入其他流动负债的一年内到期的亏损合同拨备|2,621.11|
|余额|77,789.15|

①不确定税项
A.美国豪威在美国联邦和加州报税过程中向美国联邦政府和加州政府申领研发税务抵扣。在研发税务抵扣的计算中，美国豪威已按照合理的方法确定各个研发项目薪资及费用，但美国联邦和加州税务机构仍然可能会对美国豪威所采取的研发项目薪资及费用的确认方式提出质疑和调整，美国豪威已经对税务优惠申领可能产生的税务风险进行了最佳估计。
B.美国豪威的子公司豪威国际控股于2006年至2009年期间在注册地之外从
事经营活动，从事经营活动所在地的当地政府有可能会质疑该公司在当地的营业
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）活动已构成常驻机构，从而要求该公司向当地政府缴纳所得税，美国豪威已经对上述可能产生的税务风险进行了最佳估计。
C.美国豪威向豪威国际控股分摊了部分管理服务费用，美国豪威对关联企业之间业务往来是否符合独立交易原则进行审核评估，并向美国联邦政府和当地政府申报了所得税。但是美国联邦和当地的税务机构仍然可能会对美国豪威的转让定价提出质疑及调整。美国豪威已经对该方面可能产生的税务风险进行了最佳估计。
D.美国豪威向豪威国际控股转让了一部分无形资产的使用权。美国豪威对被转让的无形资产的使用权进行了价格评估。豪威国际控股根据市场价格向美国豪威支付特许权使用费。但是美国联邦税务机构仍然可能会对豪威国际控股是否向美国豪威支付了足够的特许权使用费提出质疑及调整。美国豪威已经对该方面可能产生的税务风险进行了最佳估计。
E.Seagull International Limited为美国豪威提供贷款。根据双方协议，贷款本金和部分应付利息将转为美国豪威的股东权益。因此美国豪威并没有对该部分应付利息代扣代缴预提所得税。但是美国联邦税务机构仍然可能会对美国豪威是否应代扣代缴该预提所得税提出质疑及调整。美国豪威已经对该方面可能产生的税务风险进行了最佳估计。
F.根据美国豪威重组整体计划，一旦获得新加坡政府批准，豪威国际控股即将其所控的子公司新加坡豪威转让给 OmniVision Technologies Development（HongKong）CompanyLimited（以下简称“OmniVisionHK”）。从美国税法角度，美国联邦税务机构可能会认定新加坡豪威的转让已发生。由于新加坡豪威为非独立实体，转让新加坡豪威视同转让其所拥有的资产与负债。美国联邦税务机构可能会对新加坡豪威的资产分类与估值提出质疑，认定新加坡豪威拥有会计报表外的无形资产，如客户关系类无形资产和商誉，由于转让客户关系类无形资产会涉及受控外国企业规则 subpartF，相关资本利得需要缴税。美国豪威已经按照合理的方法确定重组事项的税务影响。美国联邦税务机构仍然可能会对转让新加坡豪威客户关系类无形资产的税务影响提出调整。美国豪威已经对税务重组可能产生的税务风险进行了最佳估计。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）②亏损合同
美国豪威与部分晶圆代工厂签订了不可撤销的采购合同，因预计最终产品的可变现净值下降，导致履行该合同的预计成本超过预计收入而产生预计亏损。于2018年7月31日，美国豪威已就尚未履行完毕的采购合同，计提了相关存货跌价准备，并且按预计亏损超过已计提的存货跌价准备的部分，计入预计负债，对其中一年内到期的亏损合同拨备，计入其他流动负债。
（3）或有负债情况
①美国豪威与 IP Bridge的专利权诉讼之一
2016年4月22日，原告 IPBridge在特拉华区地区法院提起专利侵权诉讼。
该案起诉状，标题为 Godo Kaisha IP Bridge 1诉美国豪威案(案号1：16-cv-00290-SLR)，声称美国豪威制造、使用、要约出售、销售和/或进口到美国的图像传感器，侵犯了多项美国专利，包括美国6,538,324号专利、6,794,677号专利、6,709,950号专利、7,126,174号专利、8,084,796号专利、8,106,431号专利、8,378,401号专利、7,279,727号专利、7,709,900号专利和41,867号再颁专利。起诉状中请求法院判美国豪威支付或承担数额未详的损害赔偿、利息、费用、开支、成本，并寻求其他司法救济。美国豪威已对起诉状进行答辩。至 2018年 6月， IPBridge已撤销7,126,174号专利、7,279,727号专利、7,709,900号专利和 41,867号再颁专利的侵权诉讼。该诉讼目前处于调查取证阶段。法院暂定于2018年10月始对专利权利声明进行明细分析，再于 2019年11月正式上庭开审。
北京豪威管理层认为上述控诉缺乏事实依据，并会坚决予以辩护。根据所聘请的律师出具的法律意见书和本案件的进展情况，现阶段北京豪威管理层认为不能根据该诉讼现状合理可靠地预测其结果可能造成的损失。于2018年7月31日，北京豪威并未对该诉讼计提预计负债。
②美国豪威与 IP Bridge的专利权诉讼之二
2016年10月20日，原告 IPBridge在特拉华区地区联邦法院提起第二次专利侵权诉讼。该案起诉状，标题为 Godo Kaisha IP Bridge 1诉美国豪威案(案号1：16-cv-00975-UNA)，指控美国豪威制造、使用、兜售、销售和/或进口到美国的图像传感器，侵犯了美国 7,164,113号专利。该案件获准转移至北加州地区联邦
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）法院管辖，暂定于2020年5月正式上庭开审。
北京豪威管理层认为上述控诉缺乏事实依据，并会坚决予以辩护。根据所聘请的律师出具的法律意见书和本案件的进展情况，现阶段北京豪威管理层认为不能根据该诉讼现状合理可靠地预测其结果可能造成的损失。于 2018年 7月 31日，北京豪威并未对该诉讼计提预计负债。
③美国豪威与IP Bridge在日本海关的行政争议程序
2017年7月31日，美国豪威接获原告 IPBridge于日本海关提交的一项行政申请书，要求日本海关禁止美国豪威的 OV8858产品进口日本。2017年12月19日，日本海关的知识产权专家顾问团一致认为，IPBridge未能证明上述产品的专利侵权；2018年2月5日，日本海关正式采纳其意见，并通知 IP Bridge驳回其禁止进口申请的行政裁定。IPBridge亦未在 2018年5月5日最后期限前对该日本海关的行政决定在法院提起诉讼。
2018年 10月 23日，IP Bridge于日本海关提交新一轮的行政申请书，继续以其日本3562628号专利受侵犯为由，要求日本海关禁止美国豪威的 OV8858产品进口日本。该专利将于2019年6月24日期满无效。美国豪威已于2018年11月5日对该申请进行了申辩状，并会坚决予以辩护。
根据聘请的律师出具的法律意见书和本案件的进展情况，现阶段北京豪威管理层认为不能根据该诉讼现状合理可靠地预测其结果可能造成的损失。于 2018年7月31日，北京豪威并未对该诉讼计提预计负债。
3、资产抵押、质押、担保情况
根据Seagull InvestmentHoldings、Seagull International与中国银行澳门分行及招商银行纽约分行于 2016年 1月 28日签署的《信贷及担保协议》（“《信贷及担保协议》”）及其相关的附属协议以及 Seagull InvestmentHoldings、SeagullInternational及美国豪威与中国银行澳门分行及招商银行纽约分行于2017年2月 3日签署的《经修订及重述的信贷及担保协议》（“《经修订及重述的信贷及担保协议》”）及其相关的附属协议，中国银行澳门分行及招商银行纽约分行向美国豪威提供6亿美元的银团贷款（“银团贷款”），北京豪威及其下属子公司的下述资产因为上述贷款提供担保存在权利受到限制的情况，具体情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（1）北京豪威
2017年3月3日，北京豪威签署《同意作为担保人协议》（Guarantor JoinderAgreement）向中国银行澳门分行（作为银团贷款的代理银行）承诺作为美国豪威的母公司担保人为银团贷款提供担保。同日，北京豪威与中国银行澳门分行分别签署了《保证协议》及《股权质押协议》。根据《保证协议》，北京豪威作为银团贷款的保证人，保证每一银团贷款下的担保人和借款人准时履行其各自承诺的担保及支付义务，并且在任一担保人或借款人不履行其到期的担保或支付义务时，北京豪威应在收到中国银行澳门分行的履行要求时，承担上述担保或支付义务。根据《股权质押协议》，北京豪威将其持有的 Seagull Investment Holdings100%的股权质押给中国银行澳门分行。2017年3月3日，Seagull Investment Holdings就其100%股权的质押情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记；2017年5月 18日，北京豪威就上述担保向国家外汇管理局北京外汇管理部办理了内保外贷登记手续。
（2）Seagull Investment Holdings Limited
2016年1月28日，Seagull Investment Holdings与中国银行澳门分行分别签署了《担保协议（Debenture）》和《股权质押协议》。根据《担保协议》，Seagull Investment Holdings在其现有及未来所拥有的，尚未被设置抵押或未被转让的全部资产之上设置了浮动抵押，抵押权人为中国银行澳门分行。根据《股权质押协议》，Seagull Investment Holdings将其持有的 SeagullInternational100%股权质押给中国银行澳门分行。2016年1月28日，Seagull Investment Holdings就上述浮动抵押及SeagullInternational的股权质押情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记。
2017年2月3日，在签署《经修订及重述的信贷及担保协议》当日，Seagull Investment Holdings又与中国银行澳门分行分别签署关于浮动抵押及股权质押的《担保确认书（Deed ofConfirmation）》，确认上述浮动抵押和股权质押继续有效。
（3）Seagull International Limited
2016年1月28日，Seagull International与中国银行澳门分行分别签署了《担
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）保协议（Debenture）》及《股权质押协议》。根据《担保协议》，Seagull International在其现有及未来所拥有的，尚未被设置抵押或未被转让的全部资产之上设置了浮动抵押，抵押权人为中国银行澳门分行。根据《股权质押协议》，Seagull International将其持有的美国豪威100%的股权质押给中国银行澳门分行。同日， Seagull International就上述浮动抵押情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记，并就上述股权质押情况向华盛顿特区登记部门进行了 UCC融资申报（UCC FinancingStatement）。
2017年2月3日，在签署《经修订及重述的信贷及担保协议》当日，Seagull International又与中国银行澳门分行签署《担保确认书（Deed ofConfirmation）》，确认上述浮动抵押继续有效。同日，Seagull International向华盛顿特区登记部门进行了 UCC融资修正申报，确认对美国豪威股权的质押根据《经修订及重述的信贷及担保协议》继续有效。
（4）美国豪威
2016年1月28日，美国豪威作为《信贷及担保协议》的担保方，与中国银行澳门分行签署《质押及担保协议（Pledge and SecurityAgreement）》，约定以其大部分资产和所持有的股权为《信贷及担保协议》项下贷款提供担保。设置担保的资产和股权具体包括：账户、动产文书、合同（包括但不限于租赁协议和并购协议）、储蓄账户、文件、设备、添附物，一般无形资产，产品、工具（Instruments）、存货、对外投资资产、信用证权利、现金、应收账款、商业上侵权之债的债权、担保权利账户及其中的资产、现金债权、保险受益权及对孳息的债权、与担保权利物有关的账簿和记录，及任一及全部上述资产和股权的孳息、辅助义务和产出，及任何人就上述资产和股权给予美国豪威的担保物权和保证权利。2016年 1月 28日，美国豪威就上述担保向特拉华州登记部门进行了 UCC融资申报。2017年 2月 3日，美国豪威作为借款人与 Seagull InvestmentHoldings、SeagullInternationa与中国银行澳门分行及招商银行纽约分行签署《经修订及重述的信贷及担保协议》，并在协议中确认了以上述资产对银团贷款提供担保。
2016年 1月 28日，美国豪威与中国银行澳门分行签署《股权质押协议》，约定美国豪威将其持有的豪威国际控股100%的股权及美国豪威CDM100%的股权质押给中国银行澳门分行。2016年1月28日，美国豪威就美国豪威CDM100%
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）的股权担保向特拉华州登记部门进行了 UCC融资申报。截至境外律师法律意见出具之日，美国豪威CDM100%的股权仍然处于质押状态。2016年 1月28日，豪威国际控股就豪威国际控股100%股权的质押向开曼群岛的登记主管部门进行了登记。2017年 2月 3日，美国豪威与中国银行澳门分行签署《担保确认、修订及部分解除美国豪威2016年1月28日设置在其持有的豪威国际控股的股权质押之协议》，解除美国豪威持有的豪威国际控股35%股权的质押，中国银行澳门分行对剩余65%的股权仍保有质押权。2017年 2月 3日，豪威国际控股就上述股权质押部分解除情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记。
2016年 4月 22日，美国豪威就其所拥有的附表一中所列不动产与 Fidelity Nation TitleCompany签署了《不动产信托、担保及添附物申报协议》，其中 Fidelity Nation TitleCompany为受托人，中国银行澳门分行为受益人。美国豪威为担保《信贷及担保协议》项下各项义务而授予受托人 Fidelity Nation TitleCompany为受益人中国银行澳门分行之利益而对上述不动产行使进入、占有和出售的权利（“信托权利”）。2016年4月26日，美国豪威向加利福尼亚州圣克拉拉郡不动产登记部门备案了《不动产信托、担保及添附物申报协议》。2017年2月3日，美国豪威与Fidelity Nation TitleCompany签署就前述不动产信托签署《修订协议》，重新确认了Fidelity Nation TitleCompany对前述不动产的信托权利。美国豪威于2017年3月24日向加利福尼亚州圣克拉拉郡不动产登记部门备案了《修订协议》。
2017年 2月 3日，美国豪威与中国银行澳门分行签署《存款质押合同》，同意将其在中国银行澳门分行于 2017年 2月 2日开立的特定账户及其中存款及其不时产生的所有利息以第一优先顺位担保的形式质押给中国银行澳门分行。
根据《经修订及重述的信贷及担保协议》，北京豪威、Seagull InvestmentHoldings、Seagull International及美国豪威抵押或质押的上述各项资产中，不包括下列资产（“非担保资产”）：
①市场公允价值在 500万美元以下的任何享有永续所有权（fee-owned）的不动产及所有仅享有租赁权的不动产，但设置浮动抵押的情形不受此限制；
②根据产权证书及信用证权利确认的价值 500万美元以下的资产及标的额在500万美元以下的商业上侵权之债的债权，但设置浮动抵押的情形不受此限制；
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）③根据适用的法律、法规、规章或因与任何政府部门签署的合同项下的义务而禁止设置权利负担的，在全国范围的证券交易市场交易的股份（MarginStock）及其他质押权和担保权利；
④受限子公司（指香港豪威贸易、新加坡豪威、豪威国际控股及其他没有被美国豪威确认为非受限子公司的子公司）之外的全资子公司的组织文件或合资协议中禁止设置权利负担或设置权利负担将导致控制权变更或触发公司回购义务的股权；
⑤任何设置权利负担将导致违约、无效或将导致任何（贷款方之外的）其他主体行使解除权的租赁、许可或其他协议、或设有购买价金担保权利（purchase money securityinterest）或类似权利的资产；
⑥贷款代理人和美国豪威书面合理同意的设置担保权利或获得优先权保护的成本超过贷款方依据该等担保所获得的收益的资产；
⑦可适用的法律、法规或规章或任何在《信贷及担保协议》签署之日（或在子公司成立之日或取得该等资产之日，如果二者晚于《信贷及担保协议》签署之日）即已存在的合同义务禁止设置权利负担的子公司资产，或设置权利负担需要政府批准的子公司资产（全资子公司的股权除外），但已取得政府批准设置权利负担的资产除外；
⑧非美国子公司拥有的或位于美国领土之外的，根据担保及保证原则不得作为担保资产的任何资产；
⑨任何美国子公司的知识产权（包括任何在美国专利和商标局或美国版权局申请和注册的知识产权）；
⑩任何被排除的境外子公司（被排除的境外子公司是指美国豪威境外子公司、除持有境外子公司股权外不拥有任何重大资产的上述境外子公司的股东及美国豪威境外子公司直接或间接持有的子公司）发行的任一类普通股或债券中超过65%的部分，任何美国豪威境外子公司的任何资产，和除持有境外子公司股权外不拥有任何重大资产的上述境外子公司的股东持有的美国豪威境外子公司的任何股权或债权权益。
下述内容不应包括在非担保资产中：A.为使资产成为非担保资产而设立的合
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）约义务；B.以Seagull International和其关联方为全部合同主体的合约义务。每一借款方应当采取商业上的合理努力取得任何第三方同意、批准、许可或授权或第⑦项所述的政府批准。
4、是否存在诉讼、仲裁、司法强制执行等重大争议的情况的说明
截至本重组报告书签署日，北京豪威及其子公司存在6项尚未了结的诉讼和2项正在进行中的行政程序，具体如下：
（1）美国豪威、豪威科技（上海）与思特威的专利权诉讼
2018年 3月，美国豪威、豪威科技（上海）签署《民事起诉状》，诉称思特威制造和许诺销售的SC2235、SC2135、SC2035、SC2238型号CMOS图像传感器芯片落入涉案专利保护范围，侵害了美国豪威 ZL200510078777.0号专利的专利权，美国豪威、豪威科技（上海）遂将思特威诉至上海知识产权法院，要求：①判令思特威立即停止侵犯 ZL200510078777.0号专利的行为，包括立即停止制造、销售、许诺销售落入专利保护范围的产品；②判令思特威赔偿美国豪威、豪威科技（上海）600万元。
2018年3月23日，上海知识产权法院出具《受理通知书》（（2018）沪 73民初276号），受理上述诉讼。截至本报告书签署日，该案暂未开庭审理。
2018年 6月 1日，思特威向国家知识产权局申请宣告本项诉讼涉及的美国豪威 ZL200510078777.0号专利无效。2018年 6月 15日，国家知识产权局出具《无效宣告请求受理通知书》，受理了思特威上述请求。截至本报告书签署日，国家知识产权局尚未就思特威上述请求作出最终的审查决定。
（2）美国豪威与国家知识产权局专利复审委员会及思特威的发明专利权无效行政纠纷
2018年6月19日，专利复审委作出《无效宣告请求审查决定书》（第 36245号），就无效宣告请求人思特威提出的宣告美国豪威 ZL200680019122.9号发明专利无效的申请，经审查后决定宣告美国豪威上述专利权全部无效。
2018年9月12日，美国豪威的代理人签署《行政起诉状》，将专利复审委作为被告，思特威作为第三人诉至北京知识产权法院，请求依法撤销专利复审委
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）针对美国豪威 ZL200680019122.9号发明专利作出的上述《无效宣告请求审查决定书》，并请求专利复审委重新对涉案专利作出审查决定。
截至本报告书签署日，该案尚未正式受理。
（3）美国豪威与 Collabo Innovations,Inc.的专利权诉讼
2016年3月29日，Collabo Innovations,Inc.向美国特拉华地区地方法院提起专利侵权诉讼（案号为 No.1:16-cv-00197-SLR），诉称美国豪威制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的图像传感器侵犯了其在美国的一系列专利，包括7,411,180、8,592,880、7,944,493、7,728,895以及8,004,026号专利，请求赔偿损失、利息、费用、支出及其他救济，但并未明确具体金额。根据法院的权利要求解释令，7,944,493号专利被裁定无效，并被驳回，因此只留下其余 4项涉诉专利。
截至本报告书签署日，该案处于披露阶段，预计于2019年7月开庭审理。
（4）美国豪威与 IPBridge的专利权诉讼之一
2016年4月22日，IPBridge向美国特拉华地区地方法院提起专利侵权诉讼（案号为No.1:16-cv-00290-SLR），诉称美国豪威制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的图像传感器侵犯了其在美国的一系列专利，包括6,538,324、6,794,677、,709,950、7,126,174、8,084,796、8,106,431、8,378,401、7,279,727、 7,709,900以及 41,867号专利，请求赔偿损失、利息、费用、支出及其他救济，但并未明确具体金额。由于 IPBridge放弃了7,126,174、7,279,727、7,709,900以及41,867号专利，目前尚有6项涉诉专利。
截至本报告书签署日，该案处于证据收集阶段，预计于2019年11月4日开庭审理。
（5）美国豪威与 IPBridge的专利权诉讼之二
2016年 10月 20日，IP Bridge向美国特拉华地区地方法院提起第二起专利侵权诉讼（案号为No.1:16-cv-00975-UNA），诉称美国豪威制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的图像传感器侵犯了其在美国的 7,164,113号专利，请求赔偿损失、利息、费用、支出及其他救济，但并未明确具体金额。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）截至本报告书签署日，该案已移交至加利福尼亚北区法院，预计于 2020年5月开庭审理。
（6）美国豪威与 Zhang Lisheng的劳动诉讼
2018年 7月 13日，美国豪威的前员工 Lisheng Zhang向加利福尼亚州圣克拉拉郡高级法院提起诉讼，诉称美国豪威终止与其的劳动关系的行为存在年龄和对残疾人的歧视。2018年11月6日，该案起诉状送达美国豪威。该员工曾向美国平等就业机会委员会就上述就业歧视问题提出控诉，但该控诉因事实不清而被撤销。
（7）美国豪威专利在中国国家知识产权局的专利无效宣告程序
思特威就美国豪威拥有的 ZL 02143163.9号、ZL 200510119818.6号、ZL 200980114512.8号、ZL 201010550429.X号、ZL 201210432093.6号以及 ZL201210384611.1号6项专利向国家知识产权局提出无效宣告请求，国家知识产权局已受理其请求。截至本报告书签署日，国家知识产权局尚未作出最终的审查决定。
思特威、张燕就美国豪威拥有的 ZL 200510078777.0号1项专利向国家知识产权局提出无效宣告请求，国家知识产权局已受理其请求。截至本报告书签署日，国家知识产权局尚未作出最终的审查决定。
（8）美国豪威与 IPBridge在日本海关的行政争议程序
2017年7月31日，美国豪威收到 IP Bridge向日本海关办公室提交的要求禁止美国豪威的OV8858号产品进口日本的申请，理由是该型号产品侵犯 IP Bridge在日本注册的 3,562,628号专利。美国豪威对该申请提出了抗辩，并在同时向日本专利主管部门申请宣告争议专利无效。2017年 12月 19日，日本海关办公室知识产权专家顾问出具一致意见，认定 IP Bridge提出的关于争议专利的侵权主张不成立。2018年 2月 5日，日本海关办公室正式采纳上述专家意见，并出具通知否决了 IP Bridge禁止进口申请。IPBridge未就该通知提出申诉。但是，日本专利主管部门也驳回了美国豪威宣告争议专利无效的申请。
2018年 10月 23日，IP Bridge再次以美国豪威的 OV8858号产品侵犯争议专利为由申请禁止 OV8858号产品进口日本。该争议专利失效日期为 2019年 6
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）月 24日。美国豪威已于 2018年 11月 5日提交了初始抗辩，并计划采取包括申请宣告争议专利无效和提出“一事不再理”抗辩事由等方式继续积极申辩。
5、是否因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，是否受到行政处罚或者刑事处罚
截至本报告书签署日，北京豪威及其下属企业不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，不存在受到行政处罚或者刑事处罚的情形。
（六）行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策
1、行业主管部门和监管体制
集成电路的行业主管部门是工信部。工信部负责制定行业产业政策、产业规划，组织制定行业技术政策、技术体制和技术标准，并对行业发展方向进行宏观调控。
中国半导体行业协会是中国集成电路行业自律管理机构，主要负责产业及市场研究，对会员企业提供行业引导、咨询服务、行业自律管理以及代表会员企业向政府部门提出发展建议和意见等。
工信部和中国半导体行业协会构成了集成电路行业的管理体系，各集成电路企业在主管部门的产业宏观调控和行业协会自律规范约束下，面向市场自主经营，自主承担市场风险。
2、行业主要法律法规和政策
集成电路行业作为关系国家经济发展和国防安全的支柱行业，国家给予了高度重视和大力支持。2010年以来中国集成电路行业主要政策措施如下表所示：
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|时间|部门|法律法规与政策|相关内容|
|2010.10|国务院|《关于加快培育和发展战略新兴产业的决定》|着力发展集成电路、新型显示、高端软件、高端服务器等核心基础产业。|

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|时间|部门|法律法规与政策|相关内容|
|2011.1|国务院|《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》|软件产业和集成电路产业是国家战略性新兴产业，是国民经济和社会信息化的重要基础，分别从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场政策七个方面鼓励软件和集成电路发展，并明确提出将继续实施软件增值税优惠政策。|
|2012.4|财政部、国家税务总局|《关于进一步鼓励软件企业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》|颁布了一系列集成电路企业所得税优惠赠策。|
|2013.2|国家发改委|《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》|将集成电路测试装备列入战略性新兴产业重点产品目录。|
|2014.6|国务院|《国家集成电路产业发展推进纲要》|设立国家产业投资基金。主要吸引大型企业、金融机构以及社会资金，重点支持集成电路等产业发展，促进工业转型升级。基金实行市场化运作，重点支持集成电路制造领域，兼顾设计、封装测试、装备、材料环节，推动企业提升产能水平和实行兼并重组，规范企业治理，形成良性自我发展能力。支持设立地方性集成电路产业投资基金。鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域。|
|2016.5|财政部、国家税务总局、发改委、工信部|《关于软件和集成电路产业企业所得税优惠政策有关问题的通知》|为做好《财政部、国家税务总局关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》（财税〔2012〕27号）规定的企业所得税优惠政策落实工作，界定了软件企业与集成电路产业发展企业认定标准。|
|2016.5|国务院|《国家创新驱动发展战略纲要》|加大集成电路等自主软硬件产品和网络安全技术攻关和推广力度；攻克集成电路装备等方面的关键核心技术。|
|2016.7|国务院|《国家信息化发展战略纲要》|购进先进技术体系。打造国际先进、安全可控的核心技术体系、带动集成电路、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。|
|2016.7|国务院|《“十三五”国家科技创新规划》|支持面向集成电路等优势产业领域建设若干科技创新平台，推动我国信息光电子器件技术和集成电路设计达到国际先进水平。|
|2016.11|国务院|《“十三五”国家战略新兴产业发展规划》|启动集成电路重大生产力布局规划工程，实施一批带动作用强的项目，推动产业能力实现快速跃升。|
|2016.12|国务院|《“十三五”国家信息化规划》|大力推进集成电路创新突破。加大面向新型计算、5G、智能制造、工业互联网、物联网的芯片研发部署。|

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|时间|部门|法律法规与政策|相关内容|
|2016.12|发改委、工信部|《信息产业发展指南》|着力提升集成电路设计水平；建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系；重点发展12英寸集成电路成套生产线设备。|
|2017.4|科技部|《国家高新技术产业开发区“十三五”发展规划》|优化产业结构，推进集成电路及专用装备关键核心技术突破和应用。|

（七）北京豪威主营业务情况
1、主营业务
北京豪威的主要经营实体为其下属公司美国豪威及下属企业。美国豪威于 1995年 5月 8日在美国注册成立，与日本索尼、韩国三星并称为全球领先的三大主要图像传感器供应商，主要产品包括 CMOS图像传感器（CMOS imagesensor）、特定用途集成电路产品（ASIC）、微型影像模组封装技术（CameraCubeChip）和硅基液晶投影显示芯片（LCOS），并广泛应用于消费电子和工业应用领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络摄像头、安全监控设备、数码相机、汽车和医疗成像等。2018年2月，美国豪威OS05A20图像传感器及其“Nyxel™”技术因在低光/无光环境下的优异辨识效果，获得 2018年度“3DInCites”年度最佳器件奖。
美国豪威主要产品应用领域如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）美国豪威产品的应用领域主要涉及智能手机、车载摄像头、医疗摄像头、监控设备、无人机、VR/AR摄像头等方面。
（1）智能手机领域
近年来，随着智能手机摄像头成像质量和拍摄功能的进一步增强，智能手机正逐步取代普通数码相机成为消费者日常影像记录的首选。在这种情况下，数字成像解决方案的优劣已成为各品牌智能手机的主要性能指标和核心竞争力；手机摄像头数量也从最初的单一背式摄像头，演变为前后三摄像头。未来几年，智能手机行业对CMOS图像传感器的需求仍将保持较为稳健的增长。
（2）车载摄像头
车载摄像头目前基本在中高端车型上成为标配，主要应用于倒车影像系统中。
未来随着高级驾驶辅助系统（ADAS）的需要，智能汽车如果需要实现自动紧急刹车（AEB）、自适应巡航（ACC）、疲劳监测、车道偏离辅助、360度环视等功能，则需要在车辆上配置6-8个摄像头。
ADAS（Advanced Driver AssistanceSystems，高级驾驶辅助系统）是利用安装在车上的各式各样传感器，在汽车行驶过程中随时来感应周围的环境，收集数据，进行静态、动态物体的辨识、侦测与追踪，并结合导航仪地图数据，进行系统的运算与分析，从而预先让驾驶者察觉到可能发生的危险，有效增加汽车驾驶的舒适性和安全性。
鉴于 ADAS在保证行车安全、防止交通事故上起到突出的作用，汽车厂商越来越多的引入 ADAS功能；消费者在购车时也越来越多的考虑车辆是否具备 ADAS功能。与此同时，各国政府也意识到了 ADAS系统的对减少道路事故、提高车辆安全性的重要，不断将其纳入法律法规或相关标准。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）欧盟新车安全评鉴协会（E-NCAP）从2013年起便在评分规则中增加了更多 ADAS内容，计划在未来几年内速度辅助系统（SAS）、自动紧急制动（AEB）、车道偏离预警/车道偏离辅助（LDW/LKD）的加分要求为系统装机量达到100%。
美国国家公路交通安全管理局（NHTSA）和高速公路安全保险协会（IIHS）也提出2022年将自动紧急制动（AEB）等ADAS功能纳入技术标准。
国内关于ADAS的政策要求也开始加速，2017年强制实施的GB7258《机动车运行安全技术条件》要求车长大于 11m的客车应装备车道偏离报警系统（LDW）以及前车碰撞预警系统（FCW），2018版中国新车评价规程（C-NCAP）中主动安全的评分权重占到了15%，并增加了关于自动紧急制动系统（AEB）与车身稳定系统（ESC）的评分项目。
ADAS视觉系统使用摄像头采集图像信息，通过算法分析出图像中的道路环境。因此，摄像头及其 CMOS图像传感器是 ADAS的核心组成部分。随着 ADAS系统汽车搭载率的上市，车载摄像头领域未来将成为 CMOS图像传感器主要市场之一。
（3）医疗摄像头
医疗摄像头主要应用于内窥镜领域。内窥镜是一种可经人体天然孔道或者手术小切口进入人体，使病变部位情况得以用肉眼观察到，从而帮助医生诊断和治疗疾病的一种医疗设备。按照用途，内窥镜可分为诊断内窥镜和治疗内窥镜。诊断功能主要是临床医生通过内窥镜获得实时动态的内部图像，并且通过合适的器械取得组织进行体外检测；而治疗功能则需要配备专业的微创手术器具，进行特定的手术治疗。随着技术的发展，内窥镜的使用范围逐渐扩大，与治疗更加紧密结合，在临床诊疗中的使用频率越来越高。根据 Rearch and Markets的预测，未来十年内全球内窥镜市场将以6.9%的年复合增长率持续增长，到 2025年预计将达到476亿美元的市场规模。
（4）监控设备
由于物联网（IoT）的出现，监控摄像机不再局限于机场，火车站，银行和办公楼等企业应用。根据市场调研机构Strategy Analytics发布的《智能家居监控摄像机市场分析与预测》，低于200美元价格点的配备全套软件和服务功能的摄
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）像机将推动智能家居监控摄像机市场的增长。该报告预测，到 2023年，全球市场消费者在智能家居监控摄像机上支出将超过 97亿美元。CMOS图像传感器作为监控摄像头的核心组件，将受益于多元化消费级监控设备的普及，以及智能家居监控摄像机市场规模的增长。
（5）无人机、VR/AR摄像头
虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、无人机领域是由教育、娱乐、游戏行业所推动的CMOS图像传感器新兴市场。HTCVive、Oculus Rift和 PS VR等产品推动了消费级VR设备的普及；HoloLens、VuzixBlade以及Epson Moverio等 AR设备的接连推出，预示着 AR设备市场将进入消费级应用阶段。此类新兴领域将是CMOS图像传感器未来发展的着眼点和增长点。
2、主要产品及用途
美国豪威自成立日起，一直主要从事图像传感器的设计、生产和销售，主要产品包括主要产品包括 CMOS图像传感器（CMOS imagesensor）、特定用途集成电路产品（ASIC）、微型影像模组封装（CameraCubeChip）和硅基液晶投影显示芯片（LCOS）。
（1）CMOS图像传感器产品
美国豪威生产的 CMOS图像传感器处于行业内领先水平，是其先进图像系统解决方案的核心电子元器件，产品型号覆盖100万像素以下至1,300万像素以上各种规格，形成了较为完善的产品体系。针对不同应用领域的各类应用设备，美国豪威可根据不同设备的尺寸大小、光敏度、封装类型以及芯片内嵌式图像信号处理等方面的区别，提供特色化的产品解决方案。
美国豪威的CMOS图像传感器主要产品如下：
①高于1,300万像素
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|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸Pixel Size|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域Applicationarea|
|OV16860|4608×3456|1/2.39"|1.31 µm|45 fps|COB RW|手机|
|OV16880|4672×3504|1/3.06"|1.0 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV16885|4672×3504|1/3.06"|1.0 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV16885-4C|4672×3504|1/3.06"|1.0 µm|30 fps|COB RW|手机|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸Pixel Size|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域Applicationarea|
|OV16B10|4672×3504|1/2.76"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV20880|5184×3888|1/2.76"|1.01 µm|30 fps|COB|手机|
|OV20880-4C|5184×3888|1/2.76"|1.01 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV24A10|5664×4248|1/2.83"|0.9 µm|30 fps|COB|手机|
|OV24A1B|5664×4248|1/2.83"|0.9 µm|30 fps|COB|手机|
|OV24A1Q|5664×4248|1/2.83"|0.9 µm|30 fps|COB|手机|

②800万像素至1,300万像素
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|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域ApplicationArea|
|OS08A10|3840×2160|1/2"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OS08A20|3840×2160|1/2"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV10823|4320×2432|1/2.6"|1.4 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV12890|4096×3072|1/2.3"|1.55 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV12895|4096×3072|1/2.3"|1.55 µm|30 fps|COBRW/GLGA|安防|
|OV12A10|4112×3088|1/2.8"|1.25 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV13855|4256×3168|1/3.06"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV13A10|4224×3136|1/3.4"|1.01 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV13A1Q|4224×3136|1/3.4"|1.01 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV8856|3264×2448|1/4"|1.12 µm|30 fps|COB|手机|
|OV8858|3264×2448|1/4"|1.12 µm|30 fps|COB|手机|
|OV8865|3264×2448|1/3.2"|1.4 µm|30 fps|COB RW|手机|

③200万像素至500万像素
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸Pixel Size|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域ApplicationArea|
|OS02A1Q|1080p|1/2"|4.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OS05A10|5MP|1/2.7"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OS05A20|5MP|1/2.7"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2281|1080p|1/7.5"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV2311|2MP|1/2.9"|3.0 µm|60 fps|a-CSP™|汽车|
|OV2680|2MP|1/5"|1.75 µm|30 fps|CSP|手机|
|OV2685|2MP|1/5"|1.75 µm|30 fps|CSP|手机|
|OV2686|2MP|1/5"|1.75 µm|15 fps|CSP|手机|
|OV2710-1E|1080p|1/2.7"|3.0 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2715-1E|1080p|1/2.7"|3.0 µm|30 fps|CSP|安防|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸Pixel Size|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域ApplicationArea|
|OV2718|1080p|1/2.9"|2.8 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2732|1080p|1/4"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2735|1080p|1/2.7"|3.0 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2736|1080p|1/4"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2740|1080p|1/6"|1.4 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2744|1080p|1/6"|1.4 µm|60 fps|COB|安防|
|OV2770|1080p|1/2.9"|2.8 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2775|1080p|1/2.9"|2.8 µm|30 fps|a-CSP™|汽车|
|OV4682|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|COB|安防|
|OV4685|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|安防|
|OV4686|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|安防|
|OV4688|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|手机|
|OV4689|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|安防|
|OV5645|5MP|1/4"|1.4 µm|15 fps|CSP COBRW|手机|
|OV5648|5MP|1/4"|1.4 µm|15 fps|COB CSP|手机|
|OV5658|5MP|1/3.2"|1.75 µm|30 fps|COB CSP|手机|
|OV5675|5MP|1/5"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV5680|5MP|1/3.2"|1.75 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV5695|5MP|1/4"|1.4 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OX02A10|1.7MP|1/2.09"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™|汽车|
|OX03A10|2.46MP|1/2.44"|3.2 µm|50 fps|a-CSP™a-BGA™|汽车|

④100万像素及以下
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率Frame Rate|封装格式Package|应用领域ApplicationArea|
|OV01A10|1MP|1/11"|1.116µm|60 fps|COB|笔记本|
|OV01A1B|1MP|1/11"|1.116µm|60 fps|COB|笔记本|
|OV01A1S|1MP|1/11"|1.116µm|60 fps|COB|笔记本|
|OV10625|WVGA|WVGA:1/3.2"、VGA:1/3.7"|6.0 µm|60 fps|a-CSP™|汽车|
|OV10626|WVGANTSC|WVGA:1/3.2"VGA andNTSC:1/3.7"|6.0 µm|60 fps|a-CSP™|汽车|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率Frame Rate|封装格式Package||||应用领域ApplicationArea|
|OV10633|720P|1/3"|4.2 µm|30 fps|CLGA||||汽车|
|OV10635|720P|1/2.7"|4.2 µm|30 fps|a-CSP™||||汽车|
|OV10640|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™||||汽车|
|OV10642|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™||||汽车|
|OV10650|1.7MP|1/2.09"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™||||汽车|
|OV6211|400 x 400|1/10.5"|3.0 µm|120 fps|CSP||||AR/VR|
|OV6922|320 x 240|1/18"|2.5 µm|60 fps|CSP||||医疗|
|OV6930|400 x 400|1/10.6"|3.0 µm|30 fps|CSP||||医疗|
|OV6946|400 x 400|1/18"|1.75 µm|30 fps|CSP||||医疗|
|OV6948|200 x 200|1/36"|1.75 µm|30 fps|CSP||||医疗|
|OV7221|VGA|1/4"|6.0 µm|60 fps|CSP||||安防|
|OV7251|VGA|1/7.5"|3.0 µm|120 fps|CSP COB||||AR/VR|
|OV7261|VGA|1/7.5"|3.0 µm|100 fps|a-CSP™||||汽车|
|OV7676|VGA|1/7.5"|3.0 µm|30 fps|CSP||||手机|
|OV7695|VGA|1/13"|1.75 µm|30 fps|CSP||||手机|
|OV7725|VGA|1/4"|6.0 µm|60 fps||CSP||COB|安防|
|OV7735|VGA|1/7.5"|3.0 µm|60 fps|CSP COB||||安防|
|OV7740|VGA|1/5"|4.2 µm|30 fps|CSP||||安防|
|OV7850|WVGA|WVGA:1/3.2"VGA andNTSC:1/3.7"|6.0 µm|60 fps|CSP||||安防|
|OV7955|NTSC|1/3.6"|6.0 µm|60 fps|a-CSP™||||汽车|
|OV7960|NTSC|1/3.6"|6.0 µm|60 fps|CSP||||安防|
||PAL|1/3"|6.0 µm|50 fps|CSP||||安防|
|OV7962|VGA|VGA:1/4"752x480:1/3.2"|6.0 µm|30 fps|CSP||||安防|
||PALNTSCVGA|PAL:1/3"NTSC:1/3.6"752x480:1/3.2"|6.0 µm|50fps/30fps/60fps|a-CSP™||||汽车|
|OV9281|1MP|1/4"|3.0 µm|120 fps|CSP||||AR/VR|
|OV9282|1MP|1/4"|3.0 µm|120 fps|||RW||AR/VR|
|OV9623|1MP|1/2.7"|4.2 µm|30 fps|CSP||||安防|
|OV9674|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|30 fps|CSP||||安防|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率Frame Rate|封装格式Package|||应用领域ApplicationArea|
|OV9712-1D|720P|1/4"|3.0 µm|30 fps|CSP COB|||安防/笔记本|
|OV9714|720P|1/4"|3.0 µm|60fps|||CSP|笔记本|
|OV9715|720P|1/4"|3.0 µm|30 fps|CSP|||安防|
|OV9716|1.4MP|1/3.8"|2.8 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV9718|720p|1/4"|3.0 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9724|720P|1/9"|1.4 µm|30 fps|CSP COB|||笔记本|
|OV9728|720P|1/6.5"|1.75 µm|30 fps|CSP|||笔记本|
|OV9732|720p|1/4"|3.0 µm|30 fps|||CSP|安防|
|OV9733|720p|1/4"|3.0 µm|30 fps|||CSP|安防|
|OV9734|720p|1/9"|1.4 µm|30 fps|CSP|||笔记本|
|OV9738|720p|1/9"|1.4 µm|30 fps|COB|||笔记本|
|OV9740|720P|1/6.9"|1.75 µm|30 fps|CSP COB|||笔记本|
|OV9750|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9752|1MP|1/3"|3.75 µm|60 fps|||CSP|安防|
|OV9755|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|||CSP|安防|
|OV9756|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9756|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9760|960p|1/5"|1.75 µm|30 fps|COB|||笔记本|
|OV9762|1.3MP|1/5.7"|1.87 µm|30 fps|COB|||笔记本|
|OV9770|720P|1/6.5"|1.75 µm|30 fps|||COB|笔记本|
|OX01A10|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|60 fps||a-CSP™||汽车|
|OX01B40|1392 x 976|1/4”|2.8 µm|NTSC: 60fps,MIPI 30 fps|SiP|||汽车|

（2）微型影像模组封装（CameraCubeChip）
美国豪威的CameraCubeChip™产品是一种采用先进的芯片级封装技术整合集成晶圆级光学器件和 CMOS图像传感器创新的解决方案。美国豪威专有的堆叠技术可以通过一个步骤完成晶圆级光学与硅片的结合。CameraCubeChip可以提供图像传感、处理和单芯片输出的全部功能。以美国豪威 OVM6946和 OVM6948产品为例：两个产品的 CMOS图像传感器仅为0.9mm×0.9mm和0.5mm×0.5mm大小，而通过CameraCubeChip™技术生产的摄像头大小仅为1mm×1mm和0.6mm×0.6mm。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案） OVM6948摄像头在仅有0.6mm×0.6mm×1.1mm大小的同时，还可提供 1000mV/lux-sec的低光敏感度，是目前医疗内窥镜领域技术最先进的摄像头之一。
美国豪威主要CameraCubeChip产品如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域Applicationarea|
|OVM9724|720p|1/9"|1.4 µm|30 fps|Black Coating|医疗|
|OVM7251|QVGA/VGA|1/7.5"|3.0 µm|120 /80fps|Black Coating|AR/VR眼球追踪|
|OVM7690|QVGA/VGA|1/13"|1.75 µm|60/30fps|BlackCoating/MetalCan|手机/医疗|
|OVM7692|VGA|1/13"|1.75 µm|30 fps|BlackCoating/MetalCan|手机/物联网|
|OVM7695|VGA|1/13"|1.75 µm|30 fps|BlackCoating/MetalCan|手机/物联网|
|OVM9724|720P|1/9"|1.4 µm|30 fps|Black Coating|物联网|
|OVM6211|400 x 400|1/10.5"|3.0 µm|120 fps|Black Coating|AR/VR眼球追踪|
|OVM6946|400 x 400|1/18"|1.75 µm|30 fps|Black Coating|医疗|
|OVM6948|200x200|1/36"|1.75μm|30 fps|CSP|医疗|

（3）硅基液晶投影显示（LCOS）芯片
LCOS（Liquid Crystal onSilicon），即液晶附硅，也叫硅基液晶，是一种基于反射模式，尺寸非常小的矩阵液晶显示装置。此投影技术采用涂有液晶硅的 CMOS集成电路芯片作为反射式 LCD的基片，用先进工艺磨平后镀上铝当作反射镜，形成CMOS基板，然后将 CMOS基板与含有透明电极之上的玻璃基板相贴合，再注入液晶封装而成。LCOS将控制电路放置于显示装置的后面，可以提
高透光率，从而达到更大的光输出和更高的分辨率。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）美国豪威的硅基液晶（LCOS）芯片组为微型投影系统提供了一个高解析度（HD）、外形紧凑、低功耗和低成本的微型显示器解决方案。凭借可提供先进图像处理和主机附加功能的同伴芯片支持，该单板 LCOS芯片可提供 720p的高清视频。与此同时，该同伴芯片简化了系统设计，节省了空间并有效降低了能耗，且采用全数字技术制作出清晰、稳定的图像。上述特征使得该 LCOS芯片为下一代投影系统提供了一个极具吸引力的解决方案，能广泛应用于可穿戴电子设备、移动显示器，微型投影、汽车和医疗机械等领域。
||||
|-|-|-|
|产品名称|OP02220|OVP2200|
|分辨率 Resolution|1080p|720p|
|活动区域 Active Area|0.39"|0.26"|
|帧频 Frame Rate|60/120 fps|60 fps|
|像素大小 Pixel Size|4.5 µm|4.5 µm|
|色场频 Color Field Rate|360 Hz|300 Hz|
|面板尺寸Panel Dimensions|23.4 x 9.0 x 3.33 mm|17.5 x 6.6 x 3.2 mm|
|功耗Power Consumption|300 mW|200 mW|
|产品简介 Product Introduction|体积小、像素高、高集成|亮度高、低功耗、高集成|
|应用领域 Application Area|AR/VR，微投影|AR/VR，微投影|

（4）特定用途集成电路产品（ASIC）
ASIC设备主要用于支持美国豪威公司 CMOS图像传感器，在摄像头和主机之间起到桥梁功能的作用，提供USB、并行、串行接口解决方案以及压缩引擎和低功耗图像信号处理给等功能。
①汽车同伴芯片（Automotive CompanionChip）
美国豪威生产的汽车同伴芯片配合高性能的图像传感器，支持高动态范围、多路环视影像处理，同时支持鱼眼矫正、画中画、图像叠加等高级图像功能的实现，提供完美的汽车影像解决方案。目前，汽车同伴芯片主要包括以下产品：
||||||
|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|传感器分辨率Sensor Resolution|最高帧速率Highest Frame Rate|输出格式Output Format|封装Package|
|OV480|最高至1MP|30 fps|YUVBT656/601|BGA|
|OV490|最高至1.4MP|60 fps|BT656/601YUVRAWRGB|BGA|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|OV491|最高至2MP|60 fps|BT656/601/1120YUVRAWRGB|BGA|
|OV493|最高至1.4MP|60 fps|RAWBT656/601/1120YUVRGB|BGA|
|OV495|最高至2.0MP|45 fps|RAWBT656/601/1120YUVRGB|BGA|

②传感器桥（SensorBridge）
美国豪威的传感器桥产品可在医疗设备和 AR/VR产品中进行多路摄像头的拓展，并且支持多幅图像的拼接处理，目前世面同类竞争产品较少。
③物联网处理器（IoTprocessor）
IoT芯片主要用于跟美国豪威生产的其他类别芯片搭配，起到通过 WIFI来传输影像的功能，并具有超低功耗和快速开机等特点，目前主要应用于监控和智慧门铃领域。
3、主营业务整体流程
美国豪威主要采用 Fabless模式，专注于 CMOS图像传感器的研发、设计和销售。业务流程主要包括：将研发成果即集成电路产品布图交付给专业的晶圆代工厂进行晶圆生产、将晶圆厂生产的晶圆产品交由其他代工厂进行晶圆加色、而后由封装厂进行芯片封装，手机用 CMOS图像传感器由封装厂代为测试，其他应用领域的 CMOS图像传感器由北京豪威下属公司负责测试，测试合格的产品统一向客户发货，其业务流程示意图如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）4、主营业务经营模式
（1）采购模式
美国豪威所采购的原材料主要分为五类，分别为：晶圆、直接物料（玻璃、液晶、各种胶等）、间接物料（盘、保护膜等）、支持性物料（厂务办公用品、电脑、耗材等）以及生产设备，采购模式主要有以下两种方式。
晶圆采购：美国豪威结合自身对市场的判断和客户的需求拟定采购计划，向晶圆厂下订单，并将集成电路产品布图发于晶圆制造厂商，晶圆制造企业接到订单后排期并安排生产。
其他类别采购：由采购部门负责，根据拟定的采购计划，向合作供应商下订单购买相关产品。
（2）生产模式
美国豪威的生产经营模式为 Fabless模式，即主要进行产品的设计工作，将晶圆生产、晶圆加色、晶圆重组、芯片封装业务委托给代工厂完成，最后由美国豪威下属公司负责进行芯片的测试。美国豪威成立时间较长，且在 CMOS图像传感器领域具有较高的市场份额和品牌知名度，因此与主要晶圆厂、封测厂均建立了长期稳定的合作关系，为产品稳定供货提供了较为坚实的保障。
美国豪威主要产品 CMOS图像传感器的生产/供应链模式如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（3）销售模式
美国豪威的主要产品为 CMOS图像传感器，该产品主要应用市场包括手机市场、安防市场、汽车市场以及电脑、娱乐等其他市场。目前，美国豪威的销售模式以直销为主、代销为辅。美国豪威根据产品成本、同种产品市场价格、客户认可程度、客户采购数量等因素采取较为灵活的市场化定价方式。通常来说，新型号产品定价相对较高，随着竞争对手逐步推出同类型产品，美国豪威会根据竞争对手产品价格情况随行就市，紧跟市场变化调整售价。
①直接销售
报告期内，美国豪威采用直销模式的客户主要为下游主要摄像头模组厂商及其下属企业，直销模式可提高美国豪威产品和技术服务效率，增强美国豪威对终端用户需求的响应速度，通过模组厂商的反馈信息及时对公司产品线进行调整。
②间接代销
报告期内，除直接销售以外，美国豪威产品还通过知名跨国大型电子元器件经销商进行代销。通过代销模式，美国豪威可有效降低大量中小规模终端客户对销售管理的人力资源和成本压力，消除了小微客户的应收账款回收风险。同时，经销商的客户资源和营销网络为美国豪威开拓新客户提供了便利，增强了美国豪威产品在利基市场的覆盖率，减少了美国豪威的客户开发成本。
（4）盈利模式
美国豪威主要采用 Fabless模式，专注于 CMOS图像传感器的研发、设计和销售，利润主要来自于 CMOS图像传感器芯片产品的销售。美国豪威根据市场
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）供需情况、市场竞品价格水平、客户订单数量、产品生产成本、企业运营相关费用及合理利润空间确定产品市场价格，通过向模组厂或经销商销售实物产品获得售后利润。
（5）结算模式
①采购结算模式：
美国豪威对供应商的付款的账期通常控制在发货后 45天左右，主要采取银行电汇的方式进行结算。
②销售结算模式：
在直销模式下，美国豪威同模组厂商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结 30天-60天左右；在代销模式下，美国豪威同经销商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结30天。
5、报告期内业务经营情况
（1）主营业务收入分类
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|直销|312,808.72|62.51|508,317.70|56.27|461,672.61|58.11|
|代销|187,582.59|37.49|395,039.70|43.73|332,769.72|41.89|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

（2）主营业务收入构成
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|手机|303,165.42|60.59|566,515.91|62.71|525,249.23|66.12|
|安防|77,368.51|15.46|154,622.29|17.12|100,935.29|12.71|
|汽车|66,099.75|13.21|96,553.45|10.69|84,681.81|10.66|
|电脑|29,285.66|5.85|38,502.54|4.26|28,985.38|3.65|
|娱乐|14,881.20|2.97|31,926.54|3.53|46,131.34|5.81|
|其他|9,590.76|1.92|15,236.67|1.69|8,459.30|1.07|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

（3）主要产品的客户及销售价格的变动情况
北京豪威的客户根据直接销售与间接销售模式的不同，主要分为模组厂和代
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）理经销商两种类型，不同的销售模式与销售渠道在销售价格上会存在一定差异。
整体平均来看，北京豪威报告期内主要产品的出厂销售单价区间如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|主要产品类别|主要客户群体|销售单价区间（元/颗）|||
|||2018年1-7月|2017年|2016年|
|CMOS 图像传感器产品|模组厂、经销商|0.64-186.92|0.34-197.27|0.79-223.41|
|特定用途集成电路产品（ASIC）|模组厂、经销商|7.47-118.12|6.97-146.37|7.98-93.31|
|硅基液晶投影显示芯片 （LCOS）|模组厂、经销商|162.08-217.44|159.90-276.47|117.99-244.84|
|微型影像模组封装（CameraCubeChip）|模组厂、经销商|8.94-177.22|9.93-193.83|4.23-29.58|

北京豪威大部分的营收来源于 CMOS图像传感器的销售。就 CMOS图像传感器而言，在通常情况下：光学格式越大，传感器的尺寸则越大；传感器尺寸越大，售价越高。但另一方面，为拓展新的市场与应用（例如汽车与医疗的应用领域），北京豪威亦会在传感器中构建额外的功能，这类产品销售价格比一般的传感器高。因此，北京豪威主要产品销售单价区间波动加大。
（4）报告期内主要产品的产销情况
①报告期内主要产品的产量和销量
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||产量（万颗）|销量（万颗）|产量（万颗）|销量（万颗）|产量（万颗）|销量（万颗）|
|CMOS图像传感器产品|47,599.26|47,904.21|71,419.32|83,706.34|93,686.51|89,053.25|
|特定用途集成电路产品（ASIC）|1,069.57|883.50|1,274.20|1,326.00|1,244.95|808.45|
|硅基液晶投影显示芯片 （LCOS）|30.50|8.91|3.97|2.99|0.25|3.72|
|微型影像模组封装（CameraCubeChip）|252.22|78.66|159.34|91.80|15.09|51.09|
|合计|48,951.55|48,875.28|72,856.84|85,127.12|94,946.80|89,916.52|

②报告内主要产品期初及期末库存
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||期初（万颗）|期末（万颗）|期初（万颗）|期末（万颗）|期初（万颗）|期末（万颗）|
|CMOS图像传感器产品|36,560.99|36,256.04|48,848.01|36,560.99|44,214.75|48,848.01|
|特定用途集成电路产品（ASIC）|1,100.59|1,286.66|1,152.39|1,100.59|715.90|1,152.39|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|硅基液晶投影显示芯片 （LCOS）|20.30|41.89|19.32|20.30|22.79|19.32|
|微型影像模组封装（CameraCubeChip）|687.14|860.71|619.60|687.14|655.61|619.60|
|合计|38,369.03|38,445.30|50,639.32|38,369.03|45,609.04|50,639.32|

北京豪威的主要经营实体为下属公司美国豪威，而美国豪威于 2016年 1月28日完成私有化并入北京豪威。因此，在合并报表层面，北京豪威 2016年存货期初数为2016年1月28日数据。
（5）报告期内主要客户销售情况
报告期内，北京豪威产品分领域主要终端用户情况如下：
|||
|-|-|
|细分应用市场|主要终端用户名称|
|手机|华为、小米、OPPO、VIVO、HTC、华硕、Motorola、LG、松下、Micro-Max（印度），Reliance（印度）|
|安防|海康、大华等|
|汽车|奔驰、宝马、大众、特斯拉、长城、比亚迪、长安、Toyota、Honda、吉利等|
|娱乐、电脑及其他|Sony、惠普、三菱、JVC、Ambu、Verathon、Ankon等|

最近两年及一期，北京豪威前五大客户销售情况如下：
①2018年1-7月
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售总额比例（%）|是否为关联方|
|1|A1|123,980.52|24.78|否|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|2|B1|88,929.66|17.77|否|
|3|C1|66,822.07|13.35|否|
|4|D1|30,829.61|6.16|否|
|5|E1|28,399.37|5.68|否|
|合 计||338,961.23|67.74|—|

②2017年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售总额比例（%）|是否为关联方|
|1|A1|250,520.13|27.73|否|
|2|B1|106,366.12|11.77|否|
|3|C1|105,177.59|11.64|否|
|4|D2|55,239.87|6.11|否|
|5|E1|46,723.00|5.17|否|
|合 计||564,026.71|62.44|—|

③2016年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售总额比例（%）|是否为关联方|
|1|A1|230,312.48|28.99|否|
|2|B1|88,388.59|11.13|否|
|3|C1|71,721.12|9.03|否|
|4|D2|61,346.25|7.72|否|
|5|E2|40,545.48|5.10|否|
|合 计||492,313.92|61.97|—|

注：2016年为全年数。
报告期内，北京豪威前五大销售客户不存在单个客户的销售比例超过50%的情况。北京豪威董事、监事、高级管理人员和核心技术人员，其他主要关联方或持有北京豪威5%以上股份的股东在前五名客户中未占有权益。
6、主要原材料、能源的采购及供应情况
北京豪威采用 Fabless经营模式，即无晶圆生产线集成电路设计经营模式，不从事具体生产。在此经营模式下，北京豪威通过委托代工方式将晶圆生产、封装和测试工序委托第三方晶圆代工厂、封装厂和测试厂，自身专注于 CMOS图像传感器的设计。
（1）北京豪威主要原材料和采购的服务
报告期内，北京豪威晶圆代工、彩色滤光片及封装、测试服务采购金额以及
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）占各期主营业务成本的比例如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|晶圆|282,745.19|74.09|509,892.04|73.31|495,431.08|73.94|
|彩色滤光片|31,256.60|8.19|60,436.79|8.69|62,679.03|9.35|
|封装、测试费|65,405.93|17.14|124,346.97|17.88|108,688.11|16.22|
|其他|2,221.52|0.58|896.38|0.13|3,285.26|0.49|
|合计|381,629.24|100.00|695,572.18|100.00|670,083.48|100.00|

（2）北京豪威能源供应情况
北京豪威不直接从事生产活动，不采购生产所需要的能源。
（3）报告期内向前五名供应商的采购情况
报告期内，北京豪威前五大供应商采购情况如下：
①2018年1-7月
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期主营业务成本（%）|是否为关联方|
|1|SA1-1|137,559.42|36.05|否|
||SA1-2|18,047.83|4.73|否|
||SA1-3|15,445.30|4.05|否|
|2|SB1|87,529.53|22.94|否|
|3|SC1|31,830.77|8.34|否|
|4|SD1|14,942.73|3.92|否|
|5|SE1|12,220.32|3.20|否|
|合 计||317,575.91|83.22|-|

②2017年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期主营业务成本（%）|是否为关联方|
|1|SA1-1|269,182.26|38.70|否|
||SA1-2|36,493.92|5.25|否|
||SA1-3|24,021.59|3.45|否|
|2|SB1|138,310.87|19.88|否|
|3|SC1|46,124.90|6.63|否|
|4|SD1|30,428.02|4.37|否|
|5|SE1|27,409.88|3.94|否|
|合 计||571,971.43|82.23|-|

③2016年
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期主营业务成本1（%）|是否为关联方|
|1|SA1-1|355,733.67|48.66|否|
||SA1-2|61,067.43|8.35|否|
||SA1-3|27,292.18|3.73|否|
|2|SB1|168,345.60|23.03|否|
|3|SC1|49,434.88|6.76|否|
|4|SD1|38,223.01|5.23|否|
|5|SE1|30,457.84|4.17|否|
|合 计||730,554.61|99.94|-|

注：1、2016年采购总额为 12个月的数据，但审计报告 2016年主营业务成本为 11个月的数据，因此上表中主营业务成本为报表金额除以12/11。
SA1-1、SA1-2和SA1-3均受SA1控制，因此合并计算并列为第一大供应商。
2016年，北京豪威同上述三家企业采购金额占主营业务成本的比例合计超过50%。
北京豪威董事、监事、高级管理人员和核心技术人员，其他主要关联方或持有北京豪威5%以上股份的股东在前五名供应商中未占有权益。
7、境外业务情况
北京豪威的主要经营实体是美国豪威，新加坡豪威是美国豪威的采购、销售中心，美国豪威和新加坡豪威的主要经营情况如下：
（1）美国豪威
①简要资产负债表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|21,829.64|9,030.63|42,435.46|
|非流动资产合计|1,449,231.48|1,377,726.46|1,490,626.24|
|资产总计|1,471,061.12|1,386,757.09|1,533,061.70|
|流动负债合计|44,378.98|184,521.71|885,059.59|
|非流动负债合计|273,195.86|259,257.13|345,510.40|
|负债合计|317,574.84|443,778.84|1,230,569.99|
|所有者权益合计|1,153,486.28|942,978.25|302,491.71|

②简要利润表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|78,939.90|37,815.55|25,075.75|
|营业成本|10,837.88|18,050.63|14,998.40|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|营业利润|153,161.94|9,305.75|-64,955.43|
|利润总额|153,183.82|9,123.14|-66,610.08|
|净利润|158,207.02|284,062.13|-39,003.33|

（2）新加坡豪威
①简要资产负债表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|408,127.09|388,540.82|458,169.27|
|非流动资产合计|2,863.37|4,148.05|4,227.14|
|资产总计|410,990.46|392,688.87|462,396.40|
|流动负债合计|334,347.49|311,782.65|382,399.22|
|非流动负债合计|-|-|-|
|负债合计|334,347.49|311,782.65|382,399.22|
|所有者权益合计|76,642.97|80,906.22|79,997.18|

②简要利润表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|389,039.53|882,617.20|787,596.97|
|营业成本|376,737.80|688,222.38|650,030.03|
|营业利润|-6,128.80|7,362.09|-19,068.73|
|利润总额|- 6,120.42|7,379.21|-19,068.73|
|净利润|-7,292.37|5,759.56|-20,685.15|

8、安全生产及环境保护情况
（1）安全生产情况
北京豪威主要从事集成电路的设计，不涉及生产环节，相关生产环节通过委托加工的方式进行。
（2）环保情况
北京豪威经营不会产生废水、废气、废渣和噪声等，对环境不会产生污染。
9、质量控制情况
（1）质量控制体系
美国豪威坚持从严把控产品质量，以良品率为核心，追求优良的客户口碑，
公司设立专门的质量管理部门，建立了包括产品研发、晶圆代工、封装代工、测
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）试代工、品质验证、及售后服务各环节在内的全过程质量管理体系，并根据 ISO 9001:2015的标准开发了符合其经营特点的质量管理系统。
（2）质量管理系统及构成
美国豪威将质量系统所需过程分为：客户导向过程、管理过程和支持过程三个类别。
①客户导向过程
②管理过程
③支持过程
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（3）质量控制说明
为确保芯片的品质，北京豪威检验流程分成两个阶段：第一，晶圆阶段进行功能测试和可靠性测试等；第二，封装以后阶段进行最终测试，包括可靠性测试和产品功能、外观检验等。
为确保产品的质量、部门的规范性和质量管理系统的有效性，北京豪威制定了一系列加强质量管理系统的控制措施，同时建立了ISO9001和 IATF16949质量管理体系，并对芯片可靠性认定完成持续改进。
产品品质管理是北京豪威质量管理的核心。在产品终端客户发现问题时，北京豪威收到反馈后立即进行测试分析。同时为了判断问题来自芯片还是模组，客户质量工程会前往现场进行检测。若检测发现问题在于芯片端，则问题芯片将交由品质部门负责处理，北京豪威质归集问题并寻找相关责任人进行定责，对问题产生根本原因将进行有效的追溯和整改，将问题举一反三进行有效的管理，另外将对供应商索取相应赔偿并加之惩罚措施。与此同时，北京豪威质的供应商管控将介入，以确保未来产品及时交付。
在供应商品质管理方面，北京豪威采用有效的供应链管理管理模式，确保所有的供应商均拥有 ISO900质量管理体系证书，利用PPAP（生产件批准程序）、FMEA（潜在失效模式及后果分析）、ControlPlan（控制计划）、SixSigma（六西格玛）、CCB（Change Control Board变更管理）等多项措施来有效管控供应环节：PPAP体系确保从晶圆厂商、封装厂商及测试工厂都正确理解北京豪威设计和规范的所有要求；FMEA体系确保在芯片设计阶段和过程设计阶段预先避开失效模式发生，以提高产品的质量和可靠性； Control Plan体系有效的控制了芯片研发设计中的特殊特性、关键特性和普通特性。Six Sigma体系追求芯片零缺陷生
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）产，降低产品成本；CCB体系强调和确保芯片产品从设计到生产过程中的工程变更完全满足客户需求及国际、国家和行业的法律法规要求。
在新产品设计开发的品质管理方面，北京豪威重视客户期望和需求，及时将客户最新的需求反馈给研发人员，同时注重积累专有技术经验，采用内部案例分享的形式提升员工的能力。
10、产品的技术水平及研发情况
（1）主要产品所采用的技术情况
图像传感器的主要作用是将光学图像转换成电子信号，是数字摄像头的重要组成部分。目前，市场上的图像传感器主要分为CCD图像传感器和 CMOS图像传感器两大类，美国豪威的核心产品是 CMOS图像传感器。
美国豪威经过多年的自主研发和技术演进，在CMOS图像传感器电路设计、封装、数字图像处理和配套软件领域积累了较为显著的技术优势，公司主要核心技术如下：
①像素技术
美国豪威是 CMOS图像传感器行业内最先将 BSI技术商业化的公司之一，并于2013年将PureCelTM和PureCelTMPlus技术付诸于量产产品。截至2018年7月31日，美国豪威处于领先地位像素技术具体如下：
|||||
|-|-|-|-|
|核心技术名称|核心技术特点|核心技术来源|核心技术所处的阶段|
|FSI|110纳米；200毫米晶圆；特色产品；大批量供货；|自主研发|批量投产|
|OmniBSITM|90 纳米；200 毫米晶圆；优良的性能；更具成本竞争力；|自主研发|批量投产|
|OmniBSI-2TM|65 纳米；300 毫米晶圆；最佳的性能；像素降至1.1微米；|自主研发|批量投产|
|PureCelTM|55 纳米；300 毫米晶圆；高性能；像素1.12微米；|自主研发|批量投产|
|PureCelTMPlus|45 纳米；300 毫米晶圆；高性能；像素1.00微米；|自主研发|批量投产|
|PureCelTMPlus|28 纳米；300毫米晶圆；高性能；像素0.8微米;|自主研发|试投产|

②CameraCubeChipTM图像传感器集成芯片技术
CameraCubeChipTM图像传感器集成芯片技术是美国豪威在
CMOS图像传感器
行业特有先进技术之一，该技术特点为：提供业界最小的相机模组解决方案；使用
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）半导体工艺制造镜头；可过回流焊，无需底座或人工插接模组；整机零件封装，降低人力成本；简化供应链，缩短产品上市周期。
（2）报告期内美国豪威的研发投入情况
美国豪威作为 CMOS图像传感器行业领先企业，多年以来通过自主研发，已经形成了系统化的研发体系，培养并储备了一批具有较强技术能力和创新精神的研发人员。作为注重产品设计的 Fabless模式半导体企业，美国豪威研发机构设置完善和研发人员配备健全，历年研发投入占营业收入比重较为合理。
①研发人员
截至2018年7月31日，北京豪威核心技术人员、研发人员占员工总数的比例如占员工总数比例下：
||||
|-|-|-|
|项目|人数|占员工总数比例|
|核心技术人员|12|0.77%|
|研发人员|881|56.84%|

②研发投入情况
报告期内，北京豪威研发投入占营业收入比重情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|研发投入金额（万元）|65,001.83|122,232.90|115,778.99|
|占营业收入比重（%）|12.96|13.51|14.55|

（八）北京豪威最近两年及一期主要财务数据及非经常性损益的构成情况
根据普华永道出具审计报告（普华永道中天特审字（2018）第 2671号），
北京豪威最近两年及一期主要财务数据如下表所示：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）1、北京豪威主要财务数据
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|573,547.69|619,178.40|932,360.24|
|非流动资产合计|837,147.78|814,271.78|936,687.92|
|资产总计|1,410,695.47|1,433,450.18|1,869,048.16|
|流动负债合计|240,689.64|185,112.90|443,278.73|
|非流动负债合计|212,819.00|343,980.85|750,094.73|
|负债合计|453,508.64|529,093.75|1,193,373.46|
|所有者权益合计|957,186.83|904,356.44|675,674.70|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|501,561.81|905,038.73|795,650.01|
|营业成本|381,717.51|695,732.19|670,365.34|
|营业利润|14,271.63|2,772.55|-215,659.20|
|利润总额|14,289.14|2,650.44|-217,111.70|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润|17,827.90|275,819.87|-198,937.36|

2、北京豪威主要财务指标
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|资产负债率（%）|32.15|36.91|63.85|
|流动比率|2.38|3.34|2.10|
|速动比率|1.38|1.96|1.31|
|息税折旧摊销前利润（万元）|44,523.70|51,928.44|-146,933.34|
|利息保障倍数|2.67|0.72|-6.76|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|总资产周转率（次/年）|0.35|0.55|0.43|
|应收账款周转率（次/年）|4.79|14.35|19.46|
|存货周转率（次/年）|1.41|2.17|1.84|

注：资产负债率=总负债/总资产
流动比率=流动资产/流动负债
速动比率=（流动资产-存货）/流动负债
息税折旧摊销前利润=利润总额+财务费用+折旧+摊销
利息保障倍数=（利润总额+财务费用）/利息支出
应收账款周转率=2*营业收入/（期初应收账款账面余额+期末应收账款账面余额）
存货周转率=2*营业成本/（期初存货账面余额+期末存货账面余额）
总资产周转率=2*营业收入/（期初总资产+期末总资产）
2016年期初数默认与期末数相同
3、北京豪威非经常性损益情况
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）北京豪威最近两年及一期经审计的合并报表的非经常损益明细如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|非流动资产处置损失|47.76|179.96|9.73|
|处置可供出售金融资产、长期股权投资、以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债等的投资损失|1,113.15|1,284.45|13,220.14|
|股权奖励回购|-|-|6,573.85|
|计入当期损益的政府补助|-269.69|-346.79|-202.16|
|除上述各项之外的其他营业外收入和支出|-46.58|-52.52|1,653.98|
|减：所得税影响额|341.62|223.16|-5,939.96|
|归属于所有者的非经常性损失|1,186.26|1,288.25|15,315.57|

（九）主要会计政策
1、重要会计政策和会计估计
（1）会计期间
北京豪威会计年度为公历1月1日起至12月31日止。
（2）记账本位币
北京豪威记账本位币为美元，北京豪威下属子公司、合营企业及联营企业，根据其经营所处的主要经济环境确定其记账本位币，编制合并报表时折算为人民币列报。
（3）外币折算
①外币交易
外币交易按交易发生日的即期汇率的近似汇率将外币金额折算为记账本位币入账。于资产负债表日，外币货币性项目采用资产负债表日的即期汇率折算为记账本位币。汇兑差额直接计入当期损益。以历史成本计量的外币非货币性项目，于资产负债表日采用交易发生日的即期汇率折算。汇率变动对现金的影响额在现金流量表中单独列示。
②财务报表的折算
北京豪威的记账本币为美元，将美元财务报表折算为以人民币列示时，资产
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）负债表中的资产和负债项目，采用资产负债表日的即期汇率折算，所有者权益中除未分配利润项目外，其他项目采用发生时的即期汇率折算。利润表中的收入与费用项目，采用交易发生当期平均汇率折算。上述折算产生的外币财务报表折算差额，计入其他综合收益。现金流量项目，采用现金流量发生当期平均汇率折算。
汇率变动对现金的影响额，在现金流量表中单独列示。
（4）收入成本的确认原则和计量方法
收入的金额按照北京豪威在日常经营活动中销售商品和提供劳务时，已收或应收合同或协议价款的公允价值确定。收入按扣除销售折让及销售退回的净额列示。与交易相关的经济利益能够流入北京豪威，相关的收入能够可靠计量且满足下列各项经营活动的特定收入确认标准时，确认相关的收入。
①销售商品
销售商品主要为图像传感器业务收入。北京豪威已将产品和商品所有权上的主要风险和报酬转移给购货方，并且不再对该产品和商品实施继续管理和控制，相关的收入和成本能够可靠计量时，确认销售收入的实现。
对以代销模式通过经销商销售的产品，北京豪威在经销商将产品销售给最终客户时确认收入的实现，同时结转成本。在代销模式下，经销商按与北京豪威约定的价格对最终客户销售产品，北京豪威向经销商支付销售佣金。
②提供劳务
北京豪威提供集成电路设计服务，于服务已提供且取得收取服务款的权利时确认。
2、会计政策和会计估计与同行业企业的差异及行业特殊会计处理政策
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，北京豪威所属行业为“C制造业”下的“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。北京豪威的会计政策和会计估计与同行业或同类型资产及上市公司不存在重大差异。
3、财务报表编制基础
北京豪威的财务报表以持续经营假设为基础，根据实际发生的交易和事项，根据财政部于 2006年 2月 15日及以后期间颁布的《企业会计准则—基本准则》
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）及各项具体会计准则及相关规定、以及中国证监会《公开发行证券的公司信息披露编报规则第15号—财务报告的一般规定》（2014年修订）的规定编制。
此外，北京豪威管理层根据《重组管理办法》及《26号准则》等相关法规中对于交易标的财务报告的要求，在编制财务报表时按与韦尔股份相同的会计制度和会计政策（包括会计估计）进行处理。
4、标的公司合并财务报表范围
截至2018年7月31日，北京豪威将以下公司纳入合并财务报表合并范围：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册地|持股比例|
|1|Seagull Investment Holdings Limited|开曼群岛|直接持股100%|
|2|Seagull International Limited|开曼群岛|间接持股100%|
|3|OmniVision Technologies, Inc.|美国|间接持股100%|
|4|OmniVision International Holding Ltd|开曼群岛|间接持股100%|
|5|OmniVision Technology International Ltd|开曼群岛|间接持股100%|
|6|OmniVision Technologies （Hong Kong）Company Limited|中国香港|间接持股100%|
|7|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Ltd.|中国香港|间接持股100%|
|8|OmniVision Technologies Development（Hong Kong）Company Limited|中国香港|间接持股100%|
|9|豪威半导体（上海）有限责任公司|中国|间接持股100%|
|10|豪威科技（上海）有限公司|中国|间接持股100%|
|11|台湾豪威科技有限公司|中国台湾|间接持股100%|
|12|台湾豪威国际科技有限公司|中国台湾|间接持股100%|
|13|北京豪威亦庄科技有限公司|中国|直接持股100%|
|14|上海全览半导体技术有限公司|中国|间接持股100%|
|15|OmniVision Optoelectronics Company Limited|开曼群岛|间接持股100%|
|16|豪威光电子科技（上海）有限公司|中国|间接持股100%|
|17|台湾豪威光电科技股份有限公司|中国台湾|间接持股100%|
|18|OmniVision Semiconductor Technologies MarketingIndia Private Limited|印度|间接持股100%|
|19|OmniVision Technologies Norway AS|挪威|间接持股100%|
|20|OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.|新加坡|间接持股100%|
|21|豪威科技（武汉）有限公司|中国|间接持股100%|
|22|OmniVision Technologies Japan G.K|日本|间接持股100%|
|23|OmniVision CDM Optics, Inc.|美国|间接持股100%|
|24|OmniVision Holding （Hong Kong） Company Limited|中国香港|间接持股100%|
|25|OmniVision Investment Holding （BVI） Ltd.|英属维尔京群岛|间接持股100%|

5、重大会计政策或会计估计与上市公司的差异
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）北京豪威的财务报表所依据的会计政策系按照财政部颁布的《企业会计准则—基本准则》以及其后颁布及修订的具体会计准则、应用指南、解释以及其他相关规定厘定。基于北京豪威被韦尔股份收购的意向，对于北京豪威与韦尔股份相同或类似业务相关的主要会计政策和会计估计，已按照韦尔股份的会计政策和会计估计进行了调整。
（十）资质证照与审批情况
截至2018年7月31日，北京豪威及其下属公司拥有的资质证书如下：
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|单位名称|许可证名称|许可证号|发证日|到期日|
|1|豪威半导体|高新技术企业证书|GF201531000272|2015.8.19|2018.8.18注|
|2|豪威科技（上海）|高新技术企业证书|GR201631001897|2016.11.24|2019.11.23|
|3|豪威科技（武汉）有限公司|技术先进型服务企业（批复）|武科[2016]24|2016.5.13|2018.12.31|
|4|豪威科技（上海）|技术先进型服务企业|JF20143101150040|2015.1.14|2018.12.31|

注：豪威半导体已重新申请高新技术企业认定并获通过，截至本报告书签署日，尚未取得新证书。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第五节标的资产的评估情况
本次交易标的资产经具有执行证券期货业务资格的上海立信资产评估有限公司进行评估。立信评估以2018年7月31日为评估基准日，对标的公司芯能投资、芯力投资股东全部权益进行评估，并分别出具了评估报告。
一、标的资产的评估基本情况
本次交易的标的资产为芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。
（一）评估方法的选择
企业价值评估的基本方法主要有收益法、市场法和资产基础法。
收益法，是指将评估对象预期收益资本化或者折现，确定其价值的评估方法。
市场法，是指将评估对象与可比上市公司或者可比交易案例进行比较，确定其价值的评估方法。
资产基础法，是指以评估对象在评估基准日的资产负债表为基础，评估表内及可识别的表外各项资产、负债价值，确定其价值的评估方法。
1、芯能投资评估方法的选择
芯能投资选用的评估方法为资产基础法。评估方法选择理由如下：
对市场法而言，由于无法取得与被评估企业相关行业、相关规模企业转让的公开交易案例，亦无法取得足够的参考企业，故本次评估不具备采用市场法的适用条件。
本次评估引用立信评估 2018年 11月 28日出具的《上海韦尔半导体股份有限公司拟发行股份购买资产并募集资金事宜所涉及的北京豪威科技有限公司股东全部权益价值资产评估报告》（信资评报字（2018）第40136号）资产评估报告及说明，对被投资单位北京豪威采用收益法及资产基础法进行了评估，评估结论采用收益法评估结果，评估值为人民币 141.31亿元。以北京豪威股东全部权益评估值乘以芯能投资持有北京豪威的股权比例结果作为长期股权投资的评估值，实质上相当于采用了收益法对芯能投资股权价值进行了评估，因此本项评估不采用收益法。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）因此本项评估排除了收益法及市场法而使用资产基础法进行评估。
2、芯力投资评估方法的选择
芯力投资评估方法的选择参见本节“芯能投资评估方法的选择”。
（二）评估结论
1、芯能投资
芯能投资在评估基准日 2018年 7月 31日的总资产账面价值为 54,431.60万元，总负债账面价值为0.10万元，净资产账面价值为54,431.50万元。
经资产基础法评估，芯能投资在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为 89,130.52万元，增值 34,699.02万元，增值率63.75%。主要为可供出售金融资产——北京豪威采用收益法评估较账面净资产增值所致。
2、芯力投资
芯力投资在评估基准日 2018年 7月 31日的总资产账面价值为 36,814.30万元，总负债账面价值为0.10万元，净资产账面价值为36,814.20万元。
经资产基础法评估，芯力投资在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为 59,900.12万元，增值 23,085.92万元，增值率62.71%。主要为可供出售金融资产——北京豪威采用收益法评估较账面净资产增值所致。
3、可供出售金融资产——北京豪威的评估结论
根据立信评估出具的《上海韦尔半导体股份有限公司拟发行股份购买资产并募集资金事宜所涉及的北京豪威科技有限公司股东全部权益价值资产评估报告》（信资评报字（2018）第40136号），立信评估分别采用收益法和资产基础法两种方法对北京豪威股东全部权益进行评估，最终选用收益法的评估结果作为本次评估结论。截至评估基准日2018年7月31日，北京豪威归属于母公司所有者权益957,186.83万元，评估值1,413,100.00万元，评估增值 455,913.17万元，增值率47.63%。
二、北京豪威股权评估
（一）收益法评估具体情况
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）1、收益法简介
（1）收益法简介及适用的前提条件
收益法是指通过估算被评估资产的未来预期收益并折算成现值，借以确定被评估资产价格的一种资产评估方法。
所谓收益现值，是指企业在未来特定时期内的预期收益按适当的折现率折算成当前价值（简称折现）的总金额。
收益法的基本原理是资产的购买者为购买资产而愿意支付的货币量不会超过该项资产未来所能带来的期望收益的折现值。
收益法的适用前提条件为：
①被评估资产必须是能够用货币衡量其未来期望收益的单项或整体资产；
②产权所有者所承担的风险也必须是能用货币来衡量；
③被评估资产预期收益年限可以预测。
（2）收益法计算公式及各项参数
①收益法的计算公式：
经营性资产是指与北京豪威生产经营相关的，评估基准日后企业自由现金流量预测所涉及的资产与负债，其计算公式为：
P=未来收益期内各期收益的现值之和+溢余资产/负债
n
F
 i
1 i
+ Y
(r)
i1
P：评估值（折现值）
r：所选取的折现率
n：收益年期
F：未来第i个收益期的预期收益额
i
②收益期
企业的收益期限可分为无限期和有限期两种。北京豪威成立于2015年7月，
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）为有限责任公司（中外合资），营业期限自2015年7月15日至2045年7月14日。北京豪威实际为控股公司，其控股的美国豪威为实质经营主体，美国豪威于1995年5月8日在美国加利福尼亚州成立。2000年3月27日，美国豪威在美国特拉华州重新注册。考虑到其所属行业的营业期限无特殊性，因此本次收益期按照无限期计算。当进行无限年期预测时，期末剩余资产价值可忽略不计。
通常预测的时间分为两个阶段，详细的预测期和后续期。本次评估的评估基准日为 2018年 7月 31日，根据公司的经营情况及本次评估目的，对 2018年 8月至2025年采用详细预测，并假定2025年以后年度委估公司的经营业绩将基本稳定在预测期2025年的水平。
采取8年的详细预测的主要原因系：美国税改后对此前未完税的境外利润需缴纳一次性汇回税。根据美国豪威管理层提供的测算文件，由于美国 2017年税改，美国豪威需要对税改前未完税的境外利润缴纳税款共计 2,834.95万美元，分八年缴纳，其中前五年每年缴纳率8%，第六年缴纳率15%，第七年缴纳率20%，第八年缴纳率25%。
对于除所得税以外的其他损益类科目详细预测至 2023年，2023年以后同2023年。
③收益法计算模型
本次评估采用收益法通过对企业整体价值的评估，扣减有息负债从而间接获得股东全部权益价值。
本次收益法评估的企业整体价值按下列公式计算：
企业整体价值=营业性资产价值+溢余资产/负债价值+非经营性资产/负债价值
股东权益价值=企业整体价值-有息债务
有息债务：指基准日账面上需要付息的债务
营业性资产价值按以下公式确定：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案） P为营业性资产价值；
r为折现率；
i为预测年度；
F为第i年净现金流量；
i
F为第n年终值；
n
n为预测第末年
④净现金流量的确定
本次评估采用的收益类型为企业自由现金流量，企业自由现金流量指的是归属于股东和付息债务的债权人在内的所有投资者的现金流量，其计算公式为：
企业自由现金流量=税后净利润+利息支出（扣除税务影响后）+资产减值损失加回+折旧与摊销-资本性支出-净营运资金变动
⑤折现率
按照收益额与折现率口径一致的原则，本次评估收益额口径为企业自由现金流量，则折现率选取加权平均资本成本(WACC)，其计算公式为：
WACC=K×W+K×(1-t)×W
e e d d
WACC：加权平均资本成本
K：公司普通权益资本成本
e
K：公司债务资本成本
d
W：权益资本在资本结构中的百分比
e
W：债务资本在资本结构中的百分比
d
t：公司所得税税率
其中权益资本成本将采用资产定价模型计算得出
K＝R+(R -R)×β+a
e g m g
R：无风险报酬率
g
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案） R：资本市场预期收益率
m
β：目标企业的β系数
a：企业个别风险调整系数
⑥溢余资产/负债及非经营性资产/负债价值的确定
溢余资产/负债是指与企业收益无直接关系、超过企业经营所需的多余资产/负债，主要包括溢余现金、收益法评估未包括的资产/负债等。非经营性资产/负债是指与企业收益无直接关系、不产生效益的资产/负债。溢余资产/负债和非经营性资产/负债视具体情况采用成本法、收益法或市场法评估。
（3）收益预测的假设前提
①一般性假设
A.北京豪威所在的行业保持稳定发展态势，所处国家现行的有关法律法规及政策、国家宏观经济形势无重大变化，本次交易各方所处地区的政治、经济和社会环境无重大变化；
B.北京豪威以目前的规模或目前资产决定的融资能力可达到的规模，按持续经营原则不考虑新增资本规模带来的收益；
C.北京豪威与国内外合作伙伴关系及其相互利益无重大变化；
D.国家现行的有关银行信贷利率、汇率，以及政策性收费等不发生重大变化；
E.现行税收法律制度不发生重大变化，所执行的税赋基准、税率、税收优惠政策等将保持不变，所有适用的法规都将得到遵循；
F.北京豪威在预测期内所处国家的居民消费和商品零售价格指数等指标与历史期间相比没有重大差别；
G.无其他人力不可抗拒及不可预见因素造成的重大不利影响。
②针对性假设
A.北京豪威的资产在评估基准日后不改变用途，仍持续使用；
B.北京豪威的现有和未来经营者是负责的，且企业管理能稳步推进公司的发展计划，尽力实现预计的经营态势；
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）C.北京豪威遵守国家相关法律和法规，不会出现影响公司发展和收益实现的重大违规事项；
D.北京豪威提供的历年财务资料所采用的会计政策和进行收益预测时所采用的会计政策与会计核算方法在重要方面基本一致；
E.北京豪威在未来经营期内的资产构成，主营业务、产品的结构，收入与成本费用的构成以及销售策略、成本费用控制、结算周期等仍保持其于基准日所确定的状态持续，而不发生较大变化。不考虑未来可能由于管理层、经营策略以及商业环境等变化导致的资产规模、构成以及主营业务、产品结构等状况的变化；
F.北京豪威所有的收入和支出均发生于年末；
G.评估范围仅以委托方及北京豪威申报评估的范围为准，不考虑与列入评估范围的资产和负债有关系的其他抵押、质押、担保、或有资产、或有负债等事项在基准日后可能发生的对评估结论的影响；
H.北京豪威各级业务子公司分布在世界各地，不同国家的税率存在较大的差异。本次收益法预测以符合所在国税收政策为前提，原则上各公司所在地实现收益留存当地，未考虑评估基准日后形成的特别税费负担或利润收回成本对评估结论的影响。
2、收益法评估过程
（1）营业收入的预测
①行业内上市公司经营业绩分析
根据同花顺iFinD，国外同行业主要上市公司2015-2017年营业收入如下：单位：万美元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|安森美半导体|349,580.00|390,690.00|554,310.00|
|日月光投资控股|888,153.45|879,079.37|992,437.61|
|中芯国际|223,641.50|291,418.00|310,117.50|
|亚德诺|343,509.20|342,140.90|510,750.30|
|意法半导体|686,600.00|694,400.00|830,800.00|
|高通|2,528,100.00|2,355,400.00|2,229,100.00|

国外主要上市公司2015-2017年营业收入年增长率如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年（%）|2016年（%）|2017年（%）|
|安森美半导体|10.56|11.76|41.88|
|日月光投资控股|6.54|-1.02|12.90|
|中芯国际|13.53|30.31|6.42|
|亚德诺|19.91|-0.40|49.28|
|意法半导体|-6.39|1.14|19.64|
|高通|-4.55|-6.83|-5.36|
|平均值|6.60|5.83|20.79|

根据同花顺iFinD，国内同行业主要上市公司2015-2017年营业收入如下：单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|83,389.34|119,016.28|146,950.84|
|富瀚微|18,160.84|32,169.60|44,921.30|
|捷捷微电|24,146.27|33,160.86|43,080.69|
|圣邦股份|39,445.30|45,196.19|53,150.53|
|富满电子|27,322.92|32,964.28|43,973.44|
|国科微|36,708.74|48,902.67|41,175.18|
|上海贝岭|48,921.02|50,909.39|56,187.40|
|华微电子|130,065.97|139,586.35|163,489.03|
|汇顶科技|111,960.13|307,933.13|368,159.43|
|韦尔股份|198,327.12|216,076.95|240,591.63|
|兆易创新|118,878.02|148,894.82|202,970.88|

国内主要上市公司2015-2017年营业收入年增长率如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|28.72|42.72|23.47|
|富瀚微|3.79|77.14|39.64|
|捷捷微电|6.00|37.33|29.91|
|圣邦股份|21.03|14.58|17.60|
|富满电子|6.87|20.65|33.40|
|国科微|103.00|33.22|-15.80|
|上海贝岭|4.55|4.06|10.37|
|华微电子|5.25|7.32|17.12|
|汇顶科技|31.15|175.04|19.56|
|韦尔股份|40.89|8.95|11.35|
|兆易创新|25.57|25.25|36.32|
|平均值|25.17|40.57|20.27|

由上表可知，国外主要上市公司 2015-2017年营业收入年增长率平均值分别
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）为6.60%、5.83%和20.79%，国内主要上市公司 2015-2017年营业收入年增长率平均值分别为25.17%、40.57%和20.27%。国内外同行业上市公司营业收入总体均呈增长趋势，但国内企业增长率较高，其主要原因为：
A.国外上市公司的体量大、起步早，已经进入了比较平稳的发展期，产品营销渠道和客户群体已经稳定，市场占有的份额也已经相对稳定，因此营业收入增长率较为平稳。
B.国内上市公司相对国外上市公司的体量较小、起步较晚，仍处在高速发展的成长期，营业收入绝对值低于国外同行业公司，但增长率较高。
包括中国在内的亚太市场是集成电路行业发展速度最快的区域，也是北京豪威最重要的经销区域和目标市场。北京豪威具有较强的技术研发能力和品牌优势，亚太地区集成电路行业的高速发展有助于该领域优秀企业实现更快的业绩增长。
本次对于北京豪威以后年度的收入预测，主要是依据宏观经济环境、半导体行业现状、CMOS图像处理行业状况和发展前景、北京豪威现在所处的行业地位及市场份额、历史收入、成本和费用的构成以及企业综合实力、管理水平、竞争优势等因素做出的综合判断。
②营业收入预测
国外主要上市公司 2015-2017年营业收入年增长率平均值为11.07%，国内主要上市公司 2015-2017年营业收入年增长率平均值为28.67%，北京豪威营业收入未来五年的年复合增长率为7.73%，低于国内外同行业平均增长水平。结合北京豪威历史经营业绩、同行业经营状况以及整个行业现处的阶段分析，北京豪威以后年度营业收入预测如下：
单位：万美元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|图像传感器|51,388.82|136,885.18|149,735.75|162,873.42|178,419.22|191,171.77|
|其他产品|3,930.12|12,828.05|17,124.79|21,019.29|22,841.63|24,161.53|
|服务收入|93.39|450.00|825.00|1,425.00|1,875.00|2,550.00|
|合计|55,412.32|150,163.23|167,685.54|185,317.71|203,135.85|217,883.30|

（2）营业成本预测
①行业内上市公司经营业绩分析
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）根据同花顺iFinD，国外同行业主要上市公司2015-2017年营业成本如下：单位：万美元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|安森美半导体|230,260.00|261,000.00|350,930.00|
|日月光投资控股|730,979.51|708,964.26|812,251.44|
|中芯国际|155,379.50|206,449.90|236,043.10|
|意法半导体|456,500.00|451,800.00|507,900.00|
|高通|1,037,800.00|974,900.00|979,200.00|

国外同行业主要上市公司2015-2017年营业成本占营业收入的比例如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|安森美半导体|65.87|66.80|63.31|
|日月光投资控股|82.30|80.65|81.84|
|中芯国际|69.48|70.84|76.11|
|意法半导体|66.49|65.06|61.13|
|高通|41.05|41.39|43.93|
|平均值|65.04|64.95|65.26|

根据同花顺iFinD，国内主要上市公司2015-2017年营业成本如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|54,507.08|76,937.70|94,672.54|
|富瀚微|7,998.08|13,846.13|23,538.89|
|捷捷微电|11,324.07|14,993.40|19,007.28|
|圣邦股份|23,410.46|27,008.61|30,068.19|
|富满电子|19,180.88|23,628.71|31,391.92|
|国科微|19,269.00|24,313.63|24,541.27|
|上海贝岭|36,662.26|37,726.39|42,626.46|
|华微电子|101,204.75|112,238.26|129,649.99|
|汇顶科技|47,185.38|162,759.58|194,688.31|
|韦尔股份|160,128.95|172,609.12|191,185.28|
|兆易创新|84,800.27|109,109.04|123,485.22|

国内主要上市公司2015-2017年营业成本占营业收入的比例如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|65.36|64.64|64.42|
|富瀚微|44.04|43.04|52.40|
|捷捷微电|46.90|45.21|44.12|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|圣邦股份|59.35|59.76|56.57|
|富满电子|70.20|71.68|71.39|
|国科微|52.49|49.72|59.60|
|上海贝岭|74.94|74.10|75.86|
|华微电子|77.81|80.41|79.30|
|汇顶科技|42.14|52.86|52.88|
|韦尔股份|80.74|79.88|79.46|
|兆易创新|71.33|73.28|60.84|
|平均值|62.30|63.14|63.35|

由上表可知，国外主要上市公司 2015-2017年营业成本占营业收入的比例平均值分别为65.04%、64.95%和65.26%，毛利率水平在35%左右；国内主要上市公司 2015-2017年营业成本占营业收入的比例平均值分别为62.30%、63.14%和63.35%，毛利率水平在37%左右。
北京豪威2016年、2017年及2018年1-7月毛利率分别为15.75%、23.13%和 23.89%。2016年北京豪威毛利率较低，主要原因为：首先，美国豪威 2014年8月正式启动私有化进程，整个私有化过程将近两年，对美国豪威经营管理造成了一定程度的不利影响。其次，2016年 1月 28日北京豪威收购美国豪威时，确认了存货的公允价值增值，在销售这批存货时，把较高的公允价值确认为成本，直接影响了2016年的毛利率。
随着美国豪威私有化、北京豪威收购美国豪威带来的影响逐渐消除，同时随着北京豪威多项产品产量的提高，以及同上游晶圆代工厂战略合作的加深，有助于北京豪威获得更优惠的供应商供货条件，有助于主营业务成本的降低，以后年度的毛利率将会提升。
②营业成本预测
国外主要上市公司2015-2017年毛利率水平在35%左右；国内主要上市公司2015-2017年毛利率水平在37%左右。北京豪威预测期间内平均毛利率为25.50%，结合北京豪威历史经营业绩、同行业经营状况以及整个行业现处的阶段分析，综上，北京豪威以后年度营业务成本预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|图像传感器|38,018.16|106,283.56|115,253.28|125,164.14|135,862.26|145,491.18|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|其他产品|2,539.62|7,577.05|9,819.83|12,031.30|12,967.44|13,693.73|
|服务收入|630.70|250.61|428.01|703.90|963.69|1,352.59|
|合计|41,188.48|114,111.22|125,501.11|137,899.33|149,793.38|160,537.50|

（3）其他业务利润预测
北京豪威2016年、2017年和2018年1-7月其他业务利润如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|其他业务收入|182.66|248.13|182.54|
|其他业务成本|13.77|23.61|42.60|
|其他业务利润|168.89|224.52|139.94|

北京豪威其他业务主要系下属公司豪威科技（上海）对外出租办公场所的租金收入及相关成本。本次评估已在非经营性资产中对这部分价值加回，故本次评估不对其他业务利润进行预测。
（4）税金及附加预测
本次按照历史年度税金及附加占北京豪威营业收入的比例进行预测，北京豪威以后年度的税金及附加预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|税金及附加|49.09|133.03|148.56|164.18|179.96|193.03|
|占营业收入比例（%）|0.09|0.09|0.09|0.09|0.09|0.09|

（5）期间费用预测
截至评估基准日，北京豪威共有付息债务 27,972.34万美元，其中：一年内到期非流动负债为9,000.00万美元、长期借款为18,972.34万美元。
经审计报告披露，北京豪威用于支付合并交易的收购对价的借款将于 2020年2月3日还完。考虑到企业未来规模扩大，需要保持一定借款来保障企业正常经营，本次财务费用的评估按照基准日的借款规模和基准日的实际借款利率4.1313%进行预测。
综上，北京豪威以后年度财务费用如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|财务费用|481.50|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|
|占营业收入比例（%）|0.87|0.77|0.69|0.62|0.57|0.53|

基于北京豪威历史期间费用数据，以及未来正常生产经营所需必要支出，北京豪威以后年度的期间费用预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|销售费用|1,718.32|4,533.98|4,850.94|5,046.55|5,429.93|5,820.40|
|占营业收入的比例（%）|3.10|3.02|2.89|2.72|2.67|2.67|
|管理费用|1,384.94|3,072.20|3,263.90|3,393.87|3,527.57|3,667.27|
|占营业收入的比例（%）|2.50|2.05|1.95|1.83|1.74|1.68|
|研发费用|5,449.09|14,328.98|15,338.31|15,734.71|16,463.67|17,323.11|
|占营业收入的比例（%）|9.83|9.54|9.15|8.49|8.10|7.95|
|财务费用|481.50|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|
|占营业收入的比例（%）|0.87|0.77|0.69|0.62|0.57|0.53|
|金额合计|9,033.85|23,090.77|24,608.76|25,330.74|26,576.78|27,966.39|
|占比合计|16.30|15.38|14.68|13.67|13.08|12.84|

（6）其他收支预测
①资产减值损失的预测
基于北京豪威历史数据，按照5%的坏账准备以及2017年存货跌价准备规模，北京豪威以后年度的资产减值损失预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|资产减值损失|2,537.07|2,049.61|2,254.19|2,476.88|2,690.52|2,883.50|
|占营业收入比例（%）|4.58|1.36|1.34|1.33|1.32|1.32|

②投资收益、资产处置收益、其他收益和营业外收支的预测
北京豪威历史上的投资收益主要为处置苏州晶方带来的收益，本次评估已在非经营性资产中对这部分价值加回，故本次评估不对投资收益进行预测。
资产处置收益、其他收益存在较大不确定性，本次评估不对其进行预测。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）营业外收支存在偶然性，本次评估不对营业外收支进行预测。
（7）所得税预测
北京豪威企业所得税预测分为以下四个部分，分别为：
①计入新加坡豪威（OmniVision Technologies Singapore Pte.Ltd.）的企业所得税；
②计入美国豪威的企业所得税；
③计入合并范围内除美国豪威、新加坡豪威以外其他公司的企业所得税；
④美国税改后对此前未完税的境外利润缴纳的一次性汇回税。
北京豪威以后年度的所得税预测如下：
单位：万美元
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|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|2024年|2025年|
|第一部分|97.75|264.89|295.80|326.90|358.33|384.35|384.35|384.35|
|第二部分|—|—|—|—|—|—|—|—|
|第三部分|20.83|50.00|50.00|50.00|50.00|50.00|50.00|50.00|
|第四部分|226.80|226.80|226.80|226.80|226.80|425.24|566.99|708.74|
|所得税合计|345.38|541.68|572.59|603.70|635.13|859.59|1,001.34|1,143.08|

（8）净利润的预测
北京豪威以后年度净利润预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|
|利润总额|2,603.83|10,778.60|15,172.92|19,446.58|
|所得税|345.38|541.68|572.59|603.70|
|净利润|2,258.45|10,236.92|14,600.33|18,842.89|
|项目|2022年|2023年|2024年|2025年|
|利润总额|23,895.21|26,302.89|26,302.89|26,302.89|
|所得税|635.13|859.59|1,001.34|1,143.08|
|净利润|23,260.09|25,443.30|25,301.55|25,159.81|

（9）资本性支出预测
北京豪威以后年度资本性支出预测如下：
单位：万美元
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|
|资本性支出及资产更新|1,301.06|1,416.90|1,344.75|1,373.98|2,192.44|
|项目|2023年|2024年|2025年|2025年以后|—|
|资本性支出及资产更新|2,192.44|3,831.13|3,831.13|3,831.13|—|

（10）折旧和摊销的预测
根据北京豪威在评估基准日的存量固定资产、长期待摊费用计算得到以后年度折旧和摊销支出预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|2023年以后|
|折旧和摊销|1,714.06|2,972.93|3,229.12|3,476.74|3,781.66|3,831.13|3,831.13|

（11）营运资金追加的预测
营运资本是指企业经营性流动资产与流动负债的差额，反映企业在未来经营活动中是否需要追加额外的现金。如果经营性流动资产大于流动负债，则企业需要额外补充现金，在现金流量预测中表现为现金流出，反之为现金流入。
随着企业经营活动范围或规模的扩大，企业向客户提供的正常商业信用会相应增加，为扩大销售所需增加的存货储备也会占用更多的资金。同时为满足企业日常经营性支付所需保持的现金余额也要增加，从而需要占用更多的流动资金，但企业同时通过从供应商处获得正常的商业信用，减少资金的即时支付，相应节省了部分流动资金。
流动资金的追加需考虑应收账款、预付账款、存货、经营性现金、应付账款、预收账款等因素的影响。本次对营运资本的变化预测思路如下：首先分别对未来经营性营运资产、营运负债进行预测，得出营运资本；然后将营运资本与上一年度的营运资本进行比较；如果大于则表现为现金流出，反之为现金流入。
北京豪威以后年度营运资金追加的预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|
|营运资金追加|1,404.95|8,739.32|7,224.23|8,151.02|7,374.88|
|项目|2023年|2024年|2025年|2025年以后|—|
|营运资金追加|7,221.37|—|—|—|—|

*2023年以后营运资金稳定不再追加。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（12）企业自由现金流量的计算
本次评估采用的收益类型为企业自由现金流量，企业自由现金流量指的是归属于股东和付息债务的债权人在内的所有投资者的现金流量，其计算公式为：
企业自由现金流量=税后净利润+利息支出（扣除税务影响后）+资产减值损失加回+折旧与摊销-资本性支出-净营运资金变动
假定2025年后北京豪威经营规模以 2025年为准，不考虑生产经营规模的变化，并且北京豪威按规定提取的固定资产折旧全部用于原有固定资产的维护和更新，并假定此种措施足以并恰好保持北京豪威的经营能力维持不变。北京豪威未来各年度净现金流量预测如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|
|净利润|2,258.45|10,236.92|14,600.33|18,842.89|23,260.09|
|加：利息支出*（1-所得税率）|481.50|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|
|加：资产减值损失加回|2,537.07|2,049.61|2,254.19|2,476.88|2,690.52|
|加：折旧和摊销|1,714.06|2,972.93|3,229.12|3,476.74|3,781.66|
|减：资本性支出|1,301.06|1,416.90|1,344.75|1,373.98|2,192.44|
|减：营运资金追加|1,404.95|8,739.32|7,224.23|8,151.02|7,374.88|
|企业自由现金流量|4,285.08|6,258.84|12,670.27|16,427.11|21,320.54|
|项目|2023年|2024年|2025年|2025年以后|—|
|净利润|25,443.30|25,301.55|25,159.81|25,868.54|—|
|加：利息支出*（1-所得税率）|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|—|
|加：存货跌价准备加回|2,883.50|2,883.50|2,883.50|2,883.50|—|
|加：折旧和摊销|3,831.13|3,831.13|3,831.13|3,831.13|—|
|减：资本性支出|2,192.44|3,831.13|3,831.13|3,831.13|—|
|减：营运资金追加|7,221.37|-|-|-|—|
|企业自由现金流量|23,899.73|29,340.66|29,198.91|29,907.65|—|

