证券简称：韦尔股份 证券代码：603501 股票上市地点：上海证券交易所上海韦尔半导体股份有限公司
发行股份购买资产并募集配套资金
暨关联交易报告书
（草案）
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|交易对方|名称|
|北京豪威交易对方|绍兴韦豪、青岛融通、Seagul（l A3）、嘉兴水木、嘉兴豪威、上海唐芯、SeagullInvestments、开元朱雀、元禾华创、北京集电、天元滨海、惠盈一号、领智基石、金信华创、金信华通、西藏大数、上海威熠、西藏锦祥、上海摩勤、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、德威资本、深圳远卓、深圳兴平共25名|
|思比科交易对方|北京博融、南昌南芯、山西TCL、华清博广、中关村创投、吴南健、陈杰、刘志碧共8名|
|视信源交易对方|陈杰、刘志碧、金湘亮、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、陈黎明、吴南健共9名|
|募集配套资金的交易对方|不超过10名特定对象|

独立财务顾问
二〇一八年十一月
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）声明
一、公司声明
本公司及全体董事、监事、高级管理人员保证本报告书及其摘要内容的真实、准确、完整，对报告书及其摘要中的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏负连带责任。
本公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证本报告书及其摘要中财务会计资料真实、准确、完整。
本次发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易尚需取得有关监督管理部门的批准和核准。监督管理部门对于本次交易相关事项所做的任何决定或意见，均不表明其对本公司股票的价值或投资者的收益作出实质性判断或保证。
本次交易完成后，本公司经营与收益的变化，由本公司自行负责；因本次交易引致的投资风险，由投资者自行负责。
投资者若对本报告书存在任何疑问，应咨询自己的股票经纪人、律师、专业会计师或其他专业顾问。
二、交易对方声明
本次发行股份购买资产交易对方已出具承诺：
1、承诺方将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，向韦尔股份及参与本次交易的各中介机构所提供的资料均为真实、准确、完整的原始书面资料或副本资料，资料副本或复印件与其原始资料或原件一致，所有文件的签名、印章均是真实的；如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2、如本次交易所提供或披露的信息涉嫌虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，被司法机关立案侦查或者被中国证监会立案调查的，在形成调查结论以前，承诺方不转让在韦尔股份拥有权益的股份，并于收到立案稽查通知的两个交易日内将暂停转让的书面申请和股票账户提交韦尔股份董事会，由董事会代本机构向证券交易所和登记结算公司申请锁定；未在两个交易日内提交锁定申请的，授权董事会核实后直接向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息并申请锁定；董事会未向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息的，授权证券交易所和登记结算公司直接锁定相关股份。如调查结论发现存在违法违规情节，承诺方承诺锁定股份自愿用于相关投资者赔偿安排。
三、相关证券服务机构声明
普华永道及签字注册会计师确认本报告书及摘要中不致因完整准确地引用其出具的北京豪威审计报告而导致在相应部分出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对上述报告的真实性、准确性和完整性依据有关法律法规的规定承担相应的法律责任。
本次重大资产重组的其他证券服务机构及相关经办人员保证披露文件的真实、准确、完整。本次重大资产重组的其他证券服务机构承诺如本次重组申请文件存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，相关证券服务机构未能勤勉尽责的将承担连带赔偿责任。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）目录
声明 ..................................................................................................................... 2一、公司声明 ........................................................................................................................... 2二、交易对方声明 ................................................................................................................... 2三、相关证券服务机构声明 ................................................................................................... 3目录 ............................................................................................................................. 4释义 ............................................................................................................................. 8重大事项提示 ............................................................................................................. 14一、本次交易方案概述 ......................................................................................................... 14二、标的资产评估值及交易作价 ......................................................................................... 14三、支付方式及募集配套资金安排 ..................................................................................... 15四、业绩承诺与补偿安排 ..................................................................................................... 25五、本次交易构成重大资产重组 ......................................................................................... 31六、本次交易不构成重组上市 ............................................................................................. 31七、本次交易构成关联交易 ................................................................................................. 32八、本次交易对上市公司的影响 ......................................................................................... 32九、本次交易已履行和尚需履行的批准程序 ..................................................................... 40十、本次交易相关方作出的重要承诺 ................................................................................. 42十一、相关方对本次重组的原则性意见及相关股份减持计划 ......................................... 52十二、对股东权益的保护安排 ............................................................................................. 53十三、独立财务顾问的保荐资格 ......................................................................................... 58重大风险提示 ............................................................................................................. 59一、与本次交易有关的风险 ................................................................................................. 59二、标的资产经营风险 ......................................................................................................... 62三、与上市公司相关的风险 ................................................................................................. 64四、其他风险 ......................................................................................................................... 65第一节本次交易概况 ............................................................................................... 67一、本次交易的背景 ............................................................................................................. 67二、本次交易的目的 ............................................................................................................. 70三、本次交易的具体方案 ..................................................................................................... 71四、本次交易构成重大资产重组 ......................................................................................... 81五、本次交易不构成重组上市 ............................................................................................. 81六、本次交易构成关联交易 ................................................................................................. 82七、本次交易对上市公司的影响 ......................................................................................... 82八、本次交易已履行和尚需履行的批准程序 ..................................................................... 89第二节上市公司基本情况 ....................................................................................... 91
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）一、基本信息 ......................................................................................................................... 91二、设立情况 ......................................................................................................................... 91三、最近六十个月的控股权变动情况 ................................................................................. 91四、最近三年的重大资产重组情况 ..................................................................................... 92五、主营业务发展情况 ......................................................................................................... 92六、主要财务指标 ................................................................................................................. 93七、控股股东、实际控制人概况 ......................................................................................... 93八、公司及其董事、监事、高级管理人员最近三年的诚信情况 ..................................... 94第三节交易对方基本情况 ....................................................................................... 95一、本次交易对方总体情况 ................................................................................................. 95二、北京豪威交易对方基本情况 ......................................................................................... 96三、思比科交易对方基本情况 ........................................................................................... 172四、视信源交易对方基本情况 ........................................................................................... 190五、发行股份募集配套资金认购对象概况 ....................................................................... 195六、交易对方与上市公司之间的关联关系说明 ............................................................... 195七、交易对方之间的关联关系 ........................................................................................... 195八、交易对方向上市公司推荐董事、监事或者高级管理人员的情况 ........................... 196九、交易对方及其主要管理人员最近五年内受到行政处罚、刑事处罚或者涉及经济纠纷有关的重大民事诉讼或者仲裁情况的说明 ............................................................................... 197十、交易对方及其主要管理人员最近五年合法合规及诚信情况 ................................... 197第四节交易标的基本情况 ..................................................................................... 198一、交易标的之北京豪威 ................................................................................................... 198二、交易标的之思比科 ....................................................................................................... 285三、交易标的之视信源 ....................................................................................................... 331第五节发行股份情况 ............................................................................................. 345一、发行股份购买资产并募集配套资金具体情况 ........................................................... 345二、募集配套资金具体情况 ............................................................................................... 347三、上市公司发行股份前后主要财务数据 ....................................................................... 365四、本次发行股份前后上市公司的股权结构 ................................................................... 365第六节标的资产的评估情况 ................................................................................. 368一、标的资产的评估基本情况 ........................................................................................... 368二、北京豪威股权评估 ....................................................................................................... 373三、思比科股权评估 ........................................................................................................... 403四、视信源股权评估 ........................................................................................................... 437五、独立董事对本次交易评估事项的意见 ....................................................................... 445第七节本次交易的主要合同 ................................................................................. 447一、发行股份购买资产协议及其补充协议 ....................................................................... 447二、利润补偿协议及其补充协议 ....................................................................................... 483第八节本次交易的合规性分析 ............................................................................. 502
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）一、本次交易符合《重组管理办法》的相关规定 ........................................................... 502二、本次交易不存在《发行管理办法》第三十九条规定的不得非公开发行股票的情形 ...................................................................................................................................................... 508第九节管理层讨论与分析 ..................................................................................... 510一、本次交易前上市公司财务状况和经营成果的讨论分析 ........................................... 510二、标的资产所处行业特点分析 ....................................................................................... 517三、标的企业的行业地位和核心竞争力 ........................................................................... 529四、交易标的最近两年及一期的财务状况分析 ............................................................... 537五、本次交易对上市公司的影响 ....................................................................................... 576第十节财务会计信息 ............................................................................................. 586一、北京豪威最近两年及一期合并财务报表 ................................................................... 586二、思比科最近两年及一期合并财务报表 ....................................................................... 589三、视信源最近两年及一期母公司财务报表 ................................................................... 593四、上市公司备考合并财务报告 ....................................................................................... 596第十一节同业竞争与关联交易 ............................................................................. 601一、同业竞争情况 ............................................................................................................... 601二、关联交易情况 ............................................................................................................... 601第十二节风险因素 ................................................................................................. 608一、与本次交易有关的风险 ............................................................................................... 608二、标的资产经营风险 ....................................................................................................... 610三、与上市公司相关的风险 ............................................................................................... 613四、其他风险 ....................................................................................................................... 614第十三节其他重要事项 ......................................................................................... 615一、本次交易完成后上市公司是否存在资金、资产被实际控制人或其他关联人占用和为实际控制人或其他关联人提供担保的情形 ............................................................................... 615二、上市公司负债结构的合理性说明 ............................................................................... 615三、上市公司最近十二个月重大资产交易情况 ............................................................... 615四、本次交易对上市公司治理机制的影响 ....................................................................... 617五、相关主体买卖上市公司股票的自查情况 ................................................................... 617六、现金分配政策与股东回报计划 ................................................................................... 620七、本次交易对中小投资者权益保护的安排 ................................................................... 623八、中介机构意见 ............................................................................................................... 628九、关于上市公司聘请第三方行为的核查 ....................................................................... 630第十四节本次交易的有关中介机构情况 ............................................................. 632一、独立财务顾问 ............................................................................................................... 632二、法律顾问 ....................................................................................................................... 632三、审计机构 ....................................................................................................................... 633四、评估机构 ....................................................................................................................... 633第十五节本次交易相关各方的声明 ..................................................................... 634
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）上市公司全体董事、监事及高级管理人员声明 ............................................................... 634独立财务顾问声明 ............................................................................................................... 635独立财务顾问声明 ............................................................................................................... 636法律顾问声明 ....................................................................................................................... 637审计机构声明 ....................................................................................................................... 638审计机构声明 ....................................................................................................................... 639资产评估机构声明 ............................................................................................................... 640第十六节备查文件及备查地点 ............................................................................. 641一、备查文件 ....................................................................................................................... 641二、备查地点 ....................................................................................................................... 641附件一：北京豪威及其合并报表范围内子公司、分公司房屋租赁情况 ........... 644附件二：截至 2018年7月31日北京豪威专利明细表 ....................................... 649一、在中国境内拥有的专利权 ........................................................................................... 649二、在中国境外拥有的专利权 ........................................................................................... 689
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）释义
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|公司/本公司/韦尔股份/上市公司|指|上海韦尔半导体股份有限公司|
|北京豪威|指|北京豪威科技有限公司|
|美国豪威/豪威科技|指|OmniVision Technologies, Inc.|
|思比科|指|北京思比科微电子技术股份有限公司|
|思比科有限|指|北京思比科微电子技术有限公司|
|视信源|指|北京视信源科技发展有限公司|
|本次交易/本次重组/本次重大资产重组/本项交易|指|韦尔股份发行股份购买北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权和视信源 79.93%股权，同时拟向不超过 10 名符合条件的特定对象非公开发行股份募集配套资金，募集资金规模不超过20亿元|
|标的资产/交易标的/拟购买资产|指|北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权和视信源79.93%股权|
|标的公司|指|北京豪威、思比科和视信源|
|本次发行股份购买资产|指|韦尔股份拟以发行股份的方式购买 25 名股东持有的北京豪威85.53%股权、思比科8名股东持有的思比科42.27%股权、视信源9名股东持有的视信源79.93%股权的行为|
|本次募集配套资金/配套融资|指|韦尔股份拟采用询价方式向不超过 10 名特定投资者非公开发行股份募集配套资金|
|本报告书/重组报告书|指|上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）|
|发行股份购买资产协议|指|《上海韦尔半导体股份有限公司与北京豪威科技有限公司部分股东之发行股份购买资产协议》、《上海韦尔半导体股份有限公司与北京思比科微电子技术股份有限公司部分股东之发行股份购买资产协议》和《上海韦尔半导体股份有限公司与北京视信源科技发展有限公司部分股东之发行股份购买资产协议》|
|补充协议|指|发行股份购买资产协议的补充协议|
|利润补偿协议|指|《上海韦尔半导体股份有限公司与北京豪威科技有限公司部分股东及虞仁荣之利润补偿协议》、《上海韦尔半导体股份有限公司与北京思比科微电子技术股份有限公司部分股东之利润补偿协议》和《上海韦尔半导体股份有限公司与北京视信源科技发展有限公司部分股东之利润补偿协议》及补充协议|
|交易对方|指|北京豪威股东绍兴韦豪、青岛融通、Seagull（A3）、嘉兴水木、嘉兴豪威、上海唐芯、Seagull Investments、开元朱雀、元禾华创、北京集电、天元滨海、惠盈一号、领智基石、金信华创、金信华通、西藏大数、上海威熠、西藏锦祥、上海摩勤、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、德威资本、深圳远卓、深圳兴平共25名；思比科股东北京博融、南昌南芯、山西TCL、华清博广、中关村创投、吴南健、陈杰、刘志碧共 8 名；视信源股东陈杰、刘志碧、金湘亮、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、陈黎明、吴南健共9名|
|绍兴韦豪|指|绍兴市韦豪股权投资基金合伙企业（有限合伙）|
|青岛融通|指|青岛融通民和投资中心（有限合伙）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|Seagull（A3）|指|Seagull Strategic Investments （A3）,LLC|
|嘉兴水木|指|嘉兴水木豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|
|嘉兴豪威|指|嘉兴豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|
|上海唐芯|指|上海唐芯企业管理合伙企业（有限合伙）|
|海鸥开曼|指|Seagull Holdings Cayman Limited|
|海鸥香港|指|Seagull Holdings Hong Kong Limited|
|Seagull Investments|指|Seagull Investments, LLC|
|金石暴风|指|青岛金石暴风投资咨询有限公司|
|珠海融峰|指|珠海融锋股权投资合伙企业（有限合伙）|
|润信豪泰|指|北京润信豪泰投资中心(有限合伙)|
|西藏长乐|指|西藏长乐投资有限公司|
|泰康保险|指|泰康保险集团股份有限公司|
|泰康人寿|指|泰康人寿保险有限责任公司|
|创意传奇|指|Creative Legend Investments Ltd.|
|奥视嘉创|指|深圳市奥视嘉创股权投资合伙企业（有限合伙）|
|深圳测度|指|深圳市测度通信技术有限公司|
|清控华科|指|清控华科（天津）投资中心（有限合伙）|
|首誉光控|指|首誉光控资产管理有限公司|
|开元朱雀|指|开元朱雀（深圳）股权投资合伙企业（有限合伙）|
|元禾华创|指|合肥元禾华创中合股权投资合伙企业（有限合伙）|
|北京集电|指|北京集成电路设计与封测股权投资中心（有限合伙）|
|天元滨海|指|北京天元滨海股权投资基金合伙企业（有限合伙）|
|惠盈一号|指|深圳惠盈一号投资合伙企业（有限合伙）|
|领智基石|指|马鞍山领智基石股权投资合伙企业（有限合伙）|
|金信华创|指|北京金信华创股权投资中心（有限合伙）|
|金信华通|指|南通金信华通股权投资中心（有限合伙）|
|西藏大数|指|西藏大数和泰实业有限公司|
|上海威熠|指|上海威熠企业管理咨询有限公司|
|西藏锦祥|指|西藏锦祥投资有限公司|
|上海摩勤|指|上海摩勤智能技术有限公司|
|Seagull（A1）|指|Seagull Strategic Investments（A1）, LLC|
|Seagull（C1-Int‘l）|指|Seagull Equity Investments（C1-Int‘l）（Hong Kong）Limited|
|Seagull（C3-Int‘l）|指|Seagull Equity Investments (C3-Int‘l) (Hong Kong) Limited|
|Seagull（C1）|指|Seagull Equity Investments（C1）,LLC|
|Seagull（C3）|指|Seagull Equity Investments (C3), LLC|
|Seagull（B1）|指|Seagull Equity Investments (B1) (Cayman), LLC|
|Seagull（B2）|指|Seagull Equity Investments (B-2) (Hong Kong) Limited|
|德威资本|指|深圳德威资本投资管理有限公司|
|深圳远卓|指|深圳市远卓财富投资企业（有限合伙）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|深圳兴平|指|深圳市兴平股权投资管理企业（有限合伙）|
|北京博融|指|北京博融思比科科技有限公司|
|南昌南芯|指|南昌南芯集成电路产业投资中心（有限合伙）|
|山西TCL|指|山西TCL汇融创业投资有限公司|
|华清博广|指|北京华清博广创业投资有限公司|
|中关村创投|指|北京中关村创业投资发展有限公司|
|鏖鼎合伙|指|杭州鏖鼎投资合伙企业（有限合伙）|
|中和春生|指|深圳市中和春生壹号股权投资基金合伙企业（有限合伙）|
|中科物联|指|江苏中科物联网创业投资有限公司|
|中关村集团|指|北京中关村发展集团股份有限公司|
|中海创业|指|北京中海创业投资有限公司|
|中海丰润|指|北京中海丰润投资管理中心（有限合伙）|
|嘉庆投资|指|浙江嘉庆投资有限公司|
|民生商联|指|苏州民生商联开元股权投资企业（有限合伙）|
|视之源|指|SuperPix Micro Technology Limited，视信源曾经的股东|
|JPE IE株式会社|指|JPE Innovation Engine | L.P.|
|DDS株式会社|指|DDS, Inc|
|先端组合|指|Advanced Technology Industry Creation Investment LimitedPartnership|
|龍尚一|指|SHOICHI RYU，日本籍自然人，视信源股东|
|戴伟民|指|Wayne wei-ming Dai，美国籍自然人，视信源股东|
|王瑋麟|指|Wang Ching Miao Wilson，香港居民，视信源股东|
|岡内英树|指|Hideki Okauchi，日本籍自然人，视信源股东|
|三原弘子|指|Hiroko mihara，日本籍自然人，视信源股东|
|股转系统|指|全国中小企业股份转让系统|
|上海清恩|指|上海清恩资产管理合伙企业（有限合伙）|
|香港韦尔|指|韦尔半导体香港有限公司，上市公司子公司|
|无锡中普微|指|无锡中普微电子有限公司，上市公司子公司|
|香港华清|指|香港华清电子（集团）有限公司，上市公司子公司|
|北京泰合志恒|指|北京泰合志恒科技有限公司，上市公司子公司|
|芯能投资|指|深圳市芯能投资有限公司|
|芯力投资|指|深圳市芯力投资有限公司|
|瑞滇投资|指|瑞滇投资管理有限公司|
|Seagull InvestmentHoldings|指|Seagull Investment Holdings Limited|
|SeagullInternational|指|Seagull International Limited|
|美国豪威|指|OmniVision Technologies, Inc.|
|新加坡豪威|指|OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.|
|豪威国际控股|指|OmniVision International Holding Ltd|
|豪威半导体|指|豪威半导体（上海）有限责任公司|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|豪威科技（上海）|指|豪威科技（上海）有限公司|
|太仓思比科|指|太仓思比科微电子技术有限公司|
|天津安泰|指|天津安泰微电子技术有限公司|
|中天信安|指|北京中天信安科技有限责任公司|
|苏州晶方|指|苏州晶方半导体科技股份有限公司|
|台积电|指|台湾积体电路制造股份有限公司|
|精材科技|指|精材科技股份有限公司|
|苏州科阳|指|苏州科阳光电科技有限公司|
|深圳印象|指|深圳印象认知技术有限公司|
|京鸿志物流|指|深圳市京鸿志物流有限公司|
|中国证监会|指|中国证券监督管理委员会|
|上交所/证券交易所|指|上海证券交易所|
|云交所|指|云南产权交易所有限公司|
|中登上海分公司|指|中国证券登记结算有限责任公司上海分公司|
|国务院|指|中华人民共和国国务院|
|发改委|指|中华人民共和国国家发展和改革委员会|
|商务部|指|中华人民共和国商务部|
|工信部|指|中华人民共和国工业和信息化部|
|独立财务顾问|指|国信证券股份有限公司、中德证券有限责任公司|
|国信证券|指|国信证券股份有限公司|
|中德证券|指|中德证券有限责任公司|
|立信会计师/上市公司审计机构|指|立信会计师事务所（特殊普通合伙）|
|普华永道|指|普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）|
|标的公司审计机构|指|普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）、立信会计师事务所（特殊普通合伙）|
|律师/法律顾问/天元律师|指|北京市天元律师事务所|
|评估机构/立信评估|指|上海立信资产评估有限公司|
|《公司法》|指|《中华人民共和国公司法》|
|《证券法》|指|《中华人民共和国证券法》|
|《重组管理办法》|指|《上市公司重大资产重组管理办法》|
|《26号准则》|指|《公开发行证券的公司信息披露内容与格式准则第 26 号——上市公司重大资产重组》|
|《重组若干规定》|指|《关于规范上市公司重大资产重组若干问题的规定》|
|《财务顾问管理办法》|指|《上市公司并购重组财务顾问业务管理办法》|
|《发行管理办法》|指|《上市公司证券发行管理办法》|
|《公司章程》|指|《上海韦尔半导体股份有限公司章程》|
|《上市规则》|指|《上海证券交易所股票上市规则》|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|《暂行规定》|指|《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》|
|《实施细则》|指|《上市公司非公开发行股票实施细则》|
|《关联交易管理制度》|指|《上海韦尔半导体股份有限公司关联交易管理制度》|
|报告期/最近两年及一期|指|2016年、2017年和2018年1-7月|
|最近一年及一期|指|2017年和2018年1-7月|
|报告期各期末|指|2016年12月31日、2017年12月31日和2018年7月31日|
|评估基准日|指|2018年7月31日|
|元、万元、亿元|指|人民币元、万元、亿元|
|美元|指|美国美元，美国货币单位|
|半导体产品|指|广义的半导体、电子元器件产品，包括集成电路芯片和其他电子元器件产品|
|半导体分销业务|指|广义的半导体、电子元器件分销业务，包括集成电路芯片和其他电子元器件分销业务|
|IC|指|Integrated Circuit即集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路|
|TVS|指|Transient Voltage Suppresser，即瞬态电压抑制器，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压|
|CMOS|指|Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 的简写，即互补型金属氧化物半导体，是一种电压控制的半导体放大器件，是大规模集成电路的基础单元|
|CP测试|指|Chip Prober测试，即IC在后工序之前都必须进行的测试程序，以验证产品的功能是否正常，挑出不良的产品，并区分性能等级|
|EMS|指|Electronic Manufacturer Service 或 称 Electronic ContractManufacturing，中文又译为专业电子代工服务，或电子专业制造服务，是为电子产品品牌拥有者提供制造、采购、部分设计以及物流等一系列服务的生产厂商|
|OEM|指|Original Equipment Manufacturer，贴牌生产合作模式，俗称―贴牌生产‖。指企业利用自己掌握的品牌优势、核心技术和销售渠道，将产品委托给具备生产能力的制造商生产后向市场销售。品牌拥有者（委托方）一般自行负责设计和开发新产品，有时也与制造商（受委托方）共同设计研发，但品牌拥有者控制销售渠道|
|ODM|指|Original Design Manufactuce，原始设计制造商。它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期维护的全部服务，客户只需向ODM 服务商提出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思，ODM服务商就可以将产品从设想变为现实|
|IDM|指|Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造商，代表垂直整合制造模式，指业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试等全业务环节的集成电路企业组织模式|
|Fabless|指|无晶圆厂的集成电路设计企业，与IDM相比，指仅仅从事集成电路的研发设计和销售，而将晶圆制造、封装测试业务外包给专门的晶圆代工、封装测试厂商的模式|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|FAE|指|Field Application Engineer，现场技术支持工程师, 也叫售前售后服务工程师。售前对客户进行产品的技术引导和技术培训、为客户进行方案设计以及给公司销售人员提供技术支持；售后对客户进行产品的售后技术服务、市场引导并将市场信息反馈给研发人员|
|CCD|指|Charge Coupled Device，电荷耦合元件|
|CameraCubeChip|指|一种采用先进的芯片级封装技术整合集成晶圆级光学器件和CMOS图像传感器创新的解决方案|
|LCOS|指|Liquid Crystal on Silicon，即液晶附硅，也叫硅基液晶，是一种基于反射模式，尺寸非常小的矩阵液晶显示装置|
|BSI|指|Backside Illumination，背面照射技术|

本报告书中除特别说明外所有数值保留两位小数，若出现各分项数值之和与总数尾数不符的情况，均为四舍五入原因造成。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）重大事项提示
本公司提醒投资者认真阅读本报告书全文，并特别注意下列事项：
一、本次交易方案概述
本次交易中，韦尔股份拟以发行股份的方式购买 25名股东持有的北京豪威85.53%股权、8名股东持有的思比科42.27%股权以及 9名股东持有的视信源79.93%股权，同时拟采取询价的方式向不超过 10名符合条件的特定投资者非公开发行股份募集配套资金不超过 20亿元，用于标的公司建设项目及支付中介机构费用。
上述交易标的中，视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权。本次交易完成后，韦尔股份将持有北京豪威89.45%股权、视信源79.93%股权，直接及间接持有思比科85.31%股权。
上市公司发行股份购买思比科42.27%股权以及视信源79.93%股权以上市公司发行股份购买北京豪威85.53%股权交易的成功实施为前提条件。若购买北京豪威的股权交易因任何原因未能生效或实施，则购买思比科及视信源的股权交易亦将停止实施。
本次发行股份购买资产不以募集配套资金的成功实施为前提，最终募集配套资金成功与否不影响本次发行股份购买资产行为的实施。如本次募集资金不足或未能实施完成，公司将以自筹资金的方式解决。
二、标的资产评估值及交易作价
立信评估以2018年7月31日为基准日，采用收益法、资产基础法对标的公司进行了评估，对北京豪威、思比科采用收益法结果作为评估值，对视信源采用资产基础法结果作为评估值。
根据发行股份购买资产协议及其补充协议，在评估值的基础上，经韦尔股
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）份与交易对方分别协商，同意本次重组的交易对价确定如下：
单位：万元
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|项目|北京豪威|思比科|视信源|
|100%股权评估值|1,413,100.00|54,600.00|29,243.76|
|非业绩承诺方交易作价标准|1,410,000.00|54,600.00|29,243.76|
|业绩承诺方交易作价标准|1,550,000.00|60,000.00|32,151.74|
|非业绩承诺方交易作价总额|235,615.31|19,518.72|2,339.50|
|业绩承诺方交易作价总额|1,066,695.31|3,910.86|23,126.74|

注：
1、北京豪威业绩承诺方合计持有北京豪威68.82%股权；非业绩承诺方合计持有北京豪威16.71%股权。
2、思比科业绩承诺方本次交易的思比科股权比例合计为6.52%；非业绩承诺方合计持有思比科35.75%股权。
3、视信源业绩承诺方合计持有视信源71.93%股权；非业绩承诺方合计持有视信源8.00%股权。
三、支付方式及募集配套资金安排
（一）发行股份购买资产
1、交易对方
本次交易中，发行股份购买北京豪威85.53%股权的交易对方为绍兴韦豪、青岛融通、Seagull（A3）、嘉兴水木、嘉兴豪威、上海唐芯、SeagullInvestments、开元朱雀、元禾华创、北京集电、天元滨海、惠盈一号、领智基石、金信华创、金信华通、西藏大数、上海威熠、西藏锦祥、上海摩勤、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、德威资本、深圳远卓、深圳兴平。发行股份购买思比科42.27%股权的交易对方为北京博融、南昌南芯、山西TCL、华清博广、中关村创投、吴南健、陈杰、刘志碧。发行股份购买视信源79.93%股权的交易对方为陈杰、刘志碧、金湘亮、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、陈黎明、吴南健。
2、发行股票种类和面值
本次发行股份购买资产发行股票的种类为境内上市人民币普通股（A股），
每股面值为人民币1.00元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）3、发行价格、定价基准日和定价原则
根据《重组管理办法》第四十五条的规定，上市公司发行股份的价格不得低于市场参考价的90%。市场参考价为上市公司审议本次重大资产重组的首次董事会决议公告日前20个交易日、60个交易日或120个交易日的公司股票交易均价之一。本次交易韦尔股份发行股份可选择的市场参考价具体情况如下：
单位：元/股
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|定价区间|定价基准日前20个交易日|定价基准日前60个交易日|定价基准日前120个交易日|
|交易均价|39.05|37.68|39.08|
|交易均价的90%|35.15|33.92|35.18|

以上交易均价的计算公式为：韦尔股份董事会决议公告日前若干个交易日公司股票交易均价=决议公告日前若干个交易日公司股票交易总额/决议公告日前若干个交易日公司股票交易总量。
基于上市公司停牌前的市场走势等因素，经友好协商，交易双方确定本次发行股份购买资产的定价依据为不低于定价基准日前 60个交易日韦尔股份股票交易均价的90%，即33.92元/股。
在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、资本公积金转增股本等除权除息事项，本次发行价格将作相应调整，发行股份数量也随之进行调整。
2018年8月10日，韦尔股份实施2017年度利润分配方案，每10股派发现金红利0.45元，本次发行价格相应调整为 33.88元/股。
4、发行数量及支付方式
本次购买资产向各交易对方的股票数量应按照以下公式进行计算：向各交易对方发行股份的数量=向各交易对方支付的交易对价总额/股份发行价格。
依据上述公式计算的发行数量精确至个位数，计算结果如出现不足 1股的
尾数舍去取整，即不足1股的金额赠予上市公司。
按照协商确定的33.88元/股（除息后）的上市公司股票发行价格，本次发行
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）股份购买资产的股份发行数量具体如下表所示：
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|-|-|-|-|-|-|
|标的资产|交易对方|持有标的资产股权比例（%）|本次交易资产占标的资产比例（%）|本次交易获得的对价总额（万元）|发行股份数（股）|
|北京豪威85.53%股权|绍兴韦豪|17.58|17.58|272,427.46|80,409,522|
||青岛融通|13.52|13.52|209,570.44|61,856,681|
||Seagull（A3）|6.74|6.74|104,403.34|30,815,626|
||嘉兴水木|5.83|5.83|90,363.46|26,671,624|
||嘉兴豪威|5.83|5.83|90,363.46|26,671,624|
||上海唐芯|5.00|5.00|77,500.00|22,874,852|
||Seagull Investments|4.98|4.98|77,176.58|22,779,392|
||开元朱雀|4.86|4.86|68,515.33|20,222,943|
||元禾华创|4.26|4.26|65,995.04|19,479,056|
||北京集电|3.54|3.54|54,832.37|16,184,287|
||天元滨海|3.53|3.53|49,819.15|14,704,590|
||惠盈一号|2.00|2.00|28,230.85|8,332,601|
||领智基石|2.00|2.00|28,200.00|8,323,494|
||金信华创|1.41|1.41|19,927.66|5,881,836|
||金信华通|0.94|0.94|13,285.11|3,921,224|
||西藏大数|0.71|0.71|9,963.83|2,940,918|
||上海威熠|0.65|0.65|10,132.26|2,990,631|
||西藏锦祥|0.47|0.47|6,642.55|1,960,612|
||上海摩勤|0.43|0.43|6,048.90|1,785,389|
||Seagull（A1）|0.40|0.40|6,210.15|1,832,985|
||Seagull（C1-Int‘l）|0.28|0.28|4,345.97|1,282,754|
||Seagull（C1）|0.22|0.22|3,374.76|996,091|
||德威资本|0.12|0.12|1,660.64|490,153|
||深圳远卓|0.12|0.12|1,660.64|490,153|
||深圳兴平|0.12|0.12|1,660.64|490,153|
||小计|85.53|85.53|1,302,310.62|384,389,191|
|思比科42.27%股权|北京博融|25.27|25.27|13,798.72|4,072,822|
||南昌南芯|4.76|4.76|2,600.00|767,414|
||山西TCL|3.81|3.81|2,080.00|613,931|
||华清博广|3.81|3.81|2,284.57|674,312|
||中关村创投|1.90|1.90|1,040.00|306,965|
||吴南健|1.42|1.42|850.29|250,969|
||陈杰|3.83|0.96|574.06|169,438|
||刘志碧|1.35|0.34|201.94|59,605|
||小计|46.15|42.27|23,429.58|6,915,456|

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|标的资产|交易对方|持有标的资产股权比例（%）|本次交易资产占标的资产比例（%）|本次交易获得的对价总额（万元）|发行股份数（股）|
|视信源79.93%股权|陈杰|45.85|45.85|14,741.57|4,351,113|
||刘志碧|13.49|13.49|4,337.27|1,280,185|
||金湘亮|6.06|6.06|1,772.17|523,073|
||旷章曲|4.42|4.42|1,421.11|419,453|
||董德福|2.30|2.30|739.49|218,267|
||程杰|2.25|2.25|723.41|213,522|
||钟萍|2.21|2.21|710.55|209,726|
||陈黎明|1.94|1.94|567.33|167,452|
||吴南健|1.41|1.41|453.34|133,807|
||小计|79.93|79.93|25,466.25|7,516,598|
|合计||-|-|1,351,206.44|398,821,245|

本次发行股份购买资产的股份最终发行数量以中国证监会核准的股数为准。在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、公积金转增股本等除权除息事项，各方将按照相关规则对上述发行股份数量做相应调整。
5、滚存未分配利润安排
本次发行完成后，本次发行前上市公司滚存的未分配利润，由上市公司新老股东按本次发行完成后各自持有上市公司股份的比例共同享有。
6、锁定期安排
本次交易中，发行股份购买资产的交易对方的股份锁定期具体安排如下：
（1）北京豪威交易对方的股份锁定安排
①本次向绍兴韦豪发行的股份，自股份上市之日起 36个月内不得转让；前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，韦尔股份本次向绍兴韦豪发行股份的100%扣减其截至该时点已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后的剩余
股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则绍兴韦
豪可解锁的股份数为0。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易完成后 6个月内如韦尔股份股票连续 20个交易日的收盘价低于本次交易发行价，或者交易完成后 6个月期末收盘价低于发行价，承诺方持有韦尔股份股票的锁定期自动延长至少6个月。
②本次向青岛融通、北京集电、嘉兴水木、嘉兴豪威、Seagull（A3）、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、上海威熠发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让；前述期限届满后，按如下约定解锁：
a前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的50%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
b韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的另外20%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
c韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的剩余30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁。
d各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则当年上述发行对象可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
③本次向 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯发行的股份，其取得本次发行的股份时，若其持续持有北京豪威股权的时间不足 12个月，则自股份上市之日起 36个月内不得转让，前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，向上述发行对象发行股份的100%扣减其各自截至该时点应补偿的股份数（如有）后的剩余股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于 0的，则其可解锁的股份数为0。
若 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯取得本项发行的股份时，其持续持有北京豪威股权的时间已满12个月，则自股份上市之日起12个月内不得转
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）让，前述期限届满后，其解锁方式与青岛融通、北京集电、嘉兴水木、嘉兴豪威、Seagull（A3）、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、上海威熠相同。
④本次向开元朱雀、天元滨海、惠盈一号、金信华创、金信华通、西藏大数、西藏锦祥、德威资本、深圳远卓、深圳兴平发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让。
⑤若领智基石、上海摩勤取得本项发行的股份时，其持续持有北京豪威股权的时间不足12个月，则自股份上市之日起36个月内不得转让。
若领智基石、上海摩勤取得本项发行的股份时，其持续持有北京豪威股权的时间已满12个月，则自股份上市之日起 12个月内不得转让。
（2）思比科交易对方的股份锁定安排
①本次向陈杰、刘志碧及吴南健发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让；前述期限届满后，按照如下约定进行解锁：
a前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露思比科 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的20%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
b韦尔股份在指定媒体披露思比科 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的另外30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
c韦尔股份在指定媒体披露思比科 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的剩余50%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁。
d各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则上述发行对象当年各自可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
②若华清博广取得本项发行的韦尔股份股票时，持续持有思比科的时间不
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）足 12个月，则本次向华清博广发行的股份自股份上市之日起 36个月内不得转让，前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露思比科2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向华清博广发行股份的100%扣减其各自截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后的剩余股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则华清博广可解锁的股份数为0。
若华清博广取得本项发行的韦尔股份股票时，持续持有思比科的时间已满12个月，则本次向华清博广发行的股份自股份上市之日起12个月内不得转让，前述期限届满后，其解锁方式与陈杰、刘志碧、吴南健相同。
③本次向北京博融、南昌南芯、山西TCL、中关村创投发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让。
（3）视信源交易对方的股份锁定安排
①本次向陈杰、刘志碧、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、吴南健发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让。前述期限届满后，按如下约定解锁：
a前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露视信源 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的20%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
b韦尔股份在指定媒体披露视信源 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的另外30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
c韦尔股份在指定媒体披露视信源 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的剩余50%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁；
d各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于 0的，则上述发行对象当年各自可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②本次向金湘亮、陈黎明发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让。
本项交易实施后，业绩承诺方中的各方由于上市公司送股、转增股本等原因增持的上市公司股份，亦应遵守上述约定。
如证券监管部门对股份锁定还有其他要求的，本项发行的股份的转让、交易还应遵守届时有效的法律、行政法规、行政规章、规范性文件和上交所的有关规定和证券监管部门的相关要求。
（4）虞仁荣的股份锁定安排
根据《证券法》第九十八条规定：―在上市公司收购中，收购人持有的被收购的上市公司的股票，在收购行为完成后的十二个月内不得转让。‖以及《上市公司收购管理办法》第七十四条规定：―在上市公司收购中，收购人持有的被收购公司的股份，在收购完成后 12个月内不得转让。收购人在被收购公司中拥有权益的股份在同一实际控制人控制的不同主体之间进行转让不受前述 12个月的限制。‖上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣作为本次交易对方绍兴韦豪的实际控制人，就本次交易前持有的韦尔股份股票，作出如下承诺：
―本人在本次交易前持有的韦尔股份股票，自本次交易发行的股份上市之日起的12个月内不得转让。
本次交易实施完成后，本人由于韦尔股份送红股、转增股本等原因增持的韦尔股份股票，亦应遵守上述约定。
如监管规则或监管机构对锁定期有更长期限的明确要求的，按照监管规则或监管机构的要求执行。‖
7、标的资产期间损益归属
标的资产在过渡期内的收益归韦尔股份所有；在过渡期内的亏损由交易对方按照其截至发行股份购买资产协议签署之日持有的标的公司出资比例向韦尔股份补足。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）8、上市地点
韦尔股份本次发行的股票上市地点为上交所。
9、决议有效期
与本次发行股份购买资产有关的决议自股东大会审议通过之日起 12个月内有效。
（二）发行股份募集配套资金
1、发行股票的种类和面值
本次募集配套资金所发行的股票为境内上市人民币普通股（A股），每股面值人民币 1.00元。
2、发行价格、定价基准日和定价原则
本次募集配套资金的定价原则为询价发行，募集配套资金的定价基准日为本次非公开发行股票发行期的首日。本次募集配套资金的股份发行价格不低于定价基准日前20个交易日上市公司股票交易均价的90%。
本次募集配套资金的最终股份发行价格将在本次交易获得中国证监会核准后，根据有关规定及发行对象申购报价的情况，最终由公司股东大会授权董事会与主承销商按照价格优先等原则合理确定。
在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、公积金转增股本等除权除息事项，配套融资发行价格将作相应调整。
3、发行方式
本次发行股份募集配套资金采取向特定投资者非公开发行股份的方式。
4、发行对象
本次发行股份募集配套资金的发行对象为符合中国证监会规定的证券投资基金管理公司、证券公司、保险机构投资者、信托投资公司、财务公司、合格境外机构投资者，以及符合法律法规规定的其他法人、自然人或其他合格的投
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）资者等不超过 10名特定投资者。该等特定投资者均以现金认购本次发行的股份。
5、发行数量
本次交易拟募集配套资金总额不超过 20亿元，不超过本次拟发行股份购买资产交易价格的100%。最终发行数量将根据以下两项孰低原则确定：①根据本次募集配套资金总额和发行价格确定的股份数；②发行前总股本的20%，即 91,162,788股。自配套融资定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、公积金转增股本等除权除息事项，各方将按照相关规则对上述股份数量做相应调整。
6、配套募集资金用途
本次配套募集资金拟用于标的公司建设项目及支付中介机构费用。具体用途如下：
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|序号|项目名称|拟使用募集资金（万元）|占比（%）|
|1|晶圆测试及晶圆重构生产线项目（二期）|170,000.00|85.00|
|2|硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目（二期）|20,000.00|10.00|
|3|支付中介机构费用|10,000.00|5.00|
||合计|200,000.00|100.00|

本次募集资金到位后，上市公司将以募集资金置换已先行投入的募集资金投资项目资金。
在上述募集资金投资项目的范围内，公司董事会可根据项目的实际需求及资金需求，按照相关法律法规以及股东大会的授权对上述项目的募集资金投入金额进行适当调整。
7、滚存未分配利润安排
公司在本次发行前的滚存未分配利润均由本次发行完成后公司的新老股东按照其持股比例共同享有。
8、锁定期安排
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易上市公司拟向不超过 10名符合条件的特定投资者募集配套资金，投资者认购的股份自股份上市之日起12个月内不得转让。
本次发行完成后至锁定期满之日止，由于上市公司分配股票股利、转增股本等原因增持的股份，亦应遵守上述约定。
本次所认购的上市公司股份锁定期届满后减持股份时，应当遵守中国证监会、上交所届时有效的相关规定。
9、上市地点
本次非公开发行股票拟在上交所上市交易。
10、决议有效期
与本次发行股份募集配套资金有关的决议自股东大会审议通过之日起 12个月内有效。
四、业绩承诺与补偿安排
根据韦尔股份与北京豪威、思比科、视信源业绩承诺方分别签署的《利润补偿协议》，业绩承诺如下：
（一）盈利承诺期
本次交易经《利润补偿协议》各方董事会/股东大会或有权机关批准和中国证监会核准，韦尔股份发行股份购买的标的资产变更至韦尔股份名下，为本次交易实施完毕之日。
北京豪威、思比科、视信源业绩承诺方承诺盈利承诺期为本次交易实施完毕当年及其后的两个完整会计年度。如本次交易在 2019年内实施完毕，盈利承诺期为2019年、2020年和2021年。
（二）业绩承诺方
北京豪威业绩承诺方为绍兴韦豪、青岛融通、Seagull（A3）、嘉兴水木、嘉兴豪威、上海唐芯、SeagullInvestments、元禾华创、北京集电、上海威熠、
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1），合计持有北京豪威68.82%股权。此外，2018年 8月 6日，韦尔股份与虞仁荣控制的上海清恩签署《股权转让协议》，约定上海清恩将其持有的北京豪威 25,560,575美元出资金额以 277,768,098元的价格转让给韦尔股份（以下简称―上海清恩股权转让价款‖），虞仁荣亦作为北京豪威业绩承诺方。
思比科业绩承诺方为华清博广、吴南健、陈杰、刘志碧，合计持有且参与交易的思比科股权比例为6.52%。
视信源业绩承诺方为陈杰、刘志碧、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、吴南健，合计持有视信源71.93%股权。
（三）利润承诺
业绩承诺方承诺标的公司在盈利承诺期内实现的经具有证券期货业务资格的会计师事务所审计的合并报表中扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润不低于如下数额：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|业绩承诺方|2019年|2020年|2021年|
|北京豪威|54,541.50|84,541.50|112,634.60|
|思比科|2,500|4,500|6,500|
|视信源|1,346|2,423|3,500|

2019-2021年，北京豪威因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值摊销的影响数预计分别为15,458.50万元、15,458.50万元和17,365.40万元，因此北京豪威业绩承诺方实际承诺的经营业绩预计分别为 70,000万元、100,000万元和130,000万元。
在本次交易中，募集的配套资金将投入到北京豪威子公司，配套资金的使用、收益、亏损将单独核算，北京豪威在盈利承诺期内的实际净利润数应以剔除配套资金产生的收益及亏损后的净利润数为准。
（四）利润补偿的确定和实施
1、实际净利润差异的审核确定
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）盈利承诺期的每一会计年度结束后的 4个月内，上市公司聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所出具《专项审核报告》，承诺净利润数与实际净利润数的差额根据该会计师事务所出具的标准无保留意见的《专项审核报告》确定。
若会计师事务所无法出具标准无保留意见的《专项审核报告》，标的公司及其子公司将根据会计师事务所的建议调整公司账务处理、财务报表及盈利预测实现情况说明等财务相关资料，并以会计师事务所最终审核认可的净利润数作为标的公司实现的实际净利润数，由业绩承诺方按《利润补偿协议》约定承担补偿责任。
2、利润补偿安排
盈利承诺期内，标的公司截至当期期末累积实际净利润数低于截至当期期末累积承诺净利润数，对应的业绩承诺方应当优先以其在本项交易中获得的上市公司股票进行补偿，不足部分，由对应的业绩承诺方以现金补偿。
上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣追加部分，以现金方式进行补偿。
3、补偿数额的计算
（1）北京豪威业绩补偿方补偿数额的计算
当期合计应补偿金额=（截至当期期末累积承诺净利润数－截至当期期末累积实现净利润数）÷补偿期限内各年的预测净利润数总和×（标的资产作价+上海清恩股权转让价款）－累积已补偿金额。其中：
①绍兴韦豪当期应补偿金额=当期合计应补偿金额×绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×业绩承诺方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总金额+上海清恩股权转让价款）
②交易对方除绍兴韦豪外的其他各方当期应补偿金额=当期合计应补偿金额×该方在本项交易中获得的交易对价金额×70%÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）交易对价金额+70%×业绩承诺方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额+上海清恩股权转让价款）
③虞仁荣当期应补偿金额=当期合计应补偿金额×上海清恩股权转让价款÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×业绩承诺方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额+上海清恩股权转让价款）
交易对方中的各方当期应补偿股份数量=业绩承诺方中的各方当期应补偿金额÷本次股份发行价格
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
（2）思比科、视信源业绩补偿方补偿数额的计算
当期应补偿金额=（截至当期期末累积承诺净利润数－截至当期期末累积实现净利润数）÷补偿期限内各年的预测净利润数总和×标的资产作价－累积已补偿金额
当期应补偿股份数量=当期应补偿金额÷本次股份发行价格
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
4、利润补偿的实施
业绩承诺方在盈利承诺期内应逐年对上市公司进行补偿，各年计算的应补偿金额小于或等于0时，按0计算，即已经补偿的金额不冲回。
盈利承诺期内，除虞仁荣外的业绩承诺方补偿的股份由韦尔股份按总价1.00元回购并依法注销。上市公司在应补偿年度《专项审核报告》出具后召开董事会、股东大会审议上述股份回购及后续注销的相关事宜，并在股东大会审议通过后及时办理上述股份回购注销事宜。
虞仁荣应在《专项审核报告》披露后 30日内将当期应补偿的现金支付给上市公司。
（五）减值测试及实施
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）1、减值测试及补偿安排
在盈利承诺期届满时，上市公司聘请的会计师事务所对标的公司业绩实现情况进行《专项审核报告》的同时，对标的资产进行减值测试并出具《减值测试审核报告》。若标的资产期末减值额＞已补偿金额（包括已补偿股份金额和现金金额），则业绩承诺方应按《利润补偿协议》的约定另行对上市公司进行补偿。
2、减值补偿数额的计算
（1）北京豪威减值补偿数额的计算
减值补偿金额=减值测试资产期末减值额－在盈利承诺期内因实际净利润数不足承诺净利润数已支付的补偿金额，其中：
①绍兴韦豪应补偿金额=减值补偿金额×绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×业绩承诺方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总金额）
②交易对方除绍兴韦豪外的其他各方应补偿金额=减值补偿金额×该方在本项交易中获得的交易对价金额×70%÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×业绩承诺方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额）
（2）思比科、视信源减值补偿数额的计算
减值补偿金额=期末减值额－在盈利承诺期内因实际净利润数不足承诺净利润数已支付的补偿金额。
业绩承诺方应首先以本项交易获得的上市公司股份履行减值补偿义务。业绩承诺方应补偿股份数=减值补偿金额÷本次股份发行价格。
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
（六）补偿限额及内部责任分担
1、北京豪威
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）绍兴韦豪因北京豪威实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括股份补偿和现金补偿）金额合计不超过其在本项交易中取得的交易对价总额。
北京豪威业绩承诺方中除绍兴韦豪外的其他各方因北京豪威实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括股份补偿和现金补偿）金额合计不超过其在本项交易中取得的交易对价总额的70%。
虞仁荣因北京豪威实际净利润数不足承诺净利润而支付的补偿金额不超过上海清恩股权转让价款。
2、思比科
（1）补偿限额
思比科业绩承诺方因思比科实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括现金补偿和股份补偿）金额合计不超过思比科业绩承诺方在本项交易中取得的交易对价金额。
（2）内部责任分担
思比科业绩承诺方内部按照各自在本项交易中取得的交易对价金额占思比科业绩承诺方在本项交易中合计取得的交易对价总金额的比例分担本协议约定的补偿责任。
3、视信源
（1）补偿限额
视信源业绩承诺方因视信源实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括现金补偿和股份补偿）金额合计不超过视信源业绩承诺方在本项交易中取得的交易对价金额。
（2）内部责任分担
视信源业绩承诺方内部按照各自在本项交易中取得的交易对价金额占视信
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）源业绩承诺方在本项交易中合计取得的交易对价总金额的比例分担本协议约定的补偿责任。
五、本次交易构成重大资产重组
根据韦尔股份、北京豪威、思比科、视信源 2017年财务数据，本次交易相关指标占交易前上市公司最近一个会计年度经审计财务指标的比例计算如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|资产总额|营业收入|资产净额|
|北京豪威100%股权|1,433,450.18|905,038.73|904,356.44|
|思比科42.27%股权|24,175.28|46,008.93|9,795.75|
|视信源79.93%股权|393.10|-|229.84|
|标的资产合计|1,458,018.56|951,047.67|914,382.03|
|成交金额|1,574,925.47|-|1,574,925.47|
|韦尔股份|282,490.82|240,591.63|117,976.44|
|财务指标占比|557.51%|395.30%|1,334.95%|

注1：2018年7月和8月，韦尔股份分别收购了北京豪威1.9543%和1.97%股权，合计3.9243%，成交金额合计54,977.16万元。
注2：2018年11月23日，韦尔股份通过云交所成功竞买瑞滇投资挂牌出售的芯能投资100%股权、芯力投资100%股权，成交价格合计168,741.925万元。2018年11月28日，交易各方签署了产权交易合同，截至目前，尚未办理工商变更登记手续。
根据上表，标的资产 2017年资产总额、营业收入、资产净额占上市公司 2017年经审计合并财务会计报告相应财务指标的比例均超过50%，因此本次交易构成重大资产重组。同时，由于本次交易涉及发行股份购买资产，需提交中国证监会并购重组委审核，并在取得中国证监会核准后方可实施。
六、本次交易不构成重组上市
本次交易前，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的61.30%，为上市公司控股股东、实际控制人。
本次交易完成后，在不考虑配套融资的情况下，按照标的资产交易作价、上市公司股份发行价格初步计算，虞仁荣直接持有上市公司32.70%的股份，通
过其控制的绍兴韦豪间接持有上市公司9.41%的股份，剔除虞仁荣控制的绍兴
韦豪在本次交易停牌前六个月内取得的标的资产权益，虞仁荣仍持有上市公司
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）42.11%的股份，仍为上市公司控股股东、实际控制人。
因此，根据《重组管理办法》第十三条之规定，本次交易不构成重组上市。
七、本次交易构成关联交易
目前，韦尔股份的控股股东、实际控制人为虞仁荣，其亦为本次重组交易对方绍兴韦豪的实际控制人。韦尔股份的监事陈智斌担任交易对方北京博融的董事。
此外，本次重组完成后，若不考虑配套融资，青岛融通将持有上市公司7.24%股份，嘉兴水木、嘉兴豪威和华清博广为一致行动人，将合计持有上市公司6.32%股份。
根据《上市规则》的相关规定，绍兴韦豪、青岛融通、嘉兴水木、嘉兴豪威、北京博融、华清博广为上市公司的关联方，本次重组构成关联交易。关联董事在审议本次交易的董事会会议上回避表决，关联股东将在股东大会上回避表决。
八、本次交易对上市公司的影响
（一）本次交易对上市公司股权结构的影响
本次交易前，韦尔股份总股本为 455,813,940股，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的比例为61.30%。根据标的资产的交易作价及上市公司股份发行价格，本次购买资产发行股份数量合计 398,821,245股。本次交易完成后，上市公司总股本将增加至 854,635,185股（不考虑发行股份募集配套资金部分）。
本次交易前后，韦尔股份的股权结构变化情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|原上市公司股东|||||

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||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|虞仁荣|279,435,000|61.30|279,435,000|32.70|
|其他股东|176,378,940|38.70|176,378,940|20.64|
|小计|455,813,940|100.00|455,813,940|53.33|
|交易对方|||||
|绍兴韦豪|—|—|80,409,522|9.41|
|青岛融通|—|—|61,856,681|7.24|
|Seagull（A3）|—|—|30,815,626|3.61|
|嘉兴水木|—|—|26,671,624|3.12|
|嘉兴豪威|—|—|26,671,624|3.12|
|上海唐芯|—|—|22,874,852|2.68|
|Seagull Investments|—|—|22,779,392|2.67|
|开元朱雀|—|—|20,222,943|2.37|
|元禾华创|—|—|19,479,056|2.28|
|北京集电|—|—|16,184,287|1.89|
|天元滨海|—|—|14,704,590|1.72|
|惠盈一号|—|—|8,332,601|0.97|
|领智基石|—|—|8,323,494|0.97|
|金信华创|—|—|5,881,836|0.69|
|陈杰|—|—|4,520,551|0.53|
|北京博融|—|—|4,072,822|0.48|
|金信华通|—|—|3,921,224|0.46|
|西藏大数|—|—|2,940,918|0.34|
|上海威熠|—|—|2,990,631|0.35|
|西藏锦祥|—|—|1,960,612|0.23|
|上海摩勤|—|—|1,785,389|0.21|
|Seagull（A1）|—|—|1,832,985|0.21|
|刘志碧|—|—|1,339,790|0.16|
|Seagull（C1-Int‘l）|—|—|1,282,754|0.15|
|Seagull（C1）|—|—|996,091|0.12|
|德威资本|—|—|490,153|0.06|
|深圳远卓|—|—|490,153|0.06|
|深圳兴平|—|—|490,153|0.06|
|南昌南芯|—|—|767,414|0.09|
|山西TCL|—|—|613,931|0.07|
|华清博广|—|—|674,312|0.08|

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||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|中关村创投|—|—|306,965|0.04|
|金湘亮|—|—|523,073|0.06|
|旷章曲|—|—|419,453|0.05|
|吴南健|—|—|384,776|0.05|
|董德福|—|—|218,267|0.03|
|程杰|—|—|213,522|0.02|
|钟萍|—|—|209,726|0.02|
|陈黎明|—|—|167,452|0.02|
|小计|—|—|398,821,245|46.67|
|合计|455,813,940|100.00|854,635,185|100.00|

本次交易完成后，如不考虑配套融资的影响，虞仁荣直接持有韦尔股份 279,435,000股，占上市公司总股本的32.70%；通过其控制的绍兴韦豪间接持有韦尔股份80,409,522股，占上市公司总股本的9.41%。虞仁荣合计持股数占上市公司总股本的42.11%，仍为控股股东及实际控制人，本次交易将不会导致上市公司的控制权变更。
（二）本次交易对上市公司业务的影响
本次交易前，韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。分销业务主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。
本次交易标的公司豪威科技、思比科为芯片设计公司，主营业务均为 CMOS图像传感器的研发和销售，韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。通过本次交易，一方面丰富了上市公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来智能手机、安防、汽车、医疗等领域
优质的客户资源。此外，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面
的市场信息，标的公司可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
本次交易，韦尔股份与标的公司业务高度协同，符合上市公司未来发展战略布局。
（三）本次交易对上市公司财务状况及盈利能力的影响
韦尔股份2016年、2017年和2018年1-7月的营业收入分别为21.61亿元、 24.06亿元和 23.08亿元，归属于上市公司股东的净利润分别为 1.42亿元、1.37亿元、1.92亿元。根据《利润补偿协议》及其补充协议，本次发行股份购买资产的业绩承诺方承诺北京豪威、思比科、视信源在业绩承诺期（2019-2021年度）三年合计经审计的扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润分别不低于251,717.60万元、13,500.00万元和7,269.94万元。
本次交易有利于扩大上市公司资产规模，进一步改善财务状况，增强持续盈利能力，交易完成后，上市公司盈利水平将进一步提高。
（四）本次交易对上市公司关联交易的影响
1、本次交易构成关联交易
本次交易对方绍兴韦豪为韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣控制的企业。韦尔股份的监事陈智斌担任交易对方北京博融的董事。此外，本次重组完成后，若不考虑配套融资，青岛融通将持有上市公司7.24%股份，嘉兴水木、嘉兴豪威和华清博广为一致行动人，将合计持有上市公司6.32%股份，上述企业将成为上市公司的关联方。因此，本次交易构成关联交易。
2、本次交易完成后的关联交易情况
本次交易前，上市公司关联交易均遵循公开、公平、公正的原则，上市公司所有关联交易均以双方平等协商为基础，履行必要的决策程序，定价合理、公允。上市公司监事会、独立董事能够依据法律、法规及公司章程等的规定，勤勉尽责，切实履行监督职责，对关联交易及时发表意见。上市公司对关联交
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）易的控制能够有效防范风险，加强上市公司治理，维护上市公司及广大中小股东的合法权益。
本次交易完成后，上市公司将不会因本次交易新增关联交易。北京豪威、思比科、视信源将成为上市公司的子公司，有利于减少关联交易，上市公司将继续严格按照《上市规则》、《公司章程》、《关联交易管理制度》等有关法律法规、规范性文件及公司制度的有关要求，审议、披露关联交易事项，确保关联交易的价格合理、公允，维护上市公司及股东的合法权益。
3、关于规范关联交易的承诺
为在本次交易完成后减少并规范关联交易，维护上市公司及中小股东的利益，韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于规范关联交易的承诺函》。
《关于规范关联交易的承诺函》的具体内容详见本报告书―重大事项提示‖之―十、本次交易相关方作出的重要承诺‖。
（五）本次交易对上市公司同业竞争的影响
本次交易完成后，韦尔股份与控股股东、实际控制人之间不存在同业竞争。为充分保护上市公司利益，避免同业竞争，上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于避免同业竞争的承诺》。
《关于避免同业竞争的承诺》的具体内容详见本报告书―重大事项提示‖之―十、本次交易相关方作出的重要承诺‖。
（六）本次交易完成后上市公司对标的公司的整合
1、本次交易完成后对标的公司的具体整合计划
（1）北京豪威
北京豪威目前根据《中外合资经营企业法》制定了决策程序和相关规章制度。
公司董事长虞仁荣自 2017年 9月 20日起担任北京豪威董事，并于 2017年 9月 29日担任北京豪威总经理兼首席执行官；公司董事、财务总监、董事会秘书贾
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）渊自 2018年 4月 28日起担任北京豪威董事；公司证券事务代表任冰自 2018年7月20日起担任北京豪威监事。
本次交易完成后，北京豪威相关制度将根据《公司法》、《上市公司治理准则》、韦尔股份《控股子公司管理制度》等相关法规和内控管理制度进行修订和调整。由于美国豪威成立于 1995年，已建立了较为完善严谨的经营管理决策程序和内部控制制度，在其长期经营中已充分证明了该内部制度的有效性，因此不会大幅调整。
上市公司将在财务上对北京豪威实行统一管理，不断规范日常经营活动中财务运作，降低财务风险，同时提高上市公司体系资金使用效率，实现内部资源的统一管理及优化配置。
（2）思比科、视信源
本次收购前，思比科已经按照法律法规的要求，建立了完善的法人治理结构，并规范运作。本次收购完成后，思比科将纳入上市公司管理体系，按照上市公司《控股子公司管理制度》等相关法规和内控管理制度进行修订和调整，思比科的公司治理结构将进一步完善，整体经营效率及公司治理有效性将进一步提升。
视信源作为思比科的持股公司，无实际经营。本次收购后，上市公司保证其管理层与治理层的稳定，按照目前的机构设置进行管理。
2、公司具备整合标的公司所需的相关人员、技术和管理储备
本次交易后，上市公司将维持标的公司原有经营管理团队和业务团队的相对稳定，标的公司核心管理及技术团队成员将全部留任，维持独立经营状态，韦尔股份将参与标的公司的重大经营决策。
韦尔股份是国内少数集半导体产品设计及分销业务为一体的上市公司，根据上市公司未来发展战略布局，本次交易完成后，韦尔股份将对豪威科技及思比科进行业务分工，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，具体协同效应见本报告书―第一节本次交易概
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）况‖之―七、本次交易对上市公司的影响‖之―（七）上市公司与标的公司的协同效应‖。
3、本次交易完成后核心管理团队以及研发技术人员的安排意向
鉴于本次交易转让的标的资产为标的公司股权，本次交易完成后，标的公司及其子公司作为独立法人的身份不会发生变化，标的公司及其子公司将继续履行与其员工的劳动合同，并不因本次交易而导致额外的人员安排问题。根据北京豪威和思比科与上市公司签订的《发行股份购买资产协议》，北京豪威和思比科承诺在本次发行的股份完全解锁前，尽量保持公司及子公司核心经营管理团队和核心技术团队的基本稳定。
韦尔股份董事长虞仁荣自 2017年 9月起担任美国豪威董事、首席执行官，已参与到美国豪威的日常经营管理工作当中。本次交易完成后，上市公司会根据经营管理需要，另行决定是否委派董事或高级管理人员对标的公司进行管理。同时上市公司将保留标的公司相对独立的运营管理权，主要由原核心管理团队负责日常业务的运营和管理。此外，由于标的公司属于知识密集型行业，核心技术人员是标的公司核心竞争力的重要体现。本次交易完成后，上市公司会利用合理的激励措施来稳定核心技术团队。
（七）上市公司与标的公司的协同效应
豪威科技与思比科的主营业务均为 CMOS图像传感器研发和销售。从销售额和市场占有率来看，豪威科技是位索尼、三星之后的全球第三大 CMOS图像传感器供应商，技术处于全球领先水平，其 CMOS图像传感器在中高端智能手机市场占有较高份额，在安防、汽车用图像传感器领域也处于行业领先地位，具有很高的市场接受度和发展潜力。思比科 CMOS图像传感器在国内中低端智能手机市场占有较高份额。韦尔股份通过本次重组，可以实现在 CMOS图像传感器领域高中低端产品的垂直全覆盖，三者又有较明显的协同效应。
韦尔股份是国内少数集半导体产品设计及分销业务为一体的上市公司，根据上市公司未来发展战略布局，本次交易完成后，韦尔股份将对豪威科技及思比科进行业务分工。豪威科技拥有较强的研发及技术优势，凭借自身高素质的研发团
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）队及市场领先的经验技术，将主要负责高端 CMOS图像传感器的研发、量产以及新兴市场的产品定义及拓展；而思比科拥有较低成本、较高性价比优势，将依赖自身长期建立的供应链体系，主要负责中低端 CMOS图像传感器的研发及量产。
本次交易，韦尔股份与标的公司业务高度协同。具体协同效应体现如下：
1、标的公司可以更专注于技术研发
韦尔股份是国内有较高影响力的半导体分销商之一，自身拥有强大的半导体分销体系、完善的销售网络和供应链体系以及高技术、高执行力、高服务能力的现场技术支持工程师团队。标的公司主要从事芯片设计，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，标的公司可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品技术研发上，进而使其整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
2、标的公司受益于上市公司的销售渠道
目前，韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。标的公司可以借助韦尔股份强大的销售能力和分销渠道，提升产品市场份额。韦尔股份创始人虞仁荣在半导体产品分销行业已有 20多年的从业经验，韦尔股份之全资子公司香港华清专注于半导体产品分销，在行业内具有较高影响力，豪威科技、思比科可借助韦尔股份的分销渠道扩大销售、提升产品市场占有率。
3、上市公司受益于标的公司
目前，韦尔股份半导体设计业务主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等，与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。本次交易，一方面能够丰富韦尔股份设计业务产品类别，增加 CMOS图像传感器产品，带动韦尔股份半导体设计整体技术水平快速提升，在无需增加过多销售投入的情况下为下游客户提供更丰富的产品；另一方面标的公司也为韦尔股份带来移动通信、安防、汽车电子、医疗等领域优质的客户资源。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）4、标的公司之间的协同
本次交易完成后，在研发上，思比科将借助豪威科技强大的行业定义及产品设计能力，在豪威科技的技术带动下，其设计及产品定义能力将大幅提升。
同时思比科长期致力于中低端 CMOS图像传感器的研发设计，对于豪威科技的高端技术前沿产品，其能够通过部分工艺及参数修改，以满足中低端 CMOS传感器市场的需求。同时双方在研发过程中的参数及良率等试验数据的共享，能够大大缩短研发进程，节约研发成本。
综上所述，本次交易完成后，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，这些协同效应将最终体现在经营效率的提高、成本的下降、未来上市公司经营业绩的提高等方面。
九、本次交易已履行和尚需履行的批准程序
（一）本次交易已履行的批准程序
1、上市公司的决策过程
2018年8月14日，韦尔股份第四届董事会第二十七次会议审议通过本次重大资产重组预案及相关议案。
2018年 11月 30日，韦尔股份第四届董事会第三十三次会议审议通过本次重大资产重组方案及相关议案。
2、标的公司的决策过程
2018年11月9日，北京豪威召开董事会，审议通过本次交易相关议案。
2018年8月8日，视信源召开董事会，审议通过本次交易相关议案。
3、交易对方的决策过程
除自然人交易对方外，本次交易方案已经全部交易对方的内部权力机构审议通过。
2018年7月30日，中关村发展集团股份有限公司出具同意中关村创投参与
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次重组的原则性意见。
（二）本次交易尚需获得的授权、批准和核准
本次交易尚需满足多项条件方可完成，包括但不限于：
1、韦尔股份股东大会审议通过本次交易正式方案的相关议案；
2、韦尔股份股东大会批准虞仁荣及其一致行动人免于发出收购要约；
3、国家市场监督管理总局反垄断局通过对本次交易有关各方实施的经营者集中审查；
4、中国证监会核准本次交易；
5、全国中小企业股份转让系统同意思比科终止挂牌。
上述批准或核准事宜均为本次交易的前提条件，能否取得相关的批准或核准以及最终取得批准和核准的时间均存在不确定性。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）十、本次交易相关方作出的重要承诺
（一）交易对方作出的重要承诺
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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于本次交易相关事项的承诺函|交易对方|1、关于标的公司股权的权属事项（1）承诺方对所持标的公司股权拥有合法的、完整的所有权和处分权，在股东主体资格方面不存在任何瑕疵或异议的情形，不存在任何形式的委托持股、信托持股或者类似安排，不存在产权纠纷或潜在纠纷；（2）承诺方已足额缴付所持标的公司股权对应的注册资本，不存在任何虚假出资、迟延出资、抽逃出资等违反作为股东所应承担的义务及责任的行为；（3）承诺方所持标的公司股权不存在质押、查封、冻结、权属争议及其他权利限制，不存在可能影响标的公司合法存续的情况，并承诺前述情况保持至本次交易实施完毕前；（4）承诺方所持标的公司股权过户或权属转移至韦尔股份名下不存在法律障碍。2、关于诉讼、仲裁及行政处罚事项承诺方及主要管理人员（如有）最近五年内未受过任何行政处罚（与证券市场明显无关的除外）、刑事处罚，亦不涉及与经济纠纷有关的任何重大民事诉讼或者仲裁，不存在未按期偿还大额债务、未履行承诺、被中国证监会采取行政监管措施或受到证券交易所纪律处分的情况等。3、关于不存在不得参与上市公司重大资产重组的事项承诺方及其董事、监事、高级管理人员（如有）、承诺方的控股股东、实际控制人（如有）及上述主体控制的机构，均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。4、关于不存在不得作为非公开发行股票发行对象的情形承诺方符合作为上市公司非公开发行股票发行对象的条件，不存在法律、法规、规章或规范性文件规定的不得作为上市公司非公开发行股票发行对象的情形。5、关于内幕交易事项承诺方及其控股股东、实际控制人（如有）不存在泄露本次交易内幕信息以及利用本次交易信息进行内幕交易的情形，不存在因本次交易相关事项涉嫌内幕交易被中国证监会立案调查或者被司法机关立案侦查的情形。|
|关于提供信息真实、准确、完整的|交易对方|1、 承诺方将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，向韦尔股份及参与本次交易的各中介机构所|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|承诺函||提供的资料均为真实、准确、完整的原始书面资料或副本资料，资料副本或复印件与其原始资料或原件一致，所有文件的签名、印章均是真实的；如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。2、如本次交易所提供或披露的信息涉嫌虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，被司法机关立案侦查或者被中国证监会立案调查的，在形成调查结论以前，承诺方不转让在韦尔股份拥有权益的股份，并于收到立案稽查通知的两个交易日内将暂停转让的书面申请和股票账户提交韦尔股份董事会，由董事会代本机构向证券交易所和登记结算公司申请锁定；未在两个交易日内提交锁定申请的，授权董事会核实后直接向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息并申请锁定；董事会未向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息的，授权证券交易所和登记结算公司直接锁定相关股份。如调查结论发现存在违法违规情节，承诺方承诺锁定股份自愿用于相关投资者赔偿安排。|
|关于股份锁定期的承诺函|交易对方|详见本报告书―重大事项提示‖之―三、支付方式及募集配套资金安排‖|
|关于本次交易采取的保密措施及保密制度的说明|机构交易对方|1、本次交易承诺方参与商讨人员仅限于公司少数核心管理层，以缩小本次交易的知情人范围；上述人员均严格履行了保密义务，未向任何其他第三方披露本次交易的情况。2、本次交易中，承诺方知悉相关保密信息的人员仅限于其董事、监事、高级管理人员、股东或合伙人及其他确有必要知悉保密信息的员工、中介机构及专业顾问。上述人员均严格履行了保密义务，未向任何其他第三方披露本次交易的情况。3、承诺方在本次交易中采取的保密措施及保密制度严格规范，相关人员严格遵守了保密义务，在整个过程中没有发生不正当的信息泄露的情形。|
||自然人交易对方|1、本次交易承诺方参与商讨及知悉相关保密信息的人员仅限于承诺方，承诺方严格履行了保密义务，未向任何其他第三方披露本次交易的情况。2、承诺方在本次交易中采取的保密措施严格规范，在整个过程中没有发生不正当的信息泄露的情形。|
|关于本次交易不可撤销的承诺|交易对方|在本次交易获得韦尔股份董事会及股东大会批准的情况下，除非中国证券监督管理委员会等本次交易相关政府主管部门未予以核准、批准或审查通过，本次交易为不可撤销事项。|

（二）标的公司及董事、监事、高级管理人员作出的重要承诺
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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于本次交易相关事项的承诺函|北京豪威|1、北京豪威为依法设立且合法有效存续的有限责任公司，截至目前，不存在《公司法》等法律、法规、规范性文件以及《公司章程》所规定的需要终止的情形, 不存在出资不实、虚假出资或者抽逃出资的情形，不存在影响其合法存续的情况。2、北京豪威及其子公司近三年在所有重大方面合法、合规，不存在重大违法、违规行为，未受到包括但不限于工商、海关、外汇、产品质量、安全生产、环境保护、税务、劳动与社会保障等部门的行政处罚；不存在对本次交易构成实质性障碍的正在进行或尚未了结的以及可预见的重大诉讼、仲裁及行政处罚案件；不存在对外担保及其他或有事项。3、北京豪威及其子公司均依法纳税，各项税收优惠符合相关法律、法规的规定，北京豪威及其子公司的经营成果对税收优惠不存在严重依赖。4、北京豪威及其子公司为一方当事人的合同均为依法成立，合同内容和要件完备，履行正常，属于公司正常经营范围，业务真实，不存在潜在的法律纠纷。北京豪威及其子公司金额较大的应收、应付款项，均是在正常生产经营活动中发生，不存在法律纠纷。5、北京豪威的董事、监事、主要管理人员最近五年内不存在受行政处罚、刑事处罚、或者涉及与经济纠纷有关的尚未了结的对其资产状况、财务状况产生重大不利影响的重大民事诉讼或者仲裁的情形，不存在被证券监管部门立案调查、或被证券交易所公开谴责的情形或其他不良记录，亦不存在涉嫌有重大违法行为的情形。6、北京豪威及其子公司合法拥有、行使包括但不限于房屋、土地所有权或使用权、商标、专利、软件著作权、集成电路布图设计等主要资产的所有权或使用权，且该等财产权属清晰，不存在抵押、质押等权利限制（为北京豪威及其子公司自身债务提供担保的除外），不涉及重大诉讼、仲裁、司法强制执行等对本次交易构成实质性障碍的争议、纠纷；北京豪威及其子公司不存在因涉嫌犯罪被司法机关立案侦查或者涉嫌违法违规被中国证监会立案调查，受到行政处罚或者刑事处罚的情况。7、北京豪威及其董事、监事、高级管理人员均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。8、北京豪威将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。|
||思比科|1、思比科为依法设立且合法有效存续的股份有限公司，截至目前，不存在《公司法》等法律、法规、规范性文件以及《公司章程》所规定的需要终止的情形,不存在出资不实、虚假出资或者抽逃出资的情形，不存在影响其合法存续的情况。|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|||2、思比科及其子公司近三年在所有重大方面合法、合规，不存在重大违法、违规行为，未受到包括但不限于工商、海关、外汇、产品质量、安全生产、环境保护、税务、劳动与社会保障等部门的行政处罚；不存在因知识产权、产品质量、环境保护、税务、劳动安全和人身权等原因尚未了结的法律责任；不存在正在进行或尚未了结的以及可预见的重大诉讼、仲裁及行政处罚案件；不存在对外担保及其他或有事项。3、思比科及其子公司均依法纳税，各项税收优惠符合相关法律、法规的规定，思比科及其子公司的经营成果对税收优惠不存在严重依赖。4、思比科及其子公司为一方当事人的合同均为依法成立，合同内容和要件完备，履行正常，属于公司正常经营范围，业务真实，不存在潜在的法律纠纷。思比科及其子公司金额较大的应收、应付款项，均是在正常生产经营活动中发生，不存在潜在法律纠纷。5、思比科的董事、监事、主要管理人员最近五年内不存在受行政处罚、刑事处罚、或者涉及与经济纠纷有关的尚未了结的对其资产状况、财务状况产生重大不利影响的重大民事诉讼或者仲裁的情形，不存在被证券监管部门立案调查、或被证券交易所公开谴责的情形或其他不良记录，亦不存在涉嫌有重大违法行为的情形。6、思比科及其子公司不存在因经营行为、环境保护、知识产权、产品质量、劳动安全、人身权等原因产生的侵权之债。7、思比科及其子公司合法拥有、行使包括但不限于商标、专利、软件著作权等主要资产的所有权或使用权，且该等财产权属清晰，不存在抵押、质押等权利限制，不涉及诉讼、仲裁、司法强制执行等重大争议、潜在纠纷或者存在妨碍权属转移的其他情况；思比科及其子公司不存在因涉嫌犯罪被司法机关立案侦查或者涉嫌违法违规被中国证监会立案调查，受到行政处罚或者刑事处罚的情况。8、思比科及其董事、监事、高级管理人员、思比科的控股股东、实际控制人及上述主体控制的机构，均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。9、思比科将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。|
||视信源|1、视信源为依法设立且合法有效存续的有限责任公司，截至目前，不存在《公司法》等法律、法规、规范性文件以及《公司章程》所规定的需要终止的情形, 不存在出资不实、虚假出资或者抽逃出资的情形，不存在影响其合法存续的情况。2、视信源及其子公司近三年在所有重大方面合法、合规，不存在重大违法、违规行为，未受到包括但不限于工商、|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|||产品质量、安全生产、环境保护、税务、劳动与社会保障等部门的行政处罚；不存在因知识产权、产品质量、环境保护、税务、劳动安全和人身权等原因尚未了结的法律责任；不存在正在进行或尚未了结的以及可预见的重大诉讼、仲裁及行政处罚案件；不存在对外担保及其他或有事项。3、视信源及其子公司均依法纳税，各项税收优惠符合相关法律、法规的规定，视信源及其子公司的经营成果对税收优惠不存在严重依赖。4、视信源及其子公司为一方当事人的合同均为依法成立，合同内容和要件完备，履行正常，属于公司正常经营范围，业务真实，不存在潜在的法律纠纷。视信源及其子公司金额较大的应收、应付款项，均是在正常生产经营活动中发生，不存在潜在法律纠纷。5、视信源的董事、监事、主要管理人员最近五年内不存在受行政处罚、刑事处罚、或者涉及与经济纠纷有关的尚未了结的对其资产状况、财务状况产生重大不利影响的重大民事诉讼或者仲裁的情形，不存在被证券监管部门立案调查、或被证券交易所公开谴责的情形或其他不良记录，亦不存在涉嫌有重大违法行为的情形。6、视信源及其子公司不存在因经营行为、环境保护、知识产权、产品质量、劳动安全、人身权等原因产生的侵权之债。7、视信源及其子公司合法拥有、行使包括但不限于商标、专利、软件著作权等主要资产的所有权或使用权，且该等财产权属清晰，不存在抵押、质押等权利限制，不涉及诉讼、仲裁、司法强制执行等重大争议、潜在纠纷或者存在妨碍权属转移的其他情况；视信源及其子公司不存在因涉嫌犯罪被司法机关立案侦查或者涉嫌违法违规被中国证监会立案调查，受到行政处罚或者刑事处罚的情况。8、视信源及其董事、监事、高级管理人员、视信源的控股股东、实际控制人及上述主体控制的机构，均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。9、视信源将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担个别和连带的赔偿责任。|
|关于本次交易相关事项的承诺函|标的公司的董事、监事和高级管理人员|1、承诺方将及时向韦尔股份提供本次交易相关信息，并保证所提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，向韦尔股份及参与本次交易的各中介机构所提供的资料均为真实、准确、完整的原始书面资料或副本资料，资料副本或复印件与其原始资料或原件一致，所有文件的签名、印章均是真实的；如因提供的信息存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给韦尔股份或者投资者造成损失的，将依法承担赔偿责任。|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|||2、承诺方最近五年内不存在受行政处罚、刑事处罚、或者涉及与经济纠纷有关的对其资产状况、财务状况产生重大不利影响的重大民事诉讼或者仲裁的情形，不存在被证券监管部门立案调查、或被证券交易所公开谴责的情形或其他不良记录，亦不存在涉嫌有重大违法行为的情形。3、承诺方不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定不得参与上市公司重大资产重组的情形。|
|关于本次交易采取的保密措施及保密制度的说明|标的公司|1、本次交易承诺方参与商讨人员仅限于公司少数核心管理层，以缩小本次交易的知情人范围；上述人员均严格履行了保密义务，未向任何其他第三方披露本次交易的情况。2、本次交易中，承诺方知悉相关保密信息的人员仅限于其董事、监事、高级管理人员、股东及其他确有必要知悉保密信息的员工、中介机构及专业顾问。上述人员均严格履行了保密义务，未向任何其他第三方披露本次交易的情况。3、承诺方在本次交易中采取的保密措施及保密制度严格规范，相关人员严格遵守了保密义务，在整个过程中没有发生不正当的信息泄露的情形。|

（三）上市公司及董事、监事、高级管理人员作出的重要承诺
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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于本次交易相关事项的承诺函|控股股东、实际控制人，上市公司董事、监事、高级管理人员|承诺方及承诺方控制的机构均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定的不得参与上市公司重大资产重组的情形。|
|关于本次交易相关事项的承诺函|上市公司|1、本次交易提供的信息真实、准确、完整，所描述的事实有充分、客观、公正的依据，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。2、截至本承诺函出具之日，不存在本公司的权益被控股股东或实际控制人严重损害且尚未消除的情形。3、截至本承诺函出具之日，不存在本公司及下属子公司违规对外提供担保且尚未解除的情形。4、截至本承诺函出具之日，本公司不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规被中国证券监督管理委员会立案调查的情形；本公司最近三年未受到过行政处罚（与证券市场明显无关的除外）或者刑事处罚。5、截至本承诺函出具之日，本公司及本公司控股股东、实际控制人最近十二个月内均不存在受到证券交易所公开谴责的情形，均不存在其他重大失信行为；本公司现任董事、高级管理人员均不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|||或涉嫌违法违规被中国证券监督管理委员会立案调查的情形；本公司现任董事、高级管理人员亦不存在最近三十六个月受到过中国证监会的行政处罚，或者最近十二个月内受到过证券交易所公开谴责的情形。6、截至本承诺函出具之日，本公司及本公司控股股东、实际控制人、董事、监事、高级管理人员及上述主体控制的机构均不存在《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》第13条规定的不得参与上市公司重大资产重组的情形。|
|关于保持上市公司独立性的承诺函|控股股东、实际控制人|一、人员独立1、保证上市公司的生产经营与行政管理（包括劳动、人事及工资管理等）完全独立于承诺方及关联方。2、保证上市公司的总经理、副总经理、财务负责人、董事会秘书等高级管理人员的独立性，不在承诺方控制的企业及关联方担任除董事、监事以外的其他职务。3、保证承诺方及关联方提名出任上市公司董事、监事和高级管理人员的人选都通过合法的程序进行，承诺方及关联方不干预上市公司董事会和股东大会已经作出的人事任免决定。二、资产独立1、保证上市公司具有独立完整的资产、其资产全部处于上市公司的控制之下，并为上市公司独立拥有和运营。2、确保上市公司与承诺方及关联方之间产权关系明确，上市公司对所属资产拥有完整的所有权，确保上市公司资产的独立完整。3、承诺方及关联方本次交易前没有、本次交易完成后也不以任何方式违规占用上市公司的资金、资产。三、财务独立1、保证上市公司拥有独立的财务部门和独立的财务核算体系。2、保证上市公司具有规范、独立的财务会计制度和对分公司、子公司的财务管理制度。3、 保证上市公司独立在银行开户，不与承诺方及关联方共用一个银行账户。4、保证上市公司能够作出独立的财务决策。5、保证上市公司的财务人员独立，不在承诺方控制企业及关联方处兼职和领取报酬。6、保证上市公司依法独立纳税。四、机构独立1、保证上市公司拥有健全的股份公司法人治理结构，拥有独立、完整的组织机构。2、保证上市公司的股东大会、董事会、独立董事、监事会、总经理等依照法律、法规和公司章程独立行使职权。五、业务独立1、保证上市公司拥有独立开展经营活动的资产、人员、资质和能力，具有面向市场独立自主持续经营的能力。|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|||2、除通过行使股东权利之外，不对上市公司的业务活动进行干预。|
|关于对本次交易的原则性意见|控股股东、实际控制人|承诺方作为韦尔股份的控股股东及实际控制人，认为本次交易的方案公平合理、切实可行，符合韦尔股份和全体股东的整体利益，有利于拓展上市公司的产品线、减少关联交易、增强韦尔股份的盈利能力、促进韦尔股份未来的业务发展。承诺方原则性同意韦尔股份实施本次交易。|
|关于规范关联交易的承诺函|控股股东、实际控制人|1、承诺方及承诺方控制或影响的企业将尽量避免和减少与韦尔股份及其下属子公司之间的关联交易，对于韦尔股份及其下属子公司能够通过市场与独立第三方之间发生的交易，将由韦尔股份及其下属子公司与独立第三方进行。承诺方控制或影响的其他企业将严格避免向韦尔股份及其下属子公司拆借、占用韦尔股份及其下属子公司资金或采取由韦尔股份及其下属子公司代垫款、代偿债务等方式侵占韦尔股份资金。2、对于承诺方及承诺方控制或影响的企业与韦尔股份及其下属子公司之间必需的一切交易行为，均将严格遵守市场原则，本着平等互利、等价有偿的一般原则公平合理地进行。交易定价有政府定价的，执行政府定价；没有政府定价的，执行市场公允价格；没有政府定价且无可参考市场价格的，按照成本加可比较的合理利润水平确定成本价执行。3、承诺方与韦尔股份及其下属子公司之间的关联交易将严格遵守韦尔股份章程、关联交易管理制度等规定履行必要的法定程序及信息披露义务。在韦尔股份权力机构审议有关关联交易事项时主动依法履行回避义务；对须报经有权机构审议的关联交易事项，在有权机构审议通过后方可执行。4、承诺方保证不通过关联交易取得任何不正当的利益或使韦尔股份及其下属子公司承担任何不正当的义务。如果因违反上述承诺导致韦尔股份或其下属子公司、其他股东损失或利用关联交易侵占韦尔股份或其下属子公司、其他股东利益的，韦尔股份及其下属子公司、其他股东的损失由承诺方承担。5、上述承诺在承诺方及承诺方控制或影响的企业构成韦尔股份的关联方期间持续有效，且不可变更或撤销。|
|关于避免同业竞争的承诺函|控股股东、实际控制人|1、承诺方保证本次交易完成后不直接或间接从事与韦尔股份经营范围所含业务相同或相类似的业务或项目，以避免与韦尔股份的生产经营构成直接或间接的竞争；2、承诺方保证将努力促使与承诺方关系密切的家庭成员不直接或间接从事、参与或投资与韦尔股份的生产、经营相竞争的任何经营活动；3、承诺方保证将不利用对韦尔股份的控股关系进行损害或可能损害韦尔股份及韦尔股份其他股东利益的经营活动；承诺方将不利用对韦尔股份的了解和知悉的信息协助第三方从事、参与或投资与韦尔股份相竞争的业务或项目；4、承诺方保证将赔偿韦尔股份因承诺方违反本承诺而遭受或产生的任何损失或开支。上述承诺自本承诺函出具之日起生效，并在承诺方作为韦尔股份控股股东和实际控制人的整个期间持续有效，且不可变更或撤销。|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|关于提供信息真实、准确、完整的承诺函|控股股东、实际控制人，上市公司董事、监事、高级管理人员|1、 承诺方保证本次交易的信息披露和申请文件真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。承诺方对本次交易申请文件内容的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏承担个别和连带的法律责任。2、 如本次交易所提供或披露的信息涉嫌虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，被司法机关立案侦查或者被中国证监会立案调查的，在形成调查结论以前，承诺方不转让在韦尔股份拥有权益的股份，并于收到立案稽查通知的两个交易日内将暂停转让的书面申请和股票账户提交韦尔股份董事会，由董事会代本人向证券交易所和登记结算公司申请锁定；未在两个交易日内提交锁定申请的，授权董事会核实后直接向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息并申请锁定；董事会未向证券交易所和登记结算公司报送承诺方的身份信息和账户信息的，授权证券交易所和登记结算公司直接锁定相关股份。如调查结论发现存在违法违规情节，承诺方承诺锁定股份自愿用于相关投资者赔偿安排。|
|摊薄即期回报采取填补措施的承诺函|控股股东、实际控制人，上市公司董事、高级管理人员|1、承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益（控股股东、实际控制人）。2、承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害上市公司利益。3、承诺对职务消费行为进行约束。4、承诺不动用上市公司资产从事与履行职责无关的投资、消费活动。5、承诺由上市公司董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。6、承诺如未来上市公司推出股权激励计划，则拟公布的上市公司股权激励的行权条件与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。7、本承诺出具日后至上市公司本次交易实施完毕前，若中国证监会作出关于填补回报措施及其承诺的其他新的监管规定的，且上述承诺不能满足中国证监会该等规定时，承诺方届时将按照中国证监会的最新规定出具补充承诺。8、承诺方承诺切实履行上市公司制定的有关填补回报措施以及承诺方对此作出的任何有关填补回报措施的承诺，若承诺方违反该等承诺并给上市公司或者投资者造成损失的，承诺方愿意依法承担对上市公司或者投资者的赔偿责任。|
|关于无违法犯罪的承诺函|上市公司董事、监事、高级管理人员|1、截至本承诺函出具之日，承诺方不存在违反《公司法》第一百四十七条、第一百四十八条规定的行为；2、在韦尔股份依法公开披露本次交易的相关信息前，承诺方依法对相应信息履行保密义务，不存在公开或者泄露该等信息的情形，承诺方不存在利用未经韦尔股份依法公开披露的本次交易相关信息从事内幕交易、操纵证券市场等违法活动；3、承诺方不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规被中国证券监督管理委员会立案调查的情形；4、承诺方亦不存在最近三年受到过中国证监会的行政处罚或被司法机关依法追究刑事责任的情形，或者最近十二个月内受到过证券交易所公开谴责的情形。|
|关于本次交易前所|控股股东、实|本人在本次交易前持有的韦尔股份股票，自本次交易发行的股份上市之日起的12个月内不得转让。|

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|承诺事项|承诺方|承诺主要内容|
|持上市公司股份锁定期的承诺函|际控制人|本次交易实施完成后，本人由于韦尔股份送红股、转增股本等原因增持的韦尔股份股票，亦应遵守上述约定。如监管规则或监管机构对锁定期有更长期限的明确要求的，按照监管规则或监管机构的要求执行。|
|关于是否存在减持韦尔股份计划的说明函|控股股东、实际控制人及其一致行动人，上市公司董事、监事、高级管理人员|详见本报告书―重大事项提示‖之―十一、相关方对本次重组的原则性意见及相关股份减持计划‖。|
|关于本次交易采取的保密措施及保密制度的说明|上市公司|1、本次交易各方及参与商讨人员仅限于公司少数核心管理层，以缩小本次交易的知情人范围。2、经交易各方的充分准备，决定启动本次交易，为避免因信息泄露导致股票价格异动，经向上海证券交易所申请，上市公司股票自2018年5月15日开市起停牌。2018年5月15日，上市公司于指定的信息披露媒体上发布公告，公告正在筹划重大资产重组事项。3、上市公司停牌后，上市公司分别聘请了独立财务顾问、法律顾问、审计机构和评估机构。上市公司分别与上述中介机构签署了《保密协议》。在《保密协议》中，规定了各方应严格保密相关资料，不得向任何第三方披露任何保密材料，为本次交易目的而向其他合理需要获得保密资料的机构或人员进行披露的除外。4、在上市公司与交易对方签订的附生效条件的《发行股份购买资产协议》中，上市公司与交易对方约定：双方均对本协议内容负有保密义务，依据法律、法规和规范性文件需要履行信息披露义务的，则不受此限。5、上市公司在本次交易中采取的保密措施及保密制度严格规范，相关人员严格遵守了保密义务，信息披露事宜严格依据有关法律法规及中国证券监督管理委员会、上海证券交易所的有关规定执行，在整个过程中没有发生不正当的信息泄露的情形，不存在泄露本次交易内幕信息以及利用本次交易信息进行内幕交易的情形。|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）十一、相关方对本次重组的原则性意见及相关股份减持计划
（一）控股股东及其一致行动人对本次重组的原则性意见
韦尔股份控股股东虞仁荣已出具说明，原则性同意本次交易。
（二）控股股东及其一致行动人、董事、监事、高级管理人员自本次重组复牌之日起至实施完毕期间的股份减持计划
1、控股股东及其一致行动人的减持计划
上市公司控股股东虞仁荣出具如下说明：在韦尔股份本次重组的复牌之日起至本次重组实施完毕期间，本人不存在减持韦尔股份股票的计划。若违反上述声明，由此给韦尔股份或者其他投资者造成损失的，本人承诺将向韦尔股份或其他投资者依法承担赔偿责任。
上市公司控股股东之一致行动人虞小荣出具如下说明：根据《上海韦尔半导体股份有限公司 2017年限制性股票激励计划（草案）》，韦尔股份于 2017年11月29日向本人授予的限制性股票的10%在符合解锁条件的情况下自授予日起 12个月后的首个交易日起可办理解除限售手续。因个人资金需求，本人计划将在韦尔股份本次重组的复牌之日起至本次重组实施完毕期间，减持韦尔股份不超过147,200股。本人承诺将严格按照《公司法》、《证券法》及中国证监会、上交所相关规定实施股票减持，并及时履行信息披露义务。若违反上述声明，由此给韦尔股份或者其他投资者造成损失的，本人承诺将向韦尔股份或其他投资者依法承担赔偿责任。
2、董事、监事、高级管理人员的减持计划
上市公司部分董事或高级管理人员马剑秋、纪刚、贾渊等三人出具如下说明：本人于韦尔股份首次公开发行股票并上市前取得的韦尔股份股票已于 2018年 5月 4日解除限售。根据《上海韦尔半导体股份有限公司 2017年限制性股票激励计划（草案）》，韦尔股份于 2017年 11月 29日向本人授予的限制性股票的10%在符合解锁条件的情况下自授予日起 12个月后的首个交易日起可办理解除限售手续。因个人资金需求，本人计划将在韦尔股份本次重组的复牌之日起
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）至本次重组实施完毕期间，对韦尔股份进行减持，具体计划如下：
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|姓名|职务|持股数（股）|计划减持股份数（股）|
|马剑秋|董事、总经理|7,798,000|3,411,625|
|纪刚|董事、副总经理|7,240,000|3,167,500|
|贾渊|董事、董事会秘书、财务总监|4,775,000|1,355,000|

本人承诺将严格按照《公司法》、《证券法》及中国证监会、上交所相关规定实施股票减持，并及时履行信息披露义务。若违反上述声明，由此给韦尔股份或者其他投资者造成损失的，本人承诺将向韦尔股份或其他投资者依法承担赔偿责任。
截至本报告书签署日，除上述人员外，上市公司其他董事、监事、高级管理人员不持有上市公司股份。
十二、对股东权益的保护安排
为保护投资者尤其是中小投资者的合法权益，本次交易过程将采取以下安排和措施：
（一）及时、准确披露本次交易的相关信息
本次交易属于上市公司重大事件，公司已经切实按照《上市公司信息披露管理办法》、《关于规范上市公司信息披露及相关各方行为的通知》要求履行了信息披露义务，并将继续严格履行信息披露义务。为保护投资者合法权益，防止本次交易对股价造成波动，交易各方在开始筹划本次交易时采取了严格的保密措施，及时向上交所申请停牌并披露影响股价的重大信息。本报告书披露后，上市公司将继续严格按照相关法律法规的要求，及时、准确地披露公司本次交易的进展情况。
（二）确保本次交易定价公允、合理
上市公司聘请会计师、评估机构对本次交易的标的资产进行了审计、评估，标的资产的最终交易价格由交易各方以经具有证券期货业务资格的评估机构出具评估报告的评估结果为基础协商确定，本次交易的定价公允、合理。
同时，公司独立董事对本次交易涉及资产评估定价的公允性发表了独立意
见。公司所聘请的独立财务顾问和法律顾问将对本次交易的实施过程、资产过
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）户事宜和相关后续事项的合规性及风险进行核查，发表明确意见。
（三）严格履行相关程序
公司在本次交易过程中严格按照相关规定履行法定程序进行表决和披露。
本报告书在提交董事会讨论时，独立董事就该事项发表了独立意见。公司聘请的中介机构分别出具了独立财务顾问报告、法律意见书、审计报告、评估报告
等。根据《重组管理办法》等有关规定，公司董事会将在审议本次交易方案的股东大会召开前发布提示性公告，提醒股东参加审议本次交易方案的股东大会。
公司严格按照《关于加强社会公众股股东权益保护的若干规定》等有关规定，在表决本次交易方案的股东大会中，采用现场投票和网络投票相结合的表决方式，充分保护中小股东行使投票权的权益。
（四）提供网络投票平台
公司将根据中国证监会《关于加强社会公众股股东权益保护的若干规定》等有关规定，在表决本次交易方案的股东大会中，采用现场投票和网络投票相结合的表决方式，充分保护中小股东行使股东权利。股东大会所作决议必须经出席会议的股东所持表决权的三分之二以上通过，关联股东将回避表决。同时，公司对中小投资者投票情况单独统计并予以披露。
（五）其他保护投资者权益的措施
公司全体董事、监事、高级管理人员承诺本次重组过程中所提供信息的真实性、准确性和完整性，保证不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并声明承担个别和连带的法律责任。本次交易完成后，公司将继续保持独立性，在资产、人员、财务、机构和业务上遵循独立原则，遵守中国证监会有关规定，继续规范运作。
（六）并购重组摊薄当期每股收益的填补回报安排
1、本次重组对上市公司预期每期收益的影响
本次重大资产重组中，上市公司发行股份购买资产拟向绍兴韦豪等 39名交易对方发行 398,821,245股股份，不考虑配套融资的影响，本次交易完成后，公司股本规模将由目前的 455,813,940股增加至854,635,185股。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）基于上述情况，公司测算了本次重大资产重组完成当年（假设本次重大资产重组在 2019年完成）主要财务指标，关于测算过程的主要假设说明如下：
（1）以下假设仅为测算本次重大资产重组对公司主要财务指标的影响，不代表公司对 2018年全年及 2019年经营情况及趋势的判断，亦不构成盈利预测。投资者不应据此进行投资决策，投资者据此进行投资决策造成损失的，公司不承担赔偿责任；
（2）假设公司于2019年6月30日完成本次重大资产重组（此假设仅用于分析本次重大资产重组对公司主要财务指标的影响，不代表公司对于业绩的预测，亦不构成对本次重大资产重组实际完成时间的判断），本次重大资产重组最终完成时间以中国证监会核准后实际发行完成时间为准；
（3）假设宏观经济环境、集成电路芯片行业的情况没有发生重大不利变化；
（4）不考虑配套融资发行股份的数量，假设本次重大资产重组发行股份的数量合计为398,821,245股，未扣除本次重组相关的发行及中介费用的影响；
（5）根据业绩承诺方承诺的各标的公司扣非后净利润数据，各标的公司 2019年净利润合计为 58,387.47万元。假设以该承诺业绩作为标的公司 2019年扣非后净利润指标进行测算；
（6）根据上市公司 2018第三季度报告财务数据，假设上市公司 2018年前三季度经营业绩为2018年全年经营业绩的四分之三，假设2019年度经营业绩与 2018年度的预计经营数据持平，即为 32,130.83万元；上述测算不构成盈利预测，投资者不应据此进行投资决策；
（7）不考虑公司截至2018年10月31日已公告未实施的回购股份的影响以及公司2019年限制性股票激励计划对股份数的影响，假设公司2019年不存在其他公积金转增股本、股票股利分配等对股份数有影响的事项；
（8）公司经营环境未发生重大不利变化；
（9）不考虑本次发行募集资金到账后对公司生产经营、财务状况（如财务费用、投资收益）等影响。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）经测算，公司本次重大资产重组前后每股收益指标具体影响如下：
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|项目|2018年|2019年||
|||重组完成前|重组完成后（不考虑配套融资）|
|发行在外的普通股加权平均数（万股）|45,581.39|45,581.39|65,522.46|
|扣除非经常性损益后归属于母公司净利润（单位： 万元）|32,130.83|32,130.83|90,518.30|
|扣除非经常性损益后的基本每股收益（单位：元/股）|0.70|0.70|1.38|
|扣除非经常性损益后的稀释每股收益（单位：元/股）|0.70|0.70|1.38|

基于上述假定，本次重大资产重组完成后，不考虑配套融资的影响，上市公司 2019年扣除非经常性损益后归属于上市公司股东的净利润较发行前增长 58,387.47万元，上市公司 2019年扣除非经常性损益后的基本每股收益 1.38元/股，较 2019年重组完成前的基本每股收益增加 0.68元/股，增幅为97.14%，重组后上市公司盈利能力有所上升。
综上，本次交易完成后，上市公司不存在重组完成当年因本次交易导致即期每股收益被摊薄的情形。
2、上市公司填补摊薄即期回报并增强公司持续回报能力的具体措施
为充分发挥本次重组的协同效应、有效防范股东即期回报可能被摊薄的风险和提高公司未来的持续回报能力，上市公司拟采取的具体措施如下：
（1）加快标的资产整合，提升重组后上市公司盈利能力
本次重组完成后，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，这些协同效应将最终体现在经营效率的提高、成本的下降、未来上市公司经营业绩的提高等方面。上市公司将加快对标的公司的整合，进一步发挥规模效应，提升合并后上市公司的盈利及股东回报能力。
（2）进一步加强产品竞争力，健全内部控制体系，优化成本管控
本次重组完成后，一方面公司将进一步加强研发投入，提高产品市场竞争
力；另一方面公司将进一步加强成本控制，对发生在业务和管理环节中的各项
经营、管理、财务费用进行全面事前、事中、事后管控，合理运用各种融资工
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）具和渠道，进一步控制资金成本、优化财务结构、降低财务费用。
（3）完善公司治理结构，为公司发展提供制度保障
上市公司将严格遵循《公司法》、《证券法》、《上市公司治理准则》等法律、法规和规范性文件的要求，不断完善公司治理结构，确保股东能够充分行使权利，确保董事会能够按照法律、法规和公司章程的规定行使职权，做出科学、迅速和谨慎的决策，确保独立董事能够认真履行职责，维护公司整体利益，尤其是中小股东的合法权益，为公司发展提供制度保障。
（4）进一步完善利润分配制度，强化投资者回报体制
上市公司持续重视对股东的合理投资回报，同时兼顾公司的可持续发展，制定了持续、稳定、科学的分红政策。上市公司将根据中国证监会《关于进一步落实上市公司现金分红有关事项的通知》、《上市公司监管指引第 3号——上市公司现金分红》等规定持续修改和完善《公司章程》并相应制定股东回报规划。
公司的利润分配政策重视对投资者尤其是中小投资者的合理投资回报，将充分听取投资者和独立董事的意见，切实维护股东依法享有投资收益的权利，体现合并后上市公司积极回报股东的长期发展理念。
3、相关主体出具的承诺
为切实保护中小投资者合法权益，确保本次交易摊薄即期回报事项的填补回报措施能够得到切实履行，公司控股股东、实际控制人虞仁荣，公司全体董事、高级管理人员根据《关于首发及再融资、重大资产重组摊薄即期回报有关事项的指导意见》（中国证券监督管理委员会公告[2015]31号）分别作出了相关承诺，承诺内容如下：
（1）公司控股股东、实际控制人关于公司本次重大资产重组摊薄即期回报采取填补措施的承诺
―承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益。‖
（2）公司董事、高级管理人员关于公司本次重大资产重组摊薄即期回报采取填补措施的承诺
―1、承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）其他方式损害上市公司利益。
2、承诺对职务消费行为进行约束。
3、承诺不动用上市公司资产从事与履行职责无关的投资、消费活动。
4、承诺由上市公司董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。
5、承诺如未来上市公司推出股权激励计划，则拟公布的上市公司股权激励的行权条件与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。
6、本承诺出具日后至上市公司本次交易实施完毕前，若中国证监会作出关于填补回报措施及其承诺的其他新的监管规定的，且上述承诺不能满足中国证监会该等规定时，承诺方届时将按照中国证监会的最新规定出具补充承诺。
7、承诺方承诺切实履行上市公司制定的有关填补回报措施以及承诺方对此作出的任何有关填补回报措施的承诺，若承诺方违反该等承诺并给上市公司或者投资者造成损失的，承诺方愿意依法承担对上市公司或者投资者的赔偿责任。‖
十三、独立财务顾问的保荐资格
本公司聘请国信证券、中德证券担任本次交易的独立财务顾问，国信证券、中德证券经中国证监会批准依法设立，具备保荐资格。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）重大风险提示
投资者在评价本公司本次交易时，除本报告书的其他内容外，还应特别认真考虑下述各项风险因素。
一、与本次交易有关的风险
（一）审批风险
根据《重组管理办法》的相关规定，本次交易尚需上市公司召开股东大会审议通过以及中国证监会核准，同时需经国家市场监督管理总局反垄断局对本次交易的经营者集中审查无异议后方可实施。本次交易能否取得上述批准或核准以及最终获得相关批准或核准的时间尚存在不确定性，提请广大投资者注意审批风险。
（二）本次交易可能被暂停、中止或取消的风险
在本次交易的筹划及实施过程中，交易各方采取了严格的保密措施，剔除同期大盘因素和同行业板块因素影响，上市公司股票价格在有关本次停牌的敏感信息公布前 20个交易日内波动未超过20%。上市公司组织相关主体进行的自查中未发现存在内幕交易的情形，也未接到相关主体因涉嫌内幕交易被立案调查或立案侦查的通知。如在未来的重组工作进程中出现本次重组相关主体涉嫌内幕交易被立案调查或立案侦查的情形，根据证监会颁布的《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》及上交所颁布的《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的通知》，可能导致本次重大资产重组暂停、中止或取消。
此外，本次重组存在因交易各方可能对交易方案进行重大调整，而导致需上市公司重新召开董事会审议交易方案乃至可能终止本次交易的风险。
（三）法律和政策风险
本公司为中国注册成立的 A股上市公司，标的公司之一北京豪威的主要经营主体为美国豪威，美国豪威系在美国注册独立法人实体。公司不能排除相关政府和监管机构针对本次交易出台政策、法律或展开调查行动，从而延迟本次
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）交易的交割或导致本次交易终止的风险。根据交易双方《发行股份购买资产协议》约定，如果境外审查机构强制要求对本项交易进行审查，则各方同意无条件配合境外审查机构对本项交易的审查，包括但不限于提供相关资料，签署必要的文件等。如因境外审查机构的审查导致本项交易最终无法完成，则上市公司有权单方解除本协议；如境外审查机构对本项交易提出整改要求，则各方同意以不损害上市公司利益为原则共同商讨解决方案，并按照境外审查机构的要求进行整改。如因上述情形导致上市公司遭受损失的，各交易对方应当尽力配合商讨解决方案，并保障上市公司的利益不受损害。
（四）标的资产评估增值的风险
在本次交易中，截至评估基准日，北京豪威100%股权的评估值为1,413,100万元，比北京豪威归属于股东权益账面价值 957,186.83万元增值47.63%；思比科100%股权的评估值为 54,600万元，比思比科归属于股东权益账面价值7,311.58万元增值646.76%；视信源100%股权的评估值为 29,243.76万元，比视信源归属于股东权益账面价值 220.23万元增值13,178.73%。本次交易标的公司的评估增值幅度较大，主要是由于标的资产具有较好的持续盈利能力和未来业绩增长能力，其市场地位、市场占有率、技术能力、客户资源、管理能力、经营服务、产品研发队伍等重要无形资产未在公司财务报表中体现。由于评估过程的各种假设存在不确定性，存在因未来实际情况与评估假设不一致，特别是宏观经济的波动、产业政策的变化、市场竞争环境改变等情况，使得标的资产未来盈利水平达不到评估时的预测，导致出现标的资产的估值与实际情况不符的情形。提请投资者注意本次交易存在前述相关因素影响标的资产盈利能力进而影响标的公司估值的风险。
（五）标的公司承诺业绩无法实现的风险
2016年、2017年及2018年1-7月，北京豪威扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润分别为-198,937.36元、275,819.87万元和 17,827.90万元；思比科扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润分别为-6.12万元、-1,420.92万元和-2,564.22万元。
根据本公司与交易对方签署的《利润补偿协议》，北京豪威交易对方承诺北
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）京豪威 2019年、2020年和 2021年扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润数分别不低于54,541.50万元、84,541.50万元和112,634.60万元；思比科交易对方承诺思比科 2019年、2020年和 2021年扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润数分别不低于2,500万元、4,500万元和6,500万元；视信源交易对方承诺视信源 2019年、2020年和 2021年扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润数分别不低于1,346万元、2,423万元和3,500万元。
若因市场竞争加剧、市场开拓未达预期、产业政策变化、税收增加或优惠减少、贸易限制和经济制裁等因素的影响，北京豪威、思比科、视信源均可能存在承诺业绩无法达到预期的风险。
（六）配套融资未能实施或低于预期的风险
本次发行股份购买资产不以募集配套资金的成功实施为前提，最终募集配套资金发行成功与否不影响本次发行股份购买资产行为的实施。本次募集配套资金需经中国证监会核准，能否取得中国证监会核准以及何时取得中国证监会核准存在不确定性。而在中国证监会核准后，受股票市场波动、监管政策导向、公司经营及财务状况变化等因素影响，募集配套资金能否顺利实施存在不确定性。提醒广大投资者关注募集配套资金的相关风险。
（七）募投项目的实施、效益未达预期风险
本次重组募集资金拟用于标的公司项目建设及支付中介机构费用。募集资金投资项目的经济效益测算是根据标的公司目前实际经营状况、市场竞争能力及对未来市场需求的判断等作出的，但由于宏观经济环境和市场竞争态势存在一定的不确定性，如果市场竞争或市场需求发生重大不利变化，可能带来募集资金投资项目效益不及预期的风险。
（八）本次发行股份购买资产对方尚未完成私募基金备案的风险
截至本重组报告书签署日，本次发行股份购买资产的交易对方之元禾华创尚未按照《私募投资基金监督管理暂行办法》、《证券投资基金法》等相关法律法规的规定完成私募投资基金备案。根据中国证监会的相关规定，本次重组中涉及私募投资基金的，应当在重组方案实施前完成备案程序。因此，本次交易存在因交易对方未完成私募基金备案手续导致交易无法实施的风险。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）二、标的资产经营风险
（一）宏观经济波动风险
半导体产品应用领域非常广泛，涵盖通讯、安防、汽车电子、医疗、家电、工业控制、航空航天、军事等国民经济的各方面，因此半导体产业不可避免地受到宏观经济波动的影响。宏观经济的变化将直接影响半导体下游产业的供求平衡，进而影响到整个半导体产业自身。
总体来说，全球半导体产业的市场状况基本与世界经济发展形势保持一致。未来，如果宏观经济出现较大波动，将影响到半导体行业的整体发展，包括标的公司从事的半导体芯片设计业务。
（二）行业周期性风险
半导体行业是周期性行业，其增速与全球 GDP增速的相关度很高。由于半导体产品受到技术升级、市场格局、应用领域等因素影响，整个半导体行业具有周期性波动的特点。半导体周期通常也称为―硅周期‖，指半导体产业在 5年左右的时间内会历经从衰落到昌盛的一个周期。近年来，随着半导体产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快，新技术、新工艺在半导体产品中的应用更加迅速，进而导致半导体产品的生命周期不断缩短。从国内来看，我国集成电路产业发展有国家产业政策的支持及巨大内需市场的依托，但智能手机、平板电脑，以及诸多移动产品市场趋向成熟，增长趋缓，价格竞争日趋激烈，新一代虚拟现实、无人驾驶、工业机器人等尚在孕育中，标的公司业务能否继续保持国内市场的较高速度增长存在不确定性，经营业绩可能会因半导体行业周期性而产生较大的波动。
（三）市场变化风险
标的公司的主营业务均为 CMOS图像传感器的研发和销售，主要产品广泛应用于消费电子和工业应用领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络摄像头、安全监控设备、数码相机、汽车和医疗成像等。
报告期内，标的公司在移动通信领域的产品销售占比均较大，若该领域的细分市场出现较大不利变化，标的公司经营业绩将受到重大不利影响。同时，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）若在未来业务发展中，如果标的公司未能把握行业发展的最新动态，在下游市场发展趋势上出现重大误判，未能在快速成长的应用领域推出适合下游用户需求的产品和服务，将会对标的公司的经营业绩造成重大不利影响。
（四）外协加工风险
标的公司均采用 Fabless运营模式，专注于集成电路芯片的设计、研发，在生产制造、封装及测试等环节采用专业的第三方企业代工模式。该模式于近十多年来全球集成电路芯片产业中逐渐得到越来越多厂商的运用，符合集成电路产业垂直分工的特点。虽然无晶圆厂运营模式降低了企业的生产成本，使集成电路设计企业能以轻资产的模式实现大额的销售收入，但同时也带来在产品外协加工环节中由供应商供货产生的不确定性。目前对于集成电路设计企业而言，晶圆是产品的主要原材料，由于晶圆加工对技术及资金规模的要求极高，不同类型的集成电路芯片产品在选择合适的晶圆代工厂时范围有限，导致晶圆代工厂的产能较为集中。
在行业生产旺季来临时，晶圆厂和封测厂的产能能否保障标的公司的采购需求存在不确定性。同时随着行业中晶圆厂和封测厂在不同产品中产能的切换以及产线的升级，或带来的标的公司采购单价的变动，若外协加工服务的采购单价上升，会对标的公司的毛利造成不利影响。此外，突发的自然灾害等破坏性事件时，也会影响晶圆厂和封测厂向标的公司的正常供货。
虽然标的公司向多家晶圆厂以及封测厂采购晶圆及封装、测试服务，且报告期内供应关系稳定，但上述因素可能给标的公司晶圆厂、封测厂的供应稳定性造成一定影响。因此，标的公司面临一定程度的原材料供应及外协加工稳定性的风险。
（五）技术不能持续创新风险
标的公司自设立以来均专注于集成电路设计业务，经过多年技术积累，美国豪威已发展为全球领先的 CMOS图像传感器设计企业，思比科也成为一家在国内外有重要影响力的 COMS图像传感器供应商，标的公司均掌握了设计高性能 COMS图像传感器的核心技术。持续开发新产品是标的公司在市场中保持竞争优势的重要手段，随着市场竞争的不断加剧，半导体产品生命周期的缩短，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）如标的公司不能及时准确的把握市场需求和技术发展趋势，将导致标的公司新产品不能获得市场认可，对标的公司市场竞争力产生不利影响。
（六）税收优惠政策变化的风险
北京豪威子公司豪威半导体、豪威科技（上海）均取得《高新技术企业证书》，减按15%的税率计算缴纳企业所得税。
思比科及其子公司太仓思比科微电子技术有限公司、天津安泰微电子技术有限公司均取得《高新技术企业证书》，减按15%的税率计算缴纳企业所得税。
如果标的公司未来不能被认定为高新技术企业或相应的税收优惠政策发生变化，上述公司将不再享受相关的税收优惠，对标的公司经营业绩产生一定影响。
（七）汇率波动风险
北京豪威的主要经营实体为美国豪威及下属企业，美国豪威日常经营活动以美元为结算货币，北京豪威合并财务报表的记账本位币为美元。随着人民币日趋国际化、市场化，人民币汇率波动幅度增大，人民币对美元等货币的汇率变化将导致公司合并财务报表的外币折算风险。
（八）海外业务运营风险
美国豪威的产品研发、销售分布在北美、亚洲、欧洲等国家和地区，如相关国家和地区发生突发政治动荡、战争、经济波动、自然灾害、政策和法律不利变更、税收增加和优惠减少、贸易限制和经济制裁、国际诉讼和仲裁等情况，都可能影响美国豪威业务的正常运营，进而影响重组后上市公司的财务状况和盈利能力。
三、与上市公司相关的风险
（一）收购整合风险
本次交易完成后，北京豪威、思比科均成为上市公司的控股子公司，由于美国豪威与本公司在法律法规、会计税收制度、商业惯例、公司管理制度、企业文化等经营管理方面存在一定差异，虽然本公司董事长虞仁荣先生于 2017年9月起担任美国豪威首席执行官，但对标的公司的整合效应显现尚需一定时间，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）整合效果与协同效应能否达到预期仍存在一定的不确定性。本公司将通过不断完善公司治理、加强内部控制、提高公司管理水平等措施降低该等风险，并对相关情况进行真实、准确、及时、完整、公平的披露，提醒广大投资者关注本次交易上市公司的整合风险。
（二）商誉减值风险
本次交易完成后，在上市公司合并资产负债表中预计将形成较大金额的商誉。根据企业会计准则规定，商誉需在未来每年年度终了进行减值测试。如果标的公司未来经营状况恶化，则存在商誉减值的风险，从而对上市公司的经营业绩造成不利影响，本公司提醒投资者关注上述风险。
（三）控股股东股权质押风险
截至 2018年 7月 31日，虞仁荣持有本公司 279,435,000股股份，其中已被质押的股份数量为 183,810,205股，占其持股总数的65.78%，占公司总股本的40.33%。受国家政治、经济政策、市场环境、投资者心理因素、公司经营业绩等内外部多种因素的影响，公司股票价格会产生波动，在极端情况下控股股东所质押的股票有被强制平仓的风险，从而可能带来控股股东和实际控制人发生变更的风险。
四、其他风险
（一）股票市场波动风险
股票市场价格波动不仅取决于企业的经营业绩，还受宏观经济周期、利率、资金、供求关系等因素的影响，同时也会因国际、国内政治经济形势及投资者心理因素的变化而产生波动。由于以上多种不确定因素的存在，公司股票可能会产生脱离其本身价值的波动，从而给投资者带来投资风险。投资者在购买本公司股票前应对股票市场价格的波动及股市投资的风险有充分的了解，并做出审慎判断。
（二）其他风险
上市公司不排除因政治、经济、自然灾害等其他不可控因素给上市公司带来不利影响的可能性，提请广大投资者注意相关风险。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第一节本次交易概况
一、本次交易的背景
（一）全球集成电路产业并购整合加速
集成电路是信息产业的基础，一直以来占据全球半导体产品超过80%的销售额，被誉为―工业粮食‖，涉及计算机、家用电器、数码电子、自动化、电气、通信、交通、医疗、航空航天等领域，在几乎所有的电子设备中都有使用。对于未来社会的发展方向，包括5G、人工智能、工业机器人、物联网、自动驾驶等，集成电路都是必不可少的基础，只有在集成电路的支持下，这些应用才可能得以实现。所以，集成电路产业是国民经济中基础性、关键性和战略性的产业，集成电路产业的强弱是国家综合实力强大与否的重要标志。
过去几年，作为衡量行业景气度先行指标的全球半导体设备销售额高速增长。根据国际半导体产业协会（SEMI）的出货报告，2017年全球半导体制造设备成交金额为 566.2亿美元，同比增长高达41%；2018年预计销售额将继续增长，达到约 630亿美元。从市场规模来看，根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）的数据，2017年全球集成电路销售额为 3,431.86亿美元，同比增长24%，预计2018年销售额将增长9.5%，达到3,758.99亿美元。
随着人们对互联互通的需求越来越强烈，以及许多国家对智能制造业的强力推进，半导体的需求量也屡创历史新高，推动半导体行业并购交易的风生水起。IC Insights报告指出，2015年、2016年是全球半导体产业并购最活跃的两年，并购交易总市值分别达到1,073亿美元和998亿美元，2017年下降至277亿美元，但仍比2010-2014年平均并购交易额的约126亿美元高出两倍多。
2015-2017年，全球半导体产业共有 7起超过 100亿美元的顶级规模并购交易。而在半导体产业史上超过100亿美元的顶级规模并购交易仅8起，分别为安华高（Avago）370亿美元收购博通（Broadcom）、软银（Softbank）320亿美元收购ARM、西部数据（WesternDigital）190亿美元收购闪迪（Sandisk）、黑石集团（BlackstoneGroup）176亿美元收购飞思卡尔（Freescale）、英特尔（Intel） 167亿美元收购阿尔特拉（Altera）、英特尔（Intel）153亿美元收购无比视
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（Mobileye）、亚德诺（AnalogDevices）148亿美元收购凌力尔特（LinearTechnology）、恩智浦（NXP）118亿美元收购飞思卡尔（Freescale）。
近年来，全球集成电路产业资源加速整合，资源越来越向优势企业集中，这也成为半导体巨头们保持行业地位和迎接未来挑战的利器，后发企业面临的竞争压力越来越大。
（二）国家政策大力支持集成电路产业发展
根据中国半导体行业协会统计，2017年我国集成电路产业销售额为 5,411.3亿元，同比增长24.8%。2015-2017年，集成电路行业产值的年均复合增长率达21.5%，其中集成电路设计业在 2016年首次超过封装测试业，成为销售额最大的部分。但是，伴随着我国集成电路快速发展的却是贸易逆差的不断扩大，2017年贸易逆差高达1,933亿美元，同比增长16.6%。我国作为目前世界电子消费第一大国，市场规模占全球进一半，但集成电路自给率仅为10%，特别是高端产品方面，部分产品自给率极低。
我国政府早已认识到发展集成电路的重要性，发布多项支持文件。2011年，国务院发布《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》，提出―旨在进一步优化软件产业和集成电路产业发展环境，提高产业发展质量和水平，培育一批有实力和影响力的行业领先企业‖。
2014年，工信部、发改委、科技部、财政部等多部门联合发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，明确主要任务和发展重点是：着力发展集成电路设计业，加速发展集成电路制造业，提升先进封装测试业发展水平，突破集成电路关键装备和材料。
2018年，国务院2018年政府工作报告提出：要加快制造强国建设，推动集成电路、第五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展。
（三）国家政策鼓励上市公司兼并重组
2010年9月，国务院出台《关于促进企业兼并重组的意见》（国发[2010]27号），明确表示通过促进企业兼并重组，加快国有经济结构的战略性调整。
2014年 3月 7日，国务院出台《关于进一步优化企业兼并重组市场环境的
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）意见》（国发[2014]14号），明确在企业兼并重组中改善政府的管理和服务，取消限制企业兼并重组和增加企业负担的不合理规定，引导和激励各种所有制企业自主、自愿参与兼并重组。
2014年 5月 9日，国务院出台《关于进一步促进资本市场健康发展的若干意见》，再次重申―鼓励市场化并购重组，充分发挥资本市场在企业并购重组过程中的主渠道作用‖。
2015年8月31日，中国证监会、财政部、国资委、中国银监会等四部委联合发布《关于鼓励上市公司兼并重组、现金分红及回购股份的通知》，通过多种方式进一步深化改革、简政放权，大力推进上市公司并购重组，积极鼓励上市公司现金分红，支持上市公司回购股份，提升资本市场效率和活力。
（四）中国企业跨境并购步伐加快，国家政策进一步放宽
跨境并购作为上市公司增强企业竞争力、提升公司价值的有效方式，成为上市公司全球化运作的主要手段。经过多年的经验摸索和积累，中国部分优质企业已初步具备成功开展跨境投资的实力和条件。
为推动中国资本市场的国际化进程，帮助中国企业适应全球化发展的新形势，政府监管机构近年来相继出台相关规定和措施，进一步放宽中国企业对外投资的审批规定，其中包括发改委、商务部审批备案权限的下放等，支持中国企业进行跨境并购交易。
2014年10月，商务部发布的新的《境外投资管理办法》大大减少了商务部在境外投资方面相关的行政审批，确立了―备案为主、核准为辅‖的新型管理模式，进一步提升了境外投资的便利化，并进一步提升了国内企业进行境外投资与并购的自主权。
2015年 2月，国家外汇管理局发布了《关于进一步简化和改进直接投资外汇管理政策的通知》（汇发[2015]13号），取消了境外直接投资项下外汇登记核准行政审批，改由银行按照《直接投资外汇业务操作指引》直接审核办理境外直接投资项下外汇登记，负责境外投资外汇管理职能的主管单位由外汇管理局转为银行负责。自 2015年 6月 1日起，外汇管理局不再负责境外投资外汇登记事项，而只是通过银行对直接投资外汇登记实施间接监管，企业可自行选择注册
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）地银行办理直接投资外汇登记。
2018年 3月 1日，国家发改委发布并施行的《企业境外投资管理办法》，取消―项目信息报告制度‖，取消地方初审、转报环节，放宽投资主体履行核准、备案手续的最晚时间要求，进一步便利企业境外投资。
二、本次交易的目的
（一）韦尔股份与标的公司业务高度协同，符合未来发展战略布局
韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。分销业务以―战略规划、与设计业务互补‖为目标，主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。标的公司的主营业务均为 CMOS图像传感器的研发和销售。
目前，韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。本次交易，一方面能够丰富公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来移动通信、安防、汽车电子、医疗等领域优质的客户资源。
此外，韦尔股份自身拥有强大的半导体分销体系、完善的销售网络和供应链体系以及高技术、高执行力、高服务能力的现场技术支持工程师（FAE）团队。标的公司主要从事芯片设计，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，标的公司可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
本次交易，韦尔股份与标的公司业务高度协同，符合上市公司未来发展战略布局。未来，韦尔股份将继续立足于半导体设计行业，利用在技术、资质、品牌、销售渠道、服务等方面的优势，以移动通信、数码产品为发展根基，进一步拓展各类产品在安防、汽车、网通、医疗、智能家居、可穿戴设备等领域的应用，努力成为代表行业领先水平、具有重大影响力的高成长、自主创新的企业。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（二）提升上市公司盈利水平和综合竞争实力
从销售额和市场占有率来看，豪威科技是位列索尼、三星之后的全球第三大图像传感器供应商，技术处于全球领先水平，其 CMOS图像传感器在中高端智能手机市场占有较高份额，在安防、汽车用图像传感器领域也处于行业领先地位，具有很高的市场接受度和发展潜力。思比科 CMOS图像传感器在国内中低端智能手机市场占有较高份额。
本次交易完成后，本公司将通过业务整合和分工，充分发挥上市公司与标的公司的协同效应。上市公司将获得新的业绩增长点，资产质量、业务规模及盈利能力将得到提升，有利于实现股东长远价值的提高。
（三）减少关联交易
2017年9月20日起，韦尔股份控股股东、实际控制人担任北京豪威董事、总经理兼首席执行官，北京豪威成为上市公司关联方；2018年6月22日起，思比科董事陈智斌担任韦尔股份监事，思比科成为上市公司关联方。
2018年 1-7月，韦尔股份向北京豪威、思比科采购 CMOS图像传感器的金额分别为892.53万美元、8,515.27万元。本次交易完成后，北京豪威、思比科均将成为韦尔股份子公司，上述关联交易彻底消除。
三、本次交易的具体方案
（一）发行股份购买资产
1、交易对方
本次交易中，发行股份购买北京豪威85.53%股权的交易对方为绍兴韦豪、青岛融通、Seagull（A3）、嘉兴水木、嘉兴豪威、上海唐芯、SeagullInvestments、开元朱雀、元禾华创、北京集电、天元滨海、惠盈一号、领智基石、金信华创、金信华通、西藏大数、上海威熠、西藏锦祥、上海摩勤、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、德威资本、深圳远卓、深圳兴平。发行股份购买思比科42.27%股权的交易对方为北京博融、南昌南芯、山西TCL、华清博广、中关村创投、吴南健、陈杰、刘志碧。发行股份购买视信源79.93%股权的交易对方为陈杰、刘志碧、金湘亮、旷章曲、董德福、程
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）杰、钟萍、陈黎明、吴南健。
2、发行股票种类和面值
本次发行股份购买资产发行股票的种类为境内上市人民币普通股（A股），每股面值为人民币1.00元。
3、发行价格、定价基准日和定价原则
根据《重组管理办法》第四十五条的规定，上市公司发行股份的价格不得低于市场参考价的90%。市场参考价为上市公司审议本次重大资产重组的首次董事会决议公告日前20个交易日、60个交易日或120个交易日的公司股票交易均价之一。本次交易韦尔股份发行股份可选择的市场参考价具体情况如下：
单位：元/股
|||||
|-|-|-|-|
|定价区间|定价基准日前20个交易日|定价基准日前60个交易日|定价基准日前120个交易日|
|交易均价|39.05|37.68|39.08|
|交易均价的90%|35.15|33.92|35.18|