（13）溢余资产/负债和非经营性资产/负债的确定
溢余资产/负债是指与企业收益无直接关系、超过企业经营所需的多余资产/负债，主要包括溢余现金、收益法评估未包括的资产/负债等。非经营性资产/负
债是指与企业收益无直接关系、不产生效益的资产/负债。溢余资产/负债和非经
营性资产/负债视具体情况采用成本法、收益法或市场法评估。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）溢余资产/负债及非经营性资产/负债的处理与企业的资产负债结构密切相关。
评估基准日2018年7月31日，北京豪威账面有以下一些资产（负债）的价值在本次估算的净现金流量中未予考虑，属于本次评估所估算现金流之外的溢余或非经营性资产（负债）：
①北京豪威评估基准日其他流动资产-处置苏州晶方的股份带来的收益共计人民币6,430.96万元，确认该款项属于评估基准日非经营性资产；
②纳入本次合并范围的子公司豪威科技（上海）有限公司用于对外出租的投资性房地产评估价值为人民币 19,622.00万元，确认该资产属于评估基准日非经营性资产；
③北京豪威评估基准日其他非流动资产-预付给合作方的用于合作项目的投资款项共计人民币39,217.66万元，确认该款项属于评估基准日非经营性资产；
④北京豪威评估基准日其他应付款中有股东溢缴的投资款共计人民币613.33万元，确认该款项属于评估基准日非经营性负债；
⑤北京豪威评估基准日预计负债账面值人民币 77,789.15万元，系根据美国税务改革，过渡税的计算允许公司抵扣部分以前年度计提的不确定税项，共计人民币77,789.15万元；
⑥北京豪威与部分晶圆代工厂签订了不可撤销的采购合同，因预计最终产品的可变现净值下降，导致履行该合同的预计成本超过预计收入而产生预计亏损。
对于截至评估基准日尚未履行完毕的采购合同，计提了相关存货跌价准备，并且按预计亏损超过已计提的存货跌价准备的部分，计入其他流动负债的一年内到期的亏损合同拨备共计人民币2,621.11万元
综上，北京豪威溢余资产合计人民币 65,270.63万元，溢余负债人民币81,023.59万元。
（14）有息负债的确定
北京豪威在评估基准日账面一年内到期非流动负债 61,348.50万元，长期借款129,324.99万元，共计190,673.49万元。本次将其作为有息负债扣除。
（15）收益法评估结果
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）经收益法评估，北京豪威在评估基准日 2018年7月31日的归属于母公司所有者权益的评估值为人民币1,413,100.00万元
（二）资产基础法评估具体情况
1、流动资产评估情况
（1）货币资金评估情况
货币资金账面值80,532,629.99美元，系银行存款。
单位：美元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|货币资金|80,532,629.99|80,532,629.99|

（2）应收款项评估情况（预付账款）
预付账款账面值为16,923.56美元，仅有明细1项，系预付的保险费。
单位：美元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|预付账款|16,923.56|16,923.56|

（3）应收利息评估情况
应收利息账面值为66,604.83美元，系应收定期存款利息。
单位：美元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|应收利息|66,604.83|66,604.83|

（4）其他流动资产评估情况
其他流动资产账面值40,739.30美元，仅有1笔明细，系可抵扣的进项税。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|其他流动资产|40,739.30|40,739.30|

2、长期股权投资评估情况
本次评估中对该些单位长期投资评估值确定如下：
单位：美元
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|-|-|-|-|-|
|序号|被投资单位名称|被投资企业评估值|持股比例（%）|长期投资评估值|
|1|Seagull Investment Holdings Limited|647,341,619.98|100.00|647,341,619.98|
|2|北京豪威亦庄科技有限公司|0.00|100.00|0.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|合计|647,341,619.98|100.00|647,341,619.98|

长期股权投资评估值为647,341,619.98美元。
单位：美元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|长期股权投资|1,210,000,000.00|647,341,619.98|

长期股权投资账面值为1,210,000,000.00美元，评估值647,341,619.98美元，评估减值562,658,380.02美元，减值率46.50%，长期股权投资减值的主要原因是：资产占有方对长期股权投资的利润的会计处理方式与评估处理方式不同。
3、负债评估情况
负债是企业承担的能以货币计量的需以未来资产或劳务来偿还的经济债务。
负债评估的重点是检验核实各项负债在评估目的实现后，公司实际支付给债权人的债务额。
北京豪威的负债包括应付职工薪酬、应交税费和其他应付款。
（1）应付职工薪酬评估情况
应付职工薪酬账面值为15,917.47美元，系应付职工的工资、福利费等。
单位：美元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|递延所得税资产|15,917.47|15,917.47|

（2）应交税费评估情况
应交税费账面金额4,307.07美元，仅有明细1项，系应交的个人所得税。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|应交税费|4,307.07|4,307.07|

（3）其他应付款评估情况
其他应付款账面值为899,774.31美元，仅有明细1项，系北京集成电路设计与封测股权投资中心(有限合伙)股东溢缴投资款899,774.31美元。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|其他应付款|899,774.31|899,774.31|

4、资产基础法评估结果
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）经资产基础法评估，北京豪威在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为 72,707.85万美元。根据外汇管理局发布的 2018年 7月 31日美元对人民币汇率为6.8165，折算人民币评估值495,613.07万元。
总资产账面值 129,065.69万美元，评估值 72,799.85万美元，评估减值56,265.84万美元，减值率43.59%；
总负债账面值92.00万美元，评估值92.00万美元，无增减变动；
净资产账面值 128,973.69万美元，评估值 72,707.85万美元，评估减值56,265.84万美元，减值率43.63%。
单位：万美元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|账面净值|评估值|增减额|增减率（%）|
||A|B|C=B-A|D=C/A|
|流动资产|8,065.69|8,065.69|-|-|
|非流动资产|121,000.00|64,734.16|-56,265.84|-46.50|
|其中：长期股权投资|121,000.00|64,734.16|-56,265.84|-46.50|
|资产总计|129,065.69|72,799.85|-56,265.84|-43.59|
|流动负债|92.00|92.00|-|-|
|负债总计|92.00|92.00|-|-|
|净资产|128,973.69|72,707.85|-56,265.84|-43.63|

本次评估减值56,265.84万美元，评估减值原因分析如下：
长期股权投资账面值为1,210,000,000.00美元，评估值647,341,619.98美元，评估减值562,658,380.02美元，减值率46.50%，长期股权投资减值的主要原因是：资产占有方对长期股权投资的利润的会计处理方式与评估处理方式不同。
（三）评估结论的分析及采用
1、收益法评估结果
经收益法评估，北京豪威在评估基准日 2018年7月31日的归属于母公司所有者权益的评估值为人民币1,413,100.00万元。
2、资产基础法评估结果
经资产基础法评估，北京豪威在评估基准日2018年7月31日的股东全部权
益评估值为人民币495,613.07万元。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）3、评估结果选取的理由
北京豪威收益法和资产基础法评估结果差异主要有以下几点原因：
（1）资产基础法是从资产的再取得途径考虑的，反映的是企业现有资产的重置价值。收益法是从企业的未来获利能力角度考虑的，反映了企业各项资产的综合获利能力。北京豪威成立于 2015年 7月，自成立至今，有着较强的盈利能力，且未来增长预期良好，使得收益法评估结果有较大幅度的增值。收益法评估结果与资产基础法评估结果之间的差异是收益法能够体现出未来的这种盈利能力。
（2）收益法在评估过程中不仅考虑了北京豪威申报的账内账外资产，同时也考虑了如企业拥有的业务资质认证、稳定客户资源、科学的生产经营管理水平、雄厚的新产品研发队伍等对获利能力产生重大影响的因素，而这些因素未能在资产基础法中予以体现。
（3）资产基础法仅为单项资产价值叠加，而收益法考虑了各项资产共同作用的协同效应。
（4）北京豪威经营受益于客户资源优势、行业运作经验、技术优势、市场开拓能力等因素的盈利能力之间的相关性更为密切，选用收益法能够更加充分、全面地反映被评估企业的股东全部权益价值。
（5）根据本项评估目的和委托评估资产的具体情况，在资产价值实现的最大化原则下，依照企业规划的经营管理模式和客户资源条件，收益法更能体现企业整体价值。
因此，北京豪威评估采用收益法的评估结果。
三、独立董事对本次交易评估事项的意见
1、担任本次交易评估机构的上海立信资产评估有限公司具有证券业务资格，评估机构的选聘程序合法合规，评估机构及经办评估师与公司、交易对方均不存在关联关系，不存在除专业收费外的现实的和预期的利害关系，具有充分的独立性，能够胜任本次交易资产评估相关的工作。
2、评估机构和评估人员所设定的评估假设前提和限制条件按照国家有关法
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）规和规定执行、遵循了市场通用的惯例或准则、符合评估对象的实际情况，评估假设前提具有合理性。
3、本次评估的目的是确定标的资产于评估基准日的市场价值，评估机构实际评估的资产范围与委托评估的资产范围一致。本次评估对芯能投资、芯力投资采用资产基础法进行了评估，并将资产基础法的评估结果作为最终评估结论。本次资产评估工作按照国家有关法规与行业规范的要求，评估机构在评估过程中实施了相应的评估程序，遵循了独立性、客观性、科学性、公正性等原则，运用了合规且符合标的资产实际情况的评估方法，选用的参照数据、资料可靠；资产评估价值公允、准确。评估方法选用恰当，评估结论合理，评估方法与评估目的相关性一致。
4、本次交易在云交所的组织下进行，本次交易的挂牌价格以资产评估为基础，由于公司是唯一的意向受让方，因此最终交易价格即公司提交的报价即标的资产的挂牌底价，本次交易的交易定价方式公允，整个交易安排不存在损害上市公司股东，特别是中小股东利益的情形。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第六节本次交易的主要合同
一、关于芯能投资100%股权的产权交易合同
（一）合同主体、签订时间
转让方：瑞滇投资管理有限公司（以下简称“甲方”）
受让方：上海韦尔半导体股份有限公司（以下简称“乙方”）
产权转让标的：甲方持有的芯能投资100%股权。
合同签订时间：2018年11月28日
（二）交易价格及定价依据
甲方将芯能投资100%股权以人民币（大写）拾亿零玖佰壹拾玖万壹仟捌佰玖拾元（￥1,009,191,890）转让给乙方。
（三）支付方式
乙方将以现金方式支付本项交易的股权转让价款。
本合同生效后5个工作日内，乙方支付30%股权转让价款至云交所资金监管账户（以到账为准），即人民币 302,757,567元；剩余股权转让价款于本合同生效之日起30个工作日内付清（以到达云交所资金监管账户为准）。
（四）资产交付的时间安排
甲方应当于乙方支付完毕股权转让价款后 10个工作日内要求标的公司将乙方的名称、住所、受让的出资额记载于股东名册，向乙方出具股权凭证，并办理本项交易的工商变更登记手续。本项交易完成工商变更登记之日为“交割日”。在交割日后的5个工作日内，甲方应当将标的公司所有的印章、证照、文件及其他资产（如有）交付给乙方。
（五）交易标的的自定价基准日至交割日期间损益的归属
评估基准日至标的公司股东变更工商登记手续办理完毕期间标的公司的损益由乙方承担或享有。
（六）合同的生效条件和生效时间
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）本合同自甲、乙双方法定代表人或委托代理人签字并加盖公章后生效。
国家法律、法规对本合同生效另有规定的，从其规定。
（七）合同附带的条款
甲方声明和承诺：
1、甲方合法拥有本合同项下所转让的股权，并具备相关的有效法律文件。
2、甲方已取得签订并履行本合同所需的一切批准、授权或许可。
3、甲方保证签署和履行本合同不会：①导致违反甲方及标的公司的组织文件的任何规定；②导致违反以甲方或标的公司中的任何一个为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于甲方或标的公司的法律。
4、甲方保证其目前不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本合同构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
5、甲方保证真实合法拥有标的资产的所有权，不存在任何争议或潜在纠纷，标的资产、标的公司的全部资产均系合法取得并真实拥有。标的资产、标的公司的资产之上没有设置抵押、质押、留置等任何担保权益，也不存在可能导致标的资产、标的公司的资产被有关司法机关或行政机关查封、冻结、征用或限制转让的未决或潜在的诉讼、仲裁以及任何其他行政或司法程序。甲方保证标的公司拥有、使用该等资产未侵犯任何第三方的权利，没有任何其他第三方会对该等资产以任何形式主张任何权利。如果对于标的资产及标的公司的资产存在其他权利主张，甲方保证有能力自行将该等他项权利的主张及时予以消除并承担全部相关费用，以维护乙方的合法权益。
6、甲方保证其提供的标的公司的资料真实、有效、完整、准确，保证标的公司于交割日前不存在账外资产，不存在账外负债及或有负债，不存在任何对本项交易构成实质性障碍的尚未了结的或潜在的诉讼、仲裁、行政处罚案件。
7、标的公司如有在交割日前未依法足额缴纳或支付的税负、政府收费、强制的社会保险费和住房公积金等员工福利（已在账上计提的部分除外），有权部门或权利人在任何时候要求标的公司补缴，或对标的公司处罚，或向标的公司追
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）索，甲方将全额承担该补缴、被处罚或被追索的支出及费用，且在承担后不得向标的公司追偿，保证标的公司均不会因此遭受任何损失。
8、甲方应当促使标的公司在本合同签署日至交割日前：①在正常业务过程中按照与以往惯例及谨慎商业惯例一致的方式经营主营业务；②为了乙方的利益，尽最大努力维护用于主营业务的所有资产保持良好状态，维护与客户、供应商、员工和其他相关方的所有良好关系。同时，甲方应当促使标的公司不得：①分配任何红利或进行其他分配；②制定任何股权计划、股权激励计划；③放弃任何重大权利；④不得为股东或其他除标的公司以外的任何主体提供资金、资源或担保；
⑤不得从事任何导致其财务状况、经营状况发生任何不利变化的任何交易、行为；
或⑥处置标的公司的资产和技术（正常的业务经营过程中发生的除外）。
9、甲方保证标的公司：①遵守其章程和所有适用法律的规定，及②已适当获得并持有开展目前业务所需的一切许可、批准等经营资质和政府批准或备案手续。
10、甲方保证截至交割日标的公司没有为任何人的债务提供担保。本项交易完成后，如标的公司存在任何未向乙方披露的对外担保给标的公司或乙方造成损失的，甲方应当承担赔偿责任。
11、甲方同意对乙方由于任何甲方陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）向乙方予以赔偿。
以上声明和承诺，在本合同签订后将持续、全面有效。
乙方声明和承诺：
1、乙方应按照本合同的约定及时足额支付款项。
2、乙方保证签署和履行本协议不会：①导致违反乙方的组织文件的任何规定；②导致违反以乙方为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于乙方的法律。
3、乙方保证其不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）4、乙方同意对甲方由于任何乙方陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）予以赔偿。
（八）关于境外审查机构对本项交易的审查
本协议签署后，如果境外审查机构强制要求对本项交易进行审查，则双方同意无条件配合境外审查机构对本项交易的审查，包括但不限于提供相关资料，签署必要的文件等。如因境外审查机构的审查导致本项交易最终无法完成，则乙方有权单方解除本协议；如境外审查机构对本项交易提出整改要求，则双方同意以不损害乙方利益为原则共同商讨解决方案，并按照境外审查机构的要求进行整改。
如因上述情形导致乙方遭受损失的，甲方应当尽力配合商讨解决方案，并保障乙方的利益不受损害。
（九）违约责任条款
1、甲方若未按照本合同第八条的约定配合乙方办理产权持有主体的权利交接或产权转让的工商变更登记手续，每逾期一日应按交易价款的万分之三向乙方支付违约金，逾期超过30日的，乙方有权解除合同，并要求甲方赔偿损失。
2、乙方若未按照本合同第七条的约定支付价款，每逾期一日应按逾期支付部分价款的万分之三向甲方支付违约金，逾期超过30日的，甲方有权解除合同，并要求乙方赔偿损失。
3、任何一方违反本合同第十条约定的义务，应当向另一方承担相应的赔偿责任。
二、关于芯力投资100%股权的产权交易合同
（一）合同主体、签订时间
转让方：瑞滇投资管理有限公司（以下简称“甲方”）
受让方：上海韦尔半导体股份有限公司（以下简称“乙方”）
产权转让标的：甲方持有的芯力投资100%股权。
合同签订时间：2018年11月28日
（二）交易价格及定价依据
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）甲方将芯力投资100%股权以人民币（大写）陆亿柒仟捌佰贰拾贰万柒仟叁佰陆拾元（￥678,227,360）转让给乙方。
（三）支付方式
乙方将以现金方式支付本项交易的股权转让价款。
转让价款支付采用分期付款的方式：本合同生效后5个工作日内，乙方支付30%股权转让价款至云交所资金监管账户（以到账为准），即人民币 203,468,208元；剩余股权转让价款于本合同生效之日起 30个工作日内付清（以到达云交所资金监管账户为准）。
（四）资产交付的时间安排
甲方应当于乙方支付完毕股权转让价款后 10个工作日内要求标的公司将乙方的名称、住所、受让的出资额记载于股东名册，向乙方出具股权凭证，并办理本项交易的工商变更登记手续。本项交易完成工商变更登记之日为“交割日”。在交割日后的5个工作日内，甲方应当将标的公司所有的印章、证照、文件及其他资产（如有）交付给乙方。
（五）交易标的的自定价基准日至交割日期间损益的归属
评估基准日至标的公司股东变更工商登记手续办理完毕期间标的公司的损益由乙方承担或享有。
（六）合同的生效条件和生效时间
本合同自甲、乙双方法定代表人或委托代理人签字并加盖公章后生效。
国家法律、法规对本合同生效另有规定的，从其规定。
（七）合同附带的条款
甲方声明和承诺：
1、甲方合法拥有本合同项下所转让的股权，并具备相关的有效法律文件。
2、甲方已取得签订并履行本合同所需的一切批准、授权或许可。
3、甲方保证签署和履行本合同不会：①导致违反甲方及标的公司的组织文件的任何规定；②导致违反以甲方或标的公司中的任何一个为一方当事人、对其
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于甲方或标的公司的法律。
4、甲方保证其目前不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本合同构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
5、甲方保证真实合法拥有标的资产的所有权，不存在任何争议或潜在纠纷，标的资产、标的公司的全部资产均系合法取得并真实拥有。标的资产、标的公司的资产之上没有设置抵押、质押、留置等任何担保权益，也不存在可能导致标的资产、标的公司的资产被有关司法机关或行政机关查封、冻结、征用或限制转让的未决或潜在的诉讼、仲裁以及任何其他行政或司法程序。甲方保证标的公司拥有、使用该等资产未侵犯任何第三方的权利，没有任何其他第三方会对该等资产以任何形式主张任何权利。如果对于标的资产及标的公司的资产存在其他权利主张，甲方保证有能力自行将该等他项权利的主张及时予以消除并承担全部相关费用，以维护乙方的合法权益。
6、甲方保证其提供的标的公司的资料真实、有效、完整、准确，保证标的公司于交割日前不存在账外资产，不存在账外负债及或有负债，不存在任何对本项交易构成实质性障碍的尚未了结的或潜在的诉讼、仲裁、行政处罚案件。
7、标的公司如有在交割日前未依法足额缴纳或支付的税负、政府收费、强制的社会保险费和住房公积金等员工福利（已在账上计提的部分除外），有权部门或权利人在任何时候要求标的公司补缴，或对标的公司处罚，或向标的公司追索，甲方将全额承担该补缴、被处罚或被追索的支出及费用，且在承担后不得向标的公司追偿，保证标的公司均不会因此遭受任何损失。
8、甲方应当促使标的公司在本合同签署日至交割日前：①在正常业务过程中按照与以往惯例及谨慎商业惯例一致的方式经营主营业务；②为了乙方的利益，尽最大努力维护用于主营业务的所有资产保持良好状态，维护与客户、供应商、员工和其他相关方的所有良好关系。同时，甲方应当促使标的公司不得：①分配任何红利或进行其他分配；②制定任何股权计划、股权激励计划；③放弃任何重大权利；④不得为股东或其他除标的公司以外的任何主体提供资金、资源或担保；
⑤不得从事任何导致其财务状况、经营状况发生任何不利变化的任何交易、行为；
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）或⑥处置标的公司的资产和技术（正常的业务经营过程中发生的除外）。
9、甲方保证标的公司：①遵守其章程和所有适用法律的规定，及②已适当获得并持有开展目前业务所需的一切许可、批准等经营资质和政府批准或备案手续。
10、甲方保证截至交割日标的公司没有为任何人的债务提供担保。本项交易完成后，如标的公司存在任何未向乙方披露的对外担保给标的公司或乙方造成损失的，甲方应当承担赔偿责任。
11、甲方同意对乙方由于任何甲方陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）向乙方予以赔偿。
以上声明和承诺，在本合同签订后将持续、全面有效。
乙方声明和承诺：
1、乙方应按照本合同的约定及时足额支付款项。
2、乙方保证签署和履行本协议不会：①导致违反乙方的组织文件的任何规定；②导致违反以乙方为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于乙方的法律。
3、乙方保证其不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
4、乙方同意对甲方由于任何乙方陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）予以赔偿。
（八）关于境外审查机构对本项交易的审查
本协议签署后，如果境外审查机构强制要求对本项交易进行审查，则双方同意无条件配合境外审查机构对本项交易的审查，包括但不限于提供相关资料，签署必要的文件等。如因境外审查机构的审查导致本项交易最终无法完成，则乙方有权单方解除本协议；如境外审查机构对本项交易提出整改要求，则双方同意以不损害乙方利益为原则共同商讨解决方案，并按照境外审查机构的要求进行整改。
如因上述情形导致乙方遭受损失的，甲方应当尽力配合商讨解决方案，并保障乙
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）方的利益不受损害。
（九）违约责任条款
1、甲方若未按照本合同第八条的约定配合乙方办理产权持有主体的权利交接或产权转让的工商变更登记手续，每逾期一日应按交易价款的万分之三向乙方支付违约金，逾期超过30日的，乙方有权解除合同，并要求甲方赔偿损失。
2、乙方若未按照本合同第七条的约定支付价款，每逾期一日应按逾期支付部分价款的万分之三向甲方支付违约金，逾期超过30日的，甲方有权解除合同，并要求乙方赔偿损失。
3、任何一方违反本合同第十条约定的义务，应当向另一方承担相应的赔偿责任。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第七节本次交易的合规性分析
一、本次交易符合《重组管理办法》第十一条的规定
（一）符合国家产业政策和有关环境保护、土地管理、反垄断等法律和行
政法规的规定
1、本次交易符合国家产业政策
本次现金购买资产交易标的为芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。
芯能投资、芯力投资是专门为投资北京豪威设立的实体。
根据证监会《上市公司行业分类指引》分类，北京豪威所从事的图像传感器芯片设计、制造和销售业务属于“C制造业”门类下的“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”，按照国家统计局《国民经济行业分类》（GBT4754-2011）标准，属于“C制造业”门类下的“C396电子器件制造”项下的“C3963集成电路制造”行业。
2014年 6月，国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，设立国家产业投资基金，重点支持集成电路等产业发展，促进工业转型升级。2016年 5月，国务院发布《国家创新驱动发展战略纲要》，要求加大集成电路等自主软硬件产品和网络安全技术攻关和推广力度；攻克集成电路装备等方面的关键核心技术。2016年 7月，国务院发布《“十三五”国家科技创新规划》，支持面向集成电路等优势产业领域建设若干科技创新平台，推动我国信息光电子器件技术和集成电路设计达到国际先进水平。2016年11月，国务院发布《“十三五”国家战略新兴产业发展规划》，要求启动集成电路重大生产力布局规划工程，实施一批带动作用强的项目，推动产业能力实现快速跃升。2016年12月，国务院发布《“十三五”国家信息化规划》，要求大力推进集成电路创新突破。加大面向新型计算、5G、智能制造、工业互联网、物联网的芯片研发部署。2017年 4月，科技部发布《国家高新技术产业开发区“十三五”发展规划》，提出优化产业结构，推进集成电路及专用装备关键核心技术突破和应用。
本次交易，上市公司将实现产业整合，较大幅度的提升上市公司研发能力及
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）综合实力，符合国家产业政策。
2、本次交易符合有关环境保护的法律和行政法规的规定
本次交易标的公司子公司北京豪威的主营业务为图像传感器芯片设计、测试及销售，采取 Fabless模式，即主要进行产品的设计工作，将晶圆生产、芯片封装业务委托给其他厂家完成。主营业务不存在违反其所在地国家或地区环境保护相关法律法规的情形。本次交易符合有关环境保护的法律和行政法规的规定。
3、本次交易符合国家土地管理相关的法律和行政法规的规定
本次交易标的为芯能投资100%股权、芯力投资100%股权，不直接涉及土地交易。
报告期内，标的公司不存在因严重违反国家及地方有关土地管理方面的法律、法规而受到任何其他行政处罚的情形，符合国家关于土地管理的法律及行政法规的规定。
4、本次交易不存在违反反垄断法律法规规定的情形
本次交易相关指标未达到《国务院关于经营者集中申报标准的规定》第三条所规定的标准，无需申报经营者集中审查。
综上所述，本次交易符合国家相关产业政策和国家关于环境保护、土地管理、反垄断等有关法律、行政法规的相关规定，符合《重组管理办法》第十一条第（一）项的规定。
（二）不会导致上市公司不符合股票上市条件
因本次交易不涉及发行股份，上市公司股权结构不会发生变化，社会公众持有的股份占上市公司股份总数的比例仍不低于10%，上市公司股权分布仍符合《上市规则》所规定的上市条件。
（三）本次交易资产定价公允，不存在损害上市公司和全体股东合法权益
的情形
本次交易系依据国有资产转让的相关法律法规，在云交所的组织、监督下进行的，交易价格按照云交所交易规则确定，上市公司摘牌价格为交易对方瑞滇投资的挂牌底价，不存在损害上市公司和股东合法权益的情形。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（四）重大资产重组所涉及的资产权属清晰，资产过户或者转移不存在法
律障碍，相关债权债务处理合法
本次交易的交易对方对标的资产权属清晰，交易对方对拟转让资产拥有完全的处置权且实施产权转让不存在任何限制条件。
（五）有利于上市公司增强持续经营能力，不存在可能导致上市公司重组
后主要资产为现金或者无具体经营业务的情形
本次现金购买资产交易标的为芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。
芯能投资、芯力投资是专门为投资北京豪威设立的实体。本次交易有利于上市公司增强持续经营能力，不存在可能导致上市公司重组后主要资产为现金或者无具体经营业务的情形。
（六）有利于上市公司在业务、资产、财务、人员、机构等方面与实际控
制人及其关联方保持独立，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定
本次交易完成后，上市公司资产质量和独立经营能力得到提高，将继续保持独立性，在资产、人员、财务、机构和业务上遵循独立原则，遵守中国证监会有关规定，继续规范运作，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定。
（七）本次交易有利于上市公司完善健全有效的法人治理结构
本次交易前，上市公司已建立健全法人治理结构，有完善的股东大会、董事会、监事会和管理层的独立运行机制，设置了与生产经营相适应的、能充分独立运行的组织职能机构，并保障了上市公司的日常运营。
本次交易完成后，上市公司将依据《公司法》、《证券法》、《上市公司治理准则》等法律、法规的要求，根据实际情况对上市公司章程进行修订，以适应本次重组后的业务运作及法人治理要求，继续完善上市公司治理结构。
二、本次交易不适用《重组管理办法》第四十三条、四十四条的规定
本次交易为现金收购标的资产，不涉及发行股份的情况，故不适用《重组管理办法》第四十三条的相关规定。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）本次交易不存在收购的同时募集配套资金的情况，故不适用《重组管理办法》第四十四条及其适用意见要求。
三、本次交易不构成《重组管理办法》第十三条规定的交易情形
本次交易不涉及发行股份，本次交易未导致韦尔股份的实际控制人发生变动。
因此，本次交易不属于《重组管理办法》第十三条所规定的情形，不适用第十三条的相关规定。
四、独立财务顾问和法律顾问意见
独立财务顾问及法律顾问经过核查后认为：
1、本次交易符合《重组管理办法》第十一条的有关规定。
2、本次交易不适用《重组管理办法》第十三条所规定的情形。
3、本次交易不适用《重组管理办法》第四十三条、第四十四条所规定的情形。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第八节管理层讨论与分析
一、本次交易前上市公司财务状况和经营成果的讨论分析
根据立信会计师出具的信会计报字（2017）第ZA10517号、信会计报字（2018）第ZA11443号标准无保留意见的《审计报告》以及未经审计的 2018年1-7月财务报表，上市公司最近两年及一期的合并财务数据如下：
（一）本次交易前上市公司的财务状况分析
1、资产结构及其变化分析
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|货币资金|47,478.00|12.89|78,861.69|27.92|16,568.21|12.86|
|应收票据|11,681.86|3.17|7,441.98|2.63|4,840.13|3.76|
|应收账款|120,853.56|32.80|81,811.72|28.96|66,409.35|51.54|
|预付款项|15,343.97|4.16|9,225.78|3.27|4,107.69|3.19|
|应收利息|17.52|0.00|5.31|0.00|4.03|0.00|
|其他应收款|1,357.43|0.37|1,039.17|0.37|1,400.16|1.09|
|存货|103,850.00|28.18|54,809.13|19.40|32,784.57|25.44|
|其他流动资产|8,263.01|2.24|5,438.18|1.93|2,745.53|2.13|
|流动资产合计|308,845.34|83.82|238,623.95|84.47|128,859.67|78.30|
|可供出售金融资产|11,041.30|3.00|3,692.68|1.31|1,988.53|1.21|
|长期股权投资|2,480.24|0.67|-|-|-|-|
|投资性房地产|2,597.80|0.71|2,637.14|0.93|2,704.57|1.64|
|固定资产|19,178.36|5.20|19,007.04|6.73|16,160.94|9.82|
|在建工程|-|-|32.32|0.01|-|-|
|无形资产|5,687.90|1.54|5,612.63|1.99|2,433.36|1.48|
|开发支出|2,333.91|0.63|1,629.83|0.58|-|-|
|商誉|7,458.58|2.02|7,458.58|2.64|7,458.58|4.53|
|长期待摊费用|36.21|0.01|0.93|0.00|12.12|0.01|
|递延所得税资产|7,582.90|2.06|3,489.28|1.24|2,592.82|1.58|
|其他非流动资产|1,220.12|0.33|297.42|0.11|2,356.59|1.43|
|非流动资产合计|59,617.33|16.18|43,857.87|15.53|35,707.51|21.70|
|资产总计|368,462.67|100.00|282,490.82|100.00|164,567.19|100.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（1）资产结构总体分析
2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司资产总额分别为164,567.19万元、282,490.82万元和368,462.67万元，上市公司 2017年首次公开发行股票并在上交所上市，凭借自身良好的盈利能力使得资产规模报告期内保持快速增长；
2017年资产总额较 2016年增加 117,923.63万元，增幅达71.66%，主要系货币资金、存货等增加所致。
从资产结构方面看，上市公司资产主要以流动资产为主，主要原因在于上市公司经营采用 Fabless模式，无需大型生产设备及厂房的大额投入。2016年末、 2017年末和 2018年 7月末，上市公司流动资产金额分别为 128,859.67万元、 238,623.95万元和 308,845.34万元，占资产总额的比例分别为78.30%、84.47%和83.82%。
（2）流动资产结构分析
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司流动资产金额分别为 128,859.67万元、238,623.95万元和 308,845.34万元。上市公司流动资产主要由货币资金、应收账款和存货组成，2016年末、2017年末和2018年7月末，上述三项资产账面价值合计占流动资产总额的比重分别为89.84%、90.30%和88.13%。
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司货币资金余额分别为 16,568.21万元、78,861.69万元和 47,478.00万元。其中，2017年末，货币资金余额较大主要系因为当期公司首次公开发行股票净融资 24,134.70万元以及当期公司实施股权激励计划授予激励对象限制性股票取得72,341.93万元。
2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司应收账款账面价值分别为66,409.35万元、81,811.72万元和120,853.56万元。2018年7月末，应收账款余额较大，主要系应收账款账期未到所致。
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司存货的账面价值分别为32,784.57万元、54,809.13万元和103,850.00万元。2017年末和2018年7月末，公司存货较上年末分别增加22,024.56万元、49,040.87万元，增幅分别为67.18%、89.48%，主要原因是公司开发新客户和新的应用领域，随着公司新研发产品的收入大幅增长，存货相应增加。
（3）非流动资产结构分析
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司非流动资产分别为35,707.51万元、43,857.87万元和59,617.33万元。上市公司非流动资产主要为可供出售金融资产、固定资产、商誉、递延所得税资产，2016年末、2017年末和2018年7月末，上述四项资产账面价值合计占非流动资产总额的比重分别为78.98%、76.72%和75.92%。
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司可供出售金融资产的余额分别为 1,988.53万元、3,692.68万元和 11,041.30万元。2018年 7月末，上市公司可供出售金融资产余额较 2017年增加 7,348.62万元，增幅为199.01%，主要系上市公司子公司香港韦尔通过受让取得北京豪威部分股权所致。
2016年末、2017年末和2018年7月末，公司的固定资产金额分别为16,160.94万元、19,007.04万元和19,178.36万元，占资产总额的比例较小，分别为9.82%、6.73%和5.20%。固定资产规模较小主要是因为公司采用具有“轻资产”特点的 Fabless运营模式，自身不直接从事产品的生产制造。
2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司的递延所得税资产分别为2,592.82万元、3,489.28万元和7,582.90万元，占资产总额的比重分别为1.58%、1.24%和2.06%。公司的递延所得税资产主要系计提资产减值准备、固定资产折旧、抵销内部未实现利润、收到政府补助、可抵扣亏损等因素导致，在资产总额中占比较低，对公司财务状况影响较小。
2、负债结构及其变化分析
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|短期借款|67,257.60|31.38|48,938.46|29.95|55,445.14|66.26|
|应付票据|13,000.00|6.06|5,000.00|3.06|5,234.11|6.26|
|应付账款|45,525.24|21.24|23,761.95|14.54|18,739.45|22.39|
|预收款项|1,403.30|0.65|598.15|0.37|488.45|0.58|
|应付职工薪酬|777.80|0.36|1,090.85|0.67|1,331.42|1.59|
|应交税费|6,388.07|2.98|3,488.05|2.13|1,263.67|1.51|
|应付利息|304.75|0.14|84.04|0.05|112.98|0.14|
|其他应付款|72,847.50|33.98|72,836.58|44.57|702.18|0.84|
|一年内到期的非流动负债|1,400.00|0.65|—|—|5.18|0.01|
|流动负债合计|208,904.27|97.46|155,798.08|95.33|83,322.58|99.58|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|
|长期借款|4,900.00|2.29|7,000.00|4.28|—|—|
|递延收益|—|—|36.73|0.02|236.58|0.28|
|递延所得税负债|522.86|0.24|591.92|0.36|117.99|0.14|
|其他非流动负债|29.59|0.01|—|—|—|—|
|非流动负债合计|5,452.45|2.54|7,628.65|4.67|354.57|0.42|
|负债总计|214,356.72|100.00|163,426.73|100.00|83,677.15|100.00|

（1）负债总体结构分析
2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司负债总额分别为 83,677.15万元、163,426.73万元和214,356.72万元，2017年末较2016年末增加 79,749.58万元，增长95.31%，主要系实施股权激励计划导致限制性股票回购义务产生的其他应付款增加所致。
从负债总体结构来看，上市公司负债主要以流动负债为主。2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司流动负债分别为 83,322.58万元、155,798.08万元和 208,904.27万元，占负债总额的比重分别为99.58%、95.33%和97.46%，2017年流动负债占负债总额的比重较 2016年下降4.25%，主要系上市公司通过长期借款进行债务融资导致的非流动负债增幅较大所致。
（2）流动负债结构分析
流动负债主要为短期借款、应付票据、应付账款、应付职工薪酬、应交税费和其他应付款等，与上市公司流动资产占比较高的资产结构相匹配。2016年末、2017年末和2018年7月末，上述六项负债占流动负债的比重分别为99.27%、99.56%和98.51%。2017年末，上市公司新增其他应付款 72,134.40万元，主要系上市公司实施股权激励计划导致限制性股票回购义务产生的其他应付款增加 72,341.93万元所致。2018年 7月末和 2017年末，上市公司应付账款余额比上年末分别增加21,763.29万元和5,022.5万元，主要是因为随着业务规模的扩大，公司采购及委托加工增加导致应付账款期末余额增加。
2017年末，上市公司应交税费余额较 2016年上升 2,224.38万元，增幅176.03%，主要系上市公司 2017年销售规模扩大，应交增值税和企业所得税相应增加。
2017年末，上市公司其他应付款余额较 2016年末增加 72,134.40万元，增
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）幅10,272.92%，主要系上市公司实施股权激励计划导致限制性股票回购义务产生的其他应付款增加。
（3）非流动负债结构分析
上市公司非流动负债主要由长期借款、递延所得税负债组成。2016年末，上市公司无长期借款。2017年末，上市公司新增长期借款7,000万元，占当年非流动负债的比重为91.76%，新增长期借款系上市公司以部分固定资产和投资性房地产为抵押物取得的上海浦东发展银行股份有限公司张江支行人民币长期借款7,000万元，借款期限为2017年11月21日至2022年11月20日。
2017年末，上市公司递延所得税负债较 2016年末大幅增加主要是由于非同一控制企业合并资产公允价值增值所致。
3、偿债能力分析
报告期内，公司偿债能力指标如下：
|||||
|-|-|-|-|
|财务指标|2018.7.31/2017年1-7月|2017.12.31/2017年|2016.12.31/2016年|
|流动比率（倍）|1.48|1.53|1.55|
|速动比率（倍）|0.98|1.18|1.15|
|资产负债率（%）|58.18|57.85|50.85|
|息税折旧摊销前利润（万元）|23,545.36|20,004.05|19,238.37|
|利息保障倍数（倍）|10.13|6.59|6.17|

报告期内，上市公司主要偿债能力指标变化幅度较小，各项偿债能力均保持在较为合理的水平，息税折旧摊销前利润总体呈上升趋势，具备良好的偿还到期债务的能力。
2018年1-7月，上市公司销售规模增长迅速，因此贷款规模、利息支出虽略有增加，但由于利润总额增长幅度远超利息支出增长幅度，利息保障倍数大幅高于前期。
截至2018年7月31日，上市公司无或有负债且无贷款逾期和表外融资情况，不存在重大偿债风险。
4、现金流量分析
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）单位：万元
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|-|-|-|-|
|财务指标|2018年1-7月|2017年|2016年|
|经营活动产生的现金流量净额|-31,120.28|-27,195.43|7,011.65|
|投资活动产生的现金流量净额|-14,642.33|-5,870.20|-9,325.09|
|筹资活动产生的现金流量净额|12,563.48|97,091.00|1,393.59|
|汇率变动对现金及现金等价物的影响|-265.50|-275.54|-430.70|
|现金及现金等价物净增加额|-33,464.62|63,749.82|-1,350.55|

2016年、2017年和2018年1-7月，上市公司经营活动产生的现金流量净额分别为 7,011.65万元、-27,195.43万元和-31,120.28万元。2017年，上市公司经营活动产生的现金流净额较2016年减少34,207.08万元，主要系随着销售的增长，经营活动中购买商品、接受劳务支付的现金增加所致。
2016年、2017年和2018年1-7月，上市公司投资活动产生的现金流量净额分别为-9,325.09万元、-5,870.20万元和-14,642.33万元。2018年1-7月，上市公司投资活动产生现金流出显著增加，主要系可供出售金融资产投资增加导致现金流出较多。
2016年、2017年和2018年1-7月，上市公司筹资活动产生的现金流量净额分别为1,393.59万元、97,091.00万元和12,563.48万元，2017年度筹资活动产生的现金流量净额较高，主要系当期上市公司首次公开发行股票净融资以及实施股权激励计划取得激励对象支付的对价。
（二）本次交易前上市公司的经营成果分析
1、利润构成分析
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|230,787.33|240,591.63|216,076.95|
|营业成本|166,379.59|191,185.28|172,609.12|
|税金及附加|669.70|502.82|328.82|
|销售费用|5,156.46|7,371.53|6,247.39|
|管理费用|30,181.22|21,961.28|18,662.64|
|财务费用|1,906.09|4,827.42|3,390.06|
|资产减值损失|5,576.33|2,330.75|1,892.68|
|加：投资收益|245.02|-|-|
|资产处置收益|-|60.58|41.19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业利润|21,162.96|13,212.96|12,987.84|
|加：营业外收入|544.50|1,424.11|1,389.94|
|减：营业外支出|68.20|98.29|187.98|
|利润总额|21,639.26|14,538.77|14,189.80|
|减：所得税|3,822.86|2,198.38|1,045.78|
|净利润|17,816.41|12,340.40|13,144.02|
|减：少数股东损益|-1,424.93|-1,375.23|-1,025.07|
|归属于上市公司股东的净利润|19,241.33|13,715.63|14,169.09|
|基本每股收益（元/股）|0.42|0.34|0.38|
|稀释每股收益（元/股）|0.42|0.34|0.38|

2、营业收入、成本及毛利分析
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|230,787.33|240,591.63|216,076.95|
|主营业务|230,447.47|239,631.11|215,204.75|
|半导体设计及销售|47,694.61|72,133.19|71,113.56|
|电子元器件代理及销售|182,752.86|167,497.92|144,091.19|
|其他业务|339.86|960.52|872.20|
|营业成本|166,379.59|191,185.28|172,609.12|
|主营业务|166,151.43|190,907.97|172,352.19|
|半导体设计及销售|32,255.52|47,471.40|46,788.15|
|电子元器件代理及销售|133,895.91|143,436.57|125,564.04|
|其他业务|228.16|277.31|256.93|
|毛利率（%）|27.91|20.54|20.12|
|主营业务（%）|27.90|20.33|19.91|
|半导体设计及销售（%）|32.37|34.19|34.21|
|电子元器件代理及销售（%）|26.73|14.37|12.86|
|其他业务（%）|32.87|71.13|70.54|

2016年、2017年和 2018年1-7月，上市公司分别实现营业利润 12,987.84万元、13,212.96万元和21,162.96万元，分别实现净利润13,144.02万元、12,340.40万元和17,816.41万元。
2018年1-7月，上市公司加大自主研发设计投入，同时由于市场需求扩大等
原因，营业收入大幅增长。
3、期间费用分析
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|期间费用率（%）|金额（万元）|期间费用率（%）|金额（万元）|期间费用率（%）|
|销售费用|5,156.46|2.32|7,371.53|3.06|6,247.39|2.89|
|管理费用|30,181.22|13.08|21,961.28|9.13|18,662.64|8.64|
|财务费用|1,906.09|0.83|4,827.42|2.01|3,390.06|1.57|
|合计|37,243.77|16.14|34,160.23|14.20|28,300.09|13.10|

 2017年和 2018年1-7月，由于 2017年限制性股票股权激励费用摊销影响，管理费用率大幅提高，导致期间费用率逐年提高。
4、净利润分析
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|净利润（万元）|17,816.41|12,340.40|13,144.02|
|归属于上市公司股东的净利润（万元）|19,241.33|13,715.63|14,169.09|
|净利润率（%）|7.72|5.13|6.08|
|归属于上市公司股东的净利润率（%）|8.34|5.70|6.56|

最近两年及一期，上市公司盈利能力良好。2018年1-7月，上市公司开发新客户和新的应用领域以及研发的新产品投入市场销售、半导体分销业务毛利率提高带动净利润较快增长。总体来看，上市公司盈利能力稳定向好，盈利主要来源于公司主营业务，非经常性损益以计入当期损益的政府补助为主，并不构成公司盈利的主要来源。
二、标的资产所处行业特点分析
本次重大资产购买系间接收购北京豪威少数股权，对应的实体资产为美国豪威资产和业务，以下标的资产的行业特点、主要竞争对手、核心竞争力分析均针对美国豪威。
（一）美国豪威所处行业的基本情况
美国豪威主营业务为 CMOS图像传感器的设计、测试与销售，图像传感器是摄像头的重要组成部分，根据元件的不同，可分为CCD和CMOS两大类。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），标的公司隶属于“C制造业”门类下的“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
（二）市场规模和行业发展前景
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）1、集成电路行业市场规模和发展前景
2010年以来，以智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的兴起，以及汽车电子、工业控制、仪器仪表、智能照明、智能家居等物联网市场的快速发展，带动整个半导体行业规模迅速增长。2017年，全球半导体行业整体销售额达到4,122亿美元，同比增长21.6%，增速创七年来新高。
4500 25.00%
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
||||9.88%|||
|||4.80%||||
|0.40%||||-0.18%|1.10%|
||-2.64%|||||

2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017
市场规模 增长率
数据来源：全球半导体贸易协会（WSTS）
根据全球半导体贸易协会（WSTS）预测，2018年全球半导体市场规模将达到4,512亿美元，同比增长9.5%。
3.06%
5.26%
8.44%
83.24%
集成电路光电器件分立器件传感器
数据来源：全球半导体贸易协会（WSTS）
2、CMOS图像传感器行业市场规模和发展前景
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（1）图像传感器行业概况
图像传感器为物联网感知层众多传感器中最重要的一种核心传感器。图像传感器主要采用感光单元阵列和辅助控制电路获取对象景物的亮度和色彩信号，并通过复杂的信号处理和图像处理技术输出数字化的图像信息。图像传感器中的感光单元一般采用感光二极管（photodiode）实现光电信号的转换。感光二极管在接受光线照射之后能够产生电流信号，电流的强度与光照的强度成正比例关系。
每个感光单元对应图像传感器中的一个像元，像元也被称为像素单元（Pixel）。
图像传感器主要分为 CCD图像传感器和 CMOS图像传感器两大类。CCD和 CMOS都是利用感光二极管进行光电转换，将图像转换为数字信号，但二者在感光二极管的周边信号处理电路和感光单元产生的电信号的处理方式不同。
CCD和 CMOS的感光元件在接受光照之后直接输出的电信号都是模拟信号。在CCD传感器中，每一个感光元件都不对此作进一步的处理，而是将它直接输出到下一个感光元件的存储单元，结合该元件生成的模拟信号后再输出给第三个感光元件，依次类推，直到结合最后一个感光元件的信号才能形成统一的输出。由于感光元件生成的电信号非常微弱，无法直接进行模数转换工作，因此这些输出数据必须做统一的放大处理。由于CCD本身无法将模拟信号直接转换为数字信号，因此还需要一个专门的模数转换芯片进行处理，最终以数字图像矩阵的形式输出给专门的图像处理器进行处理。而 CMOS传感器中每一个感光元件都可以直接集成放大电路和模数转换电路，当感光二极管接受光照、产生模拟的电信号之后，电信号首先被该感光元件中的放大器放大，然后直接转换成对应的数字信号，并进行片上图像处理。
CMOS图像传感器工作原理
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）因此，CMOS图像传感器相对于 CCD图像传感器具有集成度高、低功耗、低成本、体积小、图像信息可随机读取等一系列优点，从而取代CCD而成为图像传感器的主流和未来的发展趋势，广泛应用于智能手机、电脑、机器人视觉、安防监控、智能汽车、无人机、航空航天、医疗影像、体感互动游戏等应用领域，成为移动互联网和物联网应用的核心传感器件。
（2）行业市场规模和发展前景
根据YOLE发布的市场研究报告，2017年全球CMOS图像传感器市场规模已经达到139亿美元。受益于智能手机新功能的开发和普及，例如光学变焦、生物特征识别和3D互动等，YOLE预测2016-2022年全球CMOS图像传感器市场复合年均增长率仍将保持在10.50%左右。
250.00
2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年
数据来源：Yole Development
目前，CMOS图像传感器的应用市场包括以下应用领域：智能手机、消费领
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）域、计算机、汽车、医疗、安防和工业应用，具体情况如下：
由上图可知，智能手机是 CMOS图像传感器主要应用领域。自 2000年夏普公司推出第一代配置了彩色摄像头的手机起，手机摄像头的演变日新月异，从单后置摄像头逐渐升级为前后双摄、后置双摄乃至 2018年兴起的后置三摄像头，手机领域CMOS图像传感器出货量增幅较大。
除手机领域以外，用于汽车的 CMOS图像传感器发展十分迅速。车载 CMOS图像传感器的传统应用领域是后置倒车摄像头和前置行车记录仪，近年来，随着车联网、智能汽车、自动驾驶等应用的逐步普及，汽车上摄像头的数量迅速增加，应用领域从传统的倒车雷达影像、前置行车记录仪慢慢延伸到电子后视镜、360
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）度全景成像、线路检测、障碍物检测、防撞和自动驾驶等。在未来，车载 CMOS图像传感器市场规模或将高速成长。
在其他应用领域，随着个人消费者对电子产品的消费升级，家庭娱乐级虚拟现实设备（VR）、消费级无人机以及穿戴式增强现实（AR）等产品在普通消费者中日益普及，此类电子产品均需搭载高性能的 CMOS图像传感器以实现对周围环境的实时感知和监控。未来，此类产品也将成为 CMOS图像传感器的一个重要应用领域。
（3）CMOS图像传感器行业技术发展趋势
背照式 BSI技术和堆叠 BSI技术的广泛应用已成为 CMOS图像传感器领域的新常态，而多层堆叠（multi-stack）和混合堆叠（hydird-stack）等新技术的应用，使相位对焦（PDAF）、超级慢动作摄像等功能得到实现。
此外，嵌入式3D交互技术也是CMOS图像传感器技术的主要发展方向之一，随着车载应用、手机应用市场的进一步扩大以及 VR技术的成熟，该技术将成为未来CMOS图像传感器领域关键核心技术指标之一。
（三）进入行业的主要壁垒
集成电路设计行业属于知识密集型行业，对产业化运作有着很高的要求，在技术、产业整合、客户、人才、资金及规模等方面存在较高的进入壁垒，具体如
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）下：
1、技术壁垒
集成电路设计属于技术密集型行业，以 CMOS图像传感器为例，设计技术涵盖了数字/模拟集成电路、集成电路CAD、集成电路测试方法学、微电子封装技术、微机电系统、集成电路与片上系统设计等诸多领域。集成电路设计行业产品高度的复杂性和专业性决定了进入本行业具有很高的技术壁垒，行业内企业核心技术积累都需要专业技术研究团队和产品开发团队长时间探索和不断积累才能获得。
同时，由于集成电路技术及产品的更新速度很快，要求企业具备较强的持续创新能力，不断满足多变的市场需求。因此，行业内的后来者往往需要经历一段较长的技术摸索和积累时期，才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。对新进入者而言，短期内无法突破核心技术壁垒。
（1）设计工程壁垒
随着电子产品对 CMOS图像传感器分辨率、抗逆光性能、低光环境下辨识度等要求的不断提高，以及背照BSI、堆叠BSI、混合堆叠BSI等新技术的不断应用，芯片设计公司需要具备全方面的技术储备及快速设计能力，这对设计公司的技术积累和行业经验提出了较高要求。对后进者而言，这种积累和经验构成进入本行业的壁垒。
（2）可靠性壁垒
芯片是电子产品的“心脏”，对电子产品的稳定性和可靠性起到至关重要的作用。一旦出现芯片寿命过短、稳定性出现问题，电子产品将出现系统无法启动、使用寿命有限等故障，对客户带来较大损失。芯片设计公司需要经过多年的技术和市场的经验积累，才能储备大量的修正数据，确保产品可靠性。对新进入厂商而言，客户对其产品的可靠性需要做长时间的验证，产品和技术的可靠性构成其进入的壁垒。
2、产业整合壁垒
为确保产品质量、稳定的产能供应和成本控制，芯片设计企业需要与其主要
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）的晶圆厂、封装及测试厂商建立紧密的合作关系。采用 Fabless模式的集成电路设计公司需经过较长时间的发展，采购量达到一定的规模后才能与主要晶圆厂、封测厂深入合作，建立起工艺设计与工艺制造的整合能力，进而拥有自主研发的制造工艺，最终确立在产业链上的关键竞争优势。对后进者而言，市场先入者已建立的、稳定运营的产业生态链构成其进入壁垒。
3、客户壁垒
经过多年发展，在集成电路芯片应用的各细分市场，客户对自己认可的芯片品牌已形成较高的品牌忠诚度。由于集成电路下游客户多为大规模制造型企业，该等客户对集成电路产品可靠性、稳定性要求较高。目前，市场上的主要芯片供应商都是经过多年的积累，在激烈的市场竞争中通过诚信服务、优秀的产品质量逐步积累起公司的品牌和声誉，并且已经与客户形成了长期、互信的合作关系，新进入者通常难以在短期内取得客户认同，无法打破现有市场竞争格局。
4、资金和规模壁垒
集成电路设计行业具有投入大、回报周期长、风险高的特点。一方面，前期需要耗费大量资金用于技术研发和产品开发，以及行业研发人员工资水平较高，需要较多的人力成本投入。为保持技术的先进性、工艺的领先性和产品的市场竞争力，集成电路设计企业需进行持续的资本投入。另一方面，芯片产品单位售价相对较低，因此企业研发的芯片产品市场销售数量需要高达千万颗才能实现盈亏平衡。相应的量级规模对采用Fabless模式的集成电路设计企业在自身资金供给、上游晶圆制造及封装测试企业的供应体系配合、下游终端市场运营等方面提出较高的要求。对后进者而言构成了行业资金和规模壁垒。
5、人才壁垒
芯片设计行业是知识密集型行业。高素质的经营管理团队、富有技术创新理念的研发队伍和富有经验的产业化人才是企业高速发展、保持竞争力的重要保障。
目前，我国芯片设计行业的高端技术人才相对稀缺，而优秀的管理人才和产业化人才通常都集中于行业领先企业，企业之间人才争夺激烈。对于市场新进入者，人才成为重要行业壁垒。
（四）影响行业的有利因素和不利因素
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）1、影响行业发展的有利因素
（1）国家产业政策的支持
作为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业，集成电路行业一直以来受到国家的鼓励和支持。近年来，国家出台了一系列财政、税收、知识产权保护等政策，支持和鼓励集成电路设计行业的发展。同时，国家还将高端通用芯片列为 16个国家中长期重大科技专项之一，与载人航天与探月工程、重大新药创制等具有同等战略意义。国家产业政策的支持促进了集成电路行业的发展，增强了企业的自主研发能力，提高了国内集成电路设计企业的整体竞争力。
（2）市场需求持续增长
近年来，随着主流智能手机摄像头数量的增加（背面三个主摄像头，正面双摄像头和人脸识别摄像头）、智能辅助驾驶功能在汽车行业的普及，以及消费级无人机、VR设备、AR设备的推广，CMOS图像传感器的市场需求保持了持续增长的良好态势。根据全球知名行业分析公司 Yole Development发布的报告，受益于智能手机新功能的开发和普及，例如光学变焦、生物特征识别和3D互动等， 2016-2022年全球 CMOS图像传感器市场复合年均增长率仍将保持在10.50%左右。
（3）我国集成电路产业链日趋成熟
近年来，全球集成电路产业的制造重心、消费市场及人才在中国快速积聚，产业重心转移趋势明显，产业链日趋成熟。
①在制造环节，台积电、中芯国际、通富微电、日月光等全球主要晶圆制造企业、封装测试企业纷纷在中国建立、扩充生产线，国内原有的晶圆代工制造企业的工艺水平也得到显著提升，为采用 Fabless模式的国内集成电路设计企业提供了产能上的保障。
②在消费市场方面，中国人口基数大、电子产品接受程度高、消费需求旺盛。
随着国民经济和收入水平的快速增长，中国已成为全球最重要的电子产品消费市场。国内芯片设计企业凭借相似的文化背景，可以与下游厂商乃至终端客户保持顺畅沟通，提供更稳定的供应和更好的服务，充分发挥贴近本土市场的地缘优势。
在此背景下，国内集成电路设计、制造、封测等方面的技术取得了明显的进步，
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）原来由国外企业垄断的核心芯片设计技术也逐步被部分国内优秀企业攻克、掌握并成功产业化。
2、影响行业发展的不利因素
集成电路设计涉及硬件、软件、电路、工艺等多个方面，需要多个相关学科的专业人才，虽然国内集成电路设计行业已历经一段快速发展时期，但就目前及未来的发展需要而言，人才尤其是高端人才仍相对匮乏。在市场需求增长、政策支持、产业重心转移等利好因素下，产业高端人才是率领企业抓住机遇、发展壮大的关键。近年来，一些具备国际知名芯片企业工作背景或海外留学背景的高端人才也逐步回到国内，为国内集成电路产业发展带来了国际先进的理念和技术。
（五）区域性、周期性和季节性特征
1、区域性
集成电路行业具有明显的区域性特征。美国加州硅谷是世界集成电路产业的发祥地，也是美国集成电路产业的心脏地区。美国主要的集成电路企业均坐落在此。此外，美国南部的德克萨斯州、亚利桑那州，以及东海岸的马里兰州也是集成电路企业较为集中的地区。从我国角度来看，集成电路企业主要集中于长三角、珠三角以及京津环渤海等地区；具有明显的辐射和带动效应。
2、周期性
半导体行业是周期性行业，其增速与全球 GDP增速的相关度很高。由于半导体产品受到技术升级、市场格局、应用领域等因素影响，整个半导体行业具有周期性波动的特点。半导体周期通常也称为“硅周期”，指半导体产业在5年左右的时间内会历经从衰落到昌盛的一个周期。近年来，随着半导体产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快，新技术、新工艺在半导体产品中的应用更加迅速，进而导致半导体产品的生命周期不断缩短。
3、季节性
集成电路产业没有明显的季节性特征。但是，对于消费类电子产品芯片而言，由于节假日产品销量较多，因此在节前的芯片出货量一般较高。
（六）行业经营模式
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）集成电路产业链主要由设计、制造、封装和测试组成。从产业模式来看，主要有Fabless、Foundry、IDM和Fab-lite四种模式。
Fabless（无晶圆厂）模式是指企业没有生产加工能力，仅进行集成电路的设计工作，之后将设计版图交给晶圆代工厂（集成电路制造厂商）进行加工，再将代工厂商加工好的芯片交给封装和测试厂商进行封装和测试。
Foundry（代工厂）模式是指企业没有集成电路设计能力，专门负责生产、制造芯片，致力发展相关工艺和制程。
IDM（整合元件制造商）模式是指企业业务涵盖了芯片设计、芯片制造、封装和测试整个流程。
Fab-lite（轻晶圆厂）模式是指企业以集成电路设计为主，但保留少量生产、封测能力。
（七）所处行业与上、下游行业之间的关系
美国豪威为Fabless模式的集成电路设计企业，产品主要为 CMOS图像传感器。集成电路设计行业处于集成电路产业链的核心环节。集成电路芯片设计企业的产品方案通过代工方式委托给晶圆代工厂、封装和测试企业进行产品的制造、生产和检测，集成电路设计行业的上游行业包括晶圆代工厂、封装企业及测试企业，下游行业主要为模组厂商及终端客户（例如智能手机厂商、安全监控设备制造商、医疗设备制造商等）。
1、上游行业对本行业的影响
晶圆代工厂、封装企业和测试企业是集成电路设计行业的上游行业，对集成电路设计行业的影响主要体现在以下几个方面：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（1）产品良率
随着集成电路技术的日新月异，高运算量相关应用持续带动半导体产业对先进制程的需求，而先进制程对晶圆代工厂的产品良率提出了极高的要求。以 10纳米制程为例，10纳米是指半导体元件电晶体电流通道的宽度，仅能供一百多颗原子通过，制作过程中的丝毫缺陷都会影响最终产品的良率。若集成电路设计企业不能同晶圆代工企业紧密合作，通过不断调整产品设计和制程工艺提高良率，则会直接影响产品的单位成本。
（2）产品成本
由于晶圆代工厂投资额较大，技术难度较高，且需要较长时间的经验积累才能使良率保持在较高水平，全球晶圆代工行业集中度较高，主要企业包括台积电、台联电、韩国三星、格罗方德、高塔半导体、世界先进、东部高科、中芯国际、华虹宏力、武汉新芯等。在这种情况下，晶圆代工企业在产业链中的议价能力较强。晶圆代工服务是集成电路设计企业最主要的生产成本，晶圆价格的变化直接影响集成电路设计企业产品的成本。
（3）交货周期
根据“摩尔定律”，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。因此集成电路产品的生命周期较短，产品更新换代速度较快。根据市场潮流和终端设备厂商需求及时推出新产品，是集成电路设计企业维持市场竞争力的核心要素。在这种情况下，上游代工企业的整体产能以及产能利用率，将直接影响集成电路设计企业的新产品量产能力和交货周期。
2、下游行业对本行业的影响
集成电路设计行业的下游行业是终端设备市场，以CMOS图像传感器为例，下游行业包括智能手机、平板电脑、安防监控设备、车载摄像头、医疗设备、无人机、AR/VR等。未来几年，随着智能手机摄像头数量的快速增加（全机 5颗摄像头）、辅助驾驶和自动驾驶技术的普及、医疗窥镜设备的增长，CMOS图像传感器需求将继续保持增长势头，从而为相关的集成电路设计企业提供了较好的市场机遇。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）此外，由于终端设备市场产品更新换代速度较快，集成电路设计企业需同下游模组厂商和终端厂商保持紧密合作关系，在及时了解市场趋势和终端厂商在研产品需求的基础上，有针对性的进行技术研发和储备，使企业的新技术能顺应市场变化，减少下游行业变化带来的负面影响。
三、美国豪威的行业地位和核心竞争力
（一）美国豪威的行业地位
美国豪威长期以来致力于 CMOS图像传感器的研发、生产和销售，是处于市场领先地位的半导体图像传感器研发制造企业。根据 YOLE的公开报告，美国豪威2017年市场占有率情况如下：
数据来源：Yole Development
根据BDO编写的 CCD/CMOS图像传感器市场分析，美国豪威分行业市场占有率情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（二）美国豪威主要竞争对手
美国豪威的主要竞争对手主要为Sony（索尼）、Samsung（三星）和 ON
Semiconductor（安森美半导体）、海力士和意法半导体，其主要竞争对手的基本情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|-|
|公司名称|美国豪威|索尼|三星|安森美|海力士|意法半导体|
|总部地点|美国|日本|韩国|美国|韩国|瑞士|
|是否有工厂|否|是|是|是|是|是|
|产品领域|||||||
|手机|●|●|●|●|●|●|
|汽车|●|●|●|●|—|●|
|医学影像|●|●|—|●|●|●|
|笔记本|●|●|●|●|●|●|
|安防|●|●|●|●|●|●|
|AR/VR等|●|●|●|●|●|●|
|单反相机|—|●|●|●|●|●|

（1）索尼（SONY）
索尼是日本的一家全球知名的大型综合性跨国企业集团，是世界视听、电子游戏、通讯产品和信息技术等领域的先导者之一。在 CMOS图像传感器领域，索尼是市场占有率最大的厂商。索尼公司在2012年推出堆栈式（Stacked）CMOS技术，可使整颗组件在同尺寸规格下得到更多的空间来获得更大面积的感光范围。
长期以来，索尼在高端 CMOS图像传感器市场保持较为显著的技术优势。
（2）三星（SAMSUNG）
三星是韩国最大的跨国企业集团，包括众多的下属企业，业务涉及电子、金
融、机械、化学等众多领域，同时三星也是 CMOS图像传感器行业主要研发与
生产企业之一。借助三星自有品牌智能手机、平板电脑和其他消费电子设备的市
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）场知名度和占有率，在 CMOS图像传感器市场，三星是美国豪威的主要竞争对手之一。
（3）安森美（ONSemiconductor）
安森美是行业领先的半导体和集成电路器件供应商，其主要产品包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件等。2014年安森美收购了美国CMOS图像传感器公司AptinaImaging和 TruesenseImaging，上述两起并购迅速提高了安森美在CMOS图像传感器领行业的市场份额和知名度。目前，安森美已成为 CMOS图像传感器领域主要竞争企业之一。
（4）海力士（Hynix）
海力士是韩国知名半导体企业，海力士从2007年开始投身CMOS图像传感器业务，通过收购 Siliconfle迅速成为 CMOS图像传感器领域主要生产商之一。
（5）意法半导体（ST）
意法半导体集团于1988年6月成立，是由意大利的 SGS微电子公司和法国 Thomson半导体公司合并而成。意法半导体其拥有丰富的芯片制造工艺，包括先进的CMOS逻辑、混合信号、模拟和功率制造工艺。
（三）美国豪威核心竞争力
（1）技术创新与研发优势
美国豪威成立于 1995年，主要从事 CMOS图像传感器产品的设计与研发，且自成立以来一直采取Fabless（无晶圆）业务模式。在这种业务模式下，美国豪威专注于产品的设计和研发，并将晶圆蚀刻、晶圆染色、封装、测试等主要制造环节外包给第三方代工企业。技术研发部门（R&D）是美国豪威组织架构中最核心的部门，截至2018年7月31日，北京豪威研发人员881人，占员工总数的56.84%；报告期内美国豪威研发投入占营业收入的比重均超过13%，2017年绝对金额达到人民币12.23亿元。
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司合计拥有3,379项专利。美国
豪威部分具有核心竞争力的技术如下：
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|-|-|-|
|技术名称|技术特点|技术优势|

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|NyxelTM|提高对近红外光谱的灵敏度；可提供更好的量子效率和信号强度；深槽隔离技术可在像素间形成屏障，消除串扰并提高模块化传输功能；使用特殊的光线散射层，可解决图像暗区中的缺陷，并延长光子路径。|1、可实现3倍的量子效率，捕捉更为清晰明亮的图像，在AR / VR应用程序中实现精确的眼动追踪和手势控制，或用在驾驶员监控系统中检测驾驶者是否注意力不集中或疲劳驾驶。2、光子吸收效果更佳，有更好的夜视功能。3、所需的额外照明较少，降低了系统功率需求，并延长了以电池供电的监控摄像头使用寿命。|
|PureCel®|先进的像素阵列架构保证更高灵敏度和全阱容量，扩展传感器动态范围；低功耗和紧凑型设计可缩小摄像头模块尺寸；芯片叠层传感器技术将成像阵列和处理功能分为两层，在减小芯片尺寸同时实现附加功能|1、与第一代背照式（BSI）图像传感器相比，PureCel®技术使传感器噪点更低、光晕更少、弱光敏感度更佳、全阱容量更高，进一步增强图像传感器动态范围。2、采用55纳米工艺，支持先进的电路架构，功耗较低。|
|PureCel®Plus|通过引入埋入式色彩滤镜矩阵（BCFA）和深槽隔离（DTI）等技术来增强传感器性能；复合金属网格（CMG）技术有助于提高像素灵敏度，并进一步减少像素颜色串扰。|1、在弱光条件下，显著提高了传感器灵敏度和全阱容量，从而在SNR10以下和动态范围更高的情况下提升弱光性能。2、以减少色彩串扰进一步实现颜色再现。3、可提供更高的主光线角度（CRA）容差，保证镜头F值低，缩小摄像头模组尺寸。|
|RGB-Ir|在利用红外图像数据的同时持续捕捉高质量彩色图像；适用于2×2或4×4阵列图案，其阵列25％属红外（IR），75％属RGB，可在一个传感器中同时捕获RGB和IR图像。|1、能在一台设备上同时采集RGB和红外图像，兼具日视和夜视功能。2、可从同一台设备进行常规图像采集、进行生物特征识别以及手势检测等。|
|OmniPixel3-GSTM|全局快门技术可同时曝光所有像素，并逐行读取，保持高速稳定成像；近红外感应功能实现有效的零光成像。|1、能捕捉高速移动物体，且不会产生空间失真。2、实现了较好的近红外（NIR）灵敏度，可用于计算机视觉的眼动追踪等领域。|
|OmniPixel3-HSTM|采用对称像素设计，可消除色差，达到较佳的信噪比；采用前端照明（FSI）技术，像素尺寸可小至1.75微米。|1、在低光照条件下增强了图像捕捉性能。2、可实现出色的弱光成像。|
|OmniBSITM|采用0.11微米工艺技术；翻转晶片可减小从传感器表面到微透镜的堆叠高度，从而实现更高灵敏度，并在入射光角度创建更多的容差到达像素。|1、可降低像素串扰，提高量子效率，优化低光敏度和超低堆叠高度。2、广角光线角度（CRA）使带有大光圈的镜头块具有更好的弱光性能、图像质量。|
|OmniBSI-2TM|65纳米的设计实现了紧凑型像素电路最佳像素布局，提高传感器性能和图像质量；300毫米晶片工艺提高了生产的稳定性。|1、减少了功耗并提供了更好的图像质量。2、将以前1.4微米传感器的性能提升到1.1微米的效果，提高了|

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|||弱光照性能、量子效率和全阱容量。|
|高动态范围图像（HDR）技术|新型高级HDR传感器通过自适应电荷检测和转换技术提供高动态范围图像；通过一次曝光过程从传感器产生高动态范围图像数据，减少传统HDR技术中由于时间延迟引起的误差。|1、即使在一个场景中同时存在非常明亮和黑暗的区域，HDR技术也能实现清晰的图像捕捉。2、可实现极高对比度场景的无运动伪影成像，高质量还原场景。|

借助上述核心技术，同主要竞争对手相比，美国豪威在以下领域具有较为显著的竞争优势：①适用于汽车市场的高端宽动态范围图像传感器；②适用于监视器市场的超低功耗解决方案；③适用于监视器市场的近红外和低光传感器；④适用于医疗市场设备的超小型传感器；⑤适用于 AR/VR等新兴市场的全局快门传感器。
（2）品牌知名度和产品线优势
美国豪威成立于1995年，自成立之日起即专注于设计、研发CMOS图像传感器技术，是全球最早进入该领域的集成电路设计企业之一。2003-2011年期间，美国豪威长期占据全球 CMOS图像传感器领导地位，在世界范围内建立了广泛的品牌影响力和市场知名度。截至2017年末，美国豪威仍是全球最主要三家
CMOS图像传感器供应商之一，同下游客户缔结了长期稳定的合作关系。
与主要竞争对手相比，美国豪威 CMOS图像传感器种类和应用范围具有较为显著的优势，除智能手机、平板电脑等主要市场外，美国豪威的 CMOS图像传感器在车载摄像头、医疗、无人机、安防监控、AR/VR等领域均具有齐全的产品线，市场占有率较高。
（3）轻资产业务模式优势
从集成电路行业发展历史来看，早期的集成电路企业大多选择纵向一体化（IDM）的组织架构，即企业内部可完成设计、制造、封装和测试等所有 IC生产环节。这样的组织架构使得 IC企业具有技术转化效率高、新产品研制时间较短等优势，但同时也有资产投入重、资金需求量大、变通不畅等缺点。
20世纪90年代，随着全球化进程加快、国际分工职能深化，资产结构轻盈、反应迅速的无工厂芯片设计企业（Fabless）逐渐兴起；自 21世纪以来，受先进
制程研发费用大幅提升、制程更新迭代速度加快以及大规模晶圆厂投资总额大幅
提高等因素的影响，众多IDM厂商纷纷缩减了晶圆产线的投入。根据 IC Insights
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）的统计数据，在制程工艺从 130nm提升到 22/20nm的发展过程中，一直保有先进晶圆产能的 IDM企业从22家减少为3家。
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|130nm|90nm||65nm||45nm||32/28nm||22/20nm||
|Intel|Intel||Intel||Intel||Intel||Intel||
|三星|三星||三星||三星||三星||三星||
|IBM|IBM||IBM||IBM||IBM||IBM||
|意法半导体|意法半导体||意法半导体||意法半导体||意法半导体|||—|
|松下|松下||松下||松下||松下|||—|
|瑞萨电子|瑞萨电子||瑞萨电子||瑞萨电子|||—||—|
|德州仪器|德州仪器||德州仪器||德州仪器|||—||—|
|东芝|东芝||东芝||东芝|||—||—|
|富士通|富士通||富士通||富士通|||—||—|
|AMD|AMD||AMD|||—||—||—|
|摩托罗拉|飞思卡尔|||—||—||—||—|
|英飞凌|英飞凌|||—||—||—||—|
|索尼|索尼|||—||—||—||—|
|Cypress|Cypress|||—||—||—||—|
|夏普|夏普|||—||—||—||—|
|亚德诺半导体||—||—||—||—||—|
|Atmel||—||—||—||—||—|
|日立||—||—||—||—||—|
|三菱||—||—||—||—||—|
|安森美||—||—||—||—||—|
|罗姆半导体||—||—||—||—||—|
|三洋||—||—||—||—||—|

面对消费电子这类市场热点转换迅速、产品生命周期较短、技术更新迭代速率较快的行业，同传统 IDM经营模式相比，Fabless模式企业更加高效、灵活，具有一定的竞争优势。
根据 IC Insights统计数据，在1999年至2015年的16年中，Fabless企业销售额增幅14年均优于IDM企业。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）此外，自台积电、台联电等台湾代工业兴起后，晶圆代工开始被全球 IC企业认可。晶圆代工市场也逐步扩大，成为 IC产业增长的有力支柱。在制程工艺从90nm提升到22/20nm的发展过程中，代工行业主要企业发展较为稳定。
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|90nm||65nm||45nm|32/28nm|22/20nm|
|台积电||台积电||台积电|台积电|台积电|
|联华电子||联华电子||联华电子|联华电子|联华电子|
|中芯国际||中芯国际||中芯国际|中芯国际|中芯国际|
|三星||三星||三星|三星|三星|
||—||—|Global Foundries|Global Foundries|Global Foundries|

未来，随着晶圆制程工艺难度的不断提高，专注于制程工艺研究的代工厂在生产效率、产品良率等方面的优势将愈发显著。在这种趋势下，竞争优势将向与主流代工厂缔结了长期合作关系的Fabless企业倾斜。美国豪威自 1995年设立以来一直采取Fabless模式，公司的发展、成长轨迹与台积电（1987年成立）、台联电（1995年向代工模式转型）等代工企业的发展、成长史基本重合，双方已保持了20余年的合作关系，具备丰富的合作经验和充分的信任基础。
四、标的公司最近两年及一期的财务状况分析
（一）芯能投资、芯力投资最近两年及一期的财务状况分析
标的公司芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的实体，主要资产均为持有的北京豪威股权，财务报表均列示为可供出售金融资产，因此以下针对标的公司的分析均针对北京豪威。
（二）北京豪威最近两年及一期的财务状况分析
普华永道对北京豪威2016年、2017年和2018年1-7月的合并及母公司财务
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）报表及附注进行了审计，并出具了普华永道中天特审字（2018）第 2671号标准无保留意见审计报告。
1、北京豪威的财务状况分析
（1）资产结构及其变化分析
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|流动资产：|||||||
|货币资金|201,157.33|14.26|257,373.02|17.95|533,452.08|28.54|
|应收账款|116,908.66|8.29|79,946.62|5.58|38,819.83|2.08|
|预付款项|8,108.55|0.57|3,774.39|0.26|3,752.09|0.20|
|其他应收款|287.40|0.02|891.17|0.06|25.61|0.001|
|存货|240,438.33|17.04|257,206.90|17.94|351,290.62|18.80|
|其他流动资产|6,647.42|0.47|19,986.31|1.39|5,020.00|0.27|
|流动资产合计|573,547.69|40.66|619,178.40|43.19|932,360.24|49.88|
|非流动资产：|||||||
|可供出售金融资产|-|-|-|-|22,806.35|1.22|
|投资性房地产|6,839.77|0.48|6,646.51|0.46|7,220.05|0.39|
|固定资产|99,865.87|7.08|100,404.38|7.00|105,664.03|5.65|
|在建工程|14,092.10|1.00|4,034.55|0.28|5,026.22|0.27|
|无形资产|130,631.54|9.26|135,829.62|9.48|169,421.00|9.06|
|开发支出|16,615.43|1.18|9,541.39|0.67|-|-|
|商誉|500,785.94|35.50|480,046.29|33.49|509,638.68|27.27|
|长期待摊费用|10,446.11|0.74|10,727.10|0.75|12,654.83|0.68|
|递延所得税资产|16,101.07|1.14|21,811.60|1.52|59,657.07|3.19|
|其他非流动资产|41,769.94|2.96|45,230.35|3.16|44,599.70|2.39|
|非流动资产|837,147.78|59.34|814,271.78|56.81|936,687.92|50.12|
|资产总计|1,410,695.47|100.00|1,433,450.18|100.00|1,869,048.16|100.00|

报告期内，2016年末、2017年末和2018年7月末北京豪威资产总额分别为1,869,048.16万元、1,433,450.18万元和1,410,695.47万元，呈下降趋势：2017年末北京豪威资产总额较上一期末减少 435,597.97万元，降幅达23.31%；2018年7月末北京豪威资产总额较2017年末减少22,754.72万元，微降1.59%。2017年北京豪威资产总额大幅下降，主要原因系美国豪威和 Seagull International Limited
偿还了4亿美元私有化贷款，货币资金大幅下降所致。
①货币资金
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）报告期各期末，北京豪威的货币资金如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|库存现金|10.14|0.01|9.68|0.004|7.65|0.001|
|银行存款|201,107.19|99.98|257,323.34|99.981|533,404.44|99.99|
|其他货币资金|40.00|0.02|40.00|0.016|40.00|0.01|
|合计|201,157.33|100.00|257,373.02|100.00|533,452.08|100.00|
|其中：存放在境外的款项|128,727.65|63.99|111,970.54|43.51|322,213.47|60.40|

北京豪威的货币资金主要为银行存款，2016年末、2017年末和2018年7月末，北京豪威的货币资金分别为 533,452.08万元、257,373.02万元和 201,157.33万元，占总资产的比例分别为28.54%、17.95%和14.26%；其中，银行存款在 2016年末、2017年末和2018年7月末分别为533,404.44万元、257,323.34万元和
201,107.19万元，最近两年及一期在货币资金中占比均在99%以上。
2017年末，北京豪威银行存款余额较 2016年末大幅下降，其主要原因系美国豪威和Seagull International Limited偿还了4亿美元私有化贷款所致。2018年7月末，北京豪威银行存款余额较2017年末减少了56,216.15万元，主要原因系美国豪威于2018年1-7月偿还了1.1亿美元私有化贷款。
②应收账款
报告期各期末，北京豪威的应收账款如下表所示：
单位：万元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|2018.7.31||||||
|项目|账面余额|坏账准备|计提比例|账面价值|占比|
|单项金额重大并单独计提坏账准备|1,068.97|1,068.97|100.00%|-|-|
|按信用风险组合计提坏账准备|123,061.74|6,153.09|5.00%|116,908.66|100.00%|
|单项金额不重大但单独计提坏账准备|26.36|26.36|100.00%|-|-|
|合计|124,157.07|7,248.41|5.84%|116,908.66|100.00%|
|2017.12.31||||||
|项目|账面余额|坏账准备|计提比例|账面价值|占比|
|单项金额重大并单独计提坏账准备|1,024.70|1,024.70|100.00%|-|-|
|按信用风险组合计提坏账准备|84,154.34|4,207.72|5.00%|79,946.62|100.00%|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|单项金额不重大但单独计提坏账准备|25.26|25.26|100.00%|-|-|
|合计|85,204.30|5,257.68|6.17%|79,946.62|100.00%|
|2016.12.31||||||
|项目|账面余额|坏账准备|计提比例|账面价值|占比|
|单项金额重大并单独计提坏账准备|-|-|-|-|-|
|按信用风险组合计提坏账准备|40,862.98|2,043.15|5.00%|38,819.83|100%|
|单项金额不重大但单独计提坏账准备|26.82|26.82|100.00%|-|-|
|合计|40,889.80|2,069.97|5.06%|38,819.83|100%|

报告期各期末，北京豪威应收账款账龄如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|一年以内|123,061.74|99.12|85,179.04|99.97|40,889.80|100.00|
|一到两年|1,095.33|0.88|25.26|0.03|-|-|
|合计|124,157.07|100.00|85,204.30|100.00|40,889.80|100.00|

报告期内，北京豪威应收账款账面价值分别为38,819.83万元、79,946.62万元和116,908.66万元，占资产总额的比例分别为2.08%、5.58%和8.29%，占营业收入的比例分别为4.88%、8.83%和23.31%，应收账款占营业收入的整体比例较低，但呈逐年上升趋势。
2017年末，北京豪威应收账款账面价值 79,946.62万元，较 2016年末增加了 41,126.79万元，增幅达105.94%；与此同时，北京豪威 2017年营业收入905,038.73万元，较2016年增加109,388.72万元，增幅为13.75%。2017年北京豪威应收账款余额增幅较快的原因为：北京豪威销售回款一般在 30-45天左右，应收账款周转率较高，年末应收账款余额一般只跟11月和12月的销售情况有关。
CMOS图像传感器是北京豪威主要产品，其销售旺季一般为每年三、四季度。2016年 10月，由于美国某知名手机厂商发布了新旗舰机型，其他手机厂商采取了观望策略，暂缓了手机出货，导致北京豪威 2016年 11月、12月销量较少，应收账款余额较低。
2018年7月末，北京豪威应收账款账面价值116,908.66万元，较2017年末
增加36,962.03万元，增幅达46.23%，其主要原因为每年三、四季度通常为销售
旺季。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）③存货
A.存货的构成
报告期各期末，北京豪威的存货账面价值如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|在产品|136,442.56|56.75|102,627.48|39.90|176,086.00|50.13|
|产成品|103,995.77|43.25|154,224.21|59.96|174,891.16|49.79|
|周转材料|-|-|355.20|0.14|313.45|0.09|
|合计|240,438.33|100.00|257,206.90|100.00|351,290.62|100.00|

 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威存货账面价值分别为 351,290.62万元、257,206.90万元和 240,438.33万元，占资产总额的比例分别为18.80%、17.94%和17.04%。北京豪威的存货主要由在产品和产成品构成，其中在产品主要为存放在晶圆代工厂、彩色滤光片厂、封测厂的委托加工产品，产成品主要为CMOS图像传感器。
2017年末，北京豪威存货账面价值较 2016年末减少94,083.72万元，主要原因为：为保障客户订单能及时交付，北京豪威会根据客户反馈和销售部门的市场预测，提前进行排产备货。2016年四季度，北京豪威预计2017年 CMOS图像传感器市场需求增幅较大，为了应对未来订单需求，因此年底大量备货，导致年末存货余额较高。
B.存货跌价准备计提政策
北京豪威定期评估存货的可变现净值，并对存货成本高于可变现净值的差额确认存货跌价损失。北京豪威在估计存货的可变现净值时，考虑存货的持有目的，并以可得到的资料作为估计的基础，其中包括存货的预计销售量等。存货的可变现净值可能随市场价格或存货实际用途的改变而发生变化，因此存货跌价准备的金额可能会随上述原因而发生变化，进而影响损益。
存货减值损失按存货量与估计的销售量之间的差异作基础，对过剩的存货以生产成本作减值计提。存货跌价准备按存货成本高于其可变现净值的差额计提；
可变现净值按日常活动中，以存货的估计售价减去至完工时估计将要发生的成本、
估计的销售费用以及相关税费后的金额确定。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）C.报告期内存货跌价准备的计提情况
报告期内，北京豪威的存货及存货跌价准备如下：
a.2018年7月31日存货及存货跌价准备
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|存货类型|账面余额|跌价准备|账面价值|减值占存货比例|
|在产品|144,917.79|8,475.23|136,442.56|5.85%|
|产成品|121,738.14|17,742.37|103,995.77|14.57%|
|周转材料|-|-|-|-|
|合并|266,655.93|26,217.60|240,438.33|9.83%|

b.2017年12月31日存货及存货跌价准备
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|存货类型|账面余额|跌价准备|账面价值|减值占存货比例|
|在产品|109,182.51|6,555.04|102,627.48|6.00%|
|产成品|166,949.94|12,725.73|154,224.21|7.62%|
|周转材料|355.20|-|355.20|-|
|合并|276,487.66|19,280.76|257,206.90|6.97%|

c.2016年12月31日存货及存货跌价准备
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|存货类型|账面余额|跌价准备|账面价值|减值占存货比例|
|在产品|176,989.43|903.42|176,086.00|0.51%|
|产成品|186,261.23|11,370.07|174,891.16|6.10%|
|周转材料|313.45|-|313.45|-|
|合并|363,564.11|12,273.49|351,290.62|3.38%|

报告期内，北京豪威存货跌价准备占存货余额比例逐年增加，主要原因为：2016年北京豪威产品结构中低端产品占比较高，自2017年起北京豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。在这种情况下，部分低端产品预计销售量下降，导致存货跌价准备计提金额增加。
D.同行业上市公司存货跌价准备的计提
截至 2017年 12月 31日，北京豪威同行业上市公司减值占存货余额比例情况如下：
单位：%
||||
|-|-|-|
|序号|同行业公司|2017.12.31|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|序号|同行业公司|2017.12.31|
|1|汇顶科技|27.56|
|2|圣邦股份|16.03|
|3|上海贝岭|8.67|
|4|兆易创新|6.55|
|5|韦尔股份|5.70|
|6|华微电子|4.90|
|7|扬杰科技|3.88|
|8|富满电子|3.19|
|9|富瀚微|0.13|
|10|捷捷微电|0.00|
|11|国科微|0.00|
||平均值|6.96|
||北京豪威|6.97|

由于同行业上市公司中没有以 CMOS图像传感器为主营产品的企业，各家公司产品区别较大，市场环境各有不同，因此存货跌价准备计提比例差异较大。
但另一方面，与同行业上市公司相比，北京豪威整体存货跌价准备计提比例相对较高，计提充分、合理。
④其他流动资产和可供出售金融资产
报告期内，北京豪威其他流动资产主要由可供出售金融资产构成，具体情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|可供出售金融资产|6,430.96|96.74|18,574.65|92.94|4,782.06|95.26|
|美国所得税退税|—|—|1,150.47|5.76|—|—|
|其他|216.46|3.26|261.19|1.31|237.93|4.74|
|合计|6,647.42|100.00|19,986.31|100.00|5,020.00|100.00|

报告期内，北京豪威可供出售金融资产（包括列示于其他流动资产的可供出售金融资产）具体情况如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|债券及货币基金投资|—|—|4,782.06|
|可供出售权益工具|6,430.96|18,574.65|22,806.35|
|合计|6,430.96|18,574.65|27,588.41|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）A.债券及货币基金投资
截至 2016年 12月 31日，北京豪威尚未到期的债券及货币基金投资为货币市场基金，上述货币基金投资无固定收益，到期日在一年以内。
B.可供出售权益工具
2016年1月28日，北京豪威收购美国豪威时，美国豪威持有苏州晶方13.35%的股份，并在其董事会中占有一个董事席位，对苏州晶方具有重大影响。因此，北京豪威将苏州晶方作为联营公司，按权益法核算该长期股权投资。
2016年 5月，北京豪威在公开市场上出售其持有的苏州晶方的10%股权，该股权转让完成后，北京豪威对苏州晶方的持股比例下降至3.35%，北京豪威的剩余股份的表决权仅与该公司的行政性管理事务相关，无法再以任何方式对该公司的财务和经营决策施加重大影响。因此，北京豪威终止按权益法核算对苏州晶方的长期股权投资，改按金融工具确认和计量准则，将剩余的股权确认为按公允价值计量的可供出售权益工具。
⑤固定资产
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|拥有所有权的土地|23,619.17|23.65|22,641.00|22.55|24,036.71|22.75|
|房屋及建筑物|59,282.74|59.36|57,628.31|57.40|62,638.07|59.28|
|运输工具|72.21|0.07|79.33|0.08|102.79|0.10|
|计算机及电子设备|1,549.60|1.55|1,570.35|1.56|1,691.66|1.60|
|机器设备|15,089.80|15.11|17,986.70|17.91|16,318.71|15.44|
|办公设备|252.34|0.25|498.68|0.50|876.10|0.83|
|合计|99,865.87|100.00|100,404.38|100.00|105,664.03|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威固定资产账面价值分别为 105,664.03万元、100,404.38万元和 99,865.87万元，占资产总额的比例分别为5.65%、7.00%和7.08%，总体较为稳定。北京豪威的固定资产主要由拥有所有权的土地和房屋及建筑物，两者占固定资产账面价值总额的比例在80%
左右。
⑥在建工程
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|待安装设备|7,878.21|55.91|888.94|22.03|4,809.45|95.69|
|厂房工程|5,953.25|42.25|3,040.96|75.37|126.20|2.51|
|信息系统及设备|47.92|0.34|—|—|25.61|0.51|
|办公楼及附属设施|148.90|1.06|43.47|1.08|—|—|
|工厂营运管制系统|63.83|0.45|61.19|1.52|64.96|1.29|
|合计|14,092.10|100.00|4,034.55|100.00|5,026.22|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威在建工程账面价值分别为 5,026.22万元、4,034.55万元和 14,092.10万元。北京豪威在建工程主要为子公司豪威半导体（上海）有限责任公司和上海全览半导体技术有限公司的在建工程。2018年7月末，北京豪威在建工程余额较2017年末增幅较大，主要为上述两家子公司在建工程中的机器设备和建筑增加额。
⑦无形资产
报告期各期末，北京豪威的无形资产账面价值如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|土地使用权|20,388.54|15.61|19,846.48|14.61|21,620.11|12.76|
|外购软件|499.81|0.38|587.46|0.43|1,114.59|0.66|
|专利权及专利技术|74,265.47|56.85|83,514.41|61.48|111,148.05|65.60|
|商标|28,833.80|22.07|29,789.42|21.93|35,538.25|20.98|
|开发支出|6,643.92|5.09|2,091.85|1.54|-|-|
|合计|130,631.54|100.00|135,829.62|100.00|169,421.00|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威无形资产账面价值分别为169,421.00万元、135,829.62万元和130,631.54万元，占资产总额的比例分别为9.06%、9.48%和9.26%。北京豪威无形资产包括土地使用权、外购软件、专利权及专利技术、商标和开发支出，其中专利权及专利技术占比较大。
⑧商誉
截至 2018年 7月 31日，北京豪威非流动资产中商誉金额 500,785.94万元，
占总资产的比例为35.50%，金额较高，其主要原因系2016年1月北京豪威收购
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）美国豪威，非同一控制下企业合并确认的商誉。截至2018年7月31日，北京豪威商誉未计提减值准备。
（2）负债结构及其变化分析
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|流动负债：|||||||
|短期借款|—|—|26,022.92|4.92|—|—|
|应付账款|94,147.68|20.76|93,740.50|17.72|136,009.54|11.40|
|预收款项|9,559.73|2.11|14,356.81|2.71|29,899.52|2.51|
|应付职工薪酬|11,166.34|2.46|12,182.97|2.30|9,370.26|0.79|
|应交税费|21,962.02|4.84|21,792.51|4.12|8,612.65|0.72|
|其他应付款|39,884.26|8.79|13,665.50|2.58|26,958.98|2.26|
|一年内到期的非流动负债|61,348.50|13.53|—|—|231,674.09|19.41|
|其他流动负债|2,621.11|0.58|3,351.69|0.63|753.68|0.06|
|流动负债合计|240,689.64|53.07|185,112.90|34.99|443,278.73|37.15|
|非流动负债：|||||||
|长期借款|129,324.99|28.52|251,959.48|47.62|315,034.49|26.40|
|预计负债|77,789.15|17.15|64,487.36|12.19|72,617.70|6.09|
|递延收益|547.15|0.12|587.08|0.11|318.50|0.03|
|递延所得税负债|4,733.23|1.04|26,513.43|5.01|361,755.72|30.31|
|其他非流动负债|424.48|0.09|433.50|0.08|368.32|0.03|
|非流动负债合计|212,819.00|46.93|343,980.85|65.01|750,094.73|62.85|
|负债合计|453,508.64|100.00|529,093.75|100.00|1,193,373.46|100.00|

截至2016年末、2017年末和2018年7月末，负债总额分别为1,193,373.46万元、529,093.75万元和453,508.64万元，负债总额呈下降趋势。
①短期借款
2017年3月，美国豪威与招商银行烟台分行签署《授信协议》和《担保协议》等相关文件，招商银行烟台分行向美国豪威提供一亿美金的一次性授信额度。
美国豪威与招商银行纽约分行签署不超过一亿美金的《借款合同》以及相关借款文件。
基于上述借款协议，招商银行烟台分行同意美国豪威的申请，开立以招商银
行纽约分行为受益人，金额为 8,053.00万美元的保函。2017年度，招商银行纽
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）约分行总计发放 7,997.00万美元贷款给美国豪威，到期日为 2018年 2月 21日。
截至 2017年 12月 31日，美国豪威已偿还50%的借款本金，剩余借款 3,998.50万美元贷款于2018年2月还清。
②应付账款
北京豪威采用 Fabless经营模式，将晶圆制造、封装和测试业务外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。应付账款主要系北京豪威按照客户的订货需求和销售部门所预测的未来市场需求，委托晶圆代工厂进行生产和封测所产生的采购款。
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|应付晶圆采购及加工费|92,745.06|98.51|93,125.05|99.34|133,146.94|97.90|
|其他|1,402.63|1.49|615.46|0.66|2,862.60|2.10|
|合计|94,147.68|100.00|93,740.50|100.00|136,009.54|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威应付账款账面价值分别为136,009.54万元、93,740.50万元和94,147.68万元。北京豪威应付账款主要为应付晶圆采购及加工费，报告期内占应付账款的比例分别为97.90%、99.34%和98.51%。
③其他应付款
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|应付借款利息|1,706.28|4.28|985.59|7.21|3,088.21|11.46|
|应付销售返点|29,120.66|73.01|6,784.41|49.65|5,660.95|21.00|
|应付法务费|2,844.91|7.13|1,178.22|8.62|1,544.02|5.73|
|应付专业服务费|823.34|2.06|1,035.25|7.58|8,561.87|31.76|
|应付工程款|2,443.50|6.13|998.76|7.31|395.09|1.47|
|应付销售佣金|1,265.18|3.17|901.48|6.60|3,179.74|11.79|
|应付股东溢缴投资款|613.33|1.54|587.93|4.30|624.17|2.32|
|应付专利费|—|—|—|—|1,734.25|6.43|
|应付处置苏州晶方中介费|—|—|—|—|659.41|2.45|
|其他|1,067.03|2.68|1,193.86|8.74|1,511.28|5.61|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|
|合计|39,884.26|100.00|13,665.50|100.00|26,958.98|100.00|

截至 2018年 7月 31日，北京豪威其他应付款账面价值 39,884.16万元，其中主要为应付销售返点，金额29,120.66万元，占全部其他应付款总额的73.01%。
④长期借款
2016年1月28日，Seagull Investment HoldingsLimited、Seagull International Limited与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《信贷和担保合同》（“Credit and GuaranteeAgreement”）以及相关借款文件，借款金额合计8亿美元，用于支付私有化对价。
2017年2月3日，Seagull Investment HoldingsLimited、Seagull InternationalLimited、美国豪威与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《修改信贷和担保合同》（“AMENDED AND RESTATED CREDIT AND GUARANTEEAGREEMENT”）以及相关借款文件。Seagull International还款2亿美元，剩余 6亿美元借款由美国豪威作为借款人偿还。
2017年 2月 3日，美国豪威还款 2亿美元，剩余借款 4亿美元，合同生效日起第一年的年利率为 LIBOR加1.6%，第二年的年利率为 LIBOR加1.8%，第三年的年利率为 LIBOR加2.0%，按季度付息，到期日为 2020年 2月 3日。其中 2亿美元借款为循环贷款，可于 2020年 2月 3日之前的任意时间偿还，剩余2亿美元借款为定期贷款，到期一次归还本金。循环贷款部分,截至2018年7月31日止，美国豪威已还款1.1亿美元,剩余9,000万美元循环贷款于2018年9月5日全部还清,故此部分披露为一年内到期的长期借款。
（3）偿债能力分析
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|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月|2017.12.31/2017年度|2016.12.31/2016年度|
|资产负债率（%）|32.15|36.91|63.85|
|流动比率（倍）|2.38|3.34|2.10|
|速动比率（倍）|1.38|1.96|1.31|
|息税折旧摊销前利润（万元）|44,523.70|51,928.44|-146,933.34|
|利息保障倍数（倍）|2.67|0.72|-6.76|

报告期内，北京豪威的流动比率、速动比例较为稳定，资产负债率逐年降低，
偿债能力较强。2016年度，北京豪威受私有化相关费用影响（包括：①因收购
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值的影响；②因收购美国豪威产生的存货影响；③因收购美国豪威所借入并购借款的财务费用的影响；④因收购美国豪威所支付的相关中介服务费用的影响；⑤一次性员工奖励计划的影响；
⑥因收购美国豪威所处置其持有的投资的影响），息税折旧摊销前利润为亏损数。
私有化结束后，美国豪威各项经营管理活动逐渐恢复正常。自 2017年起，美国豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品，盈利水平显著提高，偿债能力大幅增强。
截至2017年12月31日，同行业上市公司偿债能力指标如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|公司代码|公司简称|资产负债率（%）|流动比率|速动比率|
|SH.603501|韦尔股份|57.85|1.53|1.18|
|SH.600360|华微电子|48.34|1.63|1.50|
|SH.603986|兆易创新|31.74|2.58|1.45|
|SZ.300373|扬杰科技|30.88|2.12|1.90|
|SZ.300671|富满电子|28.21|2.78|2.02|
|SH.603160|汇顶科技|21.10|4.45|3.87|
|SZ.300661|圣邦股份|19.13|6.25|5.81|
|SZ.300613|富瀚微|12.15|7.79|7.46|
|SH.600171|上海贝岭|11.89|6.12|5.66|
|SZ.300672|国科微|11.63|6.56|5.75|
|SZ.300623|捷捷微电|10.33|7.28|6.67|
|平均值||25.75|4.46|3.93|
|北京豪威||36.91|3.34|1.96|

从上表可知，同行业可比上市公司资产负债率普遍较低，短期偿债能力较强。
北京豪威资产负债率略高于平均水平，短期偿债指标略低于平均水平。
（4）资产周转能力分析
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|应收账款周转率（次/年）|4.79|14.35|19.46|
|存货周转率（次/年）|1.41|2.17|1.84|
|总资产周转率（次/年）|0.35|0.55|0.43|

报告期内，北京豪威应收账款余额增幅较大，周转率有所下降。
自2017年起北京豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。经过2017的去库存，2017年末和2018年7月末北京豪威存货余额逐渐下降，2017年存货周转率较2016年增幅较大。
截至2017年12月31日，同行业上市公司资产周转能力情况如下：
单位：次/年
||||||
|-|-|-|-|-|
|公司代码|公司简称|总资产周转率|应收账款周转率|存货周转率|
|SH.603501|韦尔股份|1.08|3.25|4.37|
|SH.603986|兆易创新|0.96|20.59|2.39|
|SH.603160|汇顶科技|0.96|6.93|3.62|
|SZ.300661|圣邦股份|0.80|14.15|4.93|
|SZ.300671|富满电子|0.76|2.73|2.31|
|SZ.300613|富瀚微|0.64|5.62|5.88|
|SZ.300373|扬杰科技|0.51|3.59|5.56|
|SZ.300623|捷捷微电|0.45|4.29|2.95|
|SZ.300672|国科微|0.43|2.95|2.04|
|SH.600360|华微电子|0.42|4.26|6.98|
|SH.600171|上海贝岭|0.23|5.42|4.05|
|平均值||0.66|6.71|4.10|
|北京豪威||0.55|14.35|2.17|

从上表可知，北京豪威总资产周转率与同行业上市公司平均总资产周转率处于同一水平。北京豪威应收账款管理较为完善，在直销模式下，公司同模组厂商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结 30天-60天左右；在代销模式下，公司同经销商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结30天。因此，北京豪威应收账款余额占当期营业收入比重较小，应收账款周转率高于同行业上市公司。
由于同行业上市公司所生产的具体产品各有不同，因此各公司在产品生产周期、产成品保有量以及销售模式等方面均有所差异，导致同行业上市公司存货周转率差异较大。2017年，北京豪威存货周转率为2.17，低于同行业上市公司 4.10的平均水平，但与富满电子、国科微、捷捷微电、兆易创新等公司存货周转率较为接近。
2、北京豪威的盈利能力分析
（1）营业收入及构成分析
①营业收入构成
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）报告期内，北京豪威营业收入情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|主营业务收入|500,391.31|99.77|903,357.40|99.81|794,442.33|99.85|
|其他业务收入|1,170.50|0.23|1,681.33|0.19|1,207.68|0.15|
|合计|501,561.81|100.00|905,038.73|100.00|795,650.01|100.00|

报告期内，北京豪威的营业收入主要源于主营业务收入，2016年、2017年和2018年1-7月，北京豪威主营业务收入金额分别为794,442.33万元、903,357.40万元和500,391.31万元，占营业收入比重分别为99.85%、99.81%和99.77%。北京豪威其他业务收入主要为房屋租金收入，报告期内占营业收入的比例很小。
②主营业务收入分析
报告期内，北京豪威95%以上的主营业务来自于 CMOS图像传感器产品的销售收入，主营业务收入构成如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|CMOS图像传感器|477,367.60|95.40|869,364.76|96.24|775,008.04|97.55|
|其他产品|21,619.30|4.32|33,349.07|3.69|18,986.13|2.39|
|提供劳务|1,404.42|0.28|643.57|0.07|448.17|0.06|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

北京豪威作为 CMOS图像传感器行业最主要三家龙头企业之一，随着全球 CMOS图像传感器市场规模的不断扩大，凭借优秀的研发能力、全面的产品线、稳定的产品质量和快速的市场应变能力，北京豪威实现了 CMOS图像传感器收入的稳定增长。2016年度、2017年度和 2018年 1-7月，北京豪威 CMOS图像传感器产品销售收入分别为775,008.04万元、869,364.76万元和477,367.60万元。
报告期内，北京豪威主营业务收入按销售地域划分的构成情况如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|中国境内|90,004.60|17.99|202,042.18|22.37|185,709.32|23.38|
|境外|410,386.71|82.01|701,315.22|77.63|608,733.02|76.62|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

北京豪威境外销售收入主要来自于香港地区，香港作为传统的国际电子产品
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）集散地，众多客户要求在香港交货，因而境外销售占比较高。
（2）毛利率分析
报告期内，北京豪威毛利率构成情况如下:
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|501,561.81|905,038.73|795,650.01|
|营业成本|381,717.51|695,732.19|670,365.34|
|毛利|119,844.30|209,306.55|125,284.67|
|综合毛利率（%）|23.89|23.13|15.75|
|CMOS图像传感器收入|477,367.60|869,364.76|775,008.04|
|CMOS图像传感器成本|363,921.11|671,844.34|655,316.18|
|CMOS图像传感器毛利|113,446.49|197,520.42|119,691.86|
|CMOS图像传感器毛利率（%）|23.77|22.72|15.44|

报告期内，北京豪威综合毛利率逐渐提高，从 2016年的15.75%增至 2018年 1-7月的23.89%。北京豪威营业毛利主要来自 CMOS图像传感器销售毛利， 2016年至 2018年 7月，CMOS图像传感器销售毛利分别为 119,691.86万元、 197,520.42万元和 113,446.49万元，占综合毛利的比例分别为95.54%、94.37%和94.66%。
2016年北京豪威综合毛利率较低，其主要原因有以下两点：
①美国豪威 2014年 8月正式启动私有化进程，整个私有化过程将近两年，且不可避免的对美国豪威经营管理造成了一定程度的不利影响：一方面，美国豪威因私有化新增长期借款8亿美元，财务压力显著增加；另一方面，私有化期间美国豪威无法进行较大投资和业务调整，难以应对瞬息万变的消费电子市场。在这种情况下，北京豪威毛利率逐年降低，综合毛利率由2014年的23.49%降至2016年的15.75%。
私有化结束后，美国豪威各项经营管理活动逐渐恢复正常。自 2017年起，美国豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。2017年，美国豪威连续推出了多款新产品和多项新技术，包括采用了新一代PureCel®Plus技术的1,300万像素级
OV13A10和OV13A1Qc传感器、1,600万像素级别的OV16B10传感器、业内领
先的近红外（NIR）技术夜鹰Nyxel™、支持生物识别能力的 OV9738RGB-Ir传
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）感器。2018年1月，美国豪威推出了 OV24A系列图像传感器，该产品采用了美国豪威新一代PureCel¬®Plus技术，分辨率为2,400万像素，同时比普通0.9微米像素捕获4倍多的可见光子，从而可在低光状态下获得更好的图像质量。经过2017年的经营调整，北京豪威盈利能力显著提高，2018年1-7月综合毛利率增至23.77%。
②2016年1月28日北京豪威收购美国豪威时，确认了存货的公允价值增值，在销售这批存货时，把较高的公允价值确认为成本，直接影响了 2016年的毛利率。
（3）期间费用分析
报告期内，北京豪威的期间费用及占同期营业收入比例情况如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|销售费用|15,451.42|3.08|29,361.07|3.24|29,766.31|3.74|
|管理费用|15,279.38|3.05|24,997.93|2.76|138,390.47|17.39|
|研发费用|54,544.93|10.88|110,169.35|12.17|115,778.99|14.55|
|财务费用|7,641.98|1.52|9,507.58|1.05|30,451.63|3.83|
|合计|92,917.70|18.53|174,035.93|19.23|314,387.41|39.51|