以上交易均价的计算公式为：韦尔股份董事会决议公告日前若干个交易日公司股票交易均价=决议公告日前若干个交易日公司股票交易总额/决议公告日前若干个交易日公司股票交易总量。
基于上市公司停牌前的市场走势等因素，经友好协商，交易双方确定本次发行股份购买资产的定价依据为不低于定价基准日前 60个交易日韦尔股份股票交易均价的90%，即33.92元/股。
在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、资本公积金转增股本等除权除息事项，本次发行价格将作相应调整，发行股份数量也随之进行调整。
2018年8月10日，韦尔股份实施2017年度利润分配方案，每10股派发现金红利0.45元，本次发行价格相应调整为 33.88元/股。
4、发行数量及支付方式
本次购买资产向各交易对方的股票数量应按照以下公式进行计算：向各交
易对方发行股份的数量=向各交易对方支付的交易对价总额/股份发行价格。
依据上述公式计算的发行数量精确至个位数，计算结果如出现不足 1股的
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）尾数舍去取整，即不足1股的金额赠予上市公司。
按照协商确定的33.88元/股（除息后）的上市公司股票发行价格，本次发行股份购买资产的股份发行数量具体如下表所示：
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|标的资产|交易对方|持有标的资产股权比例（%）|本次交易资产占标的资产比例（%）|本次交易获得的对价总额（万元）|发行股份数（股）|
|北京豪威85.53%股权|绍兴韦豪|17.58|17.58|272,427.46|80,409,522|
||青岛融通|13.52|13.52|209,570.44|61,856,681|
||Seagull（A3）|6.74|6.74|104,403.34|30,815,626|
||嘉兴水木|5.83|5.83|90,363.46|26,671,624|
||嘉兴豪威|5.83|5.83|90,363.46|26,671,624|
||上海唐芯|5.00|5.00|77,500.00|22,874,852|
||Seagull Investments|4.98|4.98|77,176.58|22,779,392|
||开元朱雀|4.86|4.86|68,515.33|20,222,943|
||元禾华创|4.26|4.26|65,995.04|19,479,056|
||北京集电|3.54|3.54|54,832.37|16,184,287|
||天元滨海|3.53|3.53|49,819.15|14,704,590|
||惠盈一号|2.00|2.00|28,230.85|8,332,601|
||领智基石|2.00|2.00|28,200.00|8,323,494|
||金信华创|1.41|1.41|19,927.66|5,881,836|
||金信华通|0.94|0.94|13,285.11|3,921,224|
||西藏大数|0.71|0.71|9,963.83|2,940,918|
||上海威熠|0.65|0.65|10,132.26|2,990,631|
||西藏锦祥|0.47|0.47|6,642.55|1,960,612|
||上海摩勤|0.43|0.43|6,048.90|1,785,389|
||Seagull（A1）|0.40|0.40|6,210.15|1,832,985|
||Seagull（C1-Int‘l）|0.28|0.28|4,345.97|1,282,754|
||Seagull（C1）|0.22|0.22|3,374.76|996,091|
||德威资本|0.12|0.12|1,660.64|490,153|
||深圳远卓|0.12|0.12|1,660.64|490,153|
||深圳兴平|0.12|0.12|1,660.64|490,153|
||小计|85.53|85.53|1,302,310.62|384,389,191|
|思比科42.27%股权|北京博融|25.27|25.27|13,798.72|4,072,822|
||南昌南芯|4.76|4.76|2,600.00|767,414|
||山西TCL|3.81|3.81|2,080.00|613,931|
||华清博广|3.81|3.81|2,284.57|674,312|
||中关村创投|1.90|1.90|1,040.00|306,965|
||吴南健|1.42|1.42|850.29|250,969|
||陈杰|3.83|0.96|574.06|169,438|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|
|标的资产|交易对方|持有标的资产股权比例（%）|本次交易资产占标的资产比例（%）|本次交易获得的对价总额（万元）|发行股份数（股）|
||刘志碧|1.35|0.34|201.94|59,605|
||小计|46.15|42.27|23,429.58|6,915,456|
|视信源79.93%股权|陈杰|45.85|45.85|14,741.57|4,351,113|
||刘志碧|13.49|13.49|4,337.27|1,280,185|
||金湘亮|6.06|6.06|1,772.17|523,073|
||旷章曲|4.42|4.42|1,421.11|419,453|
||董德福|2.30|2.30|739.49|218,267|
||程杰|2.25|2.25|723.41|213,522|
||钟萍|2.21|2.21|710.55|209,726|
||陈黎明|1.94|1.94|567.33|167,452|
||吴南健|1.41|1.41|453.34|133,807|
||小计|79.93|79.93|25,466.25|7,516,598|
|合计||-|-|1,351,206.44|398,821,245|

本次发行股份购买资产的股份最终发行数量以中国证监会核准的股数为准。在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、公积金转增股本等除权除息事项，各方将按照相关规则对上述发行股份数量做相应调整。
5、滚存未分配利润安排
本次发行完成后，本次发行前上市公司滚存的未分配利润，由上市公司新老股东按本次发行完成后各自持有上市公司股份的比例共同享有。
6、锁定期安排
本次交易中，发行股份购买资产的交易对方的股份锁定期具体安排如下：
（1）北京豪威交易对方的股份锁定安排
①本次向绍兴韦豪发行的股份，自股份上市之日起 36个月内不得转让；前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，韦尔股份本次向绍兴韦豪发行股份的100%扣减其截至该时点已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后的剩余股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则绍兴韦
豪可解锁的股份数为0。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易完成后 6个月内如韦尔股份股票连续 20个交易日的收盘价低于本次交易发行价，或者交易完成后 6个月期末收盘价低于发行价，承诺方持有韦尔股份股票的锁定期自动延长至少6个月。
②本次向青岛融通、北京集电、嘉兴水木、嘉兴豪威、Seagull（A3）、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、上海威熠发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让；前述期限届满后，按如下约定解锁：
a前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的50%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
b韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的另外20%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
c韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的剩余30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁。
d各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则当年上述发行对象可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
③本次向 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯发行的股份，其取得本次发行的股份时，若其持续持有北京豪威股权的时间不足 12个月，则自股份上市之日起 36个月内不得转让，前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露北京豪威 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，向上述发行对象发行股份的100%扣减其各自截至该时点应补偿的股份数（如有）后的剩余股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则其可解锁的股份数为0。
若 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯取得本项发行的股份时，其持续持有北京豪威股权的时间已满12个月，则自股份上市之日起12个月内不得转让，前述期限届满后，其解锁方式与青岛融通、北京集电、嘉兴水木、嘉兴豪威、Seagull（A3）、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、上海
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）威熠相同。
④本次向开元朱雀、天元滨海、惠盈一号、金信华创、金信华通、西藏大数、西藏锦祥、德威资本、深圳远卓、深圳兴平发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让。
⑤若领智基石、上海摩勤取得本项发行的股份时，其持续持有北京豪威股权的时间不足12个月，则自股份上市之日起36个月内不得转让。
若领智基石、上海摩勤取得本项发行的股份时，其持续持有北京豪威股权的时间已满12个月，则自股份上市之日起 12个月内不得转让。
（2）思比科交易对方的股份锁定安排
①本次向陈杰、刘志碧及吴南健发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让；前述期限届满后，按照如下约定进行解锁：
a前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露思比科 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的20%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
b韦尔股份在指定媒体披露思比科 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的另外30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
c韦尔股份在指定媒体披露思比科 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的剩余50%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁。
d各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则上述发行对象当年各自可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
②若华清博广取得本项发行的韦尔股份股票时，持续持有思比科的时间不足 12个月，则本次向华清博广发行的股份自股份上市之日起 36个月内不得转让，前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露思比科2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向华清博广发行股份的100%扣减其各自截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后的剩余
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则华清博广可解锁的股份数为0。
若华清博广取得本项发行的韦尔股份股票时，持续持有思比科的时间已满12个月，则本次向华清博广发行的股份自股份上市之日起12个月内不得转让，前述期限届满后，其解锁方式与陈杰、刘志碧、吴南健相同。
③本次向北京博融、南昌南芯、山西TCL、中关村创投发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让。
（3）视信源交易对方的股份锁定安排
①本次向陈杰、刘志碧、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、吴南健发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让。前述期限届满后，按如下约定解锁：
a前述期限届满且韦尔股份在指定媒体披露视信源 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的20%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
b韦尔股份在指定媒体披露视信源 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的另外30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
c韦尔股份在指定媒体披露视信源 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行股份的剩余50%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁；
d各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于 0的，则上述发行对象当年各自可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
②本次向金湘亮、陈黎明发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让。
本项交易实施后，业绩承诺方中的各方由于上市公司送股、转增股本等原因增持的上市公司股份，亦应遵守上述约定。
如证券监管部门对股份锁定还有其他要求的，本项发行的股份的转让、交
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）易还应遵守届时有效的法律、行政法规、行政规章、规范性文件和上交所的有关规定和证券监管部门的相关要求。
（4）虞仁荣的股份锁定安排
根据《证券法》第九十八条规定：―在上市公司收购中，收购人持有的被收购的上市公司的股票，在收购行为完成后的十二个月内不得转让。‖以及《上市公司收购管理办法》第七十四条规定：―在上市公司收购中，收购人持有的被收购公司的股份，在收购完成后 12个月内不得转让。收购人在被收购公司中拥有权益的股份在同一实际控制人控制的不同主体之间进行转让不受前述 12个月的限制。‖上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣作为本次交易对方绍兴韦豪的实际控制人，就本次交易前持有的韦尔股份股票，作出如下承诺：
―本人在本次交易前持有的韦尔股份股票，自本次交易发行的股份上市之日起的12个月内不得转让。
本次交易实施完成后，本人由于韦尔股份送红股、转增股本等原因增持的韦尔股份股票，亦应遵守上述约定。
如监管规则或监管机构对锁定期有更长期限的明确要求的，按照监管规则或监管机构的要求执行。‖
7、标的资产期间损益归属
标的资产在过渡期内的收益归韦尔股份所有；在过渡期内的亏损由交易对方按照其截至发行股份购买资产协议签署之日持有的标的公司出资比例向韦尔股份补足。
8、上市地点
韦尔股份本次发行的股票上市地点为上交所。
9、决议有效期
与本次发行股份购买资产有关的决议自股东大会审议通过之日起 12个月内有效。
（二）发行股份募集配套资金
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）1、发行股票的种类和面值
本次募集配套资金所发行的股票为境内上市人民币普通股（A股），每股面值人民币 1.00元。
2、发行价格、定价基准日和定价原则
本次募集配套资金的定价原则为询价发行，募集配套资金的定价基准日为本次非公开发行股票发行期的首日。本次募集配套资金的股份发行价格不低于定价基准日前20个交易日上市公司股票交易均价的90%。
本次募集配套资金的最终股份发行价格将在本次交易获得中国证监会核准后，根据有关规定及发行对象申购报价的情况，最终由公司股东大会授权董事会与主承销商按照价格优先等原则合理确定。
在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、公积金转增股本等除权除息事项，配套融资发行价格将作相应调整。
3、发行方式
本次发行股份募集配套资金采取向特定投资者非公开发行股份的方式。
4、发行对象
本次发行股份募集配套资金的发行对象为符合中国证监会规定的证券投资基金管理公司、证券公司、保险机构投资者、信托投资公司、财务公司、合格境外机构投资者，以及符合法律法规规定的其他法人、自然人或其他合格的投资者等不超过 10名特定投资者。该等特定投资者均以现金认购本次发行的股份。
5、发行数量
本次交易拟募集配套资金总额不超过 20亿元，不超过本次拟发行股份购买资产交易价格的100%。最终发行数量将根据以下两项孰低原则确定：①根据本次募集配套资金总额和发行价格确定的股份数；②发行前总股本的20%，即 91,162,788股。自配套融资定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、公积金转增股本等除权除息事项，各方将按照相关规则对上述股份数量做相应调整。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）6、配套募集资金用途
本次配套募集资金拟用于标的公司建设项目及支付中介机构费用。具体用途如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|项目名称|拟使用募集资金（万元）|占比（%）|
|1|晶圆测试及晶圆重构生产线项目（二期）|170,000.00|85.00|
|2|硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目（二期）|20,000.00|10.00|
|3|支付中介机构费用|10,000.00|5.00|
||合计|200,000.00|100.00|

本次募集资金到位后，上市公司将以募集资金置换已先行投入的募集资金投资项目资金。
在上述募集资金投资项目的范围内，公司董事会可根据项目的实际需求及资金需求，按照相关法律法规以及股东大会的授权对上述项目的募集资金投入金额进行适当调整。
7、滚存未分配利润安排
公司在本次发行前的滚存未分配利润均由本次发行完成后公司的新老股东按照其持股比例共同享有。
8、锁定期安排
本次交易上市公司拟向不超过 10名符合条件的特定投资者募集配套资金，投资者认购的股份自股份上市之日起12个月内不得转让。
本次发行完成后至锁定期满之日止，由于上市公司分配股票股利、转增股本等原因增持的股份，亦应遵守上述约定。
本次所认购的上市公司股份锁定期届满后减持股份时，应当遵守中国证监会、上交所届时有效的相关规定。
9、上市地点
本次非公开发行股票拟在上交所上市交易。
10、决议有效期
与本次发行股份募集配套资金有关的决议自股东大会审议通过之日起 12个
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）月内有效。
四、本次交易构成重大资产重组
根据韦尔股份、北京豪威、思比科、视信源 2017年财务数据，本次交易相关指标占交易前上市公司最近一个会计年度经审计财务指标的比例计算如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|资产总额|营业收入|资产净额|
|北京豪威100%股权|1,433,450.18|905,038.73|904,356.44|
|思比科42.27%股权|24,175.28|46,008.93|9,795.75|
|视信源79.93%股权|393.10|-|229.84|
|标的资产合计|1,458,018.56|951,047.67|914,382.03|
|成交金额|1,574,925.47|-|1,574,925.47|
|韦尔股份|282,490.82|240,591.63|117,976.44|
|财务指标占比|557.51%|395.30%|1,334.95%|

注1：2018年7月和8月，韦尔股份分别收购了北京豪威1.9543%和1.97%股权，合计3.9243%，成交金额合计54,977.16万元。
注2：2018年11月23日，韦尔股份通过云交所成功竞买瑞滇投资挂牌出售的芯能投资100%股权、芯力投资100%股权，成交价格合计168,741.925万元。2018年11月28日，交易各方签署了产权交易合同，截至目前，尚未办理工商变更登记手续。
根据上表，标的资产 2017年资产总额、营业收入、资产净额占上市公司 2017年经审计合并财务会计报告相应财务指标的比例均超过50%，因此本次交易构成重大资产重组。同时，由于本次交易涉及发行股份购买资产，需提交中国证监会并购重组委审核，并在取得中国证监会核准后方可实施。
五、本次交易不构成重组上市
本次交易前，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的61.30%，为上市公司控股股东、实际控制人。
本次交易完成后，在不考虑配套融资的情况下，按照标的资产暂定交易作价、上市公司股份发行价格初步计算，虞仁荣直接持有上市公司32.70%的股份，通过其控制的绍兴韦豪间接持有上市公司9.41%的股份，剔除虞仁荣控制的绍兴韦豪在本次交易停牌前六个月内取得的标的资产权益，虞仁荣仍持有上市公司32.70%的股份，仍为上市公司控股股东、实际控制人。
因此，根据《重组管理办法》第十三条之规定，本次交易不构成重组上市。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）六、本次交易构成关联交易
目前，韦尔股份的控股股东、实际控制人为虞仁荣，其亦为本次重组交易对方绍兴韦豪的实际控制人。韦尔股份的监事陈智斌担任交易对方北京博融的董事。
此外，本次重组完成后，若不考虑配套融资，青岛融通将持有上市公司7.24%股份，嘉兴水木、嘉兴豪威和华清博广为一致行动人，将合计持有上市公司6.32%股份。
根据《上市规则》的相关规定，绍兴韦豪、青岛融通、嘉兴水木、嘉兴豪威、北京博融、华清博广为上市公司的关联方，本次重组构成关联交易。关联董事在审议本次交易的董事会会议上回避表决，关联股东将在股东大会上回避表决。
七、本次交易对上市公司的影响
（一）本次交易对上市公司股权结构的影响
本次交易前，韦尔股份总股本为 455,813,940股，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的比例为61.30%。根据标的资产的交易作价及上市公司股份发行价格，本次购买资产发行股份数量合计 398,821,245股。本次交易完成后，上市公司总股本将增加至 854,635,185股（不考虑发行股份募集配套资金部分）。
本次交易前后，韦尔股份的股权结构变化情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|原上市公司股东|||||
|虞仁荣|279,435,000|61.30|279,435,000|32.70|
|其他股东|176,378,940|38.70|176,378,940|20.64|
|小计|455,813,940|100.00|455,813,940|53.33|
|交易对方|||||
|绍兴韦豪|—|—|80,409,522|9.41|
|青岛融通|—|—|61,856,681|7.24|
|Seagull（A3）|—|—|30,815,626|3.61|

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||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|嘉兴水木|—|—|26,671,624|3.12|
|嘉兴豪威|—|—|26,671,624|3.12|
|上海唐芯|—|—|22,874,852|2.68|
|Seagull Investments|—|—|22,779,392|2.67|
|开元朱雀|—|—|20,222,943|2.37|
|元禾华创|—|—|19,479,056|2.28|
|北京集电|—|—|16,184,287|1.89|
|天元滨海|—|—|14,704,590|1.72|
|惠盈一号|—|—|8,332,601|0.97|
|领智基石|—|—|8,323,494|0.97|
|金信华创|—|—|5,881,836|0.69|
|陈杰|—|—|4,520,551|0.53|
|北京博融|—|—|4,072,822|0.48|
|金信华通|—|—|3,921,224|0.46|
|西藏大数|—|—|2,940,918|0.34|
|上海威熠|—|—|2,990,631|0.35|
|西藏锦祥|—|—|1,960,612|0.23|
|上海摩勤|—|—|1,785,389|0.21|
|Seagull（A1）|—|—|1,832,985|0.21|
|刘志碧|—|—|1,339,790|0.16|
|Seagull（C1-Int‘l）|—|—|1,282,754|0.15|
|Seagull（C1）|—|—|996,091|0.12|
|德威资本|—|—|490,153|0.06|
|深圳远卓|—|—|490,153|0.06|
|深圳兴平|—|—|490,153|0.06|
|南昌南芯|—|—|767,414|0.09|
|山西TCL|—|—|613,931|0.07|
|华清博广|—|—|674,312|0.08|
|中关村创投|—|—|306,965|0.04|
|金湘亮|—|—|523,073|0.06|
|旷章曲|—|—|419,453|0.05|
|吴南健|—|—|384,776|0.05|
|董德福|—|—|218,267|0.03|
|程杰|—|—|213,522|0.02|
|钟萍|—|—|209,726|0.02|
|陈黎明|—|—|167,452|0.02|

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||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|小计|—|—|398,821,245|46.67|
|合计|455,813,940|100.00|854,635,185|100.00|

本次交易完成后，如不考虑配套融资的影响，虞仁荣直接持有韦尔股份 279,435,000股，占上市公司总股本的32.70%；通过其控制的绍兴韦豪间接持有韦尔股份80,409,522股，占上市公司总股本的9.41%。虞仁荣合计持股数占上市公司总股本的42.11%，仍为控股股东及实际控制人，本次交易将不会导致上市公司的控制权变更。
（二）本次交易对上市公司业务的影响
本次交易前，韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。分销业务主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。
本次交易标的公司豪威科技、思比科为芯片设计公司，主营业务均为 CMOS图像传感器的研发和销售，韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。通过本次交易，一方面丰富了上市公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来智能手机、安防、汽车、医疗等领域优质的客户资源。此外，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，标的公司可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
本次交易，韦尔股份与标的公司业务高度协同，符合上市公司未来发展战略布局。
（三）本次交易对上市公司财务状况及盈利能力的影响
韦尔股份2016年、2017年和2018年1-7月的营业收入分别为21.61亿元、
24.06亿元和 23.08亿元，归属于上市公司股东的净利润分别为 1.42亿元、1.37
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）亿元和 1.92亿元。根据《利润补偿协议》及其补充协议，本次发行股份购买资产的业绩承诺方承诺北京豪威、思比科、视信源在业绩承诺期（2019-2021年度）三年合计经审计的扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润分别不低于251,717.60万元、13,500.00万元和7,269.94万元。
本次交易有利于扩大上市公司资产规模，进一步改善财务状况，增强持续盈利能力，交易完成后，上市公司盈利水平将进一步提高。
（四）本次交易对上市公司关联交易的影响
1、本次交易构成关联交易
本次交易对方绍兴韦豪为韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣控制的企业。韦尔股份的监事陈智斌担任交易对方北京博融的董事。此外，本次重组完成后，若不考虑配套融资，青岛融通将持有上市公司7.24%股份，嘉兴水木、嘉兴豪威和华清博广为一致行动人，将合计持有上市公司6.32%股份，上述企业将成为上市公司的关联方。因此，本次交易构成关联交易。
2、本次交易完成后的关联交易情况
本次交易前，上市公司关联交易均遵循公开、公平、公正的原则，上市公司所有关联交易均以双方平等协商为基础，履行必要的决策程序，定价合理、公允。上市公司监事会、独立董事能够依据法律、法规及公司章程等的规定，勤勉尽责，切实履行监督职责，对关联交易及时发表意见。上市公司对关联交易的控制能够有效防范风险，加强上市公司治理，维护上市公司及广大中小股东的合法权益。
本次交易完成后，上市公司将不会因本次交易新增关联交易。北京豪威、思比科、视信源将成为上市公司的子公司，有利于减少关联交易，上市公司将继续严格按照《上市规则》、《公司章程》、《关联交易管理制度》等有关法律法规、规范性文件及公司制度的有关要求，审议、披露关联交易事项，确保关联交易的价格合理、公允，维护上市公司及股东的合法权益。
3、关于规范关联交易的承诺
为在本次交易完成后减少并规范关联交易，维护上市公司及中小股东的利
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）益，韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于规范关联交易的承诺函》。
《关于规范关联交易的承诺函》的具体内容详见本报告书―重大事项提示‖之―十、本次交易相关方作出的重要承诺‖。
（五）本次交易对上市公司同业竞争的影响
本次交易完成后，韦尔股份与控股股东、实际控制人之间不存在同业竞争。为充分保护上市公司利益，避免同业竞争，上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于避免同业竞争的承诺》。
《关于避免同业竞争的承诺》的具体内容详见本报告书―重大事项提示‖之―十、本次交易相关方作出的重要承诺‖。
（六）本次交易完成后上市公司对标的公司的整合
1、本次交易完成后对标的公司的具体整合计划
（1）北京豪威
北京豪威目前根据《中外合资经营企业法》制定了决策程序和相关规章制度。
公司董事长虞仁荣自 2017年 9月 20日起担任北京豪威董事，并于 2017年 9月 29日担任北京豪威总经理兼首席执行官；公司董事、财务总监、董事会秘书贾渊自 2018年 4月 28日起担任北京豪威董事；公司证券事务代表任冰自 2018年7月20日起担任北京豪威监事。
本次交易完成后，北京豪威相关制度将根据《公司法》、《上市公司治理准则》、韦尔股份《控股子公司管理制度》等相关法规和内控管理制度进行修订和调整。由于美国豪威成立于 1995年，已建立了较为完善严谨的经营管理决策程序和内部控制制度，在其长期经营中已充分证明了该内部制度的有效性，因此不会大幅调整。
上市公司将在财务上对北京豪威实行统一管理，不断规范日常经营活动中财务运作，降低财务风险，同时提高上市公司体系资金使用效率，实现内部资源的统一管理及优化配置。
（2）思比科、视信源
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次收购前，思比科已经按照法律法规的要求，建立了完善的法人治理结构，并规范运作。本次收购完成后，思比科将纳入上市公司管理体系，按照上市公司《控股子公司管理制度》等相关法规和内控管理制度进行修订和调整，思比科的公司治理结构将进一步完善，整体经营效率及公司治理有效性将进一步提升。
视信源作为思比科的持股公司，无实际经营。本次收购后，上市公司保证其管理层与治理层的稳定，按照目前的机构设置进行管理。
2、公司具备整合标的公司所需的相关人员、技术和管理储备
本次交易后，上市公司将维持标的公司原有经营管理团队和业务团队的相对稳定，标的公司核心管理及技术团队成员将全部留任，维持独立经营状态，韦尔股份将参与标的公司的重大经营决策。
韦尔股份是国内少数集半导体产品设计及分销业务为一体的上市公司，根据上市公司未来发展战略布局，本次交易完成后，韦尔股份将对豪威科技及思比科进行业务分工，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，具体协同效应见本报告书―第一节本次交易概况‖之―七、本次交易对上市公司的影响‖之―（七）上市公司与标的公司的协同效应‖。
3、本次交易完成后核心管理团队以及研发技术人员的安排意向
鉴于本次交易转让的标的资产为标的公司股权，本次交易完成后，标的公司及其子公司作为独立法人的身份不会发生变化，标的公司及其子公司将继续履行与其员工的劳动合同，并不因本次交易而导致额外的人员安排问题。根据北京豪威和思比科与上市公司签订的《发行股份购买资产协议》，北京豪威和思比科承诺在本次发行的股份完全解锁前，尽量保持公司及子公司核心经营管理团队和核心技术团队的基本稳定。
韦尔股份董事长虞仁荣自 2017年 9月起担任美国豪威董事、首席执行官，已参与到美国豪威的日常经营管理工作当中。本次交易完成后，上市公司会根据经营管理需要，另行决定是否委派董事或高级管理人员对标的公司进行管理。同时上市公司将保留标的公司相对独立的运营管理权，主要由原核心管理团队负责日常业务的运营和管理。此外，由于标的公司属于知识密集型行业，核心技术人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）员是标的公司核心竞争力的重要体现。本次交易完成后，上市公司会利用合理的激励措施来稳定核心技术团队。
（七）上市公司与标的公司的协同效应
豪威科技与思比科的主营业务均为 CMOS图像传感器研发和销售。从销售额和市场占有率来看，豪威科技是位索尼、三星之后的全球第三大 CMOS图像传感器供应商，技术处于全球领先水平，其 CMOS图像传感器在中高端智能手机市场占有较高份额，在安防、汽车用图像传感器领域也处于行业领先地位，具有很高的市场接受度和发展潜力。思比科 CMOS图像传感器在国内中低端智能手机市场占有较高份额。韦尔股份通过本次重组，可以实现在 CMOS图像传感器领域高中低端产品的垂直全覆盖，三者又有较明显的协同效应。
韦尔股份是国内少数集半导体产品设计及分销业务为一体的上市公司，根据上市公司未来发展战略布局，本次交易完成后，韦尔股份将对豪威科技及思比科进行业务分工。豪威科技拥有较强的研发及技术优势，凭借自身高素质的研发团队及市场领先的经验技术，将主要负责高端 CMOS图像传感器的研发、量产以及新兴市场的产品定义及拓展；而思比科拥有较低成本、较高性价比优势，将依赖自身长期建立的供应链体系，主要负责中低端 CMOS图像传感器的研发及量产。
本次交易，韦尔股份与标的公司业务高度协同。具体协同效应体现如下：
1、标的公司可以更专注于技术研发
韦尔股份是国内有较高影响力的半导体分销商之一，自身拥有强大的半导体分销体系、完善的销售网络和供应链体系以及高技术、高执行力、高服务能力的现场技术支持工程师团队。标的公司主要从事芯片设计，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，标的公司可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品技术研发上，进而使其整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
2、标的公司受益于上市公司的销售渠道
目前，韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。标的公司可以借助韦尔股份强大的销售
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）能力和分销渠道，提升产品市场份额。韦尔股份创始人虞仁荣在半导体产品分销行业已有 20多年的从业经验，韦尔股份之全资子公司香港华清专注于半导体产品分销，在行业内具有较高影响力，豪威科技、思比科可借助韦尔股份的分销渠道扩大销售、提升产品市场占有率。
3、上市公司受益于标的公司
目前，韦尔股份半导体设计业务主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等，与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。本次交易，一方面能够丰富韦尔股份设计业务产品类别，增加 CMOS图像传感器产品，带动韦尔股份半导体设计整体技术水平快速提升，在无需增加过多销售投入的情况下为下游客户提供更丰富的产品；另一方面标的公司也为韦尔股份带来移动通信、安防、汽车电子、医疗等领域优质的客户资源。
4、标的公司之间的协同
本次交易完成后，在研发上，思比科将借助豪威科技强大的行业定义及产品设计能力，在豪威科技的技术带动下，其设计及产品定义能力将大幅提升。
同时思比科长期致力于中低端 CMOS图像传感器的研发设计，对于豪威科技的高端技术前沿产品，其能够通过部分工艺及参数修改，以满足中低端 CMOS传感器市场的需求。同时双方在研发过程中的参数及良率等试验数据的共享，能够大大缩短研发进程，节约研发成本。
综上所述，本次交易完成后，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，这些协同效应将最终体现在经营效率的提高、成本的下降、未来上市公司经营业绩的提高等方面。
八、本次交易已履行和尚需履行的批准程序
（一）本次交易已履行的批准程序
1、上市公司的决策过程
2018年8月14日，韦尔股份第四届董事会第二十七次会议审议通过本次重大资产重组预案及相关议案。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 2018年 11月 30日，韦尔股份第四届董事会第三十三次会议审议通过本次重大资产重组方案及相关议案。
2、标的公司的决策过程
2018年11月9日，北京豪威召开董事会，审议通过本次交易相关议案。
2018年8月8日，视信源召开董事会，审议通过本次交易相关议案。
3、交易对方的决策过程
除自然人交易对方外，本次交易方案已经全部交易对方的内部权力机构审议通过。
2018年7月30日，中关村发展集团股份有限公司出具同意中关村创投参与本次重组的原则性意见。
（二）本次交易尚需获得的授权、批准和核准
本次交易尚需满足多项条件方可完成，包括但不限于：
1、韦尔股份股东大会审议通过本次交易正式方案的相关议案；
2、韦尔股份股东大会批准虞仁荣及其一致行动人免于发出收购要约；
3、国家市场监督管理总局反垄断局通过对本次交易有关各方实施的经营者集中审查；
4、中国证监会核准本次交易；
5、全国中小企业股份转让系统同意思比科终止挂牌。
上述批准或核准事宜均为本次交易的前提条件，能否取得相关的批准或核准以及最终取得批准和核准的时间均存在不确定性。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第二节上市公司基本情况
一、基本信息
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|-|-|
|中文名称|上海韦尔半导体股份有限公司|
|英文名称|Will Semiconductor Co., Ltd. Shanghai|
|A股简称（代码）|韦尔股份（603501.SH）|
|统一社会信用代码|9131000066244468X3|
|注册资本|人民币45,581.3940万元|
|法定代表人|马剑秋|
|成立日期|2007年5月15日|
|上市日期|2017年5月4日|
|注册地址|中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层|
|主要办公地址|中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层|
|邮政编码|201203|
|公司网站|http://www.willsemi.com|
|电子信箱|stock@sh-willsemi.com|
|经营范围|集成电路、计算机软硬件的设计、开发、销售，商务信息咨询，从事货物及技术的进出口业务，自有房屋租赁（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

二、设立情况
韦尔股份系自然人虞仁荣和马剑秋发起设立的股份有限公司。2007年 3月 30日，虞仁荣、马剑秋签订《发起人协议》，共同签署创立大会暨第一次股东大会决议，审议通过《上海韦尔半导体股份有限公司章程》，决定设立上海韦尔半导体股份有限公司。韦尔股份于2007年5月15日经上海市工商行政管理局批准成立，上海市工商行政管理局向公司核发了《企业法人营业执照》（注册号：3100001007477）。公司设立时的股权结构为：
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|-|-|-|
|股东姓名|股本（万元）|持股比例（%）|
|虞仁荣|400.00|80.00|
|马剑秋|100.00|20.00|
|合 计|500.00|100.00|

三、最近六十个月的控股权变动情况
韦尔股份自 2007年设立至本报告书签署日，控股股东、实际控制人一直为
虞仁荣先生，未发生过变更。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）四、最近三年的重大资产重组情况
2018年 10月 25日，韦尔股份第四届董事会第三十一次会议审议通过参与竞买芯能投资100%、芯力投资100%股权的议案。芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的投资实体，合计持有北京豪威10.5464%的股权。
2018年11月12日，韦尔股份股东大会审议通过参与竞买芯能投资100%、芯力投资100%股权的议案。
2018年 11月 23日，云南产权交易所有限公司（以下简称“云交所”）向公司发出书面《受让资格确认通知书》，告知韦尔股份符合受让方资格条件，对其受让资格予以确认。
2018年 11月 28日，韦尔股份就受让芯能投资100%股权和芯力投资100%股权事宜分别与瑞滇投资签署了《产权交易合同》。
上述交易构成重大资产重组，截至本报告书签署日，尚未办理工商变更登记手续。
除上述交易以外，最近三年，韦尔股份不存在其他重大资产重组情形。
五、主营业务发展情况
公司主营业务为半导体分立器件和电源管理 IC等半导体产品的研发设计，以及被动件（包括电阻、电容、电感等）、结构器件、分立器件和 IC等半导体产品的分销业务，这些产品广泛应用于移动通信、车载电子、安防、网络通信、家用电器等领域。自2007年设立以来，公司主营业务未发生过变更。
目前，公司自行研发设计的半导体产品已进入小米、VIVO、酷派、魅族、华为、联想、摩托罗拉、三星、海信、中兴、波导、努比亚等国内知名手机品牌，以及海康、大华等产品的供应链。同时，公司作为国内主要半导体产品分销商之一，拥有成熟的技术支持团队和完善的供应链管理体系。公司与全球主要半导体供应商紧密合作，为国内OEM厂商、ODM厂商和EMS厂商及终端客户提供针对客户需求的新产品推介、快速样品、应用咨询、方案设计支持、开发环境、售后及物流等方面的半导体产品综合解决方案。
近年来，公司立足于半导体分立器件设计行业，利用在技术、资质、品
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）牌、销售渠道、服务等方面的优势，以移动通信、数码产品为发展根基，积极拓展产品在安防、网通、智能家居、可穿戴设备等领域的应用，实现了经营业绩的稳步增长。
六、主要财务指标
韦尔股份最近两年及一期主要财务指标如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|368,462.67|282,490.82|164,567.19|
|归属于母公司的所有者权益|153,122.94|117,976.44|80,875.80|
|资产负债率（%）|58.18|57.85|50.85|
|项 目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业总收入|230,787.33|240,591.63|216,076.95|
|利润总额|21,639.26|14,538.77|14,189.80|
|归属于母公司股东的净利润|19,241.33|13,715.63|14,169.09|
|经营活动产生的现金流量净额|-31,120.28|-27,195.43|7,011.65|
|毛利率（%）|27.91|20.54|20.12|
|基本每股收益（元/股）|0.42|0.34|0.38|

注：2016年、2017年财务报表经立信会计师审计，2018年1-7月财务报表未经审计。
七、控股股东、实际控制人概况
截至本报告书签署日，公司控股股东、实际控制人为虞仁荣先生，其持有公司61.30%股份。虞仁荣先生具体情况如下：
虞仁荣：1966年出生，中国国籍，无境外永久居留权。1990年 7月毕业于清华大学无线电系。1990年7月至1992年5月，任浪潮集团工程师；1992年6月至 1998年 2月，任香港龙跃电子北京办事处销售经理；1998年 2月至 2001年 9月，任北京华清兴昌科贸有限公司董事长；2001年 9月至今，任北京京鸿志执行董事；2002年8月至今，任深圳京鸿志执行董事；2006年9月至2007年 5月，任香港华清董事长；2007年 5月至 2011年 4月，任公司副董事长、总经理；2011年 4月至今，任公司董事长；2014年 7月至今，任北京泰合志恒董事长；2014年 9月至今，任无锡中普微董事长；2014年 7月至今，任武汉果核科技有限公司董事；2015年9月至今，任上海京恩资产管理合伙企业（有限合伙）
执行事务合伙人；2017年 5月至今，任武汉韦尔半导体有限公司董事长；2017
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）年 9月至今，任北京豪威董事、总经理兼首席执行官；2017年 9月至今，任美国豪威首席执行官；2018年 1月至今，任山东新恒汇电子科技有限公司董事；
2018年 2月至今，任青岛清恩资产管理有限公司监事；2018年 5月至今，任北京豪威亦庄科技有限公司执行董事。
八、公司及其董事、监事、高级管理人员最近三年的诚信情况
截至本报告书签署日，公司及其董事、监事、高级管理人员已出具承诺函，承诺最近三年不存在因涉嫌犯罪被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规被中国证监会立案调查的情形，不存在受到过中国证监会行政处罚或被司法机关依法追究刑事责任的情形，或者最近十二个月内受到过证券交易所公开谴责的情形。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第三节交易对方基本情况
一、本次交易对方总体情况
本次交易对方包括发行股份购买资产的交易对方和募集配套资金的交易对方两部分。其中发行股份购买资产的交易对方为绍兴韦豪等 25名持有北京豪威85.53%股权的股东、北京博融等 8名持有思比科42.27%股权的股东以及陈杰等9名持有视信源79.93%股权的股东。
（一）北京豪威交易对方
截至本报告书签署日，交易对方持有的北京豪威股权情况如下：
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|-|-|-|
|序 号|股东名称|持股比（%）|
|1|绍兴市韦豪股权投资基金合伙企业（有限合伙）|17.58|
|2|青岛融通民和投资中心（有限合伙）|13.52|
|3|Seagull Strategic Investments （A3）,LLC|6.74|
|4|嘉兴豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|5.83|
|5|嘉兴水木豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|5.83|
|6|上海唐芯企业管理合伙企业（有限合伙）|5.00|
|7|Seagull Investments, LLC|4.98|
|8|开元朱雀（深圳）股权投资合伙企业（有限合伙）|4.86|
|9|合肥元禾华创中合股权投资合伙企业（有限合伙）|4.26|
|10|北京集成电路设计与封测股权投资中心（有限合伙）|3.54|
|11|北京天元滨海股权投资基金合伙企业（有限合伙）|3.53|
|12|深圳惠盈一号投资合伙企业（有限合伙）|2.00|
|13|马鞍山领智基石股权投资合伙企业（有限合伙）|2.00|
|14|北京金信华创股权投资中心（有限合伙）|1.41|
|15|南通金信华通股权投资中心（有限合伙）|0.94|
|16|西藏大数和泰实业有限公司|0.71|
|17|上海威熠企业管理咨询有限公司|0.65|
|18|西藏锦祥投资有限公司|0.47|
|19|上海摩勤智能技术有限公司|0.43|
|20|Seagull Strategic Investments （A1）, LLC|0.40|
|21|Seagull Equity Investments （C1-Int‘l） （Hong Kong） Limited|0.28|
|22|Seagull Equity Investments （C1）, LLC|0.21|
|23|深圳德威资本投资管理有限公司|0.12|
|24|深圳市兴平股权投资管理企业（有限合伙）|0.12|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|25|深圳市远卓财富投资企业（有限合伙）|0.12|
|合 计||85.53|

（二）思比科交易对方
截至本报告书签署日，交易对方持有的思比科股权情况如下：
||||
|-|-|-|
|序号|股东名称|持股比例（%）|
|1|北京博融思比科科技有限公司|25.27|
|2|南昌南芯集成电路产业投资中心（有限合伙）|4.76|
|3|陈杰|3.83|
|4|山西TCL汇融创业投资有限公司|3.81|
|5|北京华清博广创业投资有限公司|3.81|
|6|北京中关村创业投资发展有限公司|1.90|
|7|吴南健|1.42|
|8|刘志碧|1.35|
|合 计||46.15|

（三）视信源交易对方
截至本报告书签署日，交易对方持有的视信源股权情况如下：
||||
|-|-|-|
|序号|股东名称|持股比例（%）|
|1|陈杰|45.85|
|2|刘志碧|13.49|
|3|金湘亮|6.06|
|4|旷章曲|4.42|
|5|董德福|2.30|
|6|程杰|2.25|
|7|钟萍|2.21|
|8|陈黎明|1.94|
|9|吴南健|1.41|
|合 计||79.93|

二、北京豪威交易对方基本情况
（一）绍兴韦豪
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|绍兴市韦豪股权投资基金合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2017年12月12日|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|注册地址|浙江省绍兴市越城区阳明北路683号1楼151室|
|主要办公地点|浙江省绍兴市越城区涂山路88号|
|执行事务合伙人|中芯科技股权投资基金管理（宁波）有限公司（委派代表：郑昕）|
|认缴出资额|300,500万元|
|统一社会信用代码|91330602MA2BD8W23L|
|经营范围|股权投资及相关咨询服务（未经金融等监管部门批准，不得从事吸收存款、融资担保、代客理财、向社会公众集（融）资等金融业务）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2017年 12月设立
2017年 12月 12日，中芯科技股权投资基金管理（宁波）有限公司（以下简称―中芯科技‖）、黄少波签署合伙协议，共同出资设立绍兴韦豪，其中，中芯科技作为普通合伙人认缴出资200万元、黄少波作为有限合伙人认缴出资300万元。
2017年 12月 12日，绍兴市越城区市场监督管理局核发统一社会信用代码为91330602MA2BD8W23L的营业执照，绍兴韦豪正式成立。
绍兴韦豪设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|中芯科技|200.00|40.00|
|2|有限合伙人|黄少波|300.00|60.00|
|合 计|||500.00|100.00|

（2）2017年 12月变更认缴出资额及合伙人
2017年12月20日，中芯科技、黄少波、绍兴市科技创业投资有限公司（以下简称―绍兴科技创投‖）、上海清恩签订《入伙协议》，同意黄少波将其持有的绍兴韦豪认缴出资额300万元中的150万元转让给绍兴科技创投，150万元转让给上海清恩，转让完成后黄少波退伙，新入伙的合伙人绍兴科技创投、上海清恩均为有限合伙人。同日，中芯科技、绍兴科技创投、上海清恩签署合伙协议，约定中芯科技作为普通合伙人认缴出资500万元，绍兴科技创投、上海清恩作为有限合伙人分别认缴出资100,000万元、80,000万元。
2017年12月20日，绍兴韦豪完成本次变更的工商登记。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次变更后，绍兴韦豪出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|中芯科技|500.00|0.28|
|2|有限合伙人|绍兴科技创投|100,000.00|55.40|
|3|有限合伙人|上海清恩|80,000.00|44.32|
|合 计|||180,500.00|100.00|

（3）2018年 2月变更认缴出资额
2018年1月30日，绍兴韦豪召开全体合伙人会议，同意上海清恩变更为普通合伙人，同意绍兴科技创投认缴出资增加至180,000万元，绍兴韦豪认缴出资总额增加至260,500万元。
2018年 2月 7日，中芯科技、上海清恩、绍兴科技创投签署修改后的合伙协议。
2018年2月9日，绍兴韦豪完成本次变更的工商登记。
本次变更后，绍兴韦豪出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|中芯科技|500.00|0.19|
|2|普通合伙人|上海清恩|80,000.00|30.71|
|3|有限合伙人|绍兴科技创投|180,000.00|69.10|
|合 计|||260,500.00|100.00|

（4）2018年 7月变更认缴出资额
2018年 7月 2日，绍兴韦豪召开全体合伙人会议，同意普通合伙人上海清恩认缴出资增加至120,000万元，绍兴韦豪认缴出资总额增加至 300,500万元。
2018年7月12日，绍兴韦豪完成本次变更的工商登记。
本次变更后，绍兴韦豪的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|中芯科技|500.00|0.17|
|2|普通合伙人|上海清恩|120,000.00|39.93|
|3|有限合伙人|绍兴科技创投|180,000.00|59.90|
|合 计|||300,500.00|100.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）3、最近三年主要业务发展状况
绍兴韦豪2017年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近一年主要财务指标
单位：万元
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|项目|2017.12.31|
|资产总额|180,000.00|
|负债总额|—|
|所有者权益|180,000.00|
|项目|2017年|
|营业收入|—|
|利润总额|—|
|净利润|—|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，绍兴韦豪产权结构及控制关系如下：
中关村科技园区
管理委员会
100%
北北
北
京
中
关
村
发
展
投
资
中
心
管
理
中
心北
京
市
海
淀
区
国
有
资
本
经
营
创
业
服
务
中
心中
关
村
科
技
园
区
丰
园台
科
技
北
京
亦
庄
投
资
控
股
有
限
公
司
有
限
公
司北
（
集
）
股京
团
份科
园技
建
设
创
业
服
务
中
心中
关
村
科
园技
区
昌
园平
科
技
北
京
北
控
置
业
集
团
有
限
公
司
有
限
公
司北
京
首
钢
股
权
投
资
管
理
有
限
公
司北
京
望
京
新
兴
产
业
区
综
合
开
发
公
司北
京
工
业
发
展
投
资
管
理
有
限
产
业
基
地
开
发
公
司北
京
市
京
东
开
光
机
电
一
体
化
资
产
监
督
管
理
委
员
会北
京
市
大
兴
区
人
民
政
府
国
有
公
司北
京
石
景
山
区
国
有
资
产
经
营
北
京
东
方
文
化
资
产
经
营
公
司
京
金
桥
伟
业
投
资
发
展
公
司
京
通
政
国
有
资
产
经
营
公
司
55.39%11.29%7.79%6.52%3.88%2.99%2.17%2.17%1.86%1.68%0.89%0.87%0.59%0.36%0.24%0.12%
中关村发展集团股份有限公司
100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、普通合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，绍兴韦豪普通合伙人为上海清恩、中芯科技，执行事
务合伙人为中芯科技。
上海清恩基本情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|
|企业全称|上海清恩资产管理合伙企业（有限合伙）|
|成立日期|2016年1月27日|
|注册地址|浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号1幢1区24081室|
|企业类型|有限合伙企业|
|执行事务合伙人|青岛清恩资产管理有限公司|
|认缴出资额|80,000万元|
|统一社会信用代码|91310115MA1H7EHM9B|
|经营范围|资产管理，企业管理咨询，商务信息咨询（咨询类均除经纪）。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】|

中芯科技基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|中芯科技股权投资基金管理（宁波）有限公司|
|成立日期|2016年11月10日|
|注册地址|宁波市北仑区梅山大道商务中心三号办公楼730室|
|企业类型|有限责任公司（自然人投资或控股）|
|法定代表人|郑昕|
|认缴出资额|3,000万元|
|统一社会信用代码|91330206MA282X0W07|
|经营范围|受托管理股权投资基金（不得以任何公开方式募集及发行基金、不得从事公开募集及发行基金管理业务），投资管理，受托资产管理（不得从事信托、金融资产管理、证券资产管理等业务）；股权投资。（未经金融等监管部门批准不得从事吸收存款、融资担保、代客理财、向社会公众集（融）资等金融业务）|

绍兴韦豪实际控制人为虞仁荣，其基本情况见第二节―七、控股股东、实际控制人概况‖。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威17.58%股权外，绍兴韦豪无其他对外投资。
8、私募基金备案情况
绍兴韦豪于2018年3月13日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为SCL581，其管理人为中芯科技股权投资基金管理（宁波）有限公司（登记编号P1066485）。
9、其他情况
经测算，不考虑配套募集资金的影响，交易完成后绍兴韦豪将持有上市公司
5%以上股份，根据《26号准则》第十五条第（三）款的规定，绍兴韦豪其他情
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）况披露如下：
（1）最终出资人资金来源
最终出资人资金来源为自有资金。
（2）有关协议安排
利润分配：首先，同步分配给非执行事务合伙人，直至使非执行事务合伙人累计所获分配额等于截止到该分配时点其实际缴付出资；其次，分配给执行事务合伙人，直至使执行事务合伙人累计所获分配额等于截止到该分配时点其实际缴付出资；如有剩余，剩余部分的20%分配给管理人，另外80%分配给各合伙人（各合伙人按实缴比例进行分配）。（管理人按本项分配的款项为―业绩报酬‖）亏损负担：由全体合伙人按出资比例承担，其中普通合伙人承担无限连带责任。
合伙事务执行：合伙企业执行事务合伙人由普通合伙人中芯科技担任，执行事务合伙人或管理人有权对合伙企业的财产进行投资、管理、运用和处置，并接受有限合伙人、不执行合伙事务的普通合伙人的监督；合伙企业投资决策委员会由3人组成，其中中芯科技委派1名成员，普通合伙人上海清恩委派2名成员，投资决策委员会实行―一人一票‖的投资表决机制，1/2通过方可执行投资。
（3）特定期间有关变动及未来存续期类似安排
本次交易停牌前六个月内及停牌期间绍兴韦豪合伙人入伙、退伙、转让财产份额、有限合伙人与普通合伙人转变身份的情况见―2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况‖，未来存续期间内无类似变动安排。
（二）青岛融通
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|青岛融通民和投资中心（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2017年11月8日|
|注册地址|山东省青岛市即墨市振华街128号|
|主要办公地点|北京市西城区宣武门外大街甲一号环球财讯中心C座603A|
|执行事务合伙人|珠海通沛股权投资管理合伙企业（有限合伙）（委派代表：贲金锋）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|认缴出资额|110,000.20万元|
|统一社会信用代码|91370282MA3ETAWH3W|
|经营范围|以自有资金对外投资、投资管理（未经金融监管部门批准，不得从事吸收存款、融资担保、代客理财等金融业务）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2017年 11月设立
2017年11月8日，珠海通沛股权投资管理合伙企业（有限合伙）（以下简称―珠海通沛‖）、青岛民和德元创业投资管理中心（有限合伙）（以下简称―青岛民和‖）、天津工银国际投资顾问合伙企业（有限合伙）（以下简称―天津工银‖）签署合伙协议，共同出资设立青岛融通，其中，珠海通沛、青岛民和作为普通合伙人分别认缴出资0.1万元、天津工银作为有限合伙人认缴出资1万元。
2017年 11月 8日，即墨市市场监督管理局核发统一社会信用代码为 91370282MA3ETAWH3W的营业执照，青岛融通正式成立。
青岛融通设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|珠海通沛|0.10|8.33|
|2|普通合伙人|青岛民和|0.10|8.33|
|3|有限合伙人|天津工银|1.00|83.34|
|合 计|||1.20|100.00|

（2）2017年 12月变更认缴出资额及合伙人
2017年12月8日，青岛融通召开合伙人会议，同意天津工银退伙，青岛海丝民合半导体投资中心（有限合伙）（以下简称―海丝民合‖）作为有限合伙人入伙并认缴出资110,000万元。同日，各相关合伙人分别签订了《入伙协议》、《退伙协议》。
2017年12月8日，青岛融通完成本次变更的工商登记。
本次变更后，青岛融通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|珠海通沛|0.10|0.0001|
|2|普通合伙人|青岛民和|0.10|0.0001|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|3|有限合伙人|海丝民合|110,000.00|99.9998|
|合 计|||110,000.20|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
青岛融通2017年成立以来主要从事股权投资、投资管理业务。
4、最近一年主要财务指标
单位：万元
|||
|-|-|
|项目|2017.12.31|
|资产总额|102,500.17|
|负债总额|0.35|
|所有者权益|102,499.82|
|项目|2017年|
|营业收入|—|
|利润总额|-0.18|
|净利润|-0.18|

注：上述财务数据未经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，青岛融通产权结构及控制关系如下：
中关村科技园区
管理委员会
100%
北 北
北
京
中
关
村
发
展
投
资
中
心
管
理
中
心北
京
市
海
淀
区
国
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资
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营
创
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务
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心中
关
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技
园
区
丰
台
园
科
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亦
庄
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资
控
股
有
限
公
司
有
限
公
司北
（
集
）
股京
团
份科
技
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建
设
创
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服
务
中
心中
关
村
科
技
园
区
昌
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科
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北
京
北
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集
团
有
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限
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京
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股
权
投
资
管
理
有
限
公
司北
京
望
京
新
兴
产
业
区
综
合
开
发
公
司北
京
工
业
发
展
投
资
管
理
有
限
产
业
基
地
开
发
公
司北
京
市
京
东
开
光
机
电
一
体
化
资
产
监
督
管
理
委
员
会北
京
市
大
兴
区
人
民
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府
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司北
京
石
景
山
区
国
有
资
产
经
营
北
京
东
方
文
化
资
产
经
营
公
司
京
金
桥
伟
业
投
资
发
展
公
司
京
通
政
国
有
资
产
经
营
公
司
55.39%11.29%7.79%6.52%3.88%2.99%2.17%2.17%1.86%1.68%0.89%0.87%0.59%0.36%0.24%0.12%
中关村发展集团股份有限公司
100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、普通合伙人及实际控制人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，青岛融通普通合伙人为珠海通沛、青岛民和，执行事务合伙人为珠海通沛。
珠海通沛基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|珠海通沛股权投资管理合伙企业（有限合伙）|
|成立日期|2015年6月4日|
|注册地址|珠海市横琴新区宝华路6号105室-3610|
|企业类型|外商投资有限合伙企业|
|执行事务合伙人|PROFIT SCORE LIMITED（委派代表:贲金锋）|
|认缴出资总额|8,100万元|
|统一社会信用代码|91440400315264203U|
|经营范围|协议记载的经营范围：投资管理、基金管理、资产管理、股权投资、创业投资。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

青岛民和基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|青岛民和德元创业投资管理中心（有限合伙）|
|成立日期|2016年2月3日|
|注册地址|山东省青岛市即墨市振华街128号|
|企业类型|有限合伙企业|
|执行事务合伙人|拉萨民和投资管理有限公司（委派代表：韩冰）|
|认缴出资总额|4,350万元|
|统一社会信用代码|91370600MA3C6BYR3K|
|经营范围|投资与资产管理；以自有资金进行股权投资；投资管理；投资咨询（未经金融机构批准,不得未经金融监管部门批准,不得从事吸收存款、融资担保、代客理财等金融业务）（依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|

青岛融通实际控制人为陈劲松。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威13.52%股权外，青岛融通无其他对外投资。
8、私募基金备案情况
青岛融通于2018年4月16日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为SCR773，其管理人为珠海通沛（登记编号P1060622）。
9、其他情况
经测算，不考虑配套募集资金的影响，交易完成后青岛融通将持有上市公司
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）5%以上股份，根据《26号准则》第十五条第（三）款的规定，青岛融通其他情况披露如下：
（1）最终出资人资金来源
最终出资人资金来源为自有资金。
（2）有关协议安排
利润分配：合伙企业可分配现金在扣除基金费用及各应付项目后，向投资人分配实缴出资本金及8%门槛收益，剩余部分为超额收益，按投资人与执行事务合伙人之间的约定进行分配。
亏损负担：按合伙人出资比例分别承担。
合伙事务执行：普通合伙人珠海通沛作为执行事务合伙人依照合伙协议或合伙人授权进行经营活动，对全体合伙人负责。不参加合伙企业执行事务的合伙人有权监督执行事务合伙人，检查其执行合伙事务的情况。
（3）特定期间有关变动及未来存续期类似安排
本次交易停牌前六个月内及停牌期间青岛融通合伙人入伙、退伙、转让财产份额、有限合伙人与普通合伙人转变身份的情况见―2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况‖，未来存续期间内无类似变动安排。
（三）Seagull（A3）
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|Seagull Strategic Investments （A3）, LLC|
|企业性质|根据美国法律成立的有限责任公司|
|成立日期|2016年7月7日|
|注册地址|3500 South Dupond Highway, Dover, Delware 19901|
|主要办公地点|4275 Burton Drive, Santa Clara, CA95054, USA|
|注册证书号|6089873|
|经营范围|Holding Company|

2、最近两年主要财务数据
单位：万美元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|8,739.78|8,739.78|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|负债总额|—|—|
|所有者权益|8,739.78|8,739.78|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|—|—|
|净利润|—|—|

注：上述财务数据未经审计。
3、其他情况
Seagull（A3）的股东为Seagull Equity Investments (A),LLC，其持有 Seagull（A3）100%股权；Seagull Equity Investments (A), LLC的股东为14名，其中 12名股东为北京豪威下属子公司员工，2名股东为北京豪威下属子公司2名员工的家庭信托，无实际控制人。
Seagull（A3）自成立至今，无实际业务，除持有北京豪威6.74%股权外，无其他对外投资。
（四）嘉兴豪威
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|嘉兴豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2016年1月26日|
|注册地址|浙江省嘉兴市南湖区南江路1856号基金小镇2号楼118室-47|
|主要办公地点|北京市海淀区清华科技园科技大厦C1903|
|执行事务合伙人|华清基业投资管理有限公司（委派代表：吕大龙）|
|认缴出资总额|49,600万元|
|统一社会信用代码|91330402MA28A6GY98|
|经营范围|股权投资|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2016年 1月设立
2016年1月22日，华清基业投资管理有限公司（以下简称―华清基业‖）、北京华清豪威科技有限公司（以下简称―华清豪威‖）签署合伙协议，共同出资设立嘉兴豪威，其中，华清基业作为普通合伙人认缴出资100万元、华清豪威作为
有限合伙人认缴出资50,000万元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2016年1月26日，嘉兴市南湖区工商行政管理局核发统一社会信用代码为 91330402MA28A6GY98的营业执照，嘉兴豪威正式成立。
嘉兴豪威设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|华清基业|100.00|0.20|
|2|有限合伙人|华清豪威|50,000.00|99.80|
|合 计|||50,100.00|100.00|

（2）2016年 7月变更认缴出资额
2016年7月26日，嘉兴豪威全体合伙人签署《变更决定书》，同意有限合伙人华清豪威认缴出资额减少至 49,500万元，嘉兴豪威认缴出资总额减少至49,600万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年7月29日，嘉兴豪威完成本次变更的工商登记。
本次变更后，嘉兴豪威出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|华清基业|100.00|0.20|
|2|有限合伙人|华清豪威|49,500.00|99.80|
|合 计|||49,600.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
嘉兴豪威2016年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|49,514.48|49,500.20|
|负债总额|—|49,500.26|
|所有者权益|49,514.48|-0.05|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-50.47|-0.05|
|净利润|-50.47|-0.05|

注：上述财务数据未经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，嘉兴豪威产权结构及控制关系如下：
中关村科技园区
管理委员会
100%
北 北
北
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村
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资
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股京
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务
中
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集
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京
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司北
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北
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产
经
营
公
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京
金
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伟
业
投
资
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展
公
司
京
通
政
国
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资
产
经
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公
司
55.39%11.29%7.79%6.52%3.88%2.99%2.17%2.17%1.86%1.68%0.89%0.87%0.59%0.36%0.24%0.12%
中关村发展集团股份有限公司
100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，嘉兴豪威执行事务合伙人为华清基业，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|华清基业投资管理有限公司|
|成立日期|2001年7月4日|
|注册地址|北京市密云区西大桥路69号密云区投资促进局办公楼305室-87|
|企业类型|有限责任公司|
|法定代表人|吕大龙|
|注册资本|5,000万元|
|统一社会信用代码|91110228103014093G|
|经营范围|投资管理；投资咨询；物业管理；房地产信息咨询（中介服务除外）；技术培训。（―1、未经有关部门批准,不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益‖；企业依法自主选择经营项目,开展经营活动；依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

嘉兴豪威实际控制人为吕大龙。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威5.83%股权外，嘉兴豪威无其他对外
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）投资。
（五）嘉兴水木
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|嘉兴水木豪威股权投资合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2016年2月15日|
|注册地址|浙江省嘉兴市南湖区南江路1856号基金小镇2号楼118室-46|
|主要办公地点|北京市海淀区清华科技园科技大厦C1903|
|执行事务合伙人|华清基业投资管理有限公司（委派代表：吕大龙）|
|认缴出资总额|49,600万元|
|统一社会信用代码|91330402MA28A71B8K|
|经营范围|股权投资|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2016年 2月设立
2016年2月14日，华清基业、华清豪威签署合伙协议，共同出资设立嘉兴水木，其中，华清基业作为普通合伙人认缴出资100万元、华清豪威作为有限合伙人认缴出资50,000万元。
2016年2月15日，嘉兴市南湖区工商行政管理局核发统一社会信用代码为 91330402MA28A71B8K的营业执照，嘉兴水木正式成立。
嘉兴水木设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|华清基业|100.00|0.20|
|2|有限合伙人|华清豪威|50,000.00|99.80|
|合 计|||50,100.00|100.00|

（2）2016年 7月变更认缴出资额
2016年7月26日，嘉兴水木全体合伙人签署《变更决定书》，同意有限合伙人华清豪威认缴出资额减少至 49,500万元，嘉兴水木认缴出资总额减少至49,600万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年7月28日，嘉兴水木完成本次变更的工商登记。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次变更后，嘉兴水木出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|华清基业|100.00|0.20|
|2|有限合伙人|华清豪威|49,500.00|99.80|
|合 计|||49,600.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
嘉兴水木2016年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|49,514.48|49,500.20|
|负债总额|—|49,500.26|
|所有者权益|49,514.48|-0.05|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-50.47|-0.05|
|净利润|-50.47|-0.05|

注：上述财务数据未经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，嘉兴水木产权结构及控制关系如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）中关村科技园区
管理委员会
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100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，嘉兴水木执行事务合伙人为华清基业，实际控制人为吕大龙，其基本情况见本节―二、北京豪威交易对方基本情况（五）嘉兴豪威‖。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威5.83%股权外，嘉兴水木无其他对外投资。
（六）上海唐芯
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|上海唐芯企业管理合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2017年6月15日|
|注册地址|上海市嘉定区沪宜公路3638号2幢J1198室|
|主要办公地点|上海市浦东新区松涛路506号1号楼|
|执行事务合伙人|上海旭芯企业管理有限公司（委派代表：朱慧）|
|认缴出资总额|70,003万元|
|统一社会信用代码|91310114MA1GU4UF1N|
|经营范围|企业管理，企业管理咨询，从事集成电路及芯片技术、计算机软硬件技术领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务，产品设计，|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||
|-|
|企业管理，企业管理咨询，从事货物及技术的进口业务，集成电路、计算机、软件及辅助设备、通讯器材、通信设备及相关产品、电子产品的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2017年 6月设立
2017年6月9日，仟品（上海）股权投资管理有限公司（以下简称―仟品投资‖）、上海武岳峰集成电路股权投资合伙企业（有限合伙）（以下简称―武岳峰投资‖）签署合伙协议，约定共同出资设立上海唐芯，其中，仟品投资作为普通合伙人认缴出资3万元、武岳峰投资作为有限合伙人认缴出资 29,997万元。
2017年6月15日，上海市嘉定区市场监督管理局核发统一社会信用代码为 9130114MA1GU4UF1N的营业执照，上海唐芯正式成立。
上海唐芯设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|仟品投资|3.00|0.01|
|2|有限合伙人|武岳峰投资|29,997.00|99.99|
|合 计|||30,000.00|100.00|

（2）2018年 6月变更认缴出资额及合伙人
2018年 6月 15日，仟品投资、上海旭芯企业管理有限公司（以下简称―上海旭芯‖）签署《财产份额转让协议》，仟品投资将其持有的上海唐芯全部财产份额转让给上海旭芯。同日，仟品投资、上海旭芯、武岳峰投资签署《入伙协议》，同意上海旭芯入伙并作为普通合伙人认缴出资3万元，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》，武岳峰投资作为有限合伙人认缴出资增加至70,000万元。
2018年6月29日，上海唐芯完成本次变更的工商登记。
本次变更后，上海唐芯出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|上海旭芯|3.00|0.0043|
|2|有限合伙人|武岳峰投资|70,000.00|99.9957|
|合 计|||70,003.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）上海唐芯2017年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近一年主要财务指标
单位：万元
|||
|-|-|
|项目|2017.12.31|
|资产总额|0.06|
|负债总额|0.25|
|所有者权益|-0.18|
|项目|2017年|
|营业收入|—|
|利润总额|-0.18|
|净利润|-0.18|

注：上述财务数据未经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，上海唐芯产权结构及控制关系如下：
中关村科技园区
管理委员会
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北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、执行事务合伙人及实际控制人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，上海唐芯执行事务合伙人为上海旭芯，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|上海旭芯企业管理有限公司|
|成立日期|2017年3月9日|
|注册地址|上海市嘉定区沪宜公路3638号2幢J1026室|
|企业类型|有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）|
|法定代表人|朱慧|
|注册资本|100万元|
|统一社会信用代码|91310114MA1GTXR89R|
|经营范围|企业管理,企业管理咨询。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】|

上海唐芯实际控制人为武平、潘建岳、Bernard AnthonyXavier。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威5%股权外，上海唐芯其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|经营范围|
|1|上海矽唐集成电路有限公司|2,000.00|99.95|从事集成电路及芯片技术、计算机软硬件技术领域内技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务，产品设计，企业管理，企业管理咨询，从事货物及技术的进口业务，集成电路、计算机、软件及辅助设备、通讯器材、通讯设备及相关产品、电子产品的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】|

（七）Seagull Investments
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|Seagull Investments, LLC|
|企业性质|根据美国法律成立的有限责任公司|
|成立日期|2018年6月13日|
|注册地址|3500 South Dupond Highway, Dover, Delware 19901|
|主要办公地点|4275 Burton Drive, Santa Clara, CA 95054, USA|
|注册证书号|6930487|
|经营范围|Investments|

2、其他情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） Seagull Investments股东为10名，均为北京豪威下属子公司的员工，无实际控制人。
Seagull Investments自成立至今，无实际业务，除持有北京豪威4.98%股权外，无其他对外投资。
（八）开元朱雀
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|开元朱雀（深圳）股权投资合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2015年9月21日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|主要办公地点|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|执行事务合伙人|深圳金石中睿投资管理有限公司|
|认缴出资总额|45,883.7326万元|
|统一社会信用代码|91440300358216041U|
|经营范围|投资兴办实业（具体项目另行申报）；投资管理、投资咨询（以上不得从事证券投资活动；不得以公开方式募集资金开展投资活动、不得从事公开募集基金管理业务）；受托资产管理（不得从事信托、金融资产管理、证券资产管理及其他限制项目）；企业管理咨询。（以上各项涉及法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 9月设立
2015年9月17日，深圳金石中睿投资管理有限公司（以下简称―金石中睿‖）、深圳联合中睿投资有限公司（以下简称―联合中睿‖）、金石暴风、西藏长乐签署合伙协议，约定共同出资设立开元朱雀，其中，金石中睿作为普通合伙人认缴出资3,200万元。
2015年 9月 21日，深圳市市场监督管理局核发统一社会信用代码为 91440300358216041U的营业执照，开元朱雀正式成立。
开元朱雀设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金石中睿|3,200.00|1.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|2|有限合伙人|联合中睿|169,000.00|52.81|
|3|有限合伙人|金石暴风|127,800.00|39.94|
|4|有限合伙人|西藏长乐|20,000.00|6.25|
|合 计|||320,000.00|100.00|

（2）2016年 1月变更认缴出资额及合伙人
2016年1月15日，开元朱雀作出变更决定，同意全体合伙人有关事项变更，认缴出资额变更为488,137.0474万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年1月15日，开元朱雀完成本次变更的工商登记。
本次变更后，开元朱雀出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金石中睿|3,200.00|0.66|
|2|有限合伙人|联合中睿|169,000.00|34.62|
|3|有限合伙人|珠海融锋|128,137.05|26.25|
|4|有限合伙人|金石暴风|127,800.00|26.18|
|5|有限合伙人|王强|30,000.00|6.15|
|6|有限合伙人|西藏长乐|20,000.00|4.10|
|7|有限合伙人|蔡少红|10,000.00|2.05|
|合 计|||488,137.05|100.00|

（3）2016年 1月变更认缴出资额及合伙人
2016年1月18日，开元朱雀作出变更决定，同意全体合伙人有关事项变更，同意认缴出资额变更为281,436.2955万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年1月18日，开元朱雀完成本次变更的工商登记。
本次变更后，开元朱雀出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金石中睿|1,420.00|0.50|
|2|有限合伙人|珠海融锋|128,137.05|45.53|
|3|有限合伙人|金石暴风|91,879.25|32.65|
|4|有限合伙人|王强|30,000.00|10.66|
|5|有限合伙人|西藏长乐|20,000.00|7.11|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|6|有限合伙人|蔡少红|10,000.00|3.55|
|合 计|||281,436.30|100.00|

（4）2016年 1月变更认缴出资额及合伙人
2016年1月18日，开元朱雀作出变更决定，同意全体合伙人有关事项变更，同意认缴出资额变更为283,754.96万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年1月22日，开元朱雀完成本次变更的工商登记。
本次变更后，开元朱雀出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金石中睿|1,420.00|0.50|
|2|有限合伙人|珠海融锋|128,137.05|45.16|
|3|有限合伙人|金石暴风|91,879.25|32.38|
|4|有限合伙人|王强|30,000.00|10.57|
|5|有限合伙人|西藏长乐|22,318.66|7.87|
|6|有限合伙人|蔡少红|10,000.00|3.52|
|合 计|||283,754.96|100.00|

（5）2016年 11月变更认缴出资额及合伙人
2016年11月9日，开元朱雀作出变更决定，同意全体合伙人有关事项变更，同意认缴出资额变更为 45,883.73万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年11月9日，开元朱雀完成本次变更的工商登记。
本次变更后，开元朱雀出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金石中睿|1,420.00|3.09|
|2|有限合伙人|王强|30,000.00|65.38|
|3|有限合伙人|蔡少红|10,000.00|21.79|
|4|有限合伙人|西藏长乐|4,463.73|9.73|
|合 计|||45,883.73|100.00|

（6）2018年 7月变更合伙人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2018年6月21日，开元朱雀作出变更决定，同意王强将其持有的全部出资转让给深圳市旅游（集团）股份有限公司，同日，转让双方签署《合伙企业出资转让协议书》，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2018年7月6日，开元朱雀完成本次变更的工商登记。
本次变更后，开元朱雀出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金石中睿|1,420.00|3.09|
|2|有限合伙人|深圳市旅游（集团）股份有限公司|30,000.00|65.38|
|3|有限合伙人|蔡少红|10,000.00|21.79|
|4|有限合伙人|西藏长乐|4,463.73|9.73|
|合 计|||45,883.73|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
开元朱雀2015年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|41,717.14|41,663.39|
|负债总额|—|1.06|
|所有者权益|41,717.14|41,662.32|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-839.05|-3,628.18|
|净利润|-839.05|-3,628.18|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，开元朱雀产权结构及控制关系如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）中关村科技园区
管理委员会
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司
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有
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经
营
公
司
55.39%11.29%7.79%6.52%3.88%2.99%2.17%2.17%1.86%1.68%0.89%0.87%0.59%0.36%0.24%0.12%
中关村发展集团股份有限公司
100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，开元朱雀执行事务合伙人为金石中睿，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|深圳金石中睿投资管理有限公司|
|成立日期|2015年5月27日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|企业类型|有限责任公司（法人独资）|
|法定代表人|张继军|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91440300342662215D|
|经营范围|投资兴办实业（具体项目另行申报）；投资管理、投资咨询、受托资产管理（以上不得从事证券投资活动；不得以公开方式募集资金开展投资活动、不得从事公开募集基金管理业务）；企业管理咨询（具体项目另行申报）。|

开元朱雀实际控制人为中国城镇化促进会。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威4.86%股权外，开元朱雀无其他对外投资。
8、私募基金备案情况
开元朱雀于 2016年 3月 7日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金
备案，备案编码为SD9515，其管理人为金石中睿（登记编号P1018215）。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（九）元禾华创
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|合肥元禾华创中合股权投资合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2018年6月21日|
|注册地址|合肥市高新区望江西路860号科创大厦510室|
|主要办公地点|合肥市高新区望江西路860号科创大厦510室|
|执行事务合伙人|苏州致芯宏成投资管理合伙企业（普通合伙）（委派代表：褚俊）|
|认缴出资总额|61,182万元|
|统一社会信用代码|91340100MA2RTU4R1D|
|经营范围|股权投资（未经金融监管部门批准,不得从事吸收存款、代客理财、融资担保等金融业务）。（依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2018年 6月设立
2018年6月19日，苏州致芯宏成投资管理合伙企业（普通合伙）（以下简称―致芯宏成‖）、中投中财基金管理有限公司（以下简称―中投中财‖）、苏州疌泉致芯股权投资合伙企业（有限合伙）、合肥高新兴泰产业投资基金合伙企业（有限合伙）（以下简称―兴泰产投‖）签署《合伙协议》，共同出资设立元禾华创。
2018年 6月 21日，合肥市工商行政管理局核发统一社会信用代码为 91340100MA2RTU4R1D的营业执照，元禾华创正式成立。
元禾华创设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|致芯宏成|10.00|0.02|
|2|普通合伙人|中投中财|10.00|0.02|
|3|有限合伙人|苏州疌泉致芯股权投资合伙企业（有限合伙）|40,000.00|65.57|
|4|有限合伙人|兴泰产投|32,100.00|34.40|
|合 计|||72,120.00|100.00|

（2）2018年 8月第一次变更
2018年7月30日，元禾华创各合伙人作出合伙人会议决定，同意致芯宏成
认缴出资额增加至100万元，同日，各合伙人签署《合伙协议》第一修正案。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2018年8月6日，元禾华创完成本次变更的工商登记。
本次变更后，元禾华创出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|致芯宏成|100.00|0.14|
|2|普通合伙人|中投中财|10.00|0.01|
|4|有限合伙人|苏州疌泉致芯股权投资合伙企业（有限合伙）|40,000.00|55.39|
|3|有限合伙人|兴泰产投|32,100.00|44.45|
|合 计|||72,210.00|100.00|

（3）2018年 8月第二次变更
2018年7月30日，元禾华创各合伙人作出合伙人会议决定，同意兴泰产投认缴出资额减少至20,982万元，同日，各合伙人签署《合伙协议》第二修正案。
2018年8月9日，元禾华创完成本次变更的工商登记。
本次变更后，元禾华创出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|致芯宏成|100.00|0.16|
|2|普通合伙人|中投中财|10.00|0.02|
|4|有限合伙人|苏州疌泉致芯股权投资合伙企业（有限合伙）|40,000.00|65.48|
|3|有限合伙人|兴泰产投|20,982.00|34.34|
|合 计|||61,092.00|100.00|

（4）2018年 10月变更
2018年9月21日，元禾华创各合伙人作出合伙人会议决定，同意中投中财增加认缴出资额至100万元，同日，各合伙人签署修改后的《合伙协议》。
2018年10月9日，元禾华创完成本次变更的工商登记。
本次变更后，元禾华创出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|致芯宏成|100.00|0.16|
|2|普通合伙人|中投中财|100.00|0.16|
|4|有限合伙人|苏州疌泉致芯股权投资合伙企业（有限合伙）|40,000.00|65.38|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|3|有限合伙人|兴泰产投|20,982.00|34.29|
|合 计|||61,182.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
元禾华创2018年6月成立以来主要从事股权投资业务。
4、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，元禾华创产权结构及控制关系如下：
刘越 陈大同 吴海滨 张凤华
GP,47% GP,19% GP,17% GP,17%
苏州致芯宏成投资管理合伙 合肥高新兴泰产业投资基金合 苏州疌泉致芯股权投资合伙中投中财基金管理有限公司
企业（普通合伙） 伙企业（有限合伙） 企业（有限合伙）
GP,0.16% GP,0.16% 34.29% 65.38%
合肥元禾华创中合股权投资合伙企业（有限合伙）
5、普通合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，元禾华创普通合伙人为致芯宏成、中投中财，执行事务合伙人为致芯宏成。
致芯宏成基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|苏州致芯宏成投资管理合伙企业（普通合伙）|
|成立日期|2016年12月23日|
|注册地址|苏州工业园区苏虹东路183号东沙湖股权投资中心19栋3楼310室|
|企业类型|普通合伙企业|
|执行事务合伙人|刘越|
|认缴出资总额|1,000万元|
|统一社会信用代码|91320594MA1N5KUR3D|
|经营范围|从事非证券股权投资。（依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|

中投中财基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|中投中财基金管理有限公司|
|成立日期|2013年10月12日|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|注册地址|天津武清开发区福源道创业总部基地C08楼302室|
|企业类型|有限责任公司|
|执行事务合伙人|唐亮|
|注册资本|6,500万元|
|统一社会信用代码|91120222079616333Y|
|经营范围|受托管理股权投资企业,从事投资管理及相关咨询服务。（依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|

元禾华创实际控制人为刘越。
6、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威4.26%股权外，元禾华创无其他对外投资。
7、私募基金备案情况
元禾华创属于《证券投资基金法》、《私募投资基金管理办法》和《私募投资基金备案办法》规范的私募投资基金，目前正在办理私募基金备案。
（十）北京集电
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|北京集成电路设计与封测股权投资中心（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2014年9月25日|
|注册地址|北京市海淀区知春路7号致真大厦A座1502室|
|主要办公地点|北京市海淀区知春路7号致真大厦A座1502室|
|执行事务合伙人|北京清芯华创投资管理有限公司（委派刘越为代表）|
|认缴出资总额|112,110万元|
|统一社会信用代码|9111010831792288XB|
|经营范围|投资管理；资产管理；投资咨询；项目投资。（―1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益‖；企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2014年 9月设立
2014年9月17日，北京清芯华创投资管理有限公司（以下简称―清芯华创‖）、
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）北京集成电路产业发展股权投资基金有限公司（以下简称―北京集电基金‖）、中关村科技园区海淀园创业服务中心（以下简称―海淀创服‖）、中芯晶圆股权投资（上海）有限公司、北京紫荆华融股权投资有限公司（以下简称―紫荆华融‖）、北京紫光通信科技集团有限公司签署合伙协议，共同出资设立北京集电，其中，清芯华创作为普通合伙人认缴出资总额的0.99%、其余5名有限合伙人认缴出资总额的剩余99.01%。
2014年 9月 25日，北京市工商行政管理局海淀分局核发注册号为110108017933886的营业执照，北京集电正式成立。
北京集电设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|清芯华创|390.00|0.99|
|2|有限合伙人|北京集电基金|13,000.00|33.00|
|3|有限合伙人|海淀创服|10,000.00|25.39|
|4|有限合伙人|中芯晶圆股权投资（上海）有限公司|10,000.00|25.39|
|5|有限合伙人|紫荆华融|5,000.00|12.69|
|6|有限合伙人|北京紫光通信科技集团有限公司|1,000.00|2.54|
|合 计|||39,390.00|100.00|

（2）2015年 11月变更认缴出资额及合伙人
2015年 11月 26日，北京集电全体合伙人签署《合伙协议》，认缴出资总额增加至223,210万元，增加部分由原合伙人清芯华创、北京集电基金、海淀创服以及新入伙的合伙人华清豪威、北京亦庄国际新兴产业投资中心、杨龙忠认缴。
2015年11月26日，北京集电完成本次变更的工商登记。
本次变更后，北京集电出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|清芯华创|2,210.00|0.99|
|2|有限合伙人|华清豪威|100,000.00|44.80|
|3|有限合伙人|北京集电基金|50,000.00|22.40|
|4|有限合伙人|海淀创服|25,000.00|11.20|
|5|有限合伙人|北京亦庄国际新兴产业投资中心|20,000.00|8.96|
|6|有限合伙人|中芯晶圆股权投资（上海）有限公司|10,000.00|4.48|
|7|有限合伙人|杨龙忠|10,000.00|4.48|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|8|有限合伙人|紫荆华融|5,000.00|2.24|
|9|有限合伙人|北京紫光通信科技集团有限公司|1,000.00|0.45|
|合 计|||223,210.00|100.00|

（3）2016年 11月变更认缴出资额及合伙人
2016年 11月 15日，北京集电全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人华清豪威、杨龙忠退伙，普通合伙人清芯华创认缴出资额减少至 1,110万元，北京集电认缴出资总额减少至 112,110万元。
2016年11月15日，北京集电完成本次变更的工商登记。
本次变更后，北京集电出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|清芯华创|1,110.00|0.99|
|2|有限合伙人|北京集电基金|50,000.00|44.60|
|3|有限合伙人|海淀创服|25,000.00|22.30|
|4|有限合伙人|北京亦庄国际新兴产业投资中心|20,000.00|17.84|
|5|有限合伙人|中芯晶圆股权投资（上海）有限公司|10,000.00|8.92|
|6|有限合伙人|紫荆华融|5,000.00|4.46|
|7|有限合伙人|北京紫光通信科技集团有限公司|1,000.00|0.89|
|合 计|||112,110.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
北京集电2014年成立以来主要从事股权投资业务，主要投向集成电路设计、封装及相关上下游产业。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|108,381.93|110,193.52|
|负债总额|29.74|25.67|
|所有者权益|108,352.18|110,167.85|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-1,815.66|-1,713.93|
|净利润|-1,815.66|-1,713.93|

注：上述财务数据已经审计。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，北京集电产权结构及控制关系如下：
中关村科技园区
管理委员会
100%
北 北
北
京
中
关
村
发
展
投
资
中
心
管
理
中
心北
京
市
海
淀
区
国
有
资
本
经
营
创
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服
务
中
心中
关
村
科
技
园
区
丰
台
园
科
技
北
京
亦
庄
投
资
控
股
有
限
公
司
有
限
公
司北
（
集
）
股京
团
份科
技
园
建
设
创
业
服
务
中
心中
关
村
科
技
园
区
昌
平
园
科
技
北
京
北
控
置
业
集
团
有
限
公
司
有
限
公
司北
京
首
钢
股
权
投
资
管
理
有
限
公
司北
京
望
京
新
兴
产
业
区
综
合
开
发
公
司北
京
工
业
发
展
投
资
管
理
有
限
产
业
基
地
开
发
公
司北
京
市
京
东
开
光
机
电
一
体
化
资
产
监
督
管
理
委
员
会北
京
市
大
兴
区
人
民
政
府
国
有
公
司北
京
石
景
山
区
国
有
资
产
经
营
北
京
东
方
文
化
资
产
经
营
公
司
京
金
桥
伟
业
投
资
发
展
公
司
京
通
政
国
有
资
产
经
营
公
司
55.39%11.29%7.79%6.52%3.88%2.99%2.17%2.17%1.86%1.68%0.89%0.87%0.59%0.36%0.24%0.12%
中关村发展集团股份有限公司
100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，北京集电执行事务合伙人为清芯华创，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|北京清芯华创投资管理有限公司|
|成立日期|2014年1月28日|
|注册地址|北京市海淀区知春路7号致真大厦A座1501|
|企业类型|其他有限责任公司|
|法定代表人|刘越|
|注册资本|2,000万元|
|统一社会信用代码|91110108092421661J|
|经营范围|投资管理；资产管理；投资咨询；企业管理咨询。（―1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益‖；企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

北京集电实际控制人为刘越。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威3.54%股权外，北京集电其他主要对
外投资情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|经营范围|
|1|北京华创芯原科技有限公司|10.00|100.00|技术开发，技术推广、技术转让、技术咨询、技术服务|
|2|北京华创芯盛科技有限公司|3.00|99.99|技术开发、技术推广、技术转让、技术咨询、技术服务|

8、私募基金备案情况
北京集电于2015年3月19日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为S27665，其管理人为清芯华创（登记编号P1006709）。
（十一）天元滨海
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|北京天元滨海股权投资基金合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2015年9月10日|
|注册地址|北京市海淀区清河嘉园东区4号楼1层109室|
|主要办公地点|北京市西城区西直门南小街141号金融城102号楼|
|执行事务合伙人|北京国兵天元投资管理有限责任公司（委派王铎璇为代表）|
|认缴出资总额|75,200万元|
|统一社会信用代码|91110000MA005RMQ0W|
|经营范围|非证券业务的投资、投资管理、咨询；资产管理。（―1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益‖；企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 9月设立
2015年9月9日，北京天元海华投资管理有限公司（以下简称―天元海华‖）、北京天元海华国信股权投资基金合伙企业（有限合伙）（以下简称―天元国信‖）签署合伙协议，约定共同出资设立天元滨海，其中，天元海华作为普通合伙人认缴出资20万元、天元国信作为有限合伙人认缴出资50,000万元。
2015年 9月 10日，北京市工商行政管理局核发注册号为 110000019855354
的营业执照，天元滨海正式成立。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）天元滨海设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|天元海华|20.00|0.04|
|2|有限合伙人|天元国信|50,000.00|99.96|
|合 计|||50,020.00|100.00|

（2）2016年 10月变更认缴出资额及合伙人
2016年 10月 10日，天元滨海全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人天元国信退伙；同意北京国兵天元投资管理有限责任公司（以下简称―国兵天元‖）、中兵投资管理有限责任公司、北京天元海华国信壹号股权投资合伙企业（有限合伙）、宁波梅山保税港区天元宝庆股权投资基金合伙企业（有限合伙）、宁波梅山保税港区惠腾资产管理中心（有限合伙）入伙，变更后普通合伙人为国兵天元、天元海华，出资总额变更为75,200万元。
2016年10月17日，天元滨海完成本次变更的工商登记。
本次变更后，天元滨海出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|国兵天元|100.00|0.13|
|2|普通合伙人|天元海华|100.00|0.13|
|3|有限合伙人|中兵投资管理有限责任公司|37,500.00|49.87|
|4|有限合伙人|北京天元海华国信壹号股权投资合伙企业（有限合伙）|25,000.00|33.24|
|5|有限合伙人|宁波梅山保税港区天元宝庆股权投资基金合伙企业（有限合伙）|9,375.00|12.47|
|6|有限合伙人|宁波梅山保税港区惠腾资产管理中心（有限合伙）|3,125.00|4.16|
|合 计|||75,200.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
天元滨海2015年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|75,050.92|75,100.34|
|负债总额|0.05|37.61|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|所有者权益|75,050.87|75,062.73|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-11.86|-47.27|
|净利润|-11.86|-47.27|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，天元滨海产权结构及控制关系如下：
傅延华 刘志锋 许军 赵晖
80% 10% 5% 5%
宁波国兵天元股权
中国兵器工业集团投资基金管理有限 傅延华 刘志锋 许军 赵晖
公司
90.91% 7.27% 0.91% 0.45% 0.45%
100%
中兵投资管理有限 北京天元海华投资
责任公司 管理有限公司
49% 51%
北京天元海华国信壹宁波梅山保税港区天元宝 宁波梅山保税港区惠北京国兵天元投资
号股权投资合伙企业庆股权投资基金合伙企业 腾资产管理中心管理有限责任公司
（有限合伙） （有限合伙） （有限合伙）49.8670% GP,0.1330% GP,0.1330% 33.2427% 12.4668% 4.1556%北京天元滨海股权投资基金合伙企业（有限合伙）
6、普通合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，天元滨海普通合伙人为国兵天元、天元海华，执行事务合伙人为国兵天元。
国兵天元基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|北京国兵天元投资管理有限责任公司|
|成立日期|2015年11月24日|
|注册地址|北京市门头沟区石龙经济开发区永安路20号3号楼A-4075室|
|企业类型|其他有限责任公司|
|法定代表人|匡卫华|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91110109MA00223F5N|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|经营范围|投资管理；资产管理。（―1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益‖；企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

天元海华基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|北京天元海华投资管理有限公司|
|成立日期|2014年10月17日|
|注册地址|北京市门头沟区石龙经济开发区永安路20号3号楼A-3951室|
|企业类型|其他有限责任公司|
|法定代表人|傅延华|
|注册资本|22,000万元|
|统一社会信用代码|911101073180190862|
|经营范围|投资管理；资产管理。（―1、未经有关部门批准,不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益‖；企业依法自主选择经营项目,开展经营活动；依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

天元滨海实际控制人为傅延华。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威3.53%股权外，天元滨海无其他对外投资。
8、私募基金备案情况
天元滨海于 2016年 11月 18日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为SN4380，其管理人为国兵天元（登记编号P1030160）。
（十二）惠盈一号
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|深圳惠盈一号投资合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2015年9月24日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|
|主要办公地点|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|执行事务合伙人|深圳市惠友创盈投资管理有限公司（委派代表：黄卫钢）|
|认缴出资总额|17,100万元|
|统一社会信用代码|914403003582259094|
|经营范围|对未上市企业进行股权投资；开展股权投资和企业上市咨询业务。（不得以任何方式公开募集和发行基金，法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 9月设立
2015年 9月 17日，深圳市惠友创盈投资管理有限公司（以下简称―惠友创盈‖）、深圳市惠友创盈股权投资基金合伙企业（有限合伙）（以下简称―惠友创盈基金‖）签署合伙协议，共同出资设立惠盈一号，其中，惠友创盈作为普通合伙人认缴出资100万元、惠友创盈基金作为有限合伙人认缴出资 10,000万元。
2015年 9月 24日，深圳市市场监督管理局核发注册号为 440300602499654的营业执照，惠盈一号正式成立。
惠盈一号设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|惠友创盈|100.00|0.99|
|2|有限合伙人|惠友创盈基金|10,000.00|99.01|
|合 计|||10,100.00|100.00|

（2）2015年 12月变更认缴出资额及合伙人
2015年 11月 25日，惠盈一号全体合伙人签署《变更决定》，同意新入伙的有限合伙人杨龙忠认缴出资10,000万元，惠盈一号认缴出资总额变更为20,100万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2015年12月2日，惠盈一号完成本次变更的工商登记。
本次变更后，惠盈一号出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|惠友创盈|100.00|0.50|
|2|有限合伙人|惠友创盈基金|10,000.00|49.75|
|3|有限合伙人|杨龙忠|10,000.00|49.75|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|合 计|20,100.00|100.00|

（3）2016年 1月变更认缴出资额
2016年1月14日，惠盈一号全体合伙人签署《变更决定》，同意有限合伙人惠友创盈基金认缴出资额变更为 8,000万元，杨龙忠认缴出资额变更为 8,000万元，惠盈一号认缴出资总额变更为 16,100万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年1月19日，惠盈一号完成本次变更的工商登记。
本次变更后，惠盈一号出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|惠友创盈|100.00|0.62|
|2|有限合伙人|惠友创盈基金|8,000.00|49.69|
|3|有限合伙人|杨龙忠|8,000.00|49.69|
|合 计|||16,100.00|100.00|

（4）2016年 1月变更认缴出资额
2016年1月21日，惠盈一号全体合伙人签署《变更决定》，同意罗锦平作为新入伙的有限合伙人认缴出资 1,000万元，惠盈一号认缴出资总额变更为17,100万元，同日，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2016年1月27日，惠盈一号完成本次变更的工商登记。
本次变更后，惠盈一号出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|惠友创盈|100.00|0.58|
|2|有限合伙人|惠友创盈基金|8,000.00|46.78|
|3|有限合伙人|杨龙忠|8,000.00|46.78|
|4|有限合伙人|罗锦平|1,000.00|5.85|
|合 计|||17,100.00|100.00|

（5）2016年 11月变更合伙人
2016年 11月 16日，惠盈一号全体合伙人签署《变更决定》，同意惠友创
盈基金将惠盈一号46.78%出资份额转让给杨龙忠，同日，全体合伙人签署变更
后的《合伙协议》，深圳联合产权交易所就该次转让进行了见证（转让见证书编
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）号JZ20161114225）。
2016年11月21日，惠盈一号完成本次变更的工商登记。
本次变更后，惠盈一号出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|惠友创盈|100.00|0.58|
|2|有限合伙人|杨龙忠|16,000.00|93.57|
|3|有限合伙人|罗锦平|1,000.00|5.85|
|合 计|||17,100.00|100.00|

（6）2018年 1月变更合伙人
2018年1月10日，惠盈一号全体合伙人签署《变更决定》，同意罗锦平将惠盈一号5.85%出资份额转让给杨龙忠。同日，罗锦平与杨龙忠签署《财产份额转让协议书》，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2018年1月10日，惠盈一号完成本次变更的工商登记。
本次变更后，惠盈一号出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|惠友创盈|100.00|0.58|
|2|有限合伙人|杨龙忠|17,000.00|99.42|
|合 计|||17,100.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
惠盈一号2015年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|17,002.61|17,005.21|
|负债总额|8.51|8.79|
|所有者权益|16,994.10|16,996.42|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-2.32|-7.96|
|净利润|-2.32|-7.96|

注：上述财务数据已经审计。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，惠盈一号产权结构及控制关系如下：
杨龙忠 黄卫钢
90% 10%
深圳市惠友创盈投资管理有限公司 杨龙忠
GP,0.5848% 99.4152%
深圳惠盈一号投资合伙企业（有限合伙）
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，惠盈一号执行事务合伙人为惠友创盈，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|深圳市惠友创盈投资管理有限公司|
|成立日期|2015年6月17日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|企业类型|有限责任公司|
|法定代表人|杨龙忠|
|注册资本|500万元|
|统一社会信用代码|9144030034282662XJ|
|经营范围|投资管理、投资咨询（根据法律、行政法规、国务院决定等规定需要审批的，依法取得相关审批文件后方可经营）。|

惠盈一号实际控制人为杨龙忠。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威2%股权外，惠盈一号无其他对外投资。
8、私募基金备案情况
惠盈一号于2016年7月21日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）备案，备案编码为SK8090，其管理人为惠友创盈（登记编号P1023992）。
（十三）领智基石
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|马鞍山领智基石股权投资合伙企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2017年10月30日|
|注册地址|马鞍山市郑蒲港新区中飞大道277号|
|主要办公地点|马鞍山市和县郑蒲港新区中飞大道277号|
|执行事务合伙人|马鞍山幸福基石投资管理有限公司（委派代表：张维）|
|认缴出资总额|28,100万元|
|统一社会信用代码|91340500MA2Q3W8843|
|经营范围|对非上市企业进行投资；投资项目管理。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2017年 10月设立
2017年10月30日，马鞍山幸福基石投资管理有限公司（以下简称―幸福基石‖）、董婷签署合伙协议，共同出资设立领智基石，其中，幸福基石作为普通合伙人认缴出资100万元，董婷作为有限合伙人认缴出资3,000万元。
2017年 10月 30日，马鞍山市工商行政管理局核发统一社会信用代码为 91340500MA2Q3W8843的营业执照，领智基石正式成立。
领智基石设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|幸福基石|100.00|3.23|
|2|有限合伙人|董婷|3,000.00|96.77|
|合 计|||3,100.00|100.00|

（2）2018年 1月变更认缴出资额及合伙人
2018年1月16日，领智基石召开合伙人会议，全体合伙人签署《变更决定书》，同意有限合伙人董婷认缴出资额由 3,000万元减少为人民币100万元，同意深圳市领誉基石股权投资合伙企业（有限合伙）（以下简称―领誉基石‖）、西
藏天玑基石投资有限公司（以下简称―天玑基石‖）、马鞍山珠峰基石股权投资合
伙企业（有限合伙）（以下简称―珠峰基石‖）、马鞍山深潜基石股权投资合伙企
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）业（有限合伙）（以下简称―深潜基石‖）入伙成为新的有限合伙人，分别认缴出资20,000万元、5,000万元、1,800万元、1,100万元。
同日，领智基石再次召开合伙人会议，全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人董婷退伙，有限合伙人深潜基石认缴出资额由 1,100万元变更为1,200万元，全体合伙人签署了变更后的合伙协议。
2018年1月23日，领智基石完成上述变更的工商登记。
本次变更后，领智基石出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|幸福基石|100.00|0.36|
|2|有限合伙人|领誉基石|20,000.00|71.17|
|3|有限合伙人|天玑基石|5,000.00|17.79|
|4|有限合伙人|珠峰基石|1,800.00|6.41|
|5|有限合伙人|深潜基石|1,200.00|4.27|
|合 计|||28,100.00|100.00|

（3）2018年 3月变更认缴出资额及合伙人
2018年3月16日，领智基石召开合伙人会议，全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人天玑基石退伙，同意上海龙旗信息技术有限公司认缴出资5,000万元入伙成为新的有限合伙人，全体合伙人签署变更后的《合伙协议》。
2018年3月16日，领智基石完成本次变更的工商登记。
本次变更后，领智基石出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|幸福基石|100.00|0.36|
|2|有限合伙人|领誉基石|20,000.00|71.17|
|3|有限合伙人|上海龙旗信息技术有限公司|5,000.00|17.79|
|4|有限合伙人|珠峰基石|1,800.00|6.41|
|5|有限合伙人|深潜基石|1,200.00|4.27|
|合 计|||28,100.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
领智基石2017年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近一年主要财务指标
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：万元
|||
|-|-|
|项目|2017.12.31|
|资产总额|28,100.68|
|负债总额|—|
|所有者权益|28,100.68|
|项目|2017年|
|营业收入|—|
|利润总额|0.68|
|净利润|0.68|

注：上述财务数据未经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，领智基石产权结构及控制关系如下：
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，领智基石执行事务合伙人为幸福基石，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|马鞍山幸福基石投资管理有限公司|
|成立日期|2016年6月24日|
|注册地址|安徽省马鞍山市郑蒲港新区中飞大道277号|
|企业类型|有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）|
|法定代表人|张维|
|注册资本|1,000万元|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|统一社会信用代码|91340500MA2MX48Y0H|
|经营范围|股权投资；投资管理。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

领智基石实际控制人为张维。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威2%股权外，领智基石无其他对外投资。
8、私募基金备案情况
领智基石于2018年7月30日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为SY9157，其管理人为幸福基石（登记编号P1063327）。
（十四）金信华创
1、基本信息
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|-|-|
|企业全称|北京金信华创股权投资中心（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2014年8月4日|
|注册地址|北京市海淀区中关村东路1号院8号楼23层A2320|
|主要办公地点|北京市海淀区中关村东路1号院8号楼23层A2320|
|执行事务合伙人|北京金信融达投资管理有限公司（委派曹达为代表）|
|认缴出资总额|50,000万元|
|统一社会信用代码|91110108306607104J|
|经营范围|项目投资；投资管理；资产管理。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2014年 8月设立
2014年7月25日，北京金信融达投资管理有限公司（以下简称―金信融达‖）、江西广信投资管理有限公司、宜信卓越财富投资管理（北京）有限公司、紫荆华融、江苏悦达善达紫荆沿海股权投资母基金一期（有限合伙）、义乌惠商紫荆股权投资有限公司（以下简称―惠商紫荆‖）、潍坊高新城市建设投资开发有限公司、
北京金信安卓投资中心（有限合伙）（以下简称―金信安卓‖）签署《合伙协议》，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）共同出资设立金信华创，其中，金信融达作为普通合伙人认缴出资 500万元。
2014年 8月 4日，北京市工商行政管理局海淀分局核发注册号为11010807669094的营业执照，金信华创正式成立。
金信华创设立时的出资结构如下：
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|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信融达|500.00|2.19|
|2|有限合伙人|江西广信投资管理有限公司|5,000.00|21.93|
|3|有限合伙人|宜信卓越财富投资管理（北京）有限公司|5,000.00|21.93|
|4|有限合伙人|紫荆华融|4,500.00|19.74|
|5|有限合伙人|江苏悦达善达紫荆沿海股权投资母基金一期（有限合伙）|3,000.00|13.16|
|6|有限合伙人|潍坊高新城市建设投资开发有限公司|2,000.00|8.77|
|7|有限合伙人|义乌惠商紫荆股权投资有限公司|1,800.00|7.89|
|8|有限合伙人|金信安卓|1,000.00|4.39|
|合 计|||22,800.00|100.00|

（2）2014年 9月变更认缴出资额及合伙人
2014年9月15日，金信华创召开合伙人会议，同意紫荆华融认缴出资增加至8,000万元，惠商紫荆认缴出资增加至 3,200万元，同意昆山清并投资中心（有限合伙）、北京德通天泰投资有限公司、中关村创投、南通投资管理有限公司（以下简称―南通投资‖）入伙成为新的有限合伙人，同日，金信华创普通合伙人金信融达与前述几名新入伙的有限合伙人签署《入伙协议》，全体合伙人签署了新的《认缴出资确认书》。
2014年10月8日，金信华创完成本次变更的工商登记。
本次变更后，金信华创出资结构如下：
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|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信融达|500.00|1.21|
|2|有限合伙人|紫荆华融|8,000.00|19.37|
|3|有限合伙人|江西广信投资管理有限公司|5,000.00|12.11|
|4|有限合伙人|宜信卓越财富投资管理（北京）有限公司|5,000.00|12.11|
|5|有限合伙人|昆山清并投资中心（有限合伙）|4,600.00|11.14|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|
|6|有限合伙人|惠商紫荆|3,200.00|7.75|
|7|有限合伙人|北京德通天泰投资有限公司|3,000.00|7.26|
|8|有限合伙人|中关村创投|3,000.00|7.26|
|9|有限合伙人|江苏悦达善达紫荆沿海股权投资母基金一期（有限合伙）|3,000.00|7.26|
|10|有限合伙人|南通投资|3,000.00|7.26|
|11|有限合伙人|潍坊高新城市建设投资开发有限公司|2,000.00|4.84|
|12|有限合伙人|金信安卓|1,000.00|2.42|
|合 计|||41,300.00|100.00|

（3）2015年 4月变更认缴出资额及合伙人
2015年 4月 1日，金信华创召开合伙人会议，同意北京清源汇智投资中心（有限合伙）（以下简称―清源汇智‖）、北京华顿天宇投资有限公司、宁波市景天缘投资有限公司、青云无限（天津）创业投资管理有限公司入伙成为新的有限合伙人，同意金信安卓将全部出资份额 1,000万元转让给北京清源汇智投资中心（有限合伙），同日，金信华创普通合伙人金信融达与前述几名新入伙的有限合伙人签署《入伙协议》，全体合伙人签署了变更后的《合伙协议》。根据新的合伙协议，紫荆华融认缴出资增加至10,000万元，惠商紫荆认缴出资增加至 4,000万元。
2015年6月4日，金信华创完成本次变更的工商登记。
本次变更后，金信华创出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信融达|500.00|1.00|
|2|有限合伙人|紫荆华融|10,000.00|20.00|
|3|有限合伙人|江西广信投资管理有限公司|5,000.00|10.00|
|4|有限合伙人|宜信卓越财富投资管理（北京）有限公司|5,000.00|10.00|
|5|有限合伙人|昆山清并投资中心（有限合伙）|4,600.00|9.20|
|6|有限合伙人|惠商紫荆|4,000.00|8.00|
|7|有限合伙人|北京德通天泰投资有限公司|3,000.00|6.00|
|8|有限合伙人|中关村创投|3,000.00|6.00|
|9|有限合伙人|江苏悦达善达紫荆沿海股权投资母基金一期（有限合伙）|3,000.00|6.00|
|10|有限合伙人|南通投资|3,000.00|6.00|
|11|有限合伙人|青云无限（天津）创业投资管理有限公司|3,000.00|6.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|
|12|有限合伙人|清源汇智|2,400.00|4.80|
|13|有限合伙人|潍坊高新城市建设投资开发有限公司|2,000.00|4.00|
|14|有限合伙人|北京华顿天宇投资有限公司|1,000.00|2.00|
|15|有限合伙人|宁波市景天缘投资有限公司|500.00|1.00|
|合 计|||50,000.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
最近三年，金信华创主营业务为股权投资。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|50,045.73|55,857.88|
|负债总额|-0.004|—|
|所有者权益|50,045.73|55,857.88|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-726.10|-5,095.81|
|净利润|-726.10|-5,095.81|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，金信华创产权结构及控制关系如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）中关村科技园区
管理委员会
100%
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55.39%11.29%7.79%6.52%3.88%2.99%2.17%2.17%1.86%1.68%0.89%0.87%0.59%0.36%0.24%0.12%
中关村发展集团股份有限公司
100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，金信华创执行事务合伙人为金信融达，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|北京金信融达投资管理有限公司|
|成立日期|2014年1月6日|
|注册地址|北京市海淀区中关村东路1号院8号楼A2311|
|企业类型|其他有限责任公司|
|法定代表人|曹达|
|注册资本|300万元|
|统一社会信用代码|911101080896602234|
|经营范围|投资管理:资产管理；投资咨询。（企业依法自主选择经营项目,开展经营活动；依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

金信华创实际控制人为曹达。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威1.41%股权外，金信华创其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|北京轻客智能科技有限责任公司|196.7855|11.25|智慧电助力自行车及相关系统|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|2|吴通控股集团股份有限公司|31,896.797|1.31|互联网数据产品的研发、互联网信息服务|
|3|启迪桑德环境资源股份有限公司|85,429.758|0.7925|固废处理、水处理|

8、私募基金备案情况
金信华创于 2015年 4月 7日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为S29054，其管理人为金信融达（登记编号P1002176）。
（十五）金信华通
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|南通金信华通股权投资中心（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2015年6月1日|
|注册地址|南通市苏通科技产业园区江成路1088号内3幢2713室|
|主要办公地点|南通市苏通科技产业园区江成路1088号内3幢2713室|
|执行事务合伙人|南通金信通达投资管理有限公司（委派代表：薛嘉麟）|
|认缴出资总额|50,200万元|
|统一社会信用代码|91320600339170068N|
|经营范围|股权投资。（不得以公开方式募集资金；不得公开交易证券类产品和金融衍生品；不得发放贷款；不得从事融资性担保；不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益。依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 6月设立
2015年5月28日，南通金信通达投资管理有限公司（以下简称―金信通达‖）、南通投资签署《合伙协议》，共同出资设立金信华通，其中，金信通达作为普通合伙人认缴出资50万元，南通投资作为有限合伙人认缴出资450万元。
2015年 6月 1日，江苏省南通工商行政管理局核发注册号为320600000301160的营业执照，金信华通正式成立。
金信华通设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|50.00|10.00|
|2|有限合伙人|南通投资|450.00|90.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|合 计|500.00|100.00|

（2）2015年 9月变更认缴出资额及合伙人
2015年7月31日，金信华通全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人南通投资认缴出资额由450万元增加至8,000万元，同意江苏润邦重工股份有限公司（以下简称―江苏润邦‖）、南通国有置业集团有限公司、宜境金融信息服务（上海）有限公司（以下简称―宜境金融‖）、南通金信清并投资中心（有限合伙）、南通新源投资发展有限公司入伙成为新的有限合伙人，同日，金信华通原合伙人与前述新入伙的有限合伙人签署《入伙协议》，全体合伙人签署了变更后的《合伙协议》。
2015年9月2日，金信华通完成本次变更的工商登记。
本次变更后，金信华通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|50.00|0.20|
|2|有限合伙人|南通投资|8,000.00|31.94|
|3|有限合伙人|南通金信清并投资中心（有限合伙）|5,000.00|19.96|
|4|有限合伙人|江苏润邦|4,000.00|15.97|
|5|有限合伙人|南通国有置业集团有限公司|4,000.00|15.97|
|6|有限合伙人|南通新源投资发展有限公司|2,000.00|7.98|
|7|有限合伙人|宜境金融|2,000.00|7.98|
|合 计|||25,050.00|100.00|

（3）2015年 9月变更认缴出资额及合伙人
2015年9月17日，金信华通全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人宜境金融认缴出资额由 2,000万元增加至 2,200万元，同意李伟认缴出资 2,100万元入伙成为新的有限合伙人，同日，金信华通原合伙人与李伟签署《入伙协议》。9月18日，全体合伙人签署了变更后的《合伙协议》。
2015年9月28日，金信华通完成本次变更的工商登记。
本次变更后，金信华通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|50.00|0.18|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|2|有限合伙人|南通投资|8,000.00|29.25|
|3|有限合伙人|南通金信清并投资中心（有限合伙）|5,000.00|18.28|
|4|有限合伙人|江苏润邦|4,000.00|14.63|
|5|有限合伙人|南通国有置业集团有限公司|4,000.00|14.63|
|6|有限合伙人|宜境金融|2,200.00|8.04|
|7|有限合伙人|李伟|2,100.00|7.68|
|8|有限合伙人|南通新源投资发展有限公司|2,000.00|7.31|
|合 计|||27,350.00|100.00|

（4）2016年 1月变更认缴出资额及合伙人
2015年 12月 31日，金信华通全体合伙人签署《变更决定书》，同意普通合伙人金信通达认缴出资额由 50万元增加至 500万元，同意西藏清控资产管理有限公司、郭家兴、南通德悦投资中心（有限合伙）、姜志杰入伙成为新的有限合伙人，同日，金信华通原合伙人与前述新入伙的有限合伙人签署《入伙协议》，全体合伙人签署了变更后的《合伙协议》。
2016年1月12日，金信华通完成本次变更的工商登记。
本次变更后，金信华通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|500.00|1.38|
|2|有限合伙人|南通投资|8,000.00|22.04|
|3|有限合伙人|南通金信清并投资中心（有限合伙）|5,000.00|13.77|
|4|有限合伙人|西藏清控资产管理有限公司|5,000.00|13.77|
|5|有限合伙人|江苏润邦|4,000.00|11.02|
|6|有限合伙人|南通国有置业集团有限公司|4,000.00|11.02|
|7|有限合伙人|宜境金融|2,200.00|6.06|
|8|有限合伙人|李伟|2,100.00|5.79|
|9|有限合伙人|南通新源投资发展有限公司|2,000.00|5.51|
|10|有限合伙人|郭家兴|1,500.00|4.13|
|11|有限合伙人|姜志杰|1,000.00|2.75|
|12|有限合伙人|南通德悦投资中心（有限合伙）|1,000.00|2.75|
|合 计|||36,300.00|100.00|

（5）2016年 4月变更认缴出资额及合伙人
2016年2月29日，金信华通全体合伙人签署《变更决定书》，同意颜美华、
深圳智远泰格投资中心（有限合伙）、王学森、理建南通资产管理中心（有限合
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）伙）、中国房地产开发集团南通有限公司、谷保新、北京清融投资管理有限公司、北京金信融德科技中心（有限合伙）入伙成为新的有限合伙人，同日，金信华通原合伙人与前述新入伙的有限合伙人签署《入伙协议》，全体合伙人签署了变更后的《合伙协议》。
2016年4月28日，金信华通完成本次变更的工商登记。
本次变更后，金信华通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|500.00|1.00|
|2|有限合伙人|南通投资|8,000.00|15.94|
|3|有限合伙人|南通金信清并投资中心（有限合伙）|5,000.00|9.96|
|4|有限合伙人|西藏清控资产管理有限公司|5,000.00|9.96|
|5|有限合伙人|江苏润邦|4,000.00|7.97|
|6|有限合伙人|南通国有置业集团有限公司|4,000.00|7.97|
|7|有限合伙人|北京金信融德科技中心（有限合伙）|3,000.00|5.98|
|8|有限合伙人|颜美华|2,600.00|5.18|
|9|有限合伙人|宜境金融|2,200.00|4.38|
|10|有限合伙人|李伟|2,100.00|4.18|
|11|有限合伙人|北京清融投资管理有限公司|2,000.00|3.98|
|12|有限合伙人|南通新源投资发展有限公司|2,000.00|3.98|
|13|有限合伙人|中国房地产开发集团南通有限公司|2,000.00|3.98|
|14|有限合伙人|郭家兴|1,500.00|2.99|
|15|有限合伙人|理建南通资产管理中心（有限合伙）|1,300.00|2.59|
|16|有限合伙人|谷保新|1,000.00|1.99|
|17|有限合伙人|姜志杰|1,000.00|1.99|
|18|有限合伙人|南通德悦投资中心（有限合伙）|1,000.00|1.99|
|19|有限合伙人|深圳智远泰格投资中心（有限合伙）|1,000.00|1.99|
|20|有限合伙人|王学森|1,000.00|1.99|
|合 计|||50,200.00|100.00|

（5）2016年 5月变更
2016年5月11日，金信华通全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人江苏润邦将其财产份额4,000万元分别转让给新有限合伙人宗序华和施晓越，其中宗序华受让份额 2,800万元，施晓越受让份额 1,200万元。同日，金信
华通原合伙人与前述新入伙的有限合伙人签署《入伙协议》，全体合伙人签署了
变更后的《合伙协议》。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2016年5月23日，金信华通完成本次变更的工商登记。
本次变更后，金信华通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|500.00|1.00|
|2|有限合伙人|南通投资|8,000.00|15.94|
|3|有限合伙人|南通金信清并投资中心（有限合伙）|5,000.00|9.96|
|4|有限合伙人|西藏清控资产管理有限公司|5,000.00|9.96|
|5|有限合伙人|南通国有置业集团有限公司|4,000.00|7.97|
|6|有限合伙人|北京金信融德科技中心（有限合伙）|3,000.00|5.98|
|7|有限合伙人|宗序华|2,800.00|5.58|
|8|有限合伙人|颜美华|2,600.00|5.18|
|9|有限合伙人|宜境金融|2,200.00|4.38|
|10|有限合伙人|李伟|2,100.00|4.18|
|11|有限合伙人|北京清融投资管理有限公司|2,000.00|3.98|
|12|有限合伙人|南通新源投资发展有限公司|2,000.00|3.98|
|13|有限合伙人|中国房地产开发集团南通有限公司|2,000.00|3.98|
|14|有限合伙人|郭家兴|1,500.00|2.99|
|15|有限合伙人|理建南通资产管理中心（有限合伙）|1,300.00|2.59|
|16|有限合伙人|施晓越|1,200.00|2.39|
|17|有限合伙人|谷保新|1,000.00|1.99|
|18|有限合伙人|姜志杰|1,000.00|1.99|
|19|有限合伙人|南通德悦投资中心（有限合伙）|1,000.00|1.99|
|20|有限合伙人|深圳智远泰格投资中心（有限合伙）|1,000.00|1.99|
|21|有限合伙人|王学森|1,000.00|1.99|
|合 计|||50,200.00|100.00|

（6）2016年 11月变更
2016年8月29日，金信华通全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人深圳智远泰格投资中心（有限合伙）将其部分财产份额400万元转让给新有限合伙人张凤康，同意原有限合伙人宗序华将其部分财产份额 2,000万元转让给新有限合伙人南通市石油有限公司（以下简称―南通石油‖）。同日，深圳智远泰格投资中心（有限合伙）、张凤康、金信通达签署《财产份额转让协议》；9月 20日，宗序华、南通石油、金信通达签署《财产份额转让协议》，全体合伙
人签署了变更后的《合伙协议》。
2016年11月25日，金信华通完成本次变更的工商登记。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次变更后，金信华通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|500.00|1.00|
|2|有限合伙人|南通投资|8,000.00|15.94|
|3|有限合伙人|南通金信清并投资中心（有限合伙）|5,000.00|9.96|
|4|有限合伙人|西藏清控资产管理有限公司|5,000.00|9.96|
|5|有限合伙人|南通国有置业集团有限公司|4,000.00|7.97|
|6|有限合伙人|北京金信融德科技中心（有限合伙）|3,000.00|5.98|
|7|有限合伙人|颜美华|2,600.00|5.18|
|8|有限合伙人|宜境金融|2,200.00|4.38|
|9|有限合伙人|李伟|2,100.00|4.18|
|10|有限合伙人|北京清融投资管理有限公司|2,000.00|3.98|
|11|有限合伙人|南通石油|2,000.00|3.98|
|12|有限合伙人|南通新源投资发展有限公司|2,000.00|3.98|
|13|有限合伙人|中国房地产开发集团南通有限公司|2,000.00|3.98|
|14|有限合伙人|郭家兴|1,500.00|2.99|
|15|有限合伙人|理建南通资产管理中心（有限合伙）|1,300.00|2.59|
|16|有限合伙人|施晓越|1,200.00|2.39|
|17|有限合伙人|谷保新|1,000.00|1.99|
|18|有限合伙人|姜志杰|1,000.00|1.99|
|19|有限合伙人|南通德悦投资中心（有限合伙）|1,000.00|1.99|
|20|有限合伙人|王学森|1,000.00|1.99|
|21|有限合伙人|宗序华|800.00|1.59|
|22|有限合伙人|深圳志远泰格投资中心（有限合伙）|600.00|1.20|
|23|有限合伙人|张凤康|400.00|0.80|
|合 计|||50,200.00|100.00|

（6）2017年 5月变更
2017年 4月 5日，金信华通全体合伙人签署《变更决定书》，同意原有限合伙人南通石油将其全部财产份额2,000万元转让给新有限合伙人沈卫兵，同意原有限合伙人李伟将其全部财产份额2,100万元转让给新有限合伙人世纪龙鼎投资有限公司。4月7日南通石油、沈卫兵、金信通达签署《财产份额转让协议》；
5月9日，李伟、世纪龙鼎投资有限公司、金信通达签署《财产份额转让协议》，全体合伙人签署了变更后的《合伙协议》。
2017年5月16日，金信华通完成本次变更的工商登记。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次变更后，金信华通出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|金信通达|500.00|1.00|
|2|有限合伙人|南通投资|8,000.00|15.94|
|3|有限合伙人|南通金信清并投资中心（有限合伙）|5,000.00|9.96|
|4|有限合伙人|西藏清控资产管理有限公司|5,000.00|9.96|
|5|有限合伙人|南通国有置业集团有限公司|4,000.00|7.97|
|6|有限合伙人|北京金信融德科技中心（有限合伙）|3,000.00|5.98|
|7|有限合伙人|颜美华|2,600.00|5.18|
|8|有限合伙人|宜境金融|2,200.00|4.38|
|9|有限合伙人|世纪龙鼎投资有限公司|2,100.00|4.18|
|10|有限合伙人|北京清融投资管理有限公司|2,000.00|3.98|
|11|有限合伙人|南通新源投资发展有限公司|2,000.00|3.98|
|12|有限合伙人|沈卫兵|2,000.00|3.98|
|13|有限合伙人|中国房地产开发集团南通有限公司|2,000.00|3.98|
|14|有限合伙人|郭家兴|1,500.00|2.99|
|15|有限合伙人|理建南通资产管理中心（有限合伙）|1,300.00|2.59|
|16|有限合伙人|施晓越|1,200.00|2.39|
|17|有限合伙人|谷保新|1,000.00|1.99|
|18|有限合伙人|姜志杰|1,000.00|1.99|
|19|有限合伙人|南通德悦投资中心（有限合伙）|1,000.00|1.99|
|20|有限合伙人|王学森|1,000.00|1.99|
|21|有限合伙人|宗序华|800.00|1.59|
|22|有限合伙人|深圳志远泰格投资中心（有限合伙）|600.00|1.20|
|23|有限合伙人|张凤康|400.00|0.80|
|合 计|||50,200.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
金信华通2015年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|48,059.52|48,682.61|
|负债总额|—|—|
|所有者权益|48,059.52|48,682.61|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|利润总额|-623.09|-1,241.21|
|净利润|-623.09|-1,241.21|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，金信华通产权结构及控制关系如下：
曹达 陈倩倩
90% 10%
北京睿达创新投资管 清控金信资本管理 南通投资管理有限
理有限公司 （北京）有限公司 公司
50% 40% 10%
1南
通
投
资
管
理
有
限
公
司
5.94%
9.西
藏
清
控
资
产
管
理
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限
公
司
96%
9（
有
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合
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.96南
通
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信
清
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资
中
心
%
7.9南
通
国
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集
团
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限
公
司
7%
5（
有
）限
合
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.9北
京
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技
中
心
8%
4有
限
公
司
.38宜
（
上
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海融金
信
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%
4.世
纪
龙
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投
资
有
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公
司
18%
3公
司
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国
房
地
产
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发
集
团
南
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限
%
3.北
京
清
融
投
资
管
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限
公
司
98%
3.南
通
新
源
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98%
（
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2.5理
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产
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（
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1.深
圳
智
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中
心
2%
有
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公
司
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管
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,1%
2颜
美
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名
自
然
人9
2.9%
南通金信华通股权投资中心(有限合伙)
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，金信华通执行事务合伙人为金信通达，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|南通金信通达投资管理有限公司|
|成立日期|2015年4月16日|
|注册地址|南通市苏通科技产业园区江成路1088号江成研发园内3号楼2712室|
|企业类型|有限责任公司|
|法定代表人|薛嘉麟|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91320691331233773H|
|经营范围|基金管理、投资管理、股权投资、创业投资。（不得以公开方式募集资金；不得公开交易证券类产品和金融衍生品；不得发放贷款；不得从事融资性担保；不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益。依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|

金信华通实际控制人为曹达。
7、主要下属企业情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，除持有北京豪威0.94%外，金信华通其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|北京华清汇金投资中心（有限合伙）|5,400.00|50.74|股权投资|
|2|南通金信灏弘投资中心（有限合伙）|21,000.00|57.14|股权投资|
|3|北京飞流九天科技有限公司|1,350.00|3.00|移动游戏发行运营和互联网广告服务|

8、私募基金备案情况
金信华通于 2015年 11月 24日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为S80135，其管理人为金信通达（登记编号P1016422）。
（十六）西藏大数
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|西藏大数和泰实业有限公司|
|企业性质|有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）|
|成立日期|2015年10月15日|
|注册地址|西藏拉萨市柳梧新区海亮世纪新城1.2期河畔家园B区61栋3单元401室|
|主要办公地点|拉萨市金珠西路格桑林卡A6-2|
|法定代表人|张丽萍|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91540195MA6T10AT05|
|经营范围|股权投资；投资管理、资产管理、投资咨询、企业管理咨询、财务咨询；营销策划；货物进出口及技术进出口业务；室内装饰设计；日用百货销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。】|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
2015年 7月 2日，西藏大数投资有限公司（以下简称―大数投资‖）签署公司章程，设立西藏大数。
2015年 10月 15日，西藏拉萨经济技术开发区工商局核发注册号为540195200004721的营业执照，西藏大数正式成立。
西藏大数设立时的出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|1|大数投资|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

西藏大数设立至今注册资本未发生变化。
3、最近三年主要业务发展状况
西藏大数2015年成立以来主要从事投资管理业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|33,388.24|14,1,11.63|
|负债总额|31,677.83|13,0,69.22|
|所有者权益|1,710.41|1,042.41|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|668.00|96.77|
|净利润|668.00|96.13|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，西藏大数产权结构及控制关系如下：
张丽萍
100%
北京大数长胜资产管理有限公司 张丽萍
99% 1%
西藏大数投资有限公司
100%
西藏大数和泰实业有限公司
6、控股股东及实际控制人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，西藏大数控股股东为大数投资，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|西藏大数投资有限公司|
|成立日期|2015年6月25日|
|主要经营场所|拉萨经济技术开发区阳光新城B-7-2-302室|
|企业类型|有限责任公司(自然人投资或控股)|
|法定代表人|张丽萍|
|统一社会信用代码|915400913213321100|
|经营范围|投资管理（不含金融和经纪业务）；资产管理（不含金融资产管理和保险资产管理）；企业策划；财务咨询。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】。|

西藏大数实际控制人为张丽萍。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威0.71%股权外，西藏大数其他主要对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|北京环生医疗投资有限公司|34,791.94|7.40|医疗项目投资|

（十七）上海威熠
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|上海威熠企业管理咨询有限公司|
|企业性质|有限责任公司（自然人投资或控股）|
|成立日期|2016年8月5日|
|注册地址|上海市崇明县陈家镇瀛东村53号3幢562室（上海智慧岛数据产业园）|
|主要办公地点|上海市崇明县陈家镇瀛东村53号3幢562室（上海智慧岛数据产业园）|
|法定代表人|池伟|
|注册资本|5,925.50万元|
|统一社会信用代码|91310230MA1JXKWR5E|
|经营范围|企业管理咨询,商务信息咨询。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2016年 8月设立
2016年7月29日，上海威熠召开首次股东会，全体股东仇欢萍、李志、池
伟同意设立上海威熠并通过公司章程。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 2016年 8月 5日，崇明县市场监督管理局核发统一社会信用代码为 91310230MA1JXKWR5E的营业执照，上海威熠正式成立。
上海威熠设立时的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|仇欢萍|3.50|35.00|
|2|池 伟|3.50|35.00|
|3|李 志|3.00|30.00|
|合 计||10.00|100.00|

（2）2016年 12月变更注册资本及股东
2016年11月7日，上海威熠召开股东会，同意增加公司注册资本至 5,925.5万元，增加的注册资本由原股东认缴200.5万元，新增股东上海豪煊企业管理咨询有限公司（以下简称―上海豪烜‖）认缴5,715万元。
2016年 11月 28日，仇欢萍、李志、池伟与上海豪煊签署《关于上海威熠企业管理咨询有限公司之增资协议》。
2016年12月8日，上海威熠完成本次变更的工商登记。
本次变更后，上海威熠股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|上海豪煊企业管理咨询有限公司|5,715.00|96.45|
|2|仇欢萍|82.40|1.39|
|3|池 伟|68.00|1.15|
|4|李 志|60.10|1.01|
|合计||5,925.50|100.00|

3、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|5,925.60|5,925.13|
|负债总额|—|—|
|所有者权益|5,925.60|5,925.13|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|0.47|-0.37|
|净利润|0.47|-0.37|

注：上述财务数据已经审计。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）4、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
上海威熠的最终投资者共52名自然人，其中39名为北京豪威及其下属子公司的员工（其中 1名已离职），13名为北京豪威及其下属子公司现职或离任员工的亲属，无实际控制人。
上海威熠产权结构如下：
杨毅刚等45
倪爽 王永锋 董煜茜 王红卫 张凌云
名自然人
13.21% 10.81% 8.65% 7.21% 6.01% 54.11%
上海豪煊企业管理咨
仇欢萍 池伟 李志
询有限公司
96.4476% 1.3906% 1.1476% 1.0143%
上海威熠企业管理咨询有限公司
5、主营业务、对外投资等情况
上海威熠自成立至今，无实际业务，除持有北京豪威0.65%股权外，无其他对外投资。
（十八）西藏锦祥
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|西藏锦祥投资有限公司|
|企业性质|有限责任公司（自然人投资或控股）|
|成立日期|2015年7月7日|
|注册地址|拉萨市金珠西路158号世通阳光新城3幢1单元4层1号|
|主要办公地点|拉萨市金珠西路格桑林卡A6-2|
|法定代表人|陈靖|
|注册资本|5,000万元|
|统一社会信用代码|915400913213274261|
|经营范围|投资管理（不含金融和经纪业务）；资产管理（不含金融资产管理和保险资产管理）；企业策划；财务咨询。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】。|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 7月设立
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2015年7月2日，陈靖签署公司章程，设立西藏锦祥。
2015年 7月 7日，西藏拉萨经济技术开发区工商局核发注册号为540091200017113的营业执照，西藏锦祥正式成立。
西藏锦祥设立时的出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|陈靖|5,000.00|100.00|
|合 计||5,000.00|100.00|

（2）2016年 8月变更股东
2016年8月26日，陈靖作出股东决定，同意许军、吴元、郝凤魁成为新股东，同意陈靖将其持有的375万元出资转让给许军，将125万元出资转让给郝凤魁，将2,500万元出资转让给吴元。
2016年9月10日，西藏锦祥完成本次变更的工商登记。
本次变更后，西藏锦祥出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|吴元|2,500.00|50.00|
|2|陈靖|2,000.00|40.00|
|3|许军|375.00|7.50|
|4|郝凤魁|125.00|2.50|
|合 计||5,000.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
西藏锦祥2015年成立以来主要从事投资管理业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|4,000.30|4,040.30|
|负债总额|49.01|47.06|
|所有者权益|3,951.29|3,993.24|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-41.95|—|
|净利润|-41.95|—|

注：上述财务数据已经审计。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，西藏锦祥产权结构及控制关系如下：
吴元 陈靖 许军 郝凤魁
50% 40% 7.5% 2.5%
西藏锦祥投资有限公司
6、实际控制人
根据相关协议，西藏锦祥实际控制人为陈靖。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威0.47%股权外，西藏锦祥无其他对外投资。
（十九）上海摩勤
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|上海摩勤智能技术有限公司|
|企业性质|有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）|
|成立日期|2015年7月3日|
|注册地址|中国（上海）自由贸易试验区科苑路399号9幢5层501室|
|主要办公地点|中国（上海）自由贸易试验区科苑路399号9幢5层501室|
|法定代表人|崔国鹏|
|注册资本|20,000万元|
|统一社会信用代码|91310000332731328W|
|经营范围|从事智能技术、信息科技、电子技术、通讯技术领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，计算机软件的研发、设计、制作、销售，计算机硬件、通讯产品、电子产品的研发、设计、销售，从事货物与技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 7月设立
2015年6月26日，华勤通讯技术有限公司（以下简称―华勤通讯‖）作出股
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）东决定并签署公司章程，决定设立上海摩勤。
2015年 7月 3日，上海市工商行政管理局自由贸易试验区分局核发注册号为310141000171194的营业执照，上海摩勤正式成立。
上海摩勤设立时的出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|华勤通讯技术有限公司|500.00|100.00|
|合 计||500.00|100.00|

（2）2015年 10月增加注册资本
2015年10月26日，华勤通讯作出股东决定，决定增加注册资本至2,000万元。
2015年10月30日，上海摩勤完成本次变更的工商登记。
（3）2016年 7月增加注册资本
2016年6月13日，华勤通讯作出股东决定，决定增加注册资本至10,000万元。
2016年7月25日，上海摩勤完成本次变更的工商登记。
（4）2017年 11月增加注册资本
2017年10月26日，华勤通讯作出股东决定，决定增加注册资本至至 20,000万元。
2017年11月2日，上海摩勤完成本次变更的工商登记。
3、最近三年主要业务发展状况
上海摩勤2015年成立以来主要业务为智能技术、信息科技、电子技术等技术领域的开发和投资。
3、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|16,930.14|8,962.67|
|负债总额|8.28|4.67|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|所有者权益|16,921.86|8,958.00|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|241.52|—|
|利润总额|-2,036.14|-992.57|
|净利润|-2,036.14|-992.57|

注：上述财务数据未经审计。
4、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，上海摩勤产权结构及控制关系如下：
邱文生
51% 51%
上海奥勤通讯技术 上海海贤通讯技术 其他16名机构及自
有限公司 有限公司 然人股东
39.42% 5.95% 6.96% 47.67%
华勤通讯技术有限公司
100%
上海摩勤智能技术有限公司
5、控股股东及实际控制人
截至本报告书签署日，上海摩勤控股股东为华勤通讯，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|华勤通讯技术有限公司|
|成立日期|2005年8月29日|
|主要经营场所|中国(上海)自由贸易试验区科苑路399号1幢|
|企业类型|有限责任公司（外商投资企业与内资合资）|
|法定代表人|邱文生|
|统一社会信用代码|91310115779776581R|
|经营范围|通讯产品及相关软硬件的设计、研究开发、制造、销售,计算机软件的制作和以上相关业务的技术开发、技术咨询、技术服务,从事货物与技术的进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】|

上海摩勤实际控制人为邱文生。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）6、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威0.43%股权外，上海摩勤其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|上海螺趣科技有限公司|1,000.00|100.00|智能产品研发|
|2|上海酷宇通讯技术有限公司|1,000.00|36.54|互联网产品|
|3|河源市西品精密模具有限公司|16,923.00|35.00|外壳制品及模具|
|4|上海泛岸信息技术有限公司|1,000.00|31.50|互联网产品|
|5|深圳智赛机器人有限公司|657.90|24.00|机器自动化|
|6|河源友华微机电科技有限公司|5,493.60|20.00|马达制造|
|7|珠海市联决电子有限公司|4,262.50|20.00|FPC制造|
|8|上海摩普网络技术有限公司|2,500.00|19.00|互联网产品|
|9|成都费恩格尔微电子技术有限公司|294.12|15.00|芯片研发销售|
|10|北京同渡信成创业投资合伙企业（有限合伙）|25,000.00|8.00|创业投资、咨询管理服务|
|11|深圳市合创智能及健康创业投资基金（有限合伙）|56,210.00|4.45|创业投资业务、投资管理、受托管理股权投资基金等|