报告期内，北京豪威期间费用率有所降低，从 2016年的39.51%降至 2018年1-7月的18.53%。
①销售费用
报告期内，北京豪威销售费用明细及占比情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|职工薪酬|9,361.44|60.59|17,203.06|58.59|15,883.34|53.36|
|销售佣金|3,774.72|24.43|8,200.27|27.93|8,405.19|28.24|
|租赁及物业费|619.88|4.01|910.88|3.10|764.26|2.57|
|市场推广费|399.82|2.59|592.91|2.02|606.29|2.04|
|交通差旅费|387.05|2.50|677.14|2.31|628.19|2.11|
|办公费|288.60|1.87|498.92|1.70|378.88|1.27|
|折旧和摊销|185.92|1.20|370.24|1.26|448.89|1.51|
|通讯费|109.06|0.71|197.14|0.67|214.52|0.72|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|水电费|88.10|0.57|164.46|0.56|140.88|0.47|
|软件使用费|32.32|0.21|37.02|0.13|42.60|0.14|
|专业服务费|31.84|0.21|118.92|0.41|190.21|0.64|
|业务招待费|18.17|0.12|44.31|0.15|39.00|0.13|
|股份支付费用|-|-|-|-|1,621.67|5.45|
|其他|154.51|1.00|345.80|1.18|402.39|1.35|
|合计|15,451.42|100.00|29,361.07|100.00|29,766.31|100.00|

北京豪威销售费用主要由职薪酬和销售佣金构成，报告期内两者合计占销售费用的比例均在80%以上。2016年、2017年和2018年1-7月，北京豪威销售费用占营业收入比重较为稳定。
②管理费用
报告期内，北京豪威管理费用明细及占比情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|职工薪酬|5,709.42|37.37|11,103.49|44.42|111,330.11|80.45|
|法务费|3,354.09|21.95|2,824.08|11.30|3,191.43|2.31|
|折旧和摊销|2,649.68|17.34|5,072.02|20.29|4,785.13|3.46|
|专业服务费|2,256.68|14.77|3,873.48|15.50|14,040.65|10.15|
|软件使用费|313.50|2.05|661.90|2.65|814.02|0.59|
|租赁及物业费|246.02|1.61|425.56|1.70|404.80|0.29|
|办公费|229.29|1.50|280.56|1.12|386.95|0.28|
|交通差旅费|118.37|0.77|250.02|1.00|248.57|0.18|
|水电费|90.66|0.59|179.88|0.72|163.66|0.12|
|通讯费|72.32|0.47|218.33|0.87|189.39|0.14|
|业务招待费|2.97|0.02|6.56|0.03|6.47|0.005|
|股份支付费用|—|—|—|—|2,450.24|1.77|
|其他|236.39|1.55|102.05|0.41|379.05|0.27|
|合计|15,279.38|100.00|24,997.93|100.00|138,390.47|100.00%|

报告期内，北京豪威管理费用占营业收入的比例分别为17.39%、2.76%和3.05%。2016年 11月，北京豪威设立了“员工奖励计划”（“Employee BenefitsTrust”），并向该计划支付初始资金合计15,250万美元（人民币100,892.48万元），作为职工薪酬费用计入管理费用，导致 2016年管理费用较高。2017和 2018年
1-8月，北京豪威管理费用占营业收入比例较为稳定。
③研发费用
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）报告期内，北京豪威研发费用明细及占比情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|职工薪酬|32,049.00|58.76|60,940.96|55.32|54,407.85|46.99|
|折旧和摊销|15,186.17|27.84|26,109.64|23.70|25,184.72|21.75|
|软件使用费|2,662.43|4.88|5,075.95|4.61|4,380.33|3.78|
|法务费|1,728.63|3.17|3,078.23|2.79|3,502.25|3.02|
|租赁及物业费|667.61|1.22|1,343.46|1.22|1,080.92|0.93|
|专业服务费|492.86|0.90|899.25|0.82|808.74|0.70|
|水电费|456.20|0.84|798.49|0.72|672.67|0.58|
|办公费|288.30|0.53|637.06|0.58|757.84|0.65|
|通讯费|281.42|0.52|493.16|0.45|465.99|0.40|
|技术研发材料费|280.42|0.51|9,693.15|8.80|17,889.68|15.45|
|交通差旅费|258.01|0.47|422.48|0.38|479.08|0.41|
|业务招待费|8.27|0.02|15.57|0.01|14.57|0.01|
|股份支付费用|—|—|—|—|5,425.56|4.69|
|其他|185.62|0.34|661.96|0.60|708.81|0.61|
|合计|54,544.93|100.00|110,169.35|100.00|115,778.99|100.00|

报告期内，北京豪威研发费用占营业收入的比例分别为14.55%、12.17%和10.88%。2016年，北京豪威研发费用较高，主要原因为研发费用中的技术研发材料费较高，其主要原因为：北京豪威 2016年研发费用全部费用化，未进行资本化处理。
④销售费用、管理费用和研发费用中的股份支付费用
美国豪威自成立以来，有多个以权益结算的股份支付计划，包括股票期权、受限股票单位、员工股份购买计划等，以换取美国豪威及其子公司的董事、高级管理人员以及员工提供的服务。北京豪威于 2016年 1月 28日收购美国豪威时，对于美国豪威原员工股份购买计划参与者，需于北京豪威收购美国豪威完成收购之日的四天前完成股票的购买，美国豪威原员工股份购买计划于收购完成的同时终止。
北京豪威于2016年1月28日收购美国豪威时，对于美国豪威原股票期权的持有者，美国豪威员工持有的在《合并协议》生效之前尚不可行权期权及可行权
的价外股票期权，可根据《合并协议》的约定被转换为相应的 Seagull Investment
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）的股票期权。美国豪威员工持有的在《合并协议》生效之前的可行权的价内期权，北京豪威以现金对价向相应的持有人买断，并于买断后注销该等股票期权。
北京豪威于2016年1月28日收购美国豪威时，对于美国豪威原受限股票的持有者，美国豪威员工在《合并协议》签署当日（“2015年4月30日”）及之后获授的且在《合并协议》生效之日（“2016年1月28日”）前仍发行在外的受限股票根据《合并协议》的约定被转换为相应的 Seagull Investment的受限股票。
美国豪威员工持有的在《合并协议》签署日之前获授的且在2016年1月28日之前仍发行在外的受限股票，北京豪威以现金对价向相应的持有人买断，并于买断后注销该等受限股票。
北京豪威在购买日评估计算新奖励以及替代的美国豪威原有奖励的公允价值，并进一步根据奖励的等待期将此替代奖励分为企业合并前和合并后服务两部分：对于分摊作为合并前服务的部分，作为收购美国豪威的对价；对于分摊作为合并后服务的部分，在职工剩余的等待期内，以可行权权益工具数量的最佳估计为基础，将股份支付费用计入相关期间的成本和费用。
上述股份支付对财务状况和经营成果的影响如下：
单位：万元
|||
|-|-|
|项目|2016年|
|营业成本|1,634.58|
|销售费用|1,621.67|
|管理费用|2,450.24|
|研发费用|5,425.56|
|当期因股份支付而确认的费用总额|11,132.06|

⑤财务费用
报告期内，北京豪威财务费用明细情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|利息支出|8,208.88|107.42|16,961.02|178.39|27,599.38|90.63|
|减：利息收入|-789.94|-10.34|-1,386.39|-14.58|-418.86|-1.38|
|减：贷款更新利得|-|-|-6,197.30|-65.18|-|-|
|银行手续费|46.15|0.60|84.60|0.89|462.27|1.52|
|汇兑损失|176.89|2.31|45.65|0.48|2,808.85|9.22|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|合计|7,641.98|100.00|9,507.58|100.00|30,451.63|100.00|

 2016年 1月 28日，北京豪威子公司 Seagull InvestmentHoldings、Seagull International与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《信贷和担保合同》（“Credit and GuaranteeAgreement”）以及相关借款文件，借款金额合计8亿美元，用于支付私有化对价，并导致北京豪威 2016年财务费用较高。
截至2017年2月3日，上述8亿美元私有化借款偿还4亿，因此2017年财务费用较2016年降幅较大。
（4）资产减值损失
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|存货跌价损失|9,754.24|27,430.88|10,968.15|
|坏账损失|1,659.43|3,440.36|1,975.44|
|坏账收回|-|-|-109.55|
|合计|11,413.67|30,871.24|12,834.04|

由上表可知，北京豪威的资产减值损失主要由存货跌价准备和坏账损失构成。
报告期内，北京豪威资产减值损失金额分别为12,834.04万元、30,871.24万元和 11,413.67万元。2017年，北京豪威资产减值损失较高，主要原因为存货跌价损失大幅增加，2016年北京豪威产品结构中低端产品占比较高，自 2017年起北京豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。在这种情况下，部分低端产品预计销售量下降，导致存货跌价准备计提金额增加。
（5）投资损失
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|处置可供出售金融资产等取得的投资损益|1,113.15|1,284.45|-688.64|
|股息红利收入|-25.30|-38.42|-340.88|
|处置以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债取得的投资损失|-|-|1,415.90|
|处置长期股权投资产生的投资损失|-|-|12,492.88|
|合计|1,087.85|1,246.03|12,879.26|

2016年北京豪威投资损失较高，其主要原因如下：
①处置精材科技股权的投资损失
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案） 2015年 8月，美国豪威与台积电签订《股权出售协议》（“Share PurchaseAgreement”），出售美国豪威持有的精材科技的全部股份。美国豪威所持有的精材科技的股份受台湾证券交易所持股锁定期约束，其中50%的股份于2015年11月 30日锁定期到期，剩余50%的股份于 2016年3月 30日锁定期到期。该股份转让以精材科技2015年6月30日的股票价格（“基准价”）为基础进行转让。上述《股权出售协议》约定，当锁定期结束后，若精材科技的股价高于基准价，台积电将支付给美国豪威对应的差价；若精材科技的股价低于基准价，美国豪威将支付给台积电对应的差价（以下简称“股权转让补偿安排”）。
经过评估，美国豪威将该补偿安排在会计上确认为衍生金融工具，以公允价值进行初始和后续计量，并采用“布莱克-斯克尔斯-默顿”期权定价模型确定该衍生金融工具的公允价值，其公允价值变动计入公允价值变动损益。
2016年1月28日，北京豪威收购美国豪威时，该衍生金融负债的公允价值为3,963.40万元。2016年3月30日，剩余50%的精材科技股份锁定期到期，北京豪威根据解禁日精材科技的股价与基准价之间的差额，确认了需补偿台积电的金额折合人民币5,288.90万元，并于2016年5月支付完毕。2016年度，北京豪威因上述交易共产生投资损失1,415.90万元。
②处置苏州晶方股权的投资损失
2016年 5月，北京豪威在公开市场上出售其持有的苏州晶方的10%股权，该股权转让完成后，北京豪威对苏州晶方的持股比例下降至3.35%，无法再以任何方式对该公司的财务和经营决策施加重大影响。因此，北京豪威终止按权益法核算对苏州晶方的长期股权投资，改按金融工具确认和计量准则，将剩余的股权确认为按公允价值计量的可供出售权益工具，并将其在丧失重大影响之日的公允价值与账面价值之间的差额计入当期损益，原采用权益法核算时产生的相关其他综合收益应当在终止采用权益法核算时，全部转入当期损益。
2016年度，北京豪威因处置苏州晶方股权共收到款项 63,108.40万元，产生投资损失12,492.88万元。
（6）营业外收支分析
报告期内，北京豪威营业外收支及占营业收入的比例情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|营业外收入|46.59|0.01|52.84|0.01|202.16|0.03|
|营业外支出|29.09|0.01|174.95|0.02|1,654.65|0.21|
|营业外收支净额|17.51|0.004|-122.12|-0.01|-1,452.49|-0.18|

（7）非经常性损益
北京豪威最近两年及一期经审计的合并报表的非经常损益明细如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|非流动资产处置损失|47.76|179.96|9.73|
|处置可供出售金融资产、长期股权投资、以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债等的投资损失|1,113.15|1,284.45|13,220.14|
|股权奖励回购|—|—|6,573.85|
|计入当期损益的政府补助|-269.69|-346.79|-202.16|
|除上述各项之外的其他营业外收入和支出|-46.58|-52.52|1,653.98|
|减：所得税影响额|341.62|223.16|-5,939.96|
|归属于所有者的非经常性损失|1,186.26|1,288.25|15,315.57|

报告期内，北京豪威非经常性损失金额分别为 15,315.57万元、1,288.25万元和1,186.26万元。
（8）所得税费用
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|按税法及相关规定计算的当期所得税|11,959.66|19,915.85|40,295.67|
|递延所得税|-14,312.17|-291,797.03|-43,154.43|
|合计|-2,352.51|-271,881.18|-2,858.76|

2017年北京豪威递延所得税大幅增加，主要原因是受美国税务改革的影响，包括境外盈利遣返税及联邦企业所得税税率修改等。
美国税改对美国受控的外国子公司取得的超过一定有形资产常规回报率的收入征收全球无形资产低税收入税，即对美国母公司受控的外国子公司于美国境外取得的“低税”收入所征收的税，需按新税法规定的美国企业联邦所得税税率
21%缴纳，考虑其他税收优惠减免政策，实际缴纳税率在10.5%-21%之间。对于
此部分“低税”收入美国豪威以前年度严格遵循税法要求进行税会差异调整，并
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）按照税改前35%的联邦企业所得税税率计入递延所得税负债。按照此次税改计算标准纳税后，美国豪威同时将之前计提的此部分暂时性差异冲销，由此产生较大金额的所得税收益。
（9）经营活动现金流量净额与净利润比较
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|经营活动现金流量净额|40,907.98|7,337.68|-119,357.19|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|差异|24,266.34|-267,193.93|94,895.75|

 2018年 1-7月，北京豪威经营活动现金流量净额较同期净利润多 24,266.34万元，其主要原因为：截至2018年7月31日，北京豪威其他应付款余额中尚有29,120.66万元的应付销售返点没有支付。
2017年，北京豪威经营活动现金流量净额较同期净利润少267,193.93万元，其主要原因为：递延所得税负债的减少金额较高，总计327,439.35万元，此部分收益增加净利润但是并没有带来实际的现金流入。
（10）扣除私有化相关费用后北京豪威的盈利情况
报告期内，北京豪威扣除私有化相关费用后（包括扣除 2016年一次性员工奖励计划、2017年美国税改、2018年一次性税务事项等因素的影响）的盈利情况分别为2,101.35万元、19,953.41万元和20,531.50万元，具体情况如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项 目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值的影响（1）|7,276.99|9,699.87|11,884.57|
|因收购美国豪威产生的存货影响（2）|-|-|46,837.31|
|因收购美国豪威所借入并购借款的财务费用的影响（3）|6,025.50|11,523.49|33,004.64|
|因收购美国豪威所支付的相关中介服务费用的影响（4）|-|-|10,624.30|
|一次性员工奖励计划的影响（5）|-|-|100,892.48|
|因收购美国豪威所处置其持有的投资的影响（6）|1,423.29|1,527.76|13,110.99|
|美国税改及其他一次性税务事项的影响（7）|-10,835.92|-277,329.32|-|
|调整后净利润|20,531.50|19,953.41|2,101.35|

（1）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的收购时，北京豪威根
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）据企业会计准则的要求，将收购中取得的美国豪威的各项可辨认的资产和负债，按照收购日的公允价值在其合并财务报表中予以确认。该项为这些无形资产及其他长期资产的公允价值增值在预计使用年限内的摊销的影响。
（2）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的收购时，确认了存货的公允价值增值。该项为收购日后销售这些存货时，确认相关收入和成本的影响。
（3）2016年 1月 28日，北京豪威为收购美国豪威通过其子公司 Seagull Investment HoldingsLimited（ “Seagull Investment”）及 Seagull International Limited（“SeagullInternational”）向中国银行澳门分行、招商银行股份有限公司纽约分行举债合计8亿美元，用以支付合并交易的收购对价。2017年2月3日， SeagullInvestment、Seagull International及美国豪威与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《修改信贷和担保合同》以及相关借款文件（“借款更新”）。
Seagull International还款2亿美元本金，剩余6亿美元借款本金由美国豪威作为借款人偿还。于合同修改当日，美国豪威还款2亿美元本金，剩余借款4亿美元本金，2018年 5月，美国豪威还款 1.1亿美元本金，剩余借款 2.9亿美元本金。
该项主要为上述并购借款的利息费用、借款更新所产生的利得、代扣代缴所得税等影响。
（4）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的私有化收购时，发生一次性中介机构服务费用。
（5）美国豪威私有化后，于 2016年 11月设立了员工奖励计划，并向该计划一次性支付资金15,250万美元。
（6）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的收购后，为偿还北京豪威的并购借款，陆续处置了其持有的对采钰科技股份有限公司、苏州晶方半导体科技股份有限公司以及精材科技股份有限公司的股权投资。该项主要为这些投资于收购日的公允价值增值，以及后续处置投资的影响。
（7）该项主要系2017年度美国税改以及2018年度一次性税务事项的影响。
五、本次交易对上市公司的影响
（一）对上市公司股权结构的影响
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）本次交易为现金收购，不涉及股份发行，不会导致上市公司股权结构发生变化。
（二）对上市公司业务的影响
本次交易前，韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。分销业务主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。
本次交易标的公司芯能投资、芯力投资是专为投资北京豪威设立的实体，北京豪威为芯片设计公司，主营业务为 CMOS图像传感器的研发和销售，韦尔股份与北京豪威的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。通过本次交易，一方面丰富了上市公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来智能手机、安防、汽车、医疗等领域优质的客户资源。此外，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，北京豪威可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
因此，本次交易符合上市公司未来发展战略布局。
（三）对上市公司主要财务数据的影响
根据上市公司财务报表与立信会计师出具的《备考审阅报告》（信会师报字[2018]第ZA15939号），本次交易前后，上市公司主要财务数据对比如下：
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月||变动额|变动比率|
||实际数据|备考数据|||
|资产合计|368,462.67|537,204.80|168,742.13|45.80%|
|负债合计|214,356.72|354,943.81|140,587.09|65.59%|
|所有者权益合计|154,105.96|182,260.99|28,155.03|18.27%|
|归属于母公司股东权益合计|153,122.94|181,277.97|28,155.03|18.39%|
|营业收入|230,787.33|230,787.33|0.00|0.00%|
|归属于母公司股东的净利润|19,241.33|19,699.29|457.96|2.38%|
|项目|2017.12.31/2017年||变动额|变动比率|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
||实际数据|备考数据|||
|资产合计|282,490.82|446,958.19|164,467.37|58.22%|
|负债合计|163,426.73|304,013.63|140,586.90|86.02%|
|所有者权益合计|119,064.09|142,944.56|23,880.47|20.06%|
|归属于母公司股东权益合计|117,976.44|141,856.92|23,880.48|20.24%|
|营业收入|240,591.63|240,591.63|0.00|0.00%|
|归属于母公司股东的净利润|13,715.63|42,374.84|28,659.21|208.95%|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第九节财务会计信息
一、芯能投资最近两年及一期财务报表
根据立信会计师出具的信会师报字[2018]第ZA15935号审计报告，芯能投资最近两年一期经审计的财务报表如下:
（一）资产负债表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产：||||
|货币资金|426.96|26.28|14,790.42|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产|—|—|—|
|衍生金融资产|—|—|—|
|应收票据及应收账款|—|—|—|
|预付款项|—|—|—|
|其他应收款|—|—|—|
|存货|—|—|—|
|持有待售资产|—|—|—|
|一年内到期的非流动资产|—|—|—|
|其他流动资产|—|—|—|
|流动资产合计|426.96|26.28|14,790.42|
|非流动资产：|—|—|—|
|可供出售金融资产|544,315,559.13|544,315,559.13|368,142,606.31|
|持有至到期投资|—|—|—|
|长期应收款|—|—|—|
|长期股权投资|—|—|—|
|投资性房地产|—|—|—|
|固定资产|—|—|—|
|在建工程|—|—|—|
|生产性生物资产|—|—|—|
|油气资产|—|—|—|
|无形资产|—|—|—|
|开发支出|—|—|—|
|商誉|—|—|—|
|长期待摊费用|—|—|—|
|递延所得税资产|—|—|—|
|其他非流动资产|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|非流动资产合计|544,315,559.13|544,315,559.13|368,142,606.31|
|资产总计|544,315,986.09|544,315,585.41|368,157,396.73|
|流动负债：||||
|短期借款|—|—|—|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债|—|—|—|
|衍生金融负债|—|—|—|
|应付票据及应付账款|—|—|—|
|预收款项|—|—|—|
|应付职工薪酬|—|—|—|
|应交税费|—|—|—|
|其他应付款|1,000.00||368,142,606.31|
|持有待售负债|—|—|—|
|一年内到期的非流动负债|—|—|—|
|其他流动负债|—|—|—|
|流动负债合计|1,000.00|—|368,142,606.31|
|非流动负债：|—|—|—|
|长期借款|—|—|—|
|应付债券|—|—|—|
|其中：优先股|—|—|—|
|永续债|—|—|—|
|长期应付款|—|—|—|
|长期应付职工薪酬|—|—|—|
|预计负债|—|—|—|
|递延收益|—|—|—|
|递延所得税负债|—|—|—|
|其他非流动负债|—|—|—|
|非流动负债合计|—|—|—|
|负债合计|1,000.00|—|368,142,606.31|
|所有者权益：|—|—|—|
|股本|200,000.00|200,000.00|200,000.00|
|其他权益工具|—|—|—|
|其中：优先股|—|—|—|
|永续债|—|—|—|
|资本公积|544,672,131.13|544,672,131.13|—|
|减：库存股|—|—|—|
|其他综合收益|—|—|—|
|专项储备|—|—|—|
|盈余公积|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|未分配利润|-557,145.04|-556,545.72|-185,209.58|
|所有者权益合计|544,314,986.09|544,315,585.41|14,790.42|
|负债和所有者权益总计|544,315,986.09|544,315,585.41|368,157,396.73|

（二）利润表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、营业收入|—|—|—|
|减：营业成本|—|—|—|
|税金及附加|—|360,422.60|184,081.30|
|销售费用|—|—|—|
|管理费用|—|10,750.00|743.5|
|研发费用|—|—|—|
|财务费用|599.32|163.54|384.78|
|其中：利息费用|—|—|—|
|利息收入|0.68|36.46|20.22|
|资产减值损失|—|—|—|
|加：其他收益|—|—|—|
|投资收益|—|—|—|
|公允价值变动收益|—|—|—|
|资产处置收益|—|—|—|
|二、营业利润|-599.32|-371,336.14|-185,209.58|
|加：营业外收入|—|—|—|
|减：营业外支出|—|—|—|
|三、利润总额|-599.32|-371,336.14|-185,209.58|
|减：所得税费用|—|—|—|
|四、净利润|-599.32|-371,336.14|-185,209.58|
|（一）持续经营净利润|-599.32|-371,336.14|-185,209.58|
|（二）终止经营净利润|—|—|—|
|五、其他综合收益的税后净额|—|—|—|
|（一）不能重分类进损益的其他综合收益|—|—|—|
|1．重新计量设定受益计划变动额|—|—|—|
|2．权益法下不能转损益的其他综合收益|—|—|—|
|（二）将重分类进损益的其他综合收益|—|—|—|
|1．权益法下可转损益的其他综合收益|—|—|—|
|2．可供出售金融资产公允价值变动损益|—|—|—|
|3．持有至到期投资重分类为可供出售金融资产损益|—|—|—|
|4．现金流量套期损益的有效部分|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|5．外币财务报表折算差额|—|—|—|
|6．其他|—|—|—|
|六、综合收益总额|-599.32|-371,336.14|-185,209.58|
|七、每股收益：|—|—|—|
|（一）基本每股收益（元/股）|—|—|—|
|（二）稀释每股收益（元/股）|—|—|—|

（三）现金流量表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、经营活动产生的现金流量||||
|销售商品、提供劳务收到的现金|—|—|—|
|收到的税费返还|—|—|—|
|收到其他与经营活动有关的现金|1,000.68|36.46|20.22|
|经营活动现金流入小计|1,000.68|36.46|20.22|
|购买商品、接受劳务支付的现金|—|—|—|
|支付给职工以及为职工支付的现金|—|—|—|
|支付的各项税费|—|360,422.60|184,081.30|
|支付其他与经营活动有关的现金|600|10,950.00|1,148.50|
|经营活动现金流出小计|600|371,372.60|185,229.80|
|经营活动产生的现金流量净额|400.68|-371,336.14|-185,209.58|
|二、投资活动产生的现金流量||||
|收回投资收到的现金|—|—|—|
|取得投资收益收到的现金|—|—|—|
|处置固定资产、无形资产和其他长期资产收回的现金净额|—|—|—|
|处置子公司及其他营业单位收到的现金净额|—|—|—|
|收到其他与投资活动有关的现金|—|—|—|
|投资活动现金流入小计|—|—|—|
|购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金|—|—|—|
|投资支付的现金|—|544,315,559.13|—|
|取得子公司及其他营业单位支付的现金净额|—|—|—|
|支付其他与投资活动有关的现金|—|—|—|
|投资活动现金流出小计|—|544,315,559.13|—|
|投资活动产生的现金流量净额|—|-544,315,559.13|—|
|三、筹资活动产生的现金流量||||
|吸收投资收到的现金|—|544,672,131.13|200,000.00|
|取得借款收到的现金|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|发行债券收到的现金|—|—|—|
|收到其他与筹资活动有关的现金|—|—|—|
|筹资活动现金流入小计|—|544,672,131.13|200,000.00|
|偿还债务支付的现金|—|—|—|
|分配股利、利润或偿付利息支付的现金|—|—|—|
|支付其他与筹资活动有关的现金|—|—|—|
|筹资活动现金流出小计|—|—|—|
|筹资活动产生的现金流量净额|—|544,672,131.13|200,000.00|
|四、汇率变动对现金及现金等价物的影响|—|—|—|
|五、现金及现金等价物净增加额|400.68|-14,764.14|14,790.42|
|加：期初现金及现金等价物余额|26.28|14,790.42|—|
|六、期末现金及现金等价物余额|426.96|26.28|14,790.42|

二、芯力投资最近两年及一期财务报表
根据立信会计师出具的信会师报字[2018]第ZA15936号审计报告，芯力投资最近两年一期经审计的财务报表如下:
（一）资产负债表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产：||||
|货币资金|418.45|17.79|14,780.72|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产|—|—|—|
|衍生金融资产|—|—|—|
|应收票据及应收账款|—|—|—|
|预付款项|—|—|—|
|其他应收款|—|—|—|
|存货|—|—|—|
|持有待售资产|—|—|—|
|一年内到期的非流动资产|—|—|—|
|其他流动资产|—|—|—|
|流动资产合计|418.45|17.79|14,780.72|
|非流动资产：||||
|可供出售金融资产|368,142,606.31|368,142,606.31|368,142,606.31|
|持有至到期投资|—|—|—|
|长期应收款|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|长期股权投资|—|—|—|
|投资性房地产|—|—|—|
|固定资产|—|—|—|
|在建工程|—|—|—|
|生产性生物资产|—|—|—|
|油气资产|—|—|—|
|无形资产|—|—|—|
|开发支出|—|—|—|
|商誉|—|—|—|
|长期待摊费用|—|—|—|
|递延所得税资产|—|—|—|
|其他非流动资产|—|—|—|
|非流动资产合计|368,142,606.31|368,142,606.31|368,142,606.31|
|资产总计|368,143,024.76|368,142,624.10|368,157,387.03|
|流动负债：|—|—|—|
|短期借款|—|—|—|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债|—|—|—|
|衍生金融负债|—|—|—|
|应付票据及应付账款|—|—|—|
|预收款项|—|—|—|
|应付职工薪酬|—|—|—|
|应交税费|—|—|—|
|其他应付款|1,000.00|—|368,142,606.31|
|持有待售负债|—|—|—|
|一年内到期的非流动负债|—|—|—|
|其他流动负债|—|—|—|
|流动负债合计|1,000.00|—|368,142,606.31|
|非流动负债：|—|—|—|
|长期借款|—|—|—|
|应付债券|—|—|—|
|其中：优先股|—|—|—|
|永续债|—|—|—|
|长期应付款|—|—|—|
|长期应付职工薪酬|—|—|—|
|预计负债|—|—|—|
|递延收益|—|—|—|
|递延所得税负债|—|—|—|
|其他非流动负债|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|非流动负债合计|—|—|—|
|负债合计|1,000.00|—|368,142,606.31|
|所有者权益：|—|—|—|
|股本|200,000.00|200,000.00|200,000.00|
|其他权益工具|—|—|—|
|其中：优先股|—|—|—|
|永续债|—|—|—|
|资本公积|368,322,924.31|368,322,924.31|—|
|减：库存股|—|—|—|
|其他综合收益|—|—|—|
|专项储备|—|—|—|
|盈余公积|—|—|—|
|未分配利润|-380,899.55|-380,300.21|-185,219.28|
|所有者权益合计|368,142,024.76|368,142,624.10|14,780.72|
|负债和所有者权益总计|368,143,024.76|368,142,624.10|368,157,387.03|

（二）利润表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、营业收入|—|—|—|
|减：营业成本|—|—|—|
|税金及附加|—|184,161.50|184,091.30|
|销售费用|—|—|—|
|管理费用|—|10,750.00|743.2|
|研发费用|—|—|—|
|财务费用|599.34|169.43|384.78|
|其中：利息费用|—|—|—|
|利息收入|0.66|30.57|20.22|
|资产减值损失|—|—|—|
|加：其他收益|—|—|—|
|投资收益|—|—|—|
|公允价值变动收益|—|—|—|
|资产处置收益|—|—|—|
|二、营业利润|-599.34|-195,080.93|-185,219.28|
|加：营业外收入|—|—|—|
|减：营业外支出|—|—|—|
|三、利润总额|-599.34|-195,080.93|-185,219.28|
|减：所得税费用|—|—|—|
|四、净利润|-599.34|-195,080.93|-185,219.28|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|（一）持续经营净利润|-599.34|-195,080.93|-185,219.28|
|（二）终止经营净利润|—|—|—|
|五、其他综合收益的税后净额|—|—|—|
|（一）不能重分类进损益的其他综合收益|—|—|—|
|1．重新计量设定受益计划变动额|—|—|—|
|2．权益法下不能转损益的其他综合收益|—|—|—|
|（二）将重分类进损益的其他综合收益|—|—|—|
|1．权益法下可转损益的其他综合收益|—|—|—|
|2．可供出售金融资产公允价值变动损益|—|—|—|
|3．持有至到期投资重分类为可供出售金融资产损益|—|—|—|
|4．现金流量套期损益的有效部分|—|—|—|
|5．外币财务报表折算差额|—|—|—|
|6．其他|—|—|—|
|六、综合收益总额|-599.34|-195,080.93|-185,219.28|
|七、每股收益：|—|—|—|
|（一）基本每股收益（元/股）|—|—|—|
|（二）稀释每股收益（元/股）|—|—|—|

（三）现金流量表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、经营活动产生的现金流量||||
|销售商品、提供劳务收到的现金|—|—|—|
|收到的税费返还|—|—|—|
|收到其他与经营活动有关的现金|1,000.66|30.57|20.22|
|经营活动现金流入小计|1,000.66|30.57|20.22|
|购买商品、接受劳务支付的现金|—|—|—|
|支付给职工以及为职工支付的现金|—|—|—|
|支付的各项税费|—|184,161.50|184,091.30|
|支付其他与经营活动有关的现金|600|10,950.00|1,148.20|
|经营活动现金流出小计|600|195,111.50|185,239.50|
|经营活动产生的现金流量净额|400.66|-195,080.93|-185,219.28|
|二、投资活动产生的现金流量||||
|收回投资收到的现金|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|取得投资收益收到的现金|—|—|—|
|处置固定资产、无形资产和其他长期资产收回的现金净额|—|—|—|
|处置子公司及其他营业单位收到的现金净额|—|—|—|
|收到其他与投资活动有关的现金|—|—|—|
|投资活动现金流入小计|—|—|—|
|购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金|—|—|—|
|投资支付的现金|—|368,142,606.31|—|
|取得子公司及其他营业单位支付的现金净额|—|—|—|
|支付其他与投资活动有关的现金|—||—|
|投资活动现金流出小计|—|368,142,606.31|—|
|投资活动产生的现金流量净额|—|-368,142,606.31|—|
|三、筹资活动产生的现金流量||||
|吸收投资收到的现金|—|368,322,924.31|200,000.00|
|取得借款收到的现金|—|—|—|
|发行债券收到的现金|—|—|—|
|收到其他与筹资活动有关的现金|—|—|—|
|筹资活动现金流入小计|—|368,322,924.31|200,000.00|
|偿还债务支付的现金|—|—|—|
|分配股利、利润或偿付利息支付的现金|—|—|—|
|支付其他与筹资活动有关的现金|—|—|—|
|筹资活动现金流出小计|—|—|—|
|筹资活动产生的现金流量净额|—|368,322,924.31|200,000.00|
|四、汇率变动对现金及现金等价物的影响|—|—|—|
|五、现金及现金等价物净增加额|400.66|-14,762.93|14,780.72|
|加：期初现金及现金等价物余额|17.79|14,780.72|—|
|六、期末现金及现金等价物余额|418.45|17.79|14,780.72|

三、上市公司备考合并财务报告
立信会计师对上市公司2017年和2018年1-7月的备考财务报告进行了审阅，并出具了信会师报字[2018]第ZA15939号《备考审阅报告》。
（一）备考合并资产负债表
单位：元
||||
|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|
|流动资产：|||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|
|货币资金|474,780,852.98|788,616,898.39|
|结算备付金|—|—|
|拆出资金|—|—|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产|—|—|
|衍生金融资产|—|—|
|应收票据及应收账款|1,325,354,174.27|892,536,975.32|
|预付款项|153,439,731.32|92,257,800.74|
|应收保费|—|—|
|应收分保账款|—|—|
|应收分保合同准备金|—|—|
|其他应收款|13,749,462.81|10,444,824.84|
|买入返售金融资产|—|—|
|存货|1,038,499,994.43|548,091,280.34|
|持有待售资产|—|—|
|一年内到期的非流动资产|—|—|
|其他流动资产|82,630,060.24|54,381,774.01|
|流动资产合计|3,088,454,276.05|2,386,329,553.64|
|非流动资产：|—|—|
|发放贷款和垫款|—|—|
|可供出售金融资产|37,221,594.50|36,926,793.58|
|持有至到期投资|—|—|
|长期应收款|—|—|
|长期股权投资|1,785,414,223.19|1,644,673,651.86|
|投资性房地产|25,977,988.48|26,371,370.28|
|固定资产|191,783,633.48|190,070,445.12|
|在建工程|—|323,231.35|
|生产性生物资产|—|—|
|油气资产|—|—|
|无形资产|56,879,015.68|56,126,337.47|
|开发支出|23,339,143.35|16,298,293.97|
|商誉|74,585,847.20|74,585,847.20|
|长期待摊费用|362,052.17|9,327.48|
|递延所得税资产|75,828,975.45|34,892,837.29|
|其他非流动资产|12,201,225.66|2,974,210.32|
|非流动资产合计|2,283,593,699.16|2,083,252,345.92|
|资产总计|5,372,047,975.21|4,469,581,899.56|
|流动负债：|—|—|
|短期借款|672,576,003.63|489,384,646.67|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|
|向中央银行借款|—|—|
|吸收存款及同业存放|—|—|
|拆入资金|—|—|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债|—|—|
|衍生金融负债|—|—|
|应付票据及应付账款|585,252,415.12|287,619,530.51|
|预收款项|14,032,980.40|5,981,461.80|
|卖出回购金融资产款|—|—|
|应付手续费及佣金|—|—|
|应付职工薪酬|7,778,034.73|10,908,490.83|
|应交税费|63,880,706.82|34,880,492.39|
|其他应付款|2,137,393,447.28|2,135,075,141.48|
|应付分保账款|—|—|
|保险合同准备金|—|—|
|代理买卖证券款|—|—|
|代理承销证券款|—|—|
|持有待售负债|—|—|
|一年内到期的非流动负债|14,000,000.00|—|
|其他流动负债|—|—|
|流动负债合计|3,494,913,587.98|2,963,849,763.68|
|非流动负债：|—|—|
|长期借款|49,000,000.00|70,000,000.00|
|应付债券|—|—|
|其中：优先股|—|—|
|永续债|—|—|
|长期应付款|—|—|
|长期应付职工薪酬|—|—|
|预计负债|—|—|
|递延收益|295,918.40|367,346.96|
|递延所得税负债|5,228,584.90|5,919,152.72|
|其他非流动负债|—|—|
|非流动负债合计|54,524,503.30|76,286,499.68|
|负债合计|3,549,438,091.28|3,040,136,263.36|
|所有者权益：|—|—|
|归属于母公司所有者权益合计|1,812,779,734.01|1,418,569,174.10|
|少数股东权益|9,830,149.92|10,876,462.10|
|所有者权益合计|1,822,609,883.93|1,429,445,636.20|
|负债和所有者权益总计|5,372,047,975.21|4,469,581,899.56|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（二）备考合并利润表
单位：元
||||
|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|
|一、营业总收入|2,307,873,291.39|2,405,916,266.81|
|其中：营业收入|2,307,873,291.39|2,405,916,266.81|
|利息收入|—|—|
|已赚保费|—|—|
|手续费及佣金收入|—|—|
|二、营业总成本|2,098,695,085.04|2,282,357,194.37|
|其中：营业成本|1,663,795,929.25|1,911,852,786.91|
|利息支出|—|—|
|手续费及佣金支出|—|—|
|退保金|—|—|
|赔付支出净额|—|—|
|提取保险合同准备金净额|—|—|
|保单红利支出|—|—|
|分保费用|—|—|
|税金及附加|6,696,981.69|5,572,753.74|
|销售费用|51,564,552.57|73,715,268.06|
|管理费用|228,205,120.09|134,648,204.01|
|研发费用|73,607,091.50|84,986,116.03|
|财务费用|19,062,130.74|48,274,536.52|
|其中：利息费用|20,916,530.61|30,336,398.78|
|利息收入|1,559,561.48|2,190,252.04|
|资产减值损失|55,763,279.20|23,307,529.10|
|加：其他收益|4,340,403.67|7,398,334.17|
|投资收益（损失以“-”号填列）|7,030,936.65|287,158,539.94|
|其中：对联营企业和合营企业的投资收益|4,383,140.62|287,158,539.94|
|公允价值变动收益（损失以“-”号填列）|—|—|
|资产处置收益（损失以“-”号填列）|919,401.09|605,807.92|
|汇兑收益（损失以“-”号填列）|—|—|
|三、营业利润（亏损以“-”号填列）|221,468,947.76|418,721,754.47|
|加：营业外收入|185,220.69|14,241,054.03|
|减：营业外支出|681,973.31|982,938.69|
|四、利润总额（亏损总额以“-”号填列）|220,972,195.14|431,979,869.81|
|减：所得税费用|38,228,589.61|21,983,751.39|
|五、净利润（净亏损以“-”号填列）|182,743,605.53|409,996,118.42|
|（一）按经营持续性分类|||
|1．持续经营净利润（净亏损以“-”号填列）|182,743,605.53|409,996,118.42|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|
|2．终止经营净利润（净亏损以“-”号填列）|—|—|
|（二）按所有权归属分类|—|—|
|1．少数股东损益|-14,249,288.21|-13,752,322.45|
|2．归属于母公司股东的净利润|196,992,893.74|423,748,440.87|
|六、其他综合收益的税后净额|51,641,404.42|-73,581,080.55|
|归属母公司所有者的其他综合收益的税后净额|51,928,217.75|-73,992,057.52|
|（一）不能重分类进损益的其他综合收益|—|—|
|1．重新计量设定受益计划变动额|—|—|
|2．权益法下不能转损益的其他综合收益|—|—|
|（二）将重分类进损益的其他综合收益|51,928,217.75|-73,992,057.52|
|1．权益法下可转损益的其他综合收益|38,165,998.75|-48,354,980.38|
|2．可供出售金融资产公允价值变动损益|—|—|
|3．持有至到期投资重分类为可供出售金融资产损益|—|—|
|4．现金流量套期损益的有效部分|—|—|
|5．外币财务报表折算差额|13,762,219.00|-15,018,157.14|
|6．其他|—|-10,618,920.00|
|归属于少数股东的其他综合收益的税后净额|-286,813.33|410,976.97|
|七、综合收益总额|234,385,009.95|336,415,037.87|
|归属于母公司所有者的综合收益总额|248,921,111.49|349,756,383.35|
|归属于少数股东的综合收益总额|-14,536,101.54|-13,341,345.48|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第十节同业竞争与关联交易
一、同业竞争情况
（一）本次交易不会新增同业竞争
本次交易完成后，韦尔股份与控股股东、实际控制人控制的企业之间不存在同业竞争。
（二）避免同业竞争的措施
为充分保护上市公司利益，避免同业竞争，上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于避免同业竞争的承诺》，具体内容如下：
“1、承诺方保证本次交易完成后不直接或间接从事与韦尔股份经营范围所含业务相同或相类似的业务或项目，以避免与韦尔股份的生产经营构成直接或间接的竞争；
2、承诺方保证将努力促使与承诺方关系密切的家庭成员不直接或间接从事、参与或投资与韦尔股份的生产、经营相竞争的任何经营活动；
3、承诺方保证将不利用对韦尔股份的控股关系进行损害或可能损害韦尔股份及韦尔股份其他股东利益的经营活动；承诺方将不利用对韦尔股份的了解和知悉的信息协助第三方从事、参与或投资与韦尔股份相竞争的业务或项目；
4、承诺方保证将赔偿韦尔股份因承诺方违反本承诺而遭受或产生的任何损失或开支。
上述承诺自本承诺函出具之日起生效，并在承诺方作为韦尔股份控股股东和实际控制人的整个期间持续有效，且不可变更或撤销。”
二、关联交易情况
（一）本次交易不构成关联交易
本次交易对方瑞滇投资的实际控制人为云南省人民政府国有资产监督管理委员会。本次交易不构成关联交易。
（二）本次交易前上市公司与标的公司的交易情况
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）本次交易前上市公司与标的公司未发生交易。
（三）标的公司的关联交易情况
1、芯能投资
（1）购买关联方资产
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|关联方|关联交易内容|2018年1-7月|2017年|2016年|
|金石暴风|北京豪威2.0685%股权|-|17,617.30|-|

（2）关联方暂借款项情况
2016年，芯能投资由金石暴风代付了北京豪威科技有限公司股权转让款36,814.26万元，并于2017年归还。
2018年，芯能投资向瑞滇投资借款 0.1万元用于缴纳注册地的年费。
2、芯力投资
2016年，芯力投资由金石暴风代付了北京豪威科技有限公司股权转让款36,814.26万元，并于2017年归还。
2018年，芯力投资向瑞滇投资借款 0.1万元用于缴纳注册地的年费。
（二）关于规范关联交易的承诺
为在本次交易完成后减少并规范关联交易，维护上市公司及中小股东的利益，韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于规范关联交易的承诺函》，具体内容如下：
“1、承诺方及承诺方控制或影响的企业将尽量避免和减少与韦尔股份及其下属子公司之间的关联交易，对于韦尔股份及其下属子公司能够通过市场与独立第三方之间发生的交易，将由韦尔股份及其下属子公司与独立第三方进行。承诺方控制或影响的其他企业将严格避免向韦尔股份及其下属子公司拆借、占用韦尔股份及其下属子公司资金或采取由韦尔股份及其下属子公司代垫款、代偿债务等方式侵占韦尔股份资金。
2、对于承诺方及承诺方控制或影响的企业与韦尔股份及其下属子公司之间
必需的一切交易行为，均将严格遵守市场原则，本着平等互利、等价有偿的一般
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）原则公平合理地进行。交易定价有政府定价的，执行政府定价；没有政府定价的，执行市场公允价格；没有政府定价且无可参考市场价格的，按照成本加可比较的合理利润水平确定成本价执行。
3、承诺方与韦尔股份及其下属子公司之间的关联交易将严格遵守韦尔股份章程、关联交易管理制度等规定履行必要的法定程序及信息披露义务。在韦尔股份权力机构审议有关关联交易事项时主动依法履行回避义务；对须报经有权机构审议的关联交易事项，在有权机构审议通过后方可执行。
4、承诺方保证不通过关联交易取得任何不正当的利益或使韦尔股份及其下属子公司承担任何不正当的义务。如果因违反上述承诺导致韦尔股份或其下属子公司、其他股东损失或利用关联交易侵占韦尔股份或其下属子公司、其他股东利益的，韦尔股份及其下属子公司、其他股东的损失由承诺方承担。
5、上述承诺在承诺方及承诺方控制或影响的企业构成韦尔股份的关联方期间持续有效，且不可变更或撤销。”
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第十一节风险因素
一、与本次交易有关的风险
（一）本次交易可能被暂停、中止或取消的风险
本公司已经按照相关规定制定了严格的内幕知情人登记管理制度，在与交易对方协商过程中严格控制内幕信息知情人员的范围，降低内幕信息传播的可能性，但仍不排除有机构或个人利用本次交易的内幕信息实施交易的行为，存在因公司股价异常波动或异常交易可能涉嫌内幕交易而致使本次交易被暂停、中止或取消的可能。
（二）本次交易的批准风险
本次交易尚需提交公司股东大会审议批准。本次交易是否获得公司股东大会的批准存在不确定性，提请广大投资者注意投资风险。
（三）交易对价资金筹措风险
对于本次重大资产购买涉及的对价，上市公司的资金来源为自有资金及自筹资金。因为本次交易涉及金额较大，若贷款金融机构无法及时、足额为公司提供信贷支持且公司无法通过其他渠道筹集到相关款项，则本次交易存在因交易支付款项不能及时、足额到位的融资风险。
（四）溢价间接收购北京豪威少数股权的风险
本次交易的标的公司芯能投资、芯力投资系上市公司通过云交所竞买取得，交易对方瑞滇投资在进场挂牌前履行了审计、评估及国有资产评估备案程序，上市公司最终摘牌交易价格为挂牌底价，合计 168,741.925万元。芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的投资实体，合计持有北京豪威10.5464%的股权，因此本次交易实质上为收购北京豪威少数股权。
上市公司聘请的立信会计师、立信评估分别对标的资产进行了审计、评估。
经评估，截至评估基准日 2018年 7月 31日，芯能投资股东全部权益评估值为89,130.52万元，芯力投资股东全部权益评估值为59,900.12万元，合计 149,030.64万元。本次交易摘牌价格虽然为产权交易所的挂牌底价，但较评估值溢价13.23%，
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）提请投资者关注本次交易作价高于评估值的风险。
（五）法律和政策风险
本公司为中国注册成立的 A股上市公司，本次交易最终标的北京豪威的主要经营主体为美国豪威，美国豪威系在美国注册独立法人实体。公司不能排除相关政府和监管机构针对本次交易出台政策、法律或展开调查行动，从而延迟本次交易的交割或导致本次交易终止的风险。根据交易双方《产权交易合同》的约定，如果境外审查机构强制要求对本项交易进行审查，则各方同意无条件配合境外审查机构对本项交易的审查，包括但不限于提供相关资料，签署必要的文件等。如因境外审查机构的审查导致本项交易最终无法完成，则上市公司有权单方解除本协议；如境外审查机构对本项交易提出整改要求，则各方同意以不损害上市公司利益为原则共同商讨解决方案，并按照境外审查机构的要求进行整改。如因上述情形导致上市公司遭受损失的，各交易对方应当尽力配合商讨解决方案，并保障上市公司的利益不受损害。
二、标的资产经营风险
芯能投资、芯力投资是专门为投资北京豪威设立的实体。以下涉及标的公司资产经营风险的描述均针对北京豪威。
（一）宏观经济波动风险
半导体产品应用领域非常广泛，涵盖通讯、安防、汽车电子、医疗、家电、工业控制、航空航天、军事等国民经济的各方面，因此半导体产业不可避免地受到宏观经济波动的影响。宏观经济的变化将直接影响半导体下游产业的供求平衡，进而影响到整个半导体产业自身。
总体来说，全球半导体产业的市场状况基本与世界经济发展形势保持一致。
未来，如果宏观经济出现较大波动，将影响到半导体行业的整体发展，包括北京豪威从事的半导体芯片设计业务。
（二）行业周期性风险
半导体行业是周期性行业，其增速与全球 GDP增速的相关度很高。由于半导体产品受到技术升级、市场格局、应用领域等因素影响，整个半导体行业具有
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）周期性波动的特点。半导体周期通常也称为“硅周期”，指半导体产业在5年左右的时间内会历经从衰落到昌盛的一个周期。近年来，随着半导体产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快，新技术、新工艺在半导体产品中的应用更加迅速，进而导致半导体产品的生命周期不断缩短。从国内来看，我国集成电路产业发展有国家产业政策的支持及巨大内需市场的依托，但智能手机、平板电脑，以及诸多移动产品市场趋向成熟，增长趋缓，价格竞争日趋激烈，新一代虚拟现实、无人驾驶、工业机器人等尚在孕育中，北京豪威业务能否继续保持国内市场的较高速度增长存在不确定性，经营业绩可能会因半导体行业周期性而产生较大的波动。
（三）市场变化风险
北京豪威的主营业务为 CMOS图像传感器的研发和销售，主要产品广泛应用于消费电子和工业应用领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络摄像头、安全监控设备、数码相机、汽车和医疗成像等。
报告期内，北京豪威在移动通信领域的产品销售占比均较大，若该领域的细分市场出现较大不利变化，北京豪威经营业绩将受到重大不利影响。同时，若在未来业务发展中，如果北京豪威未能把握行业发展的最新动态，在下游市场发展趋势上出现重大误判，未能在快速成长的应用领域推出适合下游用户需求的产品和服务，将会对北京豪威的经营业绩造成重大不利影响。
（四）外协加工风险
北京豪威采用 Fabless运营模式，专注于集成电路芯片的设计、研发，在生产制造、封装及测试等环节采用专业的第三方企业代工模式。该模式于近十多年来全球集成电路芯片产业中逐渐得到越来越多厂商的运用，符合集成电路产业垂直分工的特点。虽然无晶圆厂运营模式降低了企业的生产成本，使集成电路设计企业能以轻资产的模式实现大额的销售收入，但同时也带来在产品外协加工环节中由供应商供货产生的不确定性。目前对于集成电路设计企业而言，晶圆是产品的主要原材料，由于晶圆加工对技术及资金规模的要求极高，不同类型的集成电路芯片产品在选择合适的晶圆代工厂时范围有限，导致晶圆代工厂的产能较为集中。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）在行业生产旺季来临时，晶圆厂和封测厂的产能能否保障北京豪威的采购需求存在不确定性。同时随着行业中晶圆厂和封测厂在不同产品中产能的切换以及产线的升级，或带来的北京豪威采购单价的变动，若外协加工服务的采购单价上升，会对北京豪威的毛利造成不利影响。此外，突发的自然灾害等破坏性事件时，也会影响晶圆厂和封测厂向北京豪威的正常供货。
虽然北京豪威向多家晶圆厂以及封测厂采购晶圆及封装、测试服务，且报告
期内供应关系稳定，但上述因素可能给北京豪威晶圆厂、封测厂的供应稳定性造成一定影响。因此，北京豪威面临一定程度的原材料供应及外协加工稳定性的风险。
（五）技术不能持续创新风险
豪威科技自设立以来专注于集成电路设计业务，经过多年技术积累，已发展为全球领先的 CMOS图像传感器设计企业，豪威科技掌握了设计高性能 COMS图像传感器的核心技术。持续开发新产品是豪威科技在市场中保持竞争优势的重要手段，随着市场竞争的不断加剧，半导体产品生命周期的缩短，如豪威科技不能及时准确的把握市场需求和技术发展趋势，将导致豪威科技新产品不能获得市场认可，对其市场竞争力产生不利影响。
（六）税收优惠政策变化的风险
北京豪威子公司豪威半导体、豪威科技（上海）均取得《高新技术企业证书》，减按15%的税率计算缴纳企业所得税。
如果未来不能被认定为高新技术企业或相应的税收优惠政策发生变化，上述公司将不再享受相关的税收优惠，对北京豪威经营业绩产生一定影响。
（七）汇率波动风险
北京豪威的主要经营实体为美国豪威及下属企业，美国豪威日常经营活动以美元为结算货币，北京豪威合并财务报表的记账本位币为美元。随着人民币日趋国际化、市场化，人民币汇率波动幅度增大，人民币对美元等货币的汇率变化将导致公司合并财务报表的外币折算风险。
（八）海外业务运营风险
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）美国豪威的产品研发、销售分布在北美、亚洲、欧洲等国家和地区，如相关国家和地区发生突发政治动荡、战争、经济波动、自然灾害、政策和法律不利变更、税收增加和优惠减少、贸易限制和经济制裁、国际诉讼和仲裁等情况，都可能影响美国豪威业务的正常运营，进而影响重组后上市公司的财务状况和盈利能力。
（九）业绩增长可持续性具有不确定性的风险
标的业绩是否增长，即受北京豪威产品技术先进性、经营管理能力、营销力量等因素的影响，又受市场需求变动、市场竞争情况、国际贸易环境、原材料和外协厂商价格波动等因素的影响。北京豪威管理层将按经营规划努力实现较好的业绩，但由于影响因素较多，并且很多因素变动的不确定性较高，因此标的业绩增长的可持续性具有一定的不确定性。
（十）核心人员变动风险
经过多年的发展和积累，北京豪威建立了经验丰富、业务娴熟、具备较高素质的核心经营管理团队和技术团队，核心人员的稳定对本次交易完成后北京豪威的正常、稳定经营有积极的正面影响。
本次交易完成后，上市公司将采取合理的激励措施，促进核心团队和核心人员的稳定。但若核心人员出现大量流失，则可能对北京豪威长期稳定经营及经营业绩产生不利影响。
三、与上市公司相关的风险
（一）债务融资方式用于支付对价提高上市公司财务费用的风险
本次交易中上市公司需要向交易对方支付 168,741.925万元现金以购买交易对方所持有的芯能投资100%股权、芯力投资100%股权。上市公司可以通过多种途径筹集资金以满足上述现金对价支付需求，包括但不限于自有资金、银行贷款等其他融资方式。鉴于上市公司自有资金额度有限，且需要通过较大金额的债务融资以满足上述现金对价支付需求，则在未来一定时期内上市公司的资产负债结构可能发生变化，资产负债率将提升，同时上市公司需要为债务融资承担的财务费用将有所增长，进而可能对上市公司的净利润及每股收益造成影响。提请广
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）大投资者关注债务融资方式用于支付对价提高上市公司财务费用的风险。
（二）控股股东股权质押风险
截至 2018年 7月 31日，虞仁荣持有本公司 279,435,000股股份，其中已被质押的股份数量为 183,810,205股，占其持股总数的65.78%，占公司总股本的40.33%。受国家政治、经济政策、市场环境、投资者心理因素、公司经营业绩等内外部多种因素的影响，公司股票价格会产生波动，在极端情况下控股股东所质押的股票有被强制平仓的风险，从而可能带来控股股东和实际控制人发生变更的风险。
四、其他风险
（一）股票市场波动风险
股票市场价格波动不仅取决于企业的经营业绩，还受宏观经济周期、利率、资金、供求关系等因素的影响，同时也会因国际、国内政治经济形势及投资者心理因素的变化而产生波动。由于以上多种不确定因素的存在，公司股票可能会产生脱离其本身价值的波动，从而给投资者带来投资风险。投资者在购买本公司股票前应对股票市场价格的波动及股市投资的风险有充分的了解，并做出审慎判断。
（二）其他风险
上市公司不排除因政治、经济、自然灾害等其他不可控因素给上市公司带来不利影响的可能性，提请广大投资者注意相关风险。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第十二节其他重要事项
一、本次交易完成后上市公司是否存在资金、资产被实际控制人或其他关联人占用和为实际控制人或其他关联人提供担保
的情形
根据立信会计师出具的《关于对上海韦尔半导体股份有限公司控股股东及其他关联方占用资金情况的专项审计说明》（信会师报字[2018]第 ZA11390号），上市公司2017年不存在被大股东及其附属企业非经营性占用资金的情形。
本次交易完成前，上市公司不存在资金、资产被实际控制人、控股股东及其关联人占用的情形。
本次交易完成后，上市公司实际控制人、控股股东未发生变化，上市公司不存在因本次交易导致资金、资产被实际控制人、控股股东及其关联人占用的情况。
二、上市公司负债结构的合理性说明
2016年末、2017年末、2018年7月末，上市公司资产负债率分别为50.85%、57.85%、58.71%，符合当前公司经营特点，具备合理性；本次交易中上市公司需要向交易对方支付 168,741.925万元现金交易价款，鉴于上市公司自有资金额度有限，需要通过较大金额的债务融资以满足上述现金对价支付需求，则交易完成后在未来一定时期内上市公司的资产负债结构可能发生变化，资产负债率将提升，会对公司经营形成一定压力。
三、上市公司最近十二个月重大资产交易情况
截至本报告书签署日，上市公司在最近十二月内发生的依据《上市规则》及《公司章程》规定需要由公司董事会审议批准的重大资产交易事项如下：
（一）收购北京豪威1.9543%股权
2018年 7月 2日，韦尔股份召开第四届董事会第二十四次会议，审议通过《关于全资子公司现金收购北京豪威科技有限公司部分股权的议案》，韦尔股份全资子公司香港韦尔拟以现金方式收购 Seagull（A1）、Seagull（C1）、Seagull
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（C1-Int'l）三家公司合计持有的北京豪威1.9543%股权，转让价格合计 3,964.75万美元。
2018年7月9日，香港韦尔分别与 Seagull（A1）、Seagull（C1）、Seagull（C1-Int'l）签署了《股权转让协议》。
2018年7月20日，北京豪威在北京市工商行政管理局海淀分局办理完毕工商变更手续。
（二）收购北京豪威1.97%股权
2018年7月13日，韦尔股份召开第四届董事会第二十五次会议，审议通过《关于公司现金收购北京豪威科技有限公司部分股权暨关联交易的议案》，韦尔股份拟以现金收购上海清恩持有的北京豪威1.97%股权。立信评估以 2017年 12月 31日为评估基准日对北京豪威进行了整体评估，并出具了《评估报告》（信资评报字（2018）第 40077号）。该事项经公司 2018年第一次临时股东大会审议通过。
2018年8月6日，韦尔股份与上海清恩签署《股权转让协议》。
2018年9月25日，北京豪威在北京市工商行政管理局海淀分局办理完毕工商变更手续。
（三）收购北京豪威、思比科、视信源部分股权
2018年12月1日，公司披露《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）》，拟发行股份购买 25名股东持有的北京豪威85.53%股权、8名股东持有的北京思比科微电子技术股份有限公司42.27%股权以及 9名股东持有的北京视信源科技发展有限公司79.93%股权，同时拟采取询价的方式向不超过 10名符合条件的特定投资者非公开发行股份募集配套资金不超过20亿元。截至本报告书签署日，该项资产购买尚未实施。
四、本次交易对上市公司治理机制的影响
本次交易前，公司已按照《公司法》、《证券法》、《上市公司治理准则》等法律、法规要求，建立并逐步完善法人治理结构，制定了与之相关的议事规则或工作细则并予以严格执行，规范公司运作的同时加强信息披露工作。公司先后
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）制订了《公司章程》、《股东大会议事规则》、《董事会议事规则》、《监事会议事规则》、《信息披露管理制度》等。
本次交易完成后，芯能投资、芯力投资成为上市公司的全资子公司，上市公司的业务规模得以扩大，但公司治理结构未发生重大变化。公司将依据各项法律、法规要求，继续保持合规高效的法人治理结构，进一步完善公司内部决策和管理控制制度，规范公司运作和管理，提高公司治理水平，提升经营效率和盈利能力，维护股东和广大投资者的利益。
五、相关主体买卖上市公司股票的自查情况
根据《26号准则》以及 128号文的有关规定，上市公司就公告参与竞买前六个月至本报告书公告前一日止，即自2018年3月20日至2018年11月28日，上市公司及其现任董事、监事、高级管理人员、主要股东及其他知情人；交易对方及其董事、监事、高级管理人员（或主要负责人）及其他知情人员；本次交易的证券服务机构及具体业务经办人员；其他内幕信息知情人；以及前述所述自然人的直系亲属（包括配偶、父母、年满 18周岁的子女）买卖上市公司股票情况进行了自查。
根据各自查机构和人员出具的自查报告，韦尔股份2018年3月20日至2018年11月28日相关内幕信息知情人买卖韦尔股份股票的情况如下：
（一）交易对方
交易对方瑞滇投资之监事杨志伟买卖韦尔股份股票的情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|交易日期|交易单元号|变更股数（股）|结余股数（股）|交易方向|
|2018.4.3|20176|100|100|买入|
|2018.4.3|20176|1,000|1,100|买入|
|2018.4.4|20176|-200|900|卖出|
|2018.4.4|20176|-100|800|卖出|
|2018.4.4|20176|-200|600|卖出|
|2018.4.4|20176|-100|500|卖出|
|2018.4.4|20176|-200|300|卖出|
|2018.4.4|20176|-200|100|卖出|
|2018.4.4|20176|-100|—|卖出|
|2018.4.4|20176|600|600|买入|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|交易日期|交易单元号|变更股数（股）|结余股数（股）|交易方向|
|2018.4.9|20176|-600|—|卖出|
|2018.4.10|20176|400|400|买入|
|2018.4.19|20176|-300|100|卖出|
|2018.4.23|20176|200|300|买入|
|2018.4.23|20176|100|400|买入|
|2018.4.23|20176|100|500|买入|
|2018.4.23|20176|100|600|买入|
|2018.4.23|20176|100|700|买入|

针对上述买卖行为，杨志伟声明如下：
“1、本人买卖韦尔股份股票期间，瑞滇投资尚未决定将其持有的芯能投资、芯力投资各100%的股权通过产权交易所挂牌转让，本人在进行上述交易时未掌握本次交易的内幕信息。
2、本人交易韦尔股份股票的行为系基于对二级市场交易情况的自行判断而进行的个人独立操作，未利用本次交易的内幕信息，与韦尔股份本次交易事项不存在任何关联关系。”
（二）国信证券
2018年 4月 2日至 2018年 4月 20日期间，国信证券投资管理总部买卖韦尔股份股票情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|交易账户|交易时间|交易方向|交易数量（股）|
|D890212865|2018年4月2日|买入|450,000|
||2018年4月20日|卖出|-450,000|

国信证券投资管理总部总经理钱海章于2018年5月29日出具了《买卖股票说明》：“国信证券投资管理总部管理的上述交易账户对韦尔股份股票的上述交易行为是基于二级市场的独立判断进行，交易中严格遵守了关于防范内幕交易和证券公司信息隔离墙的相关法律、法规及规范性文件以及投资管理总部内部的相关规定，不存在内幕交易的行为。”
除上述股票交易行为外，公司本次重组自查范围内机构和人员在核查期间均没有买卖公司股票。
六、利润分配政策与股东回报计划
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）本次交易后上市公司的现金分红政策没有发生变更。根据公司章程规定，公司利润分配政策为：
“第一百六十四条公司分配当年税后利润时，应当提取利润的10%列入公司法定公积金。公司法定公积金累计额为公司注册资本的50%以上的，可以不再提取。
公司的法定公积金不足以弥补以前年度亏损的，在依照前款规定提取法定公积金之前，应当先用当年利润弥补亏损。
公司从税后利润中提取法定公积金后，经股东大会决议，还可以从税后利润中提取任意公积金。
公司弥补亏损和提取公积金后所余税后利润，按照股东持有的股份比例分配，但本章程规定不按持股比例分配的除外。
股东大会违反前款规定，在公司弥补亏损和提取法定公积金之前向股东分配利润的，股东必须将违反规定分配的利润退还公司。
公司持有的本公司股份不参与分配利润。
第一百六十五条公司的公积金用于弥补公司的亏损、扩大公司生产经营或者转为增加公司资本。但是，资本公积金将不用于弥补公司的亏损。法定公积金转为资本时，所留存的该项公积金将不少于转增前公司注册资本的25%。
第一百六十六条公司利润分配政策的基本原则：
（一）公司充分考虑对投资者的回报，每年按当年实现的母公司可供分配利润规定比例向股东分配股利；
（二）公司的利润分配政策保持连续性和稳定性，同时兼顾公司的长远利益、全体股东的整体利益及公司的可持续发展；
（三）公司董事会、监事会和股东大会对利润分配政策的决策和论证应当充分考虑独立董事、监事和公众投资者的意见。
（四）公司利润分配政策应符合法律、法规的相关规定。
第一百六十七条公司利润分配的具体政策：
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（一）利润分配的形式：公司采用现金、股票或现金与股票相结合的方式分配股利。公司优先采用现金分红的方式。在有条件的情况下，公司可以进行中期利润分配。
（二）公司现金分红的具体条件和比例：
公司最近三年以现金方式累计分配的利润不少于最近三年实现的年均可分配利润的30%。除特殊情况外，公司在当年盈利且累计未分配利润为正的情况下，采取现金方式分配股利，每年以现金方式分配的利润不少于当年实现的母公司可供分配利润的10%。
上述特殊情况指：
1、公司当年发生投资金额超过公司最近一个年度经审计的净资产10%的重大投资情形（募集资金投资项目除外）；
2、公司未来十二个月拟对外投资、收购资产或购买设备累计支出达到或超过公司最新一期经审计净资产10%的重大资金支出；
满足上述条件的重大投资计划或者重大现金支出须由董事会审议后提交股东大会审议批准。
（三）公司发放股票股利的具体条件：
公司在经营情况良好，并且董事会认为公司股票价格与公司股本规模不匹配、发放股票股利有利于公司全体股东整体利益时，可以在满足上述现金分红的条件下，提出股票股利分配预案。
第一百六十八条公司利润分配方案的审议程序：
（一）公司的利润分配方案由公司经营层拟定后提交公司董事会、监事会审议。董事会就利润分配方案的合理性进行充分讨论，形成专项决议后提交股东大会审议。在不违反公司信息披露以及内幕信息管理制度的前提下，公司经营层、董事会应通过多种渠道，具体包括但不限于电话、传真、邮件沟通、筹划投资者接待日、邀请中小股东参会，充分听取独立董事以及中小股东的意见，并结合公司盈利情况、资金需求等因素提出合理的利润分配建议和预案。股东大会对现金分红具体方案进行审议时，也应当通过前述多种渠道主动与股东特别是中小股东
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）进行沟通和交流，充分听取中小股东的意见和诉求，及时答复中小股东关心的问题。
（二）公司因前述第一百六十二条规定的特殊情况而不进行现金分红时，董事会应就不进行现金分红的具体原因、公司留存收益的确切用途及预计投资收益等事项进行专项说明，经独立董事发表意见后提交股东大会审议，并在公司指定媒体上予以披露。
第一百六十九条公司利润分配方案的实施：
公司股东大会对利润分配方案作出决议后，董事会须在股东大会召开后二个月内完成股利（或股份）的派发事项。
第一百七十条公司利润分配政策的变更：
如遇到战争、自然灾害等不可抗力、或者公司外部经营环境变化并对公司生产经营造成重大影响，或公司自身经营状况发生较大变化时，公司可对利润分配政策进行调整。
公司调整利润分配政策应由董事会做出专题论述，详细论证调整理由，通过多种渠道（包括但不限于电话、传真、邮件沟通、策划投资者接待日、邀请中小股东参会）征询独立董事和中小股东的意见，形成书面论证报告并经独立董事审议后提交股东大会特别决议通过。审议利润分配政策变更事项时，公司为股东提供网络投票方式。”
七、本次交易对中小投资者权益保护的安排
上市公司在本次交易的决策过程中，按照《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作的意见》的精神和中国证监会《重组管理办法》的规定，采取了多项措施以保护中小投资者的权益，具体措施如下：
（一）及时、准确披露本次交易的相关信息
公司严格按照《证券法》、《上市公司信息披露管理办法》、《关于规范上市公司信息披露及相关各方行为的通知》、《重组管理办法》、《重组若干规定》等相关法律、法规的要求对本次交易方案采取严格的保密措施、切实履行信息披露义务，公平地向所有投资者披露可能对上市公司股票交易价格产生较大影响的
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）重大事件。本报告书披露后，公司将继续严格按照相关法律法规的要求，及时、准确地披露公司本次交易的进展情况。
（二）严格履行相关程序
公司在本次交易过程中严格按照相关规定履行法定程序进行表决和披露。本报告书在提交董事会讨论时，独立董事就该事项发表了独立意见。公司聘请的中介机构分别出具了独立财务顾问报告、法律意见书、审计报告、评估报告等。根据《重组管理办法》等有关规定，公司董事会将在审议本次交易方案的股东大会召开前发布提示性公告，提醒股东参加审议本次交易方案的股东大会。
（三）提供网络投票平台
公司将根据中国证监会《关于加强社会公众股股东权益保护的若干规定》等有关规定，在表决本次交易方案的股东大会中，采用现场投票和网络投票相结合的表决方式，充分保护中小股东行使股东权利。股东大会所作决议必须经出席会议的股东所持表决权的三分之二以上通过。同时，公司对中小投资者投票情况单独统计并予以披露。
（四）确保本次交易定价公允、合理
公司在参与标的资产竞买前，严格履行了董事会、股东大会的批准程序。本次交易标的资产的交易价格以交易对方在云交所挂牌的底价竞买确定，上市公司聘请立信评估对标的资产出具了评估报告，考虑到标的资产与上市公司的协同效应，本次竞买价格合理，公司独立董事已对评估定价的公允性发表独立意见。
（五）严格遵守利润分配政策
公司的利润分配政策保持连续性和稳定性，同时兼顾本公司的长远利益、全体股东的整体利益及本公司的可持续性发展。本公司在经营状况良好、现金流能够满足正常经营和长期发展需求的前提下，应积极实施利润分配政策。本公司将按照法定顺序分配利润的原则，坚持同股同权、同股同利的原则。
本次交易完成后，本公司将按照《公司章程》的约定，继续实行可持续、稳定、积极的利润分配政策，并结合本公司实际情况、政策导向和市场意愿，不断提高运营绩效，完善股利分配政策，增加分配政策执行的透明度，维护全体股东
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）利益。
（六）其他保护投资者权益的措施
公司全体董事、监事、高级管理人员承诺本次重组过程中所提供信息的真实性、准确性和完整性，保证不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并声明承担个别和连带的法律责任。本次交易完成后，公司将继续保持独立性，在资产、人员、财务、机构和业务上遵循独立原则，遵守中国证监会有关规定，继续规范运作。
八、关于本次重组聘请第三方的情况及核查
（一）独立财务顾问不存在直接或间接有偿聘请第三方的行为
经核查，在本次交易中，独立财务顾问国信证券、中德证券不存在直接或间接有偿聘请第三方的行为，符合《关于加强证券公司在投资银行类业务中聘请第三方等廉洁从业风险防控的意见》的相关规定。
（二）关于按照《关于加强证券公司在投资银行类业务中聘请第三方等廉
洁从业风险防控的意见》的要求对证券公司投资银行类项目的服务对象直接或
间接有偿聘请其他第三方的行为的核查
在本次交易中，韦尔股份聘请国信证券、中德证券担任独立财务顾问，聘请天元律师担任法律顾问，聘请立信会计师担任审计机构，聘请立信评估担任评估机构。
除上述依法需聘请的证券服务机构之外，直接或间接有偿聘请其他第三方机构或个人核查情况如下：聘请境外律师事务所美国欧华律师事务所（DLA Piper LLP(US)）、美国Wilson Sonsini Goodrich& Rosati律师事务所、香港欧华律师事务所（DLA Piper HongKong）、英国欧华律师事务所（DLA Piper UKLLP）、英国欧华律师事务所德国办公室（DLA Piper UK LLP,Germany）、开曼Collas Crill律师事务所、新加坡 JLC Advisors律师事务所（JLC AdvisorsLLP）、印度 Nishith Desai Associates律师事务所、英属维尔京群岛 Harneys律师事务所（Harneys Westwood& RiegelsLP）、韩国Dongsuh Yangjae律师事务所、日本 Hayabusa Asuka律师事务所、台湾理律法律事务所、挪威Schjødt律师事务所
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（AdvokatfirmaetSchjødtAS）以及上海百一知识产权代理有限公司对北京豪威境外投资、资产、知识产权等事项进行了核查。
经核查，独立财务顾问认为，韦尔股份除聘请的上述中介机构外，不存在直接或间接有偿聘请其他第三方的行为，符合《关于加强证券公司在投资银行类业务中聘请第三方等廉洁从业风险防控的意见》的相关规定。
九、独立董事及中介机构意见
（一）独立董事关于本次交易的意见
独立董事对本次重大资产购买事项发表独立意见如下：
1、本次交易的相关事项已经公司第四届董事会第三十四次会议审议通过。
董事会的召开程序、表决程序及方式符合相关法律、法规及《上海韦尔半导体股份有限公司章程》的规定，董事会形成的决议合法、有效。
2、本次交易有利于公司业务发展，进一步提高资产质量，扩大业务规模，提升市场竞争力，增强盈利能力，有利于公司的可持续发展，符合公司和全体股东的利益。
3、《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书（草案）》、公司与交易对方签署的产权交易合同以及董事会就本次交易事项的总体安排符合国家有关法律、法规和规范性文件的规定，本次交易方案具备可行性和可操作性；
同意本次交易的相关议案及事项，同意将本次交易的相关议案根据相关法律、法规和《上海韦尔半导体股份有限公司章程》的规定提交公司股东大会审议。
4、本次交易作价根据云交所关于股权挂牌交易的交易规则确定，资产定价公允，不存在损害公司和全体股东的利益的情形。
5、本次交易尚需公司股东大会的批准和相关政府主管部门的批准（如需）。
（二）独立财务顾问意见
国信证券、中德证券作为本次重大资产购买的独立财务顾问，对本次交易是否符合《重组管理办法》的规定，发表的结论意见如下：
1、本次交易符合《公司法》、《证券法》、《重组管理办法》等法律、法
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）规和规范性文件的规定；
2、本次交易符合国家相关产业政策和有关环境保护、土地管理、反垄断等法律和行政法规的规定；
3、本次交易完成后，上市公司仍具备股票上市的条件；
4、本次交易系上市公司在履行董事会、股东大会决策程序后，按照交易对方在产权交易所公开挂牌转让的底价进行报价、依据产权交易所交易规则完成，本次交易涉及资产评估的评估假设前提合理，方法选择适当，结论公允、合理，有效地保证了本次交易价格的公平性；
5、本次交易不构成关联交易，不会损害上市公司及其他中小股东的利益；
6、本次交易所涉及的资产权属清晰，不存在其他权利限制情形，资产过户或者转移不存在法律障碍，相关债权债务处理合法；
7、本次交易完成后，有利于提高上市公司资产质量，有利于改善上市公司财务状况和增强盈利能力和持续经营能力，有利于保护上市公司全体股东的利益；
8、本次交易前，公司在业务、资产、财务、人员、机构等方面与实际控制人及其关联方保持独立，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定；本次交易完成后，公司仍将在业务、资产、财务、人员、机构等方面与实际控制人及其关联方将继续保持独立，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定。
9、本次交易完成后，上市公司将保持健全有效的法人治理结构，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定。
10、本次交易所涉及的各项合同及程序合理合法，在交易各方履行本次交易相关协议的情况下，不存在上市公司交付现金后不能及时获得相应对价的情形。
11、本次交易完成后上市公司实际控制人并未变更，不构成重组上市。
（三）法律顾问意见
天元律师为本次交易上市公司的法律顾问，根据天元律师出具的法律意见书，天元律师发表明确意见：
1、韦尔股份和交易对方具备进行本次交易的主体资格。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）2、本次交易方案符合法律、法规和规范性文件的规定。
3、本次交易已履行截至本法律意见出具之日应当履行的批准和授权程序，已取得的批准和授权程序合法有效。
4、标的资产权属清晰，不存在权属纠纷、未被设置质押或其他第三者权益，亦未被采取司法冻结等强制措施，标的资产按照约定方式过户至韦尔股份名下不存在法律障碍。
5、本次交易涉及的债权债务处理及人员安排符合相关法律、法规的规定。
6、截至本法律意见出具之日，韦尔股份及相关各方已履行法定的信息披露和报告义务，不存在应当披露而未披露的合同、协议、安排或其他事项。
7、本次交易符合《重组管理办法》、《重组若干规定》及相关法律、法规及规范性文件规定的原则和实质性条件。
8、韦尔股份和交易对方具有签署与本次交易相关协议的主体资格；该等协议的内容符合相关法律、法规的规定。
9、本次交易不构成关联交易，虞仁荣就减少及规范与韦尔股份的关联交易出具的承诺以及韦尔股份内部关于规范关联交易的制度有利于保护韦尔股份及其股东的合法权益；虞仁荣已就本次交易完成后避免与韦尔股份同业竞争出具承诺函，该承诺合法有效。
10、参与本次交易的中介机构具有合法的执业资质，具备为本次交易提供相关服务的资格。
11、在自查期间，本次交易相关主体买卖韦尔股份股票的行为不属于利用本次交易的内幕信息进行的内幕交易行为，对本次交易不构成法律障碍。
12、本次交易符合相关法律、法规、规章和规范性文件的规定，不存在法律障碍，不存在其他可能对本次交易构成影响的法律问题和风险。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第十三节本次交易的有关中介机构情况
一、独立财务顾问
（一）国信证券
名称：国信证券股份有限公司
法定代表人：何如
地址：北京市西城区金融大街兴盛街 6号国信证券大厦7层
电话：010-88005103
传真：010-66211974
经办人：李勇、姚崟、张昊瑜、周超、胡钊、董蕾、宿翔
（二）中德证券
名称：中德证券有限责任公司
法定代表人：侯巍
地址：北京市朝阳区建国路81号华贸中心1号写字楼22层
电话：010-59026666
传真：010-59026970
经办人：胡晓、肖楚男、阮孝莉、张希、高碧凝、田悦、孙振博
二、法律顾问
名称：北京市天元律师事务所
事务所负责人：朱小辉
地址：北京市西城区丰盛胡同28号太平洋保险大厦B座10层
电话：010-57763888
传真：010-57763777
经办人：周世君、王昆、崔成立
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）三、审计机构
名称：立信会计师事务所（特殊普通合伙）
事务所负责人：朱建弟
地址：上海市南京东路61号四楼
电话：021-63391166
传真：021-63392558
经办人：陈竑、戴金燕
四、评估机构
名称：上海立信资产评估有限公司
法定代表人：杨伟暾
地址：上海市浦东新区沈家弄路738号8楼
电话：86-21-68877288
传真：86-21-68877020
经办人：沃兆寅、陈欣然
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第十四节本次交易相关各方的声明
上市公司全体董事、监事及高级管理人员声明
本公司及全体董事、监事、高级管理人员承诺《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书（草案）》及本次交易相关文件的内容不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性和完整性承担个别和连带的法律责任。
全体董事（含高级管理人员）：
虞仁荣 马剑秋 纪刚
贾渊 于万喜 张锡盛
陈弘毅 王海峰 文东华
全体监事：
韩杰 陈智斌 胡勇海
上海韦尔半导体股份有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）独立财务顾问声明
本公司及经办人员同意上海韦尔半导体股份有限公司在《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要中引用本公司出具的结论性意见，且所引用的本公司出具的结论性意见已经本公司及经办人员审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要不致因上述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性和完整性承担个别或连带的法律责任。
如本公司及经办人员未能勤勉尽责，导致本次重大资产重组申请文件存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏的，本公司将承担连带赔偿责任。
项目协办人：
张昊瑜 周超 董蕾
胡钊 宿翔
财务顾问主办人：
李勇 姚崟
法定代表人：
何如
国信证券股份有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）独立财务顾问声明
本公司及经办人员同意上海韦尔半导体股份有限公司在《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要中引用本公司出具的结论性意见，且所引用的本公司出具的结论性意见已经本公司及经办人员审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要不致因上述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性和完整性承担个别或连带的法律责任。
如本公司及经办人员未能勤勉尽责，导致本次重大资产重组申请文件存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏的，本公司将承担连带赔偿责任。
项目协办人：
阮孝利 【】 【】
【】 【】
财务顾问主办人：
胡晓 肖楚男
法定代表人：
【】
中德证券有限责任公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）法律顾问声明
本所及本所经办律师同意《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告
书》及其摘要引用本所出具的法律意见书的内容，且所引用内容已经本所及本所经办律师审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要中不致因引用前述内容而出现虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对本所出具的法律意见书的内容的真实性、准确性及完整性承担相应的法律责任。
负责人：
朱小辉
经办律师：
周世君 崔成立
王昆
北京市天元律师事务所年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）审计机构声明
本所及签字注册会计师同意《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要中引用本所出具的相关报告，且已阅读所引用报告的内容，确认《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要不致因上述引用前述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担相应的法律责任。
签字注册会计师：
陈竑 戴金燕
会计师事务所负责人：
朱建弟
立信会计师事务所（特殊普通合伙）年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）资产评估机构声明
本公司及经办注册资产评估师保证上海韦尔半导体股份有限公司在《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》及其摘要中引用本公司出具的资产评估报告的相关内容已经本公司审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书》不致因上述引用内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担相应的法律责任。
经办注册资产评估师：
沃兆寅 陈欣然
法定代表人（或授权代表）：
杨伟暾
上海立信资产评估有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）第十五节备查文件及备查地点
一、备查文件
1.韦尔股份第四届董事会第三十四次会议决议；
2.韦尔股份第四届监事会会第二十三次会议决议；
3.交易对方关于本次重组的内部决策文件；
4.韦尔股份独立董事关于本次交易的专项意见；
5.韦尔股份与瑞滇投资签署的《产权交易合同》；
6.芯能投资2016年、2017年和2018年1-7月审计报告；
7.芯力投资2016年、2017年和2018年1-7月审计报告；
8.韦尔股份2017年和2018年1-7月备考审阅报告；
9.立信评估出具的资产评估报告；
10.天元律师出具的法律意见书；
11.国信证券、中德证券关于本次交易出具的独立财务顾问报告；
12.其他与本次交易有关的重要文件。
二、备查地点
投资者可在本报告书刊登后至本次交易完成前的每周一至周五上午9:30-11:30，下午14:00-17:00，于下列地点查阅上述文件：
1、上海韦尔半导体股份有限公司
联系地址：上海市浦东新区龙东大道 3000号张江集电港4号楼4楼
电话：021-50805043
传真：021-50152760
联系人：任冰
2、国信证券股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）联系地址：北京市西城区兴盛街6号国信证券大厦7层
电话：010-88005103
传真：010-66211974
联系人：李勇、姚崟
3、中德证券有限责任公司
联系地址：北京市朝阳区建国路81号华贸中心1号写字楼22层
电话：010-59026666
传真：010-59026970
联系人：胡晓、肖楚男
投资者亦可在中国证监会指定网站上证所网站（http：//www.sse.com.cn）查阅本报告书全文。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（本页无正文，为《上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买报告书（草案）》之签署页）
上海韦尔半导体股份有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）附件一：北京豪威及其合并报表范围内子公司、分公司房屋租赁情况
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|序号|出租方|承租方|房屋坐落|面积|租赁期限|
|1|北京丰联广场大厦有限公司|豪威科技（上海）|北京朝阳区朝外大街18号丰联广场大厦9层912单元|562.00平方米|2017.06.1-2019.5.31|
|2|泰康保险集团股份有限公司|豪威科技（武汉）|湖北武汉市东湖开发区光谷大道77号武汉光谷金融港A1栋18F|1,068.82平方米|2017.11.1-2020.10.31|
|3|北京中关村国际孵化器有限公司|北京豪威|北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层206室|58.00平方米|2018.10.15-2019.10.14|
|4|北京亦庄移动硅谷有限公司|亦庄豪威科技|北京市经济技术开发区科谷一街10号院6号楼5层501-1室|14.00平方米|2018.5.18-2019.5.17|
|5|上海秉沅实业有限公司|豪威半导体|上海市松江区车墩镇李高北路538号|4,976.50平方米|2018.9.11-2023.9.10|
|6|SF Infinite Drive, LLC/1450Infinite Drive, LLC，后者承继前者的权益|美国豪威|1450 Infinite Drive Louisville,Colorado 80027|11,851平方英尺|2012.8.21-2022.11.30|
|7|Alidade Tech Park, LLC|美国豪威|27280 Haggerty Road, FarmingtonHills, Michigan 48331|土地面积：3,772平方英尺；建筑面积：49,944平方英尺|2015.5.20-2023.3.19|
|8|Ken Gin|美国豪威|1865 Silva Place, Santa Clara, CA95054|未载明|2013.4.13-2020.4.20|

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|9|Ascendas (Tuas) Pte. Ltd.|OmniVisionTechnologiesSingapore Pte. Ltd.|Tower A #06-09 3A InternationalBusiness Park, ICON@IBP Singapore609935.|183.18平方米|2016.11.1-2021.6.6|
|10|Ascendas (Tuas) Pte. Ltd.|OmniVisionTechnologiesSingapore Pte. Ltd.|Tower A #06-07/08 3A InternationalBusiness Park, ICON@IBP Singapore609935|344平方米|2018.6.7-2021.6.6|
|11|(i) Smitha Gudur, (ii) BharaniGudur, (iii) Lakshmi Gudur, (iv)Krishna murthy Seetharama,(v)Swapna S.R., 以及（vi）Raghavendra, K.|OmniVisionSemiconductorTechnologiesMarketing IndiaPrivate Limited|No. 2C/2, Hayes Road, First Floor,Bengaluru - 560025, Karnataka，India|4,000平方英尺|2014.11.1-2019-1.31|
|12|Olaf Liesche|OmniVision Trading(Hong Kong) Co.Ltd.|Isartalstr. 44A, Rgb, 80469 Munich,Germany|165平方米|不限期，自2011.9.15始|
|13|Regus Management (UK)Limited|美国豪威|Ancells Business Park, Ancells Road,Fleet, Hampshire Gu51 2UJ, UK|未载明|2018.3.1-2021.2.28|
|14|Daelim Building（代表ParkByeong-Bae）|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited,Korea Branch|1600-3（Daelim Building 2F）Seocho-dong, Seocho-Gu, Seoul, SouthKorea|396平方米|2014.12.24-2019.12.23|
|15|Shin Yokohama TMK（TokuteiMokuteki Kaisha）|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited|18F,2-8-12,2-8-19 and 2-8-20 ShinYokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi,Kanagawa|483.26平方米|2017.7.1-2019.6.30|

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|16|K.K. Hase Honsha K.K.|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited|5F A，651-1 Teraimize-cho, Karasuma-dori, Takoyakushi-sagaru, Nakagyo-ku,Kyoto|81.39平方米|2016.6.11-2018.6.10（除非存在提前六个月的终止通知，否则每2年自动更新）|
|17|Taiyo Soko K.K|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited|3F 5, 1-19-3 ShinYokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi,Kanagawa|7.92平方米|2016.6.20-2020.6.19|
|18|莊雪娥、黄韵如|台湾豪威国际科技有限公司|台北市内湖区瑞光路258巷2号10楼及10楼之1|房屋面积为416.67坪（约1377.5平方米）及位于地下二楼、三楼停车位共13个|2014.5.1-2019.4.30|
|19|时代广场大楼管理委员会|台湾豪威国际科技有限公司|台北市内湖区瑞光路258巷2号地下一楼共13个停车位|地下一楼停车位13个|2016.4.1-2017.3.31（期满后除非任何一方提前30日书面通知此契约终止，本契约将自动展延。根据主管声明书，双方当事人已口头合意展延本合约期限，本合约目前仍在有效合约期限内。）|

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|20|时代广场大楼管理委员会|台湾豪威国际科技有限公司|台北市内湖区瑞光路258巷2号地下一楼|地下一楼平台停车位3个|2016.8.1-2017.7.31（期满后除非任何一方提前30日书面通知此契约终止，本契约将自动展延。根据主管声明书，双方当事人已口头合意展延本合约期限，本合约目前仍在有效合约期限内。）|
|21|英属维尔京群岛商科晟有限公司台湾分公司|台湾豪威科技有限公司|新竹市光复段94地号土地之门牌为新竹市公道五路二段101号11楼之1、2、3、5、6、7及12楼之1、2、3、5、6、7等12户|1,059.9坪（约3504.2平方米）|2013.10.1-2021.6-30|
|22|英属维尔京群岛商科晟有限公司台湾分公司|台湾豪威科技有限公司|新竹市公道五路二段105号地下一层、二层及三层|地下一层、二层及三层共计89个停车位|2013.12.16-2021.6.302014.11.10-2021.6.30|
|23|新芳邻有限公司|台湾豪威科技有限公司|新竹市公道五路二段130巷8弄53号|15个停车位|2017.1.1-2018.-12.31|
|24|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|667平方米|2014.1.1-2021.9.30|
|25|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|5个停车位（第61，1313,1314,1315和1316号）|2019.1.1-2022.12.31|