（二十）Seagull（A1）
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|Seagull Strategic Investments （A1）, LLC|
|企业性质|根据美国法律成立的有限责任公司|
|成立日期|2016年7月7日|
|注册地址|3500 South Dupond Highway, Dover, Delware 19901|
|主要办公地点|4275 Burton Drive, Santa Clara, CA95054, USA|
|注册证书号|6089872|
|经营范围|Holding Company|

2、最近两年主要财务数据
单位：万美元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|2,316.10|2,316.10|
|负债总额|—|—|
|所有者权益|2,316.10|2,316.10|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|利润总额|—|—|
|净利润|—|—|

注：上述财务数据未经审计。
3、其他情况
Seagull（A1）的股东为11名，其中9名股东为北京豪威下属子公司员工， 1名股东为北京豪威下属子公司 1名员工的家庭信托，1名股东原为北京豪威下属子公司1名员工的配偶，因离婚财产分割而取得该名员工股东原持有的Seagull（A1）股权；无实际控制人。
Seagull（A1）自成立至今，无实际业务，除持有北京豪威0.40%股权外，无其他对外投资。
（二十一）Seagull（C1-Int’l）
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|Seagull Equity Investments （C1-Int‘l） （Hong Kong） Limited|
|企业性质|根据香港法律成立的有限责任公司|
|成立日期|2016年8月18日|
|注册地址|18/F Edingburgh Tower The Landmark 15 Queen‘s RD Central HONGKONG|
|主要办公地点|4275 Burton Drive, Santa Clara, CA95054, USA|
|注册证书号|6656366000008160|
|经营范围|Holding Company|

2、最近两年主要财务数据
单位：万美元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|787.85|787.85|
|负债总额|—|—|
|所有者权益|787.85|787.85|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|—|—|
|净利润|—|—|

注：上述财务数据未经审计。
3、其他情况
Seagull（C1-Int‘l）的股东为22名，均为北京豪威下属子公司的员工，无实
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）际控制人。
Seagull（C1-Int‘l）自成立至今，无实际业务，除持有北京豪威0.28%股权外，无其他对外投资。
（二十二）Seagull（C1）
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|Seagull Equity Investments （C1）, LLC|
|企业性质|根据美国法律成立的有限责任公司|
|成立日期|2016年7月7日|
|注册地址|3500 South Dupond Highway, Dover, Delware 19901|
|主要办公地点|4275 Burton Drive, Santa Clara, CA95054, USA|
|注册证书号|6089868|
|经营范围|Holding Company|

2、最近两年主要财务数据
单位：万美元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|597.91|597.91|
|负债总额|—|—|
|所有者权益|597.91|597.91|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|—|—|
|净利润|—|—|

注：上述财务数据未经审计。
3、其他情况
Seagull（C1）的股东为31名，均为北京豪威下属子公司的员工，无实际控制人。
Seagull（C1）自成立至今，无实际业务，除持有北京豪威0.21%股权外，无其他对外投资。
（二十三）德威资本
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|深圳德威资本投资管理有限公司|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|企业性质|有限责任公司|
|成立日期|2013年3月11日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|主要办公地点|深圳南山区科技园高新技术园区W1-A栋6层616室|
|法定代表人|李伟|
|注册资本|18,181.82万元|
|统一社会信用代码|91440300063879905U|
|经营范围|投资管理、资产管理（均不含证券、期货、基金、金融及其他限制项目）。|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2013年 3月设立
张赤球、周尚文、谢文利签署《公司章程》，共同出资设立深圳德威德佳投资有限公司（后更名为深圳德威资本投资管理有限公司，简称―德威资本‖）。
2013年 3月 11日，深圳市市场监督管理局核发注册号为 440301106940034的营业执照，德威资本正式成立。
德威资本设立时的出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|张赤球|7,550.00|75.50|
|2|周尚文|1,500.00|15.00|
|3|谢文利|950.00|9.50|
|合 计||10,000.00|100.00|

（2）2014年 11月股东变更
2014年 10月 18日，德威资本召开股东会，同意谢文利将其持有的9.5%股权转让给何盛华。2014年 11月 20日，深圳联合产权交易所就股权转让协议书进行见证并出具了《股权转让见证书》（见证书编号JZ20141120035）。
2014年11月24日，德威资本完成本次变更的工商登记。
本次变更后，德威资本出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|张赤球|7,550.00|75.50|
|2|周尚文|1,500.00|15.00|
|3|何盛华|950.00|9.50|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|合 计|10,000.00|100.00|

（3）2014年 12月股东变更
2014年 12月 12日，德威资本召开股东会，同意张赤球、周尚文、何盛华将各自所持全部出资转让给深圳德恒和泰投资有限公司（以下简称―德恒和泰‖）， 2014年 12月 15日，张赤球、周尚文、何盛华、德恒和泰签署《股权转让协议书》，深圳联合产权交易所就股权转让协议书进行见证并出具了《股权转让见证书》（见证书编号JZ20141215032）。
2014年12月19日，德威资本完成本次变更的工商登记。
本次变更后，德威资本出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|德恒和泰|10,000.00|100.00|
|合 计||10,000.00|100.00|

（4）2015年 3月变更注册资本及股东
2015年 3月 3日，德威资本作出变更决定，决定增加注册资本至 18,181.82万元，增加部分由诚承投资控股有限公司（以下简称―诚承投资‖）以货币出资。
2015年3月3日，德威资本完成本次变更的工商登记。
本次变更后，德威资本出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|德恒和泰|10,000.00|55.00|
|2|诚承投资|8,181.82|45.00|
|合 计||18,181.82|100.00|

（5）2016年 4月变更股东
2016年3月30日，德威资本作出变更决定，决定诚承投资将其持有的10%股权转让给深圳前海大谋投资有限公司（以下简称―前海大谋‖），诚承投资、前海大谋签署《股权转让协议书》，深圳联合产权交易所就股权转让协议书进行见证并出具了《股权转让见证书》（见证书编号JZ20160329074）。
2016年4月1日，德威资本完成本次变更的工商登记。
本次变更后，德威资本出资结构如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|德恒和泰|10,000.00|55.00|
|2|诚承投资|6,363.64|35.00|
|3|前海大谋|1,818.18|10.00|
|合 计||18,181.82|100.00|

（6）2016年 11月变更股东
2016年11月9日，德威资本作出股东决定，决定诚承投资将其持有的35%股权转让给德恒和泰，诚承投资、德恒和泰签署《股权转让协议书》，深圳联合产权交易所就股权转让协议书进行见证并出具了《股权转让见证书》（见证书编号JZ20161024053）。
2016年11月11日，德威资本完成本次变更的工商登记。
本次变更后，德威资本出资结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|德恒和泰|16,363.64|90.00|
|2|前海大谋|1,818.18|10.00|
|合 计||18,181.82|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
最近三年，德威资本主要业务为投资管理。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|29,390.92|26,244.45|
|负债总额|7,440.36|3,761.14|
|所有者权益|21,950.56|22,483.31|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|-600.32|2,309.67|
|利润总额|-2,643.63|-292.13|
|净利润|-2,046.71|-72.27|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，德威资本产权结构及控制关系如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）李伟 向熙胤
60% 40%
深圳德恒和泰投资有限 深圳前海大谋投资有限
公司 公司
90%
10%
深圳德威资本投资管理有限公司
6、控股股东及实际控制人
截至本报告书签署日，德威资本控股股东为德恒和泰，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|深圳德恒和泰投资有限公司|
|成立日期|2014年12月8日|
|主要经营场所|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室|
|企业类型|有限责任公司|
|法定代表人|李伟|
|统一社会信用代码|914403003196854430|
|经营范围|投资兴办实业（具体项目另行申报）；资产管理（不得从事信托、金融资产管理、证券资产管理等业务）；股权投资；投资管理、投资咨询（以上各项根据法律、行政法规、国务院决定等规定需要审批的,依法取得相关审批文件后方可经营）。|

德威资本实际控制人为李伟。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威0.12%股权外，德威资本其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|深圳德威鼎盛资产管理有限公司|1,000.00|100.00|受托资产管理、投资管理、投资咨询|
|2|深圳市德威佳汇资产管理有限公司|1,000.00|100.00|受托资产管理、投资管理、股权投资等|
|3|深圳市佳汇创建投资企业（有限合伙）|10,100.00|99.01|投资兴办实业|
|4|深圳德威创信投资企业（有限合伙）|7,600.00|98.68|投资兴办实业|
|5|深圳德威嘉瑞投资|100.00|90.00|股权投资；投资兴办实业|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
||有限公司||||
|6|深圳市佳汇创德投资企业（有限合伙）|500.00|80.00|投资兴办实业|
|7|深圳市天岳万合并购基金（有限合伙）|4,100.00|12.20|受托资产管理、投资管理|
|8|深圳德威和诚投资合伙企业（有限合伙）|10,100.00|0.99|投资兴办实业|

（二十四）深圳兴平
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|深圳市兴平股权投资管理企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2015年8月26日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|主要办公地点|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室|
|执行事务合伙人|深圳市兴平股权投资有限公司（委派代表：张嵩）|
|认缴出资总额|21,100万元|
|统一社会信用代码|914403003499126780|
|经营范围|股权投资（不得从事证券投资活动；不得以公开方式募集资金开展投资活动；不得从事公开募集基金管理业务）；投资咨询（不含限制项目）；受托资产管理、投资管理（不得从事信托、金融资产管理、证券资产管理及其他限制项目）；受托管理股权投资基金（不得从事证券投资活动；不得以公开方式募集资金开展投资活动；不得从事公开募集基金管理业务）；投资兴办实业（具体项目另行申报）。（以上各项涉及法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 8月设立
2015年8月25日，蓝顺明、深圳市兴平股权投资有限公司、喻庆平、谈县平、罗盖文、吴耀军、毛劲松、傅福初、卢娣签署合伙协议，出资成立深圳兴平。
深圳兴平设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|深圳市兴平股权投资有限公司|1,000.00|4.76|
|2|有限合伙人|傅福初|7,000.00|33.33|
|3|有限合伙人|蓝顺明|4,000.00|19.05|
|4|有限合伙人|喻庆平|2,600.00|12.38|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|5|有限合伙人|卢娣|2,000.00|9.52|
|6|有限合伙人|吴耀军|2,000.00|9.52|
|7|有限合伙人|罗盖文|1,200.00|5.71|
|8|有限合伙人|谈县平|800.00|3.81|
|9|有限合伙人|毛劲松|400.00|1.90|
|合 计|||21,000.00|100.00|

（2）2016年 1月变更认缴出资额及合伙人
2015年 12月 29日，吴耀军、卢娣、傅福初签署《出资转让协议书》，吴耀军将所持 2,000万元出资转让给傅福初，卢娣将所持 2,000万元出资转让给傅福初。同日，深圳联合产权交易所就转让协议书进行见证并出具了《出资转让见证书》（见证书编号JZ20151229053）。
2016年 1月 5日，深圳兴平召开合伙人会议，全体合伙人一致同意吴耀军将所持2,000万元出资转让给傅福初，卢娣将所持2,000万元出资转让给傅福初，同意毛劲松认缴出资额由400万元增加至500万元。
2016年1月5日，深圳兴平完成本次变更的工商登记。
本次变更后，深圳兴平出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|深圳市兴平股权投资有限公司|1,000.00|4.74|
|2|有限合伙人|傅福初|11,000.00|52.13|
|3|有限合伙人|蓝顺明|4,000.00|18.96|
|4|有限合伙人|喻庆平|2,600.00|12.32|
|5|有限合伙人|罗盖文|1,200.00|5.69|
|6|有限合伙人|谈县平|800.00|3.79|
|7|有限合伙人|毛劲松|500.00|2.37|
|合 计|||21,100.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
深圳兴平2015年成立以来主要从事股权投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|7,441.15|8,600.45|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|负债总额|—|4.30|
|所有者权益|7,441.15|8,596.15|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|140.70|-8.47|
|净利润|140.70|-8.47|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，深圳兴平产权结构及控制关系如下：
中关村科技园区
管理委员会
100%
北 北
北
京
中
关
村
发
展
投
资
中
心
管
理
中
心北
京
市
海
淀
区
国
有
资
本
经
营
创
业
服
务
中
心中
关
村
科
技
园
区
丰
园台
科
技
北
京
亦
庄
投
资
控
股
有
限
公
司
有
限
公
司北
（
集
）
股京
团
份科
园技
建
设
创
业
服
务
中
心中
关
村
科
技
园
区
昌
园平
科
技
北
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北
控
置
业
集
团
有
限
公
司
有
限
公
司北
京
首
钢
股
权
投
资
管
理
有
限
公
司北
京
望
京
新
兴
产
业
区
综
合
开
发
公
司北
京
工
业
发
展
投
资
管
理
有
限
产
业
基
地
开
发
公
司北
京
市
京
东
开
光
机
电
一
体
化
资
产
监
督
管
理
委
员
会北
京
市
大
兴
区
人
民
政
府
国
有
公
司北
京
石
景
山
区
国
有
资
产
经
营
北
京
东
方
文
化
资
产
经
营
公
司
京
金
桥
伟
业
投
资
发
展
公
司
京
通
政
国
有
资
产
经
营
公
司
55.39%11.29%7.79%6.52%3.88%2.99%2.17%2.17%1.86%1.68%0.89%0.87%0.59%0.36%0.24%0.12%
中关村发展集团股份有限公司
100%
北京中关村科技创业金融服务集团有限公司
100%
北京中关村创业投资发展有限公司
6、执行事务合伙人及实际控制人
截至本报告书签署日，深圳兴平执行事务合伙人为深圳市兴平股权投资有限公司，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业全称|深圳市兴平股权投资有限公司|
|成立日期|2015年8月4日|
|注册地址|深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）|
|企业类型|有限责任公司|
|法定代表人|邹洋|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91440300349780791L|
|经营范围|股权投资、投资管理、投资咨询（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营）；受托资产管理（不得从事信托、金融资产管理、证券资产管理等业务）；受托管理股权投资基金（不得以任何方式公开募集及发行基金、不得从事公开募集及发行基金管理业务）；投资兴办实业（具体项目另行审批）。|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）深圳兴平实际控制人为邹洋。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威0.12%外，深圳兴平其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|深圳市德威佳兴投资合伙企业（有限合伙）|6,600.00|59.09|投资|
|2|深圳市天岳万合并购基金（有限合伙）|4,100.00|48.78|并购投资|
|3|吉林金洪汽车部件股份有限公司|7,981.00|4.17|汽车零配件与轮胎|

8、私募基金备案情况
深圳兴平于 2016年 3月 7日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为SE6126，其管理人为深圳市兴平股权投资有限公司（登记编号P1023870）。
（二十五）深圳远卓
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|深圳市远卓财富投资企业（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2011年4月26日|
|注册地址|深圳市福田区景田路锦文阁2506（仅限办公）|
|主要办公地点|深圳市福田区景田路锦文阁2506|
|执行事务合伙人|邹树林|
|认缴出资总额|2,100万元|
|统一社会信用代码|91440300573147894F|
|经营范围|股权投资，企业管理咨询（以上不含证券、基金、信托等金融业务及其他法律、行政法规和国务院决定规定在登记前须取得行政许可的项目）。|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2011年4月设立
2011年4月25日，邹树林、张学斌、许锐签署合伙协议书，共同出资设立
深圳远卓，其中，邹树林作为有限合伙人出资700万元、张学斌作为普通合伙人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）出资650万元，许锐作为普通合伙人出资 650万元。
2011年 4月 26日，深圳市市场监督管理局核发注册号为 440304602263962的《合伙企业营业执照》，深圳远卓正式成立。
深圳远卓设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|张学斌|650.00|32.50|
|2|普通合伙人|许锐|650.00|32.50|
|3|有限合伙人|邹树林|700.00|35.00|
|合 计|||2,000.00|100.00|

（2）2011年5月变更认缴出资额及合伙人
2011年5月24日，深圳远卓全体合伙人签署《变更决定书》，同意张学斌变更为有限合伙人、邹树林变更为普通合伙人，同时出资总额由 2,000万元增加至2,100万元，其中张学斌、邹树林出资额均增加至700万元。
2011年5月24日，深圳远卓完成本次变更的工商登记。
本次变更后，深圳远卓出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|邹树林|700.00|33.33|
|2|普通合伙人|许锐|700.00|33.33|
|3|有限合伙人|张学斌|700.00|33.33|
|合 计|||2,100.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
最近三年，深圳远卓主要业务为股权投资、企业管理咨询。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|2,888.15|2,773.61|
|负债总额|1,075.87|1,032.06|
|所有者权益|1,812.28|1,741.55|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|88.25|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|利润总额|70.73|-1.24|
|净利润|70.73|-1.24|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，深圳远卓产权结构及控制关系如下：
邹树林 张学斌 许锐
GP,33.3333% 33.3333% 33.3333%
深圳市远卓财富投资企业（有限合伙）
6、实际控制人
深圳远卓实际控制人为邹树林。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有北京豪威0.12%股权外，深圳远卓其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|东莞铭普光磁股份有限公司|14,000.00|0.80%|光电产品、电子产品、网络通信磁性元器件、通信用连接器组件、光电模块、光器件、电源类等产品的研发、生产和销售。|

三、思比科交易对方基本情况
（一）北京博融
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|北京博融思比科科技有限公司|
|企业性质|其他有限责任公司|
|成立日期|2015年11月11日|
|注册地址|北京市海淀区永泰东里怡清园1号楼2-186|
|主要办公地点|北京市海淀区知春路7号致真大厦A1501|
|法定代表人|陈智斌|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|注册资本|15,600万元|
|统一社会信用代码|91110108MA001RJP1P|
|经营范围|技术开发、技术咨询、技术推广；企业管理咨询；经济贸易咨询；企业策划、设计；市场调查。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2015年 11月设立
2015年11月10日，银杏博融（北京）科技有限公司（以下简称―银杏博融‖）签署公司章程，决定出资设立北京博融思比科科技有限公司（以下简称―北京博融‖），北京博融注册资本为1,000万元，全部由银杏博融货币出资。
2015年 11月 11日，北京博融取得由北京市工商行政管理局核发的营业执照，统一社会信用代码为91110108MA001RJP1P。
北京博融设立时的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|银杏博融|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

（2）2016年 6月增加注册资本
2016年6月20日，银杏博融作出股东决定，决定北京博融注册资本增加至 5,450万元，其中银杏博融出资 100万元，北京屹华图芯科技合伙企业（有限合伙）（以下简称―屹华图芯‖）出资4,350万元，全部为货币出资。同日，北京博融完成本次变更的工商登记。
本次变更后，北京博融股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|屹华图芯|4,350.00|79.82|
|2|银杏博融|1,100.00|20.18|
|合 计||5,450.00|100.00|

（3）2018年 7月变更注册资本及股东
2018年 7月 2日，北京博融召开股东会，决议同意增加注册资本至 15,600
万元，全部由北京屹唐华创股权投资中心（有限合伙）（以下简称―屹唐华创‖）
出资，全部为货币出资。同日，北京博融完成本次变更的工商登记。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次变更后，北京博融股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|屹唐华创|10,150.00|65.06|
|2|屹华图芯|4,350.00|27.88|
|3|银杏博融|1,100.00|7.05|
|合 计||15,600.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
北京博融为思比科持股公司，无实际经营业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|15,585.85|15,571.62|
|负债总额|10,150.31|10,150.31|
|所有者权益|5,435.54|5,421.31|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|14.24|-26.53|
|净利润|—|-26.53|

注：上述财务数据未经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，北京博融产权结构及控制关系如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）刘越 张凤华 陈大同
40% 30% 30%
北京清源华信投资管理 北京石溪清流投资有限 北京亦庄国际产业投资有限公司 公司 管理有限公司
51% 35.55% 13.45%
宁波梅山保税港区培元 北京亦庄国际新兴产业 北京兆易创新科技股份 北京石溪屹唐华创投资
投资管理有限公司 投资中心（有限合伙） 有限公司 管理有限公司
63.13% 26.91% 8.97% GP,1%
北京屹华图芯科技合伙企业 北京屹唐华创股权投资中心 银杏博融（北京）科技有限
（有限合伙） （有限合伙） 公司
27.88% 65.06% 7.05%
北京博融思比科科技有限公司
6、控股股东及实际控制人
截至本报告书签署日，北京博融控股股东为屹唐华创，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|北京屹唐华创股权投资中心（有限合伙）|
|成立日期|2015年12月7日|
|主要经营场所|北京市北京经济技术开发区荣京东街3号1幢15层2单元1323-1|
|企业类型|有限合伙企业|
|执行事务合伙人|北京石溪屹唐华创投资管理有限公司（委派张锡盛为代表）|
|统一社会信用代码|91110302MA002CCN5E|
|经营范围|投资、投资管理、资产管理、投资咨询。|

截至本报告书签署日，北京博融实际控制人为刘越。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有思比科25.27%股权外，北京博融无其他对外投资。
（二）南昌南芯
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|南昌南芯集成电路产业投资中心（有限合伙）|
|企业性质|有限合伙企业|
|成立日期|2014年9月24日|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|注册地址|南昌县小蓝经济开发区富山大道1128号|
|主要办公地点|南昌县小蓝经济开发区富山大道1128号|
|执行事务合伙人|北京建广资产管理有限公司（委派代表：孙卫）|
|认缴出资总额|30,300万元|
|统一社会信用代码|91360121309162390N|
|经营范围|集成电路产业投资。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2014年 9月设立
2014年9月24日，北京建广资产管理有限公司（以下简称―北京建广‖）与江西南昌小蓝经济开发区投资发展有限公司（以下简称―南昌小蓝‖）签署合伙协议，约定共同出资设立南昌南芯集成电路产业投资中心（有限合伙）（以下简称―南昌南芯‖），其中北京建广作为普通合伙人认缴出资300万元，南昌小蓝作为有限合伙人认缴出资100万元。
2014年9月24日，南昌南芯取得由南昌县市场和质量监督管理局核发的营业执照。
南昌南芯设立时的出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|北京建广|300.00|75.00|
|2|有限合伙人|南昌小蓝|100.00|25.00|
|合 计|||400.00|100.00|

（2）2015年 1月，增加出资额
2015年1月16日，北京建广与南昌小蓝签署合伙协议，决定增加认缴出资额至 30,300万元，其中北京建广为普通合伙人，认缴出资 300万元，南昌小蓝为有限合伙人，认缴出资30,000万元。2015年1月30日，南昌南芯完成本次变更的工商登记。
本次变更后，南昌南芯出资结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|1|普通合伙人|北京建广|300.00|0.99|
|2|有限合伙人|南昌小蓝|30,000.00|99.01|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|合伙人类型|合伙人|认缴出资额（万元）|认缴比例（%）|
|合 计|||30,300.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
南昌南芯主要从事集成电路产业投资。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项 目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|29,993.99|30,263.83|
|负债总额|66.45|0.01|
|所有者权益|29,927.54|30,263.81|
|项 目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|477.64|-264.15|
|净利润|477.64|-264.15|

注：以上财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，南昌南芯产权结构及控制关系如下：
6、执行事务合伙人及实际控制人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，南昌南芯执行事务合伙人为北京建广，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|北京建广资产管理有限公司|
|成立日期|2014年1月30日|
|注册地址|北京市石景山区石景山路31号院盛景国际广场3号楼1017室|
|企业类型|其他有限责任公司|
|法定代表人|林玲|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|911101070918692882|
|经营范围|资产管理；投资管理。（―1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益‖；企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

截至本报告书签署日，南昌南芯实际控制人为中国建银投资有限责任公司。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有思比科4.76%股份外，南昌南芯其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|南昌八零微电子技术有限公司|97.15|19.12|集成电路和系统、电子设计自动化软件等研发、销售和服务|
|2|上海硅通半导体技术有限公司|1,429.41|6.25|半导体、电子技术、通讯技术、光机电一体化等研发、销售和服务|
|3|南昌建恩半导体产业投资中心（有限合伙）|24,000.00|91.62|非证券类股权投资、高新技术成长型企业投资、实业投资|

8、私募基金备案情况
南昌南芯于2015年8月17日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为S25677，其管理人为北京建广（登记编号P1006460）。
（三）陈杰
1、基本信息
|||
|-|-|
|姓名|陈杰|
|曾用名|无|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|110108196309******|
|住所|北京市海淀区马连洼百望家苑东区**楼**单元**号|
|通讯地址|北京市海淀区上地五街昊海大厦2层201|
|境外永久居留权|日本永久居留权|

2、最近三年任职情况
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|中国科学院微电子研究所|2001年4月至今|博士生导师|无|
|思比科|2004年9月至今|董事长|持有3.83%股权|
|视信源|2005年4月至今|董事长兼总经理|持有45.85%股权|
|广信创新微电子技术（北京）有限公司|2006年7月至今|董事|无|
|太仓思比科|2012年5月至今|执行董事兼总经理|思比科全资子公司|
|天津安泰|2013年7月至今|执行董事兼经理|思比科全资子公司|

3、个人控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除思比科及视信源外，陈杰其他对外投资情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|北京六合万通微电子技术股份有限公司|3,000.00|7.58|无线局域网（WLAN）系列芯片以及第三代移动通信 W-CDMA 芯片的设计及相关系统的开发销售|

（四）山西 TCL
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|山西TCL汇融创业投资有限公司|
|企业性质|其他有限责任公司|
|成立日期|2010年9月26日|
|注册地址|太原小店区长治路226号高新动力港写字楼8层803室|
|主要办公地点|太原小店区长治路226号高新动力港写字楼8层803室|
|法定代表人|王梦冰|
|注册资本|20,000万元|
|统一社会信用代码|911400005635600529|
|经营范围|创业投资业务；创业投资咨询业务；为创业企业提供创业管理服务；参与设立创业投资企业与创业投资管理顾问机构。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 2010年 6月，山西金业煤焦化集团有限公司（以下简称―山西金业‖）与惠州市 TCL创业投资有限责任公司（以下简称―TCL创投‖）签署《公司章程》，约定共同出资设立山西 TCL汇融创业投资有限公司（以下简称―山西TCL‖），注册资本2亿元，其中山西金业认缴出资 1亿元，TCL创投认缴出资1亿元。
2010年 9月 26日，山西省工商行政管理局核发注册号为 140000110109436的营业执照。
山西TCL设立时的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|山西金业|10,000.00|50.00|
|2|TCL创投|10,000.00|50.00|
|合 计||20,000.00|100.00|

2013年 8月 31日，因TCL创投更名为―新疆TCL股权投资有限公司‖（以下简称―新疆TCL‖），山西TCL召开股东会，修改了公司章程。
此次变更后，山西TCL的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|山西金业|10,000.00|50.00|
|2|新疆TCL|10,000.00|50.00|
|合 计||20,000.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
最近三年，山西TCL主营业务为创业投资。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|1,236.04|4,134.77|
|负债总额|81.00|80.60|
|所有者权益|1,155.04|4,054.17|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-2,899.13|-37.42|
|净利润|-2,899.13|-37.42|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，山西TCL产权结构及控制关系如下：
TCL集团股份有限公司 张新明 张星亮 张新跃 倪燕萍
100% 50% 20% 20% 10%
新疆TCL股权投资有限公司
山西金业煤焦化集团有限公司
50% 50%
山西TCL汇融创业投资有限公司
6、控股股东及实际控制人
截至本报告书签署日，山西TCL为新疆TCL和山西金业的合营企业，无控股股东及实际控制人。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有思比科3.81%股权外，山西 TCL其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|凯迪思科技股份有限公司|20,000.00|1.63|生产电子元器件、电路板；组装导航产品；技术开发等。|
|2|新疆光大山河化工科技有限公司|33,378.38|4.79|棉籽、棉短绒、精制棉、棉浆粕、系列纤维素、食品添加剂、棉短绒纸浆的生产、销售；一般货物与技术进出口，边境小额贸易业务；棉短绒收购。|

8、私募基金备案情况
山西 TCL于 2015年 5月 15日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为S35835，基金类型为自我管理型的创业投资基金。
（五）华清博广
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|北京华清博广创业投资有限公司|
|企业性质|有限责任公司（法人独资）|
|成立日期|2011年7月22日|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|注册地址|北京市海淀区紫成嘉园13号楼地下1层B25|
|主要办公地点|北京市海淀区清华科技园科技大厦C1903|
|法定代表人|吕大龙|
|注册资本|1,000万元|
|统一社会信用代码|91110108579014523J|
|经营范围|项目投资；投资管理；资产管理；投资咨询；企业管理。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）2011年7月，华清博广设立
2011年7月7日，洋浦何龙实业有限公司（以下简称―洋浦何龙‖）签署公司章程，决定出资设立北京华清博广创业投资有限公司（以下简称―华清博广‖），华清博广注册资本为1,000万元，全部由洋浦何龙货币出资。
2011年 7月 22日，北京市工商行政管理局朝阳分局核发注册号为110105014089680的企业法人营业执照。
华清博广设立时的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|洋浦何龙|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

（2）2017年 5月，股权转让
2017年 5月 23日，洋浦何龙作出股东决定，决定将持有的 1,000万元出资额转让给西藏龙芯投资有限公司（以下简称―西藏龙芯‖）。2017年 6月 1日，华清博广完成本次变更的工商登记。
本次变更后，华清博广股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本|出资比例|
|1|西藏龙芯|（万元）1,000.00|（%）100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
华清博广主要业务为股权投资。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）4、最近两年主要财务指标
单位：万元
||||
|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|5,586.61|4,652.58|
|负债总额|2,832.00|1,897.60|
|所有者权益|2,754.61|2,754.98|
|项目|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|
|利润总额|-0.37|3.08|
|净利润|-0.37|3.08|

注：上述财务数据未经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，华清博广产权结构及控制关系如下：
6、控股股东及实际控制人
截至本报告书签署日，华清博广控股股东为西藏龙芯，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|西藏龙芯投资有限公司|
|成立日期|2015年7月10日|
|注册地址|拉萨市经济技术开发区阳光新城A4-2-3-1|
|企业类型|有限责任公司|
|法定代表人|吕大龙|
|注册资本|3,000.00万元|
|统一社会信用代码|915400913213784852|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|经营范围|对科技业及高新技术投资（不得从事股权投资业务）；股权投资（不得参与发起或管理公募或私募证券投资基金、投资金融衍生品；不得为被投资企业以外的企业投资提供担保；不得从事房地产业务）；投资管理（不含金融和经纪业务。不得从事证券期货类投资，不得向非合格投资者募集、销售、转让私募产品或者私募产品收益权，不得以公开方式募集资金、吸收公众存款、发放贷款。不得公开交易证券类投资产品或金融衍生产品；不得经营金融产品、理财产品和相关衍生业务）；科技技术推广服务；计算机及软硬件、电子产品的研发销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后可经营该项目】|

截至本报告书签署日，华清博广实际控制人为吕大龙。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有思比科3.81%股权外，华清博广其他对外投资情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|1|北京启迪明德创业投资有限公司|7,900.00|15.00|项目投资|
|2|深圳吉迪思电子科技有限公司|973.96|13.69|集成电路、电子元器件、电子产品销售|
|3|江苏唯达水处理技术股份有限公司|3,018.20|10.18|水处理设备及材料的设计、销售|
|4|北京冠瑞金生物科技有限公司|657.81|6.38|生物医药的技术开发|
|5|上海吉凯基因化学技术有限公司|1,136.51|3.60|生物科技|
|6|北京华云合创科技有限公司|1,126.69|2.12|计算机软件服务|

（六）中关村创投
1、基本信息
|||
|-|-|
|企业全称|北京中关村创业投资发展有限公司|
|企业性质|有限责任公司（法人独资）|
|成立日期|1998年10月7日|
|注册地址|北京市昌平区科技园区白浮泉路10号|
|主要办公地点|北京市海淀区彩和坊路11号华一控股大厦503|
|法定代表人|庄海|
|注册资本|43,957.49万元|
|统一社会信用代码|91110114700154721F|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|经营范围|项目投资；高新技术企业投资管理、投资咨询；技术开发、技术转让、技术服务。（1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益。企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

2、历史沿革及最近三年注册资本变化情况
（1）1998年 10月设立
1998年10月5日，北京市新技术产业发展服务中心签署《北京京试高科技术发展中心章程》，决定设立北京京试高科技术发展中心（以下简称―京试高科‖），企业性质为全民所有制，注册资金为1,000万元。
1998年 10月 6日，北京市海淀区工商行政管理局核发注册号为1102211425150的企业法人营业执照。
京试高科设立时的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|北京市新技术产业发展服务中心|1,000.00|100.00|
|合 计||1,000.00|100.00|

（2）2004年 7月至2007年9月，注册资金变更至27,500万元
2004年 7月至 2007年 9月，京试高科注册资金经过一系列变更，于 2007年9月增加注册资本至27,500万元，并更名为“中关村创业投资发展中心”（以下简称―创投中心‖），其股东一直为北京市新技术产业发展服务中心（2005年更名为―中关村高科技产业促进中心‖）。
截至2007年9月，创投中心股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资金（万元）|出资比例（%）|
|1|中关村高科技产业促进中心|27,500.00|100.00|
|合 计||27,500.00|100.00|

（3）2009年 12月改制为有限责任公司
2009年 1月 9日，中诚信安瑞（北京）会计师事务所有限公司出具《审计
报告》（中诚信安瑞审字[2009]第 104号），确认截至 2008年 12月 31日，创
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）投中心净资产为38,729.52万元。
2009年1月13日，北京中证资产评估有限公司出具《中关村高科技产业促进中心股权出资项目资产评估说明》（中证评报字[2009]第003号），确认截至2008年12月31日，创投中心评估价值为37,957.49万元。
2009年1月15日，中关村科技园区管理委员会下发《中关村科技园区管委会关于委托中关村高科技产业促进中心投资设立北京中关村科技创业金融服务集团有限公司的通知》（中科园发[2009]1号），确定中关村高科技产业促进中心（以下简称―促进中心‖）以其所持创投中心股权经资产评估作价入资北京中关村科技创业金融服务集团有限公司（以下简称―中科金‖）。
2009年1月22日，北京市人民政府国有资产监督管理委员会出具《北京市人民政府国有资产监督管理委员会关于对中关村高科技产业促进中心以股权出资评估项目予以核准的批复》（京国资[2009]36号），核准了此次评估报告。
2009年3月11日，北京市财政局出具《关于同意中关村高科技产业促进中心投资设立北京中关村科技创业金融服务集团有限公司的函》，同意创投中心全部净资产评估作价入资中科金。
2009年 10月 20日，促进中心出具《关于同意北京中关村创业投资发展中心改制的批复》，同意创投中心由全民所有制企业改制为有限责任公司，改制后的企业名称为―北京中关村创业投资发展有限公司‖；同意将所持的创投中心全部净资产 37,957.49万元按资产处置方案入资中科金，改制后的全部资产及债权债务由改制后的企业承继，中关村创投股东由促进中心变更为中科金。
2009年 10月 26日，中诚信安瑞（北京）会计师事务所有限公司出具《验资报告》（中诚信安瑞[验]字2009-1075号），确认截至2008年12月31日止，中关村创投已收到实收资本37,957.49万元。
2009年11月23日，中科金召开股东会，决定同意此次改制方案。
2009年12月16日，中关村创投完成本次改制的工商登记。
本次改制后，中关村创投股权结构如下：
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|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|中科金|37,957.49|100.00|
|合 计||37,957.49|100.00|

（4）2011年 11月增加注册资本
2011年 11月 16日，中关村创投召开股东会，决议同意中关村创投增加注册资本至43,957.49万元，新增注册资本由中科金认缴。2011年12月16日，中关村创投完成本次变更的工商登记。
本次变更后，中关村创投股权结构如下：
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|-|-|-|-|
|序号|股东名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|
|1|中科金|43,957.49|100.00|
|合 计||43,957.49|100.00|

3、最近三年主要业务发展状况
中关村创投主要从事创业投资业务。
4、最近两年主要财务指标
单位：万元
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|-|-|-|
|项目|2017.12.31|2016.12.31|
|资产总额|264,208.30|201,545.06|
|负债总额|173,801.68|129,928.27|
|所有者权益|90,406.62|71,616.79|
|项目|2017年|2016年|
|营业总收入|994.79|927.82|
|利润总额|18,789.15|15,255.58|
|净利润|18,789.83|14,901.88|

注：上述财务数据已经审计。
5、与其控股股东、实际控制人之间的产权控制关系结构图
截至本报告书签署日，中关村创投产权结构及控制关系如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）6、控股股东及实际控制人
截至本报告书签署日，中关村创投控股股东为中科金，其基本情况如下：
|||
|-|-|
|企业名称|北京中关村科技创业金融服务集团有限公司|
|成立日期|2009年2月24日|
|注册地址|北京市海淀区彩和坊路6号17层1701室|
|企业类型|有限责任公司（法人独资）|
|法定代表人|李妍|
|注册资本|124,011.36万元|
|统一社会信用代码|91110000685102033F|
|经营范围|资产管理，投资管理，创业投资，经济合同担保（不含融资性担保）。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|

中关村创投实际控制人为中关村科技园区管理委员会。
7、主要下属企业情况
截至本报告书签署日，除持有思比科1.90%股权外，中关村创投其他主要对外投资企业基本情况如下：
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|-|-|-|-|-|
|序号|企业名称|注册资本|出资比例（%）|主营业务|
|||（万元）|||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|
|1|北京开元立道咨询管理有限公司|1,000.00|100.00|企业管理咨询；经济贸易咨询；技术服务、技术咨询。|
|2|北京开元弘道创业投资中心（有限合伙）|20,000.00|99.00|创业投资；项目投资；股权投资；资产管理|
|3|梅河口中关村产业发展投资有限公司|5,000.00|80.00|利用自有资产进行投资与资产管理；城市及农村基础设施建设；科技企业孵化；土地整理。|

8、私募基金备案情况
中关村创投于2014年4月23日在中国证券投资基金业协会完成私募投资基金备案，备案编码为SD6287，基金类型为自我管理型的创业投资基金。
（七）吴南健
1、基本信息
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|-|-|
|姓名|吴南健|
|曾用名|无|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|230103196102******|
|住所|北京市海淀区清华东路甲35号**号楼**室|
|通讯地址|北京市海淀区清华东路甲35号**号楼**室|
|境外永久居留权|无|

2、最近三年任职情况
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|中国科学院半导体研究所|2000年12月至今|研究员|无|
|北京六合万通微电子技术股份有限公司|2001年2月至今|董事|持有7.58%股权|
|无锡中科智联科技研发中心有限公司|2011年3月至今|董事|无|
|视信源|2011年7月至今|董事|持有1.41%股权|

3、控制的企业和关联企业基本情况
截至本报告书签署日，除思比科及视信源外，吴南健其他对外投资情况如下：
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|-|-|-|-|
|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|北京六合万通微电子技术股份有限公司|3,000.00|7.58|无线局域网（WLAN）系列芯片以及第三代移动通信 W-CDMA 芯片的设计及相关系统的开发销售|

（八）刘志碧
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）1、基本信息
|||
|-|-|
|姓名|刘志碧|
|曾用名|无|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|429006197906******|
|住所|北京市昌平区东小口镇流星花园三区*号楼*单元****号|
|通讯地址|北京市昌平区东小口镇流星花园三区*号楼*单元****号|
|境外永久居留权|无|

2、最近三年任职情况
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|思比科|2010年1月至今|董事兼总经理|持有1.35%股权|
|视信源|2011年1月至今|董事|持有13.49%股权|

3、控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除思比科及视信源外，刘志碧无其他对外投资。
四、视信源交易对方基本情况
（一）陈杰
陈杰的基本情况详见本节―三、思比科交易对方基本情况（三）陈杰‖。
（二）刘志碧
刘志碧的基本情况详见本节―三、思比科交易对方基本情况（八）刘志碧‖。
（三）金湘亮
1、基本信息
|||
|-|-|
|姓名|金湘亮|
|曾用名|无|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|430521197409******|
|住所|北京市海淀区清枫华景园小区**楼**门**号|
|通讯地址|湖南长沙天一康园****|
|境外永久居留权|无|

2、最近三年任职情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|湘潭大学|2010年2月至2017年6月|教授|无|
|湘潭芯力特电子科技有限公司|2012年11月至今|董事|持有45%股权|
|江苏芯力特电子科技有限公司|2014年8月至今|董事长|持有52%股权|
|湖南静芯微电子技术有限公司|2015年7月至今|董事|持有46%股权|
|湖南国科微电子股份有限公司|2015年12月至今|独立董事|无|
|湖南师范大学|2017年7月至今|教授|无|

3、控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除视信源外，金湘亮其他对外投资情况如下：
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|-|-|-|-|
|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|湖南静芯微电子技术有限公司|300.00|46.00|提供 ESD/TVS 元器件和全芯片ESD设计服务|
|湘潭芯力特电子科技有限公司|500.00|45.00|从事混合信号集成电路设计|
|江苏芯力特电子科技有限公司|1,000.00|52.00|专业从事集成电路设计、委托开发和销售|

（四）旷章曲
1、基本信息
|||
|-|-|
|姓名|旷章曲|
|曾用名|无|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|513023197502******|
|住所|北京市昌平区回龙观镇龙跃苑小区二区**楼**门**号|
|通讯地址|北京市海淀区上地五街昊海大厦2层201|
|境外永久居留权|无|

2、最近三年任职情况
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|思比科|2005年6月至今|董事、副总经理|持有思比科控股股东视信源4.42%股权|
|视信源|2011年7月至今|监事|持有4.42%股权|
|天津安泰|2013年7月至今|监事|思比科全资子公司|

3、控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除视信源外，旷章曲无其他对外投资。
（五）董德福
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）1、基本信息
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|-|-|
|姓名|董德福|
|曾用名|无|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|220224197107******|
|住所|北京市朝阳区东四环北路**号院**号楼**单元**号|
|通讯地址|北京市大兴区亦庄科创十二街鸿坤云时代**座|
|境外永久居留权|无|

2、最近三年任职情况
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|德信无线通讯科技（北京）有限公司|2002年7月至今|董事|无|
|德信互动科技（北京）有限公司|2003年9月至今|董事|无|
|泰克飞石通讯科技（北京）有限公司|2003年11月至今|董事长|无|
|德信无线通讯科技（上海）有限公司|2004年3月至今|董事|无|
|德信智能手机技术（北京）有限公司|2005年9月至2017年3月|董事|无|
|华旗移动通讯科技（北京）有限公司|2008年7月至今|董事|无|
|京信世纪（北京）控股有限公司|2009年8月至今|董事长|无|
|天魅互动（北京）通讯科技有限公司|2010年1月至今|董事|无|
|北京云族科技有限公司|2010年1月至2016年3月|董事长|无|
|北京亦庄京芯园投资发展有限公司|2010年3月至2015年11月|董事长|无|
|北京云狐时代科技有限公司|2010年6月至今|董事长|持有73.61%股权|
|泰克飞石国际技术（北京）有限公司|2010年1月至2015年7月|董事|无|
|泰克飞石通讯设备（北京）有限公司|2011年9月至2018年9月|董事|无|
|北京德信致远科技有限公司|2014年3月至2015年9月|董事|无|
|重庆云狐时代科技有限公司|2016年3月至2018年8月|执行董事|无|
|重庆云昌泓颖科技有限公司|2018年2月至2018年9月|执行董事兼总经理|无|

3、控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除视信源外，董德福其他对外投资情况如下：
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|-|-|-|-|
|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|北京云狐时代科技有限公司|1,038.42|73.61|通讯终端及软件产品额开发、制造与服务|
|北京尚鸿科技有限公司|4,000.00|10.00|技术开发、技术推广、技术咨询、技术服务、技术转让|
|北京乐搏世纪股权投资中心（有限合伙）|5,520.29|36.23|投资管理；资产管理；投资咨询。|
|北京英诺菲迪科技发展有限公司|74.38|3.35|技术开发；投资管理；资产管理；投资咨询。|
|北京国电未来通讯技术有限公司|1,413.00|22.66|销售自行开发后的产品；通讯技术、信息终端产品及其元器件、软件系统、工艺制造的技术开发、技术转让、技术咨询、技术培训。|
|吉林省天创工贸有限公司|50.00|10.00|水箱、冷却塔、玻璃钢材料及产品、防腐材料生产、加工、销售、水泵、机电产品（不含小轿车）购销|

（六）程杰
1、基本信息
|||
|-|-|
|姓名|程杰|
|曾用名|无|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|640202197905******|
|住所|北京市西城区展览路**号|
|通讯地址|北京市海淀区上地五街昊海大厦2层201|
|境外永久居留权|无|

2、最近三年任职情况
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|思比科|2006年7月至今|董事、研发部副总经理|持有思比科股东视信源2.25%股权|

3、个人控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除视信源外，程杰无其他对外投资。
（七）钟萍
1、基本信息
|||
|-|-|
|姓名|钟萍|
|曾用名|无|
|性别|女|
|国籍|中国|
|身份证号码|532501197103******|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||
|-|-|
|住所|北京市海淀区上地东里五区**号楼**号|
|通讯地址|北京市海淀区上地五街昊海大厦2层201|
|境外永久居留权|无|

2、最近三年任职情况
|||||
|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|思比科|2006年7月至今|应用系统研发部门总监、副总经理|持有思比科股东视信源 2.21%股权|
|天津芯络科微电子研发有限公司|2011年11月至今|监事|持有5%股权|

3、控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除视信源外，钟萍其他对外投资情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|公司名称|注册资本（万元）|出资比例（%）|主营业务|
|天津芯络科微电子研发有限公司|100.00|5.00|通讯、信息处理方面的集成电路及设备的研发、销售。|

（八）陈黎明
1、基本信息
|||
|-|-|
|姓名|陈黎明|
|曾用名|无|
|性别|男|
|国籍|中国|
|身份证号码|110108196501******|
|住所|北京市朝阳区八里庄西里**号楼**号|
|通讯地址|日本神户市东滩区本山北町**|
|境外永久居留权|日本永久居留权|

2、最近三年任职情况
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|-|-|-|-|
|任职单位|任职期间|职务|是否与任职单位有产权关系|
|三菱电机株式会社|1998年11月至今|项目经理|否|

3、控制的企业和关联企业的基本情况
截至本报告书签署日，除视信源外，陈黎明无其他对外投资。
（九）吴南健
吴南健的基本情况详见本节―三、思比科交易对方基本情况（七）吴南健‖。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）五、发行股份募集配套资金认购对象概况
本次发行股份募集配套资金的发行对象为符合中国证监会规定的证券投资基金管理公司、证券公司、保险机构投资者、信托投资公司、财务公司、合格境外机构投资者，以及符合法律法规规定的其他法人、自然人或其他合格的投资者等不超过 10名特定投资者。该等特定投资者均以现金认购本次发行的股份。
六、交易对方与上市公司之间的关联关系说明
（一）北京豪威交易对方绍兴韦豪实际控制人虞仁荣为上市公司控股股东、实际控制人。
（二）虞仁荣通过绍兴韦豪、上市公司及子公司香港韦尔合计持有北京豪威21.50%股权。2018年 11月 28日，虞仁荣控制的韦尔股份被云交所确认为瑞滇投资挂牌出售资产芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的受让方，交易价格合计 168,741.925万元。芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的实体，合计持有北京豪威10.55%的股权。2018年 11月 28日，交易各方签署了产权交易合同，截至本报告书签署日，尚未办理工商变更登记手续。
（三）交易对方北京博融董事长、总经理陈智斌为上市公司监事。
七、交易对方之间的关联关系
（一）北京豪威交易对方之间的关联关系
北京豪威交易对方嘉兴豪威、嘉兴水木同为吕大龙控制的企业，元禾华创、北京集电同为刘越控制的企业，金信华创、金信华通同为曹达控制的企业。
（二）思比科交易对方之间的关联关系
华清博广执行董事、经理吕大龙任北京博融董事。
（三）视信源交易对方之间的关联关系
视信源交易对方互相之间无关联关系。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（四）北京豪威、思比科、视信源各交易对方之间的关联关系
所有交易对方互相之间的关联关系示意图如下：
2018年 11月 28日，云交所确认韦尔股份为瑞滇投资挂牌出售资产芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的受让方，成交价格合计168,741.925万元。
2018年 11月 28日，交易各方签署了产权交易合同，截至本报告书签署日，尚未办理工商变更登记手续。
八、交易对方向上市公司推荐董事、监事或者高级管理人员的情况
截至本报告书签署日，本次交易的交易对方未向上市公司推荐董事、监事
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）或者高级管理人员。
九、交易对方及其主要管理人员最近五年内受到行政处罚、刑事处罚或者涉及经济纠纷有关的重大民事诉讼或者仲裁情况的说明
截至本报告书签署日，本次交易的交易对方已出具承诺函，交易对方及其主要管理人员最近五年内未受过任何行政处罚（与证券市场明显无关的除外）、刑事处罚，亦不涉及与经济纠纷有关的任何重大民事诉讼或者仲裁。
十、交易对方及其主要管理人员最近五年合法合规及诚信情况
截至本报告书签署日，本次交易的交易对方已出具承诺函，交易对方及其主要管理人员不存在未按期偿还大额债务、未履行承诺、被中国证监会采取行政监管措施或受到证券交易所纪律处分的情况。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第四节交易标的基本情况
本次发行股份购买资产交易标的为北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权和视信源79.93%股权。
一、交易标的之北京豪威
（一）北京豪威基本情况
|||
|-|-|
|公司名称|北京豪威科技有限公司|
|公司类型|有限责任公司（中外合资）|
|住所|北京市海淀区海淀西大街29号2层201室|
|主要办公地点|北京市海淀区海淀西大街29号2层201室|
|法定代表人|吕大龙|
|注册资本|129,750万美元|
|成立日期|2015年7月15日|
|统一社会信用代码|91110108336413677B|

（二）北京豪威出资及合法存续情况
根据北京豪威工商登记资料、股东出具的承诺，北京豪威交易对方所持有的股权目前不存在代他人持有的情形，也不存在委托他人代其持有北京豪威股权情形，其持有的北京豪威股权均不存在争议或潜在纠纷。
交易对方对北京豪威股权合法性出具如下承诺：
1、承诺方对所持北京豪威股权拥有合法的、完整的所有权和处分权，在股东主体资格方面不存在任何瑕疵或异议的情形，不存在任何形式的委托持股、信托持股或者类似安排，不存在产权纠纷或潜在纠纷；
2、承诺方已足额缴付所持北京豪威股权对应的注册资本，不存在任何虚假出资、迟延出资、抽逃出资等违反作为股东所应承担的义务及责任的行为；
3、承诺方所持北京豪威股权不存在质押、查封、冻结、权属争议及其他权利限制，不存在可能影响标的公司合法存续的情况，并承诺前述情况保持至本次交易实施完毕前；
4、承诺方所持北京豪威股权过户或权属转移至韦尔股份名下不存在法律障
碍；
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）5、承诺方及主要管理人员（如有）最近五年内未受过任何行政处罚（与证券市场明显无关的除外）、刑事处罚，亦不涉及与经济纠纷有关的任何重大民事诉讼或者仲裁，不存在未按期偿还大额债务、未履行承诺、被中国证监会采取行政监管措施或受到证券交易所纪律处分的情况等。
（三）北京豪威历史沿革
1、2015年7月设立，注册资本10万美元
2015年5月20日，北京集电及海鸥开曼共同签署《北京豪威科技有限公司中外合资经营企业合同》和《北京豪威科技有限公司公司章程》，约定共同设立北京豪威，投资总额为14万美元，注册资本为10万美元，其中北京集电出资 5万美元，占北京豪威注册资本总额的50%；海鸥开曼出资5万美元，占北京豪威注册资本总额的50%。
2015年 7月 8日，北京市海淀区商务委员会出具《关于设立北京豪威科技有限公司的批复》（海商审字[2015]571号），同意北京集电与海鸥开曼设立北京豪威；同意各投资方签署的合营公司合同；批准北京豪威投资总额、注册资本和股权结构；公司出资期限为营业执照签发之日起2年内缴清全部出资额；北京豪威经营范围为半导体技术研发、技术推广。
北京豪威设立时股东北京集电、海鸥开曼的出资情况已与北京豪威 2016年 1月第一次增资时的出资情况一并经普华永道于 2016年 11月 25日出具的《验资报告》（普华永道中天验字[2016]第 1588号）验证。根据前述验资报告，北京集电、海鸥开曼实际出资时间符合北京市海淀区商务委员会关于设立北京豪威批复要求的出资时限。
2015年 7月 9日，北京市人民政府核发《中华人民共和国外商投资企业批准证书》（商外资京字[2015]8216号）。
2015年7月15日，北京豪威取得北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》（注册号：110000450290202）。
北京豪威设立时的股权结构如下：
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|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|北京集电|50,000.00|50.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|2|海鸥开曼|50,000.00|50.00|
|合计||100,000.00|100.00|

2、2016年1月，增加注册资本至 110,000万美元
2015年9月25日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意北京豪威投资总额由 14万美元增加至 190,000万美元，注册资本由 10万美元增加至 110,000万美元，其中北京集电以折合 34,995万美元的人民币现金增加出资；开元朱雀以折合 40,000万美元的人民币现金出资；海鸥香港以 21,165万美元现汇出资；奥视嘉创以折合13,830万美元的人民币现金出资；同意修改公司章程。
同日，北京集电、开元朱雀、奥视嘉创、海鸥香港及海鸥开曼签署根据本次增资情况修改后的《北京豪威科技有限公司公司章程》和《北京豪威科技有限公司中外合资经营企业合同》。
2015年12月1日，北京市商务委员会核发《北京市商务委员会关于北京豪威科技有限公司增资等事项的批复》（京商务资字[2015]964号），同意北京豪威本次增资事项及各方增资金额；新增注册资本于换领营业执照后 2年内缴付；
同意本次增资后的北京豪威股权结构；同意各方于 2015年对合资合同及公司章程进行的重述。
2015年12月4日，北京市人民政府核发本次变更后的《中华人民共和国外商投资企业批准证书》（商外资京字[2015]8216号）。
2016年 1月 6日，北京豪威取得北京市工商局海淀分局核发的本次增资后的《营业执照》。
本次增资完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|开元朱雀|400,000,000.00|36.3636|
|2|北京集电|350,000,000.00|31.8182|
|3|海鸥香港|211,650,000.00|19.2409|
|4|奥视嘉创|138,300,000.00|12.5727|
|5|海鸥开曼|50,000.00|0.0045|
|合计||1,100,000,000|100.0000|

2016年11月25日，普华永道出具《验资报告》（普华永道中天验字[2016]
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第 1588号）验证，截至 2016年 11月 8日，北京集电、开元朱雀、奥视嘉创、海鸥香港及海鸥开曼已足额缴纳其已认购的北京豪威注册资本，合计 11亿美元，占注册资本的100%。
3、2016年9月，股权转让
2016年8月25日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意北京集电、开元朱雀、海鸥香港以及奥视嘉创将其所持北京豪威股权转让予相关受让方；同意各方就上述股权转让事宜签署股权转让协议；同意修改公司的合资合同和章程。
同日，前述转让方、受让方与北京豪威及其原股东分别就股权转让事宜签署《股权转让协议》。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的具体情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价|每1美元出资转让价格|
|1|北京集电|嘉兴水木|75,642,965|6.8766|495,000,000元|6.54元|
|2||嘉兴豪威|75,642,965|6.8766|495,000,000元|6.54元|
|3||首誉光控|45,844,221|4.1677|300,000,000元|6.54元|
|4||清控华科|30,562,814|2.7784|200,000,000元|6.54元|
|5||惠盈一号|25,978,392|2.3617|170,000,000元|6.54元|
|6||金信华创|18,337,689|1.6671|120,000,000元|6.54元|
|7||金信华通|12,225,126|1.1114|80,000,000元|6.54元|
|8||西藏大数|9,168,844|0.8335|60,000,000元|6.54元|
|9||西藏锦祥|6,112,563|0.5557|40,000,000元|6.54元|
|10||德威资本|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|11||深圳远卓|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|12||深圳兴平|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|小计|||304,100,002|27.6454|1,990,000,000元|—|
|1|开元朱雀|珠海融锋|175,430,737|15.9482|1,148,001,201元|6.54元|
|2||芯能投资|55,000,000|5.0000|359,914,500元|6.54元|
|3||芯力投资|55,000,000|5.0000|359,914,500元|6.54元|
|4||金石暴风|26,839,155|2.4399|175,632,742元|6.54元|
|5||西藏长乐|24,681,423|2.2438|161,512,766元|6.54元|
|小计|||336,951,315|30.6319|2,204,975,709元|—|
|1|海鸥香港|创意传奇|75,000,000|6.8182|75,000,000美元|1.00美元|
|小计|||75,000,000|6.8182|75,000,000美元|—|
|1|奥视嘉创|润信豪泰|16,348,150|1.4862|107,127,494元|6.55元|
|2||泰康保险|15,000,000|1.3636|98,293,227元|6.55元|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|小计|31,348,150|2.8498|205,420,721元|—|

2016年8月25日，北京豪威股东签署公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之修改协议》。
2016年 9月 8日，北京市商务委员会核发《北京市商务委员会关于北京豪威科技有限公司股权变更等事项的批复》（京商务资字[2016]656号），同意上述股权转让事宜；同意本次股权转让后的北京豪威股权结构，同意各方对合资合同及公司章程的修订。
2016年9月13日，北京市人民政府核发本次变更后的《中华人民共和国外商投资企业批准证书》（商外资京字[2015]8216号）。
2016年9月21日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|珠海融锋|175,430,737.00|15.9482|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|12.4227|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|9.7229|
|4|嘉兴水木|75,642,965.00|6.8766|
|5|嘉兴豪威|75,642,965.00|6.8766|
|6|创意传奇|75,000,000.00|6.8182|
|7|开元朱雀|63,048,685.00|5.7317|
|8|芯能投资|55,000,000.00|5.0000|
|9|芯力投资|55,000,000.00|5.0000|
|10|北京集电|45,899,998.00|4.1727|
|11|首誉光控|45,844,221.00|4.1677|
|12|清控华科|30,562,814.00|2.7784|
|13|金石暴风|26,839,155.00|2.4399|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.3617|
|15|西藏长乐|24,681,423.00|2.2438|
|16|金信华创|18,337,689.00|1.6671|
|17|润信豪泰|16,348,150.00|1.4862|
|18|泰康保险|15,000,000.00|1.3636|
|19|金信华通|12,225,126.00|1.1114|
|20|西藏大数|9,168,844.00|0.8335|
|21|西藏锦祥|6,112,563.00|0.5557|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|22|德威资本|1,528,141.00|0.1389|
|23|深圳远卓|1,528,141.00|0.1389|
|24|深圳兴平|1,528,141.00|0.1389|
|25|海鸥开曼|50,000.00|0.0045|
|合计||1,100,000,000.00|100.0000|

4、2016年11月，股权转让及增加注册资本至129,750万美元
2016年 10月 13日，首誉光控与天元滨海及其普通合伙人北京天元海华投资管理有限公司签署《北京豪威科技有限公司股权转让协议》，约定首誉光控将其所持北京豪威45,844,221美元出资以3亿元人民币对价转让予天元滨海。
同日，珠海融锋与深圳测度签署《股权转让协议》，约定珠海融锋将其所持北京豪威 22,493,773美元出资以 22,493,773美元等值人民币对价转让予深圳测度。
2016年11月4日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意上述股权转让；
同意增资扩股，吸收新投资人加入，投资总额将从19亿美元增加至20.975亿美元，注册资本将从11亿美元增加至12.975亿美元；同意修改公司章程。
各投资者认购北京豪威新增注册资本的情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|投资者|认购的新增出资（美元）|占增资后注册资本的比例（%）|
|1|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|2|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|3|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|4|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|5|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|6|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|7|Seagull（C1-Int‘l）|7,878,450.00|0.6072|
|8|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|9|Seagull（C3-Int‘l）|5,465,469.00|0.4212|
|合计||197,500,000.00|15.2215|

2016年11月4日，北京豪威全体股东签署根据本次增资及股权转让情况修改后的《北京豪威科技有限公司公司章程》和《北京豪威科技有限公司中外合资经营企业合同》。
2016年 11月 22日，北京豪威就本次增资及本次股权转让在外商投资综合
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201600067）。
2016年12月29日，普华永道出具《验资报告》（普华永道中天验字[2016]第1767号），验证股东已足额缴纳本次新增注册资本。
2016年11月9日，北京豪威取得本次增资和股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
本次增资和股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|珠海融锋|152,936,964.00|11.7870|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|10.5318|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|8.2429|
|4|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|创意传奇|75,000,000.00|5.7803|
|8|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|9|芯能投资|55,000,000.00|4.2389|
|10|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|11|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|12|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|13|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|14|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|15|金石暴风|26,839,155.00|2.0685|
|16|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|17|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|18|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|19|深圳测度|22,493,773.00|1.7336|
|20|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|21|润信豪泰|16,348,150.00|1.2600|
|22|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|23|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|24|泰康保险|15,000,000.00|1.1561|
|25|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|26|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|27|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|28|Seagull（C1-Int‘l）|7,878,450.00|0.6072|
|29|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|30|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|31|Seagull（C3-Int‘l）|5,465,469.00|0.4212|
|32|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|33|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|34|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|35|海鸥开曼|50,000.00|0.0039|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

5、2017年9月，股权转让
2017年5月19日，金石暴风与芯能投资签署《关于北京豪威科技有限公司之股权转让协议》，约定金石暴风将其所持北京豪威 26,839,155美元出资以176,172,952.82元对价（每1美元注册资本6.56元）转让予芯能投资。
泰康保险与其全资子公司泰康人寿签署《转让协议》，约定泰康保险将其所持北京豪威15,000,000美元出资无偿转让予泰康人寿。
经中国保险监督管理委员会《关于更名设立泰康保险集团股份有限公司并进行集团化改组的批复》（保监许可[2016]816号）批准，泰康人寿保险股份有限公司进行集团化改组，于2016年8月25日更名为泰康保险集团股份有限公司，并独家发起设立泰康人寿保险有限责任公司，泰康保险集团股份有限公司所属保险业务及相关资产、负债转移至泰康人寿保险有限责任公司。此次转让为集团内部因改组进行的转让，故转让价格为0。
2017年8月16日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意上述股权转让事项；同意相应修改公司章程和合营合同。
2017年 9月 8日，北京豪威全体股东签署公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2017年 9月 9日，北京豪威全体股东签署反映本次股权转让的《公司章程修正案》。
2017年9月20日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2017年 11月 17日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201701303）。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|珠海融锋|152,936,964.00|11.7870|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|10.5318|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|8.2429|
|4|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|5|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|6|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|7|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|8|创意传奇|75,000,000.00|5.7803|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|10|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|11|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|12|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|13|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|14|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|15|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|16|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|17|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|18|深圳测度|22,493,773.00|1.7336|
|19|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|20|润信豪泰|16,348,150.00|1.2600|
|21|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|22|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|23|泰康人寿|15,000,000.00|1.1561|
|24|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|25|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|26|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|27|Seagull（C1-Int‘l）|7,878,450.00|0.6072|
|28|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|29|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|30|Seagull（C3-Int‘l）|5,465,469.00|0.4212|
|31|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|32|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|33|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|34|海鸥开曼|50,000.00|0.0039|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）6、2017年12月，股权转让
2017年 11月 24日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意珠海融锋、深圳测度分别将其所持北京豪威 152,936,964美元出资、22,493,773美元出资转让予青岛融通；同意相应修改公司章程和合营合同。
2017年 11月 30日，珠海融锋、深圳测度分别与青岛融通签署《关于北京豪威科技有限公司之股权转让协议》，约定珠海融锋、深圳测度分别将其所持北京豪威 152,936,964美元出资、22,493,773美元出资以 1,709,122,141元（每 1美元注册资本11.18元）、251,375,498元（每1美元注册资本11.18元）的对价转让予青岛融通。
2017年 12月 19日，北京豪威全体股东签署公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
北京豪威就本次股权转让事项与2018年4月第五次股权转让事项于2018年 5月 10日一并在外商投资综合管理信息系统办理完毕外商投资企业变更备案，备案号为京海外资备201800543。
2017年 12月 28日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|2|海鸥香港|136,650,000.00|10.5318|
|3|奥视嘉创|106,951,850.00|8.2429|
|4|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|5|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|6|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|7|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|8|创意传奇|75,000,000.00|5.7803|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|10|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|11|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|12|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|13|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|14|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|15|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|16|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|17|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|18|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|19|润信豪泰|16,348,150.00|1.2600|
|20|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|21|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|22|泰康人寿|15,000,000.00|1.1561|
|23|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|24|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|25|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|26|Seagull（C1-Int‘l）|7,878,450.00|0.6072|
|27|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|28|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|29|Seagull（C3-Int‘l）|5,465,469.00|0.4212|
|30|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|31|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|32|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|33|海鸥开曼|50,000.00|0.0039|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

7、2018年4月，股权转让
2018年3月26日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意海鸥香港等股东将其所持北京豪威出资转让予绍兴韦豪等受让方；同意相应修改公司章程和《合营合同》。
各方就上述股权转让事宜已签署相关股权转让协议。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的情况具体如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价（元）|每1美元出资转让价格（元）|
|1|海鸥香港|绍兴韦豪|136,650,000|10.5318|2,284,238,921|10.79|
||创意传奇||75,000,000|5.7803|||
||海鸥开曼||50,000|0.0039|||
||润信豪泰||16,348,150|1.2600|176,396,223.51|10.79|
|2|泰康人寿|上海清恩|15,000,000|1.1561|161,849,711|10.79|
|3|奥视嘉创|上海唐芯|64,875,000|5.0000|700,000,000|10.79|
|||领智基石|25,950,000|2.0000|280,000,000|10.79|

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|||||||
|-|-|-|-|-|-|
||上海清恩|10,560,575|0.8139|113,948,400.77|10.79|
||上海摩勤|5,566,275|0.4290|60,060,000|10.79|
|合计||350,000,000|26.975|3,776,493,256.28|—|

2018年3月30日，北京豪威全体股东已签署反映本次股权转让的公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2018年4月28日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2018年5月10日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201800543）。
根据股权转让协议约定，本次转让每1美元注册资本的转让价格为10.79元。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|绍兴韦豪|228,048,150.00|17.5760|
|2|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|3|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|4|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|上海唐芯|64,875,000.00|5.0000|
|8|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|9|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|10|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|11|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|12|清控华科|30,562,814.00|2.3555|
|13|Seagull（B1）|28,256,200.00|2.1777|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|15|领智基石|25,950,000.00|2.0000|
|16|上海清恩|25,560,575.00|1.9700|
|17|西藏长乐|24,681,423.00|1.9022|
|18|Seagull（A1）|23,160,900.00|1.7850|
|19|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|20|Seagull（B2）|15,740,100.00|1.2131|
|21|Seagull（C3）|15,142,500.00|1.1671|
|22|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|23|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|

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|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|24|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|25|Seagull（C1-Int‘l）|7,878,450.00|0.6072|
|26|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|27|Seagull（C1）|5,979,000.00|0.4608|
|28|上海摩勤|5,566,275.00|0.4290|
|29|Seagull（C3-Int‘l）|5,465,469.00|0.4212|
|30|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|31|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|32|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

8、2018年7月，股权转让
2018年6月26日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意Seagull（B1）、Seagul（lB2）、Seagul（lC3）以及Seagul（lC3-Int‘l）分别将所持北京豪威 28,256,200美元出资、15,740,100美元出资、15,142,500美元出资以及5,465,469美元出资转让予 SeagullInvestments；同意清控华科、西藏长乐分别将其所持北京豪威 30,562,814美元出资、24,681,423美元出资转让予元禾华创；同意相应修改公司章程和《合营合同》。
2018年6月27日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）以及Seagull（C1）分别将其所持北京豪威 17,962,400美元出资（占注册资本的1.3844%）、4,240,450美元出资以及 3,154,000美元出资转让予香港韦尔；同意相应修改公司章程和《合营合同》。
各方就上述股权转让事宜已签署股权转让协议。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的情况具体如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价|每1美元出资转让价格|
|1|Seagull（B1）|SeagullInvestments|28,256,200|2.1777|41,285,133.82美元|1.46美元|
|2|Seagull（B2）||15,740,100|1.2131|22,997,860.11美元|1.46美元|
|3|Seagull（C3）||15,142,500|1.1671|22,124,706.75美元|1.46美元|
|4|Seagull（C3-Int‘l）||5,465,469|0.4212|7,985,596.76美元|1.46美元|
|小计|||64,604,269|4.9791|94,393,297.44美元|—|
|5|清控华科|元禾华创|30,562,814|2.3555|329,772,174元|10.79元|
|6|西藏长乐||24,681,423|1.9022|266,312,079元|10.79元|

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||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|小计|||55,244,237|4.2577|596,084,253元|—|
|7|Seagull（A1）|香港韦尔|17,962,400|1.3844|28,843,437.74美元|1.61美元|
|8|Seagull（C1-Int‘l）||4,240,450|0.3268|6,195,721.50美元|1.46美元|
|9|Seagull（C1）||3,154,000|0.2431|4,608,309.40美元|1.46美元|
|小计|||25,356,850|1.9543|39,647,468.64美元|—|

2018年6月28日，北京豪威全体股东签署公司章程修正案和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2018年7月20日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2018年 8月 2日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201801011）。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|绍兴韦豪|228,048,150.00|17.5760|
|2|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|3|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|4|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|上海唐芯|64,875,000.00|5.0000|
|8|Seagull Investments|64,604,269.00|4.9791|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|
|10|元禾华创|55,244,237.00|4.2577|
|11|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|12|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|13|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|15|领智基石|25,950,000.00|2.0000|
|16|上海清恩|25,560,575.00|1.9700|
|17|香港韦尔|25,356,850.00|1.9543|
|18|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|19|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|20|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|21|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|22|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|23|上海摩勤|5,566,275.00|0.4290|
|24|Seagull（A1）|5,198,500.00|0.4006|
|25|Seagull（C1-Int‘l）|3,638,000.00|0.2804|
|26|Seagull（C1）|2,825,000.00|0.2177|
|27|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|28|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|29|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

9、2018年8月，股权转让
2018年 8月 6日，上海清恩与韦尔股份签署《股权转让协议》，约定上海清恩将其所持北京豪威 25,560,575美元出资以 277,768,098元（每 1美元注册资本的转让价格为10.87元）的价格转让予韦尔股份。
2018年 8月 7日，北京豪威董事会作出决议，同意上海清恩将其所持北京豪威25,560,575美元出资转让予韦尔股份；同意相应修改《公司章程》和《合营合同》。
2018年8月21日，北京豪威全体股东签署反映本次股权转让事项的《公司章程修正案》和《中外合资经营企业合同之变更合同》。
2018年9月25日，北京豪威取得本次股权转让后北京市工商局海淀分局核发的《营业执照》。
2018年 10月 17日，北京豪威就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201801304）。
本次股权转让完成后，北京豪威股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|1|绍兴韦豪|228,048,150.00|17.5760|
|2|青岛融通|175,430,737.00|13.5207|
|3|Seagull（A3）|87,395,700.00|6.7357|
|4|芯能投资|81,839,155.00|6.3074|
|5|嘉兴水木|75,642,965.00|5.8299|
|6|嘉兴豪威|75,642,965.00|5.8299|
|7|上海唐芯|64,875,000.00|5.0000|
|8|Seagull Investments|64,604,269.00|4.9791|
|9|开元朱雀|63,048,685.00|4.8592|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|出资额（美元）|出资比例（%）|
|10|元禾华创|55,244,237.00|4.2577|
|11|芯力投资|55,000,000.00|4.2389|
|12|北京集电|45,899,998.00|3.5376|
|13|天元滨海|45,844,221.00|3.5333|
|14|惠盈一号|25,978,392.00|2.0022|
|15|领智基石|25,950,000.00|2.0000|
|16|韦尔股份|25,560,575.00|1.9700|
|17|香港韦尔|25,356,850.00|1.9543|
|18|金信华创|18,337,689.00|1.4133|
|19|金信华通|12,225,126.00|0.9422|
|20|西藏大数|9,168,844.00|0.7067|
|21|上海威熠|8,481,681.00|0.6537|
|22|西藏锦祥|6,112,563.00|0.4711|
|23|上海摩勤|5,566,275.00|0.4290|
|24|Seagull（A1）|5,198,500.00|0.4006|
|25|Seagull（C1-Int‘l）|3,638,000.00|0.2804|
|26|Seagull（C1）|2,825,000.00|0.2177|
|27|德威资本|1,528,141.00|0.1178|
|28|深圳远卓|1,528,141.00|0.1178|
|29|深圳兴平|1,528,141.00|0.1178|
|合计||1,297,500,000.00|100.0000|

（四）北京豪威股权结构及控制关系情况
1、股权结构及控制关系
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）注①：2018年11月28日，云交所确认韦尔股份为瑞滇投资挂牌出售资产芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的受让方。2018年11月28日，交易各方签署了产权交易合同，截至本报告书签署日，尚未办理工商变更登记手续。
截至本报告书签署日，虞仁荣控制的韦尔股份、香港韦尔以及绍兴韦豪合计持有北京豪威21.50%股权，为控制北京豪威股权最多的主体。北京豪威作为中外合资企业，其权力机构为董事会，由9名董事组成。
2018年 4月，虞仁荣控制的绍兴韦豪和上海清恩受让北京豪威股权后，绍兴韦豪和上海清恩即各有权委派一名董事。虞仁荣同时还与享有董事委派权的Seagull（A3）、Seagull（C3）、北京集电分别签订协议，约定Seagull（A3）、Seagull（C3）向北京豪威委派的董事人选要经过虞仁荣同意，北京集电有权委派的两名董事中的一名董事人选要经过虞仁荣同意。
2018年7月，Seagul（lC3）将持有的北京豪威股权转让给 Seagull Investments后，Seagull（C3）向北京豪威委派董事的权力由 Seagull Investments承继，虞仁荣与Seagull Investments签订协议，约定Seagull Investments向北京豪威委派的董事人选要经过虞仁荣同意。
2018年 9月，上海清恩将持有的北京豪威股权转让给韦尔股份后，上海清恩委派董事的权力由韦尔股份承继。
综上，虞仁荣能够控制北京豪威董事会9名成员中5名董事人选的产生。因此，虞仁荣为北京豪威的实际控制人。
2、北京豪威公司章程中可能对本次交易产生影响的主要内容或相关投资协议
根据《北京豪威科技有限公司章程》，其7条―合资公司股权转让‖规定：
―7.1一般规定
除非本章程另有约定，在合格上市之前，任何一方不得转让其在合资公司的任何股权，除非（a）拟转让股权的一方（‗转让方‘）就该转让获得其他各方的事先书面同意，以及（b）相关拟受让方必须书面同意接受转让方在本章程下的所有责任和义务。各方同意任何不遵照本章程规定的转让均视为无效并不获得承认。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 7.2优先购买权
（a）受制于第 7.1条、7.3条和第 7.5条的规定，如果转让方拟议向任何非关联的第三方（―拟议非关联受让方‖）转让其在合资公司的全部或部分股权（―拟议非关联受让方‖），则其他各方有权选择以相同的条件和条款受让拟转让股权（―优先购买权‖）。
转让方应在与拟议非关联受让方的相关转让协议正式签署前三十（30）个工作日向其他各方发出行权的书面通知（―行权通知‖），要求其他各方在收到行权通知后的十（10）个工作日内（―行权期‖）以书面形式确认是否行使优先购买权。
行权通知应包括转让方与拟议非关联受让方达成的主要条件和条款（包括拟转让股权的数量、转让价格和其他重要的条件和条款，―拟议主要条款‖）及拟议非关联受让方的身份。
（b）各方应在行权期内根据合资合同第21.5条的规定书面通知转让方确认其是否行使优先购买权（―行权确认通知‖）。任何一方如果未能在行权期内向转让方送达其是否行使优先购买权的书面通知，则该一方应被视为同意放弃行使优先购买权。
为明确起见，任何一方发出的行权确认通知均对其具有法律约束力，除非经其他相关方同意，否则该一方不得撤回、终止或解除该行权确认通知。
（c）任何一方（―优先购买方‖）在行权期内书面通知转让方要求行使优先购买权的，则该优先购买方应当同意按照拟议主要条款购买转让方的全部（而非部分）拟转让股权；如果有多个优先购买方的，则各优先购买方可购买的股权的数量如下：（i）如果拟议非关联受让方为合资公司的现有股东，则各优先购买方和该拟议非关联受让方（统称为―股权购买方‖）按照各自相对持股比例购买拟转让股权，具体计算公示如下：任一股权购买方可购买的拟转让股权数量=该股权购买方在合资公司的实缴出资额÷所有股权购买方在合资公司的实缴出资额×全部拟转让股权数量。（ii）如果拟议非关联受让方不是合资公司的现有股东，则优先购买方按照各自相对持股比例购买拟转让股权，具体计算公示如下：任一优先购买方可购买的拟转让股权数量=该优先购买方在合资公司的实缴出资额÷所有优先购买方在合资公司的实缴出资额×全部拟转让股权数量
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（d）任何优先购买方应在行权期结束后尽快（受相关监管审批的限制）完成对其拟购买的拟转让股权的收购并支付相关对价。
（e）各方进一步保证：在遵守第 7.2条约定的前提下，各方应当尽各自最大努力、采取所有必要的措施以完成与拟转让股权转让相关的事宜，包括但不限于促使其委派的董事（如适用）在董事会上就转股事宜投赞成票、签署相关转股文件以及商务主管部门和工商局等政府机关要求的其他为办理转股交易所需的申请文件等。
（f）本第7.2条的规定不适用于任何根据本章程第15.1条进行的转让。
7.3限制转让
尽管本章程有其他约定，未经其他各方事先针对竞争关系的特别共同书面同意，转让方不得将其股权转让给合资公司的任何竞争对手。
7.4特殊权利继承
受制于相关适用法律的强制性规定，除非本章程另有明确规定或获得所有各方书面同意，任一方转让股权的受让方不得自动获得转让方在本章程中规定的任何特殊权利（包括董事委派权），但是优先购买权和优先认购权不受限制。
7.5向关联方受让方的股权转让
尽管本章程有任何相反规定，在满足下述条件的前提下，任何一方均可将其持有的合资公司的部分或全部股权转让给一个或多个其关联受让方而不受此第7条其他条款的约定或限制：
（i）每一关联受让方承诺并保证全面履行转让方在合资合同和本章程项下的所有责任和义务；
（ii）转让方承诺并同意，如果任何关联受让方未能履行合资合同和本章程项下的义务，转让方应与该关联受让方就此承担连带责任；和
（iii）每一关联受让方和转让方共同同意，若该关联受让方在本项转让后的任何时候不再是转让方的关联方，应其他各方要求，该关联受让方应迅速将该股权转让给转让方或者采取其他各方同意的其他适当的解决措施。
7.6在股权上设置权利负担
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）未经其他各方事先书面同意，任何一方不得对其拥有的合资公司的全部或部分股权设立任何质押或其他权利负担。‖
2018年8月14日，北京豪威全体交易对方签署了《发行股份购买资产协议》，该协议约定：―乙方中的任一方在此同意放弃对乙方中的其他各方向甲方转让的标的公司股权的优先购买权‖，即北京豪威全体交易对方已放弃其他股东向韦尔股份转让北京豪威股权的优先购买权。
除上述内容外，北京豪威公司章程中不存在对本次交易产生影响的内容，北京豪威不存在可能对本次交易产生影响的相关投资协议。
3、是否存在影响该资产独立性的协议或其他安排
截至本报告书签署日，北京豪威不存在影响其资产独立性的协议或其他安排。
4、原高级管理人员的安排
本次重组后，北京豪威的总经理、副总经理、财务负责人等高级管理人员将由改组后的董事会继续聘用。
（五）北京豪威主要下属公司情况
1、下属子公司基本情况
截至2018年7月31日，北京豪威主要下属公司合计25家，具体如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）北京豪威亦庄科技有限公司
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|公司全称|北京豪威亦庄科技有限公司|
|公司类型|有限责任公司（法人独资）|
|成立日期|2018年5月14日|
|注册资本|10万元|
|法定代表人|虞仁荣|
|注册地址|北京市北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼5层501-1室|
|统一社会信用代码|91110302MA01C4776U|
|主营业务|技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；软件开发；集成电路设计；销售计算机、软件及辅助设备、通讯设备、机械设备、电子产品；货物进出口；技术进出口；代理进出口；企业管理咨询。（企业依法自主选择经营项目,开展经营活动；依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）|
|股权结构|北京豪威科技有限公司持有100%股权|

（2）Seagull Investment Holdings Limited.
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|公司全称|Seagull Investment Holdings Limited|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2015年4月24日|
|已发行股本|62,893,082股普通股（每股面值1美元）|
|注册地址|Willow House, Cricket Square, PO Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|IT-299011|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|北京豪威持有100%股权|

（3）Seagull International Limited.
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|公司全称|Seagull International Limited|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2015年4月24日|
|已发行股本|101股普通股（每股面值1美元）|
|注册地址|Willow House, Cricket Square, PO Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|IT-299012|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|Seagull Investment Holdings Limited持有100%股权|

（4）OmniVision Technologies,Inc.（美国豪威）
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|公司全称|OmniVision Technologies, Inc.|
|公司类型|注册于美国特拉华州的有限公司|
|成立日期|1995年5月8日（2000年3月27日在美国特拉华州重新注册）|
|已发行股本|100股普通股（每股面值1美元）|
|注册地址|1209 Orange Street, Wilmington, New Castle County, Delaware 19801|
|注册号|3183597|
|主营业务|图像传感芯片的研发、制造、销售等|
|股权结构|Seagull International Ltd.持有100%股权|

美国豪威成立于 1995年 5月 8日，注册号为3183597，注册地址为 1209 Orange Street, Wilmington, New Castle County, Delaware19801，公司类型为私人有限公司，授权股本总额为100美元，已发行股本为1美元，主营业务为设计、生产及销售高性能、高集成及高性价比半导体图像传感器设备。
美国豪威系北京豪威的主要经营实体，其原系美国纳斯达克上市公司，2016年被中资财团完成私有化收购后，从纳斯达克退市。美国豪威主要历史股权演变如下：
①1995年5月，设立
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 1995年 5月 8日，美国豪威成立于美国加利福尼亚州，并向四名创始股东（Shaw Hong, Raymond Wu, Tai-Ching Shyu和 DatongChen）发行1,200,000股普通股。
②2000年7月，首次公开发行并在纳斯达克上市
2000年3月6日，注册在加利福尼亚州的美国豪威（以下简称―加州美国豪威‖）与 2000年 2月 28日在特拉华州新成立的美国豪威签署合并协议及计划，约定加州美国豪威主体并入在特拉华州新成立的美国豪威主体，并且不再作为独立主体存续，特拉华州的美国豪威作为合并后存续的主体同意继承并持有美国豪威的全部资产、权利和债务。2000年3月27日，美国豪威向特拉华州政府部门提交了合并协议及计划，并于当日重新作为特拉华州公司进行注册。
2000年3月1日，美国豪威的董事会批准了普通股公开发行计划，并在 2000年3月8日向美国证监会递交上市注册文件。
2000年7月13日，美国豪威首次公开发行500万股普通股。
2000年7月14日，美国豪威的股票在纳斯达克上市，上市代码为―OVTI‖。
③私有化
美国豪威私有化示意图如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） A.私有化发起人发出私有化要约
根据美国豪威 2014年 8月 14日在美国证监会网站的公告，2014年 8月 12日，美国豪威收到来自北京清芯华创投资管理有限公司的有关收购美国豪威股份的非约束性报价函。发出要约后，私有化财团部分成员进行了调整，新组成的私有化财团成员重新签署了相关财团协议。
B.私有化发起人搭建私有化实施主体
2015年4月23日，Seagull AcquisitionCorporation（―AcquisitionSub‖）成立。
2015年4月24日，Seagull International Limited和Seagull Investment Holdings Limited成立。具体结构如下：
C.签署财团协议
2015年4月30日，北京清芯华创投资管理有限公司（Hua Capital Management Co.,Ltd.）、中信资本MB（CITIC Capital MB InvestmentLimited）和金石 NC（NEPTUNE CONNECTIONLIMITED）签署了《财团协议》（CONSORTIUMAGREEMENT），约定私有化财团拟通过在境内设立的一家投资实体（即―北京豪威‖）用于在未来适当时机收购中信资本持有的 Seagull Investment Holdings Limited的全部股权。
D.取得私有化贷款承诺
2015年4月30日，中国银行澳门分行和招商银行纽约分行组成的借款银团向Seagull International Limited出具贷款承诺函（Debt CommitmentLetter），借款银团将向Seagull International Limited提供美国豪威私有化借款8亿美元。
E.合并协议签署
2015年 4月 30日，美国豪威、Seagull International Limited和 Seagull
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） Acquisition Corporation签署了《合并协议》（Agreement and Plan ofMerger）。
根据《合并协议》，美国豪威股东所持的股票将以每股29.75美元现金的价格（该对价应根据协议签订之后生效之前美国豪威的权益分派事项作相应调整）被收购注销，具体合并过程将由 Seagull Acquisition Corporation与美国豪威之间通过反三角合并方式完成。合并完成后，Acquisition Sub被注销，美国豪威成为 Seagull International Limited的子公司。
F.私有化实施
2015年4月29日，美国豪威董事会批准了私有化合并相关事项。2015年7月23日，美国豪威召开特别股东大会，审议通过了《合并协议》及相关议案。
2016年1月21日，中信资本向北京豪威转让了其所持有的Seagull Investment Holdings Limited100%股权。2016年 1月 28日，特拉华州政府出具证明， Acquisition Sub被美国豪威吸收合并，完成注销，美国豪威作为合并后的存续主体取得了重述的注册证书。
2016年1月28日， Seagull Investment HoldingsLimited、 Seagull International Limited与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署了《信贷和担保合同》（Credit and Guaranteeagreement），借款银团共向 Seagull International Limited提供借款8亿美元。
2016年1月28日，美国豪威的普通股暂停在纳斯达克交易，并且美国豪威向美国证监会报备Form25，申请终止美国豪威作为纳斯达克上市公司向 SEC提交报告的义务。2016年2月8日，美国豪威向 SEC报备Form 15及《登记终止通知》（Notice of TerminationofRegistration），美国豪威退市。
私有化完成后，Seagull International Limited持有美国豪威100%股权，截至目前未发生过变化。
④私有化的有关政府审批
2014年9月30日，发改委出具了关于华创投资等联合收购美国豪威全部股权的《境外收购或竞标项目信息报告确认函》（发改外资境外确字[2014102号]），并于 2015年 4月 7日出具了延长有效期的《关于延长北京清芯华创投资管理有限公司等联合收购美国 OmniVison Technologies,Inc.全部股权项目信息报告确认
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）函有效期的复函》（发改外资境外确字[2015]108号）。
2015年5月26日，美国联邦贸易委员会和司法部根据经修订的《1976年哈特-斯科特-罗迪诺反垄断改进法》（―HSR‖）签发有关通知，批准提前终止 HSR项下的等待期。
2015年9月30日，商务部反垄断局向中信资本控股有限公司、金石投资有限公司和北京清芯华创投资管理有限公司签发《不实施进一步审查通知》（商反垄初审函[2015]第246号），对收购美国豪威的交易不实施进一步的审查。
2015年 10月 5日，美国豪威收到美国外国投资委员会（―CFIUS‖）通知，说明CFIUS已经完成审查且确认Seagull Investment收购美国豪威的交易不存在未决的国家安全问题。
2015年 10月 26日，台湾经济部投资审议委员会发函（经授审字第10420717620号，针对陆00768号申请），批准台湾豪威光电科技股份有限公司申请上层股权变动，投资人身份由外国投资人变为陆资投资人。
2015年 10月 27日，台湾经济部投资审议委员会发函（经授审字第 10420717660号，针对陆00769、陆 00770号申请），批准台湾豪威国际科技股份有限公司和台湾豪威科技有限公司申请上层股权变动，投资人身份由外国投资人变为陆资投资人。
2015年 12月 23日，北京市商务委员会出具《企业境外投资证书》（境外投资证第 N1100201501446号），批准北京豪威收购美国豪威的100%股权，其中投资的第一层境外企业为 Seagull Investment HoldingsLimited，本项目投资总额19亿美元，中方投资额为19亿美元，其中 11亿美元由中方以现金出资。
2015年 12月 22日，国家外汇管理局北京外汇管理部（通过其授权银行招商银行股份有限公司北京大运村支行）向北京豪威出具了业务类型为 ODI中方股东对外义务出资的业务登记凭证（业务编号35110000201512244193）。
2015年 12月 29日，国家发改委出具了《项目备案通知书》（发改办外资备[2015]476号），同意对于北京豪威通过其境外全资子公司收购美国豪威全部股权项目予以备案，本项目投资总额19亿美元，中方投资额为19亿美元，其中 11亿美元由北京豪威股东增资后以自有资金对外出资，其余 8亿美元由北京豪
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）威境外子公司申请境外贷款解决。
（5）OmniVision CDM Optics, Inc.
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|公司全称|OmniVision CDM Optics, Inc.|
|公司类型|注册于美国特拉华州的有限公司|
|成立日期|2003年1月31日|
|已发行股本|1,000股普通股（每股面值0.001美元）|
|注册地址|2711 Centerville Road, Suite 400, Wilmington, Delaware|
|注册号|3620731|
|主营业务|仅作为持有部分不可转让的证书的主体，无实际业务|
|股权结构|OmniVision Technologies, Inc.持有100%股权|

（6）OmniVision International Holding Ltd.
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|公司全称|OmniVision International Holding Ltd.|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2000年11月10日|
|已发行股本|100,000股普通股（每股面值0.01美元）|
|注册地址|Willow House, Cricket Square, PO Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|CR-105680|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision Technologies, Inc.持有100%股权|

（7）OmniVision Technologies Development（HongKong） Company Limited
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|公司全称|OmniVision Technologies Development （Hong Kong） CompanyLimited|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2018年4月12日|
|已发行股本|66,666,668.67美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen‘s Road Central,Hong Kong|
|注册号|2679630|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|Seagull Investment Holdings Limited 持有 60%的股权，OmniVisionInternational Holding Ltd. 持有40%的股权。|

（8）OmniVision Technology International Ltd.
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|公司全称|OmniVision Technology International Ltd.|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2000年11月10日|
|已发行股本|4,000,000股普通股（每股面值0.001美元）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|注册地址|Willow House, Cricket Square, P.O. Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|CR-105679|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（9）上海全览半导体技术有限公司
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|公司全称|上海全览半导体技术有限公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2008年10月17日|
|注册资本|1,350万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|上海市松江区茸华路211号一幢三楼|
|统一社会信用代码|9131000067935869XK|
|主营业务|从事半导体集成电路的研究开发、生产制造、封装装配、加工测试及相关服务,从事半导体集成电路的商业性检测和加工,销售自产产品,提供相关的技术服务,并提供仓储及相关配套服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Technology International Ltd.持有100%股权|

（10）豪威半导体（上海）有限责任公司
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|公司全称|豪威半导体（上海）有限责任公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2001年1月19日|
|注册资本|3,000万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|上海市松江区茸华路211号|
|统一社会信用代码|91310000607426059H|
|主营业务|研究开发、生产CMOS图像传感器、图像感应集成芯片及相关零部件和模具,硅基液晶产品及相关零部件,销售公司自产产品,并提供上述产品的商业性检测、仓储服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Technology International Ltd.持有100%股权|

（11）OmniVision Holding（HongKong） Company Limited
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|公司全称|OmniVision Holding （Hong Kong） Company Limited|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2007年5月3日|
|已发行股本|24,760,500美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen‘s Road Central,Hong Kong|
|注册号|1129156|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（12）豪威科技（上海）有限公司
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|公司全称|豪威科技（上海）有限公司|
|公司类型|有限责任公司（台港澳法人独资）|
|成立日期|2002年3月8日|
|注册资本|2,700万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|上海市张江高科技园区上科路88号|
|统一社会信用代码|91310115736232146T|
|主营业务|影像传感器和相关的集成电路的设计、开发；计算机软件的设计、开发、制作；销售自产产品,并提供相关的技术咨询、技术服务；微创医用影像技术,汽车导航技术的研发及相关技术服务；在上科路88号内从事自有生产用房出租。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Holding （Hong Kong） Company Limited持有100%股权|

（13）OmniVision Optoelectronics Company Limited
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|公司全称|OmniVision Optoelectronics Company Limited|
|公司类型|注册于开曼群岛的豁免公司|
|成立日期|2011年4月11日|
|已发行股本|10,000,000美元|
|经营地址|Willow House, Cricket Square,P.O.Box 709, Grand Cayman KY1-1107,Cayman Islands|
|注册号|CD-254892|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Limited持有100%股权|

（14）豪威光电子科技（上海）有限公司
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|公司全称|豪威光电子科技（上海）有限公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2011年4月22日|
|注册资本|3,250万美元|
|法定代表人|吴志辉|
|注册地址|上海市松江区茸华路211号1幢2层|
|统一社会信用代码|913100005726784231|
|主营业务|硅基液晶产品、图像感应集成芯片、影像传感器集成电路的设计、开发、生产及加工测试,销售自产产品,并提供相关的技术服务、仓储及售后其他配套服务。（依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|OmniVision Optoelectronics Company Ltd.持有100%股权|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（15）台湾豪威光电科技股份有限公司
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|公司全称|台湾豪威光电科技股份有限公司|
|公司类型|注册于台湾的股份有限公司|
|成立日期|2011年7月14日|
|资本总额|新台币1,000,000,000元|
|实收资本额|新台币500,000元|
|注册地址|台北市内湖区瑞光路258巷2号10楼之1|
|公司统一编号|28113151|
|主营业务|产品设计业，研究发展服务业，精密仪器批发业，资讯软体批发业，电子材料批发业|
|股权结构|OmniVision Optoelectronics Company Limited持有100%股权|

（16）豪威科技（武汉）有限公司
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|公司全称|豪威科技（武汉）有限公司|
|公司类型|有限责任公司（外国法人独资）|
|成立日期|2013年7月18日|
|注册资本|350万美元|
|法定代表人|Hongli Yang|
|注册地址|武汉东湖新技术开发区光谷大道 77 号金融港后台服务中心一期 A1栋18楼A区|
|统一社会信用代码|9142010007053098XK|
|主营业务|计算机软件开发；系统及应用程序开发；计算机相关技术开发及许可；半导体集成电路制造技术支持和技术服务；半导体集成电路设计；相关技术产品销售和技术咨询、技术服务及其他配套服务。（上述经营范围中国家有专项规定的项目经审批后或凭许可证在核定期限内经营）|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（17）OmniVision InvestmentHolding（BVI）Ltd.
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|公司全称|OmniVision Investment Holding（BVI）Ltd.|
|公司类型|注册于英属维尔京群岛的有限公司|
|成立日期|2008年5月20日|
|注册地址|P.O.Box 71, Craigmuir Chambers Road Town, Tortola, British VirginIslands|
|注册号|1482731|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（18）台湾豪威科技有限公司
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|公司全称|台湾豪威科技有限公司|
|公司类型|注册于台湾的有限公司|
|成立日期|2007年1月23日|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|资本总额|新台币29,500,000元|
|注册地址|台北市新竹市公道五路二段101号12楼之1|
|公司统一编号|28566098|
|主营业务|产品设计业，研究发展服务业，精密仪器批发业，资讯软体批发业，电子材料批发业|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（19）台湾豪威国际科技有限公司
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|公司全称|台湾豪威国际科技有限公司|
|公司类型|注册于台湾的有限公司|
|成立日期|2007年8月8日|
|资本总额|新台币500,000元|
|注册地址|台北市内湖区瑞光路258巷2号10楼之1|
|公司统一编号|28700692|
|主营业务|产品设计业，研究发展服务业，精密仪器批发业，资讯软体批发业，电子材料批发业|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（20）OmniVision Technologies（HongKong） Company Limited
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|公司全称|OmniVision Technologies （Hong Kong） Company Limited.|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2003年4月9日|
|已发行股本|100,000美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen‘s Road Central,Hong Kong|
|注册号|0845181|
|主营业务|控股型公司，无实质业务|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（21）OmniVision Trading（HongKong） Company Ltd.
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|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited|
|公司类型|注册于中国香港的有限公司|
|成立日期|2003年10月13日|
|已发行股本|100,000美元|
|注册地址|18th Floor, Edinburgh Tower, The Landmark,15 Queen‘s Road Central,Hong Kong|
|注册号|0865806|
|主营业务|销售支持|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（22）OmniVision Technologies Norway AS
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|公司全称|OmniVision Technologies Norway AS|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|公司类型|注册于挪威的私人有限责任公司|
|成立日期|2011年10月24日|
|已发行股本|10.00万挪威克朗|
|注册地址|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|
|注册号|997523695|
|主营业务|研发|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（23）OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.
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|公司全称|OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.|
|公司类型|注册于新加坡的有限公司|
|成立日期|2012年3月30日|
|已发行股本|500,000股（每股1美元）|
|注册地址|3A International Business Park,#06-07 ICON@IBP,Singapore 609935|
|注册号|201207875E|
|主营业务|提供海外销售渠道|
|股权结构|OmniVision International Holding Ltd.持有100%股权|

（24）OmniVision Technologies Japan G.K.
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|公司全称|OmniVision Technologies Japan G.K.|
|公司类型|注册于日本的私人公司|
|成立日期|2016年7月13日|
|已发行股本|1,000.00万日元|
|注册地址|18F Attend on Tower, 2-8-12 Shin-Yokohama, Kohoku-ku,Yokohama-shi Kanagawa|
|注册号|0200-03-011575|
|主营业务|研发|
|股权结构|OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.持有100%股权|

（25）OmniVision Semiconductor Technologies Marketing India Private Limited
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|公司全称|OmniVision Semiconductor Technologies Marketing India PrivateLimited|
|公司类型|注册于印度的私人有限公司|
|成立日期|2011年9月28日|
|已发行股本|170.00万INR|
|注册地址|Global Technology Park, Block C, Marathahalli Outer, Ring Road,Devarabeesanahalli Village, Bellandur, Bengaluru-560103, Karnataka,India|
|注册号|U73100KA2011PTC060620|
|主营业务|销售支持|
|股权结构|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited持有100%股|

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|-|
|权|

2、主要下属分公司/分支机构基本情况
截至本报告书签署日，北京豪威主要境内下属分公司合计3家、境外分支机构4家，具体情况如下：
（1）豪威科技（上海）有限公司北京分公司
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|-|-|
|公司全称|豪威科技（上海）有限公司北京分公司|
|公司类型|分公司|
|成立日期|2006年7月6日|
|公司所在地|北京市朝阳区朝阳门外大街18号9层912单元|
|统一社会信用代码|91110105790651368B|
|主营业务|从事总公司经营范围内的业务咨询及联络服务。（依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。）|

（2）豪威科技（上海）有限公司西安分公司
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|-|-|
|公司全称|豪威科技（上海）有限公司西安分公司|
|公司类型|外商投资企业分公司|
|成立日期|2017年1月14日|
|公司所在地|西安市雁塔区太白南路39号金石柏朗第1幢1单元27层12703号|
|统一社会信用代码|91610113MA6U195FXC|
|主营业务|一般经营项目：影像传感器和相关的集成电路的设计、开发；计算机软件的设计、开发、制作；销售自产产品,并提供相关的技术咨询、技术服务；微创医用影像技术,汽车导航技术的研发及相关技术服务。|

（3）豪威科技（上海）有限公司深圳分公司
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|-|-|
|公司全称|豪威科技（上海）有限公司深圳分公司|
|公司类型|港、澳、台投资独资企业分支机构|
|成立日期|2008年6月20日|
|公司所在地|深圳市南山区粤海街道科技园南区高新南七道1号粤美特大厦2401单元|
|统一社会信用代码|91440300676652789N|
|主营业务|影像传感器和相关集成电路及其相关产品的设计开发；销售自产产品,并提供相关的技术咨询、技术服务；微创医用影像技术、汽车导航技术的研发及相关技术服务。（以上不含限制项目）|

（4）OmniVision Trading（HongKong） UK Branch
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|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） UK Branch|
|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2006年1月26日|
|经营地址|Centaur House, Ancells Road, Fleet, Hampshire GU51 2UJ, UnitedKingdom|

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|注册号|BR7429|
|主营业务|销售支持|

（5）OmniVision Trading（HongKong） Korea Branch
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|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） Korea Branch|
|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2004年2月16日|
|经营地址|2F 53, Seochojungang-ro, Seocho-gu, Seoul, Korea 137-953|
|注册号|110181-0037925|
|主营业务|销售支持|

（6）OmniVision Trading（HongKong） Japan Branch
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|-|-|
|公司全称|OmniVision Trading （Hong Kong） Japan Branch|
|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2004年2月23日|
|经营地址|18F Attend on Tower Building 2-8-12 Shin-Yokohama, Kohoku-ku,Yokohama-shi Kanagawa, 222-0033 Japan|
|注册号|0200-03-006994.|
|主营业务|营销服务、促销服务、半导体维护服务|

（7）OmniVision Trading（HongKong） German Permanent Establishment
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|公司全称|OmniVision Trading （ Hong Kong ） German permanentestablishment|
|公司类型|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Limited分支机构|
|成立日期|2007年1月15日|
|经营地址|Isartalstr. 44A, 80469 Munich, Germany|
|注册号|143/250/62577|
|主营业务|销售支持|

（六）北京豪威主要资产的权属状况、对外担保情况及主要负债、或有负债情况
1、主要资产情况
北京豪威的主要资产为间接持有的美国豪威100%股权。截至 2018年 7月31日，北京豪威合并报表总资产1,410,695.47万元，其中流动资产573,547.69万元，非流动资产837,147.78万元。主要资产情况如下：
（1）固定资产
北京豪威合并范围内固定资产主要由美国豪威及下属企业持有，主要包括土
地、房屋及建筑物、机器设备、办公设备及其他等，截至2018年7月31日，账
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）面主要固定资产如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|
|序号|资产名称|原值|账面价值|成新率|
|1|拥有所有权的土地|23,619.17|23,619.17|-|
|2|房屋及建筑物|62,874.56|59,282.74|94.29%|
|3|运输工具|115.71|72.21|62.41%|
|4|计算机及电子设备|3,173.19|1,549.60|48.83%|
|5|机器设备|36,720.64|15,089.80|41.09%|
|6|办公设备|1,098.80|252.34|22.96%|
|合计||127,602.08|99,865.87|78.26%|

（2）房屋所有权及使用权
①已取得房屋所有权证的房产
截至2018年7月31日，北京豪威子公司已取得所有权证的房屋情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|产权证号|地址|面积|用途|他项权利|
|1|美国豪威|Grant Deed No19351305|4275-4295Burton DriveSanta Clara, CA.|207,000ft2|商业|抵押|
|2|美国豪威||2240/2250, 2270Agnew Road,Santa Clara, CA||商业|抵押|
|3|豪威科技（上海）|沪房地浦字（2012）第008927|上科路88号|51,641.01m2|工业|—|

②租赁房产
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司、分公司正在履行的房屋租赁合同共涉及28处，具体情况详见本报告书附件一。
（3）土地所有权及使用权
截至2018年7月31日，北京豪威子公司已取得的土地所有权及使用权情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|所有权人|权证号|房地坐落|土地使用权面积|使用期限|用途|他项权利|
|1|上海全览半导体技术有限公司|沪房地松字（2011）第028907号|松江工业区松开III-89号地块|10,514.6m2|2011.8.19-2061.8.18|工业|—|

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|-|-|-|-|-|-|-|-|
|2|豪威科技（上海）|沪房地浦字（2012）第008927号|上科路88号|29,965.0m2|2006.12.31-2056.12.30|工业|—|
|3|美国豪威|Grant DeedNo.19351305|2240, 2250, 2270Agnew Road,Santa Clara, CA,USA、4275-4295Burton DriveSanta Clara, CA，USA|约10英亩|—|商业|抵押|

（4）不动产权
截至2018年7月31日，北京豪威子公司已取得的不动产权情况如下：
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|-|-|-|-|
|不动产权证书编号|权利人|权利类型|坐落|
|沪（2016）松字不动产权第010656号|豪威半导体|国有建设用地使用权/房屋所有权|松江区茸华路211号|
|权利性质|面积|使用期限|用途|
|土地权利性质：出让|宗地面积：41,564.00㎡；建筑面积：39,596.79㎡|国有建设用地使用权使用期限：2001-03-06至2051-03-05|土地用途：出让；房屋用途：厂房|

（5）商标
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司拥有的现行有有效的注册商标共计74项。其中，在中国境内注册的商标共27项，在境外注册的商标共47项，具体情况如下：
①国内注册的商标
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|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|商标标识|核定使用类别|注册号|有效期|
|1|美国豪威||9类|1594357|2021.6.27|
|2|美国豪威||9类|G910267|2026.12.19|
|3|美国豪威||9类|G1038931|2020.5.5|
|4|美国豪威||9类|6482947|2020.8.27|
|5|美国豪威||9类|G1222359|2024.7.7|
|6|美国豪威||9类|13469502|2025.2.6|
|7|美国豪威||9类|G1249991|2025.4.3|
|8|美国豪威||9类|13469519A|2025.5.27|
|9|美国豪威||9类|13528542A|2025.6.6|
|10|美国豪威||9类|13469574A|2025.8.13|
|11|美国豪威||38类|16167147|2026.4.6|

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|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|商标标识|核定使用类别|注册号|有效期|
|12|美国豪威||9类|13469574|2026.5.27|
|13|豪威科技（上海）||9类|10634204|2023.5.13|
|14|豪威科技（上海）||9类|10639384|2023.6.20|
|15|豪威科技（上海）||9类|12063804|2024.7.6|
|16|豪威科技（上海）||38类|12063859|2024.7.6|
|17|豪威科技（上海）||42类|12063896|2024.7.6|
|18|豪威国际控股||9类|5247891|2019.4.20|
|19|豪威国际控股||9类|5247887|2019.4.20|
|20|豪威国际控股||9类|5247890|2019.4.20|
|21|豪威国际控股||9类|5247886|2019.4.20|
|22|豪威国际控股||9类|5247889|2019.4.20|
|23|豪威国际控股||42类|5247894|2019.7.13|
|24|豪威国际控股||42类|5247901|2019.7.13|
|25|豪威国际控股||42类|5247895|2019.7.13|
|26|豪威国际控股||42类|5247893|2019.7.13|
|27|豪威国际控股||9类|5247888|2020.5.27|

②国外注册商标
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|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|商标标识|注册国家|核定使用类别|注册号|有效期|
|1|美国豪威|OMNIVISION|美国|9类|2429766|2021.2.20|
|2|美国豪威|OMNIPIXEL|美国|9类|3118183|2026.7.18|
|3|美国豪威|OMNIVISION|美国|9类|3229932|2027.4.17|
|4|美国豪威||美国|9类|3772351|2020.4.6|
|5|美国豪威|VIV|美国|9类|4534434|2020.5.20|
|6|美国豪威|PURECEL|美国|9类|4668562|2021.1.6|
|7|美国豪威|OVCHAT|美国|9类|4679718|2021.1.27|
|8|美国豪威|OVCHATand Logo|美国|9类|4679719|2021.1.27|
|9|美国豪威|OMNIHDR|美国|9类|4814239|2021.9.15|
|10|美国豪威|OMNI-ISP|美国|9类|4933381|2022.4.5|
|11|美国豪威|OMNIVISION|加拿大|9类|TMA765731|2020.5.4|

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|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|商标标识|注册国家|核定使用类别|注册号|有效期|
|12|美国豪威||加拿大|9类|TMA765736|2020.5.4|
|13|美国豪威||加拿大|9类|TMA832499|2022.9.20|
|14|美国豪威|OMNIVISION andDesign|欧盟|9类|1717669|2020.6.8|
|15|美国豪威|OMNIVISION|欧盟|9类|1669860|2020.5.16|
|16|美国豪威|OMNIVISION|欧盟|9类|910267|2026.12.19|
|17|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|欧盟|9类|1038931|2020.5.5|
|18|美国豪威|OMNIHDR|欧盟|9类|1222359|2024.7.7|
|19|美国豪威|PURECEL|欧盟|9类|1224275|2024.7.30|
|20|美国豪威|OMNIVISION|印度|9类|1520894|2026.12.29|
|21|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|印度|9类|1962318|2020.5.7|
|22|美国豪威|VIV|印度|9类|1170965|2023.7.17|
|23|美国豪威|OVCHAT|印度|9类|2616024|2023.10.22|
|24|美国豪威||印度|9类|2616025|2023.10.22|
|25|美国豪威|OMNIVISION|以色列|9类|196334|2026.12.21|
|26|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|以色列|9类|229633|2020.5.9|
|27|美国豪威|OMNI-ISP|以色列|9类|275206|2025.4.3|
|28|美国豪威|OMNIVISION|日本|9类|4533703|2022.1.11|
|29|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|日本|9类|1038931|2020.5.5|
|30|美国豪威|OMNIHDR|日本|9类|1222359|2024.7.7|
|31|美国豪威|PURECEL|日本|9类|1224275|2024.7.30|
|32|美国豪威|OMNIVISION|韩国|9类|910267|2026.12.19|
|33|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|韩国|9类|1038931|2020.5.5|
|34|美国豪威|OMNIVISION|马来西亚|9类|06023761|2026.6.29|
|35|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|马来西亚|9类|2010008383|2020.5.12|
|36|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|墨西哥|9类|1207757|2021.3.22|
|37|美国豪威|OMNIVISION|新西兰|9类|761234|2026.6.29|
|38|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|新西兰|9类|823843|2020.5.7|
|39|美国豪威|OMNIVISION|菲律宾|9类|4-2010-005166|2021.2.24|
|40|美国豪威|OMNIVISION|新加坡|9类|T0702349C|2026.12.19|
|41|美国豪威|OMNIVISION andDesign (New Logo)|新加坡|9类|T1007072C|2020.5.5|
|42|美国豪威|OMNIVISION|台湾|9类|00965413|2021.10.15|
|43|美国豪威|OMNIVISION|台湾|9类|1285227|2027.10.31|

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|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|商标标识|注册国家|核定使用类别|注册号|有效期|
|44|美国豪威|OMNIPIXEL2|台湾|9类|1255923|2027.3.31|
|45|美国豪威|CAMERACUBE|台湾|9类|1426810|2020.8.31|
|46|美国豪威|OMNIVISION andDesign (NewLogo)|台湾|9类|1448820|2021.1.15|
|47|美国豪威|OMNIVISION|泰国|9类|Kor.284432|2026.12.25|

（6）专利
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司总计拥有专利权3,379项，具体情况详见本报告书附件二。
（7）集成电路布图设计
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司拥有的集成电路布图设计证书共计9项，具体情况如下：
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|序号|权利人|布图设计登记号|布图设计名称|登记证书号|申请日|布图设计颁证日|
|1|豪威科技（上海）|BS.12500252.1|OVC3860|第5800号|2012.2.1|2012.4.9|
|2|豪威科技（上海）|BS.12500253.X|OVC3660|第5801号|2012.2.1|2012.4.9|
|3|豪威科技（上海）|BS.13501011.X|OV490_MIPI_Rx|第8192号|2013.8.19|2013.9.26|
|4|豪威科技（上海）|BS.13501005.5|OV490_MIPI_TX|第8186号|2013.8.19|2013.9.26|
|5|豪威科技（上海）|BS.13501006.3|OV640_MIPI_Rx|第8187号|2013.8.19|2013.9.26|
|6|豪威科技（上海）|BS.13501007.1|OV660_MIPI_Rx|第8188号|2013.8.19|2013.9.26|
|7|豪威科技（上海）|BS.13501008.X|OV660_MIPI_Tx|第8189号|2013.8.19|2013.9.26|
|8|豪威科技（上海）|BS.13501009.8|OV640_MIPI_Tx|第8190号|2013.8.19|2013.9.26|
|9|豪威科技（上海）|BS.13501010.1|OV580_MIPI|第8191号|2013.8.19|2013.9.26|

注：根据《集成电路布图设计保护条例》第十二条规定，布图设计专有权的保护期为10年，自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算，以较前日期为准。但是，无论是否登记或者投入商业利用，布图设计自创作完成之日起15年后，不再受该条例保护。
2、主要负债及或有负债情况
（1）主要负债情况
截至2018年7月31日，北京豪威合并口径负债总额 453,508.64万元，其中
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）流动负债240,689.64万元，非流动负债212,819.00万元，具体如下表：
单位：万元
|||
|-|-|
|项目|2018.7.31|
|应付账款|94,147.68|
|预收款项|9,559.73|
|应付职工薪酬|11,166.34|
|应交税费|21,962.02|
|其他应付款|39,884.26|
|一年内到期的非流动负债|61,348.50|
|其他流动负债|2,621.11|
|流动负债合计|240,689.64|
|长期借款|129,324.99|
|预计负债|77,789.15|
|递延收益|547.15|
|递延所得税负债|4,733.23|
|其他非流动负债|424.48|
|非流动负债合计|212,819.00|
|负债合计|453,508.64|

（2）预计负债情况
截至 2018年 7月 31日，北京豪威预计负债余额为 77,789.15万元，具体构成如下：
单位：万元
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|-|-|
|项目|金额|
|不确定税项|77,789.15|
|亏损合同|2,621.11|
|减：计入其他流动负债的一年内到期的亏损合同拨备|2,621.11|
|余额|77,789.15|

①不确定税项
A.美国豪威在美国联邦和加州报税过程中向美国联邦政府和加州政府申领研发税务抵扣。在研发税务抵扣的计算中，美国豪威已按照合理的方法确定各个研发项目薪资及费用，但美国联邦和加州税务机构仍然可能会对美国豪威所采取的研发项目薪资及费用的确认方式提出质疑和调整，美国豪威已经对税务优惠申领可能产生的税务风险进行了最佳估计。
B.美国豪威的子公司豪威国际控股于2006年至2009年期间在注册地之外从
事经营活动，从事经营活动所在地的当地政府有可能会质疑该公司在当地的营
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）业活动已构成常驻机构，从而要求该公司向当地政府缴纳所得税，美国豪威已经对上述可能产生的税务风险进行了最佳估计。
C.美国豪威向豪威国际控股分摊了部分管理服务费用，美国豪威对关联企业之间业务往来是否符合独立交易原则进行审核评估，并向美国联邦政府和当地政府申报了所得税。但是美国联邦和当地的税务机构仍然可能会对美国豪威的转让定价提出质疑及调整。美国豪威已经对该方面可能产生的税务风险进行了最佳估计。
D.美国豪威向豪威国际控股转让了一部分无形资产的使用权。美国豪威对被转让的无形资产的使用权进行了价格评估。豪威国际控股根据市场价格向美国豪威支付特许权使用费。但是美国联邦税务机构仍然可能会对豪威国际控股是否向美国豪威支付了足够的特许权使用费提出质疑及调整。美国豪威已经对该方面可能产生的税务风险进行了最佳估计。
E.Seagull International Limited为美国豪威提供贷款。根据双方协议，贷款本金和部分应付利息将转为美国豪威的股东权益。因此美国豪威并没有对该部分应付利息代扣代缴预提所得税。但是美国联邦税务机构仍然可能会对美国豪威是否应代扣代缴该预提所得税提出质疑及调整。美国豪威已经对该方面可能产生的税务风险进行了最佳估计。
F.根据美国豪威重组整体计划，一旦获得新加坡政府批准，豪威国际控股即将其所控的子公司新加坡豪威转让给 OmniVision Technologies Development (Hong Kong) Company Limited（以下简称―OmniVisionHK‖）。从美国税法角度，美国联邦税务机构可能会认定新加坡豪威的转让已发生。由于新加坡豪威为非独立实体，转让新加坡豪威视同转让其所拥有的资产与负债。美国联邦税务机构可能会对新加坡豪威的资产分类与估值提出质疑，认定新加坡豪威拥有会计报表外的无形资产，如客户关系类无形资产和商誉，由于转让客户关系类无形资产会涉及受控外国企业规则 subpartF，相关资本利得需要缴税。美国豪威已经按照合理的方法确定重组事项的税务影响。美国联邦税务机构仍然可能会对转让新加坡豪威客户关系类无形资产的税务影响提出调整。美国豪威已经对税务重组可能产生的税务风险进行了最佳估计。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②亏损合同
美国豪威与部分晶圆代工厂签订了不可撤销的采购合同，因预计最终产品的可变现净值下降，导致履行该合同的预计成本超过预计收入而产生预计亏损。于2018年7月31日，美国豪威已就尚未履行完毕的采购合同，计提了相关存货跌价准备，并且按预计亏损超过已计提的存货跌价准备的部分，计入预计负债，对其中一年内到期的亏损合同拨备，计入其他流动负债。
（3）或有负债情况
①美国豪威与 IP Bridge的专利权诉讼之一
2016年4月22日，原告IPBridge在特拉华区地区法院提起专利侵权诉讼。
该案起诉状，标题为 Godo Kaisha IP Bridge 1诉美国豪威案（案号1：16-cv-00290-SLR），声称美国豪威制造、使用、要约出售、销售和/或进口到美国的图像传感器，侵犯了多项美国专利，包括美国 6,538,324号专利、6,794,677号专利、6,709,950号专利、7,126,174号专利、8,084,796号专利、8,106,431号专利、8,378,401号专利、7,279,727号专利、7,709,900号专利和 41,867号再颁专利。起诉状中请求法院判美国豪威支付或承担数额未详的损害赔偿、利息、费用、开支、成本，并寻求其他司法救济。美国豪威已对起诉状进行答辩。至 2018年 6月，IP Bridge已撤销 7,126,174号专利、7,279,727号专利、7,709,900号专利和 41,867号再颁专利的侵权诉讼。该诉讼目前处于调查取证阶段。法院暂定于2018年10月始对专利权利声明进行明细分析，再于2019年11月正式上庭开审。
北京豪威管理层认为上述控诉缺乏事实依据，并会坚决予以辩护。根据所聘请的律师出具的法律意见书和本案件的进展情况，现阶段北京豪威管理层认为不能根据该诉讼现状合理可靠地预测其结果可能造成的损失。于 2018年 7月31日，北京豪威并未对该诉讼计提预计负债。
②美国豪威与 IP Bridge的专利权诉讼之二
2016年10月20日，原告 IPBridge在特拉华区地区联邦法院提起第二次专利侵权诉讼。该案起诉状，标题为 Godo Kaisha IP Bridge 1诉美国豪威案（案号1：16-cv-00975-UNA），指控美国豪威制造、使用、兜售、销售和/或进口到美
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）国的图像传感器，侵犯了美国 7,164,113号专利。该案件获准转移至北加州地区联邦法院管辖，暂定于2020年5月正式上庭开审。
北京豪威管理层认为上述控诉缺乏事实依据，并会坚决予以辩护。根据所聘请的律师出具的法律意见书和本案件的进展情况，现阶段北京豪威管理层认为不能根据该诉讼现状合理可靠地预测其结果可能造成的损失。于 2018年 7月31日，北京豪威并未对该诉讼计提预计负债。
③美国豪威与 IPBridge在日本海关的行政争议程序
2017年7月31日，美国豪威接获原告IPBridge于日本海关提交的一项行政申请书，要求日本海关禁止美国豪威的OV8858产品进口日本。2017年12月19日，日本海关的知识产权专家顾问团一致认为，IP Bridge未能证明上述产品的专利侵权；2018年2月5日，日本海关正式采纳其意见，并通知 IP Bridge驳回其禁止进口申请的行政裁定。IPBridge亦未在2018年5月5日最后期限前对该日本海关的行政决定在法院提起诉讼。
2018年 10月 23日，IP Bridge于日本海关提交新一轮的行政申请书，继续以其日本 3,562,628号专利受侵犯为由，要求日本海关禁止美国豪威的 OV8858产品进口日本。该专利将于 2019年 6月 24日期满无效。美国豪威已于 2018年11月5日对该申请进行了申辩状，并会坚决予以辩护。
根据聘请的律师出具的法律意见书和本案件的进展情况，现阶段北京豪威管理层认为不能根据该诉讼现状合理可靠地预测其结果可能造成的损失。于2018年7月31日，本集团并未对该诉讼计提预计负债。
3、资产抵押、质押、担保情况
根据Seagull InvestmentHoldings、Seagull International与中国银行澳门分行及招商银行纽约分行于 2016年 1月 28日签署的《信贷及担保协议》（―《信贷及担保协议》‖）及其相关的附属协议以及 Seagull InvestmentHoldings、SeagullInternational及美国豪威与中国银行澳门分行及招商银行纽约分行于2017年2月 3日签署的《经修订及重述的信贷及担保协议》（―《经修订及重述的信贷及担保协议》‖）及其相关的附属协议，中国银行澳门分行及招商银行纽约分行向美国豪威提供6亿美元的银团贷款（―银团贷款‖），北京豪威及其下属子公司的下
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）述资产因为上述贷款提供担保存在权利受到限制的情况，具体情况如下：
（1）北京豪威
2017年3月3日，北京豪威签署《同意作为担保人协议》（Guarantor JoinderAgreement）向中国银行澳门分行（作为银团贷款的代理银行）承诺作为美国豪威的母公司担保人为银团贷款提供担保。同日，北京豪威与中国银行澳门分行分别签署了《保证协议》及《股权质押协议》。根据《保证协议》，北京豪威作为银团贷款的保证人，保证每一银团贷款下的担保人和借款人准时履行其各自承诺的担保及支付义务，并且在任一担保人或借款人不履行其到期的担保或支付义务时，北京豪威应在收到中国银行澳门分行的履行要求时，承担上述担保或支付义务。根据《股权质押协议》，北京豪威将其持有的 Seagull Investment Holdings100%的股权质押给中国银行澳门分行。2017年 3月 3日，Seagull Investment Holdings就其100%股权的质押情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记；2017年5月18日，北京豪威就上述担保向国家外汇管理局北京外汇管理部办理了内保外贷登记手续。
（2）Seagull Investment Holdings Limited
2016年1月28日，Seagull Investment Holdings与中国银行澳门分行分别签署了《担保协议（Debenture）》和《股权质押协议》。根据《担保协议》，Seagull Investment Holdings在其现有及未来所拥有的，尚未被设置抵押或未被转让的全部资产之上设置了浮动抵押，抵押权人为中国银行澳门分行。根据《股权质押协议》，Seagull Investment Holdings将其持有的 SeagullInternational100%股权质押给中国银行澳门分行。2016年1月28日，Seagull Investment Holdings就上述浮动抵押及SeagullInternational的股权质押情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记。
2017年2月3日，在签署《经修订及重述的信贷及担保协议》当日，Seagull Investment Holdings又与中国银行澳门分行分别签署关于浮动抵押及股权质押的《担保确认书（Deed ofConfirmation）》，确认上述浮动抵押和股权质押继续有效。
（3）Seagull International Limited
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2016年1月28日，SeagullInternational与中国银行澳门分行分别签署了《担保协议（Debenture）》及《股权质押协议》。根据《担保协议》，Seagull International在其现有及未来所拥有的，尚未被设置抵押或未被转让的全部资产之上设置了浮动抵押，抵押权人为中国银行澳门分行。根据《股权质押协议》，Seagull International将其持有的美国豪威100%的股权质押给中国银行澳门分行。同日，Seagull International就上述浮动抵押情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记，并就上述股权质押情况向华盛顿特区登记部门进行了 UCC融资申报（UCC FinancingStatement）。
2017年2月3日，在签署《经修订及重述的信贷及担保协议》当日，Seagull International又与中国银行澳门分行签署《担保确认书（Deed ofConfirmation）》，确认上述浮动抵押继续有效。同日，Seagull International向华盛顿特区登记部门进行了 UCC融资修正申报，确认对美国豪威股权的质押根据《经修订及重述的信贷及担保协议》继续有效。
（4）美国豪威
2016年1月28日，美国豪威作为《信贷及担保协议》的担保方，与中国银行澳门分行签署《质押及担保协议（Pledge and SecurityAgreement）》，约定以其大部分资产和所持有的股权为《信贷及担保协议》项下贷款提供担保。设置担保的资产和股权具体包括：账户、动产文书、合同（包括但不限于租赁协议和并购协议）、储蓄账户、文件、设备、添附物，一般无形资产，产品、工具（Instruments）、存货、对外投资资产、信用证权利、现金、应收账款、商业上侵权之债的债权、担保权利账户及其中的资产、现金债权、保险受益权及对孳息的债权、与担保权利物有关的账簿和记录，及任一及全部上述资产和股权的孳息、辅助义务和产出，及任何人就上述资产和股权给予美国豪威的担保物权和保证权利。2016年1月28日，美国豪威就上述担保向特拉华州登记部门进行了UCC融资申报。2017年2月3日，美国豪威作为借款人与Seagull InvestmentHoldings、Seagull Internationa与中国银行澳门分行及招商银行纽约分行签署《经修订及重述的信贷及担保协议》，并在协议中确认了以上述资产对银团贷款提供担保。
2016年1月28日，美国豪威与中国银行澳门分行签署《股权质押协议》，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）约定美国豪威将其持有的豪威国际控股100%的股权及美国豪威CDM100%的股权质押给中国银行澳门分行。2016年 1月 28日，美国豪威就美国豪威CDM100%的股权担保向特拉华州登记部门进行了 UCC融资申报。截至境外律师法律意见出具之日，美国豪威CDM100%的股权仍然处于质押状态。2016年1月 28日，豪威国际控股就豪威国际控股100%股权的质押向开曼群岛的登记主管部门进行了登记。2017年 2月 3日，美国豪威与中国银行澳门分行签署《担保确认、修订及部分解除美国豪威2016年1月28日设置在其持有的豪威国际控股的股权质押之协议》，解除美国豪威持有的豪威国际控股35%股权的质押，中国银行澳门分行对剩余65%的股权仍保有质押权。2017年 2月 3日，豪威国际控股就上述股权质押部分解除情况向开曼群岛的登记主管部门进行了登记。
2016年 4月 22日，美国豪威就其所拥有的附表一中所列不动产与 Fidelity Nation Title Company签署了《不动产信托、担保及添附物申报协议》，其中 Fidelity Nation TitleCompany为受托人，中国银行澳门分行为受益人。美国豪威为担保《信贷及担保协议》项下各项义务而授予受托人 Fidelity Nation Title Company为受益人中国银行澳门分行之利益而对上述不动产行使进入、占有和出售的权利（―信托权利‖）。2016年4月26日，美国豪威向加利福尼亚州圣克拉拉郡不动产登记部门备案了《不动产信托、担保及添附物申报协议》。2017年2月3日，美国豪威与Fidelity Nation TitleCompany签署就前述不动产信托签署《修订协议》，重新确认了 Fidelity Nation TitleCompany对前述不动产的信托权利。美国豪威于2017年3月24日向加利福尼亚州圣克拉拉郡不动产登记部门备案了《修订协议》。
2017年 2月 3日，美国豪威与中国银行澳门分行签署《存款质押合同》，同意将其在中国银行澳门分行于 2017年 2月 2日开立的特定账户及其中存款及其不时产生的所有利息以第一优先顺位担保的形式质押给中国银行澳门分行。
根据《经修订及重述的信贷及担保协议》，北京豪威、Seagull InvestmentHoldings、Seagull International及美国豪威抵押或质押的上述各项资产中，不包括下列资产（―非担保资产‖）：
①市场公允价值在 500万美元以下的任何享有永续所有权（fee-owned）的不动产及所有仅享有租赁权的不动产，但设置浮动抵押的情形不受此限制；
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②根据产权证书及信用证权利确认的价值 500万美元以下的资产及标的额在 500万美元以下的商业上侵权之债的债权，但设置浮动抵押的情形不受此限制；
③根据适用的法律、法规、规章或因与任何政府部门签署的合同项下的义务而禁止设置权利负担的，在全国范围的证券交易市场交易的股份（MarginStock）及其他质押权和担保权利；
④受限子公司（指香港豪威贸易、新加坡豪威、豪威国际控股及其他没有被美国豪威确认为非受限子公司的子公司）之外的全资子公司的组织文件或合资协议中禁止设置权利负担或设置权利负担将导致控制权变更或触发公司回购义务的股权；
⑤任何设置权利负担将导致违约、无效或将导致任何（贷款方之外的）其他主体行使解除权的租赁、许可或其他协议、或设有购买价金担保权利（purchase money securityinterest）或类似权利的资产；
⑥贷款代理人和美国豪威书面合理同意的设置担保权利或获得优先权保护的成本超过贷款方依据该等担保所获得的收益的资产；
⑦可适用的法律、法规或规章或任何在《信贷及担保协议》签署之日（或在子公司成立之日或取得该等资产之日，如果二者晚于《信贷及担保协议》签署之日）即已存在的合同义务禁止设置权利负担的子公司资产，或设置权利负担需要政府批准的子公司资产（全资子公司的股权除外），但已取得政府批准设置权利负担的资产除外；
⑧非美国子公司拥有的或位于美国领土之外的，根据担保及保证原则不得作为担保资产的任何资产；
⑨任何美国子公司的知识产权（包括任何在美国专利和商标局或美国版权局申请和注册的知识产权）；
⑩任何被排除的境外子公司（被排除的境外子公司是指美国豪威境外子公司、除持有境外子公司股权外不拥有任何重大资产的上述境外子公司的股东及美国豪威境外子公司直接或间接持有的子公司）发行的任一类普通股或债券中超过65%的部分，任何美国豪威境外子公司的任何资产，和除持有境外子公司股
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）权外不拥有任何重大资产的上述境外子公司的股东持有的美国豪威境外子公司的任何股权或债权权益。
下述内容不应包括在非担保资产中：A.为使资产成为非担保资产而设立的合约义务；B.以SeagullInternational和其关联方为全部合同主体的合约义务。每一借款方应当采取商业上的合理努力取得任何第三方同意、批准、许可或授权或第⑦项所述的政府批准。
4、是否存在诉讼、仲裁、司法强制执行等重大争议的情况的说明
截至本重组报告书签署日，北京豪威及其子公司存在6项尚未了结的诉讼和2项正在进行中的行政程序，具体如下：
（1）美国豪威、豪威科技（上海）与思特威的专利权诉讼
2018年 3月，美国豪威、豪威科技（上海）签署《民事起诉状》，诉称思特威制造和许诺销售的SC2235、SC2135、SC2035、SC2238型号CMOS图像传感器芯片落入涉案专利保护范围，侵害了美国豪威 ZL200510078777.0号专利的专利权，美国豪威、豪威科技（上海）遂将思特威诉至上海知识产权法院，要求：①判令思特威立即停止侵犯 ZL200510078777.0号专利的行为，包括立即停止制造、销售、许诺销售落入专利保护范围的产品；②判令思特威赔偿美国豪威、豪威科技（上海）人民币600万元。
2018年3月23日，上海知识产权法院出具《受理通知书》（（2018）沪73民初276号），受理上述诉讼。截至本重组报告书签署日，该案暂未开庭审理。
2018年 6月 1日，思特威向国家知识产权局申请宣告本项诉讼涉及的美国豪威 ZL200510078777.0号专利无效。2018年 6月 15日，国家知识产权局出具《无效宣告请求受理通知书》，受理了思特威上述请求。截至本重组报告书签署日，国家知识产权局尚未就思特威上述请求作出最终的审查决定。
（2）美国豪威与国家知识产权局专利复审委员会及思特威的发明专利权无效行政纠纷
2018年6月19日，专利复审委作出《无效宣告请求审查决定书》（第 36245号），就无效宣告请求人思特威提出的宣告美国豪威 ZL200680019122.9号发明
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）专利无效的申请，经审查后决定宣告美国豪威上述专利权全部无效。
2018年9月12日，美国豪威的代理人签署《行政起诉状》，将专利复审委作为被告，思特威作为第三人诉至北京知识产权法院，请求依法撤销专利复审委针对美国豪威 ZL200680019122.9号发明专利作出的上述《无效宣告请求审查决定书》，并请求专利复审委重新对涉案专利作出审查决定。
截至本重组报告书签署日，该案尚未正式受理。
（3）美国豪威与 Collabo Innovations,Inc.的专利权诉讼
2016年3月29日，Collabo Innovations, Inc.向美国特拉华地区地方法院提起专利侵权诉讼（案号为 No.1:16-cv-00197-SLR），诉称美国豪威制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的图像传感器侵犯了其在美国的一系列专利，包括7,411,180、8,592,880、7,944,493、7,728,895以及8,004,026号专利，请求赔偿损失、利息、费用、支出及其他救济，但并未明确具体金额。根据法院的权利要求解释令，7,944,493号专利被裁定无效，并被驳回，因此只留下其余 4项涉诉专利。
截至本重组报告书签署日，该案处于披露阶段，预计于 2019年 7月开庭审理。
（4）美国豪威与 IPBridge的专利权诉讼之一
2016年4月22日，IPBridge向美国特拉华地区地方法院提起专利侵权诉讼（案号为No.1:16-cv-00290-SLR），诉称美国豪威制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的图像传感器侵犯了其在美国的一系列专利，包括6,538,324、6,794,677、,709,950、7,126,174、8,084,796、8,106,431、8,378,401、7,279,727、 7,709,900以及 41,867号专利，请求赔偿损失、利息、费用、支出及其他救济，但并未明确具体金额。由于 IPBridge放弃了7,126,174、7,279,727、7,709,900以及41,867号专利，目前尚有6项涉诉专利。
截至本重组报告书签署日，该案处于证据收集阶段，预计于 2019年11月4日开庭审理。
（5）美国豪威与 IPBridge的专利权诉讼之二
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 2016年 10月 20日，IP Bridge向美国特拉华地区地方法院提起第二起专利侵权诉讼（案号为No.1:16-cv-00975-UNA），诉称美国豪威制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的图像传感器侵犯了其在美国的 7,164,113号专利，请求赔偿损失、利息、费用、支出及其他救济，但并未明确具体金额。
截至本重组报告书签署日，该案已移交至加利福尼亚北区法院，预计于 2020年5月开庭审理。
（6）美国豪威与 Zhang Lisheng的劳动诉讼
2018年 7月 13日，美国豪威的前员工 Lisheng Zhang向加利福尼亚州圣克拉拉郡高级法院提起诉讼，诉称美国豪威终止与其的劳动关系的行为存在年龄和对残疾人的歧视。2018年11月6日，该案起诉状送达美国豪威。该员工曾向美国平等就业机会委员会就上述就业歧视问题提出控诉，但该控诉因事实不清而被撤销。
（7）美国豪威专利在中国国家知识产权局的专利无效宣告程序
思特威就美国豪威拥有的 ZL 02143163.9号、ZL 200510119818.6号、ZL 200980114512.8号、ZL 201010550429.X号、ZL 201210432093.6号以及 ZL201210384611.1号6项专利向国家知识产权局提出无效宣告请求，国家知识产权局已受理其请求。截至本重组报告书签署日，国家知识产权局尚未作出最终的审查决定。
思特威、张燕就美国豪威拥有的ZL 200510078777.0号1项专利向国家知识产权局提出无效宣告请求，国家知识产权局已受理其请求。截至本重组报告书签署日，国家知识产权局尚未作出最终的审查决定。
（8）美国豪威与 IPBridge在日本海关的行政争议程序
2017年7月31日，美国豪威收到 IP Bridge向日本海关办公室提交的要求禁止美国豪威的OV8858号产品进口日本的申请，理由是该型号产品侵犯 IP Bridge在日本注册的 3,562,628号专利。美国豪威对该申请提出了抗辩，并在同时向日本专利主管部门申请宣告争议专利无效。2017年 12月 19日，日本海关办公室知识产权专家顾问出具一致意见，认定 IP Bridge提出的关于争议专利的侵权主张不成立。2018年 2月 5日，日本海关办公室正式采纳上述专家意见，并出具
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）通知否决了 IP Bridge禁止进口申请。IPBridge未就该通知提出申诉。但是，日本专利主管部门也驳回了美国豪威宣告争议专利无效的申请。
2018年 10月 23日，IP Bridge再次以美国豪威的 OV8858号产品侵犯争议专利为由申请禁止 OV8858号产品进口日本。该争议专利失效日期为 2019年 6月 24日。美国豪威已于 2018年 11月 5日提交了初始抗辩，并计划采取包括申请宣告争议专利无效和提出―一事不再理‖抗辩事由等方式继续积极申辩。
5、是否因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，是否受到行政处罚或者刑事处罚
截至本报告书签署日，北京豪威及其下属企业不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，不存在受到行政处罚或者刑事处罚的情形。
（七）行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策
1、行业主管部门和监管体制
集成电路的行业主管部门是工信部。工信部负责制定行业产业政策、产业规划，组织制定行业技术政策、技术体制和技术标准，并对行业发展方向进行宏观调控。
中国半导体行业协会是中国集成电路行业自律管理机构，主要负责产业及市场研究，对会员企业提供行业引导、咨询服务、行业自律管理以及代表会员企业向政府部门提出发展建议和意见等。
工信部和中国半导体行业协会构成了集成电路行业的管理体系，各集成电路企业在主管部门的产业宏观调控和行业协会自律规范约束下，面向市场自主经营，自主承担市场风险。
2、行业主要法律法规和政策
集成电路行业作为关系国家经济发展和国防安全的支柱行业，国家给予了高度重视和大力支持。2010年以来中国集成电路行业主要政策措施如下表所示：
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|时间|部门|法律法规与政策|相关内容|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|2010.10|国务院|《关于加快培育和发展战略新兴产业的决定》|着力发展集成电路、新型显示、高端软件、高端服务器等核心基础产业。|
|2011.1|国务院|《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》|软件产业和集成电路产业是国家战略性新兴产业，是国民经济和社会信息化的重要基础，分别从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场政策七个方面鼓励软件和集成电路发展，并明确提出将继续实施软件增值税优惠政策。|
|2012.4|财政部、国家税务总局|《关于进一步鼓励软件企业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》|颁布了一系列集成电路企业所得税优惠赠策。|
|2013.2|国家发改委|《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》|将集成电路测试装备列入战略性新兴产业重点产品目录。|
|2014.6|国务院|《国家集成电路产业发展推进纲要》|设立国家产业投资基金。主要吸引大型企业、金融机构以及社会资金，重点支持集成电路等产业发展，促进工业转型升级。基金实行市场化运作，重点支持集成电路制造领域，兼顾设计、封装测试、装备、材料环节，推动企业提升产能水平和实行兼并重组，规范企业治理，形成良性自我发展能力。支持设立地方性集成电路产业投资基金。鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域。|
|2016.5|财政部、国家税务总局、发改委、工信部|《关于软件和集成电路产业企业所得税优惠政策有关问题的通知》|为做好《财政部、国家税务总局关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》（财税〔2012〕27号）规定的企业所得税优惠政策落实工作，界定了软件企业与集成电路产业发展企业认定标准。|
|2016.5|国务院|《国家创新驱动发展战略纲要》|加大集成电路等自主软硬件产品和网络安全技术攻关和推广力度；攻克集成电路装备等方面的关键核心技术。|
|2016.7|国务院|《国家信息化发展战略纲要》|购进先进技术体系。打造国际先进、安全可控的核心技术体系、带动集成电路、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。|
|2016.7|国务院|《―十三五‖国家科技创新规划》|支持面向集成电路等优势产业领域建设若干科技创新平台，推动我国信息光电子器件技术和集成电路设计达到国际先进水平。|
|2016.11|国务院|《―十三五‖国家战略新兴产业发展规划》|启动集成电路重大生产力布局规划工程，实施一批带动作用强的项目，推动产业能力实现快速跃升。|

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|2016.12|国务院|《―十三五‖国家信息化规划》|大力推进集成电路创新突破。加大面向新型计算、5G、智能制造、工业互联网、物联网的芯片研发部署。|
|2016.12|发改委、工信部|《信息产业发展指南》|着力提升集成电路设计水平；建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系；重点发展 12 英寸集成电路成套生产线设备。|
|2017.4|科技部|《国家高新技术产业开发区―十三五‖发展规划》|优化产业结构，推进集成电路及专用装备关键核心技术突破和应用。|

（八）北京豪威主营业务情况
1、主营业务
北京豪威的主要经营实体为其下属公司美国豪威及下属企业。美国豪威于 1995年 5月 8日在美国注册成立，与日本索尼、韩国三星并称为全球领先的三大主要图像传感器供应商，主要产品包括 CMOS图像传感器（CMOS imagesensor）、特定用途集成电路产品（ASIC）、微型影像模组封装技术（CameraCubeChip）和硅基液晶投影显示芯片（LCOS），并广泛应用于消费电子和工业应用领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络摄像头、安全监控设备、数码相机、汽车和医疗成像等。2018年2月，美国豪威OS05A20图像传感器及其―Nyxel™‖技术因在低光/无光环境下的优异辨识效果，获得 2018年度―3DInCites‖年度最佳器件奖。
美国豪威主要产品应用领域如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）美国豪威产品的应用领域主要涉及智能手机、车载摄像头、医疗摄像头、监控设备、无人机、VR/AR摄像头等方面。
（1）智能手机领域
近年来，随着智能手机摄像头成像质量和拍摄功能的进一步增强，智能手机正逐步取代普通数码相机成为消费者日常影像记录的首选。在这种情况下，数字成像解决方案的优劣已成为各品牌智能手机的主要性能指标和核心竞争力；手机摄像头数量也从最初的单一背式摄像头，演变为前后三摄像头。未来几年，智能手机行业对 CMOS图像传感器的需求仍将保持较为稳健的增长。
（2）车载摄像头
车载摄像头目前基本在中高端车型上成为标配，主要应用于倒车影像系统
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）中。未来随着高级驾驶辅助系统（ADAS）的需要，智能汽车如果需要实现自动紧急刹车（AEB）、自适应巡航（ACC）、疲劳监测、车道偏离辅助、360度环视等功能，则需要在车辆上配置6-8个摄像头。
ADAS（Advanced Driver AssistanceSystems，高级驾驶辅助系统）是利用安装在车上的各式各样传感器，在汽车行驶过程中随时来感应周围的环境，收集数据，进行静态、动态物体的辨识、侦测与追踪，并结合导航仪地图数据，进行系统的运算与分析，从而预先让驾驶者察觉到可能发生的危险，有效增加汽车驾驶的舒适性和安全性。
鉴于 ADAS在保证行车安全、防止交通事故上起到突出的作用，汽车厂商越来越多的引入 ADAS功能；消费者在购车时也越来越多的考虑车辆是否具备 ADAS功能。与此同时，各国政府也意识到了 ADAS系统的对减少道路事故、提高车辆安全性的重要，不断将其纳入法律法规或相关标准。
欧盟新车安全评鉴协会（E-NCAP）从2013年起便在评分规则中增加了更多 ADAS内容，计划在未来几年内速度辅助系统（SAS）、自动紧急制动（AEB）、车道偏离预警/车道偏离辅助（LDW/LKD）的加分要求为系统装机量达到100%。
美国国家公路交通安全管理局（NHTSA）和高速公路安全保险协会（IIHS）也提出2022年将自动紧急制动（AEB）等ADAS功能纳入技术标准。
国内关于ADAS的政策要求也开始加速，2017年强制实施的GB7258《机动车运行安全技术条件》要求车长大于 11m的客车应装备车道偏离报警系统（LDW）以及前车碰撞预警系统（FCW），2018版中国新车评价规程（C-NCAP）中主动安全的评分权重占到了15%，并增加了关于自动紧急制动系统（AEB）与车身稳定系统（ESC）的评分项目。
ADAS视觉系统使用摄像头采集图像信息，通过算法分析出图像中的道路环境。因此，摄像头及其 CMOS图像传感器是 ADAS的核心组成部分。随着 ADAS系统汽车搭载率的上市，车载摄像头领域未来将成为 CMOS图像传感器主要市场之一。
（3）医疗摄像头
医疗摄像头主要应用于内窥镜领域。内窥镜是一种可经人体天然孔道或者
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）手术小切口进入人体，使病变部位情况得以用肉眼观察到，从而帮助医生诊断和治疗疾病的一种医疗设备。按照用途，内窥镜可分为诊断内窥镜和治疗内窥镜。诊断功能主要是临床医生通过内窥镜获得实时动态的内部图像，并且通过合适的器械取得组织进行体外检测；而治疗功能则需要配备专业的微创手术器具，进行特定的手术治疗。随着技术的发展，内窥镜的使用范围逐渐扩大，与治疗更加紧密结合，在临床诊疗中的使用频率越来越高。根据 Rearch and Markets的预测，未来十年内全球内窥镜市场将以6.9%的年复合增长率持续增长，到2025年预计将达到476亿美元的市场规模。
（4）监控设备
由于物联网（IoT）的出现，监控摄像机不再局限于机场，火车站，银行和办公楼等企业应用。根据市场调研机构Strategy Analytics发布的《智能家居监控摄像机市场分析与预测》，低于200美元价格点的配备全套软件和服务功能的摄像机将推动智能家居监控摄像机市场的增长。该报告预测，到 2023年，全球市场消费者在智能家居监控摄像机上支出将超过 97亿美元。CMOS图像传感器作为监控摄像头的核心组件，将受益于多元化消费级监控设备的普及，以及智能家居监控摄像机市场规模的增长。
（5）无人机、VR/AR摄像头
虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、无人机领域是由教育、娱乐、游戏行业所推动的CMOS图像传感器新兴市场。HTCVive、Oculus Rift和 PS VR等产品推动了消费级VR设备的普及；HoloLens、VuzixBlade以及EpsonMoverio等 AR设备的接连推出，预示着 AR设备市场将进入消费级应用阶段。此类新兴领域将是CMOS图像传感器未来发展的着眼点和增长点。
2、主要产品及用途
美国豪威自成立日起，一直主要从事图像传感器的设计、生产和销售，主要产品包括主要产品包括 CMOS图像传感器（CMOS imagesensor）、特定用途集成电路产品（ASIC）、微型影像模组封装（CameraCubeChip）和硅基液晶投影显示芯片（LCOS）。
（1）CMOS图像传感器产品
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）美国豪威生产的 CMOS图像传感器处于行业内领先水平，是其先进图像系统解决方案的核心电子元器件，产品型号覆盖100万像素以下至1,300万像素以上各种规格，形成了较为完善的产品体系。针对不同应用领域的各类应用设备，美国豪威可根据不同设备的尺寸大小、光敏度、封装类型以及芯片内嵌式图像信号处理等方面的区别，提供特色化的产品解决方案。
美国豪威的CMOS图像传感器主要产品如下：
①高于1,300万像素
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|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸Pixel Size|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域Applicationarea|
|OV16860|4608×3456|1/2.39"|1.31 µm|45 fps|COB RW|手机|
|OV16880|4672×3504|1/3.06"|1.0 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV16885|4672×3504|1/3.06"|1.0 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV16885-4C|4672×3504|1/3.06"|1.0 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV16B10|4672×3504|1/2.76"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV20880|5184×3888|1/2.76"|1.01 µm|30 fps|COB|手机|
|OV20880-4C|5184×3888|1/2.76"|1.01 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV24A10|5664×4248|1/2.83"|0.9 µm|30 fps|COB|手机|
|OV24A1B|5664×4248|1/2.83"|0.9 µm|30 fps|COB|手机|
|OV24A1Q|5664×4248|1/2.83"|0.9 µm|30 fps|COB|手机|

②800万像素至1,300万像素
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|-|-|-|-|-|-|-|
|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域ApplicationArea|
|OS08A10|3840×2160|1/2"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OS08A20|3840×2160|1/2"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV10823|4320×2432|1/2.6"|1.4 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV12890|4096×3072|1/2.3"|1.55 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV12895|4096×3072|1/2.3"|1.55 µm|30 fps|COBRW/GLGA|安防|
|OV12A10|4112×3088|1/2.8"|1.25 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV13855|4256×3168|1/3.06"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV13A10|4224×3136|1/3.4"|1.01 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV13A1Q|4224×3136|1/3.4"|1.01 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV8856|3264×2448|1/4"|1.12 µm|30 fps|COB|手机|
|OV8858|3264×2448|1/4"|1.12 µm|30 fps|COB|手机|
|OV8865|3264×2448|1/3.2"|1.4 µm|30 fps|COB RW|手机|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）③200万像素至500万像素
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|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸Pixel Size|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域ApplicationArea|
|OS02A1Q|1080p|1/2"|4.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OS05A10|5MP|1/2.7"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OS05A20|5MP|1/2.7"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2281|1080p|1/7.5"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV2311|2MP|1/2.9"|3.0 µm|60 fps|a-CSP™|汽车|
|OV2680|2MP|1/5"|1.75 µm|30 fps|CSP|手机|
|OV2685|2MP|1/5"|1.75 µm|30 fps|CSP|手机|
|OV2686|2MP|1/5"|1.75 µm|15 fps|CSP|手机|
|OV2710-1E|1080p|1/2.7"|3.0 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2715-1E|1080p|1/2.7"|3.0 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2718|1080p|1/2.9"|2.8 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2732|1080p|1/4"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2735|1080p|1/2.7"|3.0 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2736|1080p|1/4"|2.0 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2740|1080p|1/6"|1.4 µm|60 fps|CSP|安防|
|OV2744|1080p|1/6"|1.4 µm|60 fps|COB|安防|
|OV2770|1080p|1/2.9"|2.8 µm|30 fps|CSP|安防|
|OV2775|1080p|1/2.9"|2.8 µm|30 fps|a-CSP™|汽车|
|OV4682|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|COB|安防|
|OV4685|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|安防|
|OV4686|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|安防|
|OV4688|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|手机|
|OV4689|4MP|1/3"|2.0 µm|90 fps|CSP|安防|
|OV5645|5MP|1/4"|1.4 µm|15 fps|CSP COBRW|手机|
|OV5648|5MP|1/4"|1.4 µm|15 fps|COB CSP|手机|
|OV5658|5MP|1/3.2"|1.75 µm|30 fps|COB CSP|手机|
|OV5675|5MP|1/5"|1.12 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV5680|5MP|1/3.2"|1.75 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OV5695|5MP|1/4"|1.4 µm|30 fps|COB RW|手机|
|OX02A10|1.7MP|1/2.09"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™|汽车|
|OX03A10|2.46MP|1/2.44"|3.2 µm|50 fps|a-CSP™a-BGA™|汽车|

④100万像素及以下
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率Frame Rate|封装格式Package|||应用领域ApplicationArea|
|OV01A10|1MP|1/11"|1.116µm|60 fps|COB|||笔记本|
|OV01A1B|1MP|1/11"|1.116µm|60 fps|COB|||笔记本|
|OV01A1S|1MP|1/11"|1.116µm|60 fps|COB|||笔记本|
|OV10625|WVGA|WVGA:1/3.2"、VGA:1/3.7"|6.0 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV10626|WVGANTSC|WVGA:1/3.2"VGA andNTSC:1/3.7"|6.0 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV10633|720P|1/3"|4.2 µm|30 fps|CLGA|||汽车|
|OV10635|720P|1/2.7"|4.2 µm|30 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV10640|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV10642|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV10650|1.7MP|1/2.09"|4.2 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV6211|400 x 400|1/10.5"|3.0 µm|120 fps|CSP|||AR/VR|
|OV6922|320 x 240|1/18"|2.5 µm|60 fps|CSP|||医疗|
|OV6930|400 x 400|1/10.6"|3.0 µm|30 fps|CSP|||医疗|
|OV6946|400 x 400|1/18"|1.75 µm|30 fps|CSP|||医疗|
|OV6948|200 x 200|1/36"|1.75 µm|30 fps|CSP|||医疗|
|OV7221|VGA|1/4"|6.0 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV7251|VGA|1/7.5"|3.0 µm|120 fps|CSP COB|||AR/VR|
|OV7261|VGA|1/7.5"|3.0 µm|100 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV7676|VGA|1/7.5"|3.0 µm|30 fps|CSP|||手机|
|OV7695|VGA|1/13"|1.75 µm|30 fps|CSP|||手机|
|OV7725|VGA|1/4"|6.0 µm|60 fps||CSP|COB|安防|
|OV7735|VGA|1/7.5"|3.0 µm|60 fps|CSP COB|||安防|
|OV7740|VGA|1/5"|4.2 µm|30 fps|CSP|||安防|
|OV7850|WVGA|WVGA:1/3.2"VGA andNTSC:1/3.7"|6.0 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV7955|NTSC|1/3.6"|6.0 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV7960|NTSC|1/3.6"|6.0 µm|60 fps|CSP|||安防|
||PAL|1/3"|6.0 µm|50 fps|CSP|||安防|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率Frame Rate|封装格式Package|||应用领域ApplicationArea|
|OV7962|VGA|VGA:1/4"752x480:1/3.2"|6.0 µm|30 fps|CSP|||安防|
||PALNTSCVGA|PAL:1/3"NTSC:1/3.6"752x480:1/3.2"|6.0 µm|50fps/30fps/60fps|a-CSP™|||汽车|
|OV9281|1MP|1/4"|3.0 µm|120 fps|CSP|||AR/VR|
|OV9282|1MP|1/4"|3.0 µm|120 fps|||RW|AR/VR|
|OV9623|1MP|1/2.7"|4.2 µm|30 fps|CSP|||安防|
|OV9674|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|30 fps|CSP|||安防|
|OV9712-1D|720P|1/4"|3.0 µm|30 fps|CSP COB|||安防/笔记本|
|OV9714|720P|1/4"|3.0 µm|60fps|||CSP|笔记本|
|OV9715|720P|1/4"|3.0 µm|30 fps|CSP|||安防|
|OV9716|1.4MP|1/3.8"|2.8 µm|60 fps|a-CSP™|||汽车|
|OV9718|720p|1/4"|3.0 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9724|720P|1/9"|1.4 µm|30 fps|CSP COB|||笔记本|
|OV9728|720P|1/6.5"|1.75 µm|30 fps|||CSP|笔记本|
|OV9732|720p|1/4"|3.0 µm|30 fps|||CSP|安防|
|OV9733|720p|1/4"|3.0 µm|30 fps|CSP|||安防|
|OV9734|720p|1/9"|1.4 µm|30 fps|CSP|||笔记本|
|OV9738|720p|1/9"|1.4 µm|30 fps|COB|||笔记本|
|OV9740|720P|1/6.9"|1.75 µm|30 fps|CSP COB|||笔记本|
|OV9750|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|||CSP|安防|
|OV9752|1MP|1/3"|3.75 µm|60 fps|||CSP|安防|
|OV9755|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9756|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9756|720p|1/3"|3.75 µm|60 fps|CSP|||安防|
|OV9760|960p|1/5"|1.75 µm|30 fps|COB|||笔记本|
|OV9762|1.3MP|1/5.7"|1.87 µm|30 fps|||COB|笔记本|
|OV9770|720P|1/6.5"|1.75 µm|30 fps|||COB|笔记本|
|OX01A10|1.3MP|1/2.56"|4.2 µm|60 fps||a-CSP™||汽车|
|OX01B40|1392 x 976|1/4‖|2.8 µm|NTSC: 60fps,MIPI 30 fps|SiP|||汽车|

（2）微型影像模组封装（CameraCubeChip）
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）美国豪威的CameraCubeChip™产品是一种采用先进的芯片级封装技术整合集成晶圆级光学器件和 CMOS图像传感器创新的解决方案。美国豪威专有的堆叠技术可以通过一个步骤完成晶圆级光学与硅片的结合。CameraCubeChip可以提供图像传感、处理和单芯片输出的全部功能。以美国豪威 OVM6946和 OVM6948产品为例：两个产品的 CMOS图像传感器仅为0.9mm×0.9mm和0.5mm×0.5mm大小，而通过CameraCubeChip™技术生产的摄像头大小仅为1mm×1mm和0.6mm×0.6mm。
OVM6948摄像头在仅有0.6mm×0.6mm×1.1mm大小的同时，还可提供 1000mV/lux-sec的低光敏感度，是目前医疗内窥镜领域技术最先进的摄像头之一。
美国豪威主要CameraCubeChip产品如下：
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|型号Part ID|分辨率Resolution|镜头尺寸（英寸）Optical|像素尺寸PixelSize|帧速率FrameRate|封装格式Package|应用领域Applicationarea|
|OVM9724|720p|1/9"|1.4 µm|30 fps|Black Coating|医疗|
|OVM7251|QVGA/VGA|1/7.5"|3.0 µm|120 /80fps|Black Coating|AR/VR眼球追踪|
|OVM7690|QVGA/VGA|1/13"|1.75 µm|60/30fps|BlackCoating/MetalCan|手机/医疗|
|OVM7692|VGA|1/13"|1.75 µm|30 fps|BlackCoating/MetalCan|手机/物联网|
|OVM7695|VGA|1/13"|1.75 µm|30 fps|BlackCoating/MetalCan|手机/物联网|
|OVM9724|720P|1/9"|1.4 µm|30 fps|Black Coating|物联网|
|OVM6211|400 x 400|1/10.5"|3.0 µm|120 fps|Black Coating|AR/VR眼球追踪|
|OVM6946|400 x 400|1/18"|1.75 µm|30 fps|Black Coating|医疗|
|OVM6948|200x200|1/36"|1.75μm|30 fps|CSP|医疗|

（3）硅基液晶投影显示（LCOS）芯片
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）LCOS（Liquid Crystal onSilicon），即液晶附硅，也叫硅基液晶，是一种基于反射模式，尺寸非常小的矩阵液晶显示装置。此投影技术采用涂有液晶硅的 CMOS集成电路芯片作为反射式 LCD的基片，用先进工艺磨平后镀上铝当作反射镜，形成CMOS基板，然后将 CMOS基板与含有透明电极之上的玻璃基板相贴合，再注入液晶封装而成。LCOS将控制电路放置于显示装置的后面，可以提高透光率，从而达到更大的光输出和更高的分辨率。
美国豪威的硅基液晶（LCOS）芯片组为微型投影系统提供了一个高解析度（HD）、外形紧凑、低功耗和低成本的微型显示器解决方案。凭借可提供先进图像处理和主机附加功能的同伴芯片支持，该单板 LCOS芯片可提供 720p的高清视频。与此同时，该同伴芯片简化了系统设计，节省了空间并有效降低了能耗，且采用全数字技术制作出清晰、稳定的图像。上述特征使得该 LCOS芯片为下一代投影系统提供了一个极具吸引力的解决方案，能广泛应用于可穿戴电子设备、移动显示器，微型投影、汽车和医疗机械等领域。
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|产品名称|OP02220|OVP2200|
|分辨率 Resolution|1080p|720p|
|活动区域 Active Area|0.39"|0.26"|
|帧频 Frame Rate|60/120 fps|60 fps|
|像素大小 Pixel Size|4.5 µm|4.5 µm|
|色场频 Color Field Rate|360 Hz|300 Hz|
|面板尺寸Panel Dimensions|23.4 x 9.0 x 3.33 mm|17.5 x 6.6 x 3.2 mm|
|功耗Power Consumption|300 mW|200 mW|
|产品简介 Product Introduction|体积小、像素高、高集成|亮度高、低功耗、高集成|
|应用领域 Application Area|AR/VR，微投影|AR/VR，微投影|

（4）特定用途集成电路产品（ASIC）
ASIC设备主要用于支持美国豪威公司CMOS图像传感器，在摄像头和主机之间起到桥梁功能的作用，提供USB、并行、串行接口解决方案以及压缩引擎和低功耗图像信号处理给等功能。
①汽车同伴芯片（Automotive CompanionChip）
美国豪威生产的汽车同伴芯片配合高性能的图像传感器，支持高动态范围、
多路环视影像处理，同时支持鱼眼矫正、画中画、图像叠加等高级图像功能的实
现，提供完美的汽车影像解决方案。目前，汽车同伴芯片主要包括以下产品：
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|型号Part ID|传感器分辨率Sensor Resolution|最高帧速率Highest Frame Rate|输出格式Output Format|封装Package|
|OV480|最高至1MP|30 fps|YUVBT656/601|BGA|
|OV490|最高至1.4MP|60 fps|BT656/601YUVRAWRGB|BGA|
|OV491|最高至2MP|60 fps|BT656/601/1120YUVRAWRGB|BGA|
|OV493|最高至1.4MP|60 fps|RAWBT656/601/1120YUVRGB|BGA|
|OV495|最高至2.0MP|45 fps|RAWBT656/601/1120YUVRGB|BGA|

②传感器桥（SensorBridge）
美国豪威的传感器桥产品可在医疗设备和 AR/VR产品中进行多路摄像头的拓展，并且支持多幅图像的拼接处理，目前世面同类竞争产品较少。
③物联网处理器（IoTprocessor）
IOT芯片主要用于跟美国豪威生产的其他类别芯片搭配，起到通过 WIFI来传输影像的功能，并具有超低功耗和快速开机等特点，目前主要应用于监控和智慧门铃领域。
3、主营业务整体流程
美国豪威主要采用 Fabless模式，专注于 CMOS图像传感器的研发、设计和销售。业务流程主要包括：将研发成果即集成电路产品布图交付给专业的晶圆代工厂进行晶圆生产、将晶圆厂生产的晶圆产品交由其他代工厂进行晶圆加色、而后由封装厂进行芯片封装，手机用 CMOS图像传感器由封装厂代为测试，其他应用领域的 CMOS图像传感器由北京豪威下属公司负责测试，测试合格的产品统一向客户发货，其业务流程示意图如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）4、主营业务经营模式
（1）采购模式
美国豪威所采购的原材料主要分为五类，分别为：晶圆、直接物料（玻璃、液晶、各种胶等）、间接物料（盘、保护膜等）、支持性物料（厂务办公用品、电脑、耗材等）以及生产设备，采购模式主要有以下两种方式。
晶圆采购：美国豪威结合自身对市场的判断和客户的需求拟定采购计划，向晶圆厂下订单，并将集成电路产品布图发于晶圆制造厂商，晶圆制造企业接到订单后排期并安排生产。
其他类别采购：由采购部门负责，根据拟定的采购计划，向合作供应商下订单购买相关产品。
（2）生产模式
美国豪威的生产经营模式为 Fabless模式，即主要进行产品的设计工作，将晶圆生产、晶圆加色、晶圆重组、芯片封装业务委托给代工厂完成，最后由美国豪威下属公司负责进行芯片的测试。美国豪威成立时间较长，且在 CMOS图像传感器领域具有较高的市场份额和品牌知名度，因此与主要晶圆厂、封测厂均建立了长期稳定的合作关系，为产品稳定供货提供了较为坚实的保障。
美国豪威主要产品 CMOS图像传感器的生产/供应链模式如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）销售模式
美国豪威的主要产品为 CMOS图像传感器，该产品主要应用市场包括手机市场、安防市场、汽车市场以及电脑、娱乐等其他市场。目前，美国豪威的销售模式以直销为主、代销为辅。美国豪威根据产品成本、同种产品市场价格、客户认可程度、客户采购数量等因素采取较为灵活的市场化定价方式。通常来说，新型号产品定价相对较高，随着竞争对手逐步推出同类型产品，美国豪威会根据竞争对手产品价格情况随行就市，紧跟市场变化调整售价。
①直接销售
报告期内，美国豪威采用直销模式的客户主要为下游主要摄像头模组厂商及其下属企业，直销模式可提高美国豪威产品和技术服务效率，增强美国豪威对终端用户需求的响应速度，通过模组厂商的反馈信息及时对公司产品线进行调整。
②间接代销
报告期内，除直接销售以外，美国豪威产品还通过知名跨国大型电子元器件经销商进行代销。通过代销模式，美国豪威可有效降低大量中小规模终端客户对销售管理的人力资源和成本压力，消除了小微客户的应收账款回收风险。同时，经销商的客户资源和营销网络为美国豪威开拓新客户提供了便利，增强了美国豪威产品在利基市场的覆盖率，减少了美国豪威的客户开发成本。
（4）盈利模式
美国豪威主要采用Fabless模式，专注于CMOS图像传感器的研发、设计和销售，利润主要来自于 CMOS图像传感器芯片产品的销售。美国豪威根据市场
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）供需情况、市场竞品价格水平、客户订单数量、产品生产成本、企业运营相关费用及合理利润空间确定产品市场价格，通过向模组厂或经销商销售实物产品获得售后利润。
（5）结算模式
①采购结算模式：
美国豪威对供应商的付款的账期通常控制在发货后 45天左右，主要采取银行电汇的方式进行结算。
②销售结算模式：
在直销模式下，公司同模组厂商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结30天-60天左右；在代销模式下，公司同经销商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结30天。
5、报告期内业务经营情况
（1）主营业务收入分类
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|直销|312,808.72|62.51|508,317.70|56.27|461,672.61|58.11|
|代销|187,582.59|37.49|395,039.70|43.73|332,769.72|41.89|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

（2）主营业务收入构成
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|手机|303,165.42|60.59|566,515.91|62.71|525,249.23|66.12|
|安防|77,368.51|15.46|154,622.29|17.12|100,935.29|12.71|
|汽车|66,099.75|13.21|96,553.45|10.69|84,681.81|10.66|
|电脑|29,285.66|5.85|38,502.54|4.26|28,985.38|3.65|
|娱乐|14,881.20|2.97|31,926.54|3.53|46,131.34|5.81|
|其他|9,590.76|1.92|15,236.67|1.69|8,459.30|1.07|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）主要产品的客户及销售价格的变动情况
北京豪威的客户根据直接销售与间接销售模式的不同，主要分为模组厂和代理经销商两种类型，不同的销售模式与销售渠道在销售价格上会存在一定差异。整体平均来看，北京豪威报告期内主要产品的出厂销售单价区间如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|主要产品类别|主要客户群体|销售单价区间（元/颗）|||
|||2018年1-7月|2017年|2016年|
|CMOS 图像传感器产品|模组厂、经销商|0.64-186.92|0.34-197.27|0.79-223.41|
|特定用途集成电路产品（ASIC）|模组厂、经销商|7.47-118.12|6.97-146.37|7.98-93.31|
|硅基液晶投影显示芯片 （LCOS）|模组厂、经销商|162.08-217.44|159.90-276.47|117.99-244.84|
|微型影像模组封装（CameraCubeChip）|模组厂、经销商|8.94-177.22|9.93-193.83|4.23-29.58|

北京豪威大部分的营收来源于CMOS图像传感器的销售。就CMOS图像传感器而言，在通常情况下：光学格式越大，传感器的尺寸则越大；传感器尺寸越大，售价越高。但另一方面，为拓展新的市场与应用（例如汽车与医疗的应用领域），北京豪威亦会在传感器中构建额外的功能，这类产品销售价格比一般的传感器高。因此，北京豪威主要产品销售单价区间波动加大。
（4）报告期内主要产品的产销情况
①报告期内主要产品的产量和销量
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||产量（万颗）|销量（万颗）|产量（万颗）|销量（万颗）|产量（万颗）|销量（万颗）|
|CMOS图像传感器产品|47,599.26|47,904.21|71,419.32|83,706.34|93,686.51|89,053.25|
|特定用途集成电路产品（ASIC）|1,069.57|883.50|1,274.20|1,326.00|1,244.95|808.45|
|硅基液晶投影显示芯片 （LCOS）|30.50|8.91|3.97|2.99|0.25|3.72|
|微型影像模组封装（CameraCubeChip）|252.22|78.66|159.34|91.80|15.09|51.09|
|合计|48,951.55|48,875.28|72,856.84|85,127.12|94,946.80|89,916.52|

②报告期内主要产品期初及期末库存
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||期初（万颗）|期末（万颗）|期初（万颗）|期末（万颗）|期初（万颗）|期末（万颗）|
|CMOS图像传感器|36,560.99|36,256.04|48,848.01|36,560.99|44,214.75|48,848.01|

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||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|产品|||||||
|特定用途集成电路产品（ASIC）|1,100.59|1,286.66|1,152.39|1,100.59|715.90|1,152.39|
|硅基液晶投影显示芯片 （LCOS）|20.30|41.89|19.32|20.30|22.79|19.32|
|微型影像模组封装（CameraCubeChip）|687.14|860.71|619.60|687.14|655.61|619.60|
|合计|38,369.03|38,445.30|50,639.32|38,369.03|45,609.04|50,639.32|

北京豪威的主要经营实体为下属公司美国豪威，而美国豪威于 2016年 1月28日完成私有化并入北京豪威。因此，在合并报表层面，北京豪威2016年存货期初数为2016年1月31日数据。
（5）报告期内主要客户销售情况
报告期内，北京豪威产品分领域主要终端用户情况如下：
|||
|-|-|
|细分应用市场|主要终端用户名称|
|手机|华为、小米、OPPO、VIVO、HTC、华硕、Motorola、LG、松下、Micro-Max（印度），Reliance（印度）|
|安防|海康、大华等|
|汽车|奔驰、宝马、大众、特斯拉、长城、比亚迪、长安、Toyota、Honda、吉利等|
|娱乐、电脑及其他|Sony、惠普、三菱、JVC、Ambu、Verathon、Ankon等|

最近两年及一期，北京豪威前五大客户销售情况如下：
①2018年1-7月
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||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售总额比例（%）|是否为关联方|
|1|A1|123,980.52|24.78|否|
|2|B1|88,929.66|17.77|否|
|3|C1|66,822.70|13.35|否|
|4|D1|30,829.61|6.16|否|
|5|E1|28,399.37|5.68|否|
|合 计||338,961.86|67.74|—|

②2017年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售总额比例（%）|是否为关联方|
|1|A1|250,520.13|27.73|否|
|2|B1|106,366.12|11.77|否|
|3|C1|105,177.59|11.64|否|
|4|D2|55,239.87|6.11|否|
|5|E1|46,723.00|5.17|否|
|合 计||564,026.71|62.44|—|

③2016年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售总额比例（%）|是否为关联方|
|1|A1|230,312.48|28.99|否|
|2|B1|88,388.59|11.13|否|
|3|C1|71,721.12|9.03|否|
|4|D2|61,346.25|7.72|否|
|5|E2|40,545.48|5.10|否|
|合 计||492,313.92|61.97|—|

注：2016年为全年数。
报告期内，北京豪威前五大销售客户不存在单个客户的销售比例超过50%的情况。北京豪威董事、监事、高级管理人员和核心技术人员，其他主要关联方或持有北京豪威5%以上股份的股东在前五名客户中未占有权益。
6、主要原材料、能源的采购及供应情况
北京豪威采用 Fabless经营模式，即无晶圆生产线集成电路设计经营模式，不从事具体生产。在此经营模式下，北京豪威通过委托代工方式将晶圆生产、封
装和测试工序委托第三方晶圆代工厂、封装厂和测试厂，自身专注于 CMOS图
像传感器的设计。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）北京豪威主要原材料和采购的服务
报告期内，北京豪威晶圆代工、彩色滤光片及封装、测试服务采购金额以及占各期主营业务成本的比例如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|晶圆|282,745.19|74.09|509,892.04|73.31|495,431.08|73.94|
|彩色滤光片|31,256.60|8.19|60,436.79|8.69|62,679.03|9.35|
|封装、测试费|65,405.93|17.14|124,346.97|17.88|108,688.11|16.22|
|其他|2,221.52|0.58|896.38|0.13|3,285.26|0.49|
|合计|381,629.24|100.00|695,572.18|100.00|670,083.48|100.00|

（2）北京豪威能源供应情况
北京豪威不直接从事生产活动，不采购生产所需要的能源。
（3）报告期内向前五名供应商的采购情况
报告期内，北京豪威前五大供应商采购情况如下：
①2018年1-7月
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期主营业务成本（%）|是否为关联方|
|1|SA1-1|137,559.42|36.05|否|
||SA1-2|18,047.83|4.73|否|
||SA1-3|15,445.30|4.05|否|
|2|SB1|87,529.53|22.94|否|
|3|SC1|31,830.77|8.34|否|
|4|SD1|14,942.73|3.92|否|
|5|SE1|12,220.32|3.20|否|
|合 计||317,575.91|83.22|-|

②2017年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期主营业务成本（%）|是否为关联方|
|1|SA1-1|269,182.26|38.70|否|
||SA1-2|36,493.92|5.25|否|
||SA1-3|24,021.59|3.45|否|
|2|SB1|138,310.87|19.88|否|
|3|SC1|46,124.90|6.63|否|
|4|SD1|30,428.02|4.37|否|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|5|SE1|27,409.88|3.94|否|
|合 计||571,971.43|82.23|-|

③2016年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期主营业务成本1（%）|是否为关联方|
|1|SA1-1|355,733.67|48.66|否|
||SA1-2|61,067.43|8.35|否|
||SA1-3|27,292.18|3.73|否|
|2|SB1|168,345.60|23.03|否|
|3|SC1|49,434.88|6.76|否|
|4|SD1|38,223.01|5.23|否|
|5|SE1|30,457.84|4.17|否|
|合 计||730,554.61|99.94|-|

注：1、2016年采购总额为 12个月的数据，但审计报告 2016年主营业务成本为 11个月的数据，因此上表中主营业务成本为报表金额除以12/11。
SA1-1、SA1-2和 SA1-3均受 SA1控制，因此合并计算并列为第一大供应商。2016年，北京豪威同上述三家企业采购金额占主营业务成本的比例合计超过50%。北京豪威董事、监事、高级管理人员和核心技术人员，其他主要关联方或持有北京豪威5%以上股份的股东在前五名供应商中未占有权益。
7、境外业务情况
北京豪威的主要经营实体是美国豪威，新加坡豪威是美国豪威的采购、销售中心，美国豪威和新加坡豪威的主要经营情况如下：
（1）美国豪威
①简要资产负债表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|21,829.64|9,030.63|42,435.46|
|非流动资产合计|1,449,231.48|1,377,726.46|1,490,626.24|
|资产总计|1,471,061.12|1,386,757.09|1,533,061.70|
|流动负债合计|44,378.98|184,521.71|885,059.59|
|非流动负债合计|273,195.86|259,257.13|345,510.40|
|负债合计|317,574.84|443,778.84|1,230,569.99|
|所有者权益合计|1,153,486.28|942,978.25|302,491.71|

②简要利润表
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|78,939.90|37,815.55|25,075.75|
|营业成本|10,837.88|18,050.63|14,998.40|
|营业利润|153,161.94|9,305.75|-64,955.43|
|利润总额|153,183.82|9,123.14|-66,610.08|
|净利润|158,207.02|284,062.13|-39,003.33|

（2）新加坡豪威
①简要资产负债表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|408,127.09|388,540.82|458,169.27|
|非流动资产合计|2,863.37|4,148.05|4,227.14|
|资产总计|410,990.46|392,688.87|462,396.40|
|流动负债合计|334,347.49|311,782.65|382,399.22|
|非流动负债合计|-|-|-|
|负债合计|334,347.49|311,782.65|382,399.22|
|所有者权益合计|76,642.97|80,906.22|79,997.18|

②简要利润表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|389,039.53|882,617.20|787,596.97|
|营业成本|376,737.80|688,222.38|650,030.03|
|营业利润|-6,128.80|7,362.09|-19,068.73|
|利润总额|- 6,120.42|7,379.21|-19,068.73|
|净利润|-7,292.37|5,759.56|-20,685.15|

8、安全生产及环境保护情况
（1）安全生产情况
北京豪威主要从事集成电路的设计，不涉及生产环节，相关生产环节通过委托加工的方式进行。
（2）环保情况
北京豪威经营不会产生废水、废气、废渣和噪声等，对环境不会产生污
染。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）9、质量控制情况
（1）质量控制体系
美国豪威坚持从严把控产品质量，以良品率为核心，追求优良的客户口碑，公司设立专门的质量管理部门，建立了包括产品研发、晶圆代工、封装代工、测试代工、品质验证、及售后服务各环节在内的全过程质量管理体系，并根据 ISO 9001:2015的标准开发了符合其经营特点的质量管理系统。
（2）质量管理系统及构成
美国豪威将质量系统所需过程分为：客户导向过程、管理过程和支持过程三个类别。
①客户导向过程
②管理过程
③支持过程
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）质量控制说明
为确保芯片的品质，北京豪威检验流程分成两个阶段：第一，晶圆阶段进行功能测试和可靠性测试等；第二，封装以后阶段进行最终测试，包括可靠性测试和产品功能、外观检验等。
为确保产品的质量、部门的规范性和质量管理系统的有效性，北京豪威制定了一系列加强质量管理系统的控制措施，同时建立了ISO9001和 IATF16949质量管理体系，并对芯片可靠性认定完成持续改进。
产品品质管理是北京豪威质量管理的核心。在产品终端客户发现问题时，北京豪威收到反馈后立即进行测试分析。同时为了判断问题来自芯片还是模组，客户质量工程会前往现场进行检测。若检测发现问题在于芯片端，则问题芯片将交由品质部门负责处理，北京豪威质归集问题并寻找相关责任人进行定责，对问题产生根本原因将进行有效的追溯和整改，将问题举一反三进行有效的管理，另外将对供应商索取相应赔偿并加之惩罚措施。与此同时，北京豪威质的供应商管控将介入，以确保未来产品及时交付。
在供应商品质管理方面，北京豪威采用有效的供应链管理管理模式，确保所有的供应商均拥有 ISO900质量管理体系证书，利用PPAP（生产件批准程序）、FMEA（潜在失效模式及后果分析）、ControlPlan（控制计划）、SixSigma（六西格玛）、CCB（Change Control Board变更管理）等多项措施来有效管控供应环节：PPAP体系确保从晶圆厂商、封装厂商及测试工厂都正确理解北京豪威设计和规范的所有要求；FMEA体系确保在芯片设计阶段和过程设计阶段预先避开失效模式发生，以提高产品的质量和可靠性； Control Plan体系有效的控制了芯片研发设计中的特殊特性、关键特性和普通特性。Six Sigma体系追求芯片零
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）缺陷生产，降低产品成本；CCB体系强调和确保芯片产品从设计到生产过程中的工程变更完全满足客户需求及国际、国家和行业的法律法规要求。
在新产品设计开发的品质管理方面，北京豪威重视客户期望和需求，及时将客户最新的需求反馈给研发人员，同时注重积累专有技术经验，采用内部案例分享的形式提升员工的能力。
10、产品的技术水平及研发情况
（1）主要产品所采用的技术情况
图像传感器的主要作用是将光学图像转换成电子信号，是数字摄像头的重要组成部分。目前，市场上的图像传感器主要分为CCD图像传感器和 CMOS图像传感器两大类，美国豪威的核心产品是 CMOS图像传感器。
美国豪威经过多年的自主研发和技术演进，在 CMOS图像传感器电路设计、封装、数字图像处理和配套软件领域积累了较为显著的技术优势，公司主要核心技术如下：
①像素技术
美国豪威是 CMOS图像传感器行业内最先将 BSI技术商业化的公司之一，并于2013年将PureCelTM和PureCelTMPlus技术付诸于量产产品。截至2018年7月31日，美国豪威处于领先地位像素技术具体如下：
|||||
|-|-|-|-|
|核心技术名称|核心技术特点|核心技术来源|核心技术所处的阶段|
|FSI|110纳米；200毫米晶圆；特色产品；大批量供货；|自主研发|批量投产|
|OmniBSITM|90 纳米；200 毫米晶圆；优良的性能；更具成本竞争力；|自主研发|批量投产|
|OmniBSI-2TM|65 纳米；300 毫米晶圆；最佳的性能；像素降至1.1微米；|自主研发|批量投产|
|PureCelTM|55 纳米；300 毫米晶圆；高性能；像素1.12微米；|自主研发|批量投产|
|PureCelTMPlus|45 纳米；300 毫米晶圆；高性能；像素1.00微米；|自主研发|批量投产|
|PureCelTMPlus|28 纳米；300毫米晶圆；高性能；像素0.8微米；|自主研发|试投产|

②CameraCubeChipTM图像传感器集成芯片技术
CameraCubeChipTM图像传感器集成芯片技术是美国豪威在
CMOS图像传感器
行业特有先进技术之一，该技术特点为：提供业界最小的相机模组解决方案；使用
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）半导体工艺制造镜头；可过回流焊，无需底座或人工插接模组；整机零件封装，降低人力成本；简化供应链，缩短产品上市周期。
（2）报告期内美国豪威的研发投入情况
美国豪威作为 CMOS图像传感器行业领先企业，多年以来通过自主研发，已经形成了系统化的研发体系，培养并储备了一批具有较强技术能力和创新精神的研发人员。作为注重产品设计的 Fabless模式半导体企业，美国豪威研发机构设置完善和研发人员配备健全，历年研发投入占营业收入比重较为合理。
①研发人员
截至2018年7月31日，北京豪威核心技术人员、研发人员占员工总数的比例如占员工总数比例下：
||||
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|项目|人数|占员工总数比例|
|核心技术人员|12|0.77%|
|研发人员|881|56.84%|

②研发投入情况
报告期内，北京豪威研发投入占营业收入比重情况如下：
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|研发投入金额（万元）|65,001.83|122,232.90|115,778.99|
|占营业收入比重（%）|12.96|13.51|14.55|

（九）北京豪威最近两年及一期主要财务数据及非经常性损益的构成情况
根据普华永道出具审计报告（普华永道中天特审字（2018）第 2671号），
北京豪威最近两年及一期主要财务数据如下表所示：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）1、北京豪威主要财务数据
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|573,547.69|619,178.40|932,360.24|
|非流动资产合计|837,147.78|814,271.78|936,687.92|
|资产总计|1,410,695.47|1,433,450.18|1,869,048.16|
|流动负债合计|240,689.64|185,112.90|443,278.73|
|非流动负债合计|212,819.00|343,980.85|750,094.73|
|负债合计|453,508.64|529,093.75|1,193,373.46|
|所有者权益合计|957,186.83|904,356.44|675,674.70|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|501,561.81|905,038.73|795,650.01|
|营业成本|381,717.51|695,732.19|670,365.34|
|营业利润|14,271.63|2,772.55|-215,659.20|
|利润总额|14,289.14|2,650.44|-217,111.70|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润|17,827.90|275,819.87|-198,937.36|

2、北京豪威主要财务指标
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|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|资产负债率（%）|32.15|36.91|63.85|
|流动比率|2.38|3.34|2.10|
|速动比率|1.38|1.96|1.31|
|息税折旧摊销前利润（万元）|44,523.70|51,928.44|-146,933.34|
|利息保障倍数|2.67|0.72|-6.76|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|总资产周转率（次/年）|0.35|0.55|0.43|
|应收账款周转率（次/年）|4.79|14.35|19.46|
|存货周转率（次/年）|1.41|2.17|1.84|

注：资产负债率=总负债/总资产
流动比率=流动资产/流动负债
速动比率=（流动资产-存货）/流动负债
息税折旧摊销前利润=利润总额+财务费用+折旧+摊销
利息保障倍数=（利润总额+财务费用）/利息支出
应收账款周转率=2*营业收入/（期初应收账款账面余额+期末应收账款账面余额）
存货周转率=2*营业成本/（期初存货账面余额+期末存货账面余额）
总资产周转率=2*营业收入/（期初总资产+期末总资产）
2016年期初数默认与期末数相同
3、北京豪威非经常性损益情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）北京豪威最近两年及一期经审计的合并报表的非经常损益明细如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|非流动资产处置损失|47.76|179.96|9.73|
|处置可供出售金融资产、长期股权投资、以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债等的投资损失|1,113.15|1,284.45|13,220.14|
|股权奖励回购|-|-|6,573.85|
|计入当期损益的政府补助|-269.69|-346.79|-202.16|
|除上述各项之外的其他营业外收入和支出|-46.58|-52.52|1,653.98|
|减：所得税影响额|341.62|223.16|-5,939.96|
|归属于所有者的非经常性损失|1,186.26|1,288.25|15,315.57|

（十）主要会计政策
1、重要会计政策和会计估计
（1）会计期间
北京豪威会计年度为公历1月1日起至12月31日止。
（2）记账本位币
北京豪威记账本位币为美元，北京豪威下属子公司、合营企业及联营企业，根据其经营所处的主要经济环境确定其记账本位币，编制合并报表时折算为人民币列报。
（3）外币折算
①外币交易
外币交易按交易发生日的即期汇率的近似汇率将外币金额折算为记账本位币入账。于资产负债表日，外币货币性项目采用资产负债表日的即期汇率折算为记账本位币。汇兑差额直接计入当期损益。以历史成本计量的外币非货币性项目，于资产负债表日采用交易发生日的即期汇率折算。汇率变动对现金的影响额在现金流量表中单独列示。
②财务报表的折算
北京豪威的记账本币为美元，将美元财务报表折算为以人民币列示时，资
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）产负债表中的资产和负债项目，采用资产负债表日的即期汇率折算，所有者权益中除未分配利润项目外，其他项目采用发生时的即期汇率折算。利润表中的收入与费用项目，采用交易发生当期平均汇率折算。上述折算产生的外币财务报表折算差额，计入其他综合收益。现金流量项目，采用现金流量发生当期平均汇率折算。汇率变动对现金的影响额，在现金流量表中单独列示。
（4）收入成本的确认原则和计量方法
收入的金额按照北京豪威在日常经营活动中销售商品和提供劳务时，已收或应收合同或协议价款的公允价值确定。收入按扣除销售折让及销售退回的净额列示。与交易相关的经济利益能够流入北京豪威，相关的收入能够可靠计量且满足下列各项经营活动的特定收入确认标准时，确认相关的收入。
①销售商品
销售商品主要为图像传感器业务收入。北京豪威已将产品和商品所有权上的主要风险和报酬转移给购货方，并且不再对该产品和商品实施继续管理和控制，相关的收入和成本能够可靠计量时，确认销售收入的实现。
对以代销模式通过经销商销售的产品，北京豪威在经销商将产品销售给最终客户时确认收入的实现，同时结转成本。在代销模式下，经销商按与北京豪威约定的价格对最终客户销售产品，北京豪威向经销商支付销售佣金。
②提供劳务
北京豪威提供集成电路设计服务，于服务已提供且取得收取服务款的权利时确认。
2、会计政策和会计估计与同行业企业的差异及行业特殊会计处理政策
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，北京豪威所属行业为―C制造业‖下的―C39计算机、通信和其他电子设备制造业‖。北京豪威的会计政策和会计估计与同行业或同类型资产及上市公司不存在重大差异。
3、财务报表编制基础
北京豪威的财务报表以持续经营假设为基础，根据实际发生的交易和事项，根据财政部于2006年2月15日及以后期间颁布的《企业会计准则—基本准
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）则》及各项具体会计准则及相关规定、以及中国证监会《公开发行证券的公司信息披露编报规则第15号—财务报告的一般规定》（2014年修订）的规定编制。
此外，北京豪威管理层根据《重组管理办法》及《26号准则》等相关法规中对于交易标的财务报告的要求，在编制财务报表时按与韦尔股份相同的会计制度和会计政策（包括会计估计）进行处理。
4、标的公司合并财务报表范围
截至2018年7月31日，北京豪威将以下公司纳入合并财务报表合并范围：
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|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册地|持股比例|
|1|Seagull Investment Holdings Limited|开曼群岛|直接持股100%|
|2|Seagull International Limited|开曼群岛|间接持股100%|
|3|OmniVision Technologies, Inc.|美国|间接持股100%|
|4|OmniVision International Holding Ltd|开曼群岛|间接持股100%|
|5|OmniVision Technology International Ltd|开曼群岛|间接持股100%|
|6|OmniVision Technologies （Hong Kong）Company Limited|中国香港|间接持股100%|
|7|OmniVision Trading （Hong Kong） Company Ltd.|中国香港|间接持股100%|
|8|OmniVision Technologies Development（Hong Kong）Company Limited|中国香港|间接持股100%|
|9|豪威半导体（上海）有限责任公司|中国|间接持股100%|
|10|豪威科技（上海）有限公司|中国|间接持股100%|
|11|台湾豪威科技有限公司|中国台湾|间接持股100%|
|12|台湾豪威国际科技有限公司|中国台湾|间接持股100%|
|13|北京豪威亦庄科技有限公司|中国|直接持股100%|
|14|上海全览半导体技术有限公司|中国|间接持股100%|
|15|OmniVision Optoelectronics Company Limited|开曼群岛|间接持股100%|
|16|豪威光电子科技（上海）有限公司|中国|间接持股100%|
|17|台湾豪威光电科技股份有限公司|中国台湾|间接持股100%|
|18|OmniVision Semiconductor Technologies MarketingIndia Private Limited|印度|间接持股100%|
|19|OmniVision Technologies Norway AS|挪威|间接持股100%|
|20|OmniVision Technologies Singapore Pte. Ltd.|新加坡|间接持股100%|
|21|豪威科技（武汉）有限公司|中国|间接持股100%|
|22|OmniVision Technologies Japan G.K|日本|间接持股100%|
|23|OmniVision CDM Optics, Inc.|美国|间接持股100%|
|24|OmniVision Holding （Hong Kong） Company Limited|中国香港|间接持股100%|
|25|OmniVision Investment Holding （BVI） Ltd.|英属维尔京群岛|间接持股100%|

5、重大会计政策或会计估计与上市公司的差异
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）北京豪威的财务报表所依据的会计政策系按照财政部颁布的《企业会计准则—基本准则》以及其后颁布及修订的具体会计准则、应用指南、解释以及其他相关规定厘定。基于北京豪威被韦尔股份收购的意向，对于北京豪威与韦尔股份相同或类似业务相关的主要会计政策和会计估计，已按照韦尔股份的会计政策和会计估计进行了调整。
（十一）资质证照与审批情况
截至2018年7月31日，北京豪威及其下属公司拥有的资质证书如下：
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|-|-|-|-|-|-|
|序号|单位名称|许可证名称|许可证号|发证日|到期日|
|1|豪威半导体|高新技术企业证书|GF201531000272|2015.8.19|2018.8.18注|
|2|豪威科技（上海）|高新技术企业证书|GR201631001897|2016.11.24|2019.11.23|
|3|豪威科技（武汉）有限公司|技术先进型服务企业（批复）|武科[2016]24|2016.5.13|2018.12.31|
|4|豪威科技（上海）|技术先进型服务企业|JF20143101150040|2015.1.14|2018.12.31|

注：豪威半导体已重新申请高新技术企业认定并获通过，截至本报告书签署日，尚未取得新证书。
。
（十二）涉及立项、环保等有关报批事项
本次交易标的资产为北京豪威85.53%股权，不涉及立项、环保、行业准入、用地、规划、施工建设等有关报批事项。
截至本报告书签署日，本次交易募集配套资金建设项目“晶圆测试及晶圆重构生产线项目（二期）”和“硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目（二期）”均已获得上海市外商投资项目备案证明，正在办理环评手续。
（十三）拟购买资产为股权的说明
1、购买资产股权出资及合法存续情况
截至本报告书签署日，北京豪威不存在出资瑕疵或影响合法存续的情况。
2、关于交易标的是否为控股权的说明
本次交易的标的资产为北京豪威85.53%的股权，为标的公司控股股权。
3、关于交易标的是否取得该公司其他股东的同意或者符合公司章程规定的
股权转让前置条件的说明
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，北京豪威现行有效的公司章程存在股权转让设置前置条件。北京豪威公司章程的股权转让前置条件详见本节―一、（四）北京豪威股权结构及控制关系情况2、北京豪威公司章程中可能对本次交易产生影响的主要内容或相关投资协议‖。
（十四）北京豪威最近三年股权转让、增资及评估情况说明
1、最近三年股权转让价格概览
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|-|-|-|-|-|-|
|序号|股权转让|转让方|受让方|股权转让价格|是否评估|
|1|2016 年 9 月第一次股权转让|北京集电|12名股东|1美元/1美元注册资本|否|
|||开元朱雀|5名股东|1美元/1美元注册资本|否|
|||海鸥香港|创意传奇|1美元/1美元注册资本|否|
|||奥视嘉创|润信豪泰、泰康集团|1美元/1美元注册资本|否|
|2|2016年11月第二次股权转让|首誉光控|天元滨海|1美元/1美元注册资本|否|
|||珠海融锋|深圳测度|1美元/1美元注册资本|否|
|3|2017 年 9 月第三次股权转让|金石暴风|芯能投资|1美元/1美元注册资本|否|
|||泰康集团|泰康人寿|0|否|
|4|2017年12月第四次股权转让|深圳测度|青岛融通|11.18元/1美元注册资本|否|
|||珠海融锋|青岛融通|11.18元/1美元注册资本|否|
|5|2018 年 4 月第五次股权转让|海鸥香港|绍兴韦豪|10.79元/1美元注册资本|否|
|||海鸥开曼|绍兴韦豪|10.79元/1美元注册资本|否|
|||创意传奇|绍兴韦豪|10.79元/1美元注册资本|否|
|||润信豪泰|绍兴韦豪|10.79元/1美元注册资本|否|
|||泰康人寿|上海清恩|10.79元/1美元注册资本|否|
|||奥视嘉创|上海唐芯|10.79元/1美元注册资本|否|
|||奥视嘉创|领智基石|10.79元/1美元注册资本|否|
|||奥视嘉创|上海摩勤|10.79元/1美元注册资本|否|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|股权转让|转让方|受让方|股权转让价格|是否评估|
|||奥视嘉创|上海清恩|10.79元/1美元注册资本|否|
|6|2018 年 7 月第六次股权转让|西藏长乐|元禾华创|10.79元/1美元注册资本|否|
|||清控华科|元禾华创|10.79元/1美元注册资本|否|
|||Seagull（A1）|香港韦尔|1.61元/1美元注册资本|否|
|||Seagull（C1）|香港韦尔|1.46元/1美元注册资本|否|
|||Seagull（C1-Int‘l）|香港韦尔|1.46元/1美元注册资本|否|
|||Seagull（B1）|SeagullInvestments|1.46元/1美元注册资本|否|
|||Seagull（B2）|SeagullInvestments|1.46元/1美元注册资本|否|
|||Seagull（C3）|SeagullInvestments|1.46元/1美元注册资本|否|
|||Seagull（C3-Int‘l）|SeagullInvestments|1.46元/1美元注册资本|否|
|7|2018 年 8 月第七次股权转让|上海清恩|韦尔股份|10.87元/1美元注册资本|是|

2、最近三年发生的增资及股权转让情况
（1）2016年1月，增加注册资本至110,000万美元
2015年9月25日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意北京豪威投资总额由 14万美元增加至 190,000万美元，注册资本由 10万美元增加至 110,000万美元，其中北京集电以折合 34,995万美元的人民币现金增加出资；开元朱雀以折合 40,000万美元的人民币现金出资；海鸥香港以 21,165万美元现汇出资；奥视嘉创以折合13,830万美元的人民币现金出资。
本次增资系投资人为完成对美国豪威私有化而进行的出资，按照各投资人的实际出资相应增加北京豪威的注册资本，增资价格为1美元/1美元注册资本。
（2）2016年9月，股权转让
2016年8月25日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意北京集电、开元朱雀、海鸥香港以及奥视嘉创将其所持北京豪威股权转让予相关受让方；同意各
方就上述股权转让事宜签署股权转让协议；同意修改北京豪威的合资合同和章
程。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）同日，前述转让方、受让方与北京豪威及其原股东分别就股权转让事宜签署《股权转让协议》。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的具体情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价|每1美元出资转让价格|
|1|北京集电|嘉兴水木|75,642,965|6.8766|495,000,000元|6.54元|
|2||嘉兴豪威|75,642,965|6.8766|495,000,000元|6.54元|
|3||首誉光控|45,844,221|4.1677|300,000,000元|6.54元|
|4||清控华科|30,562,814|2.7784|200,000,000元|6.54元|
|5||惠盈一号|25,978,392|2.3617|170,000,000元|6.54元|
|6||金信华创|18,337,689|1.6671|120,000,000元|6.54元|
|7||金信华通|12,225,126|1.1114|80,000,000元|6.54元|
|8||西藏大数|9,168,844|0.8335|60,000,000元|6.54元|
|9||西藏锦祥|6,112,563|0.5557|40,000,000元|6.54元|
|10||德威资本|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|11||深圳远卓|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|12||深圳兴平|1,528,141|0.1389|10,000,000元|6.54元|
|小计|||304,100,002|27.6454|1,990,000,000元|—|
|1|开元朱雀|珠海融锋|175,430,737|15.9482|1,148,001,201元|6.54元|
|2||芯能投资|55,000,000|5.0000|359,914,500元|6.54元|
|3||芯力投资|55,000,000|5.0000|359,914,500元|6.54元|
|4||金石暴风|26,839,155|2.4399|175,632,742元|6.54元|
|5||西藏长乐|24,681,423|2.2438|161,512,766元|6.54元|
|小计|||336,951,315|30.6319|2,204,975,709元|—|
|1|海鸥香港|创意传奇|75,000,000|6.8182|75,000,000美元|1.00美元|
|小计|||75,000,000|6.8182|75,000,000美元|—|
|1|奥视嘉创|润信豪泰|16,348,150|1.4862|107,127,494元|6.55元|
|2||泰康保险|15,000,000|1.3636|98,293,227元|6.55元|
|小计|||31,348,150|2.8498|205,420,721元|—|

本次股权转让原因为私有化出资方进行股权架构调整，转让价格为1美元/1美元注册资本。
（3）2016年11月，股权转让及增加注册资本至129,750万美元
2016年 10月 13日，首誉光控与天元滨海及其普通合伙人北京天元海华投资管理有限公司签署《北京豪威科技有限公司股权转让协议》，约定首誉光控将
其所持北京豪威45,844,221美元出资以3亿元人民币对价转让予天元滨海。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）同日，珠海融锋与深圳测度签署《股权转让协议》，约定珠海融锋将其所持北京豪威 22,493,773美元出资以 22,493,773美元等值人民币对价转让予深圳测度。
2016年11月4日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意上述股权转让；
同意增资扩股，吸收新投资人加入，投资总额将从19亿美元增加至20.975亿美元，注册资本将从11亿美元增加至12.975亿美元
首誉光控本次股权转让的原因为：首誉光控代表资管计划持有北京豪威股权，该资管计划投资人及实际控制人与天元滨海具有关联关系。经资管计划全体委托人、托管人及管理人首誉光控协商一致，通过股权转让的方式，实现资管计划的投资收益及计划终止，实现资管计划投资人直接持有北京豪威股权，转让价格为1美元/1美元注册资本。
珠海融锋本次股权转让的原因为：珠海融锋为降低投资风险而做出的决策，转让价格为1美元/1美元注册资本。
（4）2017年9月，股权转让
2017年5月19日，金石暴风与芯能投资签署《关于北京豪威科技有限公司之股权转让协议》，约定金石暴风将其所持北京豪威 26,839,155美元出资以176,172,952.82元对价（每1美元注册资本6.56元）转让予芯能投资。
泰康保险与其全资子公司泰康人寿签署《转让协议》，约定泰康保险将其所持北京豪威15,000,000美元出资无偿转让予泰康人寿。
金石暴风本次股权转让的原因为：本次股权转让时，金石暴风和芯能投资均为中信证券股份有限公司之全资子公司金石投资持有100%股权的有限责任公司，本次转让系其内部投资结构调整所致，转让价格为1美元/1美元注册资本。
泰康集团本次股权转让的原因为：经中国保险监督管理委员会《关于更名设立泰康保险集团股份有限公司并进行集团化改组的批复》（保监许可[2016]816号）批准，泰康人寿保险股份有限公司进行集团化改组，于2016年8月25日更名为泰康保险集团股份有限公司，并独家发起设立泰康人寿保险有限责任公司（以下简称―泰康人寿‖），泰康保险集团股份有限公司所属保险业务及相关资产、负债转移至泰康人寿。此次转让为集团内部因改组进行的转让，故转让价格为0。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（5）2017年12月，股权转让
2017年 11月 24日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意珠海融锋、深圳测度分别将其所持北京豪威 152,936,964美元出资、22,493,773美元出资转让予青岛融通。
珠海融锋本次股权转让价格为11.18元/1美元注册资本，其股权转让的原因为：珠海融锋主要出资方拉萨经济技术开发区闻天下投资有限公司拟退出对北京豪威投资，珠海融锋原普通合伙人珠海通沛股权投资管理合伙企业（有限合伙）新成立青岛融通承接原珠海融锋所持北京豪威股权。
深圳测度本次股权转让价格为11.18元/1美元注册资本，其股权转让原因为：深圳测度认为北京豪威后续资本运作时间较长，退出窗口期不明朗，出于投资风险考虑将所持股权转让。
（6）2018年4月，股权转让
2018年3月26日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意海鸥香港等股东将其所持北京豪威出资转让予绍兴韦豪等受让方；同意相应修改公司章程和《合营合同》。
各方就上述股权转让事宜已签署相关股权转让协议。根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的情况具体如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价（元）|每1美元出资转让价格（元）|
|1|海鸥香港|绍兴韦豪|136,650,000|10.5318|2,284,238,921.00|10.79|
||创意传奇||75,000,000|5.7803|||
||海鸥开曼||50,000|0.0039|||
||润信豪泰||16,348,150|1.2600|176,396,223.51|10.79|
|2|泰康人寿|上海清恩|15,000,000|1.1561|161,849,711|10.79|
|3|奥视嘉创|上海唐芯|64,875,000|5.0000|700,000,000|10.79|
|||领智基石|25,950,000|2.0000|280,000,000|10.79|
|||上海清恩|10,560,575|0.8139|113,948,400.77|10.79|
|||上海摩勤|5,566,275|0.4290|60,060,000|10.79|
|合计|||350,000,000|26.975|3,776,493,256.28|—|

海鸥香港、海鸥开曼、创意传奇、润信豪泰、泰康人寿、奥视嘉创股权转让
的原因为：上述财务投资者入股北京豪威时间较长，有较为迫切的投资回报要求，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）若上述股东通过北京豪威重大资产重组实现二级市场退出，其后续流程和股份锁定期较长。出于投资风险和短期收益考虑，上述股东转让所持北京豪威股权。
（7）2018年7月，股权转让
2018年6月26日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意Seagull（B1）、Seagul（lB2）、Seagul（lC3）以及Seagul（lC3-Int‘l）分别将所持北京豪威 28,256,200美元出资、15,740,100美元出资、15,142,500美元出资以及5,465,469美元出资转让予 SeagullInvestments；同意清控华科、西藏长乐分别将其所持北京豪威30,562,814美元出资、24,681,423美元出资转让予元禾华创。
2018年6月27日，北京豪威召开董事会并作出决议，同意Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）以及Seagull（C1）分别将其所持北京豪威 17,962,400美元出资（占注册资本的1.3844%）、4,240,450美元出资以及 3,154,000美元出资转让予香港韦尔。
根据各方签署的股权转让协议，本次股权转让的情况具体如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|转让方|受让方|转让的出资（美元）|转让出资占注册资本的比例（%）|转让对价|每1美元出资转让价格|
|1|Seagull（B1）|SeagullInvestments|28,256,200|2.1777|41,285,133.82美元|1.46美元|
|2|Seagull（B2）||15,740,100|1.2131|22,997,860.11美元|1.46美元|
|3|Seagull（C3）||15,142,500|1.1671|22,124,706.75美元|1.46美元|
|4|Seagull（C3-Int‘l）||5,465,469|0.4212|7,985,596.76美元|1.46美元|
|小计|||64,604,269|4.9791|94,393,297.44美元|—|
|5|清控华科|元禾华创|30,562,814|2.3555|329,772,174元|10.79元|
|6|西藏长乐||24,681,423|1.9022|266,312,079元|10.79元|
|小计|||55,244,237|4.2577|596,084,253元|—|
|7|Seagull（A1）|香港韦尔|17,962,400|1.3844|28,843,437.74美元|1.61美元|
|8|Seagull（C1-Int‘l）||4,240,450|0.3268|6,195,721.50美元|1.46美元|
|9|Seagull（C1）||3,154,000|0.2431|4,608,309.40美元|1.46美元|
|小计|||25,356,850|1.9543|39,647,468.64美元|—|

清控华科、西藏长乐股权转让的原因为：作为财务投资者，基于资金流动性考虑，其对北京豪威的股权投资有短期内变现需求，因此选择将所持股权转让。
Seagull（A1）、Seagull（C1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（B1）、Seagull
（B-2）、Seagull（C3）、Seagull（C3-Int‘l）均为美国豪威员工持股平台，本次
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）股权转让是以自愿为原则，部分员工减持股份系基于自身资金流动需求考虑。
（8）2018年8月，股权转让
2018年 8月 6日，上海清恩与韦尔股份就上述股权转让事宜签署《股权转让协议》，约定上海清恩将其所持北京豪威 25,560,575美元出资以 277,768,098元对价（每1美元注册资本10.87元）转让予韦尔股份。
上海清恩股权转让的原因为：基于资金流动性考虑，其对北京豪威的股权投资有短期内变现需求，因此选择将所持股权转让。
3、最近三年发生的资产评估、改制情况
2018年7月30日，上海立信资产评估有限公司对韦尔股份收购上海清恩持有的北京豪威1.97%股权所涉及的股东全部权益价值进行了评估，并出具了―信资评报字[2018]第40077号‖《资产评估报告》。
经资产基础法评估，北京豪威在评估基准日 2017年 12月 31日的股东全部权益价值（合并口径）为人民币 466,840.17万元。
经收益法评估，北京豪威在评估基准日 2017年 12月 31日的股东全部权益价值（合并口径）为人民币1,410,000.00万元。
（十五）预案披露前十二个月进行的重大资产收购或出售情况
本报告书披露前十二个月内，北京豪威不存在重大资产收购或出售的情况。
（十六）本次交易涉及的债权债务转移情况
本次交易不涉及标的公司债权债务转移。
二、交易标的之思比科
（一）思比科基本情况
|||
|-|-|
|公司名称|北京思比科微电子技术股份有限公司|
|公司类型|股份有限公司（非上市、外商投资企业投资）|
|住所|北京市海淀区上地五街7号（昊海大厦二层201室）|
|主要办公地点|北京市海淀区上地五街7号（昊海大厦二层201室）|
|法定代表人|陈杰|
|注册资本|5,250万元|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|
|成立日期|2004年9月28日|
|统一社会信用代码|91110108767533267F|

（二）思比科出资及合法存续情况
根据思比科工商登记资料、北京博融、南昌南芯、陈杰、山西TCL、华清博广、中关村创投、吴南健、刘志碧等8名思比科股东出具的承诺并经查验，上述股东所持的思比科股权目前不存在代他人持有的情形，也不存在委托他人代其持有思比科股权情形，其对思比科的股权均不存在争议或潜在纠纷。
上述8名思比科股东对其所持思比科股权合法性出具如下承诺：
1、承诺方对所持思比科股份拥有合法的、完整的所有权和处分权，在股东主体资格方面不存在任何瑕疵或异议的情形，不存在任何形式的委托持股、信托持股或者类似安排，不存在产权纠纷或潜在纠纷；
2、承诺方已足额缴付所持思比科股份对应的注册资本，不存在任何虚假出资、迟延出资、抽逃出资等违反作为股东所应承担的义务及责任的行为；
3、承诺方所持思比科股份不存在质押、查封、冻结、权属争议及其他权利限制，不存在可能影响标的公司合法存续的情况，并承诺前述情况保持至本次交易实施完毕前；
4、承诺方所持思比科股份过户或权属转移至韦尔股份名下不存在法律障碍；
5、承诺方及主要管理人员（如有）最近五年内未受过任何行政处罚（与证券市场明显无关的除外）、刑事处罚，亦不涉及与经济纠纷有关的任何重大民事诉讼或者仲裁，不存在未按期偿还大额债务、未履行承诺、被中国证监会采取行政监管措施或受到证券交易所纪律处分的情况等。
（三）思比科历史沿革
1、2004年9月设立，注册资本50万元
2004年9月18日，陈杰、金湘亮及刘志碧签署《北京思比科微电子技术有限公司章程》，共同出资设立北京思比科微电子技术有限公司（以下简称―思比科有限‖），根据章程约定，各股东各期出资额、认缴出资额及出资比例情况如
下：
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||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|股东姓名|设立时出资（万元）|2005年3月前出资（万元）|2007年9月前出资（万元）|认缴出资额（万元）|出资比例（%）|
|1|陈 杰|5.10|10.20|10.20|25.50|51.00|
|2|金湘亮|3.00|6.00|6.00|15.00|30.00|
|3|刘志碧|1.90|3.80|3.80|9.50|19.00|
|合计||10.00|20.00|20.00|50.00|100.00|

根据2004年2月15日起实施的《北京市工商局改革市场准入制度优化经济发展环境若干意见》（京工商发[2004]19号）第三、（十三）项之规定，投资人以货币形式出资的，应到设有―注册资本（金）入资专户‖的银行开立―企业注册资本（金）专用帐户‖交存货币注册资本（金），工商行政管理机关根据入资银行出具的《交存入资资金凭证》确认投资人缴付的货币出资数额。
根据中国光大银行北京海淀支行2004年9月24日出具的《投资者入资情况表》，陈杰、金湘亮以及刘志碧分别将 5.10万元、3.00万元、1.90万元存入思比科有限在中国光大银行北京海淀支行的银行账户，各股东对思比科有限的第一期出资到位。
2004年9月28日，思比科有限取得北京市工商局核发《企业法人营业执照》（注册号1101082752209）。
思比科有限设立时的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名|认缴出资额（万元）|认缴出资比例（%）|
|1|陈 杰|25.50|51.00|
|2|金湘亮|15.00|30.00|
|3|刘志碧|9.50|19.00|
|合计||50.00|100.00|

2、2004年11月，注册资本缴付到位
2004年 11月 15日，思比科有限召开股东会并作出决议，同意思比科有限未缴的注册资本 40万元由二期缴付变更为一期缴付，陈杰、金湘亮和刘志碧分别缴付20.40万元、12.00万元和7.60万元；同意相应修改公司章程。
根据中国建设银行北京工商大厦支行 2004年 10月 28日出具的《交存入资资金报告单》，陈杰、金湘亮以及刘志碧分别将20.40万元、12.00万元以及 7.60
万元出资存入思比科有限在中国建设银行北京工商大厦支行的账户。
2004年 11月 19日，思比科有限就本次注册资本实缴办理完毕工商变更登
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）记手续。
3、2004年12月，增加注册资本至 120万元
2004年12月5日，思比科有限召开股东会并作出决议，同意增加新股东刘鸿飞、李泽、张中、陈黎明和吴南健，同意注册资本由50万元增加至120万元。
同日，思比科有限相应修改公司章程。
根据中国建设银行北京工商大厦支行 2004年 11月 29日出具的《交存入资资金报告单》，刘鸿飞将 20万元出资连同陈杰、李泽、张中、陈黎明以及吴南健各自的 10万元出资存入思比科有限在中国建设银行北京工商大厦支行的账户。
本次新增出资的认购情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||认缴主体|认购新增出资金额（万元）||每1元注册资本认购价格（元）||
|1||刘鸿飞|20.00||1.00||
|2||陈 杰|10.00||1.00||
|3||李 泽|10.00||1.00||
|4||张 中|10.00||1.00||
|5||陈黎明|10.00||1.00||
|6||吴南健|10.00||1.00||
||合计|||70.00||—|

2004年12月6日，思比科有限就本次增资办理完毕工商变更登记手续。
本次增资完成后，思比科有限股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名|认缴出资额（万元）|出资比例（%）|
|1|陈 杰|35.50|29.58|
|2|刘鸿飞|20.00|16.67|
|3|金湘亮|15.00|12.50|
|4|李 泽|10.00|8.33|
|5|张 中|10.00|8.33|
|6|陈黎明|10.00|8.33|
|7|吴南健|10.00|8.33|
|8|刘志碧|9.50|7.92|
|合计||120.00|100.00|

4、2006年9月，增加注册资本至500万元
2006年8月10日，思比科有限召开股东会并作出决议，同意将注册资本由
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）120万元增加至500万元，新增380万元出资全部由新股东视信源认缴。同日，思比科有限相应修改公司章程。
根据北京天平会计师事务所有限责任公司 2006年 9月 4日出具的《验资报告》（天平验资（2006）第1572号）验证，截至2006年9月1日，思比科有限股东的增资款380万元已实缴到位。
2006年9月5日，思比科有限就本次增资办理完毕工商变更登记手续。
本次增资完成后，思比科有限股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名|认缴出资额（万元）|出资比例（%）|
|1|视信源|380.00|76.00|
|2|陈 杰|35.50|7.10|
|3|刘鸿飞|20.00|4.00|
|4|金湘亮|15.00|3.00|
|5|李 泽|10.00|2.00|
|6|张 中|10.00|2.00|
|7|陈黎明|10.00|2.00|
|8|吴南健|10.00|2.00|
|9|刘志碧|9.50|1.90|
|合计||500.00|100.00|

5、2009年12月，整体变更为股份有限公司
2009年 9月 8日，思比科有限全体股东签署《发起人协议书》，约定以各自所持思比科有限股权对应的截至2009年9月30日的净资产折股共同发起设立股份有限公司。
2009年10月13日，思比科有限召开2009年第一次临时股东会会议，同意整体变更为股份有限公司，确定2009年9月30日为审计和评估基准日，以不高于基准日思比科有限的净资产折合股份设立股份公司，余额记入资本公积金。
根据北京永拓会计师事务所有限责任公司 2009年 10月 25日出具的《审计报告》（京永审字（2009）第14041号），思比科有限截至2009年9月30日经审计账面净资产为705.87万元。
根据北京中锋资产评估有限责任公司 2009年 10月 26日出具的《资产评估
报告书》（中锋评报字（2009）第055号），截至评估基准日2009年9月30日，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）思比科有限纳入评估范围内的净资产账面值为 705.87万元，经评估的企业股东全部权益价值评估值为771.46万元。
2009年10月27日，思比科有限召开2009年第三次临时股东会会议，审议通过《关于按公司净资产折合股份设立股份有限公司的议案》，同意思比科有限按照1.4117：1折为 500万股，每股面值1元，净资产大于股本部分计入资本公积。
2009年 11月 13日，思比科召开创立大会暨第一次股东大会，全体股东一致审议通过《关于设立北京思比科微电子技术股份有限公司的议案》等与股份公司设立相关的议案，通过了股份公司章程并选举了董事、股东代表监事。
根据北京永拓会计师事务所有限责任公司 2009年 11月 13日出具的《验资报告》（京永验字（2009）第21006号），思比科注册资本500万元已缴纳完毕。
2009年12月1日，思比科就本次整体变更办理完毕工商变更登记手续。
本次整体变更完成后，思比科股权结构如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|出资方式|
|1|视信源|3,800,000|76.00|净资产折股|
|2|陈 杰|355,000|7.10|净资产折股|
|3|刘鸿飞|200,000|4.00|净资产折股|
|4|金湘亮|150,000|3.00|净资产折股|
|5|李 泽|100,000|2.00|净资产折股|
|6|张 中|100,000|2.00|净资产折股|
|7|陈黎明|100,000|2.00|净资产折股|
|8|吴南健|100,000|2.00|净资产折股|
|9|刘志碧|95,000|1.90|净资产折股|
|合计||5,000,000|100.00||

6、2011年6月，增加注册资本至 672.043万元
2011年3月11日，思比科召开2011年第一次临时股东大会，审议通过《关于公司增加注册资本的议案》、《北京思比科微电子技术股份有限公司章程修正案》，同意注册资本由 500万元增加至 672.04万元，新增注册资本由新股东中和春生等8名新股东认购，并同意根据本次增资情况修改公司章程相应条款。
本次新增172.04万元出资的认购情况具体如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||认购主体|认购新增股份数（股）||认购价款（万元）||每股价格（元/股）|
|1||中和春生|322,581||1,200.00||37.20|
|2||鏖鼎合伙|268,817||1,000.00||37.20|
|3||山西TCL|268,817||1,000.00||37.20|
|4||中科物联|268,817||1,000.00||37.20|
|5||周 庆|228,495||850.00||37.20|
|6||中关村集团|134,409||500.00||37.20|
|7||中海创业|134,408||500.00||37.20|
|8||夏信高|94,086||350.00||37.20|
||合计|||1,720,430||6,400.00||

根据北京润发会计师事务所有限公司 2011年5月18日出具的《验资报告》（润发验字[2011]第2002号），截至2011年4月20日，思比科变更后的注册资本为672.04万元，实收资本为672.04万元。
2011年6月29日，思比科就本次增资办理完毕工商变更登记手续。
本次增资完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|3,800,000|56.54|
|2|陈 杰|355,000|5.28|
|3|中和春生|322,581|4.80|
|4|鏖鼎合伙|268,817|4.00|
|5|山西TCL|268,817|4.00|
|6|中科物联|268,817|4.00|
|7|周 庆|228,495|3.40|
|8|刘鸿飞|200,000|2.98|
|9|金湘亮|150,000|2.23|
|10|中关村集团|134,409|2.00|
|11|中海创业|134,408|2.00|
|12|李 泽|100,000|1.49|
|13|张 中|100,000|1.49|
|14|陈黎明|100,000|1.49|
|15|吴南健|100,000|1.49|
|16|刘志碧|95,000|1.41|
|17|夏信高|94,086|1.40|
|合计||6,720,430|100.00|

7、2011年11月，股权转让
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2011年8月29日，陈黎明与中海丰润签署《股份转让协议书》，约定陈黎明将其所持思比科18,817股股份以7万元（37.20元/股）转让给中海丰润。
2011年 9月 6日，陈黎明与高健签署《股份转让协议书》，约定陈黎明将其所持思比科81,183股股份以302万元（37.20元/股）转让给高健。
同日，金湘亮与高健签署《股份转让协议书》，约定金湘亮将其所持思比科150,000股股份以558万元（37.20元/股）转让给高健。
本次股权转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|3,800,000|56.54|
|2|陈 杰|355,000|5.28|
|3|中和春生|322,581|4.80|
|4|鏖鼎合伙|268,817|4.00|
|5|山西TCL|268,817|4.00|
|6|中科物联|268,817|4.00|
|7|高 健|231,183|3.44|
|8|周 庆|228,495|3.40|
|9|刘鸿飞|200,000|2.98|
|10|中关村集团|134,409|2.00|
|11|中海创业|134,408|2.00|
|12|李 泽|100,000|1.49|
|13|张 中|100,000|1.49|
|14|吴南健|100,000|1.49|
|15|刘志碧|95,000|1.41|
|16|夏信高|94,086|1.40|
|17|中海丰润|18,817|0.28|
|合计||6,720,430|100.00|

8、2012年1月，股权转让
2011年12月29日，李泽、张中分别与嘉庆投资签署《股份转让协议书》，约定李泽、张中分别将其所持思比科 100,000股股份、100,000股股份以 372万元、372万元的价格（37.20元/股）转让给嘉庆投资。
本次股权转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|3,800,000|56.54|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|2|陈 杰|355,000|5.28|
|3|中和春生|322,581|4.80|
|4|鏖鼎合伙|268,817|4.00|
|5|山西TCL|268,817|4.00|
|6|中科物联|268,817|4.00|
|7|高 健|231,183|3.44|
|8|周 庆|228,495|3.40|
|9|刘鸿飞|200,000|2.98|
|10|嘉庆投资|200,000|2.98|
|11|中关村集团|134,409|2.00|
|12|中海创业|134,408|2.00|
|13|吴南健|100,000|1.49|
|14|刘志碧|95,000|1.41|
|15|夏信高|94,086|1.40|
|16|中海丰润|18,817|0.28|
|合计||6,720,430|100.00|

9、2012年7月，增加注册资本至 5,000万元
2012年1月20日，思比科召开2012年第一次临时股东大会，审议通过《关于以资本公积金转增股本的议案》，同意将思比科截至2011年9月30日的资本公积金6,433.83万元中的4,327.96万元按各股东的持股比例转增注册资本，思比科注册资本由672.04万元增加至5,000.00万元。
根据北京润发会计师事务所有限公司 2012年1月20日出具的《验资报告》（润发验字[2012]第 2001号），截至 2012年 1月 20日，思比科变更后的注册资本为5,000.00万元，实收资本为 5,000.00万元。
2012年7月13日，思比科就本次增资办理完毕工商变更登记手续。
本次增资完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|56.54|
|2|陈 杰|2,641,200|5.28|
|3|中和春生|2,400,003|4.80|
|4|鏖鼎合伙|1,999,999|4.00|
|5|山西TCL|1,999,999|4.00|
|6|中科物联|1,999,999|4.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|7|高 健|1,720,001|3.44|
|8|周 庆|1,700,003|3.40|
|9|刘鸿飞|1,488,000|2.98|
|10|嘉庆投资|1,488,000|2.98|
|11|中关村集团|999,999|2.00|
|12|中海创业|999,999|2.00|
|13|吴南健|744,000|1.49|
|14|刘志碧|706,800|1.41|
|15|夏信高|700,000|1.40|
|16|中海丰润|139,998|0.28|
|合计||50,000,000|100.00|

10、2013年4月，股权转让
2012年 12月 22日，刘鸿飞与民生商联签署《股份转让协议书》，约定刘鸿飞将其所持思比科 750,000股以 375万元转让给民生商联，转让价格为 5元/股。
2012年12月24日，刘鸿飞分别与龙琨、中和春生签署《股份转让协议书》，约定刘鸿飞将其所持思比科 538,000股和 200,000股分别以 269万元、100万元的价格转让给龙琨和中和春生，转让价格均为5元/股。
2013年1月14日，思比科召开2013年第一次临时股东大会，审议通过《北京思比科微电子技术股份有限公司章程修正案》，同意根据上述股份转让事项相应修改公司章程。
2013年4月11日，思比科就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
本次股权转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|56.54|
|2|陈 杰|2,641,200|5.28|
|3|中和春生|2,600,003|5.20|
|4|鏖鼎合伙|1,999,999|4.00|
|5|山西TCL|1,999,999|4.00|
|6|中科物联|1,999,999|4.00|
|7|高 健|1,720,001|3.44|
|8|周 庆|1,700,003|3.40|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|9|嘉庆投资|1,488,000|2.98|
|10|中关村集团|999,999|2.00|
|11|中海创业|999,999|2.00|
|12|民生商联|750,000|1.50|
|13|吴南健|744,000|1.49|
|14|刘志碧|706,800|1.41|
|15|夏信高|700,000|1.40|
|16|龙 琨|538,000|1.08|
|17|中海丰润|139,998|0.28|
|合计||50,000,000|100.00|

11、2013年5月，股权转让
2012年 12月 28日，鏖鼎合伙与民生商联签署《关于转让思比科股份之股份转让协议书》，约定鏖鼎合伙将其所持思比科1,000,000股股份以640万元（6.40元/股）转让给民生商联。
本次股权转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|56.54|
|2|陈 杰|2,641,200|5.28|
|3|中和春生|2,600,003|5.20|
|4|山西TCL|1,999,999|4.00|
|5|中科物联|1,999,999|4.00|
|6|民生商联|1,750,000|3.50|
|7|高 健|1,720,001|3.44|
|8|周 庆|1,700,003|3.40|
|9|嘉庆投资|1,488,000|2.98|
|10|鏖鼎合伙|999,999|2.00|
|11|中关村集团|999,999|2.00|
|12|中海创业|999,999|2.00|
|13|吴南健|744,000|1.49|
|14|刘志碧|706,800|1.41|
|15|夏信高|700,000|1.40|
|16|龙 琨|538,000|1.08|
|17|中海丰润|139,998|0.28|
|合计||50,000,000|100.00|

12、2013年 11月，股权转让
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2013年9月30日，中关村管委会出具《关于中关村发展集团对参股企业思比科公司股权处置方案的批复》（中科园发[2013]37号），同意中关村集团将其所持思比科股份转让给中关村创投。
同日，中关村集团与中关村创投签署《股份转让协议》，约定中关村集团将其所持思比科999,999股股份以750万元（7.50元/股）转让给中关村创投。
本次股权转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|56.54|
|2|陈 杰|2,641,200|5.28|
|3|中和春生|2,600,003|5.20|
|4|山西TCL|1,999,999|4.00|
|5|中科物联|1,999,999|4.00|
|6|民生商联|1,750,000|3.50|
|7|高 健|1,720,001|3.44|
|8|周 庆|1,700,003|3.40|
|9|嘉庆投资|1,488,000|2.98|
|10|鏖鼎合伙|999,999|2.00|
|11|中关村创投|999,999|2.00|
|12|中海创业|999,999|2.00|
|13|吴南健|744,000|1.49|
|14|刘志碧|706,800|1.41|
|15|夏信高|700,000|1.40|
|16|龙 琨|538,000|1.08|
|17|中海丰润|139,998|0.28|
|合计||50,000,000|100.00|

13、2014年2月，股权转让
2013年 12月 10日，陈杰和中和春生签署《股份转让协议书》，约定陈杰将其所持思比科股份632,000股以568.80万元（9元/股）转让给中和春生。
本次股权转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|56.54|
|2|中和春生|3,232,003|6.46|
|3|陈 杰|2,009,200|4.02|
|4|山西TCL|1,999,999|4.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|5|中科物联|1,999,999|4.00|
|6|民生商联|1,750,000|3.50|
|7|高 健|1,720,001|3.44|
|8|周 庆|1,700,003|3.40|
|9|嘉庆投资|1,488,000|2.98|
|10|鏖鼎合伙|999,999|2.00|
|11|中关村创投|999,999|2.00|
|12|中海创业|999,999|2.00|
|13|吴南健|744,000|1.49|
|14|刘志碧|706,800|1.41|
|15|夏信高|700,000|1.40|
|16|龙 琨|538,000|1.08|
|17|中海丰润|139,998|0.28|
|合计||50,000,000|100.00|

14、2015年6月，增加注册资本至 5,250万元
2015年3月5日，思比科召开2015年第二次临时股东大会，审议通过《修改北京思比科微电子技术股份有限公司章程的议案》，同意思比科注册资本由5,000万元增加至5,250万元。新增的250万元注册资本全部由南昌南芯以 2,250万元认购（9元/股），其中 250万元记入注册资本，2,000万元记入资本公积。
根据北京顺永会计师事务所（普通合伙）2015年5月29日出具的《验资报告》（京顺永验字（2015）第 0035号），截至 2015年 4月 21日，思比科已收到南昌南芯缴纳的投资款 2,250万元，其中 250万元记入注册资本，2,000万元记入资本公积金，全部为货币出资。
本次增资完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|53.85|
|2|中和春生|3,232,003|6.16|
|3|南昌南芯|2,500,000|4.76|
|4|陈 杰|2,009,200|3.83|
|5|山西TCL|1,999,999|3.81|
|6|中科物联|1,999,999|3.81|
|7|民生商联|1,750,000|3.33|
|8|高 健|1,720,001|3.28|
|9|周 庆|1,700,003|3.24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|10|嘉庆投资|1,488,000|2.83|
|11|鏖鼎合伙|999,999|1.90|
|12|中关村创投|999,999|1.90|
|13|中海创业|999,999|1.90|
|14|吴南健|744,000|1.42|
|15|刘志碧|706,800|1.35|
|16|夏信高|700,000|1.33|
|17|龙 琨|538,000|1.03|
|18|中海丰润|139,998|0.27|
|合计||52,500,000|100.00|

15、2015年8月，在股转系统挂牌
2015年 4月 22日，思比科召开 2015年第三次临时股东大会审议通过《关于公司股票在全国中小企业股份转让系统挂牌并采取协议方式公开转让的议案》等议案。
2015年7月23日，思比科取得股转系统关于同意思比科股票挂牌的函，同意思比科股票挂牌，证券简称为―思比科‖，证券代码为833220，转让方式为协议转让。
2015年8月10日，思比科正式在股转系统挂牌并公开转让。
16、2016年5月，股权转让
2016年5月17日，周庆、嘉庆投资、中和春生分别与北京博融签署《股份转让协议》，约定周庆将其所持思比科 1,700,003股股份以1,942.86万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定嘉庆投资将其所持1,488,000股股份以1,700.57万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定中和春生将其所持思比科 3,232,003股份以3,693.72万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成本次股份转让的交割。
上述股份转让于2016年5月26日通过股转系统以协议转让方式完成，合计6,420,006股，占思比科股本的12.23%。
本次股份转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|53.85|
|2|北京博融|6,420,006|12.23|
|3|南昌南芯|2,500,000|4.76|
|4|陈 杰|2,009,200|3.83|
|5|山西TCL|1,999,999|3.81|
|6|中科物联|1,999,999|3.81|
|7|民生商联|1,750,000|3.33|
|8|高 健|1,720,001|3.28|
|9|鏖鼎合伙|999,999|1.90|
|10|中关村创投|999,999|1.90|
|11|中海创业|999,999|1.90|
|12|吴南健|744,000|1.42|
|13|刘志碧|706,800|1.35|
|14|夏信高|700,000|1.33|
|15|龙 琨|538,000|1.03|
|16|中海丰润|139,998|0.27|
|合计||52,500,000|100.00|

17、2016年5月，股权转让
2016年5月17日，龙琨、夏信高、高健分别与北京博融签署《股份转让协议》，约定龙琨将其所持思比科538,000股股份以614.86万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定夏信高将其所持思比科700,000股股份以800.00万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定高健将其所持思比科 1,720,001股股份以 1,965.72万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成本次股权转让的交割。
上述股份转让于2016年5月31日通过股转系统以协议转让方式完成，合计2,958,001股，占思比科股本的5.63%。
本次股份转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|53.85|
|2|北京博融|9,378,007|17.86|
|3|南昌南芯|2,500,000|4.76|
|4|陈 杰|2,009,200|3.83|
|5|山西TCL|1,999,999|3.81|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|6|中科物联|1,999,999|3.81|
|7|民生商联|1,750,000|3.33|
|8|鏖鼎合伙|999,999|1.90|
|9|中关村创投|999,999|1.90|
|10|中海创业|999,999|1.90|
|11|吴南健|744,000|1.42|
|12|刘志碧|706,800|1.35|
|13|中海丰润|139,998|0.27|
|合计||52,500,000|100.00|

18、2016年6月，股权转让
2016年5月17日，民生商联、鏖鼎合伙分别与北京博融签署《股份转让协议》，约定民生商联将其所持思比科 1,750,000股股份以 2,000万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定鏖鼎合伙将其所持思比科 999,999股股份以 1,142.86万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成本次股权转让的交割。
上述股份转让于 2016年 6月 3日通过股转系统以协议转让方式完成，合计2,749,999股，占思比科股本的5.24%。
本次股份转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|53.85|
|2|北京博融|12,128,006|23.10|
|3|南昌南芯|2,500,000|4.76|
|4|陈 杰|2,009,200|3.83|
|5|山西TCL|1,999,999|3.81|
|6|中科物联|1,999,999|3.81|
|7|中关村创投|999,999|1.90|
|8|中海创业|999,999|1.90|
|9|吴南健|744,000|1.42|
|10|刘志碧|706,800|1.35|
|11|中海丰润|139,998|0.27|
|合计||52,500,000|100.00|

19、2016年6月，股权转让
2016年6月17日，中海创业、中海丰润分别与北京博融签署《股份转让协
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）议》，约定中海创业将其所持思比科 999,999股股份以 1,142.86万元（11.43元/股）的价格转让给北京博融；约定中海丰润将其所持思比科139,998股股份以 160万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成本次股权转让的交割。
上述股份转让于2016年6月22日通过股转系统以协议转让方式完成，合计1,139,997股，占思比科股本的2.17%。
本次股份转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|53.85|
|2|北京博融|13,268,003|25.27|
|3|南昌南芯|2,500,000|4.76|
|4|陈 杰|2,009,200|3.83|
|5|山西TCL|1,999,999|3.81|
|6|中科物联|1,999,999|3.81|
|7|中关村创投|999,999|1.90|
|8|吴南健|744,000|1.42|
|9|刘志碧|706,800|1.35|
|合计||52,500,000|100.00|

20、2018年4月，股权转让
2018年3月22日，中科物联与华清博广签署《股份转让协议》，约定中科物联将其所持思比科 1,999,999股股份以 2,285.71万元（11.43元/股）转让给华清博广；通过股转系统完成本次股权转让的交割。
2018年4月17日，中国科学院微电子研究所出具《关于同意江苏中科物联网科技创业投资有限公司转让北京思比科微电子技术股份有限公司 1,999,999股股份的批复》，同意中科物联通过股转系统以协议转让方式将其所持思比科1,999,999股股份转让给华清博广，转让对接为 11.43元/股。
上述《股权转让协议》执行过程中，中科物联在股转系统申报转出的思比科股份中的1,000股被自然人钱祥丰收购。因此，中科物联与华清博广实际成交的思比科股份数量比双方协议约定的转让股份数量少1,000股，为1,998,999股。
上述股份转让于 2018年 4月 20日通过股转系统完成，合计 1,999,999股，
占思比科股本的3.81%。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次股权转让完成后，思比科股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|持股数量（股）|持股比例（%）|
|1|视信源|28,272,000|53.85|
|2|北京博融|13,268,003|25.27|
|3|南昌南芯|2,500,000|4.76|
|4|陈 杰|2,009,200|3.83|
|5|山西TCL|1,999,999|3.81|
|6|华清博广|1,998,999|3.81|
|7|中关村创投|999,999|1.91|
|8|吴南健|744,000|1.42|
|9|刘志碧|706,800|1.35|
|10|钱祥丰|1,000|0.002|
|合计||52,500,000|100.00|

（四）思比科股权结构及控制关系情况
1、股权结构图及控制关系
思比科控股股东为视信源，视信源持有思比科53.85%的股份。
视信源基本情况见本节―四、交易标的之视信源‖之―（一）视信源基本情况‖。
陈杰直接持有思比科3.83%股份，持有视信源45.85%股权，直接或间接合
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）计控制思比科57.68%股权，为思比科实际控制人。
陈杰基本情况见本报告书―第三节交易对方基本情况‖之―三、思比科交易对方基本情况‖之―（三）陈杰‖。
2、思比科公司章程中可能对本次交易产生影响的主要内容或相关投资协议思比科公司章程中不存在可能对本次交易产生影响的主要内容或相关投资协议。
3、是否存在影响该资产独立性的协议或其他安排
截至本报告书签署日，思比科不存在影响其资产独立性的协议或其他安排。
4、原高级管理人员的安排
本次重组后，思比科的总经理、副总经理、财务负责人等高级管理人员将由改组后的董事会继续聘用。
（五）思比科主要下属公司情况
截至本报告书签署日，思比科主要下属公司共3家，具体情况如下：
1、太仓思比科微电子技术有限公司
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|公司全称|太仓思比科微电子技术有限公司|
|公司类型|有限责任公司（法人独资）|
|成立日期|2012年5月15日|
|注册资本|1,500万元|
|法定代表人|陈杰|
|注册地址|太仓市科教新城健雄路20号|
|统一社会信用代码|913205855956296751|
|主营业务|微电子技术开发、技术咨询、技术服务；经销电子产品；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|思比科持股100%|

2、天津安泰微电子技术有限公司
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|公司全称|天津安泰微电子技术有限公司|
|公司类型|有限责任公司（法人独资）|
|成立日期|2013年7月31日|

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|注册资本|1,000万元|
|法定代表人|陈杰|
|注册地址|天津空港经济区西四道168号融和广场1-2-502|
|统一社会信用代码|9112011807314120XR|
|主营业务|车载传感器芯片开发、销售；电子产品的技术开发、技术推广、技术转让、技术咨询、技术服务；计算机软件及辅助设备、电子产品的批发兼零售（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）|
|股权结构|思比科持股100%|

3、深圳印象认知技术有限公司
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|公司全称|深圳印象认知技术有限公司|
|公司类型|有限责任公司|
|成立日期|2013年7月18日|
|注册资本|1,235.0098万元|
|法定代表人|王曙光|
|注册地址|深圳市南山区西丽街道高新技术产业园区北区清华信息港科研楼 8层808-1室|
|统一社会信用代码|91440300074389020E|
|股权结构|思比科持股1%|

（六）思比科主要资产的权属状况、对外担保情况及主要负债、或有负债情况
1、主要资产情况
（1）概况
截至 2018年 7月 31日，思比科资产总额为 27,170.75万元，其中流动资产 24,132.36万元，非流动资产 3,038.39万元。主要固定资产为太仓思比科的测试设备。
（2）主要固定资产
截至2018年7月31日，思比科无自有房产，生产办公所用房产均为租赁取得，具体如下：
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|序号|出租方名称|租赁方|坐落|面积（㎡）|期限|
|1|北京中关村国际孵化器有限公司|思比科|北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室|804.52|2018.10.15-2019.4.14|
|2|创维集团科技园管理有限公司|思比科深圳分公司|深圳市南山区高新南一道008号创维大厦A座606室|624.77|2018.1.1-2019.5.31|

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|序号|出租方名称|租赁方|坐落|面积（㎡）|期限|
|3|周国球|太仓思比科|太仓市东仓花园5幢501|87.23|2017.9.16-2018.9.15|
|4|崔玉玉|太仓思比科|太仓市利民花园一期8幢702室|145|2017.9.18-2018.9.17|
|5|顾寿文|太仓思比科|太仓市群星花园25#404|—|2017.12.9-2018.12.8|
|6|太仓兰博资产管理有限公司|太仓思比科|太仓市健雄路20号（太仓大学科技园7号楼5F&8号楼5F/6F）|1,088|2018.1.1-2018.12.31|
|7|太仓兰博资产管理有限公司|太仓思比科|太仓市健雄路20号（太仓大学科技园7号楼303）|101|2018.1.1-2018.12.31|
|8|太仓兰博资产管理有限公司|太仓思比科|太仓市健雄路20号（太仓大学科技园8号楼4F）|634|2018.1.1-2018.12.31|
|9|周文忠|太仓思比科|太仓市东仓花园10幢606|—|2018.2.24-2019.2.24|
|10|钱君智、奚文龙|太仓思比科|太仓市城厢镇惠阳二村79幢404室|136|2018.3.15-2019.3.14|
|11|顾建林|太仓思比科|太仓市东仓花园6幢305室|87|2018.5.4-2019.5.3|
|12|太仓兰博资产管理有限公司|太仓思比科|太仓市健雄路20号（太仓大学科技园7号楼4F）|430|2018.5.15-2018.12.31|
|13|骆建军|太仓思比科|太仓市漕湖花园8区23幢304室|—|2018.5.27-2018.11.26|
|14|王健秋|太仓思比科|太仓市东仓花园三期24幢306室|85|2018.2.1-2019.2.1|
|15|天津万顺滨海房地产开发有限公司|天津安泰|天津市空港经济区西四道168号融和广场1-2-502|421.58|2017.12.15-2018.12.14|

注1：思比科与北京中关村国际孵化器有限公司已签署新《中关村国际孵化园房屋租赁协议》，约定自2018年10月15日起，不再租赁北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层206室，续租原合同中北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室至2019年4月14日，面积804.52平方米，原租赁合同终止。
注2：思比科与创维集团科技园管理有限公司已签署《创维大厦租赁合同（协议）解除协议书》，约定自2018年9月25日起，原租赁合同终止。
（3）无形资产
截至2018年7月31日，思比科无形资产主要包括专利、商标、软件著作权等，具体情况如下：
①专利
截至2018年7月31日，思比科取得的中国境内专利情况如下：
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|序号|专利权人|专利名称|专利性质|申请号|申请日|授权公告日|
|1|思比科|分段线性的模数转换器|发明专利|ZL200510055259.7|2005.3.17|2009.5.27|
|2|思比科|低噪声相关双取样电路|发明专利|ZL200510055260.X|2005.3.17|2008.11.12|

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|序号|专利权人|专利名称|专利性质|申请号|申请日|授权公告日|
|3|思比科|CMOS图像传感器|发明专利|ZL200510055379.7|2005.3.18|2009.4.15|
|4|思比科|一种镜头成像补偿的方法|发明专利|ZL 200610058454.X|2006.3.24|2008.9.3|
|5|思比科|一种实现动态图像处理的方法和装置|发明专利|ZL200710099328.3|2007.5.16|2010.6.2|
|6|思比科|一种图像处理的装置及方法|发明专利|ZL200710099401.7|2007.5.18|2011.8.17|
|7|思比科|一种数字图像中斑点域的定位方法|发明专利|ZL 200910076661.1|2009.1.13|2011.8.17|
|8|思比科|CMOS图像传感器电路结构及其制作方法|发明专利|ZL200910083525.5|2009.5.8|2012.5.9|
|9|思比科|基于深度检测的身体识别控制装置|发明专利|ZL201010033777.X|2010.1.13|2011.12.28|
|10|思比科|时钟信号检测装置|发明专利|ZL201010199681.0|2010.6.8|2012.5.30|
|11|思比科|图像传感器及图像传感器的上电自复位方法|发明专利|ZL201010245438.8|2010.8.4|2012.12.26|
|12|思比科|CMOS图像传感器像素采样方法|发明专利|ZL201010264320.X|2010.8.26|2012.9.12|
|13|思比科|CMOS图像传感器像素读出电路结构及像素结构|发明专利|ZL201110053326.7|2011.3.4|2013.1.16|
|14|思比科|CMOS图像传感器像素及其控制时序|发明专利|ZL201110095448.2|2011.4.15|2013.9.11|
|15|思比科|晶圆测试方法及装置|发明专利|ZL201110189997.6|2011.7.7|2013.4.24|
|16|思比科|一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法|发明专利|ZL201210018146.X|2012.1.19|2014.9.17|
|17|思比科|具有采样控制功能的图像传感器及采样方法|发明专利|ZL201210043923.6|2012.2.24|2014.4.2|
|18|思比科|具有采样控制功能的图像传感器、多图像传感器系统及工作方法|发明专利|ZL201210044918.7|2012.2.24|2014.6.25|
|19|思比科|CMOS图像传感器像素及其控制时序|发明专利|ZL201210047503.5|2012.2.27|2014.9.24|
|20|思比科|图像传感器镜头的制造方法|发明专利|ZL201210177226.X|2012.5.31|2015.2.25|
|21|思比科|CMOS图像传感器列共享像素单元及像素阵列|发明专利|ZL201210359361.6|2012.9.24|2015.9.2|
|22|思比科|CMOS图像传感器列共享2×2像素单元及像素阵列|发明专利|ZL201210359828.7|2012.9.24|2015.9.16|
|23|思比科|CMOS图像传感器的有源像素及CMOS图像传感器|发明专利|ZL201310092489.5|2013.3.21|2017.6.6|

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|序号|专利权人|专利名称|专利性质|申请号|申请日|授权公告日|
|24|思比科|CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器|发明专利|ZL201310092493.1|2013.3.21|2015.11.18|
|25|思比科|CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器|发明专利|ZL201310092561.4|2013.3.21|2016.1.27|
|26|思比科|CMOS图像传感器的像素单元组及CMOS图像传感器|发明专利|ZL201310092571.8|2013.3.21|2015.10.21|
|27|思比科|具有可变转换增益的图像传感器有源像素及图像传感器|发明专利|ZL201310092576.0|2013.3.21|2016.8.31|
|28|思比科|一种CMOS图像传感器及其制造方法|发明专利|ZL201310104808.X|2013.3.28|2016.5.4|
|29|思比科|一种CMOS图像传感器|发明专利|ZL201310182017.9|2013.5.16|2016.4.20|
|30|思比科|一种高动态范围的图像传感器|发明专利|ZL201310204570.8|2013.5.28|2016.6.29|
|31|思比科|一种CMOS图像传感器的像素结构及该图像传感器|发明专利|ZL201310329255.8|2013.7.31|2016.8.17|
|32|思比科|一种CMOS图像传感器的像素结构及该图像传感器|发明专利|ZL201310329325.X|2013.7.31|2017.2.15|
|33|思比科|一种改善半导体芯片封装可靠性的结构及其制备方法|发明专利|ZL201310546187.0|2013.11.6|2017.4.5|
|34|思比科|一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法|发明专利|ZL201410098644.9|2014.3.17|2017.2.15|
|35|思比科|一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法|发明专利|ZL201410098876.4|2014.3.17|2017.1.4|
|36|思比科|高灵敏度CMOS图像传感器共享型像素结构|发明专利|ZL201410183461.7|2014.4.30|2017.3.15|
|37|思比科|漂浮节点具有可变电容的源像像素及图像传感器|发明专利|ZL201410256452.6|2014.6.10|2017.2.8|
|38|思比科|有源像素及图像传感器及其控制时序|发明专利|ZL201410262327.6|2014.6.12|2018.3.27|
|39|思比科|图像传感器及其像素及其工作方法|发明专利|ZL201410268562.4|2014.6.16|2017.1.11|
|40|思比科|一种提高阱容量的图像传感器像素及其制作方法|发明专利|ZL201410403947.7|2014.8.15|2018.3.27|
|41|思比科|一种CMOS图像传感器的制造方法|发明专利|ZL201410404715.3|2014.8.15|2017.11.10|
|42|思比科|防止图像弥散的图像传感器及其制作方法|发明专利|ZL201410404748.8|2014.8.15|2017.2.15|

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|序号|专利权人|专利名称|专利性质|申请号|申请日|授权公告日|
|43|思比科|非线性CMOS图像传感器像素及其工作方法|发明专利|ZL201410406689.8|2014.8.18|2017.6.30|
|44|思比科|一种高灵敏度图像传感器像素结构及制作方法|发明专利|ZL201410406693.4|2014.8.18|2017.6.30|
|45|思比科|一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法|发明专利|ZL201410441377.0|2014.9.1|2017.6.9|
|46|思比科|一种背照式图像传感器像素及其制作方法|发明专利|ZL201410449040.4|2014.9.4|2017.8.8|
|47|思比科|高饱和容量的图像传感器像素及其工作方法|发明专利|ZL201410478914.9|2014.9.18|2017.2.15|
|48|思比科|芯片封装结构|发明专利|ZL201410509382.0|2014.9.28|2017.9.29|
|49|思比科|灵敏度自适应的图像传感器像素结构|发明专利|ZL201410543165.3|2014.10.14|2017.3.22|
|50|思比科|全局曝光方式的图像传感器像素结构及其工作方法|发明专利|ZL201410554303.8|2014.10.17|2017.5.24|
|51|思比科|全局曝光方式的图像传感器像素结构及其控制方法|发明专利|ZL201410554896.8|2014.10.17|2017.9.5|
|52|思比科|光学指纹传感器芯片封装玻璃光栅及其制作方法|发明专利|ZL201410589002.9|2014.10.28|2017.2.15|
|53|思比科|光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法|发明专利|ZL201410589027.9|2014.10.28|2016.8.31|
|54|思比科|CMOS图像传感器产品的带图案CP测试装置|发明专利|ZL201410589030.0|2014.10.28|2017.8.8|
|55|思比科|光学指纹传感器芯片模组光栅及其制作方法|发明专利|ZL201410589658.0|2014.10.28|2017.4.5|
|56|思比科|CMOS图像传感器双通道数据传输结构及方法|发明专利|ZL201410601539.2|2014.10.30|2018.1.2|
|57|思比科|一种实时改变图像绿色场景效果的方法|发明专利|ZL201410676103.X|2014.11.21|2016.8.17|
|58|思比科|一种lens shading自适应的处理方法|发明专利|ZL201410718357.3|2014.12.1|2016.9.28|
|59|思比科|一种Bayer图像的去噪方法|发明专利|ZL201410718360.5|2014.12.1|2017.2.22|
|60|思比科|一种快速准确的OTP编程控制方法|发明专利|ZL201410720337.X|2014.12.1|2018.4.27|
|61|思比科|基于CMOS图像传感器的图像轮廓锐化方法及系统|发明专利|ZL201410720346.9|2014.12.1|2017.10.27|
|62|思比科|一种图像传感器像素结构及其操作方法|发明专利|ZL201410765148.4|2014.12.11|2017.5.24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号|专利权人|专利名称|专利性质|申请号|申请日|授权公告日|
|63|思比科|高动态范围图像传感器像素结构及其操作方法|发明专利|ZL201410797654.1|2014.12.18|2017.11.21|
|64|思比科|有源像素结构及图像传感器|实用新型|ZL201420314334.1|2014.6.12|2014.12.31|
|65|思比科|一种CMOS图像传感器像素|实用新型|ZL201420463441.0|2014.8.15|2015.2.25|
|66|思比科|一种提高阱容量的图像传感器像素|实用新型|ZL201420464020.X|2014.8.15|2014.12.31|
|67|思比科|一种图像传感器|实用新型|ZL201420464227.7|2014.8.15|2014.12.10|
|68|思比科|一种高灵敏度图像传感器像素结构|实用新型|ZL201420467081.1|2014.8.18|2014.12.10|
|69|思比科|可变转换增益的图像传感器像素|实用新型|ZL201420482170.3|2014.8.25|2014.12.17|
|70|思比科|改良黑电平校准的图像传感器|实用新型|ZL201420507179.5|2014.9.3|2015.1.7|
|71|思比科|一种背照式图像传感器像素结构|实用新型|ZL201420508898.9|2014.9.4|2015.2.25|
|72|思比科|一种CMOS图像传感器像素结构|实用新型|ZL201420635775.1|2014.10.29|2015.2.4|
|73|思比科|CMOS图像传感器双通道数据传输结构|实用新型|ZL201420642210.6|2014.10.30|2015.2.25|
|74|思比科|提高饱和容量的背照式图像传感器结构|实用新型|ZL201420709498.4|2014.11.21|2015.2.25|
|75|思比科|扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构|实用新型|ZL201420753014.6|2014.12.3|2015.3.18|
|76|思比科|高动态范围图像传感器像素结构|实用新型|ZL201420813868.9|2014.12.18|2015.4.8|
|77|思比科|一种图像传感器微透镜结构|实用新型|ZL201420831425.2|2014.12.23|2015.4.15|
|78|思比科|无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构|实用新型|ZL201420854026.8|2014.12.29|2015.4.22|
|79|思比科/中天信安|一种面向终端设备提供安全支付功能的系统|实用新型|ZL201520782952.3|2015.10.10|2015.12.23|
|80|思比科|一种传输空穴的图像传感器像素结构|实用新型|ZL201620854503.X|2016.8.8|2017.2.8|
|81|太仓思比科|一种CMOS图像芯片测试方法|发明专利|ZL201310586530.4|2013.11.20|2016.2.24|
|82|太仓思比科|一种可视化芯片挑晶机气压检测系统|发明专利|ZL201310589245.8|2013.11.20|2016.1.27|
|83|太仓思比科|一种可视化芯片挑晶机气压检测方法|发明专利|ZL201310589363.9|2013.11.20|2015.12.9|
|84|太仓思比科|一种对CIS芯片的量产测试方法|发明专利|ZL201310590059.6|2013.11.20|2016.9.7|
|85|太仓思比科|一种应用于机器人监控模块的远程存储系统|发明专利|ZL201410460862.2|2014.9.11|2018.3.2|

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|序号|专利权人|专利名称|专利性质|申请号|申请日|授权公告日|
|86|太仓思比科|一种可视化真空载具|发明专利|ZL201410563963.2|2014.10.21|2016.7.6|
|87|太仓思比科|可视化自动空跳晶圆挑粒机及其操作方法|发明专利|ZL201510030066.X|2015.1.21|2018.3.2|
|88|太仓思比科|一种用于数字监控图像传感芯片的无线传输系统|实用新型|ZL201320739859.5|2013.11.20|2014.5.7|
|89|太仓思比科|一种用于小口径无缝钢管内层表面检测的系统|实用新型|ZL201420012368.5|2014.1.9|2014.9.10|
|90|太仓思比科|可视化红外光平整检测装置|实用新型|ZL201420453401.8|2014.8.12|2014.12.31|
|91|太仓思比科|一种带简易型号识别口的芯片托盘|实用新型|ZL201420519442.2|2014.9.11|2015.3.4|
|92|太仓思比科|一种应用于机器人监控模块的远程存储系|实用新型|ZL201420520548.4|2014.9.11|2015.10.7|
|93|太仓思比科|一种可视化真空载具|实用新型|ZL201420609574.4|2014.10.21|2015.3.11|
|94|太仓思比科|手动测试治具|实用新型|ZL201520025561.7|2015.1.14|2015.5.20|
|95|太仓思比科|可视化自动空跳晶圆挑粒机|实用新型|ZL201520042355.7|2015.1.21|2015.4.29|
|96|太仓思比科|一种手动单片机芯片测试装置|实用新型|ZL201620158775.6|2016.3.2|2016.7.27|
|97|太仓思比科|一种带红外对射计数功能的芯片测试工装|实用新型|ZL201721605073.9|2017.11.27|2018.7.13|
|98|天津安泰|一种有源像素、高动态范围图像传感器及操作有源像素的方法|发明专利|ZL201210479321.5|2012.11.22|2015.8.5|
|99|天津安泰|高动态图像传感器及其有源像素|发明专利|ZL201310016833.2|2013.1.16|2016.3.30|
|100|天津安泰|一种修正的CMOS图像传感器时序电路|实用新型|ZL201621463569.2|2016.12.29|2017.12.19|

注：上表中第65至73号专利截至2018年7月31日状态为―专利权维持‖，截至本报告书签署日，状态变更为等年费滞纳金；第4、5、6、7、64号专利截至2018年7月31日状态为―等年费滞纳金‖，其中第4、7号专利截至本报告书签署日处于―未缴年费权利终止‖状态。
根据思比科确认，拟放弃前述第4、5、6、7、64号专利，不再续费。
截至2018年7月31日，思比科取得的境外专利全部为日本专利，具体情况如下：
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|专利权人|专利名称|专利号|申请日|授权日|
|1|思比科|CMOS IMAGE SENSOR PIXELREADOUT CIRCUIT STRUCTURE ANDPIXEL STRUCTURE|特许第5735141号|2011.3.30|2015.4.24|
|2|思比科|CMOS IMAGE SENSOR PIXEL ANDCONTROLLING SEQUENCE THEREOF|特许第5650337号|2011.6.7|2014.11.21|
|3|思比科|CMOS IMAGE SENSOR PIXEL ANDCONTROLLING SEQUENCE THEREOF|特许第5735169号|2012.7.31|2015.4.24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②商标
截至2018年7月31日，思比科拥有的商标情况如下：
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|商标标识|核定使用类别|注册号|有效期|
|1|思比科||12|5822683|2019.9.27|
|2|思比科||9|5822536|2019.10.13|
|3|思比科||12|6481057|2020.5.13|
|4|思比科||9|6481058|2020.6.6|
|5|思比科||42|7919944|2021.2.13|
|6|思比科||12|7919918|2021.2.20|
|7|思比科||12|7919911|2021.5.6|
|8|思比科||12|7919905|2021.5.6|
|9|思比科||42|7923698|2021.5.20|
|10|思比科||9|7919678|2021.7.20|
|11|思比科||9|7919610|2021.7.20|
|12|思比科||42|7919950|2022.11.27|
|13|思比科||42|7919953|2022.11.27|
|14|思比科||42|7919941|2023.3.27|

③软件著作权
截至2018年7月31日，思比科拥有的软件著作权情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|软件著作权名称|登记号|首次发表日|
|1|思比科图像传感器FT测试应用软件V1.5.1.16|2012SR112807|2012.2.3|
|2|Image Proc 多功能图像采集分析软件|2018SR215024|2015.4.21|
|3|客户项目销售技术支持管理软件V1.0|2017SR120707|2016.3.1|
|4|SP_CIS_Test全功能图像IC生产测试软件V1.0|2018SR169461|2016.6.13|

④布图设计
截至2018年7月31日，思比科拥有的布图设计情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|权利人|布图设计登记号|布图设计名称|登记证书号|申请日|布图设计颁证日|
|1|天津安泰|BS.165514167|SP2328_pixel|第13323号|2016.7.11|2016.10.9|
|2|天津安泰|BS.165514183|SP2328|第13325号|2016.7.11|2016.10.9|
|3|天津安泰|BS.165514159|SP1409_pixel|第13322号|2016.7.11|2016.10.12|
|4|天津安泰|BS.165514175|SP1409|第13324号|2016.7.11|2016.10.12|

2、主要负债及或有负债情况
截至 2018年 7月 31日，思比科负债总额为 19,859.17万元，其中流动负债 19,812.85万元，主要包括短期借款、应付账款、预收款项、应付职工薪酬；非流动负债46.32万元。
3、资产抵押、质押、担保情况
截至本报告书签署日，除质押贷款的信用保证金外，思比科及其下属子公司不存在资产抵押、质押、担保的情况。
4、是否因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，是否受到行政处罚或者刑事处罚
截至本报告书签署日，思比科及其下属企业不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，不存在受到行政处罚或者刑事处罚的情形。
（七）行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策
思比科行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策情况见本报告书―第四节交易标的基本情况‖之―一、交易标的之北京豪威‖之―（七）行业主管部门、
监管体制、主要法律法规及政策‖。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（八）思比科主营业务情况
1、主营业务
思比科自成立以来一直从事集成电路设计业务，专注于研发应用于智能手机、平板电脑、可穿戴式设备、安防监控、智能汽车、无人机、机器人视觉、医疗影像、体感互动游戏等移动互联网、物联网、特种装备领域的 CMOS图像传感器设计以及整体解决方案研发和销售。
2、主要产品及用途
思比科的产品与美国豪威类似，均为 CMOS图像传感器，产品主要集中于 8万像素至800万像素的高性价比芯片。
思比科现有产品主要应用于智能手机，平板电脑等电子设备，具体情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|型号|分辨率|光学尺寸|像素尺寸|帧速率|封装格式|应用领域|
|SP0821|8万像素|1/15Inch|2.5um*2.5um|30fps|TSV|移动电话、平板电脑、笔记本电脑、PC摄像头、网络摄像头|
|SP0820|8万像素|1/15inch|2.8um*2.8um|30fps|TSV/COB|3G可视电话手机|
|SP0828|8万像素|1/15inch|2.8um*2.8um|30fps|TSV/COB|3G可视电话手机|
|SP0838|30万像素|1/8inch|2.8um*2.8um|30fps|TSV/COB|大屏手机电脑网络视频|
|SP0A09|30万像素|1/10inch|2.2um*2.2um|30fps|TSV|移动电话；笔记本电脑；PC摄像头；网络摄像头；玩具|
|SP0A19|30万像素|1/10inch|2.2um*2.2um|30fps|TSV/COB|超薄型手机电脑网络视频|
|SP0A20|30万像素|1/10inch|2.2um*2.2um|30fps|TSV/COB|超薄型手机电脑网络视频|
|SP0718|30万像素|1/7inch|3.2um*3.2um|30fps|TSV/COB|平板电脑电脑网络视频|
|SP0A38|30万像素|1/10inch|2.2um*2.2um|30fps|TSV/COB|智能手机电脑设备|
|SP140A|90万像素|1/4inch|3.0um*3.0um|30fps|CSP|安全监控、行车记录仪、视频会议、交通标志识别、视频监控|
|SP1409|90万像素|1/4inch|3.0um*3.0um|30fps|TSV|安全监控、行车记录仪、视频会议、交通标志识别、视频监控|
|SP2307|200万像素|1/2.7inch|3.0um*3.0um|30fps|CSP/PLCC/COB|安全监控、网络摄像头、高清模拟摄像头|
|SP2307V|200万像素|1/2.7inch|3.0um*3.0um|30fps|CSP/PLCC/COB|安全监控、网络摄像头、高清模拟摄像头|
|SP2508|200万像素|1/5inch|1.75um*1.75um|30fps|TSV/COB|智能手机电脑网络视频|
|SP2509|200万像素|1/5inch|1.75um*1.75um|30fps|TSV|移动电话；平板电脑；PSP；PC摄像头；网络摄像头|
|SP2519|200万像素|1/5inch|1.75um*1.75um|15fps|TSV/COB|智能手机电脑网络视频|
|SP2529|200万像素|1/5inch|1.75um*1.75um|15fps|TSV/COB|智能手机电脑网络视频|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|型号|分辨率|光学尺寸|像素尺寸|帧速率|封装格式|应用领域|
|SP2609|200万像素|1/6.5inch|1.4um*1.4um|30fps|CSP|移动电话；平板电脑；笔记本电脑；PC摄像头；网络摄像头|
|SP9250|200万像素|1/5inch|1.75um*1.75um|30fps|TSV|电子身份识别；门禁系统；安全信息识别；金融信息识别；军事虹膜识别|
|SP9260|200万像素|1/6.5inch|1.4um*1.4um|30fps|COB|电子身份识别；门禁系统；安全信息识别；金融信息识别；军事虹膜识别|
|SP540A|500万像素|1/4inch|1.4um*1.4um|20fps|TSV|移动电话；平板电脑；笔记本电脑；PC摄像头；网络摄像头|
|SP5509|500万像素|1/5inch|1.12um*1.12um|30fps|NeoPAC|移动电话摄像头；数码相机；PC摄像头；视频会议|
|SP9550|500万像素|1/4inch|1.4um*1.4um|25fps|TSV|电子身份识别；门禁系统；安全信息识别；金融信息识别；军事虹膜识别。|
|SP8407|800万像素|1/4inch|1.12um*1.12um|30fps|CSP|移动电话摄像头；平板电脑摄像头；PC摄像头；智能手机摄像头；网络摄像头|
|SP8409R|800万像素|1/4inch|1.12um*1.12um|30fps|CSP|移动电话摄像头；数码相机；PC摄像头；视频会议|