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|26|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|4个位置固定的停车位|2015.1.1-2018.12.31|
|27|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|2个非固定停车位|2016.1.1-2018.12.31|
|28|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|1个固定位置的停车位|2015.11.9-2018.12.31|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）附件二：截至 2018年 7月 31日北京豪威专利明细表
一、在中国境内拥有的专利权
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|1|电邮通用串行总线收发信机的互补金属氧化物半导体摄像机||美国豪威|发明专利||ZL 01110913.0||2001/2/28|2009/6/10||
|2|象限模式互补性金属氧化物半导体摄像成象传感器||美国豪威|发明专利||ZL 00108239.6||2000/4/30|2004/5/19||
|3|用符合数据字减少相邻像素电极同数据相差的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 99805193.4||1999/2/22|2005/9/7||
|4|离轴投射器的光分离和重组系统||美国豪威|发明专利||ZL 98811573.5||1998/10/13|2004/12/29||
|5|离轴投射器的光分离和重组系统||美国豪威|发明专利||ZL 200410031982.7||1998/10/13|2006/7/19||
|6|用于数据平面化的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 98813125.0||1998/11/13|2004/1/28||
|7|用于离轴投影仪的偏心透镜组及其使用方法||美国豪威|发明专利||ZL 98812823.3||1998/11/13|2008/4/2||
|8|减少和显示驱动电路中峰值电流和宽带需求的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 98813086.6||1998/11/13|2003/11/5||
|9|显示器驱动电路及其驱动方法||美国豪威|发明专利||ZL 98813064.5||1998/11/13|2004/12/1||
|10|实现饱和电压和临界电压之间调制的具有多象素的显示器||美国豪威|发明专利||ZL 99808247.3||1999/5/7|2004/5/19||
|11|用于调制多路复用像素显示器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 99808246.5||1999/5/7|2004/11/3||
|12|在器件表面形成薄平坦层的组合CMP腐蚀法||美国豪威|发明专利||ZL 99814742.7||1999/12/23|2004/6/23||
|13|平面反射式光阀底板及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 99814743.5||1999/12/23|2003/12/31||
|14|使用量化控制改良解码器性能的方法与系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310280673.2||2013/7/5|2017/10/20||
|15|通过使用多个解码器信道来改良解码器性能的方法与系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310280520.8||2013/7/5|2017/3/1||
|16|解码行程编码数据的解码器和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310280651.6||2013/7/5|2017/11/14||
|17|用于传感器故障检测的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410041409.8||2014/1/28|2017/6/13||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|18|用于传感器故障检测的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410041441.6||2014/1/28|2016/4/6||
|19|随机存取存储器中压缩数据的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310562165.3||2013/11/12|2017/6/9||
|20|特定应用双模式投影系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410054140.7||2014/2/18|2018/3/9||
|21|CMOS图像传感器中具有减弱的暗电流的有源像素||美国豪威|发明专利||ZL 02143163.9||2002/9/16|2008/1/9||
|22|确定光鼠标相对运动的方法和装置||美国豪威|发明专利||ZL 02150636.1||2002/11/6|2008/2/6||
|23|波前编码成像系统的优化图像处理||美国豪威|发明专利||ZL 03809371.5||2003/2/27|2007/9/19||
|24|波前编码成像系统的优化图像处理||美国豪威|发明专利||ZL 200710136351.5||2003/2/27|2010/11/3||
|25|采用非线性和-或空间变化图像处理的光学成像系统于方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780020519.4||2007/4/3|2012/10/10||
|26|用最小化成像系统中的光程差效应的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200480008870.8||2004/3/31|2010/11/17||
|27|具有扩展的聚焦深度的光刻系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200480014933.0||2004/6/1|2009/7/1||
|28|基于任务的成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200680037455.4||2006/9/19|2010/12/8||
|29|用于优化光学和数字系统设计的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200810131277.2||2004/12/1|2010/9/1||
|30|具有波前编码的变焦透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 200780016385.9||2007/3/6|2011/5/11||
|31|用于生成场景的输出图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010500084.7||2010/9/30|2013/1/9||
|32|带有可为电池充电的图像传感器的移动设备||美国豪威|发明专利||ZL 200510060104.2||2005/3/23|2008/6/11||
|33|采用对偶网络模式的增强的视频传输||美国豪威|发明专利||ZL 200510081684.3||2005/7/4|2009/12/23||
|34|移动通讯设备中远端触发多媒体数据传送的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200510083420.1||2005/7/12|2009/7/22||
|35|低高度成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200580034581.X||2005/9/14|2010/5/5||
|36|低高度成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200810161372.7||2005/9/14|2014/3/12||
|37|并行计算单元的重新寻址||美国豪威|发明专利||ZL 200510099360.2||2005/9/15|2008/11/12||
|38|可从负片产生正像的数码相机||美国豪威|发明专利||ZL 200510131785.7||2005/12/14|2010/5/12||
|39|利用可扫描的全球资源定位地址的设备和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200510052037.X||2005/2/28|2010/8/18||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|40|阵列成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780022655.7||2007/4/17|2013/3/27||
|41|饱和光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 200780018200.8||2007/5/23|2013/4/10||
|42|多矩阵景深的波前编码系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610092419.X||2006/5/25|2009/7/29||
|43|多层光学滤波器设计及相关系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880019580.1||2008/4/25|2012/5/16||
|44|具有图像浮散漏极的、高动态范围的传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200810129354.0||2008/6/26|2012/1/25||
|45|多区域成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880110346.X||2008/8/4|2016/4/20||
|46|在向下采样模式中具有高动态范围的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200810214998.X||2008/9/1|2013/6/12||
|47|投射检测器、包含相同透射检测器的系统和相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880113438.3||2008/9/15|2013/11/6||
||用于改善动态范围的具有多个读取电路路径的图像传感器设备和方法|||发明专利||ZL 200810149014.4|||2013/9/15||
|48|||美国豪威|||||2008/9/16|||
|49|用于色彩内插法的、具有简化存储器的高动态范围的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880120447.5||2008/10/20|2012/4/20||
|50|追踪光指示器的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880121082.8||2008/10/23|2012/1/25||
|51|在投射图像上定位光斑的双模投影装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880123279.5||2008/10/23|2013/9/18||
|52|一种检测图像传感器晶片中像素缺陷的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880125704.4||2008/11/21|2012/12/26||
|53|具有集成闪光灯的可回焊相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 200880127391.6||2008/12/16|2016/9/7||
|54|焊接连接可靠性改进的可回焊相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 200880127336.7||2008/12/16|2013/7/24||
|55|使用垫片封胶封装图像传感器的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980124971.4||2009/4/15|2014/8/20||
|56|用于视频编码器中的高质量帧内模式预测的设备和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980125043.X||2009/4/21|2013/11/6||
|57|薄膜悬浮光学元件及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980107784.5||2009/1/16|2014/5/28||
|58|提供非单调的波前相位轮廓和扩展景深的圆对称的非球面光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 200980112946.4||2009/2/17|2012/9/26||
|59|包括分布式相位修改的成像系统及相关联的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980120522.2||2009/4/3|2013/10/16||
|60|有行缓冲区高效透镜畸变校正功能的图像传感器装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880132805.4||2008/12/18|2016/1/6||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|61|基于对象的光学字符识别预处理算法||美国豪威|发明专利||ZL 201080019810.1||2010/3/8|2015/3/25||
|62|多视频标准中可操作的用于图像传感器的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201080027261.2||2010/6/11|2016/1/20||
|63|自动聚焦方法||美国豪威|发明专利||ZL 200910260425.5||2009/12/4|2013/7/3||
||在具有由执行器定位的镜头的成像系统中实现自动聚焦功能的系统及方法|||发明专利||ZL 200910260424.0|||2012/11/7||
|64|||美国豪威|||||2009/12/4|||
|65|与输入输出装置共享的运算放大器||美国豪威|发明专利||ZL 201010600175.8||2010/12/22|2014/11/5||
|66|形成保护膜于微型摄像芯片上的装置及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010129527.6||2010/3/3|2013/11/27||
|67|交替颜色的图像阵列及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210046132.9||2012/2/27|2016/9/21||
|68|串色图像处理系统和提高清晰度的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110197640.2||2011/7/14|2015/4/8||
|69|光学位置输入系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110232700.X||2011/8/15|2016/3/2||
|70|可调且可切换的多层光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 201110304971.1||2011/9/30|2014/8/13||
|71|具有电可变的扩展景深的光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 201110369763.X||2011/11/1|2015/3/25||
|72|形成保护膜与芯片封装上的装置及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010622034.6||2010/12/30|2014/7/16||
|73|形成保护膜与芯片封装上的装置及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110035012.4||2011/1/28|2014/8/20||
|74|具全幅对焦的3D影响撷取装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210029671.1||2012/2/8|2017/7/7||
|75|利用半成品方式的二段式光学对象成形||美国豪威|发明专利||ZL 201210029689.1||2012/2/8|2015/3/4||
|76|挠性薄膜及透镜组件及透镜复制的相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210135641.9||2012/5/3|2016/9/14||
|77|使用颜色相关波前编码扩展透镜系统中景深的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201280037446.0||2012/5/31|2016/8/17||
|78|整合管芯级摄像组件及制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210389870.3||2012/10/15|2016/12/28||
|79|用于晶片级相机的晶片间隔片及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210460441.0||2012/11/15|2016/5/18||
|80|具有延长景深的摄像系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210528671.6||2012/12/10|2017/7/7||
|81|用于晶片级相机的透镜板及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310091302.X||2013/3/21|2016/9/28||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|82|修正图像系统的渐晕的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310248152.9||2013/6/20|2017/4/26||
|83|用于生成画中画（PIP）图像的设备和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310301227.5||2013/7/17|2017/5/10||
|84|使用多个摄像器以及提供延伸视野的摄像处理系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310319912.0||2013/7/17|2017/5/10||
||利用紫外光可穿透模具来制造用于整合式相机的透镜板的方法以及制造紫外光可穿透模具的方法|||发明专利||ZL 201310325838.3|||2017/6/6||
|85|||美国豪威|||||2013/8/15|||
|86|由移动扫描器重新继续捕获物体的基本影响的系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310392064.6||2013/7/30|2016/4/20||
|87|具有白光、黄光及红光感测元件的背面照射光学传感器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201310439203.6||2013/9/2|2017/4/12||
||用于降低红外反射噪声的重影的红外反射-吸收层及使用其的图像传感器|||发明专利||ZL 201310047959.6|||2017/4/12||
|88|||美国豪威|||||2013/9/24|||
|89|取得均匀光源的装置与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310521466.1||2013/2/7|2017/12/12||
|90|用于测试晶圆的探针卡及制造探针卡的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410080747.2||2013/10/29|2016/11/16||
|91|胶囊内镜的大视场透镜系统以及具有大视场透镜系统的胶囊内镜||美国豪威|发明专利||ZL 201310520669.9||2014/3/6|2017/9/22||
|92|包括至少一个拜耳型摄像机的阵列系统及关联的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310590776.9||2013/11/21|2017/3/1||
|93|一种用于基于级的自动调整的对等媒体流的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410072033.7||2014/2/27|2017/9/12||
|94|电子照相机的自动白平衡的自动化自我训练的装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410090857.7||2014/3/12|2017/4/12||
|95|用于360度摄像机系统的校准的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201480031852.5||2014/4/8|2017/8/18||
|96|采用用于灵活图像方位的正方形图像传感器的取像系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410174186.2||2014/4/28|2017/12/26||
|97|具有广视角的五个非球面表面晶片级透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410186759.3||2014/5/5|2016/8/31||
|98|在线存储器测试系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410190897.9||2014/5/7|2017/7/11||
|99|镜框的同设系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410222332.4||2014/5/23|2016/2/3||
|100|用于生成全景图像的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410272592.2||2014/6/13|2018/2/6||
||用于照相机中的分布式图像处理以使在缝合影响中的伪影最小化的方法及设备|||发明专利||ZL 201410299335.8|||2018/2/6||
|101|||美国豪威|||||2014/6/25|||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|102|自发光互补金属氧化物半导体影响传感器封装||美国豪威|发明专利||ZL 201510427862.7||2014/7/8|2017/7/21||
|103|用于单一成像传感器的摄影机装置及系统以及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410455502.3||2014/9/9|2017/8/11||
|104|凹坑配液过程形成光学透镜的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410471111.0||2014/9/16|2017/10/13||
||具有屏蔽、深穿透及颜色检测光二极管的颜色光传感器阵列的传感器和方法|||发明专利||ZL 201410471114.4|||2017/7/25||
|105|||美国豪威|||||2014/9/16|||
|106|镀膜的金刚石切削的复刻母盘和相关联的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410590031.7||2014/10/28|2018/3/9||
|107|双像素大小彩色影响传感器及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410643620.7||2014/11/10|2017/6/16||
|108|图像数据的聚合高动态范围的成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410721378.0||2014/12/2|2018/1/2||
|109|捕获可见光和红外光图像的图像传感器及关联系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410725825.X||2014/12/3|2017/7/7||
|110|具有多晶硅栅极P型掺杂的NMOS源级跟随器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410737170.8||2014/12/5|2018/3/9||
|111|基于数字校准的长距离MIPI D-PHY 串行链路的偏斜消除||美国豪威|发明专利||ZL 201410835919.2||2014/12/29|2017/7/18||
|112|具有高效率热传递的成像设备及其相关系统||美国豪威|发明专利||ZL 201510004893.1||2015/1/5|2018/1/26||
|113|用于空间受限位置中的成像系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510195026.0||2015/4/22|2018/1/26||
|114|光学变焦成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510216820.9||2015/4/30|2017/5/10||
|115|在晶圆层上将相机立方体镀黑的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510223903.0||2015/5/5|2017/8/25||
|116|悬浮透镜系统及用于制造悬浮式透镜系统的晶圆级方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510239654.4||2015/5/12|2017/5/10||
|117|晶圆级硅基液晶投影组件、系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410221984.6||2014/5/23|2017/4/12||
||透光区及图像传感装置的形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 200810109945.1|||2012/3/21||
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|118||||||||2008/6/11|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||对准装置及其应用||采钰科技|发明专利||ZL 200810083470.3|||2011/3/16||
|119||||||||2008/3/7|||
||||股份有限||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
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||透镜模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200810128893.2|||2012/3/21||
||||股份有限||||||||
|120||||||||2008/6/24|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像感测装置的电子组件||采钰科技|发明专利||ZL 200810108321.8|||2011/7/20||
||||股份有限||||||||
|121||||||||2008/6/6|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200810108555.2|||2012/10/10||
||||股份有限||||||||
|122||||||||2008/5/27|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||具电磁波相容镀层的电子元件封装体||采钰科技|发明专利||ZL 200810170087.1|||2012/12/12||
||||股份有限||||||||
|123||||||||2008/10/22|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像传感器装置及其密封模块||采钰科技|发明专利||ZL 200910178054.6|||2011/6/15||
||||股份有限||||||||
|124||||||||2009/9/28|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型影像撷取透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200910009683.6|||2011/8/3||
|125||||||||2009/2/4|||
||||股份有限||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
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||图像捕捉镜头||采钰科技|发明专利||ZL 200910142716.4|||2015/2/11||
||||股份有限||||||||
|126||||||||2009/5/31|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型影像撷取透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200910005888.7|||2011/6/29||
||||股份有限||||||||
|127||||||||2009/2/10|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型相机模块||采钰科技|发明专利||ZL 200910165192.0|||2012/11/21||
||||股份有限||||||||
|128||||||||2009/7/27|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型图像提取透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200910221050.1|||2014/10/8||
||||股份有限||||||||
|129||||||||2009/11/9|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像感测元件的电子装置、晶片级透镜组||采钰科技|发明专利||ZL 201010125289.1|||2012/9/19||
||||股份有限||||||||
|130||||||||2010/2/24|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像摄取透镜模块||采钰科技|发明专利||ZL 201010156921.9|||2013/2/13||
|131||||||||2010/4/6|||
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上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||透镜组及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201010131788.1|||2014/3/26||
||||股份有限||||||||
|132||||||||2010/3/16|||
||||公司；美国||||||||
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||图像摄取透镜模块及图像摄取系统||采钰科技|发明专利||ZL 201010105509.4|||2012/5/23||
||||股份有限||||||||
|133||||||||2010/1/28|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像提取透镜模块及图像提取装置封装物||采钰科技|发明专利||ZL 201110281919.9|||2014/2/12||
||||股份有限||||||||
|134||||||||2011/9/16|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||光学装置及其设计方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110281453.2|||2014/11/26||
||||股份有限||||||||
|135||||||||2011/9/14|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像感测元件的制造方法和铸造装置||采钰科技|发明专利||ZL 201010275824.1|||2013/11/6||
||||股份有限||||||||
|136||||||||2010/9/7|||
||||公司；美国||||||||
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||图像摄取透镜模块及图像摄取系统||采钰科技|发明专利||ZL 201010518057.2|||2014/6/18||
|137||||||||2010/10/20|||
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上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
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||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201210005389.X|||2016/1/13||
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|138||||||||2012/1/6|||
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||图像感测装置及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201010504411.6|||2013/4/17||
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|139||||||||2010/10/11|||
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||透镜模块及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110085946.9|||2014/12/31||
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|140||||||||2011/4/2|||
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||透镜模块及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110281917.X|||2014/3/26||
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|141||||||||2011/9/16|||
||||公司；美国||||||||
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||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110349376.X|||2015/7/29||
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|142||||||||2011/10/31|||
||||公司；美国||||||||
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||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110281907.6|||2015/9/2||
|143||||||||2011/9/16|||
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上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110274849.4|||2015/1/21||
||||股份有限||||||||
|144||||||||2011/9/9|||
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||||豪威||||||||
||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110461196.0|||2015/2/11||
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|145||||||||2011/12/26|||
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||相机单元及其微镜头||采钰科技|发明专利||ZL 201210062942.3|||2016/2/24||
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|146||||||||2012/3/7|||
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|147|三片式全非球面转换器鱼眼镜头||美国豪威|发明专利||ZL 201510518923.0||2015/8/21|2017/6/13||
|148|自动化的细胞生长/迁移检测系统及相关的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510541972.6||2015/8/28|2017/10/17||
|149|具有信号分离的颜色滤波器阵列的双模图像传感器及其方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510646042.7||2015/10/8|2018/5/1||
|150|特别用途的背照式光传感器集成电路接地系统||美国豪威|发明专利||ZL 201510726762.4||2015/10/30|2017/9/29||
|151|低剖面混合型透镜系统及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610052338.0||2016/1/26|2017/6/23||
|152|用于硅基液晶投影显示器LCOS的空间交错的偏振转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201610105560.2||2016/2/25|2017/9/1||
|153|含有干粘合剂层之光学组件及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610150979.X||2016/3/16|2018/4/6||
|154|可减少随机电讯信号噪音的CMOS图像传感器和相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610274366.7||2016/4/28|2017/10/27||
|155|用于文件芯片内建相位检测之影响传感器以及相关系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610320488.5||2016/5/16|2017/11/24||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|156|单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法||美国豪威|发明专利||ZL 00101821.3||2000/1/29|2004/11/24||
|157|光学图像传感器集成电路的单片规模封装||美国豪威|发明专利||ZL 01110911.4||2001/2/28|2004/12/29||
|158|具有冷却装置的图像传感器集成电路组件||美国豪威|发明专利||ZL 01112157.2||2001/3/29|2005/4/27||
||用于互补型金属氧化物半导体图像传感器的优化浮置 P+区光电二极管|||发明专利||ZL 00135994.0|||2004/7/14||
|159|||美国豪威|||||2000/11/15|||
|160|用于图像处理的模拟延时线||美国豪威|发明专利||ZL 00118815.1||2000/5/6|2005/5/11||
|161|用于降低图像延迟的改进的主动象素传感器软复位电路||美国豪威|发明专利||ZL 00137081.2||2000/12/14|2005/7/20||
|162|彩色图像数据处理和压缩方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 01110912.2||2001/2/28|2005/7/13||
|163|减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化||美国豪威|发明专利||ZL 02157576.2||2002/11/4|2009/1/23||
|164|MOS图像传感器中快速自动曝光或增益控制的方法||美国豪威|发明专利||ZL 02150634.5||2002/11/7|2008/9/30||
|165|从像素读出光信号的读出电路及读出方法||美国豪威|发明专利||ZL 02150635.3||2002/11/6|2008/2/20||
|166|在互补式金氧半导体影像感测器中快速自动曝光或增益控制的方法||美国豪威|发明专利||ZL 03103484.5||2003/1/24|2005/11/30||
|167|一种从像素中读出像素信号的方法||美国豪威|发明专利||ZL 03108315.3||2003/3/27|2007/3/21||
|168|具有光敏彩色过滤器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 02154899.4||2002/12/3|2005/11/2||
||具有数目减少的列读出电路的CMOS图像传感器和从一行像素读出像素信号的方法|||发明专利||ZL 200410005436.6|||2007/7/11||
|169|||美国豪威|||||2004/2/18|||
|170|具有双重自动曝光控制的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200410002994.7||2004/1/21|2009/3/11||
|171|N-型衬底上的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200510052301.X||2005/2/4|2009/3/11||
|172|数字快门||美国豪威|发明专利||ZL 200510074548.1||2005/5/27|2012/1/11||
|173|混成电荷耦合的CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200510063618.3||2005/3/28|2015/7/29||
|174|自动白平衡的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 200910161257.4||2005/3/28|2012/2/8||
|175|用于局部适配图像处理滤波器的方法及系统||美国豪威|发明专利||ZL 200510073669.4||2005/5/19|2008/5/21||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|176|使用处理过的YUV数据之透镜校正||美国豪威|发明专利||ZL 200410086491.2||2004/10/22|2012/5/16||
|177|检测周围光源闪烁比率用来控制便携式摄像机的帧频的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 200510073662.2||2005/5/19|2009/7/1||
|178|采用不对称传输晶体管的有源像素单元||美国豪威|发明专利||ZL 200510078777.0||2005/6/14|2009/6/17||
|179|具有可变电容输出或浮动节点的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510106091.8||2005/10/1|2010/1/27||
|180|具有非凹面光电二极管的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510113074.7||2005/10/12|2009/11/18||
|181|在积分周期内传输门具有正电压的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510113947.4||2005/10/17|2008/7/2||
|182|光电二极管中带有多种掺杂物植入的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510113109.7||2005/10/14|2009/8/26||
|183|在光电二极管上设有防反射涂层的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510119818.6||2005/11/7|2009/12/16||
|184|CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 200510130905.1||2005/12/8|2011/4/6||
|185|CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010104918.2||2005/12/8|2013/10/30||
|186|具有优化的漂浮扩散的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200610005423.8||2006/1/14|2010/2/1||
|187|具有优化的漂浮扩散的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200910175098.3||2009/9/22|2011/11/2||
|188|光电二极管具有铟连接层的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510126641.2||2005/12/2|2011/8/31||
|189|用于图像传感器的自动聚焦||美国豪威|发明专利||ZL 200610004635.4||2006/1/26|2011/6/29||
|190|用于图像传感器的机械快门装置||美国豪威|发明专利||ZL 200610009083.6||2006/2/17|2012/7/11||
|191|用于图像传感器的氘熔合处理||美国豪威|发明专利||ZL 200610005234.0||2006/1/4|2008/11/26||
|192|由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510135886.1||2005/12/22|2011/2/2||
|193|一种集成电路||美国豪威|发明专利||ZL 200610005998.X||2006/1/18|2012/11/21||
|194|具有铟掺杂形成的横向掺杂梯度的图像传感器像素及其制备方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610005411.5||2006/1/13|2009/9/30||
|195|图像传感器中采用化学机械抛光的自动准金属硅化物工艺||美国豪威|发明专利||ZL 200610009135.X||2006/2/13|2009/9/2||
|196|用于图像传感器的自动对准金属硅化物处理方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610054902.9||2006/2/14|2012/6/27||
|197|突起的硅光电二极管及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200610108557.2||2006/7/21|2010/12/22||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|198|可降低蚀刻损害的图像传感器制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610110604.7||2006/7/18|2008/10/15||
|199|传输门电路下方具有微笑结构的CMOS图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200610079259.5||2006/4/24|2008/8/13||
|200|减少CMOS图像传感器中光学串扰的方法和设备||美国豪威|发明专利||ZL 200610126119.9||2006/8/22|2009/8/26||
|201|涂敷的晶圆级照相模块及其制备方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610129193.6||2006/9/7|2010/9/29||
|202|具有优化图像浮散性能的图像传感器结构及工艺方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610108192.3||2006/7/24|2009/7/22||
|203|数码相机中的图像防颤的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 200710006203.1||2007/1/30|2012/4/25||
|204|图像感应装置图像传感器模组及制备方法||美国豪威|发明专利||ZL 200710006194.6||2007/1/29|2009/7/22||
|205|使用能量转换层增加图像传感器中的光吸收的方法和装置||美国豪威|发明专利||ZL 200710127591.9||2007/7/5|2012/12/5||
|206|传感光电二极管上方具有曲面微镜的图像传感器及其制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 200710163496.4||2007/10/25|2012/10/31||
|207|具有图像模糊减少机制的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200810001092.X||2008/1/22|2011/12/14||
|208|具有输出噪声降低机制的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200710194734.8||2007/11/29|2011/9/14||
|209|具有减少的列固定图案噪声的成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010258868.3||2010/8/18|2014/3/12||
|210|白/黑像素校正装置和方法以及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880114259.1||2008/10/21|2013/1/16||
|211|用于图像传感器的光源频率探测电路||美国豪威|发明专利||ZL 200880107035.8||2008/9/11|2013/1/2||
|212|用于高速低电压共模驱动器的复制偏置电路||美国豪威|发明专利||ZL 200880120991.X||2008/11/18|2013/8/7||
|213|限制输出高电压的混合型芯片上调节器||美国豪威|发明专利||ZL 200880124827.6||2008/12/16|2013/5/22||
|214|具有载体基板和再分配层的背面受光成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126380.6||2008/12/23|2013/6/19||
|215|具有全域快门及储存电容器的背侧照明图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980104572.1||2009/1/27|2013/1/23||
|216|图像传感器的自对准滤光片||美国豪威|发明专利||ZL 200980105000.5||2009/2/4|2016/8/3||
|217|具有栅极有源区域上的触点的晶体管||美国豪威|发明专利||ZL 200980114512.8||2009/5/8|2015/3/18||
|218|具有背面P+掺杂层的背面受光成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126428.3||2008/12/23|2013/1/16||
|219|具有深光反射沟槽的背照式图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126436.8||2008/12/17|2013/9/18||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|220|使用双极晶体管的光源频率检测电路||美国豪威|发明专利||ZL 200880116692.9||2008/11/5|2013/3/6||
|221|用于背侧照明图像传感器的黑色参考像素||美国豪威|发明专利||ZL 200980104591.4||2009/2/2|2016/2/17||
|222|具有硅化物光反射层的背面受光成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126427.9||2008/12/24|2013/8/14||
|223|具有聚焦互连的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980120176.8||2009/5/12|2013/9/11||
|224|自适应局部白平衡调节的系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980112405.1||2009/3/11|2016/4/6||
|225|具有红外检测层的背面受光CMOS成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126448.0||2008/12/24|2012/6/20||
|226|用于背侧照明图像传感器的电路与光传感重迭||美国豪威|发明专利||ZL 200980104585.9||2009/2/2|2013/5/1||
|227|具抖动补偿的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010550436.X||2010/11/10|2013/11/6||
|228|具有全域快门的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010169638.X||2010/4/30|2012/10/10||
|229|具有改良的角度响应的背面照射式成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980145870.5||2009/11/11|2015/4/22||
|230|图像传感器的部分行读出||美国豪威|发明专利||ZL 200980123096.8||2009/6/1|2013/6/19||
|231|具有低串扰及高红色灵敏度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980140364.7||2009/8/17|2013/12/11||
|232|基于单一行的缺陷像素修正的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980143694.1||2009/10/20|2014/8/27||
|233|具有改进背侧表面处理的CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200910211968.8||2009/12/8|2012/7/4||
|234|具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素||美国豪威|发明专利||ZL 201110096075.0||2011/4/1|2013/10/30||
|235|包含具有按比例调整的宽度的金属反射器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010258867.9||2010/8/18|2013/12/25||
|236|具有强化垫结构的背面照明成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010564504.8||2010/11/16|2013/7/3||
|237|具有离散电子排斥元件阵列的光电检测器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 200910215867.8||2009/12/30|2014/8/27||
|238|具有光检测器阵列及周边区域的较细和较粗互连线的装置||美国豪威|发明专利||ZL 201010265986.7||2010/8/25|2015/1/14||
|239|具有在滤色片中形成的波导的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010550429.X||2010/11/8|2013/9/4||
|240|CMOS像素中的半岛形传输栅||美国豪威|发明专利||ZL 200980154315.9||2009/12/29|2015/3/25||
|241|用于减少串扰的多层图像传感器像素结构||美国豪威|发明专利||ZL 201010159246.5||2010/4/26|2012/11/28||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|242|具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010250961.X||2010/8/9|2013/3/27||
|243|具有外延自对准光传感器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110008440.8||2011/1/6|2014/7/30||
|244|具有改良式黑白平校准的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110046568.3||2011/2/17|2014/4/30||
|245|用于图像传感器的改良的激光退火||美国豪威|发明专利||ZL 201110114682.5||2011/4/25|2015/7/15||
|246|具有改良的光电二极管区域分配的CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110206456.X||2011/7/15|2015/1/7||
|247|双面图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201080065219.X||2010/5/24|2015/12/9||
|248|具有双元件彩色滤波器阵列和三信道彩色输出的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110218062.6||2011/7/22|2016/8/17||
|249|用于晶片级照相机模块的强化结构||美国豪威|发明专利||ZL 201110165204.7||2011/6/7|2015/1/7||
|250|具有流水线化列模数转换器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110375210.5||2011/11/8|2015/9/23||
|251|具有背景电流操纵的背侧受激传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110261318.1||2011/8/8|2014/6/18||
|252|嵌入传送栅||美国豪威|发明专利||ZL 201110245139.9||2011/8/8|2015/4/15||
|253|具有改良噪声屏蔽的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110286464.X||2011/9/7|2015/4/22||
|254|用于CMOS图像传感器的可变电压行驱动器||美国豪威|发明专利||ZL 201310037820.3||2013/1/31|2016/5/18||
|255|具有应力膜的背侧照明图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110261316.2||2011/8/8|2014/6/25||
|256|可见及红外双重模式成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201110317482.X||2011/10/12|2014/9/17||
|257|用于CMOS图像传感器的无损杂质掺杂的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110308295.5||2011/9/29|2015/3/25||
|258|具有补充电容性耦合节点的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110433598.X||2011/12/16|2014/8/20||
|259|具有补充电容性耦合节点的图像传感器和其操作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410347541.1||2011/12/16|2018/2/16||
|260|用于成像像素的黑色点评校正的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310050782.5||2013/2/8|2016/5/18||
|261|使用切割道蚀刻的晶圆切片||美国豪威|发明专利||ZL 201110392612.6||2011/11/23|2015/3/4||
|262|用于背面照明图像传感器的密封环支撑件||美国豪威|发明专利||ZL 201210012196.7||2012/1/5|2015/2/11||
|263|用于CMOS图像传感器的模拟行黑色电平校准||美国豪威|发明专利||ZL 201210020760.X||2012/1/18|2014/12/10||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|264|用于触摸及手势辨识的光学触摸垫||美国豪威|发明专利||ZL 201110460487.8||2011/12/29|2016/4/13||
|265|具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201210256419.4||2012/7/23|2015/10/21||
|266|使用硬掩模的滤色器变化图案化||美国豪威|发明专利||ZL 201110461303.X||2011/12/30|2015/11/25||
|267|低共模驱动器||美国豪威|发明专利||ZL 201210171148.2||2012/5/29|2015/9/2||
|268|用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201210171149.7||2012/5/29|2015/6/10||
|269|用于移动通信设备中的图像重叠的方法以及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201110266327.X||2011/8/30|2016/4/6||
|270|具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域||美国豪威|发明专利||ZL 201210308681.9||2012/8/27|2016/1/20||
|271|具有聚焦能力的图像捕获系统||美国豪威|发明专利||ZL 201110460499.0||2011/12/29|2015/5/13||
|272|用于具有聚焦能力的图像捕获系统的外壳||美国豪威|发明专利||ZL 201110461300.6||2011/12/30|2015/12/16||
|273|多重转换增益图像传感器的多电平复位电压||美国豪威|发明专利||ZL 201210273421.2||2012/8/2|2015/8/19||
|274|双向相机组合件||美国豪威|发明专利||ZL 201210325412.3||2012/9/5|2016/12/28||
|275|用于提供图像传感器像素中的经改进全阱容量的方法、设备及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201210432093.6||2012/11/2|2015/12/9||
|276|包含光导的背侧照明式（BSI）像素||美国豪威|发明专利||ZL 201210505510.5||2012/11/30|2016/5/25||
|277|具有增强例子掺杂的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310102956.8||2013/3/27|2016/7/20||
|278|相机模块及包括相机模块的系统||美国豪威|发明专利||ZL 201210327641.9||2012/9/6|2016/9/21||
|279|图像传感器的部分掩埋沟道传送装置||美国豪威|发明专利||ZL 201210385836.9||2012/10/12|2016/3/30||
|280|在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310055432.8||2013/2/21|2016/1/13||
|281|用于具有背侧照明的高速CMOS图像传感器的多行同时读出方案||美国豪威|发明专利||ZL 201210384611.1||2012/10/11|2016/12/21||
|282|高动态范围子取样架构||美国豪威|发明专利||ZL 201210385026.3||2012/10/11|2016/6/15||
|283|用于高性能CMOS图像传感器的算术计数器电路、配置和应用||美国豪威|发明专利||ZL 201210384325.5||2012/10/11|2016/12/21||
|284|用于飞行时间传感器的电路配置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310061361.2||2013/2/27|2016/7/6||
|285|用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计||美国豪威|发明专利||ZL 201210432343.6||2012/11/2|2015/10/21||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|286|具有自对准沟道宽度的晶体管||美国豪威|发明专利||ZL 201210399143.5||2012/10/19|2016/7/6||
|287|用于3D成像的有具有交替偏光的滤光器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310025756.7||2013/1/23|2016/6/22||
|288|用于并行交换视频数据的方法、设备和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310144426.X||2013/4/24|2017/4/12||
|289|用以提供用于缓冲的视频数据的方法、设备及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310176524.1||2013/5/14|2017/5/17||
|290|用于组合图像的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310050822.6||2013/2/8|2016/12/28||
|291|包括图像传感器的设备、半导体装置及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310050923.3||2013/2/8|2016/8/3||
|292|背侧照明成像传感器的侧向光屏蔽物||美国豪威|发明专利||ZL 201310049121.0||2013/2/7|2016/6/15||
|293|具有脉冲操作模式的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310069401.8||2013/3/5|2016/4/13||
|294|用于图像传感器的多斜率列并行模-数转换中的校准||美国豪威|发明专利||ZL 201310086281.2||2013/3/18|2016/9/7||
|295|具有集成周围光检测的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201280067475.1||2012/12/28|2017/10/17||
|296|图像传感器系统的用于传送图像数据及控制信号的共享端子||美国豪威|发明专利||ZL 201210452805.0||2012/11/13|2016/12/21||
|297|图像传感器系统的用于传送时钟及控制信号的共享端子||美国豪威|发明专利||ZL 201210452250.X||2012/11/13|2017/4/12||
|298|用于减少像素单元噪声的方法、设备及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310113035.1||2013/4/2|2017/9/5||
|299|具有卡入式闩锁的晶片级相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 201310109917.0||2013/3/29|2016/12/28||
|300|具有保护管的晶片级相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 201310109567.8||2013/3/29|2017/5/17||
|301|具有多种ADC模式的混合模-数转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201310268013.2||2013/6/28|2016/12/28||
|302|双侧图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310119815.7||2013/4/8|2016/5/18||
|303|具有改良性能的大型互补金属氧化物半导体图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201310223504.5||2013/6/6|2016/2/10||
|304|使用次要相机的快门释放||美国豪威|发明专利||ZL 201310190039.X||2013/5/21|2017/4/12||
|305|图像传感器和减少功率消耗的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310311035.2||2013/7/23|2017/5/17||
|306|电容可选择电荷泵||美国豪威|发明专利||ZL 201310320620.9||2013/7/26|2016/3/2||
|307|具有集成电磁干扰屏蔽的集成电路堆叠||美国豪威|发明专利||ZL 201310222125.4||2013/6/5|2016/9/21||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|308|视频产生方法及视频成像获取系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310401775.5||2013/9/6|2017/5/24||
|309|用于低暗电流CMOS像素单元的接地触点结构||美国豪威|发明专利||ZL 201310303157.7||2013/7/18|2017/8/29||
|310|用于减少CMOS图像传感器的模拟图像数据中的噪声的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201310346759.0||2013/8/9|2017/3/1||
|311|用于减少所投影图像中的斑点的装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310291249.8||2013/7/11|2016/8/17||
|312|具有固定电位输出晶体管的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310168391.3||2013/5/9|2016/12/28||
|313|用于减少的电荷注入的CMOS图像传感器开关电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310298240.X||2013/7/16|2016/6/29||
|314|选择性增益控制电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310322171.1||2013/7/29|2017/6/9||
|315|含有具有三角形截面的金属栅格的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310163899.4||2013/5/7|2016/4/13||
|316|紧凑型像素中高动态范围成像||美国豪威|发明专利||ZL 201310317708.5||2013/7/26|2017/12/5||
|317|具有色彩滤光器的分割图像传感器的透镜阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201310313751.4||2013/7/24|2016/9/7||
|318|用于减少输出变化的比较器电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310220590.4||2013/6/5|2016/6/29||
|319|像素阵列、图像传感器系统及用于提供像素阵列的转换增益的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310651681.3||2013/12/5|2017/5/24||
|320|用于为3D成像投射结构光的低Z高度投影系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310312234.5||2013/7/24|2015/11/18||
|321|集成电路系统、成像传感器系统及其制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310336858.0||2013/8/5|2016/8/10||
|322|随机估计模-数转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201310243146.4||2013/6/19|2017/4/26||
|323|图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310350125.2||2013/8/13|2016/8/31||
||图像传感器及包含及包含多个可选择经啮合滤光器组的彩色滤光器阵列|||发明专利||ZL 201310574247.X|||2017/4/26||
|324|||美国豪威|||||2013/11/15|||
|325|具有偏移电压移除的带隙参考电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310624671.0||2013/11/27|2017/7/4||
|326|用以减少图像记忆效应的带负电荷层||美国豪威|发明专利||ZL 201310340938.3||2013/8/7|2016/5/18||
|327|用以减少图像记忆效应的带负电荷层||美国豪威|发明专利||ZL201610318158.2||2016/5/13|2018/2/16||
|328|具有衬底噪声隔离的方法及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310705678.5||2013/12/19|2017/9/29||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|329|自适应多转换斜坡模-数转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201310497308.7||2013/10/22|2017/9/5||
|330|用于减少像素阵列读出时间的转换电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310164514.6||2013/5/7|2017/7/4||
||用于消除具有掺杂等离子体的钉扎层的像素中的滞后的工艺及其设备|||发明专利||ZL 201310698090.1|||2017/4/12||
|331|||美国豪威|||||2013/12/18|||
|332|底部芯片上具有光敏电路元件的堆叠芯片图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310481663.5||2013/10/15|2017/4/12||
|333|包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器||美国豪威|发明专利||ZL 201310524372.X||2013/10/30|2017/1/11||
|334|包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310503867.4||2013/10/23|2017/11/14||
|335|具有三层视频场景的影中影视频流||美国豪威|发明专利||ZL 201310405499.X||2013/9/9|2017/5/24||
|336|用于随机数产生的设备、方法和系统及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310680647.9||2013/12/12|2017/11/14||
|337|荧光成像模块||美国豪威|发明专利||ZL 201310515993.1||2013/10/28|2016/12/7||
|338|形成用于图像传感器的双尺寸微透镜的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310589075.3||2013/11/20|2017/3/1||
|339|拥有具有增加的光学串扰的像素的图像传感器及其使用||美国豪威|发明专利||ZL 201410064275.1||2014/2/25|2017/9/19||
|340|具有多个放大器晶体管的高动态范围像素||美国豪威|发明专利||ZL 201310511423.5||2013/10/25|2017/5/17||
|341|用于校正图像传感器固定图案噪声的设备、系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410014665.8||2014/1/13|2017/10/20||
|342|基于动态映射的自动白平衡||美国豪威|发明专利||ZL 201310636777.2||2013/12/2|2017/4/26||
|343|具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310655864.2||2013/12/6|2017/4/12||
|344|图像传感器以及成像装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310647832.8||2013/12/4|2017/4/12||
|345|具有低轮廓触点的集成电路堆叠||美国豪威|发明专利||ZL 201310724177.1||2013/12/25|2017/4/12||
|346|基于象素强度分布的多目标自动曝光及增益控制的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410065903.8||2014/2/26|2018/1/5||
||具有拥有栅极之间的窄间隔的全局快门的图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法|||发明专利||ZL 201310724251.X|||2017/5/31||
|347|||美国豪威|||||2013/12/25|||
|348|成像系统及使图像传感器聚焦的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310589090.8||2013/11/20|2017/5/31||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|349|成像系统及使图像传感器聚焦的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410050447.X||2014/2/13|2017/12/1||
|350|从像素阵列读取像素数据的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410210216.0||2014/5/19|2017/9/22||
|351|图像传感器及其操作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410006114.7||2014/1/7|2018/1/26||
|352|像素单元平面化图层中用于黑电平校正的光学屏蔽||美国豪威|发明专利||ZL 201410008314.6||2014/1/8|2018/1/23||
|353|背侧照明式图形传感器及其制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410061250.6||2014/2/24|2017/12/19||
|354|用于图像传感器读取图像数据的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201410010015.6||2014/1/9|2018/1/12||
|355|光子监测装置和堆叠硅光电倍增器||美国豪威|发明专利||ZL 201410005758.4||2014/1/7|2017/1/4||
|356|减少图像传感器中的噪声的谐波音调的方法及图像感测系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410157946.9||2014/4/18|2017/12/22||
|357|彩色滤光片阵列、彩色滤光片阵列设备及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410302864.9||2014/6/27|2017/4/12||
|358|用于提供增强的视觉的眼罩式显示系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310596285.5||2013/11/22|2017/7/4||
|359|具有缩放滤波器阵列和像素内仓的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410355660.1||2014/7/24|2017/8/1||
|360|X射线与光学图像传感器以及其成像系统及制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410063553.1||2014/2/25|2017/8/25||
|361|用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201410074474.0||2014/3/3|2018/1/23||
|362|用于图像传感器的大-小像素图案及其使用||美国豪威|发明专利||ZL 201410074543.8||2014/3/3|2017/10/3||
|363|具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图像传感器像素单元||美国豪威|发明专利||ZL 201410009345.3||2014/1/9|2017/10/3||
|364|用于图像投影仪的去斑光学系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410300995.3||2014/6/26|2017/11/28||
|365|堆叠芯片SPAD图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410252328.2||2014/6/9|2017/8/11||
|366|控制像素阵列的方法及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410306807.8||2014/6/30|2018/1/23||
|367|具有光子计数器的低功率成像系统及操作像素阵列的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410311079.X||2014/7/1|2018/2/9||
||用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器|||发明专利||ZL 201410437739.9|||2017/10/31||
|368|||美国豪威|||||2014/8/29|||
|369|背侧照明式单光子雪崩二极管及包括其的成像传感器系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410446216.0||2014/9/3|2017/7/4||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|370|获取图像数据的方法、高动态范围成像系统及像素单元||美国豪威|发明专利||ZL 201510011546.1||2015/1/9|2018/3/27||
|371|获取图像数据的方法、供使用的HDR成像系统及像素||美国豪威|发明专利||ZL 201510011819.2||2015/1/9|2018/2/16||
|372|具有全局布线通道的集成电路芯片及专用集成电路||美国豪威|发明专利||ZL 201410775868.9||2014/12/15|2017/12/5||
|373|彩色滤光器阵列、图像传感器以及用于减少光谱串扰的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510462856.5||2015/7/31|2018/2/16||
|374|使用移动平台的视频会议||美国豪威|发明专利||ZL 201410804240.7||2014/12/19|2016/10/5||
|375|像素单元及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410822566.2||2014/12/25|2017/12/5||
|376|飞行时间感测单元及飞行时间感测系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410814929.8||2014/12/24|2018/3/27||
|377|用于飞行时间3D图像传感器的可编程电源流||美国豪威|发明专利||ZL 201410820446.9||2014/12/25|2017/9/5||
|378|用于飞行时间成像系统的校准电路及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510319589.6||2015/6/11|2018/2/16||
|379|用于减少色彩混叠的彩色滤光器阵列及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201610322682.7||2016/5/16|2018/4/20||
|380|像素单元、图像传感器及提升像素单元中复位电平的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510751516.4||2015/11/6|2018/3/27||
|381|用于实施扩展范围逐次逼近模-数转换器的方法及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201610048436.7||2016/1/25|2017/11/17||
|382|对双转换增益高动态范围传感器的补偿||美国豪威|发明专利||ZL 201610071678.8||2016/2/2|2017/11/14||
|383|具有支撑结构以提供经改进滤光器厚度均匀性的彩色滤光器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201510794430.X||2015/11/18|2018/3/9||
|384|高分辨率阵列摄像机||美国豪威|发明专利||ZL 201510795403.4||2015/11/18|2017/9/19||
|385|通过斜坡产生器的图像传感器电源抑制比噪声消减||美国豪威|发明专利||ZL 201610079549.3||2016/2/4|2018/2/6||
|386|具有强化的晶片结合的集成电路堆叠||美国豪威|发明专利||ZL 201610090300.2||2016/2/18|2017/11/17||
|387|针对于接口电路的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201610812451.4||2016/9/9|2018/3/27||
|388|扩展有效动态范围的图像传感器及图像捕捉系统||美国豪威|发明专利||ZL 200580032021.0||2005/9/20|2010/9/29||
|389|具有电荷装仓的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200480020150.3||2004/7/1|2010/9/8||
|390|具有电荷装仓的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010136328.8||2004/7/1|2012/1/4||
|391|具有替换电路分布的图像传感器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 200480031054.9||2004/10/19|2009/10/14||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|392|扩展动态范围的成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200580022986.1||2005/6/3|2010/6/16||
|393|具有扩展的动态范围的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200480024674.X||2004/9/1|2012/6/20||
|394|减少不希望有的暗电流的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200580036673.1||2005/10/27|2009/7/15||
|395|包括低噪声采样和保持电路的图像传感器和照相机||美国豪威|发明专利||ZL 200580013653.2||2005/4/27|2009/4/15||
|396|用于消除噪声的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200910007521.9||2005/4/2|2011/4/6||
|397|具有圈帧快门的钉扎光电二极管||美国豪威|发明专利||ZL 200580018194.7||2005/6/2|2011/11/30||
|398|具有全帧快门的钉扎光电二极管像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680018606.1||2006/5/24|2009/11/4||
|399|从二维阵列读取像素值的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200680026084.X||2006/7/18|2012/12/12||
|400|处理彩色和全色像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680027624.6||2006/7/20|2010/10/27||
|401|相同-对称金属屏蔽||美国豪威|发明专利||ZL 200680019261.1||2006/5/31|2009/12/2||
|402|像素阵列上的非对称微透镜||美国豪威|发明专利||ZL 200680019420.8||2006/5/26|2012/10/10||
|403|CMOS有源像素传感器共享的放大器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680019262.6||2006/5/31|2010/12/3||
|404|耦合电容匹配的共享放大器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680019421.2||2006/5/26|2010/9/29||
|405|具有输出选路结构的CMOS图像传感器及数字照相机||美国豪威|发明专利||ZL 200680035740.2||2006/9/18|2011/8/31||
|406|具有改善的光敏感度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200680027474.9||2006/7/13|2010/9/1||
|407|用于校正掩食或变暗的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200680040078.X||2006/10/12|2010/12/8||
|408|检测数字图像中的条纹的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200680045849.4||2006/11/30|2013/6/19||
|409|光电检测器和用来提高收集的N-层结构||美国豪威|发明专利||ZL 200680035943.1||2006/9/18|2011/11/16||
|410|一种用于读出图像传感器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880009186.X||2008/3/19|2015/4/1||
|411|用于读出S-H阵列的延迟电路||美国豪威|发明专利||ZL 200780006810.6||2007/2/14|2011/10/19||
|412|具有低串扰的PMOS像素结构||美国豪威|发明专利||ZL 200780023065.6||2007/3/23|2011/9/28||
|413|图像传感器和用于操作图像传感器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780015834.8||2007/4/18|2012/11/14||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|414|使用斜变转移栅极时钟的A-D转换器||美国豪威|发明专利||ZL 200780005721.X||2007/2/7|2011/11/30||
|415|生成数字彩色图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780003483.9||2007/1/17|2011/9/21||
|416|具有改进感光度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200780002939.X||2007/1/12|2013/1/30||
|417|具有改进的光灵敏度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200780018755.2||2007/5/10|2012/3/7||
|418|用于低暗电流成像器的隔离方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780038888.6||2007/10/9|2011/8/24||
|419|具有增益控制的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200880014156.8||2008/4/22|2014/9/10||
|420|像素面积减小的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880008428.3||2008/2/20|2012/6/27||
|421|像素面积减小的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201210102673.9||2008/2/20|2015/8/5||
|422|具有两个品片的有源像素传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200780037255.3||2007/10/5|2012/10/10||
|423|一种图像传感器及制造该图像传感器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780045848.4||2007/12/5|2011/9/14||
|424|是用全色像素的边缘映射||美国豪威|发明专利||ZL 200880011120.4||2008/3/26|2017/5/17||
|425|图像传感器的多分量读出||美国豪威|发明专利||ZL 200880025375.6||2008/7/8|2013/5/1||
|426|采用全色像素的边缘绘图||美国豪威|发明专利||ZL 200880011100.7||2008/3/25|2016/4/13||
|427|校正曝光期间的成像设备运动||美国豪威|发明专利||ZL 200880025408.7||2008/7/7|2013/3/13||
|428|使用全色图像的噪声降低彩色图像||美国豪威|发明专利||ZL 200880017148.9||2008/5/9|2013/3/27||
|429|用于3维合成像素的高增益读取电路||美国豪威|发明专利||ZL 200980131698.8||2009/9/4|2013/5/29||
|430|具有两个晶片的有源像素传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980108186.X||2009/3/27|2012/7/18||
|431|具有共享处理的多图像传感器系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880114509.1||2008/11/12|2013/9/25||
|432|图形传感器的取样与读出||美国豪威|发明专利||ZL 200980103262.8||2009/1/28|2013/9/25||
|433|背照式CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980154359.1||2009/11/5|2015/2/11||
|434|具有共享扩散区域的堆叠式图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980109452.0||2009/2/12|2013/11/6||
|435|用于图形传感器的同心曝光序列||美国豪威|发明专利||ZL 200980113000.X||2009/4/14|2016/8/3||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|436|利用不同分辨率的图形形成改良图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980126512.X||2009/7/21|2013/7/10||
|437|用于形成图像的方法以及数字成像设备||美国豪威|发明专利||ZL 200980142669.1||2009/11/6|2016/1/6||
|438|具有多个感测层的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980127273.X||2009/7/13|2013/7/24||
|439|具有三维内部互联和CCD的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980151624.0||2009/12/7|2014/3/12||
|440|具有低串扰的背照明传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980151625.5||2009/12/16|2013/8/28||
|441|配置为减少反冲扰动的模拟多路复用器||美国豪威|发明专利||ZL 200980150165.4||2009/11/24|2014/1/8||
|442|具有背侧沟槽的背侧照射式图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980123136.9||2009/7/7|2013/5/1||
|443|具有用于色彩分离的光栅的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980142487.4||2009/10/30|2015/2/18||
|444|具有可控制的传输栅电压的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980151839.2||2009/12/9|2013/12/11||
|445|具有减少的阱跳变的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980118679.1||2009/5/12|2014/6/4||
|446|高动态范围图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980121401.X||2009/6/15|2013/9/4||
|447|可编程微机电微光闸阵列||美国豪威|发明专利||ZL 200980151849.6||2009/12/18|2014/8/20||
|448|具有多个感测层的图像传感器及其操作与制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980140232.4||2009/10/5|2014/1/15||
|449|宽孔径图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980121397.7||2009/6/9|2016/9/21||
|450|具有电荷域求和的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200980133568.8||2009/8/24|2014/4/9||
|451|改进缺陷色彩及全色滤色器阵列图像||美国豪威|发明专利||ZL 200980142488.9||2009/10/9|2016/9/28||
|452|抖动焦点的评估||美国豪威|发明专利||ZL 200980139432.8||2009/10/9|2014/9/10||
|453|修改色彩及全色通道彩色滤光器阵列图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980154360.4||2009/10/26|2014/4/9||
|454|在产生数字图像时曝光像素组||美国豪威|发明专利||ZL 201080015712.0||2010/3/30|2014/10/22||
|455|产生数字图像的方法及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410483104.2||2010/3/30|2018/5/1||
|456|具有合成全色图像的彩色滤光器阵列（CFA）图像||美国豪威|发明专利||ZL 201080011842.7||2010/2/23|2014/5/14||
|457|具有彩色滤光片阵列图像产生全彩图像||美国豪威|发明专利||ZL 201080015826.5||2010/3/25|2014/4/30||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|458|产生具有减轻的移动模糊的全色图像||美国豪威|发明专利||ZL 201080017071.2||2010/4/8|2014/6/4||
|459|用于图像传感器的列输出电路||美国豪威|发明专利||ZL 201080056470.X||2010/12/8|2016/2/24||
|460|具有前侧和背侧光电检测器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201080028479.X||2010/6/11|2015/9/23||
|461|四通道滤色片阵列图案||美国豪威|发明专利||ZL 201080023855.6||2010/5/7|2014/12/24||
|462|四通道滤色器陈列内插||美国豪威|发明专利||ZL 201080023844.8||2010/5/27|2014/7/23||
|463|具有四个通道的滤色器阵列图案||美国豪威|发明专利||ZL 201080024921.1||2010/5/21|2014/11/19||
|464|用于四通道彩色滤光片阵列的内插||美国豪威|发明专利||ZL 201080025961.8||2010/6/7|2015/5/20||
|465|用于图像传感器中暂停列读出的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201080055516.6||2010/12/15|2015/3/18||
|466|产生图像传感器的列偏移校正||美国豪威|发明专利||ZL 201080059741.7||2010/12/27|2015/3/25||
|467|具有经掺杂的传输栅极的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201080060139.5||2010/12/27|2015/8/12||
|468|图像传感器中的暂停列读出||美国豪威|发明专利||ZL 201080059773.7||2010/12/16|2015/7/22||
|469|产生图像传感器的列偏移校正||美国豪威|发明专利||ZL 201080059683.8||2010/12/15|2015/2/18||
|470|图像传感器中的光帧测器隔离||美国豪威|发明专利||ZL 201110307872.9||2011/9/29|2014/10/15||
|471|用于产生图像传感器中的光电检测器隔离的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110415396.2||2011/12/7|2015/12/16||
|472|具有电荷增输出通道及电荷感测输出通道的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110415421.7||2011/12/20|2014/11/12||
|473|用于处理由图像传感器捕获的图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110433585.2||2011/12/16|2014/8/27||
|474|暂停图像传感器中的列寻址||美国豪威|发明专利||ZL 201110442895.0||2011/12/20|2015/6/17||
||差分电容乘法器||豪威国际|发明专利||ZL 200610025383.3|||2009/7/22||
|475||||||||2006/3/31|||
||||控股||||||||
||一种GFSK信号多比特调解法||豪威国际|发明专利||ZL 200610025385.2|||2012/7/4||
|476||||||||2006/3/31|||
||||控股||||||||
||一种单芯片上多种精确时钟产生电路及其实现方法||豪威国际|发明专利||ZL 200610026509.9|||2011/4/13||
|477||||||||2006/5/12|||
||||控股||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||调频发射器||豪威国际|发明专利||ZL 200610030289.7|||2012/2/22||
|478||||||||2006/8/22|||
||||控股||||||||
||功率电子开关电路及其死区时间的控制切换方法||豪威国际|发明专利||ZL 200610117843.5|||2011/6/8||
|479||||||||2006/11/1|||
||||控股||||||||
||压力传感器信号调理集成电路的桥臂平衡补偿电阻的设计方法||豪威国际|发明专利||ZL 200710038543.2|||2011/5/11||
|480||||||||2007/3/27|||
||||控股||||||||
||一种用于实现输入信号幅度归一化的系统及方法||豪威国际|发明专利||ZL 200810039405.0|||2010/12/22||
|481||||||||2008/6/23|||
||||控股||||||||
||通过输入信号电平控制开关的音频系统及其开关控制方法||豪威国际|发明专利||ZL 200810040849.6|||2012/6/20||
|482||||||||2008/7/22|||
||||控股||||||||
||协议处理系统||豪威国际|实用新型||ZL 200820151668.6|||2009/7/8||
|483||||||||2008/8/5|||
||||控股||||||||
||信号调理电路及其双采样保持电路||豪威国际|发明专利||ZL 200810200970.0|||2011/6/15||
|484||||||||2008/10/9|||
||||控股||||||||
||一种MP3播放器||豪威国际|实用新型||ZL 200820153860.9|||2009/7/8||
|485||||||||2008/10/9|||
||||控股||||||||
||带有免提通话功能的电动车||豪威国际|实用新型||ZL 200820154591.8|||2009/9/2||
|486||||||||2008/10/29|||
||||控股||||||||
||一种单芯片系统||豪威国际|实用新型||ZL 200820155012.1|||2009/9/2||
|487||||||||2008/11/6|||
||||控股||||||||
||应用于接收机的多相位匹配系统||豪威国际|发明专利||ZL 200910046586.4|||2011/6/15||
|488||||||||2009/2/24|||
||||控股||||||||
||调频收音机系统||豪威国际|实用新型||ZL 200920070660.1|||2010/10/27||
|489||||||||2009/4/17|||
||||控股||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种驰张振荡器||豪威国际|发明专利||ZL 200910052865.1|||2011/1/26||
|490||||||||2009/6/10|||
||||控股||||||||
||RC滤波器的校准电路及方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910056373.X|||2011/10/5||
|491||||||||2009/8/13|||
||||控股||||||||
||锁相环的锁定探测器及其探测方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910194848.1|||2012/4/18||
|492||||||||2009/8/31|||
||||控股||||||||
||频率综合器及其选频电路、选频方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910198290.4|||2012/6/20||
|493||||||||2009/11/4|||
||||控股||||||||
||一种输出电压可控的高线性上混频器及混频方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910198291.9|||2012/6/20||
|494||||||||2009/11/4|||
||||控股||||||||
||降低LO相位误差的系统及方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910198292.3|||2012/11/21||
|495||||||||2009/11/4|||
||||控股||||||||
||晶圆级影响模块||采钰科技|发明专利||ZL 200510113450.2|||2012/6/27||
||||股份有限||||||||
|496||||||||2005/10/9|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||影像模块、影响感应装置及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200610159559.4|||2009/9/23||
||||股份有限||||||||
|497||||||||2006/9/27|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||高精密度成像控制的影响感应模块||采钰科技|发明专利||ZL 200610001696.5|||2010/6/16||
||||股份有限||||||||
|498||||||||2006/1/24|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||摄像装置、透镜结构及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710001740.7|||2010/7/21||
||||股份有限||||||||
|499||||||||2007/1/16|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||光电元件芯片及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710088783.3|||2009/8/26||
||||股份有限||||||||
|500||||||||2007/3/22|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||非球面透镜结构的制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710106688.1|||2010/12/1||
||||股份有限||||||||
|501||||||||2007/6/15|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||光学微结构平板以及制作光学微结构构件的模板||采钰科技|发明专利||ZL 200710136007.6|||2011/9/21||
||||股份有限||||||||
|502||||||||2007/7/10|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像传感装置及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710137029.4|||2009/9/23||
||||股份有限||||||||
|503||||||||2007/7/19|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
|504|用于产生高动态范围影像的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410403453.9||2014/8/15|2018/5/29||
|505|背照式彩色影像传感器及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510221908.X||2015/5/4|2018/5/1||
|506|圆片级透镜系统及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510378275.3||2015/7/1|2018/5/22||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|507|用于数码相机的具有红色吸收层的红外截止滤波器||美国豪威|发明专利||ZL 201210041766.5||2012/2/20|2018/5/22||
|508|具有无间隙微透镜的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410478750.X||2014/9/18|2018/5/18||
|509|用于HDR成像的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510751388.3||2015/11/6|2018/5/18||
|510|数字图像数据畸变的修正装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310180134.1||2013/5/15|2017/5/10||
|511|三表面宽视场透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 201610842870.2||2016/9/22|2018/6/22||
|512|用于发射信号的具有可配置可变供电电压的接口电路||美国豪威|发明专利||ZL 201610808363.7||2016/9/7|2018/7/10||
|513|硅基液晶面板及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610086102.9||2016/2/15|2017/11/24||
|514|用于电子照相机的自动白平衡系统||美国豪威|发明专利||ZL 201510959203.8||2015/12/18|2018/6/22||
|515|四片式全非球面转接器鱼眼镜头||美国豪威|发明专利||ZL 201510520503.6||2015/8/21|2018/5/25||
|516|分形边缘薄膜及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510382319.X||2015/7/2|2018/7/6||
|517|图像传感器读出电路及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410828187.4||2014/12/26|2018/5/18||
|518|具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201410831765.X||2014/12/26|2018/6/1||
|519|图像传感器及用于图像传感器制造的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410822947.0||2014/12/25|2018/7/10||
|520|增强型背侧照明的近红外图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410815014.9||2014/12/23|2018/6/26||
|521|图像传感器像素及多色图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201410785588.6||2014/12/17|2018/6/22||
|522|图像传感器像素及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410371322.7||2014/7/30|2018/6/5||
|523|用于分区图像传感器的透镜阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201310198538.3||2013/5/24|2018/6/26||
||一种霍夫曼表的存储方法及用于JPEG的霍夫曼解码方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510149478.5|||2018/6/5||
|524||||||||2015/3/31|||
||||（上海）||||||||
||数据传输系统及方法||豪威科技|发明专利||ZL 201610081151.3|||2018/6/26||
|525||||||||2016/2/4|||
||||（上海）||||||||
||胶囊内窥镜的多模式控制检测方法||豪威科技|发明专利||ZL 201110182923.X|||2014/1/8||
|526||||||||2011/6/30|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||高线性度上混频器||豪威科技|发明专利||ZL 201110264420.7|||2014/10/22||
|527||||||||2011/9/7|||
||||（上海）||||||||
||一种信号解调方法||豪威科技|发明专利||ZL 201110264491.7|||2015/4/15||
|528||||||||2011/9/7|||
||||（上海）||||||||
||载波频率捕获方法及装置||豪威科技|发明专利||ZL 201110288915.3|||2013/12/18||
|529||||||||2011/9/26|||
||||（上海）||||||||
||低复杂度通用采样恢复方法及其装置||豪威科技|发明专利||ZL 201110253485.1|||2013/5/29||
|530||||||||2011/8/30|||
||||（上海）||||||||
||信道估计方法及装置||豪威科技|发明专利||ZL 201210109435.0|||2016/3/23||
|531||||||||2012/4/13|||
||||（上海）||||||||
||一种载波频偏估计方法、装置和系统||豪威科技|发明专利||ZL 201210109978.2|||2015/1/7||
|532||||||||2012/4/13|||
||||（上海）||||||||
||无线局域网多载波模式的低复杂度信道降噪方法及其装置||豪威科技|发明专利||ZL 201210109447.3|||2014/10/22||
|533||||||||2012/4/13|||
||||（上海）||||||||
||H264编码器及编码方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210272224.9|||2015/12/9||
|534||||||||2012/8/2|||
||||（上海）||||||||
||H264编码器及其图像变换、量化及重构的方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210273685.8|||2015/4/1||
|535||||||||2012/8/2|||
||||（上海）||||||||
||晶圆剪薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210328714.6|||2015/7/8||
|536||||||||2012/9/6|||
||||（上海）||||||||
||晶圆剪薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210333127.6|||2014/12/10||
|537||||||||2012/9/10|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器||豪威科技|发明专利||ZL 201210310723.2|||2016/12/21||
|538||||||||2012/8/28|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||晶圆减薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210333074.8|||2015/4/15||
|539||||||||2012/9/10|||
||||（上海）||||||||
||晶圆减薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210333108.3|||2015/8/19||
|540||||||||2012/9/10|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器||豪威科技|发明专利||ZL 201210413903.3|||2015/5/27||
|541||||||||2012/10/25|||
||||（上海）||||||||
||背照式COMS影像传感器的制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210564317.9|||2015/8/19||
|542||||||||2012/12/21|||
||||（上海）||||||||
||用于制作镜头的晶圆级贴合方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210367894.9|||2015/8/19||
|543||||||||2012/9/27|||
||||（上海）||||||||
||反射式液晶面板及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210367895.3|||2015/7/15||
|544||||||||2012/9/27|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310025367.4|||2015/9/23||
|545||||||||2013/1/23|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器的制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310032592.0|||2016/1/20||
|546||||||||2013/1/28|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器的制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310032806.4|||2015/7/8||
|547||||||||2013/1/28|||
||||（上海）||||||||
||DDR2 SDRAM控制器||豪威科技|发明专利||ZL 201310050849.5|||2016/3/2||
|548||||||||2013/2/8|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310074157.4|||2015/8/19||
|549||||||||2013/3/7|||
||||（上海）||||||||
||铜互连结构的制造方法及半导体结构||豪威科技|发明专利||ZL 201310178621.4|||2015/5/20||
|550||||||||2013/5/14|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310277985.8|||2015/10/28||
|551||||||||2013/7/3|||
||||（上海）||||||||
||一种高性能I2C从机数据交换电路及方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310339242.9|||2018/1/2||
|552||||||||2013/8/5|||
||||（上海）||||||||
||一种支持批量读写从机寄存器的主机控制方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310338377.3|||2017/7/4||
|553||||||||2013/8/5|||
||||（上海）||||||||
||一种背照式 CMOS 传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310506758.8|||2018/4/20||
|554||||||||2013/10/23|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310613804.4|||2016/6/1||
|555||||||||2013/11/27|||
||||（上海）||||||||
||高像素模组快速连续对焦方法及系统||豪威科技|发明专利||ZL 201310739428.3|||2017/6/16||
|556||||||||2013/12/27|||
||||（上海）||||||||
||片上变压器、其版图结构、发射电路及收发电路||豪威科技|发明专利||ZL 201410136620.8|||2016/11/16||
|557||||||||2014/4/4|||
||||（上海）||||||||
||半导体器件制备方法以及堆栈式芯片的制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410136618.0|||2016/11/23||
|558||||||||2014/4/4|||
||||（上海）||||||||
||半导体结构及其制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410243358.7|||2017/3/8||
|559||||||||2014/6/3|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410317670.6|||2017/8/25||
|560||||||||2014/7/4|||
||||（上海）||||||||
||一种堆栈式图像传感器制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410234232.3|||2017/1/4||
|561||||||||2014/5/29|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410317691.8|||2017/10/27||
|562||||||||2014/7/4|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||降低图像延迟的CMOS图像传感器及其制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410719590.3|||2017/9/5||
|563||||||||2014/12/1|||
||||（上海）||||||||
||一种背照式传感器芯片及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510197708.5|||2018/5/4||
|564||||||||2015/4/23|||
||||（上海）||||||||
||电路结构及其控制方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510231068.5|||2017/3/29||
|565||||||||2015/5/7|||
||||（上海）||||||||
||液晶盒封口治具||豪威科技|实用新型||ZL 201520229155.2|||2015/7/29||
|566||||||||2015/4/15|||
||||（上海）||||||||
||无线接收机及其使用方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510268323.3|||2018/1/26||
|567||||||||2015/5/22|||
||||（上海）||||||||
||偏置电路||豪威科技|发明专利||ZL 201510532731.5|||2017/3/29||
|568||||||||2015/8/26|||
||||（上海）||||||||
||LCOS显示结构中ITO电极的驱动电路||豪威科技|发明专利||ZL 201610067077.X|||2018/1/26||
|569||||||||2016/1/29|||
||||（上海）||||||||
||电流沉负载电路及低压差线性稳压器||豪威科技|发明专利||ZL 201610596446.4|||2017/12/22||
|570||||||||2016/7/27|||
||||（上海）||||||||
||一次性可视宫腔吸引管||豪威科技|实用新型||ZL 201020125444.5|||2010/12/1||
|571||||||||2010/3/8|||
||||（上海）||||||||
||蓝牙音频转换器||豪威科技|实用新型||ZL 201120181313.3|||2011/12/28||
|572||||||||2011/5/31|||
||||（上海）||||||||
||一种具有语音通话转移处理功能的蓝牙音箱||豪威科技|实用新型||ZL 201120229541.3|||2012/2/15||
|573||||||||2011/6/30|||
||||（上海）||||||||
||将人物与人物所视现场合成的拍摄装置||豪威科技|实用新型||ZL 201120249931.7|||2012/2/8||
|574||||||||2011/7/15|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||汽车驾驶监控装置||豪威科技|实用新型||ZL 201120250442.3|||2012/4/25||
|575||||||||2011/7/15|||
||||（上海）||||||||
||内嵌基带滤波功能的上混频器||豪威科技|实用新型||ZL 201120335182.X|||2012/7/4||
|576||||||||2011/9/7|||
||||（上海）||||||||
||背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201220293439.4|||2012/12/26||
|577||||||||2012/6/20|||
||||（上海）||||||||
||CSP手机照相模组||豪威科技|实用新型||ZL 201220315264.2|||2013/1/2||
|578||||||||2012/6/29|||
||||（上海）||||||||
||一种用于保护晶片级照相机模块的强化结构||豪威科技|实用新型||ZL 201220471883.0|||2013/3/6||
|579||||||||2012/9/14|||
||||（上海）||||||||
||一种蓝牙音箱||豪威科技|实用新型||ZL 201220397747.1|||2013/3/6||
|580||||||||2012/8/10|||
||||（上海）||||||||
||一种背照式影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201220500208.6|||2013/3/13||
|581||||||||2012/9/27|||
||||（上海）||||||||
||CMOS影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201320129306.8|||2013/8/14||
|582||||||||2013/3/20|||
||||（上海）||||||||
||前照式影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201320090371.4|||2013/8/14||
|583||||||||2013/2/27|||
||||（上海）||||||||
||网络摄像机自动认证识别登录系统||豪威科技|实用新型||ZL 201320230357.X|||2013/9/25||
|584||||||||2013/4/28|||
||||（上海）||||||||
||多摄像头模组测试工装||豪威科技|实用新型||ZL 201320360835.9|||2013/12/4||
|585||||||||2013/6/21|||
||||（上海）||||||||
||一种180度以上鱼眼照相模组视场角测试简易装置||豪威科技|实用新型||ZL 201320555558.7|||2014/1/29||
|586||||||||2013/9/6|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种多功能电子宠物项圈||豪威科技|实用新型||ZL 201320725580.1|||2014/10/8||
|587||||||||2013/11/15|||
||||（上海）||||||||
||一种缓冲器偏置电路||豪威科技|实用新型||ZL 201420744985.4|||2015/4/22||
|588||||||||2014/12/1|||
||||（上海）||||||||
||一种镀膜机||豪威科技|实用新型||ZL 201520145971.5|||2015/6/24||
|589||||||||2015/3/13|||
||||（上海）||||||||
||一种堆栈式图像传感器晶圆及芯片||豪威科技|实用新型||ZL 201520479480.4|||2015/11/4||
|590||||||||2015/7/3|||
||||（上海）||||||||
||一种LCOS投影装置||豪威科技|实用新型||ZL 201520321248.8|||2015/11/25||
|591||||||||2015/5/18|||
||||（上海）||||||||
||电路结构||豪威科技|实用新型||ZL 201520292904.6|||2015/7/29||
|592||||||||2015/5/7|||
||||（上海）||||||||
||检测治具||豪威科技|实用新型||ZL 201520316314.2|||2015/9/23||
|593||||||||2015/5/15|||
||||（上海）||||||||
||一种集成拍摄信息的图像输出系统||豪威科技|实用新型||ZL 201520561238.1|||2015/12/30||
|594||||||||2015/7/29|||
||||（上海）||||||||
||一种接收DPHY串行信号的二分频电路||豪威科技|实用新型||ZL 201520835522.3|||2016/3/2||
|595||||||||2015/10/26|||
||||（上海）||||||||
||一种DPHY串行发送电路||豪威科技|实用新型||ZL 201520834171.4|||2016/3/2||
|596||||||||2015/10/26|||
||||（上海）||||||||
||一种FPGA配置端口的保护电路||豪威科技|实用新型||ZL 201520856399.3|||2016/3/2||
|597||||||||2015/10/30|||
||||（上海）||||||||
||电荷泵电路||豪威科技|实用新型||ZL 201620082109.9|||2016/6/22||
|598||||||||2016/1/27|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种数字预失真装置及射频通信系统||豪威科技|实用新型||ZL 201620292241.2|||2016/8/3||
|599||||||||2016/4/8|||
||||（上海）||||||||
||衬底偏置电路、倍压器以及包含所述倍压器的系统||豪威科技|实用新型||ZL 201620203591.7|||2016/8/31||
|600||||||||2016/3/16|||
||||（上海）||||||||
||一种镜头模组点胶方法||豪威半导|发明专利||ZL 201310455887.9|||2015/12/9||
|601||||||||2013/9/29|||
||||体||||||||
||芯片点胶治具||豪威半导|发明专利||ZL 201510192245.3|||2017/3/29||
|602||||||||2015/4/20|||
||||体||||||||
||LCOS投影仪||豪威半导|发明专利||ZL 201610489219.1|||2017/6/27||
|603||||||||2016/6/28|||
||||体||||||||
||用来改进图象传感器中的微透镜形成的伪模式||豪威半导|发明专利||ZL 200310102572.2|||2008/1/30||
|604||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||适应于元件减少的芯片级封装的图象传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200310104372.0|||2008/3/5||
|605||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||利用保护涂层制造和封装图象传感器小片的方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310104363.1|||2008/3/19||
|606||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||用于形成图象传感器的方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310102569.0|||2008/4/23||
|607||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有用脊结构隔开的微透镜的图象传感器及其制造方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310102573.7|||2008/7/23||
|608||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有减小应力的滤色层的图像传感器及其制造方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310102570.3|||2008/7/23||
|609||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有集成薄膜红外滤光器的图像传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200310104367.X|||2009/4/1||
|610||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||使用现有的冲印微型暗室从数码图像印相的方法和装置||豪威半导|发明专利||ZL 200310100648.8|||2009/5/6||
|611||||||||2003/10/10|||
||||体||||||||
||用于形成具有凹状微透镜的图象传感器的方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310104366.5|||2009/6/10||
|612||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||图像传感器中平面滤色器的制作方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310104368.4|||2010/2/3||
|613||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||具有在外围区域的大微透镜的图像传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200810082348.4|||2011/2/23||
|614||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有集成薄膜红外滤光器的图像传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200910006630.9|||2011/6/29||
|615||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||卷带机自动放带系统||豪威半导|实用新型||ZL 201220423229.2|||2013/3/27||
|616||||||||2012/8/23|||
||||体||||||||
||用于真空包装机的电流检测控制装置||豪威半导|实用新型||ZL 201320284512.6|||2013/11/13||
|617||||||||2013/5/22|||
||||体||||||||
||托盘及芯片烘烤系统||豪威半导|实用新型||ZL 201320277406.5|||2014/3/12||
|618||||||||2013/5/20|||
||||体||||||||
||一种点胶治具||豪威半导|实用新型||ZL 201320608733.4|||2014/3/12||
|619||||||||2013/9/29|||
||||体||||||||
||一种用于点胶治具的夹具||豪威半导|实用新型||ZL 201320608724.5|||2014/3/19||
|620||||||||2013/9/29|||
||||体||||||||
||筛选LED芯片的夹具装置||豪威半导|实用新型||ZL 201320834818.4|||2014/6/11||
|621||||||||2013/12/16|||
||||体||||||||
||芯片加热装置||豪威半导|实用新型||ZL 201520196865.X|||2015/7/15||
|622||||||||2015/4/2|||
||||体||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||烤架||豪威半导|实用新型||ZL 201521129636.2|||2016/5/25||
|623||||||||2015/12/30|||
||||体||||||||
||一种LCOS投影仪||豪威半导|实用新型||ZL 201620013291.2|||2016/5/25||
|624||||||||2016/1/8|||
||||体||||||||
||一种封边装置||豪威半导|实用新型||ZL 201620013293.1|||2016/7/13||
|625||||||||2016/1/8|||
||||体||||||||
||LCOS显示面板||豪威半导|实用新型||ZL 201620720080.2|||2017/1/4||
|626||||||||2016/7/8|||
||||体||||||||
||LCOS显示面板||豪威半导|实用新型||ZL 201620809632.7|||2016/12/28||
|627||||||||2016/7/29|||
||||体||||||||
||自对准金属层结构、镜片及其制备方法以及镜片模组||上海豪威|发明专利||ZL 201410222803.1|||2016/8/31||
|628||||||||2014/5/23|||
||||光电子||||||||
||晶圆级变焦镜头模组及其制备方法||上海豪威|发明专利||ZL 201410222370.X|||2017/9/15||
|629||||||||2014/5/23|||
||||光电子||||||||
||一种镜头模具及其制造方法、及镜头基片的制造方法||上海豪威|发明专利||ZL 201510141644.7|||2017/3/29||
|630||||||||2015/3/27|||
||||光电子||||||||
||一种柔性光学元件||上海豪威|实用新型||ZL 201520334828.0|||2015/9/2||
|631||||||||2015/5/21|||
||||光电子||||||||
||一种芯片及光学元件||上海豪威|实用新型||ZL 201520476768.6|||2016/2/3||
|632||||||||2015/7/2|||
||||光电子||||||||
||一种光学元件||上海豪威|实用新型||ZL 201520470526.6|||2015/11/4||
|633||||||||2015/7/2|||
||||光电子||||||||
||一种光学模具||上海豪威|实用新型||ZL 201520847729.2|||2016/3/23||
|634||||||||2015/10/28|||
||||光电子||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种推刀及包含该推刀的除胶设备||上海豪威|实用新型||ZL 201520897376.7|||2016/4/13||
|635||||||||2015/11/12|||
||||光电子||||||||
|636|具有宽视场的近红外混合透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 201610835626.3||2016/9/20|2018/7/24||
|637|用于获得图像深度信息的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510312839.3||2015/6/9|2018/5/22||
|638|减少光斑的成像系统和相关的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201710111802.3||2017/2/28|2018/7/24||