除上述应用领域之外，思比科在指纹识别、虹膜识别、医疗影像、测绘等高附加值特种传感器芯片方面的研发取得了一些创新成果。
（1）与合作伙伴合作，思比科研制成功了高精度光学式指纹识别传感器芯片和超薄型光学式指纹识别模组。该技术可提供更高的分辨率和活体特征，大幅度提高指纹识别的安全性。
（2）虹膜识别图像传感器芯片被合作伙伴用于虹膜识别手机、虹膜识别平板电脑和智能门锁等新产品之中。
（3）医疗内窥镜 CMOS图像传感器芯片应用于心血管微创手术和胃镜内窥镜等医疗设备。
（4）观测设备用 CMOS图像传感器芯片应用于国产观测设备。
（5）机器视觉芯片应用于点读笔、无人机悬停定位、工业测距等领域。
3、主营业务整体流程
思比科采用Fabless生产模式。思比科在业务上与传统的 Fabless模式不同，
保留了封装后的产品测试环节，主要是由于图像传感器的测试相比其他电子元器
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）件测试内容相对复杂，且性能指标及参数并不是检验产品合格的唯一标准。思比科在综合考虑成本等因素，保留了测试环节，由太仓思比科负责产品的最终测试。
手机摄像头通常由保护膜、镜头组、对焦马达、红外线滤光片、影像传感器（图像传感器）、线路连接基板组成，因此思比科的产品通常先进入摄像头模组厂商，再由模组厂商根据功能需求及性能差异，进入终端电子产品方案中。
思比科的主营业务流程图如下：
晶圆
封装厂
晶圆厂
芯片
设计数据文件
（采购订单）
最终消费者
4、主营业务经营模式
（1）采购模式
思比科采购的原材料，主要为晶圆、元器件、包装材料、研发测试设备及材料。晶圆采购全部为直接采购，少量仿真、研发用的元器件向经销商采购。
思比科的采购流程包括采购计划的制定、下发订单、支付款项、入库计测试等步骤，具体如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）①框架协议的签订
思比科与主要供应商（主要为封装及BSI技术的晶圆采购）签订框架协议，框架协议中不会约定采购数量及价格，仅会对其他条款进行约定。
②采购计划的制定
思比科根据销售部门对市场行情的预测及客户的Forecast制定生产计划，运营部门通过预测制定生产计划，确定未来所需晶圆及封装测试的数量。
③下发订单
运营部门根据生产计划以 Purchase Order的形式下发订单，在采购价格上，会根据市场情况与晶圆厂及封装厂进行议价。
④支付款项
在晶圆厂发货前支付全部款项，封装厂一般为月结30天。
⑤入库及测试
封装完毕后，产品交付测试工厂，测试合格后入库。
（2）生产模式
思比科采取 Fabless生产模式。外协加工厂商的加工费率主要根据封装厂的封装形式、封装材料、封装完成后测试环节费用决定。同时，思比科与外协厂商还会综合考虑平均加工价格及历史订单的外协费率等因素。
（3）销售模式
由于思比科规模不大，为防范经营风险，提高效率，采取―经销为主、直销为辅‖的销售策略。思比科每年与主要经销商签署代理协议，经销模式属于买断式。
5、报告期内业务经营情况
（1）主营业务收入构成
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项 目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|电子元器件|26,429.69|99.45|45,744.44|99.43|45,465.07|98.57|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|技术服务开发|147.29|0.55|264.49|0.57|660.35|1.43|
|合 计|26,576.98|100.00|46,008.93|100.00|46,125.42|100.00|

（2）报告期内主要产品的客户及销售价格的变动情况
思比科主要销售 CMOS图像传感器，主要客户群体均为经销商及模组厂商，其产品销售单价区间按主要产品类别分类情况如下：
单价：元/颗
||||||
|-|-|-|-|-|
|主要产品类别|主要客户群体|销售单价区间|||
|||2018年1-7月|2017年|2016年|
|手机|经销商、模组厂|0.31-7.44|0.41-9.09|0.56-9.09|
|监控||1.88-58|2.64-7.23|4.1-4.44|
|勘探||12.39-12.5|12.39-12.39|14.87-22.22|

就 CMOS图像传感器而言，在通常情况下：光学格式越大，传感器的尺寸则越大；传感器尺寸越大，售价越高。思比科所处的中低端 CMOS图像传感器市场竞争激烈，国内CMOS图像传感器设计公司自2016年就开始采取降价策略来获取中低端 CMOS图像传感器的市场份额，思比科为保留市场份额，也采取降价销售的策略。因此报告期内，思比科的产品整体呈现下降趋势。
（3）报告期内主要产品的产销情况
①报告期内主要产品的产量和销量
单位：万颗
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||产量|销量|产量|销量|产量|销量|
|手机|21,953.89|20,017.34|28,045.99|25,834.27|25,459.74|27,277.84|
|监控|887.36|320.38|223.08|230.06|76.96|45.20|
|勘探|6.16|4.92|7.58|7.78|3.87|4.05|
|其他|45.31|41.48|25.02|24.98|9.56|4.60|
|合计|22,892.72|20,384.12|28,301.67|26,097.09|25,550.13|27,331.69|

②报告期内主要产品期初及期末库存
单位：万颗
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||期初|期末|期初|期末|期初|期末|
|手机|6,753.04|8,689.59|4,541.32|6,753.04|6,359.42|4,541.32|
|监控|24.78|591.76|31.76|24.78|—|31.76|
|勘探|1.24|2.48|1.44|1.24|1.62|1.44|
|其他|10.54|14.37|10.50|10.54|5.54|10.50|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|合计|6,789.60|9,298.20|4,585.02|6,789.60|6,366.58|4,585.02|

（4）主要客户销售情况
报告期内，思比科前五大客户销售情况如下：
①2018年1-7月
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售比例（%）|是否为关联方|
|1|京鸿志物流北京豪威|13,119.84|49.37|否|
|2|深圳卓领科技股份有限公司Challenge Technology （Hong Kong） LimitedJoin Technology （HK） Limited|5,047.64|18.99|否|
|3|深圳市宏达薪创商贸有限公司Moring Star Enterprise Ltd.|1851.77|6.97|否|
|4|河北远东通信系统工程有限公司|907.79|3.42|否|
|5|深圳市力芯科技有限公司|701.05|2.64|否|
|合 计||21,628.09|81.39||

②2017年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售比例（%）|是否为关联方|
|1|深圳卓领科技股份有限公司Challenge Technology （Hong Kong） Limited|9,636.76|20.95|否|
|2|河北远东通信系统工程有限公司|8,019.08|17.43|否|
|3|上海蓝伯科电子科技有限公司Lampek Enterprises Development（HK）Ltd|7,269.23|15.80|否|
|4|深圳市力芯科技有限公司鼎芯科技（亚太）有限公司|7,038.76|15.30|否|
|5|京鸿志物流|4,738.44|10.30|否|
|合 计||36,702.27|79.77||

③2016年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|客户名称|销售金额（万元）|占当期销售比例（%）|是否为关联方|
|1|河北远东通信系统工程有限公司|13,302.36|28.84|否|
|2|上海蓝伯科电子科技有限公司Lampek Enterprises Development（HK）Ltd|9,867.62|21.39|否|
|3|深圳卓领科技股份有限公司Challenge Technology （Hong Kong） Limited|6,023.06|13.06|否|
|4|盛华朋睿科技（深圳）有限公司Full China International（HK）Limited|3,663.9|7.94|否|
|5|深圳市微高半导体科技有限公司|1,973.53|4.28|否|
|合 计||34,830.47|75.51||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）报告期内，思比科客户前五名不存在单个客户销售比例超过50%的情况。
思比科董事、监事、高级管理人员及核心技术人员，其他主要关联方或持有思比科5%以上股份的股东未在上述客户中持有权益。
6、主要原材料、能源的采购及供应情况
思比科与北京豪威同为 Fabless经营模式，在此经营模式下，思比科通过委托代工方式将晶圆生产、封装工序委托第三方晶圆代工厂、封装厂，自身专注于 CMOS图像传感器的设计及测试。
（1）思比科主要原材料和采购的服务
报告期内，思比科主要原材料及占各期主营业务成本的比例情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额|占比|金额|占比|金额|占比|
||（万元）|（%）|（万元）|（%）|（万元）|（%）|
|晶圆|18,288.23|74.72|29,381.11|72.61|27,246.28|69.27|
|封装、测试费|5,837.38|23.85|10,437.92|25.79|10,975.61|27.90|
|其他|349.09|1.43|645.96|1.60|1,112.74|2.83|
|合计|24,474.71|100.00|40,464.99|100.00|39,334.62|100.00|

（2）思比科能源供应情况
思比科不直接从事生产活动，不采购生产所需要的能源。
（3）报告期内向前五名供应商的采购情况
报告期内，思比科前五大供应商采购情况如下：
①2018年 1-7月
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期采购总额比例（%）|是否为关联方|
|1|Dongbu Hitek Co, Ltd|18,007.40|67.52|否|
|2|华天科技（昆山）电子有限公司|4,590.33|17.21|否|
|3|世平集团|1,115.43|4.18|否|
|4|SK Hynix|1,008.82|3.78|否|
|5|苏州科阳|985.98|3.70|否|
|合 计||25,707.96|96.39||

②2017年
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期采购总额比例（%）|是否为关联方|
|1|Dongbu Hitek Co, Ltd|25,430.22|54.07|否|
|2|华天科技（昆山）电子有限公司|9,302.27|19.78|否|
|3|北京豪威|5,904.93|12.56|否|
|4|苏州科阳|1,967.01|4.18|否|
|5|SK Hynix|1,560.64|3.32|否|
|合 计||44,165.07|93.91||

③2016年
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|供应商名称|采购金额（万元）|占当期采购总额比例（%）|是否为关联方|
|1|Dongbu Hitek Co, Ltd|22,083.32|55.14|否|
|2|华天科技（昆山）电子有限公司|4,654.39|11.62|否|
|3|北京豪威|4,355.12|10.87|否|
|4|苏州科阳|3,509.93|8.76|否|
|5|Toshiba Trading Incorporated|2,371.79|5.92|否|
|合 计||36,974.55|92.31||

2016年、2017年及2018年1-7月，思比科供应商前五名中，Dongbu Hitek Co,Ltd（以下简称―DONGBU‖）占当期采购总额比例分别为55.14%、54.07%和67.52%，作为生产晶圆的主要供应商，DONGBU在图像传感器芯片的加工工艺方面有近二十年的经验，曾经服务过多家国际著名图像传感器芯片设计公司，工艺品质居于国际先进行列，并且与思比科深度合作。
上述供应商中，苏州科阳光电科技有限公司（以下简称―苏州科阳‖）董事柳永胜曾经担任思比科监事，苏州科阳为思比科关联方。柳永胜于 2016年7月28日不再担任思比科监事，苏州科阳与思比科不再构成关联关系。
除此之外，思比科董事、监事、高级管理人员及核心技术人员，其他主要关联方或持有思比科5%以上股份的股东未在上述客户中持有权益。
7、安全生产及环境保护情况
（1）安全生产情况
思比科主要从事集成电路的设计，不涉及生产环节，相关生产环节通过委托加工的方式进行。
（2）环保情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）思比科经营不会产生废水、废气、废渣和噪音等，对环境不会产生污染。
8、质量控制情况
因思比科采用 Fabless的生产模式，主要产品均委托第三方进行代工，思比科对供应商有着较为严格的选取标准，思比科子公司太仓思比科获取了 ISO9001:2015质量体系认证证书。
在供应商管理方面，思比科制定了严格的《供应商申请与建立流程》、《Wafer采购作业流程》、《委外生产作业流程》等制度，对供应商进行了严格的管控，保障产品质量及品质。
9、产品的技术水平及研发情况
（1）思比科核心技术情况
思比科的核心技术均来源于自主研发，具体情况如下：
a.低SF管噪声像素技术
通过调节 SF管降低像素中 SF的噪声，减小像素RTS（电报噪声）。采用低SF管噪声像素技术后，RTS noise大幅度降低。
b.列ADC（模数转换器）架构
传统架构采用全局 ADC的方式，对于低分辨率低帧率图像传感器，该结构是低成本低功耗的解决方案。随着分辨率和帧率的提高，全局 ADC工作速率成倍增加，但global ADC的功耗，噪声，面积大幅增加。
全局ADC列ADC架构采用列并行读出方式，大幅降低了 ADC工作速率。
随着 ADC工作速率的降低，ADC消耗的功耗降低，减小了 ADC的读出噪声。
随着列 ADC的应用，减小了芯片面积，缩短的模拟信号的路径，进一步减小噪声。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）传统架构
列ADC架构
就 1/4英寸 5M产品为例，列 ADC1/4英寸 5M芯片相对传统芯片模拟电路面积减小35%，功耗减小35%，噪声减小52%。
c.高填充率像素
高填充率像素相对传统结构像素，填充系数可以提高30%，从而提高像素灵敏度。
传统结构像素 高填充率像素
d.背照式（BSI）图像传感器像素技术
对比1.4um像素BSI中心区域比FSI中心区域灵敏度高30%，BSI边缘区域比FSI边缘区域高50%，BSI像素中心与边缘的灵敏度差异更小，Crosstalk相对FSI提升。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）传统结构像素 高填充率像素
e.多核图像处理器 ISP处理技术
随着图像传感器分辨率和帧率的增加，传统单核图像处理器的时钟频率大幅增加，芯片的功耗也随之增加。为了满足高分辨高帧率的要求，开发多核图像处理器，四核图像处理器相对二核图像处理器功耗降低30%。
（2）研发投入情况
报告期内，思比科研发投入占营业收入比重情况如下：
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|研发投入金额（万元）|1,702.72|2,406.15|2,263.12|
|占营业收入比重（%）|6.41|5.23|4.91|

（九）思比科最近两年及一期主要财务数据及非经常性损益的构成情况
1、思比科主要财务数据
根据立信会计师出具的《审计报告》（信会师报字[2018]第ZA15938号），思比科最近两年及一期主要财务数据如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|24,132.36|21,497.10|21,149.56|
|非流动资产合计|3,038.39|2,678.18|2,445.67|
|资产总计|27,170.75|24,175.28|23,595.22|
|流动负债合计|19,812.85|14,327.08|12,447.40|
|非流动负债合计|46.32|52.45|197.38|
|负债合计|19,859.17|14,379.53|12,644.78|
|所有者权益合计|7,311.58|9,795.75|10,950.45|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业总收入|26,576.98|46,008.93|46,125.42|
|营业总成本|29,598.37|47,777.61|46,258.41|
|营业利润|-2,927.89|-1,479.74|-138.89|
|利润总额|-2,927.20|-1,493.17|157.63|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|净利润|-2,484.16|-1,154.70|240.90|
|扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润|-2,564.22|-1,420.92|-6.12|

2、思比科主要财务指标
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|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|资产负债率（%）|73.09%|59.48%|53.59%|
|流动比率|1.22|1.50|1.70|
|速动比率|0.30|0.40|0.78|
|息税折旧摊销前利润（万元）|-2,234.32|-492.35|1,458.50|
|利息保障倍数|-9.04|-4.67|1.47|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|总资产周转率（次/年）|1.04|1.93|1.95|
|应收账款周转率（次/年）|8.37|11.44|9.27|
|存货周转率（次/年）|1.16|2.61|6.08|

注：资产负债率=总负债/总资产
流动比率=流动资产/流动负债
速动比率=（流动资产-存货-其他流动资产）/流动负债
息税折旧摊销前利润=利润总额+财务费用+折旧+摊销
利息保障倍数=（利润总额+财务费用）/利息支出
应收账款周转率=2*营业收入/（期初应收账款账面余额+期末应收账款账面余额）
存货周转率=2*营业成本/（期初存货账面余额+期末存货账面余额）
总资产周转率=2*营业收入/（期初总资产+期末总资产）
2016年期初数默认与期末数相同
3、思比科非经常性损益情况
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|非流动资产处置损益|—|9.26|-5.90|
|计入当期损益的政府补助（与企业业务密切相关，按照国家统一标准定额或定量享受的政府补助除外）|93.49|279.67|294.98|
|除上述各项之外的其他营业外收入和支出|0.69|-13.43|1.53|
|所得税影响额|-14.13|-9.29|-43.59|
|合计|80.06|266.22|247.03|

（十）主要会计政策
1、重要会计政策和会计估计
（1）会计期间
自公历1月1日至12月31日止为一个会计年度。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（2）记账本位币
思比科采用人民币为记账本位币。
（3）同一控制下和非同一控制下企业合并的会计处理方法
同一控制下企业合并：思比科在企业合并中取得的资产和负债，按照合并日被合并方资产、负债（包括最终控制方收购被合并方而形成的商誉）在最终控制方合并财务报表中的账面价值计量。在合并中取得的净资产账面价值与支付的合并对价账面价值（或发行股份面值总额）的差额，调整资本公积中的股本溢价，资本公积中的股本溢价不足冲减的，调整留存收益。
非同一控制下企业合并：思比科在购买日对作为企业合并对价付出的资产、发生或承担的负债按照公允价值计量，公允价值与其账面价值的差额，计入当期损益。思比科对合并成本大于合并中取得的被购买方可辨认净资产公允价值份额的差额，确认为商誉；合并成本小于合并中取得的被购买方可辨认净资产公允价值份额的差额，经复核后，计入当期损益。
为企业合并发生的审计、法律服务、评估咨询等中介费用以及其他直接相关费用，于发生时计入当期损益；为企业合并而发行权益性证券的交易费用，冲减权益。
（4）外币业务和外币报表折算
①外币业务
外币业务采用交易发生日的即期汇率作为折算汇率将外币金额折合成人民币记账。
资产负债表日外币货币性项目余额按资产负债表日即期汇率折算，由此产生的汇兑差额，除属于与购建符合资本化条件的资产相关的外币专门借款产生的汇兑差额按照借款费用资本化的原则处理外，均计入当期损益。
②外币财务报表的折算
资产负债表中的资产和负债项目，采用资产负债表日的即期汇率折算；所有者权益项目除―未分配利润‖项目外，其他项目采用发生时的即期汇率折算。
利润表中的收入和费用项目，采用交易发生日的即期汇率（或：采用按照系统合
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）理的方法确定的、与交易发生日即期汇率近似的汇率。提示：若采用此种方法，应明示何种方法何种口径）折算。
处置境外经营时，将与该境外经营相关的外币财务报表折算差额，自所有者权益项目转入处置当期损益。
（5）收入
①销售商品收入确认的一般原则：
A.思比科已将商品所有权上的主要风险和报酬转移给购货方；
B.思比科既没有保留通常与所有权相联系的继续管理权，也没有对已售出的商品实施有效控制；
C.收入的金额能够可靠地计量；
D.相关的经济利益很可能流入本公司；
E.相关的、已发生或将发生的成本能够可靠地计量。
②具体原则
A.芯片产品销售及其他商品销售：
公司根据经确认的订单发出货物并取得客户收货通知后，确认与商品所有权相关的主要风险和报酬完全转移给购货方，以此确认收入。涉及出口销售的，在报关手续完成后，根据出口货物报关单确认收入。
B.技术服务：在服务完成，客户确认验收后确认收入。
2、会计政策和会计估计与同行业企业的差异及行业特殊会计处理政策
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，思比科所属行业为―C制造业‖下的―C39计算机、通信和其他电子设备制造业‖。思比科的会计政策和会计估计与同行业或同类型资产及上市公司不存在重大差异。
3、财务报表编制基础及编制方法
思比科以持续经营为基础，根据实际发生的交易和事项，按照财政部颁布的《企业会计准则——基本准则》和各项具体会计准则、企业会计准则应用指南、企业会计准则解释及其他相关规定（以下合称―企业会计准则‖），以及中国
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）证券监督管理委员会《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 15号—财务报告的一般规定》的披露规定编制财务报表。
本财务报表系提供韦尔股份拟向中国证券监督管理委员会申请向思比科股东以定向发行股份的方式购买股权之目的，所采用的会计政策和会计估计已按照韦尔股份的会计政策和会计估计编制。
4、标的公司合并财务报表范围
截至2018年7月31日，思比科将以下公司纳入合并财务报表合并范围：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册地|持股比例|
|1|太仓思比科微电子技术有限公司|太仓|直接持股100%|
|2|天津安泰微电子技术有限公司|天津|直接持股100%|

5、重大会计政策或会计估计与上市公司的差异
思比科的财务报表所依据的会计政策系按照财政部颁布的《企业会计准则—基本准则》以及其后颁布及修订的具体会计准则、应用指南、解释以及其他相关规定厘定。基于思比科被韦尔股份收购的意向，对于思比科与韦尔股份相同或类似业务相关的主要会计政策和会计估计，已按照韦尔股份的会计政策和会计估计进行了调整。
（十一）资质证照与审批情况
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|单位名称|许可证名称|许可证号|发证日|
|1|思比科|高新技术企业证书|GR201711002160|2017.12.25|
|2|太仓思比科|高新技术企业证书|GR201532000537|2015.7.6|
|3|太仓思比科|ISO9001:2015质量体系认证证书|—|2017.5.9|
|4|天津安泰|高新技术企业证书|GR201712001451|2017.12.4|

注：截至本报告书签署日，太仓思比科的高新技术企业证书正在复审。
（十二）涉及立项、环保等有关报批事项
本次交易标的为思比科42.27%的股权，不涉及立项、环保、行业准入、用地、规划、施工建设等有关报批事项。
（十三）拟购买资产为股权的说明
1、购买资产股权出资及合法存续情况
截至本报告书签署日，思比科不存在出资瑕疵或影响合法存续的情况。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2、关于交易标的是否为控股权的说明
本次交易拟收购视信源79.93%股权，并收购北京博融等 8名股东持有的思比科42.27%的股权。本次交易完成后，韦尔股份将直接持有思比科42.27%的股权，通过视信源控制思比科53.85%股权，合计控制思比科96.12%股权。
3、关于交易标的是否取得该公司其他股东的同意或者符合公司章程规定的股权转让前置条件的说明
根据《公司法》及思比科《公司章程》，本次收购无需取得公司其他股东的同意，思比科《公司章程》中也未对股权转让设置任何前置条件。
（十四）思比科最近三年股权转让、增资及评估情况说明
1、最近三年股权转让价格概览
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|股权转让|转让方|受让方|股权转让价格|是否评估|
|1|2016 年 5 月第一次股权转让|周庆|北京博融|11.43元/股|否|
|||嘉庆投资||||
|||中和春生||||
|2|2016 年 5 月第二次股权转让|龙琨|北京博融|11.43元/股|否|
|||夏信高||||
|||高健||||
|3|2016 年 6 月第一次股权转让|民生商联|北京博融|11.43元/股|否|
|||鏖鼎合伙||||
|4|2016 年 6 月第二次股权转让|中海创业|北京博融|11.43元/股|否|
|||中海丰润||||
|5|2018 年 4 月股权转让|中科物联|华清博广|11.43元/股|是|

2、最近三年发生的增资及股权转让情况
（1）2016年 5月，股权转让
2016年5月17日，周庆、嘉庆投资、中和春生分别与北京博融签署《股份转让协议》，约定周庆将其所持思比科 1,700,003股股份以1,942.86万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定嘉庆投资将其所持1,488,000股股份以1,700.57万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定中和春生将其所持思比科 3,232,003股
份以3,693.72万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次股份转让的交割。上述股份转让于 2016年5月26日通过股转系统以协议转让方式完成，合计6,420,006股，占思比科股本的12.23%。
（2）2016年 5月，股权转让
2016年5月17日，龙琨、夏信高、高健分别与北京博融签署《股份转让协议》，约定龙琨将其所持思比科538,000股股份以614.86万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定夏信高将其所持思比科700,000股股份以800.00万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定高健将其所持思比科 1,720,001股股份以 1,965.72万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成本次股权转让的交割。上述股份转让于2016年5月31日通过股转系统以协议转让方式完成，合计2,958,001股，占思比科股本的5.63%。
（3）2016年 6月，股权转让
2016年5月17日，民生商联、鏖鼎合伙分别与北京博融签署《股份转让协议》，约定民生商联将其所持思比科 1,750,000股股份以 2,000万元（11.43元/股）转让给北京博融；约定鏖鼎合伙将其所持思比科 999,999股股份以 1,142.86万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成本次股权转让的交割。上述股份转让于 2016年 6月 3日通过股转系统以协议转让方式完成，合计2,749,999股，占思比科股本的5.24%。
（4）2016年 6月，股权转让
2016年6月17日，中海创业、中海丰润分别与北京博融签署《股份转让协议》，约定中海创业将其所持思比科 999,999股股份以 1,142.86万元（11.43元/股）的价格转让给北京博融；约定中海丰润将其所持思比科139,998股股份以 160万元（11.43元/股）转让给北京博融；转让各方通过股转系统完成本次股权转让的交割。上述股份转让于2016年6月22日通过股转系统以协议转让方式完成，合计1,139,997股，占思比科股本的2.17%。
（5）2018年 4月，股权转让
2018年3月22日，中科物联与华清博广签署《股份转让协议》，约定中科物联将其所持思比科 1,999,999股股份以 2,285.71万元（11.43元/股）转让给华清博广；通过股转系统完成本次股权转让的交割。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2018年4月17日，中国科学院微电子研究所出具《关于同意江苏中科物联网科技创业投资有限公司转让北京思比科微电子技术股份有限公司 1,999,999股股份的批复》，同意中科物联通过股转系统以协议转让方式将其所持思比科 1,999,999股股份转让给华清博广；转让价格参照指定资产评估公司评估的价格以及近期股转系统的上一轮交易价格，每股约 11.43元，总交易对价为 2,285.71万元。无锡中证悦通资产评估事务所有限公司出具了《江苏中科物联网科技创业投资有限公司拟股权转让涉及的北京思比科微电子技术股份有限公司股东全部权益价值资产评估报告》（锡中评报字[2018]第044号），确认思比科股东全部权益评估值为 59,095万元。中科物联就本次股份转让取得了中国科学院微电子研究所出具的备案文件。
上述《股权转让协议》执行过程中，中科物联在股转系统申报转出的思比科股份中的1,000股被自然人钱祥丰收购。因此，中科物联与华清博广实际成交的思比科股份数量比双方协议约定的转让股份数量少1,000股，为1,998,999股。
上述股份转让于 2018年 4月 20日通过股转系统完成，合计 1,999,999股，占思比科股本的3.81%。
3、股权变动相关方的关联关系
最近三年，思比科股权变动的股权变动相关方均不存在关联关系。
4、最近三年发生的资产评估、改制情况
2018年4月26日，无锡中证悦通资产评估事务所有限公司对江苏中科物联网科技创业投资有限公司拟股权转让涉及的北京思比科微电子技术股份有限公司股东全部权益价值出具了《资产评估报告》（锡中评报字[2018]第044号）。
经资产基础法评估，在评估基准日 2017年 12月 31日，思比科股东全部权益评估值为15,386.47万元；经收益法评估，在评估基准日2017年12月31日，思比科股东全部权益评估值为59,095万元。
（十五）预案披露前十二个月进行的重大资产收购或出售情况
本报告书披露前十二个月内，思比科不存在重大资产收购或出售的情况。
（十六）本次交易涉及的债权债务转移情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易不涉及思比科债权债务转移的情况。
三、交易标的之视信源
（一）视信源基本情况
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|公司名称|北京视信源科技发展有限公司|
|公司类型|有限责任公司（中外合资）|
|住所|北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层202室|
|主要办公地点|北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层202室|
|法定代表人|陈杰|
|注册资本|美元200万元|
|成立日期|2005年4月6日|
|统一社会信用代码|91110108772552227N|

（二）视信源出资及合法存续情况
根据视信源工商登记资料及陈杰、刘志碧、金湘亮、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、陈黎明、吴南健等9名视信源股东出具的承诺并经查验，上述股东所持的视信源股权目前不存在代他人持有的情形，也不存在委托他人代其持有视信源股权情形，其对视信源的股权均不存在争议或潜在纠纷。
上述9名视信源股东对其所持视信源股权合法性出具如下承诺：
1、承诺方对所持视信源股权拥有合法的、完整的所有权和处分权，在股东主体资格方面不存在任何瑕疵或异议的情形，不存在任何形式的委托持股、信托持股或者类似安排，不存在产权纠纷或潜在纠纷；
2、承诺方已足额缴付所持视信源股权对应的注册资本，不存在任何虚假出资、迟延出资、抽逃出资等违反作为股东所应承担的义务及责任的行为；
3、承诺方所持视信源股权不存在质押、查封、冻结、权属争议及其他权利限制，不存在可能影响标的公司合法存续的情况，并承诺前述情况保持至本次交易实施完毕前；
4、承诺方所持视信源股权过户或权属转移至韦尔股份名下不存在法律障碍；
5、承诺方最近五年内未受过任何行政处罚（与证券市场明显无关的除外）、
刑事处罚，亦不涉及与经济纠纷有关的任何重大民事诉讼或者仲裁，不存在未按
期偿还大额债务、未履行承诺、被中国证监会采取行政监管措施或受到证券交易
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）所纪律处分的情况等。
（三）视信源历史沿革
1、2005年4月设立，注册资本50万美元
2005年，SuperPix Micro TechnologyLimited（以下简称―视之源‖）签署《北京视信源科技发展有限公司章程》，成立北京视信源科技发展有限公司（以下简称―视信源‖）。2005年3月29日，中关村科技园区海淀园管理委员会出具《关于外资企业―北京视信源科技发展有限公司‖可行性研究报告、章程的批复》（海园发[2005]696号），批准视信源章程生效；批准视信源投资总额为70万美元，注册资本50万美元，全部以美元现金出资。
2005年 4月 1日，北京市人民政府核发《外商投资企业批准证书》（商外资京资字[2005]17074号）。
2005年 4月 6日，视信源取得北京市工商局核发的《企业法人营业执照》（企独京总字第024548号）。
视信源设立时的股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|认缴出资额（万美元）|出资比例（%）|
|1|视之源|50.00|100.00|
|合计||50.00|100.00|

2、2005年7月，注册资本实缴到位
根据北京永拓会计师事务所有限责任公司2005年6月15日出具的《验资报告》（京永外验字[2005]第 015号），截至 2005年 6月 2日，视信源已收到视之源缴纳的注册资本合计50万美元，均为货币出资。
2005年7月14日，视信源就本次注册资本实缴办理完毕工商变更登记手续。
3、2006年6月，增加注册资本至200万美元
2006年4月22日，视信源召开董事会并作出决议，同意视信源注册资本由 50万美元增加至 200万美元，全部由视之源以美元出资；同意相应修改视信源公司章程。
2006年4月29日，中关村科技园区海淀园管理委员会出具《关于外资企业
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）―北京视信源科技发展有限公司‖增资、变更董事会组成及注册地址的批复》（海园发[2006]857号），同意上述事项。
2006年5月15日，北京市人民政府核发本次变更后的《外商投资企业批准证书》（商外资京资字[2005]17074号）。
根据北京天平会计师事务所有限责任公司 2006年 6月 9日出具的《验资报告》（天平验资（2006）第3034号），截至2006年6月6日，视信源已收到视之源缴纳的增资款共计150万美元，全部为货币资金。
2006年6月12日，视信源就本次增资办理完毕工商变更登记手续。
本次增资完成后，视信源股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东名称|认缴出资额（万美元）|出资比例（%）|
|1|视之源|200.00|100.00|
|合计||200.00|100.00|

4、2011年12月，股权转让
2011年7月11日，视信源召开董事会并作出决议，同意视之源将其所持视信源全部出资转让给陈杰等 16名受让方，转让对价均为 1元。同日，视之源与陈杰等 16名受让方签署了《股权转让协议书》，并共同签署了公司章程和合资合同。
2011年 11月 10日，北京市商务委员会出具《关于北京视信源科技发展有限公司修改合同章程的批复》（海商审字[2011]967号），同意上述股权转让事项。
同日，北京市人民政府核发本次变更后的《外商投资企业批准证书》（商外资京资字[2005]17074号）。
2011年12月28日，视信源就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
本次股权转让完成后，视信源股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|1|陈 杰|87.10|43.55|
|2|刘志碧|26.98|13.49|
|3|金湘亮|12.12|6.06|
|4|龍尚一|11.18|5.59|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|5|张 中|10.88|5.44|
|6|DDS 株式会社|10.24|5.12|
|7|戴伟民|9.18|4.59|
|8|李 泽|6.88|3.44|
|9|王瑋麟|6.42|3.21|
|10|董德福|4.60|2.30|
|11|陈黎明|3.88|1.94|
|12|吴南健|2.82|1.41|
|13|JPE IE株式会社|2.38|1.19|
|14|岡内英树|1.84|0.92|
|15|三原弘子|1.80|0.90|
|16|先端组合|1.70|0.85|
|合计||200.00|100.00|

5、2012年4月，股权转让
2012年12月1日，张中、李泽分别与周裕签署《股份转让协议书》，约定张中、李泽分别将其所持视信源 10.88万美元出资、6.88万美元出资分别以 162万元（14.89元/1美元注册资本）、103万元（14.97元/1美元注册资本）的对价转让给周裕。
2011年 12月 25日，视信源召开董事会并作出决议，同意上述股权转让事宜，并同意根据上述股权转让事项相应修改公司章程及合营合同。
2012年3月12日，北京市海淀区商务委员会出具《关于北京视信源科技发展有限公司股权转让的批复》（海商审字[2012]196号），同意上述股权转让事项。
2012年3月13日，北京市人民政府核发本次变更后的《外商投资企业批准证书》（商外资京资字[2005]17074号）。
2012年4月9日，视信源就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
本次股权转让完成后，视信源股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|1|陈 杰|87.10|43.55|
|2|刘志碧|26.98|13.49|
|3|周 裕|17.76|8.88|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|4|金湘亮|12.12|6.06|
|5|龍尚一|11.18|5.59|
|6|DDS株式会社|10.24|5.12|
|7|戴伟民|9.18|4.59|
|8|王瑋麟|6.42|3.21|
|9|董德福|4.60|2.30|
|10|陈黎明|3.88|1.94|
|11|吴南健|2.82|1.41|
|12|JPE IE株式会社|2.38|1.19|
|13|岡内英树|1.84|0.92|
|14|三原弘子|1.80|0.90|
|15|先端组合|1.70|0.85|
|合计||200.00|100.00|

6、2014年8月，股权转让
2014年6月29日，龍尚一与陈杰签署《股份转让协议书》，约定龍尚一将其所持视信源4.60万美元出资以130万元（28.26元/1美元注册资本）转让给陈杰。
同日，视信源召开董事会并作出决议，同意上述股权转让事宜，并修改公司章程及合营合同。
2014年7月11日，北京市商务委员会出具《关于视信源股权转让的批复》（海商审字[2014]487号），同意上述股权转让事项。
2014年7月14日，北京市人民政府核发本次变更后的《外商投资企业批准证书》（商外资京资字[2005]17074号）。
2014年8月19日，视信源就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
本次股权转让完成后，视信源股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|1|陈 杰|91.70|45.85|
|2|刘志碧|26.98|13.49|
|3|周 裕|17.76|8.88|
|4|金湘亮|12.12|6.06|
|5|DDS株式会社|10.24|5.12|
|6|戴伟民|9.18|4.59|
|7|龍尚一|6.58|3.29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|8|王瑋麟|6.42|3.21|
|9|董德福|4.60|2.30|
|10|陈黎明|3.88|1.94|
|11|吴南健|2.82|1.41|
|12|JPE IE株式会社|2.38|1.19|
|13|岡内英树|1.84|0.92|
|14|三原弘子|1.80|0.90|
|15|先端组合|1.70|0.85|
|合计||200.00|100.00|

7、2016年11月，股权转让
2016年 10月 28日，视信源召开董事会，决议同意周裕分别将其所持视信源8.84万美元、4.50万美元、4.42万美元出资分别以313.58万元、159.63万元、 156.79万元的对价（35.47元/1美元注册资本）转让给旷章曲、程杰、钟萍。同日，上述股权转让双方签署了《股权转让协议》。
2016年 11月 15日，视信源就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201600050），同意上述股权转让事项。
2016年 11月 16日，北京市商务委员会出具《关于北京视信源科技发展有限公司股权转让的批复》（海商审字[2016]817号）。
2016年11月16日，视信源就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
本次股权转让完成后，视信源股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|1|陈 杰|91.70|45.85|
|2|刘志碧|26.98|13.49|
|3|金湘亮|12.12|6.06|
|4|DDS 株式会社|10.24|5.12|
|5|戴伟民|9.18|4.59|
|6|旷章曲|8.84|4.42|
|7|龍尚一|6.58|3.29|
|8|王瑋麟|6.42|3.21|
|9|董德福|4.60|2.30|
|10|程 杰|4.50|2.25|
|11|钟 萍|4.42|2.21|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|12|陈黎明|3.88|1.94|
|13|吴南健|2.82|1.41|
|14|JPE IE株式会社|2.38|1.19|
|15|岡内英树|1.84|0.92|
|16|三原弘子|1.80|0.90|
|17|先端组合|1.70|0.85|
|合计||200.00|100.00|

8、2016年11月，股权转让
2016年11月17日，视信源召开董事会并作出决议，同意增加新股东IE株式会社；同意股东JPEIE株式会社将其所持有的视信源2.38万美元出资以58.39万美元（24.53美元/1美元注册资本）转让给IE株式会社。同日，股权转让双方签署了《股权转让协议书》。
2016年12月2日，视信源就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201600141）。
2016年11月23日，视信源就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
本次股权转让完成后，视信源股权结构如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|股东姓名/名称|出资额（万美元）|出资比例（%）|
|1|陈 杰|91.70|45.85|
|2|刘志碧|26.98|13.49|
|3|金湘亮|12.12|6.06|
|4|DDS 株式会社|10.24|5.12|
|5|戴伟民|9.18|4.59|
|6|旷章曲|8.84|4.42|
|7|龍尚一|6.58|3.29|
|8|王瑋麟|6.42|3.21|
|9|董德福|4.60|2.30|
|10|程 杰|4.50|2.25|
|11|钟 萍|4.42|2.21|
|12|陈黎明|3.88|1.94|
|13|吴南健|2.82|1.41|
|14|IE株式会社|2.38|1.19|
|15|岡内英树|1.84|0.92|
|17|三原弘子|1.80|0.90|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|17|先端组合|1.70|0.85|
|合计||200.00|100.00|

（四）视信源股权结构及控制关系情况
1、股权结构图
2、控股股东及实际控制人
视信源控股股东及实际控制人为陈杰，其持有视信源45.85%的股权。
陈杰基本情况见本报告书―第三节交易对方基本情况‖之―三、思比科交易对方基本情况‖之―（三）陈杰‖。
3、视信源公司章程中可能对本次交易产生影响的主要内容或相关投资协议根据视信源公司章程―第十条合营一方转让其持有的公司全部或部分股份的，须经合营他方同意，并报审批机关批准，向登记机关办理变更登记手续。一
方转让时，他方有优先购买权。‖
（五）视信源主要下属公司情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，视信源除持有思比科53.85%股权外，无其他对外投资。
（六）视信源主要资产的权属状况、对外担保情况及主要负债、或有负债情况
1、主要资产情况
截至 2018年 7月 31日，视信源母公司资产总额为 392.04万元，其中流动资产7.23万元，非流动资产384.81万元。
视信源的主要资产为持有的思比科53.85%股权，无自有房产、土地。
报告期内，视信源租赁房产情况如下：
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|出租方名称|租赁方|坐落|面积（㎡）|期限|
|1|北京中关村国际孵化器有限公司|视信源|北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层202室|25|2018.4.15-2019.4.14|

2、主要负债及或有负债情况
截至 2018年 7月 31日，视信源母公司负债总额为 171.81万元，均为流动负债。
3、资产抵押、质押、担保情况
截至本报告书签署日，视信源无资产抵押、质押、担保等权利受限情况。
4、是否存在诉讼、仲裁、司法强制执行等重大争议的情况的说明
截至本报告书签署日，视信源不存在诉讼、仲裁、司法强制执行等重大争议的情况。
5、是否因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，是否受到行政处罚或者刑事处罚
截至本报告书签署日，视信源不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦察或者涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查，不存在受到行政处罚或者刑事处罚的情形。
（七）行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策
视信源仅为思比科的持股公司，并不进行生产经营业务。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）思比科行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策情况见本报告书―第四节交易标的基本情况‖之―一、交易标的之北京豪威‖之―（七）行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策‖。
（八）视信源主营业务具体情况
视信源仅为思比科的持股公司，并不进行生产经营业务。
（九）视信源最近两年及一期财务数据
根据立信会计师出具的《审计报告》（信会师报字[2018]第ZA15940号），视信源最近两年及一期主要财务数据（母公司）如下：
1、资产负债表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产合计|7.23|8.29|82.87|
|非流动资产合计|384.81|384.81|384.97|
|资产总计|392.04|393.10|467.85|
|流动负债合计|171.81|163.26|219.68|
|负债合计|171.81|163.26|219.68|
|所有者权益合计|220.23|229.84|248.17|

2、利润表
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|—|—|6.50|
|营业成本|—|—|1.39|
|营业利润|-9.61|-18.16|-9.75|
|利润总额|-9.61|-18.16|-9.75|
|净利润|-9.61|-18.32|-9.75|

（十）主要会计政策
1、重要会计政策和会计估计
（1）会计期间
自公历1月1日至12月31日止为一个会计年度。
（2）记账本位币
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）视信源采用人民币为记账本位币。
（3）同一控制下和非同一控制下企业合并的会计处理方法
同一控制下企业合并：视信源在企业合并中取得的资产和负债，按照合并日被合并方资产、负债（包括最终控制方收购被合并方而形成的商誉）在最终控制方合并财务报表中的账面价值计量。在合并中取得的净资产账面价值与支付的合并对价账面价值（或发行股份面值总额）的差额，调整资本公积中的股本溢价，资本公积中的股本溢价不足冲减的，调整留存收益。
非同一控制下企业合并：视信源在购买日对作为企业合并对价付出的资产、发生或承担的负债按照公允价值计量，公允价值与其账面价值的差额，计入当期损益。视信源对合并成本大于合并中取得的被购买方可辨认净资产公允价值份额的差额，确认为商誉；合并成本小于合并中取得的被购买方可辨认净资产公允价值份额的差额，经复核后，计入当期损益。
为企业合并发生的审计、法律服务、评估咨询等中介费用以及其他直接相关费用，于发生时计入当期损益；为企业合并而发行权益性证券的交易费用，冲减权益。
2、会计政策和会计估计与同行业企业的差异及行业特殊会计处理政策
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，思比科所属行业为―C制造业‖下的―C39计算机、通信和其他电子设备制造业‖。思比科的会计政策和会计估计与同行业或同类型资产及上市公司不存在重大差异。
3、财务报表编制基础及编制方法
视信源以持续经营为基础，根据实际发生的交易和事项，按照财政部颁布的《企业会计准则——基本准则》和各项具体会计准则、企业会计准则应用指南、企业会计准则解释及其他相关规定（以下合称―企业会计准则‖），以及中国证券监督管理委员会《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 15号—财务报告的一般规定》的披露规定编制财务报表。
本财务报表系提供韦尔股份拟向中国证券监督管理委员会申请向视信源股东以定向发行股份的方式购买股权之目的，所采用的会计政策和会计估计已按
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）照韦尔股份的会计政策和会计估计编制。
4、标的公司合并财务报表范围
截至2018年7月31日，视信源将以下公司纳入合并财务报表合并范围：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|公司名称|注册地|持股比例|
|1|北京思比科微电子技术股份有限公司|北京|直接持股53.85%|
|2|太仓思比科微电子技术有限公司|太仓|间接持股100%|
|3|天津安泰微电子技术有限公司|天津|间接持股100%|

5、重大会计政策或会计估计与上市公司的差异
视信源的财务报表所依据的会计政策系按照财政部颁布的《企业会计准则—基本准则》以及其后颁布及修订的具体会计准则、应用指南、解释以及其他相关规定厘定。基于视信源被韦尔股份收购的意向，对于视信源与韦尔股份相同或类似业务相关的主要会计政策和会计估计，已按照韦尔股份的会计政策和会计估计进行了调整。
（十一）资质证照与审批情况
视信源为持股型公司，不进行生产经营业务，不持有相关经营资质。
（十二）涉及立项、环保等有关报批事项
本次交易收购视信源79.93%股权，不涉及立项、环保、行业准入、用地、规划、施工建设等有关报批事项。
（十三）拟购买资产为股权的说明
1、购买资产股权出资及合法存续情况
截至本报告书签署日，视信源不存在出资瑕疵或影响合法存续的情况。
2、关于交易标的是否为控股权的说明
本次交易的标的资产为视信源79.93%的股权，为其控股股权。
3、关于交易标的是否取得该公司其他股东的同意或者符合公司章程规定的股权转让前置条件的说明
截至本报告书签署日，视信源其他股东 DDS株式会社、戴伟民、龍尚一、
王瑋麟、IE株式会社、岡内英树、三原弘子、先端组合八名股东出具《关于同
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）意股权转让及放弃优先购买权的声明》，同意放弃优先购买权。
（十四）视信源最近三年股权转让、增资及评估情况说明
1、最近三年股权转让价格概览
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|股权转让|转让方|受让方|股权转让价格|是否评估|
|1|2016年11月第一次股权转让|周裕|旷章曲|35.47元/1美元注册资本|否|
||||程杰|||
||||钟萍|||
|2|2016年11月第二次股权转让|JPE IE株式会社|IE株式会社|24.53美元/1美元注册资本|否|

2、最近三年发生的增资及股权转让情况
（1）2016年 11月，股权转让
2016年 10月 28日，视信源召开董事会并作出决议，同意增加新股东旷章曲、程杰、钟萍；同意股东周裕将其所持有的视信源 8.84万美元出资转让给旷章曲，4.50万美元出资转让给程杰，4.42万美元出资转让给钟萍。
周裕分别与旷章曲、程杰、钟萍签署《股份转让协议书》，约定周裕分别将其所持视信源4.42%、2.25%、2.21%的出资分别以 313.58万元、159.63万元、156.79万元的对价（35.47元/1美元注册资本）转让给旷章曲、程杰、钟萍。
2016年 11月 15日，视信源就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201600050）。2016年11月16日，北京市商务委员会出具《关于北京视信源科技发展有限公司股权转让的批复》（海商审字[2016]817号）。2016年11月16日，视信源就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
（2）2016年 11月，股权转让
2016年11月17日，视信源召开董事会并作出决议，同意增加新股东IE株式会社；同意股东JPEIE株式会社将其所持有的视信源2.38万美元出资转让给IE株式会社。
同日，JPEIE株式会社与IE株式会社签署《股权转让协议书》，约定 JPE IE
株式会社将其所持视信源 2.38万美元出资以 58.39万美元（24.53美元/1美元注
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）册资本）转让给 IE株式会社。
视信源全体股东已签署反映本次股权转让事项的《北京视信源科技发展有限公司章程修正案》。2016年12月2日，视信源就本次股权转让在外商投资综合管理信息系统完成外商投资企业变更备案（京海外资备201600141）。2016年11月23日，视信源就本次股权转让办理完毕工商变更登记手续。
3、股权变动相关方的关联关系
最近三年，视信源股权变动的股权变动相关方均不存在关联关系。
4、最近三年发生的资产评估、改制情况
最近三年，视信源未发生资产评估及改制情况。
（十五）预案披露前十二个月进行的重大资产收购或出售情况
本报告书披露前十二个月内，视信源不存在重大资产收购或出售的情况。
（十六）本次交易涉及的债权债务转移情况
本次交易不涉及视信源债权债务转移的情况。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第五节发行股份情况
一、发行股份购买资产并募集配套资金具体情况
（一）发行股份购买资产
1、发行价格、定价基准日和定价原则
根据《重组管理办法》第四十五条的规定，上市公司发行股份的价格不得低于市场参考价的90%。市场参考价为上市公司审议本次重大资产重组的首次董事会决议公告日前20个交易日、60个交易日或120个交易日的公司股票交易均价之一。本次交易韦尔股份发行股份可选择的市场参考价具体情况如下：
单位：元/股
|||||
|-|-|-|-|
|定价区间|定价基准日前20个交易日|定价基准日前60个交易日|定价基准日前120个交易日|
|交易均价|39.05|37.68|39.08|
|交易均价的90%|35.15|33.92|35.18|

以上交易均价的计算公式为：韦尔股份董事会决议公告日前若干个交易日公司股票交易均价=决议公告日前若干个交易日公司股票交易总额/决议公告日前若干个交易日公司股票交易总量。
基于上市公司停牌前的市场走势等因素，经友好协商，交易双方确定本次发行股份购买资产的定价依据为不低于定价基准日前 60个交易日韦尔股份股票交易均价的90%，即33.92元/股。
在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、资本公积金转增股本等除权除息事项，本次发行价格将作相应调整，发行股份数量也随之进行调整。
2018年8月10日，韦尔股份实施2017年度利润分配方案，每10股派发现金红利0.45元，本次发行价格相应调整为33.88元/股。
2、发行股票的种类和面值
本次发行股份购买资产发行股票的种类为境内上市人民币普通股（A股），
每股面值为人民币1.00元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）3、拟发行股份的数量、占发行后总股本的比例
按本次标的交易价格以及本次发行股份购买资产的发行价格，本次交易上市公司向交易对方支付的股份对价金额合计 1,351,206.44万元，发行数量合计 398,821,245股。若不考虑配套融资，占发行完成后上市公司总股本的比例为46.67%。
4、锁定期安排
锁定期安排请参见本报告书―第一节本次交易概况‖之―三、（一）发行股份购买资产‖之―6、锁定期安排‖。
（二）发行股份募集配套资金
1、募集配套资金的金额及占交易总金额的比例
本次交易拟募集配套资金总额不超过 20亿元，不超过本次拟发行股份购买资产交易价格的100%。
本次募集配套资金成功与否并不影响本次发行股份购买资产的实施，但本次募集配套资金以发行股份购买资产的生效和实施为前提条件。本次募集资金到位后，上市公司将以募集资金置换已先行投入的募集资金投资项目资金。
2、发行价格、定价基准日和定价原则
本次募集配套资金的定价原则为询价发行，募集配套资金的定价基准日为本次非公开发行股票发行期的首日。本次募集配套资金的股份发行价格不低于定价基准日前20个交易日上市公司股票交易均价的90%。
本次募集配套资金的最终股份发行价格将在本次交易获得中国证监会核准后，根据有关规定及发行对象申购报价的情况，最终由公司股东大会授权董事会与主承销商按照价格优先等原则合理确定。
在定价基准日至股份发行日期间，若上市公司实施派息、送股、公积金转增股本等除权除息事项，配套融资发行价格将作相应调整。
3、发行股票的种类和面值
本次募集配套资金所发行的股票为境内上市人民币普通股（A股），每股
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）面值人民币1.00元。
4、发行方式
本次发行股份募集配套资金采取向特定投资者非公开发行股份的方式。
5、发行对象
本次发行股份募集配套资金的发行对象为符合中国证监会规定的证券投资基金管理公司、证券公司、保险机构投资者、信托投资公司、财务公司、合格境外机构投资者，以及符合法律法规规定的其他法人、自然人或其他合格的投资者等不超过 10名特定投资者。该等特定投资者均以现金认购本次发行的股份。
6、拟发行股份的数量、占发行后总股本的比例
本次募集配套资金的最终发行数量将在中国证监会核准的配套融资方案基础上，由公司股东大会授权董事会与本次交易的独立财务顾问根据发行价格协商确定。本次募集配套资金总额不超过 20亿元。本次募集配套资金总额不超过本次交易拟购买资产交易价格的100%，且根据《发行监管问答——关于引导规范上市公司融资行为的监管要求》，本次募集配套资金拟发行的股份数量不超过本次发行前上市公司总股本的20%。
7、锁定期安排
锁定期安排请参见本报告书―第一节本次交易概况‖之―三、（二）发行股份募集配套资金‖之―8、锁定期安排‖。
二、募集配套资金具体情况
（一）募集配套资金用途
本次配套募集资金拟用于标的公司建设项目及支付中介机构费用。如本次配套资金募集不足或未能实施完成，公司将通过自筹资金的方式解决。本次募集资金到位后，上市公司将以募集资金置换已先行投入的募集资金投资项目资金。总体用途如下：
|||||
|-|-|-|-|
|序号|项目名称|拟使用募集资金（万元）|占比（%）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|序号|项目名称|拟使用募集资金（万元）|占比（%）|
|1|晶圆测试及晶圆重构生产线项目（二期）|170,000.00|85.00|
|2|硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目（二期）|20,000.00|10.00|
|3|支付中介机构费用|10,000.00|5.00|
||合计|200,000.00|100.00|

（二）募集配套资金投资项目介绍
1、晶圆测试及晶圆重构生产线项目（二期）
（1）项目概况
晶圆测试及晶圆重构生产线项目由北京豪威下属子公司豪威半导体实施。
项目实施地点为上海市松江出口加工区茸华路，该项目总投资 183,919.98万元。本次募集资金到位后，韦尔股份将通过增资、借款或法律法规允许的其他方式将资金投入豪威半导体。
本项目主要针对高像素图像显示芯片的 12寸晶圆测试及重构封装，高像素图像显示芯片广泛应用于智能手机、安防、汽车、多媒体应用等领域。晶圆测试是半导体制程的其中一环，通过相应探针台与测试机对每张 12寸晶圆上的单颗晶粒进行探针测试，在测试机的检测头上的探针与每颗晶粒的接触点相接触进行电性能与图像测试。测试后通过良率对照图与晶圆上的良品与不良品一一对应，以便后续制程在封装时淘汰掉不良品，降低制造成本。晶圆重构封装是对经过测试的晶圆进行背部研磨、切割、清洗等工艺，淘汰不良品后将良品重新拼装成一张全良品晶圆交付给客户。
（2）项目相关的技术支持
豪威科技在 CMOS图像显示芯片领域拥有高端的自主技术，包括芯片的设计开发与测试、销售服务等，拥有FSI、OmniBSI、OmniBSI-2、PureCel四种尖端的像素技术，为客户在图像性能和专业传感器方面提供了广泛的选择。豪威半导体与设备供应商合作开发用于图像感应芯片图像测试的测试机，并自主开发测试软件，目前豪威半导体拥有超过100台套的16site共同测试的测试机，年测试量达到8~9亿颗。该项目的晶圆测试是针对高像素感应芯片的晶圆进行探针测
试，豪威科技拥有自主研发的测试软件，进行晶圆测试时完全可达到高质量的测
试结果，满足客户的需求。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）在目前的图像感应芯片供应链中，经过测试后的晶圆会按照不同的客户端需求分两条后道流程进行。其中一条后道程序为进行晶圆级的封装，经过封装切割后即为目前豪威半导体测试中的图像感应芯片；另一条后道流程为晶圆重构封装，将测试后的晶圆进行打磨、切割、清洗、分选，将所有良品重新拼装成一张全良品的晶圆提供给客户。目前，虽然豪威科技的晶圆重构采取委外加工的方式，但其下属台湾子公司拥有专属工程团队驻厂配合工艺制程技术支持，豪威科技及其子公司完全有能力自主新建晶圆重构生产线。豪威半导体晶圆重构的主要工艺流程如下：
（3）项目投资概算及其依据
本项目预计投资总额 183,919.98万元，结合项目自身情况，按照晶圆测试及晶圆重构生产线项目（二期）建设要求的设备清单等有关技术资料，进行投资估算编制。本项目的投资概算如下表所示：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|序号|工程或费用名称|投资估算|||合计||
|||T+1|T+2|T+3|金额|占募集资金比例（%）|
|1|建设投资|44,712.89|76,333.00|53,433.10|174,478.99|94.87|
|1.1|装修工程费|21,812.99|-|-|21,812.99|11.86|
|1.2|设备购置及安装费|22,899.90|76,333.00|53,433.10|152,666.00|83.01|
|2|预备费|1,341.39|2,289.99|1,602.99|5,234.37|2.85|
|3|铺底流动资金|1,700.28|1,809.76|696.58|4,206.62|2.29|
|4|项目总投资|47,754.56|80,432.75|55,732.67|183,919.98|100.00|

（4）项目实施进度
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本项目建设期为30个月。
（5）项目预期收益
项目建成投产后，将新增12吋晶圆测试量42万片/年，12吋晶圆重构量36万片/年，达产后预计项目能实现年均销售收入 74,189.81万元，年均净利润20,516.49万元。
（6）项目涉及的审批情况
本项目需要履行项目备案、环境影响评价手续，项目均在豪威半导体现有土地、房屋上实施。本项目已取得《上海市外商投资项目备案证明》，目前正在办理环评审批手续。
2、硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目（二期）
（1）项目情况
硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目由北京豪威下属子公司豪威半导体实施。项目实施地点为上海市松江出口加工区茸华路 211号。通过扩充硅基液晶投影显示芯片重构生产线的年生产量，满足未来几年客户、市场对硅基液晶产品的需求，该项目总投资 21,509.89万元。本次募集资金到位后，韦尔股份将通过增资、借款或法律法规允许的其他方式将资金投入豪威半导体。
（2）项目相关的技术支持
LCOS，即液晶附硅，也叫硅基液晶，是一种基于反射模式，尺寸非常小的矩阵液晶显示装置。此投影技术采用涂有液晶硅的 CMOS集成电路芯片作为反射式LCD的基片。用先进工艺磨平后镀上铝当作反射镜，形成 CMOS基板，然后将CMOS基板与含有透明电极之上的玻璃基板相贴合，再注入液晶封装而成。
LCOS将控制电路放置于显示装置的后面，可以提高透光率，从而达到更大的光输出和更高的分辨率。
该项目生产的 LCOS芯片组为微型投影系统提供了一个高解析度（HD）、外形紧凑、低功耗和低成本的微型显示器解决方案。凭借可提供先进图像处理和主机附加功能的同伴芯片支持，该单板 LCOS芯片可提供 720p的高清视频。与此同时，该同伴芯片简化了系统设计，节省了空间并有效降低了能耗，且采用全
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）数字技术制作出清晰、稳定的图像。上述特征使得该 LCOS芯片为下一代投影系统提供了一个极具吸引力的解决方案，能广泛应用于可穿戴电子设备、移动显示器，微型投影、汽车和医疗机械等领域。
LCOS芯片的生产可分为前道的半导体 CMOS集成电路制造及后道的液晶面板贴合封装制造。前道的半导体 CMOS制造，豪威科技已有成熟的设计、仿真、制作及测试技术，良品率高、成本低；由于液晶面板制造已发展的相当成熟，后道的液晶面板贴合封装制造不存在技术难点。目前，豪威半导体已经建成了全球首条 12吋 LCOS硅基液晶投影显示芯片生产线，可实现年产 LCOS芯片 60万颗。
该项目产品的生产流程主要包括进料、成盒制程、模组制成及测试环节，具体过程如下图所示：
（3）项目投资概算及其依据
本项目拟募集资金总额 21,509.89万元，结合项目自身情况，按照硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目（二期）建设要求的设备清单等有关技术资料，进行投资估算编制。本项目的投资概算如下表所示：
单位：万元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|工程或费用名称|投资估算|T+1|T+2|占比（%）|
|1|建设投资|20,275.58|14,155.13|6,120.45|94.26|
|1.1|装修工程费|8,034.68|8,034.68||37.35|

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|-|-|-|-|-|-|
|1.2|设备购置及安装费|12,240.90|6,120.45|6,120.45|56.91|
|2|预备费|608.27|424.65|183.61|2.83|
|3|铺底流动资金|626.04||626.04|2.91|
|4|项目总投资|21,509.89|14,579.78|6,930.11|100.00|

（4）项目实施进度
本项目建设期为18个月。
（5）项目预期收益
项目建成投产后，将新增 LCOS芯片产量 220万颗/年，项目达产后预计项目能实现年均销售收入34,408.00万元，年均净利润4,461.17万元。
（6）项目涉及的审批情况
本项目需要履行项目备案、环境影响评价手续，项目均在豪威半导体现有土地、房屋上实施。本项目已取得《上海市外商投资项目备案证明》，目前正在办理环评审批手续。
（三）募集配套资金的必要性
1、晶圆测试及晶圆重构生产线项目（二期）建设的必要性分析
（1）进一步提升在 CMOS图像传感器芯片领域的竞争优势
豪威科技长期致力于为微电子影像应用设计和提供基于 CMOS传感器芯片的解决方案，是处于市场领先地位的半导体图像传感器芯片研发制造企业。在目前的图像感应芯片供应链中，经过探针测试后的晶圆会按照不同的客户端需求分两条后道流程进行。其一即进行晶圆级的封装，经过封装切割后即为目前豪威半导体测试中的图像感应芯片；另一条后道流程即为晶圆重构封装，将测试后的晶圆进行打磨、切割、清洗、分选，将所有良品重新拼装成一张全良品的晶圆提供给客户。
目前豪威科技的晶圆测试以及晶圆重构封装业务采用委外加工，而且是单一供应商，因此存在潜在的问题与风险，包括委外加工成本高、物流成本高、交期长、异常反馈与处理周期长以及供应商不稳定风险等。
本项目投产后，豪威科技将自行进行高像素图像显示芯片的晶圆测试与晶圆
重构封装，大幅降低加工成本，有效优化成本结构，可以更全面提升产品过程控
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）制能力，优化对产品质量的管控，缩短交期并及时提供有效的产品服务，提升在整个行业内的竞争能力与市场地位。
（2）把握行业发展机遇，提高市场占有率
20世纪90年代末期，随着 CMOS图像传感器工艺和设计技术的进步，基于 CMOS工艺研制图像传感器芯片的图像品质不断提高，市场份额不断扩大，近年来的市场份额已经超过90%，取代CCD图像传感器芯片成为图像传感器市场的主流。
行业调研机构Yole认为CMOS图像传感器产业将保持高速增长趋势。智能手机中的摄像头数量增长将消除智能手机出货量增长缓慢带来的影响。双摄像头和3D摄像头将对CMOS图像传感器的出货量产生重要影响。与此同时，汽车摄像头市场已经成为 CMOS图像传感器的一个重要增长领域。先进驾驶辅助系统（ADAS）的发展趋势进一步提高对传感器供应商的压力，以提升其传感器技术能力。图像分析和性能提升也正在生产、安防、医疗和工业市场中起到重要推动作用。据 2016年出版的《CMOS图像传感器产业现状》数据，2015-2021年， CMOS图像传感器（CIS）产业的年复合增长率为10.40%，预计市场规模将由2015年的103亿美元增长到2021年的188亿美元。
为快速响应市场，提高市场占有率，豪威科技计划实施晶圆测试及晶圆重构生产线项目，减少委外加工比例，降低供应链风险。通过本项目的顺利实施，提升市场反应效率，有利于把握 CMOS图像传感器市场机遇，完善豪威科技的产业链，增强盈利能力，加快做大做强，提高市场占有率。
（3）顺应公司战略发展的需要
豪威科技目前采用集成电路设计领域内通常采用的无晶圆厂（Fabless）运营模式，专注于芯片的设计工作，将芯片的制造、封装等工序外包给专业制造企业。
Fabless模式有利于专注于芯片设计核心技术和产品创新能力的提升，减少生产性环节所需要的巨大资金和人员投入，降低产品生产成本，使设计企业能轻装上阵，用较轻的资产实现大量的销售收入。然而，Fabless模式中芯片设计公司不具备芯片制造能力，芯片的制造和封装等环节必须委托专业晶圆代工厂和封装代工厂。晶圆是产品的主要原材料，由于晶圆加工对技术及资金规模的要求极高，合适的晶圆代工厂商选择范围有限，导致晶圆代工厂较为集中。在芯片生产旺季，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）可能会存在晶圆和封装代工厂产能饱和，不能保证公司产品及时供应，存在产能不足的风险。晶圆和封装代工厂若遭受突发自然灾害等破坏性事件时，也会影响产品的正常供给和销售。此外，晶圆和封装价格的变动对产品的毛利有可能产生一定影响。
与此同时，技术、资金实力尤为雄厚的国际知名芯片厂商多采纳 IDM模式，业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试等全业务环节。该模式优点是企业可以整合产业链资源，产生规模效应。全球图像传感器市场前三家供应商中除豪威科技外的另外两家索尼、三星均采用这种模式。未来随着芯片设计及封装测试业务的进一步发展匹配，豪威科技将具备在 Fabless和IDM两种模式优劣势之间取得均衡的能力，从而充分保证盈利能力和市场竞争力。
通过本项目的实施，引进大量的业界知名进口半导体设备，进一步提升豪威科技在半导体封装领域的技术能力，提升晶圆测试系统层面的能力以及积累创新与处理问题的能力，顺应豪威科技战略发展的需要。
2、硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目（二期）建设的必要性分析
（1）投影显示技术发展趋势的必然要求
高效、节能、环保、便携是未来投影显示电子产品发展的趋势，如何提升投影显示技术的效率是厂商们所关心的问题之一。LCOS技术是目前世界上最先进的显示技术之一，结合了集成电路技术和液晶显示技术。LCOS技术较之LCD、DLP、CRT、DLV投影技术而言，具有高分辨率、高光效率、高对比度、高色彩饱和度和低成本等优点，而且目前尚未出现垄断状况，业界认为 LCOS应用的潜在市场规模庞大。欧美、日韩半导体企业在 LCOS技术决策上的迟疑和放缓正是中国半导体企业发展的机会。
豪威科技作为掌握 LCOS技术并实现初步产业化的先入企业，更应该抓住机遇，继续大力发展 LCOS显示技术，扩大产业化规模。本项目主要产品为 LCOS硅基液晶投影显示芯片，是集成电路技术的延伸，也符合投影显示电子产品高效、节能、环保的发展趋势。
（2）丰富产品种类，优化产品结构
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）豪威科技是一家专业的围绕图像传感器芯片及其配套产品研究开发、生产的半导体企业，能够根据行业发展趋势和客户的实际业务需求，按具体性能要求，及时提供各种性能卓越的集成电路解决方案。随着智能手机、电脑以及智能家电等下游市场产品的快速普及以及微型投影机、穿戴产品、安防摄像头、医疗相机等相关产品创新活跃，新功能越来越多，对图像传感器芯片的集成度、尺寸、性能、成本和技术融合提出了更高的要求，其必须立足技术优势，不断丰富产品种类、优化产品结构满足下游日益多样化的市场需求。
通过本项目的建设，可充分利用现有的 COMS图像传感器芯片技术和生产管理优势，结合国内蓬勃发展的电子信息产品的应用需求，一方面对原有产品系列进行技术升级和功能提升，满足现有市场多样化的需求；另一方面，不断拓展技术、产品融合，开发出一系列具有高清、低耗、微型和低成本且在显示器市场极具竞争力的 LCOS硅基液晶投影显示芯片产品，丰富产品种类，优化产品结构，增强产品在集成电路市场整体竞争能力。同时新产品的规模化上市以及新的应用领域的不断拓展，有利于形成新的利润增长点，进而提升豪威科技整体盈利能力。
（3）提高整体盈利能力，提升公司品牌价值和市场地位
目前豪威科技已建立全世界第一条 12吋 LCOS硅基液晶投影显示芯片生产线，实现了小批量生产。本项目为 LCOS硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目。
豪威科技作为全球中高端图像传感器市场的主流供应商，具备较强的质量管理、技术创新和成本控制能力。作为 LCOS的早期研发、生产企业，在产品高性能、低功耗、高集成度等方面达到业界领先水平，在行业内建立了明显的先发优势。
通过本项目的建设，豪威科技持续的技术创新和经验积累以及对技术先进型新产品的逐步开发和量产，未来几年整体盈利能力将不断提高。
另外本项目的建设，对缩小国内硅基液晶产品与世界先进水平的差距可以起到一定的促进作用，对品牌价值和市场地位有全面提升作用，对豪威科技长期发展和市场竞争具有里程碑式的意义。
3、有利于降低财务费用
本次交易，上市公司除支付中介机构费用外的配套募集资金将用于晶圆测试及晶圆重构生产线项目、硅基液晶高清投影显示芯片生产线项目建设，若采用银行贷款方式或其他债权融资方式募集资金，按5%贷款利率计算，每年新增
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）财务费用约为9,500万元，将大幅增加上市公司财务费用，影响利润水平，不利于上市公司的长期发展。
2017年末和2018年9月末，上市公司资产负债率与同行业上市公司合并口径资产负债率对比情况如下：
单位：%
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|证券代码|证券简称|2018.9.30|2017.12.31|
|1|300373.SZ|扬杰科技|28.44|30.88|
|2|300613.SZ|富瀚微|11.60|12.15|
|3|300623.SZ|捷捷微电|11.49|10.33|
|4|300661.SZ|圣邦股份|19.65|19.13|
|5|300671.SZ|富满电子|38.83|28.21|
|6|300672.SZ|国科微|12.61|11.63|
|7|600171.SH|上海贝岭|8.82|11.89|
|8|600360.SH|华微电子|47.37|48.34|
|9|603160.SH|汇顶科技|20.65|21.10|
|10|603986.SH|兆易创新|32.58|31.74|
|平均值|||23.20|22.54|
|中位数|||20.15|20.12|
|603501.SH||韦尔股份|59.26|57.85|

通过上述比较可以看出，上市公司资产负债率显著高于同行业上市公司，进一步通过债券融资的能力相对受限。同时，如进一步通过债权融资，将增加公司的利息负担，不利于业绩提升和保护股东利益。
（四）前次募集资金使用情况
经中国证监会《关于核准上海韦尔半导体股份有限公司首次公开发行股票的批复》（证监许可[2017]469号）核准，韦尔股份首次公开发行人民币普通股（A股）4,160万股，发行价格为每股 7.02元，募集资金总额为 29,203.20万元，募集资金净额为 24,134.70万元。上述募集资金于 2017年 4月 27日到位，业经立信会计师审验并出具信会师报字[2017]第ZA14314号《验资报告》。公司设立了募集资金专项账户，募集资金到账后，已全部存放于该募集资金专项账户内，并与保荐机构国信证券、存放募集资金的银行签署了募集资金监管协议。
截至 2018年 9月 30日，韦尔股份累计使用募集资金 18,636.44万元，具体
包括以募集资金置换预先已投入募投项目的自筹资金、直接投入募投项目建
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）设、暂时补充流动资金等。截至 2018年 9月 30日，募集资金专户余额合计为5,630.54万元。
截至本报告书签署日，上市公司前次募集资金正按计划使用。
（五）募集配套资金管理和使用的内部控制制度
为规范公司募集资金管理，保护投资者尤其是中小投资者的权益，提高募集资金使用效率，依照相关法律、法规和规范性文件以及《公司章程》的规定，公司制订了《上海韦尔半导体股份有限公司募集资金管理制度》。其主要内容如下：
1、募集资金的存储
―第八条公司募集资金应当存放于经董事会批准设立的专项账户（以下简称―募集资金专户‖）集中管理。募集资金专户不得存放非募集资金或用作其他用途。
第九条公司应在募集资金到账后一个月内与保荐人、存放募集资金的商业银行（以下简称―商业银行‖）签订三方监管协议（以下简称―协议‖）。协议至少应当包括以下内容：
（一）公司应当将募集资金集中存放于专户；
（二）公司一次或十二个月以内累计从专户支取的金额超过 5,000万元且达到发行募集资金总额扣除发行费用后的净额（下称―募集资金净额‖）的20%的，公司及商业银行应当及时通知保荐人；
（三）商业银行每月向公司出具银行对账单，并抄送保荐人；
（四）保荐人可以随时到商业银行查询专户资料；
（五）公司、商业银行、保荐人的违约责任。
公司应当在上述协议签订后 2个交易日内及时报上海证券交易所备案并公告协议主要内容。
上述协议在有效期届满前因保荐人或商业银行变更等原因提前终止的，公司应当自协议终止之日起两周内与相关当事人签订新的协议，并在新协议签订
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）后2个交易日内报上海证券交易所备案后公告。
第十条保荐人发现公司、商业银行未按约定履行监管协议的，应当在知悉有关事实后及时向上海证券交易所书面报告。‖
2、募集资金的使用
―第十一条公司应当对募集资金使用的申请、分级审批权限、决策程序、风险控制措施及信息披露程序做出明确规定。
第十二条公司应当按照发行申请文件中承诺的募集资金使用计划使用募集资金。
第十三条出现严重影响募集资金使用计划正常进行的情形时，公司应当及时报告上海证券交易所并公告。
第十四条募投项目出现以下情形的，公司应当对该募投项目的可行性、预计收益等重新进行论证，决定是否继续实施该项目，并在最近一期定期报告中披露项目的进展情况、出现异常的原因以及调整后的募投项目（如有）：
（一）募投项目涉及的市场环境发生重大变化的；
（二）募投项目搁置时间超过一年的；
（三）超过募集资金投资计划的完成期限且募集资金投入金额未达到相关计划金额50%的；
（四）募投项目出现其他异常情形的。
第十五条公司募集资金原则上应当用于主营业务。公司使用募集资金不得有如下行为：
（一）募投项目为持有交易性金融资产和可供出售的金融资产、借予他人、委托理财等财务性投资，直接或间接投资于以买卖有价证券为主要业务的公司；
（二）通过质押、委托贷款或其他方式变相改变募集资金用途；
（三）将募集资金直接或间接提供给控股股东、实际控制人等关联人使用，为关联人利用募投项目获取不正当利益提供便利。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十六条公司以自筹资金预先投入募投项目的，可以在募集资金到账后 6个月内，以募集资金置换自筹资金。置换事项应当经公司董事会审议通过，会计师事务所出具鉴证报告，并由独立董事、监事会、保荐人发表明确同意意见。公司应当在董事会会议后2个交易日内报告上海证券交易所并公告。
第十七条公司可以将暂时闲置的募集资金进行现金管理，投资的产品须符合以下条件：
（一）安全性高，满足保本要求，产品发行主体能够提供保本承诺；
（二）流动性好，不得影响募集资金投资计划正常进行。
投资产品不得质押，产品专用结算账户（如适用）不得存放非募集资金或者用作其他用途，开立或者注销产品专用结算账户的，公司应当在 2个交易日内报上海证券交易所备案并公告。
第十八条公司使用闲置募集资金投资产品，应当经董事会审议通过，独立董事、监事会、保荐人发表明确同意意见。公司应当在董事会会议后 2个交易日内公告下列内容：
（一）本次募集资金的基本情况，包括募集时间、募集资金金额、募集资金净额及投资计划等；
（二）募集资金使用情况；
（三）闲置募集资金投资产品的额度及期限，是否存在变相改变募集资金用途的行为和保证不影响募集资金项目正常进行的措施；
（四）投资产品的收益分配方式、投资范围及安全性；
（五）独立董事、监事会、保荐人出具的意见。
第十九条公司以闲置募集资金暂时用于补充流动资金，应符合以下要求：（一）不得变相改变募集资金用途，不得影响募集资金投资计划的正常进行；
（二）仅限于与主营业务相关的生产经营使用，不得通过直接或者间接安排用于新股配售、申购，或者用于股票及其衍生品种、可转换公司债券等的交
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）易；
（三）单次补充流动资金时间不得超过12个月；
（四）已归还已到期的前次用于暂时补充流动资金的募集资金（如适用）。
第二十条公司以闲置募集资金暂时用于补充流动资金，应当经公司董事会审议通过，独立董事、保荐人、监事会发表明确同意意见。公司应当在董事会会议后2个交易日内报告上海证券交易所并公告。
补充流动资金到期日之前，公司应将该部分资金归还至募集资金专户，并在资金全部归还后2个交易日内报告上海证券交易所并公告。
第二十一条公司实际募集资金净额超过计划募集资金金额的部分（以下简称―超募资金‖），可用于永久补充流动资金或者归还银行贷款，但每 12个月内累计使用金额不得超过超募资金总额的30%，且应当承诺在补充流动资金后的12个月内不进行高风险投资以及为他人提供财务资助。
第二十二条公司将超募资金用于永久补充流动资金或者归还银行贷款，应当经公司董事会、股东大会审议通过，并为股东提供网络投票表决方式，独立董事、监事会、保荐人发表明确同意意见。公司应当在董事会会议后 2个交易日内报告上海证券交易所并公告下列内容：
（一）本次募集资金的基本情况，包括募集时间、募集资金金额、募集资金净额、超募金额及投资计划等；
（二）募集资金使用情况；
（三）使用超募资金永久补充流动资金或者归还银行贷款的必要性和详细计划；
（四）在补充流动资金后的 12个月内不进行高风险投资以及为他人提供财务资助的承诺；
（五）使用超募资金永久补充流动资金或者归还银行贷款对公司的影响；
（六）独立董事、监事会、保荐人出具的意见。
第二十三条公司将超募资金用于在建项目及新项目（包括收购资产等），
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）应当投资于主营业务，并比照适用本制度第二十六条至第二十九条的相关规定，科学、审慎地进行投资项目的可行性分析，及时履行信息披露义务。
第二十四条单个募投项目完成后，公司将该项目节余募集资金（包括利息收入）用于其他募投项目的，应当经董事会审议通过，且经独立董事、保荐人、监事会发表明确同意意见后方可使用。公司应当在董事会会议后 2个交易日内报告上海证券交易所并公告。
节余募投资金（包括利息收入）低于 100万或低于该项目募集资金承诺投资额5%的，可以免于履行前款程序，其使用情况应在年度报告中披露。
公司单个募投项目节余募集资金（包括利息收入）用于非募投项目（包括补充流动资金）的，应当参照变更募投项目履行相关程序及披露义务。
第二十五条募投项目全部完成后，节余募集资金（包括利息收入）在募集资金净额10%以上的，公司应当经董事会和股东大会审议通过，且经独立董事、保荐人、监事会发表明确同意意见后方可使用节余募集资金。公司应当在董事会会议后2个交易日内报告上海证券交易所并公告。
节余募集资金（包括利息收入）低于募集资金净额10%的，应当经董事会审议通过，且独立董事、保荐人、监事会发表明确同意意见后方可使用。
公司应当在董事会会议后 2个交易日内报告上海证券交易所并公告。节余募集资金（包括利息收入）低于 500万元或低于募集资金净额5%的，可以免于履行前款程序，其使用情况应在最近一期定期报告中披露。‖
3、募集资金投资项目的变更
―第二十六条公司募投项目发生变更的，必须经董事会、股东大会审议通过，且经独立董事、保荐人、监事会发表明确同意意见后方可变更。
公司仅变更募投项目实施地点的，可以免于履行前款程序，但应当经公司董事会审议通过，并在 2个交易日内报告上海证券交易所并公告改变原因及保荐人的意见。
第二十七条变更后的募集项目应投资于主营业务。
公司应当科学、审慎地进行新募投项目的可行性分析，确信投资项目具有
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）较好的市场前景和盈利能力，有效防范投资风险，提高募集资金使用效益。
第二十八条公司拟变更募投项目的，应当在提交董事会审议后 2个交易日内报告上海证券交易所并公告以下内容：
（一）原募投项目基本情况及变更的具体原因；
（二）新募投项目的基本情况、可行性分析和风险提示；
（三）新募投项目的投资计划；
（四）新募投项目已经取得或尚待有关部门审批的说明（如适用）；
（五）独立董事、监事会、保荐人对变更募投项目的意见；
（六）变更募投项目尚需提交股东大会审议的说明；
（七）上海证券交易所要求的其他内容。
新募投项目涉及关联交易、购买资产、对外投资的，还应当参照相关规则的规定进行披露。
第二十九条公司变更募投项目用于收购控股股东或实际控制人资产（包括权益）的，应当确保在收购后能够有效避免同业竞争及减少关联交易。
第三十条公司拟将募投项目对外转让或置换的（募投项目在公司实施重大资产重组中已全部对外转让或置换的除外），应当在提交董事会审议后2个交易日内报告上海证券交易所并公告以下内容：
（一）对外转让或置换募投项目的具体原因；
（二）已使用募集资金投资该项目的金额；
（三）该项目完工程度和实现效益；
（四）换入项目的基本情况、可行性分析和风险提示（如适用）；
（五）转让或置换的定价依据及相关收益；
（六）独立董事、监事会、保荐人对转让或置换募投项目的意见；
（七）转让或置换募投项目尚需提交股东大会审议的说明；
（八）上海证券交易所要求的其他内容。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）公司应充分关注转让价款收取和使用情况、换入资产的权属变更情况及换入资产的持续运行情况，并履行必要的信息披露义务。‖
4、募集资金使用管理与监督
―第三十一条公司应当真实、准确、完整地披露募集资金的实际使用情况。
第三十二条公司董事会应当每半年度全面核查募投项目的进展情况，对募集资金的存放与使用情况出具《公司募集资金存放与实际使用情况的专项报告》（以下简称―《募集资金专项报告》‖）。
如募投项目实际投资进度与投资计划存在差异，公司应当在《募集资金专项报告》中解释具体原因。如当期存在使用闲置募集资金投资产品情况，公司应当在《募集资金专项报告》中披露本报告期的收益情况以及期末的投资份额、签约方、产品名称、期限等信息。
《募集资金专项报告》应经董事会和监事会审议通过，并应当在提交董事会审议后 2个交易日内报告上海证券交易所并公告。年度审计时，公司应当聘请会计师事务所对募集资金存放与使用情况出具鉴证报告，并于披露年度报告时向上海证券交易所提交，同时在上海证券交易所网站披露。
第三十三条独立董事、董事会审计委员会及监事会应当持续关注募集资金实际管理与使用情况。董事会审计委员会、监事会或二分之一以上独立董事可以聘请会计师事务所对募集资金存放与使用情况出具鉴证报告。公司应当予以积极配合，并承担必要的费用。
董事会应当在收到前款规定的鉴证报告后 2个交易日内向上海证券交易所报告并公告。如鉴证报告认为公司募集资金的管理和使用存在违规情形的，董事会还应当公告募集资金存放与使用情况存在的违规情形、已经或可能导致的后果及已经或者拟采取的措施。
第三十四条保荐人至少每半年度对公司募集资金的存放与使用情况进行一次现场调查。
每个会计年度结束后，保荐人应当对上市公司年度募集资金存放与使用情
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）况出具专项核查报告，并于上市公司披露年度报告时向上海证券交易所提交，同时在上海证券交易所网站披露。核查报告应当包括以下内容：
（一）募集资金的存放、使用及专户余额情况；
（二）募集资金项目的进展情况，包括与募集资金投资计划进度的差异；
（三）用募集资金置换预先已投入募集资金投资项目的自筹资金情况（如适用）；
（四）闲置募集资金补充流动资金的情况和效果（如适用）；
（五）超募资金的使用情况（如适用）；
（六）募集资金投向变更的情况（如适用）；
（七）公司募集资金存放与使用情况是否合规的结论性意见；
（八）上海证券交易所要求的其他内容。
每个会计年度结束后，公司董事会应在《募集资金专项报告》中披露保荐人专项核查报告和会计师事务所鉴证报告的结论性意见。‖
（六）本次募集资金失败的补救措施
1、本次募集配套资金失败的补救措施
如果本次募集配套资金不足或未能实施完成，公司计划采取自有资金积累、债务融资等补救措施，具体如下：
（1）在满足公司现金分红的条件下，增加自身利润积累，从而留存更多的利润增加自身资金；
（2）以银行借款等债务性融资方式解决部分资金需求；
（3）重组完成后利用资本市场的多渠道融资方式募集资金，积极推进公司在本次交易完成后的后续发展。
2、补救措施对上市公司的影响
根据上市公司2017年和2018年1-9月财务报告，韦尔股份2017年末和2018年 9月末资产负债率分别为58.75%和59.26%，2017年和 2018年 1-9月的财务
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）费用为4,827.42万元和2,769.35万元。若本次交易配套募集资金未能实施，上市公司采用银行借款筹措项目所需资金，将导致上市公司资产负债率进一步升高、财务费用增加，从而对上市公司财务安全及盈利能力造成不利影响。
使用股权融资手段，可降低上市公司的财务负担，但会增加上市公司总股本，造成每股收益的摊薄。
三、上市公司发行股份前后主要财务数据
本次交易前后，上市公司主要财务指标情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月||2017.12.31/2017年||
||本次交易前|本次交易后（备考）|本次交易前|本次交易后（备考）|
|资产总额（万元）|368,462.67|1,952,967.85|282,490.82|1,914,946.65|
|归属于上市公司股东所有者权益（万元）|153,122.94|1,128,933.70|117,976.44|1,063,885.41|
|营业收入（万元）|230,787.33|740,635.87|240,591.63|1,186,078.01|
|利润总额（万元）|21,639.26|18,419.62|14,538.77|12,872.71|
|归属于母公司所有者的净利润（万元）|19,241.33|20,055.25|13,715.63|245,391.70|
|资产负债率（%）|58.18|35.03|57.85|37.13|
|毛利率（%）|27.91|23.38|20.54|22.26|

本次交易完成后，上市公司资产总额、净资产均大幅增加。
从盈利能力来看，本次交易完成后，上市公司的资产总额、净资产及营业收入大幅增加。2018年 1-7月，受备考合并商誉摊销影响，上市公司备考利润总额有所下降。但考虑到上市公司与标的资产充分整合后的协同效应，以及北京豪威在 CMOS图像传感器行业的市场地位和品牌知名度，本次交易完成后将有利于上市公司盈利能力的提高。
四、本次发行股份前后上市公司的股权结构
本次交易前，韦尔股份总股本为 455,813,940股，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的比例为61.30%。根据标的资产的交易作价及上市公司股份发行价格，本次购买资产发行股份数量合计 398,821,245股。本次交易完成后，上市公司总股本将增加至 854,635,185股（不考虑发行股
份募集配套资金部分）。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易前后，韦尔股份的股权结构变化情况如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|原上市公司股东|||||
|虞仁荣|279,435,000|61.30|279,435,000|32.70|
|其他股东|176,378,940|38.70|176,378,940|20.64|
|小计|455,813,940|100.00|455,813,940|53.33|
|交易对方|||||
|绍兴韦豪|—|—|80,409,522|9.41|
|青岛融通|—|—|61,856,681|7.24|
|Seagull（A3）|—|—|30,815,626|3.61|
|嘉兴水木|—|—|26,671,624|3.12|
|嘉兴豪威|—|—|26,671,624|3.12|
|上海唐芯|—|—|22,874,852|2.68|
|Seagull Investments|—|—|22,779,392|2.67|
|开元朱雀|—|—|20,222,943|2.37|
|元禾华创|—|—|19,479,056|2.28|
|北京集电|—|—|16,184,287|1.89|
|天元滨海|—|—|14,704,590|1.72|
|惠盈一号|—|—|8,332,601|0.97|
|领智基石|—|—|8,323,494|0.97|
|金信华创|—|—|5,881,836|0.69|
|陈杰|—|—|4,520,551|0.53|
|北京博融|—|—|4,072,822|0.48|
|金信华通|—|—|3,921,224|0.46|
|西藏大数|—|—|2,940,918|0.34|
|上海威熠|—|—|2,990,631|0.35|
|西藏锦祥|—|—|1,960,612|0.23|
|上海摩勤|—|—|1,785,389|0.21|
|Seagull（A1）|—|—|1,832,985|0.21|
|刘志碧|—|—|1,339,790|0.16|
|Seagull（C1-Int‘l）|—|—|1,282,754|0.15|
|Seagull（C1）|—|—|996,091|0.12|
|德威资本|—|—|490,153|0.06|
|深圳远卓|—|—|490,153|0.06|
|深圳兴平|—|—|490,153|0.06|
|南昌南芯|—|—|767,414|0.09|
|山西TCL|—|—|613,931|0.07|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|华清博广|—|—|674,312|0.08|
|中关村创投|—|—|306,965|0.04|
|金湘亮|—|—|523,073|0.06|
|旷章曲|—|—|419,453|0.05|
|吴南健|—|—|384,776|0.05|
|董德福|—|—|218,267|0.03|
|程杰|—|—|213,522|0.02|
|钟萍|—|—|209,726|0.02|
|陈黎明|—|—|167,452|0.02|
|小计|—|—|398,821,245|46.67|
|合计|455,813,940|100.00|854,635,185|100.00|

本次交易完成后，如不考虑配套融资的影响，虞仁荣直接持有韦尔股份 279,435,000股，占上市公司总股本的32.70%；通过其控制的绍兴韦豪间接持有韦尔股份80,409,522股，占上市公司总股本的9.41%。虞仁荣合计持股数占上市公司总股本的42.11%，仍为控股股东及实际控制人，本次交易将不会导致上市公司的控制权变更。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第六节标的资产的评估情况
本次交易标的资产经具有执行证券期货业务资格的上海立信资产评估有限公司进行评估。立信评估以2018年7月31日为评估基准日，对标的公司北京豪威、思比科和视信源的股东全部权益进行评估，并分别出具了《上海韦尔半导体股份有限公司拟发行股份购买资产并募集配套资金事宜所涉及的北京豪威科技有限公司股东全部权益价值资产评估报告》（信资评报字[2018]第40136号）（以下简称《北京豪威评估报告》）、《上海韦尔半导体股份有限公司拟发行股份购买资产并募集配套资金事宜所涉及的北京思比科微电子技术股份有限公司股东全部权益价值资产评估报告》（信资评报字[2018]第40074号）和《上海韦尔半导体股份有限公司拟发行股份购买资产并募集配套资金事宜所涉及的北京视信源科技发展有限公司股东全部权益价值资产评估报告》（信资评报字[2018]第40136-31号）。
一、标的资产的评估基本情况
本次交易的标的资产为北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权和视信源79.93%股权。
（一）评估方法的选择
企业价值评估的基本方法主要有收益法、市场法和资产基础法。
收益法，是指将评估对象预期收益资本化或者折现，确定其价值的评估方法。
市场法，是指将评估对象与可比上市公司或者可比交易案例进行比较，确定其价值的评估方法。
资产基础法，是指以评估对象在评估基准日的资产负债表为基础，评估表内及可识别的表外各项资产、负债价值，确定其价值的评估方法。
《资产评估执业准则——企业价值》规定，执行企业价值评估业务，应当根据评估目的、评估对象、价值类型、资料收集等情况，分析收益法、市场法和资产基础法三种基本方法的适用性，选择评估方法。对于适合采用不同评估方
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）法进行企业价值评估的，资产评估专业人员应当采用两种以上评估方法进行评估。
1、北京豪威评估方法的选择
本次评估选用的评估方法为：收益法和资产基础法。评估方法选择理由如下：
对市场法而言，由于无法取得与被评估企业相关行业、相关规模企业转让的公开交易案例，亦无法取得足够的参考企业，故本次评估不具备采用市场法的适用条件。
北京豪威为持股公司，持有美国豪威100%股权。美国豪威于1995年5月成立于美国加利福尼亚州，成立时间较长，退市前为美国纳斯达克交易所上市公司。美国豪威及其子公司从事设计、开发和销售高性能的半导体图像传感器设备，是全球 CMOS图像传感器行业的知名企业，近年来业务发展及经营状况良好，有稳定的现金流，且收益和风险可以合理量化，因此可以采用收益法评估。
企业价值评估中的资产基础法，是指以被评估企业评估基准日的资产负债表为基础，合理评估企业表内及表外各项资产、负债价值，确定评估对象价值的评估方法。北京豪威的资产及负债结构清晰，企业各项资产和负债价值也可以单独评估确认，因此可以采用收益法评估。
综上所述，本次选择收益法和资产基础法进行评估。
2、思比科评估方法的选择
思比科选用的评估方法为：收益法和资产基础法。评估方法选择理由如下：
对市场法而言，由于无法取得与被评估企业相关行业、相关规模企业转让的公开交易案例，亦无法取得足够的参考企业，故本次评估不具备采用市场法的适用条件。
思比科其子公司从事设计、开发和销售高性能的半导体图像传感器设备，是国内 CMOS图像传感器行业的知名企业，公司业务发展和经营状况整体稳
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）定，有稳定的现金流，且收益和风险可以合理量化，因此可以采用收益法评估。
企业价值评估中的资产基础法，是指以被评估企业评估基准日的资产负债表为基础，合理评估企业表内及表外各项资产、负债价值，确定评估对象价值的评估方法。思比科的资产及负债结构清晰，企业各项资产和负债价值也可以单独评估确认，因此可以采用收益法评估。
综上所述，本次选择收益法和资产基础法进行评估。
3、视信源评估方法的选择
视信源选用的评估方法为资产基础法。评估方法选择理由如下：
对市场法而言，由于无法取得与被评估企业相关行业、相关规模企业转让的公开交易案例，亦无法取得足够的参考企业，故本次评估不具备采用市场法的适用条件。
本次评估引用立信评估2018年11月28日出具的（信资评报字[2018]第40074号）资产评估报告及说明，对被投资单位—北京思比科微电子技术有限公司采用收益法及资产基础法进行了评估，评估结论采用收益法评估结果，评估值为人民币 5.46亿元。以思比科股东全部权益评估值乘以视信源持有思比科的股权比例结果作为长期股权投资的评估值，实质上相当于采用了收益法对视信源股权价值进行了评估，因此本项评估不采用收益法。
因此本项评估排除了收益法及市场法而使用资产基础法进行评估。
（二）评估结论
1、北京豪威的评估结论
根据立信评估出具的信资评报字（2018）第40136号《北京豪威评估报告》，立信评估分别采用收益法和资产基础法两种方法对北京豪威股东全部权益进行评估，最终选用收益法的评估结果作为本次评估结论。截至评估基准日 2018年7月31日，北京豪威归属于母公司所有者权益的评估值为 1,413,100.00万元。
（1）收益法的评估结论
截至 2018年 7月 31日，北京豪威合并财务报表归属于母公司所有者权益
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 957,186.83万元，评估值 1,413,100.00万元，评估增值 455,913.17万元，增值率47.63%。
（2）资产基础法的评估结论
截至 2018年 7月 31日，北京豪威母公司口径净资产账面值 879,149.16万元，评估值495,613.07，评估减值383,536.09万元，减值率43.63%。
（3）评估结果分析及最终评估结论
本次评估采用收益法得出的北京豪威股东全部权益价值为 1,413,100.00万元，比资产基础法得出的股东全部权益价值 495,613.07万元，高 917,486.93万元，高185.12%。两种评估方法差异的原因主要是：
①两种评估方法考虑的角度不同，资产基础法是从资产的再取得途径考虑的，反映的是企业现有资产的重置价值。收益法是从企业的未来获利能力角度考虑的，反映了企业各项资产的综合获利能力。
北京豪威成立于 2015年 7月，自成立至今，有着较强的盈利能力，且未来增长预期良好，使得收益法评估结果有较大幅度的增值。收益法评估结果与资产基础法评估结果之间的差异是收益法能够体现出标的资产未来的盈利能力。
②收益法在评估过程中不仅考虑了北京豪威申报的资产，同时也考虑了如企业拥有的业务资质认证、稳定客户资源、科学的生产经营管理水平、雄厚的新产品研发队伍等对获利能力产生重大影响的因素，而这些因素未能在资产基础法中予以体现。
③资产基础法仅为单项资产价值叠加，而收益法考虑了各项资产共同作用的协同效应。
④北京豪威经营受益于客户资源优势、行业运作经验、技术优势、市场开拓能力等因素的盈利能力之间的相关性更为密切，选用收益法能够更加充分、全面地反映被评估企业的股东全部权益价值。
综上所述，本次评估选用收益法评估结果作为本次北京豪威净资产价值参考依据，由此得到北京豪威股东全部权益在基准日时点的价值为1,413,100.00万元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2、思比科的评估结论
根据立信评估出具的信资评报字（2018）第40074号《思比科评估报告》，立信评估分别采用收益法和资产基础法两种方法对思比科股东全部权益进行评估，最终选用收益法的评估结果作为本次评估结论。截至评估基准日 2018年 7月31日，思比科归属于母公司所有者权益的评估值为54,600.00万元
（1）收益法的评估结论
经收益法评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益价值（合并口径）为人民币54,600.00万元。
（2）资产基础法的评估结论
经资产基础法评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为人民币14,983.70万元。
（3）评估结果分析及最终评估结论
本次评估采用收益法得出的思比科股东全部权益价值为 54,600.00万元，与资产基础法得出的股东全部权益价值 14,983.70万元，收益法评估值较资产基础法评估值高39,616.30万元。两种方法评估结果差异的主要原因有下述几点：
（1）两种评估方法考虑的角度不同，资产基础法是从资产的再取得途径考虑的，反映的是企业现有资产的重置价值。收益法是从企业的未来获利能力角度考虑的，反映了企业各项资产的综合获利能力。
思比科成立于 2004年 9月，自成立至今，有着一定的盈利能力，且未来增长预期良好，使得收益法评估结果有较大幅度的增值。收益法评估结果与资产基础法评估结果之间的差异是收益法能够体现出未来的这种盈利能力。
（2）收益法在评估过程中不仅考虑了北京豪威申报的账内账外资产，同时也考虑了如企业拥有的业务资质认证、稳定客户资源、科学的生产经营管理水平、雄厚的新产品研发队伍等对获利能力产生重大影响的因素，而这些因素未能在资产基础法中予以体现。
（3）资产基础法仅为单项资产价值叠加，而收益法考虑了各项资产共同作用的协同效应。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（4）思比科经营受益于客户资源优势、行业运作经验、技术优势、市场开拓能力等因素的盈利能力之间的相关性更为密切，选用收益法能够更加充分、全面地反映被评估企业的股东全部权益价值。
（5）委托方即看中思比科未来的发展前景方有此次经济行为的产生。根据本项评估目的和委估资产的具体情况，在资产价值实现的最大化原则下，依照企业规划的经营管理模式和客户资源条件，收益法更能体现企业整体价值。
因此，本次评估采用收益法的评估结果。
经评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益价值（合并口径）为人民币54,600.00万元。
3、视信源的评估结论
视信源在评估基准日 2018年 7月 31日的总资产账面价值为 392.05万元，总负债账面价值为171.81万元，净资产账面价值为220.24万元。
经资产基础法评估，视信源在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为人民币29,243.76万元。
二、北京豪威股权评估
（一）收益法评估具体情况
1、收益法简介
（1）收益法简介及适用的前提条件
收益法是指通过估算被评估资产的未来预期收益并折算成现值，借以确定被评估资产价格的一种资产评估方法。
所谓收益现值，是指企业在未来特定时期内的预期收益按适当的折现率折算成当前价值（简称折现）的总金额。
收益法的基本原理是资产的购买者为购买资产而愿意支付的货币量不会超过该项资产未来所能带来的期望收益的折现值。
收益法的适用前提条件为：
①被评估资产必须是能够用货币衡量其未来期望收益的单项或整体资产；
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②产权所有者所承担的风险也必须是能用货币来衡量；
③被评估资产预期收益年限可以预测。
（2）收益法计算公式及各项参数
①收益法的计算公式：
经营性资产是指与北京豪威生产经营相关的，评估基准日后企业自由现金流量预测所涉及的资产与负债，其计算公式为：
P=未来收益期内各期收益的现值之和+溢余资产/负债
n
F
 i
1 i
+ Y
(r)
i1
P：评估值（折现值）
r：所选取的折现率
n：收益年期
F：未来第i个收益期的预期收益额
i
②收益期
企业的收益期限可分为无限期和有限期两种。北京豪威成立于 2015年 7月，为有限责任公司（中外合资），营业期限自 2015年 7月 15日至 2045年 7月 14日。北京豪威实际为控股公司，其控股的美国豪威为实质经营主体，美国豪威于 1995年 5月 8日在美国加利福尼亚州成立。2000年 3月 27日，美国豪威在美国特拉华州重新注册。考虑到其所属行业的营业期限无特殊性，因此本次收益期按照无限期计算。当进行无限年期预测时，期末剩余资产价值可忽略不计。
通常预测的时间分为两个阶段，详细的预测期和后续期。本次评估的评估基准日为 2018年 7月 31日，根据公司的经营情况及本次评估目的，对 2018年8月至2025年采用详细预测，并假定2025年以后年度委估公司的经营业绩将基本稳定在预测期2025年的水平。
采取 8年的详细预测的主要原因系：美国税改后对此前未完税的境外利润
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）需缴纳一次性汇回税。根据美国豪威管理层提供的测算文件，由于美国 2017年税改，美国豪威需要对税改前未完税的境外利润缴纳税款共计 2,834.95万美元，分八年缴纳，其中前五年每年缴纳率8%，第六年缴纳率15%，第七年缴纳率20%，第八年缴纳率25%。
对于除所得税以外的其他损益类科目详细预测至 2023年，2023年以后同2023年。
③收益法计算模型
本次评估采用收益法通过对企业整体价值的评估，扣减有息负债从而间接获得股东全部权益价值。
本次收益法评估的企业整体价值按下列公式计算：
企业整体价值=营业性资产价值+溢余资产/负债价值+非经营性资产/负债价值
股东权益价值=企业整体价值-有息债务
有息债务：指基准日账面上需要付息的债务
营业性资产价值按以下公式确定：
P为营业性资产价值；
r为折现率；
i为预测年度；
F为第i年净现金流量；
i
F为第n年终值；
n
n为预测第末年
④净现金流量的确定
本次评估采用的收益类型为企业自由现金流量，企业自由现金流量指的是
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）归属于股东和付息债务的债权人在内的所有投资者的现金流量，其计算公式为：
企业自由现金流量=税后净利润+利息支出（扣除税务影响后）+资产减值损失加回+折旧与摊销-资本性支出-净营运资金变动
⑤折现率
按照收益额与折现率口径一致的原则，本次评估收益额口径为企业自由现金流量，则折现率选取加权平均资本成本（WACC），其计算公式为：
WACC=K×W+K×（1-t）×W
e e d d
WACC：加权平均资本成本
K：公司普通权益资本成本
e
K：公司债务资本成本
d
W：权益资本在资本结构中的百分比
e
W：债务资本在资本结构中的百分比
d
t：公司所得税税率
其中权益资本成本将采用资产定价模型计算得出
K＝R+（R -R）×β+a
e g m g
R：无风险报酬率
g
R：资本市场预期收益率
m
β：目标企业的β系数
a：企业个别风险调整系数
⑥溢余资产/负债及非经营性资产/负债价值的确定
溢余资产/负债是指与企业收益无直接关系、超过企业经营所需的多余资产/负债，主要包括溢余现金、收益法评估未包括的资产/负债等。非经营性资产/负债是指与企业收益无直接关系、不产生效益的资产/负债。溢余资产/负债和非经营性资产/负债视具体情况采用成本法、收益法或市场法评估。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）收益预测的假设前提
①一般性假设
A.北京豪威所在的行业保持稳定发展态势，所处国家现行的有关法律法规及政策、国家宏观经济形势无重大变化，本次交易各方所处地区的政治、经济和社会环境无重大变化；
B.北京豪威以目前的规模或目前资产决定的融资能力可达到的规模，按持续经营原则不考虑新增资本规模带来的收益；
C.北京豪威与国内外合作伙伴关系及其相互利益无重大变化；
D.国家现行的有关银行信贷利率、汇率，以及政策性收费等不发生重大变化；
E.现行税收法律制度不发生重大变化，所执行的税赋基准、税率、税收优惠政策等将保持不变，所有适用的法规都将得到遵循；
F.北京豪威在预测期内所处国家的居民消费和商品零售价格指数等指标与历史期间相比没有重大差别；
G.无其他人力不可抗拒及不可预见因素造成的重大不利影响。
②针对性假设
A.北京豪威的资产在评估基准日后不改变用途，仍持续使用；
B.北京豪威的现有和未来经营者是负责的，且企业管理能稳步推进公司的发展计划，尽力实现预计的经营态势；
C.北京豪威遵守国家相关法律和法规，不会出现影响公司发展和收益实现的重大违规事项；
D.北京豪威提供的历年财务资料所采用的会计政策和进行收益预测时所采用的会计政策与会计核算方法在重要方面基本一致；
E.北京豪威在未来经营期内的资产构成，主营业务、产品的结构，收入与成本费用的构成以及销售策略、成本费用控制、结算周期等仍保持其于基准日所确定的状态持续，而不发生较大变化。不考虑未来可能由于管理层、经营策
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）略以及商业环境等变化导致的资产规模、构成以及主营业务、产品结构等状况的变化；
F.北京豪威所有的收入和支出均发生于年末；
G.评估范围仅以委托方及北京豪威申报评估的范围为准，不考虑与列入评估范围的资产和负债有关系的其他抵押、质押、担保、或有资产、或有负债等事项在基准日后可能发生的对评估结论的影响；
H.北京豪威各级业务子公司分布在世界各地，不同国家的税率存在较大的差异。本次收益法预测以符合所在国税收政策为前提，原则上各公司所在地实现收益留存当地，未考虑评估基准日后形成的特别税费负担或利润收回成本对评估结论的影响。
2、收益法评估过程
（1）营业收入的预测
①行业内上市公司经营业绩分析
根据同花顺iFinD，国外同行业主要上市公司2015-2017年营业收入如下：单位：万美元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|安森美半导体|349,580.00|390,690.00|554,310.00|
|日月光投资控股|888,153.45|879,079.37|992,437.61|
|中芯国际|223,641.50|291,418.00|310,117.50|
|亚德诺|343,509.20|342,140.90|510,750.30|
|意法半导体|686,600.00|694,400.00|830,800.00|
|高通|2,528,100.00|2,355,400.00|2,229,100.00|

国外主要上市公司2015-2017年营业收入年增长率如下：
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年（%）|2016年（%）|2017年（%）|
|安森美半导体|10.56|11.76|41.88|
|日月光投资控股|6.54|-1.02|12.90|
|中芯国际|13.53|30.31|6.42|
|亚德诺|19.91|-0.40|49.28|
|意法半导体|-6.39|1.14|19.64|
|高通|-4.55|-6.83|-5.36|
|平均值|6.60|5.83|20.79|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）根据同花顺iFinD，国内同行业主要上市公司2015-2017年营业收入如下：单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|83,389.34|119,016.28|146,950.84|
|富瀚微|18,160.84|32,169.60|44,921.30|
|捷捷微电|24,146.27|33,160.86|43,080.69|
|圣邦股份|39,445.30|45,196.19|53,150.53|
|富满电子|27,322.92|32,964.28|43,973.44|
|国科微|36,708.74|48,902.67|41,175.18|
|上海贝岭|48,921.02|50,909.39|56,187.40|
|华微电子|130,065.97|139,586.35|163,489.03|
|汇顶科技|111,960.13|307,933.13|368,159.43|
|韦尔股份|198,327.12|216,076.95|240,591.63|
|兆易创新|118,878.02|148,894.82|202,970.88|

国内主要上市公司2015-2017年营业收入年增长率如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|28.72|42.72|23.47|
|富瀚微|3.79|77.14|39.64|
|捷捷微电|6.00|37.33|29.91|
|圣邦股份|21.03|14.58|17.60|
|富满电子|6.87|20.65|33.40|
|国科微|103.00|33.22|-15.80|
|上海贝岭|4.55|4.06|10.37|
|华微电子|5.25|7.32|17.12|
|汇顶科技|31.15|175.04|19.56|
|韦尔股份|40.89|8.95|11.35|
|兆易创新|25.57|25.25|36.32|
|平均值|25.17|40.57|20.27|

由上表可知，国外主要上市公司2015-2017年营业收入年增长率平均值分别为6.60%、5.83%和20.79%，国内主要上市公司 2015-2017年营业收入年增长率平均值分别为25.17%、40.57%和20.27%。国内外同行业上市公司营业收入总体均呈增长趋势，但国内企业增长率较高，其主要原因为：
A.国外上市公司的体量大、起步早，已经进入了比较平稳的发展期，产品
营销渠道和客户群体已经稳定，市场占有的份额也已经相对稳定，因此营业收
入增长率较为平稳。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）B.国内上市公司相对国外上市公司的体量较小、起步较晚，仍处在高速发展的成长期，营业收入绝对值低于国外同行业公司，但增长率较高。
包括中国在内的亚太市场是集成电路行业发展速度最快的区域，也是北京豪威最重要的经销区域和目标市场。北京豪威具有较强的技术研发能力和品牌优势，亚太地区集成电路行业的高速发展有助于该领域优秀企业实现更快的业绩增长。
本次对于北京豪威以后年度的收入预测，主要是依据宏观经济环境、半导体行业现状、CMOS图像处理行业状况和发展前景、北京豪威现在所处的行业地位及市场份额、历史收入、成本和费用的构成以及企业综合实力、管理水平、竞争优势等因素做出的综合判断。
②营业收入预测
国外主要上市公司 2015-2017年营业收入年增长率平均值为11.07%，国内主要上市公司 2015-2017年营业收入年增长率平均值为28.67%，北京豪威营业收入未来五年的年复合增长率为7.73%，低于国内外同行业平均增长水平。结合北京豪威历史经营业绩、同行业经营状况以及整个行业现处的阶段分析，北京豪威以后年度营业收入预测如下：
单位：万美元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|图像传感器|51,388.82|136,885.18|149,735.75|162,873.42|178,419.22|191,171.77|
|其他产品|3,930.12|12,828.05|17,124.79|21,019.29|22,841.63|24,161.53|
|服务收入|93.39|450.00|825.00|1,425.00|1,875.00|2,550.00|
|合计|55,412.32|150,163.23|167,685.54|185,317.71|203,135.85|217,883.30|

（2）营业成本预测
①行业内上市公司经营业绩分析
根据同花顺iFinD，国外同行业主要上市公司2015-2017年营业成本如下：单位：万美元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|安森美半导体|230,260.00|261,000.00|350,930.00|
|日月光投资控股|730,979.51|708,964.26|812,251.44|
|中芯国际|155,379.50|206,449.90|236,043.10|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|意法半导体|456,500.00|451,800.00|507,900.00|
|高通|1,037,800.00|974,900.00|979,200.00|

国外同行业主要上市公司2015-2017年营业成本占营业收入的比例如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|安森美半导体|65.87|66.80|63.31|
|日月光投资控股|82.30|80.65|81.84|
|中芯国际|69.48|70.84|76.11|
|意法半导体|66.49|65.06|61.13|
|高通|41.05|41.39|43.93|
|平均值|65.04|64.95|65.26|

根据同花顺iFinD，国内主要上市公司2015-2017年营业成本如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|54,507.08|76,937.70|94,672.54|
|富瀚微|7,998.08|13,846.13|23,538.89|
|捷捷微电|11,324.07|14,993.40|19,007.28|
|圣邦股份|23,410.46|27,008.61|30,068.19|
|富满电子|19,180.88|23,628.71|31,391.92|
|国科微|19,269.00|24,313.63|24,541.27|
|上海贝岭|36,662.26|37,726.39|42,626.46|
|华微电子|101,204.75|112,238.26|129,649.99|
|汇顶科技|47,185.38|162,759.58|194,688.31|
|韦尔股份|160,128.95|172,609.12|191,185.28|
|兆易创新|84,800.27|109,109.04|123,485.22|

国内主要上市公司2015-2017年营业成本占营业收入的比例如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|65.36|64.64|64.42|
|富瀚微|44.04|43.04|52.40|
|捷捷微电|46.90|45.21|44.12|
|圣邦股份|59.35|59.76|56.57|
|富满电子|70.20|71.68|71.39|
|国科微|52.49|49.72|59.60|
|上海贝岭|74.94|74.10|75.86|
|华微电子|77.81|80.41|79.30|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|汇顶科技|42.14|52.86|52.88|
|韦尔股份|80.74|79.88|79.46|
|兆易创新|71.33|73.28|60.84|
|平均值|62.30|63.14|63.35|

由上表可知，国外主要上市公司2015-2017年营业成本占营业收入的比例平均值分别为65.04%、64.95%和65.26%，毛利率水平在35%左右；国内主要上市公司 2015-2017年营业成本占营业收入的比例平均值分别为62.30%、63.14%和63.35%，毛利率水平在37%左右。
北京豪威 2016年、2017年及 2018年 1-7月毛利率分别为15.75%、23.13%和23.89%。2016年北京豪威毛利率较低，主要原因为：首先，美国豪威 2014年 8月正式启动私有化进程，整个私有化过程将近两年，对美国豪威经营管理造成了一定程度的不利影响。其次，2016年 1月 28日北京豪威收购美国豪威时，确认了存货的公允价值增值，在销售这批存货时，把较高的公允价值确认为成本，直接影响了2016年的毛利率。
随着美国豪威私有化、北京豪威收购美国豪威带来的影响逐渐消除，同时随着北京豪威多项产品产量的提高，以及同上游晶圆代工厂战略合作的加深，有助于北京豪威获得更优惠的供应商供货条件，有助于主营业务成本的降低，以后年度的毛利率将会提升。
②营业成本预测
国外主要上市公司2015-2017年毛利率水平在35%左右；国内主要上市公司 2015-2017年毛利率水平在37%左右。北京豪威预测期间内平均毛利率为25.50%，结合北京豪威历史经营业绩、同行业经营状况以及整个行业现处的阶段分析，综上，北京豪威以后年度营业务成本预测如下：
单位：万美元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|图像传感器|38,018.16|106,283.56|115,253.28|125,164.14|135,862.26|145,491.18|
|其他产品|2,539.62|7,577.05|9,819.83|12,031.30|12,967.44|13,693.73|
|服务收入|630.70|250.61|428.01|703.90|963.69|1,352.59|
|合计|41,188.48|114,111.22|125,501.11|137,899.33|149,793.38|160,537.50|

（3）其他业务利润预测
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）北京豪威2016年、2017年和2018年1-7月其他业务利润如下：
单位：万美元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|其他业务收入|182.66|248.13|182.54|
|其他业务成本|13.77|23.61|42.60|
|其他业务利润|168.89|224.52|139.94|

北京豪威其他业务主要系下属公司豪威科技（上海）对外出租办公场所的租金收入及相关成本。本次评估已在非经营性资产中对这部分价值加回，故本次评估不对其他业务利润进行预测。
（4）税金及附加预测
本次按照历史年度税金及附加占北京豪威营业收入的比例进行预测，北京豪威以后年度的税金及附加预测如下：
单位：万美元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|税金及附加|49.09|133.03|148.56|164.18|179.96|193.03|
|占营业收入比例（%）|0.09|0.09|0.09|0.09|0.09|0.09|

（5）期间费用预测
截至评估基准日，北京豪威共有付息债务 27,972.34万美元，其中：一年内到期非流动负债为9,000.00万美元、长期借款为18,972.34万美元。
经审计报告披露，北京豪威用于支付合并交易的收购对价的借款将于 2020年2月3日还完。考虑到企业未来规模扩大，需要保持一定借款来保障企业正常经营，本次财务费用的评估按照基准日的借款规模和基准日的实际借款利率4.1313%进行预测。
综上，北京豪威以后年度财务费用如下：
单位：万美元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|财务费用|481.50|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|
|占营业收入比例（%）|0.87|0.77|0.69|0.62|0.57|0.53|

基于北京豪威历史期间费用数据，以及未来正常生产经营所需必要支出，
北京豪威以后年度的期间费用预测如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：万美元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|销售费用|1,718.32|4,533.98|4,850.94|5,046.55|5,429.93|5,820.40|
|占营业收入的比例（%）|3.10|3.02|2.89|2.72|2.67|2.67|
|管理费用|1,384.94|3,072.20|3,263.90|3,393.87|3,527.57|3,667.27|
|占营业收入的比例（%）|2.50|2.05|1.95|1.83|1.74|1.68|
|研发费用|5,449.09|14,328.98|15,338.31|15,734.71|16,463.67|17,323.11|
|占营业收入的比例（%）|9.83|9.54|9.15|8.49|8.10|7.95|
|财务费用|481.50|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|
|占营业收入的比例（%）|0.87|0.77|0.69|0.62|0.57|0.53|
|金额合计|9,033.85|23,090.77|24,608.76|25,330.74|26,576.78|27,966.39|
|占比合计|16.30|15.38|14.68|13.67|13.08|12.84|

（6）其他收支预测
①资产减值损失的预测
基于北京豪威历史数据，按照5%的坏账准备以及 2017年存货跌价准备规模，北京豪威以后年度的资产减值损失预测如下：
单位：万美元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|资产减值损失|2,537.07|2,049.61|2,254.19|2,476.88|2,690.52|2,883.50|
|占营业收入比例（%）|4.58|1.36|1.34|1.33|1.32|1.32|

②投资收益、资产处置收益、其他收益和营业外收支的预测
北京豪威历史上的投资收益主要为处置苏州晶方带来的收益，本次评估已在非经营性资产中对这部分价值加回，故本次评估不对投资收益进行预测。
资产处置收益、其他收益存在较大不确定性，本次评估不对其进行预测。
营业外收支存在偶然性，本次评估不对营业外收支进行预测。
（7）所得税预测
北京豪威企业所得税预测分为以下四个部分，分别为：
①计入新加坡豪威（OmniVision Technologies Singapore Pte.Ltd.）的企业所
得税；
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②计入美国豪威的企业所得税；
③计入合并范围内除美国豪威、新加坡豪威以外其他公司的企业所得税；
④美国税改后对此前未完税的境外利润缴纳的一次性汇回税。
北京豪威以后年度的所得税预测如下：
单位：万美元
||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|2024年|2025年|
|第一部分|97.75|264.89|295.80|326.90|358.33|384.35|384.35|384.35|
|第二部分|—|—|—|—|—|—|—|—|
|第三部分|20.83|50.00|50.00|50.00|50.00|50.00|50.00|50.00|
|第四部分|226.80|226.80|226.80|226.80|226.80|425.24|566.99|708.74|
|所得税合计|345.38|541.68|572.59|603.70|635.13|859.59|1,001.34|1,143.08|

（8）净利润的预测
北京豪威以后年度净利润预测如下：
单位：万美元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|
|利润总额|2,603.83|10,778.60|15,172.92|19,446.58|
|所得税|345.38|541.68|572.59|603.70|
|净利润|2,258.45|10,236.92|14,600.33|18,842.89|
|项目|2022年|2023年|2024年|2025年|
|利润总额|23,895.21|26,302.89|26,302.89|26,302.89|
|所得税|635.13|859.59|1,001.34|1,143.08|
|净利润|23,260.09|25,443.30|25,301.55|25,159.81|

（9）资本性支出预测
北京豪威以后年度资本性支出预测如下：
单位：万美元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|
|资本性支出及资产更新|1,301.06|1,416.90|1,344.75|1,373.98|2,192.44|
|项目|2023年|2024年|2025年|2025年以后|—|
|资本性支出及资产更新|2,192.44|3,831.13|3,831.13|3,831.13|—|

（10）折旧和摊销的预测
根据北京豪威在评估基准日的存量固定资产、长期待摊费用计算得到以后
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）年度折旧和摊销支出预测如下：
单位：万美元
|||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|2023年以后|
|折旧和摊销|1,714.06|2,972.93|3,229.12|3,476.74|3,781.66|3,831.13|3,831.13|

（11）营运资金追加的预测
营运资本是指企业经营性流动资产与流动负债的差额，反映企业在未来经营活动中是否需要追加额外的现金。如果经营性流动资产大于流动负债，则企业需要额外补充现金，在现金流量预测中表现为现金流出，反之为现金流入。
随着企业经营活动范围或规模的扩大，企业向客户提供的正常商业信用会相应增加，为扩大销售所需增加的存货储备也会占用更多的资金。同时为满足企业日常经营性支付所需保持的现金余额也要增加，从而需要占用更多的流动资金，但企业同时通过从供应商处获得正常的商业信用，减少资金的即时支付，相应节省了部分流动资金。
流动资金的追加需考虑应收账款、预付账款、存货、经营性现金、应付账款、预收账款等因素的影响。本次对营运资本的变化预测思路如下：首先分别对未来经营性营运资产、营运负债进行预测，得出营运资本；然后将营运资本与上一年度的营运资本进行比较；如果大于则表现为现金流出，反之为现金流入。
北京豪威以后年度营运资金追加的预测如下：
单位：万美元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|
|营运资金追加|1,404.95|8,739.32|7,224.23|8,151.02|7,374.88|
|项目|2023年|2024年|2025年|2025年以后|—|
|营运资金追加|7,221.37|—|—|—|—|

*2023年以后营运资金稳定不再追加。
（12）企业自由现金流量的计算
本次评估采用的收益类型为企业自由现金流量，企业自由现金流量指的是归属于股东和付息债务的债权人在内的所有投资者的现金流量，其计算公式
为：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）企业自由现金流量=税后净利润+利息支出（扣除税务影响后）+资产减值损失加回+折旧与摊销-资本性支出-净营运资金变动
假定2025年后北京豪威经营规模以2025年为准，不考虑生产经营规模的变化，并且北京豪威按规定提取的固定资产折旧全部用于原有固定资产的维护和更新，并假定此种措施足以并恰好保持北京豪威的经营能力维持不变。北京豪威未来各年度净现金流量预测如下：
单位：万美元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|
|净利润|2,258.45|10,236.92|14,600.33|18,842.89|23,260.09|
|加：利息支出*（1-所得税率）|481.50|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|
|加：资产减值损失加回|2,537.07|2,049.61|2,254.19|2,476.88|2,690.52|
|加：折旧和摊销|1,714.06|2,972.93|3,229.12|3,476.74|3,781.66|
|减：资本性支出|1,301.06|1,416.90|1,344.75|1,373.98|2,192.44|
|减：营运资金追加|1,404.95|8,739.32|7,224.23|8,151.02|7,374.88|
|企业自由现金流量|4,285.08|6,258.84|12,670.27|16,427.11|21,320.54|
|项目|2023年|2024年|2025年|2025年以后|—|
|净利润|25,443.30|25,301.55|25,159.81|25,868.54|—|
|加：利息支出*（1-所得税率）|1,155.61|1,155.61|1,155.61|1,155.61|—|
|加：存货跌价准备加回|2,883.50|2,883.50|2,883.50|2,883.50|—|
|加：折旧和摊销|3,831.13|3,831.13|3,831.13|3,831.13|—|
|减：资本性支出|2,192.44|3,831.13|3,831.13|3,831.13|—|
|减：营运资金追加|7,221.37|-|-|-|—|
|企业自由现金流量|23,899.73|29,340.66|29,198.91|29,907.65|—|

（13）溢余资产/负债和非经营性资产/负债的确定
溢余资产/负债是指与企业收益无直接关系、超过企业经营所需的多余资产/负债，主要包括溢余现金、收益法评估未包括的资产/负债等。非经营性资产/负债是指与企业收益无直接关系、不产生效益的资产/负债。溢余资产/负债和非经营性资产/负债视具体情况采用成本法、收益法或市场法评估。
溢余资产/负债及非经营性资产/负债的处理与企业的资产负债结构密切相
关。评估基准日2018年7月31日，北京豪威账面有以下一些资产（负债）的价
值在本次估算的净现金流量中未予考虑，属于本次评估所估算现金流之外的溢
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）余或非经营性资产（负债）：
①北京豪威评估基准日其他流动资产-处置苏州晶方的股份带来的收益共计人民币6,430.96万元，确认该款项属于评估基准日非经营性资产；
②纳入本次合并范围的子公司豪威科技（上海）有限公司用于对外出租的投资性房地产评估价值为人民币 19,622.00万元，确认该资产属于评估基准日非经营性资产；
③北京豪威评估基准日其他非流动资产-预付给合作方的用于合作项目的投资款项共计人民币39,217.66万元，确认该款项属于评估基准日非经营性资产；
④北京豪威评估基准日其他应付款中有股东溢缴的投资款共计人民币613.33万元，确认该款项属于评估基准日非经营性负债；
⑤北京豪威评估基准日预计负债账面值人民币 77,789.15万元，系根据美国税务改革，过渡税的计算允许公司抵扣部分以前年度计提的不确定税项，共计人民币77,789.15万元；
⑥北京豪威与部分晶圆代工厂签订了不可撤销的采购合同，因预计最终产品的可变现净值下降，导致履行该合同的预计成本超过预计收入而产生预计亏损。对于截至评估基准日尚未履行完毕的采购合同，计提了相关存货跌价准备，并且按预计亏损超过已计提的存货跌价准备的部分，计入其他流动负债的一年内到期的亏损合同拨备共计人民币 2,621.11万元
综上，北京豪威溢余资产合计人民币 65,270.63万元，溢余负债人民币81,023.59万元。
（14）有息负债的确定
北京豪威在评估基准日账面一年内到期非流动负债 61,348.50万元，长期借款129,324.99万元，共计190,673.49万元。本次将其作为有息负债扣除。
（15）收益法评估结果
经收益法评估，北京豪威在评估基准日2018年7月31日的归属于母公司所有者权益的评估值为人民币1,413,100.00万元
（二）资产基础法评估具体情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）1、流动资产评估情况
（1）货币资金评估情况
货币资金账面值80,532,629.99美元，系银行存款。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|货币资金|80,532,629.99|80,532,629.99|

（2）应收款项评估情况（预付账款）
预付账款账面值为16,923.56美元，仅有明细1项，系预付的保险费。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|预付账款|16,923.56|16,923.56|

（3）应收利息评估情况
应收利息账面值为66,604.83美元，系应收定期存款利息。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|应收利息|66,604.83|66,604.83|

（4）其他流动资产评估情况
其他流动资产账面值40,739.30美元，仅有1笔明细，系可抵扣的进项税。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|其他流动资产|40,739.30|40,739.30|

2、长期股权投资评估情况
本次评估中对该些单位长期投资评估值确定如下：
单位：美元
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|被投资单位名称|被投资企业评估值|持股比例（%）|长期投资评估值|
|1|Seagull Investment Holdings Limited|647,341,619.98|100.00|647,341,619.98|
|2|北京豪威亦庄科技有限公司|0.00|100.00|0.00|
|合计||647,341,619.98|100.00|647,341,619.98|

长期股权投资评估值为647,341,619.98美元。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|长期股权投资|1,210,000,000.00|647,341,619.98|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）长期股权投资账面值为 1,210,000,000.00美元，评估值 647,341,619.98美元，评估减值 562,658,380.02美元，减值率46.50%，长期股权投资减值的主要原因是：资产占有方对长期股权投资的利润的会计处理方式与评估处理方式不同。
3、负债评估情况
北京豪威的负债包括应付职工薪酬、应交税费和其他应付款。
（1）应付职工薪酬评估情况
应付职工薪酬账面值为15,917.47美元，系应付职工的工资、福利费等。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|递延所得税资产|15,917.47|15,917.47|

（2）应交税费评估情况
应交税费账面金额4,307.07美元，仅有明细1项，系应交的个人所得税。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|应交税费|4,307.07|4,307.07|

（3）其他应付款评估情况
其他应付款账面值为899,774.31美元，仅有明细1项，系北京集成电路设计与封测股权投资中心（有限合伙）股东溢缴投资款899,774.31美元。
单位：美元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|其他应付款|899,774.31|899,774.31|