注：①根据《中华人民共和国专利法》第十二条的规定，发明专利权的期限为二十年，实用新型专利权和外观设计专利权的期限为十年，均自申请日起计算。
②上表中第4至9项截至2018年7月31日状态为“专利权维持”的专利权，截至本报告书出具日，由于专利权已满二十年，状态为“届满终止，待失效”。
③上表中第483、485至487项截至2018年7月31日状态为“专利权维持”的专利权，截至本报告书出具日，状态为“届满终止失效”。
④上表中第340、508、595、596、597、634项截至2018年7月31日状态为“专利权维持”的专利权，截至本报告书出具日，状态为“等年费滞纳金”。
⑤上表中第21项专利号为ZL02143163.9号、第183项专利号为ZL200510119818.6号、第217项专利号为ZL200980114512.8号、第239项专利号为ZL201010550429.X号、第275项专利号为ZL201210432093.6号以及第281项专利号为ZL201210384611.1号共计6项专利，国家知识产权局已受理了思特威就该等专利提出的无效宣告请求。根据北京豪威确认，截至本报告书出具之日，国家知识产权局尚未就思特威上述请求作出最终的审查决定。
⑥上表中第178项专利号为ZL200510078777.0的专利，国家知识产权局已受理了思特威、张燕就该专利提出的无效宣告请求。根据北京豪威确认，截至本报告书出具之日，国家知识产权局尚未就思特威、张燕上述请求作出最终的审查决定。
二、在中国境外拥有的专利权
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（一）在美国拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|1|REMOTE VIDEO TELEPHONE SYSTEM||美国|美国豪威|US 6,909,452 B1||2000/3/28||2005/6/21||2021/7/17|
||BIOMETRIC DEVICE WITH INTEGRA TED CMOSIMAGE SENSOR||||US 6,441,482 B1||2000/4/11||2002/8/27|||
|2|||美国|美国豪威|||||||2020/4/11|
||ANALOG VIDEO MONITORING SYSTEM USING APLURALITY OF PHASE LOCKED CMOSIMAGESENSORS||||US 6,937,270 B1||1999/5/3||2005/8/30|||
|3|||美国|美国豪威|||||||2020/7/11|
||ROW AND/OR COLUMN DECODEROPTIMIZATION METHOD AND APPARATUS||||US 6,879,304 B2||2001/6/27||2005/4/12|||
|4|||美国|美国豪威|||||||2019/10/6|
||DISPLAY WITH MULTIPLEXED PIXELS ANDDRIVING METHODS||||US 8,344,980 B2||2008/5/23||2013/1/1|||
|5|||美国|美国豪威|||||||2020/8/9|
||METHOD FOR MANUFACTURING A PLANARREFLECTIVE LIGHT VALVE BACKPLANE||||US 6,277,748 B1||1998/12/23||2001/8/21|||
|6|||美国|美国豪威|||||||2018/12/23|
||COMBINATION CMP-ETCH METHOD FORFORMING A THIN PLANAR LAYER OVER THESURFACE OF A DEVICE||||US 6,429,132 B1||1998/12/23||2002/8/6|||
|7|||美国|美国豪威|||||||2018/12/23|
||PLANAR REFLECTIVE LIGHT VALVEBACKPLANE||||US 6,252,999 B1||1998/12/23||2001/6/26|||
|8|||美国|美国豪威|||||||2018/12/23|
||SYSTEM AND METHOD FOR USING COMPOUNDDATA WORDS IN A FIELD SEQUENTIAL DISPLAYDRIVING SCHEME||||US 6,326,980 B1||2000/1/18||2001/12/4|||
|9|||美国|美国豪威|||||||2020/1/18|
|10|PRECISION SURFACE MOUNT FOR A DISPLAY||美国|美国豪威|US 6,654,077 B1||2000/1/18||2003/11/25||2020/1/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DEVICE|||||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR USING OFF- AXISILLUMINATION IN A REFLECTIVE PROJECTIONSYSTEM||||US 6,688,748 B2||2001/1/12||2004/2/10|||
|11|||美国|美国豪威|||||||2021/1/12|
|12|MULTI-CHANNEL IMAGING ENGINE APPARATUS||美国|美国豪威|US 6,377,318 B1||2000/1/18||2002/4/23||2020/1/18|
|13|MULTI CHANNEL IMAGING ENGINE APPARATUS||美国|美国豪威|US 6,933,987 B2||2002/2/19||2005/8/23||2020/7/14|
||LOW STRESS PACKAGING FOR A DISPLAYDEVICE||||US 6,307,603 B1||2000/1/18||2001/10/23|||
|14|||美国|美国豪威|||||||2020/1/18|
||SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING THEINTENSITY OUTPUT RISE TIME IN A LIQUIDCRYSTAL DISPLAY||||US 6,762,739 B2||2002/2/14||2004/7/13|||
|15|||美国|美国豪威|||||||2022/10/12|
||MIRROR CONTACT PATTERN FOR A DISPLAYDEVICE||||US 6,914,650 B2||2001/8/22||2005/7/5|||
|16|||美国|美国豪威|||||||2021/8/22|
||LIQUID CRYSTAL DISPLAY MOUNT INCLUDINGA FRAME HAVING STRESS RELIEF RECESS||||US 6,731,354 B2||2001/3/22||2004/5/4|||
|17|||美国|美国豪威|||||||2021/3/22|
||MAGNETIC CHUCK FOR CONVERGENCEAPPARATUS||||US 6,879,231 B2||2001/3/22||2005/4/12|||
|18|||美国|美国豪威|||||||2022/3/23|
|19|MECHANICAL CONVERGENCE DEVICE||美国|美国豪威|US 6,693,351 B2||2001/3/22||2004/2/17||2021/7/20|
||PRECISION FIELD LENS ADJUSTMENTAPPARATUS||||US 6,657,797 B2||2001/3/22||2003/12/2|||
|20|||美国|美国豪威|||||||2021/3/22|
||DUMMY METAL PATTERN METHOD ANDAPPARATUS||||US 6,750,139 B2||2001/12/12||2004/6/15|||
|21|||美国|美国豪威|||||||2021/12/12|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DISPLAY DEVICE TEST PROCEDURE ANDAPPARATUS||||US 6,650,138 B2||2001/8/22||2003/11/18|||
|22|||美国|美国豪威|||||||2022/3/17|
||COMBINED POWER ROUTING AND LIGHTSHIELDING IN AN LCD ARRAY||||US 6,771,337 B2||2001/8/22||2004/8/3|||
|23|||美国|美国豪威|||||||2022/2/14|
||RESIDUAL DC BIAS CORRECTION IN A VIDEOIMAGING DEVICE||||US 6,781,566 B2||2001/8/22||2004/8/24|||
|24|||美国|美国豪威|||||||2022/5/26|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVINGCONTRAST IN AN ELECTRO-OPTICAL IMAGINGSYSTEM||||US 6,536,903 B2||2001/5/29||2003/3/25|||
|25|||美国|美国豪威|||||||2021/5/29|
||PROJECTION SYSTEM WITH AN OFFSET LENSARRAY TO REDUCE VERTICAL BANDING||||US 6,618,202 B2||2001/5/29||2003/9/9|||
|26|||美国|美国豪威|||||||2021/5/29|
||OPTICAL SYSTEM WITH ANGULARCOMPENSATOR||||US 7,165,843 B2||2004/2/3||2007/1/23|||
|27|||美国|美国豪威|||||||2024/4/21|
||OPTICAL SYSTEM WITH ANGULARCOMPENSATOR||||US 7,559,655 B2||2007/1/12||2009/7/14|||
|28|||美国|美国豪威|||||||2024/7/15|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING IMAGEQUALITY BY SYNCHRONIZING DISPLAYMODULATION WITH LIGHT SOURCE PULSES||||US 7,944,438 B2||2007/4/13||2011/5/17|||
|29|||美国|美国豪威|||||||2030/3/14|
||ASYNCHRONOUS DISPLAY DRIVING SCHEMEAND DISPLAY||||US 7,545,396 B2||2005/6/16||2009/6/9|||
|30|||美国|美国豪威|||||||2026/8/3|
||SINGLE PULSE DISPLAY DRIVING SCHEME ANDDISPLAY||||US 7,580,047 B2||2005/6/30||2009/8/25|||
|31|||美国|美国豪威|||||||2026/9/13|
|32|SYSTEM AND METHOD FOR DISCARDING DATA||美国|美国豪威|US 7,605,831 B2||2005/6/30||2009/10/20||2027/5/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BITS DURING DISPLAY MODULATION|||||||||||
|33|DISPLAY DRIVING SCHEME AND DISPLAY||美国|美国豪威|US 7,580,048 B2||2005/6/30||2009/8/25||2027/6/2|
|34|DISPLAY DEBIASING SCHEME AND DISPLAY||美国|美国豪威|US 7,692,671 B2||2005/6/30||2010/4/6||2029/1/21|
||SYSTEM AND METHOD FOR USING CURRENTPIXEL VOLTAGES TO DRIVE DISPLAY||||US 7,580,049 B2||2005/6/30||2009/8/25|||
|35|||美国|美国豪威|||||||2027/6/10|
||ASYNCHRONOUS DISPLAY DRIVING SCHEMEAND DISPLAY||||US 8,339,428 B2||2008/3/19||2012/12/25|||
|36|||美国|美国豪威|||||||2028/12/26|
||LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING A THINGASKET AND METHOD FOR MANUFACTURINGTHE SAME||||US 8,164,723 B2||2007/4/16||2012/4/24|||
|37|||美国|美国豪威|||||||2029/9/29|
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD BASEDON THE NUMBER OF PIXEL ROWS IN THEDISPLAY||||US 8,223,179 B2||2007/7/27||2012/7/17|||
|38|||美国|美国豪威|||||||2030/12/22|
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHODFACILITATING UNIFORM RESOURCEREQUIREMENTS DURING DIFFERENT INTERVALSOF A MODULATION PERIOD||||US 8,237,748 B2||2008/1/28||2012/8/7|||
|39|||美国|美国豪威|||||||2030/9/28|
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THATCOMPENSATES FOR UNUSED FRAME TIME||||US 8,237,754 B2||2008/1/28||2012/8/7|||
|40|||美国|美国豪威|||||||2030/10/3|
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD BASEDON THE NUMBER OF PIXEL ROWS IN THEDISPLAY||||US 8,237,756 B2||2008/1/28||2012/8/7|||
|41|||美国|美国豪威|||||||2030/10/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD USINGMULTIPLE PIXEL CONTROL UNITS TO DRIVERESPECTIVE SETS OF PIXEL ROWS IN THEDISPLAY DEVICE||||US 8,228,356 B2||2008/1/28||2012/7/24|||
|42|||美国|美国豪威|||||||2030/10/3|
||SYSTEM AND METHOD FOR DITHERING VIDEODATA||||US 9,024,964 B2||2008/6/6||2015/5/5|||
|43|||美国|美国豪威|||||||2030/7/19|
||DATA DEPENDENT DRIVE SCHEME ANDDISPLAY||||US 8,228,349 B2||2008/6/6||2012/7/24|||
|44|||美国|美国豪威|||||||2030/11/28|
||DATA DEPENDENT DRIVE SCHEME ANDDISPLAY||||US 8,228,350 B2||2008/6/6||2012/7/24|||
|45|||美国|美国豪威|||||||2030/11/29|
||SYSTEM AND METHOD FOR DRIVING DISPLAYSWITH SINGLE LATCH PIXELS||||US 8,223,141 B2||2008/10/15||2012/7/17|||
|46|||美国|美国豪威|||||||2031/2/10|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVINGDECODER PERFORMANCE USINGQUANTIZATION CONTROL||||US 9,002,122 B2||2012/7/19||2015/4/7|||
|47|||美国|美国豪威|||||||2033/1/8|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVINGDECODER PERFORMANCE BY USING MULTIPLEDECODING CHANNELS||||US 8,861,877 B2||2012/7/19||2014/10/14|||
|48|||美国|美国豪威|||||||2032/10/30|
||DECODER AND METHOD FOR DECODINGRUN-LENGTH-ENCODED DATA||||US 8,724,913 B2||2012/7/19||2014/5/13|||
|49|||美国|美国豪威|||||||2032/7/19|
||SYSTEM AND METHOD FOR SENSOR FAILUREDETECTION||||US 8,736,684 B1||2013/2/8||2014/5/27|||
|50|||美国|美国豪威|||||||2033/2/8|
|51|SYSTEM AND METHOD FOR SENSOR FAILURE||美国|美国豪威|US 8,854,475 B2||2013/2/8||2014/10/7||2033/2/10|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DETECTION|||||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR RANDOMLYACCESSING COMPRESSED DATA FROM MEMORY||||US 9,083,977||2012/11/27||2015/7/14|||
|52|||美国|美国豪威|||||||2033/11/7|
||APPLICATION SPECIFIC, DUAL MODEPROJECTION SYSTEM AND METHOD||||US 9,759,554 B2||2013/8/2||2017/9/12|||
|53|||美国|美国豪威|||||||2035/1/26|
|54|360 DEGREE MULTI-CAMERA SYSTEM||美国|美国豪威|US 9,420,176 B2||2014/6/19||2016/8/16||2034/6/19|
|55|360 DEGREE MULTI-CAMERA SYSTEM||美国|美国豪威|US 9,648,234 B2||2016/6/2||2017/5/9||2036/6/2|
||DISPLAY SYSTEM AND METHOD USINGSET-RESET PIXELS||||US 9,728,153 B2||2014/10/21||2017/8/8|||
|56|||美国|美国豪威|||||||2034/11/1|
||LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND INFRAREDIMAGE SENSOR ON SILICON||||US 9,749,562 B2||2015/11/13||2017/8/29|||
|57|||美国|美国豪威|||||||2035/11/13|
||METHOD FOR FORMING AN ALIGNMENT LAYEROF A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE ANDDISPLAY DEVICE MANUFACTURED THEREBY||||US 9,921,442 B2||2016/1/14||2018/3/20|||
|58|||美国|美国豪威|||||||2036/7/23|
||EMI SHIELD WITH A LENS-SIZED APERTURE FORCAMERA MODULES AND CAMERA MODULESINCLUDING THE SAME||||US 9,930,229 B2||2016/7/14||2018/3/27|||
|59|||美国|美国豪威|||||||2036/7/14|
||IMAGE SENSOR WITH BIG AND SMALL PIXELSAND METHOD OF MANUFACTURE||||US 9,986,213 B2||2016/6/29||2018/5/29|||
|60|||美国|美国豪威|||||||2036/6/29|
||MICROCHIP WITH CAP LAYER FORREDISTRIBUTION CIRCUITRY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,922,922 B1||2016/9/16||2018/3/20|||
|61|||美国|美国豪威|||||||2036/9/16|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||COMPLETELY INTEGRATED BASEBALL CAPCAMERA||||US 6,704,044 B1||2000/6/13||2004/3/9|||
|62|||美国|美国豪威|||||||2021/12/6|
|63|COMPLETELY INTEGRATED HELMET CAMERA||美国|美国豪威|US 6,819,354 B1||2000/6/13||2004/11/16||2023/1/31|
||METHOD AND APPARATUS FOR ADDINGWATERMARKS TO IMAGES AND/OR VIDEO DATASTREAMS||||US 6,643,386 B1||2000/8/10||2003/11/4|||
|64|||美国|美国豪威|||||||2022/3/6|
||METHOD AND APPARATUS FOR DETERMININGRELATIVE MOVEMENT IN AN OPTICAL MOUSEUSING FEATURE EXTRACTION||||US 6,859,199 B2||2001/11/6||2005/2/22|||
|65|||美国|美国豪威|||||||2022/4/21|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,649,950 B2||2002/8/14||2003/11/18|||
|66|||美国|美国豪威|||||||2021/11/6|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 7,105,878 B2||2004/9/20||2006/9/12|||
|67|||美国|美国豪威|||||||2024/10/26|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 7,368,772 B2||2003/8/7||2008/5/6|||
|68|||美国|美国豪威|||||||2024/3/19|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,462,365 B1||2001/11/6||2002/10/8|||
|69|||美国|美国豪威|||||||2021/11/6|
||METHOD AND APPARATUS FOR DETERMININGRELATIVE MOVEMENT IN AN OPTICAL MOUSE||||US 7,042,439 B2||2001/11/6||2006/5/9|||
|70|||美国|美国豪威|||||||2023/5/9|
||PASSIVE OPTICAL MOUSE USING IMAGE SENSORWITH OPTIONAL DUAL MODE CAPABILITY||||US 6,765,555 B2||2001/11/7||2004/7/20|||
|71|||美国|美国豪威|||||||2022/6/24|
||OPTIMIZED IMAGE PROCESSING FORWAVEFRONT CODED IMAGING SYSTEMS||||US 7,379,613 B2||2003/2/27||2008/5/27|||
|72|||美国|美国豪威|||||||2025/1/31|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 7,911,501 B2||2007/4/3||2011/3/22|||
|73|||美国|美国豪威|||||||2028/9/10|
||ADVANCED IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 8,514,303 B2||2011/1/10||2013/8/20|||
|74|||美国|美国豪威|||||||2031/12/4|
||OPTIMIZED IMAGE PROCESSING FORWAVEFRONT CODED IMAGING SYSTEMS||||US 7,995,853 B2||2007/10/30||2011/8/9|||
|75|||美国|美国豪威|||||||2024/10/6|
||OPTIMIZED IMAGE PROCESSING FORWAVEFRONT CODED IMAGING SYSTEMS||||US 8,111,937 B2||2007/10/30||2012/2/7|||
|76|||美国|美国豪威|||||||2025/4/6|
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 8,068,163 B2||2007/4/3||2011/11/29|||
|77|||美国|美国豪威|||||||2026/12/24|
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 8,717,456 B2||2011/11/1||2014/5/6|||
|78|||美国|美国豪威|||||||2031/12/2|
||SYSTEM AND METHOD FOR FORMING ANON-ROTATIONALLY SYMMETRIC PORTION OFA WORKPIECE||||US 7,089,835 B2||2003/7/2||2006/8/15|||
|79|||美国|美国豪威|||||||2023/6/24|
||METHOD AND APPARATUS FOR PRINTINGPHOTOGRAPHS FROM DIGITAL IMAGES USINGEXISTING DPE MINI LABS||||US 6,741,325 B2||2002/10/11||2004/5/25|||
|||||豪威国际控||||||||
|80|||美国||||||||2022/10/11|
|||||股||||||||
|81|NON-LINEAR WAVEFRONT CODING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 7,550,701 B2||2004/2/25||2009/6/23||2025/11/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AND METHODS|||CDM||||||||
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,260,251 B2||2004/3/31||2007/8/21|||
|82|||美国|美国豪威|||||||2025/1/26|
||METHODS FOR MINIMIZING ABERRATINGEFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,319,783 B2||2006/11/17||2008/1/15|||
|83|||美国|美国豪威|||||||2024/3/31|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,450,745 B2||2006/11/17||2008/11/11|||
|84|||美国|美国豪威|||||||2024/3/31|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,889,903 B2||2008/11/7||2011/2/15|||
|85|||美国|美国豪威|||||||2026/11/17|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 8,107,705 B2||2011/1/20||2012/1/31|||
|86|||美国|美国豪威|||||||2028/11/7|
||LITHOGRAPHIC SYSTEMS AND METHODS WITHEXTENDED DEPTH OF FOCUS||||US 7,088,419 B2||2004/6/1||2006/8/8|||
|87|||美国|美国豪威|||||||2024/10/7|
||LITHOGRAPHIC SYSTEMS AND METHODS WITHEXTENDED DEPTH OF FOCUS||||US 7,876,417 B2||2006/7/21||2011/1/25|||
|88|||美国|美国豪威|||||||2026/8/23|
||SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZINGOPTICAL AND DIGITAL SYSTEM DESIGNS||||US 7,469,202 B2||2004/12/1||2008/12/23|||
|89|||美国|美国豪威|||||||2025/6/28|
||IRIS IMAGE CAPTURE DEVICES ANDASSOCIATED SYSTEMS||||US 7,652,685 B2||2005/9/13||2010/1/26|||
|90|||美国|美国豪威|||||||2027/11/22|
|91|TASK-BASED IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 7,944,467 B2||2006/9/19||2011/5/17||2026/9/19|
||ZOOM LENS SYSTEMS WITH WAVEFRONTCODING||||US 7,710,658 B2||2007/3/6||2010/5/4|||
|92|||美国|美国豪威|||||||2026/8/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZINGOPTICAL AND DIGITAL SYSTEM DESIGNS||||US 7,860,699 B2||2008/12/22||2010/12/28|||
|93|||美国|美国豪威|||||||2024/7/21|
|94|TASK-BASED IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 8,144,208 B2||2010/7/2||2012/3/27||2025/12/2|
|95|TASK-BASED IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 8,760,516 B2||2011/4/1||2014/6/24||2026/1/28|
||MOBILE DEVICES HAVING AN IMAGE SENSORFOR CHARGING A BATTERY||||US 7,405,763 B2||2004/3/24||2008/7/29|||
|96|||美国|美国豪威|||||||2026/3/3|
||MOBILE DEVICES HAVING AN IMAGE SENSORFOR CHARGING BATTERY||||US 7,936,394 B2||2008/5/27||2011/5/3|||
|97|||美国|美国豪威|||||||2024/9/3|
|98|MULTI-VIDEO INTERFACE FORA MOBILE DEVICE||美国|美国豪威|US 7,480,484 B2||2004/3/30||2009/1/20||2025/9/3|
||LOW BIT RATE VIDEO TRANSMISSION OVERGSM NETWORK||||US 7,596,149 B2||2004/12/9||2009/9/29|||
|99|||美国|美国豪威|||||||2027/3/30|
||ENHANCED VIDEO STREAMING USING DUALNETWORK MODE||||US 7,386,316 B2||2004/7/2||2008/6/10|||
|100|||美国|美国豪威|||||||2026/2/3|
||LOW HEIGHT IMAGING SYSTEM ANDASSOCIATED METHODS||||US 7,453,653 B2||2005/9/14||2008/11/18|||
|101|||美国|美国豪威|||||||2025/1/24|
||IMAGING SYSTEMS HAVING RAY CORRECTOR,AND ASSOCIATED METHODS||||US 8,563,913 B2||2005/9/14||2013/10/22|||
|102|||美国|美国豪威|||||||2028/6/27|
|103|ASPHERIC LENS FORMING METHODS||美国|美国豪威|US 8,426,789 B2||2011/7/12||2013/4/23||2028/1/25|
||TRANSPARENT RE-MAPPING OF PARALLELCOMPUTATIONAL UNITS||||US 7,272,813 B2||2004/9/15||2007/9/18|||
|104|||美国|美国豪威|||||||2025/10/9|
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS HAVINGIMPROVED ALIGNMENT AND ASSOCIATED||||US 8,599,301 B2||2007/4/17||2013/12/3|||
|105|||美国|美国豪威|||||||2029/6/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHODS|||||||||||
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS HAVINGIMPROVED ALIGNMENT AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 9,418,193 B2||2013/12/2||2016/8/16|||
|106|||美国|美国豪威|||||||2027/5/17|
|107|SATURATION OPTICS||美国|美国豪威|US 8,164,040 B2||2007/5/23||2012/4/24||2027/12/23|
||MULTI-LAYER OPTICAL FILTER DESIGNS ANDASSOCIATED SYSTEMS||||US 8,398,871 B2||2009/10/26||2013/3/19|||
|108|||美国|美国豪威|||||||2028/5/28|
||HIGH DYNAMIC RANGE SENSOR WITHBLOOMING DRAIN||||US 7,825,966 B2||2007/10/15||2010/11/2|||
|109|||美国|美国豪威|||||||2028/10/28|
|110|MULTI-REGION IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 8,736,699 B2||2008/8/4||2014/5/27||2028/12/31|
||IMAGE BASED SYSTEMS FOR DETECTINGINFORMATION ON MOVING OBJECTS||||US 8,593,552 B2||2011/9/13||2013/11/26|||
|111|||美国|美国豪威|||||||2027/8/19|
||IMAGE BASED SYSTEMS FOR DETECTINGINFORMATION ON MOVING OBJECTS||||US 9,471,994 B2||2013/11/25||2016/10/18|||
|112|||美国|美国豪威|||||||2035/1/1|
||IMAGE SENSOR WITH HIGH DYNAMIC RANGE INDOWN-SAMPLING MODE||||US 8,022,994 B2||2007/8/31||2011/9/20|||
|113|||美国|美国豪威|||||||2030/2/3|
||TRANSMISSIVE DETECTORS, SYSTEMSINCORPORATING SAME, AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 8,415,607 B2||2008/9/15||2013/4/9|||
|114|||美国|美国豪威|||||||2028/9/19|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORIMPROVED DYNAMIC RANGE WITH MULTIPLEREADOUT CIRCUIT PATHS||||US 7,995,124 B2||2007/9/14||2011/8/9|||
|115|||美国|美国豪威|||||||2029/6/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||HIGH DYNAMIC RANGE SENSOR WITH REDUCEDLINE MEMORY FOR COLOR INTERPOLATION||||US 7,777,804 B2||2007/10/26||2010/8/17|||
|116|||美国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||DUAL-MODE PROJECTION APPARATUS ANDMETHOD FOR LOCATING A LIGHT SPOT IN APROJECTED IMAGE||||US 7,862,179 B2||2007/11/7||2011/1/4|||
|117|||美国|美国豪威|||||||2029/4/8|
||APPARATUS AND METHOD FOR TRACKING ALIGHT POINTER||||US 8,188,973 B2||2007/11/7||2012/5/29|||
|118|||美国|美国豪威|||||||2031/1/30|
||APPARATUS AND METHOD FOR TESTING IMAGESENSOR WAFERS TO IDENTIFY PIXEL DEFECTS||||US 8,000,520 B2||2007/11/28||2011/8/16|||
|119|||美国|美国豪威|||||||2030/6/15|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORSCENE ILLUMINANT ESTIMATION||||US 8,229,215 B2||2007/12/3||2012/7/24|||
|120|||美国|美国豪威|||||||2031/3/15|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORSCENE ILLUMINANT ESTIMATION||||US 8,620,074 B2||2012/5/17||2013/12/31|||
|121|||美国|美国豪威|||||||2027/12/3|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORSCENE ILLUMINANT ESTIMATION||||US 8,768,055 B2||2013/12/16||2014/7/1|||
|122|||美国|美国豪威|||||||2032/5/17|
||REFLOWABLE CAMERA MODULE WITHINTEGRATED FLASH||||US 8,130,312 B2||2008/12/17||2012/3/6|||
|123|||美国|美国豪威|||||||2029/6/12|
|124|MULTILAYER CHIP SCALE PACKAGE||美国|美国豪威|US 7,939,940 B2||2007/12/18||2011/5/10||2028/2/23|
||REFLOWABLE CAMERA MODULE WITHIMPROVED RELIABILITY OF SOLDERCONNECTIONS||||US 7,911,019 B2||2010/3/16||2011/3/22|||
|125|||美国|美国豪威|||||||2027/12/18|
||SYSTEM AND METHOD FOR LENS SHADINGCORRECTION OF AN IMAGE SENSOR USING||||US 8,194,159 B2||2008/4/28||2012/6/5|||
|126|||美国|美国豪威|||||||2031/2/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SPLINES|||||||||||
||APPARATUS AND METHOD FOR USING SPACERPASTE TO PACKAGE AN IMAGE SENSOR||||US 8,269,300 B2||2008/4/29||2012/9/18|||
|127|||美国|美国豪威|||||||2029/7/4|
||MEMBRANE SUSPENDED OPTICAL ELEMENTS,AND ASSOCIATED METHODS||||US 8,475,061 B2||2009/1/16||2013/7/2|||
|128|||美国|美国豪威|||||||2029/1/16|
|129|IMAGE DATA FUSION SYSTEMS AND METHODS||美国|美国豪威|US 8,824,833 B2||2009/1/30||2014/9/2||2030/2/9|
||CIRCULARLY SYMMETRIC ASPHERIC OPTICSPROVIDING NON-MONOTONIC WAVEFRONTPHASE PROFILE AND EXTENDED DEPTH OFFIELD||||US 8,415,601 B2||2009/2/17||2013/4/9|||
|130|||美国|美国豪威|||||||2029/12/20|
||SYSTEM AND METHOD FOR INDEPENDENTIMAGE SENSOR PARAMETER CONTROL INREGIONS OF INTEREST||||US 8,441,535 B2||2008/3/5||2013/5/14|||
|131|||美国|美国豪威|||||||2029/5/11|
||TRACKING SYSTEM WITH USER-DEFINABLEPRIVATE ID FOR IMPROVED PRIVACYPROTECTION||||US 7,940,170 B2||2008/3/5||2011/5/10|||
|132|||美国|美国豪威|||||||2029/3/9|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FOREMBEDDING RECOVERABLE DATA ON IMAGESENSOR PIXEL ARRAYS||||US 9,521,292 B2||2008/3/12||2016/12/13|||
|133|||美国|美国豪威|||||||2030/9/26|
||IMAGING SYSTEM INCLUDING DISTRIBUTEDPHASE MODIFICATION AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 8,922,700 B2||2009/4/3||2014/12/30|||
|134|||美国|美国豪威|||||||2030/9/16|
|135|APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR SKIN||美国|美国豪威|US 8,055,066 B2||2008/4/16||2011/11/8||2030/7/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TONE DETECTION IN A CMOS IMAGE SENSOR|||||||||||
||VIDEO CODING APPARATUS AND METHOD FORSUPPORTING ARBITRARY-SIZEDREGIONS-OF-INTEREST||||US 8,358,700 B2||2008/6/3||2013/1/22|||
|136|||美国|美国豪威|||||||2031/11/23|
||APPARATUS AND METHOD FOR IMAGE SENSORWITH CARBON NANOTUBE BASEDTRANSPARENT CONDUCTIVE COATING||||US 8,946,848 B2||2008/6/5||2015/2/3|||
|137|||美国|美国豪威|||||||2033/11/11|
||SYSTEM, AND METHOD, AND COMPUTERREADABLE MEDIUM FOR DESIGNING ASCALABLE CLUSTERED STORAGE INTEGRATEDCIRCUIT FOR MULTI-MEDIA PROCESSING||||US 8,122,421 B2||2008/8/14||2012/2/21|||
|138|||美国|美国豪威|||||||2030/9/7|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORLINE BUFFER EFFICIENT LENS DISTORTIONCORRECTION||||US 8,792,028 B2||2011/11/18||2014/7/29|||
|139|||美国|美国豪威|||||||2030/4/1|
||OBJECT-BASED OPTICAL CHARACTERRECOGNITION PRE-PROCESSING ALGORITHM||||US 8,457,423 B2||2011/9/6||2013/6/4|||
|140|||美国|美国豪威|||||||2030/3/8|
||SYSTEM AND METHOD FOR AN IMAGE SENSOROPERABLE IN MULTIPLE VIDEO STANDARDS||||US 9,215,385 B2||2012/4/17||2015/12/15|||
|141|||美国|美国豪威|||||||2032/8/9|
||OP-AMP SHARING WITH INPUT AND OUTPUTRESET||||US 8,120,423 B2||2010/12/6||2012/2/21|||
|142|||美国|美国豪威|||||||2029/12/23|
||ALTERNATIVE COLOR IMAGE ARRAY ANDASSOCIATED METHODS||||US 8,624,997 B2||2011/2/25||2014/1/7|||
|143|||美国|美国豪威|||||||2031/4/3|
|144|OPTICAL ALIGNMENT STRUCTURES AND||美国|美国豪威|US 8,477,195 B2||2010/6/21||2013/7/2||2031/6/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ASSOCIATED METHODS|||||||||||
||OPTICAL ALIGNMENT STRUCTURES ANDASSOCIATED METHODS||||US 8,780,211 B2||2013/7/1||2014/7/15|||
|145|||美国|美国豪威|||||||2030/6/21|
||CROSS-COLOR IMAGE PROCESSING SYSTEMSAND METHODS FOR SHARPNESS ENHANCEMENT||||US 8,457,393 B2||2011/7/9||2013/6/4|||
|146|||美国|美国豪威|||||||2030/12/9|
||OPTICAL POSITION INPUT SYSTEM ANDMETHOD||||US 8,269,750 B2||2010/8/13||2012/9/18|||
|147|||美国|美国豪威|||||||2031/2/26|
||MECHANICAL ASSEMBLY FOR FINE FOCUS OF AWAFFER-LEVEL CAMERA MODULE, ANDASSOCIATED METHODS||||US 8,982,269 B2||2010/9/27||2015/3/17|||
|148|||美国|美国豪威|||||||2031/3/4|
||TUNABLE AND SWITCHABLE MULTILAYEROPTICAL DEVICES||||US 8,582,115 B2||2010/10/7||2013/11/12|||
|149|||美国|美国豪威|||||||2031/12/7|
||OPTICAL DEVICE WITH ELECTRICALLYVARIABLE EXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 8,687,040 B2||2010/11/1||2014/4/1|||
|150|||美国|美国豪威|||||||2030/11/1|
||APPARATUS AND METHOD FORTHREE-DIMENSIONAL IMAGE CAPTURE WITHEXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 8,633,969 B2||2011/2/9||2014/1/21|||
|151|||美国|美国豪威|||||||2032/1/22|
||APPARATUS AND METHOD FORTHREE-DIMENSIONAL IMAGE CAPTURE WITHEXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 9,264,696 B2||2014/1/17||2016/2/16|||
|152|||美国|美国豪威|||||||2031/10/4|
||TWO-STAGE OPTICAL OBJECT MOLDING USINGPRE-FINAL FORM||||US 8,638,500 B2||2011/2/9||2014/1/28|||
|153|||美国|美国豪威|||||||2031/8/13|
|154|TWO-STAGE OPTICAL OBJECT MOLDING USING||美国|美国豪威|US 9,013,797 B2||2014/1/27||2015/4/21||2031/2/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PRE-FINAL FORM|||||||||||
||FLEXIBLE MEMBRANE AND LENS ASSEMBLYAND ASSOCIATED METHOD OF LENSREPLICATION||||US 8,885,272 B2||2011/5/3||2014/11/11|||
|155|||美国|美国豪威|||||||2032/5/23|
||WAFER LEVEL OPTICAL PACKAGING SYSTEM,AND ASSOCIATED METHOD OF ALIGNINGOPTICAL WAFERS||||US 9,035,406 B2||2011/5/23||2015/5/19|||
|156|||美国|美国豪威|||||||2034/3/19|
||SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING DEPTHOF FIELD IN A LENS SYSTEM BY USE OFCOLOR-DEPENDENT WAVEFRONT CODING||||US 8,610,813 B2||2011/5/31||2013/12/17|||
|157|||美国|美国豪威|||||||2032/6/12|
||INTEGRATED DIE-LEVEL CAMERAS ANDMETHODS OF MANUFACTURING THE SAME||||US 8,729,653 B2||2011/10/26||2014/5/20|||
|158|||美国|美国豪威|||||||2032/2/21|
||INTEGRATED DIE-LEVEL CAMERAS ANDMETHODS OF MANUFACTURING THE SAME||||US 8,846,435 B2||2014/4/8||2014/9/30|||
|159|||美国|美国豪威|||||||2034/10/26|
||SPACER WAFER FOR WAFER-LEVEL CAMERAAND METHOD OF MANUFACTURING SAME||||US 8,826,511 B2||2011/11/15||2014/9/9|||
|160|||美国|美国豪威|||||||2032/12/11|
||IMAGING SYSTEM AND METHOD HAVINGEXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 9,432,642 B2||2011/12/12||2016/8/30|||
|161|||美国|美国豪威|||||||2032/8/21|
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA ANDMETHOD OF MANUFACTURING SAME||||US 8,848,286 B2||2012/4/11||2014/9/30|||
|162|||美国|美国豪威|||||||2032/9/3|
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA ANDMETHOD OF MANUFACTURING SAME||||US 9,798,046 B2||2014/9/29||2017/10/24|||
|163|||美国|美国豪威|||||||2033/7/4|
|164|APPARATUS AND METHOD FOR CORRECTION OF||美国|美国豪威|US 8,787,689 B2||2012/5/15||2014/7/22||2032/6/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DISTORTION IN DIGITAL IMAGE DATA|||||||||||
||METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTINGFOR VIGNETTING AN IMAGING SYSTEM||||US 8,823,841 B2||2012/6/20||2014/9/2|||
|165|||美国|美国豪威|||||||2033/3/28|
||APPARATUS AND METHOD FOR GENERATINGPICTURE-IN-PICTURE (PIP) IMAGE||||US 9,088,750 B2||2012/7/25||2015/7/21|||
|166|||美国|美国豪威|||||||2032/7/25|
||IMAGE PROCESSING SYSTEM AND METHODUSING MULTIPLE IMAGERS FOR PROVIDINGEXTENDED VIEW||||US 9,124,801 B2||2012/7/26||2015/9/1|||
|167|||美国|美国豪威|||||||2033/12/22|
||IMAGE PROCESSING SYSTEM COUPLEDCAMERAS FOR PROVIDING EXTENDED VIEW||||US 9,485,424 B2||2015/8/31||2016/11/1|||
|168|||美国|美国豪威|||||||2035/8/31|
||METHODS FOR FORMING A LENS PLATE FOR ANINTEGRATED CAMERA USINGUV-TRANSPARENT MOLDS AND METHODS FORFORMING UV-TRANSPARENT MOLDS||||US 9,919,455 B2||2012/8/22||2018/3/20|||
|169|||美国|美国豪威|||||||2036/3/13|
||SYSTEMS AND METHODS FOR RESUMINGCAPTURE OF A BASE IMAGE OF AN OBJECT BY AMOBILE SCANNER||||US 8,705,145 B2||2012/9/6||2014/4/22|||
|170|||美国|美国豪威|||||||2032/9/6|
||BACKSIDE-ILLUMINATED PHOTOSENSORARRAY WITH WHITE, YELLOW ANDRED-SENSITIVE ELEMENTS||||US 9,231,015 B2||2012/9/24||2016/1/5|||
|171|||美国|美国豪威|||||||2033/12/5|
||INFRARED REFLECTION/ABSORPTION LAYERFOR REDUCING GHOST IMAGE OF INFRAREDREFLECTION NOISE AND IMAGE SENSOR USING||||US 9,111,832 B2||2012/10/29||2015/8/18|||
|172|||美国|美国豪威|||||||2033/11/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||THE SAME|||||||||||
||INFRARED REFLECTION/ABSORPTION LAYERFOR REDUCING GHOST IMAGE OF INFRAREDREFLECTION NOISE AND IMAGE SENSOR USINGTHE SAME||||US 9,184,200 B2||2015/4/27||2015/11/10|||
|173|||美国|美国豪威|||||||2035/4/27|
||INFRARED REFLECTION/ABSORPTION LAYERFOR REDUCING GHOST IMAGE OF INFRAREDREFLECTION NOISE AND IMAGE SENSOR USINGTHE SAME||||US 9,406,716 B2||2015/10/6||2016/8/20|||
|174|||美国|美国豪威|||||||2032/10/29|
||APPARATUS AND METHOD FOR OBTAININGUNIFORM LIGHT SOURCE||||US 9,239,147 B2||2012/11/7||2016/1/19|||
|175|||美国|美国豪威|||||||2034/3/16|
|176|IMAGE SENSOR TESTING PROBE CARD||美国|美国豪威|US 9,494,617 B2||2013/3/6||2016/11/15||2033/12/31|
||LARGE-FIELD-OF-VIEW LENS SYSTEM FORCAPSULE ENDOSCOPE AND CAPSULEENDOSCOPE HAVING LARGE-FIELD-OF-VIEWLENS SYSTEM||||US 8,749,897 B2||2012/11/7||2014/6/10|||
|177|||美国|美国豪威|||||||2032/12/29|
||CAMERA ARRAY SYSTEMS INCLUDING ATLEAST ONE BAYER TYPE CAMERA ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,924,142 B2||2013/11/21||2018/3/20|||
|178|||美国|美国豪威|||||||2034/10/16|
||APPARATUS AND METHOD FOR LEVEL-BASEDSELF-ADJUSTING PEER-TO-PEER MEDIASTREAMING||||US 9,294,563 B2||2013/2/27||2016/3/22|||
|179|||美国|美国豪威|||||||2034/2/10|
|180|APPARATUS AND METHOD FOR AUTOMATED||美国|美国豪威|US 9,270,866 B2||2014/3/13||2016/2/23||2034/3/13|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SELF-TRAINING OF WHITE BALANCE BYELECTRONIC CAMERAS|||||||||||
||SYSTEMS AND METHODS FOR CALIBRATION OFA 360 DEGREE CAMERA SYSTEM||||US 8,866,913 B1||2014/4/8||2014/10/21|||
|181|||美国|美国豪威|||||||2034/4/8|
||WAFER-LEVEL ARRAY CAMERAS ANDMETHODS FOR FABRICATING THE SAME||||US 9,923,008 B2||2014/4/9||2018/3/20|||
|182|||美国|美国豪威|||||||2037/8/19|
||IMAGING SYSTEMS AND METHODS USINGSQUARE IMAGE SENSOR FOR FLEXIBLE IMAGEORIENTATION||||US 9,531,970 B2||2014/4/25||2016/12/27|||
|183|||美国|美国豪威|||||||2033/7/26|
||FIVE-ASPHERIC-SURFACE WAFER-LEVEL LENSSYSTEMS HAVING WIDE VIEWING ANGLE||||US 8,922,913 B2||2013/5/8||2014/12/30|||
|184|||美国|美国豪威|||||||2033/6/19|
||ON-LINE MEMORY TESTING SYSTEMS ANDMETHODS||||US 9,202,591 B2||2013/5/10||2015/12/1|||
|185|||美国|美国豪威|||||||2034/2/25|
||NEAR-EYE DISPLAY SYSTEMS, DEVICES ANDMETHODS||||US 9,740,030 B2||2014/5/15||2017/8/22|||
|186|||美国|美国豪威|||||||2033/11/28|
|187|MOUNTING SYSTEM FOR GLASSES FRAMES||美国|美国豪威|US 9,316,849 B2||2014/5/15||2016/4/19||2034/5/15|
|188|MOUNTING SYSTEMS FOR GLASSES FRAMES||美国|美国豪威|US 9,835,879 B2||2015/9/28||2017/12/5||2036/3/30|
||SYSTEMS AND METHODS FOR GENERATING APANORAMIC IMAGE||||US 9,681,045 B2||2014/6/13||2017/6/13|||
|189|||美国|美国豪威|||||||2034/6/30|
||METHOD AND APPARATUS FOR DISTRIBUTEDIMAGE PROCESSING IN CAMERAS FORMINIMIZING ARTIFACTS IN STITCHED IMAGES||||US 9,438,794 B2||2013/6/25||2016/9/6|||
|190|||美国|美国豪威|||||||2033/6/25|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|191|SELF-ILLUMINATING CMOS IMAGING PACKAGE||美国|美国豪威|US 9,538,909 B2||2013/7/8||2017/1/10||2034/3/4|
||SYSTEMS AND METHODS FOR GENERATINGHIGH DYNAMIC RANGE IMAGES||||US 9,432,589 B2||2013/8/15||2016/8/30|||
|192|||美国|美国豪威|||||||2034/10/2|
||CAMERA DEVICES AND SYSTEMS BASED ON ASINGLE IMAGE SENSOR AND METHODS FORMANUFACTURING THE SAME||||US 9,282,265 B2||2013/9/9||2016/3/8|||
|193|||美国|美国豪威|||||||2034/6/4|
||APPARATUS AND METHOD FOR MOLDINGOPTICAL LENSE DURING A PUDDLE DISPENSINGPROCESS||||US 9,151,878 B2||2013/9/16||2015/10/6|||
|194|||美国|美国豪威|||||||2032/12/17|
||SENSOR AND METHOD FOR COLORPHOTOSENSOR ARRAY WITH SHIELDED,DEEP-PENETRATION, PHOTODIODES FOR COLORDETECTION||||US 9,331,118 B2||2013/9/16||2016/5/3|||
|195|||美国|美国豪威|||||||2033/10/8|
||DUAL PIXEL-SIZED COLOR IMAGE SENSORS ANDMETHODS FOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,147,704 B2||2013/11/11||2015/9/29|||
|196|||美国|美国豪威|||||||2033/11/11|
||THERMAL CARRIER FOR AN LCOS DISPLAYPANEL AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,182,622 B2||2013/11/21||2015/11/10|||
|197|||美国|美国豪威|||||||2034/1/8|
||IMAGE DATA AGGREGATING HIGH DYNAMICRANGE IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 9,172,869 B2||2013/12/4||2015/10/27|||
|198|||美国|美国豪威|||||||2034/3/13|
||IMAGE SENSOR HAVING NMOS SOURCEFOLLOWER WITH P-TYPE DOPING INPOLYSILICON GATE||||US 9,319,613 B2||2013/12/5||2016/4/19|||
|199|||美国|美国豪威|||||||2034/2/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DIGITAL CALIBRATION-BASED SKEWCANCELLATION FOR LONG-REACH MIPI D-PHYSERIAL LINKS||||US 9,355,054 B2||2014/1/7||2016/5/31|||
|200|||美国|美国豪威|||||||2034/5/30|
||IMAGE DEVICE HAVING EFFICIENT HEATTRANSFER, AND ASSOCIATED SYSTEMS||||US 9,258,465 B2||2014/1/9||2016/2/9|||
|201|||美国|美国豪威|||||||2034/4/6|
||SYSTEM AND METHOD FOR SCAN-TESTING OFIDLE FUNCTIONAL UNITS IN OPERATINGSYSTEMS||||US 9,310,436 B2||2014/1/28||2016/4/12|||
|202|||美国|美国豪威|||||||2034/6/16|
||IMAGE TRANSFORMATION AND MULTI-VIEWOUTPUT SYSTEMS AND METHODS||||US 9,196,022 B2||2014/3/10||2015/11/24|||
|203|||美国|美国豪威|||||||2034/4/7|
||SYSTEM AND METHOD FOR CONTINUOUS AUTOFOCUS WITHIN CAMERA MODULE||||US 9,288,379 B2||2014/3/12||2016/3/15|||
|204|||美国|美国豪威|||||||2034/6/4|
||IMAGING SYSTEMS AND METHODS FOR USINGIN SPATIALLY CONSTRAINED LOCATIONS||||US 9,757,015 B2||2014/4/23||2017/9/12|||
|205|||美国|美国豪威|||||||2035/3/7|
||FLOORPLAN-OPTIMIZED STACKED IMAGESENSOR AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,652,575 B2||2014/4/7||2017/5/16|||
|206|||美国|美国豪威|||||||2034/10/18|
||OPTICAL ZOOM IMAGING SYSTEMS ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,300,877 B2||2014/5/5||2016/3/29|||
|207|||美国|美国豪威|||||||2034/8/5|
||SYSTEM AND METHOD FOR BLACK COATING OFCAMERA CUBES AT WAFER LEVEL||||US 9,293,505 B2||2014/5/5||2016/3/22|||
|208|||美国|美国豪威|||||||2034/5/5|
||WAFER-LEVEL BONDING METHOD FOR CAMERAFABRICATION||||US 9,553,126 B2||2014/5/5||2017/1/24|||
|209|||美国|美国豪威|||||||2034/5/5|
|210|BACKSIDE ILLUMINATED COLOR IMAGE||美国|美国豪威|US 9,184,206 B1||2014/5/5||2015/11/10||2034/5/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SENSORS AND METHODS FOR MANUFACTURINGTHE SAME|||||||||||
||SUSPENDED LENS SYSTEM HAVING A NON-ZEROOPTICAL TRANSMISSION SUBSTRATE FACINGTHE CONCAVE SURFACE OF A SINGLE-PIECELENS AND WAFER-LEVEL METHOD FORMANUFACTURING THE SAME||||US 9,349,765 B2||2014/5/13||2016/5/24|||
|211|||美国|美国豪威|||||||2034/8/20|
||WAFER-LEVEL LIQUID-CRYSTAL-ON-SILICONPROJECTION ASSEMBLY, SYSTEM ANDMETHODS||||US 9,851,575 B2||2014/5/15||2017/12/26|||
|212|||美国|美国豪威|||||||2035/7/18|
||SYSTEMS AND METHODS FOR OBTAININGIMAGE DEPTH INFORMATION||||US 9,633,441 B2||2014/6/9||2017/4/25|||
|213|||美国|美国豪威|||||||2035/8/1|
||CONCAVE SPACER-WAFER APERTURES ANDWAFER-LEVEL OPTICAL ELEMENTS FORMEDTHEREIN||||US 9,789,114 B2||2014/6/17||2017/10/24|||
|214|||美国|美国豪威|||||||2034/6/17|
||SYSTEM AND METHOD FOR DIGITALCORRELATED DOUBLE SAMPLING IN AN IMAGESENSOR||||US 9,247,162 B2||2014/6/27||2016/1/26|||
|215|||美国|美国豪威|||||||2034/8/6|
||FRACTAL-EDGE THIN FILM AND METHOD OFMANUFACTURE||||US 9,679,940 B2||2014/7/3||2017/6/13|||
|216|||美国|美国豪威|||||||2035/2/20|
||WAFER-LEVEL LENS SYSTEMS AND METHODSFOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,366,848 B2||2014/7/3||2016/6/14|||
|217|||美国|美国豪威|||||||2034/6/3|
|218|SYSTEM AND METHOD FOR EMBEDDING||美国|美国豪威|US 9,197,874 B1||2014/7/17||2015/11/24||2034/7/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||STEREO IMAGERY|||||||||||
||LENS-FREE IMAGING SYSTEM AND METHOD FORDETECTING PARTICLES IN SAMPLE DEPOSITEDON IMAGE SENSOR||||US 9,574,989 B2||2014/8/8||2017/2/21|||
|219|||美国|美国豪威|||||||2035/6/11|
||PCB-MOUNTABLE LENS ADAPTER FOR APCB-MOUNTABLE CAMERA MODULE||||US 9,451,137 B2||2014/8/21||2016/9/20|||
|220|||美国|美国豪威|||||||2034/12/16|
||METHOD FOR FORMING LIGHT-TRANSMITTINGREGIONS||||US 7.732,244 B2||2007/12/20||2010/6/8|||
|221|||美国|美国豪威|||||||2028/9/2|
||ALIGNMENT DEVICE AND APPLICATIONTHEREOF||||US 7,741,652 B2||2008/3/7||2010/6/22|||
|222|||美国|美国豪威|||||||2029/1/17|
||LENS MODULE AND A METHOD FORFABRICATING THE SAME||||US 7,920,328 B2||2008/2/28||2011/4/5|||
|223|||美国|美国豪威|||||||2028/7/12|
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSORDEVICE||||US 7,829,966 B2||2007/11/23||2010/11/9|||
|224|||美国|美国豪威|||||||2027/12/23|
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSORDEVICE||||US 7,994,598 B2||2010/10/4||2011/8/9|||
|225|||美国|美国豪威|||||||2027/11/23|
||ELECTRONIC DEVICE PACKAGE WITHELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY (EMC)COATING THEREON||||US 7,964,936 B2||2008/7/10||2011/6/21|||
|226|||美国|美国豪威|||||||2028/9/8|
||IMAGE SENSOR DEVICE WITH OPAQUE COATING|||美国豪威以|US 8,854,526 B2||2008/10/2||2014/10/7|||
|||||及VisEra||||||||
|227|||美国||||||||2030/9/21|
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Limited||||||||
||ENCAPSULANT MODULE WITH OPAQUECOATING|||美国豪威以|US 9,350,906 B2||2009/5/13||2016/5/24|||
|||||及VisEra||||||||
|228|||美国|Technologies|||||||2029/5/13|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
|229|MINIATURE IMAGE CAPTURE LENS||美国|美国豪威|US 7,688,531 B1||2008/10/9||2010/3/30||2028/10/9|
|230|IMAGE CAPTURE LENS||美国|美国豪威|US 7,894,143 B2||2008/11/12||2011/2/22||2028/11/12|
|231|MINIATURE IMAGE CAPTURE LENS||美国|美国豪威|US 7,796,349 B2||2008/10/9||2010/9/14||2029/1/1|
||OPTICAL ELEMENT AND MANUFACTUREMETHOD THEREOF|||美国豪威以|US 8,390,930 B2||2008/11/20||2013/3/5|||
|||||及VisEra||||||||
|232|||美国|Technologies|||||||2031/7/3|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||COMPACT CAMERA MODULE|||美国豪威以|US 8,355,628 B2||2009/3/6||2013/1/15|||
|||||及VisEra||||||||
|233|||美国|Technologies|||||||2029/4/9|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||MINIATURE IMAGE CAPTURE LENS|||美国豪威以|US 8,125,720 B2||2009/3/24||2012/2/28|||
|||||及VisEra||||||||
|234|||美国||||||||2030/7/3|
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Limited||||||||
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR AN IMAGESENSING DEVICE|||美国豪威以|US 8,351,219 B2||2009/9/3||2013/1/8|||
|||||及VisEra||||||||
|235|||美国|Technologies|||||||2030/12/13|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULES|||美国豪威以|US 8,289,634 B2||2009/10/2||2012/10/16|||
|||||及VisEra||||||||
|236|||美国|Technologies|||||||2029/10/2|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||LENS ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMINGTHE SAME|||美国豪威以|US 8,059,341 B2||2009/9/23||2011/11/15|||
|||||及VisEra||||||||
|237|||美国|Technologies|||||||2029/9/23|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULES AND IMAGECAPTURE SYSTEMS|||美国豪威以|US 8,279,535 B2||2009/10/2||2012/10/2|||
|||||及VisEra||||||||
|238|||美国|Technologies|||||||2031/2/20|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULE AND WAFERLEVEL PACKAGED IMAGE CAPTURE DEVICES|||美国豪威以|US 8,837,060 B2||2011/2/25||2014/9/16|||
|239|||美国||||||||2031/2/25|
|||||及VisEra||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||OPTICAL DEVICE HAVING EXTENDED DEPTH OFFIELD AND FABRICATION METHOD THEREOF|||美国豪威以|US 8,351,120 B2||2010/9/15||2013/1/8|||
|||||及VisEra||||||||
|240|||美国|Technologies|||||||2031/2/3|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||METHOD FOR FORMING IMAGE SENSING DEVICE|||美国豪威以|US 9,379,153 B2||2010/4/22||2016/6/28|||
|||||及VisEra||||||||
|241|||美国|Technologies|||||||2034/8/6|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULES AND IMAGECAPTURE SYSTEMS|||美国豪威以|US 8,194,334 B2||2010/4/9||2012/6/5|||
|||||及VisEra||||||||
|242|||美国|Technologies|||||||2031/1/20|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||COMPACT CAMERA MODULE AND METHOD FORFABRICATING THE SAME|||美国豪威以|US 8,500,344 B2||2011/7/25||2013/8/6|||
|||||及VisEra||||||||
|243|||美国|Technologies|||||||2031/8/4|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR DEVICES AND METHODS FORMANUFACTURING THE SAME|||美国豪威以|US 8,557,626 B2||2010/6/4||2013/10/15|||
|||||及VisEra||||||||
|244|||美国|Technologies|||||||2031/2/5|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE SENSOR DEVICES AND METHODS FORMANUFACTURING THE SAME|||美国豪威以|US 8,941,202 B2||2013/9/5||2015/1/27|||
|||||及VisEra||||||||
|245|||美国|Technologies|||||||2030/6/4|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||LENS MODULES AND FABRICATION METHODSTHEREOF|||美国豪威以|US 8,000,041 B1||2010/9/20||2011/8/16|||
|||||及VisEra||||||||
|246|||美国|Technologies|||||||2030/9/20|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||LENS ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMINGTHE SAME|||美国豪威以|US 8,072,685 B1||2011/1/31||2011/12/6|||
|||||及VisEra||||||||
|247|||美国|Technologies|||||||2031/1/31|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||LENS ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMINGTHE SAME|||美国豪威以|US 8,630,042 B2||2011/10/25||2014/1/14|||
|248|||美国|及VisEra|||||||2031/1/31|
|||||Technologies||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA MODULE AND METHOD FORFABRICATING THE SAME|||美国豪威以|US 8,251,601 B2||2010/12/21||2012/8/28|||
|||||及VisEra||||||||
|249|||美国|Technologies|||||||2030/12/29|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA MODULE AND METHOD FORFABRICATING THE SAME|||美国豪威以|US 8,593,561 B2||2011/3/1||2013/11/26|||
|||||及VisEra||||||||
|250|||美国|Technologies|||||||2032/7/25|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||OPTICAL LENS MODULE|||美国豪威以|US 8,390,942 B2||2011/1/11||2013/3/5|||
|||||及VisEra||||||||
|251|||美国|Technologies|||||||2031/4/20|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA MODULE AND SPACER OF A LENSSTRUCTURE IN THE CAMERA MODULE|||美国豪威以|US 9,075,182 B2||2011/6/3||2015/7/7|||
|||||及VisEra||||||||
|252|||美国|Technologies|||||||2032/6/7|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
|253|METHODS OF FABRICATING CAMERA MODULE||美国|美国豪威以|US 9,502,461 B2||2015/5/13||2016/11/22||2031/7/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AND SPACER OF A LENS STRUCTURE IN THECAMERA MODULE|||及VisEra||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||METHOD FOR FABRICATING CAMERA MODULE|||美国豪威以|US 8,388,793 B1||2011/8/29||2013/3/5|||
|||||及VisEra||||||||
|254|||美国|Technologies|||||||2031/8/29|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA UNIT AND MACRO LENS THEREOF|||美国豪威以|US 8,345,360 B2||2011/6/3||2013/1/1|||
|||||及VisEra||||||||
|255|||美国|Technologies|||||||2031/8/14|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||THREE-PIECE ALL-ASPHERIC ADAPTER FISHEYELENS||||US 9,274,322 B1||2014/8/21||2016/3/1|||
|256|||美国|美国豪威|||||||2034/11/21|
||FOUR-PIECE ALL-ASPHERIC ADAPTER FISHEYELENS||||US 9,304,299 B2||2014/8/21||2016/4/5|||
|257|||美国|美国豪威|||||||2036/7/14|
||AUTOMATED CELL GROWTH/MIGRATIONDETECTION SYSTEM AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 9,347,082 B2||2014/8/28||2016/5/24|||
|258|||美国|美国豪威|||||||2034/9/17|
||WAFER-LEVEL METHODS FOR MAKINGAPERTURED LENSES INVOLVING SEQUENTIAL||||US 9,921,393 B2||2014/9/4||2018/3/20|||
|259|||美国|美国豪威|||||||2036/3/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LAYERING OF BIPLANAR TRANSPARENT FILM,OPAQUE LAYER, SPACER WAFER, AND LENSWAFER|||||||||||
||DUAL-MODE IMAGE SENSOR WITH ASIGNAL-SEPARATING COLOR FILTER ARRAY,AND METHOD FOR SAME||||US 9,570,491 B2||2014/10/8||2017/2/14|||
|260|||美国|美国豪威|||||||2034/10/8|
||DUAL-MODE IMAGE SENSOR WITH ASIGNAL-SEPARATING COLOR FILTER ARRAY,AND METHOD FOR SAME||||US 9,698,194 B2||2016/11/10||2017/7/4|||
|261|||美国|美国豪威|||||||2036/11/10|
||HIGH-THROUGHPUT FLUORESCENCE IMAGINGSYSTEM AND DEVICE WITH SAMPLE HEATINGCAPABILITY, AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,574,991 B2||2014/10/14||2017/2/21|||
|262|||美国|美国豪威|||||||2034/12/22|
||GROUNDING SYSTEM FOR INTEGRATEDCIRCUITS OF PARTICULAR USEFULNESS FORCIRCUITS INCORPORATINGBACKSIDE-ILLUMINATED PHOTOSENSORARRAYS||||US 9,478,580 B2||2014/10/30||2016/10/25|||
|263|||美国|美国豪威|||||||2034/10/30|
||WAFER-LEVEL ENCAPSULATEDSEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FORFABRICATING SAME||||US 9,450,004 B2||2014/11/14||2016/9/20|||
|264|||美国|美国豪威|||||||2034/11/14|
||PANEL CARRIER FOR A LIQUID CRYSTAL ONSILICON PANEL AND METHOD FORELECTRICALLY INTERCONNECTING SAME||||US 9,568,789 B2||2014/11/19||2017/2/14|||
|265|||美国|美国豪威|||||||2035/7/10|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|266|EDGE DETECTION SYSTEM AND METHODS||美国|美国豪威|US 9,697,434 B2||2014/12/10||2017/7/4||2035/5/15|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE METHODS ANDSYSTEMS FOR ELECTRONIC CAMERAS||||US 9,307,215 B1||2014/12/19||2016/4/5|||
|267|||美国|美国豪威|||||||2034/12/19|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE METHODS ANDSYSTEMS FOR ELECTRONIC CAMERAS||||US 9,307,214 B1||2014/12/19||2016/4/5|||
|268|||美国|美国豪威|||||||2034/12/19|
||LOW-PROFILE HYBRID LENS SYSTEMS ANDMETHODS FOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,377,603 B1||2015/1/26||2016/6/28|||
|269|||美国|美国豪威|||||||2035/1/26|
||WIDE-ANGLE CAMERA USING ACHROMATICDOUBLET PRISM ARRAY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,902,120 B2||2015/2/9||2018/2/27|||
|270|||美国|美国豪威|||||||2036/2/5|
||WIDE-ANGLE CAMERA USING ACHROMATICDOUBLET PRISM ARRAY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,438,779 B2||2015/2/9||2016/9/6|||
|271|||美国|美国豪威|||||||2035/2/9|
||LIQUID CRYSTAL ON SILICON PANELS ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,459,500 B2||2015/2/9||2016/10/4|||
|272|||美国|美国豪威|||||||2035/6/19|
||CURVED IMAGE SENSOR SYSTEMS ANDMETHODS FOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,349,763 B1||2015/2/10||2016/5/24|||
|273|||美国|美国豪威|||||||2035/2/10|
|274|CURVED IMAGE SENSOR SYSTEMS||美国|美国豪威|US 9,679,931 B2||2016/5/23||2017/6/13||2036/5/23|
||SPATIALLY INTERLEAVED POLARIZATIONCONVERTER FOR LCOS DISPLAY||||US 9,448,415 B2||2015/2/25||2016/9/20|||
|275|||美国|美国豪威|||||||2035/5/27|
||HIGHLY-REFLECTIVE LIQUID CRYSTAL ONSILICON PANEL COMPRISING A CONTINUOUSREFLECTIVE COATING COVERING PIXEL||||US 9,958,726 B2||2015/2/25||2018/5/1|||
|276|||美国|美国豪威|||||||2035/3/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ELECTRODES AND AN INTER-PIXEL COATING|||||||||||
||AEROGEL-ENCAPSULATED IMAGE SENSOR ANDMANUFACTURING METHOD FOR SAME||||US 9,812,478 B2||2015/3/5||2017/11/7|||
|277|||美国|美国豪威|||||||2035/3/5|
||OPTICAL ASSEMBLIES INCLUDING DRYADHESIVE LAYERS AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,627,559 B2||2015/3/16||2017/4/18|||
|278|||美国|美国豪威|||||||2035/7/8|
||TRENCHED-SUBSTRATE BASED LENSMANUFACTURING METHODS, AND ASSOCIATEDSYSTEMS||||US 9,952,415 B2||2015/4/22||2018/4/24|||
|279|||美国|美国豪威|||||||2036/5/14|
||SEALED-SIDEWALL DEVICE DIE, ANDMANUFACTURING METHOD THEREOF||||US 9,478,576 B1||2015/4/28||2016/10/25|||
|280|||美国|美国豪威|||||||2035/4/28|
||REDUCED RANDOM TELEGRAPH SIGNAL NOISECMOS IMAGE SENSOR AND ASSOCIATEDMETHOD||||US 9,380,234 B1||2015/5/1||2016/6/28|||
|281|||美国|美国豪威|||||||2035/5/1|
||IMAGE SENSORS FOR ROBUST ON CHIP PHASEDETECTION, AND ASSOCIATED SYSTEM ANDMETHODS||||US 9,485,442 B1||2015/5/18||2016/11/1|||
|282|||美国|美国豪威|||||||2035/5/18|
||IMAGING SYSTEMS INCLUDING ROW-PERIODCOMPENSATORS AND ASSOCIATED METHODS||||U 9,843,753 B2||2015/11/2||2017/12/12|||
|283|||美国|美国豪威|||||||2035/11/2|
||IMAGING SYSTEMS WITHSINGLE-PHOTON-AVALANCHE-DIODES ANDSENSOR TRANSLATION, AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 9,628,735 B2||2015/6/22||2017/4/18|||
|284|||美国|美国豪威|||||||2035/6/22|
|285|RGB-IR PHOTOSENSOR WITH NONUNIFORM||美国|美国豪威|US 9,865,642 B2||2015/6/5||2018/1/9||2036/2/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BURIED P-WELL DEPTH PROFILE FOR REDUCEDCROSS TALK AND ENHANCED INFRAREDSENSITIVITY|||||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR EVALUATING ACLASSIFIER IMPLEMENTED WITHIN AN IMAGESIGNAL PROCESSOR||||US 9,842,280 B2||2015/11/4||2017/12/12|||
|286|||美国|美国豪威|||||||2035/11/4|
||NEAR-EYE DISPLAY DEVICE AND METHODSWITH COAXIAL EYE IMAGING||||US 9,958,680 B2||2015/9/29||2018/5/1|||
|287|||美国|美国豪威|||||||2036/1/14|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH PENINSULARGROUND CONTRACTS AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,653,511 B2||2015/8/11||2017/5/16|||
|288|||美国|美国豪威|||||||2035/8/11|
||TWO-SURFACE NARROW FIELD-OF-VIEWCOMPOUNDS LENS||||US 9,897,786 B2||2015/10/5||2018/2/20|||
|289|||美国|美国豪威|||||||2036/4/4|
||NEAR-INFRARED HYBRID LENS SYSTEMS WITHWIDE FIELD OF VIEW||||US 9,804,368 B2||2015/10/5||2017/10/31|||
|290|||美国|美国豪威|||||||2035/10/5|
||FOUR-SURFACE NARROW FIELD-OF-VIEWCOMPOUND LENS||||US 9,897,778 B2||2016/1/12||2018/2/20|||
|291|||美国|美国豪威|||||||2036/1/12|
||THREE-SURFACE WIDE FIELD-OF-VIEW LENSSYSTEM||||US 9,778,443 B2||2015/10/5||2017/10/3|||
|292|||美国|美国豪威|||||||2035/10/5|
||WAFER-LEVEL HYBRID COMPOUND LENS ANDMETHOD FOR FABRICATING SAME||||US 9,804,367 B2||2015/11/4||2017/10/31|||
|293|||美国|美国豪威|||||||2035/12/23|
||STACKED-LENS ASSEMBLY AND FABRICATIONMETHOD FOR SAME||||US 9,915,763 B2||2015/11/13||2018/3/13|||
|294|||美国|美国豪威|||||||2035/11/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CHIP-SCALE PACKAGED IMAGE SENSORPACKAGES WITH BLACK MASKING ANDASSOCIATED PACKAGING METHODS||||US 9,653,504 B1||2015/11/3||2017/5/16|||
|295|||美国|美国豪威|||||||2035/11/3|
||PUPILLARY ADJUSTABLE HEAD MOUNTEDDEVICE||||US 9,927,619 B2||2015/11/6||2018/3/27|||
|296|||美国|美国豪威|||||||2035/11/6|
||IMAGE SENSOR WITH SYMMETRIC MULTI-PIXELPHASE-DIFFERENCE DETECTORS, ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,807,294 B2||2015/8/5||2017/10/31|||
|297|||美国|美国豪威|||||||2036/1/5|
||BSI CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVEDPHASE DETECTING PIXEL||||US 9,443,899 B1||2015/11/4||2016/9/13|||
|298|||美国|美国豪威|||||||2035/11/4|
||PROJECTOR FOR ADAPTOR-LESS SMARTPHONEEYE IMAGING AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,526,417 B1||2015/12/7||2016/12/27|||
|299|||美国|美国豪威|||||||2035/12/7|
||FLARE-REDUCING IMAGING SYSTEM ANDASSOCIATED IMAGE SENSOR||||US 9,781,362 B1||2016/3/22||2017/10/3|||
|300|||美国|美国豪威|||||||2036/3/22|
||COMPACT THREE-SURFACE WAFER-LEVEL LENSSYSTEMS||||US 9,798,115 B1||2016/4/26||2017/10/24|||
|301|||美国|美国豪威|||||||2036/4/26|
||PHASE-DETECTION AUTO-FOCUS PIXEL ARRAYAND ASSOCIATED IMAGING SYSTEM||||US 9,838,590 B2||2016/3/16||2017/12/5|||
|302|||美国|美国豪威|||||||2036/6/6|
||CLOCK GENERATOR AND METHOD FORREDUCING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCEFROM DIGITAL SYSTEMS||||US 9,900,145 B2||2016/5/19||2018/2/20|||
|303|||美国|美国豪威|||||||2036/5/19|
||FIVE-SURFACE WIDE FIELD-OF-VIEWCOMPOUND LENS AND ASSOCIATED CAMERA||||US 9,835,821 B1||2016/7/26||2017/12/5|||
|304|||美国|美国豪威|||||||2036/7/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||MODULE|||||||||||
||IMAGE SENSOR PACKAGES WITH FOLDEDCOVER-GLASS SEALING INTERFACE||||US 9,748,293 B1||2016/8/2||2017/8/29|||
|305|||美国|美国豪威|||||||2036/8/2|
||CAMERA AND METHOD WITH WIDESCREENIMAGE ON NEARLY-SQUARE ASPECT RATIOPHOTOSENSOR ARRAY||||US 9,936,123 B2||2016/8/4||2018/4/3|||
|306|||美国|美国豪威|||||||2036/8/4|
||GHOST ARTIFACT REMOVAL SYSTEM ANDMETHOD||||US 9,916,644 B1||2016/9/9||2018/3/13|||
|307|||美国|美国豪威|||||||2036/9/9|
||HIGH-DYNAMIC-RANGE COLOR IMAGE SENSORSAND ASSOCIATED METHODS||||US 9,954,020 B1||2016/12/30||2018/4/24|||
|308|||美国|美国豪威|||||||2036/12/30|
||ECHO CANCELLATION SYSTEM AND METHODWITH REDUCED RESIDUAL ECHO||||US 9,947,337 B1||2017/3/21||2018/4/17|||
|309|||美国|美国豪威|||||||2037/3/21|
||CHIP SCALE PACKAGING TECHNIQUE FOROPTICAL IMAGE SENSING INTEGRATEDCIRCUITS||||US 6,285,064 B1||2000/3/28||2001/9/4|||
|310|||美国|美国豪威|||||||2020/3/28|
||EDGE ENHANCEMENT WITH BACKGROUNDNOISE SUPPRESSION IN VIDEO IMAGEPROCESSING||||US 6,441,866 B1||1999/1/14||2002/8/27|||
|311|||美国|美国豪威|||||||2019/1/14|
||ON-CHIP DEAD PIXEL CORRECTION IN A CMOSIMAGE SENSOR||||US 7,522,200 B2||2003/10/14||2009/4/21|||
|312|||美国|美国豪威|||||||2020/3/9|
||AUTO BLACK EXPANSION METHOD ANDAPPARATUS FOR AN IMAGE SENSOR||||US 7,046,278 B1||1999/9/20||2006/5/16|||
|313|||美国|美国豪威|||||||2021/2/5|
|314|OPTIMIZED FLOATING P+ REGION PHOTODIODE||美国|美国豪威|US 6,339,248 B1||1999/11/15||2002/1/15||2019/11/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FOR A CMOS IMAGE SENSOR|||||||||||
||OPTIMIZED FLOATING P+ REGION PHOTODIODEFOR A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,486,521 B2||2001/10/2||2002/11/26|||
|315|||美国|美国豪威|||||||2019/11/15|
||CMOS SENSOR HAVING ANALOG DELAY LINEFOR IMAGE PROCESSING||||US 6,707,496 B1||1999/9/15||2004/3/16|||
|316|||美国|美国豪威|||||||2019/9/15|
||COLUMN AMPLIFIER FOR HIGH FIXED PATTERNNOISE REDUCTION||||US 6,128,039||1999/1/11||2000/10/3|||
|317|||美国|美国豪威|||||||2019/1/11|
||EDGE ENHANCEMENT WITH BACKGROUNDNOISE REDUCTION IN VIDEO IMAGEPROCESSING||||US 6,404,460 B1||1999/2/19||2002/6/11|||
|318|||美国|美国豪威|||||||2019/2/19|
||METHOD AND APPARATUS FOR DIGITALCOLUMN FIXED PATTERN NOISE CANCELINGFOR A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,914,627 B1||1998/5/27||2005/7/5|||
|319|||美国|美国豪威|||||||2020/4/23|
||APS SOFT RESET CIRCUIT FOR REDUCING IMAGELAG||||US 6,727,946 B1||1999/12/14||2004/4/27|||
|320|||美国|美国豪威|||||||2019/12/14|
||APS SOFT RESET CIRCUIT FOR REDUCING IMAGELAG||||US 7,456,887 B2||2003/10/21||2008/11/25|||
|321|||美国|美国豪威|||||||2022/5/3|
||ANALOG MEDIAN FILTER CIRCUIT FOR IMAGEPROCESSING||||US 6,121,817||1999/1/11||2000/9/19|||
|322|||美国|美国豪威|||||||2019/1/11|
||ON-CHIP FIXED PATTERN NOISE CANCELINGLOGARITHMIC RESPONSE IMAGER SENSOR||||US 6,355,965 B1||2000/3/29||2002/3/12|||
|323|||美国|美国豪威|||||||2020/3/29|
||SURFACE PASSIVATION TO REDUCE DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,909,162 B2||2001/11/2||2005/6/21|||
|324|||美国|美国豪威|||||||2023/9/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CMOS IMAGE SENSOR WITH ON-CHIP PATTERNRECOGNITION||||US 6,617,565 B2||2001/11/6||2003/9/9|||
|325|||美国|美国豪威|||||||2022/1/25|
||METHOD OF FAST AUTOMATIC EXPOSURE ORGAIN CONTROL IN A MOS IMAGE SENSOR||||US 6,859,230 B2||2001/11/7||2005/2/22|||
|326|||美国|美国豪威|||||||2023/9/6|
||ZERO DC CURRENT READOUT CIRCUIT FORCMOS IMAGE SENSOR USING A PRECHARGECAPACITOR||||US 6,734,413 B2||2001/11/6||2004/5/11|||
|327|||美国|美国豪威|||||||2022/3/13|
||ZERO DC CURRENT READOUT CIRCUIT FORCMOS IMAGE SENSOR USING A DISCHARGECAPACITOR||||US 6,864,476 B2||2004/1/30||2005/3/8|||
|328|||美国|美国豪威|||||||2021/11/6|
||METHOD OF FAST AUTOMATIC EXPOSURE ORGAIN CONTROL IN A MOS IMAGE SENSOR||||US 7,015,956 B2||2002/1/25||2006/3/21|||
|329|||美国|美国豪威|||||||2024/7/15|
||METHOD AND APPARATUS KTC NOISECANCELLING IN A LINEAR CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,982,403 B2||2002/3/27||2006/1/3|||
|330|||美国|美国豪威|||||||2023/10/22|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBERS OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||US 6,953,923 B2||2003/2/18||2005/10/11|||
|331|||美国|美国豪威|||||||2023/10/31|
||IMAGE SENSOR HAVING DUAL AUTOMATICEXPOSURE CONTROL||||US 7,430,011 B2||2003/1/22||2008/9/30|||
|332|||美国|美国豪威|||||||2025/6/9|
||CMOS IMAGE SENSOR USING HIGH FRAME RATEWITH FRAME ADDITION AND MOVEMENTCOMPENSATION||||US 7,209,601 B2||2003/7/22||2007/4/24|||
|333|||美国|美国豪威|||||||2025/8/15|
||ACTIVE PIXEL CELL USING NEGATIVE TOPOSITIVE VOLTAGE SWING TRANSFER||||US 6,974,943 B2||2003/7/22||2005/12/13|||
|334|||美国|美国豪威|||||||2024/5/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TRANSISTOR|||||||||||
||LOW VOLTAGE ACTIVE CMOS PIXEL ON ANN-TYPE SUBSTRATE WITH COMPLETE RESET||||US 7,022,965 B2||2004/2/4||2006/4/4|||
|335|||美国|美国豪威|||||||2024/3/3|
||LOW VOLTAGE ACTIVE CMOS PIXEL ON ANN-TYPE SUBSTRATE WITH COMPLETE RESET||||US 7,161,130 B2||2006/2/6||2007/1/9|||
|336|||美国|美国豪威|||||||2024/2/4|
||CMOS IMAGE SENSOR USING SHAREDTRANSISTORS BETWEEN PIXELS WITH DUALPINNED PHOTODIODE||||US 7,087,883 B2||2004/2/4||2006/8/8|||
|337|||美国|美国豪威|||||||2024/9/16|
||HYBRID CHARGE COUPLED CMOS IMAGESENSOR HAVING AN AMPLIFICATIONTRANSISTOR CONTROLLED BY A SENSE NODE||||US 7,045,754 B2||2004/3/30||2006/5/16|||
|338|||美国|美国豪威|||||||2024/12/22|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,423,779 B2||2004/3/30||2008/9/9|||
|339|||美国|美国豪威|||||||2026/8/10|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,868,930 B2||2008/2/26||2011/1/11|||
|340|||美国|美国豪威|||||||2025/9/17|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,916,347 B2||2008/2/26||2011/3/29|||
|341|||美国|美国豪威|||||||2025/6/13|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,973,968 B2||2008/2/26||2011/7/5|||
|342|||美国|美国豪威|||||||2025/8/16|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,872,672 B2||2008/2/26||2011/1/18|||
|343|||美国|美国豪威|||||||2025/8/29|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,940,310 B2||2008/2/26||2011/5/10|||
|344|||美国|美国豪威|||||||2025/7/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SACRIFICIAL PROTECTIVE LAYER FOR IMAGESENSORS AND METHOD OF USING||||US 7,091,058 B2||2003/12/11||2006/8/15|||
|345|||美国|美国豪威|||||||2023/12/11|
||METHODS AND SYSTEMS FOR LOCALLYADAPTIVE IMAGE PROCESSING FILTERS||||US 7,822,285 B2||2004/5/20||2010/10/26|||
|346|||美国|美国豪威|||||||2027/6/29|
||LENS CORRECTION USING PROCESSED YUVDATA||||US 7,355,639 B2||2004/1/13||2008/4/8|||
|347|||美国|美国豪威|||||||2025/12/19|
||METHODS AND SYSTEMS FOR DETECTINGFLASH RATE OF SURROUNDING LIGHTS FORCONTROLLING CAMCORDER FRAME RATE||||US 8,045,017 B2||2004/5/20||2011/10/25|||
|348|||美国|美国豪威|||||||2028/2/9|
||IMAGING SENSOR USING ASYMMETRICTRANSFER TRANSISTOR||||US 7,145,122 B2||2004/6/14||2006/12/5|||
|349|||美国|美国豪威|||||||2024/9/23|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL THAT HAS VARIABLECAPACITANCE OUTPUT OR FLOATING NODE||||US 7,193,198 B2||2004/10/1||2007/3/20|||
|350|||美国|美国豪威|||||||2025/5/10|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANON-CONVEX PHOTODIODE||||US 7,154,137 B2||2004/10/12||2006/12/26|||
|351|||美国|美国豪威|||||||2024/10/12|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL THAT HAS POSITIVETRANSFER GATE VOLTAGE DURINGINTEGRATION PERIOD||||US 7,791,663 B2||2004/10/15||2010/9/7|||
|352|||美国|美国豪威|||||||2028/5/12|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL THAT HAS POSITIVETRANSFER GATE VOLTAGE DURINGINTEGRATION PERIOD||||US 7,956,913 B2||2010/7/26||2011/6/7|||
|353|||美国|美国豪威|||||||2024/10/15|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,355,228 B2||2004/10/15||2008/4/8|||
|354|||美国|美国豪威|||||||2025/11/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,521,738 B2||2008/3/18||2009/4/21|||
|355|||美国|美国豪威|||||||2024/10/15|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,670,865 B2||2008/3/18||2010/3/2|||
|356|||美国|美国豪威|||||||2024/11/23|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,939,357 B2||2010/1/21||2011/5/10|||
|357|||美国|美国豪威|||||||2028/3/18|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANANTI-REFLECTIVE COATING OVER THEPHOTODIODE||||US 7,196,314 B2||2004/11/9||2007/3/27|||
|358|||美国|美国豪威|||||||2024/12/16|
||LOCAL INTERCONNECT STRUCTURE ANDMETHOD FOR A CMOS IMAGE SENSOR||||US 7,345,330 B2||2004/12/9||2008/3/18|||
|359|||美国|美国豪威|||||||2025/4/13|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANOPTIMIZED FLOATING DIFFUSION||||US 7,115,925 B2||2005/1/14||2006/10/3|||
|360|||美国|美国豪威|||||||2025/1/28|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANOPTIMIZED FLOATING DIFFUSION||||US 7,524,695 B2||2006/8/25||2009/4/28|||
|361|||美国|美国豪威|||||||2025/4/12|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH INDIUM PINNING LAYER||||US 7,432,543 B2||2004/12/3||2008/10/7|||
|362|||美国|美国豪威|||||||2024/12/3|
|363|AUTOMATIC FOCUS FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 7,589,781 B2||2005/1/26||2009/9/15||2028/3/7|
||DEUTERIUM ALLOY PROCESS FOR IMAGESENSORS||||US 7,253,020 B2||2005/1/4||2007/8/7|||
|364|||美国|美国豪威|||||||2025/1/4|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING A TRANSFERGATE FORMED FROM P+ OR N+ DOPEDPOLYSILICON||||US 7,675,094 B2||2004/12/22||2010/3/9|||
|365|||美国|美国豪威|||||||2026/12/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING A LATERALDOPING PROFILE FORMED WITH INDIUMDOPING||||US 7,666,703 B2||2005/1/14||2010/2/23|||
|366|||美国|美国豪威|||||||2028/12/25|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING A LATERALDOPING PROFILE FORMED WITH INDIUMDOPING||||US 7,825,444 B2||2010/1/19||2010/11/2|||
|367|||美国|美国豪威|||||||2025/1/14|
|368|IMAGE ANTI-SHAKE IN DIGITAL CAMERAS||美国|美国豪威|US 7,593,040 B2||2006/3/31||2009/9/22||2028/3/6|
||SELF-ALIGNED PHOTODIODE FOR CMOS IMAGESENSOR AND METHOD OF MAKING||||US 7,344,910 B2||2005/9/27||2008/3/18|||
|369|||美国|美国豪威|||||||2025/11/2|
||IMAGE SENSING DEVICES, IMAGE SENSORMODULES, AND ASSOCIATED METHODS||||US 7,268,335 B2||2006/1/27||2007/9/11|||
|370|||美国|美国豪威|||||||2026/1/27|
||METHOD AND APPARATUS FOR INCREASINGLIGHT ABSORPTION IN AN IMAGE SENSORUSING ENERGY CONVERSION LAYER||||US 7,541,596 B2||2007/6/28||2009/6/2|||
|371|||美国|美国豪威|||||||2026/8/13|
||IMAGE SENSOR HAVING CURVEDMICRO-MIRRORS OVER THE SENSINGPHOTODIODE AND METHOD FOR FABRICATING||||US 7,888,159 B2||2006/10/26||2011/2/15|||
|372|||美国|美国豪威|||||||2028/10/30|
||IMAGE SENSOR HAVING CURVEDMICRO-MIRRORS OVER THE SENSINGPHOTODIODE AND METHOD FOR FABRICATING||||US 8,338,900 B2||2011/1/6||2012/12/25|||
|373|||美国|美国豪威|||||||2026/10/26|
||IMAGE SENSORS WITH BLOOMING REDUCTIONMECHANISMS||||US 7,808,538 B2||2007/1/22||2010/10/5|||
|374|||美国|美国豪威|||||||2029/4/29|
|375|IMAGING SENSOR HAVING REDUCED COLUMN||美国|美国豪威|US 8,248,490 B2||2010/4/21||2012/8/21||2031/1/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FIXED PATTERN NOISE|||||||||||
||LIGHT SOURCE FREQUENCY DETECTIONCIRCUIT FOR IMAGE SENSOR||||US 7,605,359 B2||2007/9/14||2009/10/20|||
|376|||美国|美国豪威|||||||2028/1/3|
||SWITCHED-CAPACITOR AMPLIFIER WITHIMPROVED RESET PHASE||||US 7,639,073 B2||2007/11/16||2009/12/29|||
|377|||美国|美国豪威|||||||2027/11/16|
||REPLICA BIAS CIRCUIT FOR HIGH SPEED LOWVOLTAGE COMMON MODE DRIVER||||US 7,619,448 B2||2007/12/17||2009/11/17|||
|378|||美国|美国豪威|||||||2028/1/22|
||HYBRID ON-CHIP REGULATOR FOR LIMITEDOUTPUT HIGH VOLTAGE||||US 7,804,345 B2||2008/1/15||2010/9/28|||
|379|||美国|美国豪威|||||||2028/2/8|
||HYBRID ON-CHIP REGULATOR FOR LIMITEDOUTPUT HIGH VOLTAGE||||US 7,868,676 B2||2010/8/20||2011/1/11|||
|380|||美国|美国豪威|||||||2028/1/15|
|381|REDUCED VOLTAGE SUBLVDS RECEIVER||美国|美国豪威|US 7,646,220 B2||2007/9/27||2010/1/12||2027/12/23|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORHAVING A CARRIER SUBTRATE AND AREDISTRIBUTION LAYER||||US 8,809,923 B2||2008/2/6||2014/8/19|||
|382|||美国|美国豪威|||||||2028/2/6|
|383|SELF-ALIGNED FILTER FOR AN IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,319,301 B2||2008/2/11||2012/11/27||2029/3/29|
||ALTERNATING ROW INFRARED FILTER FOR ANIMAGE SENSOR||||US 8,237,121 B2||2008/2/7||2012/8/7|||
|384|||美国|美国豪威|||||||2030/2/1|
||TRANSISTOR WITH CONTACT OVER GATEACTIVE AREA||||US 7,875,913 B2||2008/5/30||2011/1/25|||
|385|||美国|美国豪威|||||||2028/12/19|
|386|GLOBALLY RESET IMAGE SENSOR PIXELS||美国|美国豪威|US 7,781,718 B2||2008/5/30||2010/8/24||2028/5/30|
|387|FRONTSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 7,982,177 B2||2008/1/31||2011/7/19||2028/4/8|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||COMPRISING A COMPLEX-SHAPED REFLECTOR|||||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING DIFFERENTWAVELENGTH FILTERS||||US 7,990,445 B2||2008/5/30||2011/8/2|||
|388|||美国|美国豪威|||||||2029/8/22|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH BACKSIDE p+ DOPED LAYER||||US 7,741,666 B2||2008/6/17||2010/6/22|||
|389|||美国|美国豪威|||||||2028/2/8|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORHAVING DEEP LIGHT REFLECTIVE TRENCHES||||US 7,800,192 B2||2008/9/4||2010/9/21|||
|390|||美国|美国豪威|||||||2028/10/18|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORHAVING DEEP LIGHT REFLECTIVE TRENCHES||||US 8,187,909 B2||2010/8/10||2012/5/29|||
|391|||美国|美国豪威|||||||2029/2/12|
||LIGHT SOURCE FREQUENCY DETECTIONCIRCUIT USING BIPOLAR TRANSISTOR||||US 7,847,834 B2||2007/11/19||2010/12/7|||
|392|||美国|美国豪威|||||||2029/1/27|
||BLACK REFERENCE PIXEL FOR BACKSIDEILLUMINATED IMAGE SENSOR||||US 8,482,639 B2||2008/2/8||2013/7/9|||
|393|||美国|美国豪威|||||||2030/6/10|
||IMAGE SENSOR WITH MICRO-LENSES OFVARYING FOCAL LENGTHS||||US 8,097,890 B2||2008/2/11||2012/1/17|||
|394|||美国|美国豪威|||||||2028/3/22|
||IMAGE SENSOR WITH COLOR PIXELS HAVINGUNIFORM LIGHT ABSORPTION DEPTHS||||US 9,419,035 B2||2012/1/5||2016/8/16|||
|395|||美国|美国豪威|||||||2029/2/22|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH SILICIDE LIGHT REFLECTING LAYER||||US 7,989,859 B2||2008/6/19||2011/8/2|||
|396|||美国|美国豪威|||||||2028/8/20|
||IMAGE SENSOR WITH BURIED SELF ALIGNEDFOCUSING ELEMENT||||US 7,589,306 B2||2008/2/12||2009/9/15|||
|397|||美国|美国豪威|||||||2028/2/12|
||IMAGE SENSOR WITH BURIED SELF ALIGNEDFOCUSING ELEMENT||||US 8,183,510 B2||2009/9/14||2012/5/22|||
|398|||美国|美国豪威|||||||2029/3/7|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR WITH FOCUSINGINTERCONNECTIONS||||US 8,237,832 B2||2008/5/30||2012/8/7|||
|399|||美国|美国豪威|||||||2029/6/14|
||VARIABLE TRANSFER GATE OXIDE THICKNESSFOR IMAGE SENSOR||||US 7,692,134 B2||2008/3/24||2010/4/6|||
|400|||美国|美国豪威|||||||2028/3/24|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVED IMAGEPROCESSING||||US 8,179,458 B2||2009/10/13||2012/5/15|||
|401|||美国|美国豪威|||||||2030/10/28|
|402|HIGH CONVERSION GAIN IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,299,513 B2||2008/4/30||2012/10/30||2029/5/21|
||SYSTEM AND METHOD FOR ADAPTIVE LOCALWHITE BALANCE ADJUSTMENT||||US 8,013,907 B2||2008/4/8||2011/9/6|||
|403|||美国|美国豪威|||||||2029/11/14|
||IMAGE SENSOR WITH LOW ELECTRICALCROSS-TALK||||US 8,357,984 B2||2008/10/27||2013/1/22|||
|404|||美国|美国豪威|||||||2029/8/10|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH HIGHFULL-WELL-CAPACITY||||US 7,888,215 B2||2008/6/4||2011/2/15|||
|405|||美国|美国豪威|||||||2029/4/11|
||IMAGE SENSORARRAYWITH CONFORMALCOLOR FILTERS||||US 7,968,923 B2||2008/3/12||2011/6/28|||
|406|||美国|美国豪威|||||||2030/1/15|
||IMAGE SENSORARRAYWITH CONFORMALCOLOR FILTERS||||US 8,232,132 B2||2011/5/18||2012/7/31|||
|407|||美国|美国豪威|||||||2028/3/12|
||IMAGE SENSOR WITH PRISMATICDE-MULTIPLEXING||||US 8,581,174 B2||2008/8/26||2013/11/12|||
|408|||美国|美国豪威|||||||2029/9/15|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH IMPROVED INFRARED SENSITIVITY||||US 7,888,763 B2||2008/9/3||2011/2/15|||
|409|||美国|美国豪威|||||||2028/8/4|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH IMPROVED INFRARED SENSITIVITY||||US 8,329,497 B2||2011/1/4||2012/12/11|||
|410|||美国|美国豪威|||||||2028/4/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TRENCH TRANSFER GATE FOR INCREASEDPIXEL FILL FACTOR||||US 8,658,956 B2||2009/10/20||2014/2/25|||
|411|||美国|美国豪威|||||||2032/3/4|
||LIGHTLY-DOPED DRAINS (LDD) OF IMAGESENSOR TRANISITORS USING SELFCTIVEEPITAXY||||US 8,253,200 B2||2008/11/19||2012/8/28|||
|412|||美国|美国豪威|||||||2029/10/30|
||LIGHTLY-DOPED DRAINS (LDD) OF IMAGESENSOR TRANISITORS USING SELFCTIVEEPITAXY||||US 8,859,352 B2||2012/7/26||2014/10/14|||
|413|||美国|美国豪威|||||||2029/8/31|
||CIRCUIT AND PHOTO SENSOR OVERLAP FORBACKSIDE ILLUMINATION IMAGE SENSOR||||US 8,101,978 B2||2008/3/21||2012/1/24|||
|414|||美国|美国豪威|||||||2029/10/28|
||CIRCUIT AND PHOTO SENSOR OVERLAP FORBACKSIDE ILLUMINATION IMAGE SENSOR||||US 8,228,411 B2||2011/12/15||2012/7/24|||
|415|||美国|美国豪威|||||||2028/3/21|
||MULTILAYER IMAGE SENSOR STRUCTURE FORREDUCING CROSSTALK||||US 7,948,018 B2||2008/4/24||2011/5/24|||
|416|||美国|美国豪威|||||||2028/11/21|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH VERTICAL PIXEL SENSOR||||US 8,063,465 B2||2008/10/28||2011/11/22|||
|417|||美国|美国豪威|||||||2029/8/23|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH VERTICAL PIXEL SENSOR||||US 8,513,762 B2||2011/9/30||2013/8/20|||
|418|||美国|美国豪威|||||||2028/4/24|
||MASKED LASER ANNEAL DURING FABRICATIONOF BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORS||||US 7,901,974 B2||2008/7/23||2011/3/8|||
|419|||美国|美国豪威|||||||2029/5/20|
||IMAGE SENSOR WITH GLOBAL SHUTTER AND INPIXEL STORAGE TRANSISTOR||||US 8,089,036 B2||2009/4/30||2012/1/3|||
|420|||美国|美国豪威|||||||2030/5/28|
|421|IMAGE SENSOR WITH SIMULTANEOUS||美国|美国豪威|US 7,667,169 B2||2008/5/22||2010/2/23||2028/5/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AUTO-FOCUS AND IMAGE PREVIEW|||||||||||
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH REDUCED LEAKAGE PHOTODIODE||||US 8,212,901 B2||2008/9/5||2012/7/3|||
|422|||美国|美国豪威|||||||2030/12/25|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH LIGHT REFLECTING TRANSFER GATE||||US 7,820,498 B2||2008/8/27||2010/10/26|||
|423|||美国|美国豪威|||||||2029/1/30|
||IMAGE SENSOR WITH BACKSIDE PASSIVATIONAND METAL LAYER||||US 8,008,695 B2||2008/5/29||2011/8/30|||
|424|||美国|美国豪威|||||||2028/8/11|
||IMAGE SENSOR WITH BACKSIDE PASSIVATIONAND METAL LAYER||||US 8,232,133 B2||2011/7/26||2012/7/31|||
|425|||美国|美国豪威|||||||2028/5/29|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE USINGNON-UNIFORM AVERAGING||||US 8,149,292 B2||2008/6/11||2012/4/3|||
|426|||美国|美国豪威|||||||2031/1/16|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH IMPROVED ANGULAR RESPONSE||||US 7,902,618 B2||2008/11/17||2011/3/8|||
|427|||美国|美国豪威|||||||2029/6/5|
|428|PARTIAL ROW READOUT FOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,081,247 B2||2008/6/18||2011/12/20||2030/8/7|
||IMAGE SENSOR WITH LOW CROSSTALK ANDHIGH RED SENSITIVITY||||US 7,910,961 B2||2008/10/8||2011/3/22|||
|429|||美国|美国豪威|||||||2029/8/28|
||SINGLE ROW BASED DEFECTIVE PIXELCORRECTION||||US 8,164,660 B2||2008/10/28||2012/4/24|||
|430|||美国|美国豪威|||||||2031/1/17|
||AUTOMATIC WHITE BALANCING USING METERSENSORS||||US 8,243,162 B2||2008/12/11||2012/8/14|||
|431|||美国|美国豪威|||||||2031/1/15|
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) IMAGE SENSORWITH BACKSIDE DIFFUSION DOPING||||US 8,017,427 B2||2008/12/31||2011/9/13|||
|432|||美国|美国豪威|||||||2029/11/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) IMAGE SENSORWITH BACKSIDE DIFFUSION DOPING||||US 8,415,727 B2||2011/8/4||2013/4/9|||
|433|||美国|美国豪威|||||||2028/12/31|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVEDBACKSIDE SURFACE TREATMENT||||US 7,952,096 B2||2008/12/8||2011/5/31|||
|434|||美国|美国豪威|||||||2029/10/22|
||HIGH FULL-WELL CAPACITY PIXEL WITHGRADED PHOTODETECTOR IMPLANT||||US 8,293,629 B2||2010/4/6||2012/10/23|||
|435|||美国|美国豪威|||||||2030/11/12|
||HIGH FULL-WELL CAPACITY PIXEL WITHGRADED PHOTODETECTOR IMPLANT||||US 8,502,290 B2||2012/9/13||2013/8/6|||
|436|||美国|美国豪威|||||||2030/4/6|
||IMAGE SENSOR HAVING ARRAY OF PIXELS ANDMETAL PEFLECTORS WITH WIDTHS SCALEDBASED ON DISTANCE FROM CENTER OF THEARRAY||||US 8,389,921 B2||2010/4/30||2013/3/5|||
|437|||美国|美国豪威|||||||2031/5/7|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH REINFORCED PAD STRUCTURE||||US 8,247,852 B2||2009/11/17||2012/8/21|||
|438|||美国|美国豪威|||||||2030/7/13|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH REINFORCED PAD STRUCTURE||||US 8,431,429 B2||2012/7/20||2013/4/30|||
|439|||美国|美国豪威|||||||2029/11/17|
||PHOTO DETECTORARRAY HAVING ARRAY OFDISCRETE ELECTRON REPULSIVE ELEMENTS||||US 8,227,884 B2||2009/11/4||2012/7/24|||
|440|||美国|美国豪威|||||||2030/2/3|
||PHOTO DETECTOR ARRAY HAVING ARRAY OFDISCRETE ELECTRON REPULSIVE ELEMENTS||||US 8,766,391 B2||2012/3/26||2014/7/1|||
|441|||美国|美国豪威|||||||2030/4/18|
||APPARATUS HAVING THINNER INTERCONNECTLINE FOR PHOTODETECTOR ARRAY ANDTHICKER INTERCONNECT LINE FOR PERIPHERY||||US 9,165,969 B2||2010/3/18||2015/10/20|||
|442|||美国|美国豪威|||||||2033/5/7|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||REGION|||||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING WAVEGUIDES FORMEDIN COLOR FILTERS||||US 8,269,264 B2||2009/11/9||2012/9/18|||
|443|||美国|美国豪威|||||||2030/9/1|
||IMAGE SENSOR HAVING WAVEGUIDES FORMEDIN COLOR FILTERS||||US 8,507,964 B2||2012/8/21||2013/8/13|||
|444|||美国|美国豪威|||||||2029/11/9|
||IMAGER WITH VARIABLE AREA COLOR FILTERARRAY AND PIXEL ELEMENTS||||US 8,314,866 B2||2010/4/6||2012/11/20|||
|445|||美国|美国豪威|||||||2030/12/1|
||IMAGER WITH VARIABLE AREA COLOR FILTERARRAY AND PIXEL ELEMENTS||||US 8,723,994 B2||2012/11/1||2014/5/13|||
|446|||美国|美国豪威|||||||2030/6/21|
||CMOS PIXEL INCLUDING A TRANSFER GATEOVERLAPPING THE PHOTOSENSITIVE REGION||||US 8,653,436 B2||2009/12/17||2014/2/18|||
|447|||美国|美国豪威|||||||2031/12/12|
||MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTUREFOR REDUCING CROSSTALK||||US 7,875,918 B2||2009/4/24||2011/1/25|||
|448|||美国|美国豪威|||||||2029/5/30|
||MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTUREFOR REDUCING CROSSTALK||||US 8,330,195 B2||2010/12/14||2012/12/11|||
|449|||美国|美国豪威|||||||2029/9/5|
|450|IMAGE SENSOR WITH CONTACT DUMMY PIXELS||美国|美国豪威|US 8,492,865 B2||2010/8/2||2013/7/23||2031/7/16|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH HEATMANAGEMENT STRUCTURES||||US 8,274,101 B2||2010/8/9||2012/9/25|||
|451|||美国|美国豪威|||||||2031/2/3|
||ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICESHAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR||||US 8,532,349 B2||2010/2/2||2013/9/10|||
|452|||美国|美国豪威|||||||2032/7/13|
|453|ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICES||美国|美国豪威|US 9,807,347 B2||2013/8/7||2017/10/31||2032/3/9|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||HAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR|||||||||||
||ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICESHAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR||||US 9,819,908 B2||2013/8/7||2017/11/14|||
|454|||美国|美国豪威|||||||2035/8/2|
||ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICESHAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR||||US 9,912,913 B2||2013/8/7||2018/3/6|||
|455|||美国|美国豪威|||||||2032/1/5|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED BLACK LEVELCALIBRATION||||US 8,233,066 B2||2010/2/18||2012/7/31|||
|456|||美国|美国豪威|||||||2030/12/27|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED BLACK LEVELCALIBRATION||||US 8,314,869 B2||2012/6/13||2012/11/20|||
|457|||美国|美国豪威|||||||2030/2/18|
|458|LASER ANNEAL FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 8,278,690 B2||2010/4/27||2012/10/2||2030/9/28|
|459|LASER ANNEAL FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 8,318,529 B1||2012/8/3||2012/11/27||2030/4/27|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVEDPHOTODIODE AREA ALLOCATION||||US 8,405,748 B2||2010/7/16||2013/3/26|||
|460|||美国|美国豪威|||||||2031/3/16|
|461|DUAL-SIDED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,947,572 B2||2010/5/24||2015/2/3||2030/5/24|
||IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLORFILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOROUTPUT||||US 8,345,132 B2||2010/7/23||2013/1/1|||
|462|||美国|美国豪威|||||||2030/7/23|
||IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLORFILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOR||||US 8,817,142 B2||2012/11/27||2014/8/26|||
|463|||美国|美国豪威|||||||2030/9/13|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||OUTPUT|||||||||||
||IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLORFILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOROUTPUT||||US 8,670,052 B2||2012/11/27||2014/3/11|||
|464|||美国|美国豪威|||||||2030/7/23|
||REINFORCEMENT STRUCTURE FORWAFER-LEVEL CAMERA MODULE||||US 8,665,364 B2||2011/5/3||2014/3/4|||
|465|||美国|美国豪威|||||||2031/5/3|
||IMAGE SENSOR WITH PIPELINED COLUMNANALOG-TO-DIGITAL CONVERTERS||||US 8,730,364 B2||2011/4/5||2014/5/20|||
|466|||美国|美国豪威|||||||2032/7/25|
||BACKSIDE STIMULATED SENSOR WITHBACKGROUND CURRENT MANIPULATION||||US 8,519,490 B2||2010/8/9||2013/8/27|||
|467|||美国|美国豪威|||||||2031/9/3|
||BACKSIDE STIMULATED SENSOR WITHBACKGROUND CURRENT MANIPULATION||||US 8,680,630 B2||2013/7/24||2014/3/25|||
|468|||美国|美国豪威|||||||2030/8/9|
||BACKSIDE STIMULATED SENSOR WITHBACKGROUND CURRENT MANIPULATION||||US 8,987,841 B2||2014/3/11||2015/3/24|||
|469|||美国|美国豪威|||||||2034/3/11|
|470|ENTRENCHED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 8,487,350 B2||2010/8/20||2013/7/16||2031/7/27|
|471|ENTRENCHED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 9,570,507 B2||2013/5/17||2017/2/14||2031/4/29|
|472|OPTICAL TOUCH-SCREEN IMAGER||美国|美国豪威|US 8,541,856 B2||2010/12/8||2013/9/24||2031/12/27|
||VARIABLE VOLTAGE ROW DRIVER FOR CMOSIMAGE SENSOR||||US 8,885,085 B2||2012/2/1||2014/11/11|||
|473|||美国|美国豪威|||||||2033/4/20|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHSTRESSED FILM||||US 8,338,856 B2||2010/8/10||2012/12/25|||
|474|||美国|美国豪威|||||||2030/10/7|
|475|BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH||美国|美国豪威|US 8,759,934 B2||2012/10/11||2014/6/24||2030/8/10|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||STRESSED FILM|||||||||||
||VISIBLE AND INFRARED DUAL MODE IMAGINGSYSTEM||||US 8,408,821 B2||2010/10/12||2013/4/2|||
|476|||美国|美国豪威|||||||2030/12/6|
||METHOD OF DAMAGE-FREE IMPURITY DOPINGFOR CMOS IMAGE SENSORS||||US 8,614,112 B2||2010/10/1||2013/12/24|||
|477|||美国|美国豪威|||||||2031/9/23|
||IMAGE SENSOR HAVING SUPPLEMENTALCAPACITIVE COUPLING NODE||||US 8,294,077 B2||2010/12/17||2012/10/23|||
|478|||美国|美国豪威|||||||2031/7/5|
||IMAGE SENSOR HAVING SUPPLEMENTALCAPACITIVE COUPLING NODE||||US 8,426,796 B2||2012/9/14||2013/4/23|||
|479|||美国|美国豪威|||||||2030/12/17|
||BLACK LEVEL CORRECTION FOR IMAGINGPIXELS||||US 8,698,922 B2||2012/2/14||2014/4/15|||
|480|||美国|美国豪威|||||||2032/10/12|
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) IMAGE SENSORWITH REDUCED BLOOMING AND ELECTRICALSHUTTER||||US 8,946,795 B2||2011/3/17||2015/2/3|||
|481|||美国|美国豪威|||||||2031/7/30|
||REDUCING NOISE IN IMAGE SENSORS BYCONCURRENTLY READING RESET AND IMAGESIGNAL LEVELS FROM ACTIVE AND REFERENCEPIXELS||||US 8,643,750 B2||2010/12/22||2014/2/4|||
|482|||美国|美国豪威|||||||2031/1/8|
|483|WAFER DICING USING SCRIBE LINE ETCH||美国|美国豪威|US 8,071,429 Bl||2010/11/24||2011/12/6||2030/11/24|
||SEAL RING SUPPORT FOR BACKSIDEILLUMINATED IMAGE SENSOR||||US 8,373,243 B2||2011/1/6||2013/2/12|||
|484|||美国|美国豪威|||||||2031/6/19|
||SEAL RING SUPPORT FOR BACKSIDEILLUMINATED IMAGE SENSOR||||US 8,466,010 B2||2013/1/7||2013/6/18|||
|485|||美国|美国豪威|||||||2031/1/6|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ANALOG ROW BLACK LEVEL CALIBRATION FORCMOS IMAGE SENSOR||||US 8,405,747 B2||2011/2/17||2013/3/26|||
|486|||美国|美国豪威|||||||2031/8/28|
||ANALOG ROW BLACK LEVEL CALIBRATION FORCMOS IMAGE SENSOR||||US 8,508,629 B2||2013/1/8||2013/8/13|||
|487|||美国|美国豪威|||||||2031/2/17|
|488|MINIATURE WAFER-LEVEL CAMERA MODULES||美国|美国豪威|US 9,876,051 B2||2015/12/15||2018/1/23||2035/12/15|
||MISSING CODE REDISTRIBUTION IN PIPELINEANALOG TO DIGITAL CONVERTER||||US 8,648,913 B2||2011/4/15||2014/2/11|||
|489|||美国|美国豪威|||||||2032/4/25|
||OPTICAL TOUCHPAD FOR TOUCH AND GESTURERECOGNITION||||US 9,213,438 B2||2011/6/2||2015/12/15|||
|490|||美国|美国豪威|||||||2033/5/1|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH PERIPHERALTRENCH CAPACITOR||||US 8,253,178 Bl||2011/8/2||2012/8/28|||
|491|||美国|美国豪威|||||||2031/8/2|
|492|COLOR FILTER PATTERNING USING HARD MASK||美国|美国豪威|US 9,236,411 B2||2011/8/3||2016/1/12||2034/6/3|
||ETCHING NARROW, TALL DIELECTRICISOLATION STRUCTURES FROM A DIELECTRICLAYER||||US 8,338,263 B1||2011/6/20||2012/12/25|||
|493|||美国|美国豪威|||||||2031/6/20|
||ETCHING NARROW, TALL DIELECTRICISOLATION STRUCTURES FROM A DIELECTRICLAYER||||US 8,729,655 B2||2012/8/2||2014/5/20|||
|494|||美国|美国豪威|||||||2031/9/24|
|495|LOW COMMON MODE DRIVER||美国|美国豪威|US 8,466,982 B2||2011/6/6||2013/6/18||2032/2/22|
|496|IN-PIXEL HIGH DYNAMIC RANGE IMAGING||美国|美国豪威|US 8,643,132 B2||2011/6/8||2014/2/4||2031/8/22|
|497|IMAGE OVERLAY IN A MOBILE DEVICE||美国|美国豪威|US 8,988,558 B2||2011/4/26||2015/3/24||2031/11/7|
|498|ISOLATION AREA BETWEEN SEMICONDUCTOR||美国|美国豪威|US 8,471,316 B2||2011/9/7||2013/6/25||2031/9/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DEVICES HAVING ADDITIONAL ACTIVE AREA|||||||||||
||IMAGE SENSOR WITH REDUCED NOISE BYBLOCKING NITRIDATION USING PHOTORESIST||||US 8,642,374 B2||2011/9/7||2014/2/4|||
|499|||美国|美国豪威|||||||2032/3/9|
||IMAGE CAPTURE SYSTEMS WITH FOCUSINGCAPABILITIES||||US 8,878,976 B2||2011/6/8||2014/11/4|||
|500|||美国|美国豪威|||||||2033/4/7|
||ENCLOSURE FOR IMAGE CAPTURE SYSTEMSWITH FOCUSING CAPABILITIES||||US 8,896,743 B2||2011/6/8||2014/11/25|||
|501|||美国|美国豪威|||||||2033/5/26|
||ENHANCED PIXEL CELL ARCHITECTURE FOR ANIMAGE SENSOR HAVING A DIRECT OUTPUTFROM A BURIED CHANNEL SOURCE FOLLOWERTRANSISTOR TO A BIT LINE||||US 8,742,311 B2||2012/2/27||2014/6/3|||
|502|||美国|美国豪威|||||||2033/1/5|
|503|IMAGE SENSOR WITH MICRO-LENS COATING||美国|美国豪威|US 8,952,309 B2||2011/10/4||2015/2/10||2033/6/7|
||MULTILEVEL RESET VOLTAGE FORMULTI-CONVERSION GAIN IMAGE SENSOR||||US 8,729,451 B2||2011/8/30||2014/5/20|||
|504|||美国|美国豪威|||||||2032/8/22|
|505|DUAL-FACING CAMERA ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 8,497,536 B2||2011/9/16||2013/7/30||2031/11/22|
|506|DUAL-FACING CAMERA ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 8,900,912 B2||2013/6/26||2014/12/2||2031/9/16|
|507|DUAL-FACING CAMERA ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 9,305,962 B2||2014/10/30||2016/4/5||2034/10/30|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FORPROVIDING IMPROVED FULL WELL CAPACITY INAN IMAGE SENSOR PIXEL||||US 8,804,021 B2||2011/11/3||2014/8/12|||
|508|||美国|美国豪威|||||||2033/2/8|
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) PIXELINCLUDING LIGHT GUIDE||||US 8,680,454 B2||2011/12/1||2014/3/25|||
|509|||美国|美国豪威|||||||2032/12/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PARTIAL BURIED CHANNEL TRANSFER DEVICEFOR IMAGE SENSORS||||US 9,698,185 B2||2011/10/13||2017/7/4|||
|510|||美国|美国豪威|||||||2035/12/26|
||METHODS OF FORMING VARYING DEPTHTRENCHES IN SEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,575,035 B2||2012/2/22||2013/11/5|||
|511|||美国|美国豪威|||||||2032/2/22|
||MULTIPLE-ROW CONCURRENT READOUTSCHEME FOR HIGH-SPEED CMOS IMAGE SENSORWITH BACKSIDE ILLUMINATION||||US 8,809,759 B2||2012/2/3||2014/8/19|||
|512|||美国|美国豪威|||||||2032/8/20|
||HIGH DYNAMIC RANGE SUB-SAMPLINGARCHITECTURE||||US 8,599,284 B2||2012/2/3||2013/12/3|||
|513|||美国|美国豪威|||||||2032/8/18|
||ARITHMETIC COUNTER CIRCUIT,CONFIGURATION AND APPLICATION FOR HIGHPERFORMANCE CMOS IMAGE SENSORS||||US 8,576,979 B2||2012/2/3||2013/11/5|||
|514|||美国|美国豪威|||||||2032/2/3|
|515|CMOS IMAGE SENSOR WITH RESET SHIFLD LINE||美国|美国豪威|US 8,461,660 B2||2011/9/30||2013/6/11||2031/9/30|
|516|CMOS IMAGE SENSOR WITH RESET SHIFLD LINE||美国|美国豪威|US 9,190,434 B2||2013/4/8||2015/11/17||2031/11/23|
||CIRCUIT CONFIGURATION AND METHOD FORTIME OF FLIGHT SENSOR||||US 8,686,367 B2||2012/3/1||2014/4/1|||
|517|||美国|美国豪威|||||||2032/6/27|
||IMAGE SENSOR FOR TWO-DIMENSIONAL ANDTHREE-DIMENSIONAL IMAGE CAPURE||||US 8,569,700 B2||2012/3/6||2013/10/29|||
|518|||美国|美国豪威|||||||2032/3/17|
||PAD DESIGN FOR CIRCUIT UNDER PAD INSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,569,856 B2||2011/11/3||2013/10/29|||
|519|||美国|美国豪威|||||||2032/3/24|
||PAD DESIGN FOR CIRCUIT UNDER PAD INSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,729,712 B2||2013/10/14||2014/5/20|||
|520|||美国|美国豪威|||||||2031/11/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CHANNELWIDTH||||US 8,716,768 B2||2011/10/20||2014/5/6|||
|521|||美国|美国豪威|||||||2032/4/22|
||IMAGE SENSOR WITH OPTICAL FILTERS HAVINGALTERNATING POLARIZATION FOR 3D IMAGING||||US 9,177,983 B2||2012/1/23||2015/11/3|||
|522|||美国|美国豪威|||||||2033/5/10|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOREXCHANGING VIDEO DATA IN PARALLEL||||US 9,167,272 B2||2012/4/25||2015/10/20|||
|523|||美国|美国豪威|||||||2034/7/13|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM TOPROVIDE VIDEO DATA FOR BUFFERING||||US 8,963,944 B2||2012/5/15||2015/2/24|||
|524|||美国|美国豪威|||||||2033/6/14|
|525|SHARED TIME OF FLIGHT PIXEL||美国|美国豪威|US 8,642,938 B2||2012/1/13||2014/2/4||2032/9/4|
|526|METHOD FOR COMBINING IMAGES||美国|美国豪威|US 9,600,863 B2||2012/2/13||2017/3/21||2033/5/8|
||PAD AND CIRCUIT LAYOUT FORSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,916,980 B2||2012/2/16||2014/12/23|||
|527|||美国|美国豪威|||||||2032/3/11|
||LATERAL LIGHT SHIELD IN BACKSIDEILLUMINATED IMAGING SENSORS||||US 8,772,898 B2||2012/2/9||2014/7/8|||
|528|||美国|美国豪威|||||||2032/9/27|
||LATERAL LIGHT SHIELD IN BACKSIDEILLUMINATED IMAGINE SENSORS||||US 9,177,982 B2||2014/6/30||2015/11/3|||
|529|||美国|美国豪威|||||||2034/6/30|
||IR-CUT FILTER HAVING RED ABSORBING LAYERFOR DIGITAL CAMERA||||US 9,366,942 B2||2011/12/9||2016/6/14|||
|530|||美国|美国豪威|||||||2039/4/2|
||IMAGE SENSOR HAVING A PULSED MODE OFOPERATION||||US 8,892,163 B2||2012/3/6||2014/11/18|||
|531|||美国|美国豪威|||||||2032/10/21|
||CALIBRATION IN MULTIPLE SLOPE COLUMNPARALLEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION||||US 8,730,081 B2||2012/3/19||2014/5/20|||
|532|||美国|美国豪威|||||||2032/4/12|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FOR IMAGE SENSORS|||||||||||
||CALIBRATION IN MULTIPLE SLOPE COLUMNPARALLEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSIONFOR IMAGE SENSORS||||US 8,941,527 B2||2014/4/21||2015/1/27|||
|533|||美国|美国豪威|||||||2032/3/19|
||CALIBRATION IN MULTIPLE SLOPE COLUMNPARALLEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSIONFOR IMAGE SENSORS||||US 8,994,832 B1||2014/12/17||2015/3/31|||
|534|||美国|美国豪威|||||||2032/3/19|
||IMAGE SENSOR WITH INTEGRATED AMBIENTLIGHT DETECTION||||US 8,735,795 B2||2012/1/20||2014/5/27|||
|535|||美国|美国豪威|||||||2032/1/20|
||SHARED TERMINAL OF AN IMAGE SENSORSYSTEM FOR TRANSFERRING IMAGE DATA ANDCONTROL SIGNALS||||US 8,890,945 B2||2012/4/5||2014/11/18|||
|536|||美国|美国豪威|||||||2033/1/25|
||SHARED TERMINAL OF AN IMAGE SENSORSYSTEM FOR TRANSFERRING IMAGE DATA ANDCONTROL SIGNALS||||US 9,319,603 B2||2014/11/17||2016/4/19|||
|537|||美国|美国豪威|||||||2034/11/17|
||SHARED TERMINAL OF AN IMAGE SENSORSYSTEM FOR TRANSFERRING CLOCK ANDCONTROL SIGNALS||||US 8,810,670 B2||2012/4/5||2014/8/19|||
|538|||美国|美国豪威|||||||2032/10/6|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FORREDUCING PIXEL CELL NOISE||||US 9,007,504 B2||2012/4/6||2015/4/14|||
|539|||美国|美国豪威|||||||2033/5/9|
||WAFER LEVEL CAMERA MODULE WITH SNAP-INLATCH||||US 8,804,032 B2||2012/3/30||2014/8/12|||
|540|||美国|美国豪威|||||||2032/3/30|
|541|HYBRID ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER||美国|美国豪威|US 8,933,385 B2||2012/7/6||2015/1/13||2033/4/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||HAVING MULTIPLE ADC MODES|||||||||||
||DOUBLE-SIDED IMAGE SENSOR FORMED ON ASINGLE SEMICONDUCTOR WAFER DIE||||US 8,686,342 B2||2012/4/9||2014/4/1|||
|542|||美国|美国豪威|||||||2032/6/14|
||LARGE CMOS IMAGE SENSOR PIXEL WITHIMPROVED PERFORMANCE||||US 8,581,307 B1||2012/7/6||2013/11/12|||
|543|||美国|美国豪威|||||||2032/7/30|
||SHUTTER RELEASE USING SECONDARYCAMERA||||US 8,957,973 B2||2012/6/11||2015/2/17|||
|544|||美国|美国豪威|||||||2032/6/11|
||SHUTTER RELEASE USING SECONDARYCAMERA||||US 9,313,392 B2||2015/1/7||2016/4/12|||
|545|||美国|美国豪威|||||||2035/1/7|
||NOISE-MATCHING DYNAMIC BIAS FOR COLUMNRAMP COMPARATORS IN A CMOS IMAGESENSOR||||US 8,872,088 B2||2012/8/14||2014/10/28|||
|546|||美国|美国豪威|||||||2033/6/22|
|547|CAPACITANCE SELECTABLE CHARGE PUMP||美国|美国豪威|US 8,878,118 B2||2012/8/15||2014/11/4||2033/7/4|
||INTEGRATED CIRCUIT STACK WITHINTEGRATED ELECTROMAGNETICINTERFERENCE SHIELDING||||US 8,933,544 B2||2012/7/12||2015/1/13|||
|548|||美国|美国豪威|||||||2033/4/11|
||ACQUIRNG GLOBLE SHUTTER-TYPE VIDEOIMAGES WITH CMOS PIXEL ARRAY BYSTROBING LIGHT DURING VERTICAL BLANKINGPERIOD IN OTHERWISE DARK ENVIRONMENT||||US 9,119,544 B2||2012/9/19||2015/9/1|||
|549|||美国|美国豪威|||||||2033/10/12|
||SYNCHRONIZATION OF IMAGE ACQUISITION INMULTIPLE IMAGE SENSORS WITH ASYNCHRONIZATION CLOCK SIGNAL||||US 9,332,193 B2||2014/4/15||2016/5/3|||
|550|||美国|美国豪威|||||||2032/10/10|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||GROUND CONTACT STRUCTURE FOR A LOWDARK CURRENT CMOS PIXEL CELL||||US 8,686,477 B2||2012/7/25||2014/4/1|||
|551|||美国|美国豪威|||||||2032/7/25|
||LENS ARRAY FOR PARTITIONED IMAGE SENSORTO FOCUS A SINGLE IMAGE ONTO N IMAGESENSOR REGIONS||||US 8,791,403 B2||2012/6/1||2014/7/29|||
|552|||美国|美国豪威|||||||2033/2/22|
||METHOD AND APPARATUS FOR REDUCINGNOISE IN ANALOG IMAGE DATA OF A CMOSIMAGE SENSOR||||US 8,767,098 B2||2012/8/30||2014/7/1|||
|553|||美国|美国豪威|||||||2032/12/1|
||DEVICE AND METHOD FOR REDUCING SPECKLEIN PROJECTED IMAGES||||US 8,905,548 B2||2012/8/23||2014/12/9|||
|554|||美国|美国豪威|||||||2033/1/25|
||IMAGE SENSOR WITH FIXED POTENTIALOUTPUT TRANSISTOR||||US 8,817,154 B2||2012/8/30||2014/8/26|||
|555|||美国|美国豪威|||||||2033/1/10|
||CMOS IMAGE SENSOR SWITCH CIRCUIT FORREDUCED CHARGE INJECTION||||US 8,816,264 B2||2012/7/31||2014/8/26|||
|556|||美国|美国豪威|||||||2033/3/27|
|557|SELECTIVE GAIN CONTROL CIRCUIT||美国|美国豪威|US 8,952,795 B2||2012/9/6||2015/2/10||2033/2/1|
||IMAGE SENSOR HAVING METAL GRID WITH ATRIANGULAR CROSS-SECTION||||US 8,530,266 Bl||2012/7/18||2013/9/10|||
|558|||美国|美国豪威|||||||2032/7/18|
||COMPACT IN-PIXEL HIGH DYNAMIC RANGEIMAGING||||US 8,957,359 B2||2012/10/12||2015/2/17|||
|559|||美国|美国豪威|||||||2033/5/29|
||LENS ARRAY FOR PARTITIONED IMAGE SENSORHAVING COLOR FILTERS||||US 8,988,566 B2||2012/8/9||2015/3/24|||
|560|||美国|美国豪威|||||||2033/7/3|
||COMPARATOR CIRCUIT FOR REDUCED OUTPUTVARIATION||||US 8,748,798 B2||2012/9/5||2014/6/10|||
|561|||美国|美国豪威|||||||2032/12/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CIRCUIT STRUCTURE FOR PROVIDINGCONVERSION GAIN OF A PIXEL ARRAY||||US 9,083,899 B2||2013/2/21||2015/7/14|||
|562|||美国|美国豪威|||||||2034/2/28|
||LOW Z-HEIGHT PROJECTION SYSTEM FORPROJECTING STRUCTURED LIGHT FOR 3DIMAGING||||US 8,870,390 B2||2012/9/11||2014/10/28|||
|563|||美国|美国豪威|||||||2033/2/5|
||DIE SEAL RING FOR INTEGRATED CIRCUITSYSTEM WITH STACKED DEVICE WAFERS||||US 9,142,581 B2||2012/11/5||2015/9/22|||
|564|||美国|美国豪威|||||||2032/11/5|
||DIE SEAL RING FOR INTEGRATED CIRCUITSYSTEM WITH STACKED DEVICE WAFERS||||US 9,305,968 B2||2015/8/13||2016/4/5|||
|565|||美国|美国豪威|||||||2035/8/13|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FORPROVIDING PRE-EMPHASIS IN A SIGNAL||||US 9,300,331 B2||2012/11/9||2016/3/29|||
|566|||美国|美国豪威|||||||2034/11/28|
||RANDOM ESTIMATION ANALOG-TO-DIGITALCONVERTER||||US 8,698,666 Bl||2012/10/1||2014/4/15|||
|567|||美国|美国豪威|||||||2032/11/24|
||PARTIAL BURIED CHANNEL TRANSFER DEVICEIN IMAGE SENSORS||||US 8,809,925 B2||2012/10/11||2014/8/19|||
|568|||美国|美国豪威|||||||2032/11/28|
||IMAGE SENSOR AND COLOR FILTER ARRAYINCLUDING MULTIPLE SELECTABLE MESHEDFILTER SETS||||US 9,368,530 B2||2013/2/21||2016/6/14|||
|569|||美国|美国豪威|||||||2033/11/14|
||BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH OFFSETVOLTAGE REMOVAL||||US 9,063,556 B2||2013/2/11||2015/6/23|||
|570|||美国|美国豪威|||||||2034/2/14|
||NEGATIVELY CHARGED LAYER TO REDUCEIMAGE MEMORY EFFECT||||US 8,816,462 B2||2012/10/25||2014/8/26|||
|571|||美国|美国豪威|||||||2032/10/25|
|572|NEGATIVELY CHARGED LAYER TO REDUCE||美国|美国豪威|US 9,147,776 B2||2014/7/15||2015/9/29||2034/7/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE MEMORY EFFECT|||||||||||
||NEGATIVELY CHARGED LAYER TO REDUCEIMAGE MEMORY EFFECT||||US 9,105,767 B2||2014/7/15||2015/8/11|||
|573|||美国|美国豪威|||||||2034/7/15|
||IMAGE SENSOR WITH SUBSTRATE NOISEISOLATION||||US 9,030,584 B2||2013/3/18||2015/5/12|||
|574|||美国|美国豪威|||||||2033/9/6|
||ADAPTIVE MULTIPLE CONVERSION RAMPANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER||||US 8,816,893 B1||2013/2/12||2014/8/26|||
|575|||美国|美国豪威|||||||2033/2/12|
||CONVERSION CIRCUITRY FOR REDUCING PIXELARRAY READOUT TIME||||US 8,969,774 B2||2012/12/27||2015/3/3|||
|576|||美国|美国豪威|||||||2033/11/7|
||PROCESS TO ELIMINATE LAG IN PIXELS HAVINGA PLASMA-DOPED PINNING LAYER||||US 8,921,187 B2||2013/2/26||2014/12/30|||
|577|||美国|美国豪威|||||||2033/3/25|
||STACKED CHIP IMAGE SENSOR WITHLIGHT-SENSITIVE CIRCUIT ELEMENTS ON THEBOTTOM CHIP||||US 9,478,579 B2||2013/9/20||2016/10/25|||
|578|||美国|美国豪威|||||||2033/12/16|
||BALL GRID ARRAY AND LAND GRID ARRAYHAVING MODIFIED FOOTPRINT||||US 9,560,771 B2||2012/11/27||2017/1/31|||
|579|||美国|美国豪威|||||||2033/3/3|
||COLOR FILTER INCLUDING CLEAR PIXEL ANDHARD MASK||||US 8,941,159 B2||2013/1/30||2015/1/27|||
|580|||美国|美国豪威|||||||2033/5/3|
||COLOR FILTER INCLUDING CLEAR PIXEL ANDHARD MASK||||US 9,291,755 B2||2014/12/10||2016/3/22|||
|581|||美国|美国豪威|||||||2034/12/10|
||IMAGE SENSOR WITH PIXEL UNITS HAVINGMIRRORED TRANSISTOR LAYOUT||||US 9,165,959 B2||2013/2/25||2015/10/20|||
|582|||美国|美国豪威|||||||2034/1/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||VIDEO-IN-VIDEO VIDEO STREAM HAVING ATHREE LAYER VIDEO SCENE||||US 9,131,284 B2||2013/1/4||2015/9/8|||
|583|||美国|美国豪威|||||||2034/5/12|
||APPARATUS, METHOD AND SYSTEM FORRANDOM NUMBER GENERATION||||US 9,304,741 B2||2013/4/22||2016/4/5|||
|584|||美国|美国豪威|||||||2034/8/28|
|585|FLORESCENCE IMAGING MODULE||美国|美国豪威|US 8,785,885 B1||2013/1/30||2014/7/22||2033/4/4|
||METHOD OF FORMING DUAL SIZE MICROLENSESFOR IMAGE SENSORS||||US 9,372,286 B2||2013/4/11||2016/6/21|||
|586|||美国|美国豪威|||||||2034/11/9|
||IMAGE SENSOR WITH PIXELS HAVINGINCREASED OPTICAL CROSSTALK||||US 9,215,430 B2||2013/3/25||2015/12/15|||
|587|||美国|美国豪威|||||||2033/8/5|
||IMAGE SENSOR WITH PIXELS HAVINGINCREASED OPTICAL CROSSTALK||||US 9,935,145 B2||2015/10/29||2018/4/3|||
|588|||美国|美国豪威|||||||2033/4/13|
||HIGH DYNAMIC RANGE PIXEL HAVING APLURALITY OF AMPLIFIER TRANSISTORS||||US 8,969,775 B2||2013/2/28||2015/3/3|||
|589|||美国|美国豪威|||||||2033/9/9|
||CORRECTION OF IMAGE SENSORFIXED-PATTERN NOISE (FPN) DUE TO COLORFILTER PATTERN||||US 9,154,750 B2||2013/5/28||2015/10/6|||
|590|||美国|美国豪威|||||||2033/11/26|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE BASED ONDYNAMIC MAPPING||||US 8,854,709 B1||2013/5/8||2014/10/7|||
|591|||美国|美国豪威|||||||2033/6/29|
||ENHANCED PHOTON DETECTION DEVICE WITHBIASED DEEP TRENCH ISOLATION||||US 9,160,949 B2||2013/4/1||2015/10/13|||
|592|||美国|美国豪威|||||||2034/4/1|
||LAYERS FOR INCREASING PERFORMANCE INIMAGE SENSORS||||US 9,224,881 B2||2013/4/4||2015/12/29|||
|593|||美国|美国豪威|||||||2033/4/4|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING METAL CONTACTCOUPLED THROUGH A CONTACT ETCH STOPLAYER WITH AN ISOLATION REGION||||US 9,287,308 B2||2013/4/8||2016/3/15|||
|594|||美国|美国豪威|||||||2033/4/8|
||MULTI-TARGET AUTOMATIC EXPOSURE ANDGAIN CONTROL BASED ON PIXEL INTENSITYDISTRIBUTION||||US 8,982,238 B2||2013/7/2||2015/3/17|||
|595|||美国|美国豪威|||||||2033/11/14|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH GLOBALSHUTTER HAVING NARROW SPACING BETWEENGATES||||US 8,835,211 B1||2013/5/24||2014/9/16|||
|596|||美国|美国豪威|||||||2033/5/24|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH GLOBALSHUTTER HAVING NARROW SPACING BETWEENGATES||||US 9,041,072 B2||2014/7/17||2015/5/26|||
|597|||美国|美国豪威|||||||2033/5/24|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH SWITCHEDDEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURE||||US 9,054,007 B2||2013/8/15||2015/6/9|||
|598|||美国|美国豪威|||||||2033/11/23|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH SWITCHEDDEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURE||||US 9,496,304 B2||2015/5/5||2016/11/15|||
|599|||美国|美国豪威|||||||2035/5/5|
||IMAGE SENSOR WITH FAST INTRA-FRAMEFOCUS||||US 9,124,823 B2||2013/7/25||2015/9/1|||
|600|||美国|美国豪威|||||||2033/8/25|
||IMAGE SENSOR WITH FAST INTRA-FRAMEFOCUS||||US 9,462,179 B2||2015/8/25||2016/10/4|||
|601|||美国|美国豪威|||||||2035/8/25|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHFULL RESOLUTION RECOVERY||||US 9,413,992 B2||2014/4/2||2016/8/9|||
|602|||美国|美国豪威|||||||2034/12/13|
|603|IMAGE SENSOR PIXEL CELL READOUT||美国|美国豪威|US 9,041,842 B2||2013/7/12||2015/5/26||2034/1/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ARCHITECTURE|||||||||||
||OPTICAL SHIELD IN A PIXEL CELLPLANARIZATION LAYER FOR BLACK LEVELCORRECTION||||US 8,981,512 B1||2013/9/18||2015/3/17|||
|604|||美国|美国豪威|||||||2033/9/18|
||IMAGE SENSOR WITH DOPED SEMICONDUCTORREGION FOR REDUCING IMAGE NOISE||||US 9,123,604 B2||2013/10/17||2015/9/1|||
|605|||美国|美国豪威|||||||2033/10/17|
||METHOD AND APPARATUS FOR READING IMAGEDATA FROM AN IMAGE SENSOR||||US 9,001,250 B2||2013/9/11||2015/4/7|||
|606|||美国|美国豪威|||||||2033/10/3|
||PARTITIONED SILICON PHOTOMULTIPLIER WITHDELAY EQUALIZATION||||US 9,082,675 B2||2013/8/12||2015/7/14|||
|607|||美国|美国豪威|||||||2034/3/15|
||COLOR AND INFRARED FILTER ARRAYPATTERNS TO REDUCE COLOR ALIASING||||US 9,692,992 B2||2014/4/9||2017/6/27|||
|608|||美国|美国豪威|||||||2034/10/14|
||COLOR AND INFRARED FILTER ARRAYPATTERNS TO REDUCE COLOR ALIASING||||US 9,667,933 B2||2015/3/9||2017/5/30|||
|609|||美国|美国豪威|||||||2035/3/9|
||EYEWEAR DISPLAY SYSTEM PROVIDING VISIONENHANCEMENT||||US 9,658,454 B2||2013/9/6||2017/5/23|||
|610|||美国|美国豪威|||||||2034/2/20|
||METHOD OF READING OUT AN IMAGE SENSORWITH TRANSFER GATE BOOST||||US 9,160,958 B2||2013/12/18||2015/10/13|||
|611|||美国|美国豪威|||||||2034/7/2|
||IMAGE SENSOR WITH SCALED FILTER ARRAYAND IN-PIXEL BINNING||||US 9,438,866 B2||2014/4/23||2016/9/6|||
|612|||美国|美国豪威|||||||2034/10/3|
|613|X-RAY AND OPTICAL IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,520,439 B2||2013/9/23||2016/12/13||2033/12/25|
|614|RGBC COLOR FILTER ARRAY PATTERNS TO||美国|美国豪威|US 9,369,681 B1||2014/11/25||2016/6/14||2034/11/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||MINIMIZE COLOR ALIASING|||||||||||
||RGBC COLOR FILTER ARRAY PATTERNS TOMINIMIZE COLOR ALIASING||||US 9,521,381 B2||2016/4/13||2016/12/13|||
|615|||美国|美国豪威|||||||2036/4/13|
||IMAGE SENSOR WITH DIELECTRIC CHARGETRAPPING DEVICE||||US 9,312,299 B2||2014/4/10||2016/4/12|||
|616|||美国|美国豪威|||||||2034/4/10|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR HIGH DYNAMICRANGE IMAGE SENSOR||||US 9,324,759 B2||2013/12/19||2016/4/26|||
|617|||美国|美国豪威|||||||2034/1/6|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR HIGH DYNAMICRANGE IMAGE SENSOR||||US 9,711,546 B2||2016/3/2||2017/7/18|||
|618|||美国|美国豪威|||||||2033/12/19|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR HIGH DYNAMICRANGE IMAGE SENSOR||||US 9,608,019 B2||2016/3/2||2017/3/28|||
|619|||美国|美国豪威|||||||2036/3/2|
|620|BIG-SMALL PIXEL SCHEME FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 9,305,949 B2||2013/11/1||2016/4/5||2034/4/15|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL HAVING DUALSELF-ALIGNED IMPLANTS NEXT TO STORAGEGATE||||US 8,933,494 B1||2013/9/26||2015/1/13|||
|621|||美国|美国豪威|||||||2033/9/26|
|622|REDUCING SPECKLE IN PROJECTED IMAGES||美国|美国豪威|US 9,753,298 B2||2014/4/8||2017/9/5||2034/4/8|
|623|STACKED CHIP SPAD IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,299,732 B2||2013/10/28||2016/3/29||2036/7/10|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR READOUT ARCHITECTURE||||US 9,118,851 B2||2013/11/21||2015/8/25|||
|624|||美国|美国豪威|||||||2034/2/21|
||COMPACT SPACER IN MULTI-LENS ARRAYMODULE||||US 9,386,203 B2||2013/10/28||2016/7/5|||
|625|||美国|美国豪威|||||||2033/11/7|
|626|IMAGE SENSOR CROPPING IMAGES IN RESPONSE||美国|美国豪威|US 9,258,485 B2||2014/3/24||2016/2/9||2034/4/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TO CROPPING COORDINATE FEEDBACK|||||||||||
|627|FEATURE DETECTION IN IMAGE CAPTURE||美国|美国豪威|US 9,444,999 B2||2014/8/5||2016/9/13||2034/8/5|
||LOW POWER IMAGING SYSTEM WITH SINGLEPHOTON AVALANCHE DIODE PHOTONCOUNTERS AND GHOST IMAGE REDUCTION||||US 9,210,350 B2||2013/12/9||2015/12/8|||
|628|||美国|美国豪威|||||||2034/5/20|
||SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE IMAGINGSENSOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDESEMICONDUCTOR STACKED CHIPAPPLICATIONS||||US 9,312,401 B2||2014/1/15||2016/4/12|||
|629|||美国|美国豪威|||||||2034/11/22|
||BACK SIDE ILLUMINATED SINGLE PHOTONAVALANCHE DIODE IMAGING SENSOR WITHHIGH SHORT WAVELENGTH DETECTIONEFFICIENCY||||US 9,331,116 B2||2014/1/15||2016/5/3|||
|630|||美国|美国豪威|||||||2034/2/6|
||DUAL CONVERSION GAIN HIGH DYNAMICRANGE SENSOR||||US 9,402,039 B2||2014/11/26||2016/7/26|||
|631|||美国|美国豪威|||||||2036/7/31|
|632|SPLIT PIXEL HIGH DYNAMIC RANGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,571,763 B2||2014/11/26||2017/2/14||2034/12/17|
||STANDARD CELL GLOBAL ROUTING CHANNELSOVER ACTIVE REGIONS||||US 9,136,267 B2||2014/2/7||2015/9/15|||
|633|||美国|美国豪威|||||||2034/3/13|
||WAFER LEVEL CAMERA HAVING MOVABLECOLOR FILTER GROUPING||||US 9,270,953 B2||2014/5/16||2016/2/23|||
|634|||美国|美国豪威|||||||2034/5/17|
||COLOR IMAGE SENSOR WITH METAL MESH TODETECT INFRARED LIGHT||||US 9,674,493 B2||2014/3/24||2017/6/6|||
|635|||美国|美国豪威|||||||2034/6/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING A GAPLESSMICROLENSES||||US 9,331,115 B2||2014/3/24||2016/5/3|||
|636|||美国|美国豪威|||||||2034/4/3|
||ENHANCED BACK SIDE ILLUMINATED NEARINFRARED IMAGE SENSOR||||US 9,825,073 B2||2014/5/23||2017/11/21|||
|637|||美国|美国豪威|||||||2034/5/23|
|638|WAFER LEVEL STEPPED SENSOR HOLDER||美国|美国豪威|US 9,467,606 B2||2014/6/10||2016/10/11||2034/6/14|
||PHOTODIODE AND FILTER CONFIGURATION FORHIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR||||US 9,666,631 B2||2014/5/19||2017/5/30|||
|639|||美国|美国豪威|||||||2034/5/19|
||FEED-FORWARD TECHNIQUE FOR POWERSUPPLY REJECTION RATION IMPORVEMENT OFBIT LINE||||US 9,148,596 B1||2014/4/8||2015/9/29|||
|640|||美国|美国豪威|||||||2034/5/23|
||IMAGE SENSOR WITH PIXEL UNITS HAVINGINTERLEAVED PHOTODIODES||||US 9,294,693 B1||2014/10/24||2016/3/22|||
|641|||美国|美国豪威|||||||2034/10/24|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING STORAGE GATEIMPLANT WITH GRADIENT PROFILE||||US 9,419,044 B2||2014/4/17||2016/8/16|||
|642|||美国|美国豪威|||||||2034/4/28|
|643|SYSTEM AND METHOD FOR HDR IMAGING||美国|美国豪威|US 9,282,256 B1||2014/12/22||2016/3/8||2034/12/22|
||COLOR FILTER ARRAY WITH REFERENCE PIXELTO REDUCE SPECTRAL CROSSTALK||||US 9,479,745 B2||2014/9/19||2016/10/25|||
|644|||美国|美国豪威|||||||2034/11/22|
||COLOR FILTER ARRAY WITH REFERENCE PIXELTO REDUCE SPECTRAL CROSSTALK||||US 9,756,298 B2||2016/9/15||2017/9/5|||
|645|||美国|美国豪威|||||||2034/9/19|
||VIDEO CONFERENCING WITH A MOBILEPLATFORM||||US 9,154,736 B1||2014/7/16||2015/10/6|||
|646|||美国|美国豪威|||||||2034/7/16|
|647|Color and Infrared Image Sensor With Depletion||美国|美国豪威|US 9,859,318 B2||2014/10/22||2018/1/2||2036/5/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Adjustment Layer|||||||||||
|648|VISIBLE AND INFRARED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,806,122 B2||2014/7/25||2017/10/31||2035/8/4|
||METHOD OF FABRICATING A SINGLE PHOTONAVALANCHE DIODE IMAGING SENSOR||||US 9,209,320 B1||2014/8/7||2015/12/8|||
|649|||美国|美国豪威|||||||2034/8/7|
||NEGATIVE BIASED SUBSTRATE FOR PIXELS INSTACKED IMAGE SENSORS||||US 9,344,658 B2||2014/7/31||2016/5/17|||
|650|||美国|美国豪威|||||||2034/11/7|
||PIXEL-LEVEL OVERSAMPLING FOR A TIME OFFLIGHT 3D IMAGE SENSOR WITH DUAL RANGEMEASUREMENTS||||US 9,523,765 B2||2014/7/14||2016/12/20|||
|651|||美国|美国豪威|||||||2035/7/10|
||PHOTOSENSITIVE CAPACITOR PIXEL FOR IMAGESENSOR||||US 9,490,282 B2||2015/3/19||2016/11/8|||
|652|||美国|美国豪威|||||||2035/3/19|
||PHOTOSENSITIVE CAPACITOR PIXEL FOR IMAGESENSOR||||US 9,735,196 B2||2016/10/5||2017/8/15|||
|653|||美国|美国豪威|||||||2035/3/19|
||METHOD OF FABRICATING MULTI-WAFERIMAGE SENSOR||||US 9,379,159 B2||2014/10/15||2016/6/28|||
|654|||美国|美国豪威|||||||2034/10/15|
||METHOD OF FABRICATING MULTI-WAFERIMAGE SENSOR||||US 9,748,308 B2||2016/5/26||2017/8/29|||
|655|||美国|美国豪威|||||||2034/10/15|
|656|CONDUCTIVE TRENCH ISOLATION||美国|美国豪威|US 9,111,993 B1||2014/8/21||2015/8/18||2034/8/21|
|657|CONDUCTIVE TRENCH ISOLATION||美国|美国豪威|US 9,240,431 B1||2015/7/2||2016/1/19||2034/8/21|
|658|BLUE ENHANCED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,455,291 B2||2015/1/20||2016/9/27||2035/1/28|
||IMAGE SENSOR WITH ENHANCED QUANTUMEFFICIENCY||||US 9,565,405 B2||2015/2/3||2017/2/7|||
|659|||美国|美国豪威|||||||2035/6/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PRECHARGED LATCHED PIXEL CELL FOR A TIMEOF FLIGHT 3D IMAGE SENSOR||||US 9,313,476 B2||2014/8/7||2016/4/12|||
|660|||美国|美国豪威|||||||2036/7/1|
||PROGRAMMABLE CURRENT SOURCE FOR ATIME OF FLIGHT 3D IMAGE SENSOR||||US 9,658,336 B2||2014/8/20||2017/5/23|||
|661|||美国|美国豪威|||||||2035/12/25|
||IMAGE SENSOR PIXEL WITH MULTIPLESTORAGE NODES||||US 9,461,088 B2||2014/12/1||2016/10/4|||
|662|||美国|美国豪威|||||||2035/4/22|
||CALIBRATION CIRCUITRY AND METHOD FOR ATIME OF FLIGHT IMAGING SYSTEM||||US 9,720,076 B2||2014/8/29||2017/8/1|||
|663|||美国|美国豪威|||||||2035/11/26|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITHNON-DESTRUCTIVE READOUT||||US 9,406,718 B2||2014/9/29||2016/8/20|||
|664|||美国|美国豪威|||||||2034/9/29|
||HIGH NEAR INFRARED SENSITIVITY IMAGESENSOR||||US 9,799,699 B2||2014/9/24||2017/10/24|||
|665|||美国|美国豪威|||||||2034/9/24|
||ISOLATED GLOBAL SHUTTER PIXEL STORAGESTRUCTURE||||US 9,484,370 B2||2014/10/27||2016/11/1|||
|666|||美国|美国豪威|||||||2034/10/27|
||SELF-ALIGNED ISOLATION STRUCTURES ANDLIGHT FILTERS||||US 9,520,431 B2||2014/10/3||2016/12/13|||
|667|||美国|美国豪威|||||||2034/12/27|
||COLOR FILTER ARRAY PATTERNS FORREDUCTION OF COLOR ALIASING||||US 9,467,665 B1||2015/6/29||2016/10/11|||
|668|||美国|美国豪威|||||||2035/6/29|
||BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHGUARD RING REGION REFLECTING STRUCTURE||||US 9,685,576 B2||2014/10/3||2017/6/20|||
|669|||美国|美国豪威|||||||2035/4/4|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTINGCORRELATED MULTI-SAMPLING WITHIMPROVED ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER||||US 9,491,390 B2||2014/11/26||2016/11/8|||
|670|||美国|美国豪威|||||||2035/5/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LINEARITY|||||||||||
||FLOATING DIFFUSION RESET LEVEL BOOST INPIXEL CELL||||US 9,491,386 B2||2014/12/3||2016/11/8|||
|671|||美国|美国豪威|||||||2034/12/3|
|672|READOUT CIRCUITRY FOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,521,348 B2||2015/4/24||2016/12/13||2035/4/24|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTING ANEXTENDED RANGE APPROXIMATIONANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER||||US 9,391,632 B1||2015/1/27||2016/7/12|||
|673|||美国|美国豪威|||||||2036/8/21|
||COMPENSATION FOR DUAL CONVERSION GAINHIGH DYNAMIC RANGE SENSOR||||US 9,386,240 B1||2015/3/12||2016/7/5|||
|674|||美国|美国豪威|||||||2035/3/12|
||COLOR FILTER ARRAY WITH SUPPORTSTRUCTURES TO PROVIDE IMPROVED FILTERTHICKNESS UNIFORMITY||||US 9,360,607 B1||2015/1/15||2016/6/7|||
|675|||美国|美国豪威|||||||2035/2/20|
||OPTICAL ISOLATION GRID OVER COLOR FILTERARRAY||||US 9,276,029 B1||2015/1/20||2016/3/1|||
|676|||美国|美国豪威|||||||2035/1/20|
|677|LOW POWER SMART IMAGE CAPTURE||美国|美国豪威|US 9,667,867 B2||2015/3/30||2017/5/30||2035/3/30|
|678|HIGH RESOLUTION ARRAY CAMERA||美国|美国豪威|US 9,319,585 B1||2014/12/18||2016/4/19||2034/12/18|
||STORAGE TRANSISTOR WITH OPTICALISOLATION||||US 9,472,587 B2||2015/1/27||2016/10/18|||
|679|||美国|美国豪威|||||||2035/5/20|
|680|NON-VISIBLE ILLUMINATION SCHEME||美国|美国豪威|US 9,674,465 B2||2015/6/3||2017/6/6||2035/7/14|
||STACKED EMBEDDED SPAD IMAGE SENSOR FORATTACHED 3D INFORMATION||||US 9,608,027 B2||2015/2/17||2017/3/28|||
|681|||美国|美国豪威|||||||2035/6/6|
|682|IMAGING PACKAGE WITH REMOVABLE||美国|美国豪威|US 9,443,894 B1||2015/3/9||2016/9/13||2035/3/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TRANSPARENT COVER|||||||||||
||BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR PIXELWITH DIELECTRIC LAYER REFLECTING RING||||US 9,431,452 B1||2015/5/13||2016/8/30|||
|683|||美国|美国豪威|||||||2035/5/13|
||TIME OF FLIGHT IMAGING WITH IMPROVEDINITIATION SIGNALING||||US 9,819,930 B2||2015/5/26||2017/11/14|||
|684|||美国|美国豪威|||||||2036/6/7|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGING WITH REDUEDFRAME BUFFER||||US 9,654,699 B2||2015/7/2||2017/5/16|||
|685|||美国|美国豪威|||||||2035/7/2|
||IMAGE SENSOR POWER SUPPLY REJECTIONRATIO NOISE REDUCTION THROUGH RAMPGENERATOR||||US 9,380,208 B1||2015/4/13||2016/6/28|||
|686|||美国|美国豪威|||||||2035/4/13|
||RAMP GENERATOR FOR LOW NOISE IMAGESENSOR||||US 9,554,074 B2||2015/4/16||2017/1/24|||
|687|||美国|美国豪威|||||||2035/7/20|
|688|QUANTUM DOT IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,881,955 B2||2015/10/14||2018/1/30||2035/10/16|
||VIRTUAL HIGH DYNAMIC RANGE LARGE-SMALLPIXEL IMAGE SENSOR||||US 9,911,773 B2||2015/6/18||2018/3/6|||
|689|||美国|美国豪威|||||||2035/8/12|
||INTEGRATED CIRCUIT STACK WITHSTRENGTHENED WAFER BONDING||||US 9,343,499 B1||2015/4/23||2016/5/17|||
|690|||美国|美国豪威|||||||2035/4/23|
|691|STACKED CHIP SHARED PIXEL ARCHITECTURE||美国|美国豪威|US 9,667,895 B2||2015/5/8||2017/5/30||2035/7/15|
||HARD MASK AS CONTACT ETCH STOP LAYER INIMAGE SENSORS||||US 9,484,373 B1||2015/11/18||2016/11/1|||
|692|||美国|美国豪威|||||||2035/11/18|
||HARD MASK AS CONTACT ETCH STOP LAYER INIMAGE SENSORS||||US 9,564,470 B1||2016/9/21||2017/2/7|||
|693|||美国|美国豪威|||||||2036-0921|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|694|CURVED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,691,810 B1||2015/12/18||2017/6/27||2035/12/18|
||METHOD AND SYSTEM TO DETECT ALIGHT-EMITTING DIODE||||US 9,681,083 B2||2015/6/12||2017/6/13|||
|695|||美国|美国豪威|||||||2035/8/5|
||READOUT CIRCUITRY TO MITIGATE COLUMNFIXED PATTERN NOISE OF AN IMAGE SENSOR||||US 9,819,890 B2||2015/8/17||2017/11/14|||
|696|||美国|美国豪威|||||||2035/8/17|
||METHOD AND SYSTEM TO IMPLEMENT ASTACKED CHIP HIGH DYNAMIC RANGE IMAGESENSOR||||US 9,819,889 B2||2015/8/7||2017/11/14|||
|697|||美国|美国豪威|||||||2035/8/7|
||COLOR FILTER INCLUDING DIAMOND-SHAPEDPIXELS||||US 9,716,868 B1||2016/3/3||2017/7/25|||
|698|||美国|美国豪威|||||||2036/3/3|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTINGDYNAMIC GROUND SHARING IN AN IMAGESENSOR WITH PIPELINE ARCHITECTURE||||US 9,712,774 B1||2016/1/14||2017/7/18|||
|699|||美国|美国豪威|||||||2036/1/14|
||STACKED INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM WITHTHINNED INTERMEDIATE SEMICONDUCTOR DIE||||US 9,391,111 B1||2015/8/7||2016/7/12|||
|700|||美国|美国豪威|||||||2035/8/7|
|701|PIXEL CONTROL SIGNAL DRIVER||美国|美国豪威|US 9,516,249 B1||2015/9/3||2016/12/6||2035/9/3|
||HIGH SPEED ROLLING IMAGE SENSOR WITHADM ARCHITECTURE AND METHOD OFIMPLEMENTING THEREOF||||US 9,749,569 B2||2015/12/22||2017/8/29|||
|702|||美国|美国豪威|||||||2036/1/21|
||METHOD AND SYSTEM OF IMPLEMENTING ANUNEVEN TIMING GAP BETWEEN EACH IMAGECAPTURE IN AN IMAGE SENSOR||||US 9,743,025 B2||2015/12/30||2017/8/22|||
|703|||美国|美国豪威|||||||2036/1/16|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD AND SYSTEM FOR REDUCINGANALOG-TO-DIGTAL CONVERSION TIME FORDARK SIGNALS||||US 9,762,825 B2||2015/12/30||2017/9/12|||
|704|||美国|美国豪威|||||||2035/12/30|
||IMAGE SENSOR POWER SUPPLY REJECTIONRATIO IMPROVEMENT THROUGH RAMPGENERATOR IN CONTINUOUS TIME READOUTCIRCUITRY||||US 9,571,775 B1||2015/11/16||2017/2/14|||
|705|||美国|美国豪威|||||||2035/11/16|
|706|MICROSCOPE ATTACHMENT||美国|美国豪威|US 9,835,842 B2||2015/12/4||2017/12/5||2036/5/27|
|707|GLOBAL SHUTTER CORRECTION||美国|美国豪威|US 9,819,883 B2||2015/12/3||2017/11/14||2036/2/16|
||GLOBAL SHUTTER CONTROL SIGNALGENERATOR WITH REDUCED DRIVINGREQUIREMENTS||||US 9,838,623 B2||2015/11/12||2017/12/5|||
|708|||美国|美国豪威|||||||2036/6/4|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTINGH-BANDING CANCELLATION IN AN IMAGESENSOR||||US 9,838,621 B2||2016/5/5||2017/12/5|||
|709|||美国|美国豪威|||||||2036/5/5|
||INTERFACE CIRCUIT WITH CONFIGURABLEVARIABLE SUPPLY VOLTAGE FORTRANSMITTING SIGNALS||||US 9,608,633 B1||2015/11/24||2017/3/28|||
|710|||美国|美国豪威|||||||2035/11/24|
||IMAGE SENSOR POWER SUPPLY NOISEDETECTION||||US 9,817,048 B2||2015/12/9||2017/11/14|||
|711|||美国|美国豪威|||||||2036/5/5|
|712|FRAME TIMING||美国|美国豪威|US 9,786,249 B2||2015/12/17||2017/10/10||2036/4/30|
||MULTI-LAYER COLOR FILTER FOR LOW COLORERROR AND HIGH SNR||||US 9,671,537 B2||2015/10/22||2017/6/6|||
|713|||美国|美国豪威|||||||2035/10/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||INTERFACE CIRCUIT WITH VARIABLE OUTPUTSWING AND OPEN TERMINATION MODE FORTRANSMITTING SIGNALS||||US 9,513,655 B1||2015/11/24||2016/12/6|||
|714|||美国|美国豪威|||||||2035/11/24|
|715|ENHANCED HIGH DYNAMIC RANGE||美国|美国豪威|US 9,900,527 B2||2016/3/8||2018/2/20||2036/6/1|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHREDUCED SENSITIVITY TO HIGH INTENSITYLIGHT||||US 9,590,005 B1||2016/1/25||2017/3/7|||
|716|||美国|美国豪威|||||||2036/1/25|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHREDUCED SENSITIVITY TO HIGH INTENSITYLIGHT||||US 9,966,396 B2||2016/8/17||2018/5/8|||
|717|||美国|美国豪威|||||||2036/8/17|
|718|CONTACT RESISTANCE REDUCTION||美国|美国豪威|US 9,583,527 B1||2016/1/28||2017/2/28||2036/1/28|
|719|EDGE REFLECTION REDUCTION||美国|美国豪威|US 9,608,023 B1||2016/5/2||2017/3/28||2036/5/2|
|720|EDGE REFLECTION REDUCTION||美国|美国豪威|US 9,966,404 B2||2017/2/10||2018/5/8||2037/2/10|
||APPARATUS AND METHOD FOR LOW DYNAMICRANGE AND HIGH DYNAMIC RANGE IMAGEALIGNMENT||||US 9,800,796 B1||2016/6/6||2017/10/24|||
|721|||美国|美国豪威|||||||2036/6/6|
|722|BIASED DEEP TRENCH ISOLATION||美国|美国豪威|US 9,806,117 B2||2016/3/15||2017/10/31||2036/3/15|
||THROUGH-SEMICONDUCTOR-VIA CAPPINGLAYER AS ETCH STOP LAYER||||US 9,773,829 B2||2016/2/3||2017/9/26|||
|723|||美国|美国豪威|||||||2036/4/28|
|724|GRADED-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,911,770 B2||2016/5/31||2018/3/6||2036/5/31|
||IMAGE SENSOR WITH SEMICONDUCTORTRENCH ISOLATION||||US 9,659,989 B1||2016/4/19||2017/5/23|||
|725|||美国|美国豪威|||||||2036/4/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||GLOBAL SHUTTER PIXEL WITH HYBRIDTRANSFER STORAGE GATE-STORAGE DIODESTORAGE NODE||||US 9,843,754 B1||2016/6/14||2017/12/12|||
|726|||美国|美国豪威|||||||2036/7/26|
||HORIZONTAL BANDING REDUCTION WITH RAMPGENERATOR ISOLATION IN AN IMAGE SENSOR||||US 9,848,140 B2||2016/3/31||2017/12/19|||
|727|||美国|美国豪威|||||||2036/4/30|
||ADAPTIVE BODY BIASING CIRCUIT FORLATCH-UP PREVENTION||||US 9,762,833 B1||2016/5/24||2017/9/12|||
|728|||美国|美国豪威|||||||2036/5/24|
|729|IMAGE SENSOR PIXEL NOISE MEASUREMENT||美国|美国豪威|US 9,961,281 B2||2016/6/10||2018/5/1||2036/6/10|
|730|STACKED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,818,791 B1||2016/10/4||2017/11/14||2036/10/4|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH DUAL FLOATINGDIFFUSIONS PER PIXEL FOR FLICKER-FREEDETECTION OF LIGHT EMITTING DIODES||||US 9,936,153 B1||2016/10/4||2018/4/3|||
|731|||美国|美国豪威|||||||2036/10/4|
||RAMP SIGNAL GENERATOR FOR DOUBLE RAMPANALOG TO DIGITAL CONVERTER||||US 9,774,811 B1||2016/9/27||2017/9/26|||
|732|||美国|美国豪威|||||||2036/9/27|
||ANALOG DITHERING TO REDUCE VERTICALFIXED PATTERN NOISE IN IMAGE SENSORS||||US 9,848,152 B1||2016/9/27||2017/12/19|||
|733|||美国|美国豪威|||||||2036/9/27|
|734|CURRENT GENERATOR||美国|美国豪威|US 9,876,979 B1||2016/12/6||2018/1/23||2036/12/6|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHVIRTUAL HIGH-LOW SENSITIVITY PIXELS||||US 9,955,090 B2||2016/7/20||2018/4/24|||
|735|||美国|美国豪威|||||||2036/7/20|
||IMAGE SENSOR WITH HYBRID DEEP TRENCHISOLATION||||US 9,923,009 B1||2016/11/3||2018/3/20|||
|736|||美国|美国豪威|||||||2036/11/3|
|737|HORIZONTAL AVALANCHE PHOTODIODE||美国|美国豪威|US 9,881,963 B1||2016/9/13||2018/1/30||2036/10/4|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|738|ISOLATION STRUCTURE IN PHOTODIODE||美国|美国豪威|US 9,799,696 B1||2016/10/13||2017/10/24||2036/10/13|
||BURST MODE CLOCK DATA RECOVERY CIRCUITFOR MIPI C-PHY RECEIVERS||||US 9,735,950 B1||2016/10/18||2017/8/15|||
|739|||美国|美国豪威|||||||2036/10/18|
||THROUGH-SEMICONDUCTOR ANDTHROUGH-DIELECTRIC ISOLATION STRUCTURE||||US 9,986,192 B1||2016/11/28||2018/5/29|||
|740|||美国|美国豪威|||||||2036/11/28|
||FEEDBACK CAPACITOR FORMED BYBONDING-VIA IN PIXEL LEVEL BOND||||US 9,859,312 B1||2017/2/8||2018/1/2|||
|741|||美国|美国豪威|||||||2037/2/8|
|742|SYSTEM-IN-PACKAGE IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,935,144 B1||2016/11/28||2018/4/3||2036/11/28|
||BACKSIDE METAL GRID AND METAL PADSIMPLIFICATION||||US 9,911,780 B1||2016/12/22||2018/3/6|||
|743|||美国|美国豪威|||||||2036/12/22|
||IMAGING SENSOR WITH BOOSTED PHOTODIODEDRIVE||||US 9,967,504 B1||2017/4/6||2018/5/8|||
|744|||美国|美国豪威|||||||2037/4/6|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR READOUT ARCHITECTURE USING IN-FRAMEMULTI-BIT EXPOSURE CONTROL||||US 9,955,091 B1||2016/12/20||2018/4/24|||
|745|||美国|美国豪威|||||||2036/12/20|
||ROW DECODER FOR HIGH DYNAMIC RANGEIMAGE SENSOR USING IN-FRAME MULTI-BITEXPOSURE CONTROL||||US 9,888,185 B1||2016/12/20||2018/2/6|||
|746|||美国|美国豪威|||||||2036/12/20|
||BLOOMING FREE HIGH DYNAMIC RANGE IMAGESENSOR READ OUT ARCHITECTURE USINGIN-FRAME MULTI-BIT EXPOSURE CONTROL||||US 9,961,279 B1||2016/12/20||2018/5/1|||
|747|||美国|美国豪威|||||||2036/12/28|
||IMAGING SENSOR WITH AMPLIFIER HAVINGVARIABLE BIAS AND INCREASED OUTPUT||||US 9,961,292 B1||2017/1/31||2018/5/1|||
|748|||美国|美国豪威|||||||2037/1/31|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SIGNAL RANGE|||||||||||
||IMAGE SENSOR WITH INVERTED SOURCEFOLLOWER||||US 9,881,964 B1||2017/2/8||2018/1/30|||
|749|||美国|美国豪威|||||||2037/3/1|
||IMAGE SENSOR WITH INVERTED SOURCEFOLLOWER||||US 9,966,408 B1||2017/10/23||2018/5/8|||
|750|||美国|美国豪威|||||||2037/10/23|
||COMPARATORS FOR DOUBLE RAMP ANALOG TODIGITAL CONVERTER||||US 9,967,505 B1||2017/4/13||2018/5/8|||
|751|||美国|美国豪威|||||||2037/4/13|
||ACTIVE PIXEL SENSOR WITH HIGH FILL FACTORBLOOMING PROTECTION||||US 6,259,124 B1||1998/8/7||2001/7/10|||
|752|||美国|美国豪威|||||||2018/8/7|
||IMAGE SENSOR INCORPORATING SATURATIONTIME MEASUREMENT TO INCREASE DYNAMICRANGE||||6,069,377||1999/5/13||2000/5/30|||
|753|||美国|美国豪威|||||||2019/5/13|
||ACTIVE PIXEL SENSOR WITH WIRED FLOATINGDIFFUSIONS AND SHARED AMPLIFIER||||US 6,657,665 B1||1998/12/31||2003/12/2|||
|754|||美国|美国豪威|||||||2018/12/31|
|755|CMOS ACTIVE PIXEL WITH SCAVENGING DIODE||美国|美国豪威|US 6,365,926 B1||2000/9/20||2002/4/2||2020/9/20|
||ALTERNATE METHOD FOR PHOTODIODEFORMATION IN CMOS IMAGE SENSORS||||US 6,504,195 B2||2000/12/29||2003/1/7|||
|756|||美国|美国豪威|||||||2020/12/29|
||LINEARITY AND DYNAMIC RANGE FORCOMPLEMENTARY METAL OXIDESEMICONDUCTOR ACTIVE PIXEL IMAGESENSORS||||US 6,730,897 B2||2000/12/29||2004/5/4|||
|757|||美国|美国豪威|||||||2021/7/30|
||THREE TRANSISTOR ACTIVE PIXEL SENSORARCHITECTURE WITH CORRELATED DOUBLE||||US 6,587,146 B1||1998/11/20||2003/7/1|||
|758|||美国|美国豪威|||||||2018/11/20|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SAMPLING|||||||||||
||PHOTOGATE ACTIVE PIXEL SENSOR WITH HIGHFILL FACTOR AND CORRELATED DOUBLESAMPLING||||US 6,624,850 B1||1998/12/30||2003/9/23|||
|759|||美国|美国豪威|||||||2018/12/30|
||PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR WITHSHARED RESET SIGNAL ROW SELECT||||US 6,218,656 B1||1998/12/30||2001/4/17|||
|760|||美国|美国豪威|||||||2018/12/30|
|761|PLASTIC COVER FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 6,184,514 B1||1998/12/18||2001/2/6||2018/12/18|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH EXTENDEDDYNAMIC RANGE||||US 6,486,504 B1||1999/10/26||2002/11/26|||
|762|||美国|美国豪威|||||||2019/10/26|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH EXTENDEDDYNAMIC RANGE||||US 6,680,498 B2||2002/9/6||2004/1/20|||
|763|||美国|美国豪威|||||||2019/12/24|
||CMOS ACTIVE PIXEL IMAGE SENSOR WITHEXTENDED DYNAMIC RANGE AND SENSITIVITY||||US 6,710,804 Bl||2000/1/18||2004/3/23|||
|764|||美国|美国豪威|||||||2020/1/18|
||VARIABLE COLLECTION OF BLOOMING CHARGETO EXTEND DYNAMIC RANGE||||US 6,307,195 Bl||1999/10/26||2001/10/23|||
|765|||美国|美国豪威|||||||2019/10/26|
||COLOR ACTIVE PIXEL SENSOR WITHELECTRONIC SHUTTERING, ANTI-BLOOMINGAND LOW CROSS TALK||||US 6,218,692 Bl||1999/11/23||2001/4/17|||
|766|||美国|美国豪威|||||||2019/11/23|
||BUILT-IN SELF TEST SIGNALS FOR COLUMNOUTPUT CIRCUITS IN X-Y ADDRESSABLE IMAGESENSOR||||US 6,388,245 Bl||2000/4/28||2002/5/14|||
|767|||美国|美国豪威|||||||2020/4/28|
|768|RANDOM COLOR FILTER ARRAY||美国|美国豪威|US 6,326,108 B2||2001/3/16||2001/12/4||2021/3/16|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR WITH A SHARED OUTPUTSIGNAL LINE||||US 6,552,323 B2||2000/12/6||2003/4/22|||
|769|||美国|美国豪威|||||||2021/2/21|
||METHOD AND APPARATUS TO EXTEND THEEFFECTIVE DYNAMIC RANGE OF AN IMAGESENSING DEVICE||||US 6,909,461 Bl||2000/7/13||2005/6/21|||
|770|||美国|美国豪威|||||||2022/7/17|
||METHOD AND APPARATUS TO EXTEND THEEFFECTIVE DYNAMIC RANGE OF AN IMAGESENSING DEVICE||||US 7,623,168 B2||2004/9/22||2009/11/24|||
|771|||美国|美国豪威|||||||2022/10/23|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR GLOBALELECTRONIC SHUTTERING||||US 7,129,979 Bl||2000/4/28||2006/10/31|||
|772|||美国|美国豪威|||||||2020/4/28|
||IMAGE SENSOR HAVING IMPROVED SPECTRALRESPONSE UNIFORMITY||||US 6,489,642 Bl||2000/9/28||2002/12/3|||
|773|||美国|美国豪威|||||||2021/2/9|
||DETECTING HOPPING PIXEL DEFECTS IN CCDIMAGE SENSORS||||US 6,903,769 Bl||2000/8/31||2005/6/7|||
|774|||美国|美国豪威|||||||2023/1/27|
||SPARSELY SAMPLED IMAGE SENSING DEVICEWITH COLOR AND LUMINANCE PHOTOSITES||||US 6,476,865 Bl||2001/3/7||2002/11/5|||
|775|||美国|美国豪威|||||||2021/3/7|
|776|ILLUMINATOR AND METHOD OF MAKING SAME||美国|美国豪威|US 6,759,814 B2||2002/3/28||2004/7/6||2022/3/28|
||IMAGE SENSOR HAVING BLACK PIXELSDISPOSED IN A SPACED-APART RELATIONSHIPFROM THE ACTIVE PIXELS||||US 6,744,526 B2||2001/9/17||2004/6/1|||
|777|||美国|美国豪威|||||||2022/6/2|
||APPARATUS AND METHOD OF CORRECTING FORDARK CURRENT IN ASOLID STATE IMAGESENSOR||||US 7,064,785 B2||2002/2/7||2006/6/20|||
|778|||美国|美国豪威|||||||2023/11/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||MEDIAN-BASED DARK LEVEL ACQUISITION FORA FRAME RATE CLAMP||||US 6,909,460 B2||2001/7/25||2005/6/21|||
|779|||美国|美国豪威|||||||2024/1/8|
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE LAYERS OFDIELECTRICS ADJACENT THE PHOTOSENSITIVEAREA FOR IMPROVED QUANTUM EFFICIENCY||||US 7,126,638 B2||2002/5/9||2006/10/24|||
|780|||美国|美国豪威|||||||2025/1/11|
|781|LARGE AREA FLAT IMAGE SENSOR ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 7,276,394 B2||2004/8/20||2007/10/2||2022/5/24|
||LATERAL OVERFLOW DRAIN, ANTI-BLOOMINGSTRUCTURE FOR CCD DEVICES HAVINGIMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE||||US 6,624,453 B2||2001/8/31||2003/9/23|||
|782|||美国|美国豪威|||||||2021/8/31|
||METHOD OF MAKING INLAID COLOR FILTERARRAYS||||US 7,195,848 B2||2004/8/30||2007/3/27|||
|783|||美国|美国豪威|||||||2025/6/5|
||VARIABLE BANDWIDTH CORRELATEDDOUBLING SAMPLING CIRCUITS FOR IMAGESENSORS||||US 6,838, 787B2||2002/1/16||2005/1/4|||
|784|||美国|美国豪威|||||||2022/12/27|
||SYSTEM WITH A RANDOM NUMBER GENERATORUSED TO REMOVE CONTOURING IN CMOSIMAGER DATA HAVING AN EXTENDEDDYNAMIC RANGE||||US 7,349,126 B2||2003/3/13||2008/3/25|||
|785|||美国|美国豪威|||||||2026/1/4|
||SYSTEM WITH A RANDOM NUMBER GENERATORUSED TO REMOVE CONTOURING IN CMOSIMAGER DATA HAVING AN EXTENDEDDYNAMIC RANGE||||US 7,643,177 B2||2008/3/7||2010/1/5|||
|786|||美国|美国豪威|||||||2023/3/13|
|787|DIGITAL BLACK CLAMP CIRCUIT IN||美国|美国豪威|US 7,259,787 B2||2003/3/27||2007/8/21||2026/2/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ELECTRONIC IMAGING SYSTEMS|||||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR CALIBRATING ANIMAGE CAPTURE DEVICE||||US 7,012,634 B2||2002/3/28||2006/3/14|||
|788|||美国|美国豪威|||||||2024/1/29|
||METHOD FOR FORMING LIGHT SHIELD PROCESSFOR SOLID-STATE IMAGE SENSOR WITHMULTI-METALLIZATION LAYER||||US 6,867,062 B2||2003/8/15||2005/3/15|||
|789|||美国|美国豪威|||||||2023/8/15|
||LIGHT SHIELD PROCESS FOR SOLID-STATEIMAGE SENSORS||||US 7,091,532 B2||2005/1/25||2006/8/15|||
|790|||美国|美国豪威|||||||2023/9/9|
||DETECTING AND CLASSIFYING BLEMISHES ONTHE TRANSMISSIVE SURFACE OF AN IMAGESENSOR PACKAGE||||US 7,103,208 B2||2002/8/26||2006/9/5|||
|791|||美国|美国豪威|||||||2024/8/16|
||IMAGING SYSTEM HAVING EXTENDED USEFULLATITUDE||||US 7,423,679 B2||2002/12/20||2008/9/9|||
|792|||美国|美国豪威|||||||2025/7/17|
|793|CHROMIUM BLACK LIGHT SHIELD||美国|美国豪威|US 6,939,015 B2||2002/9/20||2005/9/6||2022/9/20|
||FIXED PATTERN NOISE REMOVAL IN CMOSIMAGERS ACROSS VARIOUS OPERATIONALCONDITIONS||||US 7,092,017 B2||2002/9/13||2006/8/15|||
|794|||美国|美国豪威|||||||2024/9/7|
||FIXED PATTERN NOISE REMOVAL IN CMOSIMAGERS ACROSS VARIOUS OPERATIONALCONDITIONS||||US 7,443,431 B2||2003/4/25||2008/10/28|||
|795|||美国|美国豪威|||||||2025/2/8|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED OPTICALRESPONSE UNIFORMITY||||US 6,924,472 B2||2002/11/12||2005/8/2|||
|796|||美国|美国豪威|||||||2023/8/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD OF TESTING THE UNIFORMITY OF ANIMAGE SENSOR||||US 7,315,322 B2||2004/7/28||2008/1/1|||
|797|||美国|美国豪威|||||||2026/6/23|
||REDUCED DARK CURRENT FOR CMOS IMAGESENSORS||||US 6,730,899 Bl||2003/1/10||2004/5/4|||
|798|||美国|美国豪威|||||||2023/1/10|
||TIMING GENERATOR FOR ELECTRONIC IMAGESENSOR WITH TABLES THAT CONTROL LINEAND FRAME TIMING||||US 7,304,676 B2||2003/8/6||2007/12/4|||
|799|||美国|美国豪威|||||||2025/9/7|
||IMAGE SENSOR WITH CHARGE BINNING ANDDUAL CHANNEL READOUT||||US 7,859,581 B2||2003/7/15||2010/12/28|||
|800|||美国|美国豪威|||||||2028/1/9|
||ENABLING METHOD TO PREVENT GLITCHES INWAVEFORM OF ARBITRARY PHASE||||US 6,882,206 B2||2003/4/30||2005/4/19|||
|801|||美国|美国豪威|||||||2023/4/30|
|802|PROCESS FOR MAKING A CMOS IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 7,095,066 B2||2004/1/8||2006/8/22||2024/1/8|
||VARYING FEATURE SIZE IN RESIST ACROSS THECHIP WITHOUT THE ARTIFACT OF"GRID-SNAPPING" FROM THE MASK WRITINGTOOL||||US 6,870,168 Bl||2003/11/12||2005/3/22|||
|803|||美国|美国豪威|||||||2023/11/12|
||IMAGE SENSOR ARRAY WITH SUBSTITUTIONALCIRCUIT DISTRIBUTION||||US 7,304,673 B2||2003/10/22||2007/12/4|||
|804|||美国|美国豪威|||||||2025/10/26|
||ELECTRONIC IMAGING SYSTEM WITH ADJUSTEDDARK FLOOR CORRECTION||||US 7,330,208 B2||2004/3/8||2008/2/12|||
|805|||美国|美国豪威|||||||2026/4/6|
||ELECTRONIC IMAGING SYSTEM WITH ADJUSTEDDARK FLOOR CORRECTION||||US 7,907,192 B2||2007/12/20||2011/3/15|||
|806|||美国|美国豪威|||||||2025/7/23|
|807|EXTENDED DYNAMIC RANGE IMAGING SYSTEM||美国|美国豪威|US 7,583,305 B2||2004/7/7||2009/9/1||2026/6/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR AND IMAGE CAPTURE SYSTEMWITH EXTENDED DYNAMIC RANGE||||US 7,830,435 B2||2003/9/3||2010/11/9|||
|808|||美国|美国豪威|||||||2027/8/3|
||LUMINANCE-PRIORITY ELECTRONIC COLORIMAGE SENSOR||||US 6,593,558 Bl||1999/12/30||2003/7/15|||
|809|||美国|美国豪威|||||||2020/8/28|
||ELECTRONIC SERIALIZATION OF IMAGESENSORS||||US 7,522,203 B2||2003/10/1||2009/4/21|||
|810|||美国|美国豪威|||||||2027/1/18|
||CAMERA, IMAGE SENSOR, AND METHOD FORDECREASING UNDESIRABLE DARK CURRENT||||US 7,973,836 B2||2004/10/28||2011/7/5|||
|811|||美国|美国豪威|||||||2027/6/29|
||THIN LIGHTSHIELD PROCESS FOR SOLID-STATEIMAGE SENSORS||||US 6,878,919 Bl||2004/4/28||2005/4/12|||
|812|||美国|美国豪威|||||||2024/4/28|
||THIN LIGHTSHIELD PROCESS FOR SOLID-STATEIMAGE SENSORS||||US 7,391,001 B2||2005/2/28||2008/6/24|||
|813|||美国|美国豪威|||||||2025/3/1|
||METHOD OF THIN LIGHTSHIELD PROCESS FORSOLID-STATE IMAGE SENSORS||||US 7,402,787 B2||2007/10/30||2008/7/22|||
|814|||美国|美国豪威|||||||2024/4/28|
||LOW NOISE SAMPLE AND HOLD CIRCUIT FORIMAGE SENSORS||||US 7,385,636 B2||2004/4/30||2008/6/10|||
|815|||美国|美国豪威|||||||2026/6/1|
||IMAGE SENSOR WITH REDUCED P-WELLCONDUCTIVITY||||US 7,075,129 B2||2004/1/9||2006/7/11|||
|816|||美国|美国豪威|||||||2024/8/1|
||METAL INTERCONNECTS FOR INTEGRATEDCIRCUIT DIE COMPRISING NON-OXIDIZINGPORTIONS EXTENDING OUTSIDE SEAL RING||||US 8,072,066 B2||2005/2/2||2011/12/6|||
|817|||美国|美国豪威|||||||2028/1/21|
||METHOD AND APPARATUS FOR REDUCTION OFRESIDUAL SIGNAL IN DIGITAL IMAGES||||US 7,436,452 B2||2004/7/28||2008/10/14|||
|818|||美国|美国豪威|||||||2026/5/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CAPTURED BY IMAGE SENSORS|||||||||||
||METHODS TO ELIMINATE AMPLIFIER GLOWINGARTIFACT IN DIGITAL IMAGES CAPTURED BYAN IMAGE SENSOR||||US 7,402,882 B2||2004/8/23||2008/7/22|||
|819|||美国|美国豪威|||||||2024/8/23|
||CMOS COMPATIBLE PIXEL CELL THAT UTILIZESA GATED DIODE TO RESET THE CELL||||US 6,380,571 Bl||1998/10/14||2002/4/30|||
|820|||美国|美国豪威|||||||2018/10/14|
||CMOS COMPATIBLE PIXEL CELL THAT UTILIZESA GATED DIODE TO RESET THE CELL||||US 6,384,398 Bl||2001/5/8||2002/5/7|||
|821|||美国|美国豪威|||||||2018/10/14|
||METHOD AND CIRCUIT FOR SETTINGBREAKPOINTS FOR ACTIVE PIXEL SENSOR CELLTO ACHIEVE PIECEWISE LINEAR TRANSFERFUNCTION||||US 6,348,681 Bl||2000/6/5||2002/2/19|||
|822|||美国|美国豪威|||||||2020/6/22|
||LOW COST DIE SIZED MODULE FOR IMAGINGAPPLICATION HAVING A LENS HOUSINGASSEMBLY||||US 6,384,397 Bl||2000/8/8||2002/5/7|||
|823|||美国|美国豪威|||||||2020/7/12|
||METHOD AND APPARATUS FOR A PIXEL CELLEARCHITECTURE HAVING HIGH SENSITIVITY,LOW LAG AND ELECTRONIC SHUTTER||||US 6,635,857 Bl||2000/9/28||2003/10/21|||
|824|||美国|美国豪威|||||||2020/10/18|
||APPARATUS FOR HIGH SENSITIVITY, LOW LAG,HIGH VOLTAGE SWING IN A PIXEL CELL WITHAN ELECTRONIC SHUTTER||||US 6,720,592 Bl||2001/6/29||2004/4/13|||
|825|||美国|美国豪威|||||||2021/8/10|
||HIGH VOLTAGE RESET METHOD FORINCREASING THE DYNAMIC RANGE OF A CMOS||||US 6,864,920 Bl||2001/8/24||2005/3/8|||
|826|||美国|美国豪威|||||||2023/6/25|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR|||||||||||
|827|INTEGRATED RANGE FINDER AND IMAGER||美国|美国豪威|US 6,661,500 Bl||2002/3/15||2003/12/9||2022/3/15|
||AUTOMATIC EXPOSURE CONTROL FOR ANIMAGE SENSOR||||US 7,038,820 Bl||2002/4/3||2006/5/2|||
|828|||美国|美国豪威|||||||2024/10/14|
||AUTOMATICALLY BALANCED EXPOSURE TIMEAND GAIN IN AN IMAGE SENSOR||||US 7,099,056 Bl||2002/9/25||2006/8/29|||
|829|||美国|美国豪威|||||||2025/2/23|
||APPARATUS AND METHOD FOR WAFER LEVELPACKAGING OF OPTICAL IMAGINGSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 6,873,024 Bl||2002/8/9||2005/3/29|||
|830|||美国|美国豪威|||||||2022/6/20|
||BLOOMING CONTROL FOR A CMOS IMAGESENSOR||||US 6,861,635 Bl||2002/10/18||2005/3/1|||
|831|||美国|美国豪威|||||||2022/12/29|
||BLACK LEVEL CALIBRATION METHOD FORIMAGER WITH HYSTERESIS COMPARISON ANDADAPTIVE STEP SIZE||||US 7,084,911 B1||2002/11/8||2006/8/1|||
|832|||美国|美国豪威|||||||2025/1/11|
||COLOR IMAGER CELL WITH TRANSISTORSFORMED UNDER THE PHOTODIODES||||US 7,067,895 Bl||2003/1/10||2006/6/27|||
|833|||美国|美国豪威|||||||2023/2/2|
||CMOS IMAGE SENSOR OVERSATURATIONPROTECTION CIRCUIT||||US 7,167,200 Bl||2003/6/27||2007/1/23|||
|834|||美国|美国豪威|||||||2036/7/21|
||BIDIRECTIONAL HORIZONTAL SCAN CIRCUITWITH SUB-SAMPLING AND HORIZONTALADDING FUNCTIONS||||US 7,249,299 Bl||2003/8/15||2007/7/24|||
|835|||美国|美国豪威|||||||2025/9/26|
||CHARGE DIFFUSION CROSSTALK REDUCTIONFOR IMAGE SENSORS||||US 7,561,194 B1||2003/10/17||2009/7/14|||
|836|||美国|美国豪威|||||||2026/6/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LOW-COST METHOD OF FORMING A COLORIMAGER||||US 6,852,562 Bl||2003/12/5||2005/2/8|||
|837|||美国|美国豪威|||||||2023/12/5|
||IMAGING CELL WITH A NON-VOLATILEMEMORY THAT PROVIDES A LONGINTEGRATION PERIOD AND METHOD OFOPERATING THE IMAGING CELL||||US 6,972,995 Bl||2004/4/9||2005/12/6|||
|838|||美国|美国豪威|||||||2024/4/9|
||IMAGING CELL THAT HAS A LONGINTEGRATION PERIOD AND METHOD OFOPERATING THE IMAGING CELL||||US 6,972,457 Bl||2004/4/9||2005/12/6|||
|839|||美国|美国豪威|||||||2024/4/9|
||IMAGING CELL THAT HAS A LONGINTEGRATION PERIOD AND METHOD OFOPERATING THE IMAGING CELL||||US 7,218,555 B2||2005/10/3||2007/5/15|||
|840|||美国|美国豪威|||||||2024/4/9|
||METHOD FOR REDUCING DARK CURRENT FORAN ARRAY OF ACTIVE PIXEL SENSOR CELLS||||US 7,053,354 Bl||2004/5/24||2006/5/30|||
|841|||美国|美国豪威|||||||2024/9/25|
||METHOD OF ESTIMATING ELECTRICAL CROSSTALK IN AN ARRAY OF IMAGING CELLS||||US 7,400,352 Bl||2004/5/26||2008/7/15|||
|842|||美国|美国豪威|||||||2026/7/5|
||ACTIVE PIXEL SENSOR CELL WITHINTEGRATING VARACTOR AND METHOD FORUSING SUCH CELL||||US 7,102,117 B2||2004/6/8||2006/9/5|||
|843|||美国|美国豪威|||||||2024/12/24|
||ACTIVE PIXEL SENSOR CELL WITHINTEGRATING VARACTOR AND METHOD FORUSING SUCH CELL||||US 7,262,401 B2||2006/8/1||2007/8/28|||
|844|||美国|美国豪威|||||||2024/7/21|
|845|METHOD FOR CAPTURING A SEQUENCE OF||美国|美国豪威|US 7,508,436 B2||2005/6/29||2009/3/24||2027/2/17|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGES IN CLOSE SUCCESSION|||||||||||
||USE OF FREQUENCY TRANSFORM IN THEANALYSIS OF IMAGE SENSORS||||US 7,672,518 B2||2005/3/29||2010/3/2|||
|846|||美国|美国豪威|||||||2028/12/31|
||USE OF FREQUENCY TRANSFORMS IN THEANALYSIS OF IMAGE SENSORS||||US 7,672,519 B2||2005/7/13||2010/3/2|||
|847|||美国|美国豪威|||||||2028/6/21|
||PINNED-PHOTODIODE PIXEL WITH GLOBALSHUTTER||||US 7,361,877 B2||2006/3/30||2008/4/22|||
|848|||美国|美国豪威|||||||2026/4/26|
||SELECTIVE PIXEL BINNING AND AVERAGINGBASED ON SCENE ILLUMINANT||||US 8,306,362 B2||2005/7/20||2012/11/6|||
|849|||美国|美国豪威|||||||2028/1/15|
||ON-CHIP BLOCK BALANCING STRUCTURE ANDMETHOD FOR MULTIPLE OUTPUT IMAGESENSORS||||US 7,423,668 B2||2005/7/11||2008/9/9|||
|850|||美国|美国豪威|||||||2026/12/1|
||PROCESSING COLOR AND PANCHROMATICPIXELS||||US 8,274,715 B2||2005/7/28||2012/9/25|||
|851|||美国|美国豪威|||||||2027/6/17|
||PROCESSING COLOR AND PANCHROMATICPIXELS||||US 8,711,452 B2||2012/9/14||2014/4/29|||
|852|||美国|美国豪威|||||||2025/7/28|
||ASYMMETRICAL MICROLENSES ON PIXELARRAYS||||US 7,456,380 B2||2005/10/18||2008/11/25|||
|853|||美国|美国豪威|||||||2025/6/1|
||CMOS IMAGE SENSOR PIXEL WITH SELECTABLEBINNING AND CONVERSION GAIN||||US 7,705,900 B2||2006/4/21||2010/4/27|||
|854|||美国|美国豪威|||||||2028/3/26|
||CMOS SHARED AMPLIFIER PIXELS WITH OUTPUTSIGNAL WIRE BELOW FLOATING DIFFUSIONINTERCONNECT FOR REDUCED FLOATING||||US 8,253,214 B2||2006/5/25||2012/8/28|||
|855|||美国|美国豪威|||||||2029/10/16|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DIFFUSION CAPACITANCE|||||||||||
||SHARED AMPLIFIER PIXEL WITH MATCHEDCOUPLING CAPACITANCES||||US 7,238,926 B2||2006/4/5||2007/7/3|||
|856|||美国|美国豪威|||||||2025/6/1|
||CMOS APS SHARED AMPLIFIER PIXEL WITHSYMMETRICAL FIELD EFFECT TRANSISTORPLACEMENT||||US 7,342,213 B2||2006/5/11||2008/3/11|||
|857|||美国|美国豪威|||||||2025/6/1|
||PIXEL ARRAY OUTPUT ROUTING STRUCTUREFOR MULTI-CHANNEL CMOS IMAGE SENSORS||||US 7,465,934 B2||2005/9/30||2008/12/16|||
|858|||美国|美国豪威|||||||2026/1/20|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 8,139,130 B2||2005/7/28||2012/3/20|||
|859|||美国|美国豪威|||||||2029/4/6|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 8,330,839 B2||2012/3/19||2012/12/11|||
|860|||美国|美国豪威|||||||2025/7/28|
|861|METHOD FORCORRECTING ECLIPSEOR DARKLE||美国|美国豪威|US 7,573,519 B2||2005/10/26||2009/8/11||2027/3/9|
||PROVIDING MULTIPLE VIDEO SIGNALS FROMSINGLE SENSOR||||US 8,031,258 B2||2006/10/4||2011/10/4|||
|862|||美国|美国豪威|||||||2029/5/12|
||PROVIDING MULTIPLE VIDEO SIGNALS FROMSINGLE SENSOR||||US 8,416,339 B2||2011/8/29||2013/4/9|||
|863|||美国|美国豪威|||||||2026/10/4|
||METHOD FOR DETECTING STREAKS IN DIGITALIMAGES||||US 7,508,994 B2||2005/12/5||2009/3/24|||
|864|||美国|美国豪威|||||||2027/2/20|
||PHOTODETECTOR AND N-LAYER STRUCTUREFOR IMPROVED COLLECTION EFFICIENCY||||US 7,875,916 B2||2006/6/15||2011/1/25|||
|865|||美国|美国豪威|||||||2028/10/13|
|866|EXTENDED DYNAMIC RANGE USING VARIABLE||美国|美国豪威|US 7,674,648 B2||2007/3/21||2010/3/9||2027/3/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SENSITIVITY PIXELS|||||||||||
||DELAY MANAGEMENT CIRCUIT FOR READINGOUT LARGE S/H ARRAYS||||US 7,593,050 B2||2006/2/27||2009/9/22|||
|867|||美国|美国豪威|||||||2027/10/8|
||PMOS PIXEL STRUCTURE WITH LOW CROSSTALK FOR ACTIVE PIXEL IMAGE SENSORS||||US 7,728,277 B2||2006/6/20||2010/6/1|||
|868|||美国|美国豪威|||||||2026/6/20|
||ULTRA-SMALL CMOS IMAGE SENSOR PIXELUSING A PHOTODIODE POTENTIAL TECHNIQUE||||US 7,382,008 B2||2006/5/2||2008/6/3|||
|869|||美国|美国豪威|||||||2026/5/2|
||PIXEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER USINGA RAMPED TRANSFER GATE CLOCK||||US 7,652,706 B2||2006/2/15||2010/1/26|||
|870|||美国|美国豪威|||||||2027/7/25|
||INTERPOLATION OF PANCHROMATIC ANDCOLOR PIXELS||||US 7,830,430 B2||2006/1/27||2010/11/9|||
|871|||美国|美国豪威|||||||2029/9/11|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 7,688,368 B2||2006/1/27||2010/3/30|||
|872|||美国|美国豪威|||||||2029/1/3|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 7,916,362 B2||2006/5/22||2011/3/29|||
|873|||美国|美国豪威|||||||2029/7/28|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 8,194,296 B2||2011/3/10||2012/6/5|||
|874|||美国|美国豪威|||||||2026/5/22|
|875|AUTOFOCUSING STILL AND VIDEO IMAGES||美国|美国豪威|US 7,561,789 B2||2006/6/29||2009/7/14||2027/7/10|
||CCD WITH IMPROVED SUBSTRATE VOLTAGESETTING CIRCUIT||||US 7,508,432 B2||2006/7/19||2009/3/24|||
|876|||美国|美国豪威|||||||2027/10/2|
||ISOLATION METHOD FOR LOW DARK CURRENTIMAGER||||US 7,521,278 B2||2006/10/17||2009/4/21|||
|877|||美国|美国豪威|||||||2027/10/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||WIDE-RANGE LINEAR OUTPUT PHOTO SENSORCIRCUIT||||US 7,420,152 B2||2006/9/7||2008/9/2|||
|878|||美国|美国豪威|||||||2026/11/19|
|879|LIGHT SENSITIVITY IN IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 7,893,976 B2||2006/12/1||2011/2/22||2029/12/22|
||PROCESSING IMAGES HAVING COLOR ANDPANCHROMATIC PIXELS||||US 7,769,229 B2||2006/11/30||2010/8/3|||
|880|||美国|美国豪威|||||||2029/6/3|
|881|IMAGE SENSOR PIXEL WITH GAIN CONTROL||美国|美国豪威|US 8,159,585 B2||2007/5/1||2012/4/17||2029/7/14|
|882|IMAGE SENSOR PIXEL WITH GAIN CONTROL||美国|美国豪威|US 8,717,476 B2||2012/3/12||2014/5/6||2027/5/1|
||REDUCED PIXEL AREA IMAGE SENSOR||||US 7,915, 702B2||2007/3/15||2011/3/29|||
|883|||美国|美国豪威|||||||2029/2/28|
|884|REDUCED PIXEL AREA IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,294,187 B2||2011/1/26||2012/10/23||2027/3/16|
||ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING A SENSORWAFER CONNECTED TO A SUPPORT CIRCUITWAFER||||US 8,049,256 B2||2007/10/4||2011/11/1|||
|885|||美国|美国豪威|||||||2026/10/5|
|886|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||美国|美国豪威|US 8,558,292 B2||2010/6/11||2013/10/15||2027/7/31|
|887|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||美国|美国豪威|US 8,178,938 B2||2011/3/18||2012/5/15||2027/10/4|
||TWO EPITAXIAL LAYERS TO REDUCECROSSTALK IN AN IMAGE SENSOR||||US 7,776,638 B2||2008/10/8||2010/8/17|||
|888|||美国|美国豪威|||||||2027/3/15|
||NOISE REDUCTION OF PANCHROMATIC ANDCOLOR IMAGE||||US 7,876,956 B2||2006/11/10||2011/1/25|||
|889|||美国|美国豪威|||||||2029/11/25|
|890|PRODUCING LOW RESOLUTION IMAGES||美国|美国豪威|US 7,769,230 B2||2006/11/30||2010/8/3||2029/6/3|
||SOLID IMAGE CAPTURING DEVICE, LENS UNITAND IMAGE CAPTURING APPARATUS||||US 6,980,241 B2||2001/3/23||2005/12/27|||
|891|||美国|美国豪威|||||||2023/7/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||INCLUDING AN OPTICAL MASK FOR STORINGCHARACTERISTIC DATA|||||||||||
||METHOD OF SHARPENING USINGPANCHROMATIC PIXELS||||US 7,769,241 B2||2007/1/9||2010/8/3|||
|892|||美国|美国豪威|||||||2029/6/4|
||SILICIDE STRAPPING IN IMAGER TRANSFERGATE DEVICE|||美国豪威|US 7,675,097 B2||2006/12/1||2010/3/9|||
|||||/International||||||||
|893|||美国|Business|||||||2028/1/8|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
||METHODS OF FORMING SILICIDE STRAPPING INIMAGER TRANSFER GATE DEVICE|||美国豪威|US 8,158,453 B2||2010/2/3||2012/4/17|||
|||||/International||||||||
|894|||美国|Business|||||||2030/7/15|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
|895|EDGE MAPPING USING PANCHROMATIC PIXELS||美国|美国豪威|US 7,844,127 B2||2007/3/30||2010/11/30||2029/7/1|
||MULTIPLE COMPONENT READOUT OF IMAGESENSOR||||US 7,855,740 B2||2007/7/20||2010/12/21|||
|896|||美国|美国豪威|||||||2029/6/14|
||EDGE MAPPING INCORPORATINGPANCHROMATIC PIXELS||||US 8,594,451 B2||2007/3/30||2013/11/26|||
|897|||美国|美国豪威|||||||2030/8/8|
||DETERMINING AND CORRECTING FOR IMAGINGDEVICE MOTION DURING AN EXPOSURE||||US 8,896,712 B2||2007/7/20||2014/11/25|||
|898|||美国|美国豪威|||||||2029/12/21|
||MICRO-ELECTROMECHANICAL MICROSHUTTERARRAY||||US 7,684,101 B2||2007/10/11||2010/3/23|||
|899|||美国|美国豪威|||||||2028/3/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||MICRO-ELECTROMECHANICAL MICROSHUTTERARRAY||||US 8,077,372 B2||2010/1/21||2011/12/13|||
|900|||美国|美国豪威|||||||2027/10/11|
||NOISE REDUCED COLOR IMAGE USINGPANCHROMATIC IMAGE||||US 7,889,921 B2||2007/5/23||2011/2/15|||
|901|||美国|美国豪威|||||||2029/11/23|
||NOISE REDUCED COLOR IMAGE USINGPANCHROMATIC IMAGE||||US 8,224,085 B2||2011/1/3||2012/7/17|||
|902|||美国|美国豪威|||||||2027/5/23|
||HIGH GAIN READ CIRCUIT FOR 3D INTEGRATEDPIXEL||||US 7,965,329 B2||2008/9/9||2011/6/21|||
|903|||美国|美国豪威|||||||2029/9/30|
|904|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||美国|美国豪威|US 7,858,915 B2||2008/3/31||2010/12/28||2029/5/3|
||MULTIPLE IMAGE SENSOR SYSTEM WITHSHARED PROCESSING||||US 7,969,469 B2||2007/11/30||2011/6/28|||
|905|||美国|美国豪威|||||||2029/6/4|
||SAMPLING AND READOUT OF AN IMAGESENSOR HAVING A SPARSE COLOR FILTERARRAY PATTERN||||US 7,999,870 B2||2008/2/1||2011/8/16|||
|906|||美国|美国豪威|||||||2030/3/15|
|907|BACK-ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 8,618,458 B2||2008/11/7||2013/12/31||2031/1/18|
||STACKED IMAGE SENSOR WITH SHAREDDIFFUSION REGIONS IN RESPECTIVE DROPPEDPIXEL POSITIONS OF A PIXEL ARRAY||||US 7,781,716 B2||2008/3/17||2010/8/24|||
|908|||美国|美国豪威|||||||2028/8/5|
||CONCENTRIC EXPOSURE SEQUENCE FOR IMAGESENSOR||||US 8,164,651 B2||2008/4/29||2012/4/24|||
|909|||美国|美国豪威|||||||2030/2/15|
||METHOD FOR FORMING AN IMPROVED IMAGEUSING IMAGES WITH DIFFERENT RESOLUTIONS||||US 8,130,278 B2||2008/8/1||2012/3/6|||
|910|||美国|美国豪威|||||||2030/2/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|911|EXTENDED DEPTH OF FIELD FOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,587,681 B2||2008/11/21||2013/11/19||2030/7/15|
||IMAGE SENSOR WITH RAISED PHOTOSENSITIVEELEMENTS||||US 8,211,732 B2||2008/9/11||2012/7/3|||
|912|||美国|美国豪威|||||||2029/9/21|
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSINGLAYERS||||US 8,471,939 B2||2008/8/1||2013/6/25|||
|913|||美国|美国豪威|||||||2030/8/5|
||BACK ILLUMINATED SENSOR WITH LOWCROSSTALK||||US 7,838,956 B2||2008/12/17||2010/11/23|||
|914|||美国|美国豪威|||||||2029/2/13|
||IMAGE SENSORS WITH IMPROVED ANGLERESPONSE||||US 8,350,952 B2||2008/6/4||2013/1/8|||
|915|||美国|美国豪威|||||||2030/1/8|
||ANALOG MULTIPLEXER CONFIGURED TOREDUCE KICKBACK PERTURBATION IN IMAGESENSOR READOUT||||US 8,184,184 B2||2008/12/8||2012/5/22|||
|916|||美国|美国豪威|||||||2031/1/18|
||COLOR FILTER ARRAY ALIGNMENT MARKFORMATION IN BACKSIDE ILLUMINATED IMAGESENSORS||||US 8,017,426 B2||2008/7/9||2011/9/13|||
|917|||美国|美国豪威|||||||2029/7/12|
||WAFER LEVEL PROCESSING FOR BACKSIDEILLUMINATED SENSORS||||US 7,859,033 B2||2008/7/9||2010/12/28|||
|918|||美国|美国豪威|||||||2020/11/26|
||WAFER LEVEL PROCESSING FOR BACKSIDEILLUMINATED SENSORS||||US 8,119,435 B2||2010/11/5||2012/2/21|||
|919|||美国|美国豪威|||||||2028/7/9|
||BAKCSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORWITHSHALLOW BACKSIDE TRENCH FOR PHOTODIODEISOLATION||||US 8,076,170 B2||2010/11/11||2011/12/13|||
|920|||美国|美国豪威|||||||2028/7/9|
|921|BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH||美国|美国豪威|US 7,915,067 B2||2008/7/9||2011/3/29||2028/8/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||REDUCED DARK CURRENT|||||||||||
||IMAGE SENSORS HAVING GRATINGS FOR COLORSEPARATION||||US 8,400,537 B2||2008/11/13||2013/3/19|||
|922|||美国|美国豪威|||||||2030/1/6|
||IMAGE SENSOR WITH CONTROLLABLETRANSFER GATE OFF STATE VOLTAGE LEVELS||||US 8,174,601 B2||2008/12/19||2012/5/8|||
|923|||美国|美国豪威|||||||2030/10/22|
||IMAGE SENSOR HAVING REDUCED WELLBOUNCE||||US 7,807,955 B2||2008/5/30||2010/10/5|||
|924|||美国|美国豪威|||||||2028/10/27|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSORINCLUDING POLARIZER AND MICROLENS||||US 7,964,840 B2||2008/6/19||2011/6/21|||
|925|||美国|美国豪威|||||||2029/1/14|
||PROGRAMMABLEMICRO-ELECTROMECHANICAL MICROSHUTTERARRAY||||US 8,194,178 B2||2009/11/12||2012/6/5|||
|926|||美国|美国豪威|||||||2030/7/23|
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSINGLAYERS||||US 8,054,355 B2||2008/10/16||2011/11/8|||
|927|||美国|美国豪威|||||||2030/4/24|
|928|WIDE APERTURE IMAGE SENSOR PIXEL||美国|美国豪威|US 8,035,716 B2||2008/6/13||2011/10/11||2030/2/22|
||IN-PIXEL SUMMING OF CHARGE GENERATED BYTWO OR MORE PIXELS HAVING TWO RESETTRANSISTORS CONNECTED IN SERIES||||US 7,777,171 B2||2008/8/26||2010/8/17|||
|929|||美国|美国豪威|||||||2028/8/26|
||IMAGE SENSORS HAVING NON-UNIFORM LIGHTSHIELDS||||US 8,059,180 B2||2008/11/25||2011/11/15|||
|930|||美国|美国豪威|||||||2030/2/11|
||ELIMINATION OF GLOWING ARTIFACT INDIGITAL IMAGES CAPTURED BY AN IMAGESENSOR||||US 8,022,452 B2||2008/12/12||2011/9/20|||
|931|||美国|美国豪威|||||||2029/7/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DEFECTIVE COLOR AND PANCHROMATIC CFAIMAGE||||US 8,111,307 B2||2008/10/25||2012/2/7|||
|932|||美国|美国豪威|||||||2030/5/13|
|933|DITHERED FOCUS EVALUATION||美国|美国豪威|US 8,164,682 B2||2008/10/14||2012/4/24||2030/11/16|
||MODIFYING COLOR AND PANCHROMATICCHANNEL CFA IMAGE||||US 8,073,246 B2||2008/11/7||2011/12/6|||
|934|||美国|美国豪威|||||||2030/7/12|
||EXPOSING PIXEL GROUPS IN PRODUCINGDIGITAL IMAGES||||US 8,218,068 B2||2009/4/1||2012/7/10|||
|935|||美国|美国豪威|||||||2030/12/5|
||EXPOSING PIXEL GROUPS IN PRODUCINGDIGITAL IMAGES||||US 8,355,074 B2||2012/7/3||2013/1/15|||
|936|||美国|美国豪威|||||||2029/4/1|
||CFA IMAGE WITH SYNTHETIC PANCHROMATICIMAGE||||US 8,224,082 B2||2009/3/10||2012/7/17|||
|937|||美国|美国豪威|||||||2031/5/6|
||PRODUCING FULL-COLOR IMAGE USING CFAIMAGE||||US 8,068,153 B2||2009/3/27||2011/11/29|||
|938|||美国|美国豪威|||||||2030/2/16|
||PRODUCING FULL-COLOR IMAGE WITHREDUCED MOTION BLUR||||US 8,045,024 B2||2009/4/15||2011/10/25|||
|939|||美国|美国豪威|||||||2030/3/13|
||COLUMN OUTPUT CIRCUITS FOR IMAGESENSORS||||US 8,411,184 B2||2009/12/22||2013/4/2|||
|940|||美国|美国豪威|||||||2030/10/5|
||BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSORS HAVINGBOTH FRONTSIDE AND BACKSIDEPHOTODETECTORS||||US 8,018,016 B2||2009/6/26||2011/9/13|||
|941|||美国|美国豪威|||||||2029/6/26|
||IMAGE SENSOR WITH WELL BOUNCECORRECTION||||US 8,106,427 B2||2009/12/21||2012/1/31|||
|942|||美国|美国豪威|||||||2030/7/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FOUR-CHANNEL COLOR FILTER ARRAYPATTERN||||US 8,203,633 B2||2009/5/27||2012/6/19|||
|943|||美国|美国豪威|||||||2035/11/24|
||FOUR-CHANNEL COLOR FILTER ARRAYINTERPOLATION||||US 8,237,831 B2||2009/5/28||2012/8/7|||
|944|||美国|美国豪威|||||||2029/11/30|
||COLOR FILTER ARRAY PATTERN HAVINGFOUR-CHANNELS||||US 8,125,546 B2||2009/6/5||2012/2/28|||
|945|||美国|美国豪威|||||||2030/4/17|
||INTERPOLATION FOR FOUR-CHANNEL COLORFILTER ARRAY||||US 8,253,832 B2||2009/6/9||2012/8/28|||
|946|||美国|美国豪威|||||||2030/10/16|
||BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSORS HAVINGBOTH FRONTSIDE AND BACKSIDEPHOTODETECTORS||||US 8,076,746 B2||2009/6/26||2011/12/13|||
|947|||美国|美国豪威|||||||2029/11/18|
||SUSPENDING COLUMN READOUT IN IMAGESENSORS||||US 8,525,910 B2||2010/11/23||2013/9/3|||
|948|||美国|美国豪威|||||||2031/5/16|
||GENERATING COLUMN OFFSET CORRECTIONSFOR IMAGE SENSORS||||US 8,269,864 B2||2009/12/31||2012/9/18|||
|949|||美国|美国豪威|||||||2030/11/20|
||GENERATING COLUMN OFFSET CORRECTIONSFOR IMAGE SENSORS||||US 8,228,403 B2||2009/12/31||2012/7/24|||
|950|||美国|美国豪威|||||||2030/10/7|
||METHOD FOR FORMING DEEP ISOLATION INIMAGERS||||US 8,048,711 B2||2010/11/9||2011/11/1|||
|951|||美国|美国豪威|||||||2029/12/30|
|952|IMAGE SENSOR WITH DOPED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 9,000,500 B2||2010/11/9||2015/4/7||2031/10/22|
|953|IMAGE SENSOR WITH DOPED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 9,431,456 B2||2015/2/10||2016/8/30||2035/2/10|
|954|WAFER STRUCTURE TO REDUCE DARK||美国|美国豪威|US 8,173,535 B2||2009/12/21||2012/5/8||2030/6/30|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CURRENT|||||||||||
||PAUSING COLUMN READOUT IN IMAGESENSORS||||US 8,659,694 B2||2010/11/24||2014/2/25|||
|955|||美国|美国豪威|||||||2032/7/8|
||GENERATING COLUMN OFFSET CORRECTIONSFOR IMAGE SENSORS||||US 8,199,225 B2||2009/12/31||2012/6/12|||
|956|||美国|美国豪威|||||||2030/10/24|
||ISOLATING WIRE BONDING IN INTEGRATEDELECTRICAL COMPONENTS||||US 8,318,580 B2||2010/4/29||2012/11/27|||
|957|||美国|美国豪威|||||||2031/1/16|
||ISOLATED WIRE BOND IN INTEGRATEDELECTRICAL COMPONENTS||||US 8,748,946 B2||2010/4/29||2014/6/10|||
|958|||美国|美国豪威|||||||2031/11/16|
||PHOTODETECTOR ISOLATION IN IMAGESENSORS||||US 8,378,398 B2||2010/12/13||2013/2/19|||
|959|||美国|美国豪威|||||||2031/3/29|
||PHOTODETECTOR ISOLATION IN IMAGESENSORS||||US 8,101,450 B1||2010/12/13||2012/1/24|||
|960|||美国|美国豪威|||||||2030/12/13|
||IMAGE SENSOR WITH CHARGE MULTIPLICATIONOUTPUT CHANNEL AND CHARGE SENSINGOUTPUT CHANNEL||||US 8,395,689 B2||2010/12/20||2013/3/12|||
|961|||美国|美国豪威|||||||2031/10/28|
||METHOD FOR PROCESSING AN IMAGECAPTURED BY AN IMAGE SENSOR HAVING ACHARGE MULTIPLICATION OUTPUT CHANNELAND A CHARGE SENSING OUTPUT CHANNEL||||US 8,643,758 B2||2010/12/20||2014/2/4|||
|962|||美国|美国豪威|||||||2032/2/28|
||METHOD FOR PRODUCING AN IMAGE SENSORWITH CHARGE MULTIPLICATION OUTPUTCHANNEL AND CHARGE SENSING OUTPUT||||US 8,601,674 B2||2010/12/20||2013/12/10|||
|963|||美国|美国豪威|||||||2031/10/27|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CHANNEL|||||||||||
||SUSPENDING COLUMN ADDRESSING IN IMAGESENSORS||||US 8,384,813 B2||2010/12/20||2013/2/26|||
|964|||美国|美国豪威|||||||2031/4/21|
||IMAGE SENSOR HAVING INTEGRATED THINFILM INFRARED FILTER|||豪威国际控|US 6,818,962 B2||2002/10/25||2004/11/16|||
|965|||美国||||||||2023/4/18|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING INTEGRATED THINFILM INFRARED FILTER|||豪威国际控|US 7,388,242 B2||2004/8/19||2008/6/17|||
|966|||美国||||||||2024/9/1|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING COMBINATION COLORFILTER AND CONCAVE-SHAPED MICRO-LENSES|||豪威国际控|US 6,737,719 B1||2002/10/25||2004/5/18|||
|967|||美国||||||||2022/12/30|
|||||股||||||||
||METHOD OF FORMING PLANAR COLOR FILTERSIN AN IMAGE SENSOR|||豪威国际控|US 6,699,729 B1||2002/10/25||2004/3/2|||
|968|||美国||||||||2022/10/25|
|||||股||||||||
||METHOD FOR MAKING AND PACKAGING IMAGESENSOR DIE USING PROTECTIVE COATING|||豪威国际控|US 6,808,960 B2||2002/10/25||2004/10/26|||
|969|||美国||||||||2022/12/19|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENSES WITHINTEGRATED COLOR FILTER AND METHOD OFMAKING||||US 6,861,280 B2||2002/10/25||2005/3/1|||
|||||豪威国际控||||||||
|970|||美国||||||||2022/10/25|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING LARGE MICRO-LENSESAT THE PERIPHERAL REGIONS|||豪威国际控|US 6,638,786 B2||2002/10/25||2003/10/28|||
|971|||美国||||||||2032/8/25|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING REDUCED STRESSCOLOR FILTERS AND METHOD OF MAKING|||豪威国际控|US 6,800,838 B2||2002/10/25||2004/10/5|||
|972|||美国||||||||2023/5/15|
|||||股||||||||
||DUMMY PATTERN FOR IMPROVING MICRO-LENSFORMATION IN AN IMAGE SENSOR|||豪威国际控|US 6,608,358 B1||2002/10/25||2003/8/19|||
|973|||美国||||||||2022/10/25|
|||||股||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH RIDGE STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 8,031,253 B2||2003/6/24||2011/10/4|||
|||||豪威国际控||||||||
|974|||美国||||||||2028/1/23|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH TRENCH STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 6,818,934 B1||2003/6/24||2004/11/16|||
|||||豪威国际控||||||||
|975|||美国||||||||2023/6/24|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH TRENCH STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 6,911,684 B2||2004/8/13||2005/6/28|||
|||||豪威国际控||||||||
|976|||美国||||||||2023/6/24|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH TRENCH STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 6,933,167 B2||2004/9/13||2005/8/23|||
|||||豪威国际控||||||||
|977|||美国||||||||2023/6/24|
|||||股||||||||
||ACCURACY ON-CHIP CLOCK GENERATOR FORMULTI-CLOCK DRIVEN SINGLE CHIP SOLUTION|||豪威国际控|US 7,961,040 B2||2008/8/22||2011-06-14`|||
|978|||美国||||||||2029/6/30|
|||||股||||||||
||METHODS OF FABRICATING SELF-ALIGNEDMETAL LAYER STRUCTURE AND OPTIC|||上海豪威光|US 9,359,684 B2||2014/7/31||2016/6/7|||
|979|||美国||||||||2034/7/31|
|||||电子||||||||
||HIGH LINEARITY UP-CONVERSION MIXER|||豪威科技（上|US 8,482,335 B2||2012/8/27||2013/7/9|||
|980|||美国||||||||2032/8/27|
|||||海）||||||||
||SIGNAL DEMODULATION METHOD|||豪威科技（上|US 8,699,629 B2||2012/8/27||2014/4/15|||
|981|||美国||||||||2032/8/27|
|||||海）||||||||
||CARRIER FREQUENCY ACQUISITION METHODAND APPARATUS|||豪威科技（上|US 9,013,973 B2||2012/8/27||2015/4/21|||
|982|||美国||||||||2032/11/5|
|||||海）||||||||
|983|LOW COMPLEXITY GENERAL SAMPLING||美国|豪威科技（上|US 8,582,676 B1||2012/8/27||2013/11/12||2032/8/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||RECOVERY METHOD AND APPARATUS|||海）||||||||
||SD/SDIO HOST CONTROLLER|||豪威科技（上|US 8,775,693 B2||2012/8/28||2014/7/8|||
|984|||美国||||||||2032/10/4|
|||||海）||||||||
||METHOD AND APPARATUS FOR CHANNELESTIMATION|||豪威科技（上|US 8,750,436 B2||2012/8/28||2014/6/10|||
|985|||美国||||||||2032/8/28|
|||||海）||||||||
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FORCARRIER FREQUENCY OFFSET ESTIMATION|||豪威科技（上|US 8,798,210 B2||2012/8/28||2014/8/5|||
|986|||美国||||||||2033/3/8|
|||||海）||||||||
||LOW-COMPLEXITY CHANNEL NOISE REDUCTIONMETHOD AND APPARATUS FOR MULTI-CARRIERMODE IN WIRELESS LANS||||US 8,565,295 B1||2012/8/28||2013/10/22|||
|||||豪威科技（上||||||||
|987|||美国||||||||2032/8/28|
|||||海）||||||||
||HOUSING FOR WAFER-LEVEL CAMERA MODULE|||豪威科技（上|US 9,030,604 B2||2013/9/11||2015/5/12|||
|988|||美国||||||||2033/9/11|
|||||海）||||||||
||PLASTIC IMAGE SENSOR PACKAGING FORIMAGE SENSORS||||US 7,915,717 B2||2008/8/18||2011/3/29|||
|989|||美国|美国豪威|||||||2029/1/22|
||METHOD AND SYSTEM FOR STILL IMAGEENCODING AND RANDOM ACCESS DECODING|||豪威科技（上|US 9,326,000 B2||2014/7/2||2016/4/26|||
|990|||美国||||||||2034/7/24|
|||||海）||||||||
||WAFER LEVEL BONDING METHOD FORFABRICATING WAFER LEVEL CAMERA LENSES|||豪威科技（上|US 8,822,258 B2||2013/4/18||2014/9/2|||
|991|||美国||||||||2033/4/18|
|||||海）||||||||
||LCOS PANEL AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME|||豪威科技（上|US 9,229,280 B2||2013/4/18||2016/1/5|||
|992|||美国||||||||2033/12/21|
|||||海）||||||||
||METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTORSTRUCTURE|||豪威科技（上|US 9,202,841 B1||2014/9/18||2015/12/1|||
|993|||美国||||||||2034/9/18|
|||||海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BACK-ILLUMINATED SENSOR CHIPS|||豪威科技（上|US 9,553,123 B2||2016/4/20||2017/1/24|||
|994|||美国||||||||2036/4/20|
|||||海）||||||||
||CMOS IMAGE SENSOR WITH REDUCED CROSSTALK||||US 9,923,024 B1||2017/5/26||2018/3/20|||
|995|||美国|美国豪威|||||||2037/5/26|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING ENHANCEDNEAR INFRARED QUANTUM EFFICIENCY||||US 9,991,309 B1||2017/7/5||2018/6/5|||
|996|||美国|美国豪威|||||||2037/7/5|
|997|STORAGE GATE PROTECTION||美国|美国豪威|US 9,859,311 B1||2016/11/28||2018/1/2||2036/11/28|
||WAFER LEVEL IMAGE MODULE|||VisEra|US 7,592,680 B2||2006/9/28||2009/9/22|||
|||||Technologies||||||||
|998|||美国|Company|||||||2026/9/28|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||METHOD FOR MAKING WAFER LEVEL IMAGEMODULE|||VisEra|US 8,524,521 B2||2009/8/11||2013/9/3|||
|||||Technologies||||||||
|999|||美国|Company|||||||2027/11/8|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||IMAGE SENSING DEVICE AND MANUFACTUREMETHOD THEREOF|||Visera|US 8,143,084 B2||2009/1/20||2012/3/27|||
|||||Technologies||||||||
|1000|||美国|Company|||||||2029/10/30|
|||||Ltd., 美国豪||||||||
|||||威||||||||
|1001|IMAGE SENSING DEVICE AND MANUFACTURE||美国|Visera|US 8,507,936 B2||2012/2/14||2013/8/13||2029/1/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD THEREOF|||Technologies||||||||
|||||Company||||||||
|||||Ltd., 美国豪||||||||
|||||威||||||||
||IMAGE SENSOR MODULE HAVING PRECISEIMAGE-PROJECTION CONTROL|||VisEra|US 7,703,997 B2||2007/1/16||2010/4/27|||
|||||Technologies||||||||
|1002|||美国|Company|||||||2028/6/15|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||OPTOELECTRONIC DEVICE CHIP HAVING ACOMPOSITE SPACER STRUCTURE AND METHODMAKING SAME|||VisEra|US 7,433,555 B2||2006/5/22||2008/10/7|||
|||||Technologies||||||||
|1003|||美国|Company|||||||2026/9/4|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||OPTOELECTRONIC DEVICE CHIP HAVING ACOMPOSITE SPACER STRUCTURE AND METHODMAKING SAME|||VisEra|US 7,860,357 B2||2008/8/9||2010/12/28|||
|||||Technologies||||||||
|1004|||美国|Company|||||||2026/6/7|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||ASPHERIC LENS STRUCTURES ANDFABRICATION METHODS THEREOF|||VisEra|US 7,826,148 B2||2007/2/15||2010/11/2|||
|||||Technologies||||||||
|1005|||美国||||||||2028/8/11|
|||||Company||||||||
|||||Limited, 美国||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||豪威||||||||
||OPTICAL MICROSTRUCTURE PLATE ANDFABRICATION MOLD THEREOF|||VisEra|US 7,796,337 B2||2007/3/13||2010/9/14|||
|||||Technologies||||||||
|1006|||美国|Company|||||||2029/1/22|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSORDEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF|||VisEra|US 7,679,167 B2||2007/2/16||2010/3/16|||
|||||Technologies||||||||
|1007|||美国|Company|||||||2027/9/9|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||DISPLAY SYSTEM AND METHOD SUPPORTINGVARIABLE INPUT RATE AND RESOLUTION||||US 9,997,141 B2||2016/9/13||2018/6/12|||
|1008|||美国|美国豪威|||||||2036/9/13|
|1009|IMAGE SENSOR FAILURE DETECTION||美国|美国豪威|US 9,998,700 B1||2016/12/5||2018/6/12||2037/1/11|
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS HAVINGIMPROVED ALIGNMENT AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 10,002,215||2016/8/15||2018/6/19|||
|1010|||美国|美国豪威|||||||2026/4/17|
||CIRCUITRY AND METHOD FOR READOUT OFHYBRID-BONDED IMAGE SENSORS||||US 9,998,698 B1||2017/2/1||2018/6/12|||
|1011|||美国|美国豪威|||||||2037/2/1|
||IMAGE SENSOR FLOATING DIFFUSIONBOOSTING BY TRANSFER GATES||||US 9,998,696 B2||2016/7/21||2018/6/12|||
|1012|||美国|美国豪威|||||||2036/10/27|
||METHOD AND SYSTEM FOR REDUCING NOISE INAN IMAGE SENSOR USING A PARALLEL MULTI||||US 10,015,429||2016/1/11||2018/7/3|||
|1013|||美国|美国豪威|||||||2036/1/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/地区|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||RAMPS MERGED COMPARATOR ANALOG TODIGITAL CONVERTER|||||||||||
||MOBILE COMPUTING DEVICE HAVINGVIDEO-IN-VIDEO REAL-TIME BROADCASTINGCAPABILITY||||US 10,021,431||2013/1/4||2018/7/10|||
|1014|||美国|美国豪威|||||||2034/5/16|
||IMAGE SENSOR WITH ASYMMETRIC-MICROLENSPHASE-DECTECTION AUTO-FOCUS (PDAF)DETECTORS, ASSOCIATED PDAF IMAGINGSYSTEM AND ASSOICATED METHOD||||US 10,015,389||2016/9/22||2018/7/3|||
|1015|||美国|美国豪威|||||||2036/9/12|
||IMAGE SENSOR WITH FAST INTRA-FRAMEFOCUS||||US 10,015,388||2016/9/2||2018/7/3|||
|1016|||美国|美国豪威|||||||2033/3/8|
|1017|SHORT-RESISTANT CHIP-SCALE PACKAGE||美国|美国豪威|US10,020,335||2016/9/9||2018/7/10||2036/9/9|

（二）在欧洲拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/地区|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||CMOS image sensor having integrated universal serialbus (USB) transceiver||||EP1146559||2000/12/13||2006/3/8|||
|1|||法国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Cmos image sensor having integrated universal serial bus(usb) transceiver||||EP1146559||2000/12/13||2006/3/8|||
|2|||英国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||CMOS image sensor having integrated universal serialbus (USB) transceiver||||60026473.4||2000/12/13||2006/3/8|||
|3|||德国|美国豪威|||||||2020/12/13|
|4|System and method for data planarization||德国|美国豪威|69842187.6||1998/11/13||2011/3/16||2018/11/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|5|System and Method for Data Planarization||法国|美国豪威|EP1031132||1998/11/13||2011/3/16||2018/11/13|
|6|System and method for data planarization||英国|美国豪威|EP1031132||1998/11/13||2011/3/16||2018/11/13|
||Display with multiplexed pixels for achieving modulationbetween saturation and theshold voltages||||69942147||1999/5/7||2010/3/17|||
|7|||德国|美国豪威|||||||2019/5/7|
||Display with multiplexed pixels for achieving modulationbetween saturation and theshold voltages||||EP1082718||1999/5/7||2010/3/17|||
|8|||法国|美国豪威|||||||2019/5/7|
||Display With Multiplexed Pixels for AchievingModulation Between Saturation and Threshold Voltages||||EP1082718||1999/5/7||2010/3/17|||
|9|||英国|美国豪威|||||||2019/5/7|
|10|Method for Modulating A Multiplexed Pixel Display||德国|美国豪威|69941706.6||1999/5/7||2009/11/25||2019/5/7|
|11|Method For Modulating A Multiplexed Pixel Display||法国|美国豪威|EP1093654||1999/5/7||2009/11/25||2019/5/7|
|12|Method For Modulating A Multiplexed Pixel Display||英国|美国豪威|EP1093654||1999/5/7||2009/11/25||2019/5/7|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||602486677.7||2002/9/10||2017/2/22|||
|13|||德国|美国豪威|||||||2022/9/10|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309007||2002/9/10||2017/2/22|||
|14|||瑞士|美国豪威|||||||2022/9/10|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309007||2002/9/10||2017/2/22|||
|15|||英国|美国豪威|||||||2022/9/10|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309007||2002/9/10||2017/2/22|||
|16|||法国|美国豪威|||||||2022/9/10|
||Method and apparatus for determining relative movementin an optical mouse||||EP1308879||2002/11/5||2007/2/28|||
|17|||法国|美国豪威|||||||2022/11/5|
|18|Method and apparatus for determining relative movement||德国|美国豪威|60218399.5||2002/11/5||2007/2/28||2022/11/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||in an optical mouse|||||||||||
||Method and apparatus for determining relative movementin an optical mouse||||EP1308879||2002/11/5||2007/2/28|||
|19|||英国|美国豪威|||||||2022/11/5|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|20|||英国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|21|||芬兰|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||60317472.8||2003/2/27||2007/11/14|||
|22|||德国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|23|||法国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems|||美国豪威|EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|24|||瑞典||||||||2023/2/27|
|||||CDM||||||||
||Optical Imaging Systems and Methods Utilizing NonLinear and-or Spatially Varying Image Processing||||EP2008242||2007/4/3||2011/6/8|||
|25|||法国|美国豪威|||||||2027/4/3|
||Optical Imaging Systems and Methods Utilizing NonLinear and-or Spatially Varying Image Processing||||6.02007E+11||2007/4/3||2011/6/8|||
|26|||德国|美国豪威|||||||2027/4/3|
||Optical Imaging Systems and Methods Utilizing NonLinear and-or Spatially Varying Image Processing|||美国豪威|EP2008242||2007/4/3||2011/6/8|||
|27|||英国||||||||2027/4/3|
|||||CDM||||||||
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1923731||2003/2/27||2012/5/16|||
|28|||英国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1923731||2003/2/27||2012/5/16|||
|29|||法国|美国豪威|||||||2023/2/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||60340967.9||2003/2/27||2012/5/16|||
|30|||德国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Method and apparatus for printing photographs fromdigital images using existing DPE mini labs||||EP1413920||2003/10/10||2008/5/14|||
|31|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/10|
||Method and apparatus for printing photographs fromdigital images using existing DPE mini labs||||60320916.5||2003/10/10||2008/5/14|||
|32|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/10|
|33|Zoom Lens Systems with WaveFront Coding||英国|美国豪威|EP1996970||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|34|Zoom Lens Systems with Wave Front Coding||法国|美国豪威|EP1996970||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|35|Zoom Lens Systems with Wave Front Coding||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|36|Zoom Lens Systems with Wave Front Coding||瑞士|美国豪威|EP1996970||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|37|Task Based Imaging Systems||英国|美国豪威|EP2328006||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|38|Task Based Imaging Systems||瑞士|美国豪威|EP2328006||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|39|Task Based Imaging Systems||法国|美国豪威|EP2328006||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|40|Task Based Imaging Systems||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|41|Task Based Imaging Systems||英国|美国豪威|EP2328007||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|42|Task Based Imaging Systems||瑞士|美国豪威|EP2328007||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|43|Task Based Imaging Systems||法国|美国豪威|EP2328007||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|44|Task Based Imaging Systems||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|45|Transparent re-mapping of parallel computational units||英国|美国豪威|EP1643368||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|
|46|Transparent re-mapping of parallel computational units||瑞士|美国豪威|EP1643368||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|
|47|Transparent re-mapping of parallel computational units||法国|美国豪威|EP1643368||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|
|48|Transparent re-mapping of parallel computational units||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|49|Saturation Optics||法国|美国豪威|EP2033039||2007/5/23||2010/3/24||2027/5/23|
|50|Saturation Optics||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/5/23||2010/3/24||2027/5/23|
|51|Saturation Optics||英国|美国豪威|EP2033039||2007/5/23||2010/3/24||2027/5/23|
|52|Optical System With Segmented Pupil Function||英国|美国豪威|EP2256538||2007/5/23||2015/6/17||2027/4/17|
|53|Optical System With Segmented Pupil Function||瑞士|美国豪威|EP2256538||2007/5/23||2015/6/17||2027/5/23|
|54|Optical System With Segmented Pupil Function||法国|美国豪威|EP2256538||2007/5/23||2015/6/17||2027/5/23|
|55|Optical System With Segmented Pupil Function||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/5/23||2015/6/17||2027/5/23|
|56|Multi-Layer Optical Filter Design Method||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/4/25||2012/1/11||2028/4/25|
|57|Multi-Layer Optical Filter Design Method||法国|美国豪威|EP2142949||2008/4/25||2012/1/11||2028/4/25|
|58|Multi-Layer Optical Filter Design Method||英国|美国豪威|EP2142949||2008/4/25||2012/1/11||2028/4/25|
|59|High dynamic range sensor with blooming drain||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|60|High Dynamic Range Sensor With Blooming Drain||英国|美国豪威|EP2009911||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|61|High Dynamic Range Sensor With Blooming Drain||瑞士|美国豪威|EP2009911||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|62|High Dynamic Range Sensor With Blooming Drain||法国|美国豪威|EP2009911||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|63|Multi-Region Imaging Systems||英国|美国豪威|EP2183635||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
|64|Multi Region Imaging System||瑞士|美国豪威|EP2183635||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
|65|Multi Region Imaging System||法国|美国豪威|EP2183635||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
|66|Multi Region Imaging System||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
||Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, andAssociated Methods||||EP2210274||2008/9/15||2017/7/19|||
|67|||英国|美国豪威|||||||2028/9/15|
||Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, andAssociated Methods||||EP2210274||2008/9/15||2017/7/19|||
|68|||法国|美国豪威|||||||2028/9/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, andAssociated Methods||||EP2210274||2008/9/15||2017/7/19|||
|69|||瑞士|美国豪威|||||||2028/9/15|
||Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, andAssociated Methods||||6.02008E+11||2008/9/15||2017/7/19|||
|70|||德国|美国豪威|||||||2028/9/15|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||EP2227898||2008/11/21||2013/1/23|||
|71|||瑞士|美国豪威|||||||2028/11/21|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||EP2227898||2008/11/21||2013/1/23|||
|72|||英国|美国豪威|||||||2028/11/21|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||EP2227898||2008/11/21||2013/1/23|||
|73|||法国|美国豪威|||||||2028/11/21|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||6.02008E+11||2008/11/21||2013/1/23|||
|74|||德国|美国豪威|||||||2028/11/21|
|75|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
|76|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||法国|美国豪威|EP2227899||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
|77|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||瑞士|美国豪威|EP2227899||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
|78|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||英国|美国豪威|EP2227899||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
||Reflowable Camera Module with Improved Reliability ofSolder Connections||||EP2227897||2008/12/16||2012/9/5|||
|79|||英国|美国豪威|||||||2028/12/16|
||Reflowable Camera Module with Improved Reliability ofSolder Connections||||EP2227897||2008/12/16||2012/9/5|||
|80|||法国|美国豪威|||||||2028/12/16|
||Reflowable Camera Module with Improved Reliability ofSolder Connections||||6.02008E+11||2008/12/16||2012/9/5|||
|81|||德国|美国豪威|||||||2028/12/16|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Apparatus and Method for Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||EP2294617||2009/4/15||2013/8/7|||
|82|||法国|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Apparatus and Method for Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||6.02009E+11||2009/4/15||2013/8/7|||
|83|||德国|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Apparatus and Method For Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||EP2294617||2009/4/15||2013/8/7|||
|84|||瑞士|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Apparatus and Method For Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||EP2294617||2009/4/15||2013/8/7|||
|85|||英国|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Membrane Suspended Optical Elements and AssociatedMethods||||EP2240805||2009/1/16||2014/2/26|||
|86|||法国|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Membrane Suspended Optical Elements and AssociatedMethods||||EP2240805||2009/1/16||2014/2/26|||
|87|||瑞士|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Membrane Suspended Optical Elements and AssoicatedMethods||||6.02009E+11||2009/1/16||2014/2/26|||
|88|||德国|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Membrane Suspended Optical Elements,and AssociatedMethods||||EP2240805||2009/1/16||2014/2/26|||
|89|||英国|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Circularly Symmetric Aspheric Optics ProvidingNon-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field||||EP2255240||2009/2/17||2014/4/9|||
|90|||法国|美国豪威|||||||2029/2/17|
||Circularly Symmetric Aspheric Optics ProvidningNon-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field||||6.02009E+11||2009/2/17||2014/4/9|||
|91|||德国|美国豪威|||||||2029/2/17|
|92|Circularly Symmetric Aspheric Optics Providing||瑞士|美国豪威|EP2255240||2009/2/17||2014/4/9||2029/2/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Non-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field|||||||||||
||Circularly Symmetric Aspheric Optics ProvidingNon-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field||||EP2255240||2009/2/17||2014/4/9|||
|93|||英国|美国豪威|||||||2029/2/17|
||Image sensor apparatus and method for line bufferefficient lens distortion correction||||EP2377307||2008/12/18||2015/11/11|||
|94|||英国|美国豪威|||||||2028/12/18|
||Image Sensor Appraratus and Method For Line BufferEfficient Lens Distortion Correction||||EP2377307||2008/12/18||2015/11/11|||
|95|||法国|美国豪威|||||||2028/12/18|
||Image Sensor Appartus and Method For Line BufferEfficient Lens Distortion||||6.02008E+11||2008/12/18||2015/11/11|||
|96|||德国|美国豪威|||||||2028/12/18|
||Image Sensor Apparatus and Method For Line BufferEfficient Lens Distortion||||EP2377307||2008/12/18||2015/11/11|||
|97|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/18|
|98|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||法国|美国豪威|EP2341615||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
|99|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||瑞士|美国豪威|EP2341615||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
|100|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
|101|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||英国|美国豪威|EP2341615||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
||Cross-Color Image Processing Systems And Methods ForSharpness Enhancement||||EP2408210||2011/7/13||2015/2/18|||
|102|||英国|美国豪威|||||||2031/7/13|
||Cross-Color Image Processing Systems And Methods ForSharpness Enhancement||||6.02011E+11||2011/7/13||2015/2/18|||
|103|||德国|美国豪威|||||||2031/7/13|
|104|Cross-Color Image Processing Systems And Methods For||法国|美国豪威|EP2408210||2011/7/13||2015/2/18||2031/7/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Sharpness Enhancement|||||||||||
||Cross-Color Image Processing Systems And Methods ForSharpness Enhancement||||EP2408210||2011/7/13||2015/2/18|||
|105|||瑞士|美国豪威|||||||2031/7/13|
|106|Optical Position Input System and Method||法国|美国豪威|EP2418567||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|107|Optical Position Input System and Method||德国|美国豪威|6.02011E+11||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|108|Optical Position Input System and Method||瑞士|美国豪威|EP2418567||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|109|Optical Position Input System and Method||英国|美国豪威|EP2418567||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|110|Two-Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||法国|美国豪威|EP2487513||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
|111|Two-Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||德国|美国豪威|6.02012E+11||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
|112|Tw- Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||英国|美国豪威|EP2487513||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
|113|Two-Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||瑞士|美国豪威|EP2487513||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
||Flexible Membrane and Lens Assembly and AssociatedMethod of Lens Replication||||EP2520963||2012/5/3||2016/12/28|||
|114|||英国|美国豪威|||||||2032/5/3|
||Flexible Membrane and Lens Assembly and AssociatedMethod of Lens Replication||||EP2520963||2012/5/3||2016/12/28|||
|115|||瑞士|美国豪威|||||||2032/5/3|
||Flexible Membrane and Lens Assembly and AssociatedMethod of Lens Replication||||EP2520963||2012/5/3||2016/12/28|||
|116|||法国|美国豪威|||||||2032/5/3|
||Flexible Membrane and Lens Assembly and AssociatedMethod of Lens Replication||||6.02012E+11||2012/5/3||2016/12/28|||
|117|||德国|美国豪威|||||||2032/5/3|
||Lens Plate for Wafer-level Camera and Method ofManufacturing Same||||EP2650705||2013/4/5||2017/8/9|||
|118|||法国|美国豪威|||||||2033/4/5|
|119|Lens Plate for Wafer-level Camera and Method of||瑞士|美国豪威|EP2650705||2013/4/5||2017/8/9||2033/4/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Manufacturing Same|||||||||||
||Lens Plate for Wafer-level Camera and Method ofManufacturing Same||||6.02013E+11||2013/4/5||2017/8/9|||
|120|||德国|美国豪威|||||||2033/4/5|
||Lens Plate for Wafer-level Camera and Method ofManufacturing Same||||EP2650705||2013/4/5||2017/8/9|||
|121|||英国|美国豪威|||||||2033/4/5|
||Single-chip Color CMOS Image Sensor with Two orMore Line Reading Structure||||69834241||1998/9/15||2006/4/19|||
|122|||德国|美国豪威|||||||2018/9/15|
||Single-chip Color CMOS Image Sensor with Two orMore Line Reading Structure||||EP0940976||1998/9/15||2006/4/19|||
|123|||法国|美国豪威|||||||2018/9/15|
||Single-chip Color CMOS Image Sensor with Two orMore Line Reading Structure||||EP0940976||1998/9/15||2006/4/19|||
|124|||英国|美国豪威|||||||2018/9/15|
||Chip Scale Packaging Method for Optical Image SensorIntegratd Circuits||||60046066.5||2000/12/13||2011/6/15|||
|125|||德国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Chip Scale Packaging Method for Optical Image SensorIntegratd Circuits||||EP1139435||2000/12/13||2011/6/15|||
|126|||法国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Chip Scale Packaging Method for Optical Image SensorIntegratd Circuits||||EP1139435||2000/12/13||2011/6/15|||
|127|||英国|美国豪威|||||||2020/12/13|
|128|An improved active pixel with a pinned photodiode||德国|美国豪威|69928369.8||1999/2/5||2005/11/16||2019/2/5|
|129|An improved active pixel with a pinned photodiode||法国|美国豪威|EP1026748||1999/2/5||2005/11/16||2019/2/5|
||Method of manufacturing an active pixel pinnedphotodiode||||EP1026748||1999/2/5||2005/11/16|||
|130|||英国|美国豪威|||||||2019/2/5|
|131|Floating region photodiode for a CMOS image sensor||德国|美国豪威|60031221.6||2000/11/15||2006/10/11||2020/11/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|132|Floating region photodiode for a CMOS image sensor||法国|美国豪威|EP1102322||2000/11/15||2006/10/11||2020/11/15|
|133|Floating region photodiode for a CMOS image sensor||英国|美国豪威|EP1102322||2000/11/15||2006/10/11||2020/11/15|
||Method and apparatus for color image data processing andcompression||||60038550.7||2000/12/13||2008/4/9|||
|134|||德国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Method and apparatus for color image data processing andcompression||||EP1173005||2000/12/13||2008/4/9|||
|135|||法国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Method and apparatus for color image data processing andcompression||||EP1173005||2000/12/13||2008/4/9|||
|136|||英国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Surface passivation to reduce dark current in a CMOSimage sensor||||60220131.4||2002/10/30||2007/5/16|||
|137|||德国|美国豪威|||||||2022/10/30|
||Surface passivation to reduce dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309008||2002/10/30||2007/5/16|||
|138|||法国|美国豪威|||||||2022/10/30|
||Surface passivation to reduce dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309008||2002/10/30||2007/5/16|||
|139|||英国|美国豪威|||||||2022/10/30|
|140|CMOS image sensor with on-chip pattern recognition||德国|美国豪威|60221618.4||2002/11/5||2007/8/8||2022/11/5|
|141|CMOS image sensor with on-chip pattern recognition||法国|美国豪威|EP1309009||2002/11/5||2007/8/8||2022/11/5|
|142|CMOS image sensor with on-chip pattern recognition||英国|美国豪威|EP1309009||2002/11/5||2007/8/8||2022/11/5|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||60203869.3||2002/11/5||2005/4/27|||
|143|||德国|美国豪威|||||||2022/11/5|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1311114||2002/11/5||2005/4/27|||
|144|||法国|美国豪威|||||||2022/11/5|
|145|Method of fast automatic exposure or gain control in a||英国|美国豪威|EP1311114||2002/11/5||2005/4/27||2022/11/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||MOS image sensor|||||||||||
||Zero DC Current Readout Circuit for CMOS ImageSensor||||EP1309178||2002/11/5||2013/3/27|||
|146|||瑞士|美国豪威|||||||2022/11/5|
|147|Zero DC current readout circuit for CMOS image sensor||德国|美国豪威|60244695.3||2002/11/5||2013/3/27||2022/11/5|
|148|Zero DC current readout circuit for CMOS image sensor||法国|美国豪威|EP1309178||2002/11/5||2013/3/27||2022/11/5|
|149|Zero dc current readout circuit for cmos image sensor||英国|美国豪威|EP1309178||2002/11/5||2013/3/27||2022/11/5|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||60328140||2003/1/3||2009/7/1|||
|150|||德国|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1331809||2003/1/3||2009/7/1|||
|151|||芬兰|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1331809||2003/1/3||2009/7/1|||
|152|||法国|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1331809||2003/1/3||2009/7/1|||
|153|||英国|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method and apparatus for thermal noise canceling in alinear CMOS image sensor||||60321741.9||2003/3/25||2008/6/25|||
|154|||德国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and apparatus for KTC noise canceling in a linearCMOS image sensor||||60334169.1||2003/3/25||2010/9/8|||
|155|||德国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and apparatus for thermal noise canceling in alinear CMOS image sensor||||EP1349379||2003/3/25||2008/6/25|||
|156|||法国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and Apparatus for KTC noise canceling in alinear CMOS image sensor||||EP1919192||2003/3/25||2010/9/8|||
|157|||法国|美国豪威|||||||2023/3/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Method and apparatus for thermal noise canceling in alinear cmos image sensor||||EP1349379||2003/3/25||2008/6/25|||
|158|||英国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and apparatus for KTC noise canceling in a linearCMOS image sensor||||EP1919192||2003/3/25||2010/9/8|||
|159|||英国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Column readout circuit with increased signal range forCMOS image sensor||||60303418.7||2003/3/25||2006/2/1|||
|160|||德国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Column readout circuit with increased signal range forCMOS image sensor||||EP1349380||2003/3/25||2006/2/1|||
|161|||芬兰|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Column readout circuit with increased signal range forCMOS image sensor||||EP1349380||2003/3/25||2006/2/1|||
|162|||英国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBER OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||EP1450554||2004/1/13||2018/3/21|||
|163|||瑞士|美国豪威|||||||2024/1/13|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBER OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||6.02004E+11||2004/1/13||2018/3/21|||
|164|||德国|美国豪威|||||||2024/1/13|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBER OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||EP1450554||2004/1/13||2018/3/21|||
|165|||法国|美国豪威|||||||2024/1/13|
||Cmos image sensor having reduced numbers of columnreadout circuits||||EP1450554||2004/1/13||2018/3/21|||
|166|||英国|美国豪威|||||||2024/1/13|
|167|Image sensor having dual automatic exposure control||瑞士|美国豪威|EP1453304||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|
|168|Image sensor having dual automatic exposure control||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|
|169|Image sensor having dual automatic exposure control||法国|美国豪威|EP1453304||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|
|170|Image sensor having dual automatic exposure control||英国|美国豪威|EP1453304||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||EP1501288||2004/5/19||2013/4/10|||
|171|||瑞士|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||6.02004E+11||2004/5/19||2013/4/10|||
|172|||德国|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||EP1501288||2004/5/19||2013/4/10|||
|173|||法国|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||EP1501288||2004/5/19||2013/4/10|||
|174|||英国|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using shared transistors betweenpixels||||6.02005E+11||2005/2/3||2009/12/30|||
|175|||德国|美国豪威|||||||2025/2/3|
||CMOS image sensor using shared transistors betweenpixels with dual pinned photodiode||||EP1562371||2005/2/3||2009/12/30|||
|176|||芬兰|美国豪威|||||||2025/2/3|
||CMOS image sensor using shared transistors betweenpixels with dual pinned photodiode||||EP1562371||2005/2/3||2009/12/30|||
|177|||法国|美国豪威|||||||2025/2/3|
||Cmos image sensor using shared transistors betweenpixels||||EP1562371||2005/2/3||2009/12/30|||
|178|||英国|美国豪威|||||||2025/2/3|
|179|Hybrid charge coupled CMOS image sensor||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|
|180|Hybrid charge coupled CMOS image sensor||法国|美国豪威|EP1589583||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|
|181|Hybrid charge coupled cmos image sensor||英国|美国豪威|EP1589583||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|
|182|Hybrid charge coupled CMOS image sensor||爱尔兰|美国豪威|EP1589583||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||6.02005E+11||2005/3/30||2008/2/13|||
|183|||德国|美国豪威|||||||2025/3/30|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||EP1601184||2005/3/30||2008/2/13|||
|184|||法国|美国豪威|||||||2025/3/30|
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||EP1601184||2005/3/30||2008/2/13|||
|185|||英国|美国豪威|||||||2025/3/30|
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||EP1601184||2005/3/30||2008/2/13|||
|186|||爱尔兰|美国豪威|||||||2025/3/30|
||Method of operating an active pixel that has positivetransfer gate voltage during integration period||||6.02005E+11||2005/10/14||2009/5/27|||
|187|||德国|美国豪威|||||||2025/10/14|
||Method of operating an active pixel that has positivetransfer gate voltage during integration period||||EP1648160||2005/10/14||2009/5/27|||
|188|||法国|美国豪威|||||||2025/10/14|
||Method of operating an active pixel that has positivetransfer gate voltage during integration period||||EP1648160||2005/10/14||2009/5/27|||
|189|||英国|美国豪威|||||||2025/10/14|
||Image Sensor and Pixel Having An Anti ReflectiveCoating Over the Photodiode||||EP1655780||2005/10/28||2015/7/22|||
|190|||瑞士|美国豪威|||||||2025/10/28|
||Image Sensor and Pixel Having An Anti ReflectiveCoating Over the Photodiode||||6.02005E+11||2005/10/28||2015/7/22|||
|191|||德国|美国豪威|||||||2025/10/28|
||Image Sensor and Pixel Having An Anti ReflectiveCoating Over the Photodiode||||EP1655780||2005/10/28||2015/7/22|||
|192|||法国|美国豪威|||||||2025/10/28|
||Image sensor and pixel having an anti-reflective coatingover the photodiode||||EP1655780||2005/10/28||2015/7/22|||
|193|||英国|美国豪威|||||||2025/10/28|
||Manufacturing method of local interconnect structure fora CMOS image sensor||||EP1670062||2005/11/17||2014/7/23|||
|194|||瑞士|美国豪威|||||||2025/11/17|
|195|Manufacturing method of local interconnect structure for||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/11/17||2014/7/23||2025/11/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||a CMOS image sensor|||||||||||
||Manufacturing method of local interconnect structure fora CMOS image sensor||||EP1670062||2005/11/17||2014/7/23|||
|196|||法国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Manufacturing method of local interconnect structure fora CMOS image sensor||||EP1670062||2005/11/17||2014/7/23|||
|197|||英国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a photodiode with anindium-boron pinning layer and method of itsmanufacturing||||6.02005E+11||2005/11/17||2011/1/5|||
|198|||德国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a photodiode with anindium-boron pinning layer and method of itsmanufacturing||||EP1667232||2005/11/17||2011/1/5|||
|199|||法国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a photodiode with anindium-boron pinning layer and method of itsmanufacturing||||EP1667232||2005/11/17||2011/1/5|||
|200|||英国|美国豪威|||||||2025/11/17|
|201|Automatic focus for image sensors||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2011/3/9||2026/1/25|
|202|Automatic focus for image sensors||法国|美国豪威|EP1686793||2006/1/25||2011/3/9||2026/1/25|
|203|Automatic focus for image sensors||英国|美国豪威|EP1686793||2006/1/25||2011/3/9||2026/1/25|
||Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+or N+ doped polysilicon||||EP1675182||2005/11/17||2013/2/27|||
|204|||瑞士|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+or N+ doped polysilicon||||6.02005E+11||2005/11/17||2013/2/27|||
|205|||德国|美国豪威|||||||2025/11/17|
|206|Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+||法国|美国豪威|EP1675182||2005/11/17||2013/2/27||2025/11/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||or N+ doped polysilicon|||||||||||
||Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+or N+ doped polysilicon||||EP1675182||2005/11/17||2013/2/27|||
|207|||英国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Multilayered semiconductor substrate and image sensorformed thereon for improved infrared response||||6.02005E+11||2005/12/20||2011/9/28|||
|208|||德国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Multilayered semiconductor substrate and image sensorformed thereon for improved infrared response||||EP1681722||2005/12/20||2011/9/28|||
|209|||法国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Multilayered semiconductor substrate and image sensorformed thereon for improved infrared response||||EP1681722||2005/12/20||2011/9/28|||
|210|||英国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Image sensor pixel having a lateral doping profile formedwith Indium doping||||6.02005E+11||2005/12/20||2012/10/10|||
|211|||德国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Image sensor pixel having a lateral doping profile formedwith Indium doping||||EP1681721||2005/12/20||2012/10/10|||
|212|||英国|美国豪威|||||||2025/12/20|
|213|Image Sensor Using Deep Trench Isolation||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2008/11/26||2026/1/25|
|214|Image Sensor Using Deep Trench Isolation||法国|美国豪威|EP1691418||2006/1/25||2008/11/26||2026/1/25|
|215|Image Sensor Using Deep Trench Isolation||英国|美国豪威|EP1691418||2006/1/25||2008/11/26||2026/1/25|
|216|Salicide process using CMP for image sensor||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2009/11/4||2026/1/25|
|217|Salicide process using CMP for image sensor||法国|美国豪威|EP1691417||2006/1/25||2009/11/4||2026/1/25|
|218|Salicide process using CMP for image sensor||英国|美国豪威|EP1691417||2006/1/25||2009/11/4||2026/1/25|
|219|Salicide process for image sensor||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2010/1/13||2026/1/25|
|220|Salicide process for image sensor||法国|美国豪威|EP1691416||2006/1/25||2010/1/13||2026/1/25|
|221|Salicide process for image sensor||英国|美国豪威|EP1691416||2006/1/25||2010/1/13||2026/1/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Selective smile formation under transfer gate in a CMOSimage sensor pixel||||6.02006E+11||2006/4/6||2010/6/9|||
|222|||德国|美国豪威|||||||2026/4/6|
||Selective smile formation under transfer gate in a CMOSimage sensor pixel||||EP1715678||2006/4/6||2010/6/9|||
|223|||法国|美国豪威|||||||2026/4/6|
||Selective smile formation under transfer gate in a CMOSimage sensor pixel||||EP1715678||2006/4/6||2010/6/9|||
|224|||英国|美国豪威|||||||2026/4/6|
|225|Image anti-shake in digital cameras||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
|226|Image anti-shake in digital cameras||芬兰|美国豪威|EP1814317||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
|227|Image anti-shake in digital cameras||法国|美国豪威|1814317||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
|228|Image anti-shake in digital cameras||英国|美国豪威|EP1814317||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
||Image sensing devices, image sensor modules, andassociated methods||||EP1814314||2007/1/11||2016/8/10|||
|229|||瑞士|美国豪威|||||||2027/1/11|
||Image sensing devices, image sensor modules, andassociated methods||||6.02007E+11||2007/1/11||2016/8/10|||
|230|||德国|美国豪威|||||||2027/1/11|
||Image Sensing Devices, Image Sensor Modules andAssociated Methods||||EP1814314||2007/1/11||2016/8/10|||
|231|||法国|美国豪威|||||||2027/1/11|
||Image sensing devices, image sensor modules, andassociated methods||||EP1814314||2007/1/11||2016/8/10|||
|232|||英国|美国豪威|||||||2027/1/11|
||Method and apparatus for increasing light absorption in animage sensor using energy conversion layer||||6.02007E+11||2007/7/4||2015/10/14|||
|233|||德国|美国豪威|||||||2027/7/4|
||Method and apparatus for increasing light absorption in animage sensor using energy conversion layer||||EP1876648||2007/7/4||2015/10/14|||
|234|||法国|美国豪威|||||||2027/7/4|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Method and apparatus for increasing light absorption in animage sensor using energy conversion layer||||EP1876648||2007/7/4||2015/10/14|||
|235|||英国|美国豪威|||||||2027/7/4|
||Method for fabricating an image sensor having curvedmicro-mirrors over the sensing photodiode||||6.02007E+11||2007/10/18||2012/7/25|||
|236|||德国|美国豪威|||||||2027/10/18|
||Method for fabricating an image sensor having curvedmicro-mirrors over the sensing photodiode||||EP1916714||2007/10/18||2012/7/25|||
|237|||法国|美国豪威|||||||2027/10/18|
||Method for fabricating an image sensor having curvedmicro-mirrors over the sensing photodiode||||EP 1916714||2007/10/18||2012/7/25|||
|238|||英国|美国豪威|||||||2027/10/18|
|239|Image sensor with blooming reduction mechanisms||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/12/28||2017/10/4||2027/12/28|
|240|Image Sensor with Blooming Reduction Mechanisms||法国|美国豪威|EP1947842||2007/12/28||2017/10/4||2027/12/28|
|241|Image Sensors With Blooming Reduction Mechanisms||英国|美国豪威|EP1947842||2007/12/28||2017/10/4||2027/12/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||EP2381675||2010/6/28||2015/9/23|||
|242|||瑞士|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||6.0201E+11||2010/6/28||2015/9/23|||
|243|||德国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||EP2381675||2010/6/28||2015/9/23|||
|244|||法国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||EP2381675||2010/6/28||2015/9/23|||
|245|||英国|美国豪威|||||||2030/6/28|
|246|Light source frequency detection circuit for image sensor||瑞士|美国豪威|EP2196019||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|
|247|Light source frequency detection circuit for image sensor||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|
|248|Light source frequency detection circuit for image sensor||法国|美国豪威|EP2196019||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|249|Light source frequency detection circuit for image sensor||英国|美国豪威|EP2196019||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|
|250|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||瑞士|美国豪威|EP2220764||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|251|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|252|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||法国|美国豪威|EP2220764||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|253|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||英国|美国豪威|EP2220764||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|254|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||瑞士|美国豪威|EP2241000||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
|255|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
|256|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||法国|美国豪威|EP2241000||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
|257|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||英国|美国豪威|EP2241000||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||EP2245665||2008/12/23||2014/12/3|||
|258|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||6.02008E+11||2008/12/23||2014/12/3|||
|259|||德国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||EP2245665||2008/12/23||2014/12/3|||
|260|||法国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||EP2245665||2008/12/23||2014/12/3|||
|261|||英国|美国豪威|||||||2028/12/23|
|262|Globally Reset Image Sensor Pixels||瑞士|美国豪威|EP2289101||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|
|263|Globally Reset Image Sensor Pixels||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|
|264|Globally Reset Image Sensor Pixels||法国|美国豪威|EP2289101||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|
|265|Globally Reset Image Sensor Pixels||英国|美国豪威|EP2289101||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|
|266|Image Sensor Reflector||瑞士|美国豪威|EP2245662||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|267|Image Sensor Reflector||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|
|268|Image Sensor Reflector||法国|美国豪威|EP2245662||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|
|269|Image Sensor Reflector||英国|美国豪威|EP2245662||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||EP2245666||2008/12/23||2015/2/18|||
|270|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||6.02008E+11||2008/12/23||2015/2/18|||
|271|||德国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||EP2245666||2008/12/23||2015/2/18|||
|272|||法国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||EP2245666||2008/12/23||2015/2/18|||
|273|||英国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated image sensor having deep lightreflective trenches||||6.02008E+11||2008/12/17||2012/2/8|||
|274|||德国|美国豪威|||||||2028/12/17|
||Backside illuminated image sensor having deep lightreflective trenches||||EP2245663||2008/12/17||2012/2/8|||
|275|||法国|美国豪威|||||||2028/12/17|
||Backside Illuminated Image Sensor Having Deep LightReflective Trenches||||EP2245663||2008/12/17||2012/2/8|||
|276|||英国|美国豪威|||||||2028/12/17|
||Black reference pixel for backside illuminated imagesensor||||EP2253016||2009/2/2||2014/4/9|||
|277|||瑞士|美国豪威|||||||2029/2/2|
||Black reference pixel for backside illuminated imagesensor||||6.02009E+11||2009/2/2||2014/4/9|||
|278|||德国|美国豪威|||||||2029/2/2|
|279|Black reference pixel for backside illuminated image||法国|美国豪威|EP2253016||2009/2/2||2014/4/9||2029/2/2|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||sensor|||||||||||
||Black reference pixel for backside illuminated imagesensor||||EP2253016||2009/2/2||2014/4/9|||
|280|||英国|美国豪威|||||||2029/2/2|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||EP2245664||2008/12/24||2013/5/15|||
|281|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||6.02008E+11||2008/12/24||2013/5/15|||
|282|||德国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||EP2245664||2008/12/24||2013/5/15|||
|283|||法国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||EP2245664||2008/12/24||2013/5/15|||
|284|||英国|美国豪威|||||||2028/12/24|
|285|Image Sensor with Focusing Interconnections||瑞士|美国豪威|EP2283519||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
|286|Image Sensor with Focusing Interconnections||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
|287|Image Sensor with Focusing Interconnections||法国|美国豪威|EP2283519||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
|288|Image Sensor with Focusing Interconnections||英国|美国豪威|EP2283519||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
||Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor WithInfrared Detecting Layer||||EP2253018||2008/12/24||2016/5/4|||
|289|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor WithInfrared Detecting Layer||||6.02008E+11||2008/12/24||2016/5/4|||
|290|||德国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor WithInfrared Detecting Layer||||EP2253018||2008/12/24||2016/5/4|||
|291|||法国|美国豪威|||||||2028/12/24|
|292|Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor With||英国|美国豪威|EP2253018||2008/12/24||2016/5/4||2028/12/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Infrared Detecting Layer|||||||||||
|293|Image Sensor With Shaking Compensation||瑞士|美国豪威|EP2323376||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|294|Image Sensor With Shaking Compensation||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|295|Image Sensor With Shaking Compensation||法国|美国豪威|EP2323376||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|296|Image Sensor With Shaking Compensation||英国|美国豪威|EP2323376||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|297|Image Sensor With Global Shutter||瑞士|美国豪威|EP2247093||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
|298|Image Sensor With Global Shutter||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
|299|Image Sensor With Global Shutter||法国|美国豪威|EP2247093||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
|300|Image Sensor With Global Shutter||英国|美国豪威|EP2247093||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||EP2320462||2010/11/3||2015/7/22|||
|301|||瑞士|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||6.0201E+11||2010/11/3||2015/7/22|||
|302|||德国|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||EP2320462||2010/11/3||2015/7/22|||
|303|||法国|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||EP2320462||2010/11/3||2015/7/22|||
|304|||英国|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Multilayer Image Sensor Pixel Structure for ReducingCrosstalk||||EP2244296||2010/4/21||2014/1/8|||
|305|||瑞士|美国豪威|||||||2030/4/21|
||Multilayer Image Sensor Pixel Structure for ReducingCrosstalk||||6.0201E+11||2010/4/21||2014/1/8|||
|306|||德国|美国豪威|||||||2030/4/21|
|307|Multilayer Image Sensor Pixel Structure for Reducing||法国|美国豪威|EP2244296||2010/4/21||2014/1/8||2030/4/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Crosstalk|||||||||||
||Multilayer Image Sensor Pixel Structure for ReducingCrosstalk||||EP2244296||2010/4/21||2014/1/8|||
|308|||英国|美国豪威|||||||2030/4/21|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Subregions||||EP2282345||2010/6/28||2014/4/9|||
|309|||瑞士|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Subregions||||6.0201E+11||2010/6/28||2014/4/9|||
|310|||德国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Subregions||||EP2282345||2010/6/28||2014/4/9|||
|311|||法国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Sub-regions||||EP2282345||2010/6/28||2014/4/9|||
|312|||英国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Encapsulated Image Acquisition Devices HavingOn-Board Data Storage and Methods Therefor||||EP2351516||2010/12/22||2017/5/10|||
|313|||瑞士|美国豪威|||||||2030/12/22|
||Encapsulated Image Acquisition Devices HavingOn-Board Data Storage and Methods Therefor||||6.0201E+11||2010/12/22||2017/5/10|||
|314|||德国|美国豪威|||||||2030/12/22|
||Encapsulated Image Acquisition Devices HavingOn-Board Data Storage and Methods Therefor||||EP2351516||2010/12/22||2017/5/10|||
|315|||法国|美国豪威|||||||2030/12/22|
||Encapsulated image acquisition devices having on-boarddata storage and methods therefor||||EP2351516||2010/12/22||2017/5/10|||
|316|||英国|美国豪威|||||||2030/12/22|
||Image Sensor Having Supplemental Capacitve CouplingNode||||EP2466875||2011/11/10||2017/1/4|||
|317|||瑞士|美国豪威|||||||2031/11/10|
||Image Sensor Having Supplemental Capacitve CouplingNode||||6.02011E+11||2011/11/10||2017/1/4|||
|318|||德国|美国豪威|||||||2031/11/10|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Image Sensor Having Supplemental Capacitive CouplingNode||||EP2466875||2011/11/10||2017/1/4|||
|319|||法国|美国豪威|||||||2031/11/10|
||Image Sensor Having Supplemental Capacitive CouplingNode||||EP2466875||2011/11/10||2017/1/4|||
|320|||英国|美国豪威|||||||2031/11/10|
|321|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2584607||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|322|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||德国|美国豪威|6.02012E+11||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|323|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||法国|美国豪威|EP2584607||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|324|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||英国|美国豪威|EP2584607||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|325|Apparatus and Method For Random Number Generation||瑞士|美国豪威|EP2796989||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|326|Apparatus and Method For Random Number Generation||德国|美国豪威|6.02014E+11||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|327|Apparatus and Method For Random Number Generation||法国|美国豪威|EP2796989||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|328|Apparatus and method for random number generation||英国|美国豪威|EP2796989||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|329|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2787532||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|330|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||德国|美国豪威|6.02014E+11||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|331|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||法国|美国豪威|EP2787532||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|332|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||英国|美国豪威|EP2787532||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|333|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP3070742||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|
|334|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||德国|美国豪威|6.02016E+11||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|
|335|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||法国|美国豪威|EP3070742||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|
|336|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||英国|美国豪威|EP3070742||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|
|337|Image Sensor Pixel Cell with Non Destructive Readout||瑞士|美国豪威|EP3001458||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|
|338|Image Sensor Pixel Cell with Non Destructive Readout||德国|美国豪威|6.02015E+11||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|339|Image Sensor Pixel Cell with Non Destructive Readout||法国|美国豪威|EP3001458||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|
|340|Image sensor pixel cell with non-destructive readout||英国|美国豪威|EP3001458||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||69835989.5||1998/8/5||2006/9/27|||
|341|||德国|美国豪威|||||||2018/8/5|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||898312||1998/8/5||2006/9/27|||
|342|||法国|美国豪威|||||||2018/8/5|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||EP 0898312||1998/8/5||2006/9/27|||
|343|||英国|美国豪威|||||||2018/8/5|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||898312||1998/8/5||2006/9/27|||
|344|||意大利|美国豪威|||||||2018/8/5|
|345|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||德国|美国豪威|69839471.2||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
|346|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||法国|美国豪威|913869||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
|347|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||英国|美国豪威|EP0913869||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
|348|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||意大利|美国豪威|913869||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
||Image Sensor Incorporating Saturation TimeMeasurement To Increase Dynamic Range||||60030802.2||2000/4/20||2006/9/20|||
|349|||德国|美国豪威|||||||2020/4/20|
||Image Sensor Incorporating Saturation TimeMeasurement To Increase Dynamic Range||||1052846||2000/4/20||2006/9/20|||
|350|||法国|美国豪威|||||||2020/4/20|
||Image Sensor Incorporating Saturation TimeMeasurement To Increase Dynamic Range||||EP1052846||2000/4/20||2006/9/20|||
|351|||英国|美国豪威|||||||2020/4/20|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||69943122||1999/12/1||2011/1/12|||
|352|||德国|美国豪威|||||||2019/12/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||1017106||1999/12/1||2011/1/12|||
|353|||法国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||EP1017106||1999/12/1||2011/1/12|||
|354|||英国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||1017106||1999/12/1||2011/1/12|||
|355|||荷兰|美国豪威|||||||2019/12/1|
|356|Active pixel image sensor with improved linearity||德国|美国豪威|60120099.3||2001/12/17||2006/5/31||2021/12/17|
|357|Active Pixel Image Sensor With Improved Linearity||法国|美国豪威|1223746||2001/12/17||2006/5/31||2021/12/17|
|358|Active Pixel Image Sensor With Improved Linearity||英国|美国豪威|EP1223746||2001/12/17||2006/5/31||2021/12/17|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture WithCorrelated Double Sampling||||69935895.7||1999/11/8||2007/4/25|||
|359|||德国|美国豪威|||||||2019/11/8|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture WithCorrelated Double Sampling||||1003220||1999/11/8||2007/4/25|||
|360|||法国|美国豪威|||||||2019/11/8|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture WithCorrelated Double Sampling||||EP1003220||1999/11/8||2007/4/25|||
|361|||英国|美国豪威|||||||2019/11/8|
||Photogate Active Pixel Sensor With High Fill Factor AndCorrelated Double Sampling||||EP1017107||1999/12/1||2011/6/22|||
|362|||法国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||69930206.4||1999/12/1||2006/3/8|||
|363|||德国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||1017231||1999/12/1||2006/3/8|||
|364|||法国|美国豪威|||||||2019/12/1|
|365|Photodiode active pixel sensor with shared reset signal||英国|美国豪威|EP1017231||1999/12/1||2006/3/8||2019/12/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||and row select|||||||||||
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||1017231||1999/12/1||2006/3/8|||
|366|||意大利|美国豪威|||||||2019/12/31|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||1017231||1999/12/1||2006/3/8|||
|367|||荷兰|美国豪威|||||||2019/12/1|
|368|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||德国|美国豪威|60046785.6||2000/10/17||2011/12/28||2020/10/17|
|369|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||法国|美国豪威|1096789||2000/10/17||2011/12/28||2020/10/17|
|370|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||英国|美国豪威|EP1096789||2000/10/17||2011/12/28||2020/10/14|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||60149302.8||2001/1/8||2015/4/1|||
|371|||德国|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||EP1119188||2001/1/8||2015/4/1|||
|372|||法国|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||EP1119188||2001/1/8||2015/4/1|||
|373|||英国|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||EP1119188||2001/1/8||2015/4/1|||
|374|||荷兰|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Variable Collection Of Blooming Charge To ExtendDynamic Range||||60038424.1||2000/10/17||2008/3/26|||
|375|||德国|美国豪威|||||||2020/10/17|
||Variable Collection Of Blooming Charge To ExtendDynamic Range||||1096790||2000/10/17||2008/3/26|||
|376|||法国|美国豪威|||||||2020/10/17|
||Variable Collection Of Blooming Charge To ExtendDynamic Range||||EP1096790||2000/10/17||2008/3/26|||
|377|||英国|美国豪威|||||||2020/10/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Variable Collection Of Blooming Charge To ExtendDynamic Range||||1096790||2000/10/17||2008/3/26|||
|378|||荷兰|美国豪威|||||||2020/10/17|
||Built-In Self Test Signals For Column Output Circuits InX-Y Addressable Image Sensor||||60145146.5||2001/4/13||2011/8/17|||
|379|||德国|美国豪威|||||||2021/4/13|
||Built-In Self Test Signals For Column Output Circuits InX-Y Addressable Image Sensor||||1152599||2001/4/13||2011/8/17|||
|380|||法国|美国豪威|||||||2021/4/13|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||60128049||2001/9/21||2007/4/25|||
|381|||德国|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||1207561||2001/9/21||2007/4/25|||
|382|||法国|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||EP1207561||2001/9/21||2007/4/25|||
|383|||英国|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||1207561||2001/9/21||2007/4/25|||
|384|||荷兰|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Colour Image Pickup Device With Improved Colour FilterArray||||60243831.4||2002/2/22||2012/10/10|||
|385|||德国|美国豪威|||||||2022/2/22|
||Colour Image Pickup Device With Improved Colour FilterArray||||1241896||2002/2/22||2012/10/10|||
|386|||法国|美国豪威|||||||2022/2/22|
||Colour Image Pickup Device With Improved Colour FilterArray||||EP1241896||2002/2/22||2012/10/10|||
|387|||英国|美国豪威|||||||2022/2/22|
||Median-Based Dark Level Acquisition For A Frame RateClamp||||60201789||2002/7/15||2004/11/3|||
|388|||德国|美国豪威|||||||2022/7/15|
|389|Median-Based Dark Level Acquisition For A Frame Rate||法国|美国豪威|1280339||2002/7/15||2004/11/3||2022/7/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Clamp|||||||||||
||Median-based dark level acquisition circuit for a framerate clamp||||EP1280339||2002/7/15||2004/11/3|||
|390|||英国|美国豪威|||||||2022/7/15|
||A Lateral Overflow Drain, Anti-Blooming Structure ForCCD Devices Having Improved Breakdown Voltage||||60233371.7||2002/8/19||2009/8/19|||
|391|||德国|美国豪威|||||||2022/8/19|
||A Lateral Overflow Drain, Anti-Blooming Structure ForCCD Devices Having Improved Breakdown Voltage||||1289020||2002/8/19||2009/8/19|||
|392|||法国|美国豪威|||||||2022/8/19|
||A lateral overflow drain, antiblooming structure for ccddevices having improved breakdown voltage||||EP1289020||2002/8/19||2009/8/19|||
|393|||英国|美国豪威|||||||2022/8/19|
||Image Sensor With Improved Optical ResponseUniformity||||60328954.1||2003/11/3||2009/8/26|||
|394|||德国|美国豪威|||||||2023/11/3|
||Image Sensor With Improved Optical ResponseUniformity||||1420455||2003/11/3||2009/8/26|||
|395|||法国|美国豪威|||||||2023/11/3|
||Image Sensor With Improved Optical ResponseUniformity||||EP1420455||2003/11/3||2009/8/26|||
|396|||英国|美国豪威|||||||2023/11/3|
|397|Enabling Method To Prevent Glitches In Waveform||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/4/14||2013/6/12||2024/4/14|
|398|Enabling Method To Prevent Glitches In Waveform||法国|美国豪威|EP1618660||2004/4/14||2013/6/12||2024/4/14|
|399|Enabling Method To Prevent Glitches In Waveform||英国|美国豪威|EP1618660||2004/4/14||2013/6/12||2024/4/14|
|400|Varying Feature Size In Resist||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/11/9||2008/5/21||2024/11/9|
|401|Varying Feature Size In Resist||法国|美国豪威|1682941||2004/11/9||2008/5/21||2024/11/9|
|402|Varying Feature Size In Resist||英国|美国豪威|EP1682941||2004/11/9||2008/5/21||2024/11/9|
|403|Imag sensor Array with Substitution Circuit Distribution||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/10/19||2010/4/7||2024/10/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|404|Imag sensor Array with Substitution Circuit Distribution||法国|美国豪威|1676435||2004/10/19||2010/4/7||2024/10/19|
|405|Imag sensor Array with Substitution Circuit Distribution||英国|美国豪威|EP1676435||2004/10/19||2010/4/7||2024/10/19|
|406|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/3/7||2010/4/21||2025/3/7|
|407|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||法国|美国豪威|1723781||2005/3/7||2010/4/21||2025/3/7|
|408|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||英国|美国豪威|EP1723781||2005/3/7||2010/4/21||2025/3/7|
|409|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/1/6||2010/12/29||2025/1/6|
|410|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||法国|美国豪威|1702364||2005/1/6||2010/12/29||2025/1/6|
|411|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||英国|美国豪威|EP1702364||2005/1/6||2010/12/29||2025/1/6|
|412|Metal Interconnects For Image Sensors||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/6/2||2011/4/27||2025/6/2|
|413|Metal Interconnects For Image Sensors||法国|美国豪威|1751799||2005/6/2||2011/4/27||2025/6/2|
|414|Metal Interconnects For Image Sensors||英国|美国豪威|EP1751799||2005/6/2||2011/4/27||2025/6/2|
|415|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|416|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||法国|美国豪威|1883966||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|417|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||英国|美国豪威|EP1883966||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|418|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||荷兰|美国豪威|1883966||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|419|Processing Color And Panchromatic Pixels||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/7/20||2017/8/23||2036/7/20|
|420|Processing Color And Panchromatic Pixels||英国|美国豪威|EP1908301||2006/7/20||2017/8/23||2026/7/20|
|421|Processing Color And Panchromatic Pixels||荷兰|美国豪威|EP1908301||2006/7/20||2017/8/23||2026/7/20|
|422|Asymmetrical Microlenses On Pixel Arrays||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|
|423|Asymmetrical Microlenses On Pixel Arrays||法国|美国豪威|EP1894253||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|
|424|Asymmetrical microlenses on pixel arrayss||英国|美国豪威|EP1894253||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|425|Asymmetrical Microlenses On Pixel Arrays||荷兰|美国豪威|EP1894253||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|
|426|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|427|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||法国|美国豪威|EP1900191||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|428|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||英国|美国豪威|EP1900191||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|429|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||荷兰|美国豪威|EP1900191||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|430|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/31||2012/10/31||2026/5/31|
|431|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||法国|美国豪威|EP1894246||2006/5/31||2012/10/31||2026/5/31|
|432|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||英国|美国豪威|EP1894246||2006/5/31||2012/10/31||2026/5/31|
|433|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|434|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||法国|美国豪威|EP1929789||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|435|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||英国|美国豪威|EP1929789||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|436|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||荷兰|美国豪威|EP1929789||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|437|Method For Detecting Streaks In Digital Images||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|438|Method For Detecting Streaks In Digital Images||法国|美国豪威|EP1958158||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|439|Method For Detecting Streaks In Digital Images||英国|美国豪威|EP1958158||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|440|Method For Detecting Streaks In Digital Images||荷兰|美国豪威|EP1958158||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|441|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|
|442|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||法国|美国豪威|EP1989875||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|
|443|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||英国|美国豪威|EP1989875||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|
|444|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||荷兰|美国豪威|EP1989875||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|
|445|PMOS Pixel Structure with Low Cross Talk||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|446|PMOS Pixel Structure with Low Cross Talk||法国|美国豪威|EP2030240||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|
|447|Pmos pixel structure with low cross talk||英国|美国豪威|EP2030240||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|
|448|PMOS Pixel Structure with Low Cross Talk||荷兰|美国豪威|EP2030240||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|
|449|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/4/18||2016/9/14||2027/4/18|
|450|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||法国|美国豪威|EP2014084||2007/4/18||2016/9/14||2027/4/18|
|451|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||英国|美国豪威|EP2014084||2007/4/18||2016/9/14||2027/4/18|
|452|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||荷兰|美国豪威|EP2014084||2007/4/18||2016/9/14||2027/4/18|
|453|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|454|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||法国|美国豪威|EP2005731||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|455|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||英国|美国豪威|EP2005731||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|456|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||荷兰|美国豪威|EP2005731||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|457|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/1/17||2015/10/7||2027/1/17|
|458|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||英国|美国豪威|EP1977613||2007/1/17||2015/10/7||2027/1/17|
|459|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||荷兰|美国豪威|EP1977613||2007/1/17||2015/10/7||2027/1/17|
|460|Image Sensor with Improved Light Sensitivity||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/1/12||2015/9/9||2027/1/12|
|461|Image Sensor with Improved Light Sensitivity||英国|美国豪威|EP1977614||2007/1/12||2015/9/9||2027/1/12|
|462|Image Sensor with Improved Light Sensitivity||荷兰|美国豪威|EP1977614||2007/1/12||2015/9/9||2027/1/12|
|463|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|
|464|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||法国|美国豪威|EP2041958||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|
|465|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||英国|美国豪威|EP2041958||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|
|466|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||荷兰|美国豪威|EP2041958||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|467|Image Sensor Pixel With Gain Control||瑞士|美国豪威|EP2140676||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
|468|Image Sensor Pixel with Gain Control||瑞士|美国豪威|EP2150038||2008/4/22||2013/6/12||2028/4/22|
|469|Image Sensor Pixel With Gain Control||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
|470|Image Sensor Pixel with Gain Control||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/4/22||2013/6/12||2028/4/22|
|471|Image Sensor Pixel With Gain Control||法国|美国豪威|EP2140676||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
|472|Image Sensor Pixel with Gain Control||法国|美国豪威|EP2150038||2008/4/22||2013/6/12||2028/4/22|
|473|Image Sensor Pixel With Gain Control||英国|美国豪威|EP2140676||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
|474|Image Sensor Pixel with Gain Control||英国|美国豪威|EP2150038||2008/4/22||2013/6/12||2028/4/22|
|475|Reduced Pixel Area Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP2118930||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|476|Reduced Pixel Area Image Sensor||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|477|Reduced Pixel Area Image Sensor||法国|美国豪威|EP2118930||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|478|Reduced Pixel Area Image Sensor||英国|美国豪威|EP2118930||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|479|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|480|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||法国|美国豪威|2057675||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|481|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||英国|美国豪威|EP2057675||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|482|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||荷兰|美国豪威|2057675||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|483|Noise Reduction of Panchromatic and Color Image||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/10/29||2012/3/28||2027/10/29|
|484|Noise Reduction of Panchromatic and Color Image||法国|美国豪威|EP2089848||2007/10/29||2012/3/28||2027/10/29|
|485|Noise Reduction of Panchromatic and Color Image||英国|美国豪威|EP2089848||2007/10/29||2012/3/28||2027/10/29|
||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|EP2089905||2007/11/30||2014/1/22|||
|486|||瑞士|International|||||||2027/11/30|
|||||Business||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|6.02007E+11||2007/11/30||2014/1/22|||
|||||International||||||||
|487|||德国|Business|||||||2027/11/30|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|EP2089905||2007/11/30||2014/1/22|||
|||||International||||||||
|488|||法国|Business|||||||2027/11/30|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|EP2089905||2007/11/30||2014/1/22|||
|||||International||||||||
|489|||英国|Business|||||||2027/11/30|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
|490|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||瑞士|美国豪威|EP2130176||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|
|491|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|
|492|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||法国|美国豪威|EP2130176||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|
|493|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||英国|美国豪威|EP21300176||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|
|494|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||瑞士|美国豪威|EP2130175||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|495|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|
|496|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||法国|美国豪威|EP2130175||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|
|497|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||英国|美国豪威|EP2130175||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|
|498|High Gain Read Circuit for 3D Integrated Pixel||瑞士|美国豪威|EP2324506||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|499|High Gain Read Circuit For 3D Integrated Pixel||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|500|High Gain Read Circuit For 3D Integrated Pixel||法国|美国豪威|EP2324506||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|501|High Gain Read Circuit For 3D Integrated Pixel||英国|美国豪威|EP2324506||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|502|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||瑞士|美国豪威|EP2215832||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|503|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|504|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||法国|美国豪威|EP2215832||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|505|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||英国|美国豪威|EP2215832||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|506|sampling and readout of an image sensor||瑞士|美国豪威|EP2339828||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|507|Sampling And Readout Of An Image Sensor||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|508|Sampling And Readout Of An Image Sensor||法国|美国豪威|EP2339828||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|509|Sampling And Readout Of An Image Sensor||英国|美国豪威|EP2339828||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|510|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2345079||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|
|511|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|
|512|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||法国|美国豪威|EP2345079||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|
|513|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||英国|美国豪威|EP2345079||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|
|514|Stacked Image Sensor With Shared Diffusion Regions||瑞士|美国豪威|EP2255389||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|
|515|Stacked Image Sensor With Shared Diffusion Regions||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|516|Stacked Image Sensor With Shared Diffusion Regions||法国|美国豪威|EP2255389||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|
|517|Stacked image sensor with shared diffusion regions||英国|美国豪威|EP2255389||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||EP2308236||2009/7/21||2016/5/25|||
|518|||瑞士|美国豪威|||||||2029/7/21|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||6.02009E+11||2009/7/21||2016/5/25|||
|519|||德国|美国豪威|||||||2029/7/21|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||EP2308236||2009/7/21||2016/5/25|||
|520|||法国|美国豪威|||||||2029/7/12|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||EP2308236||2009/7/21||2016/5/25|||
|521|||英国|美国豪威|||||||2029/7/21|
|522|Extended Depth Of Field For Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP2351354||2009/11/6||2016/8/10||2029/11/6|
|523|Extended Depth Of Field For Image Sensor||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/11/6||2016/8/10||2029/11/6|
|524|Extended Depth Of Field For Image Sensor||法国|美国豪威|EP2351354||2009/11/6||2016/8/10||2029/11/6|
|525|Extended Depth Of Field For Image Sensor||英国|美国豪威|EP2351354||2009/11/6||2016/8/10||2029/11/6|
|526|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||瑞士|美国豪威|EP2313927||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|527|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|528|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||法国|美国豪威|EP2313927||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|529|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||英国|美国豪威|EP2313927||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|530|Image Sensor With Improved Angle Response||瑞士|美国豪威|EP2301074||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|
|531|Image Sensor With Improved Angle Response||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|
|532|Image Sensor With Improved Angle Response||法国|美国豪威|EP2301074||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|
|533|Image Sensor With Improved Angle Response||英国|美国豪威|EP2301074||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|534|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2304797||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
|535|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
|536|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||法国|美国豪威|EP2304797||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
|537|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||英国|美国豪威|EP2304797||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||EP2311091||2009/7/7||2016/11/23|||
|538|||瑞士|美国豪威|||||||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||6.02009E+11||2009/7/7||2016/11/23|||
|539|||德国|美国豪威|||||||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||EP2311091||2009/7/7||2016/11/23|||
|540|||法国|美国豪威|||||||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||EP2311091||2009/7/7||2016/11/23|||
|541|||英国|美国豪威|||||||2029/7/7|
|542|Image Sensors having Gratings for Color Separation||瑞士|美国豪威|EP2347443||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|543|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|544|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||法国|美国豪威|EP2347443||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|545|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||英国|美国豪威|EP2347443||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|546|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||瑞士|美国豪威|EP2286579||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|
|547|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|
|548|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||法国|美国豪威|EP2286579||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|
|549|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||英国|美国豪威|EP2286579||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|
|550|High Dynamic Range Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP2297784||2009/6/15||2013/8/21||2029/6/15|
|551|High Dynamic Range Image Sensor||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/6/15||2013/8/21||2029/6/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|552|High Dynamic Range Image Sensor||法国|美国豪威|EP2297784||2009/6/15||2013/8/21||2029/6/15|
|553|High Dynamic Range Image Sensor||英国|美国豪威|EP2297784||2009/6/15||2013/8/21||2029/6/15|
|554|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||瑞士|美国豪威|EP2345080||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|555|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|556|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||法国|美国豪威|EP2345080||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|557|Image sensor having multiple sensing layers||英国|美国豪威|EP2345080||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|558|Wide Aperture Image Sensor Pixel||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/6/9||2011/12/14||2029/6/9|
|559|Wide Aperture Image Sensor Pixel||法国|美国豪威|2304798||2009/6/9||2011/12/14||2029/6/9|
|560|Wide Aperture Image Sensor Pixel||英国|美国豪威|EP2304798||2009/6/9||2011/12/14||2029/6/9|
|561|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||瑞士|美国豪威|EP2321959||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|562|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|563|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||法国|美国豪威|EP2321959||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|564|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||英国|美国豪威|EP2321959||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|565|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||瑞士|美国豪威|EP2359588||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|566|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|567|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||法国|美国豪威|EP2359588||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|568|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||英国|美国豪威|EP2359588||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|569|Dithered Focus Evaluation||瑞士|美国豪威|EP2335404||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|
|570|Dithered Focus Evaluation||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|
|571|Dithered Focus Evaluation||法国|美国豪威|EP2335404||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|
|572|Dithered Focus Evaluation||英国|美国豪威|EP2335404||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|573|Modifying Color and Panchromatic Channel CFA Image||瑞士|美国豪威|EP2359604||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|574|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|575|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||法国|美国豪威|EP2359604||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|576|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||英国|美国豪威|EP2359604||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|577|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||瑞士|美国豪威|EP2415254||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|578|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||瑞士|美国豪威|EP3038356||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|579|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|580|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|581|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||法国|美国豪威|EP2415254||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|582|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||法国|美国豪威|EP3038356||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|583|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||英国|美国豪威|EP2415254||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|584|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||英国|美国豪威|EP3038356||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|585|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||瑞士|美国豪威|EP2420051||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
|586|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
|587|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||法国|美国豪威|EP2420051||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
|588|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||英国|美国豪威|EP2420051||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
||Image Sensors Having Frontside and BacksidePhotodectors||||EP2446472||2010/6/11||2016/12/28|||
|589|||瑞士|美国豪威|||||||2030/6/11|
||Image Sensors Having Frontside and BacksidePhotodectors||||6.0201E+11||2010/6/11||2016/12/28|||
|590|||德国|美国豪威|||||||2030/6/11|
||Image Sensors Having Frontside and BacksidePhotodectors||||EP2446472||2010/6/11||2016/12/28|||
|591|||法国|美国豪威|||||||2030/6/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Image sensors having frontside and backsidephotodetectors||||EP2446472||2010/6/11||2016/12/28|||
|592|||英国|美国豪威|||||||2030/6/11|
|593|Four-Channel Color Filter Array Pattern||瑞士|美国豪威|EP2436187||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|594|Four-Channel Color Filter Array Pattern||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|595|Four-Channel Color Filter Array Pattern||法国|美国豪威|EP2436187||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|596|Four-Channel Color Filter Array Pattern||英国|美国豪威|EP2436187||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|597|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2519932||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|598|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|599|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||法国|美国豪威|EP2519932||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|600|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||英国|美国豪威|EP2519932||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|601|Image Sensor With Doped Transfer Gate||瑞士|美国豪威|EP2519973||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
|602|Image Sensor With Doped Transfer Gate||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
|603|Image Sensor With Doped Transfer Gate||法国|美国豪威|EP2519973||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
|604|Image Sensor With Doped Transfer Gate||英国|美国豪威|EP2519973||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
||Image sensor adapted for reduced component chip scalepackaging||||60328159.1||2003/10/23||2009/7/1|||
|605|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image Sensor Adapted For Reduced Component ChipScale Packaging||||EP1434276||2003/10/23||2009/7/1|||
|606|||法国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image sensor adapted for reduced component chip scalepackaging||||EP1434276||2003/10/23||2009/7/1|||
|607|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
|608|Method of forming planar color filters in an image sensor||瑞士|豪威国际控股|EP1414076||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|
|609|Method of forming planar color filters in an image sensor||德国|豪威国际控股|60347426.8||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|610|Method of forming planar color filters in an image sensor||法国|豪威国际控股|EP1414076||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|
|611|Method of forming planar color filters in an image sensor||英国|豪威国际控股|EP1414076||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|
||Image sensor having enlarge micro-lenses at theperipheral regions||||60318168.6||2003/10/23||2007/12/19|||
|612|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image sensor having enlarge micro-lenses at theperipheral regions||||EP1414072||2003/10/23||2007/12/19|||
|613|||法国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image sensor having enlarged micro-lenses at theperipheral regions||||EP1414072||2003/10/23||2007/12/19|||
|614|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Dummy pattern for improving micro-lens formation in animage sensor||||60307762.5||2003/10/23||2006/8/23|||
|615|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Dummy pattern for improving micro-lens formation in animage sensor||||EP1414075||2003/10/23||2006/8/23|||
|616|||法国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Dummy pattern for improving micro-lens formation in animage sensor||||EP1414075||2003/10/23||2006/8/23|||
|617|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|618|||瑞士||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|6.02006E+11||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|619|||德国||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|620|||法国||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Image sensing device and manufacture method thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|621|||英国||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|622|||荷兰||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof|||美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2010/11/17|||
|||||Visera||||||||
|623|||瑞士||||||||2027/6/20|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof||||6.02007E+11||2007/6/20||2014/9/17|||
|624|||德国|美国豪威|||||||2027/6/20|
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof|||美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2014/9/17|||
|||||Visera||||||||
|625|||法国||||||||2027/6/20|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
|626|Electronic Assembly Comprising An Image Sensor Chip||英国|美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2014/9/17||2027/6/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||And Fabrication Method Thereof|||Visera||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof|||美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2014/9/17|||
|||||Visera||||||||
|627|||荷兰||||||||2027/6/20|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|628|||欧盟|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|629|||瑞士|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||6.02008E+11||2008/11/18||2018/4/25|||
|630|||德国|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|631|||芬兰|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|632|||法国|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|633|||爱尔兰|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|634|||荷兰|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|635|||瑞典|美国豪威|||||||2028/11/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|636|Image sensor with charge binning||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/7/1||2017/8/23||2024/7/1|
|637|Image sensor with charge binning||法国|美国豪威|2323409||2004/7/1||2017/8/23||2024/7/1|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||EP2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|638|||英国|美国豪威|||||||2028/11/18|
|639|Pixel binning and averaging based on illumination||英国|美国豪威|EP1908273||2006/7/18||2018/5/9||2026/7/18|
|640|Image sensor with charge binning||英国|美国豪威|EP2323409||2004/7/1||2017/8/23||2024/7/1|
||Lithographic systems and methods with extended depth offocus||||EP1687829||2004/1/6||2012/8/8|||
|641|||英国|美国豪威|||||||2024/1/6|
|642|Image sensor pixel layout to reduce fixed pattern noise||英国|美国豪威|EP1152472||2001/4/13||2007/11/7||2021/4/13|
||System and method for reducing inter-pixel distortion bydynamic redefinition of display segment boundaries||||EP1093653||1999/7/5||2010/9/8|||
|643|||英国|美国豪威|||||||2019/7/5|
||System and method for extending depth of field in a lenssystem by use of color-dependent wavefront coding||||EP2715447||2012/5/31||2018/7/18|||
|644|||英国|美国豪威|||||||2032/5/31|
|645|Processing images having color and panchromatic pixels||英国|美国豪威|EP2092757||2007/11/15||2018/7/18||2027/11/15|
|646|Providing multiple video signals from single sensor||英国|美国豪威|EP2067353||2007/9/24||2018/7/18||2027/9/24|
|647|Method for correcting eclipse or darkle||英国|美国豪威|EP1941716||2006/12/10||2018/7/4||2026/12/10|
||Method, apparatus and system for providing improved fullwell capacity in an image sensor pixel||||EP2590220||2012/10/31||2018/6/27|||
|648|||英国|美国豪威|||||||2032/10/31|
||Light source frequency detection circuit using bipolartransistor||||EP2215830||2008/11/5||2018/6/27|||
|649|||英国|美国豪威|||||||2028/11/5|