4、资产基础法评估结果
经资产基础法评估，北京豪威在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为 72,707.85万美元。根据外汇管理局发布的 2018年 7月 31日美元对人民币汇率为6.8165，折算人民币评估值495,613.07万元。
总资产账面值 129,065.69万美元，评估值 72,799.85万美元，评估减值56,265.84万美元，增值率43.59%；
总负债账面值92.00万美元，评估值92.00万美元，无增减变动；
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）净资产账面值 128,973.69万美元，评估值 72,707.85万美元，评估减值56,265.84万美元，减值率43.63%。
单位：万美元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|账面净值|评估值|增减额|增减率（%）|
||A|B|C=B-A|D=C/A|
|流动资产|8,065.69|8,065.69|-|-|
|非流动资产|121,000.00|64,734.16|-56,265.84|-46.50|
|其中：长期股权投资|121,000.00|64,734.16|-56,265.84|-46.50|
|资产总计|129,065.69|72,799.85|-56,265.84|-43.59|
|流动负债|92.00|92.00|-|-|
|负债总计|92.00|92.00|-|-|
|净资产|128,973.69|72,707.85|-56,265.84|-43.63|

本次评估减值56,265.84万美元，评估减值原因分析如下：
长期股权投资账面值为 1,210,000,000.00美元，评估值 647,341,619.98美元，评估减值 562,658,380.02美元，减值率46.50%，长期股权投资减值的主要原因是：资产占有方对长期股权投资的利润的会计处理方式与评估处理方式不同。
（三）评估结论的分析及采用
1、收益法评估结果
经收益法评估，北京豪威在评估基准日2018年7月31日的归属于母公司所有者权益的评估值为人民币1,413,100.00万元。
2、资产基础法评估结果
经资产基础法评估，北京豪威在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为人民币495,613.07万元。
3、评估结果选取的理由
北京豪威收益法和资产基础法评估结果差异主要有以下几点原因：
（1）资产基础法是从资产的再取得途径考虑的，反映的是企业现有资产的重置价值。收益法是从企业的未来获利能力角度考虑的，反映了企业各项资产
的综合获利能力。北京豪威成立于 2015年 7月，自成立至今，有着较强的盈利
能力，且未来增长预期良好，使得收益法评估结果有较大幅度的增值。收益法
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）评估结果与资产基础法评估结果之间的差异是收益法能够体现出未来的这种盈利能力。
（2）收益法在评估过程中不仅考虑了北京豪威申报的账内账外资产，同时也考虑了如企业拥有的业务资质认证、稳定客户资源、科学的生产经营管理水平、雄厚的新产品研发队伍等对获利能力产生重大影响的因素，而这些因素未能在资产基础法中予以体现。
（3）资产基础法仅为单项资产价值叠加，而收益法考虑了各项资产共同作用的协同效应。
（4）北京豪威经营受益于客户资源优势、行业运作经验、技术优势、市场开拓能力等因素的盈利能力之间的相关性更为密切，选用收益法能够更加充分、全面地反映被评估企业的股东全部权益价值。
（5）根据本项评估目的和委托评估资产的具体情况，在资产价值实现的最大化原则下，依照企业规划的经营管理模式和客户资源条件，收益法更能体现企业整体价值。
因此，本次评估采用收益法的评估结果。
（四）其他需说明的情况
1、引用其他机构报告的相关情况
本次评估报告未引用其他机构报告内容。
2、评估特殊处理、对评估结论有重大影响事项的说明
本次评估不存在评估特殊处理、对评估结论有重大影响事项。
（五）董事会对北京豪威资产评估的合理性及定价的公允性分析
1、董事会对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与目的的相关性、评估定价的公允性发表的意见
韦尔股份董事会在充分了解本次交易的前提下，分别对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与评估目的的相关性、评估定价的公允性等事项发表如下意见：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）评估机构的独立性
担任本次交易评估机构的立信评估具有证券期货业务资格，立信评估及经办评估师与公司、交易对方及标的资产均不存在关联关系，不存在除专业收费外的现实的和预期的利害关系，评估机构具有独立性。
（2）评估假设前提的合理性
评估机构和评估人员为本次交易出具的相关资产评估报告所设定的评估假设前提和限制条件按照国家规定执行，遵循了市场通行惯例或准则，符合评估对象的实际情况，评估假设前提具有合理性。
（3）评估方法与评估目的的相关性
本次评估的目的是确定标的资产于评估基准日的市场价值，为本次交易提供价值参考依据，评估机构实际评估的资产范围与委托评估的资产范围一致。
本次评估对北京豪威采用资产基础法和收益法进行了评估，并采用收益法评估结果作为最终评估结论。本次资产评估工作按照国家有关法规与行业规范的要求，评估机构在评估过程中实施了相应的评估程序，遵循了独立性、客观性、科学性、公正性等原则，运用了合规且符合标的资产实际情况的评估方法，选用的参照数据、资料可靠；资产评估价值公允、准确。评估方法选用恰当，评估结论合理，评估方法与评估目的相关性一致。
（4）评估定价的公允性
本次交易以立信评估出具的资产评估报告载明的评估值为基础结合各交易对方对标的公司的业绩承诺情况协商确定交易价格，标的资产评估定价公允，交易价格公平、合理，不会损害公司及中小股东利益。
独立董事已对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与评估目的的相关性及和评估定价的公允性发表了独立意见。
综上，韦尔股份董事会认为：本次交易评估机构独立、评估假设前提合理、评估方法与评估目的相关性一致、评估定价公允。
2、财务预测的合理性分析
（1）北京豪威所处行业地位
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）鉴于北京豪威实际为控股公司，其控股的美国豪威为实质经营主体，以下分析主体主要为美国豪威。
美国豪威长期以来致力于 CMOS图像传感器的研发、生产和销售，在中国及中国香港和中国台湾地区、美国、新加坡、日本、韩国、德国、英国、挪威、印度等国家和地区均设有运营主体，产品销往全球主要国家和地区。2017年，美国豪威销售的 CMOS图像传感器超过80kk，是处于市场领先地位的 CMOS图像传感器研发、设计企业。
美国豪威以研发创新为基石，客户需求为导向，一直致力于 CMOS图像传感器前沿技术的研发，近三年在 CMOS图像传感器行业的竞争优势进一步提高。美国豪威及其下属企业全球专利数量从 2016年末的 3,190项，增加到 2018年7月末的3,379项。
除上述专利技术外，美国豪威还新研发了以下几项核心技术：
||||
|-|-|-|
|序号|技术名称|技术说明|
|1|四相像素（QPD）技术|可使手机摄像头实现更高速的自动对焦|
|2|LED闪烁均衡技术|提高车载CMOS图像传感器性能|
|3|近红外和超低光技术|提高监控设备在无光和低光环境下的图像捕捉能力，同时可以应用在面部识别领域|
|4|超小型图像传感器|可以应用于医疗检测设备|

上述核心技术覆盖了智能手机、车载摄像头、监控摄像头和医疗设备领域，其中：智能手机是美国豪威产品最主要的应用市场，四相像素（QPD）等新技术的持续研发有助于美国豪威稳固其市场竞争地位；车载摄像头、图像监视器、医疗设备已逐渐成为 CMOS图像传感器增长速度最快的应用市场，且美国豪威在上述市场有较强的竞争优势，这些新兴应用市场将成为美国豪威未来业绩的增长点。
根据 YOLE的公开报告，美国豪威 2017年在 CMOS图像传感器市场占有11%的市场份额，仅次于日本索尼和韩国三星，是全球最主要的三家 CMOS图像传感器供应商之一。
（2）行业发展趋势
根据全球半导体贸易统计组织数据显示，全球集成电路市场规模2012年至
2017年的年复合增长率为7.58%，其中2017年销售额为3,432亿美元，同比增
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）加了24.03%。2015-2017年，中国集成电路产业年销售额分别为 3,609.8亿元、4,335.5亿元和5,411.3亿元，同比增速分别为19.71%、20.10%和24.81%，增速呈逐年增加趋势，其中半导体设计业销售额为2,073.5亿元，增速为26.10%。
CMOS图像传感器市场潜力较大，根据 Yole Development针对 CMOS图像传感器产业现状进行的调查，2017年全球 CMOS图像传感器市场规模为 139亿美元，而 2021年市场规模有望达到 188亿美元，CMOS图像传感器产业将保持高速增长趋势。
智能手机作为图像传感器目前最主要的应用领域，2017年全球智能手机总出货量为14.72亿部，与2016年的14.73亿部基本持平。根据TSR的统计数据， 2018年三摄手机占比预计为1%，而到 2022年将达到14%。随着双摄像头及三摄像头的普及和推广，消费者对智能手机高倍光学变焦、背景虚化、静态画质提升等图像处理能力提升的需求，以及虹膜识别、面容 ID等新技术的应用推广，越来越多的手机方案采用双摄或三摄模组，CMOS图像传感器依然具有较大市场空间。
汽车、安防等领域也是 CMOS图像传感器的市场的另一个增长点，随着人工智能、面容识别、自动驾驶等新兴技术对图像处理的要求越来越高，汽车及安防设备对摄像头的数量也逐渐增加。
（3）行业竞争及经营情况
CMOS图像传感器行业于知识密集型行业，对产业化运作有着很高的要求，在技术、产业整合、客户、人才、资金及规模等方面存在较高的进入壁垒。CMOS图像传感器设计企业需要在电子学、材料学、光学等多种学科具有深厚的技术积累，并与具有较强实力的上游晶圆加工厂和下游模组厂建立长期稳定的合作关系，才能在市场竞争中脱颖而出。因此，CMOS图像传感器行业市场集中度较高，目前全球 CMOS图像传感器市场主要由索尼、三星和美国豪威三家公司主导。除上述三家企业以外，安森美（ONSemi）于 2014年收购了汽车CMOS图像传感器领先企业Aptina公司，在汽车CMOS图像传感器领域有一定市场优势。
（4）报告期及未来财务预测相关情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）①报告期内的财务情况
报告期内，北京豪威主营业务的销售收入、成本、毛利率及净利润情况如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|501,561.81|905,038.73|795,650.01|
|营业成本|381,717.51|695,732.19|670,365.34|
|毛利润|119,844.30|209,306.55|125,284.67|
|综合毛利率|23.89%|23.13%|15.75%|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|净利率|3.32%|30.33%|-26.93%|
|扣除非经常性损益净利润|17,827.90|275,819.87|-198,937.36|

如上表所示，北京豪威 2016年、2017年和 2018年 1-7月营业收入分别为 795,650.01万元、905,038.73万元和 501,561.81万元，营业收入总体保持平稳的增长趋势。
此外，受私有化相关费用影响（包括 2016年一次性员工奖励计划、2017年美国税改、2018年一次性税务事项等因素的影响），报告期内北京豪威净利润波动较大。扣除上述费用影响后，2016年、2017年和2018年1-7月北京豪威的净利润分别为2,101.35万元、19,953.41万元和20,531.50万元，盈利能力及盈利规模增幅明显。
②未来财务预测情况
北京豪威的收益预测综合考虑了以下因素：
A.主营业务未来发展趋势
北京豪威历史年度及业绩承诺期内的预测收入数据如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|历史数据|||预测数据|||
||2016年|2017年|2018年1-7月|2019年|2020年|2021年|
|营业收入|795,650.01|905,038.73|501,561.81|1,023,587.67|1,143,028.48|1,263,218.19|
|增长率|-|13.75%|-|-|11.67%|10.52%|

注：预测数据为评估报告的美元预测数乘以折算汇率（6.8165）
报告期内，北京豪威营业收入增长较为稳定。业绩承诺期内，随着全球
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） CMOS图像传感器应用领域的不断延伸和市场规模的不断扩大，北京豪威 CMOS图像传感器产品销售规模将进一步增加。此外，北京豪威全资子公司豪威科技已建立全世界第一条 12吋 LCOS硅基液晶投影显示芯片生产线，实现了小批量生产。随着 LCOS产品量产规模逐步扩大，北京豪威将新增一个收入增长点。
综上所述，预测期内北京豪威营业收入预计将延续增长趋势。与历史数据相比，利润承诺期内北京豪威营业收入增长率未显著偏离历史数据，具有合理性。
B.产品毛利率水平
北京豪威主营产品为 CMOS图像传感器，属于多种光学摄像头的核心电子元器件，具有较高的附加值，因此毛利率水平较高。报告期内，北京豪威综合毛利率如下表所示：
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|综合毛利率（%）|23.89|23.13|15.75|

报告期内，北京豪威综合毛利率分别为15.75%、23.13%和23.89%，总体保持稳定，且持续提高。2016年北京豪威综合毛利率较低，主要原因为：首先，美国豪威 2014年 8月正式启动私有化进程，整个私有化过程将近两年，对美国豪威经营管理造成了一定程度的不利影响。其次，2016年1月28日北京豪威收购美国豪威时，确认了存货的公允价值增值，在销售这批存货时，把较高的公允价值确认为成本，直接影响了2016年的毛利率。自2017年起，美国豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品，毛利率增幅较为显著。
未来几年，随着 CMOS图像传感器行业市场规模的不断扩大，以及北京豪威产品结构不断优化，北京豪威产品的盈利空间预计将得以提升。
根据立信评估出具的《北京豪威评估报告》，北京豪威在业绩承诺期内的综合毛利率水平如下表所示：
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2019年|2020年|2021年|
|综合毛利率（%）|24.01|25.16|25.59|

2019年、2020年及 2021年，北京豪威的预测综合毛利率分别为24.01%、
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）25.16%和25.59%，与报告期水平相比，整体保持平稳，并有小幅提升。该预测反映了北京豪威技术更新、产品结构调整以及 CMOS图像传感器行业快速发展给北京豪威整体毛利率带来的积极影响。与历史数据相比，北京豪威业绩承诺期内毛利率处于正常范围内，具有合理性。
C.期间费用水平
报告期内，北京豪威的期间费用占同期营业收入比例情况如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占营业收入比例（%）|金额（万元）|占营业收入比例（%）|金额（万元）|占营业收入比例（%）|
|销售费用|15,451.42|3.08|29,361.07|3.24|29,766.31|3.74|
|管理费用|15,279.38|3.05|24,997.93|2.76|138,390.47|17.39|
|研发费用|54,544.93|10.88|110,169.35|12.17|115,778.99|14.55|
|财务费用|7,641.98|1.52|9,507.58|1.05|30,451.63|3.83|
|合计|92,917.70|18.53|174,035.93|19.23|314,387.41|39.51|

报告期内，北京豪威2016年期间费用较高，其主要原因为：2016年11月，北京豪威设立了―员工奖励计划‖（―Employee BenefitsTrust‖），并向该计划支付初始资金合计 15,250万美元（人民币 100,892.48万元），作为职工薪酬费用计入管理费用，导致 2016年管理费用较高。扣除此影响后，北京豪威期间费用较为稳定。
根据立信评估出具的《北京豪威评估报告》，北京豪威在业绩承诺期内的期间费用情况如下表所示：
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2019年||2020年||2021年||
||金额（万元）|占营业收入比例（%）|金额（万元）|占营业收入比例（%）|金额（万元）|占营业收入比例（%）|
|销售费用|30,905.91|3.02|33,066.41|2.89|34,399.83|2.72|
|管理费用|20,941.65|2.05|22,248.40|1.95|23,134.33|1.83|
|研发费用|97,673.49|9.54|104,553.62|9.15|107,255.62|8.49|
|财务费用|7,877.20|0.77|7,877.20|0.69|7,877.20|0.62|
|合计|157,398.24|15.38|167,745.63|14.68|172,666.97|13.67|

注：预测数据为评估报告的美元预测数乘以折算汇率（6.8165）
2019年、2020年及 2021年，北京豪威的期间费用率分别为15.38%、
14.68%和13.67%。期间费用的预测主要参考历史年度发生水平，分析其形成原
因，结合北京豪威未来发展规划及经营规模增长情况，考虑合理的增长比率进
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）行确定。业绩承诺期内，北京豪威的期间费用率预测仍保持14%左右的较高水平，预测相对保守，合理性和可实现性较强。
（5）未来财务预测与报告期财务情况差异原因及合理性分析
北京豪威2016、2017年净利润以及预测净利润数据对比如下：
单位：万元
|||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|历史数据|||预测数据||||
||2016年|2017年|2018年1-7月|2018年|2019年|2020年|2021年|
|营业收入|795,650.01|905,038.73|501,561.81|879,279.91|1,023,587.67|1,143,028.48|1,263,218.19|
|增长率|-|13.75%|-|-|16.41%|11.67%|10.52%|
|净利润|2,101.35|19,953.41|20,531.50|35,926.22|69,779.97|99,523.15|128,442.56|
|增长率|-|849.55%|-|-|94.23%|42.62%|29.06%|

注：1、为了增加可比性，历史数据中的净利润为扣除私有化相关费用影响后的净利润（主要包括2016年一次性员工奖励计划、2017年美国税改、2018年一次性税务事项等因素的影响）
2、2018年净利润预测数为2018年1-7月历史数据+2018年8-12月预测数据
3、预测数据为评估报告的美元预测数乘以折算汇率（6.8165）
北京豪威2018年1-7月营业收入已实现501,561.81万元，占2018年预测营业收入的57.04%；净利润已实现 20,531.50万元，占 2018年预测净利润的57.15%，2018年全年的业绩预测实现的可能性较大，财务数据预测较为合理。
综上所述，韦尔股份董事会认为：北京豪威未来各项财务数据的预测均以历史财务数据为基础，结合北京豪威所处行业地位、所处行业的现状与发展前景、北京豪威主营业务发展趋势、产品毛利率、费用水平等因素进行综合分析得出的测算结果。北京豪威未来财务预测具有合理性，不存在未来预测与实际财务状况差异较大的情况。
3、北京豪威后续经营过程中经营方面的变化趋势分析
（1）行业政策环境变化趋势及影响分析
我国作为目前世界电子消费第一大国，市场规模占全球进一半，但集成电路自给率仅为10%，特别是高端产品方面，部分产品自给率极低。我国政府早已认识到发展集成电路的重要性，发布多项支持文件：2011年，国务院发布《进
一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》，提出―进一步优化软件产
业和集成电路产业发展环境，提高产业发展质量和水平，培育一批有实力和影
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）响力的行业领先企业‖；2014年，工信部、发改委、科技部、财政部等多部门联合发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出―着力发展集成电路设计业，加速发展集成电路制造业，提升先进封装测试业发展水平，突破集成电路关键装备和材料‖；2018年，国务院2018年政府工作报告，提出―推动集成电路产业发展‖。
综上所述，国家目前的产业政策及其变化趋势，将持续利好集成电路行业的领先企业。北京豪威作为全球 CMOS图像传感器行业拥有突出技术优势的和品牌知名度的企业，未来产业政策趋势不会对其估值带来负面影响。
（2）税收优惠的政策及其变化影响分析
北京豪威下属公司美国豪威注册于美国特拉华州，其 2017年 1月至 4月适用的联邦企业所得税税率为35%；2017年5月至2018年4月适用的联邦企业所得税税率为加权平均税率30.36%；2018年 5月之后，联邦企业所得税税率变更为21%。
北京豪威在开曼群岛设立的下属公司，开曼群岛对注册在该国的公司的收入或缴纳资本不征收所得税；对支付股东股利不征收代扣代缴所得税。
2015年8月19日，上海市科学技术委员会、上海市财政局、上海市国家税务总局和上海市地方税务局向北京豪威下属公司豪威半导体联合颁发《高新技术企业证书》（GF201531000272号），有效期为三年。经上海市松江区国家税务局第一税务所备案，豪威半导体在2016年度、2017年度减按15%的税率缴纳企业所得税。
2015年1月14日，上海市科学技术委员会、上海市商务委员会、上海市财政局、上海市国家税务局、上海市地方税务局以及上海市发展和改革委员会联合向北京豪威下属公司豪威科技（上海）颁发《技术先进型服务企业证书》；经上海市浦东新区国家税务局第六税务所备案，豪威科技（上海）在 2016年度、2017年度减按15%的税率缴纳企业所得税。
根据 JLC Advisors LLP出具的法律意见，经新加坡经济发展局批准，北京豪威下属公司新加坡豪威经认定符合要求的相关收入在报告期内可减按10%缴纳企业所得税。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）如果上述税收政策或税收优惠政策发生变化，或上述相关公司在目前税收优惠政策期满后无法持续获得该等税收优惠政策，则将对北京豪威的经营业绩产生不利影响。因此，本次重组完成后，北京豪威将继续保持研发创新投入力度，提高产品技术含量，确保相关公司符合其税收优惠认定标准。
（3）技术的变化影响分析
截至本报告书签署日，北京豪威及其子公司合计持有超过 3,379项专利技术，在 CMOS图像传感器领域拥有较强的技术优势。本次重组完成后，北京豪威将持续进行相关业务的研发投入，根据 CMOS图像传感器行业发展趋势和客户需求研发新技术、新产品，持续将科技创新能力作为企业发展的核心竞争力。
综上所述，韦尔股份董事会认为：北京豪威本次评估已充分考虑未来政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面的发展，在可预见的未来发展时期，北京豪威后续经营过程中未来政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面不存在其他重大不利变化，不会影响本次北京豪威资产估值的准确性。
4、评估结果对关键指标的敏感性分析
根据对北京豪威评估所参考的收益法评估模型，本次评估结果对关键财务指标（营业收入、毛利率、折现率）的敏感性分析如下所示：
（1）预测期内营业收入变动的敏感性分析
||||
|-|-|-|
|营业收入变动率|北京豪威全部股东权益的评估值（万元）|评估值变动率（%）|
|-4%|865,100.00|-38.78%|
|-2%|1,139,100.00|-19.39%|
|0%|1,413,100.00|-|
|2%|1,687,100.00|19.39%|
|4%|1,961,100.00|38.78%|

（2）预测期内毛利率变动的敏感性分析
||||
|-|-|-|
|毛利率变动率|北京豪威全部股东权益的评估值（万元）|评估值变动率（%）|
|-4%|1,270,000.00|-10.13|
|-2%|1,341,500.00|-5.07|
|0%|1,413,100.00|-|
|2%|1,484,700.00|5.07|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|
|4%|1,556,200.00|10.13|

（3）预测期内折现率变动的敏感性分析
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|-|-|-|
|折现率变化值|北京豪威全部股东权益的评估值（万元）|评估值变动率（%）|
|1%|1,237,200.00|-12.48%|
|0.5%|1,321,461.33|-6.52%|
|0%|1,413,100.00|-|
|-0.5%|1,515,644.39|7.22%|
|-1%|1,629,453.13|15.27%|

根据上述数据，在其他因素保持不变的情况下：若北京豪威营业收入变动率从-4%至4%，则北京豪威全部股东权益的评估值变化率为-38.78%至38.78%；若北京豪威毛利率变动率从-4%至4%，则北京豪威全部股东权益的评估值变化率为-10.13%至10.13%；若北京豪威折现率变动率从-1%至1%，则北京豪威全部股东权益的评估值变化率为-12.48%至15.27%。
5、北京豪威与上市公司业务是否存在协同性分析
北京豪威与上市公司业务是否存在协同性分析见本报告书―第一节本次交易概况‖之―七、本次交易对上市公司的影响‖之―（七）上市公司与标的公司的协同效应。‖
6、交易定价的公允性分析
（1）北京豪威交易作价的估值水平
北京豪威85.53%股权的交易作价为人民币1,302,310.62万元，其100%股权的交易作价为1,522,636.06万元。
||||
|-|-|-|
|标的公司|项目|金额（万元）/倍|
|北京豪威|交易作价|1,522,636.06|
||承诺期第一年承诺净利润|54,541.50|
||市盈率|27.92|
||承诺期三年平均承诺净利润|83,905.87|
||承诺期三年平均市盈率|18.15|
||扣除因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值影响的承诺期三年平均承诺净利润|100,000.00|
||扣除因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值影响的承诺期三年平均市盈率|15.23|

（2）与同行业上市公司的估值水平比较
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）北京豪威主营业务属于集成电路设计行业。2018年7月31日，同行业可比上市公司市盈率、市净率、EV/EBITDA估值情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|
|序号|证券代码|证券简称|市盈率（TTM）|市净率|EV/EBITDA|
|1|300373.SZ|扬杰科技|47.49|5.34|33.13|
|2|300613.SZ|富瀚微|61.84|5.74|43.47|
|3|300623.SZ|捷捷微电|42.12|4.71|27.43|
|4|300661.SZ|圣邦股份|88.84|10.46|76.33|
|5|300671.SZ|富满电子|62.26|7.78|54.21|
|6|300672.SZ|国科微|137.13|6.30|65.48|
|7|600171.SH|上海贝岭|45.26|3.36|48.60|
|8|600360.SH|华微电子|50.18|2.38|17.32|
|9|603160.SH|汇顶科技|45.99|9.13|33.59|
|10|603501.SH|韦尔股份|73.39|10.67|87.97|
|11|603986.SH|兆易创新|78.16|17.07|66.42|
|平均数|||66.61|7.54|50.36|
|中位数|||61.84|6.30|48.60|
|北京豪威|||27.92|1.59|29.32|
|北京豪威（扣除因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值影响）|||21.75|-|-|

注：可比上市公司市净率=上市公司市值（2018年7月31日）/上市公司净资产（2018年9月30日）；EV/EBITDA=上市公司市值（2018年7月31日）/上市公司息税折旧摊销前利润（2017年12月31日）
7、评估基准日至重组报告书披露日交易标的发生的重要变化及其影响分析评估基准日至本报告书出具日，北京豪威的不存在发生重要变化的事项。
8、交易作价与评估结果的差异分析
本次交易，北京豪威100%股权评估值为 1,413,100万元，北京豪威非业绩承诺方交易作价标准为 1,410,000万元，北京豪威业绩承诺方交易作价标准为 1,550,000万元。交易作价与评估结果差异主要是评估价未能充分体现重组后的协同效应，且交易双方所需承担的业绩承诺义务不一致，经交易双方协商所致。
三、思比科股权评估
（一）收益法评估具体情况
1、收益法简介
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）收益法简介及适用的前提条件
因思比科与北京豪威均采用收益法，收益法简介及适用的前提条件见本节―二、北京豪威股权评估‖之―（一）收益法评估具体情况‖之―1、收益法间接‖之―（1）收益法简介及适用的前提条件‖。
（2）收益法计算公式及各项参数
①收益法的计算公式：
收益法的计算公式见本节―二、北京豪威股权评估‖之―（一）收益法评估具体情况‖之―1、收益法间接‖之―（2）收益法简介及适用的前提条件‖之―①收益法的计算公式‖。
②收益期
企业的收益期限可分为无限期和有限期两种。理论上说，收益期限的差异只是计算方式的不同，所得到的评估结果应该是相同的。由于企业收益并非等额年金以及资产余值估计数的影响，用有限期计算或无限期计算的结果会略有差异。北京思比科成立于 2004年 9月，为股份有限公司（非上市、外商投资企业投资），营业期限自2004年9月28日至长期。考虑到其所属行业的营业期限无特殊性，因此本次收益期按照无限期计算。当进行无限年期预测时，期末剩余资产价值可忽略不计。
一般地，将预测的时间分为两个阶段，详细的预测期和后续期。本次评估的评估基准日为2018年7月31日，根据思比科的经营情况及本次评估目的，对 2018年 8月年至 2023年采用详细预测，因此我们假定 2023年以后年度思比科的经营业绩将基本稳定在预测期2023年的水平。
③收益法计算模型
本次评估采用收益法通过对企业整体价值的评估，扣减有息负债从而间接获得股东全部权益价值。
本次收益法评估的企业整体价值按下列公式计算。
企业整体价值=营业性资产价值+溢余资产/负债价值+非经营性资产/负债价值
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）股东权益价值=企业整体价值-有息债务
有息债务：指基准日账面上需要付息的债务。
其中：营业性资产价值按以下公式确定：
式中：P为营业性资产价值；
r为折现率；
i为预测年度；
Fi为第i年净现金流量；
Fn为第n年终值；
n为预测第末年。
④净现金流量的确定
本次评估采用的收益类型为企业自由现金流量，企业自由现金流量指的是归属于股东和付息债务的债权人在内的所有投资者的现金流量，其计算公式为：
企业自由现金流量=税后净利润+折旧与摊销+利息费用（扣除税务影响后）-资本性支出-净营运资金变动
⑤折现率
按照收益额与折现率口径一致的原则，本次评估收益额口径为企业自由现金流量，则折现率选取加权平均资本成本（WACC）。公式如下：
WACC=Ke×We+Kd×（1-t）×Wd
其中：WACC：加权平均资本成本
Ke：公司普通权益资本成本
Kd：公司债务资本成本
We：权益资本在资本结构中的百分比
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）Wd：债务资本在资本结构中的百分比
t：公司所得税税率
其中权益资本成本将采用资产定价模型计算得出
Ke＝Rg+（Rm-Rg）×β+a
Rg：无风险报酬率
Rm：资本市场预期收益率
β：目标企业的β系数
a：企业个别风险调整系数
⑥溢余资产/负债及非经营性资产/负债价值的确定
溢余资产/负债是指与企业收益无直接关系、超过企业经营所需的多余资产/负债，主要包括溢余现金、收益法评估未包括的资产/负债等。非经营性资产/负债是指与企业收益无直接关系、不产生效益的资产/负债。溢余资产/负债和非经营性资产/负债视具体情况采用成本法、收益法或市场法评估。
溢余资产/负债及非经营性资产/负债的处理与企业的资产负债结构密切相关。本次评估通过分析思比科的资产结构确定非经营性资产/负债的价值。
（3）收益预测的基础和假设前提
①数据预测的基准
本次评估预测基准是根据思比科2016年至2018年7月审计报告。在充分考虑思比科现实业务基础和发展潜力的基础上，并在下列各项假设和前提下对思比科未来经营进行了分析预测。预测所依据的原则与国内以及国际上通用的评估原则相一致。一般来说，有以下几个具体原则：
A.参考历史数据，不完全依靠历史数据；
B.根据调查研究的数据对财务数据进行调整；
C.数据统计与定性综合分析相结合，根据已有数据进行合理修正，求出反映企业价值变化的最佳参数来。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②预测的假设前提
A.一般性假设
a.思比科所在的行业保持稳定发展态势，所处国家现行的有关法律法规及政策、国家宏观经济形势无重大变化，本次交易各方所处地区的政治、经济和社会环境无重大变化；
b.思比科以目前的规模或目前资产决定的融资能力可达到的规模，按持续经营原则不考虑新增资本规模带来的收益；
c.思比科与国内外合作伙伴关系及其相互利益无重大变化；
d.国家现行的有关银行信贷利率、汇率，以及政策性收费等不发生重大变化；
e.现行税收法律制度不发生重大变化，所执行的税赋基准、税率、税收优惠政策等将保持不变，所有适用的法规都将得到遵循；
f.企业在预测期内所处国家的居民消费和商品零售价格指数等指标与历史期间相比没有重大差别；
g.无其他人力不可抗拒及不可预见因素造成的重大不利影响。
B.针对性假设
a.思比科的资产在评估基准日后不改变用途，仍持续使用；
b.思比科的现有和未来经营者是负责的，且企业管理能稳步推进思比科的发展计划，尽力实现预计的经营态势；
c.思比科遵守国家相关法律和法规，不会出现影响思比科发展和收益实现的重大违规事项；
d.思比科提供的历年财务资料所采用的会计政策和进行收益预测时所采用的会计政策与会计核算方法在重要方面基本一致；
e.思比科在未来经营期内的资产构成，主营业务、产品的结构，收入与成本费用的构成以及销售策略、成本费用控制、结算周期等仍保持其于基准日所确定的状态持续，而不发生较大变化。不考虑未来可能由于管理层、经营策略
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）以及商业环境等变化导致的资产规模、构成以及主营业务、产品结构等状况的变化；
f.所有的收入和支出均发生于年末；
g.评估范围仅以思比科申报评估的范围为准，不考虑与列入评估范围的资产和负债有关系的其他抵押、质押、担保、或有资产、或有负债等事项在基准日后可能发生的对评估结论的影响；
若将来实际情况与上述评估假设产生差异时，将对评估结论产生影响，评估结论使用者应在使用本结论是充分考虑评估假设对本结论的影响。
2、评估过程
（1）营业收入的预测
①行业内上市公司经营业绩分析
根据同花顺iFinD，国内同行业主要上市公司 2015年至 2017年营业收入如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|83,389.34|119,016.28|146,950.84|
|富瀚微|18,160.84|32,169.60|44,921.30|
|捷捷微电|24,146.27|33,160.86|43,080.69|
|圣邦股份|39,445.30|45,196.19|53,150.53|
|富满电子|27,322.92|32,964.28|43,973.44|
|国科微|36,708.74|48,902.67|41,175.18|
|上海贝岭|48,921.02|50,909.39|56,187.40|
|华微电子|130,065.97|139,586.35|163,489.03|
|汇顶科技|111,960.13|307,933.13|368,159.43|
|韦尔股份|198,327.12|216,076.95|240,591.63|
|兆易创新|118,878.02|148,894.82|202,970.88|

国内主要上市公司2015年至2017年营业收入年增长率如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|28.72|42.72|23.47|
|富瀚微|3.79|77.14|39.64|
|捷捷微电|6.00|37.33|29.91|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|圣邦股份|21.03|14.58|17.60|
|富满电子|6.87|20.65|33.40|
|国科微|103.00|33.22|-15.80|
|上海贝岭|4.55|4.06|10.37|
|华微电子|5.25|7.32|17.12|
|汇顶科技|31.15|175.04|19.56|
|韦尔股份|40.89|8.95|11.35|
|兆易创新|25.57|25.25|36.32|
|平均值|25.17|40.57|20.27|

思比科 2017年营业收入的年增长率为-0.25%，营业收入降低的主要原因系思比科所处的中低端CMOS图像传感器市场竞争激烈，由于2017年各手机厂商纷纷推出双摄像头产品，国内CMOS图像传感器设计公司自2016年就开始采取降价策略来获取中低端 CMOS图像传感器的市场份额，思比科为保留市场份额，也采取降价销售的策略，因此2017年思比科营业收入相较 2016年下降。
本次对于思比科以后年度的收入预测主要依据对以下因素的分析做出综合判断，宏观经济环境、半导体行业现状、CMOS图像处理行业状况和发展前景、思比科现在所处的行业地位及市场份额、历史收入、成本和费用的构成以及企业综合实力、管理水平、竞争优势等。
②营业收入的预测
国内主要上市公司 2015年至 2017年营业收入年增长率平均值为23.76%，思比科营业收入2019年起未来五年的复合增长率为15.32%，低于国内同行业平均增长水平。结合思比科历史经营业绩、同行业经营状况以及整个行业现处的阶段来看，本次评估营业收入的预测是相对合理的。
思比科以后年度营业收入预测如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|主营业务收入|23,281.70|53,818.00|65,895.93|79,116.17|94,203.18|109,778.71|
|增长率（%）|8.37|7.94|22.44|20.06|19.07|16.53|

（2）主营业务成本预测
①行业内上市公司经营业绩分析
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）根据同花顺iFinD，国内主要上市公司2015年至2017年营业成本如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|扬杰科技|54,507.08|76,937.70|94,672.54|
|富瀚微|7,998.08|13,846.13|23,538.89|
|捷捷微电|11,324.07|14,993.40|19,007.28|
|圣邦股份|23,410.46|27,008.61|30,068.19|
|富满电子|19,180.88|23,628.71|31,391.92|
|国科微|19,269.00|24,313.63|24,541.27|
|上海贝岭|36,662.26|37,726.39|42,626.46|
|华微电子|101,204.75|112,238.26|129,649.99|
|汇顶科技|47,185.38|162,759.58|194,688.31|
|韦尔股份|160,128.95|172,609.12|191,185.28|
|兆易创新|84,800.27|109,109.04|123,485.22|

国内主要上市公司2015年至2017年营业成本占营业收入的比例如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年（%）|2016年（%）|2017年（%）|
|扬杰科技|65.36|64.64|64.42|
|富瀚微|44.04|43.04|52.40|
|捷捷微电|46.90|45.21|44.12|
|圣邦股份|59.35|59.76|56.57|
|富满电子|70.20|71.68|71.39|
|国科微|52.49|49.72|59.60|
|上海贝岭|74.94|74.10|75.86|
|华微电子|77.81|80.41|79.30|
|汇顶科技|42.14|52.86|52.88|
|韦尔股份|80.74|79.88|79.46|
|兆易创新|71.33|73.28|60.84|
|平均值|62.30|63.14|63.35|

由上表可知，国内主要上市公司2015年至2017年营业成本占营业收入的比例平均值分别为62.30%、63.14%和63.35%，毛利率水平在37%左右。因该行业产品技术革新和迭代，公司需不断投入研发费用等，行业毛利率总体是保持稳定的。
思比科 2015年、2016年毛利率分别为14.18%和14.87%，毛利率相对是比
较稳定的，较同行业平均毛利率水平相对较低。而在2017年至2018年7月，思
比科毛利率分别为12.05%和7.91%，是由于为争夺市场份额而降价导致的非正
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）常情况。国内 CMOS图像传感器市场份额逐渐确定，同时伴随多家一线供应商退出低端芯片市场，市场竞争逐渐减弱，产品价格逐渐回复到正常水平。自 2018年 9月起，思比科上调部分产品价格，伴随思比科将销售重点转向毛利率水平较高的监控、车载产品，今后年度毛利率将会有所上升。
本次预测根据分类产品历史成本单价作为预测依据，对以后年度的单位成本进行预测。
②主营业务成本的预测
国内主要上市公司2015年至2017年毛利率水平在37%左右，思比科营业成本中主要成本为材料成本，本次预测单位成本价格基本保持在历史平均水平，而营业收入以后年度是增长的，故以后年度的的毛利率将会提升。思比科预测期间内平均毛利率为18.60%。结合同行业经营状况以及整个行业现处的阶段来看，思比科以后年度营业成本预测如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|主营业务成本|19,423.50|44,719.59|53,893.55|64,019.94|75,633.33|87,976.70|
|占收入比例（%）|83.43%|83.09%|81.79%|80.92%|80.29%|80.14%|

（3）税金及附加预测
思比科2016年至2018年7月税金及附加如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2016年|2017年|2018年1-7月|
|税金及附加|102.67|207.93|56.61|
|占营业收入的比例（%）|0.22|0.45|0.21|

思比科税金及附加系收入所需缴纳的附加税，包括城建税、印花税、教育费附加等。
本次按照评估基准日前三个完整年度税金及附加占合并收入的比例进行预测。
思比科以后年度的税金及附加预测如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|税金及附加|89.49|206.87|253.30|304.12|362.11|421.98|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|占营业收入的比例（%）|0.38|0.38|0.38|0.38|0.38|0.38|

（4）期间费用预测
①销售费用分析和预测
A.职工薪酬：包括思比科所有销售人员的工资、奖金等支出。职工薪酬根据现有销售人员编制及历史薪酬水平，结合工资增长计划进行预测；
B.租赁及物业费：思比科及其子公司无自有房产，需租赁房屋用于日常办公、经营、仓储等，根据现场勘查日取得的房屋租赁合同及向企业相关管理人员访谈，根据现场勘查日取得的房屋租赁合同及向思比科相关管理人员咨询，以后年度房屋租金及物业费保持一定比例增长；
C.累计折旧：主要为设备的折旧，本次评估预测以后年度存量固定资产的折旧按照 2019年的折旧水平，经与企业确认，以后年度保持现有固定资产规模，年折旧额保持不变；
D.办公费、交通差旅费等费用，随着销售规模的扩大，以后年度将总体呈上升趋势，以后年度随着营业收入的增长，预测思比科以后年度保持一定比例增长。
思比科以后年度销售费用如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|销售费用|814.21|2,005.61|2,180.12|2,351.28|2,547.63|2,701.45|
|占营业收入的比例（%）|3.50|3.73|3.31|2.97|2.70|2.46|

②管理费用分析和预测
A.职工薪酬：包括思比科所有管理人员的工资、奖金等支出。职工薪酬根据现有管理人员编制和规模及历史薪酬水平，结合工资增长计划进行预测；
B.租赁及物业费：思比科及其子公司无自有房产，需租赁房屋用于日常办公、经营，根据现场勘查日取得的房屋租赁合同及向企业相关管理人员咨询，以后年度房屋租金保持一定比例增长。
C.固定资产折旧/无形资产摊销：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）a.主要为设备等的折旧，本次评估预测以后年度存量固定资产的折旧按照 2018年的折旧水平，经与企业确认，以后年度将保持现有固定资产规模，年折旧额保持不变；
b.主要为无形资产、长期待摊费用等的摊销，本次评估预测以后年度存量无形资产等的摊销按照 2018年的摊销水平，经与企业确认，以后年度保持现有无形资产规模，年摊销额保持不变；
D.办公费、交通差旅费、业务招待费等费用，随着销售规模的扩大，以后年度将总体呈上升趋势，以后年度随着营业收入的增长，预测思比科以后年度保持一定比例增长。
思比科以后年度管理费用如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|管理费用|431.6|1,139.80|1,205.15|1,275.96|1,352.71|1,435.88|
|占营业收入的比例（%）|1.85|2.12|1.83|1.61|1.44|1.31|

③研发费用分析和预测
A.职工薪酬：包括该公司所有研发人员的工资、奖金等支出。职工薪酬根据现有研发人员编制和规模及历史薪酬水平，结合工资增长计划进行预测；
B.材料费：包括该公司在研发过程中消耗的材料费用；
思比科以后年度研发费用如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|研发费用|1,070.28|2,977.11|3,224.33|3,484.93|3,815.09|4,156.59|
|占营业收入的比例（%）|4.60|5.53|4.89|4.40|4.05|3.79|

④财务费用分析和预测
利息支出：包括银行借款利息支出。
截至评估基准日，思比科共有付息债务 9,397.64万元，均为短期借款。根
据思比科未来计划，本次评估预计思比科付息债务规模保持评估基准日水平。
由于汇兑损益和手续费在预测期内存在较大不确定性，本次不对汇兑损益和手
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）续费进行预测。截止评估基准日借款明细如下：
单位：元/美元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|借款类型|借款银行|借款利率（%）|基准日借款余额（人民币）|基准日借款余额（原币）（美元）|
|1|流动资金贷款|华夏银行|5.66|5,000,000.00|—|
|2|流动资金贷款|华夏银行|5.66|5,000,000.00|—|
|3|流动资金贷款|北京银行|6.30|6,600,000.00|—|
|4|外债资金贷款|北京银行|3.46|64,211,430.00|$9,420,000.00|
|5|LC信用证|宁波银行|3.60|1,616,192.15|$237,100.00|
|6|LC信用证|宁波银行|3.60|2,015,230.06|$295,640.00|
|7|LC信用证|宁波银行|3.60|740,271.90|$108,600.00|
|8|LC信用证|宁波银行|3.60|255,618.75|$37,500.00|
|9|LC信用证|华夏银行|3.60|893,643.15|$131,100.00|
|10|LC信用证|华夏银行|3.60|664,608.75|$97,500.00|
|11|LC信用证|华夏银行|3.60|1,202,430.60|$176,400.00|
|12|LC信用证|华夏银行|3.60|3,510,497.50|$515,000.00|
|13|LC信用证|宁波银行|3.60|1,005,433.75|$147,500.00|
|14|LC信用证|宁波银行|3.60|535,776.90|$78,600.00|
|15|LC信用证|宁波银行|3.60|725,275.60|$106,400.00|

本次评估预测以后年度借款规模于评估基准日相同，故以后年度利息支出为各笔借款金额乘以对应借款年利率之和。
思比科以后年度财务费用如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|利息支出|153.14|367.53|367.53|367.53|367.53|367.53|
|汇兑损益|—|—|—|—|—|—|
|手续费|—|—|—|—|—|—|
|财务费用合计|153.14|367.53|367.53|367.53|367.53|367.53|
|占收入比例（%）|0.66|0.68|0.56|0.46|0.39|0.33|

⑤期间费用预测合理性分析
考虑到国内外对于销售费用、管理费用、研发费用及财务费用的分类可能存在差异，本次对于同行业费用占收入的比例，统一以期间费用占收入的比例进行分析。
①根据同花顺iFinD，国外同行业主要上市公司 2015年至 2017年期间费用
占营业收入的比例如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年|2016年|2017年|
|安森美半导体|28.05|30.76|26.90|
|日月光投资控股|9.82|10.75|10.06|
|中芯国际|20.91|17.92|19.57|
|亚德诺|42.12|37.02|43.60|
|意法半导体|32.55|32.43|27.52|
|高通|34.43|29.70|46.56|
|平均值|27.98|26.43|29.03|

②根据同花顺iFinD，国内同行业主要上市公司 2015年至 2017年期间费用占营业收入的比例如下：
单位：%
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2015年（%）|2016年（%）|2017年（%）|
|扬杰科技|14.84|15.35|17.11|
|富瀚微|30.79|21.02|24.91|
|捷捷微电|13.25|12.47|15.61|
|圣邦股份|18.74|18.81|24.56|
|富满电子|15.79|15.26|14.76|
|国科微|39.20|39.85|47.05|
|上海贝岭|18.38|15.40|16.34|
|华微电子|18.62|15.31|13.57|
|汇顶科技|21.21|16.82|23.52|
|韦尔股份|12.69|13.10|14.20|
|兆易创新|13.46|14.53|17.71|
|平均值|19.72|17.99|20.85|

由上表可知，国外主要上市公司2015年至2017年期间费用占营业收入的比例的平均值分别为27.98%、26.43%和29.03%；国内主要上市公司 2015年至2017年期间费用占营业收入的比例的平均值分别为19.72%、17.99%和20.85%。
由此可见无论国内国外同行业公司的期间费用占营业收入的比例总体保持相对稳定。
思比科预测期间内期间费用率平均为9.86%，和行业内境外的日月光投资控股，境内的润欣科技、通富微电等较为接近。根据思比科提供的盈利预测，销售费用、管理费用等以后年度均平稳增长，且以后年度营业收入增长幅度大
于期间费用的增长幅度，因此期间费用率会相对降低，结合北京思比科历史期
间费用的支出情况以及同行业经营状况来看，本次评估对于期间费用的预测是
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）相对合理的。
（5）其他收支预测
①资产减值损失的预测
思比科2016年至2018年7月资产减值损失如下：
单位：万元
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|项目|2016年|2017年|2018年1-7月|
|资产减值损失|312.38|1,376.14|887.21|
|占营业收入比例（%）|0.68|2.99|3.34|

思比科资产减值损失为计提的坏账损失及存货跌价损失，存在较大不确定性。因此，本次评估不考虑思比科以后年度资产减值损失。
②营业外收支的预测
思比科2016年至2018年7月营业外收支如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2016年|2017年|2018年1-7月|
|营业外收入|296.71|0.12|0.69|
|营业外支出|0.20|13.54|—|

思比科近几年营业外收入主要为政府补助及赔款收入，营业外支出主要为罚款滞纳金。营业外收支存在偶然性，本次评估不考虑营业外收入和支出。
（6）所得税预测
企业所得税是对我国内资企业和经营单位的生产经营所得和其他所得征收的一种税。《中华人民共和国企业所得税法》规定一般企业所得税的税率为25%，思比科及其子公司均持有有效期内的高新技术企业证书，故其企业所得税的税率为15%。
本次对所得税评估考虑对以前年度亏损的弥补。
单位：万元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|应缴纳所得税|—|—|421.24|1,096.86|1,518.72|1,907.79|

（7）净利润的预测
营业利润=营业收入-营业成本-营业税金及附加-销售费用-管理费用-财务费
用-资产减值损失+公允价值变动收益+投资收益
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）利润总额=营业利润+营业外收入-营业外支出
净利润＝利润总额×（1-所得税率）
因此，思比科以后年度净利润如下：
单位：万元
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|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|利润总额|1,299.49|2,401.48|4,771.96|7,312.42|10,124.79|12,718.58|
|所得税|—|—|421.24|1,096.86|1,518.72|1,907.79|
|净利润|1,299.49|2,401.48|4,350.72|6,215.55|8,606.07|10,810.79|

（8）资本性支出的预测
资本性支出是指企业为开展生产经营活动而需增加的固定资产、无形资产等长期资产发生的支出。资本性支出包括存量资产的更新支出和新增资产的资本支出。
根据思比科管理层提供的资料显示，以后年度暂无新增资产的资本支出计划，因此本次评估对思比科 2018年及以后年度的资本性支出预测为存量资产的更新，资本性支出等于年折旧和摊销额。
综上，思比科以后年度资本性支出预测如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|资本性支出|335.03|804.07|804.07|804.07|804.07|804.07|

（9）折旧和摊销预测
折旧和摊销的金额是根据企业在评估基准日的存量固定资产以及预测期的资本性支出计算。
根据思比科在评估基准日的存量固定资产、长期待摊费用计算得到以后年度折旧和摊销支出如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|折旧和摊销|335.03|804.07|804.07|804.07|804.07|804.07|

（10）营运资金追加的预测
营运资本是指企业经营性性流动资产与流动负债的差额，反映企业在未来
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）经营活动中是否需要追加额外的现金。如果经营性流动资产大于流动负债，则企业需要额外补充现金，在现金流量预测中表现为现金流出，反之为现金流入。
一般而言，随着企业经营活动范围或规模的扩大，企业向客户提供的正常商业信用会相应增加，为扩大销售所需增加的存货储备也会占用更多的资金，同时为满足企业日常经营性支付所需保持的现金余额也要增加，从而需要占用更多的流动资金，但企业同时通过从供应商处获得正常的商业信用，减少资金的即时支付，相应节省了部分流动资金。
一般情况下，流动资金的追加需考虑应收账款、预付账款、存货、经营性现金、应付账款、预收账款等因素的影响。
本次对营运资本的变化预测思路如下：首先分别对未来经营性营运资产、营运负债进行预测，得出营运资本，然后将营运资本与上一年度的营运资本进行比较。如果大于则表现为现金流出，反之为现金流入。
评估时我们根据各个科目历史发生情况及未来思比科的各财务指标发展趋势对各个科目的未来发生情况进行了分析预测，预测思比科需追加营运资金如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|
|营运资金追加|265.15|2,511.21|3,277.21|3,613.23|4,148.72|4,393.64|

*2023年以后营运资金稳定不再追加。
（11）企业自由现金流量的计算
本次评估采用的收益类型为企业自由现金流量，企业自由现金流量指的是归属于股东和付息债务的债权人在内的所有投资者的现金流量，其计算公式为：
企业自由现金流量=税后净利润+利息支出（扣除税务影响后）+资产减值损失加回+折旧与摊销-资本性支出-净营运资金变动
2023年后，由于思比科主营业务已较成熟，其盈利水平将步入相对稳定的
时期，故我们假定2023年后思比科经营规模以2023年为准，不考虑生产经营规
模的变化，并且思比科按规定提取的固定资产折旧全部用于原有固定资产的维
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）护和更新，并假定此种措施足以并恰好保持企业的经营能力维持不变，因此未来各年度企业净现金流量预测如下：
单位：万元
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|-|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年8-12月|2019年|2020年|2021年|2022年|2023年|2024年及以后|
|净利润|1,299.49|2,401.48|4,350.72|6,215.55|8,606.07|10,810.79|10,810.79|
|加：利息支出*（1-所得税率）|130.17|312.40|312.40|312.40|312.40|312.40|312.40|
|加：存货跌价准备加回|—|—|—|—|—|—|—|
|加：折旧和摊销|335.03|804.07|804.07|804.07|804.07|804.07|804.07|
|减：资本性支出|335.03|804.07|804.07|804.07|804.07|804.07|804.07|
|减：营运资金追加|265.15|2,511.21|3,277.21|3,613.23|4,148.72|4,393.64|—|
|企业自由现金流量|1,164.50|202.67|1,385.91|2,914.72|4,769.75|6,729.55|11,123.19|

（12）溢余资产/负债和非经营性资产/负债的确定
溢余资产/负债是指与企业收益无直接关系、超过企业经营所需的多余资产/负债，主要包括溢余现金、收益法评估未包括的资产/负债等。非经营性资产/负债是指与企业收益无直接关系、不产生效益的资产/负债。溢余资产/负债和非经营性资产/负债视具体情况采用成本法、收益法或市场法评估。
溢余资产/负债及非经营性资产/负债的处理与企业的资产负债结构密切相关。本次评估通过分析思比科的资产结构确定非经营性资产/负债的价值。
经调查，评估基准日2018年7月31日，思比科账面有如下一些资产（负债）的价值在本次估算的净现金流量中未予考虑，应属本次评估所估算现金流之外的溢余或非经营性资产（负债）：
①经审计报告披露，被评估单位基准日账面货币资金扣除最低现金保有量之后共计人民币 379.02万元。鉴于在未来企业经营中已考虑货币资金的投入，因此本次评估将该款项作为非经营性资产。
②经审计报告披露，思比科基准日其他应收款—应收增值税留抵税额退税共计人民币16.25万元，本次评估未考虑抵扣增值税，故确认该款项属于基准日非经营性资产；
③经审计报告披露，思比科基准日其他应收款—应收增值税出口退税共计
人民币 594.94万元，本次评估未考虑抵扣增值税，故确认该款项属于基准日非
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）经营性资产；
④经审计报告披露，思比科基准日其他流动资产—增值税留抵进项税额人民币共计 246.98万元，本次评估未考虑抵扣增值税，故确认该款项属于基准日非经营性资产；
⑤经审计报告披露，思比科基准日其他流动资产—增值税待认证进项税额人民币共计53.19万元，本次评估未考虑抵扣增值税，故确认该款项属于基准日非经营性资产；
⑥经审计报告披露，被评估单位基准日可供出售金融资产—所持有深圳印象认知技术有限公司（以下简称―深圳印象‖）0.9859%股权共计人民币270.00万元。由于北京思比科持股比例较小，不是控股股东，无法定期获得财务资料，故本次按照经核实的北京思比科账面投资额确认非经营性资产可供出售金融资产金额为270.00万元。
综上，思比科溢余资产合计人民币 1,560.39万元。除此之外，思比科不存在其他溢余资产及负债。
（13）有息负债的确定
企业基准日（合并）账面短期借款 9,397.64万元。本次将其作为有息负债扣除。
（14）收益法评估结果
经收益法评估，北京思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益（合并口径）评估值为人民币54,600.00万元。
（二）资产基础法评估具体情况
1、流动资产的清查和评估说明
（1）货币资金的清查和评估
货币资金账面值23,672,445.21元，其中库存现金账面值为11,484.22元，银行存款账面值为9,203,865.05元，其他货币资金账面值为 14,457,095.94元。
库存现金评估值为11,484.22元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|库存现金|11,484.22|11,484.22|

②银行存款的清查和评估
银行存款评估值为9,203,865.05元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|银行存款|9,203,865.05|9,203,865.05|

③其他货币资金的清查和评估
思比科其他货币资金账面值为 14,457,095.94元，主要系北京银行保证金 6,143,245.63美元、北京银行保证金 3,240,188.97元等。本次评估其他货币资金按清查核实后的账面值确认。
其他货币资金评估值为14,457,095.94元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|其他货币资金|14,457,095.94|14,457,095.94|

货币资金评估值为23,672,445.21元
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|货币资金|23,672,445.21|23,672,445.21|

（2）应收账款的清查和评估
应收账款账面原值48,772,547.62元，计提坏账准备6,864,728.00元，账面净值 41,907,819.62元，有明细 21项，主要系思比科应收天津安泰货款23,026,675.06元、应收 JOINTECHNOLOGY（HK）LIMITED货款6,665,352.22元、应收 LAMPEK ENTERPRISESDEVELOPMENT（HK）LIMITED货款3,741,951.14元等。
应收账款评估值为45,303,626.18元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|应收账款|48,772,547.62|45,303,626.18|
|减：坏账准备|6,864,728.00|—|
|应收账款净额|41,907,819.62|45,303,626.18|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）预付账款的清查和评估
预付账款账面原值 481,088.52元，未计提坏账准备，账面净值 481,088.52元，共有明细3项，主要系预付 SK HYNIX SEMICONDUCTOR HONG KONG LTD货款 253,907.80元、预付北京中关村国际孵化器有限公司房租 218,280.72元等，账龄都在1年以内。
预付账款评估值为481,088.52元。
单位：元
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|资产名称|账面值|评估值|
|预付账款|481,088.52|481,088.52|
|减：预付账款减值准备|—|—|
|预付账款净值|481,088.52|481,088.52|

（4）其他应收款的清查和评估
其他应收款账面原值为 8,023,014.49元，计提坏账准备 1,097,273.96元，账面净值 6,925,740.53元，共有明细 24项，系房租押金、备用金以及应交增值税出口退税款等。
其他应收款评估值为8,023,014.49元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|其他应收款|8,023,014.49|8,023,014.49|
|减：坏账准备|1,097,273.96|—|
|其他应收款净额|6,925,740.53|8,023,014.49|

（5）存货的清查和评估
委估的存货包括原材料、委托外加工物资、产成品、在产品、发出商品及其他。存货的账面原值为 193,129,967.20元，计提存货跌价准备 31,903,979.13元，存货账面净额161,225,988.07元，其中：原材料账面值20,784,803.50，计提跌价准备 2,825,998.58元，净额 17,958,804.92元；委托外加工物资账面值49,636,815.71元，计提跌价准备1,284,057.06元，净额48,352,758.65元；产成品账面值 95,281,891.70元，计提跌价准备 24,237,009.45元，净额 71,044,882.25元；在产品账面值 24,018,252.43元，计提跌价准备 3,556,914.04元，净额
20,461,338.39元；发出商品账面值1,577,041.21元，其他—委托研发项目账面值
1,831,162.65元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）①原材料
思比科原材料账面值为20,784,803.50元，计提跌价准备2,825,998.58元，净额17,958,804.92元，主要为生产而储备的晶圆。
原材料账面净额为17,958,804.92元，评估值为20,784,803.50元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|存货—原材料|20,784,803.50|20,784,803.50|
|存货跌价准备|2,825,998.58|—|
|原材料合计|17,958,804.92|20,784,803.50|

②委托外加工物资
思比科委托外加工物资账面值49,636,815.71元，计提跌价准备1,284,057.06元，净额 48,352,758.65元，系委托苏州科阳、太仓思比科封装和测试的晶圆及芯片。
委托外加工物资账面净额为 48,352,758.65元，评估值为49,636,815.71元
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|存货—委托外加工物资|49,636,815.71|49,636,815.71|
|存货跌价准备|1,284,057.06|—|
|委托外加工物资合计|48,352,758.65|49,636,815.71|

③产成品
产成品账面值 95,281,891.70元，计提跌价准备 24,237,009.45元，净额71,044,882.25元，主要为各种型号的芯片。
产成品账面净额为71,044,882.25元，评估值为97,876,576.13元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|存货—产成品|95,281,891.70|97,876,576.13|
|存货跌价准备|24,237,009.45|—|
|产成品合计|71,044,882.25|97,876,576.13|

④在产品
委估在产品账面值 24,018,252.43元，计提跌价准备 3,556,914.04元，净额
20,461,338.39元，主要为在生产中的晶圆、芯片等。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）经上述评估，在产品账面净额 20,461,338.39元，评估值为 24,416,481.65元。
单位：元
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|资产名称|账面值|评估值|
|存货—在产品|24,018,252.43|24,416,481.65|
|存货跌价准备|3,556,914.04|—|
|在产品合计|20,461,338.39|24,416,481.65|

⑤发出商品
委估单位发出商品账面值为 1,577,041.21元，共有明细 55项，主要系发出深圳印象、天津安泰、上海蓝伯科电子科技有限公司等公司商品。评估人员翻阅了有关合同和凭证，经核实清查思比科申报的数量品种金额正确无误。
经上述评估，在产品评估值为 1,689,462.00元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|存货—发出商品|1,577,041.21|1,689,462.00|

⑥其他—委托研发项目成本
思比科存货—其他—委托研发项目成本账面值为1,831,162.65元，系深圳天郎时代科技有限公司委托思比科开发二维码光学摄像及解码芯片项目及北京华之杰微视技术有限公司委托思比科开发医疗内窥镜用 CMOS模组芯片项目，思比科发生的相关成本。
存货—其他账面值为1,831,162.65元，评估值为1,831,162.65元。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|存货—其他|1,831,162.65|1,831,162.65|

⑦评估结论
经以上清查，存货评估结论如下：
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|存货—原材料|20,784,803.50|20,784,803.50|
|存货—委托外加工物资|49,636,815.71|49,636,815.71|
|存货—库存商品|95,281,891.70|97,876,576.13|
|存货—在产品|24,018,252.43|24,416,481.65|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|资产名称|账面值|评估值|
|存货—发出商品|1,577,041.21|1,689,462.00|
|存货—其他|1,831,162.65|1,831,162.65|
|减：存货跌价准备|31,903,979.13|—|
|存货合计|161,225,988.07|196,235,301.64|

存货评估增值的原因为产成品、在产品及发出商品在评估中考虑了部分未实现的利润。
（6）其他流动资产的清查和评估
其他流动资产账面值531,931.02元，仅有1笔明细，系待认证进项税。
其他流动资产评估值为531,931.02元。
单位：元
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|资产名称|账面值|评估值|
|其他流动资产|531,931.02|531,931.02|

2、可供出售金融资产的清查和评估说明
可供出售金融资产账面值为2,700,000.00元，共有明细1笔，系投资深圳印象，内容为股权投资，投资起始日期为 2016年 9月 30日，持有股权比例0.9859%。
单位：元
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|可供出售金融资产|2,700,000.00|2,700,000.00|

3、长期股权投资的清查和评估说明
长期股权投资账面值为 23,000,000.00元，有明细 2项，系对天津安泰和太仓思比科的投资。
本次评估中对该些单位长期投资评估值确定如下：
单位：元
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|-|-|-|-|-|
|序号|被投资单位名称|被投资企业评估值|持股比例（%）|长期投资评估值|
|1|天津安泰|4,911,325.14|100.00|4,911,325.14|
|2|太仓思比科|17,866,400.87|100.00|17,866,400.87|
|合计||22,777,726.01|100.00|22,777,726.01|

长期股权投资评估值为22,781,905.01元。
单位：元
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|长期股权投资|23,000,000.00|22,777,726.01|

长期股权投资账面值为 23,000,000.00元，评估值 22,777,726.01元，评估减值222,273.99元，减值率0.97%，减值的主要原因是：
评估增值原因为思比科对长期股权投资的利润的会计处理方式与评估处理方式不同造成的。
4、固定资产的清查和评估说明
（1）固定资产的清查
本次委估的固定资产账面原值15,538,026.90元，账面净值6,717,316.39元，按其不同用途分为机器设备、运输设备、电子设备三类。
单位：元
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|-|-|-|-|
|资产名称|项数|账面原值|账面净值|
|机器设备|219|13,067,103.02|5,856,979.89|
|运输设备|2|318,882.30|255,959.56|
|电子设备|331|2,152,041.58|604,376.94|
|设备合计|552|15,538,026.90|6,717,316.39|

（2）评估结论
设备类固定资产账面原值15,538,026.90元，账面净值6,717,316.39元。评估原值 15,646,440.65元，评估净值 12,604,684.59元，评估增值 5,887,368.20元，评估增值率87.64%。评估结论详见下表：
单位：元
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|类 别|账面原值|账面净值|评估原值|评估净值|
|机器设备|13,067,103.02|5,856,979.89|13,394,770.65|11,534,498.89|
|运输设备|318,882.30|255,959.56|291,200.00|240,422.00|
|电子设备|2,152,041.58|604,376.94|1,960,470.00|829,763.70|
|合计|15,538,026.90|6,717,316.39|15,646,440.65|12,604,684.59|

设备增值的主要原因系评估折旧年限长于会计折旧年限。
5、无形资产—其他无形资产的清查和评估说明
思比科无形资产账面价值为280,067.83元，共有明细7项，系思比科购买的
各类软件。
单位：元
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|项目|账面值|评估值|
|无形资产—商标权及域名|—|10,000,000.00|
|无形资产—专利权、软件著作权及布图设计|—|15,000,000.00|
|无形资产—外购软件|280,067.83|2,253,000.00|
|小计|280,067.83|27,253,000.00|

本次评估无形资产—其他无形资产的账面价值为 280,067.83元，评估值27,253,000.00元，评估增值26,972,932.17元，增值率9,630.86%。经分析，评估增值的原因为：①本次评估将思比科（合并口径）的商标、专利、布图设计、软件著作权及域名等账外无形资产纳入评估；②本次评估运用收益法对商标使用权、专利使用权等重新评估，故评估增值；③本次对外购软件运用市场法评估，询价结果高于账面净值。
6、长期待摊费用的清查和评估说明
思比科长期待摊费用账面价值为126,646.72元，仅有明细1项，系办公室装修费。
本次评估长期待摊费用的评估净值 126,646.72元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|长期待摊费用|126,646.72|126,646.72|

7、递延所得税资产的清查和评估说明
思比科递延所得税资产账面价值为 13,810,330.63元，共有明细 3项，系资产减值准备、折旧和摊销差以及可弥补亏损引起的递延所得税资产。
本次评估递延所得税资产的评估净值 7,830,433.47元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|递延所得税资产|13,810,330.63|7,830,433.47|

8、负债的清查和评估说明
思比科的负债包括短期借款、应付账款、预收账款、应付职工薪酬、应交税费、应付利息和其他应付款。
（1）短期借款的清查和评估说明
短期借款账面值为 93,976,409.11元，系向华夏银行、北京银行以及宁波银
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）行借入的15笔短期借款。
短期借款账面值93,976,409.11元，评估值为93,976,409.11元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|短期借款|93,976,409.11|93,976,409.11|

（2）应付账款的清查和评估说明
应付账款账面值为43,058,746.64元，共有明细24项，主要系应付华天科技（昆山）电子有限公司的封装费 14,668,930.64元、应付DB HITEK CO.,LTD货款12,102,529.03元、应付太仓思比科测试费8,579,419.37元等。
应付账款账面值为43,058,746.64元，评估值为43,058,746.64元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|应付账款|43,058,746.64|43,058,746.64|

（3）预收账款的清查和评估说明
预收账款账面值56,481,588.07元，共有明细22项，主要系预收京鸿志物流货款33,784,510.61元、预收深圳市芯斐电子有限公司货款8,323,998.40元、预收 OmniVision Techologies Singapore Ple Ltd货款 4,554,921.63元。
预收账款账面值56,481,588.07元，评估值为56,481,588.07元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|预收账款|56,481,588.07|56,481,588.07|

（4）应付职工薪酬的清查和评估说明
应付职工薪酬账面值为2,305,638.50元，系应付职工的工资、奖金补贴和社会保险费等。
应付职工薪酬账面值为2,305,638.50元，评估值为2,305,638.50元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|应付职工薪酬|2,305,638.50|2,305,638.50|

（5）应交税费的清查和评估说明
应交税费账面值为1,317,843.49元，共有明细8项，系应交的增值税、个人
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）所得税和印花税等。
应交税费账面值1,317,843.49元，评估值为1,317,843.49元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|应交税费|1,317,843.49|1,317,843.49|

（6）其他应付款的清查和评估说明
其他应付款账面值为562,636.28元，共有明细7项，主要系应付北京顺永会计师事务所审计费、应付北京银行上地支行、华夏银行上地支行以及宁波银行亚运村支行借款利息。
其他应付款账面值为562,636.28元，评估值为562,636.28元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|其他应付款|562,636.28|562,636.28|

9、资产基础法评估结果
经资产基础法评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为14,983.70万元。
总资产账面值28,137.94万元，评估值34,753.99万元，评估增值6,616.05万元，增值率23.51%；
总负债账面值19,770.29万元，评估值19,770.29万元，无增减变动；
净资产账面值 8,367.65万元，评估值 14,983.70万元，评估增值 6,616.05万元，增值率79.07%。
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|账面净值|评估值|增减额|增减率%|
||A|B|C=B-A|D=C/A|
|流动资产|23,474.50|27,424.74|3,950.24|16.83|
|非流动资产|4,663.44|7,329.25|2,665.81|57.16|
|其中：可供出售金融资产净额|270.00|270.00|—|—|
|长期股权投资净额|2,300.00|2,277.77|-22.23|-0.97|
|固定资产净额|671.73|1,260.47|588.74|87.65|
|无形资产净额|28.01|2,725.30|2,697.29|9,629.74|
|长期待摊费用|12.67|12.67|—|—|
|递延所得税资产|1,381.03|783.04|-597.99|-43.30|

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||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|账面净值|评估值|增减额|增减率%|
||A|B|C=B-A|D=C/A|
|资产总计|28,137.94|34,753.99|6,616.05|23.51|
|流动负债|19,770.29|19,770.29|—|—|
|负债总计|19,770.29|19,770.29|—|—|
|净资产|8,367.65|14,983.70|6,616.05|79.07|

本次评估增值6,616.05万元，评估增值原因分析如下：
（1）流动资产
流动资产账面值 234,745,012.97元，评估值 274,247,407.06元，评估增值39,502,394.09元，增值率16.83%。
流动资产评估增值主要原因为：
①应收账款预计无法回收部分评估为零，将计提的应收账款、其他应收账款坏账准备评估为零；
②在产品及产成品存货的评估中考虑了部分尚未实现的利润。
（2）固定资产
固定资产账面净值 6,717,316.39元，评估净值 12,604,684.59元，评估增值5,887,368.20元，增值率87.64%。
经分析，设备增值的主要原因系委估设备的会计折旧年限比评估使用的经济耐用年限短，造成设备类评估增值。
（3）无形资产—其他无形资产
无形资产—其他无形资产账面净值 280,067.83元，评估值为 27,253,000.00元，评估增值26,972,932.17元，增值率9,630.86%。评估增值的原因为：①本次评估将思比科（合并口径）的商标、专利、布图设计、软件著作权等账外无形资产纳入评估；②本次评估运用收益法对账外商标使用权、专利使用权等重新评估，故评估增值；③本次对外购软件运用市场法评估，询价结果高于账面净值。
经资产基础法评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益
评估值为人民币14,983.70万元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（三）评估结论的分析及采用
1、收益法评估结果
经收益法评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益价值（合并口径）为人民币54,600.00万元。
2、资产基础法评估结果
经资产基础法评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为人民币14,983.70万元。
3、评估结果选取的理由
两种方法评估结果差异的主要原因有下述几点：
①两种评估方法考虑的角度不同，资产基础法是从资产的再取得途径考虑的，反映的是企业现有资产的重置价值。收益法是从企业的未来获利能力角度考虑的，反映了企业各项资产的综合获利能力。
思比科自成立至今，有着一定的盈利能力，且未来增长预期良好，使得收益法评估结果有较大幅度的增值。收益法评估结果与资产基础法评估结果之间的差异是收益法能够体现出未来的这种盈利能力。
②收益法在评估过程中不仅考虑了思比科申报的账内账外资产，同时也考虑了如企业拥有的业务资质认证、稳定客户资源、科学的生产经营管理水平、雄厚的新产品研发队伍等对获利能力产生重大影响的因素，而这些因素未能在资产基础法中予以体现。
③资产基础法仅为单项资产价值叠加，而收益法考虑了各项资产共同作用的协同效应。
④思比科经营受益于客户资源优势、行业运作经验、技术优势、市场开拓能力等因素的盈利能力之间的相关性更为密切，选用收益法能够更加充分、全面地反映被评估企业的股东全部权益价值。
⑤韦尔股份看中思比科未来的发展前景方有此次经济行为的产生。根据本项评估目的和委估资产的具体情况，在资产价值实现的最大化原则下，依照企业规划的经营管理模式和客户资源条件，收益法更能体现企业整体价值。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）因此，本次评估采用收益法的评估结果。
经评估，思比科在评估基准日2018年7月31日的归属于母公司所有者权益评估值为人民币54,600.00万元。
（四）其他需说明的情况
1、引用其他机构报告的相关情况
本次评估报告未引用其他机构报告内容。
2、评估特殊处理、对评估结论有重大影响事项的说明
本次评估不存在评估特殊处理、对评估结论有重大影响事项。
（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析
1、董事会对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与目的的相关性、评估定价的公允性发表的意见
（1）评估机构的独立性
担任本次交易评估机构的立信评估具有证券期货业务资格，立信评估及经办评估师与公司、交易对方及标的资产均不存在关联关系，不存在除专业收费外的现实的和预期的利害关系，评估机构具有独立性。
（2）评估假设前提的合理性
评估机构和评估人员为本次交易出具的相关资产评估报告所设定的评估假设前提和限制条件按照国家规定执行，遵循了市场通行惯例或准则，符合评估对象的实际情况，评估假设前提具有合理性。
（3）评估方法与评估目的的相关性
本次评估的目的是确定标的资产于评估基准日的市场价值，为本次交易提供价值参考依据，评估机构实际评估的资产范围与委托评估的资产范围一致。
本次评估对思比科采用资产基础法和收益法进行了评估，并采用收益法评估结果作为最终评估结论。本次资产评估工作按照国家有关法规与行业规范的要求，评估机构在评估过程中实施了相应的评估程序，遵循了独立性、客观性、科学性、公正性等原则，运用了合规且符合标的资产实际情况的评估方法，选
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）用的参照数据、资料可靠；资产评估价值公允、准确。评估方法选用恰当，评估结论合理，评估方法与评估目的相关性一致。
（4）评估定价的公允性
本次交易以立信评估出具的资产评估报告载明的评估值为基础结合各交易对方对标的公司的业绩承诺情况协商确定交易价格，标的资产评估定价公允，交易价格公平、合理，不会损害公司及中小股东利益。
独立董事已对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与评估目的的相关性及和评估定价的公允性发表了独立意见。
综上，韦尔股份董事会认为：本次交易评估机构独立、评估假设前提合理、评估方法与评估目的相关性一致、评估定价公允。
2、财务预测的合理性分析
（1）思比科所处行业地位
思比科的核心技术为具有自主知识产权的―超级像素信号处理技术（SuperPix）‖和―超级图像处理技术（SuperImage）‖，思比科已经申请了上百项专利，初步建立了自己的专利保护体系。思比科率先成功研制了 8万像素到 1200万像素系列图像传感器芯片，打破了中国市场被国外公司垄断的局面，2017年销售近5亿元，被科技部、北京市等部门评为―中关村知识产权重点示范企业‖，―百家创新型试点企业‖，―中关村百家最具影响力信用企业‖，承担了国家科技重大专项、科技部―863‖等国家级科研项目。思比科未来将面向手机、安全监控、汽车影像、医疗应用、物联网等市场需求，研制高可靠性、高性能系列CMOS图像传感器芯片产品，满足产业需求。
（2）行业发展趋势
思比科与北京豪威同为 CMOS图像传感器设计公司，行业发展趋势见本节―二、北京豪威股权评估‖之―（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―2、财务预测的合理性分析‖之―（2）行业发展趋势‖。
（3）行业竞争及经营情况
思比科与北京豪威同为 CMOS图像传感器设计公司，行业竞争及经营情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）见本节―二、北京豪威股权评估‖之―（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―2、财务预测的合理性分析‖之―（2）行业竞争及经营情况‖。
3、思比科的后续经营过程中政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面的变化趋势及应对措施及其对评估的影响
（1）行业政策环境变化趋势及影响分析
国家政策、宏观经济及行业政策的变化分析见本节―二、北京豪威股权评估‖之―（五）董事会对北京豪威资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―3、北京豪威后续经营过程中经营方面的变化趋势分析‖之―（1）行业政策环境变化趋势及影响分析‖。
（2）税收优惠的政策及其变化影响分析
思比科于 2014年 10月 30日取得了换发的高新技术企业证书，证书编号GR201411000488，有效期限三年。2016年度按应纳税所得额的15%计算缴纳企业所得税；并于 2017年 10月 25日取得了换发的高新技术企业证书，证书编号GR201711002160，有效期限三年。2017年度、2018年1-7月按应纳税所得额的15%计算缴纳企业所得税。
太仓思比科于 2015年 7月 6日获得了高新技术企业证书，证书编号GR201532000537，有效期限三年。报告期内按应纳税所得额的15%计算缴纳企业所得税。
天津安泰于 2017年 12月 4日获得了高新技术企业证书，证书编号GR201712001451，有效期限三年。2017年度、2018年1-7月按应纳税所得额的15%计算缴纳企业所得税。
如果上述税收政策或税收优惠政策发生变化，或上述相关公司在目前税收优惠政策期满后无法持续获得该等税收优惠政策，则将对思比科的经营业绩产生不利影响。因此，本次重组完成后，思比科将继续保持研发创新投入力度，提高产品技术含量，确保相关公司符合其税收优惠认定标准。
（3）技术的变化影响分析
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本报告书签署日，思比科及其子公司合计 103项专利技术，在 CMOS图像传感器领域拥有较强的技术优势。本次重组完成后，思比科及北京豪威将成为韦尔股份的子公司，思比科将以北京豪威为依托，提升自身研发能力，持续进行相关业务的研发投入，根据 CMOS图像传感器行业发展趋势和客户需求研发新技术、新产品，持续将科技创新能力作为企业发展的核心竞争力。
综上所述，韦尔股份董事会认为：思比科本次评估已充分考虑未来政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面的发展，在可预见的未来发展时期，思比科后续经营过程中未来政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面不存在其他重大不利变化，不会影响本次思比科资产估值的准确性。
4、评估结果对关键指标的敏感性分析
根据对北京豪威评估所参考的收益法评估模型，本次评估结果对关键财务指标（营业收入、毛利率、折现率）的敏感性分析如下所示：
（1）预测期内营业收入变动的敏感性分析
||||
|-|-|-|
|营业收入变动率|北京豪威全部股东权益的评估值（万元）|评估值变动率（%）|
|-4%|26,800.00|-50.92%|
|-2%|40,700.00|-25.46%|
|0%|54,600.00|-|
|2%|68,400.00|25.27%|
|4%|82,300.00|50.73%|

（2）预测期内毛利率变动的敏感性分析
||||
|-|-|-|
|毛利率变动率|北京豪威全部股东权益的评估值（万元）|评估值变动率（%）|
|-4%|49,100.00|-10.07|
|-2%|51,800.00|-5.13|
|0%|54,600.00|-|
|2%|57,300.00|4.95|
|4%|60,000.00|9.89|

（3）预测期内折现率变动的敏感性分析
||||
|-|-|-|
|折现率变化值|北京豪威全部股东权益的评估值（万元）|评估值变动率（%）|
|1%|47,700.00|-12.64%|
|0.5%|50,900.00|-6.78%|
|0%|54,600.00|-|
|-0.5%|58,500.00|7.14%|

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|-|-|-|
|-1%|62,900.00|15.20%|

5、思比科与上市公司业务是否存在协同性分析
思比科与上市公司业务是否存在协同性分析见本报告书―第一节本次交易概况‖之―七、本次交易对上市公司的影响‖之―（七）上市公司与标的公司的协同效应。‖
6、交易定价的公允性分析
（1）思比科交易作价的估值水平
思比科42.27%股权的交易作价为人民币 23,429.58万元，其100%股权的交易作价为55,428.39万元。
||||
|-|-|-|
|标的公司|项目|金额（万元）/倍|
|思比科|交易作价|55,428.39|
||承诺期第一年承诺净利润|2,500|
||市盈率|22.17|
||承诺期三年平均承诺净利润|4,500|
||承诺期三年平均市盈率|12.32|

（2）与同行业上市公司的估值水平比较
思比科主营业务属于集成电路设计行业。2018年7月31日，同行业可比上市公司市盈率、市净率、EV/EBITDA估值情况如下：
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|序号|证券代码|证券简称|市盈率（TTM）|市净率|EV/EBITDA|
|1|300373.SZ|扬杰科技|47.49|5.34|33.13|
|2|300613.SZ|富瀚微|61.84|5.74|43.47|
|3|300623.SZ|捷捷微电|42.12|4.71|27.43|
|4|300661.SZ|圣邦股份|88.84|10.46|76.33|
|5|300671.SZ|富满电子|62.26|7.78|54.21|
|6|300672.SZ|国科微|137.13|6.30|65.48|
|7|600171.SH|上海贝岭|45.26|3.36|48.60|
|8|600360.SH|华微电子|50.18|2.38|17.32|
|9|603160.SH|汇顶科技|45.99|9.13|33.59|
|10|603501.SH|韦尔股份|73.39|10.67|87.97|
|11|603986.SH|兆易创新|78.16|17.07|66.42|
|平均数|||66.61|7.54|50.36|
|中位数|||61.84|6.30|48.60|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|
|序号|证券代码|证券简称|市盈率（TTM）|市净率|EV/EBITDA|
|思比科|||22.17|7.58|-|

注：可比上市公司市净率=上市公司市值（2018年7月31日）/上市公司净资产（2018年9月30日）；EV/EBITDA=上市公司市值（2018年7月31日）/上市公司息税折旧摊销前利润（2017年12月31日）
7、评估基准日至重组报告书披露日交易标的发生的重要变化及其影响分析评估基准日至本报告书出具日，思比科的不存在发生重要变化的事项。
8、交易作价与评估结果的差异分析
本次交易，思比科100%股权评估值为 54,600.00万元，思比科非业绩承诺方交易作价标准为54,600.00万元，思比科业绩承诺方交易作价标准为60,000.00万元。交易作价与评估结果差异主要是评估价未能充分体现重组后的协同效应，且交易双方所需承担的业绩承诺义务不一致，经交易双方协商所致。
四、视信源股权评估
（一）资产基础法评估具体情况
经资产基础法评估，视信源在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为29,243.76万元，各项资产及负债的评估说明如下：
1、流动资产的清查和评估说明
（1）货币资金的清查和评估
货币资金账面值 55,974.42元，其中库存现金账面值为 5,760.82元，银行存款账面值为50,213.60元。
库存现金评估值为5,760.82元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|库存现金|5,760.82|5,760.82|

②银行存款的清查和评估
视信源银行存款账面值为 50,213.60元，共有 3个银行账户，为 1个人民币
账户和2个美元账户。
银行存款评估值为50,213.60元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|银行存款|50,213.60|50,213.60|

货币资金评估值为55,974.42元
单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|货币资金|55,974.42|55,974.42|

（2）预付账款的清查和评估
预付账款账面原值6,595.82元，未计提坏账准备，账面净值6,595.82元，仅有明细1项，系预付北京中关村国际孵化器有限公司房租6,595.82元，账龄在1年以内。
预付账款评估值为6,595.82元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|预付账款|6,595.82|6,595.82|
|减：预付账款减值准备|—|—|
|预付账款净值|6,595.82|6,595.82|

（3）其他应收款的清查和评估
其他应收款账面原值为 10,423.08元，计提坏账准备 704.03元，账面净值9,719.05元，共有明细6项，系应收五险一金、发票押金以及房租押金等。
其他应收款评估值为10,423.08元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|其他应收款|10,423.08|10,423.08|
|减：坏账准备|704.03|—|
|其他应收款净额|9,719.05|10,423.08|

2、长期股权投资的清查和评估说明
长期股权投资账面值为 3,800,000.00元，仅有明细 1项，系对思比科的投资。
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|序号|企业名称|账面值|持股比例（%）|
|1|思比科|3,800,000.00|53.85|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次评估中，对控股的长期股权投资公司采用资产基础法和收益法进行了评估，并选用收益法评估结果作为最终评估结果，具体评估情况见信资评报字（2018）第40074号资产评估报告。
本次评估中对思比科的长期投资评估值确定如下：
单位：元
||||||
|-|-|-|-|-|
|序号|被投资单位名称|被投资企业评估值|持股比例（%）|长期投资评估值|
|1|思比科|546,000,000.00|53.85|294,028,800.00|
||合计|546,000,000.00||294,028,800.00|

长期股权投资账面值为3,800,000.00元，评估值294,028,800.00元，评估增值290,228,800.00元，增值率7,637.60%，增值的主要原因是：
评估增值原因为本次评估对长期投资单位用收益法进行评估，导致评估增
值。
3、固定资产的清查和评估说明
（1）设备的清查
视信源的设备账面原值479,517.00元，账面净值47,951.40元，按其不同用途分为机器设备和电子设备两类。
机器设备账面原值6,318.00元，账面净值631.80元，计2项。为两个模具。
设备均正常使用。
电子设备账面原值473,199.00元，账面净值47,319.60元，计45项，主要为办公用的办公电脑、打印机、传真机、办公家具等，均正常使用。
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|资产名称|项数|账面原值|账面净值|
|机器设备|2|6,318.00|631.80|
|电子设备|45|473,199.00|47,319.60|
|设备合计|47|479,517.00|47,951.40|

（2）评估结论
设备类固定资产账面原值 479,517.00元，账面净值 47,951.40元。评估原值 354,180.00元，评估净值 53,877.00元，评估增值 5,925.6元，评估增值率
12.36%。评估结论详见下表：
单位：元
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|类 别|账面原值|账面净值|评估原值|评估净值|
|机器设备|6,318.00|631.80|6,640.00|996.00|
|电子设备|473,199.00|47,319.60|352,540.00|52,881.00|
|合计|479,517.00|47,951.40|359,180.00|53,877.00|

设备增值的主要原因系本次评估的设备均已超出其正常经济耐用年限，但均在正常使用，故导致评估增值。
4、递延所得税资产的清查和评估说明
视信源递延所得税资产账面价值为 176.01元，仅有明细 1项，系减值准备引起的递延所得税资产。
通过查阅相关会计科目，分析形成递延所得税资产相对应会计科目的计税基础与账面价值，进而核实递延所得税资产。由于本次对其他应收款逐笔评估，对坏账准备评估为零，故因减值准备引起的递延所得税资产评估为0。
本次评估递延所得税资产的评估值为零。
单位：元
||||
|-|-|-|
|资产名称|账面值|评估值|
|递延所得税资产|176.01|—|

5、负债的清查和评估说明
视信源的负债包括应付职工薪酬、应交税费和其他应付款。
（1）应付职工薪酬的清查和评估说明
应付职工薪酬账面值为6,200.00元，系应付职工的工资。
评估人员核对了明细账与总账的一致性。核对了会计凭证，计提正确。查
阅了相关记录，企业计提和使用均符合国家有关规定。因此本次应付职工薪酬
按清查核实后的账面值确认。
应付职工薪酬账面值为6,200.00元，评估值为6,200.00元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|应付职工薪酬|6,200.00|6,200.00|

（2）应交税费的清查和评估说明
应交税费账面值为129.21元，仅有明细1项，系应交的个人所得税。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）评估人员核实了企业的纳税申报表，核实无误。本次评估按清查核实后的
账面值确定。
应交税费账面值129.21元，评估值为129.21元。
单位：元
||||
|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|应交税费|129.21|129.21|

（3）其他应付款的清查和评估说明
其他应付款账面值为1,711,770.21元，共有明细7项，主要系应付陈杰股东借款1,669,229.27元、应付职工报销费 30,033.00元等。
评估人员将其他应付款申报表明细与相关账册、凭证进行了核对、核查，
还采用了抽查原始发票等其他替代程序，了解到其他应付款项均为实际需要承
担的债务，本次评估按清查核实后的账面值确认。
其他应付款账面值为1,711,770.21元，评估值为1,711,770.21元。
单位：元
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|-|-|-|
|负债名称|账面值|评估值|
|其他应付款|1,711,770.21|1,711,770.21|

（二）评估结论分析及采用
经资产基础法评估，视信源在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为29,243.76万元。
总资产账面值392.04万元，评估值29,415.57万元，评估增值29,023.53万元，增值率7,403.21%；
总负债账面值171.81万元，评估值171.81万元，无增减变动；
净资产账面值 220.23万元，评估值 29,243.76万元，评估增值 29,023.52万元，增值率13,178.74%。
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项 目|账面净值|评估值|增减额|增减率（%）|
||A|B|C=B-A|D=C/A|
|流动资产|7.23|7.30|0.07|0.97|
|非流动资产|384.81|29,408.27|29,023.46|7,542.28|
|其中：长期股权投资净额|380.00|29,402.88|29,022.88|7,637.60|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|项 目|账面净值|评估值|增减额|增减率（%）|
||A|B|C=B-A|D=C/A|
|固定资产净额|4.80|5.39|0.59|12.29|
|递延所得税资产|0.01|—|-0.01|-100.00|
|资产总计|392.04|29,415.57|29,023.53|7,403.21|
|流动负债|171.81|171.81|—|—|
|负债总计|171.81|171.81|—|—|
|净资产|220.23|29,243.76|29,023.53|13,178.74|

本次评估增值29,023.53万元，评估增值原因分析如下：
1、流动资产
流动资产账面值 72,289.29元，评估值 72,993.32元，评估增值 704.03元，增值率0.97%。
流动资产评估增值主要原因为将计提的其他应收账款坏账准备评估为零；
2、长期股权投资
长期股权投资账面值为 3,800,000.00元，评估值 294,028,800.00元，评估增值 290,228,800.00元，增值率7,637.60%，增值的主要原因是本次对长期投资单位用收益法进行评估，故评估增值。
3、固定资产
固定资产账面净值47,951.40元，评估净值53,877.00元，评估增值5,925.60元，增值率12.36%。经分析，设备增值的主要原因系本次评估的设备均已超出其正常经济耐用年限，但均在正常使用，故导致评估增值。
经资产基础法评估，视信源在评估基准日2018年7月31日的股东全部权益评估值为人民币29,243.76万元。
（三）其他需说明的情况
1、引用其他报告的相关情况
视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权。本次评估引用立信评估2018年7月30日出具的（信资评报字[2018]第40074号）资产评
估报告及说明，对被投资单位—北京思比科微电子技术有限公司采用收益法及
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）资产基础法进行了评估，评估结论采用收益法评估结果，评估值为人民币 5.46亿元。
2、评估特殊处理，对评估结论有重大影响事项的说明
本次评估不存在评估特殊处理、对评估结论有重大影响事项。
（四）董事会对视信源资产评估的合理性及定价的公允性分析
1、董事会对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与目的的相关性、评估定价的公允性发表的意见
（1）评估机构的独立性
担任本次交易评估机构的立信评估具有证券期货业务资格，立信评估及经办评估师与公司、交易对方及标的资产均不存在关联关系，不存在除专业收费外的现实的和预期的利害关系，评估机构具有独立性。
（2）评估假设前提的合理性
评估机构和评估人员为本次交易出具的相关资产评估报告所设定的评估假设前提和限制条件按照国家规定执行，遵循了市场通行惯例或准则，符合评估对象的实际情况，评估假设前提具有合理性。
（3）评估方法与评估目的的相关性
本次评估的目的是确定标的资产于评估基准日的市场价值，为本次交易提供价值参考依据，评估机构实际评估的资产范围与委托评估的资产范围一致。
本次评估对视信源采用资产基础法进行了评估，并采用资产基础法评估结果作为最终评估结论。本次资产评估工作按照国家有关法规与行业规范的要求，评估机构在评估过程中实施了相应的评估程序，遵循了独立性、客观性、科学性、公正性等原则，运用了合规且符合标的资产实际情况的评估方法，选用的参照数据、资料可靠；资产评估价值公允、准确。评估方法选用恰当，评估结论合理，评估方法与评估目的相关性一致。
（4）评估定价的公允性
本次交易以立信评估出具的资产评估报告载明的评估值为基础结合各交易对方对标的公司的业绩承诺情况协商确定交易价格，标的资产评估定价公允，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）交易价格公平、合理，不会损害公司及中小股东利益。
独立董事已对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与评估目的的相关性及和评估定价的公允性发表了独立意见。
综上，韦尔股份董事会认为：本次交易评估机构独立、评估假设前提合理、评估方法与评估目的相关性一致、评估定价公允。
2、财务预测的合理性分析
视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权。思比科财务预测的合理性分析见本节―三、思比科股权评估‖之―（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―2、财务预测的合理性分析‖。
3、视信源的后续经营过程中政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面的变化趋势及应对措施及其对评估的影响
视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权。视信源的后续经营过程中政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面的变化趋势及应对措施及其对评估的影响见本节―三、思比科股权评估‖之―（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―3、思比科的后续经营过程中政策、宏观环境、技术、行业、税收优惠等方面的变化趋势及应对措施及其对评估的影响‖。
4、评估结果对关键指标的敏感性分析
视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权，思比科评估结果对关键指标的敏感性分析见本节―三、思比科股权评估‖之―（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―4、评估结果对关键指标的敏感性分析‖。
5、视信源与上市公司业务是否存在协同性分析
视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权，其与上市公司业务的协同效应见本节―三、思比科股权评估‖之―（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―5、思比科与上市公司业务是否存在协同性分析‖。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）6、交易定价的公允性分析
（1）视信源交易作价的估值水平
视信源79.93%股权的交易作价为人民币 25,466.24万元，其100%股权的交易作价为31,860.68万元。
||||
|-|-|-|
|标的公司|项目|金额（万元）/倍|
|视信源|交易作价|31,860.68|
||承诺期第一年承诺净利润|1,346|
||市盈率|23.67|
||承诺期三年平均承诺净利润|2,423|
||承诺期三年平均市盈率|13.15|

（2）与同行业上市公司的估值水平比较
视信源主要资产为持有的思比科53.85%股权，其估值主要受思比科的整体估值影响。因此视信源与同行业上市公司估值水平比较见本节―三、思比科股权评估‖之―（五）董事会对思比科资产评估的合理性及定价的公允性分析‖之―6、交易定价的公允性分析‖。
7、评估基准日至重组报告书披露日交易标的发生的重要变化及其影响分析评估基准日至本报告书出具日，视信源的不存在发生重要变化的事项。
8、交易作价与评估结果的差异分析
本次交易，视信源100%股权评估值为 29,243.76万元，视信源非业绩承诺方交易作价标准为29,243.76万元，视信源业绩承诺方交易作价标准为32,151.74万元。交易作价与评估结果差异主要是评估价未能充分体现重组后的协同效应，且交易双方所需承担的业绩承诺义务不一致，经交易双方协商所致。
五、独立董事对本次交易评估事项的意见
韦尔股份独立董事就本次交易的评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与评估目的的相关性及评估定价的公允性发表如下意见：
1、担任本次交易评估机构的立信评估具有证券业务资格，评估机构的选聘
程序合法合规，评估机构及经办评估师与公司、交易对方均不存在关联关系，
不存在除专业收费外的现实的和预期的利害关系，具有充分的独立性，能够胜
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）任本次发行股份购买资产相关的工作。
2、评估机构和评估人员所设定的评估假设前提和限制条件按照国家有关法规和规定执行、遵循了市场通用的惯例或准则、符合评估对象的实际情况，评估假设前提具有合理性。
3、本次评估的目的是确定标的资产于评估基准日的市场价值，为本次交易提供价值参考依据，评估机构实际评估的资产范围与委托评估的资产范围一致。本次评估对北京豪威、思比科分别采用资产基础法和收益法进行了评估，并采用收益法评估结果作为最终评估结论；对视信源采用资产基础法进行了评估，并将资产基础法的评估结果作为最终评估结论。本次资产评估工作按照国家有关法规与行业规范的要求，遵循独立、客观、公正、科学的原则，按照公认的资产评估方法，实施了必要的评估程序，所选用的评估方法合理，与评估目的相关性一致。
4、本次交易以立信评估出具的资产评估报告载明的评估值为基础结合各交易对方对标的公司的业绩承诺情况协商确定交易价格，标的资产评估定价公允，交易价格公平、合理，不会损害公司及中小股东利益。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第七节本次交易的主要合同
一、发行股份购买资产协议及其补充协议
（一）韦尔股份与北京豪威部分股东之发行股份购买资产协议
―甲方：韦尔股份；乙方：北京豪威（以下简称―标的公司‖）的部分股东，即：绍兴韦豪、青岛融通、Seagull（A3）、嘉兴水木、嘉兴豪威、上海唐芯、 SeagullInvestments、开元朱雀、元禾华创、北京集电、天元滨海、惠盈一号、领智基石、金信华创、金信华通、西藏大数、上海威熠、西藏锦祥、上海摩勤、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）、德威资本、深圳远卓、深圳兴平共25名。
―第二条 本项交易内容
甲方同意按照本协议约定条件向乙方发行股份购买标的资产（即标的公司85.53%股权），乙方同意按照本协议约定条件向甲方转让标的资产，以认购甲方向其发行的股份。乙方中的任一方在此同意放弃对乙方中的其他各方向甲方转让的标的公司股权的优先购买权。
第三条标的资产交易价格及定价依据
3.1双方同意，由立信评估以 2018年 7月 31日为基准日对标的资产进行整体评估，双方根据评估报告载明的评估价值及乙方各方对标的公司进行业绩承诺的情况，协商确定标的资产交易价格。根据立信评估出具的信资评报字（2018）40136号《北京豪威资产评估报告》，截至基准日，标的公司100%股权的评估值为141.31亿元，标的资产的评估值为120.60亿元。
3.2双方同意，非业绩承诺方中的各方取得的交易对价根据标的公司100%股权的评估价值（即141亿元）乘以各自持有的标的公司出资比例确定；业绩承诺方中的各方（不包括虞仁荣）取得的交易对价根据标的公司100%股权的评估价值上浮一定比例后的金额（即155亿元）乘以各自持有的标的公司出资比例确定。根据上述原则计算，交易双方经友好协商确定标的资产的交易价格为1,302,310.6208万元。乙方中的各方取得的交易对价具体见本协议附件三。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第四条交易对价的支付方式
双方同意，甲方采取向乙方非公开发行股份的方式支付购买标的资产的全部交易对价。
第五条股份的发行及认购
甲方向乙方发行股份的具体方案如下：
5.1发行股票的种类和面值
本项发行股票的种类为境内上市人民币普通股（A股），每股面值为1元。
5.2发行对象和发行方式
本项发行对象为乙方，发行方式为非公开发行的方式。
5.3认购方式
乙方中的各方以其持有的标的公司股权认购甲方向其发行的股份。
5.4定价基准日和发行价格
定价基准日为甲方第四届董事会第二十七次会议决议公告日，即 2018年 8月15日，发行价格不低于定价基准日前60个交易日公司股票交易均价的90%，即 33.92元/股。交易均价的计算公式为：定价基准日前 60个交易日公司股票交易均价＝定价基准日前 60个交易日公司股票交易总额÷定价基准日前 60个交易日公司股票交易总量。
由于 2018年 8月甲方实施现金利润分配，每 10股派发现金红利 0.45元，根据上述利润分配情况，双方协商确定本项发行价格为 33.88元/股。在本项发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生其他派息、送股、公积金转增股本等除权、除息事项的，发行价格将进行相应调整。
5.5发行数量
本项发行的发行数量为向乙方中的各方发行的股份数之和。本项发行向乙方中的各方发行的股份数=乙方中的各方应取得的交易对价÷本项发行的发行价格。计算结果如出现不足 1股的尾数应舍去取整，即不足一股的金额赠予甲方。依据上述计算方法，本项发行的股份总数为 384,389,191股，本项交易中甲
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）方向各发行对象发行的股份数量见本协议附件三。最终发行股份总数需经中国证监会核准。
在本项发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生其他派息、送股、公积金转增股本等除权、除息事项而调整发行价格的，发行数量也将根据发行价格的调整进行相应调整。
5.6锁定期安排
（1）本次向绍兴韦豪发行的股份，自股份上市之日起 36个月内不得转让；前述期限届满且甲方在指定媒体披露标的公司 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，甲方本次向绍兴韦豪发行的股份的100%扣减其截至该时点已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后的剩余股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则绍兴韦豪可解锁的股份数为0。
（2）本次向青岛融通、北京集电、嘉兴水木、嘉兴豪威、Seagul（lA3）、Seagull（A1）、Seagull（C1）、Seagull（C1-Int‘l）、上海威熠发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让；前述期限届满后，甲方本次向上述发行对象发行的股份按照如下约定进行解锁：
①前述期限届满且甲方在指定媒体披露标的公司 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的50%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
②甲方在指定媒体披露标的公司 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的另外20%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
③甲方在指定媒体披露标的公司 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的剩余30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁。
④上述发行对象各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于 0的，则当年上述发行对象可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）鉴于上海唐芯持有的用以认购甲方股份的标的公司股权系于2018年 4月 28日办理完毕工商变更登记手续；SeagullInvestments、元禾华创持有的用以认购甲方股份的标的公司股权系于2018年7月20日办理完毕工商变更登记手续，甲方本次向 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯发行的股份的锁定期按照如下方式确定：
①若 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯取得本项发行的甲方股份时，其持续持有标的公司股权的时间不足 12个月，则本次向 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯发行的股份自股份上市之日起 36个月内不得转让，前述期限届满且甲方在指定媒体披露标的公司2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯发行的股份的100%扣减其各自截至该时点应补偿的股份数（如有）后的剩余股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯可解锁的股份数为0。
②若 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯取得本项发行的甲方股份时，其持续持有标的公司股权的时间已届满 12个月，则本次向 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯发行的股份自股份上市之日起 12个月内不得转让，前述期限届满，本次向 SeagullInvestments、元禾华创、上海唐芯发行的股份按照本协议第5.6条第（2）项之约定分期进行解锁。
（4）本次向开元朱雀、天元滨海、惠盈一号、金信华创、金信华通、西藏大数、西藏锦祥、德威资本、深圳远卓、深圳兴平发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让。
（5）鉴于领智基石、上海摩勤持有的用以认购甲方股份的标的公司股权系于2018年4月28日办理完毕工商变更登记手续，甲方本次向领智基石、上海摩勤发行的股份的锁定期按照如下方式确定：
①若领智基石、上海摩勤取得本项发行的甲方股份时，其持续持有标的公司股权的时间不足 12个月，则本次向领智基石、上海摩勤发行的股份自股份上市之日起36个月内不得转让。
②若领智基石、上海摩勤取得本项发行的甲方股份时，其持续持有标的公
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）司股权的时间已届满 12个月，则本次向领智基石、上海摩勤发行的股份自股份上市之日起12个月内不得转让。
（6）本项交易实施完成后，乙方由于甲方送股、转增股本等原因增持的甲方股份，亦应遵守上述约定。
（7）如证券监管部门对股份锁定还有其他要求的，本项发行的股份的转让、交易还应遵守届时有效的法律、行政法规、行政规章、规范性文件和上交所的有关规定和证券监管部门的相关要求。
5.7发行股份上市地点
本项发行股份的上市地点为上交所。
5.8滚存未分配利润的处理
本项发行完成后，甲方本项发行前的滚存未分配利润由甲方本项发行后的新老股东按照本项发行后的股份比例共同享有；标的公司截至交割日的滚存未分配利润由交割日后标的公司的股东根据其届时持有的标的公司股权比例享有。
第六条交割
6.1乙方应负责在本协议生效之日起 30日内办理完毕标的资产转让的变更登记和备案手续。
6.2自标的资产完成交割后 90日内，甲方应于上交所及中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成本次所发行股份的发行、登记等手续。
6.3甲方应就标的资产交割事宜向乙方和标的公司提供必要的协助；乙方应就本次所发行股份的发行、登记事宜向甲方提供必要的协助。
第七条过渡期的损益安排
7.1标的资产在过渡期内的收益归甲方所有；在过渡期内的亏损由乙方按照其截至本协议签署之日持有的标的公司出资比例向甲方补足，乙方应于本协议第 7.2条项下审计报告出具之日起 15个工作日内将亏损以现金方式向甲方补足。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 7.2各方同意，标的资产交割后，甲方可适时提出对标的公司进行审计，确定过渡期内标的资产的损益。该等审计应由甲方聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所完成。如甲方提出对标的资产过渡期内的损益进行审计的，若交割日为当月15日（含）之前，则审计基准日为上月月末；若交割日为当月 15日（不含）之后，则审计基准日为当月月末。
第八条与标的资产相关的人员安排和债权债务处理
8.1鉴于本项交易转让的标的资产为标的公司股权，本项交易完成后，标的公司及其子公司作为独立法人的身份不会发生变化，标的公司及其子公司将继续履行与其员工的劳动合同，并不因本项交易而导致额外的人员安排问题。
8.2本项交易完成后，标的公司及其子公司仍为独立的法人主体，其原有债权债务仍继续由其享有和承担。
第九条陈述、保证及承诺
9.1甲方的陈述、保证及承诺
甲方向乙方作出如下陈述、保证及承诺：
（1）除本协议第 17.1条约定的相关程序之外，甲方保证拥有签订本协议及履行本协议项下义务的所有权利和授权。
（2）甲方保证签署和履行本协议不会：①导致违反甲方的组织文件的任何规定；②导致违反以甲方为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于甲方的法律。
（3）甲方保证其不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
（4）甲方同意对乙方由于任何甲方陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）予以赔偿。
9.2乙方共同的陈述、保证及承诺
乙方中的各方向甲方作出如下陈述、保证及承诺：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）乙方保证拥有签订本协议以及履行本协议项下义务的所有权利和授权。
（2）乙方保证签署和履行本协议不会：①导致违反乙方及标的公司的组织文件的任何规定；②导致违反以乙方或标的公司中的任何一个为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于乙方或标的公司的法律。
（3）乙方保证其目前不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
（4）乙方保证真实合法拥有标的资产的所有权，不存在任何争议或潜在纠纷，标的资产、标的公司及其子公司的全部资产均系合法取得并真实拥有。
标的资产、标的公司及其子公司的资产之上没有设置抵押、质押、留置等任何担保权益（标的公司及其子公司的资产为标的公司及其子公司自身的债务而设定担保权益的除外），也不存在可能导致标的资产、标的公司及其子公司的资产被有关司法机关或行政机关查封、冻结、征用或限制转让的未决或潜在的诉讼、仲裁以及任何其他行政或司法程序（对本项交易不构成实质性障碍的诉讼、仲裁除外）。乙方保证标的公司及其子公司拥有、使用该等资产未侵犯任何第三方的权利，没有任何其他第三方会对该等资产以任何形式主张任何权利（对本项交易不构成实质性障碍的诉讼、仲裁中涉及的权利主张除外）。如果对于标的资产及标的公司及其子公司的资产存在其他权利主张，乙方保证有能力自行将该等他项权利的主张及时予以消除并承担全部相关费用，以维护甲方的合法权益。
（5）乙方保证其提供的标的公司及其子公司的资料真实、有效、完整、准确，保证标的公司及其子公司于交割日前不存在账外资产，不存在账外负债及或有负债，不存在任何对本项交易构成实质性障碍的尚未了结的或潜在的诉讼、仲裁、行政处罚案件。
（6）标的公司及其子公司如有在交割日前未依法足额缴纳或支付的税负、政府收费、强制的社会保险费和住房公积金等员工福利（已在账上计提的部分除外），有权部门或权利人在任何时候要求标的公司或其子公司补缴，或对标
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）的公司或其子公司处罚，或向标的公司或其子公司追索，乙方将全额承担该补缴、被处罚或被追索的支出及费用，且在承担后不得向标的公司及其子公司追偿，保证标的公司及其子公司均不会因此遭受任何损失。
（7）乙方应当促使标的公司及其子公司在本协议签署日至交割日前：①在正常业务过程中按照与以往惯例及谨慎商业惯例一致的方式经营主营业务；
②为了甲方的利益，尽最大努力维护用于主营业务的所有资产保持良好状态，维护与客户、供应商、员工和其他相关方的所有良好关系。同时，乙方应当促使标的公司及其子公司不得：①分配任何红利或进行其他分配；②制定任何股权计划、股权激励计划；③放弃任何重大权利；④不得为股东或其他除标的公司及其合并范围内子公司以外的任何主体提供资金、资源或担保；⑤不得从事任何导致其财务状况、经营状况发生任何不利变化的任何交易、行为；或⑥处置标的公司或其子公司的资产和技术（正常的业务经营过程中发生的除外）。
（8）乙方保证标的公司及其子公司均：①遵守其章程和所有适用法律的规定，及②已适当获得并持有开展目前业务所需的一切许可、批准等经营资质和政府批准或备案手续；每份经营资质和批准或备案手续皆完全有效，不存在未决的或潜在的法律程序会导致任何经营资质和批准或备案手续被撤销、终止、中止或修改。
（9）本协议签署后至交割日，乙方中的任何一方未经甲方书面同意，不得以任何方式处置（包括但不限于转让、质押或设定任何第三方负担）其持有的标的公司股权。若乙方中的任何一方在本项交易通过甲方股东大会审批前经甲方书面同意将其持有的标的公司股权转让以获得现金对价，则该交易对方自动退出本项交易，但应当继续配合其他各方进行本项交易直至本次重组实施完毕。
（10）本协议签署后至交割日，乙方应当促使其股东或出资人未经甲方书面同意不再变动其持有的乙方出资，如未经甲方书面同意乙方股东或出资人擅自变动其持有的乙方出资的，乙方应当拒绝为其办理出资变动涉及的相关手续。否则甲方有权在本项交易中不再收购其持有的标的公司股权，但乙方应当继续配合其他各方进行本项交易直至本次重组实施完毕。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（11）乙方中的任何一方同意对甲方由于该方关于其自身情况以及其持有的标的公司股权情况的陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）向甲方予以赔偿；乙方同意对甲方由于乙方关于标的公司及其子公司情况的陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）按照其截至本协议签署之日持有的标的公司出资比例向甲方予以赔偿。
第十条本项交易完成后公司治理
10.1 交割日后，在本项发行的股份完全解锁前，甲方承诺尽量保持标的公司及其子公司核心经营管理团队和核心技术团队的基本稳定。
10.2 交割日后，标的公司及其子公司的经营管理和重大事项决策按照法律法规、监管规则及甲方的管理制度办理。
第十一条业绩承诺及补偿安排
业绩承诺方承诺标的公司在盈利承诺期内实现的实际净利润数不低于承诺净利润数，否则业绩承诺方应对甲方予以补偿；同时盈利承诺期届满时，如果标的资产发生减值，业绩承诺方（不包括虞仁荣）还应就标的资产减值另行对甲方予以补偿。盈利承诺期内每年的承诺净利润数以及补偿的相关细节，由甲方与业绩承诺方另行签署《利润补偿协议》约定。
第十二条保密
12.1 协议各方应对本协议内容及本项交易有关事宜严格保密，不得向任何协议各方以外的其他人披露有关本协议及本项交易的任何信息。对于本协议及本项交易有关的任何文件，各方应谨慎保管。
12.2 以下情形均不受本协议第12.1条限制：
（1）各方就本项交易而向各自聘请的顾问进行的披露（但应保证该等顾问同样负有保密义务）；
（2）披露已进入公众领域的信息（除非是因一方违反本条保密义务而进入公众领域的信息）；
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）依据法律、法规和规范性文件和监管机构的明确要求需要履行信息披露义务的。
第十三条税费承担
13.1 因本项交易而发生的相关全部费用（包括但不限于财务顾问费用、审计费用、评估费用、律师费用、登记费用及信息披露费用等）由各方按照相关规定各自承担。
13.2 因本项交易而发生的相关税负，依据国家有关税收征管的法律、法规，由纳税义务人自行承担。
第十四条不可抗力
14.1 不可抗力是指各方或者一方不可预见、不可避免并不可克服的客观事件，包括但不限于地震、台风、水灾、火灾等自然灾害、流行疾病、内乱、战争等。
14.2 如果任何一方在本协议签署之后因任何不可抗力的发生而不能履行本协议的条款和条件，受不可抗力影响的一方应在不可抗力发生之日起的 10个工作日之内通知其他方，该通知应说明不可抗力的发生原因并声明该事件为不可抗力。同时，遭受不可抗力的一方应尽力采取措施，减少不可抗力造成的损失，努力保护其他方当事人的合法权益。
14.3 在发生不可抗力的情况下，各方应进行磋商以确定是否继续履行或者延期履行、或者终止履行本协议。不可抗力消除后，如本协议仍可以继续履行的，各方仍有义务采取合理可行的措施履行本协议。受不可抗力影响的一方应尽快向其他方发出不可抗力消除的通知，而其他方收到该通知后应予以确认。
14.4 如发生不可抗力致使本协议的履行成为不可能，本协议终止，遭受不可抗力的一方无需为前述因不可抗力导致的本协议终止承担责任。由于不可抗力而导致的本协议部分不能履行、或者延迟履行不应构成受不可抗力影响的一方的违约，并且不应就不能履行或者延迟履行承担任何违约责任。
第十五条违约责任
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本协议签订后，除不可抗力以外，任何一方不履行或不及时、不适当履行本协议项下其应履行的任何义务，或违反其在本协议项下作出的任何陈述、保证或承诺，应按照法律规定及本协议约定承担相应违约责任。
第十六条法律适用和争议解决
16.1 本协议的订立、解释及履行适用中国法律。
16.2 凡因本协议引起的或与本协议有关的任何争议，均应提交甲方住所地有管辖权的人民法院通过诉讼解决。
第十七条生效、解除、修改及补充
17.1 生效
本协议自各方签署后成立，并在下述条件全部满足时生效：
（1）甲方董事会及股东大会批准本次重组；
（2）甲方股东大会批准虞仁荣及其一致行动人免于发出收购要约；
（3）国家市场监督管理总局反垄断局批准本次重组涉及的经营者集中事项或确认对该事项不再实施进一步审查；
（4）中国证监会核准本次重组。
17.2 解除
（1）一方严重违反本协议，致使不能实现本协议目的，另一方有权解除本协议，并要求违约方承担违约责任。
（2）除本协议和法律法规另有规定外，各方经协商一致，可以以书面形式解除本协议。
17.3 修改及补充
对本协议的任何修改或补充均应经各方协商一致，以书面方式进行，并经各方授权代表签署后方可生效。
第十八条关于境外审查机构对本项交易的审查
本协议签署后，如果境外审查机构强制要求对本项交易进行审查，则各方
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）同意无条件配合境外审查机构对本项交易的审查，包括但不限于提供相关资料，签署必要的文件等。如因境外审查机构的审查导致本项交易最终无法完成，则甲方有权单方解除本协议；如境外审查机构对本项交易提出整改要求，则各方同意以不损害甲方利益为原则共同商讨解决方案，并按照境外审查机构的要求进行整改。如因上述情形导致甲方遭受损失的，乙方各方应当尽力配合商讨解决方案，并保障甲方的利益不受损害。‖
（二）韦尔股份与思比科部分股东之发行股份购买资产协议
―甲方：韦尔股份；乙方：思比科（以下简称―标的公司‖）的部分股东，即：北京博融、南昌南芯、山西TCL、华清博广、中关村创投、吴南健、陈杰、刘志碧共8名。
第二条本项交易内容
甲方同意按照本协议约定的条件向乙方发行股份购买标的资产（即标的公司42.27%股份），乙方同意按照本协议约定条件向甲方转让标的资产，以认购甲方向其发行的股份。
第三条标的资产交易价格及定价依据
3.1双方同意，由立信评估对标的资产进行整体评估，双方根据评估报告载明的评估价值及乙方各方对标的公司进行业绩承诺的情况，协商确定标的资产交易价格。于本协议签署日，标的公司100%股份的预估值为5.46亿元，标的资产的预估值为2.31亿元。
3.2双方同意，非业绩承诺方中的各方取得的交易对价根据标的公司100%股份的评估价值（根据前述预估值，暂定 5.46亿元）乘以其在本项交易中转让的标的股份占标的公司股份总数的比例确定；业绩承诺方中的各方取得的交易对价根据标的公司100%股份的评估价值上浮一定比例后的金额（暂定 6亿元）乘以各自在本项交易中转让的标的股份占标的公司股份总数的比例确定。根据上述原则计算，交易双方经友好协商暂定标的资产的交易价格为 23,429.58万元。乙方中的各方预计取得的交易对价具体见本协议附件三。
3.3标的资产的最终交易价格，以及乙方中的各方各自所获交易对价的确定金额，待标的资产的评估报告正式出具后，由双方另行签署补充协议约定。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第四条交易对价的支付方式
双方同意，甲方采取向乙方非公开发行股份的方式支付购买标的资产的全部交易对价。
第五条股份对价的发行及认购
甲方向乙方发行股份的具体方案如下：
5.1发行股票的种类和面值
本项发行股票的种类为境内上市人民币普通股（A股），每股面值为1元。
5.2发行对象和发行方式
本项发行对象为乙方，发行方式为非公开发行的方式。
5.3认购方式
乙方中的各方以其持有的标的股份认购甲方向其发行的股份。
5.4定价基准日和发行价格
定价基准日为甲方第四届董事会第二十七次会议决议公告日，发行价格不低于定价基准日前60个交易日公司股票交易均价的90%，即为33.92元/股。交易均价的计算公式为：定价基准日前 60个交易日公司股票交易均价＝定价基准日前 60个交易日公司股票交易总额÷定价基准日前 60个交易日公司股票交易总量。
由于 2018年 8月甲方实施现金利润分配，每 10股派发现金红利 0.45元，根据上述利润分配情况，双方协商确定本项发行价格为 33.88元/股。在本项发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生其他派息、送股、公积金转增股本等除权、除息事项的，发行价格将进行相应调整。
5.5发行数量
本项发行的发行数量为向乙方中的各方发行的股份数之和。本项发行向乙方中的各方发行的股份数=乙方中的各方应取得的交易对价÷本项发行的发行价格。计算结果如出现不足 1股的尾数应舍去取整，即不足一股的金额赠予甲方。依据上述计算方法，本项发行的股份总数预计为 6,915,456股，本项交易中
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）甲方向各发行对象预计发行的股份数量见本协议附件三。最终发行股份总数以及各发行对象各自最终所获发行的股份数量，应在立信评估出具正式的评估报告后，依据标的资产的最终交易价格等由双方签订补充协议进行确定且需经中国证监会核准。
在本项发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生其他派息、送股、公积金转增股本等除权、除息事项而调整发行价格的，发行数量也将根据发行价格的调整进行相应调整。
5.6锁定期安排
（1）本次向陈杰、刘志碧及吴南健发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让；前述期限届满后，甲方本次向上述发行对象发行的股份按照如下约定进行解锁：
①前述期限届满且甲方在指定媒体披露标的公司 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的20%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
②甲方在指定媒体披露标的公司2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的另外30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
③甲方在指定媒体披露标的公司 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的剩余50%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁；
④各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于 0的，则上述发行对象当年各自可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
（2）鉴于华清博广持有的标的股份系其于 2018年 4月 19日取得，因此，甲方本次向华清博广发行的股份的锁定期按照如下方式确定：
①若华清博广取得本项发行的甲方股份时，持续持有标的股份的时间不足12个月，则本次向华清博广发行的股份自股份上市之日起36个月内不得转让，前述期限届满且甲方在指定媒体披露标的公司 2021年度《专项审核报告》和标
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）的资产《减值测试审核报告》后，本次向华清博广发行的股份的100%扣减其各自截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后的剩余股份（如有）可解除锁定。扣减后可解锁的股份数量小于或等于0的，则华清博广可解锁的股份数为0。
②若华清博广取得本项发行的甲方股份时，持续持有标的股份的时间已届满 12个月，则本次向华清博广发行的股份自股份上市之日起 12个月内不得转让，前述期限届满，本次向华清博广发行的股份按照本协议第 5.6条第（1）项之约定分期进行解锁。
（3）本次向中关村创投、北京博融、南昌南芯、山西TCL发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让。
（4）本项交易实施完成后，乙方由于甲方送股、转增股本等原因增持的甲方股份，亦应遵守上述约定。
（5）如证券监管部门对股份锁定还有其他要求的，本项发行的股份的转让、交易还应遵守届时有效的法律、行政法规、行政规章、规范性文件和上交所的有关规定和证券监管部门的相关要求。
5.7发行股份上市地点
本项发行股份的上市地点为上交所。
5.8滚存未分配利润的处理
本项发行完成后，甲方本项发行前的滚存未分配利润由甲方本项发行后的新老股东按照本项发行后的股份比例共同享有；标的公司截至交割日的滚存未分配利润由交割日后标的公司的股东根据其届时持有的标的公司股份比例享有。
第六条交割
6.1乙方应当按照如下步骤和时限办理完毕标的资产转让的交割手续：
（1）本协议签署后35日内，乙方应促使标的公司召开董事会、股东大会审议终止挂牌的相关议案，并在终止挂牌事项获得股东大会决议通过后的十个转让日内向股转公司提交终止挂牌的申请文件，乙方应无条件配合办理标的公司
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）申请终止挂牌的相关事宜；
（2）股转公司审核通过标的公司终止挂牌的申请且本协议生效后30日内，乙方应当将其持有的标的股份全部过户至甲方并将修改后的公司章程提交工商登记机关备案。
6.2自标的资产全部完成交割后 90日内，甲方应于上交所及中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成本次所发行股份的发行、登记等手续。
6.3甲方应就标的资产交割事宜向乙方和标的公司提供必要的协助；乙方应就本次所发行股份的发行、登记事宜向甲方提供必要的协助。
第七条过渡期的损益安排
7.1标的资产在过渡期内的收益（合并口径下）归甲方所有；在过渡期内的亏损（合并口径下）由乙方按照其在本项交易中转让的标的股份比例向甲方补足，乙方应于本协议第 7.2条项下审计报告出具之日起 15个工作日内将亏损以现金方式向甲方补足。
7.2各方同意，标的资产交割后，甲方可适时提出对标的公司进行审计，确定过渡期内标的资产的损益。该等审计应由甲方聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所完成。如甲方提出对标的资产过渡期内的损益进行审计的，若交割日为当月15日（含）之前，则审计基准日为上月月末；若交割日为当月 15日（不含）之后，则审计基准日为当月月末。
第八条与标的资产相关的人员安排和债权债务处理
8.1鉴于本协议转让的标的资产为标的公司股份，本项交易完成后，标的公司及其子公司作为独立法人的身份不会发生变化，标的公司及其子公司将继续履行与其员工的劳动合同，并不因本项交易而导致额外的人员安排问题。
8.2本项交易完成后，标的公司及其子公司仍为独立的法人主体，其原有债权债务仍继续由其享有和承担。
第九条陈述、保证及承诺
9.1甲方的陈述、保证及承诺
甲方向乙方作出如下陈述、保证及承诺：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）除本协议第18.1条约定的相关程序之外，甲方保证拥有签订本协议及履行本协议项下义务的所有权利和授权。
（2）甲方保证签署和履行本协议不会：①导致违反甲方的组织文件的任何规定；②导致违反以甲方为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；
或③导致违反任何适用于甲方的法律。
（3）甲方保证其不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
（4）甲方同意对乙方由于任何甲方陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）予以赔偿。
9.2乙方共同的陈述、保证及承诺
乙方中的各方向甲方作出如下陈述、保证及承诺：
（1）乙方保证拥有签订本协议以及履行本协议项下义务的所有权利和授权。
（2）乙方保证签署和履行本协议不会：①导致违反乙方及标的公司的组织文件的任何规定；②导致违反以乙方或标的公司中的任何一个为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于乙方或标的公司的法律。
（3）乙方保证其目前不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
（4）乙方保证真实合法拥有标的资产的所有权，不存在任何争议或潜在纠纷，标的资产、标的公司及其子公司的全部资产均系合法取得并真实拥有。标的资产、标的公司及其子公司的资产之上没有设置抵押、质押、留置等任何担保权益（标的公司及其子公司的资产为标的公司及其子公司自身的债务而设定担保权益的除外），也不存在可能导致标的资产、标的公司及其子公司的资产被有关司法机关或行政机关查封、冻结、征用或限制转让的未决或潜在的诉讼、仲
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）裁以及任何其他行政或司法程序。乙方保证标的公司及其子公司拥有、使用该等资产未侵犯任何第三方的权利，没有任何其他第三方会对该等资产以任何形式主张任何权利。如果对于标的资产及标的公司及其子公司的资产存在其他权利主张，乙方保证有能力自行将该等他项权利的主张及时予以消除并承担全部相关费用，以维护甲方的合法权益。
（5）乙方保证其提供的标的公司及其子公司的资料真实、有效、完整、准确，保证标的公司及其子公司于交割日前不存在账外资产，不存在账外负债及或有负债，除标的公司作为原告起诉苏州晶方半导体科技股份有限公司的诉讼（案号：（2014）苏中商初字第0102号）外，不存在尚未了结的或潜在的诉讼、仲裁、行政处罚案件。
（6）标的公司及其子公司如有在交割日前未依法足额缴纳或支付的税负、政府收费、强制的社会保险费和住房公积金等员工福利（已在账上计提的部分除外），有权部门或权利人在任何时候要求标的公司或其子公司补缴，或对标的公司或其子公司处罚，或向标的公司或其子公司追索，乙方将全额承担该补缴、被处罚或被追索的支出及费用，且在承担后不得向标的公司及其子公司追偿，保证标的公司及其子公司均不会因此遭受任何损失。
（7）乙方应当促使标的公司及其子公司在本协议签署日至交割日前：①在正常业务过程中按照与以往惯例及谨慎商业惯例一致的方式经营主营业务；②为了甲方的利益，尽最大努力维护用于主营业务的所有资产保持良好状态，维护与客户、供应商、员工和其他相关方的所有良好关系。同时，乙方应当促使标的公司及其子公司不得：①分配任何红利或进行其他分配；②制定任何股权计划、股权激励计划；③放弃任何重大权利；④不得为股东或其他除标的公司及其合并范围内子公司以外的任何主体提供资金、资源或担保；⑤不得从事任何导致其财务状况、经营状况发生任何不利变化的任何交易、行为；或⑥处置标的公司或其子公司的资产和技术。
（8）乙方保证标的公司及其子公司均：①遵守其章程和所有适用法律的规定，及②已适当获得并持有开展目前业务所需的一切许可、批准等经营资质和政府批准或备案手续；每份经营资质和批准或备案手续皆完全有效，不存在未决的或潜在的法律程序会导致任何经营资质和批准或备案手续被撤销、终止、
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）中止或修改。
（9）乙方应当促使其股东或出资人未经甲方书面同意不再变动其持有的乙方出资，如未经甲方书面同意乙方股东或出资人擅自变动其持有的乙方出资的，乙方应当拒绝为其办理出资变动涉及的相关手续。否则甲方有权在本项交易中不再收购其持有的标的公司股权，但乙方应当继续配合其他各方进行本项交易直至本次重组实施完毕。
（10）乙方中的任何一方同意对甲方由于该方关于其自身情况以及其持有的标的公司股权情况的陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）向甲方予以赔偿；乙方同意对甲方由于乙方关于标的公司及其子公司情况的陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）按照其在本项交易中转让的标的股份比例向甲方予以赔偿。
第十条本项交易完成后公司治理
10.1交割日后，在本项发行的股份全部解锁前，甲方承诺尽量保持标的公司及其子公司核心经营管理团队和核心技术团队的稳定。
10.2交割日后，标的公司及其子公司的经营管理和重大事项决策按照法律法规、监管规则及甲方的管理制度办理。
第十一条任职期限及竞业禁止
11.1为保证标的公司及其子公司持续发展和保持持续竞争优势，管理层股东陈杰、刘志碧承诺，自本项交易的交割日起 3年内，不主动向标的公司或其子公司提出离职。若违反上述约定，陈杰、刘志碧应按照其在本次重组中出售标的公司股份及视信源股权所获得的全部交易对价的20%以现金形式向甲方支付违约金，同时涉及本协议第 12条约定的盈利承诺补偿或减值测试补偿的，还应分别承担本条项下的违约责任和本协议第 12条项下的业绩补偿和减值补偿责任。
11.2陈杰、刘志碧承诺在标的公司及其子公司任职期限内及其从标的公司及其子公司离职后的两年内，未经甲方书面同意，不得在标的公司及其子公司以外，从事与标的公司及其子公司构成竞争的业务或通过其直接或间接控制的
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）其他经营主体从事该等业务；不得在其他与标的公司及其子公司有竞争关系的任何企业或组织任职；不得以隐名形式或委托他人设立、投资（含控股、参股）与标的公司及其子公司有竞争关系的任何企业或组织。陈杰、刘志碧违反上述承诺的所得全部归标的公司及其子公司所有。
第十二条业绩承诺及补偿安排
业绩承诺方承诺标的公司在盈利承诺期内实现的实际净利润数不低于承诺净利润数，否则业绩承诺方应对甲方予以补偿；同时盈利承诺期届满时，如果标的资产发生减值，业绩承诺方还应就标的资产减值另行对甲方予以补偿。盈利承诺期内每年的承诺净利润数以及补偿的相关细节，由甲方与业绩承诺方另行签署《利润补偿协议》约定。
第十三条保密
13.1协议各方应对本协议内容及本项交易有关事宜严格保密，不得向任何协议各方以外的其他人披露有关本协议及本项交易的任何信息。对于本协议及本项交易有关的任何文件，各方应谨慎保管。
13.2以下情形均不受本协议第13.1条限制：
（1）各方就本项交易而向各自聘请的顾问进行的披露（但应保证该等顾问同样负有保密义务）；
（2）披露已进入公众领域的信息（除非是因一方违反本条保密义务而进入公众领域的信息）；
（3）依据法律、法规和规范性文件和监管机构的明确要求需要履行信息披露义务的。
第十四条税费承担
14.1因本项交易而发生的相关全部费用（包括但不限于财务顾问费用、审计费用、评估费用、律师费用、登记费用及信息披露费用等）由各方按照相关规定各自承担。
14.2因本项交易而发生的相关税负，依据国家有关税收征管的法律、法规，由纳税义务人自行承担。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十五条不可抗力
15.1不可抗力是指各方或者一方不可预见、不可避免并不可克服的客观事件，包括但不限于地震、台风、水灾、火灾等自然灾害、流行疾病、内乱、战争等。
15.2如果任何一方在本协议签署之后因任何不可抗力的发生而不能履行本协议的条款和条件，受不可抗力影响的一方应在不可抗力发生之日起的 10个工作日之内通知其他方，该通知应说明不可抗力的发生并声明该事件为不可抗力。同时，遭受不可抗力的一方应尽力采取措施，减少不可抗力造成的损失，努力保护其他方当事人的合法权益。
15.3在发生不可抗力的情况下，各方应进行磋商以确定是否继续履行本协议、或者延期履行、或者终止履行。不可抗力消除后，如本协议仍可以继续履行的，各方仍有义务采取合理可行的措施履行本协议。受不可抗力影响的一方应尽快向其他方发出不可抗力消除的通知，而其他方收到该通知后应予以确认。
15.4如发生不可抗力致使本协议的履行成为不可能，本协议终止，遭受不可抗力的一方无需为前述因不可抗力导致的本协议终止承担责任。由于不可抗力而导致的本协议部分不能履行、或者延迟履行不应构成受不可抗力影响的一方的违约，并且不应就不能履行或者延迟履行承担任何违约责任。
第十六条违约责任
本协议签订后，除不可抗力以外，任何一方不履行或不及时、不适当履行本协议项下其应履行的任何义务，或违反其在本协议项下作出的任何陈述、保证或承诺，应按照法律规定及本协议约定承担相应违约责任。
第十七条法律适用和争议解决
17.1本协议的订立、解释及履行适用中国法律。
17.2凡因本协议引起的或与本协议有关的任何争议，均应提交甲方住所地有管辖权的人民法院通过诉讼解决。
第十八条生效、解除、修改及补充
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）18.1生效
本协议自各方签署后成立，并在下述条件全部满足时生效：
（1）甲方董事会及股东大会批准本次重组；
（2）甲方股东大会批准虞仁荣及其一致行动人免于发出收购要约；
（3）国家市场监督管理总局反垄断局批准本次重组涉及的经营者集中事项或确认对该事项不再实施进一步审查；
（4）中国证监会核准本次重组。
18.2 解除
（1）一方严重违反本协议，致使不能实现本协议目的，另一方有权解除本协议，并要求违约方承担违约责任。
（2）除本协议和法律法规另有规定外，各方经协商一致，可以以书面形式解除协议。
18.3 修改及补充
对本协议的任何修改或补充均应经各方协商一致，以书面方式进行，并经各方授权代表签署后方可生效。
第十九条本项交易实施的前提条件
各方同意，本项交易的实施与本次重组中甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易的实施互为前提条件，如果甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易亦将停止实施；本项交易以及甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易的实施以本次重组中甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易的成功实施为前提条件，如果甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易以及甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易亦将停止实施。如发生上述情况，则本协议自动终止，除本协议第十三条规定的保密义务外，本协议其余部分均不再继续履行，已履行的部分双方同意恢复原状，并互不追究违约责任。‖
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（三）韦尔股份与视信源部分股东之发行股份购买资产协议
―甲方：韦尔股份；乙方：视信源（以下简称―标的公司‖）部分股东，即陈杰、刘志碧、金湘亮、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、陈黎明、吴南健共 9名。
第二条本项交易内容
甲方同意按照本协议约定的条件向乙方发行股份购买标的资产（即标的公司79.93%股权），乙方同意按照本协议约定条件向甲方转让标的资产，以认购甲方向其发行的股份。乙方中的任一方在此同意放弃对乙方中的其他各方向甲方转让的标的公司股权的优先购买权。
第三条标的资产交易价格及定价依据
3.1双方同意，由立信评估对标的资产进行整体评估，双方根据评估报告载明的评估价值及乙方各方对标的公司进行业绩承诺的情况，协商确定标的资产交易价格。于本协议签署日，标的公司100%股权的预估值为 29,243.76万元，标的资产的预估值为23,373.91万元。
3.2双方同意，乙方中的陈黎明、金湘亮取得的交易对价根据标的公司100%股权的评估价值（根据前述预估值，暂定29,243.76万元）乘以其各自持有的标的公司出资比例确定；业绩承诺方中的各方取得的交易对价根据标的公司100%股权的评估价值上浮一定比例后的金额（暂定32,151.74万元）乘以各自持有的标的公司出资比例确定。根据上述原则计算，交易双方经友好协商暂定标的资产的交易价格为 25,466.18万元。乙方中的各方预计取得的交易对价具体见本协议附件三。
3.3标的资产的最终交易价格，以及乙方中的各方各自所获交易对价的确定金额，待标的资产的评估报告正式出具后，由双方另行签署补充协议约定。
第四条交易对价的支付方式
双方同意，甲方采取向乙方非公开发行股份的方式支付购买标的资产的全部交易对价。
第五条股份对价的发行及认购
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）甲方向乙方发行股份的具体方案如下：
5.1发行股票的种类和面值
本项发行股票的种类为境内上市人民币普通股（A股），每股面值为1元。
5.2发行对象和发行方式
本项发行对象为乙方，发行方式为非公开发行的方式。
5.3认购方式
乙方中的各方以其持有的标的公司股权认购甲方向其发行的股份。
5.4定价基准日和发行价格
定价基准日为甲方第四届董事会第二十七次会议决议公告日，发行价格不低于定价基准日前60个交易日公司股票交易均价的90%，即为33.92元/股。交易均价的计算公式为：定价基准日前 60个交易日公司股票交易均价＝定价基准日前 60个交易日公司股票交易总额÷定价基准日前 60个交易日公司股票交易总量。
由于 2018年 8月甲方实施现金利润分配，每 10股派发现金红利 0.45元，根据上述利润分配情况，双方协商确定本项发行价格为 33.88元/股。在本项发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生其他派息、送股、公积金转增股本等除权、除息事项的，发行价格将进行相应调整。
5.5发行数量
本项发行的发行数量为向乙方中的各方发行的股份数之和。本项发行向乙方中的各方发行的股份数=乙方中的各方应取得的交易对价÷本项发行的发行价格。计算结果如出现不足 1股的尾数应舍去取整，即不足一股的金额赠予甲方。依据上述计算方法，本项发行的股份总数预计为 7,516,577股，本项交易中甲方向乙方中的各方预计发行的股份数量见本协议附件三。最终发行股份总数以及乙方中的各方各自最终所获发行的股份数量，应在立信评估出具正式的评估报告后，依据标的资产的最终交易价格等由双方签订补充协议进行确定且需经中国证监会核准。
在本项发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生其他派息、送股、公
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）积金转增股本等除权、除息事项而调整发行价格的，发行数量也将根据发行价格的调整进行相应调整。
5.6锁定期安排
（1）本次向乙方中的陈杰、刘志碧、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、吴南健发行的股份，自股份上市之日起 12个月内不得转让；前述期限届满后，甲方本次向上述发行对象发行的股份按照如下约定进行解锁：
①前述期限届满且甲方在指定媒体披露标的公司 2019年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的20%扣减截至该时点其已补偿的股份数（如有）及应补偿的股份数（如有）后可解锁，剩余部分继续锁定；
②甲方在指定媒体披露标的公司 2020年度《专项审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的另外30%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁，剩余部分继续锁定；
③甲方在指定媒体披露标的公司 2021年度《专项审核报告》和标的资产《减值测试审核报告》后，本次向上述发行对象发行的股份的剩余50%扣减截至该时点其应补偿的股份数（如有）可解锁；
④各年扣减后可解锁的股份数量小于或等于 0的，则上述发行对象当年各自可解锁的股份数为0，且次年可解锁的股份数量还应扣减该差额的绝对值。
（2）本次向乙方中的陈黎明、金湘亮发行的股份，自股份上市之日起12个月内不得转让。
（3）本项交易实施完成后，乙方中的各方由于甲方送股、转增股本等原因增持的甲方股份，亦应遵守上述约定。
（4）如证券监管部门对股份锁定还有其他要求的，本项发行的股份的转让、交易还应遵守届时有效的法律、行政法规、行政规章、规范性文件和上交所的有关规定和证券监管部门的相关要求。
5.7发行股份上市地点
本项发行股份的上市地点为上交所。
5.8滚存未分配利润的处理
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本项发行完成后，甲方本项发行前的滚存未分配利润由甲方本项发行后的新老股东按照本项发行后的股份比例共同享有；标的公司截至交割日的滚存未分配利润（如有）由交割日后的标的公司股东根据届时其持有的标的公司股权比例享有。
第六条交割
6.1乙方应当负责在本协议生效后 20日内办理完毕标的资产转让的登记及备案手续。
6.2自标的资产完成交割后 90日内，甲方应于上交所及中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成本次所发行股份的发行、登记等手续。
6.3甲方应就标的资产交割事宜向乙方和标的公司提供必要的协助；乙方应就本次所发行股份的发行、登记事宜向甲方提供必要的协助。
第七条过渡期的损益安排
7.1标的资产在过渡期内的收益（合并口径下）归甲方所有；在过渡期内的亏损（合并口径下）由乙方按照其截至本协议签署之日持有的标的公司股权比例向甲方补足，乙方应于本协议第 7.2条项下审计报告出具之日起 15个工作日内将亏损以现金方式向甲方补足。
7.2各方同意，标的资产交割后，甲方可适时提出对标的公司进行审计，确定过渡期内标的资产的损益。该等审计应由甲方聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所完成。如甲方提出对标的资产过渡期内的损益进行审计的，若交割日为当月15日（含）之前，则审计基准日为上月月末；若交割日为当月 15日（不含）之后，则审计基准日为当月月末。
第八条与标的资产相关的人员安排和债权债务处理
9.1鉴于本协议转让的标的资产为标的公司股权，本项交易完成后，标的公司及其子公司作为独立法人的身份不会发生变化，标的公司及其子公司将继续履行与其员工的劳动合同，并不因本项交易而导致额外的人员安排问题。
9.2本项交易完成后，标的公司及其子公司仍为独立的法人主体，其原有债权债务仍继续由其享有和承担。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第九条陈述、保证及承诺
9.1甲方的陈述、保证及承诺
甲方向乙方作出如下陈述、保证及承诺：
（1）除本协议第18.1条约定的尚待履行的相关程序之外，甲方保证拥有签订本协议及履行本协议项下义务的所有权利和授权。
（2）甲方保证签署和履行本协议不会：①导致违反甲方的组织文件的任何规定；②导致违反以甲方为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；
或③导致违反任何适用于甲方的法律。
（3）甲方保证其不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
（4）甲方同意对乙方由于任何甲方陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）予以赔偿。
9.2乙方共同的陈述、保证及承诺
乙方中的各方向甲方作出如下陈述、保证及承诺：
（1）乙方保证拥有签订本协议以及履行本协议项下义务的所有权利和授权。
（2）乙方保证签署和履行本协议不会：①导致违反乙方及标的公司的组织文件的任何规定；②导致违反以乙方或标的公司中的任何一个为一方当事人、对其有约束力或对其任何资产有约束力的任何协议或文件的任何条款或规定，或构成该等协议或文件项下的违约；或③导致违反任何适用于乙方或标的公司的法律。
（3）乙方保证其目前不存在任何未决的或潜在的对其签署和履行本协议构成重大不利影响的争议、诉讼、仲裁、行政处罚或行政调查程序。
（4）乙方保证真实合法拥有标的资产的所有权，不存在任何争议或潜在纠纷，标的资产、标的公司及其子公司的全部资产均系合法取得并真实拥有。标的资产、标的公司及其子公司的资产之上没有设置抵押、质押、留置等任何担
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）保权益（标的公司及其子公司的资产为标的公司及其子公司自身的债务而设定担保权益的除外），也不存在可能导致标的资产、标的公司及其子公司的资产被有关司法机关或行政机关查封、冻结、征用或限制转让的未决或潜在的诉讼、仲裁以及任何其他行政或司法程序。乙方保证标的公司及其子公司拥有、使用该等资产未侵犯任何第三方的权利，没有任何其他第三方会对该等资产以任何形式主张任何权利。如果对于标的资产及标的公司及其子公司的资产存在其他权利主张，乙方保证有能力自行将该等他项权利的主张及时予以消除并承担全部相关费用，以维护甲方的合法权益。
（5）乙方保证其提供的标的公司及其子公司的资料真实、有效、完整、准确，保证标的公司及其子公司于交割日前不存在账外资产，不存在账外负债及或有负债，除思比科作为原告起诉苏州晶方半导体科技股份有限公司的诉讼（案号：（2014）苏中商初字第 0102号）外，不存在尚未了结的或潜在的诉讼、仲裁、行政处罚案件。
（6）标的公司及其子公司如有在交割日前未依法足额缴纳或支付的税负、政府收费、强制的社会保险费和住房公积金等员工福利（已在账上计提的部分除外），有权部门或权利人在任何时候要求标的公司或其子公司补缴，或对标的公司或其子公司处罚，或向标的公司或其子公司追索，乙方将全额承担该补缴、被处罚或被追索的支出及费用，且在承担后不得向标的公司及其子公司追偿，保证标的公司及其子公司均不会因此遭受任何损失。
（7）乙方应当促使标的公司及其子公司在本协议签署日至交割日前：①在正常业务过程中按照与以往惯例及谨慎商业惯例一致的方式经营主营业务；②为了甲方的利益，尽最大努力维护用于主营业务的所有资产保持良好状态，维护与客户、供应商、员工和其他相关方的所有良好关系。同时，乙方应当促使标的公司及其子公司不得：①分配任何红利或进行其他分配；②制定任何股权计划、股权激励计划；③放弃任何重大权利；④不得为股东或其他除标的公司及其合并范围内子公司以外的任何主体提供资金、资源或担保；⑤不得从事任何导致其财务状况、经营状况发生任何不利变化的任何交易、行为；或⑥处置标的公司或其子公司的资产和技术。
（8）乙方保证标的公司及其子公司均：①遵守其章程和所有适用法律的规
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）定，及②已适当获得并持有开展目前业务所需的一切许可、批准等经营资质和政府批准或备案手续；每份经营资质和批准或备案手续皆完全有效，不存在未决的或潜在的法律程序会导致任何经营资质和批准或备案手续被撤销、终止、中止或修改。
（9）乙方中的任何一方同意对甲方由于该方关于其自身情况以及其持有的标的公司股权情况的陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）向甲方予以赔偿；乙方同意对甲方由于乙方关于标的公司及其子公司情况的陈述、保证或承诺的失实而遭受的损失、费用及支出（包括法律服务等中介费用的支出）按照其截至本协议签署之日持有的标的公司出资比例向甲方予以赔偿。
第十条本项交易完成后公司治理
10.1交割日后，在本项发行的股份全部解锁前，甲方承诺尽量保持标的公司及其子公司核心经营管理团队和核心技术团队的稳定。
10.2交割日后，标的公司及其子公司的经营管理和重大事项决策按照法律法规、监管规则及甲方的管理制度办理。
第十一条任职期限及竞业禁止
11.1为保证标的公司子公司思比科持续发展和保持持续竞争优势，管理层股东承诺，自本项交易的交割日起 3年内，不主动向思比科或其子公司提出离职。如果管理层股东中陈杰、刘志碧违反上述约定，应按照其在本次重组中出售思比科股份及标的公司股权所获得的全部交易对价的20%以现金形式向甲方支付违约金；如果管理层股东中旷章曲、程杰、钟萍违反上述约定，应按照其在本项交易中获得的对价的20%以现金形式向甲方支付违约金，同时涉及本协议第 12条约定的盈利承诺补偿或减值测试补偿的，还应分别承担本条项下的违约责任和本协议第12条项下的业绩补偿和减值补偿责任。
11.2管理层股东承诺在思比科及其子公司任职期限内及其从思比科及其子公司离职后的两年内，未经甲方书面同意，不得在思比科及其子公司以外，从事与思比科及其子公司构成竞争的业务或通过其直接或间接控制的其他经营主体从事该等业务；不得在其他与思比科及其子公司有竞争关系的任何企业或组
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）织任职；不得以隐名形式或委托他人设立、投资（含控股、参股）与思比科及其子公司有竞争关系的任何企业或组织。管理层股东违反上述承诺的所得全部归思比科及其子公司所有。
第十二条业绩承诺及补偿安排
业绩承诺方承诺标的公司在盈利承诺期内实现的实际净利润数不低于承诺净利润数，否则业绩承诺方应对甲方予以补偿；同时盈利承诺期届满时，如果标的资产发生减值，业绩承诺方还应另行对甲方予以补偿。盈利承诺期内每年的承诺净利润数以及补偿的相关细节，由甲方与业绩承诺方另行签署《利润补偿协议》约定。
第十三条保密
13.1协议各方应对本协议内容及本项交易有关事宜严格保密，不得向任何协议各方以外的其他人披露有关本协议及本项交易的任何信息。对于本协议及本项交易有关的任何文件，各方应谨慎保管。
13.2以下情形均不受本协议第13.1条限制：
（1）各方就本项交易而向各自聘请的顾问进行的披露（但应保证该等顾问同样负有保密义务）；
（2）披露已进入公众领域的信息（除非是因一方违反本条保密义务而进入公众领域的信息）；
（3）依据法律、法规和规范性文件和监管机构的明确要求需要履行信息披露义务的。
第十四条税费承担
14.1因本项交易而发生的相关全部费用（包括但不限于财务顾问费用、审计费用、评估费用、律师费用、登记费用及信息披露费用等）由各方按照相关规定各自承担。
14.2因本项交易而发生的相关税负，依据国家有关税收征管的法律、法规，由纳税义务人自行承担。
第十五条不可抗力
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 15.1不可抗力是指各方或者一方不可预见、不可避免并不可克服的客观事件，包括但不限于地震、台风、水灾、火灾等自然灾害、流行疾病、内乱、战争等。
15.2如果任何一方在本协议签署之后因任何不可抗力的发生而不能履行本协议的条款和条件，受不可抗力影响的一方应在不可抗力发生之日起的 10个工作日之内通知其他方，该通知应说明不可抗力的发生并声明该事件为不可抗力。同时，遭受不可抗力的一方应尽力采取措施，减少不可抗力造成的损失，努力保护其他方当事人的合法权益。
15.3在发生不可抗力的情况下，各方应进行磋商以确定是否继续履行本协议、或者延期履行、或者终止履行。不可抗力消除后，如本协议仍可以继续履行的，各方仍有义务采取合理可行的措施履行本协议。受不可抗力影响的一方应尽快向其他方发出不可抗力消除的通知，而其他方收到该通知后应予以确认。
15.4如发生不可抗力致使本协议的履行成为不可能，本协议终止，遭受不可抗力的一方无需为前述因不可抗力导致的本协议终止承担责任。由于不可抗力而导致的本协议部分不能履行、或者延迟履行不应构成受不可抗力影响的一方的违约，并且不应就不能履行或者延迟履行承担任何违约责任。
第十六条违约责任
本协议签订后，除不可抗力以外，任何一方不履行或不及时、不适当履行本协议项下其应履行的任何义务，或违反其在本协议项下作出的任何陈述、保证或承诺，应按照法律规定及本协议约定承担相应违约责任。
第十七条法律适用和争议解决
17.1本协议的订立、解释及履行适用中国法律。
17.2凡因本协议引起的或与本协议有关的任何争议，均应提交甲方住所地有管辖权的人民法院通过诉讼解决。
第十八条生效、解除、修改及补充
18.1生效
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本协议自各方签署后成立，并在下述条件全部满足时生效：
（1）甲方董事会及股东大会批准本次重组；
（2）甲方股东大会批准虞仁荣及其一致行动人免于发出收购要约；
（3）国家市场监督管理总局反垄断局批准本次重组涉及的经营者集中事项或确认对该事项不再实施进一步审查；
（4）中国证监会核准本次重组。
18.2 解除
（1）一方严重违反本协议，致使不能实现本协议目的，另一方有权解除本协议，并要求违约方承担违约责任。
（2）除本协议和法律法规另有规定外，各方经协商一致，可以以书面形式解除协议。
18.3 修改及补充
对本协议的任何修改或补充均应经各方协商一致，以书面方式进行，并经各方授权代表签署后方可生效。
第十九条本项交易实施的前提条件
各方同意，本项交易的实施与本次重组中甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易的实施互为前提条件，如果甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易亦将停止实施；本项交易以及甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易的实施以本次重组中甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易的成功实施为前提条件，如果甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易以及甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易亦将停止实施。如发生上述情况，则本协议自动终止，除本协议第十三条规定的保密义务外，本协议其余部分均不再继续履行，已履行的部分双方同意恢复原状，并互不追究违约责任。‖
（四）韦尔股份与思比科部分股东之发行股份购买资产协议之补充协议
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）―甲方：韦尔股份；乙方：思比科（以下简称―标的公司‖）的部分股东，即：北京博融、南昌南芯、山西TCL、华清博广、中关村创投、吴南健、陈杰、刘志碧共8名。
第一条标的资产交易价格
根据立信评估出具的信资评报字（2018）第 40074号《思比科资产评估报告》，标的公司股东全部权益于评估基准日 2018年7月31日的评估价值为 5.46亿元。非业绩承诺方中的各方取得的交易对价根据上述标的公司100%股份的评估价值（5.46亿元）乘以其在本项交易中转让的标的股份占标的公司股份总数的比例确定；业绩承诺方中的各方取得的交易对价根据上述标的公司100%股份的评估价值上浮一定比例后的金额（6亿元）乘以各自在本项交易中转让的标的股份占标的公司股份总数的比例确定。根据上述原则计算，交易双方经友好协商确定标的资产交易价格为 23,429.5770万元，乙方各方取得的交易对价具体见本补充协议附件二。
第二条向乙方发行股份的数量
根据乙方各方在本项交易中取得的交易对价及甲方本次发行股份购买资产的股票发行价格（33.88元/股）计算，甲方在本项交易中向乙方各方发行的股份数量总计为 6,915,456股，甲方向各发行对象发行的股份数量具体见本补充协议附件二。最终发行数量将以甲方股东大会批准并经中国证监会核准的发行数量为准。
在本次发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生派息、送股、公积金转增股本等除权、除息事项而调整发行价格的，发行数量也将根据发行价格的调整进行相应调整。
第三条关于对《发行股份购买资产协议》部分条款的修订
鉴于本次重组方案发生变化，各方同意对《发行股份购买资产协议》做如下修订：
1、《发行股份购买资产协议》第一条 1.7
原文为：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）―本次重组：指甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权、视信源79.93%股权及标的公司42.27%股份并募集配套资金。‖
修订为：
―本次重组：指甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司85.53%股权、视信源79.93%股权及标的公司42.27%股份并募集配套资金。‖
2、《发行股份购买资产协议》第十九条本项交易实施的前提条件
原文为：
―各方同意，本项交易的实施与本次重组中甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易的实施互为前提条件，如果甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易亦将停止实施；本项交易以及甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易的实施以本次重组中甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易的成功实施为前提条件，如果甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易以及甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易亦将停止实施。
如发生上述情况，则本协议自动终止，除本协议第十三条规定的保密义务外，本协议其余部分均不再继续履行，已履行的部分双方同意恢复原状，并互不追究违约责任。‖
修订为：
―各方同意，本项交易的实施与本次重组中甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易的实施互为前提条件，如果甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易亦将停止实施；本项交易以及甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易的实施以本次重组中甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司85.53%股权交易的成功实施为前提条件，如果甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司85.53%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易以及甲方发行股份购买视信源79.93%股权交易亦将停止实施。
如发生上述情况，则本协议自动终止，除本协议第十三条规定的保密义务外，本协议其余部分均不再继续履行，已履行的部分双方同意恢复原状，并互不追究违约责任。‖
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第四条本补充协议的效力
1、本补充协议构成对《发行股份购买资产协议》的修订及补充，本补充协议与《发行股份购买资产协议》不一致的，以本补充协议为准；本补充协议未约定的，以《发行股份购买资产协议》为准。
本补充协议经双方签署后于《发行股份购买资产协议》生效之日生效。‖
（五）韦尔股份与视信源部分股东之发行股份购买资产协议之补充协议
―甲方：韦尔股份；乙方：视信源（以下简称―标的公司‖）部分股东，即陈杰、刘志碧、金湘亮、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、陈黎明、吴南健共 9名。
第二条标的资产交易价格
根据立信评估出具的信资评报字（2018）第400136-31号《视信源资产评估报告》，标的公司股东全部权益于评估基准日 2018年 7月 31日的评估价值为 29,243.76万元。乙方中的陈黎明、金湘亮取得的交易对价根据上述标的公司100%股权的评估价值（29,243.76万元）乘以其各自持有的标的公司出资比例确定；业绩承诺方中的各方取得的交易对价根据上述标的公司100%股权的评估价值上浮一定比例后的金额（32,151.74万元）乘以各自持有的标的公司出资比例确定。根据上述原则计算，交易双方经友好协商确定标的资产的交易价格为25,466.2453万元。乙方各方取得的交易对价具体见本补充协议附件二。
第三条向乙方发行股份的数量
根据乙方各方在本项交易中取得的交易对价及甲方本次发行股份购买资产的股票发行价格（33.88元/股）计算，甲方在本项交易中向乙方各方发行的股份数量总计为 7,516,598股，甲方向各发行对象发行的股份数量具体见本补充协议附件二。最终发行数量将以甲方股东大会批准并经中国证监会核准的发行数量为准。
在本次发行的定价基准日至发行日期间，若甲方发生派息、送股、公积金转增股本等除权、除息事项而调整发行价格的，发行数量也将根据发行价格的调整进行相应调整。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第四条关于对《发行股份购买资产协议》部分条款的修订
鉴于本次重组方案发生变化，各方同意对《发行股份购买资产协议》做如下修订：
1、《发行股份购买资产协议》第一条 1.5
原文为：
―本次重组：指甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权、思比科42.27%股份及标的公司79.93%股权并募集配套资金‖
修订为：
―本次重组：指甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司85.53%股权、思比科42.27%股份及标的公司79.93%股权并募集配套资金‖
2、《发行股份购买资产协议》第十九条本项交易实施的前提条件
原文为：
―各方同意，本项交易的实施与本次重组中甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易的实施互为前提条件，如果甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易亦将停止实施；本项交易以及甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易的实施以本次重组中甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易的成功实施为前提条件，如果甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司96.08%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易以及甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易亦将停止实施。
如发生上述情况，则本协议自动终止，除本协议第十三条规定的保密义务外，本协议其余部分均不再继续履行，已履行的部分双方同意恢复原状，并互不追究违约责任。‖
修订为：
―各方同意，本项交易的实施与本次重组中甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易的实施互为前提条件，如果甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易亦将停止实施；本项交易以及甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易的实施以本次重组中甲方发行股份购
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）买北京豪威科技有限公司85.53%股权交易的成功实施为前提条件，如果甲方发行股份购买北京豪威科技有限公司85.53%股权交易因任何原因未能生效或实施，则本项交易以及甲方发行股份购买思比科42.27%股份交易亦将停止实施。
如发生上述情况，则本协议自动终止，除本协议第十三条规定的保密义务外，本协议其余部分均不再继续履行，已履行的部分双方同意恢复原状，并互不追究违约责任。‖
第五条本补充协议的效力
1、本补充协议构成对《发行股份购买资产协议》的修订及补充，本补充协议与《发行股份购买资产协议》不一致的，以本补充协议为准；本补充协议未约定的，以《发行股份购买资产协议》为准。
2、本补充协议经双方签署后于《发行股份购买资产协议》生效之日生效。‖二、利润补偿协议及其补充协议
（一）韦尔股份与北京豪威部分股东及虞仁荣之利润补偿协议
―甲方：韦尔股份；乙方：北京豪威（以下简称―标的公司‖）的部分股东，即：绍兴韦豪、青岛融通、Seagull（A3）、嘉兴水木、嘉兴豪威、上海唐芯、 SeagullInvestments、元禾华创、北京集电、上海威熠、Seagull（A1）、Seagull（C1-Int‘l）、Seagull（C1）；丙方：虞仁荣。
第二条承诺净利润
乙方及丙方承诺标的公司在盈利承诺期内各年度实现的净利润数不低于承诺净利润数，否则乙方及丙方应共同按照本协议约定对甲方予以补偿。乙方及丙方承诺在本项交易于 2019年 12月 31日之前实施完毕的情况下，标的公司在盈利承诺期内各年度的净利润数如下：
2019年度：54,541.50万元
2020年度：84,541.50万元
2021年度：112,634.60万元
第三条标的公司盈利承诺期内实际净利润数的计算标准
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）标的公司盈利承诺期内实际净利润数按如下标准计算：
（1）标的公司及其子公司的财务报表编制应符合中国《企业会计准则》及其他法律、法规的规定并与甲方会计政策及会计估计保持一致。
（2）除非法律、法规规定或甲方改变会计政策、会计估计，否则，盈利承诺期内，未经标的公司有权机构批准，不得改变标的公司及其子公司的会计政策、会计估计。
（3）净利润数指合并报表中扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润数。
（4）若甲方在本次重组中募集配套资金并将募集的配套资金投入到标的公司或其子公司，配套资金的使用、收益、亏损将单独核算，标的公司在盈利承诺期内的实际净利润数应以剔除配套资金产生的收益及亏损后的净利润数为准。
第四条承诺净利润数与实际净利润数差额的确定
4.1盈利承诺期的每一会计年度结束后 4个月内，甲方聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所出具《专项审核报告》，承诺净利润数与实际净利润数的差额根据该会计师事务所出具的标准无保留意见的《专项审核报告》确定。
4.2如果会计师事务所无法出具标准无保留意见的《专项审核报告》，标的公司及其子公司将根据会计师事务所的建议调整公司账务处理、财务报表及盈利预测实现情况说明等财务相关资料，并以会计师事务所最终审核认可的净利润数作为标的公司实现的实际净利润数，由乙方及丙方按照本协议约定承担补偿责任。
第五条盈利补偿安排
5.1盈利承诺期内，标的公司截至当期期末累积实际净利润数低于截至当期期末累积承诺净利润数，乙方应当优先以其在本项交易中获得的甲方股份对甲方进行补偿，不足部分，由乙方以现金补偿；丙方应当以现金方式对甲方进行补偿。
5.2乙方及丙方当期应补偿金额的计算公式如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）当期合计应补偿金额=（截至当期期末累积承诺净利润数－截至当期期末累积实现净利润数）÷补偿期限内各年的预测净利润数总和×（标的资产作价+上海清恩股权转让价款）－累积已补偿金额，其中：
（1）绍兴韦豪当期应补偿金额=当期合计应补偿金额×绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×乙方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额+上海清恩股权转让价款）
（2）乙方除绍兴韦豪外的其他各方当期应补偿金额=当期合计应补偿金额×该方在本项交易中获得的交易对价金额×70%÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×乙方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额+上海清恩股权转让价款）
（3）丙方当期应补偿金额=当期合计应补偿金额×上海清恩股权转让价款÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×乙方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额+上海清恩股权转让价款）
为免歧义，本第5.2条项下的―标的资产作价‖指本项交易中标的公司85.53%股权对应的交易对价总金额，即 1,302,310.6208万元。
5.3乙方及丙方在盈利承诺期内应逐年对甲方进行补偿，各年计算的应补偿金额小于或等于0时，按0计算，即已补偿的金额不冲回。
5.4乙方中的各方当期应补偿股份数量=乙方中的各方在本协议第5.2条项下的当期应补偿金额÷本次股份发行价格
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
5.5盈利承诺期内，乙方补偿的股份数由甲方按照总价1.00元的价格回购并依法注销。甲方应在应补偿年度《专项审核报告》出具后召开董事会、股东大会审议上述股份回购及后续注销的相关事宜，并在甲方股东大会审议通过后及时办理上述股份回购注销事宜。
5.6在盈利承诺期内，乙方持有的剩余甲方股份不足补偿的部分，乙方应以现金方式补偿，乙方中的各方当期应补偿的现金金额=乙方中的各方当期应补偿
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）金额－乙方中的各方当期已补偿股份数量×本次股份发行价格
乙方应在《专项审核报告》披露后30日内将当期应补偿的现金支付给甲方。
5.7若甲方在盈利承诺期内有现金分红的，乙方按本条计算的应补偿股份在补偿实施前各年度累计获得的分红收益，应随之由受补偿方享有，乙方应在补偿的股份注销的同时，将该等分红收益支付给受补偿方。
5.8丙方应在《专项审核报告》披露后 30日内将当期应补偿的现金支付给甲方。
第六条减值测试及补偿安排
6.1在盈利承诺期届满时，甲方聘请的会计师事务所对标的公司业绩实现情况出具《专项审核报告》的同时，对标的资产进行减值测试并出具《减值测试审核报告》，如果标的资产期末减值额>已补偿金额（包括已补偿股份金额和现金金额），则乙方应另行对甲方进行补偿。前述标的资产期末减值额为本项交易标的资产交易价格减去期末标的资产的评估值并扣除补偿期限内标的资产股东增资、减资、接受赠与以及利润分配的影响。减值补偿金额=期末减值额－在盈利承诺期内因实际净利润数不足承诺净利润数已支付的补偿金额，其中：
（1）绍兴韦豪应补偿金额=减值补偿金额×绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×乙方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额）
（2）乙方除绍兴韦豪外的其他各方应补偿金额=减值补偿金额×该方在本项交易中获得的交易对价金额×70%÷（绍兴韦豪在本项交易中获得的交易对价金额+70%×乙方除绍兴韦豪外的其他各方在本项交易中获得的交易对价总额）
6.2乙方应首先以本项交易获得的甲方股份履行减值补偿义务。乙方中的各方应补偿股份数=乙方中的各方在本协议第6.1条下应补偿金额÷本次股份发行价格。
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
6.3乙方因减值应补偿的股份，由甲方按总价1.00元的价格回购，并依法予以注销。甲方应在《减值测试审核报告》出具后召开董事会、股东大会审议上述
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）股份回购及后续注销的相关事宜，并在甲方股东大会审议通过后及时办理上述股份回购注销事宜。
6.4如乙方持有的剩余甲方股份数不足以履行减值补偿义务的，应补偿金额的差额部分由乙方以现金补足，乙方中的各方应补偿现金金额=乙方中的各方在本协议第 6.1条项下应补偿金额－乙方中的各方持有的剩余甲方股份数量×本次股份发行价格。
乙方应在《减值测试审核报告》披露后 30日内将应补偿的现金支付给甲方。
6.5若甲方在盈利承诺期内有现金分红的，乙方应补偿的股份在补偿实施前各年度累计获得的分红收益，应随之由受补偿方享有，乙方应在应补偿股份注销的同时，将该等分红收益支付给受补偿方。
第七条相关参数的调整
若甲方在盈利承诺期内实施送股、公积金转增股本等，则本协议第五条、第六条所涉及的―应补偿股份数量‖、―本次股份发行价格‖等参数需进行相应调整。调整后的―本次股份发行价格‖=本次股份发行价格（调整前）÷（1+转增或送股比例）；调整后的―应补偿股份数量‖=应补偿股份数量（调整前）×（1+转增或送股比例）。
第八条补偿限额
8.1在任何情况下，绍兴韦豪因标的公司实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括股份补偿和现金补偿）金额合计不超过其在本项交易中取得的交易对价总额。
8.2在任何情况下，乙方中除绍兴韦豪以外的其他各方因标的公司实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括股份补偿和现金补偿）金额合计不超过其在本项交易中取得的交易对价总额的70%。
8.3在任何情况下，丙方因标的公司实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿金额不超过上海清恩股权转让价款。
第九条保密
9.1协议各方应对本协议内容及本项交易有关事宜严格保密，不得向任何协
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）议各方以外的其他人披露有关本协议及本项交易的任何信息。对于本协议及本项交易有关的任何文件，各方应谨慎保管。
9.2以下情形均不受本协议第9.1条限制：
（1）各方就本项交易而向各自聘请的顾问进行的披露（但应保证该等顾问同样负有保密义务）；
（2）披露已进入公众领域的信息（除非是因一方违反本条保密义务而进入公众领域的信息）；
（3）依据法律、法规和规范性文件和监管机构的明确要求需要履行信息披露义务的。
第十条不可抗力
10.1 不可抗力是指各方或者一方不可预见、不可避免并不可克服的客观事件，包括但不限于地震、台风、水灾、火灾等自然灾害、流行疾病、内乱、战争等。
10.2 如果任何一方在本协议签署之后因任何不可抗力的发生而不能履行本协议的条款和条件，受不可抗力影响的一方应在不可抗力发生之日起的 10个工作日之内通知其他方，该通知应说明不可抗力的发生原因并声明该事件为不可抗力。同时，遭受不可抗力的一方应尽力采取措施，减少不可抗力造成的损失，努力保护其他方当事人的合法权益。
10.3 在发生不可抗力的情况下，各方应进行磋商以确定是否继续履行或者延期履行、或者终止履行本协议。不可抗力消除后，如本协议仍可以继续履行的，各方仍有义务采取合理可行的措施履行本协议。受不可抗力影响的一方应尽快向其他方发出不可抗力消除的通知，而其他方收到该通知后应予以确认。
10.4 如发生不可抗力致使本协议的履行成为不可能，本协议终止，遭受不可抗力的一方无需为前述因不可抗力导致的本协议终止承担责任。由于不可抗力而导致的本协议部分不能履行、或者延迟履行不应构成受不可抗力影响的一方的违约，并且不应就不能履行或者延迟履行承担任何违约责任。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十一条违约责任
本协议签订后，除不可抗力以外，任何一方不履行或不及时、不适当履行本协议项下其应履行的任何义务，或违反其在本协议项下作出的任何陈述、保证或承诺，应按照法律规定及本协议约定承担相应违约责任。
第十二条法律适用和争议解决
12.1 本协议的订立、解释及履行适用中国法律。
12.2 凡因本协议引起的或与本协议有关的任何争议，均应提交甲方住所地有管辖权的人民法院通过诉讼解决。
第十三条生效、解除、修改及补充
13.1 生效
本协议自各方签署后成立，并于《发行股份购买资产协议》生效时生效。
13.2 解除
（1）一方严重违反本协议，致使不能实现本协议目的，另一方有权解除本协议，并要求违约方承担违约责任。
（2）除本协议和法律法规另有约定外，各方经协商一致，可以以书面形式解除本协议。
（3）《发行股份购买资产协议》解除或终止的，本协议随之解除或终止。
13.3 修改及补充
对本协议的任何修改或补充均应经各方协商一致，以书面方式进行，并经各方授权代表签署后方可生效。‖
（二）韦尔股份与思比科部分股东之利润补偿协议
―甲方：韦尔股份；乙方：思比科（以下简称―标的公司‖）的部分股东，即：华清博广、吴南健、陈杰、刘志碧共4名。
第二条承诺净利润
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）乙方承诺标的公司在盈利承诺期内各年度实现的净利润数不低于承诺净利润数，否则乙方应共同按照本协议约定对甲方予以补偿。乙方承诺在本项交易于 2019年 12月 31日前实施完毕的情况下，标的公司在盈利承诺期内各年度的净利润数如下：
2019年度：2,500万元；2020年度：4,500万元；2021年度：6,500万元。
上述数据为暂定承诺净利润数，乙方在盈利承诺期内各年度的承诺净利润数最终应待标的资产评估报告正式出具后，双方签署补充协议进行确定。
第三条标的公司盈利承诺期内实际净利润数的计算标准
标的公司盈利承诺期内实际净利润数按如下标准计算：
（1）标的公司及其子公司的财务报表编制应符合中国《企业会计准则》及其他法律、法规的规定并与甲方会计政策及会计估计保持一致。
（2）除非法律、法规规定或甲方改变会计政策、会计估计，否则，盈利承诺期内，未经标的公司有权机构批准，不得改变标的公司及其子公司的会计政策、会计估计。
（3）净利润数指合并报表中扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润数。
（4）若甲方在本次重组中募集配套资金并将募集的配套资金投入到标的公司，配套资金的使用、收益、亏损将单独核算，标的公司在盈利承诺期内的实际净利润数应以剔除配套资金产生的收益及亏损后的净利润数为准。
第四条承诺净利润数与实际净利润数差额的确定
4.1盈利承诺期的每一会计年度结束后 4个月内，甲方聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所出具《专项审核报告》，承诺净利润数与实际净利润数的差额根据该会计师事务所出具的标准无保留意见的《专项审核报告》确定。
4.2如果会计师事务所无法出具标准无保留意见的《专项审核报告》，标的公司及其子公司将根据会计师事务所的建议调整公司账务处理、财务报表及盈利预测实现情况说明等财务相关资料，并以会计师事务所最终审核认可的净利润数作为标的公司实现的实际净利润数，由乙方按照本协议约定承担补偿责
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）任。
第五条盈利补偿安排
5.1盈利承诺期内，标的资产截至当期期末累积实际净利润数低于截至当期期末累积承诺净利润数，乙方应当优先以其在本项交易中获得的甲方股份对甲方进行补偿，不足部分，由乙方以现金补偿。
5.2当期应补偿金额及当期应补偿股份数量的计算公式如下：
当期应补偿金额=（截至当期期末累积承诺净利润数－截至当期期末累积实现净利润数）÷补偿期限内各年的预测净利润数总和×标的资产作价－累积已补偿金额
当期应补偿股份数量=当期补偿金额÷本次股份发行价格
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
5.3盈利承诺期内，乙方补偿的股份数由甲方按照总价1.00元的价格回购并依法注销。甲方应在应补偿年度《专项审核报告》出具后召开董事会、股东大会审议上述股份回购及后续注销的相关事宜，并在甲方股东大会审议通过后及时办理上述股份回购注销事宜。
5.4在盈利承诺期内，乙方持有的剩余甲方股份不足补偿的部分，乙方应以现金方式补偿，计算公式如下：
当期应补偿现金金额=当期应补偿金额－当期已补偿股份数量×本次股份发行价格
乙方应在《专项审核报告》披露后30日内将当期应补偿的现金支付给甲方。
5.5乙方在盈利承诺期内应逐年对甲方进行补偿，各年计算的应补偿金额小于或等于0时，按0计算，即已补偿的金额不冲回。
5.6若甲方在盈利承诺期内有现金分红的，乙方按本条计算的应补偿股份在补偿实施前各年度累计获得的分红收益，应随之由受补偿方享有，乙方应在补偿股份注销的同时，将该等分红收益支付给受补偿方。
第六条减值测试及补偿安排
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 6.1在盈利承诺期届满时，甲方聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所对标的公司业绩实现情况出具《专项审核报告》的同时，对标的资产进行减值测试并出具《减值测试审核报告》，如果标的资产期末减值额>已补偿金额（包括已补偿股份金额和现金金额），则乙方应另行对甲方进行补偿，应补偿金额=期末减值额－在盈利承诺期内因实际净利润数不足承诺净利润数已支付的补偿金额。前述标的资产期末减值额为本项交易标的资产交易价格减去期末标的资产的评估值并扣除补偿期限内标的资产股东增资、减资、接受赠与以及利润分配的影响。
6.2乙方应首先以本项交易获得的甲方股份履行减值补偿义务。乙方应补偿股份数量=本协议第6.1条下应补偿金额÷本次股份发行价格。
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
6.3乙方因减值应补偿的股份，由甲方按总价1.00元的价格回购，并依法予以注销。甲方应在《减值测试审核报告》出具后召开董事会、股东大会审议上述股份回购及后续注销的相关事宜，并在甲方股东大会审议通过后及时办理上述股份回购注销事宜。
6.4如乙方持有的剩余甲方股份数不足以履行减值补偿义务的，应补偿金额的差额部分由乙方以现金补足，乙方应补偿现金金额=本协议第 6.1条下应补偿金额－乙方持有的剩余甲方股份数量×本次股份发行价格。
乙方应在《减值测试审核报告》披露后 30日内将应补偿的现金支付给甲方。
6.5若甲方在盈利承诺期内有现金分红的，乙方应补偿的股份在补偿实施前各年度累计获得的分红收益，应随之由受补偿方享有，乙方应在应补偿股份注销的同时，将该等分红收益支付给受补偿方。
第七条相关参数的调整
若甲方在盈利承诺期内实施送股、公积金转增股本等，则本协议第五条、第六条所涉及的―应补偿股份数量‖、―本次股份发行价格‖等参数需进行相应调整。调整后的―本次股份发行价格‖=本次股份发行价格（调整前）÷（1+转增或送股比例）；调整后的―应补偿股份数量‖=应补偿股份数量（调整前）×（1+转增或送股比例）。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第八条补偿限额及内部责任分担
8.1补偿限额
在任何情况下，乙方因标的公司实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括现金补偿和股份补偿）金额合计不超过乙方在本项交易中取得的交易对价金额。
8.2内部责任分担
乙方内部按照各自在本项交易中取得的交易对价金额占乙方在本项交易中合计取得的交易对价总金额的比例分担本协议约定的补偿责任。
第九条保密
9.1协议各方应对本协议内容及本项交易有关事宜严格保密，不得向任何协议各方以外的其他人披露有关本协议及本项交易的任何信息。对于本协议及本项交易有关的任何文件，各方应谨慎保管。
9.2以下情形均不受本协议第9.1条限制：
（1）各方就本项交易而向各自聘请的顾问进行的披露（但应保证该等顾问同样负有保密义务）；
（2）披露已进入公众领域的信息（除非是因一方违反本条保密义务而进入公众领域的信息）；
（3）依据法律、法规、规范性文件和监管机构的明确要求需要履行信息披露义务的。
第十条不可抗力
10.1不可抗力是指各方或者一方不可预见、不可避免并不可克服的客观事件，包括但不限于地震、台风、水灾、火灾等自然灾害、流行疾病、内乱、战争等。
10.2如果任何一方在本协议签署之后因任何不可抗力的发生而不能履行本协议的条款和条件，受不可抗力影响的一方应在不可抗力发生之日起的 10个工作日之内通知其他方，该通知应说明不可抗力的发生并声明该事件为不可抗
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）力。同时，遭受不可抗力的一方应尽力采取措施，减少不可抗力造成的损失，努力保护其他方当事人的合法权益。
10.3在发生不可抗力的情况下，各方应进行磋商以确定是否继续履行本协议、或者延期履行、或者终止履行。不可抗力消除后，如本协议仍可以继续履行的，各方仍有义务采取合理可行的措施履行本协议。受不可抗力影响的一方应尽快向其他方发出不可抗力消除的通知，而其他方收到该通知后应予以确认。
10.4如发生不可抗力致使本协议的履行成为不可能，本协议终止，遭受不可抗力的一方无需为前述因不可抗力导致的本协议终止承担责任。由于不可抗力而导致的本协议部分不能履行、或者延迟履行不应构成受不可抗力影响的一方的违约，并且不应就不能履行或者延迟履行承担任何违约责任。
第十一条违约责任
本协议签订后，除不可抗力以外，任何一方不履行或不及时、不适当履行本协议项下其应履行的任何义务，或违反其在本协议项下作出的任何陈述、保证或承诺，应按照法律规定及本协议约定承担相应违约责任。
第十二条法律适用和争议解决
12.1本协议的订立、解释及履行适用中国法律。
12.2凡因本协议引起的或与本协议有关的任何争议，均应提交甲方住所地有管辖权的人民法院通过诉讼解决。
第十三条生效、解除、修改及补充
13.1生效
本协议自各方签署后成立，并于《发行股份购买资产协议》生效时生效。
13.2解除
（1）一方严重违反本协议，致使不能实现本协议目的，另一方有权解除本协议，并要求违约方承担违约责任。
（2）除本协议另有约定外，各方经协商一致，可以以书面形式解除协议。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）《发行股份购买资产协议》解除或终止的，本协议随之解除或终止。
13.3修改及补充
对本协议的任何修改或补充均应经各方协商一致，以书面方式进行，并经各方授权代表签署后方可生效。‖
（三）韦尔股份与视信源部分股东之利润补偿协议
―甲方：韦尔股份；乙方：视信源（以下简称―标的公司‖）部分股东，即陈杰、刘志碧、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、吴南健共7名。
第二条承诺净利润
乙方承诺标的公司在盈利承诺期内各年度实现的净利润数不低于承诺净利润数，否则乙方应共同按照本协议约定对甲方予以补偿。乙方承诺在本项交易于 2019年 12月 31日前实施完毕的情况下，标的公司在盈利承诺期内各年度的净利润数如下：
2019年度：1,346万元；2020年度：2,423万元；2021年度：3,500万元。
上述数据为暂定承诺净利润数，乙方在盈利承诺期内各年度的承诺净利润数最终应待标的资产评估报告正式出具后，双方签署补充协议进行确定。
第三条标的公司盈利承诺期内实际净利润数的计算标准
标的公司盈利承诺期内实际净利润数按如下标准计算：
（1）标的公司及其子公司的财务报表编制应符合中国《企业会计准则》及其他法律、法规的规定并与甲方会计政策及会计估计保持一致。
（2）除非法律、法规规定或甲方改变会计政策、会计估计，否则，盈利承诺期内，未经标的公司有权机构批准，不得改变标的公司及其子公司的会计政策、会计估计。
（3）净利润数指合并报表中扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润数。
（4）若甲方在本次重组中募集配套资金并将募集的配套资金投入到标的公司，配套资金的使用、收益、亏损将单独核算，标的公司在盈利承诺期内的实
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）际净利润数应以剔除配套资金产生的收益及亏损后的净利润数为准。
第四条承诺净利润数与实际净利润数差额的确定
4.1盈利承诺期的每一会计年度结束后 4个月内，甲方聘请的具有证券期货业务资格的会计师事务所对标的公司净利润的实现情况出具《专项审核报告》，承诺净利润数与实际净利润数的差额根据该会计师事务所出具的标准无保留意见的《专项审核报告》确定。
4.2如果会计师事务所无法出具标准无保留意见的《专项审核报告》，标的公司及其子公司将根据会计师事务所的建议调整公司账务处理、财务报表及盈利预测实现情况说明等财务相关资料，并以会计师事务所最终审核认可的净利润数作为标的公司实现的实际净利润数，由乙方按照本协议约定承担补偿责任。
第五条盈利补偿安排
5.1盈利承诺期内，标的资产截至当期期末累积实际净利润数低于截至当期期末累积承诺净利润数，乙方应当优先以其在本项交易中获得的甲方股份对甲方进行补偿，不足部分，由乙方以现金补偿。
5.2当期应补偿金额及当期应补偿股份数量的计算公式如下：
当期应补偿金额=（截至当期期末累积承诺净利润数－截至当期期末累积实现净利润数）÷补偿期限内各年的预测净利润数总和×标的资产作价－累积已补偿金额
当期应补偿股份数量=当期补偿金额÷本次股份发行价格
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
5.3盈利承诺期内，乙方补偿的股份数由甲方按照总价1.00元的价格回购并依法注销。甲方应在应补偿年度《专项审核报告》出具后召开董事会、股东大会审议上述股份回购及后续注销的相关事宜，并在甲方股东大会审议通过后及时办理上述股份回购注销事宜。
5.4在盈利承诺期内，乙方持有的剩余甲方股份不足补偿的部分，乙方应以现金方式补偿，计算公式如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）当期应补偿现金金额=当期应补偿金额－当期已补偿股份数量×本次股份发行价格
乙方应在《专项审核报告》披露后30日内将当期应补偿的现金支付给甲方。
5.5乙方在盈利承诺期内应逐年对甲方进行补偿，各年计算的应补偿金额小于或等于0时，按0计算，即已补偿的金额不冲回。
5.6若甲方在盈利承诺期内有现金分红的，乙方按本条计算的应补偿股份在补偿实施前各年度累计获得的分红收益，应随之由受补偿方享有，乙方应在补偿股份注销的同时，将该等分红收益支付给受补偿方。
第六条减值测试及补偿安排
6.1在盈利承诺期届满时，甲方聘请的会计师事务所对标的公司业绩实现情况出具《专项审核报告》的同时，对标的资产进行减值测试并出具《减值测试审核报告》，如果标的资产期末减值额>已补偿金额（包括已补偿股份金额和现金金额），则乙方应另行对甲方进行补偿，应补偿金额=期末减值额－在盈利承诺期内因实际净利润数不足承诺净利润数已支付的补偿金额。前述标的资产期末减值额为本项交易标的资产交易价格减去期末标的资产的评估值并扣除补偿期限内标的资产股东增资、减资、接受赠与以及利润分配的影响。
6.2乙方应首先以本项交易获得的甲方股份履行减值补偿义务。乙方应补偿股份数量=本协议第6.1条下应补偿金额÷本次股份发行价格。
计算结果如出现不足1股的，不足1股的部分按1股计算。
6.3乙方因减值应补偿的股份，由甲方按总价1.00元的价格回购，并依法予以注销。甲方应在《减值测试审核报告》出具后召开董事会、股东大会审议上述股份回购及后续注销的相关事宜，并在甲方股东大会审议通过后及时办理上述股份回购注销事宜。
6.4如乙方持有的剩余甲方股份数不足以履行减值补偿义务的，应补偿金额的差额部分由乙方以现金补足，乙方应补偿现金金额=本协议第 6.1条下应补偿金额－乙方持有的剩余甲方股份数量×本次股份发行价格。
乙方应在《减值测试审核报告》披露后 30日内将应补偿的现金支付给甲方。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 6.5若甲方在盈利承诺期内有现金分红的，乙方应补偿的股份在补偿实施前各年度累计获得的分红收益，应随之由受补偿方享有，乙方应在应补偿股份注销的同时，将该等分红收益支付给受补偿方。
第七条相关参数的调整
若甲方在盈利承诺期内实施送股、公积金转增股本等，则本协议第五条、第六条所涉及的―应补偿股份数量‖、―本次股份发行价格‖等参数需进行相应调整。调整后的―本次股份发行价格‖=本次股份发行价格（调整前）÷（1+转增或送股比例）；调整后的―应补偿股份数量‖=应补偿股份数量（调整前）×（1+转增或送股比例）。
第八条补偿限额及内部责任分担
8.1补偿限额
在任何情况下，乙方因标的公司实际净利润数不足承诺净利润数而支付的补偿、因减值而支付的补偿（包括现金补偿和股份补偿）金额合计不超过乙方在本项交易中取得的交易对价金额。
8.2内部责任分担
乙方内部按照各自在本项交易中取得的交易对价金额占乙方在本项交易中合计取得的交易对价总金额的比例分担本协议约定的补偿责任。
第九条保密
9.1协议各方应对本协议内容及本项交易有关事宜严格保密，不得向任何协议各方以外的其他人披露有关本协议及本项交易的任何信息。对于本协议及本项交易有关的任何文件，各方应谨慎保管。
9.2以下情形均不受本协议第9.1条限制：
（1）各方就本项交易而向各自聘请的顾问进行的披露（但应保证该等顾问同样负有保密义务）；
（2）披露已进入公众领域的信息（除非是因一方违反本条保密义务而进入公众领域的信息）；
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）依据法律、法规、规范性文件和监管机构的明确要求需要履行信息披露义务的。
第十条不可抗力
10.1不可抗力是指各方或者一方不可预见、不可避免并不可克服的客观事件，包括但不限于地震、台风、水灾、火灾等自然灾害、流行疾病、内乱、战争等。
10.2如果任何一方在本协议签署之后因任何不可抗力的发生而不能履行本协议的条款和条件，受不可抗力影响的一方应在不可抗力发生之日起的 10个工作日之内通知其他方，该通知应说明不可抗力的发生并声明该事件为不可抗力。同时，遭受不可抗力的一方应尽力采取措施，减少不可抗力造成的损失，努力保护其他方当事人的合法权益。
10.3在发生不可抗力的情况下，各方应进行磋商以确定是否继续履行本协议、或者延期履行、或者终止履行。不可抗力消除后，如本协议仍可以继续履行的，各方仍有义务采取合理可行的措施履行本协议。受不可抗力影响的一方应尽快向其他方发出不可抗力消除的通知，而其他方收到该通知后应予以确认。
10.4如发生不可抗力致使本协议的履行成为不可能，本协议终止，遭受不可抗力的一方无需为前述因不可抗力导致的本协议终止承担责任。由于不可抗力而导致的本协议部分不能履行、或者延迟履行不应构成受不可抗力影响的一方的违约，并且不应就不能履行或者延迟履行承担任何违约责任。
第十一条违约责任
本协议签订后，除不可抗力以外，任何一方不履行或不及时、不适当履行本协议项下其应履行的任何义务，或违反其在本协议项下作出的任何陈述、保证或承诺，应按照法律规定及本协议约定承担相应违约责任。
第十二条法律适用和争议解决
12.1本协议的订立、解释及履行适用中国法律。
12.2凡因本协议引起的或与本协议有关的任何争议，均应提交甲方住所地
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）有管辖权的人民法院通过诉讼解决。
第十三条生效、解除、修改及补充
13.1生效
本协议自各方签署后成立，并于《发行股份购买资产协议》生效时生效。
13.2解除
（1）一方严重违反本协议，致使不能实现本协议目的，另一方有权解除本协议，并要求违约方承担违约责任。
（2）除本协议另有约定外，各方经协商一致，可以以书面形式解除协议。
（3）《发行股份购买资产协议》解除或终止的，本协议随之解除或终止。
13.3修改及补充
对本协议的任何修改或补充均应经各方协商一致，以书面方式进行，并经各方授权代表签署后方可生效。‖
（四）韦尔股份与思比科部分股东之利润补偿协议之补充协议
―甲方：韦尔股份；乙方：思比科（以下简称―标的公司‖）的部分股东，即：华清博广、吴南健、陈杰、刘志碧共4名。
第二条承诺净利润
基于《视信源资产评估报告》，乙方承诺在本项交易于 2019年 12月 31日前实施完毕的情况下，标的公司在盈利承诺期内各年度的净利润数如下：
2019年度：1,346万元；2020年度：2,423万元；2021年度：3,500万元
第三条本补充协议的效力
1、本补充协议构成对《利润补偿协议》的补充，本补充协议与《利润补偿协议》不一致的，以本补充协议为准；本补充协议未约定的，以《利润补偿协议》为准。
2、本补充协议经双方签署后于《发行股份购买资产协议》及《利润补偿协议》生效之日生效。‖
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（五）韦尔股份与视信源部分股东之利润补偿协议之补充协议
―甲方：韦尔股份；乙方：视信源（以下简称―标的公司‖）部分股东，即陈杰、刘志碧、旷章曲、董德福、程杰、钟萍、吴南健共7名。
第一条承诺净利润
基于《思比科资产评估报告》，乙方承诺在本项交易于 2019年 12月 31日前实施完毕的情况下，标的公司在盈利承诺期内各年度的净利润数如下：
2019年度：2,500万元；2020年度：4,500万元；2021年度：6,500万元
第二条本补充协议的效力
1、本补充协议构成对《利润补偿协议》的补充，本补充协议与《利润补偿协议》不一致的，以本补充协议为准；本补充协议未约定的，以《利润补偿协议》为准。
本补充协议经双方签署后于《发行股份购买资产协议》及《利润补偿协议》生效之日生效。‖
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第八节本次交易的合规性分析
一、本次交易符合《重组管理办法》的相关规定
本次交易符合《重组管理办法》关于重大资产重组和发行股份购买资产的相关规定，并符合《发行管理办法》关于非公开发行股票的规定，具体如下：
（一）本次交易符合《重组管理办法》第十一条的规定
1、符合国家产业政策和有关环境保护、土地管理、反垄断等法律和行政法规的规定
（1）本次交易符合国家产业政策
本次交易韦尔股份拟发行股份购买北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权以及视信源79.93%股权。
根据证监会《上市公司行业分类指引》分类，标的公司所从事的图像传感器芯片设计、制造和销售业务属于―C制造业‖门类下的―C39计算机、通信和其他电子设备制造业‖，按照国家统计局《国民经济行业分类》（GBT4754-2011）标准，属于―C制造业‖门类下的―C396电子器件制造‖项下的―C3963集成电路制造‖行业。
集成电路是信息产业的基础，一直以来占据全球半导体产品超过80%的销售额，被誉为―工业粮食‖，涉及计算机、家用电器、数码电子、自动化、电气、通信、交通、医疗、航空航天等领域，在几乎所有的电子设备中都有使用。对于未来社会的发展方向，包括5G、人工智能、工业机器人、物联网、自动驾驶等，集成电路都是必不可少的基础，只有在集成电路的支持下，这些应用才可能得以实现。所以，集成电路产业是国民经济中基础性、关键性和战略性的产业，集成电路产业的强弱是国家综合实力强大与否的重要标志。
2014年 6月，国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，设立国家产业投资基金，重点支持集成电路等产业发展，促进工业转型升级。2016年 5月，国务院发布《国家创新驱动发展战略纲要》，要求加大集成电路等自主软硬件产品和网络安全技术攻关和推广力度；攻克集成电路装备等方面的关键核心
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）技术。2016年 7月，国务院发布《―十三五‖国家科技创新规划》，支持面向集成电路等优势产业领域建设若干科技创新平台，推动我国信息光电子器件技术和集成电路设计达到国际先进水平。2016年 11月，国务院发布《―十三五‖国家战略新兴产业发展规划》，要求启动集成电路重大生产力布局规划工程，实施一批带动作用强的项目，推动产业能力实现快速跃升。2016年12月，国务院发布《―十三五‖国家信息化规划》，要求大力推进集成电路创新突破。加大面向新型计算、5G、智能制造、工业互联网、物联网的芯片研发部署。2017年 4月，科技部发布《国家高新技术产业开发区―十三五‖发展规划》，提出优化产业结构，推进集成电路及专用装备关键核心技术突破和应用。
本次重组将实现产业整合，较大幅度的提升上市公司研发能力及综合实力，符合国家产业政策。
（2）本次交易符合有关环境保护的法律和行政法规的规定
本次交易标的公司及其下属子公司的主营业务为图像传感器芯片设计、测试及销售，采取 Fabless模式，即主要进行产品的设计工作，将晶圆生产、芯片封装业务委托给其他厂家完成。公司主营业务不存在违反其所在地国家或地区环境保护相关法律法规的情形。本次交易符合有关环境保护的法律和行政法规的规定。
（3）本次交易符合国家土地管理相关的法律和行政法规的规定
本次交易标的为北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权以及视信源79.93%股权，不直接涉及土地交易。标的公司均通过自有房产和租赁房产满足经营活动。
报告期内，标的公司不存在因严重违反国家及地方有关土地管理方面的法律、法规而受到任何其他行政处罚的情形，符合国家关于土地管理的法律及行政法规的规定。
（4）本次交易不存在违反反垄断法律法规规定的情形
根据《国务院关于经营者集中申报标准的规定》第三条的规定：―经营者集中达到下列标准之一的，经营者应当事先向国务院商务主管部门申报，未申报的不得实施集中：（一）参与集中的所有经营者上一会计年度在全球范围内的营
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）业额合计超过 100亿元人民币，并且其中至少两个经营者上一会计年度在中国境内的营业额均超过4亿元人民币；（二）参与集中的所有经营者上一会计年度在中国境内的营业额合计超过 20亿元人民币，并且其中至少两个经营者上一会计年度在中国境内的营业额均超过4亿元人民币‖。
根据上述规定，本次交易相关指标达到《国务院关于经营者集中申报标准的规定》第三条所规定的标准，本次交易需经国家市场监督管理总局反垄断局通过对本次交易有关各方实施的经营者集中审查。
综上所述，本次交易符合国家相关产业政策和国家关于环境保护、土地管理、反垄断等有关法律、行政法规的相关规定，符合《重组管理办法》第十一条第（一）项的规定。
2、不会导致上市公司不符合股票上市条件
根据目前上市公司股东所持股份的情况，以及交易标的作价、本次拟发行普通股的定价进行计算，本次资产重组完成后，韦尔股份公众股东所持比例高于10%的最低比例要求，不会导致上市公司不符合上交所股票上市条件的情况。
3、重大资产重组所涉及的资产定价公允，不存在损害上市公司和全体股东合法权益的情形
根据发行股份购买资产协议及其补充协议，本次资产重组按照相关法律、法规的规定依法进行，由上市公司董事会提出方案，标的资产的交易价格以具有证券期货相关业务资格的评估机构出具的评估报告为基础经交易各方协商后确定。对于国有主体，相关评估报告还需经国有资产管理部门备案。韦尔股份董事会审议通过了本次交易的相关议案，关联董事均回避了相关议案的表决，独立董事发表的独立意见认为，本次交易评估机构具有独立性，评估假设前提合理，标的资产评估定价公允，交易价格公平、合理，不会损害公司及中小股东利益。
因此，本次交易相关标的资产的定价依据公允，不存在损害上市公司和股东合法权益的情形。
4、重大资产重组所涉及的资产权属清晰，资产过户或者转移不存在法律障
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）碍，相关债权债务处理合法
本次交易标的为北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权以及视信源79.93%股权。
本次交易所涉及的标的资产股权权属清晰，不存在产权纠纷或潜在纠纷，不存在质押、担保、冻结或其他任何限制或禁止转让等权利限制情形，相关股权和资产的过户不存在法律障碍。
5、有利于上市公司增强持续经营能力，不存在可能导致上市公司重组后主要资产为现金或者无具体经营业务的情形
本次交易完成后，韦尔股份将持有北京豪威100%股权、视信源79.93%股权，直接及间接持有思比科85.31%股权。本次交易有利于上市公司增强持续经营能力，不存在可能导致上市公司重组后主要资产为现金或者无具体经营业务的情形。
6、有利于上市公司在业务、资产、财务、人员、机构等方面与实际控制人及其关联方保持独立，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定
本次交易完成后，上市公司资产质量和独立经营能力得到提高，将继续保持独立性，在资产、人员、财务、机构和业务上遵循独立原则，遵守中国证监会有关规定，继续规范运作，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定。
7、本次交易有利于上市公司完善健全有效的法人治理结构
本次交易前，上市公司已建立健全法人治理结构，有完善的股东大会、董事会、监事会和管理层的独立运行机制，设置了与生产经营相适应的、能充分独立运行的组织职能机构，并保障了上市公司的日常运营。
本次交易完成后，上市公司将依据《公司法》、《证券法》、《上市公司治理准则》等法律、法规的要求，根据实际情况对上市公司章程进行修订，以适应本次重组后的业务运作及法人治理要求，继续完善上市公司治理结构。
（二）本次交易符合《重组管理办法》第四十三条的规定
1、有利于提高上市公司资产质量、改善公司财务状况和增强持续盈利能
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）力；有利于上市公司减少关联交易和避免同业竞争，增强独立性
（1）关于资产质量、财务状况和持续盈利能力
本次交易前，韦尔股份2017年和2018年1-7月归属于母公司股东的净利润分别为 1.37亿元和 1.92亿元。根据立信会计师出具的备考审阅报告，韦尔股份2017年和2018年1-7月备考归属于母公司股东的净利润分别为24.54亿元和2.01元。
在本次交易完成后，上市公司净利润将大幅提高，持续盈利能力增强。
（2）关于关联交易
2017年9月20日起，韦尔股份控股股东、实际控制人担任北京豪威董事、总经理兼首席执行官，北京豪威成为上市公司关联方；2018年6月22日起，思比科董事陈智斌担任韦尔股份监事，思比科成为上市公司关联方。
2018年 1-7月，韦尔股份向北京豪威、思比科采购 CMOS图像传感器的金额分别为892.53万美元、8,515.27万元。本次交易完成后，北京豪威、思比科均将成为韦尔股份子公司，上述关联交易彻底消除。
本次交易前，上市公司关联交易及其与标的公司之间的交易均遵循公开、公平、公正的原则，上市公司所有关联交易均以双方平等协商为基础，履行必要的决策程序，交易具备商业合理性，定价合理、公允，且不会影响对本次标的公司估值。上市公司监事会、独立董事能够依据法律、法规及公司章程等的规定，勤勉尽责，切实履行监督职责，对关联交易及时发表意见。上市公司对关联交易的控制能够有效防范风险，加强上市公司治理，维护上市公司及广大中小股东的合法权益。
本次交易完成后，北京豪威、思比科、视信源将成为上市公司的子公司，有利于减少关联交易，上市公司将继续严格按照《上市规则》、《公司章程》、《关联交易管理制度》等有关法律法规、规范性文件及公司制度的有关要求，审议、披露关联交易事项，确保关联交易的价格公允、合理，维护上市公司及股东的合法权益。
（3）关于同业竞争
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易前，公司控股股东、实际控制人虞仁荣及其控制的企业均未从事与韦尔股份相同或类似的业务，公司与虞仁荣控制的其他企业之间不存在同业竞争。
本次交易完成后，韦尔股份与控股股东、实际控制人控制的企业之间不存在同业竞争。同时，为充分保护上市公司利益，避免同业竞争，上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于避免同业竞争的承诺》，就本次资产重组完成后虞仁荣控制的其他企业避免与韦尔股份同业竞争的事宜作出承诺，详见本次《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易预案》。
（4）关于独立性
本次交易完成后，上市公司资产质量和独立经营能力得到提高，有利于上市公司在业务、资产、财务、人员、机构等方面与控股股东及其关联方保持独立符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定。
2、上市公司最近一年及一期财务会计报告被注册会计师出具无保留意见审计报告
韦尔股份 2017年财务会计报告已经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，并出具了信会师报字[2018]第 ZA11443号标准无保留意见的审计报告。上市公司不存在最近一年及一期财务会计报告被注册会计师出具非标准无保留意见的情形。
3、上市公司及其现任董事、高级管理人员不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查的情形
上市公司及其现任董事、高级管理人员不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查的情形。
4、上市公司发行股份所购买的资产为权属清晰的经营性资产，并能在约定期限内办理完毕权属转移手续
本次上市公司发行股份拟购买的资产为北京豪威85.53%股权、思比科42.27%股权以及视信源79.93%股权。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易所涉及的标的资产股权权属清晰，不存在产权纠纷或潜在纠纷，不存在质押、担保、冻结或其他任何限制或禁止转让等权利限制情形，相关股权和资产的过户不存在法律障碍。
综上，本次交易的整体方案符合《重组办法》第四十三条的要求。
（三）本次交易符合《重组管理办法》第四十四条及其适用意见规定
《重组管理办法》第四十四条及其适用意见规定：上市公司发行股份购买资产的，可以同时募集部分配套资金，其定价方式按照现行相关规定办理。上市公司发行股份购买资产同时募集配套资金比例不超过拟购买资产交易价格100%的，一并由并购重组审核委员会予以审核；超过100%的，一并由发行审核委员会予以审核。
本次交易上市公司募集配套资金不超过 20亿元，不超过发行股份购买资产交易价格的100%（不包括交易对方在本次交易停牌前六个月内及停牌期间以现金增资入股标的资产部分对应的交易价格），将一并提交并购重组审核委员会审核。
二、本次交易不存在《发行管理办法》第三十九条规定的不得非公开发行股票的情形
公司不存在《发行管理办法》第三十九条规定的情形：
1、本次交易申请文件不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏；
2、不存在上市公司的权益被控股股东或实际控制人严重损害且尚未消除的情形；
3、不存在上市公司及其附属公司违规对外提供担保且尚未解除的情形；
4、不存在上市公司现任董事、高级管理人员最近三十六个月内受到过中国证监会的行政处罚，或者最近十二个月内受到过证券交易所公开谴责的情形；
5、不存在上市公司或其现任董事、高级管理人员因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查或涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查的情形；
6、不存在最近一年及一期财务报表被注册会计师出具保留意见、否定意见
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）或无法表示意见的审计报告的情形；
7、不存在严重损害投资者合法权益和社会公共利益的其他情形。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第九节管理层讨论与分析
一、本次交易前上市公司财务状况和经营成果的讨论分析
根据立信会计师出具的信会计报字（2017）第 ZA10517号、信会计报字（2018）第ZA11443号标准无保留意见的《审计报告》以及未经审计的2018年1-7月管理层报表，上市公司最近两年及一期的合并财务数据如下：
（一）本次交易前上市公司的财务状况分析
1、资产结构及其变化分析
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|货币资金|47,478.00|12.89|78,861.69|27.92|16,568.21|12.86|
|应收票据|11,681.86|3.17|7,441.98|2.63|4,840.13|3.76|
|应收账款|120,853.56|32.80|81,811.72|28.96|66,409.35|51.54|
|预付款项|15,343.97|4.16|9,225.78|3.27|4,107.69|3.19|
|应收利息|17.52|0.00|5.31|0.00|4.03|0.00|
|其他应收款|1,357.43|0.37|1,039.17|0.37|1,400.16|1.09|
|存货|103,850.00|28.18|54,809.13|19.40|32,784.57|25.44|
|其他流动资产|8,263.01|2.24|5,438.18|1.93|2,745.53|2.13|
|流动资产合计|308,845.34|83.82|238,623.95|84.47|128,859.67|78.30|
|可供出售金融资产|11,041.30|3.00|3,692.68|1.31|1,988.53|1.21|
|长期股权投资|2,480.24|0.67|-|-|-|-|
|投资性房地产|2,597.80|0.71|2,637.14|0.93|2,704.57|1.64|
|固定资产|19,178.36|5.20|19,007.04|6.73|16,160.94|9.82|
|在建工程|-|-|32.32|0.01|-|-|
|无形资产|5,687.90|1.54|5,612.63|1.99|2,433.36|1.48|
|开发支出|2,333.91|0.63|1,629.83|0.58|-|-|
|商誉|7,458.58|2.02|7,458.58|2.64|7,458.58|4.53|
|长期待摊费用|36.21|0.01|0.93|0.00|12.12|0.01|
|递延所得税资产|7,582.90|2.06|3,489.28|1.24|2,592.82|1.58|
|其他非流动资产|1,220.12|0.33|297.42|0.11|2,356.59|1.43|
|非流动资产合计|59,617.33|16.18|43,857.87|15.53|35,707.51|21.70|
|资产总计|368,462.67|100.00|282,490.82|100.00|164,567.19|100.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）资产结构总体分析
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司资产总额分别为 164,567.19万元、282,490.82万元和 368,462.67万元，上市公司 2017年首次公开发行股票并在上交所上市，凭借自身良好的盈利能力使得资产规模报告期内保持快速增长；2017年资产总额较 2016年增加 117,923.63万元，增幅达71.66%，主要系货币资金、存货等增加所致。
从资产结构方面看，上市公司资产主要以流动资产为主，主要原因在于上市公司经营采用 Fabless模式，无需大型生产设备及厂房的大额投入。2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司流动资产金额分别为 128,859.67万元、238,623.95万元和 308,845.34万元，占资产总额的比例分别为78.30%、84.47%和83.82%。
（2）流动资产结构分析
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司流动资产金额分别为 128,859.67万元、238,623.95万元和 308,845.34万元。上市公司流动资产主要由货币资金、应收账款和存货组成，2016年末、2017年末和2018年7月末，上述三项资产账面价值合计占流动资产总额的比重分别为89.84%、90.30%和88.13%。
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司货币资金余额分别为 16,568.21万元、78,861.69万元和 47,478.00万元。其中，2017年末，货币资金余额较大主要系因为当期公司首次公开发行股票净融资 24,134.70万元以及当期公司实施股权激励计划授予激励对象限制性股票取得72,341.93万元。
2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司应收账款账面价值分别为66,409.35万元、81,811.72万元和120,853.56万元。2018年7月末，应收账款余额较大，主要系应收账款账期未到所致。
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司存货的账面价值分别为32,784.57万元、54,809.13万元和103,850.00万元。2017年末和2018年7月末，公司存货较上年末分别增加22,024.56万元、49,040.87万元，增幅分别为67.18%、89.48%，主要原因是公司开发新客户和新的应用领域，随着公司新研发产品的收入大幅增长，存货相应增加。
（3）非流动资产结构分析
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司非流动资产分别为35,707.51万元、43,857.87万元和59,617.33万元。上市公司非流动资产主要为可供出售金融资产、固定资产、商誉、递延所得税资产，2016年末、2017年末和2018年7月末，上述四项资产账面价值合计占非流动资产总额的比重分别为78.98%、76.72%和75.92%。
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司可供出售金融资产的余额分别为 1,988.53万元、3,692.68万元和 11,041.30万元。2018年 7月末，上市公司可供出售金融资产余额较 2017年增加 7,348.62万元，增幅为199.01%，主要系上市公司子公司香港韦尔通过受让取得北京豪威部分股权所致。
2016年末、2017年末和2018年7月末，公司的固定资产金额分别为16,160.94万元、19,007.04万元和19,178.36万元，占资产总额的比例较小，分别为9.82%、6.73%和5.20%。固定资产规模较小主要是因为公司采用具有―轻资产‖特点的 Fabless运营模式，自身不直接从事产品的生产制造。
2016年末、2017年末和2018年7月末，上市公司的递延所得税资产分别为2,592.82万元、3,489.28万元和7,582.90万元，占资产总额的比重分别为1.58%、1.24%和2.06%。公司的递延所得税资产主要系计提资产减值准备、固定资产折旧、抵销内部未实现利润、收到政府补助、可抵扣亏损等因素导致，在资产总额中占比较低，对公司财务状况影响较小。
2、负债结构及其变化分析
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|短期借款|67,257.60|31.38|48,938.46|29.95|55,445.14|66.26|
|应付票据|13,000.00|6.06|5,000.00|3.06|5,234.11|6.26|
|应付账款|45,525.24|21.24|23,761.95|14.54|18,739.45|22.39|
|预收款项|1,403.30|0.65|598.15|0.37|488.45|0.58|
|应付职工薪酬|777.80|0.36|1,090.85|0.67|1,331.42|1.59|
|应交税费|6,388.07|2.98|3,488.05|2.13|1,263.67|1.51|
|应付利息|304.75|0.14|84.04|0.05|112.98|0.14|
|其他应付款|72,847.50|33.98|72,836.58|44.57|702.18|0.84|
|一年内到期的非流动负债|1,400.00|0.65|—|—|5.18|0.01|
|流动负债合计|208,904.27|97.46|155,798.08|95.33|83,322.58|99.58|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|
|长期借款|4,900.00|2.29|7,000.00|4.28|—|—|
|递延收益|—|—|36.73|0.02|236.58|0.28|
|递延所得税负债|522.86|0.24|591.92|0.36|117.99|0.14|
|其他非流动负债|29.59|0.01|—|—|—|—|
|非流动负债合计|5,452.45|2.54|7,628.65|4.67|354.57|0.42|
|负债总计|214,356.72|100.00|163,426.73|100.00|83,677.15|100.00|

（1）负债总体结构分析
2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上市公司负债总额分别为83,677.15万元、163,426.73万元和214,356.72万元，2017年末较2016年末增加 79,749.58万元，增长95.31%，主要系实施股权激励计划导致限制性股票回购义务产生的其他应付款增加所致。
从负债总体结构来看，上市公司负债主要以流动负债为主。2016年末、 2017年末和 2018年 7月末，上市公司流动负债分别为 83,322.58万元、 155,798.08万元和 208,904.27万元，占负债总额的比重分别为99.58%、95.33%和97.46%，2017年流动负债占负债总额的比重较 2016年下降4.25%，主要系上市公司通过长期借款进行债务融资导致的非流动负债增幅较大所致。
（2）流动负债结构分析
流动负债主要为短期借款、应付票据、应付账款、应付职工薪酬、应交税费和其他应付款等，与上市公司流动资产占比较高的资产结构相匹配。2016年末、2017年末和 2018年 7月末，上述六项负债占流动负债的比重分别为99.27%、99.56%和98.51%。2017年末，上市公司新增其他应付款 72,134.40万元，主要系上市公司实施股权激励计划导致限制性股票回购义务产生的其他应付款增加 72,341.93万元所致。2018年 7月末和 2017年末，上市公司应付账款余额比上年末分别增加 21,763.29万元和 5,022.5万元，主要是因为随着业务规模的扩大，公司采购及委托加工增加导致应付账款期末余额增加。
2017年末，上市公司应交税费余额较 2016年上升 2,224.38万元，增幅176.03%，主要系上市公司 2017年销售规模扩大，应交增值税和企业所得税相应增加。
2017年末，上市公司其他应付款余额较 2016年末增加 72,134.40万元，增
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）幅10,272.92%，主要系上市公司实施股权激励计划导致限制性股票回购义务产生的其他应付款增加。
（3）非流动负债结构分析
上市公司非流动负债主要由长期借款、递延所得税负债组成。2016年末，上市公司无长期借款。2017年末，上市公司新增长期借款7,000万元，占当年非流动负债的比重为91.76%，新增长期借款系上市公司以部分固定资产和投资性房地产为抵押物取得的上海浦东发展银行股份有限公司张江支行人民币长期借款7,000万元，借款期限为2017年11月21日至2022年11月20日。
2017年末，上市公司递延所得税负债较 2016年末大幅增加主要是由于非同一控制企业合并资产公允价值增值所致。
3、偿债能力分析
报告期内，公司偿债能力指标如下：
|||||
|-|-|-|-|
|财务指标|2018.7.31/2017年1-7月|2017.12.31/2017年|2016.12.31/2016年|
|流动比率（倍）|1.48|1.53|1.55|
|速动比率（倍）|0.98|1.18|1.15|
|资产负债率（%）|58.18|57.85|50.85|
|息税折旧摊销前利润（万元）|23,545.36|20,004.05|19,238.37|
|利息保障倍数（倍）|10.13|6.59|6.17|

报告期内，上市公司主要偿债能力指标变化幅度较小，各项偿债能力均保持在较为合理的水平，息税折旧摊销前利润总体呈上升趋势，具备良好的偿还到期债务的能力。
2018年1-7月，上市公司销售规模增长迅速，因此贷款规模、利息支出虽略有增加，但由于利润总额增长幅度远超利息支出增长幅度，利息保障倍数大幅高于前期。
截至2018年7月31日，上市公司无或有负债且无贷款逾期和表外融资情况，不存在重大偿债风险。
4、现金流量分析
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：万元
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|-|-|-|-|
|财务指标|2018年1-7月|2017年|2016年|
|经营活动产生的现金流量净额|-31,120.28|-27,195.43|7,011.65|
|投资活动产生的现金流量净额|-14,642.33|-5,870.20|-9,325.09|
|筹资活动产生的现金流量净额|12,563.48|97,091.00|1,393.59|
|汇率变动对现金及现金等价物的影响|-265.50|-275.54|-430.70|
|现金及现金等价物净增加额|-33,464.62|63,749.82|-1,350.55|

2016年、2017年和2018年1-7月，上市公司经营活动产生的现金流量净额分别为 7,011.65万元、-27,195.43万元和-31,120.28万元。2017年，上市公司经营活动产生的现金流净额较2016年减少34,207.08万元，主要系随着销售的增长，经营活动中购买商品、接受劳务支付的现金增加所致。
2016年、2017年和2018年1-7月，上市公司投资活动产生的现金流量净额分别为-9,325.09万元、-5,870.20万元和-14,642.33万元。2018年1-7月，上市公司投资活动产生现金流出显著增加，主要系可供出售金融资产投资增加导致现金流出较多。
2016年、2017年和2018年1-7月，上市公司筹资活动产生的现金流量净额分别为1,393.59万元、97,091.00万元和12,563.48万元，2017年度筹资活动产生的现金流量净额较高，主要系当期上市公司首次公开发行股票净融资以及实施股权激励计划取得激励对象支付的对价。
（二）本次交易前上市公司的经营成果分析
1、利润构成分析
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|230,787.33|240,591.63|216,076.95|
|营业成本|166,379.59|191,185.28|172,609.12|
|税金及附加|669.70|502.82|328.82|
|销售费用|5,156.46|7,371.53|6,247.39|
|管理费用|30,181.22|21,961.28|18,662.64|
|财务费用|1,906.09|4,827.42|3,390.06|
|资产减值损失|5,576.33|2,330.75|1,892.68|
|加：投资收益|245.02|-|-|
|资产处置收益|-|60.58|41.19|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业利润|21,162.96|13,212.96|12,987.84|
|加：营业外收入|544.50|1,424.11|1,389.94|
|减：营业外支出|68.20|98.29|187.98|
|利润总额|21,639.26|14,538.77|14,189.80|
|减：所得税|3,822.86|2,198.38|1,045.78|
|净利润|17,816.41|12,340.40|13,144.02|
|减：少数股东损益|-1,424.93|-1,375.23|-1,025.07|
|归属于上市公司股东的净利润|19,241.33|13,715.63|14,169.09|
|基本每股收益（元/股）|0.42|0.34|0.38|
|稀释每股收益（元/股）|0.42|0.34|0.38|

2、营业收入、成本及毛利分析
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|230,787.33|240,591.63|216,076.95|
|主营业务|230,447.47|239,631.11|215,204.75|
|半导体设计及销售|47,694.61|72,133.19|71,113.56|
|电子元器件代理及销售|182,752.86|167,497.92|144,091.19|
|其他业务|339.86|960.52|872.20|
|营业成本|166,379.59|191,185.28|172,609.12|
|主营业务|166,151.43|190,907.97|172,352.19|
|半导体设计及销售|32,255.52|47,471.40|46,788.15|
|电子元器件代理及销售|133,895.91|143,436.57|125,564.04|
|其他业务|228.16|277.31|256.93|
|毛利率（%）|27.91|20.54|20.12|
|主营业务（%）|27.90|20.33|19.91|
|半导体设计及销售（%）|32.37|34.19|34.21|
|电子元器件代理及销售（%）|26.73|14.37|12.86|
|其他业务（%）|32.87|71.13|70.54|

 2016年、2017年和 2018年 1-7月，上市公司分别实现营业利润 12,987.84万元、13,212.96万元和 21,162.96万元，分别实现净利润 13,144.02万元、12,340.40万元和17,816.41万元。
2018年 1-7月，上市公司加大自主研发设计投入，同时由于市场需求扩大
等原因，营业收入大幅增长。
3、期间费用分析
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|期间费用率（%）|金额（万元）|期间费用率（%）|金额（万元）|期间费用率（%）|
|销售费用|5,156.46|2.32|7,371.53|3.06|6,247.39|2.89|
|管理费用|30,181.22|13.08|21,961.28|9.13|18,662.64|8.64|
|财务费用|1,906.09|0.83|4,827.42|2.01|3,390.06|1.57|
|合计|37,243.77|16.14|34,160.23|14.20|28,300.09|13.10|

2017年和2018年1-7月，由于2017年限制性股票股权激励费用摊销影响，管理费用率大幅提高，导致期间费用率逐年提高。
4、净利润分析
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|净利润（万元）|17,816.41|12,340.40|13,144.02|
|归属于上市公司股东的净利润（万元）|19,241.33|13,715.63|14,169.09|
|净利润率（%）|7.72|5.13|6.08|
|归属于上市公司股东的净利润率（%）|8.34|5.70|6.56|

最近两年及一期，上市公司盈利能力良好。2018年 1-7月，上市公司开发新客户和新的应用领域以及研发的新产品投入市场销售、半导体分销业务毛利率提高带动净利润较快增长。总体来看，上市公司盈利能力稳定向好，盈利主要来源于公司主营业务，非经常性损益以计入当期损益的政府补助为主，并不构成公司盈利的主要来源。
二、标的资产所处行业特点分析
（一）标的公司所处行业的基本情况
标的公司北京豪威与思比科主营业务均为 CMOS图像传感器的设计、测试与销售，图像传感器是摄像头的重要组成部分，根据元件的不同，可分为 CCD和CMOS两大类。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），标的公司隶属于―C制造业‖门类下的―C39计算机、通信和其他电子设备制造业‖。
（二）市场规模和行业发展前景
1、集成电路行业市场规模和发展前景
2010年以来，以智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的兴起，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）以及汽车电子、工业控制、仪器仪表、智能照明、智能家居等物联网市场的快速发展，带动整个半导体行业规模迅速增长。2017年，全球半导体行业整体销售额达到4,122亿美元，同比增长21.63%，增速创七年来新高。
数据来源：全球半导体贸易协会（WSTS）
根据全球半导体贸易协会（WSTS）预测，2018年全球半导体市场规模将达到4,512亿美元，同比增长9.5%。
数据来源：全球半导体贸易协会（WSTS）
2、CMOS图像传感器行业市场规模和发展前景
（1）图像传感器行业概况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）图像传感器为物联网感知层众多传感器中最重要的一种核心传感器。图像传感器主要采用感光单元阵列和辅助控制电路获取对象景物的亮度和色彩信号，并通过复杂的信号处理和图像处理技术输出数字化的图像信息。图像传感器中的感光单元一般采用感光二极管（Photodiode）实现光电信号的转换。感光二极管在接受光线照射之后能够产生电流信号，电流的强度与光照的强度成正比例关系。
每个感光单元对应图像传感器中的一个像元，像元也被称为像素单元（Pixel）。
图像传感器主要分为 CCD图像传感器和 CMOS图像传感器两大类。CCD和 CMOS都是利用感光二极管进行光电转换，将图像转换为数字信号，但二者在感光二极管的周边信号处理电路和感光单元产生的电信号的处理方式不同。
CCD和 CMOS的感光元件在接受光照之后直接输出的电信号都是模拟信号。在 CCD传感器中，每一个感光元件都不对此作进一步的处理，而是将它直接输出到下一个感光元件的存储单元，结合该元件生成的模拟信号后再输出给第三个感光元件，依次类推，直到结合最后一个感光元件的信号才能形成统一的输出。由于感光元件生成的电信号非常微弱，无法直接进行模数转换工作，因此这些输出数据必须做统一的放大处理。由于 CCD本身无法将模拟信号直接转换为数字信号，因此还需要一个专门的模数转换芯片进行处理，最终以数字图像矩阵的形式输出给专门的图像处理器进行处理。而 CMOS传感器中每一个感光元件都可以直接集成放大电路和模数转换电路，当感光二极管接受光照、产生模拟的电信号之后，电信号首先被该感光元件中的放大器放大，然后直接转换成对应的数字信号，并进行片上图像处理。
CMOS图像传感器工作原理
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）因此，CMOS图像传感器相对于 CCD图像传感器具有集成度高、低功耗、低成本、体积小、图像信息可随机读取等一系列优点，从而取代 CCD而成为图像传感器的主流和未来的发展趋势，广泛应用于智能手机、电脑、机器人视觉、安防监控、智能汽车、无人机、航空航天、医疗影像、体感互动游戏等应用领域，成为移动互联网和物联网应用的核心传感器件。
（2）行业市场规模和发展前景
根据YOLE发布的市场研究报告，2017年全球CMOS图像传感器市场规模已经达到139亿美元。受益于智能手机新功能的开发和普及，例如光学变焦、生物特征识别和3D互动等，YOLE预测2016-2022年全球CMOS图像传感器市场复合年均增长率仍将保持在10.50%左右。
数据来源：Yole Development
目前，CMOS图像传感器的应用市场包括以下应用领域：智能手机、消费领
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）域、计算机、汽车、医疗、安防和工业应用，具体情况如下：
由上图可知，智能手机是 CMOS图像传感器主要应用领域。自 2000年夏普公司推出第一代配置了彩色摄像头的手机起，手机摄像头的演变日新月异，从单后置摄像头逐渐升级为前后双摄、后置双摄乃至 2018年兴起的后置三摄像头，手机领域CMOS图像传感器出货量增幅较大。
除手机领域以外，用于汽车的 CMOS图像传感器发展十分迅速。车载CMOS图像传感器的传统应用领域是后置倒车摄像头和前置行车记录仪，近年来，随着车联网、智能汽车、自动驾驶等应用的逐步普及，汽车上摄像头的数量迅速增加，应用领域从传统的倒车雷达影像、前置行车记录仪慢慢延伸到电子后视镜、360
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）度全景成像、线路检测、障碍物检测、防撞和自动驾驶等。在未来，车载 CMOS图像传感器市场规模或将高速成长。
在其他应用领域，随着个人消费者对电子产品的消费升级，家庭娱乐级虚拟现实设备（VR）、消费级无人机以及穿戴式增强现实（AR）等产品在普通消费者中日益普及，此类电子产品均需搭载高性能的 CMOS图像传感器以实现对周围环境的实时感知和监控。未来，此类产品也将成为 CMOS图像传感器的一个重要应用领域。
（3）CMOS图像传感器行业技术发展趋势
背照式 BSI技术和堆叠 BSI技术的广泛应用已成为 CMOS图像传感器领域的新常态，而多层堆叠（multi-stack）和混合堆叠（hydird-stack）等新技术的应用，使相位对焦（PDAF）、超级慢动作摄像等功能得到实现。
此外，嵌入式3D交互技术也是CMOS图像传感器技术的主要发展方向之一，随着车载应用、手机应用市场的进一步扩大以及 VR技术的成熟，该技术将成为未来CMOS图像传感器领域关键核心技术指标之一。
（三）进入行业的主要壁垒
集成电路设计行业属于知识密集型行业，对产业化运作有着很高的要求，在技术、产业整合、客户、人才、资金及规模等方面存在较高的进入壁垒，具体如
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）下：
1、技术壁垒
集成电路设计属于技术密集型行业，以 CMOS图像传感器为例，设计技术涵盖了数字/模拟集成电路、集成电路CAD、集成电路测试方法学、微电子封装技术、微机电系统、集成电路与片上系统设计等诸多领域。集成电路设计行业产品高度的复杂性和专业性决定了进入本行业具有很高的技术壁垒，行业内企业核心技术积累都需要专业技术研究团队和产品开发团队长时间探索和不断积累才能获得。
同时，由于集成电路技术及产品的更新速度很快，要求企业具备较强的持续创新能力，不断满足多变的市场需求。因此，行业内的后来者往往需要经历一段较长的技术摸索和积累时期，才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。对新进入者而言，短期内无法突破核心技术壁垒。
（1）设计工程壁垒
随着电子产品对 CMOS图像传感器分辨率、抗逆光性能、低光环境下辨识度等要求的不断提高，以及背照BSI、堆叠BSI、混合堆叠BSI等新技术的不断应用，芯片设计公司需要具备全方面的技术储备及快速设计能力，这对设计公司的技术积累和行业经验提出了较高要求。对后进者而言，这种积累和经验构成进入本行业的壁垒。
（2）可靠性壁垒
芯片是电子产品的―心脏‖，对电子产品的稳定性和可靠性起到至关重要的作用。一旦出现芯片寿命过短、稳定性出现问题，电子产品将出现系统无法启动、使用寿命有限等故障，对客户带来较大损失。芯片设计公司需要经过多年的技术和市场的经验积累，才能储备大量的修正数据，确保产品可靠性。对新进入厂商而言，客户对其产品的可靠性需要做长时间的验证，产品和技术的可靠性构成其进入的壁垒。
2、产业整合壁垒
为确保产品质量、稳定的产能供应和成本控制，芯片设计企业需要与其主要
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）的晶圆厂、封装及测试厂商建立紧密的合作关系。采用 Fabless模式的集成电路设计公司需经过较长时间的发展，采购量达到一定的规模后才能与主要晶圆厂、封测厂深入合作，建立起工艺设计与工艺制造的整合能力，进而拥有自主研发的制造工艺，最终确立在产业链上的关键竞争优势。对后进者而言，市场先入者已建立的、稳定运营的产业生态链构成其进入壁垒。
3、客户壁垒
经过多年发展，在集成电路芯片应用的各细分市场，客户对自己认可的芯片品牌已形成较高的品牌忠诚度。由于集成电路下游客户多为大规模制造型企业，该等客户对集成电路产品可靠性、稳定性要求较高。目前，市场上的主要芯片供应商都是经过多年的积累，在激烈的市场竞争中通过诚信服务、优秀的产品质量逐步积累起公司的品牌和声誉，并且已经与客户形成了长期、互信的合作关系，新进入者通常难以在短期内取得客户认同，无法打破现有市场竞争格局。
4、资金和规模壁垒
集成电路设计行业具有投入大、回报周期长、风险高的特点。一方面，前期需要耗费大量资金用于技术研发和产品开发，以及行业研发人员工资水平较高，需要较多的人力成本投入。为保持技术的先进性、工艺的领先性和产品的市场竞争力，集成电路设计企业需进行持续的资本投入。另一方面，芯片产品单位售价相对较低，因此企业研发的芯片产品市场销售数量需要高达千万颗才能实现盈亏平衡。相应的量级规模对采用Fabless模式的集成电路设计企业在自身资金供给、上游晶圆制造及封装测试企业的供应体系配合、下游终端市场运营等方面提出较高的要求。对后进者而言构成了行业资金和规模壁垒。
5、人才壁垒
芯片设计行业是知识密集型行业。高素质的经营管理团队、富有技术创新理念的研发队伍和富有经验的产业化人才是企业高速发展、保持竞争力的重要保障。目前，我国芯片设计行业的高端技术人才相对稀缺，而优秀的管理人才和产业化人才通常都集中于行业领先企业，企业之间人才争夺激烈。对于市场新进入者，人才成为重要行业壁垒。
（四）影响行业的有利因素和不利因素
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）1、影响行业发展的有利因素
（1）国家产业政策的支持
作为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业，集成电路行业一直以来受到国家的鼓励和支持。近年来，国家出台了一系列财政、税收、知识产权保护等政策，支持和鼓励集成电路设计行业的发展。同时，国家还将高端通用芯片列为 16个国家中长期重大科技专项之一，与载人航天与探月工程、重大新药创制等具有同等战略意义。国家产业政策的支持促进了集成电路行业的发展，增强了企业的自主研发能力，提高了国内集成电路设计企业的整体竞争力。
（2）市场需求持续增长
近年来，随着主流智能手机摄像头数量的增加（背面三个主摄像头，正面双摄像头和人脸识别摄像头）、智能辅助驾驶功能在汽车行业的普及，以及消费级无人机、VR设备、AR设备的推广，CMOS图像传感器的市场需求保持了持续增长的良好态势。根据全球知名行业分析公司 Yole Development发布的报告，受益于智能手机新功能的开发和普及，例如光学变焦、生物特征识别和3D互动等， 2016-2022年全球 CMOS图像传感器市场复合年均增长率仍将保持在10.50%左右。
（3）我国集成电路产业链日趋成熟
近年来，全球集成电路产业的制造重心、消费市场及人才在中国快速积聚，产业重心转移趋势明显，产业链日趋成熟。
①在制造环节，台积电、中芯国际、通富微电、日月光等全球主要晶圆制造企业、封装测试企业纷纷在中国建立、扩充生产线，国内原有的晶圆代工制造企业的工艺水平也得到显著提升，为采用 Fabless模式的国内集成电路设计企业提供了产能上的保障。
②在消费市场方面，中国人口基数大、电子产品接受程度高、消费需求旺盛。
随着国民经济和收入水平的快速增长，中国已成为全球最重要的电子产品消费市场。国内芯片设计企业凭借相似的文化背景，可以与下游厂商乃至终端客户保持顺畅沟通，提供更稳定的供应和更好的服务，充分发挥贴近本土市场的地缘优势。
在此背景下，国内集成电路设计、制造、封测等方面的技术取得了明显的进步，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）原来由国外企业垄断的核心芯片设计技术也逐步被部分国内优秀企业攻克、掌握并成功产业化。
2、影响行业发展的不利因素
集成电路设计涉及硬件、软件、电路、工艺等多个方面，需要多个相关学科的专业人才，虽然国内集成电路设计行业已历经一段快速发展时期，但就目前及未来的发展需要而言，人才尤其是高端人才仍相对匮乏。在市场需求增长、政策支持、产业重心转移等利好因素下，产业高端人才是率领企业抓住机遇、发展壮大的关键。近年来，一些具备国际知名芯片企业工作背景或海外留学背景的高端人才也逐步回到国内，为国内集成电路产业发展带来了国际先进的理念和技术。
（五）区域性、周期性和季节性特征
1、区域性
集成电路行业具有明显的区域性特征。美国加州硅谷是世界集成电路产业的发祥地，也是美国集成电路产业的心脏地区。美国主要的集成电路企业均坐落在此。此外，美国南部的德克萨斯州、亚利桑那州，以及东海岸的马里兰州也是集成电路企业较为集中的地区。从我国角度来看，集成电路企业主要集中于长三角、珠三角以及京津环渤海等地区；具有明显的辐射和带动效应。
2、周期性
半导体行业是周期性行业，其增速与全球 GDP增速的相关度很高。由于半导体产品受到技术升级、市场格局、应用领域等因素影响，整个半导体行业具有周期性波动的特点。半导体周期通常也称为―硅周期‖，指半导体产业在 5年左右的时间内会历经从衰落到昌盛的一个周期。近年来，随着半导体产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快，新技术、新工艺在半导体产品中的应用更加迅速，进而导致半导体产品的生命周期不断缩短。
3、季节性
集成电路产业没有明显的季节性特征。但是，对于消费类电子产品芯片而言，由于节假日产品销量较多，因此在节前的芯片出货量一般较高。
（六）行业经营模式
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）集成电路产业链主要由设计、制造、封装和测试组成。从产业模式来看，主要有Fabless、Foundry、IDM和Fab-lite四种模式。
Fabless（无晶圆厂）模式是指企业没有生产加工能力，仅进行集成电路的设计工作，之后将设计版图交给晶圆代工厂（集成电路制造厂商）进行加工，再将代工厂商加工好的芯片交给封装和测试厂商进行封装和测试。
Foundry（代工厂）模式是指企业没有集成电路设计能力，专门负责生产、制造芯片，致力发展相关工艺和制程。
IDM（整合元件制造商）模式是指企业业务涵盖了芯片设计、芯片制造、封装和测试整个流程。
Fab-lite（轻晶圆厂）模式是指企业以集成电路设计为主，但保留少量生产、封测能力。
（七）所处行业与上、下游行业之间的关系
标的企业均为Fabless模式的集成电路设计企业，产品主要为CMOS图像传感器。集成电路设计行业处于集成电路产业链的核心环节。集成电路芯片设计企业的产品方案通过代工方式委托给晶圆代工厂、封装和测试企业进行产品的制造、生产和检测，集成电路设计行业的上游行业包括晶圆代工厂、封装企业及测试企业，下游行业主要为模组厂商及终端客户（例如智能手机厂商、安全监控设备制造商、医疗设备制造商等）。
1、上游行业对本行业的影响
晶圆代工厂、封装企业和测试企业是集成电路设计行业的上游行业，对集成电路设计行业的影响主要体现在以下几个方面：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）产品良率
随着集成电路技术的日新月异，高运算量相关应用持续带动半导体产业对先进制程的需求，而先进制程对晶圆代工厂的产品良率提出了极高的要求。以 10纳米制程为例，10纳米是指半导体元件电晶体电流通道的宽度，仅能供一百多颗原子通过，制作过程中的丝毫缺陷都会影响最终产品的良率。若集成电路设计企业不能同晶圆代工企业紧密合作，通过不断调整产品设计和制程工艺提高良率，则会直接影响产品的单位成本。
（2）产品成本
由于晶圆代工厂投资额较大，技术难度较高，且需要较长时间的经验积累才能使良率保持在较高水平，全球晶圆代工行业集中度较高，主要企业包括台积电、台联电、韩国三星、格罗方德、高塔半导体、世界先进、东部高科、中芯国际、华虹宏力、武汉新芯等。在这种情况下，晶圆代工企业在产业链中的议价能力较强。晶圆代工服务是集成电路设计企业最主要的生产成本，晶圆价格的变化直接影响集成电路设计企业产品的成本。
（3）交货周期
根据―摩尔定律‖，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。因此集成电路产品的生命周期较短，产品更新换代速度较快。根据市场潮流和终端设备厂商需求及时推出新产品，是集成电路设计企业维持市场竞争力的核心要素。在这种情况下，上游代工企业的整体产能以及产能利用率，将直接影响集成电路设计企业的新产品量产能力和交货周期。
2、下游行业对本行业的影响
集成电路设计行业的下游行业是终端设备市场，以 CMOS图像传感器为例，下游行业包括智能手机、平板电脑、安防监控设备、车载摄像头、医疗设备、无人机、AR/VR等。未来几年，随着智能手机摄像头数量的快速增加（全机 5颗摄像头）、辅助驾驶和自动驾驶技术的普及、医疗窥镜设备的增长， CMOS图像传感器需求将继续保持增长势头，从而为相关的集成电路设计企业提供了较好的市场机遇。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）此外，由于终端设备市场产品更新换代速度较快，集成电路设计企业需同下游模组厂商和终端厂商保持紧密合作关系，在及时了解市场趋势和终端厂商在研产品需求的基础上，有针对性的进行技术研发和储备，使企业的新技术能顺应市场变化，减少下游行业变化带来的负面影响。
三、标的企业的行业地位和核心竞争力
（一）标的企业的行业地位
美国豪威长期以来致力于 CMOS图像传感器的研发、生产和销售，是处于市场领先地位的半导体图像传感器研发制造企业。根据 YOLE的公开报告，美国豪威2017年市场占有率情况如下：
数据来源：Yole Development
根据BDO编写的 CCD/CMOS图像传感器市场分析，美国豪威分行业市场占有率情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（二）标的企业主要竞争对手
1、美国豪威主要竞争对手
美国豪威的主要竞争对手主要为Sony（索尼）、Samsung（三星）和 ON
Semiconductor（安森美半导体）、海力士和意法半导体，其主要竞争对手的基本情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|公司名称|美国豪威|索尼|三星|安森美|海力士|意法半导体|
|总部地点|美国|日本|韩国|美国|韩国|瑞士|
|是否有工厂|否|是|是|是|是|是|
|产品领域|||||||
|手机|●|●|●|●|●|●|
|汽车|●|●|●|●|—|●|
|医学影像|●|●|—|●|●|●|
|笔记本|●|●|●|●|●|●|
|安防|●|●|●|●|●|●|
|AR/VR等|●|●|●|●|●|●|
|单反相机|—|●|●|●|●|●|

（1）索尼（SONY）
索尼是日本的一家全球知名的大型综合性跨国企业集团，是世界视听、电
子游戏、通讯产品和信息技术等领域的先导者之一。在 CMOS图像传感器领
域，索尼是市场占有率最大的厂商。索尼公司在2012年推出堆栈式（Stacked） CMOS技术，可使整颗组件在同尺寸规格下得到更多的空间来获得更大面积的
感光范围。长期以来，索尼在高端 CMOS图像传感器市场保持较为显著的技术优势。
（2）三星（SAMSUNG）
三星是韩国最大的跨国企业集团，包括众多的下属企业，业务涉及电子、
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）金融、机械、化学等众多领域，同时三星也是 CMOS图像传感器行业主要研发与生产企业之一。借助三星自有品牌智能手机、平板电脑和其他消费电子设备
的市场知名度和占有率，在 CMOS图像传感器市场，三星是美国豪威的主要竞争对手之一。
（3）安森美（ONSemiconductor）
安森美是行业领先的半导体和集成电路器件供应商，其主要产品包括电源
和信号管理、逻辑、分立及定制器件等。2014年安森美收购了美国CMOS图像传感器公司AptinaImaging和TruesenseImaging，上述两起并购迅速提高了安森美在CMOS图像传感器领行业的市场份额和知名度。目前，安森美已成为
CMOS图像传感器领域主要竞争企业之一。
（4）海力士（Hynix）
海力士是韩国知名半导体企业，海力士从2007年开始投身CMOS图像传感器业务，通过收购Siliconfle迅速成为CMOS图像传感器领域主要生产商之一。
（5）意法半导体（ST）
意法半导体集团于1988年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国 Thomson半导体公司合并而成。意法半导体其拥有丰富的芯片制造工艺，包括
先进的CMOS逻辑、混合信号、模拟和功率制造工艺。
2、思比科主要竞争对手
思比科主要定位于中低端领域的图像处理器制造，因此其竞争对手也主要集中于国内图像传感器制造商，其主要竞争对手情况如下：
（1）格科微电子（上海）有限公司
格科微电子（上海）有限公司为目前国内最大的 CMOS图像传感器供货商， CMOS图像传感器产品分辨率从60万像素到800万像素，光学尺寸从 1/13英寸到1/4英寸。格科微电子（上海）有限公司在2015年研发出1300万像素图像传感器并投放市场。
（2）深圳比亚迪微电子有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）深圳比亚迪微电子有限公司是比亚迪集团旗下的独立子公司，其主要产品为IC，最尖端的CMOS成像传感器为720P系列，主要应用于安防监控市场、手机市场的500万像素系列。
（3）昆山锐芯微电子有限公司
昆山锐芯微电子有限公司依靠自主研发的多项像素设计、电路设计以及图像与处理技术，提供各类 CMOS图像传感器，具有超高灵敏度、宽动态范围以及极低的固定模式噪声，并与其他产品具有良好的兼容性。此外，昆山锐芯微电子有限公司发明的 MCCD技术综合了 CCD和 CMOS的优点，成倍地提高了感光灵敏度，是图像传感器技术的重大创新。
（三）标的公司核心竞争力
1、北京豪威的核心竞争力
（1）技术创新与研发优势
美国豪威成立于1995年，主要从事CMOS图像传感器产品的设计与研发，且自成立以来一直采取Fabless（无晶圆）业务模式。在这种业务模式下，美国豪威专注于产品的设计和研发，并将晶圆蚀刻、晶圆染色、封装、测试等主要
制造环节外包给第三方代工企业。技术研发部门（R&D）是美国豪威组织架构
中最核心的部门，截至2018年7月31日，北京豪威研发人员881人，占员工总数的56.84%；报告期内美国豪威研发投入占营业收入的比重均超过13%，2017年绝对金额达到人民币12.23亿元。
截至2018年7月31日，北京豪威及其子公司合计拥有3,379项专利。美国豪威部分具有核心竞争力的技术如下：
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|-|-|-|
|技术名称|技术特点|技术优势|
|NyxelTM|提高对近红外光谱的灵敏度；可提供更好的量子效率和信号强度；深槽隔离技术可在像素间形成屏障，消除串扰并提高模块化传输功能；使用特殊的光线散射层，可解决图像暗区中的缺陷，并延长光子路径。|1、可实现3倍的量子效率，捕捉更为清晰明亮的图像，在AR / VR应用程序中实现精确的眼动追踪和手势控制，或用在驾驶员监控系统中检测驾驶者是否注意力不集中或疲劳驾驶。2、光子吸收效果更佳，有更好的夜视功能。3、所需的额外照明较少，降低了系统功率需求，并延长了以电池供电|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|
|||的监控摄像头使用寿命。|
|PureCel®|先进的像素阵列架构保证更高灵敏度和全阱容量，扩展传感器动态范围；低功耗和紧凑型设计可缩小摄像头模块尺寸；芯片叠层传感器技术将成像阵列和处理功能分为两层，在减小芯片尺寸同时实现附加功能|1、与第一代背照式（BSI）图像传感器相比，PureCel®技术使传感器噪点更低、光晕更少、弱光敏感度更佳、全阱容量更高，进一步增强图像传感器动态范围。2、采用55纳米工艺，支持先进的电路架构，功耗较低。|
|PureCel®Plus|通过引入埋入式色彩滤镜矩阵（BCFA）和深槽隔离（DTI）等技术来增强传感器性能；复合金属网格（CMG）技术有助于提高像素灵敏度，并进一步减少像素颜色串扰。|1、在弱光条件下，显著提高了传感器灵敏度和全阱容量，从而在SNR10以下和动态范围更高的情况下提升弱光性能。2、以减少色彩串扰进一步实现颜色再现。3、可提供更高的主光线角度（CRA）容差，保证镜头F值低，缩小摄像头模组尺寸。|
|RGB-Ir|在利用红外图像数据的同时持续捕捉高质量彩色图像；适用于2×2或4×4阵列图案，其阵列25％属红外（IR），75％属RGB，可在一个传感器中同时捕获RGB和IR图像。|1、能在一台设备上同时采集RGB和红外图像，兼具日视和夜视功能。2、可从同一台设备进行常规图像采集、进行生物特征识别以及手势检测等。|
|OmniPixel3-GSTM|全局快门技术可同时曝光所有像素，并逐行读取，保持高速稳定成像；近红外感应功能实现有效的零光成像。|1、能捕捉高速移动物体，且不会产生空间失真。2、实现了较好的近红外（NIR）灵敏度，可用于计算机视觉的眼动追踪等领域。|
|OmniPixel3-HSTM|采用对称像素设计，可消除色差，达到较佳的信噪比；采用前端照明（FSI）技术，像素尺寸可小至1.75微米。|1、在低光照条件下增强了图像捕捉性能。2、可实现出色的弱光成像。|
|OmniBSITM|采用0.11微米工艺技术；翻转晶片可减小从传感器表面到微透镜的堆叠高度，从而实现更高灵敏度，并在入射光角度创建更多的容差到达像素。|1、可降低像素串扰，提高量子效率，优化低光敏度和超低堆叠高度。2、广角光线角度（CRA）使带有大光圈的镜头块具有更好的弱光性能、图像质量。|
|OmniBSI-2TM|65纳米的设计实现了紧凑型像素电路最佳像素布局，提高传感器性能和图像质量；300毫米晶片工艺提高了生产的稳定性。|1、减少了功耗并提供了更好的图像质量。2、将以前1.4微米传感器的性能提升到1.1微米的效果，提高了弱光照性能、量子效率和全阱容量。|
|高动态范围图像（HDR）技术|新型高级HDR传感器通过自适应电荷检测和转换技术提供高动态范围图像；通过一次曝光过程从传感器产生高动态范围图像数据，减少传统HDR技术中由于时间延迟引起的误差。|1、即使在一个场景中同时存在非常明亮和黑暗的区域，HDR技术也能实现清晰的图像捕捉。2、可实现极高对比度场景的无运动伪影成像，高质量还原场景。|

借助上述核心技术，同主要竞争对手相比，美国豪威在以下领域具有较为
显著的竞争优势：①适用于汽车市场的高端宽动态范围图像传感器；②适用于
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）监视器市场的超低功耗解决方案；③适用于监视器市场的近红外和低光传感
器；④适用于医疗市场设备的超小型传感器；⑤适用于AR/VR等新兴市场的全局快门传感器。
（2）品牌知名度和产品线优势
美国豪威成立于1995年，自成立之日起即专注于设计、研发CMOS图像传感器技术，是全球最早进入该领域的集成电路设计企业之一。2003-2011年期
间，美国豪威长期占据全球 CMOS图像传感器领导地位，在世界范围内建立了广泛的品牌影响力和市场知名度。截至2017年末，美国豪威仍是全球最主要三家CMOS图像传感器供应商之一，同下游客户缔结了长期稳定的合作关系。
与主要竞争对手相比，美国豪威 CMOS图像传感器种类和应用范围具有较为显著的优势，除智能手机、平板电脑等主要市场外，美国豪威的 CMOS图像传感器在车载摄像头、医疗、无人机、安防监控、AR/VR等领域均具有齐全的产品线，市场占有率较高。
（3）轻资产业务模式优势
从集成电路行业发展历史来看，早期的集成电路企业大多选择纵向一体化（IDM）的组织架构，即企业内部可完成设计、制造、封装和测试等所有 IC生产环节。这样的组织架构使得 IC企业具有技术转化效率高、新产品研制时间较短等优势，但同时也有资产投入重、资金需求量大、变通不畅等缺点。
20世纪 90年代，随着全球化进程加快、国际分工职能深化，资产结构轻盈、反应迅速的无工厂芯片设计企业（Fabless）逐渐兴起；自 21世纪以来，受先进制程研发费用大幅提升、制程更新迭代速度加快以及大规模晶圆厂投资总额大幅提高等因素的影响，众多IDM厂商纷纷缩减了晶圆产线的投入。根据ICInsights的统计数据，在制程工艺从130nm提升到22/20nm的发展过程中，一直保有先进晶圆产能的IDM企业从22家减少为3家。
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|-|-|-|-|-|-|-|
|130nm|90nm|65nm|45nm|32/28nm|22/20nm||
|Intel|Intel|Intel|Intel|Intel|Intel||
|三星|三星|三星|三星|三星|三星||
|IBM|IBM|IBM|IBM|IBM|IBM||
|意法半导体|意法半导体|意法半导体|意法半导体|意法半导体||—|

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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|130nm|90nm||65nm||45nm||32/28nm||22/20nm||
|松下|松下||松下||松下||松下||—||
|瑞萨电子|瑞萨电子||瑞萨电子||瑞萨电子|||—||—|
|德州仪器|德州仪器||德州仪器||德州仪器|||—||—|
|东芝|东芝||东芝||东芝|||—||—|
|富士通|富士通||富士通||富士通|||—||—|
|AMD|AMD||AMD|||—||—||—|
|摩托罗拉|飞思卡尔|||—||—||—||—|
|英飞凌|英飞凌|||—||—||—||—|
|索尼|索尼|||—||—||—||—|
|Cypress|Cypress|||—||—||—||—|
|夏普|夏普|||—||—||—||—|
|亚德诺半导体||—||—||—||—||—|
|Atmel||—||—||—||—||—|
|日立||—||—||—||—||—|
|三菱||—||—||—||—||—|
|安森美||—||—||—||—||—|
|罗姆半导体||—||—||—||—||—|
|三洋||—||—||—||—||—|

面对消费电子这类市场热点转换迅速、产品生命周期较短、技术更新迭代速率较快的行业，同传统 IDM经营模式相比，Fabless模式企业更加高效、灵活，具有一定的竞争优势。
根据 IC Insights统计数据，在1999年至2015年的16年中，Fabless企业销售额增幅14年均优于IDM企业。
此外，自台积电、台联电等台湾代工业兴起后，晶圆代工开始被全球 IC企
业认可。晶圆代工市场也逐步扩大，成为 IC产业增长的有力支柱。在制程工艺
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）从90nm提升到22/20nm的发展过程中，代工行业主要企业发展较为稳定。
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|-|-|-|-|-|-|-|
|90nm||65nm||45nm|32/28nm|22/20nm|
|台积电||台积电||台积电|台积电|台积电|
|联华电子||联华电子||联华电子|联华电子|联华电子|
|中芯国际||中芯国际||中芯国际|中芯国际|中芯国际|
|三星||三星||三星|三星|三星|
||—||—|Global Foundries|Global Foundries|Global Foundries|

未来，随着晶圆制程工艺难度的不断提高，专注于制程工艺研究的代工厂在生产效率、产品良率等方面的优势将愈发显著。在这种趋势下，竞争优势将向与主流代工厂缔结了长期合作关系的Fabless企业倾斜。美国豪威自1995年设立以来一直采取Fabless模式，公司的发展、成长轨迹与台积电（1987年成立）、台联电（1995年向代工模式转型）等代工企业的发展、成长史基本重合，双方已保持了20余年的合作关系，具备丰富的合作经验和充分的信任基础。
2、思比科的核心竞争力
（1）技术储备丰富
思比科是一家专门从事 CMOS图像传感器芯片和相关图像处理芯片研发和销售的高科技公司，已经开发了多款国内领先的高性能图像传感器和图像处理芯片。思比科拥有完善的专利保护体系，已经申请了上百项专利，核心技术为具有自主知识产权的―超级像素信号处理技术（SuperPix®）‖和―超级图像处理技术（SuperImage®）‖，产品广泛应用于手机、安全监控、汽车影像、医疗应用、物联网等终端市场。思比科被科技部、北京市等部门评为―中关村知识产权重点示范企业‖，―百家创新型试点企业‖，―中关村百家最具影响力信用企业‖，并承担了国家科技重大专项、科技部―863‖等国家级科研项目。
（2）高性价比产品优势
思比科的 CMOS图像传感器主要应用于中低端智能手机。由于中低端智能手机对半导体电子元器件的价格敏感系数较高等原因，中低端 CMOS图像传感器市场竞争极为激烈。思比科在激烈的竞争环境下，凭借自身对中低端 CMOS图像传感器的理解及优化，及自身稳定的供应链体系，对中低端 CMOS图像传
感器不断进行成本优化，提升产品性价比，使之更符合市场需求。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）稳定的供应链体系
思比科成立于2004年，是国内最早的一批从事CMOS图像传感器的半导体设计公司，思比科的主要供应商 DB HITEKCO.,LTD、苏州科阳、华天科技等
均为国内外知名公司，思比科与上述供应商均有长期的合作关系。稳定的供应
链体系能够为思比科提供充足的产能保障。
（4）轻资产业务模式优势
思比科自成立至今就采取Fabless模式进行生产，其生产模式与北京豪威相似。轻资产业务模式优势见本节―三、标的企业的行业地位和核心竞争力‖之
―（三）标的公司核心竞争力‖之―1、北京豪威的核心竞争力‖之―（3）轻资产业务模式优势‖。
四、交易标的最近两年及一期的财务状况分析
（一）北京豪威最近两年及一期的财务状况分析
普华永道对北京豪威2016年、2017年和2018年1-7月的合并及母公司财务报表及附注进行了审计，并出具了普华永道中天特审字（2018）第 2671号标准无保留意见审计报告。
1、北京豪威的财务状况分析
（1）资产结构及其变化分析
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|流动资产：|||||||
|货币资金|201,157.33|14.26|257,373.02|17.95|533,452.08|28.54|
|应收账款|116,908.66|8.29|79,946.62|5.58|38,819.83|2.08|
|预付款项|8,108.55|0.57|3,774.39|0.26|3,752.09|0.20|
|其他应收款|287.40|0.02|891.17|0.06|25.61|0.001|
|存货|240,438.33|17.04|257,206.90|17.94|351,290.62|18.80|
|其他流动资产|6,647.42|0.47|19,986.31|1.39|5,020.00|0.27|
|流动资产合计|573,547.69|40.66|619,178.40|43.19|932,360.24|49.88|
|非流动资产：|||||||
|可供出售金融资产|-|-|-|-|22,806.35|1.22|
|投资性房地产|6,839.77|0.48|6,646.51|0.46|7,220.05|0.39|

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|-|-|-|-|-|-|-|
|固定资产|99,865.87|7.08|100,404.38|7.00|105,664.03|5.65|
|在建工程|14,092.10|1.00|4,034.55|0.28|5,026.22|0.27|
|无形资产|130,631.54|9.26|135,829.62|9.48|169,421.00|9.06|
|开发支出|16,615.43|1.18|9,541.39|0.67|-|-|
|商誉|500,785.94|35.50|480,046.29|33.49|509,638.68|27.27|
|长期待摊费用|10,446.11|0.74|10,727.10|0.75|12,654.83|0.68|
|递延所得税资产|16,101.07|1.14|21,811.60|1.52|59,657.07|3.19|
|其他非流动资产|41,769.94|2.96|45,230.35|3.16|44,599.70|2.39|
|非流动资产|837,147.78|59.34|814,271.78|56.81|936,687.92|50.12|
|资产总计|1,410,695.47|100.00|1,433,450.18|100.00|1,869,048.16|100.00|

报告期内，2016年末、2017年末和2018年7月末北京豪威资产总额分别为1,869,048.16万元、1,433,450.18万元和1,410,695.47万元，呈下降趋势：2017年末北京豪威资产总额较上一期末减少 435,597.97万元，降幅达23.31%；2018年7月末北京豪威资产总额较2017年末减少22,754.72万元，微降1.59%。2017年北京豪威资产总额大幅下降，主要原因系美国豪威和 Seagull International
Limited偿还了4亿美元私有化贷款，货币资金大幅下降所致。
①货币资金
报告期各期末，北京豪威的货币资金如下表所示：
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|库存现金|10.14|0.01|9.68|0.004|7.65|0.001|
|银行存款|201,107.19|99.98|257,323.34|99.981|533,404.44|99.99|
|其他货币资金|40.00|0.02|40.00|0.016|40.00|0.01|
|合计|201,157.33|100.00|257,373.02|100.00|533,452.08|100.00|
|其中：存放在境外的款项|128,727.65|63.99|111,970.54|43.51|322,213.47|60.40|

北京豪威的货币资金主要为银行存款，2016年末、2017年末和2018年7月末，北京豪威的货币资金分别为 533,452.08万元、257,373.02万元和 201,157.33万元，占总资产的比例分别为28.54%、17.95%和14.26%；其中，银行存款在
2016年末、2017年末和2018年7月末分别为533,404.44万元、257,323.34万元和201,107.19万元，最近两年及一期在货币资金中占比均在99%以上。
2017年末，北京豪威银行存款余额较2016年末大幅下降，其主要原因系美
国豪威和Seagull International Limited偿还了4亿美元私有化贷款所致。2018年
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）7月末，北京豪威银行存款余额较2017年末减少了56,216.15万元，主要原因系美国豪威于2018年1-7月偿还了1.1亿美元私有化贷款。
②应收账款
报告期各期末，北京豪威的应收账款如下表所示：
单位：万元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|2018.7.31||||||
|项目|账面余额|坏账准备|计提比例|账面价值|占比|
|单项金额重大并单独计提坏账准备|1,068.97|1,068.97|100.00%|-|-|
|按信用风险组合计提坏账准备|123,061.74|6,153.09|5.00%|116,908.66|100.00%|
|单项金额不重大但单独计提坏账准备|26.36|26.36|100.00%|-|-|
|合计|124,157.07|7,248.41|5.84%|116,908.66|100.00%|
|2017.12.31||||||
|项目|账面余额|坏账准备|计提比例|账面价值|占比|
|单项金额重大并单独计提坏账准备|1,024.70|1,024.70|100.00%|-|-|
|按信用风险组合计提坏账准备|84,154.34|4,207.72|5.00%|79,946.62|100.00%|
|单项金额不重大但单独计提坏账准备|25.26|25.26|100.00%|-|-|
|合计|85,204.30|5,257.68|6.17%|79,946.62|100.00%|
|2016.12.31||||||
|项目|账面余额|坏账准备|计提比例|账面价值|占比|
|单项金额重大并单独计提坏账准备|-|-|-|-|-|
|按信用风险组合计提坏账准备|40,862.98|2,043.15|5.00%|38,819.83|100%|
|单项金额不重大但单独计提坏账准备|26.82|26.82|100.00%|-|-|
|合计|40,889.80|2,069.97|5.06%|38,819.83|100%|

报告期各期末，北京豪威应收账款账龄如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|一年以内|123,061.74|99.12|85,179.04|99.97|40,889.80|100.00|
|一到两年|1,095.33|0.88|25.26|0.03|-|-|
|合计|124,157.07|100.00|85,204.30|100.00|40,889.80|100.00|

报告期内，北京豪威应收账款账面价值分别为38,819.83万元、79,946.62万
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）元和116,908.66万元，占资产总额的比例分别为2.08%、5.58%和8.29%，占营业收入的比例分别为4.88%、8.83%和23.31%，应收账款占营业收入的整体比例较低，但呈逐年上升趋势。
2017年末，北京豪威应收账款账面价值 79,946.62万元，较 2016年末增加了 41,126.79万元，增幅达105.94%；与此同时，北京豪威 2017年营业收入905,038.73万元，较2016年增加109,388.72万元，增幅为13.75%。2017年北京豪威应收账款余额增幅较快的原因为：北京豪威销售回款一般在30-45天左右，应收账款周转率较高，年末应收账款余额一般只跟 11月和 12月的销售情况有关。CMOS图像传感器是北京豪威主要产品，其销售旺季一般为每年三、四季度。2016年10月，由于美国某知名手机厂商发布了新旗舰机型，其他手机厂商采取了观望策略，暂缓了手机出货，导致北京豪威 2016年 11月、12月销量较少，应收账款余额较低。
2018年7月末，北京豪威应收账款账面价值116,908.66万元，较2017年末增加36,962.03万元，增幅达46.23%，其主要原因为每年三、四季度通常为销售旺季。
③存货
A.存货的构成
报告期各期末，北京豪威的存货账面价值如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|在产品|136,442.56|56.75|102,627.48|39.90|176,086.00|50.13|
|产成品|103,995.77|43.25|154,224.21|59.96|174,891.16|49.79|
|周转材料|-|-|355.20|0.14|313.45|0.09|
|合计|240,438.33|100.00|257,206.90|100.00|351,290.62|100.00|

 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威存货账面价值分别为 351,290.62万元、257,206.90万元和 240,438.33万元，占资产总额的比例分别为18.80%、17.94%和17.04%。北京豪威的存货主要由在产品和产成品构成，其中
在产品主要为存放在晶圆代工厂、彩色滤光片厂、封测厂的委托加工产品，产
成品主要为CMOS图像传感器。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2017年末，北京豪威存货账面价值较 2016年末减少94,083.72万元，主要原因为：为保障客户订单能及时交付，北京豪威会根据客户反馈和销售部门的
市场预测，提前进行排产备货。2016年四季度，北京豪威预计 2017年CMOS
图像传感器市场需求增幅较大，为了应对未来订单需求，因此年底大量备货，
导致年末存货余额较高。
B.存货跌价准备计提政策
北京豪威定期评估存货的可变现净值，并对存货成本高于可变现净值的差
额确认存货跌价损失。北京豪威在估计存货的可变现净值时，考虑存货的持有
目的，并以可得到的资料作为估计的基础，其中包括存货的预计销售量等。存
货的可变现净值可能随市场价格或存货实际用途的改变而发生变化，因此存货
跌价准备的金额可能会随上述原因而发生变化，进而影响损益。
存货减值损失按存货量与估计的销售量之间的差异作基础，对过剩的存货
以生产成本作减值计提。存货跌价准备按存货成本高于其可变现净值的差额计
提；可变现净值按日常活动中，以存货的估计售价减去至完工时估计将要发生
的成本、估计的销售费用以及相关税费后的金额确定。
C.报告期内存货跌价准备的计提情况
报告期内，北京豪威的存货及存货跌价准备如下：
a.2018年7月31日存货及存货跌价准备
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|存货类型|账面余额|跌价准备|账面价值|减值占存货比例|
|在产品|144,917.79|8,475.23|136,442.56|5.85%|
|产成品|121,738.14|17,742.37|103,995.77|14.57%|
|周转材料|-|-|-|-|
|合并|266,655.93|26,217.60|240,438.33|9.83%|

b.2017年12月31日存货及存货跌价准备
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|存货类型|账面余额|跌价准备|账面价值|减值占存货比例|
|在产品|109,182.51|6,555.04|102,627.48|6.00%|
|产成品|166,949.94|12,725.73|154,224.21|7.62%|
|周转材料|355.20|-|355.20|-|
|合并|276,487.66|19,280.76|257,206.90|6.97%|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）c.2016年12月31日存货及存货跌价准备
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|存货类型|账面余额|跌价准备|账面价值|减值占存货比例|
|在产品|176,989.43|903.42|176,086.00|0.51%|
|产成品|186,261.23|11,370.07|174,891.16|6.10%|
|周转材料|313.45|-|313.45|-|
|合并|363,564.11|12,273.49|351,290.62|3.38%|