注：上表中第4项至第6项、第122至124项、第341至348项截至2018年7月31日的状态为有效，截至报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为“失效”。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（三）在中国台湾拥有的专利权
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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||具非挥发性记忆体之互补式金属氧化物半导体影像感测器||||发明第176177号|||||
|1|||台湾|美国豪威|||2000/12/15|2003/4/11|2020/12/14|
|2|一种于反射式投影系统使用偏轴照明的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第176205号||2002/1/11|2003/3/21|2022/1/10|
|3|制造拟似金属图案的方法及其装置||台湾|美国豪威|发明第195452号||2002/12/11|2004/1/11|2022/12/10|
||显示装置及使用暂时偏移调变时间期间之显示装置驱动设计||||发明第I365430号|||||
|4|||台湾|美国豪威|||2006/5/25|2012/6/1|2026/5/24|
|5|单脉冲显示器驱动设计及显示器||台湾|美国豪威|发明第I460696号||2006/5/25|2014/11/11|2026/5/24|
|6|于显示器调变删除资料位元的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I444985号||2006/5/25|2014/7/11|2026/5/24|
|7|显示器驱动设计及显示器||台湾|美国豪威|发明第I460697号||2006/5/25|2014/11/11|2026/5/24|
|8|显示器去偏设计及显示器||台湾|美国豪威|发明第I453710号||2006/5/25|2014/9/21|2026/5/24|
|9|使用目前像素电压以驱动显示器的方法及系统||台湾|美国豪威|发明第I453709号||2006/5/25|2014/9/21|2026/5/24|
|10|由量化控制改良解码器效能的方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I514853号||2012/12/19|2015/12/21|2032/12/18|
|11|由量化控制改良解码器效能的方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I496116号||2012/12/19|2015/8/11|2032/12/18|
|12|用于解码行程编码资料的解码器与方法||台湾|美国豪威|发明第I539793号||2012/12/19|2016/6/21|2032/12/18|
|13|可减低垂直条纹之透镜对应排列的投影系统||台湾|美国豪威|发明第I222547号||2002/5/22|2004/10/21|2022/5/21|
|14|用于感测器故障检测的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I524737号||2013/9/24|2016/3/1|2033/9/23|
|15|用于感测器故障检测的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I507811号||2013/9/24|2015/11/11|2033/9/23|
|16|随机存取记忆体中压缩资料的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I524740号||2013/6/11|2016/3/1|2033/6/10|
|17|特定应用双模式投影系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I542904号||2013/9/24|2016/7/21|2033/9/23|
|18|特定应用双模式投影系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I592699号||2013/9/24|2017/7/21|2033/9/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|19|360度多摄影机系统||台湾|美国豪威|发明第I544794号||2015/3/9|2016/8/1|2035/3/8|
|20|省电显示系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I563484号||2015/7/17|2016/12/21|2035/7/16|
|21|液晶显示器及硅基红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I613803号||2016/8/24|2018/2/1|2036/8/23|
||在互补式金属氧化物半导体影像感测器中具有减低暗电流之主动像素||||发明第189275号|||||
|22|||台湾|美国豪威|||2002/8/22|2003/11/1|2022/8/21|
|23|决定在光学滑鼠中相对移动之方法与装置||台湾|美国豪威|发明第I261778号||2002/10/30|2006/9/11|2022/10/29|
||利用现有快递冲印系统将数位影像冲印为相片之方法与装置||||发明第I240145号|||||
|24|||台湾|豪威半导体|||2003/10/7|2005/9/21|2023/10/6|
|25|具有影像感测器并用以充电之行动装置||台湾|美国豪威|发明第I305698号||2005/2/4|2009/1/21|2025/2/3|
|26|用于行动装置之多重视讯界面||台湾|美国豪威|发明第I273475号||2005/2/4|2007/2/11|2025/2/3|
|27|于GSM网路上传递低位元率影像||台湾|美国豪威|发明第I281351号||2005/11/2|2007/5/11|2025/11/1|
|28|使用双网路模式之增强影像串流之方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I311422号||2005/7/4|2009/6/21|2025/7/3|
|29|于行动通讯装置中远端触发多媒体资料之传送||台湾|美国豪威|发明第I280778号||2005/7/4|2007/5/1|2025/7/3|
|30|平行计算单元之可透视重新定位||台湾|美国豪威|发明第I370967号||2005/8/30|2012/8/21|2025/8/29|
|31|可将负片影像转换为正片影像的数位相机||台湾|美国豪威|发明第I293004号||2005/11/4|2008/1/21|2025/11/3|
|32|阵列成像系统及其相关方法||台湾|美国豪威|发明第I397995号||2007/4/17|2013/6/1|2027/4/16|
||成像电磁能之成像系统、相位修改光学及设计瞳孔函数之方法||||发明第I447502号|||||
|33|||台湾|美国豪威|||2007/5/23|2014/8/1|2027/5/22|
|34|多层光学滤波器设计及相关系统||台湾|美国豪威|发明第I412946号||2008/4/25|2013/10/21|2028/4/24|
|35|具晕染抑制功能之高动态范围感测器||台湾|美国豪威|发明第I392351号||2008/6/18|2013/4/1|2028/6/17|
|36|多区域成像系统||台湾|美国豪威|发明第I495337号||2008/8/4|2015/8/1|2028/8/3|
|37|在缩减取样模式中具有高动态范围的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I389563号||2008/8/22|2013/3/11|2028/8/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|38|透射式侦测器、使用该侦测器之系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I455326号||2008/9/12|2014/10/1|2028/9/11|
||藉由多个读出电路路径改善动态范围之影像感测设备与方法||||发明第I415454号|||||
|39|||台湾|美国豪威|||2008/8/22|2013/11/11|2028/8/21|
|40|在影像感测中达到高动态范围的方法及影像感测系统||台湾|美国豪威|发明第I392375号||2008/10/22|2013/4/1|2028/10/21|
|41|用于定位投影影像中一光点之双模投影装置与方法||台湾|美国豪威|发明第I400554号||2008/10/28|2013/7/1|2028/10/27|
|42|用于追踪光指标器之装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I375898号||2008/10/28|2012/11/1|2028/10/27|
|43|测试影像感测器晶圆以辨识像素缺陷之装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I399819号||2008/11/18|2013/6/21|2028/11/17|
|44|用以估计场景光源之影像感测器装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I399503号||2008/11/18|2013/6/21|2028/11/17|
|45|具有整合式闪光灯之可回焊相机模组||台湾|美国豪威|发明第I382753号||2008/12/16|2013/1/11|2028/12/15|
||不使用底部填充封胶即可改善焊点可靠度之相机模组封装结构及其方法||||发明第I383476号|||||
|46|||台湾|美国豪威|||2008/12/18|2013/1/21|2028/12/17|
|47|一种使用间隔结合剂封装图像感测器之方法与装置||台湾|美国豪威|发明第I411068号||2009/4/17|2013/10/1|2029/4/16|
|48|膜悬置光学元件与相关方法||台湾|美国豪威|发明第I432788号||2009/1/15|2014/4/1|2029/1/14|
|49|藉由多孔径成像系统捕捉的影像之融合||台湾|美国豪威|发明第I399975号||2009/2/2|2013/6/21|2029/2/1|
||成像光学元件、光学成像系统以及用于提供非单调波前相位之基于电脑的方法||||发明第I459030号|||||
|50|||台湾|美国豪威|||2009/2/13|2014/11/1|2029/2/12|
|51|以物件为基础之光学字元辨识之预处理演算法||台湾|美国豪威|发明第I463415号||2010/3/5|2014/12/1|2030/3/4|
|52|用以提供影像资料之系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I513300号||2010/6/15|2015/12/11|2030/6/14|
||放大装置及用以放大第一差动信号及第二差动信号之方法||||发明第I427921号|||||
|53|||台湾|美国豪威|||2010/12/7|2014/2/21|2030/12/6|
|54|形成保护膜于微型摄像晶片上之装置及其形成方法||台湾|美国豪威|发明第I430343号||2010/1/26|2014/3/11|2030/1/25|
|55|影像感测器及用以对影像感测器所产生之影像进行向下||台湾|美国豪威|发明第I491252号||2012/2/9|2015/7/1|2032/2/8|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||取样之方法|||||||||
|56|光学对齐结构和相关方法||台湾|美国豪威|发明第I517371号||2011/5/13|2016/1/11|2031/5/12|
|57|探针卡||台湾|美国豪威|发明第I421502号||2010/6/25|2014/1/1|2030/6/24|
|58|串色影像处理系统和提高清晰度的方法||台湾|美国豪威|发明第I450594号||2011/7/13|2014/8/21|2031/7/12|
|59|光学位置输入系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I471784号||2011/8/5|2015/2/1|2031/8/4|
|60|用于晶圆级摄影模组之微调聚焦之机械组件及其方法||台湾|美国豪威|发明第I486661号||2011/9/27|2015/6/1|2031/9/26|
|61|一种用以提供扩展景深之光学系统、方法及装置||台湾|美国豪威|发明第I452337号||2011/11/1|2014/9/11|2031/10/31|
|62|形成保护膜于晶片封装上之装置及其形成方法||台湾|美国豪威|发明第I451503号||2010/12/27|2014/9/1|2030/12/26|
|63|形成保护膜于晶片封装上之装置及其形成方法||台湾|美国豪威|发明第I408781号||2011/1/25|2013/9/11|2031/1/24|
||具全幅对焦之三维影像撷取装置及方法||||发明第I490629号|||||
|64|||台湾|美国豪威|||2012/2/3|2015/7/1|2032/2/2|
|65|利用半成品方式之二段式光学物件成形||台湾|美国豪威|发明第I448734号||2012/2/3|2014/8/11|2032/2/2|
|66|可挠性薄膜及透镜组件及透镜复制之相关方法||台湾|美国豪威|发明第I539195号||2012/4/24|2016/6/21|2032/4/23|
|67|以色相关波前编码延伸透镜系统景深的系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I480583号||2012/5/31|2015/4/11|2032/5/30|
|68|整合晶粒级摄像元件及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I475672号||2012/10/2|2015/3/1|2032/10/1|
|69|晶圆级相机、用于晶圆级相机的晶圆间隔层及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I584361号||2012/9/28|2017/5/21|2032/9/27|
||晶圆级相机子系统及用于晶圆级相机的晶圆间隔层之制造方法||||发明第I543347号|||||
|70|||台湾|美国豪威|||2012/11/13|2016/7/21|2032/11/12|
|71|具有选择景深之摄像系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I514870号||2012/11/19|2015/12/21|2032/11/18|
|72|晶圆级摄像器之透镜板及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I490555号||2013/3/22|2015/7/1|2033/3/21|
|73|用于修正在数位影像资料中之失真的设备和方法||台湾|美国豪威|发明第I513303号||2013/5/8|2015/12/11|2033/5/7|
|74|修正一影像系统之晕影的方法及装置||台湾|美国豪威|发明第I479454号||2013/6/20|2015/4/1|2033/6/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|75|用于产生子母画面（PIP）影像之设备及方法||台湾|美国豪威|发明第I533701号||2012/9/28|2016/5/11|2032/9/27|
|76|使用多个摄像器以提供延伸视野的影像处理系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I514872号||2013/7/26|2015/12/21|2033/7/25|
|77|用于提供延伸视野影像的摄像系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I569643号||2013/7/26|2017/2/1|2033/7/25|
||利用紫外光可穿透模具来制造用于整合式相机之透镜板的方法以及制造紫外光可穿透模具的方法||||发明第I522223号|||||
|78|||台湾|美国豪威|||2013/7/26|2016/2/21|2033/7/25|
||由行动扫描器重新继续撷取物体之基本影像之系统与方法||||发明第I502956号|||||
|79|||台湾|美国豪威|||2013/8/19|2015/10/1|2033/8/18|
||具白光、黄光及红光感光元件之背照式感光元件感测器阵列||||发明第I515884号|||||
|80|||台湾|美国豪威|||2013/8/29|2016/1/1|2033/8/28|
||藉由时间匹配之间歇性照明来控制摄像系统之光强度之系统与方法||||发明第I573462号|||||
|81|||台湾|美国豪威|||2013/9/27|2017/3/1|2033/9/26|
|82|取得均匀光源之装置与方法||台湾|美国豪威|发明第I509266号||2013/10/11|2015/11/21|2033/10/10|
|83|影像感测器测试探针卡及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I509254号||2014/2/27|2015/11/21|2034/2/26|
||胶囊内视镜之大视场透镜系统以及具有大视场透镜系统之胶囊内视镜||||发明第I511699号|||||
|84|||台湾|美国豪威|||2013/10/11|2015/12/11|2033/10/10|
||包括至少一拜耳型摄影机的摄影机阵列系统及关联的方法||||发明第I525382号|||||
|85|||台湾|美国豪威|||2013/11/21|2016/3/11|2033/11/20|
|86|一种基于层之自助调整同级媒体串流之装置和方法||台湾|美国豪威|发明第I530147号||2014/2/24|2016/4/11|2034/2/23|
||电子照相机之自动白平衡之自动化自我训练之装置及方法||||发明第I551150号|||||
|87|||台湾|美国豪威|||2014/3/13|2016/9/21|2034/3/12|
|88|资讯科技装置输入系统及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I607343号||2014/2/27|2017/12/1|2034/2/26|
|89|一种校准360度照相机系统之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I502985号||2014/4/8|2015/10/1|2034/4/7|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|90|晶圆级阵列相机及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I572022号||2014/4/14|2017/2/21|2034/4/13|
|91|晶圆级阵列相机||台湾|美国豪威|发明第I621252号||2014/4/14|2018/4/11|2034/4/13|
||使用正方形影像感测器以用于弹性影像方位之取像系统及方法||||发明第I536822号|||||
|92|||台湾|美国豪威|||2014/4/25|2016/6/1|2034/4/24|
||具有广视角的五个非球面表面晶圆级透镜系统及透镜系统||||发明第I493220号|||||
|93|||台湾|美国豪威|||2014/5/7|2015/7/21|2034/5/6|
|94|线上记忆体测试系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I527046号||2014/5/5|2016/3/21|2034/5/4|
|95|投影机及其光学元件调整系统||台湾|美国豪威|发明第I494632号||2013/5/17|2015/8/1|2033/5/16|
|96|近眼显示系统、装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I533029号||2014/5/22|2016/5/11|2034/5/21|
|97|对准近眼显示装置的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I572898号||2014/5/22|2017/3/1|2034/5/21|
|98|镜框之固设系统||台湾|美国豪威|发明第I486666号||2014/5/22|2015/6/1|2034/5/21|
|99|产生全景画像的系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I545388号||2014/6/12|2016/8/11|2034/6/11|
|100|具有整合式方位指示器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I523631号||2014/6/18|2016/3/1|2034/6/17|
||用于照相机中之分布式影像处理以使在拼接影像中之假影最小化之方法及设备||||发明第I542941号|||||
|101|||台湾|美国豪威|||2014/6/18|2016/7/21|2034/6/17|
|102|用于提供三维彩色影像之多频带影像感测器及其方法||台湾|美国豪威|发明第I564593号||2014/6/18|2017/1/1|2034/6/17|
|103|自发光互补金属氧化物半导体影像感测器封装||台湾|美国豪威|发明第I573554号||2014/6/18|2017/3/11|2034/6/17|
|104|用以产生高动态范围影像之系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I550558号||2014/8/15|2016/9/21|2034/8/14|
||基于单一成像感测器的摄影机装置及系统以及其制造方法||||发明第I584643号|||||
|105|||台湾|美国豪威|||2014/9/5|2017/5/21|2034/9/4|
|106|以覆液喷洒制程形塑光学透镜的装置和方法||台湾|美国豪威|发明第I571373号||2014/9/15|2017/2/21|2034/9/14|
|107|具有屏蔽、深穿透及颜色检测光二极体的颜色光感测器阵||台湾|美国豪威|发明第I558220号||2014/9/15|2016/11/11|2034/9/14|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||列的感应器和方法|||||||||
|108|涂层式钻石磨削复制母模及其相关方法||台湾|美国豪威|发明第I552325号||2014/10/28|2016/10/1|2034/10/27|
|109|双像素大小彩色影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I567958号||2014/11/3|2017/1/21|2034/11/2|
|110|用于硅基液晶显示面板之热载体及关联方法||台湾|美国豪威|发明第I519883号||2014/11/3|2016/2/1|2034/11/2|
|111|影像资料汇集高动态范围成像系统及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I554104号||2014/11/14|2016/10/11|2034/11/13|
||用于捕获可见光影像与红外光影像两者之影像感测器，以及相关联系统与方法||||发明第I590427号|||||
|112|||台湾|美国豪威|||2014/11/20|2017/7/1|2034/11/19|
||具有在多晶硅闸极中运用 P 型掺杂之 NMOS 源极随耦器的影像感测器||||发明第I543352号|||||
|113|||台湾|美国豪威|||2014/11/28|2016/7/21|2034/11/27|
|114|具有机载资料储存器的胶囊相机及用于其的方法||台湾|美国豪威|发明第I597043号||2014/12/16|2017/9/1|2034/12/15|
||用于长距离行动产业处理器介面实体层串列链路之基于数位校准的偏斜抵消||||发明第I530148号|||||
|115|||台湾|美国豪威|||2014/12/16|2016/4/11|2034/12/15|
|116|具有高效率热传递之成像设备及其相关系统||台湾|美国豪威|发明第I574561号||2015/1/5|2017/3/11|2035/1/4|
|117|用以在作业系统中扫描测试闲置功能单元之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I550399号||2015/1/8|2016/9/21|2035/1/7|
|118|图像转换和多视图输出系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I524306号||2015/2/12|2016/3/1|2035/2/11|
|119|用于相机模组中的连续自动对焦系统与方法||台湾|美国豪威|发明第I551139号||2015/2/16|2016/9/21|2035/2/15|
|120|用于空间受限位置中之成像系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I565318号||2015/4/21|2017/1/1|2035/4/20|
|121|平面布局最佳化之堆叠式影像感测器及其方法||台湾|美国豪威|发明第I553498号||2015/4/1|2016/10/11|2035/3/31|
|122|光学变焦成像系统及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I568258号||2015/4/21|2017/1/21|2035/4/20|
|123|在晶圆层上将相机立方体镀黑之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I551880号||2015/4/21|2016/10/1|2035/4/20|
|124|用于相机制造之晶圆级结合方法||台湾|美国豪威|发明第I577003号||2015/4/29|2017/4/1|2035/4/28|
|125|背照式彩色影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I549277号||2015/4/29|2016/9/11|2035/4/28|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|126|悬式透镜系统及用于制造悬式透镜系统之晶圆级方法||台湾|美国豪威|发明第I575303号||2015/4/21|2017/3/21|2035/4/20|
|127|晶圆级硅基液晶投影组建、系统与方法||台湾|美国豪威|发明第I521296号||2014/5/22|2016/2/11|2034/5/21|
|128|用于获得影像深度资讯之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I577171号||2015/5/21|2017/4/1|2035/5/20|
|129|凹形间隔件晶圆孔洞及形成于其中之晶圆级光学元件||台湾|美国豪威|发明第I569056号||2015/5/21|2017/2/1|2035/5/20|
|130|在影像感测器中进行数位相关双倍取样的系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I549512号||2015/6/26|2016/9/11|2035/6/25|
|131|一种多层结构||台湾|美国豪威|发明第I602702号||2015/6/25|2017/10/21|2035/6/24|
|132|晶圆级透镜系统及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I579587号||2015/6/30|2017/4/21|2035/6/29|
||具有真空密封透镜盖的热成像系统和相关的晶圆级制造方法||||发明第I575231号|||||
|133|||台湾|美国豪威|||2015/7/9|2017/3/21|2035/7/8|
|134|用于嵌入立体影像的系统、方法及其软体产品||台湾|美国豪威|发明第I536832号||2015/7/17|2016/6/1|2035/7/16|
||用于检测置于影像感测器上之样品中颗粒之无透镜成像系统与方法||||发明第I582409号|||||
|135|||台湾|美国豪威|||2015/7/20|2017/5/11|2035/7/19|
|136|用于可PCB安装的相机模组之可PCB安装的透镜配接器||台湾|美国豪威|发明第I569436号||2015/8/21|2017/2/1|2035/8/20|
||透光区及影像感测装置之形成方法|||美国豪威、采|发明第I382273号|||||
|137|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/27|2013/1/11|2028/5/26|
|||||限公司||||||
||对准装置及其应用|||美国豪威、采|发明第I358618号|||||
|138|||台湾|钰科技股份有|||2008/3/7|2012/2/21|2028/3/6|
|||||限公司||||||
||透镜模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I439734号|||||
|139|||台湾|钰科技股份有|||2008/6/3|2014/6/1|2028/6/2|
|||||限公司||||||

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||影像感测装置之电子组件|||美国豪威、采|发明第I379411号|||||
|140|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/26|2012/12/11|2028/5/25|
|||||限公司||||||
||软模及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I424468号|||||
|141|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/27|2014/1/21|2028/5/26|
|||||限公司||||||
||微透镜|||美国豪威、采|发明第I378264号|||||
|142|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/19|2012/12/1|2028/5/18|
|||||限公司||||||
||具电磁波相容镀层的电子元件封装体|||美国豪威、采|发明第I382516号|||||
|143|||台湾|钰科技股份有|||2008/10/9|2013/1/11|2028/10/8|
|||||限公司||||||
||影像感测器装置及其密封模组|||美国豪威、采|发明第I500119号|||||
|144|||台湾|钰科技股份有|||2009/9/16|2015/9/11|2029/9/15|
|||||限公司||||||
||微型影像撷取透镜|||美国豪威、采|发明第I436090号|||||
|145|||台湾|钰科技股份有|||2009/1/16|2014/5/1|2029/1/15|
|||||限公司||||||
||影像撷取镜头|||美国豪威、采|发明第I393932号|||||
|146|||台湾|钰科技股份有|||2009/5/21|2013/4/21|2029/5/20|
|||||限公司||||||
||微型影像撷取透镜|||美国豪威、采|发明第I392892号|||||
|147|||台湾||||2009/1/19|2013/4/11|2029/1/18|
|||||钰科技股份有||||||

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|||||限公司||||||
||光学元件及其制造方法、影像撷取装置|||美国豪威、采|发明第I436117号|||||
|148|||台湾|钰科技股份有|||2009/4/16|2014/5/1|2029/4/15|
|||||限公司||||||
||微型相机模组|||美国豪威、采|发明第I417629号|||||
|149|||台湾|钰科技股份有|||2009/7/15|2013/12/1|2029/7/14|
|||||限公司||||||
||微型影像撷取透镜|||美国豪威、采|发明第I410672号|||||
|150|||台湾|钰科技股份有|||2009/10/26|2013/10/1|2029/10/25|
|||||限公司||||||
||影像感测元件之电子装置、晶圆级透镜组|||美国豪威、采|发明第I411295号|||||
|151|||台湾|钰科技股份有|||2010/2/5|2013/10/1|2030/2/4|
|||||限公司||||||
||影像摄取透镜模组|||美国豪威、采|发明第I406002号|||||
|152|||台湾|钰科技股份有|||2010/3/23|2013/8/21|2030/3/22|
|||||限公司||||||
||照相模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I475674号|||||
|153|||台湾|钰科技股份有|||2010/8/25|2015/3/1|2030/8/24|
|||||限公司||||||
||影像摄取透镜模组及影像摄取系统|||美国豪威、采|发明第I418872号|||||
|154|||台湾|钰科技股份有|||2010/1/14|2013/12/11|2030/1/13|
|||||限公司||||||
|155|影像撷取透镜模组及影像撷取装置封装物||台湾|美国豪威、采|发明第I454748号||2011/7/14|2014/10/1|2031/7/13|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|||||钰科技股份有||||||
|||||限公司||||||
||光学装置及其设计方法|||美国豪威、采|发明第I467309号|||||
|156|||台湾|钰科技股份有|||2011/7/13|2015/1/1|2031/7/12|
|||||限公司||||||
||影像感测元件之制造方法及铸造装置|||美国豪威、采|发明第I453111号|||||
|157|||台湾|钰科技股份有|||2010/8/24|2014/9/21|2030/8/23|
|||||限公司||||||
||影像摄取透镜模组及影像摄取系统|||美国豪威、采|发明第I421531号|||||
|158|||台湾|钰科技股份有|||2010/10/12|2014/1/1|2030/10/11|
|||||限公司||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I436118号|||||
|159|||台湾|钰科技股份有|||2011/12/14|2014/5/1|2031/12/13|
|||||限公司||||||
||影像感测装置及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I420661号|||||
|160|||台湾|钰科技股份有|||2010/9/29|2013/12/21|2030/9/28|
|||||限公司||||||
||透镜模组及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I435134号|||||
|161|||台湾|钰科技股份有|||2011/4/1|2014/4/21|2031/3/31|
|||||限公司||||||
||透镜组及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I476097号|||||
|162|||台湾|钰科技股份有|||2011/7/12|2015/3/11|2031/7/11|
|||||限公司||||||

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I491249号|||||
|163|||台湾|钰科技股份有|||2011/10/7|2015/7/1|2031/10/6|
|||||限公司||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I522671号|||||
|164|||台湾|钰科技股份有|||2011/7/13|2016/2/21|2031/7/12|
|||||限公司||||||
||光学透镜模组|||美国豪威、采|发明第I456246号|||||
|165|||台湾|钰科技股份有|||2011/12/8|2014/10/11|2031/12/7|
|||||限公司||||||
||相机模组的制造方法|||美国豪威、采|发明第I460485号|||||
|166|||台湾|钰科技股份有|||2011/12/2|2014/11/11|2031/12/1|
|||||限公司||||||
||相机单元及其微镜头|||美国豪威、采|发明第I457606号|||||
|167|||台湾|钰科技股份有|||2012/2/3|2014/10/21|2032/2/2|
|||||限公司||||||
|168|三片式全非球面转接器鱼眼镜头||台湾|美国豪威|发明第I545344号||2015/8/21|2016/8/11|2035/8/20|
|169|四片式全非球面之外接器鱼眼镜头||台湾|美国豪威|发明第I550304号||2015/8/21|2016/9/21|2035/8/20|
|170|自动化的细胞生长/迁移检测系统及相关的方法||台湾|美国豪威|发明第I548742号||2015/8/19|2016/9/11|2035/8/18|
|171|制造有孔透镜之晶圆级方法及相关有孔透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I609200号||2015/9/2|2017/12/21|2035/9/1|
||具有信号分离的彩色滤波器阵列的双模影像感测器及其方法||||发明第I563648号|||||
|172|||台湾|美国豪威|||2015/10/8|2016/12/21|2035/10/7|
|173|具样品加热能力之高输出荧光成像系统与装置以及相关||台湾|美国豪威|发明第I596332号||2015/10/6|2017/8/21|2035/10/5|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
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||方法|||||||||
|174|具有嵌入式微流体的色敏影像感测器和相关方法||台湾|美国豪威|发明第I575720号||2015/10/28|2017/3/21|2035/10/27|
|175|具有嵌入式微流体的色敏影像感测器和相关方法||台湾|美国豪威|发明第I588983号||2015/10/28|2017/6/21|2035/10/27|
||用于供结合背面照明式光感测器阵列的电路之特别用途的积体电路之接地系统||||发明第I585956号|||||
|176|||台湾|美国豪威|||2015/10/30|2017/6/1|2035/10/29|
|177|晶圆级封装式半导体装置及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I566393号||2015/11/13|2017/1/11|2035/11/12|
|178|原件嵌入式影像感测器及其圆晶级制造方法||台湾|美国豪威|发明第I573247号||2015/11/13|2017/3/1|2035/11/12|
|179|用于硅基液晶面板的面板载体和用于将其电互连的方法||台湾|美国豪威|发明第I560490号||2015/11/17|2016/12/1|2035/11/16|
|180|边缘侦测系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I588757号||2015/12/4|2017/6/21|2035/12/3|
|181|用于电子照相机之自动白平衡系统||台湾|美国豪威|发明第I588779号||2015/12/18|2017/6/21|2035/12/17|
|182|用于电子照相机之自动白平衡方法||台湾|美国豪威|发明第I539812号||2015/12/18|2016/6/21|2035/12/17|
|183|低剖面混合型透镜系统及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I578019号||2016/1/26|2017/4/11|2036/1/25|
|184|透镜式分光器棱镜阵列及其相关方法||台湾|美国豪威|发明第I597525号||2016/1/26|2017/9/1|2036/1/25|
|185|使用消色差双棱镜阵列之广角摄影机及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I605273号||2016/2/15|2017/11/11|2036/2/14|
|186|使用消色差双棱镜阵列之广角摄影机及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I575952号||2016/2/15|2017/3/21|2036/2/14|
|187|硅基液晶面板及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I567453号||2016/2/15|2017/1/21|2036/2/14|
|188|曲面影像感测器系统及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I584453号||2016/2/15|2017/5/21|2036/2/14|
||用于LCOS显示器之空间交错的偏振转换器及用于将具有复数线性偏振状态的输入光束转换到具有单一化共同极化状态的输出光束之方法||||发明第I579596号|||||
|189|||台湾|美国豪威|||2016/2/25|2017/4/21|2036/2/24|
|190|高反射硅基液晶面板||台湾|美国豪威|发明第I611246号||2016/2/25|2018/1/11|2036/2/24|
|191|气凝胶包覆式影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I618234号||2016/3/4|2018/3/11|2036/3/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|192|含有干粘合剂层之光学组建及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I584645号||2016/3/16|2017/5/21|2036/3/15|
||可减少随机电报信号杂讯的 CMOS 影像感测器和相关方法||||发明第I563849号|||||
|193|||台湾|美国豪威|||2016/4/29|2016/12/21|2036/4/28|
||用于稳健晶片内建相位检测之影像感测器以及相关系统和方法||||发明第I569647号|||||
|194|||台湾|美国豪威|||2016/5/12|2017/2/1|2036/5/11|
||具有单光子累崩二极体和感测器平移的成像系统以及相关的方法||||发明第I596938号|||||
|195|||台湾|美国豪威|||2016/6/14|2017/8/21|2036/6/13|
||具有用来减少串扰和增强红外线灵敏度的非均一埋藏P井深度态样的RGB-IR光感测器||||发明第I588982号|||||
|196|||台湾|美国豪威|||2016/5/31|2017/6/21|2036/5/30|
|197|用于评价图像信号处理器中实施的分类器的系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I615809号||2016/10/19|2018/2/21|2036/10/18|
|198|包含位置受控的孔径的光学间隔件之制造方法||台湾|美国豪威|发明第I609776号||2016/7/19|2018/1/1|2036/7/18|
|199|利用同轴眼睛成像之近眼显示装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I601979号||2015/9/30|2017/10/11|2035/9/29|
||具半岛式接地点之互补式金属氧化物半导体影像感测器与其制造方法||||发明第I584455号|||||
|200|||台湾|美国豪威|||2016/7/12|2017/5/21|2036/7/11|
|201|具有宽视野之近红外线混合透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I610093号||2016/9/6|2018/1/1|2036/9/5|
|202|四表面窄视场复合透镜||台湾|美国豪威|发明第I624682号||2016/12/13|2018/5/21|2036/12/12|
|203|三表面宽视场透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I610092号||2016/9/6|2018/1/1|2036/9/5|
|204|晶圆级混合式复合透镜与其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I610099号||2016/10/7|2018/1/1|2036/10/6|
||具有黑色遮罩的晶片尺寸封装之影像感测器封装及相关封装方法||||发明第I614883号|||||
|205|||台湾|美国豪威|||2016/10/13|2018/2/11|2036/10/12|
|206|凹口间隔式相机模组及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I590472号||2016/9/26|2017/7/1|2036/9/25|
|207|具有对称之多像素相位差检测器之影像感测器、成像系统||台湾|美国豪威|发明第I605297号||2016/7/19|2017/11/11|2036/7/18|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||及相关检测方法|||||||||
||具有改进的相位侦测像素的 BSI CMOS 影像感测器及其方法||||发明第I597832号|||||
|208|||台湾|美国豪威|||2016/10/13|2017/9/1|2036/10/12|
||用于无转接器智慧型手机眼睛成像之投影机及其相关方法||||发明第I606265号|||||
|209|||台湾|美国豪威|||2016/11/4|2017/11/21|2036/11/3|
|210|减少光斑成像系统和相关的图像感测器||台湾|美国豪威|发明第I617905号||2017/3/21|2018/3/11|2037/3/20|
|211|六非球面透镜||台湾|美国豪威|发明第I624683号||2017/9/29|2018/5/21|2037/9/28|
|212|具有基于特征的重影去除的阵列照相机影像组合||台湾|美国豪威|发明第I621099号||2017/9/13|2018/4/11|2037/9/12|
||具有二个或多数线读取结构及高感度交错彩色结构之单晶片彩色CMOS影像感应器||||发明第122401号|||||
|213|||台湾|美国豪威|||1999/2/8|2000/10/1|2019/2/7|
|214|使用于光学影像感测器积体电路的晶片尺度封装||台湾|美国豪威|发明第147348号||2000/11/8|2001/11/21|2020/11/7|
|215|具有一钉入之光二极体的改良式主动像素及其制法||台湾|美国豪威|发明第125291号||1999/1/18|2000/12/11|2019/1/17|
|216|互补式金氧半影像感测器之最佳化浮动P+区域光二极体||台湾|美国豪威|发明第149084号||2000/11/8|2002/1/1|2020/11/7|
|217|降低影像延迟之改良APS平缓重置电路||台湾|美国豪威|发明第174469号||2000/11/8|2003/3/11|2020/11/7|
|218|彩色影像资料处理及压缩之方法及设备||台湾|美国豪威|发明第167560号||2000/12/8|2002/11/1|2020/12/7|
|219|具有晶片上图案辨识之互补式金氧半电晶体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第198235号||2002/10/30|2004/3/1|2022/10/29|
||于互补式金氧半导体影像感测器中快速自动曝光或增益控制之方法||||发明第203268号|||||
|220|||台湾|美国豪威|||2002/10/30|2004/6/1|2022/10/29|
|221|读出电路与从一图素读出一光信号之方法||台湾|美国豪威|发明第I231041号||2002/10/30|2005/4/11|2022/10/29|
||于互补式金氧半导体影像感测器中快速自动曝光或增益控制之方法||||发明第203039号|||||
|222|||台湾|美国豪威|||2002/10/30|2004/5/21|2022/10/29|
|223|消除在一线性互补式金氧半电晶体影像感应器中 KTC 杂||台湾|美国豪威|发明第I233299号||2003/3/27|2005/5/21|2023/3/26|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日||失效日期|
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||讯之装置及方法||||||||||
||具有增加讯号范围之行读出电路之互补式金氧半电晶体之影像感应器||||发明第I227946号||||||
|224|||台湾|美国豪威|||2003/3/27|2005/2/11||2023/3/26|
|225|具有光敏彩色滤光器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I228933号||2002/12/3|2005/3/1||2022/12/2|
||影像感测器、单一积体电路印模、及在影像装置中用于影像压缩与/或解压缩之方法||||发明第I373262号||||||
|226|||台湾|美国豪威|||2004/5/7|2012/9/21||2024/5/6|
||具有减少数量行读出电具有减少数目行读出电路之互补式金氧半导体影像感应器||||发明第I235602号||||||
|227|||台湾|美国豪威|||2004/1/16|2005/7/1||2024/1/15|
|228|拥有双自动控制之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I237500号||2004/1/20|2005/8/1||2024/1/19|
||使用具有圆框相加及移动补偿的高圆框率之互补金氧半导体影像感测器||||发明第I343741号||||||
|229|||台湾|美国豪威|||2004/5/7|2011/6/11||2024/5/6|
|230|使用负向至正向电压摆动转换电晶体之主动式像素单元||台湾|美国豪威|发明第I351106号||2004/5/7|2011/10/21||2024/5/6|
|231|形成于N-型基底上之互补式金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I281728号||2005/1/26|2007/5/21||2025/1/25|
||于像素间使用共享电晶体之互补式金氧半导体影像感测器||||发明第I256132号||||||
|232|||台湾|美国豪威|||2005/1/26|2006/6/1||2025/1/25|
|233|混合式电荷耦合互补式金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I270205号||2005/2/5|2007/1/1|2025/2/4||
|234|自动白平衡之方法与装置||台湾|美国豪威|发明第I259326号||2005/2/16|2006/8/1||2025/2/15|
|235|用于局部调适影像处理滤波器之方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I258717号||2005/2/17|2006/7/21||2025/2/16|
|236|使用经处理的YUV资料之透镜校正||台湾|美国豪威|发明第I361904号||2004/9/22|2012/4/11||2024/9/21|
||检测环境光之闪光速度以控制摄影机帧速度之方法与系统||||发明第I281085号||||||
|237|||台湾|美国豪威|||2005/2/16|2007/5/11||2025/2/15|
|238|具有埋入式电晶体之主动像素||台湾|美国豪威|发明第I248205号||2005/2/16|2006/1/21||2025/2/15|

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||||申请国/|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日||授予日||失效日期|
||||地区|||||||||
|239|利用非对称转换电晶体之主动像素晶胞||台湾|美国豪威|发明第I294188号||2005/2/16||2008/3/1||2025/2/15|
|240|影像感测器以及具有可变电容输出或浮动节点之像素||台湾|美国豪威|发明第I280788号||2005/8/31||2007/5/1||2025/8/30|
||在浮接节点具有可调式电容量之影像感测器与像素感测器||||发明第I286029号|||||||
|241|||台湾|美国豪威|||2005/10/12||2007/8/21||2025/10/11|
|242|具有非凸性光电二极体之影像感测器与像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I282170号||2005/10/7||2007/6/1||2025/10/6|
||于讯号累积期间具有正移转闸极电压之影像感测器与像素感测器||||发明第I290800号|||||||
|243|||台湾|美国豪威|||2005/10/7||2007/12/1||2025/10/6|
||具有多重掺杂布植之光电二极之影像感测器与像素感测器||||发明第I298205号|||2008/6/21||2025/10/6||
|244|||台湾|美国豪威|||2005/10/7|||||
|245|具有抗反光镀膜光电二极体之影像感测器与像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I295850号||2005/10/12||2008/4/11||2025/10/11|
|246|用于CMOS影像感测器之局部内接线结果与其方法||台湾|美国豪威|发明第I304248号||2005/11/2||2008/12/11||2025/11/1|
||在光电二极体上具有复晶硅层之影像感测器与像素感测器||||发明第I295503号|||||||
|247|||台湾|美国豪威|||2005/11/2||2008/4/1||2025/11/1|
||具有一个最佳化浮动扩散放大器之影像感测器和像素感测元件||||发明第I285431号|||||||
|248|||台湾|美国豪威|||2005/12/9||2007/8/11||2025/12/8|
|249|具有铟钉压层光电二极体之影像像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I295108号||2005/11/2||2008/3/21||2025/11/1|
|250|用于影像传感器之自动对焦装置以及其方法||台湾|美国豪威|发明第I325087号||2005/12/26||2010/5/21||2025/12/25|
|251|用于影像传感器之氘合金制程||台湾|美国豪威|发明第I319214号||2005/12/1||2010/1/1||2025/11/30|
||一影像像素感测器具有由P型或N型掺杂多晶硅所形成之移转闸||||发明第I299210号|||||||
|252|||台湾|美国豪威|||2005/11/8||2008/7/21||2025/11/7|
||多层半导体基底与形成于其上用以增进红外线反应之影像感测器||||发明第I305414号|||||||
|253|||台湾|美国豪威|||2005/12/28||2009/1/11||2025/12/27|

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|||||申请国/|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||地区|||||||||||
||具有铟掺杂物所形成之侧面掺杂轮廓之影像感测器和像素感测元件||||||发明第I262596号||||||||
|254||||台湾||美国豪威||||2005/12/9||2006/9/21||2025/12/8|
||用于影像感测器之使用化学机械研磨之自动对准硅化物制程||||||发明第I358825号||||||||
|255||||台湾||美国豪威||||2006/1/12||2012/2/21||2026/1/11|
|256|用于影像感测器之自动对准硅化物制程|||台湾||美国豪威|发明第I319909号|||2006/1/12||2010/1/21||2026/1/11|
|257|降低蚀刻侵蚀之影像感测器制造方法|||台湾||美国豪威|发明第I309864号|||2006/6/23||2009/5/11||2026/6/22|
|258|防影像晃动之数位相机|||台湾||美国豪威|发明第I339986号|||2007/1/10||2011/4/1||2027/1/9|
|259|影像感测组件与影像感测模块及其制造方法||台湾||美国豪威||发明第I331876号||2007/1/15||2010/10/11||2027/1/14||
||使用能量转换层以增加影像感测器中之光吸收之方法及装置||||||发明第I419310号||||||||
|260||||台湾||美国豪威||||2007/7/5||2013/12/11||2027/7/4|
||感测光二极体上具有弧形微镜之影像感测器及其制造方法||||||发明第I459546号||||||||
|261||||台湾||美国豪威||||2007/10/25||2014/11/1||2027/10/24|
|262|具有光晕降低机制的影像感应器|||台湾||美国豪威|发明第I461060号|||2008/1/21||2014/11/11||2028/1/20|
|263|具有减少行固定图案杂讯之成像感测器|||台湾||美国豪威|发明第I429283号|||2010/6/29||2014/3/1||2030/6/28|
|264|影像感应器之光源频率侦测电路|||台湾||美国豪威|发明第I386654号|||2008/9/12||2013/2/21||2028/9/11|
||具有改良重设阶段之切换式电容器放大器，包含该切换式电容放大器之系统，及操作该切换式电容器放大器之方法||||||发明第I433455号||||||||
|265||||台湾||美国豪威||||2008/11/13||2014/4/1||2028/11/12|
|266|差动发信发射器及方法|||台湾||美国豪威|发明第I452832号|||2008/12/2||2014/9/11||2028/12/1|
|267|限制输出高电压之混合型晶片上调节器|||台湾||美国豪威|发明第I411231号|||2009/1/13||2013/10/1||2029/1/12|
|268|限制输出高电压之混合型晶片上调节器|||台湾||美国豪威|发明第I544744号|||2009/1/13||2016/8/1||2029/1/12|
|269|降压差动接收器|||台湾||美国豪威|发明第I397257号|||2008/9/26||2013/5/21||2028/9/25|
|270|具有载体基板和再分配层之背面受光影像感测器|||台湾||美国豪威|发明第I478329号|||2009/1/14||2015/3/21||2029/1/13|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|271|具有全域快门及储存电容之背侧照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I430660号||2009/2/6|2014/3/11|2029/2/5|
|272|影像感测器之自校滤波器||台湾|美国豪威|发明第I419311号||2009/2/11|2013/12/11|2029/2/10|
|273|具有在闸极作用区域上之接触的电晶体||台湾|美国豪威|发明第I398001号||2009/5/21|2013/6/1|2029/5/20|
|274|全域性重设影像感应器像素||台湾|美国豪威|发明第I443813号||2009/5/26|2014/7/1|2029/5/25|
|275|影像感测反射器||台湾|美国豪威|发明第I460848号||2009/1/13|2014/11/11|2029/1/12|
|276|具有背面P+掺杂层之背面受光影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I423433号||2009/1/14|2014/1/11|2029/1/13|
|277|具有深光反射沟渠之背照式影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I407553号||2009/1/13|2013/9/1|2029/1/12|
|278|使用双极性电晶体之光源频率侦测电路||台湾|美国豪威|发明第I401946号||2008/11/13|2013/7/11|2028/11/12|
|279|用于背侧照明影像感测器之黑色参考像素||台湾|美国豪威|发明第I541986号||2009/2/6|2016/7/11|2029/2/5|
|280|具有硅化物光反射层之背面受光成像感测器||台湾|美国豪威|发明第I415254号||2009/1/15|2013/11/11|2029/1/14|
||具有聚焦互连之影像感测器，及有效率地捕捉入射光之方法与装置||||发明第I407782号|||||
|281|||台湾|美国豪威|||2009/5/26|2013/9/1|2029/5/25|
|282|具有低电气串扰之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I412127号||2009/2/6|2013/10/11|2029/2/5|
|283|背面受光影像感测器及其控制方法||台湾|美国豪威|发明第I407555号||2009/1/15|2013/9/1|2029/1/14|
|284|用于增加之像素填充因子之沟槽传输闸||台湾|美国豪威|发明第I442558号||2010/9/13|2014/6/21|2030/9/12|
|285|使用选择性磊晶之影像感测器电晶体之轻度掺杂汲极||台湾|美国豪威|发明第I453902号||2009/11/18|2014/9/21|2029/11/17|
|286|用于背侧照明影像感测器之电路与光感测器重叠||台湾|美国豪威|发明第I406402号||2009/2/6|2013/8/21|2029/2/5|
|287|具有全域光闸之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I422222号||2010/4/29|2014/1/1|2030/4/28|
|288|具有背面钝化及金属层的影像感应器||台湾|美国豪威|发明第I413245号||2009/5/27|2013/10/21|2029/5/26|
|289|具有改良之角度回应之背部照明成像感测器||台湾|美国豪威|发明第I453903号||2009/11/16|2014/9/21|2029/11/15|
|290|单一列为基的缺陷像素修正||台湾|美国豪威|发明第I393451号||2009/10/27|2013/4/11|2029/10/26|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|291|用于背面扩散掺杂之方法、设备及系统||台湾|美国豪威|发明第I416601号||2009/12/16|2013/11/21|2029/12/15|
||背面照射式（BSI）互补式金氧半导体（CMOS）影像感测器阵列及其制造方法||||发明第I456745号|||||
|292|||台湾|美国豪威|||2009/12/2|2014/10/11|2029/12/1|
|293|具有递变式光侦测器植入之高全井电容像素||台湾|美国豪威|发明第I483390号||2011/2/1|2015/5/1|2031/1/31|
|294|包含具有按比例调整之宽度的金属反射器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I416719号||2010/6/29|2013/11/21|2030/6/28|
|295|具有强化垫结构之背面受光成像感测器||台湾|美国豪威|发明第I466277号||2010/10/1|2014/12/21|2030/9/30|
|296|具有电子透镜之光侦测器阵列||台湾|美国豪威|发明第I404201号||2009/12/22|2013/8/1|2029/12/21|
|297|具有离散电子排斥元件阵列之光侦测器阵列||台湾|美国豪威|发明第I469333号||2009/12/18|2015/1/11|2029/12/17|
|298|具有互连结构之装置及形成互连结构之方法||台湾|美国豪威|发明第I412126号||2010/5/21|2013/10/11|2030/5/20|
|299|具有形成于彩色滤光器中之波导之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I438894号||2010/9/27|2014/5/21|2030/9/26|
|300|在一互补式金氧半导体像素中之半岛形传送闸||台湾|美国豪威|发明第I413246号||2009/12/31|2013/10/21|2029/12/30|
|301|用于减少串扰之多层影像感测器像素结构||台湾|美国豪威|发明第I416717号||2010/4/23|2013/11/21|2030/4/22|
|302|具有多重通道子区域之传输闸极的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I416718号||2010/6/28|2013/11/21|2030/6/27|
|303|具有接触伪像素之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I543345号||2010/9/15|2016/7/21|2030/9/14|
|304|具有热管理结构之互补金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I441322号||2010/9/30|2014/6/11|2030/9/29|
|305|具有磊晶自对准光感测器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I423434号||2010/11/18|2014/1/11|2030/11/17|
||具有板上资料储存器之囊封影像获取装置，及其系统，套件及方法||||发明第I432166号|||||
|306|||台湾|美国豪威|||2010/12/14|2014/4/1|2030/12/13|
||具有板上资料储存器之囊封影像获取装置及其系统、套件及方法||||发明第I566737号|||||
|307|||台湾|美国豪威|||2010/12/14|2017/1/21|2030/12/13|
|308|具有改良式黑阶校准之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I436642号||2011/1/27|2014/5/1|2031/1/26|
|309|用于影像感测器之经改良雷射退火||台湾|美国豪威|发明第I509696号||2011/2/1|2015/11/21|2031/1/31|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||具有改良的光二极体区域配置之互补金氧半导体影像感测器||||发明第I458348号|||||
|310|||台湾|美国豪威|||2011/6/2|2014/10/21|2031/6/1|
|311|双面影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I420660号||2010/6/28|2013/12/21|2030/6/27|
||具有双元件彩色滤光器阵列及三通道彩色输出之影像感测器||||发明第I510088号|||||
|312|||台湾|美国豪威|||2011/5/5|2015/11/21|2031/5/4|
|313|用于晶圆层级照相机模组之强化结构||台湾|美国豪威|发明第I450580号||2011/5/27|2014/8/21|2031/5/26|
|314|具有管线化行类比数位转化器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I454142号||2011/5/31|2014/9/21|2031/5/30|
|315|具有背景电流操纵之背侧受激感测器||台湾|美国豪威|发明第I465719号||2011/6/22|2014/12/21|2031/6/21|
|316|具有背景电流操纵之背侧受激感测器||台湾|美国豪威|发明第I541502号||2011/6/22|2016/7/11|2031/6/21|
|317|嵌入传送闸||台湾|美国豪威|发明第I520316号||2011/4/28|2016/2/1|2031/4/27|
|318|光学触控荧幕成像器||台湾|美国豪威|发明第I514555号||2011/1/11|2015/12/21|2031/1/10|
|319|用于互补金氧半导体影像感测器之可变电压列驱动器||台湾|美国豪威|发明第I531234号||2013/1/30|2016/4/21|2033/1/29|
|320|具有应力膜之背侧照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I458085号||2011/4/28|2014/10/21|2031/4/27|
|321|可见及红外线双模式成像系统||台湾|美国豪威|发明第I469634号||2011/10/4|2015/1/11|2031/10/3|
||用于互补金氧半导体影像感测器之无损害杂质掺杂之方法||||发明第I435445号|||||
|322|||台湾|美国豪威|||2011/9/8|2014/4/21|2031/9/7|
|323|具有补充电容性耦合节点之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I507035号||2011/11/8|2015/11/1|2031/11/7|
|324|具有补充电容性耦合节点之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I573463号||2011/11/8|2017/3/1|2031/11/7|
|325|用于修正成像像素之黑色位准||台湾|美国豪威|发明第I507036号||2013/2/6|2015/11/1|2033/2/5|
|326|具有减少晕光及电遮光器之背侧照射式影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I478331号||2012/2/22|2015/3/21|2032/2/21|
|327|使用切割道蚀刻之晶圆切片||台湾|美国豪威|发明第I449096号||2011/10/25|2014/8/11|2031/10/24|
|328|背面照明成像感测器与制造具有密封环支撑件之背面照||台湾|美国豪威|发明第I438655号||2011/5/23|2014/5/21|2031/5/22|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||明成像感测器之方法|||||||||
|329|用于黑阶校准之影像感测器及CMOS影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I501642号||2012/1/6|2015/9/21|2032/1/5|
|330|用于黑阶校准之影像传感器及CMOS影像传感器||台湾|美国豪威|发明第I569645号||2012/1/6|2017/2/1|2032/1/5|
|331|微型晶圆级相机模组||台湾|美国豪威|发明第I464475号||2012/3/14|2014/12/11|2032/3/13|
|332|用于触摸及手势辨识之光学触控垫||台湾|美国豪威|发明第I461991号||2011/11/29|2014/11/21|2031/11/28|
|333|具有周边沟渠电容器之互补金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I475677号||2012/7/6|2015/3/1|2032/7/5|
|334|使用硬遮罩之色彩滤光器图案化||台湾|美国豪威|发明第I489637号||2011/12/1|2015/6/21|2031/11/30|
|335|低共模驱动器||台湾|美国豪威|发明第I473430号||2011/11/22|2015/2/11|2031/11/21|
|336|像素中高动态范围成像||台湾|美国豪威|发明第I504258号||2011/12/6|2015/10/11|2031/12/5|
|337|在行动装置中之影像重叠||台湾|美国豪威|发明第I493971号||2011/7/6|2015/7/21|2031/7/5|
|338|介于具有额外作用区域之半导体装置之间之隔离区域||台湾|美国豪威|发明第I479598号||2012/7/31|2015/4/1|2032/7/30|
||具有藉由使用光阻阻挡氮化之经减少的杂讯之影像感测器||||发明第I511278号|||||
|339|||台湾|美国豪威|||2012/8/10|2015/12/1|2032/8/9|
|340|具有聚焦能力之影像捕捉系统||台湾|美国豪威|发明第I439780号||2011/12/2|2014/6/1|2031/12/1|
|341|用于具有聚焦功能之影像撷取系统之外壳||台湾|美国豪威|发明第I505705号||2011/12/5|2015/10/21|2031/12/4|
|342|用于影像感测器之增强像素单元架构||台湾|美国豪威|发明第I538514号||2013/2/26|2016/6/11|2033/2/25|
|343|用于多转换增益影像感测器之多位准重设电压||台湾|美国豪威|发明第I499295号||2012/7/17|2015/9/1|2032/7/16|
|344|成像装置，成像系统及制造双面相机组件之方法||台湾|美国豪威|发明第I566338号||2012/8/10|2017/1/11|2032/8/9|
||用于在影像感测器像素中提供改良之满井容量之方法、装置及系统||||发明第I520318号|||||
|345|||台湾|美国豪威|||2012/11/1|2016/2/1|2032/10/31|
|346|具有光导之背侧照射像素||台湾|美国豪威|发明第I481018号||2012/11/28|2015/4/11|2032/11/27|
|347|用于相机模组之电磁干扰屏蔽||台湾|美国豪威|发明第I496462号||2012/9/7|2015/8/11|2032/9/6|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|348|用于影像感测器之部分埋入式通道传输装置||台湾|美国豪威|发明第I585958号||2012/10/12|2017/6/1|2032/10/11|
|349|在半导体装置中形成不同深度沟渠之方法||台湾|美国豪威|发明第I502734号||2013/2/21|2015/10/1|2033/2/20|
||用于具有背侧照明之高速互补金氧半导体影像感测器之多个列同时读出方案||||发明第I519160号|||||
|350|||台湾|美国豪威|||2012/10/9|2016/1/21|2032/10/8|
|351|高动态范围次取样架构||台湾|美国豪威|发明第I510089号||2012/10/9|2015/11/21|2032/10/8|
||用于高效能互补金氧半导体影像感测器之算术计数电路，组态及应用||||发明第I519162号|||||
|352|||台湾|美国豪威|||2012/10/9|2016/1/21|2032/10/8|
|353|用于判定飞行时间之方法及飞行时间成像设备与系统||台湾|美国豪威|发明第I480586号||2013/2/26|2015/4/11|2033/2/25|
|354|在半导体装置中用于在垫片下电路之垫片设计||台湾|美国豪威|发明第I495096号||2012/10/31|2015/8/1|2032/10/30|
|355|具有自我对准之通道宽度之电晶体||台湾|美国豪威|发明第I482282号||2012/10/19|2015/4/21|2032/10/18|
||包含具有用于三维成像之交替偏光之光学滤光器之影像感测器||||发明第I515883号|||||
|356|||台湾|美国豪威|||2013/1/22|2016/1/1|2033/1/21|
|357|用于平行交换视讯资料之方法、装置及系统||台湾|美国豪威|发明第I540902号||2013/4/22|2016/7/1|2033/4/21|
|358|提供用于缓冲之视讯资料的方法、装置及系统||台湾|美国豪威|发明第I499303号||2013/4/30|2015/9/1|2033/4/29|
|359|共用飞行时间像素||台湾|美国豪威|发明第I524762号||2012/3/20|2016/3/1|2032/3/19|
|360|结合影像之方法||台湾|美国豪威|发明第I493504号||2013/2/7|2015/7/21|2033/2/6|
|361|用于半导体装置之垫及电路布局||台湾|美国豪威|发明第I517373号||2013/2/8|2016/1/11|2033/2/7|
|362|在背侧照明成像感测器中之横向光屏蔽||台湾|美国豪威|发明第I533443号||2013/2/5|2016/5/11|2033/2/4|
|363|用于数位相机之具有红色吸收层之红外线截止滤波器||台湾|美国豪威|发明第I475260号||2012/1/20|2015/3/1|2032/1/19|
|364|具有脉冲式操作模式之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I527453号||2013/3/5|2016/3/21|2033/3/4|
||用于影像感测器在多个斜率行平行类比至数位转换中之校准||||发明第I524766号|||||
|365|||台湾|美国豪威|||2013/3/18|2016/3/1|2033/3/17|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|366|具有整合周围光侦测之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I524763号||2012/4/11|2016/3/1|2032/4/10|
||影像感测器，主机控制器，影像感测器系统，执行包含于影像感测器系统中之逻辑之方法及其有形非暂时性机器可存取媒体||||发明第I517709号|||||
|367|||台湾|美国豪威|||2012/11/13|2016/1/11|2032/11/12|
|368|用于传送时脉及控制信号之影像感测器系统之共用端子||台湾|美国豪威|发明第I527452号||2012/11/13|2016/3/21|2032/11/12|
|369|用于暗电流校正之系统、装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I514877号||2013/3/27|2015/12/21|2033/3/26|
|370|影像感测器装置及其操作方法||台湾|美国豪威|发明第I491225号||2013/4/2|2015/7/1|2033/4/1|
|371|具有扣压闩锁之晶圆级照相机模组||台湾|美国豪威|发明第I530176号||2013/3/29|2016/4/11|2033/3/28|
|372|具有保护管之晶圆层级照相机模组||台湾|美国豪威|发明第I488293号||2013/3/29|2015/6/11|2033/3/28|
|373|具有多种类比数位转换器模式之混合类比数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I473436号||2012/8/15|2015/2/11|2032/8/14|
|374|双侧影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I502735号||2013/4/8|2015/10/1|2033/4/7|
||具改良效能之大型互补金属氧化物半导体影像感测器像素||||发明第I532158号|||||
|375|||台湾|美国豪威|||2013/5/21|2016/5/1|2033/5/20|
|376|使用次要相机之快门释放||台湾|美国豪威|发明第I471681号||2012/9/6|2015/2/1|2032/9/5|
||在互补式金氧半影像感测器中用于行斜波比较器之杂讯匹配动态偏压||||发明第I504260号|||||
|377|||台湾|美国豪威|||2013/7/10|2015/10/11|2033/7/9|
|378|影像感测器、升压转换器及调节电源供应器之方法||台湾|美国豪威|发明第I493852号||2013/7/10|2015/7/21|2033/7/9|
|379|具有积体电磁干扰防护之积体电路堆叠||台湾|美国豪威|发明第I533430号||2013/5/13|2016/5/11|2033/5/12|
|380|视讯产生方法及视讯影像获取系统||台湾|美国豪威|发明第I544797号||2013/7/17|2016/8/1|2033/7/16|
||用于低暗电流互补金属氧化物半导体像素单元之接地点结构||||发明第I502736号|||||
|381|||台湾|美国豪威|||2013/6/27|2015/10/1|2033/6/26|
|382|分区影像感测器之透镜阵列||台湾|美国豪威|发明第I610107号||2013/5/2|2018/1/1|2033/5/1|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||用于减少互补式金属氧化物半导体影像感测器之类比影像资料中之杂讯之方法及装置||||发明第I531236号|||||
|383|||台湾|美国豪威|||2013/7/11|2016/4/21|2033/7/10|
|384|用于减少经投影影像中之斑点之装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I485439号||2013/7/1|2015/5/21|2033/6/30|
|385|具固定电位输出电晶体之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I507039号||2013/4/18|2015/11/1|2033/4/17|
||用于减少电荷注入之互补金属氧化物半导体影像感测器开关电路||||发明第I496466号|||||
|386|||台湾|美国豪威|||2013/7/5|2015/8/11|2033/7/4|
|387|选择性增益控制电路||台湾|美国豪威|发明第I526026号||2013/7/11|2016/3/11|2033/7/10|
|388|具有具三角形截面之金属格栅之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I515880号||2013/4/10|2016/1/1|2033/4/9|
|389|小型像素内高动态范围成像||台湾|美国豪威|发明第I518887号||2013/7/16|2016/1/21|2033/7/15|
|390|用于具彩色滤光片之分割影像感测器之镜片阵列||台湾|美国豪威|发明第I549273号||2013/7/4|2016/9/11|2033/7/3|
|391|用于减少输出变化之比较器电路||台湾|美国豪威|发明第I482473号||2013/5/15|2015/4/21|2033/5/14|
|392|用于提供像素阵列之转换增益之电路结构||台湾|美国豪威|发明第I531240号||2013/11/4|2016/4/21|2033/11/3|
|393|用于投影用于3D成像之经结构化光之低Z高度投影系统||台湾|美国豪威|发明第I484222号||2013/7/2|2015/5/11|2033/7/1|
|394|用于具有堆叠装置晶圆之积体电路系统之晶粒密封环||台湾|美国豪威|发明第I528521号||2013/7/19|2016/4/1|2033/7/18|
|395|随机估计类比至数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I493879号||2013/5/15|2015/7/21|2033/5/14|
|396|影像感测器中部分嵌入式通道转移装置||台湾|美国豪威|发明第I511186号||2013/7/18|2015/12/1|2033/7/17|
||影像感测器及包含多组可选择之纲目滤光片之彩色滤光片阵列||||发明第I528538号|||||
|397|||台湾|美国豪威|||2013/10/24|2016/4/1|2033/10/23|
|398|具偏移电压移除之带隙参考电路||台湾|美国豪威|发明第I528821号||2013/10/23|2016/4/1|2033/10/22|
|399|减少影像记忆效应之带负电层||台湾|美国豪威|发明第I518888号||2013/7/19|2016/1/21|2033/7/18|
|400|具有基板杂讯隔离之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I541990号||2013/10/30|2016/7/11|2033/10/29|
|401|适应性多转换斜坡类比至数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I520497号||2013/9/24|2016/2/1|2033/9/23|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|402|用于减少像素阵列读出时间之转换电路||台湾|美国豪威|发明第I511562号||2013/4/10|2015/12/1|2033/4/9|
|403|消除具有电浆掺杂钉扎层之像素中之滞后之方法||台湾|美国豪威|发明第I515886号||2013/10/30|2016/1/1|2033/10/29|
||具有在底部晶片上之光敏电路元件之堆叠晶片影像感测器||||发明第I528537号|||||
|404|||台湾|美国豪威|||2013/10/15|2016/4/1|2033/10/14|
|405|具有修改之覆盖区之球状格栅阵列及岛状格栅阵列||台湾|美国豪威|发明第I533425号||2013/8/15|2016/5/11|2033/8/14|
|406|无线摄影机之声音组态||台湾|美国豪威|发明第I520564号||2013/8/6|2016/2/1|2033/8/5|
|407|影像感测设备及用于形成一彩色滤光器配置之制程||台湾|美国豪威|发明第I538180号||2013/10/9|2016/6/11|2033/10/8|
|408|包含具有镜像电晶体布局像素单元之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I523213号||2013/9/24|2016/2/21|2033/9/23|
|409|具有子母视讯即时广播功能之行动计算装置||台湾|美国豪威|发明第I517716号||2013/8/15|2016/1/11|2033/8/14|
|410|具有三层视讯场景之子母视讯之视讯流||台湾|美国豪威|发明第I528782号||2013/8/15|2016/4/1|2033/8/14|
|411|随机数产生之设备、方法及影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I505184号||2013/10/30|2015/10/21|2033/10/29|
|412|荧光成像模组||台湾|美国豪威|发明第I476395号||2013/9/30|2015/3/11|2033/9/29|
|413|具有增加的光学串扰的像素之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I557890号||2014/3/13|2016/11/11|2034/3/12|
|414|具有增加的光学串扰的像素之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I585963号||2014/3/13|2017/6/1|2034/3/12|
|415|具有复数个放大器电晶体之高动态范围像素||台湾|美国豪威|发明第I516123号||2013/9/27|2016/1/1|2033/9/26|
|416|影像感测器及影像感测程序||台湾|美国豪威|发明第I519161号||2013/12/9|2016/1/21|2033/12/8|
|417|基于动态映射之自动白平衡||台湾|美国豪威|发明第I568265号||2013/11/1|2017/1/21|2033/10/31|
|418|具有加偏压深沟渠隔离之增强光子侦测装置||台湾|美国豪威|发明第I509823号||2013/10/30|2015/11/21|2033/10/29|
|419|影像感测器及成像装置||台湾|美国豪威|发明第I520321号||2013/11/1|2016/2/1|2033/10/31|
||具有透过含隔离区之接触蚀刻终止层耦接之金属接点之影像感测器||||发明第I559513号|||||
|420|||台湾|美国豪威|||2013/10/28|2016/11/21|2033/10/27|
|421|具低轮廓接触点之积体电路堆叠||台湾|美国豪威|发明第I532156号||2013/12/4|2016/5/1|2033/12/3|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||影像感测器、多目标自动曝光及增益控制之方法、及电脑可读媒体||||发明第I549508号|||||
|422|||台湾|美国豪威|||2014/4/2|2016/9/11|2034/4/1|
|423|可变形物体分类之强健分析及藉由影像感测器之辨识||台湾|美国豪威|发明第I606404号||2013/10/30|2017/11/21|2033/10/29|
|424|具有具闸极间窄间距之全域快门之影像感测器像素单元||台湾|美国豪威|发明第I515887号||2013/12/5|2016/1/1|2033/12/4|
|425|具经切换之深沟渠隔离结构的影像感测器画素单元||台湾|美国豪威|发明第I509784号||2013/10/31|2015/11/21|2033/10/30|
|426|具有快速框内聚焦的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I514878号||2013/12/13|2015/12/21|2033/12/12|
|427|具有快速框内聚焦的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I559770号||2013/12/13|2016/11/21|2033/12/12|
|428|具有完整解析度回复之高动态范围影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I551143号||2014/5/19|2016/9/21|2034/5/18|
|429|影像感测器像素小区读出架构||台湾|美国豪威|发明第I531241号||2013/12/9|2016/4/21|2033/12/8|
|430|用于黑阶校正之像素单元平面化层中的光学遮蔽||台湾|美国豪威|发明第I590660号||2014/1/14|2017/7/1|2034/1/13|
|431|具有用于减少影像杂讯之掺杂半导体区域之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I529922号||2014/3/7|2016/4/11|2034/3/6|
|432|自影像感测器读取影像资料之方法及装置||台湾|美国豪威|发明第I514879号||2013/12/23|2015/12/21|2033/12/22|
|433|具延迟等化之经分割硅光电倍增器||台湾|美国豪威|发明第I533013号||2013/12/11|2016/5/11|2033/12/10|
|434|用以减少颜色混叠之颜色及红外线滤波器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I585501号||2014/6/27|2017/6/1|2034/6/26|
|435|用以减少颜色混叠之颜色及红外线滤波器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I585502号||2014/6/27|2017/6/1|2034/6/26|
|436|具有一互动式荧幕之投影机相机系统||台湾|美国豪威|发明第I510963号||2014/7/17|2015/12/1|2034/7/16|
|437|提供视力增进之眼戴式显示系统||台湾|美国豪威|发明第I515456号||2013/10/31|2016/1/1|2033/10/30|
|438|用于读取具有转移闸极升压之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I533700号||2014/5/12|2016/5/11|2034/5/11|
|439|具有比例滤波阵列及像素内合并的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I610426号||2014/7/21|2018/1/1|2034/7/20|
|440|X射线及光学影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I536551号||2014/3/7|2016/6/1|2034/3/6|
|441|用以最小化颜色混叠之红绿蓝色彩色滤光器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I579599号||2015/9/2|2017/4/21|2035/9/1|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|442|用以最小化颜色混叠之红绿蓝色彩色滤光器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I579600号||2015/9/2|2017/4/21|2035/9/1|
|443|具有介电电荷捕捉装置之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I569435号||2014/8/1|2017/2/1|2034/7/31|
|444|用于高动态范围影像感测器之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I549275号||2014/3/27|2016/9/11|2034/3/26|
|445|用于高动态范围影像感测器之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I591812号||2014/3/27|2017/7/11|2034/3/26|
|446|用于高动态范围影像感测器之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I587494号||2014/3/27|2017/6/11|2034/3/26|
|447|影像感测器之大-小像素方案||台湾|美国豪威|发明第I502737号||2014/3/21|2015/10/1|2034/3/20|
|448|用于影像感测器之像素单元及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I523214号||2013/12/23|2016/2/21|2033/12/22|
|449|影像投射器及用于其之去光斑光学系统||台湾|美国豪威|发明第I551891号||2014/7/29|2016/10/1|2034/7/28|
|450|堆叠式晶片单光子突崩二极体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I543350号||2014/7/21|2016/7/21|2034/7/20|
|451|高动态范围影像感测器读出架构||台湾|美国豪威|发明第I549507号||2014/7/31|2016/9/11|2034/7/30|
|452|在多透镜阵列模组中之紧密间隔||台湾|美国豪威|发明第I560860号||2014/7/17|2016/12/1|2034/7/16|
|453|回应于裁剪座标回馈裁剪影像之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I528326号||2014/7/18|2016/4/1|2034/7/17|
|454|在影像撷取中之特征侦测||台湾|美国豪威|发明第I525556号||2014/10/21|2016/3/11|2034/10/20|
||具有单光子崩溃二极体、光子计数器及鬼影减量之低功率成像系统||||发明第I541985号|||||
|455|||台湾|美国豪威|||2014/7/30|2016/7/11|2034/7/29|
|456|成像感测器系统及积体电路系统||台湾|美国豪威|发明第I563645号||2014/8/15|2016/12/21|2034/8/14|
||具有高度的短波长侦测效率之背侧照明单光子崩溃二极体成像感测器系统||||发明第I541991号|||||
|457|||台湾|美国豪威|||2014/8/18|2016/7/11|2034/8/17|
|458|双转换增益之高动态范围感测器||台湾|美国豪威|发明第I563851号||2015/1/9|2016/12/21|2035/1/8|
|459|分离像素高动态范围感测器||台湾|美国豪威|发明第I565324号||2015/1/9|2017/1/1|2035/1/8|
|460|在作用区域上标准单元全域布线通道||台湾|美国豪威|发明第I525780号||2014/9/30|2016/3/11|2034/9/29|
|461|影像撷取单元及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I560470号||2014/10/13|2016/12/1|2034/10/12|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|462|具有金属网孔以侦测红外光之彩色影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I549276号||2014/8/13|2016/9/11|2034/8/12|
|463|具有无隙微透镜的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I552324号||2014/8/22|2016/10/1|2034/8/21|
|464|增强式背侧照明近红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I550839号||2014/10/14|2016/9/21|2034/10/13|
|465|晶圆级步阶式感测器固持件||台湾|美国豪威|发明第I539197号||2014/10/15|2016/6/21|2034/10/14|
|466|用于高动态范围影像感测器的光二极体及滤光器组态||台湾|美国豪威|发明第I613802号||2014/9/29|2018/2/1|2034/9/28|
|467|用于改善位元线之电源供应拒斥比之前馈技术||台湾|美国豪威|发明第I528819号||2014/10/3|2016/4/1|2034/10/2|
|468|组合式可见光及非可见光投影系统||台湾|美国豪威|发明第I557491号||2014/10/9|2016/11/11|2034/10/8|
|469|具有具交错式光电二极体之像素单元之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I587493号||2015/10/23|2017/6/11|2035/10/22|
|470|具有具梯度分布之储存闸极植入的影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I544615号||2014/10/3|2016/8/1|2034/10/2|
|471|不具运动假影之高动态范围（HDR）影像||台湾|美国豪威|发明第I561084号||2015/7/31|2016/12/1|2035/7/30|
|472|用于高动态范围成像之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I589156号||2015/12/1|2017/6/21|2035/11/30|
|473|具有参考像素以减少光谱串扰之彩色滤光片阵列||台湾|美国豪威|发明第I584651号||2015/8/20|2017/5/21|2035/8/19|
|474|彩色滤光片阵列、影像感测器及用以减少光谱串扰之方法||台湾|美国豪威|发明第I615033号||2015/8/20|2018/2/11|2035/8/19|
|475|具有行动平台之视讯会议||台湾|美国豪威|发明第I536843号||2014/10/16|2016/6/1|2034/10/15|
|476|行动平台以及自行动平台通信之方法||台湾|美国豪威|发明第I531988号||2014/10/17|2016/5/1|2034/10/16|
|477|具有耗尽调整层之色彩及红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I590430号||2015/10/21|2017/7/1|2035/10/20|
|478|可见光与红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I593092号||2014/11/3|2017/7/21|2034/11/2|
|479|制造一单一光子崩溃二极体成像感测器的方法||台湾|美国豪威|发明第I567959号||2015/6/3|2017/1/21|2035/6/2|
|480|用于堆叠式影像感测器中之像素之负偏压基板||台湾|美国豪威|发明第I545954号||2014/11/3|2016/8/11|2034/11/2|
||飞行时间像素单元、飞行时间感测系统与利用飞行时间判定至一物件之一往返距离之方法||||发明第I550299号|||||
|481|||台湾|美国豪威|||2014/10/21|2016/9/21|2034/10/20|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|482|用于影像感测器之感光性电容画素||台湾|美国豪威|发明第I590432号||2016/2/24|2017/7/1|2036/2/23|
|483|用于影像感测器之感光性电容画素||台湾|美国豪威|发明第I610427号||2016/2/24|2018/1/1|2036/2/23|
|484|制造多晶圆影像感测器之方法||台湾|美国豪威|发明第I599026号||2015/10/14|2017/9/11|2035/10/13|
|485|影像感测器及制造其之方法||台湾|美国豪威|发明第I554110号||2014/11/11|2016/10/11|2034/11/10|
|486|蓝光增强之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I599027号||2016/1/19|2017/9/11|2036/1/18|
|487|具有增强量子效率的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I596944号||2016/1/26|2017/8/21|2036/1/25|
|488|用于飞行时间三维影像感测器的预充电锁存像素单元||台湾|美国豪威|发明第I552570号||2014/11/5|2016/10/1|2034/11/4|
|489|用于飞行时间三维影像感测器的可程式化电流源||台湾|美国豪威|发明第I591366号||2014/11/7|2017/7/11|2034/11/6|
|490|具有多个储存节点之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I573461号||2015/11/30|2017/3/1|2035/11/29|
|491|用于飞行时间成像系统之校准电路与方法||台湾|美国豪威|发明第I544232号||2015/6/2|2016/8/1|2035/6/1|
|492|具有非破坏性读出之影像感测器像素单元||台湾|美国豪威|发明第I578788号||2015/6/23|2017/4/11|2035/6/22|
|493|高近红外线敏感性影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I590429号||2015/7/7|2017/7/1|2035/7/6|
|494|具有具中心接触件之通道区域之光感测器||台湾|美国豪威|发明第I577004号||2015/10/2|2017/4/1|2035/10/1|
|495|隔离的全域快门像素储存结构||台湾|美国豪威|发明第I570903号||2015/10/26|2017/2/11|2035/10/25|
|496|隔离的全域快门像素储存结构||台湾|美国豪威|发明第I620311号||2015/10/26|2018/4/1|2035/10/25|
|497|自我对齐隔离结构及滤光器||台湾|美国豪威|发明第I578507号||2015/10/2|2017/4/11|2035/10/1|
|498|用于减少颜色混叠之彩色滤光器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I600927号||2016/5/31|2017/10/1|2036/5/30|
|499|具有保护环区域反射结构之背侧照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I619237号||2015/10/2|2018/3/21|2035/10/1|
||用于执行具有改良类比至数位转换器线性之相关多重取样的方法及系统||||发明第I578711号|||||
|500|||台湾|美国豪威|||2015/11/25|2017/4/11|2035/11/24|
|501|用于提升像素单元中重设位准之方法及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I569646号||2015/12/2|2017/2/1|2035/12/1|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|502|用于影像感测器之读出电路||台湾|美国豪威|发明第I596945号||2016/3/15|2017/8/21|2036/3/14|
|503|用于实施延伸范围近似类比数位转换器之方法及系统||台湾|美国豪威|发明第I574514号||2016/1/26|2017/3/11|2036/1/25|
|504|针对双转换增益大动态范围感测器的补偿||台湾|美国豪威|发明第I573460号||2016/2/24|2017/3/1|2036/2/23|
||具有支持结构以提供改良之滤光片厚度均匀性之彩色滤光片阵列||||发明第I552326号|||||
|505|||台湾|美国豪威|||2015/12/1|2016/10/1|2035/11/30|
|506|在彩色滤波器阵列上之光学隔离栅格||台湾|美国豪威|发明第I567963号||2016/1/19|2017/1/21|2036/1/18|
|507|低电力智能影像撷取||台湾|美国豪威|发明第I596940号||2016/3/3|2017/8/21|2036/3/2|
|508|高解析度阵列相机||台湾|美国豪威|发明第I549519号||2015/12/2|2016/9/11|2035/12/1|
|509|具有光学隔离之储存电晶体||台湾|美国豪威|发明第I567962号||2016/1/18|2017/1/21|2036/1/17|
|510|影像感测器及影像撷取程序||台湾|美国豪威|发明第I612371号||2016/6/2|2018/1/21|2036/6/1|
||用于附接之三维咨询之堆叠嵌入式硅光子雪崩二极体影像感测器||||发明第I618233号|||||
|511|||台湾|美国豪威|||2016/1/28|2018/3/11|2036/1/27|
|512|具有介电层反射环之背照式影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I578511号||2016/3/17|2017/4/11|2036/3/16|
|513|具有改良初始化发信号之飞行时间成像||台湾|美国豪威|发明第I575929号||2016/5/25|2017/3/21|2036/5/24|
|514|具有经减少框架缓冲器之高动态范围成像||台湾|美国豪威|发明第I577188号||2016/5/26|2017/4/1|2036/5/25|
|515|经由斜波产生器之影像感测器电源供应抑制比杂讯减少||台湾|美国豪威|发明第I578789号||2016/3/10|2017/4/11|2036/3/9|
|516|用于影像感测器之读出电路及影像系统||台湾|美国豪威|发明第I586172号||2016/3/10|2017/6/1|2036/3/9|
|517|量子点影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I618235号||2016/6/4|2018/3/11|2036/6/3|
|518|虚拟高动态范围大小像素影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I581415号||2016/5/26|2017/5/1|2036/5/25|
|519|具有强化晶圆结合之积体电路堆叠||台湾|美国豪威|发明第I573259号||2016/3/10|2017/3/1|2036/3/9|
|520|堆叠式晶片共享像素结构||台湾|美国豪威|发明第I615032号||2016/3/17|2018/2/11|2036/3/16|
|521|弯曲之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I615959号||2016/10/20|2018/2/21|2036/10/19|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|522|侦测发光二极体之方法及系统||台湾|美国豪威|发明第I612283号||2016/5/31|2018/1/21|2036/5/30|
|523|影像感测器之读出电路及其操作方法||台湾|美国豪威|发明第I620447号||2016/5/17|2018/4/1|2036/5/16|
|524|实施一堆叠晶片高动态范围影像感测器的方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I586169号||2016/6/17|2017/6/1|2036/6/16|
|525|具有薄化之中间半导体晶粒之堆叠式积体电路系统||台湾|美国豪威|发明第I591766号||2016/5/17|2017/7/11|2036/5/16|
|526|像素控制信号驱动器||台湾|美国豪威|发明第I603618号||2016/6/2|2017/10/21|2036/6/1|
||在影像感测器中在每一影像撷取之间实施不均等时序间隔之方法及系统||||发明第I616099号|||||
|527|||台湾|美国豪威|||2016/10/13|2018/2/21|2036/10/12|
|528|用于减少对于黑讯号之类比数位转换时间之方法及系统||台湾|美国豪威|发明第I622301号||2016/10/13|2018/4/21|2036/10/12|
||经由连续时间读出电路中之斜坡产生器之影像感测器功率供应拒绝比率改善||||发明第I620443号|||||
|529|||台湾|美国豪威|||2016/6/2|2018/4/1|2036/6/1|
|530|全域快门校正||台湾|美国豪威|发明第I618414号||2016/9/20|2018/3/11|2036/9/19|
|531|像素单元及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I613916号||2016/6/16|2018/2/1|2036/6/15|
|532|具有用于传输信号之可组态可变供应电压之介面电路||台湾|美国豪威|发明第I612771号||2016/9/9|2018/1/21|2036/9/8|
|533|像素单元、成像系统及控制像素单元之全域快门之方法||台湾|美国豪威|发明第I613917号||2016/6/16|2018/2/1|2036/6/15|
|534|用于影像处理的显示器系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I613913号||2016/12/16|2018/2/1|2036/12/15|
|535|具有可程式化彩色平衡的主动像素感测器||台湾|美国豪威|发明第117582号||1998/9/11|2000/7/11|2018/9/10|
|536|积体互补型金氧半导体之主动像素数位相机||台湾|美国豪威|发明第181050号||1999/1/11|2003/7/11|2019/1/10|
|537|高速互补型金属氧化物半导体影像行关连双取样电路||台湾|美国豪威|发明第145133号||1999/2/25|2001/12/1|2019/2/24|
|538|并入饱和时间量测以增加动态范围的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第138675号||2000/4/5|2001/8/1|2020/4/4|
|539|具有接线式浮动扩散及共享式放大器的主动像素感测器||台湾|美国豪威|发明第141696号||1999/10/30|2001/10/1|2019/10/29|
|540|具残余拾取二极体之互补金氧半导体主动像素||台湾|美国豪威|发明第165500号||2001/7/26|2002/11/1|2021/7/25|
|541|具有相关联双采样的三电晶体主动像素感测器架构||台湾|美国豪威|发明第145561号||1999/10/6|2001/12/1|2019/10/5|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||具有高填入因素及关联式双重取样的光电闸主动像素感测器||||发明第139378号|||||
|542|||台湾|美国豪威|||1999/10/30|2001/9/1|2019/10/29|
||具有共享之重置信号列选择之光电二极体主动像素感测器||||发明第139377号|||||
|543|||台湾|美国豪威|||1999/10/30|2001/9/1|2019/10/29|
||具有延伸的动态范围之互补式金属氧化物半导体影像感测器及其使用方法||||发明第154653号|||||
|544|||台湾|美国豪威|||2000/8/29|2002/5/1|2020/8/28|
||具延伸动态范围及敏感性之互补式金氧半导体像素影像感测器||||发明第159831号|||||
|545|||台湾|美国豪威|||2000/11/28|2002/8/1|2020/11/27|
|546|用以延伸动态范围之可变动辉散电荷之收集||台湾|美国豪威|发明第146462号||2000/9/1|2001/12/11|2020/8/31|
|547|具有电荷贮存及双通道读出之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I358942号||2004/5/28|2012/2/21|2024/5/27|
|548|具有延伸动态范围之影像感测器及影像捕捉系统||台湾|美国豪威|发明第I387334号||2004/9/2|2013/2/21|2024/9/1|
|549|减少不良暗电流之方法||台湾|美国豪威|发明第I424561号||2005/10/27|2014/1/21|2025/10/26|
|550|低杂讯样本及保持电路||台湾|美国豪威|发明第I363561号||2005/4/29|2012/5/1|2025/4/28|
|551|用于影像感测元件之金属内连线||台湾|美国豪威|发明第I385756号||2005/6/3|2013/2/11|2025/6/2|
|552|具有全景快门之针孔式光二极体像素||台湾|美国豪威|发明第I403150号||2006/5/26|2013/7/21|2026/5/25|
|553|根据照度之像素合并及均化||台湾|美国豪威|发明第I394445号||2006/6/23|2013/4/21|2026/6/22|
|554|像素阵列上之非对称微透镜||台湾|美国豪威|发明第I406425号||2006/5/23|2013/8/21|2026/5/22|
||具有可选择接收性之互补式金属氧化物半导体影像感测器像素||||发明第I432022号|||||
|555|||台湾|美国豪威|||2006/5/30|2014/3/21|2026/5/29|
||共享放大器像素之互补式金氧半导体之主动式像素感测器||||发明第I399848号|||||
|556|||台湾|美国豪威|||2006/6/2|2013/6/21|2026/6/1|
|557|具对称场效电晶体配置之像素||台湾|美国豪威|发明第I385793号||2006/5/30|2013/2/11|2026/5/29|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|558|用于互补金氧半导体影像感测器之输出选路结构||台湾|美国豪威|发明第I379597号||2006/9/29|2012/12/11|2026/9/28|
|559|用以侦测数位影像中条纹的方法||台湾|美国豪威|发明第I462026号||2006/12/4|2014/11/21|2026/12/3|
|560|用于改良式收集之光侦测器以及N层结构||台湾|美国豪威|发明第I382531号||2006/9/27|2013/1/11|2026/9/26|
|561|利用可变敏感度像素之加强动态范围||台湾|美国豪威|发明第I430657号||2008/3/21|2014/3/11|2028/3/20|
|562|读取取样/维持阵列之延迟电路||台湾|美国豪威|发明第I395474号||2007/2/26|2013/5/1|2027/2/25|
|563|具有低串音之P型金属氧化半导体影像素结构||台湾|美国豪威|发明第I427763号||2007/4/27|2014/2/21|2027/4/26|
|564|利用一光电二极体之互补金氧化半导体影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I489620号||2007/4/30|2015/6/21|2027/4/29|
|565|使用斜面传输闸极时脉的类比/数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I403094号||2007/2/14|2013/7/21|2027/2/13|
|566|影像感测器中改良的光感性||台湾|美国豪威|发明第I435167号||2007/11/30|2014/4/21|2027/11/29|
|567|具有彩色及全色像素之影像处理||台湾|美国豪威|发明第I432036号||2007/11/29|2014/3/21|2027/11/28|
|568|具有增益控制之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I450579号||2008/4/30|2014/8/21|2028/4/29|
|569|减低画素区域影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I418021号||2008/3/14|2013/12/1|2028/3/13|
|570|减低画素区域影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I559514号||2008/3/14|2016/11/21|2028/3/13|
|571|于浅沟槽隔离转角处加入植入物之方法||台湾|美国豪威|发明第I413167号||2007/8/31|2013/10/21|2027/8/30|
|572|具有二晶圆之主动式像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I451566号||2007/10/5|2014/9/1|2027/10/4|
|573|具有二磊晶层之影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I451564号||2007/12/10|2014/9/1|2027/12/9|
|574|处理像素阵列及处理影像的方法||台湾|美国豪威|发明第I428006号||2007/11/29|2014/2/21|2027/11/28|
|575|使用全色像素之锐化方法||台湾|美国豪威|发明第I430202号||2008/1/8|2014/3/11|2028/1/7|
||成像器转移闸极装置中之硅化物带|||美国豪威/萬國|发明第I420659号|||||
|576|||台湾||||2007/11/30|2013/12/21|2027/11/29|
|||||商業機器公司||||||
|577|利用全彩像素映射边缘||台湾|美国豪威|发明第I467495号||2008/3/28|2015/1/1|2028/3/27|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|578|影像感测器之多重构成要素读出||台湾|美国豪威|发明第I455580号||2008/7/18|2014/10/1|2028/7/17|
|579|结合全色像素之边缘映射||台湾|美国豪威|发明第I430184号||2008/3/28|2014/3/11|2028/3/27|
|580|微机电微快门阵列、成像模组及用于形成影像之方法||台湾|美国豪威|发明第I447515号||2008/10/9|2014/8/1|2028/10/8|
|581|利用全彩影像之杂讯减低彩色影像||台湾|美国豪威|发明第I455597号||2008/5/22|2014/10/1|2028/5/21|
|582|利用全彩影像之杂讯减低彩色影像||台湾|美国豪威|发明第I542223号||2008/5/22|2016/7/11|2028/5/21|
|583|用于三维整合像素之高增益读取电路||台湾|美国豪威|发明第I507033号||2009/9/8|2015/11/1|2029/9/7|
|584|具有二晶圆之主动式像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I442555号||2009/3/30|2014/6/21|2029/3/29|
|585|具有分享处理之多重影像感测系统及其操作方法||台湾|美国豪威|发明第I489863号||2008/11/28|2015/6/21|2028/11/27|
|586|影像感测器之取样及读出||台湾|美国豪威|发明第I499293号||2009/1/23|2015/9/1|2029/1/22|
|587|背照式互补式金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I469334号||2009/11/6|2015/1/11|2029/11/5|
|588|具有共享漫射区域之堆叠影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I502731号||2009/3/16|2015/10/1|2029/3/15|
|589|影像感测器之同心曝光序列||台湾|美国豪威|发明第I455583号||2009/4/28|2014/10/1|2029/4/27|
|590|使用不同解析度影像之改良影像形成||台湾|美国豪威|发明第I452539号||2009/7/31|2014/9/11|2029/7/30|
|591|影像感测器之延伸景深||台湾|美国豪威|发明第I500319号||2009/11/20|2015/9/11|2029/11/19|
|592|具有多重感测层之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I431766号||2009/7/31|2014/3/21|2029/7/30|
|593|具有低串扰之背照明感测器||台湾|美国豪威|发明第I493695号||2009/12/16|2015/7/21|2029/12/15|
|594|影像感测器之塑胶影像感测器封装||台湾|美国豪威|发明第I475671号||2009/8/17|2015/3/1|2029/8/16|
|595|配置以减少反冲扰动之类比多工器||台湾|美国豪威|发明第I497909号||2009/12/7|2015/8/21|2029/12/6|
|596|影像感测器中之彩色滤光片阵列对准标记形成||台湾|美国豪威|发明第I463645号||2009/7/8|2014/12/1|2029/7/7|
|597|具有背面沟槽之背面照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I452684号||2009/7/8|2014/9/11|2029/7/7|
|598|具有用于色彩分离之光栅之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I476908号||2009/11/12|2015/3/11|2029/11/11|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|599|具有可控制的转移闸极电压的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I493969号||2009/12/18|2015/7/21|2029/12/17|
|600|具有减低并弹回之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I514873号||2009/5/27|2015/12/21|2029/5/26|
|601|高动态范围影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I536554号||2009/6/18|2016/6/1|2029/6/17|
|602|可程式化微机电微光栅阵列||台湾|美国豪威|发明第I459803号||2009/12/18|2014/11/1|2029/12/17|
|603|具有多个感测层之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I508270号||2009/10/15|2015/11/11|2029/10/14|
|604|宽通孔影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I466275号||2009/6/12|2014/12/21|2029/6/11|
|605|具电荷区域加总之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I496464号||2009/8/25|2015/8/11|2029/8/24|
|606|改善缺陷色彩及全色彩色滤光器阵列影像||台湾|美国豪威|发明第I451754号||2009/10/23|2014/9/1|2029/10/22|
|607|修改色彩及全色通道彩色滤光片阵列影像||台湾|美国豪威|发明第I459324号||2009/11/6|2014/11/1|2029/11/5|
|608|在产生数位影像中曝光像素群组||台湾|美国豪威|发明第I504257号||2010/3/31|2015/10/11|2030/3/30|
|609|在产生数位影像中曝光像素群组||台湾|美国豪威|发明第I561083号||2010/3/31|2016/12/1|2030/3/30|
|610|具有合成全色影像之彩色滤光器阵列影像||台湾|美国豪威|发明第I462055号||2010/3/9|2014/11/21|2030/3/8|
|611|利用彩色滤光片阵列影像产生全彩影像||台湾|美国豪威|发明第I495336号||2010/3/26|2015/8/1|2030/3/25|
|612|形成全彩色影像之方法||台湾|美国豪威|发明第I496463号||2010/4/14|2015/8/11|2030/4/13|
|613|用于影像感测器之行输出电路||台湾|美国豪威|发明第I497999号||2010/12/21|2015/8/21|2030/12/20|
|614|具有前侧及背侧光侦测器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I501389号||2010/6/25|2015/9/21|2030/6/24|
|615|用于捕捉彩色影像之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I504276号||2010/5/26|2015/10/11|2030/5/25|
|616|影像感测器中悬置行读出||台湾|美国豪威|发明第I446790号||2010/12/30|2014/7/21|2030/12/29|
|617|用于补偿影像感测器中之行固定图形杂讯的方法||台湾|美国豪威|发明第I491254号||2010/12/29|2015/7/1|2030/12/28|
|618|用于确定影像感测器之行偏移校正的方法||台湾|美国豪威|发明第I454143号||2010/12/29|2014/9/21|2030/12/28|
|619|在成像器中形成深隔离的方法||台湾|美国豪威|发明第I455293号||2010/12/29|2014/10/1|2030/12/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|620|具有经掺杂之传输闸极的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I525801号||2010/12/29|2016/3/11|2030/12/28|
|621|影像感测器中之暂停行读出||台湾|美国豪威|发明第I533697号||2010/12/30|2016/5/11|2030/12/29|
|622|用于确定影像感测器之行偏移校正的方法||台湾|美国豪威|发明第I493970号||2010/12/29|2015/7/21|2030/12/28|
|623|在积体电子元件中隔离打线接合||台湾|美国豪威|发明第I462203号||2011/4/28|2014/11/21|2031/4/27|
|624|积体电组件中之隔离焊线||台湾|美国豪威|发明第I455294号||2011/3/1|2014/10/1|2031/2/28|
|625|在影像感测器中之光侦测器隔离||台湾|美国豪威|发明第I456750号||2011/9/13|2014/10/11|2031/9/12|
|626|在影像感测器中光侦测器之隔离||台湾|美国豪威|发明第I493696号||2011/11/8|2015/7/21|2031/11/7|
||具有电荷倍增输出通道及电荷感测输出通道之影像感测器||||发明第I475681号|||||
|627|||台湾|美国豪威|||2011/11/17|2015/3/1|2031/11/16|
||用于处理藉由具有电荷倍增输出通道及电荷感测输出通道之影像感测器所捕捉之影像之方法||||发明第I471007号|||||
|628|||台湾|美国豪威|||2011/11/28|2015/1/21|2031/11/27|
|629|用于产生一影像感测器及一影像捕捉装置之方法||台湾|美国豪威|发明第I466283号||2011/11/28|2014/12/21|2031/11/27|
|630|在影像感测器中暂停行定址||台湾|美国豪威|发明第I505711号||2011/12/15|2015/10/21|2031/12/14|
|631|具有结合薄膜红外线滤波器之影像感测器||台湾|豪威半导体|发明第I239646号||2003/10/9|2005/9/11|2023/10/8|
|632|具有结合彩色滤波器与凹形微透镜之影像感测器||台湾|豪威半导体|发明第I252937号||2003/10/9|2006/4/11|2023/10/8|
|633|应用于降低组成晶片级封装之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I240409号||2003/10/9|2005/9/21|2023/10/8|
|634|影像感测器中之平面彩色滤波器之形成方法||台湾|豪威半导体|发明第I227037号||2003/10/9|2005/1/21|2023/10/8|
|635|利用保护覆盖以制造与封装影像感测器晶粒之方法||台湾|美国豪威|发明第I265601号||2003/10/9|2006/11/1|2023/10/8|
||具有结合彩色滤波器与微透镜之影像感测器及其制造方法||||发明第I240992号|||||
|636|||台湾|豪威半导体|||2003/10/9|2005/10/1|2023/10/8|
|637|于周边部位拥有大体积微型透镜之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I274425号||2003/10/9|2007/2/21|2023/10/8|
|638|拥有低应力滤光片之影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I275188号||2003/10/9|2007/3/1|2023/10/8|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||拥有以脊背结构分隔微型透镜阵列之影像感测器及其制造方法||||发明第I233984号|||||
|639|||台湾|豪威半导体|||2003/10/9|2005/6/11|2023/10/8|
||拥有以沟渠结构分隔微型透镜阵列之影像感测器及其制造方法||||发明第I243581号|||||
|640|||台湾|美国豪威|||2003/10/9|2005/11/11|2023/10/8|
|641|一种用于液晶面板测试之平台与方法||台湾|美国豪威|发明第I575280号||2016/6/14|2017/3/21|2036/6/13|
||晶圆级影像模组|||采钰科技股份|发明第I289365号|||||
|642|||台湾|有限公司、美|||2005/9/29|2007/11/1|2025/9/28|
|||||国豪威||||||
||影像感应装置与其制造方法|||采钰科技股份|发明第I288973号|||||
|643|||台湾|有限公司、美|||2005/9/27|2007/10/21|2025/9/26|
|||||国豪威||||||
||高精密度成像控制之影像感应模组|||采钰科技股份|发明第I267208号|||||
|644|||台湾|有限公司、美|||2006/1/18|2006/11/21|2026/1/17|
|||||国豪威||||||
||摄像装置、透镜结果、及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I332789号|||||
|645|||台湾|有限公司、美|||2007/1/10|2010/11/1|2027/1/9|
|||||国豪威||||||
||光电元件晶片及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I325635号|||||
|646|||台湾|有限公司、美|||2007/2/27|2010/6/1|2027/2/26|
|||||国豪威||||||
||非球面透镜结构及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I359285号|||||
|647|||台湾|有限公司、美|||2007/5/30|2012/3/1|2027/5/29|
|||||国豪威||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||光学微结构平板以及用以制作光学微结构构件的模板|||采钰科技股份|发明第I335864号|||||
|648|||台湾|有限公司、美|||2007/6/15|2011/1/11|2027/6/14|
|||||国豪威||||||
||用于影像感测装置的封装模组与电子组件及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I334307号|||||
|649|||台湾|有限公司、美|||2007/6/20|2010/12/1|2027/6/19|
|||||国豪威||||||
|650|硅基液晶测试平台||台湾|美国豪威|发明第I588461号||2016/5/27|2017/6/21|2036/5/26|
|651|用于测试影像感测芯片之测试座||台湾|美国豪威|发明第I596351号||2016/5/25|2017/8/21|2036/5/24|
|652|产生全景影像的方法、储存媒介以及摄影机系统||台湾|美国豪威|发明第I622293号||2015/3/9|2018/4/21|2035/3/8|
|653|基于有槽基板的透镜制造方法以及相关透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I625541号||2016/4/14|2018/6/1|2036/4/13|
|654|密封側壁之元件晶粒及其製造方法||台湾|美国豪威|发明第I625850号||2016/4/27|2018/6/1|2036/4/26|
|655|二表面窄视场复合透镜||台湾|美国豪威|发明第I625545号||2016/9/13|2018/6/1|2036/9/12|
|656|抗短路芯片级封装及其方法||台湾|美国豪威|发明第I630689号||2017/8/8|2018/7/21|2037/8/7|
|657|五表面宽视场复合透镜与相关联相机模块||台湾|美国豪威|发明第I625565号||2017/7/4|2018/6/1|2037/7/3|
|658|无热复合透镜||台湾|美国豪威|发明第I629502号||2017/11/28|2018/7/11|2037/11/27|
|659|具有快速图框内聚焦之影像传感器||台湾|美国豪威|发明第I624178号||2016/8/3|2018/5/11|2036/8/2|
|660|包括菱形像素之彩色滤光器||台湾|美国豪威|发明第I624179号||2017/2/10|2018/5/11|2037/2/9|
||用于在具有管道架构之影像传感器中实施动态接地共享之方法及系统||||发明第I626619号|||||
|661|||台湾|美国豪威|||2017/1/13|2018/6/11|2037/1/12|
||具有类比数位转换器与内存单元微砖架构之高速滚动影像传感器及其实施方法||||发明第I625057号|||||
|662|||台湾|美国豪威|||2016/10/11|2018/5/21|2036/10/10|
|663|显微镜附件||台湾|美国豪威|发明第I624684号||2016/9/20|2018/5/21|2036/9/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|664|低彩色误差及高信嗓比之多层彩色滤光器||台湾|美国豪威|发明第I628470号||2016/6/4|2018/7/1|2036/6/3|
|665|具有多步蚀刻之光通道||台湾|美国豪威|发明第I624042号||2016/9/20|2018/5/11|2036/9/19|
|666|用于传输信号之接口电路及产生输出差动信号之方法||台湾|美国豪威|发明第I624746号||2016/9/12|2018/5/21|2036/9/11|
|667|具有对高强度之光降低敏感度之高动态范围图像传感器||台湾|美国豪威|发明第I627736号||2016/10/18|2018/6/21|2036/10/17|
|668|接触阻抗减少||台湾|美国豪威|发明第626737号||2016/12/28|2018/6/11|2036/12/27|
|669|影像感測器封裝及影像感測器封裝製作方法||台湾|美国豪威|发明第629775号||2017/2/7|2018/7/11|2037/2/6|
|670|偏压深沟槽隔杂||台湾|美国豪威|发明第I624043号||2017/3/14|2018/5/11|2037/3/13|
|671|影像传感器及影像传感器制造之方法||台湾|美国豪威|发明第I629773号||2016/10/24|2018/7/11|2036/10/23|
|672|制作影像传感器及半导体装置之方法||台湾|美国豪威|发明第I629774号||2017/1/17|2018/7/11|2037/1/16|
|673|在影像传感器中具有斜面产生器隔离之水平条带减少||台湾|美国豪威|发明第I627864号||2017/3/17|2018/6/21|2037/3/16|
|674|改善的高动态范围||台湾|美国豪威|发明第I628622号||2017/1/16|2018/7/1|2037/1/15|
|675|用于重组晶圆之测试系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I603410号||2016/6/14|2017/10/21|2036/6/13|
|676|用于测试影像感测芯片之测试座||台湾|美国豪威|发明第I606244号||2016/10/24|2017/11/21|2036/10/23|
|677|用于细间距封装测试之测试座||台湾|美国豪威|发明第I617812号||2017/2/16|2018/3/11|2037/2/15|
||镜头组及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I403779号|||||
|678|||台湾|钰科技股份有|||2010/3/3|2013/8/1|2030/3/2|
|||||限公司||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I552592号|||||
|679|||台湾|钰科技股份有|||2011/8/22|2016/10/1|2030/8/21|
|||||限公司||||||

注：①上表中第535项截至2018年7月31日的状态为有效，截至本报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为“失效”。
上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（四）在印度拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|申请国/地区|专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||OPTICAL IMAGING SYSTEM AND METHOD FORUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLY VARYINGIMAGE PROCESSING||||286897||2007/4/3||2017/8/31|||
|1|||印度|美国豪威|||||||2027/4/3|
||A TASK-BASED OPTICAL IMAGING SYSTEM AND AMETHOD FOR REDUCING FOCUS-RELATEDABERRATIONS||||229134||2004/3/31||2009/2/13|||
|||||美国豪威||||||||
|2|||印度||||||||2024/3/31|
|||||CDM||||||||
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||285744||2004/3/31||2017/7/27|||
|3|||印度|美国豪威|||||||2024/3/31|

（五）在以色列拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||地区|||||||||
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODS UTILIZINGNONLINEAR AND/OR SPATIALLY VARYING IMAGEPROCESSING||||194374||2007/4/3||2013/3/1|||
|1|||以色列|美国豪威|||||||2027/4/3|
||IMAGING SYSTEM FOR REDUCING REFLECTIONS FROM ADETECTOR||||170697||2004/3/31||2011/12/28|||
|2|||以色列|美国豪威|||||||2024/3/31|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZING ABERRATINGEFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||208545||2004/3/31||2014/4/1|||
|3|||以色列|美国豪威|||||||2024/3/31|
||LOW HEIGHT IMAGING SYSTEM AND ASSOCIATEDMETHODS||||181890||2005/9/14||2013/5/4|||
|4|||以色列|美国豪威|||||||2025/9/14|
|5|ARRAYED IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATED METHOD||以色列|美国豪威|194792||2007/4/17||2014/5/1||2027/4/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）（六）在加拿大拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR USING COMPOUND DATAWORDS TO REDUCE THE DATA PHASE DIFFERENCEBETWEEN ADJACENT PIXEL ELECTRODES||||2322510||1999/2/22||2009/7/21|||
|1|||加拿大|美国豪威|||||||2019/2/22|
|2|SYSTEM AND METHOD FOR DATA PLANARIZATION||加拿大|美国豪威|2309906||1998/11/13||2008/5/20||2018/11/13|
||DISPLAY WITH MULTIPLEXED PIXELS FOR ACHIEVINGMODULATION BETWEEN SATURATION AND THRESHOLDVOLTAGES||||2331683||1999/5/7||2008/3/4|||
|3|||加拿大|美国豪威|||||||2019/5/7|
||METHOD FOR MODULATING A MULTIPLEXED PIXELDISPLAY||||2331695||1999/5/7||2008/3/4|||
|4|||加拿大|美国豪威|||||||2019/5/7|
||COMBINATION CMP-ETCH METHOD FOR FORMING ATHIN PLANAR LAYER OVER THE SURFACE OF A DEVICE||||2355614||1999/12/23||2008/11/18|||
|5|||加拿大|美国豪威|||||||2019/12/23|
||PLANAR REFLECTIVE LIGHT VALVE BACKPLANE ANDMETHOD FOR MANUFACTURING THE SAME||||2355626||1999/12/23||2008/7/15|||
|6|||加拿大|美国豪威|||||||2019/12/23|
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA AND METHODOF MANUFACTURING SAME||||2810676||2013/3/27||2017/11/14|||
|7|||加拿大|美国豪威|||||||2033/3/27|
||SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING INTER-PIXELDISTORTION BY DYNAMIC REDEFINITION OF DISPLAYSEGMENT BOUNDARIES||||2331692||1999/5/7||2007/9/25|||
|8|||加拿大|美国豪威|||||||2019/5/7|
||INTERNAL ROW SEQUENCER FOR REDUCINGBANDWIDTH AND PEAK CURRENT REQUIREMENTS IN ADISPLAY DRIVER CIRCUIT||||2325028||1999/3/22||2009/6/2|||
|9|||加拿大|美国豪威|||||||2019/3/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）注：上表中第2项截至2018年7月31日的状态为有效，截至报告签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为“失效”。
（七）在澳大利亚拥有的专利权
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||地区|||||||||
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA AND METHODOF MANUFACTURING SAME||澳大利||2013202052||2013/3/27||2016/9/22|||
|1||||美国豪威|||||||2033/3/27|
||||亚|||||||||

（八）在韩国拥有的专利权
||||||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODS UTILIZINGNONLINEAR AND/OR SPATIALLY VARYING IMAGEPROCESSING||||||10-1161471||2007/4/3||2012/6/25||||
|1||||韩国||美国豪威||||||||2027/4/3|
|2|TASK-BASED IMAGING SYSTEM|||韩国||美国豪威|10-1265377||2006/9/19||2013/5/10|||2026/9/19|
|3|ZOOM LENS SYSTEMS AND METHOD FOR USE THEREOF|||韩国||美国豪威|10-1301448||2007/3/6||2013/8/22|||2027/3/6|
|4|IMAGING SYSTEM AND ASSOCIATED METHODS|||韩国||美国豪威|10-0859036||2005/9/14||2008/9/10|||2025/9/14|
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATEDMETHODS||||||10-1475529||2007/4/17||2014/12/16||||
|5||||韩国||美国豪威||||||||2027/4/17|
|6|SATURATION OPTICS|||韩国||美国豪威|10-1305868||2007/5/23||2013/9/2|||2027/5/23|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITH REDUCEDLINE MEMORY FOR COLOR INTERPOLATION||||||10-1317272||2008/10/20||2013/10/4||||
|7||||韩国||美国豪威||||||||2028/11/21|
||APPARATUS AND METHOD FOR TESTING IMAGESENSOR WAFERS TO IDENTIFY PIXEL DEFECTS||韩国||美国豪威||10-1172405||2008/11/21||2012/8/2||2028/11/21||
|8|||||||||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||CIRCUIT AND PHOTO SENSOR OVERLAP FOR BACKSIDEILLUMINATION IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1129128||2009/2/2||2012/3/14||2029/2/2||
|9|||||||||||||||
||CIRCUIT CONFIGURATION AND METHOD FOR TIME OFFLIGHT SENSOR||韩国||美国豪威||10-1465318||2013/2/28||2014/11/19||2033/2/28||
|10|||||||||||||||
||APPARATUS, METHOD AND SYSTEM FOR RANDOMNUMBER GENERATION||韩国||美国豪威||10-1593300||2014/4/22||2016/2/2||2034/4/22||
|11|||||||||||||||
||LAYERS FOR INCREASING PERFORMANCE IN IMAGESENSORS||韩国||美国豪威||10-1560086||2014/4/4||2015/10/6||2034/4/4||
|12|||||||||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING METAL CONTACT COUPLEDTHROUGH A CONTACT ETCH STOP LAYER WITH ANISOLATION REGION||韩国||美国豪威||10-1693921||2014/4/7||2017/1/2||2034/4/7||
|13|||||||||||||||
||COLOR AND INFRARED FILTER ARRAY PATTERNS TOREDUCE COLOR ALIASING||韩国||美国豪威||10-1613015||2014/7/1||2016/4/8||2034/7/1||
|14|||||||||||||||
||PHOTOSENSITIVE CAPACITOR PIXEL FOR IMAGESENSOR||韩国||美国豪威||10-1834065||2016/3/17||2018/2/23||2036/3/17||
|15|||||||||||||||
||COLOR FILTER ARRAY PATTERNS FOR REDUCTION OFCOLOR ALIASING||韩国||美国豪威||10-1714978||2016/6/28||2017/3/3||2036/6/28||
|16|||||||||||||||
||IMAGE SENSOR AND A METHOD FOR MANUFACTURINGA SOLID IMAGE SENSING DEVICE BY AT LEAST ONEELECTRICAL FUNCTION UNIT INTEGRATED INADJACENT PIXELS||韩国||美国豪威||10-0637945||1998/8/12||2006/10/17||2018/8/12||
|17|||||||||||||||
||SEMICONDUCTOR BASED IMAGE SENSOR ANDFABRICATING METHOD THEREOF, ESPECIALLY FOR||韩国||美国豪威||10-0592619||1998/10/29||2006/6/15||2018/10/29||
|18|||||||||||||||

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|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||PROVIDING A PROGRAMMABLE COLOR BALANCE||||||||||||||
||AN INTEGRATED CMOS ACTIVE PIXEL DIGITALCAMERA||韩国||美国豪威||10-0592614||1999/1/21||2006/6/15||2019/1/21||
|19|||||||||||||||
||POSITIVE PIXEL SENSOR AND MANUFACTURINGMETHOD OF THE SAME, PARTICULARLY CONCERNEDWITH MINIMIZING BULK DARK CURRENT ANDMAXIMIZING CHARGE TRANSFER BY FORMING TWO P-NJUNCTIONS HAVING DEPLETION REGIONS CATCHINGRED, GREEN, AND BLUE WAVES EASILY||韩国||美国豪威||10-0647959||1998/11/11||2006/11/13||2018/11/11||
|20|||||||||||||||
||IMAGE SENSOR INCORPORATING SATURATION TIMEMEASUREMENTTO INCREASE DYNAMIC RANGE||韩国||美国豪威||10-0718404||2000/5/12||2007/5/8||2020/5/12||
|21|||||||||||||||
||ACTIVE PIXEL SENSOR WITH WIRED FLOATINGDIFFUSIONS AND SHARED AMPLIFIER||韩国||美国豪威||10-0805412||1999/12/28||2008/2/13||2019/12/28||
|22|||||||||||||||
||THREE TRANSISTOR ACTIVE PIXEL SENSORARCHITECTURE WITH CORRELATED DOUBLESAMPLING||韩国||美国豪威||10-0636485||1999/11/18||2006/10/12||2019/11/18||
|23|||||||||||||||
||PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR WITH SHAREDRESET SIGNAL ROW SELECT||韩国||美国豪威||10-0750778||1999/12/28||2007/8/13||2019/12/28||
|24|||||||||||||||
||CMOS IMAGE SENSOR WITH EXTENDED DYNAMICRANGE||韩国||美国豪威||10-0657103||2000/10/25||2006/12/6||2020/10/25||
|25|||||||||||||||
||CMOS ACTIVE PIXEL IMAGE SENSOR WITH EXTENDEDDYNAMIC RANGE AND SENSITIVITY||韩国||美国豪威||10-0814211||2001/1/17||2008/3/10||2021/1/17||
|26|||||||||||||||
|27|VARIABLE COLLECTION OF BLOOMING CHARGE TO||韩国||美国豪威||10-0659443||2000/10/25||2006/12/12||2020/10/25||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||EXTEND DYNAMIC RANGE||||||||||||||
|28|IMAGE SENSOR WITH CHARGE BINNING||韩国||美国豪威||10-1159014||2004/7/1||2012/6/15||2024/7/1||
||IMAGE SENSOR ARRAY WITH SUBSTITUTIONALCIRCUIT DISTRIBUTION||韩国||美国豪威||10-1103956||2004/10/19||2012/1/2||2024/10/19||
|29|||||||||||||||
|30|IMAGE SENSOR WITH EXTENDED DYNAMIC RANGE||韩国||美国豪威||10-1038386||2004/9/1||2011/5/25||2024/9/1||
||METHOD FOR DECREASING UNDESIRABLE DARKCUREENT||韩国||美国豪威||10-1254820||2005/10/27||2013/4/9||2025/10/27||
|31|||||||||||||||
|32|LOW NOISE SAMPLE AND HOLD CIRCUIT||韩国||美国豪威||10-1143094||2005/4/27||2012/4/27||2025/4/27||
|33|METAL INTERCONNECTS FOR IMAGE SNSORS||韩国||美国豪威||10-1210176||2005/6/2||2012/12/3||2025/6/2||
|34|PINNED-PHOTODIODE PIXEL WITH GLOBAL SHUTTER||韩国||美国豪威||10-1344539||2006/5/24||2013/12/17||2026/5/24||
||PIXEL BINNING AND AVERAGING BASED ONILLUMINATION||韩国||美国豪威||10-1246410||2006/7/18||2013/3/15||2026/7/18||
|35|||||||||||||||
|36|ASYMMETRICAL MICROLENSES ON PIXEL ARRAYS||韩国||美国豪威||10-1274305||2006/5/26||2013/6/5||2026/5/26||
||CMOS IMAGE SENSOR PIXEL WITH SELECTABLEBINNING||韩国||美国豪威||10-1254360||2006/5/26||2013/4/8||2026/5/26||
|37|||||||||||||||
|38|CMOS ACTIVE PIXEL SENSOR SHARED AMPLIFIER PIXEL||韩国||美国豪威||10-1254832||2006/5/31||2013/4/9||2026/5/31||
||SHARED AMPLIFIER PIXEL WITH MATCHED COUPLINGCAPACITANCES||韩国||美国豪威||10-1244573||2006/5/26||2013/3/11||2026/5/26||
|39|||||||||||||||
||PIXEL WITH SYMMETRICAL FIELD EFFECT TRANSISTORPLACEMENT||韩国||美国豪威||10-1320784||2006/5/26||2013/10/15||2026/5/26||
|40|||||||||||||||
||OUTPUT ROUTING STRUCTURE FOR CMOS IMAGESENSORS||韩国||美国豪威||10-1293385||2006/9/18||2013/7/30||2026/9/18||
|41|||||||||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
|42|METHOD FOR CORRECTING ECLIPSE OR DARKLE||韩国||美国豪威||10-1289516||2006/10/12||2013/7/18||2026/10/12||
|43|METHOD FOR DETECTING STREAKS IN DIGITAL IMAGES||韩国||美国豪威||10-0961027||2006/11/30||2010/5/25||2026/11/30||
||EXTENDED DYNAMIC RANGE USING VARIABLESENSITIVITY PIXELS||韩国||美国豪威||10-1488036||2008/3/19||2015/1/23||2028/3/19||
|44|||||||||||||||
|45|DELAY CIRCUIT FOR READING OUT S/H ARRAYS||韩国||美国豪威||10-1332073||2007/2/14||2013/11/15||2027/2/14||
|46|PMOS PIXEL STRUCTURE WITH LOW CROSS TALK||韩国||美国豪威||10-1329432||2007/3/23||2013/11/7||2027/3/23||
|47|CMOS IMAGE SENSOR PIXEL USING A PHOTODIODE||韩国||美国豪威||10-1379046||2007/4/18||2014/3/21||2027/4/18||
||INTERPOLATION OF PANCHROMATIC AND COLORPIXELS||韩国||美国豪威||10-1342806||2007/1/17||2013/12/11||2027/1/17||
|48|||||||||||||||
|49|IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHT SENSITIVITY||韩国||美国豪威||10-1441696||2007/5/10||2014/9/11||2027/5/10||
|50|ISOLATION METHOD FOR LOW DARK CURRENT IMAGER||韩国||美国豪威||10-1392540||2007/10/9||2014/4/29||2027/10/9||
|51|IMAGE SENSOR PIXEL WITH GAIN CONTROL||韩国||美国豪威||10-1388276||2008/4/22||2014/4/16||2028/4/22||
|52|REDUCED PIXEL AREA IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1398767||2008/2/20||2014/5/16||2028/2/20||
|53|IMPLANT AT SHALLOW TRENCH ISOLATION CORNER||韩国||美国豪威||10-1329462||2007/8/29||2013/11/7||2027/8/29||
|54|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||韩国||美国豪威||10-1390071||2007/10/5||2014/4/22||2027/10/5||
||TWO EPITAXIAL LAYERS WITH BURIED SUBCOLLECTORTO REDUCE CROSSTALK IN AN IMAGE SNSOR||韩国||美国豪威||10-1373866||2007/12/5||2014/3/6||2027/12/5||
|55|||||||||||||||
||SILICIDE STRAPPING IN IMAGER TRANSFER GATEDEVICE||韩国||美国豪威/InternationalBusinessMachinesCorporation||10-1437194||2007/11/30||2014/8/27||2027/11/30||
|56|||||||||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
|57|HIGH GAIN READ CIRCUIT FOR 3D INTEGRATED PIXEL||韩国||美国豪威||10-1568350||2009/9/4||2015/11/5||2029/9/4||
||MULTIPLE IMAGE SENSOR SYSTEM WITH SHAREDPROCESSING||韩国||美国豪威||10-1471929||2008/11/12||2014/12/5||2028/11/12||
|58|||||||||||||||
|59|SAMPLING AND READOUT OF AN IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1410184||2009/1/28||2014/6/13||2029/1/28||
|60|BACK-ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS||韩国||美国豪威||10-1594927||2009/11/5||2016/2/11||2029/11/5||
||STACKED IMAGE SENSOR WITH SHARED DIFFUSIONREGIONS||韩国||美国豪威||10-1533134||2009/2/12||2015/6/25||2029/2/12||
|61|||||||||||||||
|62|IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSING LAYERS||韩国||美国豪威||10-1417232||2009/7/13||2014/6/30||2029/7/13||
||CFA ALIGNMENT MARK FORMATION IN IMAGESENSORS||韩国||美国豪威||10-1351145||2009/7/7||2014/1/7||2029/7/7||
|63|||||||||||||||
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHBACKSIDE TRENCHES||韩国||美国豪威||10-1341048||2009/7/7||2013/12/6||2029/7/7||
|64|||||||||||||||
||IMAGE SENSORS HAVING GRATINGS FOR COLORSEPARATION||韩国||美国豪威||10-1593258||2009/10/30||2016/2/2||2029/10/30||
|65|||||||||||||||
|66|IMAGE SENSOR HAVING REDUCED WELL BOUNCE||韩国||美国豪威||10-1460585||2009/5/12||2014/11/5||2029/5/12||
|67|HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1554238||2009/6/15||2015/9/14||2029/6/15||
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSING LAYERSAND ITS METHOD OF OPERATION AND FABRICATION||韩国||美国豪威||10-1414662||2009/10/5||2014/6/26||2029/10/5||
|68|||||||||||||||
|69|WIDE APERTURE IMAGE SENSOR PIXEL||韩国||美国豪威||10-1438710||2009/6/9||2014/9/1||2029/6/9||
||IMAGE SENSOR PIXEL WITH CHARGE DOMAINSUMMING||韩国||美国豪威||10-1540656||2009/8/24||2015/7/24||2029/8/24||
|70|||||||||||||||
|71|IMPROVING DEFECTIVE COLOR AND PANCHROMATIC||韩国||美国豪威||10-1267661||2009/10/9||2013/5/20||2029/10/9||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
||||||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||CFA IMAGE||||||||||||||
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSOR DEVICEAND FABRICATION METHOD THEREOF||韩国||VisEraTechnologiesCompanyLimited；美国豪威||10-0903824||2007/7/10||2009/6/12||2027/7/10||
|72|||||||||||||||
||ENHANCED PHOTON DETECTION DEVICE WITH BIASEDDEEP TRENCH ISOLATION||韩国||美国豪威||10-1765990||2014/3/31||2017/8/1||2034/3/31||
|73|||||||||||||||
||Miniature IMAGE CAPTURE LENS||韩国||VisEraTechnologiesCompanyLimited；美国豪威||10-1022303||2008/12/12||2011/3/8||2028/12/12||
|74|||||||||||||||
||Miniature IMAGE CAPTURE LENS||韩国||VisEraTechnologiesCompanyLimited；美国豪威||10-1023976||2008/12/15||2011/3/15||2028/12/15||
|75|||||||||||||||

注：上表中第17、18及20项截至2018年7月31日的状态为有效，截至本报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为“失效”。
（九）在日本拥有的专利权
|||||||||
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|||申请国||||||
|序号|专利名称||专利权人|专利号|申请日|授予日|失效日期|
|||家/地区||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|1|Method for Modulating Multiplexed Pixel Display||日本|美国豪威|5327824||1999/5/7||2013/8/2||2019/5/7|
|2|Application Specific, Dual Mode Projection System And Method||日本|美国豪威|6291037||2014/8/1||2018/2/16||2034/8/1|
||Wavefront Coded Imaging Systems with Optimized ImageProcessing||||5318027||2003/2/27||2013/7/19|||
|3|||日本|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Systems and Methods for Minimizing Aberrating Effects inImaging Systems||||4565192||2004/3/31||2010/8/13|||
|4|||日本|美国豪威|||||||2024/3/31|
|5|Lithographic Systems and Methods with Extended Depth of Focus||日本|美国豪威|4749332||2004/6/1||2011/5/27||2024/6/1|
|6|Task Based Imaging Systems||日本|美国豪威|5033802||2006/9/19||2012/7/6||2026/9/19|
|7|Saturation Optics||日本|美国豪威|4945635||2007/5/23||2012/3/9||2027/5/23|
||Ultra Short Three Optical Surfaces Wafer-Level Lens|||美国豪威/|5039991||2009/8/27||2012/7/20|||
|||||VisEra||||||||
|8|||日本|Technologies|||||||2029/8/27|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||Image Capture Lens Module And Image Capture System|||美国豪威/|5612952||2010/7/30||2014/9/12|||
|||||VisEra||||||||
|9|||日本|Technologies|||||||2030/7/30|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||Circuit and photo sensor overlap for backside illumination imagesensor||||5166557||2009/2/2||2012/12/28|||
|10|||日本|美国豪威|||||||2029/2/2|
|11|Circuit Configuration and Method for Time of Flight Sensor||日本|美国豪威|5579893||2013/2/28||2014/7/18||2033/2/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|12|Apparatus, Method and System For Random Number Generation||日本|美国豪威|5726348||2014/4/21||2015/4/10||2034/4/21|
||Enhanced Photon Detection Device with Biased Deep TrenchIsolation||||6078886||2014/3/31||2017/1/27|||
|13|||日本|美国豪威|||||||2034/3/31|
|14|Layers For Improving Image Sensor Performance||日本|美国豪威|5990812||2014/4/3||2016/8/26||2034/4/3|
|15|Color and Infrared Filter Array Patterns To Reduce Color Aliasing||日本|美国豪威|6066963||2014/6/30||2017/1/6||2034/6/30|
|16|RGBC Color Filter Array Patterns To Minimze Color Aliasing||日本|美国豪威|6144321||2015/11/24||2017/5/19||2035/11/24|
|17|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||日本|美国豪威|6163221||2016/3/18||2017/6/23||2036/3/18|
|18|Color Filter Array Patterns For Reduction of Color Aliasing||日本|美国豪威|6221082||2016/6/24||2017/10/13||2036/6/24|
|19|Active Pixel Image Sensor With Shared Amplifier Read-Out||日本|美国豪威|4267095||1998/8/13||2009/2/27||2018/8/13|
|20|Image Sensor||日本|美国豪威|4220032||1998/10/22||2008/11/21||2018/10/22|
|21|Image Sensor Device And Semiconductor Image Sensing Device||日本|美国豪威|3868648||1999/1/21||2006/10/20||2019/1/21|
||Correlation Double Sampling Circuit In High-Speed CMOS ImageColumn||||3947634||1999/4/8||2007/4/20|||
|22|||日本|美国豪威|||||||2019/4/8|
|23|Active Pixel Sensor||日本|美国豪威|4374115||2000/5/10||2009/9/11||2020/5/10|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions And SharedAmplifier||||4401507||1999/12/28||2009/11/6|||
|24|||日本|美国豪威|||||||2019/12/28|
|25|Active Pixel Image Sensors||日本|美国豪威|4156831||2001/12/25||2008/7/18||2021/12/25|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture with CorrelatedDouble Sampling||||4394783||1999/11/9||2009/10/23|||
|26|||日本|美国豪威|||||||2019/11/9|
|27|Active Image Sensor And Controlling Method Therefor||日本|美国豪威|4402786||2000/1/4||2009/11/6||2020/1/4|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset Signal RowSelect||||4829393||1999/12/27||2011/9/22|||
|28|||日本|美国豪威|||||||2019/12/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|29|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||日本|美国豪威|4536901||2000/10/20||2010/6/25||2020/10/20|
|30|Zoom Lens Systems with WFC||日本|美国豪威|5420255||2007/3/6||2013/11/29||2027/3/6|
|31|Image Sensor||日本|美国豪威|4614545||2001/1/15||2010/10/29||2021/1/15|
|32|MOS Imager Increasing Dynamic Range||日本|美国豪威|4037602||2000/10/26||2007/11/9||2020/10/26|
|33|Image Sensor||日本|美国豪威|4656753||2001/4/27||2011/1/7||2021/4/27|
|34|Image Sensor||日本|美国豪威|4638097||2001/11/30||2010/12/3||2021/11/30|
|35|Image Sensing Device and Method of Making Thereof||日本|美国豪威|4832660||2001/4/25||2011/9/30||2021/4/25|
|36|Image Sensor||日本|美国豪威|4936619||2001/9/27||2012/3/2||2021/9/27|
|37|Method Of Capturing A Color Digital Image||日本|美国豪威|4351825||2002/3/5||2009/7/31||2022/3/5|
|38|An Image Sensor Having Black Pixels||日本|美国豪威|4053296||2002/1/25||2007/12/14||2022/1/25|
|39|Dark Level Determination Circuit For Image Sensor||日本|美国豪威|3985897||2002/7/25||2007/7/20||2022/7/25|
|40|Correlated Doubling Sampling Circuits||日本|美国豪威|4263909||2002/12/27||2009/2/20||2022/12/27|
|41|Image Data Processor And Image Data Processing Method||日本|美国豪威|4511852||2004/3/12||2010/5/14||2024/3/12|
|42|Image Sensor With Improved Optical Response Uniformity||日本|美国豪威|4879454||2003/11/10||2011/12/9||2023/11/10|
|43|Image Sensor With Charge Binning||日本|美国豪威|4611296||2004/7/1||2010/10/22||2024/7/1|
|44|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||日本|美国豪威|4657287||2005/3/7||2011/1/7||2025/3/7|
|45|Image Sensor and Camera||日本|美国豪威|4682191||2005/4/27||2011/2/10||2025/4/27|
|46|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||日本|美国豪威|5047628||2005/1/6||2012/7/27||2025/1/6|
|47|Metal Interconnects For Image Sensors||日本|美国豪威|4856064||2005/6/2||2011/11/4||2025/6/2|
|48|Pixel Binning And Averaging Based On Illumination||日本|美国豪威|5114400||2006/7/18||2012/10/19||2026/7/18|
|49|Pixel Binning And Averaging Based On Illumination||日本|美国豪威|5619825||2012/7/6||2014/9/26||2026/7/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|50|Processing Color And Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|4971323||2006/7/20||2012/4/13||2026/7/20|
|51|Asymmetrical Microlens On Pixel Arrays||日本|美国豪威|4884465||2006/5/26||2011/12/16||2026/5/26|
|52|CMOS Image Sensor Pixel with Selectable Binning||日本|美国豪威|5355079||2006/5/26||2013/9/6||2026/5/26|
|53|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||日本|美国豪威|5036709||2006/5/31||2012/7/13||2026/5/31|
|54|Output Routing Structure For CMOS Imager Sensors||日本|美国豪威|4770926||2006/9/18||2011/7/1||2026/9/18|
|55|Image Sensor With Improved Light Sensitivity||日本|美国豪威|5462345||2012/12/6||2014/1/24||2026/7/13|
|56|Providing Multiple Video Signals From Single Sensor||日本|美国豪威|5086357||2007/9/24||2012/9/14||2027/9/24|
|57|Method For Detecting Streaks In Digital Images||日本|美国豪威|5011307||2006/11/30||2012/6/8||2026/11/30|
|58|Extended Dynamic Range Using Variable Sensitivity Pixels||日本|美国豪威|5190074||2008/3/19||2013/2/1||2028/3/19|
|59|A Delay Management Circuit For Reading Out Large S/H Arrays||日本|美国豪威|4917616||2007/2/14||2012/2/3||2027/2/14|
|60|Pmos Pixel Structure With Low Cross Talk||日本|美国豪威|5295105||2007/3/23||2013/6/21||2027/3/23|
|61|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||日本|美国豪威|4961013||2007/4/18||2012/3/30||2027/4/18|
|62|A/D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||日本|美国豪威|4916517||2007/2/7||2012/2/3||2027/2/7|
|63|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||日本|美国豪威|5123212||2007/1/17||2012/11/2||2027/1/17|
|64|Image Sensor With Improved Light Sensitivity||日本|美国豪威|5149279||2007/5/10||2012/12/7||2027/5/10|
|65|Autofocusing Still And Video Images||日本|美国豪威|5399899||2007/6/18||2013/11/1||2027/6/18|
|66|Image Sensor||日本|美国豪威|4982562||2007/7/18||2012/4/27||2027/7/18|
|67|Isolation Method For Low Dark Current Imager||日本|美国豪威|5113180||2007/10/9||2012/10/19||2027/10/9|
|68|Improved Light Sensitivity In Image Sensors||日本|美国豪威|5155333||2007/11/16||2012/12/14||2027/11/16|
|69|Improved Light Sensitivity In Image Sensors||日本|美国豪威|5547786||2012/10/11||2014/5/23||2027/11/16|
|70|Processing Images Having Color and Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5603455||2013/6/4||2014/8/29||2027/11/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|71|Processing Images Having Color And Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5330258||2007/11/15||2013/8/2||2027/11/15|
|72|Image Sensor Pixel With Gain Control||日本|美国豪威|5230726||2008/4/22||2013/3/29||2028/4/22|
|73|Image Sensor||日本|美国豪威|5357063||2008/2/20||2013/9/6||2028/2/20|
||Method For Isolating Element Formed On SemiconductorSubstrate||||5281008||2007/8/29||2013/5/31|||
|74|||日本|美国豪威|||||||2027/8/29|
|75|Image Sensor And For Manufacturing The Same||日本|美国豪威|5399917||2007/12/5||2013/11/1||2027/12/5|
|76|Noise Reduction Of Panchromatic And Color Image||日本|美国豪威|5156022||2007/10/29||2012/12/14||2027/10/29|
|77|Producing Low Resolution Images||日本|美国豪威|5345944||2007/11/15||2013/8/23||2027/11/15|
|78|Method Of Sharpening Using Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5260552||2007/12/12||2013/5/2||2027/12/12|
||Silicide Strapping In Imager Transfer Gate Device|||美国豪威|5096483||2007/11/30||2012/9/28|||
|79|||日本||||||||2027/11/30|
|||||/IBM||||||||
|80|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5395053||2008/3/26||2013/10/25||2028/3/26|
|81|Multiple Component Read Out Of Image Sensor||日本|美国豪威|5351156||2008/7/8||2013/8/30||2028/7/8|
|82|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5291084||2008/3/25||2013/6/14||2028/3/25|
|83|Correcting Imaging Device Motion During An Exposure||日本|美国豪威|5124642||2008/7/7||2012/11/2||2028/7/7|
|84|Noise Reduced Color Image Using Panchromatic Image||日本|美国豪威|5260635||2008/5/9||2013/5/2||2028/5/9|
|85|Image Sensor||日本|美国豪威|5507563||2009/9/4||2014/3/28||2029/9/4|
|86|Image Processing System And Controlling Process Therefor||日本|美国豪威|5140738||2008/11/12||2012/11/22||2028/11/12|
|87|Sampling And Readout Of An Image Sensor||日本|美国豪威|5469613||2009/1/28||2014/2/7||2029/1/28|
|88|Sampling And Readout Of An Image Sensor||日本|美国豪威|5587090||2010/8/3||2014/8/1||2029/1/28|
|89|Concentric Exposure Sequence For Image Sensor||日本|美国豪威|5686726||2009/4/14||2015/1/30||2029/4/14|
|90|Image Processing Device||日本|美国豪威|5346082||2009/7/21||2013/8/23||2029/7/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|91|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||日本|美国豪威|5562953||2009/7/13||2014/6/20||2029/7/13|
|92|Image Sensor With Improved Angle Response||日本|美国豪威|5816548||2009/6/1||2015/10/2||2029/6/1|
||Color Filter Array Alignment Mark Formation In BacksideIlluminated Image Sensors||||5427234||2009/7/7||2013/12/6|||
|93|||日本|美国豪威|||||||2029/7/7|
|94|Backside Illuminated Image Sensor With Backside Trenches||日本|美国豪威|5420656||2009/7/7||2013/11/29||2029/7/7|
|95|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||日本|美国豪威|5676462||2009/10/30||2015/1/9||2029/10/30|
|96|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||日本|美国豪威|5520937||2009/5/12||2014/4/11||2029/5/12|
|97|High Dynamic Range Image Sensor||日本|美国豪威|5562949||2009/6/15||2014/6/20||2029/6/15|
|98|Wide Aperture Image Sensor Pixel||日本|美国豪威|5343128||2009/6/9||2013/8/16||2029/6/9|
|99|Image Sensor Pixel with Charge Domain Summing||日本|美国豪威|5562959||2009/8/24||2014/6/20||2029/8/24|
|100|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||日本|美国豪威|5684139||2009/11/20||2015/1/23||2029/11/20|
|101|Improving Defective Color and Panchromatic CFA Image||日本|美国豪威|5140766||2009/10/9||2012/11/22||2029/10/9|
|102|Improving Defective Color and Panchromatic CFA Image||日本|美国豪威|5529230||2012/10/1||2014/4/25||2029/10/9|
|103|Dithered Focus Evaluation||日本|美国豪威|5745416||2009/10/9||2015/5/15||2029/10/9|
|104|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||日本|美国豪威|5461568||2009/10/26||2014/1/24||2029/10/26|
|105|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||日本|美国豪威|5624630||2010/12/15||2014/10/3||2030/12/15|
||Wafer Level Image Module|||美国豪威/|5141859||2006/9/29||2012/11/30|||
|||||VisEra||||||||
|106|||日本|Technologies|||||||2026/9/29|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
|107|Wafer Level Focusing Method, Structure and Apparatus of Image||日本|美国豪威/|5345186||2011/8/2||2013/8/23||2026/9/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||专利名称||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
||Module|||VisEra||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||Electronic Assembly For Image Sensor Device, And FabricatingMethod Thereof||日本|美国豪威/|4852675||2007/9/5||2011/11/4|||
|||||VisEra||||||||
|108||||Technologies|||||||2027/9/5|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
|109|Arrayed Imaging Systems And Associated Methods||日本|美国豪威|5934459||2007/4/17||2016/5/13||2027/4/17|

注：上表中第19及20项截至2018年7月31日的状态为有效，截至本报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为“失效”。
（十）在中国香港拥有的专利权
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||||申请国|专利权人|||||||||
|序号||专利名称|||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区||||||||||
|1|用于传感器故障检测的系统及方法||香港||美国豪威|HK1196484||2014/9/25||2016/12/30||2034/1/28|
|2|CMO图像传感器中具有减弱暗电流的有源像素||香港||美国豪威|HK1055013||2003/10/6||2008/10/31||2022/9/16|
|3|阵列成像系统及相关方法||香港||美国豪威|HK1134858||2009/12/17||2013/7/19||2027/4/17|
|4|形成保护膜于芯片级封装上的装置及其形成方法||香港||美国豪威|HK1174150||2013/1/30||2014/11/28||2031/1/28|
|5|挠性薄膜及透镜组件及透镜复制的相关方法||香港||美国豪威|HK1173503||2013/1/18||2017/9/15||2032/5/3|
|6|使用颜色相关波前编码扩展透镜系统中景深的系统和方法||香港||美国豪威|HK1192328||2014/6/13||2017/5/12||2032/5/31|
|7|整合管芯级摄像组件及其制造方法||香港||美国豪威|HK1188060||2014/1/26||2017/10/27||2032/10/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|8|用于晶片级相机的晶片间隔片及其制造方法||香港|美国豪威|HK1184274||2013/10/21||2017/1/27||2032/11/15|
|9|用于晶片级照相机的透镜板及其制造方法||香港|美国豪威|HK1186777||2013/12/19||2017/9/15||2033/3/21|
|10|数字图像数据畸变的修正装置及方法||香港|美国豪威|HK1190019||2014/3/25||2018/2/23||2033/5/15|
|11|修正图像系统的渐晕的方法及装置||香港|美国豪威|HK1190020||2014/3/25||2018/2/23||2033/6/20|
|12|用于生成画中画（PIP）图像的设计与方法||香港|美国豪威|HK1191786||2014/5/26||2018/2/15||2033/7/17|
|13|使用多个摄像器以提供延伸视野的影像处理系统及方法||香港|美国豪威|HK1189319||2014/3/10||2018/3/9||2033/7/26|
||利用紫外光可穿透模具来制造用于整合式相机的透镜板的方法以及制造紫外光可穿透模具的方法||||HK1192199||2014/6/12||2017/2/10|||
|14|||香港|美国豪威|||||||2033/7/30|
|15|由移动扫描器重新继续捕获物体的基本影响的系统于方法||香港|美国豪威|HK1191425||2014/5/15||2018/1/26||2033/9/2|
|16|具有白光、黄光及红光感测元件的背面照射光学传感器阵列||香港|美国豪威|HK1191451||2014/5/15||2018/1/26||2033/9/24|
|17|取得均匀光源的装置与方法||香港|美国豪威|HK1197937||2014/10/8||2018/5/11||2034/3/6|
|18|取得均匀光源的装置与方法||香港|美国豪威|HK1195669||2014/9/2||2017/9/15||2033/10/29|
||胶囊内镜的大视场透镜系统以及具有大视场透镜系统的胶囊内镜||||HK1195468||2014/9/2||2016/10/7|||
|19|||香港|美国豪威|||||||2033/10/29|
|20|包括至少一个拜耳型摄像机的阵列系统及关联的方法||香港|美国豪威|HK1197127||2014/10/21||2018/3/29||2033/11/21|
|21|一种用于基于级的自动调整的对等媒体流的装置和方法||香港|美国豪威|HK1197124||2014/10/8||2018/4/27||2034/2/27|
|22|电子照相机的自动白平衡的自动化自我训练的装置和方法||香港|美国豪威|HK1203011||2015/4/2||2018/3/2||2034/3/12|
|23|用于360度摄像机系统的校准的系统和方法||香港|美国豪威|HK1220063||2016/7/11||2018/4/13||2034/4/8|
|24|具有广视角的五个非球面表面晶片级透镜系统||香港|美国豪威|HK1199935||2015/1/7||2017/9/1||2034/5/5|
|25|在线存储器测试系统及方法||香港|美国豪威|HK1199975||2015/1/7||2018/3/29||2034/5/7|
|26|镜框的固摄系统||香港|美国豪威|HK1199307||2014/12/23||2016/10/7||2034/5/23|
|27|自发光互补金属氧化物半导体影响传感器封装||香港|美国豪威|HK1210000||2015/11/6||2018/4/6||2034/7/8|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|28|基于单一成像传感器的摄影机装置及系统以及其制造方法||香港|美国豪威|HK1205609||2015/6/26||2018/4/13||2034/9/9|
|29|凹坑配液过程形成光学透镜的装置和方法||香港|美国豪威|HK1204780||2015/6/3||2018/5/11||2034/9/16|
||具有屏蔽、深穿透及颜色检测光二极管的颜色光传感器阵列的传感器和方法||||HK1203695||2015/4/29||2018/4/6|||
|30|||香港|美国豪威|||||||2034/9/16|
|31|双像素大小彩色摄像传感器及其制造方法||香港|美国豪威|HK1205843||2015/7/2||2018/3/29||2034/11/10|
|32|捕获可见光和红外光图像的图像传感器及关联系统和方法||香港|美国豪威|HK1206519||2015/7/22||2018/3/23||2034/12/3|
|33|基于数字校准的长距离MIPI D-PHY串行链路的偏斜消除||香港|美国豪威|HK1209507||2015/10/15||2017/7/18||2034/12/29|
|34|在晶圆层上将相机立方体镀黑的系统及方法||香港|美国豪威|HK1212099||2015/12/31||2018/4/27||2035/5/5|
|35|晶圆级矽基液晶投影组件、系统于方法||香港|美国豪威|HK1214001||2016/2/23||2018/1/26||2034/5/23|
|36|三片式全非球面转接器鱼眼镜头||香港|美国豪威|HK1220509||2016/7/18||2018/3/16||2035/8/21|
|37|自动化的细胞生长-迁移检测系统及相关的方法||香港|美国豪威|HK1217210||2016/5/6||2018/5/11||2035/8/28|
||用於供結合背面照明式光傳感器數組的電路的特別用途的集成電路的接地系統傳感器集成電路||||HK1223734||2016/10/14||2018/5/4|||
|38|||香港|美国豪威|||||||2035/10/30|
|39|低剖面混合型透镜系统及其制造方法||香港|美国豪威|HK1225446||2016/11/25||2018/4/13||2036/1/26|
|40|用于矽基液晶投影显示器LCOS的空间交错的偏振转换器||香港|美国豪威|HK1225448||2016/11/28||2018/4/20||2036/2/25|
|41|用于背侧照明图像传感器的黑色参考像素||香港|美国豪威|HK1190228||2014/4/2||2017/5/5||2029/2/2|
|42|CMOS像素中的半岛形传输栅||香港|美国豪威|HK1172446||2012/12/20||2016/1/22||2029/12/29|
|43|双面图像传感器||香港|美国豪威|HK1179049||2013/5/22||2016/7/8||2030/5/24|
|44|具有流水线化列模数转换器的图像传感器||香港|美国豪威|HK1172174||2012/12/10||2016/9/2||2031/11/8|
|45|用于CMOS图像转换器的可变电压行驱动器||香港|美国豪威|HK1185487||2013/11/18||2017/3/24||2033/1/31|
|46|可见及红外双重模式成像系统||香港|美国豪威|HK1170618||2012/11/9||2015/7/31||2031/10/11|
|47|用于CMOS图像传感器的无损杂质掺杂的方法||香港|美国豪威|HK1170844||2012/11/9||2016/1/22||2031/9/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|48|具有补充电容性耦合节点的图像传感器||香港|美国豪威|HK1171592||2012/11/27||2015/7/17||2031/12/16|
|49|用于成像像素的黑色电平校正的方法和系统||香港|美国豪威|HK1186029||2013/11/27||2017/3/24||2033/2/8|
|50|使用切割道触刻的晶圆切片||香港|美国豪威|HK1172152||2012/12/10||2015/12/24||2031/11/23|
|51|用于背面照明图像传感器的密封环支撑件||香港|美国豪威|HK1172735||2012/12/29||2015/9/25||2032/1/5|
|52|用于CMOS图像传感器的模拟行黑色电平校准||香港|美国豪威|HK1171144||2012/11/20||2015/7/10||2032/1/18|
|53|用于触摸及手势辨识的光学触摸垫||香港|美国豪威|HK1179374||2013/5/24||2017/3/3||2031/12/29|
|54|具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器||香港|美国豪威|HK1179756||2013/6/9||2016/5/20||2032/7/23|
|55|使用硬掩模的滤色器图案化||香港|美国豪威|HK1179050||2013/6/3||2016/6/30||2031/12/30|
|56|低共振驱动器||香港|美国豪威|HK1178695||2013/5/27||2016/4/8||2032/5/29|
|57|用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素||香港|美国豪威|HK1178689||2013/5/27||2015/12/11||2032/5/29|
|58|在移動設備中的圖像重疊||香港|美国豪威|HK1177074||2013/3/25||2017/6/30||2031/8/30|
|59|具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域||香港|美国豪威|HK1180455||2013/6/28||2016/10/7||2032/8/27|
|60|具有聚焦能力的图像捕获系统||香港|美国豪威|HK1178723||2013/5/27||2015/11/27||2031/12/29|
|61|用于具有聚焦能力的图像捕获系统的外壳||香港|美国豪威|HK1179448||2013/5/24||2016/7/29||2031/12/30|
|62|多重转换增益图像传感器的多电平复位电压||香港|美国豪威|HK1180863||2013/7/10||2016/4/1||2032/8/2|
|63|双向相机组合件||香港|美国豪威|HK1181192||2013/7/19||2017/11/10||2032/9/5|
||用于提供图像传感器像素中的经改进全阱容量的方法、设备及系统||||HK1183162||2013/9/5||2016/7/8|||
|64|||香港|美国豪威|||||||2032/11/2|
|65|包含光导的背侧照明式（BSI）像素||香港|美国豪威|HK1183745||2013/9/27||2017/4/7||2032/11/30|
|66|具有增强离子掺杂的方法及装置||香港|美国豪威|HK1188033||2014/2/10||2017/5/12||2033/3/27|
|67|相机模块及包括相机模块的系统||香港|美国豪威|HK1181919||2013/8/2||2017/9/1||2032/9/6|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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|68|图像传感器的部分掩埋沟道传送装置||香港|美国豪威|HK1181552||2013/7/29||2017/1/27||2032/10/12|
|69|在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法||香港|美国豪威|HK1186575||2013/12/18||2016/9/23||2033/2/21|
||用于具有背侧照明的高速CMOS图像传感器的多行同时读出方案||||HK1180157||2013/6/20||2017/10/20|||
|70|||香港|美国豪威|||||||2032/10/11|
|71|高动态范围子取样架构||香港|美国豪威|HK1180156||2013/6/20||2017/4/28||2032/10/11|
|72|用于高性能CMOS图像传感器的算术计数器电路、配置和应用||香港|美国豪威|HK1180158||2013/6/20||2017/11/10||2032/10/11|
|73|用于飞行时间传感器的电路配置和方法||香港|美国豪威|HK1186890||2013/12/20||2017/5/12||2033/2/27|
|74|用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计||香港|美国豪威|HK1183161||2013/9/5||2016/5/20||2032/11/2|
|75|具有自对准沟道宽度的晶体管||香港|美国豪威|HK1182530||2013/8/22||2017/5/12||2032/10/19|
|76|用于3D成像的有具有交替偏光的滤光器的图像传感器||香港|美国豪威|HK1185448||2013/11/13||2017/4/28||2033/1/23|
|77|用于并行交换视频数据的方法、设备和系统||香港|美国豪威|HK1188887||2014/2/26||2018/2/23||2033/4/24|
|78|用以提供用于缓冲的视频数据的方法、设备及系统||香港|美国豪威|HK1188889||2014/2/28||2018/3/16||2033/5/14|
|79|用于组合图像的方法和系统||香港|美国豪威|HK1185986||2013/11/29||2017/11/17||2033/2/8|
|80|背侧照明成像传感器中的侧向光屏蔽物||香港|美国豪威|HK1186001||2013/11/27||2017/4/28||2033/2/7|
|81|具有脉冲操作模式的图形传感器||香港|美国豪威|HK1186807||2013/12/24||2017/2/17||2033/3/5|
|82|用于图像传感器的多斜率列并行模-数转换中的校准||香港|美国豪威|HK1186854||2013/12/24||2017/8/18||2033/3/18|
|83|图像传感器系统的用于传送图像数据及控制信号的共享端子||香港|美国豪威|HK1183389||2013/9/12||2018/5/4||2032/11/13|
|84|图像传感器系统的用于传送时钟及控制信号的共享端子||香港|美国豪威|HK1183390||2013/9/13||2018/3/2||2032/11/13|
|85|用于减少像素单元噪声的方法、设备及系统||香港|美国豪威|HK1188349||2014/2/10||2018/5/4||2033/4/2|
|86|具有卡入式闩锁的晶片级相机模块||香港|美国豪威|HK1188356||2014/2/17||2017/11/10||2033/3/29|
|87|具有保护管的晶片级相机模块||香港|美国豪威|HK1188355||2014/2/17||2018/3/16||2033/3/29|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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|88|具有多种ADC模式的混合模-数转换器||香港|美国豪威|HK1190836||2014/4/23||2017/11/24||2033/6/28|
|89|双侧图像转换器||香港|美国豪威|HK1188330||2014/2/10||2017/3/24||2033/4/8|
|90|具有改良性能的大型互补金属氧化物半导体图像传感器像素||香港|美国豪威|HK1190825||2014/4/23||2016/10/28||2033/6/6|
|91|使用次要相机的快门释放||香港|美国豪威|HK1190547||2014/4/16||2018/3/2||2033/5/21|
|92|用於CMOS圖像傳感器中的列斜坡比較器的噪聲匹配動態偏置||香港|美国豪威|HK1190850||2014/4/23||2018/3/16||2034/7/23|
|93|电容和选择电荷泵||香港|美国豪威|HK1190832||2014/4/23||2016/11/25||2033/7/26|
|94|具有集成电磁干扰屏蔽集成电路堆叠||香港|美国豪威|HK1190824||2014/4/23||2017/9/1||2033/6/5|
|95|视频产生方法及视频成像获取系统||香港|美国豪威|HK1194578||2014/7/29||2018/3/16||2021/9/6|
|96|用于低暗电流CMOS像素单元的接地触点结构||香港|美国豪威|HK1192388||2014/6/5||2018/5/4||2033/7/18|
||用于减少CMOS图像传感器的模拟图像数据中的噪声的方法及设备||||HK1193687||2014/7/8||2018/1/19|||
|97|||香港|美国豪威|||||||2033/8/9|
|98|用于减少所投影图像中的斑点的装置和方法||香港|美国豪威|HK1192948||2014/6/26||2017/8/18||2033/7/11|
|99|具有固定电位输出晶体管的图像传感器||香港|美国豪威|HK1193676||2014/7/8||2017/11/17||2033/5/9|
|100|用于减少的电荷注入的CMOS图像传感器开关电路||香港|美国豪威|HK1190835||2014/4/23||2017/5/5||2033/7/16|
|101|选择性增益控制电路||香港|美国豪威|HK1193524||2014/7/7||2018/3/23||2033/7/29|
|102|含有具有三角形截面的金属栅格的图像传感器||香港|美国豪威|HK1190826||2014/4/23||2017/2/10||2033/5/7|
|103|具有色彩滤光器的分割图形传感器的透镜阵列||香港|美国豪威|HK1192371||2014/6/11||2017/9/1||2033/7/24|
|104|用于减少输出变化的比较器电路||香港|美国豪威|HK1193512||2014/7/7||2017/5/5||2033/6/5|
||像素阵列、图像传感器系统及用于提供像素阵列的转换增益的方法||||HK1197513||2014/10/30||2018/3/16|||
|105|||香港|美国豪威|||||||2033/12/5|
|106|用于为3D成像投射结构光的低Z高度投影系统||香港|美国豪威|HK1193878||2014/7/15||2016/6/3||2033/7/24|
|107|集成电路系统、成像传感器系统及其制作方法||香港|美国豪威|HK1195823||2014/9/9||2017/7/14||2033/8/5|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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|108|随机估计模-数转换器||香港|美国豪威|HK1194872||2014/8/5||2018/3/2||2033/6/19|
|109|图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置||香港|美国豪威|HK1194858||2014/8/5||2017/9/1||2033/8/13|
||图像传感器及包含多个可选择经啮合滤光器组的彩色滤光器阵列||||HK1197514||2014/10/30||2018/3/2|||
|110|||香港|美国豪威|||||||2033/11/15|
|111|具有偏移电压移除的带隙参考电路||香港|美国豪威|HK1197502||2014/10/31||2018/4/6||2033/11/27|
|112|用以减少图像记忆效应的带负电荷层||香港|美国豪威|HK1194856||2014/8/5||2017/3/24||2033/8/7|
|113|具有衬底噪声隔离的方法及图像传感器||香港|美国豪威|HK1200999||2015/2/4||2018/5/11||2033/12/19|
|114|自适应多转换斜坡模-数转换器||香港|美国豪威|HK1197115||2014/10/23||2018/4/27||2033/10/22|
|115|用于减少像素阵列读出时间的转换电路||香港|美国豪威|HK1197503||2014/10/30||2018/4/6||2033/5/7|
||用于消除具有掺杂等离子体的钉扎层的像素中的滞后的工艺及其设备||||HK1197493||2014/10/31||2018/3/2|||
|116|||香港|美国豪威|||||||2033/12/18|
|117|底部芯片上具有光敏电路元件的堆叠芯片图像传感器||香港|美国豪威|HK1195165||2014/8/14||2018/2/23||2033/10/15|
|118|包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器||香港|美国豪威|HK1200243||2015/1/21||2017/11/24||2033/10/30|
|119|具有三层视频场景的影中影视频流||香港|美国豪威|HK1196731||2014/10/8||2018/3/16||2033/9/9|
|120|荧光成像模块||香港|美国豪威|HK1197763||2014/11/12||2017/10/13||2033/10/28|
|121|形成用于图像传感器的双尺寸微透镜的方法||香港|美国豪威|HK1202987||2015/4/13||2018/1/19||2033/11/20|
|122|拥有具有增加的光学串扰的像素的图像传感器||香港|美国豪威|HK1201986||2015/3/9||2018/5/4||2034/2/25|
|123|具有多个放大器晶体管的高动态范围像素||香港|美国豪威|HK1199684||2015/1/6||2018/3/16||2033/10/25|
|124|基于动态映射的自动白平衡||香港|美国豪威|HK1202010||2015/3/12||2018/3/2||2033/12/2|
|125|具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置||香港|美国豪威|HK1202706||2015/3/26||2018/2/23||2033/12/6|
|126|图像传感器以及成像装置||香港|美国豪威|HK1202985||2015/4/8||2018/2/23||2033/12/4|
|127|具有低轮廓触点的集成电路堆叠||香港|美国豪威|HK1201991||2015/3/12||2018/2/23||2033/12/25|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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||具有拥有栅极之间的窄间隔的全局快门的图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法||||HK1204389||2015/5/19||2018/3/16|||
|128|||香港|美国豪威|||||||2033/12/25|
|129|具有切换式深沟槽隔离结构图案传感器像素单元||香港|美国豪威|HK1207469||2015/8/14||2018/3/16||2033/11/20|
|130|从像素阵列读取像素数据的方法及成像系统||香港|美国豪威|HK1204406||2015/5/19||2018/5/4||2034/5/19|
|131|光子检测装置和堆叠硅光电倍增器||香港|美国豪威|HK1207209||2015/8/13||2017/11/24||2034/1/7|
|132|彩色激光片阵列、彩色滤光片阵列设备及图像传感器||香港|美国豪威|HK1206102||2015/7/6||2018/2/23||2034/6/27|
|133|用于提供增强的视觉的眼罩式显示系统及方法||香港|美国豪威|HK1204807||2015/6/2||2018/4/6||2033/11/22|
|134|X射线与光学图像传感器以及其成像系统及制作方法||香港|美国豪威|HK1208613||2015/9/24||2018/4/27||2034/2/25|
|135|用于图像传感器的大-小像素方案及其使用||香港|美国豪威|HK1209901||2015/10/22||2018/5/11||2034/3/3|
|136|具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图案传感器像素单元||香港|美国豪威|HK1209234||2015/10/8||2018/5/11||2034/1/9|
|137|堆叠芯片SPAD图像传感器||香港|美国豪威|HK1209897||2015/10/19||2018/4/27||2034/6/9|
|138|背侧照明式单光子雪崩二极管及包括其的成像传感器系统||香港|美国豪威|HK1208285||2015/9/10||2018/4/6||2034/9/3|
|139|使用移动平台的视频会议||香港|美国豪威|HK1216470||2016/4/18||2017/9/1||2034/12/19|
|140|用于飞行时间3D图像传感器的可编程电流源||香港|美国豪威|HK1221780||2016/8/17||2018/4/27||2034/12/25|
|141|高分辨率阵列摄像机||香港|美国豪威|HK1221841||2016/8/17||2018/5/4||2035/11/18|
|142|像素面积减小的图像传感器||香港|美国豪威|HK1171870||2012/12/7||2016/2/19||2028/2/20|
|143|用于图像传感器的列输出电路||香港|美国豪威|HK1171597||2012/11/28||2016/11/4||2030/12/8|
|144|具有前侧和背侧光电检测器的图像传感器||香港|美国豪威|HK1174438||2013/2/6||2016/7/22||2030/6/11|
|145|四通道滤色片阵列图案||香港|美国豪威|HK1171309||2012/11/23||2015/10/30||2030/5/7|
|146|四通道滤色片阵列内插||香港|美国豪威|HK1170877||2012/11/9||2015/7/17||2030/5/27|
|147|具有四个通道的滤色器阵列图案||香港|美国豪威|HK1170878||2012/11/12||2015/7/17||2030/5/21|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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|148|用于四通道彩色滤光片阵列的内插||香港|美国豪威|HK1170880||2012/11/14||2015/12/24||2030/6/7|
|149|用于图像传感器中暂停列读出的方法及设备||香港|美国豪威|HK1173018||2013/1/7||2015/10/16||2030/12/15|
|150|产生图像传感器的列偏移校正||香港|美国豪威|HK1176447||2013/3/14||2015/11/20||2030/12/27|
|151|具有经掺杂的传输栅极的图像传感器||香港|美国豪威|HK1179757||2013/6/9||2016/5/6||2030/12/27|
|152|图像传感器中的暂停列读出||香港|美国豪威|HK1173592||2013/1/15||2016/4/1||2030/12/16|
|153|产生图像传感器的列偏移校正||香港|美国豪威|HK1175912||2013/3/12||2015/11/13||2030/12/15|
|154|图像传感器中的光侦测器隔离||香港|美国豪威|HK1170843||2012/11/9||2015/9/11||2031/9/29|
|155|用于产生图像传感器中的光电检测器隔离的方法||香港|美国豪威|HK1172731||2012/12/25||2016/11/11||2031/12/7|
|156|具有电荷倍增输出通道及电荷感测输出通道的图像传感器||香港|美国豪威|HK1173017||2013/1/7||2015/8/21||2031/12/7|
|157|用于处理由图像传感器捕获的图像的方法||香港|美国豪威|HK1172762||2012/12/25||2015/7/24||2031/12/16|
|158|暂停图像传感器中的列寻址||香港|美国豪威|HK1172763||2012/12/25||2016/3/24||2031/12/20|
|159|用于矫正图像传感器固定图案噪声的设备、系统和方法||香港|美国豪威|HK1204407||2015/5/19||2018/5/25||2034/1/13|
|160|具有集成周围光检测的图像传感器||香港|美国豪威|HK1199999||2015/1/15||2018/5/25||2032/12/28|
|161|随机存取存储器中压缩数据的系统及方法||香港|美国豪威|HK1194225||2014/7/21||2018/3/16||2033/11/12|
|162|由量化控制改良解码器性能的方法与系统||香港|美国豪威|HK1190847||2014/4/17||2018/3/2||2033/7/5|
|163|由量化控制改良解码器性能的方法与系统||香港|美国豪威|HK1190846||2014/4/17||2018/5/11||2033/7/5|
|164|包括图像传感器的设备、半导体装置及其制造方法||香港|美国豪威|HK1185452||2013/11/18||2017/7/14||2033/2/8|
|165|光学变焦成像系统及相关方法||香港|美国豪威|HK1212043||2015/12/31||2018/3/23||2035/4/30|
|166|悬式透镜系统及用于制造悬式透镜系统的晶圆级方法||香港|美国豪威|HK1212044||2015/12/31||2018/3/16||2035/5/12|
|167|用于传感器故障检测的系统及方法||香港|美国豪威|HK1196485||2016/9/25||2018/3/29||2034/1/28|
|168|用于传感器故障检测的系统及方法||香港|美国豪威|HK1204836||2015/6/3||2018/7/27||2034/1/8|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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|169|用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素||香港|美国豪威|HK1207473||2015/8/19||2018/7/27||2034/3/3|
|170|基于像素强度分布的多目标自动曝光机增益控制的方法及系统||香港|美国豪威|HK1210892||2015/11/23||2018/7/27||2034/6/30|
|171|基于像素强度分布的多目标自动曝光及增益控制的方法及系统||香港|美国豪威|HK1206178||2015/7/7||2018/7/20||2034/2/26|
|172|用于从图像传感器读取图像数据的方法及设备||香港|美国豪威|HK1204184||2015/5/12||2018/7/20||2034/1/9|
|173|用於空間受限位置中的成像系統及方法||香港|美国豪威|HK1213752||2016/2/18||2018/7/13||2035/4/22|
|174|具有高效率热传递的成像设备及其相关系统||香港|美国豪威|HK1208110||2015/9/8||2018/7/13||2035/1/5|
|175|减少图像传感器中的噪声的谐波音调的方法及图像感测系统||香港|美国豪威|HK1209539||2015/10/12||2018/7/6||2034/4/18|
|176|背侧照明式图像传感器及其制作方法||香港|美国豪威|HK1209523||2015/10/14||2018/6/29||2034/2/24|
|177|对双转换增益高动态范围传感器的补偿||香港|美国豪威|HK1225545||2016/12/5||2018/6/29||2036/2/2|
|178|具有延长景深的摄像系统于方法||香港|美国豪威|HK1190014||2013/10/31||2018/6/22||2032/12/10|
|179|采用用于灵活图像方位的正方形图像传感器的取像系统及方法||香港|美国豪威|HK1199342||2014/12/22||2018/6/22||2034/4/28|
|180|图像数据的聚合高动态范围的成像系统及相关方法||香港|美国豪威|HK1206518||2015/7/22||2018/6/22||2034/12/2|
|181|紧凑型像素中高动态范围成像||香港|美国豪威|HK1194888||2014/8/13||2018/6/22||2033/7/26|
|182|成像系统及使图像传感器聚焦的方法||香港|美国豪威|HK1204405||2015/5/19||2018/6/22||2034/2/13|
|183|具有缩放滤波器阵列和像素内装仓的图像传感器||香港|美国豪威|HK1212129||2015/12/23||2018/6/22||2034/7/24|
|184|用于图像投影仪的去斑光学系统||香港|美国豪威|HK1212781||2016/1/21||2018/6/22||2034/6/26|
|185|具有全局布线通道的集成电路芯片及专用集成电路||香港|美国豪威|HK1208959||2015/9/28||2018/6/22||2034/12/15|
|186|像素单元及成像系统||香港|美国豪威|HK1216359||2016/4/15||2018/6/22||2034/12/25|
|187|解码行程编码数据的解码器和方法||香港|美国豪威|HK1190848||2014/4/17||2018/6/15||2033/7/5|
|188|包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器||香港|美国豪威|HK1199552||2014/12/29||2018/6/15||2033/10/23|
|189|用于随机数产生的设备、方法和系统及图像传感器||香港|美国豪威|HK1203258||2015/4/15||2018/6/15||2033/12/12|

上海韦尔半导体股份有限公司 重大资产购买报告书（草案）
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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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|190|用于实施扩展范围逐次逼近模/数转换器的方法及系统||香港|美国豪威|HK1224474||2016/11/4||2018/6/15||2036/1/25|
|191|具有强化的晶片接合的集成电路堆叠||香港|美国豪威|HK1225857||2016/12/12||2018/6/15||2036/2/18|
|192|硅基液晶面板及相关方法||香港|美国豪威|HK1222919||2016/9/20||2018/6/8||2036/2/15|
||用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器||||HK1208286||2015/9/10||2018/6/8|||
|193|||香港|美国豪威|||||||2034/8/29|
||用于降低红外反射噪声的重影的红外反射/吸收层及使用其的图像的图像传感器||||HK1195824||2014/9/11||2018/6/22|||
|194|||香港|美国豪威|||||||2034/9/11|