报告期内，北京豪威存货跌价准备占存货余额比例逐年增加，主要原因为：2016年北京豪威产品结构中低端产品占比较高，自2017年起北京豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。在这种情况下，部分低端产品预计销售量下降，导致存货跌价准备计提金额增加。
D.同行业上市公司存货跌价准备的计提
截至 2017年 12月 31日，北京豪威同行业上市公司减值占存货余额比例情况如下：
单位：%
||||
|-|-|-|
|序号|同行业公司|2017.12.31|
|1|汇顶科技|27.56|
|2|圣邦股份|16.03|
|3|上海贝岭|8.67|
|4|兆易创新|6.55|
|5|韦尔股份|5.70|
|6|华微电子|4.90|
|7|扬杰科技|3.88|
|8|富满电子|3.19|
|9|富瀚微|0.13|
|10|捷捷微电|0.00|
|11|国科微|0.00|
||平均值|6.96|
||北京豪威|6.97|

由于同行业上市公司中没有以 CMOS图像传感器为主营产品的企业，各家公司产品区别较大，市场环境各有不同，因此存货跌价准备计提比例差异较
大。但另一方面，与同行业上市公司相比，北京豪威整体存货跌价准备计提比
例相对较高，计提充分、合理。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）④其他流动资产和可供出售金融资产
报告期内，北京豪威其他流动资产主要由可供出售金融资产构成，具体情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|可供出售金融资产|6,430.96|96.74|18,574.65|92.94|4,782.06|95.26|
|美国所得税退税|—|—|1,150.47|5.76|—|—|
|其他|216.46|3.26|261.19|1.31|237.93|4.74|
|合计|6,647.42|100.00|19,986.31|100.00|5,020.00|100.00|

报告期内，北京豪威可供出售金融资产（包括列示于其他流动资产的可供出售金融资产）具体情况如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|债券及货币基金投资|—|—|4,782.06|
|可供出售权益工具|6,430.96|18,574.65|22,806.35|
|合计|6,430.96|18,574.65|27,588.41|

A.债券及货币基金投资
截至 2016年 12月 31日，北京豪威尚未到期的债券及货币基金投资为货币市场基金，上述货币基金投资无固定收益，到期日在一年以内。
B.可供出售权益工具
2016年 1月 28日，北京豪威收购美国豪威时，美国豪威持有苏州晶方13.35%的股份，并在其董事会中占有一个董事席位，对苏州晶方具有重大影响。因此，北京豪威将苏州晶方作为联营公司，按权益法核算该长期股权投资。
2016年 5月，北京豪威在公开市场上出售其持有的苏州晶方的10%股权，该股权转让完成后，北京豪威对苏州晶方的持股比例下降至3.35%，北京豪威的剩余股份的表决权仅与该公司的行政性管理事务相关，无法再以任何方式对该公司的财务和经营决策施加重大影响。因此，北京豪威终止按权益法核算对
苏州晶方的长期股权投资，改按金融工具确认和计量准则，将剩余的股权确认
为按公允价值计量的可供出售权益工具。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）⑤固定资产
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|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|拥有所有权的土地|23,619.17|23.65|22,641.00|22.55|24,036.71|22.75|
|房屋及建筑物|59,282.74|59.36|57,628.31|57.40|62,638.07|59.28|
|运输工具|72.21|0.07|79.33|0.08|102.79|0.10|
|计算机及电子设备|1,549.60|1.55|1,570.35|1.56|1,691.66|1.60|
|机器设备|15,089.80|15.11|17,986.70|17.91|16,318.71|15.44|
|办公设备|252.34|0.25|498.68|0.50|876.10|0.83|
|合计|99,865.87|100.00|100,404.38|100.00|105,664.03|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威固定资产账面价值分别为 105,664.03万元、100,404.38万元和 99,865.87万元，占资产总额的比例分别为5.65%、7.00%和7.08%，总体较为稳定。北京豪威的固定资产主要由拥有所有权的土地和房屋及建筑物，两者占固定资产账面价值总额的比例在80%左右。
⑥在建工程
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|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|待安装设备|7,878.21|55.91|888.94|22.03|4,809.45|95.69|
|厂房工程|5,953.25|42.25|3,040.96|75.37|126.20|2.51|
|信息系统及设备|47.92|0.34|—|—|25.61|0.51|
|办公楼及附属设施|148.90|1.06|43.47|1.08|—|—|
|工厂营运管制系统|63.83|0.45|61.19|1.52|64.96|1.29|
|合计|14,092.10|100.00|4,034.55|100.00|5,026.22|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威在建工程账面价值分别为 5,026.22万元、4,034.55万元和 14,092.10万元。北京豪威在建工程主要为子公司豪威半导体（上海）有限责任公司和上海全览半导体技术有限公司的在建工程。2018年7月末，北京豪威在建工程余额较2017年末增幅较大，主要为上述两家子公司在建工程中的机器设备和建筑增加额。
⑦无形资产
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）报告期各期末，北京豪威的无形资产账面价值如下表所示：
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|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|土地使用权|20,388.54|15.61|19,846.48|14.61|21,620.11|12.76|
|外购软件|499.81|0.38|587.46|0.43|1,114.59|0.66|
|专利权及专利技术|74,265.47|56.85|83,514.41|61.48|111,148.05|65.60|
|商标|28,833.80|22.07|29,789.42|21.93|35,538.25|20.98|
|开发支出|6,643.92|5.09|2,091.85|1.54|-|-|
|合计|130,631.54|100.00|135,829.62|100.00|169,421.00|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威无形资产账面价值分别为169,421.00万元、135,829.62万元和130,631.54万元，占资产总额的比例分别为9.06%、9.48%和9.26%。北京豪威无形资产包括土地使用权、外购软件、专利权及专利技术、商标和开发支出，其中专利权及专利技术占比较大。
⑧商誉
截至2018年7月31日，北京豪威非流动资产中商誉金额500,785.94万元，占总资产的比例为35.50%，金额较高，其主要原因系2016年1月北京豪威收购美国豪威，非同一控制下企业合并确认的商誉。截至2018年7月31日，北京豪威商誉未计提减值准备。
（2）负债结构及其变化分析
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|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|金额（万元）|比例（%）|
|流动负债：|||||||
|短期借款|—|—|26,022.92|4.92|—|—|
|应付账款|94,147.68|20.76|93,740.50|17.72|136,009.54|11.40|
|预收款项|9,559.73|2.11|14,356.81|2.71|29,899.52|2.51|
|应付职工薪酬|11,166.34|2.46|12,182.97|2.30|9,370.26|0.79|
|应交税费|21,962.02|4.84|21,792.51|4.12|8,612.65|0.72|
|其他应付款|39,884.26|8.79|13,665.50|2.58|26,958.98|2.26|
|一年内到期的非流动负债|61,348.50|13.53|—|—|231,674.09|19.41|
|其他流动负债|2,621.11|0.58|3,351.69|0.63|753.68|0.06|
|流动负债合计|240,689.64|53.07|185,112.90|34.99|443,278.73|37.15|
|非流动负债：|||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|长期借款|129,324.99|28.52|251,959.48|47.62|315,034.49|26.40|
|预计负债|77,789.15|17.15|64,487.36|12.19|72,617.70|6.09|
|递延收益|547.15|0.12|587.08|0.11|318.50|0.03|
|递延所得税负债|4,733.23|1.04|26,513.43|5.01|361,755.72|30.31|
|其他非流动负债|424.48|0.09|433.50|0.08|368.32|0.03|
|非流动负债合计|212,819.00|46.93|343,980.85|65.01|750,094.73|62.85|
|负债合计|453,508.64|100.00|529,093.75|100.00|1,193,373.46|100.00|

截至2016年末、2017年末和2018年7月末，负债总额分别为1,193,373.46万元、529,093.75万元和453,508.64万元，负债总额呈下降趋势。
①短期借款
2017年3月，美国豪威与招商银行烟台分行签署《授信协议》和《担保协议》等相关文件，招商银行烟台分行向美国豪威提供一亿美金的一次性授信额
度。美国豪威与招商银行纽约分行签署不超过一亿美金的《借款合同》以及相关借款文件。
基于上述借款协议，招商银行烟台分行同意美国豪威的申请，开立以招商银行纽约分行为受益人，金额为 8,053.00万美元的保函。2017年度，招商银行纽约分行总计发放 7,997.00万美元贷款给美国豪威，到期日为 2018年 2月 21日。截至 2017年 12月 31日，美国豪威已偿还50%的借款本金，剩余借款3,998.50万美元贷款于2018年2月还清。
②应付账款
北京豪威采用 Fabless经营模式，将晶圆制造、封装和测试业务外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。应付账款主要系北京豪威按照客户的订货需求和销售部门所预测的未来市场需求，委托晶圆代工厂进行生产和封测所产生的采购款。
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|应付晶圆采购及加工费|92,745.06|98.51|93,125.05|99.34|133,146.94|97.90|
|其他|1,402.63|1.49|615.46|0.66|2,862.60|2.10|
|合计|94,147.68|100.00|93,740.50|100.00|136,009.54|100.00|

截至 2016年末、2017年末和 2018年 7月末，北京豪威应付账款账面价值
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）分别为136,009.54万元、93,740.50万元和94,147.68万元。北京豪威应付账款主要为应付晶圆采购及加工费，报告期内占应付账款的比例分别为97.90%、99.34%和98.51%。
③其他应付款
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|应付借款利息|1,706.28|4.28|985.59|7.21|3,088.21|11.46|
|应付销售返点|29,120.66|73.01|6,784.41|49.65|5,660.95|21.00|
|应付法务费|2,844.91|7.13|1,178.22|8.62|1,544.02|5.73|
|应付专业服务费|823.34|2.06|1,035.25|7.58|8,561.87|31.76|
|应付工程款|2,443.50|6.13|998.76|7.31|395.09|1.47|
|应付销售佣金|1,265.18|3.17|901.48|6.60|3,179.74|11.79|
|应付股东溢缴投资款|613.33|1.54|587.93|4.30|624.17|2.32|
|应付专利费|—|—|—|—|1,734.25|6.43|
|应付处置苏州晶方中介费|—|—|—|—|659.41|2.45|
|其他|1,067.03|2.68|1,193.86|8.74|1,511.28|5.61|
|合计|39,884.26|100.00|13,665.50|100.00|26,958.98|100.00|

截至 2018年 7月 31日，北京豪威其他应付款账面价值 39,884.16万元，其中主要为应付销售返点，金额 29,120.66万元，占全部其他应付款总额的73.01%。
④长期借款
2016年1月28日，Seagull Investment HoldingsLimited、Seagull International Limited与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《信贷和担保合同》（―Credit and GuaranteeAgreement‖）以及相关借款文件，借款金额合计8亿美元，用于支付私有化对价。
2017年2月3日，Seagull Investment HoldingsLimited、Seagull InternationalLimited、美国豪威与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《修改信贷和担保合同》（―AMENDED AND RESTATED CREDIT AND GUARANTEEAGREEMENT‖）以及相关借款文件。Seagull International还款2亿美元，剩余 6
亿美元借款由美国豪威作为借款人偿还。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 2017年 2月 3日，美国豪威还款 2亿美元，剩余借款 4亿美元，合同生效日起第一年的年利率为LIBOR加1.6%，第二年的年利率为LIBOR加1.8%，第三年的年利率为 LIBOR加2.0%，按季度付息，到期日为 2020年 2月 3日。其中 2亿美元借款为循环贷款，可于 2020年 2月 3日之前的任意时间偿还，剩余2亿美元借款为定期贷款，到期一次归还本金。循环贷款部分,截至2018年7月31日止，美国豪威已还款1.1亿美元,剩余9,000万美元循环贷款于2018年9月5日全部还清,故此部分披露为一年内到期的长期借款。
（3）偿债能力分析
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月|2017.12.31/2017年度|2016.12.31/2016年度|
|资产负债率（%）|32.15|36.91|63.85|
|流动比率（倍）|2.38|3.34|2.10|
|速动比率（倍）|1.38|1.96|1.31|
|息税折旧摊销前利润（万元）|44,523.70|51,928.44|-146,933.34|
|利息保障倍数（倍）|2.67|0.72|-6.76|

报告期内，北京豪威的流动比率、速动比例较为稳定，资产负债率逐年降低，偿债能力较强。2016年度，北京豪威受私有化相关费用影响（包括：①因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值的影响；②因收购美国豪威产生的存货影响；③因收购美国豪威所借入并购借款的财务费用的影响；④因收购美国豪威所支付的相关中介服务费用的影响；⑤一次性员工奖励计划的影响；⑥因收购美国豪威所处置其持有的投资的影响），息税折旧摊销前利润为亏损数。
私有化结束后，美国豪威各项经营管理活动逐渐恢复正常。自 2017年起，美国豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品，盈利水平显著提高，偿债能力大幅增强。
截至2017年12月31日，同行业上市公司偿债能力指标如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|公司代码|公司简称|资产负债率（%）|流动比率|速动比率|
|SH.603501|韦尔股份|57.85|1.53|1.18|
|SH.600360|华微电子|48.34|1.63|1.50|
|SH.603986|兆易创新|31.74|2.58|1.45|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|
|SZ.300373|扬杰科技|30.88|2.12|1.90|
|SZ.300671|富满电子|28.21|2.78|2.02|
|SH.603160|汇顶科技|21.10|4.45|3.87|
|SZ.300661|圣邦股份|19.13|6.25|5.81|
|SZ.300613|富瀚微|12.15|7.79|7.46|
|SH.600171|上海贝岭|11.89|6.12|5.66|
|SZ.300672|国科微|11.63|6.56|5.75|
|SZ.300623|捷捷微电|10.33|7.28|6.67|
|平均值||25.75|4.46|3.93|
|北京豪威||36.91|3.34|1.96|

从上表可知，同行业可比上市公司资产负债率普遍较低，短期偿债能力较强。北京豪威资产负债率略高于平均水平，短期偿债指标略低于平均水平。
（4）资产周转能力分析
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|应收账款周转率（次/年）|4.79|14.35|19.46|
|存货周转率（次/年）|1.41|2.17|1.84|
|总资产周转率（次/年）|0.35|0.55|0.43|

报告期内，北京豪威应收账款余额增幅较大，周转率有所下降。
自2017年起北京豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。经过2017的去库存，2017年末和2018年7月末北京豪威存货余额逐渐下降，2017年存货周转率较2016年增幅较大。
截至2017年12月31日，同行业上市公司资产周转能力情况如下：
单位：次/年
||||||
|-|-|-|-|-|
|公司代码|公司简称|总资产周转率|应收账款周转率|存货周转率|
|SH.603501|韦尔股份|1.08|3.25|4.37|
|SH.603986|兆易创新|0.96|20.59|2.39|
|SH.603160|汇顶科技|0.96|6.93|3.62|
|SZ.300661|圣邦股份|0.80|14.15|4.93|
|SZ.300671|富满电子|0.76|2.73|2.31|
|SZ.300613|富瀚微|0.64|5.62|5.88|
|SZ.300373|扬杰科技|0.51|3.59|5.56|
|SZ.300623|捷捷微电|0.45|4.29|2.95|
|SZ.300672|国科微|0.43|2.95|2.04|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|SH.600360|华微电子|0.42|4.26|6.98|
|SH.600171|上海贝岭|0.23|5.42|4.05|
|平均值||0.66|6.71|4.10|
|北京豪威||0.55|14.35|2.17|

从上表可知，北京豪威总资产周转率与同行业上市公司平均总资产周转率
处于同一水平。北京豪威应收账款管理较为完善，在直销模式下，公司同模组
厂商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结30天-60天左右；在代销模式
下，公司同经销商的结算方式为银行电汇，账期一般为月结30天。因此，北京豪威应收账款余额占当期营业收入比重较小，应收账款周转率高于同行业上市
公司。
由于同行业上市公司所生产的具体产品各有不同，因此各公司在产品生产
周期、产成品保有量以及销售模式等方面均有所差异，导致同行业上市公司存
货周转率差异较大。2017年，北京豪威存货周转率为2.17，低于同行业上市公司4.10的平均水平，但与富满电子、国科微、捷捷微电、兆易创新等公司存货周转率较为接近。
2、北京豪威的盈利能力分析
（1）营业收入及构成分析
①营业收入构成
报告期内，北京豪威营业收入情况如下：
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|主营业务收入|500,391.31|99.77|903,357.40|99.81|794,442.33|99.85|
|其他业务收入|1,170.50|0.23|1,681.33|0.19|1,207.68|0.15|
|合计|501,561.81|100.00|905,038.73|100.00|795,650.01|100.00|

报告期内，北京豪威的营业收入主要源于主营业务收入，2016年、2017年和2018年1-7月，北京豪威主营业务收入金额分别为794,442.33万元、
903,357.40万元和500,391.31万元，占营业收入比重分别为99.85%、99.81%和
99.77%。北京豪威其他业务收入主要为房屋租金收入，报告期内占营业收入的
比例很小。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）②主营业务收入分析
报告期内，北京豪威95%以上的主营业务来自于 CMOS图像传感器产品的销售收入，主营业务收入构成如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|CMOS图像传感器|477,367.60|95.40|869,364.76|96.24|775,008.04|97.55|
|其他产品|21,619.30|4.32|33,349.07|3.69|18,986.13|2.39|
|提供劳务|1,404.42|0.28|643.57|0.07|448.17|0.06|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

北京豪威作为 CMOS图像传感器行业最主要三家龙头企业之一，随着全球 CMOS图像传感器市场规模的不断扩大，凭借优秀的研发能力、全面的产品线、稳定的产品质量和快速的市场应变能力，北京豪威实现了 CMOS图像传感器收入的稳定增长。2016年度、2017年度和 2018年 1-7月，北京豪威 CMOS图像传感器产品销售收入分别为 775,008.04万元、869,364.76万元和 477,367.60万元。
报告期内，北京豪威主营业务收入按销售地域划分的构成情况如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|中国境内|90,004.60|17.99|202,042.18|22.37|185,709.32|23.38|
|境外|410,386.71|82.01|701,315.22|77.63|608,733.02|76.62|
|合计|500,391.31|100.00|903,357.40|100.00|794,442.33|100.00|

北京豪威境外销售收入主要来自于香港地区，香港作为传统的国际电子产品集散地，众多客户要求在香港交货，因而境外销售占比较高。
（2）毛利率分析
报告期内，北京豪威毛利率构成情况如下:
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|501,561.81|905,038.73|795,650.01|
|营业成本|381,717.51|695,732.19|670,365.34|
|毛利|119,844.30|209,306.55|125,284.67|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|综合毛利率（%）|23.89|23.13|15.75|
|CMOS图像传感器收入|477,367.60|869,364.76|775,008.04|
|CMOS图像传感器成本|363,921.11|671,844.34|655,316.18|
|CMOS图像传感器毛利|113,446.49|197,520.42|119,691.86|
|CMOS图像传感器毛利率（%）|23.77|22.72|15.44|

报告期内，北京豪威综合毛利率逐渐提高，从 2016年的15.75%增至 2018年 1-7月的23.89%。北京豪威营业毛利主要来自 CMOS图像传感器销售毛利， 2016年至 2018年 7月，CMOS图像传感器销售毛利分别为 119,691.86万元、 197,520.42万元和 113,446.49万元，占综合毛利的比例分别为95.54%、94.37%和94.66%。
2016年北京豪威综合毛利率较低，其主要原因有以下两点：
①美国豪威 2014年 8月正式启动私有化进程，整个私有化过程将近两年，且不可避免的对美国豪威经营管理造成了一定程度的不利影响：一方面，美国豪威因私有化新增长期借款 8亿美元，财务压力显著增加；另一方面，私有化期间美国豪威无法进行较大投资和业务调整，难以应对瞬息万变的消费电子市场。在这种情况下，北京豪威毛利率逐年降低，综合毛利率由2014年的23.49%降至2016年的15.75%。
私有化结束后，美国豪威各项经营管理活动逐渐恢复正常。自 2017年起，美国豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集
中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。2017年，美国豪威连续推出了多款新产品和多项新技术，包括采用了新一代PureCel®Plus技术的1,300万像素级OV13A10和OV13A1Qc传感器、1,600万像素级别的OV16B10传感器、业内领先的近红外（NIR）技术夜鹰Nyxel™、支持生物识别能力的OV9738RGB-Ir
传感器。2018年1月，美国豪威推出了OV24A系列图像传感器，该产品采用了美国豪威新一代PureCel¬®Plus技术，分辨率为2,400万像素，同时比普通 0.9
微米像素捕获4倍多的可见光子，从而可在低光状态下获得更好的图像质量。
经过2017年的经营调整，北京豪威盈利能力显著提高，2018年1-7月综合毛利率增至23.77%。
②2016年1月28日北京豪威收购美国豪威时，确认了存货的公允价值增
值，在销售这批存货时，把较高的公允价值确认为成本，直接影响了2016年的
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）毛利率。
（3）期间费用分析
报告期内，北京豪威的期间费用及占同期营业收入比例情况如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|销售费用|15,451.42|3.08|29,361.07|3.24|29,766.31|3.74|
|管理费用|15,279.38|3.05|24,997.93|2.76|138,390.47|17.39|
|研发费用|54,544.93|10.88|110,169.35|12.17|115,778.99|14.55|
|财务费用|7,641.98|1.52|9,507.58|1.05|30,451.63|3.83|
|合计|92,917.70|18.53|174,035.93|19.23|314,387.41|39.51|

报告期内，北京豪威期间费用率有所降低，从 2016年的39.51%降至 2018年1-7月的18.53%。
①销售费用
报告期内，北京豪威销售费用明细及占比情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|职工薪酬|9,361.44|60.59|17,203.06|58.59|15,883.34|53.36|
|销售佣金|3,774.72|24.43|8,200.27|27.93|8,405.19|28.24|
|租赁及物业费|619.88|4.01|910.88|3.10|764.26|2.57|
|市场推广费|399.82|2.59|592.91|2.02|606.29|2.04|
|交通差旅费|387.05|2.50|677.14|2.31|628.19|2.11|
|办公费|288.60|1.87|498.92|1.70|378.88|1.27|
|折旧和摊销|185.92|1.20|370.24|1.26|448.89|1.51|
|通讯费|109.06|0.71|197.14|0.67|214.52|0.72|
|水电费|88.10|0.57|164.46|0.56|140.88|0.47|
|软件使用费|32.32|0.21|37.02|0.13|42.60|0.14|
|专业服务费|31.84|0.21|118.92|0.41|190.21|0.64|
|业务招待费|18.17|0.12|44.31|0.15|39.00|0.13|
|股份支付费用|-|-|-|-|1,621.67|5.45|
|其他|154.51|1.00|345.80|1.18|402.39|1.35|
|合计|15,451.42|100.00|29,361.07|100.00|29,766.31|100.00|

北京豪威销售费用主要由职薪酬和销售佣金构成，报告期内两者合计占销
售费用的比例均在80%以上。2016年、2017年和2018年1-7月，北京豪威销售
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）费用占营业收入比重较为稳定。
②管理费用
报告期内，北京豪威管理费用明细及占比情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|职工薪酬|5,709.42|37.37|11,103.49|44.42|111,330.11|80.45|
|法务费|3,354.09|21.95|2,824.08|11.30|3,191.43|2.31|
|折旧和摊销|2,649.68|17.34|5,072.02|20.29|4,785.13|3.46|
|专业服务费|2,256.68|14.77|3,873.48|15.50|14,040.65|10.15|
|软件使用费|313.50|2.05|661.90|2.65|814.02|0.59|
|租赁及物业费|246.02|1.61|425.56|1.70|404.80|0.29|
|办公费|229.29|1.50|280.56|1.12|386.95|0.28|
|交通差旅费|118.37|0.77|250.02|1.00|248.57|0.18|
|水电费|90.66|0.59|179.88|0.72|163.66|0.12|
|通讯费|72.32|0.47|218.33|0.87|189.39|0.14|
|业务招待费|2.97|0.02|6.56|0.03|6.47|0.005|
|股份支付费用|—|—|—|—|2,450.24|1.77|
|其他|236.39|1.55|102.05|0.41|379.05|0.27|
|合计|15,279.38|100.00|24,997.93|100.00|138,390.47|100.00%|

报告期内，北京豪威管理费用占营业收入的比例分别为17.39%、2.76%和3.05%。2016年 11月，北京豪威设立了―员工奖励计划‖（―Employee BenefitsTrust‖），并向该计划支付初始资金合计 15,250万美元（人民币 100,892.48万元），作为职工薪酬费用计入管理费用，导致 2016年管理费用较高。2017和2018年1-8月，北京豪威管理费用占营业收入比例较为稳定。
③研发费用
报告期内，北京豪威研发费用明细及占比情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|职工薪酬|32,049.00|58.76|60,940.96|55.32|54,407.85|46.99|
|折旧和摊销|15,186.17|27.84|26,109.64|23.70|25,184.72|21.75|
|软件使用费|2,662.43|4.88|5,075.95|4.61|4,380.33|3.78|
|法务费|1,728.63|3.17|3,078.23|2.79|3,502.25|3.02|
|租赁及物业费|667.61|1.22|1,343.46|1.22|1,080.92|0.93|

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||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|专业服务费|492.86|0.90|899.25|0.82|808.74|0.70|
|水电费|456.20|0.84|798.49|0.72|672.67|0.58|
|办公费|288.30|0.53|637.06|0.58|757.84|0.65|
|通讯费|281.42|0.52|493.16|0.45|465.99|0.40|
|技术研发材料费|280.42|0.51|9,693.15|8.80|17,889.68|15.45|
|交通差旅费|258.01|0.47|422.48|0.38|479.08|0.41|
|业务招待费|8.27|0.02|15.57|0.01|14.57|0.01|
|股份支付费用|—|—|—|—|5,425.56|4.69|
|其他|185.62|0.34|661.96|0.60|708.81|0.61|
|合计|54,544.93|100.00|110,169.35|100.00|115,778.99|100.00|

报告期内，北京豪威研发费用占营业收入的比例分别为14.55%、12.17%和10.88%。2016年，北京豪威研发费用较高，主要原因为研发费用中的技术研发材料费较高，其主要原因为：北京豪威 2016年研发费用全部费用化，未进行资本化处理。
④销售费用、管理费用和研发费用中的股份支付费用
美国豪威自成立以来，有多个以权益结算的股份支付计划，包括股票期权、受限股票单位、员工股份购买计划等，以换取美国豪威及其子公司的董事、高级管理人员以及员工提供的服务。北京豪威于2016年1月28日收购美国豪威时，对于美国豪威原员工股份购买计划参与者，需于北京豪威收购美国豪威完成收购之日的四天前完成股票的购买，美国豪威原员工股份购买计划于收购完成的同时终止。
北京豪威于2016年1月28日收购美国豪威时，对于美国豪威原股票期权的持有者，美国豪威员工持有的在《合并协议》生效之前尚不可行权期权及可行权的价外股票期权，可根据《合并协议》的约定被转换为相应的 Seagull Investment的股票期权。美国豪威员工持有的在《合并协议》生效之前的可行权的价内期权，北京豪威以现金对价向相应的持有人买断，并于买断后注销该等股票期权。
北京豪威于2016年1月28日收购美国豪威时，对于美国豪威原受限股票的持有者，美国豪威员工在《合并协议》签署当日（―2015年4月30日‖）及之后
获授的且在《合并协议》生效之日（―2016年1月28日‖）前仍发行在外的受限
股票根据《合并协议》的约定被转换为相应的 Seagull Investment的受限股票。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）美国豪威员工持有的在《合并协议》签署日之前获授的且在2016年1月28日之前仍发行在外的受限股票，北京豪威以现金对价向相应的持有人买断，并于买断后注销该等受限股票。
北京豪威在购买日评估计算新奖励以及替代的美国豪威原有奖励的公允价值，并进一步根据奖励的等待期将此替代奖励分为企业合并前和合并后服务两部分：对于分摊作为合并前服务的部分，作为收购美国豪威的对价；对于分摊作为合并后服务的部分，在职工剩余的等待期内，以可行权权益工具数量的最佳估计为基础，将股份支付费用计入相关期间的成本和费用。
上述股份支付对财务状况和经营成果的影响如下：
单位：万元
|||
|-|-|
|项目|2016年|
|营业成本|1,634.58|
|销售费用|1,621.67|
|管理费用|2,450.24|
|研发费用|5,425.56|
|当期因股份支付而确认的费用总额|11,132.06|

⑤财务费用
报告期内，北京豪威财务费用明细情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|利息支出|8,208.88|107.42|16,961.02|178.39|27,599.38|90.63|
|减：利息收入|-789.94|-10.34|-1,386.39|-14.58|-418.86|-1.38|
|减：贷款更新利得|-|-|-6,197.30|-65.18|-|-|
|银行手续费|46.15|0.60|84.60|0.89|462.27|1.52|
|汇兑损失|176.89|2.31|45.65|0.48|2,808.85|9.22|
|合计|7,641.98|100.00|9,507.58|100.00|30,451.63|100.00|

 2016年 1月 28日，北京豪威子公司 Seagull InvestmentHoldings、Seagull International与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《信贷和担保合同》（―Credit and GuaranteeAgreement‖）以及相关借款文件，借款金额合计8亿美元，用于支付私有化对价，并导致北京豪威2016年财务费用较高。
截至2017年2月3日，上述8亿美元私有化借款偿还4亿，因此2017年财
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）务费用较2016年降幅较大。
（4）资产减值损失
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|存货跌价损失|9,754.24|27,430.88|10,968.15|
|坏账损失|1,659.43|3,440.36|1,975.44|
|坏账收回|-|-|-109.55|
|合计|11,413.67|30,871.24|12,834.04|

由上表可知，北京豪威的资产减值损失主要由存货跌价准备和坏账损失构成。报告期内，北京豪威资产减值损失金额分别为12,834.04万元、30,871.24万元和11,413.67万元。2017年，北京豪威资产减值损失较高，主要原因为存货跌价损失大幅增加，2016年北京豪威产品结构中低端产品占比较高，自2017年起北京豪威管理层积极实施产品升级战略，精简产品线、降低低端产品占比，集中精力研发和推广技术附加值较高的高端产品。在这种情况下，部分低端产品预计销售量下降，导致存货跌价准备计提金额增加。
（5）投资损失
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|处置可供出售金融资产等取得的投资损益|1,113.15|1,284.45|-688.64|
|股息红利收入|-25.30|-38.42|-340.88|
|处置以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债取得的投资损失|-|-|1,415.90|
|处置长期股权投资产生的投资损失|-|-|12,492.88|
|合计|1,087.85|1,246.03|12,879.26|

2016年北京豪威投资损失较高，其主要原因如下：
①处置精材科技股权的投资损失
2015年 8月，美国豪威与台积电签订《股权出售协议》（―Share PurchaseAgreement‖），出售美国豪威持有的精材科技的全部股份。美国豪威所持有的精材科技的股份受台湾证券交易所持股锁定期约束，其中50%的股份于2015年11月 30日锁定期到期，剩余50%的股份于 2016年3月 30日锁定期到期。该股份
转让以精材科技2015年6月30日的股票价格（―基准价‖）为基础进行转让。上
述《股权出售协议》约定，当锁定期结束后，若精材科技的股价高于基准价，台
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）积电将支付给美国豪威对应的差价；若精材科技的股价低于基准价，美国豪威将支付给台积电对应的差价（以下简称―股权转让补偿安排‖）。
经过评估，美国豪威将该补偿安排在会计上确认为衍生金融工具，以公允价值进行初始和后续计量，并采用―布莱克-斯克尔斯-默顿‖期权定价模型确定该衍生金融工具的公允价值，其公允价值变动计入公允价值变动损益。
2016年1月28日，北京豪威收购美国豪威时，该衍生金融负债的公允价值为3,963.40万元。2016年3月30日，剩余50%的精材科技股份锁定期到期，北京豪威根据解禁日精材科技的股价与基准价之间的差额，确认了需补偿台积电的金额折合人民币5,288.90万元，并于2016年5月支付完毕。2016年度，北京豪威因上述交易共产生投资损失1,415.90万元。
②处置苏州晶方股权的投资损失
2016年 5月，北京豪威在公开市场上出售其持有的苏州晶方的10%股权，该股权转让完成后，北京豪威对苏州晶方的持股比例下降至3.35%，无法再以任何方式对该公司的财务和经营决策施加重大影响。因此，北京豪威终止按权益法核算对苏州晶方的长期股权投资，改按金融工具确认和计量准则，将剩余的股权确认为按公允价值计量的可供出售权益工具，并将其在丧失重大影响之日的公允价值与账面价值之间的差额计入当期损益，原采用权益法核算时产生的相关其他综合收益应当在终止采用权益法核算时，全部转入当期损益。
2016年度，北京豪威因处置苏州晶方股权共收到款项63,108.40万元，产生投资损失12,492.88万元。
（6）营业外收支分析
报告期内，北京豪威营业外收支及占营业收入的比例情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|营业外收入|46.59|0.01|52.84|0.01|202.16|0.03|
|营业外支出|29.09|0.01|174.95|0.02|1,654.65|0.21|
|营业外收支净额|17.51|0.004|-122.12|-0.01|-1,452.49|-0.18|

（7）非经常性损益
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）北京豪威最近两年及一期经审计的合并报表的非经常损益明细如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|非流动资产处置损失|47.76|179.96|9.73|
|处置可供出售金融资产、长期股权投资、以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债等的投资损失|1,113.15|1,284.45|13,220.14|
|股权奖励回购|—|—|6,573.85|
|计入当期损益的政府补助|-269.69|-346.79|-202.16|
|除上述各项之外的其他营业外收入和支出|-46.58|-52.52|1,653.98|
|减：所得税影响额|341.62|223.16|-5,939.96|
|归属于所有者的非经常性损失|1,186.26|1,288.25|15,315.57|

报告期内，北京豪威非经常性损失金额分别为 15,315.57万元、1,288.25万元和1,186.26万元。
（8）所得税费用
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|按税法及相关规定计算的当期所得税|11,959.66|19,915.85|40,295.67|
|递延所得税|-14,312.17|-291,797.03|-43,154.43|
|合计|-2,352.51|-271,881.18|-2,858.76|

2017年北京豪威递延所得税大幅增加，主要原因是受美国税务改革的影响，包括境外盈利遣返税及联邦企业所得税税率修改等。
美国税改对美国受控的外国子公司取得的超过一定有形资产常规回报率的收入征收全球无形资产低税收入税，即对美国母公司受控的外国子公司于美国境外取得的“低税”收入所征收的税，需按新税法规定的美国企业联邦所得税税率21%缴纳，考虑其他税收优惠减免政策，实际缴纳税率在10.5%-21%之间。对于此部分“低税”收入美国豪威以前年度严格遵循税法要求进行税会差异调整，并按照税改前35%的联邦企业所得税税率计入递延所得税负债。按照此次税改计算标准纳税后，美国豪威同时将之前计提的此部分暂时性差异冲销，由此产生较大金额的所得税收益。
（9）经营活动现金流量净额与净利润比较
单位：万元
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|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|经营活动现金流量净额|40,907.98|7,337.68|-119,357.19|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|差异|24,266.34|-267,193.93|94,895.75|

 2018年 1-7月，北京豪威经营活动现金流量净额较同期净利润多 24,266.34万元，其主要原因为：截至2018年7月31日，北京豪威其他应付款余额中尚有29,120.66万元的应付销售返点没有支付。
2017年，北京豪威经营活动现金流量净额较同期净利润少 267,193.93万元，其主要原因为：递延所得税负债的减少金额较高，总计 327,439.35万元，此部分收益增加净利润但是并没有带来实际的现金流入。
（10）扣除私有化相关费用后北京豪威的盈利情况
报告期内，北京豪威扣除私有化相关费用后（包括扣除 2016年一次性员工奖励计划、2017年美国税改、2018年一次性税务事项等因素的影响）的盈利情况分别为2,101.35万元、19,953.41万元和20,531.50万元，具体情况如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项 目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|净利润|16,641.65|274,531.62|-214,252.93|
|因收购美国豪威产生的可辨认的无形资产和其他长期资产增值的影响（1）|7,276.99|9,699.87|11,884.57|
|因收购美国豪威产生的存货影响（2）|-|-|46,837.31|
|因收购美国豪威所借入并购借款的财务费用的影响（3）|6,025.50|11,523.49|33,004.64|
|因收购美国豪威所支付的相关中介服务费用的影响（4）|-|-|10,624.30|
|一次性员工奖励计划的影响（5）|-|-|100,892.48|
|因收购美国豪威所处置其持有的投资的影响（6）|1,423.29|1,527.76|13,110.99|
|美国税改及其他一次性税务事项的影响（7）|-10,835.92|-277,329.32|-|
|调整后净利润|20,531.50|19,953.41|2,101.35|

（1）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的收购时，北京豪威根据企业会计准则的要求，将收购中取得的美国豪威的各项可辨认的资产和负债，按照收购日的公允价值在其合并财务报表中予以确认。该项为这些无形资产及其他长期资产的公允价值增值在预计使用年限内的摊销的影响。
（2）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的收购时，确认了存货
的公允价值增值。该项为收购日后销售这些存货时，确认相关收入和成本的影
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）响。
（3）2016年 1月 28日，北京豪威为收购美国豪威通过其子公司 Seagull Investment HoldingsLimited（―SeagullInvestment‖）及 Seagull International Limited（―SeagullInternational‖）向中国银行澳门分行、招商银行股份有限公司纽约分行举债合计8亿美元，用以支付合并交易的收购对价。2017年2月3日， SeagullInvestment、Seagull International及美国豪威与中国银行澳门分行、招商银行纽约分行签署《修改信贷和担保合同》以及相关借款文件（―借款更新‖）。
Seagull International还款2亿美元本金，剩余6亿美元借款本金由美国豪威作为借款人偿还。于合同修改当日，美国豪威还款2亿美元本金，剩余借款4亿美元本金，2018年5月，美国豪威还款1.1亿美元本金，剩余借款2.9亿美元本金。
该项主要为上述并购借款的利息费用、借款更新所产生的利得、代扣代缴所得税等影响。
（4）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的私有化收购时，发生一次性中介机构服务费用。
（5）美国豪威私有化后，于 2016年 11月设立了员工奖励计划，并向该计划一次性支付资金15,250万美元。
（6）北京豪威于 2016年 1月 28日完成对美国豪威的收购后，为偿还北京豪威的并购借款，陆续处置了其持有的对采钰科技股份有限公司、苏州晶方半导体科技股份有限公司以及精材科技股份有限公司的股权投资。该项主要为这些投资于收购日的公允价值增值，以及后续处置投资的影响。
（7）该项主要系2017年度美国税改以及2018年度一次性税务事项的影响。
（二）思比科最近两年及一期的财务状况分析
立信会计师对思比科编制的2016年、2017年和2018年1-7月合并及母公司财务报表及附注进行了审计，并出具了信会师报字[2018]第 ZA15938号标准无保留意见的审计报告。
1、思比科的财务状况分析
（1）资产结构及其变化分析
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|货币资金|2,529.95|9.31|2,738.88|11.33|4,876.02|20.67|
|应收票据及应收账款|2,560.42|9.42|2,444.43|10.11|4,496.12|19.06|
|预付款项|60.29|0.22|250.10|1.03|95.29|0.40|
|其他应收款|721.65|2.66|261.98|1.08|206.77|0.88|
|存货|17,955.54|66.08|15,454.07|63.93|11,399.18|48.31|
|其他流动资产|304.50|1.12|347.64|1.44|76.18|0.32|
|流动资产合计|24,132.36|88.82|21,497.10|88.92|21,149.56|89.63|
|可供出售金融资产|270.00|0.99|270.00|1.12|270.00|1.14|
|固定资产|1,063.11|3.91|1,022.74|4.23|1,089.84|4.62|
|无形资产|29.02|0.11|81.82|0.34|170.42|0.72|
|长期待摊费用|42.87|0.16|61.15|0.25|36.98|0.16|
|递延所得税资产|1,633.39|6.01|1,190.36|4.92|851.89|3.61|
|其他非流动资产|—|—|52.11|0.22|26.54|0.11|
|非流动资产合计|3,038.39|11.18|2,678.18|11.08|2,445.67|10.37|
|资产总计|27,170.75|100.00|24,175.28|100.00|23,595.22|100.00|

报告期各期末，思比科资产总额分别为 23,595.22万元、24,175.28万元和 27,170.75万元，呈现逐渐上升趋势。流动资产为思比科最主要的资产，占资产总额的比例分别为89.63%、88.92%和88.82%。
2017年末思比科资产总额较2016年末增加580.05万元，增长2.46%；2018年7月末，思比科资产总额较2017年末增加2,995.48万元，增长12.39%，其主要为每年三、四季度通常为销售旺季，思比科扩大生产及备货，存货增幅较大所致。
①货币资金
报告期各期末，思比科的货币资金如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|库存现金|5.90|0.23|1.65|0.06|1.06|0.02|
|银行存款|1,078.35|42.62|879.92|32.13|2,768.87|56.79|
|其他货币资金|1,445.71|57.14|1,857.32|67.81|2,106.08|43.19|
|合计|2,529.95|100.00|2,738.88|100.00|4,876.02|100.00|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）报告期各期末，思比科货币资金分别为 4,876.02万元、2,738.88万元和2,529.95万元，占资产总额的比例分别为20.67%、11.33%和9.31%。报告期各期末，思比科的货币资金主要为银行存款及其他货币资金，二者占思比科货币资金总额的比例均超过99%。
其他货币资金主要为信用证借款保证金及银行借款保证金。
②应收票据及应收账款
报告期各期末，思比科的应收票据及应收账款如下表所示：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|应收票据|—|—|137.39|
|应收账款|2,560.42|2,444.43|4,358.73|
|合计|2,560.42|2,444.43|4,496.12|

2016年末，思比科应收票据主要为客户提供的少量银行承兑汇票。
A.思比科应收账款概况
报告期各期末，思比科应收账款账面余额分别为4,974.85万元、3,066.60万元和 3,282.28万元，账面净额分别为 4,358.73万元、2,444.43万元、2,560.42万元，占资产总额的比例分别为18.47%、10.11%和9.42%。报告期内思比科应收账款账面余额总体呈现持续下降趋势，主要系思比科为应对下游客户风险，对客户结构进行调整，部分信用期较长的客户 2017年开始通过经销商采购思比科产品，而经销商主要通过预付方式来支付货款，导致整体应收账款下降。
2017年10月，思比科为加强客户管理及生产管理，思比科引入国内知名半导体分销商京鸿志物流作为思比科的主要经销商，原经销商及客户的部分产品线陆续转为京鸿志物流统一进行分销。京鸿志物流向思比科采购产品主要采取预付款的方式，导致2017年末思比科应收账款的下降。
B.思比科主要应收账款情况
报告期各期末，思比科应收账款前五名情况如下：
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|时间|排名|单位名称|应收账款余额|占比（%）|
|2018.7.31|1|JOIN TECHNOLOGY （HK） LIMITED|666.54|20.31|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|时间|排名|单位名称|应收账款余额|占比（%）|
||2|浙江大华科技有限公司|518.15|15.79|
||3|Lampek Enterprises Development（HK）Limited|374.20|11.4|
||4|河北远东通信系统工程有限公司|333.32|10.16|
||5|FUJIKURA Ltd|224.38|6.84|
||合 计||2,116.58|64.5|
|2017.12.31|1|Lampek Enterprises Development（HK）Limited|1,167.00|38.06|
||2|河北远东通信系统工程有限公司|319.23|10.41|
||3|盛华朋睿科技（深圳）有限公司|275.41|8.98|
||4|Full China International（HK）Limited|272.68|8.89|
||5|FUJIKURA Ltd|211.53|6.9|
||合 计||2,245.86|73.24|
|2016.12.31|1|河北远东通信系统工程有限公司|1,658.78|33.34|
||2|Lampek Enterprises Development（HK）Limited|846.82|17.02|
||3|深圳市微高半导体科技有限公司|779.45|15.67|
||4|Full China International（HK）Limited|238.67|4.8|
||5|FUJIAKURA Ltd|217.78|4.38|
||合 计||3,741.49|75.21|

注：经销商采购思比科产品时，一般采用预付的方式，但是对于部分特定的产品及终端客户，思比科会适当对经销商给予一部分信用期。
上述客户除FUJIAKURALtd外，均为CMOS图像传感器经销商或摄像头模组厂商。思比科对FUJIAKURA Ltd的应收账款为其为 FUJIAKURA Ltd研发开发医疗用CMOS感光芯片项目的尾款。
C.思比科应收账款坏账准备的计提情况
a.单项金额重大并单独计提坏账准备的应收款项
2018年7月末，单项金额重大并单独计提坏账准备的应收款项情况如下
||||||
|-|-|-|-|-|
|单位|2018.7.31|||计提理由|
||应收账款|坏账准备|计提比例（%）||
|FUJIKURA Ltd|224.38|224.38|100.00|预计无法收回|
|合计|224.38|224.38|||

2012年11月22日，FUJIAKURA Ltd与思比科签署《技术开发合同》，由 FUJIAKURA Ltd委托思比科开发医疗用 CMOS感光芯片，合同总金额 5,265.5
万日元（按 1:0.06汇率计算，约为人民币 315.93万元），后因双方对最后研发
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）成果意见不一致，委托方拒绝支付剩余款项，因此全额计提坏账准备。
b.按信用风险特征组
报告期各期末，按信用风险特征组合计提坏账准备的应收账款账面余额及坏账计提政策情况如下：
单位：万元
||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|账龄|计提比例（%）|2018.7.31|||2017.12.31|||2016.12.31|||
|||账面余额|坏账准备|余额占比（%）|账面余额|坏账准备|余额占比（%）|账面余额|坏账准备|余额占比（%）|
|1年以内|5|2,399.30|119.96|81.74|2,327.63|116.38|78.93|4,403.00|220.15|90.78|
|1-2年|20|345.69|69.14|11.78|266.62|53.32|9.04|86.76|17.35|1.79|
|2-3年|50|9.08|4.54|0.31|39.77|19.89|1.35|212.96|106.48|4.39|
|3-4年|100|1.25|1.25|0.04|184.66|184.66|6.26|147.45|147.45|3.04|
|4-5年|100|174.44|174.44|5.94|130.48|130.48|4.42|—|—|—|
|5年以上|100|5.63|5.63|0.19|—|—|—|—|—|—|
|合计||2,935.39|374.97|100.00|2,949.16|504.73|100.00|4,850.17|491.43|100.00|

报告期各期末，思比科按信用风险特征组合计提坏账准备的应收账款中，1年以内的应收账款占比均在80%左右，思比科应收账款整体回款较好，但由于下游模组厂及经销商近年来竞争较为激烈，集中度呈现上升趋势，部分小型经销商或模组厂商经营情况不佳，导致部分款项出现逾期情况。
c.单项金额不重大但单独计提坏账准备的应收款项
2018年7月末，单项金额非重大并单独计提坏账准备的应收账款如下：
||||||
|-|-|-|-|-|
|公司名称|2018.7.31|||计提理由|
||应收账款|坏账准备|比例（%）||
|Eagle tech Global Co., Limited|77.41|77.41|100.00|预计无法收回|
|3Win （Hong Kong）electronics Co., Ltd|22.97|22.97|100.00|预计无法收回|
|Sonsor Equipment Technology Limited|22.13|22.13|100.00|预计无法收回|
|合计|122.51|122.51|||

上述几家公司均因经营状况不佳，导致款项无法收回，思比科已全额对上述款项计提了坏账准备。
③存货
报告期各期末，思比科存货主要为库存商品及委托加工物资，具体如下：
单位：万元
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|||2017.12.31|||2016.12.31|||
||账面余额|跌价准备|账面价值|账面余额|跌价准备|账面价值|账面余额|跌价准备|账面价值|
|原材料|1,140.71|282.60|858.11|948.44|250.21|698.23|1,349.98|326.29|1,023.70|
|周转材料|0.50|—|0.50|1.73|—|1.73|—|—|—|
|库存商品|11,535.40|2,410.54|9,124.86|9,606.30|2,171.17|7,435.12|7,808.47|943.03|6,865.45|
|委托加工物资|8,122.78|511.04|7,611.74|7,226.23|235.56|6,990.67|3,691.48|271.52|3,419.96|
|技术服务成本|360.34|—|360.34|328.31|—|328.31|90.08|—|90.08|
|合计|21,159.72|3,204.18|17,955.54|18,111.01|2,656.94|15,454.07|12,940.01|1,540.84|11,399.18|

报告期各期末，思比科存货账面余额分别为12,940.01万元、18,111.01万元和 21,159.72万元，账面净额分别为 11,399.18万元、15,454.07万元和 17,955.54万元，占报告期各期末思比科资产总额比例分别为48.31%、63.93%和66.08%。
思比科存货分类与北京豪威基本一致，委托加工物资主要为存放在华天科技、苏州科阳等封装厂的晶圆。
2017年末，思比科存货账面余额较 2016年末增加 5,171万元，增幅为39.96%，主要是由于思比科 2017年开始与北京豪威合作，并向其销售 200万像素产品，思比科加大生产备货所致。
受国庆节、双十一购物节、圣诞节、元旦节等节假日因素的影响，每年的第三、四季度为半导体产品销售的旺季，思比科在 2018年 7月末加大库存备货，导致存货余额较2017年末上升。
A.思比科存货跌价准备计提政策
产成品、库存商品和用于出售的材料等直接用于出售的商品存货，在正常生产经营过程中，以该存货的估计售价减去估计的销售费用和相关税费后的金额，确定其可变现净值；需要经过加工的材料存货，在正常生产经营过程中，以所生产的产成品的估计售价减去至完工时估计将要发生的成本、估计的销售费用和相关税费后的金额，确定其可变现净值；为执行销售合同或者劳务合同而持有的存货，其可变现净值以合同价格为基础计算，若持有存货的数量多于销售合同订购数量的，超出部分的存货的可变现净值以一般销售价格为基础计算。
期末按照单个存货项目计提存货跌价准备；但对于数量繁多、单价较低的
存货，按照存货类别计提存货跌价准备；与在同一地区生产和销售的产品系列
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）相关、具有相同或类似最终用途或目的，且难以与其他项目分开计量的存货，则合并计提存货跌价准备。
除有明确证据表明资产负债表日市场价格异常外，存货项目的可变现净值以资产负债表日市场价格为基础确定。
本期期末存货项目的可变现净值以资产负债表日市场价格为基础确定。
B.报告期内思比科存货跌价准备的计提情况
单位：万元
|||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|||2017.12.31|||2016.12.31|||
||账面余额|跌价准备|比例（%）|账面余额|跌价准备|比例（%）|账面余额|跌价准备|比例（%）|
|原材料|1,140.71|282.60|24.77|948.44|250.21|26.38|1,349.98|326.29|24.17|
|周转材料|0.50|—|—|1.73|—|—|—|—|—|
|库存商品|11,535.40|2,410.54|20.90|9,606.30|2,171.17|22.60|7,808.47|943.03|12.08|
|委托加工物资|8,122.78|511.04|6.29|7,226.23|235.56|3.26|3,691.48|271.52|7.36|
|技术服务成本|360.34|—|—|328.31|—|—|90.08|—|—|
|合计|21,159.72|3,204.18|15.14|18,111.01|2,656.94|14.67|12,940.01|1,540.84|11.91|

思比科2017末存货跌价准备占存货账面余额的比例较2016年有所上升，主要是由于思比科一直从事中低端CMOS的制造。2017年中国大陆中低端CMOS图像传感器价格竞争较为激烈，各 CMOS图像传感器设计公司为获取市场份额纷纷降价，导致终端产品市场价格下降，思比科存货跌价准备计提金额增加所致。
C.同行业上市公司存货跌价准备的计提
因思比科与北京豪威均主要从事 CMOS图像传感器的设计生产及销售，思比科同行业上市公司存货跌价准备的计提情况见本节―四、交易标的最近两年及一期的财务状况分析‖之―（一）北京豪威最近两年及一期的财务状况分析‖之―1、北京豪威财务状况分析‖之―（1）资产结构及其变化分析‖之―③存货‖。
与同行业上市公司相比，思比科整体存货跌价准备计提比例相对较高，不存在少提存货跌价准备的情况。
④固定资产
思比科固定资产账面净额分别为1,089.84万元、1,022.74万元和1,063.11万
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）元，占报告期各期末资产总额比例分别为4.62%、4.23%和3.91%，占比较低且相对稳定。
报告期各期末，思比科固定资产主要为为掩模、测试设备等，固定资产具
体情况如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2016.12.31|占比（%）|2017.12.31|占比（%）|2018.7.31|占比（%）|
|专用设备|898.44|82.44|848.46|82.96|883.09|83.07|
|运输工具|20.66|1.90|9.00|0.88|26.03|2.45|
|办公及其他设备|170.73|15.67|165.28|16.16|153.99|14.48|
|合计|1,089.84|100.00|1,022.74|100.00|1,063.11|100.00|

⑤递延所得税资产
报告期各期末，思比科递延所得税资产分别为851.89万元、1,190.36万元和1,633.39万元，占资产总额的比例分别为3.61%、4.92%和6.01%，整体呈上升趋势。递延所得税资产主要系资产减值准备及可抵扣亏损形成的可抵扣暂时性差异。
（2）负债结构及其变化分析
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31||2017.12.31||2016.12.31||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|短期借款|9,397.64|47.32|6,355.25|44.20|6,869.49|54.33|
|应付票据及应付账款|4,067.67|20.48|3,974.68|27.64|3,996.28|31.60|
|预收款项|5,802.98|29.22|3,591.94|24.98|889.18|7.03|
|应付职工薪酬|336.89|1.70|334.97|2.33|470.31|3.72|
|应交税费|146.84|0.74|25.95|0.18|174.08|1.38|
|其他应付款|60.83|0.31|44.30|0.31|48.07|0.38|
|流动负债合计|19,812.85|99.77|14,327.08|99.64|12,447.40|98.44|
|递延收益|46.32|0.23|52.45|0.36|197.38|1.56|
|非流动负债合计|46.32|0.23|52.45|0.36|197.38|1.56|
|负债合计|19,859.17|100.00|14,379.53|100.00|12,644.78|100.00|

报告期各期末，思比科负债总额分别为 12,644.78万元、14,379.53万元和 19,859.17万元，呈现逐渐上升趋势。流动负债为思比科最主要的负债，占负债
总额的比例分别为98.44%、99.64%和99.77%。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 2017年末思比科负债总额较 2016年末增加 1,734.76万元，增长13.72%；
2018年7月末，思比科负债总额较2017年末增加5,479.64万元，增长38.11%，主要为思比科加大金融机构借款及调整客户结构导致短期借款及预收账款增加所致。
①短期借款
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|占比（%）|2017.12.31|占比（%）|2016.12.31|占比（%）|
|质押借款|7,737.64|82.34|3,695.25|58.14|4,999.49|72.78|
|保证借款|1,000.00|10.64|1,000.00|15.74|1,000.00|14.56|
|信用借款|660.00|7.02|1,660.00|26.12|870.00|12.66|
|合计|9,397.64|100.00|6,355.25|100.00|6,869.49|100.00|

报告期各期末，思比科短期借款主要为向商业银行的借款，整体相对稳
定。2018年7月末短期借款上升主要是由于思比科为提升市场占有率，扩大生产备货，导致资金需求增加。
②应付票据及应付账款
报告期各期末，思比科无应付票据，应付账款分别为3,996.28万元、
3,974.68万元、4,067.67万元，占负债总额的比例分别为31.60%、27.64%和
20.48%。报告期各期末，思比科应付账款金额相对稳定，账龄在1年以内的应
付账款占比均超过99.8%，具体如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|账龄|2018.7.31|占比（%）|2017.12.31|占比（%）|2016.12.31|占比（%）|
|1年以内|4,063.91|99.91|3,973.61|99.97|3,990.29|99.85|
|1-2年|2.68|0.07|—|—|4.79|0.12|
|2-3年|—|—|—|—|—|—|
|3年以上|1.08|0.03|1.08|0.03|1.19|0.03|
|合计|4,067.67|100.00|3,974.68|100.00|3,996.28|100.00|

③预收账款
报告期各期末，思比科预收账款分别为889.18万元、3,591.94万元和
5,802.98万元，占思比科负债总额的7.03%、24.98%和29.22%，主要为客户预付
的货款。2017年思比科预收账款大幅增加，主要系思比科为应对下游客户风
险，对客户结构进行调整，部分信用期较长的客户2017年开始通过经销商采购
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）思比科产品，而经销商主要通过预付方式来支付货款，导致整体预收账款上
升。
2017年10月，思比科为加强客户管理及生产管理，思比科引入国内知名半导体分销商京鸿志物流作为思比科的主要经销商，原经销商的部分产品线陆续
转为京鸿志物流统一进行分销。京鸿志物流向思比科采购产品主要采取预付款
的方式，导致2017年末思比科预收账款的上升。
报告期各期末，思比科预收账款中98%以上为账龄在1年以内的预收账
款，具体情况如下：
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|占比（%）|2017.12.31|占比（%）|2016.12.31|占比（%）|
|1以内|5,770.82|99.45|3,550.67|98.85|875.78|98.49|
|1-2年|—|—|30.90|0.86|3.03|0.34|
|2-3年|21.79|0.38|—|—|10.37|1.17|
|3年以上|10.37|0.18|10.37|0.29|—|—|
|合计|5,802.98|100.00|3,591.94|100.00|889.18|100.00|

（3）偿债能力分析
报告期内，思比科偿债能力相关指标如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月|2017.12.31/2017年|2016.12.31/2016年|
|资产负债率（%）|73.09|59.48|53.59|
|流动比率|1.22|1.50|1.70|
|速动比率|0.30|0.40|0.78|
|息税折旧摊销前利润|-2,234.32|-492.35|1,458.50|
|利息保障倍数|-9.04|-4.67|1.47|

注：资产负债率=总负债/总资产
流动比率=流动资产/流动负债
速动比率=（流动资产-存货-其他流动资产）/流动负债
息税折旧摊销前利润=利润总额+利息费用-利息收入+折旧+摊销
利息保障倍数=（利润总额+利息费用-利息收入）/（利息费用-利息收入）
报告期内，思比科资产负债率逐年提升，主要是由于思比科2017年及2018年 1-7月持续亏损，2017年及 2018年 1-7月经营活动现金流分别为-898.72万元、-1,959.61万元，思比科加大向金融机构的借款力度，并对客户结构进行了
调整，短期借款及预收账款的上升导致流动负债增加，流动比率和速动比率下
降。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）因思比科与北京豪威均主要从事 CMOS图像传感器的设计生产及销售，思比科同行业上市公司偿债能力分析见本节―四、交易标的最近两年及一期的财务状况分析‖之―（一）北京豪威最近两年及一期的财务状况分析‖之―1、北京豪威财务状况分析‖之―（3）偿债能力分析‖。
与同行业上市公司相比，思比科资产负债率较高，主要是由于思比科产品终端市场竞争较为激烈，思比科提高向金融机构借款力度，导致短期借款上升；同时思比科为应对下游客户风险，对客户结构进行调整，部分信用期较长的客户 2017年开始通过经销商采购思比科产品，而经销商主要通过预付方式来支付货款，导致整体预收账款上升。
（4）资产周转能力分析
报告期内，思比科资产周转能力相关指标如下：
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月|2017.12.31/2017年|2016.12.31/2016年|
|应收账款周转率|8.37|11.44|9.27|
|存货周转率|1.16|2.61|6.08|
|总资产周转率|1.04|1.93|1.95|

注1：应收账款周转率=2*营业收入/（期初应收账款+期末应收账款）
存货周转率=2*营业成本/（期初存货+期末存货）
总资产周转率=2*营业收入/（期初总资产+期末总资产）
注2：2016年期初数默认与期末数相同
报告期内，思比科应收账款周转率相对稳定，2018年 1-7月存货周转率、总资产周转率较2016年及2017年相对较低，主要是受国庆节、双十一购物节、圣诞节、元旦节等节假日因素的影响，每年的第三、四季度为半导体产品销售的旺季，思比科在 2018年 7月末加大库存备货，导致存货余额较 2017年末上升。
因思比科与北京豪威均主要从事 CMOS图像传感器的设计生产及销售，思比科同行业上市公司资产周转能力分析见本节―四、交易标的最近两年及一期的财务状况分析‖之―（一）北京豪威最近两年及一期的财务状况分析‖之―1、北京豪威财务状况分析‖之―（3）资产周转能力分析‖。
与同行业上市公司相比，思比科应收账款周转率、存货周转率及总资产周
转率均处于较高水平，资产周转情况较好。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2、思比科的盈利能力分析
（1）营业收入及成本分析
报告期各期，思比科营业收入分别为 46,125.42万元、46,008.93万元和26,576.98万元，思比科营业收入全部为主营业务收入，具体情况如下：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|电子元器件|26,429.69|99.45|45,744.44|99.43|45,465.07|98.57|
|技术服务开发|147.29|0.55|264.49|0.57|660.35|1.43|
|合计|26,576.98|100.00|46,008.93|100.00|46,125.42|100.00|

报告期内，电子元器件销售是思比科主营业务收入的重要部分，在终端市场竞争激烈、产品价格持续下降的情况下，思比科为占领市场，加大产品出货量，总体保持了思比科电子元器件销售收入的平稳上升。报告期各期，思比科主营业务收入中电子元器件销售收入分别为 45,465.07万元、45,744.44万元和26,429.69万元，占比超过98%。
报告期内，思比科主营业务收入按销售地域划分的构成情况如下表所示：
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月||2017年||2016年||
||金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|金额（万元）|占比（%）|
|境内|18,510.75|69.65|38,400.20|83.46|28,412.87|61.60|
|境外|8,066.23|30.35|7608.73|16.54|17,712.55|38.40|
|合计|26,576.98|100.00|46,008.93|100.00|46,125.42|100.00|

思比科境外销售收入主要来自于香港地区，香港作为传统的国际电子产品
购销集散地，大部分客户有在香港交货的需求。
（2）毛利率分析
报告期内，思比科毛利率构成情况如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|营业收入|26,576.98|46,008.93|46,125.42|
|营业成本|24,474.71|40,464.99|39,334.62|
|综合毛利|2,102.27|5,543.94|6,790.80|
|综合毛利率（%）|7.91|12.05|14.72|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|CMOS图像传感器收入|26,429.69|45,744.44|45,465.07|
|CMOS图像传感器成本|24,408.03|40,296.21|38,969.88|
|CMOS图像传感器毛利|2,021.66|5,448.23|6,495.18|
|CMOS图像传感器毛利率（%）|7.65|11.91|14.29|

报告期内，思比科综合毛利率分别为14.72%、12.05%和7.91%，整体呈逐年下降趋势。思比科毛利主要来自于 CMOS图像传感器销售，CMOS图像传感器毛利占综合毛利的比例分别为95.65%、98.27%和96.17%。
思比科所处的中低端CMOS图像传感器市场竞争激烈，国内CMOS图像传感器设计公司自2016年就开始采取降价策略来获取中低端CMOS图像传感器的市场份额，思比科为保留市场份额，也采取降价销售的策略。报告期内思比科 CMOS图像传感器毛利率分别为14.29%、11.91%和7.65%，呈现逐年下降趋势。
2018年 6月份以来，受上游产能紧张以及下游对需求量上升的共同影响，市场同类产品近期出现较为明显的涨价趋势，思比科开始上调部分产品售价。
2018年 8月 13日，思比科下发《产品价格调整通知》，自 2018年 9月起上调主要产品销售价格，提价幅度为3%至33%不等，产品毛利率逐渐恢复至理性水平。
（3）期间费用分析
报告期内，思比科销售费用、管理费用、研发费用、财务费用及各项费用
率情况如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|销售费用|1,075.67|2,075.97|1,961.05|
|管理费用|680.46|1,223.60|1,419.06|
|研发费用|1,702.72|2,406.15|2,263.12|
|财务费用|720.99|22.83|865.51|
|费用合计|4,179.83|5,728.54|6,508.75|
|营业收入|26,576.98|46,008.93|46,125.42|
|销售费用率（%）|4.05|4.51|4.25|
|管理费用率（%）|2.56|2.66|3.08|

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|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|研发费用率（%）|6.41|5.23|4.91|
|财务率合计（%）|2.71|0.05|1.88|
|期间费用率（%）|15.73|12.45|14.11|

注：销售费用率=销售费用/营业收入
管理费用率=管理费用/营业收入
研发费用率=研发费用/营业收入
财务费用率=财务费用/营业收入
费用合计=销售费用+管理费用+研发费用+财务费用
期间费用率=费用合计/营业收入
报告期内，思比科期间费用率基本保持稳定。2017年思比科财务费用下
降，主要系2017年人民币汇率上升，产生的汇兑收益冲减当期财务费用。2018年1-7月整体费用率较2016年和2017年略有上升，主要系思比科收入主要集中在第三、第四季度而费用每个月相对均匀，二者不匹配导致的。
（4）资产减值损失
报告期各期，思比科资产减值损失主要为坏账损失及存货跌价损失，其中
存货跌价损失为最主要的部分，占资产减值损失比例超过70%。
单位：万元
||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|占比（%）|2017年|占比（%）|2016年|占比（%）|
|坏账损失|164.53|18.54|37.38|2.72|93.42|29.91|
|存货跌价损失|722.69|81.46|1,338.76|97.28|218.95|70.09|
|合计|887.21|100.00|1,376.14|100.00|312.37|100.00|

 2017年思比科存货跌价损失为 1,338.76万元，较 2016年上升 1,119.81万元，增幅为511.45%%。主要是由于思比科在市场的激烈竞争下，国内中低端 CMOS图像传感器市场价格持续下降，报告期思比科存货跌价准备的计提详见本节―四、交易标的最近两年及一期的财务状况分析‖之―（二）思比科最近两年及一期的财务分析‖之―1、思比科的财务状况分析‖之―（1）资产结构及其变化分析‖之―③存货‖。
（5）营业外收支及其他收益
报告期内，思比科营业外收支情况如下：
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目||2018年1-7月|2017年度|2016年度|
|营业外收入|政府补助|—|—|294.98|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
||赔款收入|—|—|1.73|
||其他|0.69|0.12|—|
||合计|0.69|0.12|296.71|
|营业外支出|罚款滞纳金|—|13.54|0.20|
||合计|—|13.54|0.20|

根据《企业会计准则第16号—政府补助》（财会[2017]15号）―与企业日常活动相关的政府补助，应当按照经济业务实质，计入其他收益或冲减相关成本
费用。与企业日常活动无关的政府补助，应当计入营业外收支。……企业对
2017年1月1日存在的政府补助采用未来适用法处理，对2017年1月1日至本准则施行日之间新增的政府补助根据本准则进行调整。‖
因此，思比科2017年及2018年1-7月的政府补助均计入其他收益，金额分别为279.67万元和93.49万元。
（5）非经常性损益
报告期内，思比科非经常性损益明细情况如下：
单位：万元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|非流动资产处置损益|—|9.26|-5.90|
|越权审批或无正式批准文件的税收返还、减免|—|—|—|
|计入当期损益的政府补助（与企业业务密切相关，按照国家统一标准定额或定量享受的政府补助除外）|93.49|279.67|294.98|
|计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费|—|—|—|
|企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益|—|—|—|
|非货币性资产交换损益|—|—|—|
|委托他人投资或管理资产的损益|—|—|—|
|因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备|—|—|—|
|债务重组损益|—|—|—|
|企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等|—|—|—|
|交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益|—|—|—|
|同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益|—|—|—|
|与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益|—|—|—|
|除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、交易性金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、交易性金融负债和可供出售金融资产取得的投资收益|—|—|—|
|单独进行减值测试的应收款项减值准备转回|—|—|—|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|对外委托贷款取得的损益|—|—|—|
|采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益|—|—|—|
|根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响|—|—|—|
|受托经营取得的托管费收入|—|—|—|
|除上述各项之外的其他营业外收入和支出|0.69|-13.43|1.53|
|其他符合非经常性损益定义的损益项目|—|—|—|
|所得税影响额|-14.13|-9.29|-43.59|
|少数股东权益影响额|—|—|—|
|合计|80.06|266.22|247.03|

报告期，思比科非经常性损益分别为247.03万元、266.22万元和80.06万
元，主要为计入当期损益的政府补助。
（三）视信源最近两年及一期的财务状况分析
立信会计师对视信源编制的2016年、2017年和2018年1-7月的合并财务报表及附注进行了审计，并出具了信会师报字[2018]第 ZA15940号标准无保留意见审计报告。
视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权。思比科相关财务情况分析见本节―四、交易标的最近两年及一期的财务状况分析‖之―（二）思比科最近两年及一期的财务状况分析‖。
视信源母公司财务报表见第十节―三、视信源最近两年及一期母公司财务报表‖。
五、本次交易对上市公司的影响
（一）本次交易对上市公司股权结构的影响
本次交易前，韦尔股份总股本为 455,813,940股，虞仁荣持有韦尔股份 279,435,000股股份，占上市公司总股本的比例为61.30%。根据标的资产的交易作价及上市公司股份发行价格，本次购买资产发行股份数量合计 398,821,245股。本次交易完成后，上市公司总股本将增加至 854,635,185股（不考虑发行股
份募集配套资金部分）。
本次交易前后，韦尔股份的股权结构变化情况如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|原上市公司股东|||||
|虞仁荣|279,435,000|61.30|279,435,000|32.70|
|其他股东|176,378,940|38.70|176,378,940|20.64|
|小计|455,813,940|100.00|455,813,940|53.33|
|交易对方|||||
|绍兴韦豪|—|—|80,409,522|9.41|
|青岛融通|—|—|61,856,681|7.24|
|Seagull（A3）|—|—|30,815,626|3.61|
|嘉兴水木|—|—|26,671,624|3.12|
|嘉兴豪威|—|—|26,671,624|3.12|
|上海唐芯|—|—|22,874,852|2.68|
|Seagull Investments|—|—|22,779,392|2.67|
|开元朱雀|—|—|20,222,943|2.37|
|元禾华创|—|—|19,479,056|2.28|
|北京集电|—|—|16,184,287|1.89|
|天元滨海|—|—|14,704,590|1.72|
|惠盈一号|—|—|8,332,601|0.97|
|领智基石|—|—|8,323,494|0.97|
|金信华创|—|—|5,881,836|0.69|
|陈杰|—|—|4,520,551|0.53|
|北京博融|—|—|4,072,822|0.48|
|金信华通|—|—|3,921,224|0.46|
|西藏大数|—|—|2,940,918|0.34|
|上海威熠|—|—|2,990,631|0.35|
|西藏锦祥|—|—|1,960,612|0.23|
|上海摩勤|—|—|1,785,389|0.21|
|Seagull（A1）|—|—|1,832,985|0.21|
|刘志碧|—|—|1,339,790|0.16|
|Seagull（C1-Int‘l）|—|—|1,282,754|0.15|
|Seagull（C1）|—|—|996,091|0.12|
|德威资本|—|—|490,153|0.06|
|深圳远卓|—|—|490,153|0.06|
|深圳兴平|—|—|490,153|0.06|
|南昌南芯|—|—|767,414|0.09|
|山西TCL|—|—|613,931|0.07|
|华清博广|—|—|674,312|0.08|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||
|-|-|-|-|-|
|股东名称|本次交易前||发行股份购买资产后（不考虑配套融资）||
||持股数量（股）|持股比例（%）|持股数量（股）|持股比例（%）|
|中关村创投|—|—|306,965|0.04|
|金湘亮|—|—|523,073|0.06|
|旷章曲|—|—|419,453|0.05|
|吴南健|—|—|384,776|0.05|
|董德福|—|—|218,267|0.03|
|程杰|—|—|213,522|0.02|
|钟萍|—|—|209,726|0.02|
|陈黎明|—|—|167,452|0.02|
|小计|—|—|398,821,245|46.67|
|合计|455,813,940|100.00|854,635,185|100.00|

本次交易完成后，如不考虑配套融资的影响，虞仁荣直接持有韦尔股份 279,435,000股，占上市公司总股本的32.70%；通过其控制的绍兴韦豪间接持有韦尔股份80,409,522股，占上市公司总股本的9.41%。虞仁荣合计持股数占上市公司总股本的42.11%，仍为控股股东及实际控制人，本次交易将不会导致上市公司的控制权变更。
（二）本次交易对上市公司业务的影响
本次交易前，韦尔股份主营半导体设计及分销业务，其中设计业务的主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。分销业务主要代理及销售数十家国内外著名半导体生产厂商的产品，与设计业务相互补充，以满足终端客户多样化的产品市场需求。
本次交易标的公司豪威科技、思比科为芯片设计公司，主营业务均为 CMOS图像传感器的研发和销售，韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。通过本次交易，一方面丰富了上市公司设计业务产品类别，带动公司半导体设计整体技术水平快速提升，另一方面也为公司带来智能手机、安防、汽车、医疗等领域优质的客户资源。此外，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，标的公司可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品研发
上，进而使得公司整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及
专业化指导。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易，韦尔股份与标的公司业务高度协同，符合上市公司未来发展战略布局。
（三）本次交易对上市公司财务状况及盈利能力的影响
1、本次交易对上市公司盈利能力驱动因素及持续经营能力的影响
韦尔股份2016年、2017年和2018年1-7月的营业收入分别为21.61亿元、 24.06亿元和 23.08亿元，归属于上市公司股东的净利润分别为 1.42亿元、1.37亿元和 1.92亿元。根据《利润补偿协议》及其补充协议，本次发行股份购买资产的业绩承诺方承诺北京豪威、思比科、视信源在业绩承诺期（2019-2021年度）三年合计经审计的扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润分别不低于251,717.60万元、13,500.00万元和7,269.94万元。
本次交易有利于扩大上市公司资产规模，进一步改善财务状况，增强持续盈利能力，交易完成后，上市公司盈利水平将进一步提高。
2、本次交易对上市公司盈利能力影响的分析
根据立信会计师出具的2018年1-7月及2017年度《韦尔股份备考财务报表审阅报告》，本次交易完成前后上市公司财务数据如下：
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月||2017.12.31/2017年||
||本次交易前|本次交易后（备考）|本次交易前|本次交易后（备考）|
|资产总额（万元）|368,462.67|1,952,967.85|282,490.82|1,914,946.65|
|归属于上市公司股东所有者权益（万元）|153,122.94|1,128,933.70|117,976.44|1,063,885.41|
|营业收入（万元）|230,787.33|740,635.87|240,591.63|1,186,078.01|
|利润总额（万元）|21,162.96|18,419.62|14,538.77|12,872.71|
|归属于母公司所有者的净利润（万元）|19,241.33|20,055.25|13,715.63|245,391.70|
|毛利率（%）|27.91|23.38|20.54|22.26|

注：本次交易后的模拟备考合并数据未考虑募集配套资金的影响，本次交易前上市公司
2018年1-7月的数据未经审计。
本次交易完成后，上市公司的资产总额、净资产及营业收入大幅增加。
2018年 1-7月，受备考合并商誉摊销影响，上市公司备考利润总额有所下降。
但考虑到上市公司与标的资产充分整合后的协同效应，以及北京豪威在 CMOS
图像传感器行业的市场地位和品牌知名度，本次交易完成后将有利于上市公司
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）盈利能力的提高。
3、本次交易对上市公司财务安全性影响分析
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31/2018年1-7月||2017.12.31/2017年||
||本次交易前|本次交易后（备考）|本次交易前|本次交易后（备考）|
|资产负债率（%）|58.18|35.03|57.85|37.13|
|流动比率|1.48|1.96|1.53|2.53|
|速动比率|0.98|1.16|1.18|1.55|

本次交易完成后，上市公司资产负债率大幅下降，2018年7月31日资产负债率从本次交易前的58.18%降至35.04%，流动比率、速动比率分别为 1.96和1.16，偿债能力和抗风险能力均较强。
4、本次交易对上市公司未来资本性支出的影响
本次交易完成后，随着公司业务的不断发展，预计上市公司将在业务整合、产品研发生产等方面存在一定的资本性支出。本次交易完成后，上市公司将继续凭借其广泛的融资渠道及日益增强的融资能力筹集所需资金，满足未来资本性支出的需要。
（四）本次交易对上市公司关联交易的影响
1、本次交易构成关联交易
本次交易对方绍兴韦豪为韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣控制的企业。韦尔股份的监事陈智斌担任交易对方北京博融的董事。此外，本次重组完成后，若不考虑配套融资，青岛融通将持有上市公司7.24%股份，嘉兴水木、嘉兴豪威和华清博广为一致行动人，将合计持有上市公司6.32%股份，上述企业将成为上市公司的关联方。因此，本次交易构成关联交易。
2、本次交易完成后的关联交易情况
本次交易前，上市公司关联交易均遵循公开、公平、公正的原则，上市公司所有关联交易均以双方平等协商为基础，履行必要的决策程序，定价合理、公允。上市公司监事会、独立董事能够依据法律、法规及公司章程等的规定，
勤勉尽责，切实履行监督职责，对关联交易及时发表意见。上市公司对关联交
易的控制能够有效防范风险，加强上市公司治理，维护上市公司及广大中小股
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）东的合法权益。
本次交易完成后，上市公司将不会因本次交易新增关联交易。北京豪威、思比科、视信源将成为上市公司的子公司，有利于减少关联交易，上市公司将继续严格按照《上市规则》、《公司章程》、《关联交易管理制度》等有关法律法规、规范性文件及公司制度的有关要求，审议、披露关联交易事项，确保关联交易的价格合理、公允，维护上市公司及股东的合法权益。
3、关于规范关联交易的承诺
为在本次交易完成后减少并规范关联交易，维护上市公司及中小股东的利益，韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于规范关联交易的承诺函》。
《关于规范关联交易的承诺函》的具体内容详见本报告书―重大事项提示‖之―十、本次交易相关方作出的重要承诺‖。
（五）本次交易对上市公司同业竞争的影响
本次交易完成后，韦尔股份与控股股东、实际控制人之间不存在同业竞争。为充分保护上市公司利益，避免同业竞争，上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于避免同业竞争的承诺》。
《关于避免同业竞争的承诺》的具体内容详见本报告书―重大事项提示‖之―十、本次交易相关方作出的重要承诺‖。
（六）本次交易对上市公司未来发展前景影响分析
1、本次交易完成后对标的公司的具体整合计划
（1）北京豪威
北京豪威目前根据《中外合资经营企业法》制定了决策程序和相关规章制度。
公司董事长虞仁荣自 2017年 9月 20日起担任北京豪威董事，并于 2017年 9月 29日担任北京豪威总经理兼首席执行官；公司董事、财务总监、董事会秘书贾渊自 2018年 4月 28日起担任北京豪威董事；公司证券事务代表任冰自 2018年7月20日起担任北京豪威监事。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易完成后，北京豪威相关制度将根据《公司法》、《上市公司治理准则》、韦尔股份《控股子公司管理制度》等相关法规和内控管理制度进行修订和调整。由于美国豪威成立于 1995年，已建立了较为完善严谨的经营管理决策程序和内部控制制度，在其长期经营中已充分证明了该内部制度的有效性，因此不会大幅调整。
上市公司将在财务上对北京豪威实行统一管理，不断规范日常经营活动中财务运作，降低财务风险，同时提高上市公司体系资金使用效率，实现内部资源的统一管理及优化配置。
（2）思比科、视信源
本次收购前，思比科已经按照法律法规的要求，建立了完善的法人治理结构，并规范运作。本次收购完成后，思比科将纳入上市公司管理体系，按照上市公司《控股子公司管理制度》等相关法规和内控管理制度进行修订和调整，思比科的公司治理结构将进一步完善，整体经营效率及公司治理有效性将进一步提升。
视信源作为思比科的持股公司，无实际经营。本次收购后，上市公司保证其管理层与治理层的稳定，按照目前的机构设置进行管理。
2、公司具备整合标的公司所需的相关人员、技术和管理储备
本次交易后，上市公司将维持标的公司原有经营管理团队和业务团队的相对稳定，标的公司核心管理及技术团队成员将全部留任，维持独立经营状态，韦尔股份将参与标的公司的重大经营决策。
韦尔股份是国内少数集半导体产品设计及分销业务为一体的上市公司，根据上市公司未来发展战略布局，本次交易完成后，韦尔股份将对豪威科技及思比科进行业务分工，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，具体协同效应见本报告书―第一节本次交易概况‖之―七、本次交易对上市公司的影响‖之―（七）上市公司与标的公司的协同效应‖。
3、本次交易完成后核心管理团队以及研发技术人员的安排意向
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）鉴于本次交易转让的标的资产为标的公司股权，本次交易完成后，标的公司及其子公司作为独立法人的身份不会发生变化，标的公司及其子公司将继续履行与其员工的劳动合同，并不因本次交易而导致额外的人员安排问题。根据北京豪威和思比科与上市公司签订的《发行股份购买资产协议》，北京豪威和思比科承诺在本次发行的股份完全解锁前，尽量保持公司及子公司核心经营管理团队和核心技术团队的基本稳定。
韦尔股份董事长虞仁荣自 2017年 9月起担任美国豪威董事、首席执行官，已参与到美国豪威的日常经营管理工作当中。本次交易完成后，上市公司会根据经营管理需要，另行决定是否委派董事或高级管理人员对标的公司进行管理。同时上市公司将保留标的公司相对独立的运营管理权，主要由原核心管理团队负责日常业务的运营和管理。此外，由于标的公司属于知识密集型行业，核心技术人员是标的公司核心竞争力的重要体现。本次交易完成后，上市公司会利用合理的激励措施来稳定核心技术团队。
（七）上市公司与标的公司的协同效应
豪威科技与思比科的主营业务均为 CMOS图像传感器研发和销售。从销售额和市场占有率来看，豪威科技是位索尼、三星之后的全球第三大 CMOS图像传感器供应商，技术处于全球领先水平，其 CMOS图像传感器在中高端智能手机市场占有较高份额，在安防、汽车用图像传感器领域也处于行业领先地位，具有很高的市场接受度和发展潜力。思比科 CMOS图像传感器在国内中低端智能手机市场占有较高份额。韦尔股份通过本次重组，可以实现在 CMOS图像传感器领域高中低端产品的垂直全覆盖，三者又有较明显的协同效应。
韦尔股份是国内少数集半导体产品设计及分销业务为一体的上市公司，根据上市公司未来发展战略布局，本次交易完成后，韦尔股份将对豪威科技及思比科进行业务分工。豪威科技拥有较强的研发及技术优势，凭借自身高素质的研发团队及市场领先的经验技术，将主要负责高端 CMOS图像传感器的研发、量产以及新兴市场的产品定义及拓展；而思比科拥有较低成本、较高性价比优势，将依赖自身长期建立的供应链体系，主要负责中低端 CMOS图像传感器的研发及量产。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易，韦尔股份与标的公司业务高度协同。具体协同效应体现如下：
1、标的公司可以更专注于技术研发
韦尔股份是国内有较高影响力的半导体分销商之一，自身拥有强大的半导体分销体系、完善的销售网络和供应链体系以及高技术、高执行力、高服务能力的现场技术支持工程师团队。标的公司主要从事芯片设计，借助韦尔股份的分销渠道优势，能够快速获取更全面的市场信息，标的公司可以将精力集中于客户设计方案的理解和芯片产品技术研发上，进而使其整体方案解决能力得到加强，为客户提供更好的解决方案及专业化指导。
2、标的公司受益于上市公司的销售渠道
目前，韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。标的公司可以借助韦尔股份强大的销售能力和分销渠道，提升产品市场份额。韦尔股份创始人虞仁荣在半导体产品分销行业已有 20多年的从业经验，韦尔股份之全资子公司香港华清专注于半导体产品分销，在行业内具有较高影响力，豪威科技、思比科可借助韦尔股份的分销渠道扩大销售、提升产品市场占有率。
3、上市公司受益于标的公司
目前，韦尔股份半导体设计业务主要产品包括分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等，与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域，终端客户重合度较高。本次交易，一方面能够丰富韦尔股份设计业务产品类别，增加 CMOS图像传感器产品，带动韦尔股份半导体设计整体技术水平快速提升，在无需增加过多销售投入的情况下为下游客户提供更丰富的产品；另一方面标的公司也为韦尔股份带来移动通信、安防、汽车电子、医疗等领域优质的客户资源。
4、标的公司之间的协同
本次交易完成后，在研发上，思比科将借助豪威科技强大的行业定义及产品设计能力，在豪威科技的技术带动下，其设计及产品定义能力将大幅提升。
同时思比科长期致力于中低端 CMOS图像传感器的研发设计，对于豪威科技的高端技术前沿产品，其能够通过部分工艺及参数修改，以满足中低端 CMOS传
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）感器市场的需求。同时双方在研发过程中的参数及良率等试验数据的共享，能够大大缩短研发进程，节约研发成本。
综上所述，本次交易完成后，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，这些协同效应将最终体现在经营效率的提高、成本的下降、未来上市公司经营业绩的提高等方面。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十节财务会计信息
一、北京豪威最近两年及一期合并财务报表
普华永道对北京豪威2016年、2017年和2018年1-7月的财务报告进行了审计，并出具了审计报告（普华永道中天特审字（2018）第2671号）。
（一）北京豪威最近两年及一期合并资产负债表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产：||||
|货币资金|2,011,573,301.06|2,573,730,173.68|5,334,520,847.01|
|应收账款|1,169,086,563.41|799,466,224.51|388,198,300.67|
|预付款项|81,085,535.47|37,743,895.96|37,520,949.66|
|其他应收款|2,874,013.41|8,911,673.37|256,127.91|
|存货|2,404,383,285.91|2,572,068,952.06|3,512,906,171.89|
|其他流动资产|66,474,237.86|199,863,096.64|50,199,961.22|
|流动资产合计|5,735,476,937.12|6,191,784,016.22|9,323,602,358.36|
|非流动资产：||||
|可供出售金融资产|-|-|228,063,468.87|
|投资性房地产|68,397,687.29|66,465,139.53|72,200,497.17|
|固定资产|998,658,651.10|1,004,043,782.37|1,056,640,329.88|
|在建工程|140,921,023.59|40,345,502.13|50,262,179.18|
|无形资产|1,306,315,396.24|1,358,296,191.51|1,694,209,982.85|
|开发支出|166,154,341.45|95,413,947.00|-|
|商誉|5,007,859,426.80|4,800,462,857.27|5,096,386,824.24|
|长期待摊费用|104,461,145.08|107,270,950.43|126,548,284.93|
|递延所得税资产|161,010,721.59|218,116,001.88|596,570,706.56|
|其他非流动资产|417,699,361.00|452,303,461.25|445,996,954.57|
|非流动资产合计|8,371,477,754.14|8,142,717,833.37|9,366,879,228.25|
|资产总计|14,106,954,691.26|14,334,501,849.59|18,690,481,586.61|
|流动负债：||||
|短期借款|-|260,229,241.38|-|
|应付账款|941,476,837.48|937,405,041.96|1,360,095,433.85|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|预收款项|95,597,335.76|143,568,056.43|298,995,237.30|
|应付职工薪酬|111,663,361.44|121,829,661.94|93,702,574.99|
|应交税费|219,620,190.27|217,925,141.30|86,126,462.24|
|其他应付款|398,842,559.06|136,654,955.89|269,589,842.33|
|一年内到期的非流动负债|613,485,000.00|-|2,316,740,941.27|
|其他流动负债|26,211,098.91|33,516,911.00|7,536,807.71|
|流动负债合计|2,406,896,382.92|1,851,129,009.90|4,432,787,299.69|
|非流动负债：||||
|长期借款|1,293,249,872.52|2,519,594,811.19|3,150,344,914.37|
|预计负债|777,891,498.55|644,873,606.44|726,177,001.46|
|递延收益|5,471,542.38|5,870,769.21|3,184,998.68|
|递延所得税负债|47,332,277.80|265,134,264.33|3,617,557,157.31|
|其他非流动负债|4,244,775.99|4,335,026.12|3,683,220.96|
|非流动负债合计|2,128,189,967.24|3,439,808,477.29|7,500,947,292.78|
|负债合计|4,535,086,350.16|5,290,937,487.19|11,933,734,592.47|
|所有者权益：||||
|实收资本|8,578,159,934.74|8,578,159,934.74|8,578,159,934.74|
|资本公积|110,196,545.69|110,196,545.69|110,196,545.69|
|其他综合收益|197,007,699.22|-164,879,827.57|293,618,962.76|
|未分配利润/累计亏损|686,504,161.45|520,087,709.54|-2,225,228,449.05|
|归属于母公司所有者权益合计|9,571,868,341.10|9,043,564,362.40|6,756,746,994.14|
|少数股东权益|-|-|-|
|所有者权益合计|9,571,868,341.10|9,043,564,362.40|6,756,746,994.14|
|负债和所有者权益总计|14,106,954,691.26|14,334,501,849.59|18,690,481,586.61|

（二）北京豪威最近两年及一期合并利润表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、营业收入|5,015,618,072.24|9,050,387,346.09|7,956,500,107.97|
|二、营业成本|3,817,175,094.76|6,957,321,855.62|6,703,653,390.22|
|税金及附加|4,044,518.02|7,222,696.55|8,341,174.56|
|销售费用|154,514,173.91|293,610,688.38|297,663,115.30|
|管理费用|152,793,805.01|249,979,262.90|1,383,904,712.97|
|研发费用|545,449,289.76|1,101,693,471.50|1,157,789,916.42|
|财务费用|76,419,766.86|95,075,829.51|304,516,340.87|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|资产减值损失|114,136,717.81|308,712,420.69|128,340,375.37|
|加：其他收益|2,696,892.28|3,467,947.50|-|
|减：投资损失|10,878,466.16|12,460,276.77|128,792,644.91|
|资产处置损失|186,840.62|53,284.80|90,472.43|
|三、营业利润（亏损以“-”号填列）|142,716,291.61|27,725,506.87|-2,156,592,035.08|
|加：营业外收入|465,943.81|528,377.09|2,021,613.95|
|减：营业外支出|290,857.33|1,749,533.52|16,546,537.92|
|四、利润总额（亏损总额以“-”号填列）|142,891,378.09|26,504,350.44|-2,171,116,959.05|
|减：所得税费用|23,525,073.82|2,718,811,808.15|28,587,621.46|
|五、净利润（净亏损以“-”号填列）|166,416,451.91|2,745,316,158.59|-2,142,529,337.59|
|归属于母公司所有者的净利润（亏损以―-‖号填列）|166,416,451.91|2,745,316,158.59|-2,142,529,337.59|
|少数股东损益|-|-|-|
|六、其他综合收益的税后净额|361,887,526.79|-458,498,790.33|294,334,707.14|
|其中：归属于母公司所有者的其他综合收益的税后净额以后将重分类进损益的其他综合收益|-|-|-|
|可供出售金融资产公允价值变动|-37,071,233.32|32,936,508.57|-20,885,198.82|
|外币财务报表折算差额|398,958,760.11|-491,435,298.90|315,219,905.96|
|归属于少数股东的其他综合收益的税后净额|-|-|-|
|七、综合收益总额|528,303,978.70|2,286,817,368.26|-1,848,194,630.45|
|归属于母公司所有者的综合收益总额|528,303,978.70|2,286,817,368.26|-1,848,194,630.45|
|归属于少数股东的综合收益总额|-|-|-|

（三）北京豪威最近两年及一期合并现金流量表
单位：元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、经营活动产生的现金流量||||
|销售商品、提供劳务收到的现金|4,829,326,725.52|8,419,220,339.32|8,683,596,112.26|
|收到的税费返还|11,282,501.52|5,131,382.29|2,289,392.11|
|收到其他与经营活动有关的现金|24,596,574.28|30,585,239.62|29,940,038.01|
|经营活动现金流入小计|4,865,205,801.32|8,454,936,961.23|8,715,825,542.38|
|购买商品、接受劳务支付的现金|3,718,347,675.55|7,033,960,685.44|7,565,707,043.23|
|支付给职工以及为职工支付的现金|636,726,341.61|1,068,980,606.05|2,014,949,310.38|
|支付的各项税费|33,258,307.42|120,452,519.91|193,692,430.23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|支付其他与经营活动有关的现金|67,793,654.00|158,166,311.59|135,048,624.67|
|经营活动现金流出小计|4,456,125,978.58|8,381,560,122.99|9,909,397,408.51|
|经营活动产生的现金流量净额|409,079,822.74|73,376,838.24|-1,193,571,866.13|
|二、投资活动产生的现金流量||||
|收回投资理财产品|262,728,000.00|46,710,077.07|21,186,969,342.79|
|收回对子公司以外投资所收到的现金|62,902,513.61|64,337,244.41|636,220,810.50|
|取得投资收益所收到的现金|4,718,799.95|450,545.11|14,377,909.57|
|处置固定资产收回的现金净额|1,183,134.15|1,713,439.99|47,753.69|
|投资活动现金流入小计|331,532,447.71|113,211,306.58|21,837,615,816.55|
|购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金|100,335,073.34|116,077,343.71|181,912,630.57|
|投资支付的现金|-|267,902,200.00|-|
|支付购买理财产品|-|-|18,835,231,613.31|
|购买子公司所支付的现金|-|-|9,690,248,668.66|
|支付其他与投资活动有关的现金|-|33,201,910.00|191,229,798.55|
|投资活动现金流出小计|100,335,073.34|417,181,453.71|28,898,622,711.09|
|投资活动产生的现金流量净额|231,197,374.37|-303,970,147.13|-7,061,006,894.54|
|三、筹资活动产生的现金流量||||
|吸收投资收到的现金|-|-|7,849,823,779.18|
|取得借款收到的现金|-|531,075,748.03|5,183,570,708.33|
|筹资活动现金流入小计|-|531,075,748.03|13,033,394,487.51|
|偿还借款所支付的现金|961,103,880.00|2,981,294,361.50|15,084,170.91|
|分配股利、利润或偿付利息支付的现金|48,277,497.90|129,988,924.75|216,157,359.66|
|支付其他与筹资活动有关的现金|-|-|97,862,152.8|
|筹资活动现金流出小计|1,009,381,377.90|3,111,283,286.25|329,103,683.37|
|筹资活动产生的现金流量净额|-1,009,381,377.90|-2,580,207,538.22|12,704,290,804.14|
|四、汇率变动对现金及现金等价物的影响|74,849,508.17|-217,892,024.93|156,335,344.12|
|五、现金及现金等价物净增加额|-294,254,672.62|-3,028,692,872.04|4,606,047,387.59|
|加：期初现金及现金等价物余额|2,305,427,973.68|5,334,120,845.72|728,073,458.13|
|六、期末现金及现金等价物余额|2,011,173,301.06|2,305,427,973.68|5,334,120,845.72|

二、思比科最近两年及一期合并财务报表
立信会计师对思比科编制的2016年、2017年和2018年1-7月的合并及母公
司财务报表及附注进行了审计，并出具了信会师报字[2018]第 ZA15938号标准
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）无保留意见审计报告，具体如下：
（一）思比科最近两年及一期合并资产负债表
单位：元
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|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产：||||
|货币资金|25,299,510.64|27,388,835.77|48,760,166.10|
|应收票据及应收账款|25,604,243.99|24,444,312.74|44,961,222.88|
|预付款项|602,935.58|2,500,996.09|952,860.94|
|其他应收款|7,216,517.09|2,619,778.14|2,067,722.78|
|存货|179,555,383.80|154,540,678.49|113,991,782.96|
|其他流动资产|3,045,032.29|3,476,391.89|761,798.90|
|流动资产合计|241,323,623.39|214,970,993.12|211,495,554.56|
|非流动资产：||||
|可供出售金融资产|2,700,000.00|2,700,000.00|2,700,000.00|
|固定资产|10,631,130.55|10,227,428.34|10,898,352.18|
|在建工程|-|-|-|
|无形资产|290,224.50|818,218.90|1,704,186.38|
|商誉|-|-|-|
|长期待摊费用|428,655.68|611,466.32|369,813.97|
|递延所得税资产|16,333,876.86|11,903,566.28|8,518,927.71|
|其他非流动资产|-|521,085.27|265,400.00|
|非流动资产合计|30,383,887.59|26,781,765.11|24,456,680.24|
|资产总计|271,707,510.98|241,752,758.23|235,952,234.80|
|流动负债：||||
|短期借款|93,976,409.11|63,552,456.14|68,694,861.89|
|应付票据及应付账款|40,676,657.21|39,746,824.78|39,962,753.52|
|预收款项|58,029,769.07|35,919,388.03|8,891,756.25|
|应付职工薪酬|3,368,924.79|3,349,689.51|4,703,104.98|
|应交税费|1,468,420.26|259,462.16|1,740,768.37|
|其他应付款|608,335.88|442,986.29|480,729.28|
|其他流动负债|-|-|-|
|流动负债合计|198,128,516.32|143,270,806.91|124,473,974.29|
|非流动负债：||||
|递延收益|463,186.14|524,494.00|1,973,775.98|
|其他非流动负债|-|-|-|
|非流动负债合计|463,186.14|524,494.00|1,973,775.98|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|项 目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|负债合计|198,591,702.46|143,795,300.91|126,447,750.27|
|所有者权益：||||
|股本|52,500,000.00|52,500,000.00|52,500,000.00|
|资本公积|40,331,703.47|40,331,703.47|40,331,703.47|
|盈余公积|4,667,454.99|4,667,454.99|4,667,454.99|
|未分配利润|-24,383,349.94|458,298.86|12,005,326.07|
|归属于母公司所有者权益合计|73,115,808.52|97,957,457.32|109,504,484.53|
|少数股东权益|-|-|-|
|所有者权益合计|73,115,808.52|97,957,457.32|109,504,484.53|
|负债和所有者权益总计|271,707,510.98|241,752,758.23|235,952,234.80|

（二）思比科最近两年及一期合并利润表
单位：元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年度|2016年度|
|一、营业总收入|265,769,811.04|460,089,304.98|461,254,186.68|
|其中：营业收入|265,769,811.04|460,089,304.98|461,254,186.68|
|二、营业总成本|295,983,651.48|477,776,071.22|462,584,108.00|
|其中：营业成本|244,747,050.76|404,649,924.47|393,346,201.42|
|税金及附加|566,131.27|2,079,269.33|1,026,716.48|
|销售费用|10,756,657.10|20,759,651.08|19,610,511.40|
|管理费用|6,804,594.65|12,236,043.28|14,190,603.36|
|研发费用|17,027,189.05|24,061,470.43|22,631,240.97|
|财务费用|7,209,884.65|228,278.26|8,655,107.61|
|其中：利息费用|2,966,753.20|2,741,132.84|3,492,883.21|
|利息收入|52,375.29|107,887.93|165,113.47|
|资产减值损失|8,872,144.00|13,761,434.37|3,123,726.76|
|加：其他收益|934,935.76|2,796,728.09||
|投资收益（损失以―-‖号填列）|-|-|-|
|资产处置收益（损失以―-‖号填列）|-|92,641.85|-58,960.98|
|三、营业利润（亏损以“-”号填列）|-29,278,904.68|-14,797,396.30|-1,388,882.30|
|加：营业外收入|6,945.30|1,165.05|2,967,123.67|
|减：营业外支出|-|135,434.53|1,983.20|
|四、利润总额（亏损总额以“-”号填列）|-29,271,959.38|-14,931,665.78|1,576,258.17|
|减：所得税费用|-4,430,310.58|-3,384,638.57|-832,754.02|
|五、净利润（净亏损以“-”号填列）|-24,841,648.80|-11,547,027.21|2,409,012.19|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|项目|2018年1-7月|2017年度|2016年度|
|（一）按经营持续性分类||||
|1．持续经营净利润（净亏损以―-‖号填列）|-24,841,648.80|-11,547,027.21|2,409,012.19|
|2．终止经营净利润（净亏损以―-‖号填列）||||
|（二）按所有权归属分类||||
|1．少数股东损益||||
|2．归属于母公司股东的净利润|-24,841,648.80|-11,547,027.21|2,409,012.19|
|六、其他综合收益的税后净额|-|-|-|
|归属母公司所有者的其他综合收益的税后净额|-|-|-|
|（一）不能重分类进损益的其他综合收益|-|-|-|
|1．重新计量设定受益计划变动额||||
|2．权益法下不能转损益的其他综合收益||||
|（二）将重分类进损益的其他综合收益|-|-|-|
|1．权益法下可转损益的其他综合收益||||
|2．可供出售金融资产公允价值变动损益||||
|3．持有至到期投资重分类为可供出售金融资产损益||||
|4．现金流量套期损益的有效部分||||
|5．外币财务报表折算差额||||
|6．其他||||
|归属于少数股东的其他综合收益的税后净额||||
|七、综合收益总额|-24,841,648.80|-11,547,027.21|2,409,012.19|
|归属于母公司所有者的综合收益总额|-24,841,648.80|-11,547,027.21|2,409,012.19|
|归属于少数股东的综合收益总额|-|-|-|
|八、每股收益：||||
|（一）基本每股收益（元/股）|-0.47|-0.22|0.05|
|（二）稀释每股收益（元/股）|-0.47|-0.22|0.05|

（三）思比科最近两年及一期合并现金流量表
单位：元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、经营活动产生的现金流量||||
|销售商品、提供劳务收到的现金|262,174,833.74|470,174,155.02|438,693,032.63|
|收到的税费返还|7,171,580.37|12,900,102.85|22,204,313.68|
|收到其他与经营活动有关的现金|1,803,861.52|2,866,970.07|11,177,047.61|
|经营活动现金流入小计|271,150,275.63|485,941,227.94|472,074,393.92|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|购买商品、接受劳务支付的现金|249,836,674.04|420,036,967.70|362,989,280.91|
|支付给职工以及为职工支付的现金|30,016,323.25|49,650,188.22|45,682,620.16|
|支付的各项税费|537,238.03|7,335,804.32|2,030,206.19|
|支付其他与经营活动有关的现金|10,356,124.97|17,905,513.12|27,063,988.34|
|经营活动现金流出小计|290,746,360.29|494,928,473.36|437,766,095.60|
|经营活动产生的现金流量净额|-19,596,084.66|-8,987,245.42|34,308,298.32|
|二、投资活动产生的现金流量||||
|处置固定资产、无形资产和其他长期资产收回的现金净额|-|120,000.00|4,500.00|
|投资活动现金流入小计|-|120,000.00|4,500.00|
|购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金|2,585,732.65|6,096,557.13|8,208,797.67|
|投资支付的现金|-|-|2,700,000.00|
|支付其他与投资活动有关的现金|-|-|-|
|投资活动现金流出小计|2,585,732.65|6,096,557.13|10,908,797.67|
|投资活动产生的现金流量净额|-2,585,732.65|-5,976,557.13|-10,904,297.67|
|三、筹资活动产生的现金流量||||
|吸收投资收到的现金|-|-|-|
|取得借款收到的现金|111,619,405.21|157,135,634.05|216,448,777.42|
|收到其他与筹资活动有关的现金|25,516,872.22|49,956,524.17|60,356,238.96|
|筹资活动现金流入小计|137,136,277.43|207,092,158.22|276,805,016.38|
|偿还债务支付的现金|85,116,662.04|160,432,546.22|222,440,029.81|
|分配股利、利润或偿付利息支付的现金|2,632,180.74|2,760,774.99|3,209,131.26|
|支付其他与筹资活动有关的现金|21,056,868.48|49,063,516.24|62,824,051.62|
|筹资活动现金流出小计|108,805,711.26|212,256,837.45|288,473,212.69|
|筹资活动产生的现金流量净额|28,330,566.17|-5,164,679.23|-11,668,196.31|
|四、汇率变动对现金及现金等价物的影响|-3,778,070.25|-349,840.62|-639,899.36|
|五、现金及现金等价物净增加额|2,370,678.61|-20,478,322.40|11,095,904.98|
|加：期初现金及现金等价物余额|9,014,289.19|29,492,611.59|18,396,706.61|
|六、期末现金及现金等价物余额|11,384,967.80|9,014,289.19|29,492,611.59|

三、视信源最近两年及一期母公司财务报表
立信会计师对视信源编制的2016年、2017年和2018年1-7月的合并及母公
司财务报表及附注进行了审计，并出具了信会师报字[2018]第 ZA15940号标准
无保留意见审计报告。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权。思比科财务报表见本节―二、思比科最近两年及一期合并财务报表‖。视信源母公司财务报表情况如下：
（一）视信源最近两年及一期母公司资产负债表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|流动资产：||||
|货币资金|55,974.42|72,626.83|826,366.20|
|应收票据及应收账款|-|-|-|
|预付款项|6,595.82|1,424.99|1,424.95|
|其他应收款|9,719.05|8,845.91|953.84|
|存货|-|-|-|
|其他流动资产|-|-|-|
|流动资产合计|72,289.29|82,897.73|828,744.99|
|非流动资产：||||
|长期股权投资|3,800,000.00|3,800,000.00|3,800,000.00|
|固定资产|47,951.40|47,951.40|47,951.40|
|递延所得税资产|176.01|164.52|1,793.49|
|其他非流动资产|-|-|-|
|非流动资产合计|3,848,127.41|3,848,115.92|3,849,744.89|
|资产总计|3,920,416.70|3,931,013.65|4,678,489.88|
|流动负债：||||
|短期借款|-|-|-|
|应付职工薪酬|6,200.00|10,052.00|9,552.00|
|应交税费|129.21|753.10|624.59|
|其他应付款|1,711,770.21|1,621,770.21|2,186,632.71|
|流动负债合计|1,718,099.42|1,632,575.31|2,196,809.30|
|非流动负债合计|-|-|-|
|负债合计|1,718,099.42|1,632,575.31|2,196,809.30|
|所有者权益：||||
|实收资本|16,160,450.00|16,160,450.00|16,160,450.00|
|资本公积|-|-|-|
|未分配利润|-13,958,132.72|-13,862,011.66|-13,678,769.42|
|所有者权益合计|2,202,317.28|2,298,438.34|2,481,680.58|
|负债和所有者权益总计|3,920,416.70|3,931,013.65|4,678,489.88|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（二）视信源最近两年及一期母公司利润表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、营业收入|-|-|65,000.00|
|减：营业成本|-|-|13,908.85|
|税金及附加|51.00|1,930.11|824.40|
|销售费用|-|-|-|
|管理费用|96,347.44|184,498.15|149,218.31|
|研发费用||||
|财务费用|-311.85|1,700.89|-1,470.52|
|其中：利息费用|-|-|-|
|利息收入|23.21|239.62|186.57|
|资产减值损失|45.96|-6,515.88|16.17|
|二、营业利润（亏损以―-‖填列）|-96,132.55|-181,613.27|-97,497.21|
|加：营业外收入|-|-|-|
|减：营业外支出|-|-|-|
|三、利润总额（亏损总额以―-‖号填列）|-96,132.55|-181,613.27|-97,497.21|
|减：所得税费用|-11.49|1,628.97|-4.04|
|四、净利润（净亏损以―-‖号填列）|-96,121.06|-183,242.24|-97,493.17|
|（一）持续经营净利润（净亏损以―-‖号填列）|-96,121.06|-183,242.24|-97,493.17|
|（二）终止经营净利润（净亏损以―-‖号填列）||||
|五、其他综合收益的税后净额|-|-|-|
|六、综合收益总额|-96,121.06|-183,242.24|-97,493.17|
|七、每股收益：||||
|（一）基本每股收益（元/股）||||
|（二）稀释每股收益（元/股）||||

（三）视信源最近两年及一期母公司现金流量表
单位：元
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|一、经营活动产生的现金流量||||
|销售商品、提供劳务收到的现金|-|-|65,000.00|
|收到的税费返还|-|-|-|
|收到其他与经营活动有关的现金|98,323.21|577,170.87|870,186.57|
|经营活动现金流入小计|98,323.21|577,170.87|935,186.57|
|购买商品、接受劳务支付的现金|-|-|-|
|支付给职工以及为职工支付的现金|79,652.42|147,943.91|108,508.85|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||
|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年|2016年|
|支付的各项税费|51.00|1,930.11|824.40|
|支付其他与经营活动有关的现金|36,050.84|1,179,925.71|37,341.85|
|经营活动现金流出小计|115,754.26|1,329,799.73|146,675.10|
|经营活动产生的现金流量净额|-17,431.05|-752,628.86|788,511.47|
|二、投资活动产生的现金流量||||
|投资活动现金流入小计|-|-|-|
|投资活动现金流出小计|-|-|-|
|投资活动产生的现金流量净额|-|-|-|
|三、筹资活动产生的现金流量||||
|筹资活动现金流入小计|-|-|-|
|筹资活动现金流出小计|-|-|-|
|筹资活动产生的现金流量净额|-|-|-|
|四、汇率变动对现金及现金等价物的影响|778.64|-1,110.51|2,313.95|
|五、现金及现金等价物净增加额|-16,652.41|-753,739.37|790,825.42|
|加：期初现金及现金等价物余额|72,626.83|826,366.20|35,540.78|
|六、期末现金及现金等价物余额|55,974.42|72,626.83|826,366.20|

四、上市公司备考合并财务报告
（一）韦尔股份最近一年一期备考合并财务报表审阅情况
立信会计师对上市公司 2017年和 2018年 1-7月的备考财务报告进行了审阅，并出具了信会师报字[2018]第 ZA15937号《韦尔股份备考财务报表审阅报告》。
（二）韦尔股份备考合并财务报表
1、备考合并资产负债表
单位：元
||||
|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|
|流动资产：|||
|货币资金|2,511,708,793.69|3,389,808,490.60|
|结算备付金|-|-|
|拆出资金|-|-|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产|-|-|
|衍生金融资产|-|-|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|
|应收票据及应收账款|2,493,981,270.42|1,715,063,514.44|
|预付款项|172,647,955.34|116,258,169.95|
|应收保费|-|-|
|应收分保账款|-|-|
|应收分保合同准备金|-|-|
|其他应收款|23,849,712.36|21,985,122.26|
|买入返售金融资产|-|-|
|存货|3,674,135,444.05|3,448,673,146.47|
|持有待售资产|-|-|
|一年内到期的非流动资产|-|-|
|其他流动资产|152,149,330.39|257,721,262.54|
|流动资产合计|9,028,472,506.25|8,949,509,706.26|
|非流动资产：|-|-|
|发放贷款和垫款|-|-|
|可供出售金融资产|39,921,594.50|39,626,793.58|
|持有至到期投资|-|-|
|长期应收款|-|-|
|长期股权投资|24,802,386.64|-|
|投资性房地产|159,442,251.57|159,038,911.12|
|固定资产|1,298,607,877.34|1,307,970,887.09|
|在建工程|141,655,921.14|41,403,631.03|
|生产性生物资产|-|-|
|油气资产|-|-|
|无形资产|1,514,573,797.88|1,575,355,532.27|
|开发支出|189,493,484.80|111,712,240.97|
|商誉|6,343,636,314.19|6,136,239,744.66|
|长期待摊费用|105,251,852.93|107,891,744.23|
|递延所得税资产|253,919,959.07|264,918,558.82|
|其他非流动资产|429,900,586.66|455,798,756.84|
|非流动资产合计|10,501,206,026.72|10,199,956,800.61|
|资产总计|19,529,678,532.97|19,149,466,506.87|
|流动负债：|-|-|
|短期借款|766,552,412.74|813,166,344.19|
|向中央银行借款|-|-|
|吸收存款及同业存放|-|-|
|拆入资金|-|-|
|以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债|-|-|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|项目|2018.7.31|2017.12.31|
|衍生金融负债|-|-|
|应付票据及应付账款|1,527,813,246.47|1,263,032,868.31|
|预收款项|129,320,652.99|173,007,851.86|
|卖出回购金融资产款|-|-|
|应付手续费及佣金|-|-|
|应付职工薪酬|122,816,520.96|136,097,894.28|
|应交税费|284,969,446.56|253,065,848.95|
|其他应付款|1,132,685,174.72|867,925,916.16|
|应付分保账款|-|-|
|保险合同准备金|-|-|
|代理买卖证券款|-|-|
|代理承销证券款|-|-|
|持有待售负债|-|-|
|一年内到期的非流动负债|627,485,000.00|-|
|其他流动负债|26,211,098.91|33,516,911.00|
|流动负债合计|4,617,853,553.35|3,539,813,634.75|
|非流动负债：|||
|长期借款|1,342,249,872.52|2,589,594,811.19|
|应付债券|-|-|
|其中：优先股|-|-|
|永续债|-|-|
|长期应付款|-|-|
|长期应付职工薪酬|-|-|
|预计负债|777,891,498.55|644,873,606.44|
|递延收益|6,230,646.92|6,762,610.17|
|递延所得税负债|92,631,207.85|325,039,609.73|
|其他非流动负债|4,244,775.99|4,335,026.12|
|非流动负债合计|2,223,248,001.83|3,570,605,663.65|
|负债合计|6,841,101,555.18|7,110,419,298.40|
|所有者权益：|||
|归属于母公司所有者权益合计|11,289,336,957.22|10,638,854,069.27|
|少数股东权益|1,399,240,020.57|1,400,193,139.20|
|所有者权益合计|12,688,576,977.79|12,039,047,208.47|
|负债和所有者权益总计|19,529,678,532.97|19,149,466,506.87|

2、备考合并利润表
单位：元
||||
|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年度|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年度|
|一、营业总收入|7,406,358,737.42|11,860,780,142.66|
|其中：营业收入|7,406,358,737.42|11,860,780,142.66|
|利息收入|-|-|
|已赚保费|-|-|
|手续费及佣金收入|-|-|
|二、营业总成本|7,222,124,368.35|11,745,803,669.57|
|其中：营业成本|5,674,713,946.87|9,220,266,381.17|
|利息支出|-|-|
|手续费及佣金支出|-|-|
|退保金|-|-|
|赔付支出净额|-|-|
|提取保险合同准备金净额|-|-|
|保单红利支出|-|-|
|分保费用|-|-|
|税金及附加|11,307,681.98|14,332,065.63|
|销售费用|216,835,383.58|388,085,607.52|
|管理费用|403,020,259.17|422,947,180.29|
|研发费用|636,083,570.31|1,210,741,057.96|
|财务费用|102,690,271.74|143,580,009.84|
|其中：利息费用|105,972,090.49|202,687,748.94|
|利息收入|9,511,327.47|78,135,172.34|
|资产减值损失|177,473,254.70|345,851,367.16|
|加：其他收益|7,972,231.71|13,663,009.76|
|投资收益（损失以―-‖号填列）|-8,428,283.49|-12,460,276.77|
|其中：对联营企业和合营企业的投资收益|-197,613.36|-|
|公允价值变动收益（损失以―-‖号填列）|-|-|
|资产处置收益（损失以―-‖号填列）|732,560.47|645,164.97|
|汇兑收益（损失以―-‖号填列）|-|-|
|三、营业利润（亏损以“-”号填列）|184,510,877.76|116,824,371.05|
|加：营业外收入|658,109.80|14,770,596.17|
|减：营业外支出|972,830.64|2,867,906.74|
|四、利润总额（亏损总额以“-”号填列）|184,196,156.92|128,727,060.48|
|减：所得税费用|-4,382,874.12|-2,703,129,538.41|
|五、净利润（净亏损以“-”号填列）|188,579,031.04|2,831,856,598.89|
|（一）按经营持续性分类|||
|1．持续经营净利润（净亏损以―-‖号填列）|188,579,031.04|2,831,856,598.89|
|2．终止经营净利润（净亏损以―-‖号填列）|-|-|
|（二）按所有权归属分类|||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||
|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年度|
|1．少数股东损益|-11,973,465.43|377,939,571.40|
|2．归属于母公司股东的净利润|200,552,496.47|2,453,917,027.49|
|六、其他综合收益的税后净额|375,362,932.46|-483,724,890.50|
|归属母公司所有者的其他综合收益的税后净额|323,282,297.33|-417,788,148.93|
|（一）不能重分类进损益的其他综合收益|||
|1．重新计量设定受益计划变动额|-|-|
|2．权益法下不能转损益的其他综合收益|-|-|
|（二）将重分类进损益的其他综合收益|323,282,297.33|-417,788,148.93|
|1．权益法下可转损益的其他综合收益|-|-|
|2．可供出售金融资产公允价值变动损益|-31,706,787.86|28,170,384.33|
|3．持有至到期投资重分类为可供出售金融资产损益|-|-|
|4．现金流量套期损益的有效部分|-|-|
|5．外币财务报表折算差额|354,989,085.19|-435,339,613.26|
|6．其他|-|-10,618,920.00|
|归属于少数股东的其他综合收益的税后净额|52,080,635.13|-65,936,741.57|
|七、综合收益总额|563,941,963.50|2,348,131,708.39|
|归属于母公司所有者的综合收益总额|523,834,793.80|2,036,128,878.56|
|归属于少数股东的综合收益总额|40,107,169.70|312,002,829.83|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十一节同业竞争与关联交易
一、同业竞争情况
（一）本次交易不会新增同业竞争
本次交易完成后，韦尔股份与控股股东、实际控制人控制的企业之间不存在同业竞争。
（二）避免同业竞争的措施
为充分保护上市公司利益，避免同业竞争，上市公司控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于避免同业竞争的承诺》，具体内容如下：
―1、承诺方保证本次交易完成后不直接或间接从事与韦尔股份经营范围所含业务相同或相类似的业务或项目，以避免与韦尔股份的生产经营构成直接或间接的竞争；
2、承诺方保证将努力促使与承诺方关系密切的家庭成员不直接或间接从事、参与或投资与韦尔股份的生产、经营相竞争的任何经营活动；
3、承诺方保证将不利用对韦尔股份的控股关系进行损害或可能损害韦尔股份及韦尔股份其他股东利益的经营活动；承诺方将不利用对韦尔股份的了解和知悉的信息协助第三方从事、参与或投资与韦尔股份相竞争的业务或项目；
4、承诺方保证将赔偿韦尔股份因承诺方违反本承诺而遭受或产生的任何损失或开支。
上述承诺自本承诺函出具之日起生效，并在承诺方作为韦尔股份控股股东和实际控制人的整个期间持续有效，且不可变更或撤销。‖
二、关联交易情况
（一）本次交易构成关联交易
目前，韦尔股份的控股股东、实际控制人为虞仁荣，其亦为本次重组交易对方绍兴韦豪的实际控制人。韦尔股份的监事陈智斌担任交易对方北京博融的董事。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）此外，本次重组完成后，若不考虑配套融资，青岛融通将持有上市公司7.24%股份，嘉兴水木、嘉兴豪威和华清博广为一致行动人，将合计持有上市公司6.32%股份。
根据《上市规则》的相关规定，绍兴韦豪、青岛融通、嘉兴水木、嘉兴豪威、北京博融、华清博广为上市公司的关联方，本次重组构成关联交易。关联董事在审议本次交易的董事会会议上回避表决，关联股东将在股东大会上回避表决。
（二）北京豪威在报告期的关联交易情况
1、北京豪威的关联方情况
（1）北京豪威的子公司情况
北京豪威子公司情况见本报告书―第四节交易标的基本情况‖之―一、交易标的之北京豪威‖之―（五）北京豪威主要下属公司情况‖。
（2）其他关联方情况
|||
|-|-|
|其他关联方名称|其他关联方与本公司的关系|
|苏州晶方|北京豪威下属公司美国豪威的对外投资企业。2016 年 5 月，美国豪威对苏州晶方的持股比例下降至3.35%。因此，从2016年5月起，苏州晶方不再视作北京豪威的关联方。|
|香港华清|主要股东的实际控制人控制的企业|

2、关联交易的情况
报告期内，北京豪威关联交易情况具体如下：
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|关联方|关联交易内容|2018年1-7月|2017年|2016年|
|苏州晶方|采购商品、接受劳务|—|—|18,042.10|
|香港华清|销售商品、提供劳务|4,516.98|—|—|

3、关联方应收、应付款项余额
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目名称|关联方|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|应收票据及应收账款|香港华清|2,614.03|—|—|

（三）思比科在报告期的关联交易情况
1、思比科的关联方情况
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）思比科母公司情况
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|-|-|-|-|-|-|
|母公司名称|注册地|业务性质|注册资本|母公司对思比科的持股比例（%）|母公司对思比科的表决权比例（%）|
|视信源|北京|应用软件的技术开发等|200万美元|53.8514|53.8514|

注：陈杰直接持有公司3.827%股份，并持有其45.85%的股份为最大单一股东，是思比科最终控制方。
（2）思比科的子公司情况
思比科子公司情况见本报告书―第四节交易标的基本情况‖之―二、交易标的之思比科‖之―（五）思比科主要下属公司情况‖。
（3）其他关联方情况
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|-|-|
|其他关联方名称|其他关联方与本公司的关系|
|刘志碧|思比科董事、总经理|
|杨贞淑|与思比科高管关系密切的家庭成员|
|程杰|董事、高管|
|旷章曲|董事、高管|
|钟萍|高管|
|冯建中|监事|
|苏州科阳|思比科高管曾担任其董事|
|北京清芯华创投资管理有限公司|思比科股东的关联公司|

2、关联交易情况
报告期内思比科关联交易情况具体如下：
（1）购销商品、提供和接受劳务的关联交易
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|关联方|关联交易内容|2018年1-7月|2017年|2016年|
|苏州科阳|芯片封装|—|—|3,005.96|
|北京清芯华创投资管理有限公司|咨询服务|—|13.98|—|

（2）思比科作为被担保方
单位：万元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|担保方|被担保方|担保金额|担保起始日|担保到期日|担保是否已经履行完毕|
|陈杰、杨贞淑、刘志碧|思比科|500.00|2017.8.1|2018.8.1|否|
|陈杰、杨贞淑、刘志碧|思比科|500.00|2017.12.13|2018.11.13|否|
|合计||1,000.00||||

（3）关联方资金借入
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）单位：万元
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|关联方|会计科目|2016.1.1|2016年增加|2016年减少|2016.12.31|
|陈杰|其他应付款|400.00|—|400.00|—|

（4）关联方备用金借支情况
单位：万元
||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|关联方|2016.1.1|2016增加|2016减少|2016.12.31|2017增加|2017减少|2017.12.31|2018增加|2018减少|2018.7.31|
|程杰|5.00|—|5.00|—|—|—|—|—|—|—|
|冯建中|—|0.30|0.19|0.11|2.40|2.51|—|0.80|0.80|—|
|刘志碧|—|—|—|—|0.50|0.50|—|—|—|—|
|旷章曲|—|—|—|—|0.60|0.60|—|—|—|—|
|钟萍|—|—|—|—|0.10|0.10|—|—|—|—|

3、关联方应收应付款项
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目名称|关联方|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|应付账款|苏州科阳|—|—|499.51|

（四）视信源在报告期的关联交易情况
1、视信源关联方情况
（1）视信源实际控制人情况
|||||||
|-|-|-|-|-|-|
|实际控制人|关联关系|国籍|持股数额|对本公司的持股比例（%）|对本公司的表决权比例（%）|
|陈杰|控股股东|中国|91.70万美元|45.85|45.85|

（2）视信源子公司情况
视信源子公司为思比科，情况见本报告书―第四节交易标的基本情况‖之―二、交易标的之思比科‖。
（3）视信源无合营和联营企业情况
（4）其他关联方情况
|||
|-|-|
|其他关联方名称|其他关联方与本公司的关系|
|刘志碧|视信源董事|
|旷章曲|监事|
|杨贞淑|与视信源高管关系密切的家庭成员|
|苏州科阳|思比科高管曾担任其董事|
|北京清芯华创投资管理有限公司|思比科股东的关联公司|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2、关联交易情况
视信源为持股型公司，其主要资产为持有的思比科53.85%股权，视信源购销商品、提供和接受劳务的关联交易、关联担保情况及关联方备用金借支情况见本节―二、关联交易情况‖之―（三）思比科在报告期的关联交易情况‖之―2、关联交易情况‖。
除此之外，视信源关联方资金借入情况及关键管理人员薪酬情况如下：
（1）关联方资金借入
||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|关联方|2016.1.1|2016增加|2016减少|2016.12.31|2017增加|2017减少|2017.12.31|2018增加|2018减少|2018.7.31|
|陈杰|527.92|14.00|400.00|141.92|16.00|—|157.92|9.00|—|166.92|

因视信源为持股型公司，且长期无实际经营，公司为维持基本运营，由陈杰长期借入资金以补充运营资金。2016年应付陈杰借款减少 400万元系思比科归还陈杰400万元借款。
（2）关键管理人员薪酬
视信源关键管理人员薪酬系思比科支付给相应人员的薪酬。
单位：万元
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|-|-|-|-|
|项目|2018年1-7月|2017年度|2016年度|
|关键管理人员薪酬|83.51万元|132.02万元|131.05万元|

3、关联方应收应付款项
单位：万元
||||||
|-|-|-|-|-|
|项目名称|关联方|2018.7.31|2017.12.31|2016.12.31|
|应付账款|苏州科阳|—|—|499.51|
|其他应付款|陈杰|166.92|157.92|141.92|

（五）本次交易完成后的关联交易情况
本次交易前，上市公司关联交易均遵循公开、公平、公正的原则，上市公司所有关联交易均以双方平等协商为基础，履行必要的决策程序，定价合理、公允。上市公司监事会、独立董事能够依据法律、法规及公司章程等的规定，勤勉尽责，切实履行监督职责，对关联交易及时发表意见。上市公司对关联交
易的控制能够有效防范风险，加强上市公司治理，维护上市公司及广大中小股
东的合法权益。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）本次交易完成后，北京豪威、思比科、视信源将成为上市公司的子公司，有利于减少关联交易，上市公司将继续严格按照《上市规则》、《公司章程》、《关联交易管理制度》等有关法律法规、规范性文件及公司制度的有关要求，审议、披露关联交易事项，确保关联交易的价格合理、公允，维护上市公司及股东的合法权益。
（六）关于规范关联交易的承诺
为在本次交易完成后减少并规范关联交易，维护上市公司及中小股东的利益，韦尔股份控股股东、实际控制人虞仁荣出具了《关于规范关联交易的承诺函》，具体内容如下：
―1、承诺方及承诺方控制或影响的企业将尽量避免和减少与韦尔股份及其下属子公司之间的关联交易，对于韦尔股份及其下属子公司能够通过市场与独立第三方之间发生的交易，将由韦尔股份及其下属子公司与独立第三方进行。
承诺方控制或影响的其他企业将严格避免向韦尔股份及其下属子公司拆借、占用韦尔股份及其下属子公司资金或采取由韦尔股份及其下属子公司代垫款、代偿债务等方式侵占韦尔股份资金。
2、对于承诺方及承诺方控制或影响的企业与韦尔股份及其下属子公司之间必需的一切交易行为，均将严格遵守市场原则，本着平等互利、等价有偿的一般原则公平合理地进行。交易定价有政府定价的，执行政府定价；没有政府定价的，执行市场公允价格；没有政府定价且无可参考市场价格的，按照成本加可比较的合理利润水平确定成本价执行。
3、承诺方与韦尔股份及其下属子公司之间的关联交易将严格遵守韦尔股份章程、关联交易管理制度等规定履行必要的法定程序及信息披露义务。在韦尔股份权力机构审议有关关联交易事项时主动依法履行回避义务；对须报经有权机构审议的关联交易事项，在有权机构审议通过后方可执行。
4、承诺方保证不通过关联交易取得任何不正当的利益或使韦尔股份及其下属子公司承担任何不正当的义务。如果因违反上述承诺导致韦尔股份或其下属子公司、其他股东损失或利用关联交易侵占韦尔股份或其下属子公司、其他股东利益的，韦尔股份及其下属子公司、其他股东的损失由承诺方承担。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）5、上述承诺在承诺方及承诺方控制或影响的企业构成韦尔股份的关联方期间持续有效，且不可变更或撤销。‖
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十二节风险因素
一、与本次交易有关的风险
（一）审批风险
根据《重组管理办法》的相关规定，本次交易尚需上市公司召开股东大会审议通过以及中国证监会核准，同时需经国家市场监督管理总局反垄断局对本次交易的经营者集中审查无异议后方可实施。本次交易能否取得上述批准或核准以及最终获得相关批准或核准的时间尚存在不确定性，提请广大投资者注意审批风险。
（二）本次交易可能被暂停、中止或取消的风险
在本次交易的筹划及实施过程中，交易各方采取了严格的保密措施，剔除同期大盘因素和同行业板块因素影响，上市公司股票价格在有关本次停牌的敏感信息公布前 20个交易日内波动未超过20%。上市公司组织相关主体进行的自查中未发现存在内幕交易的情形，也未接到相关主体因涉嫌内幕交易被立案调查或立案侦查的通知。如在未来的重组工作进程中出现本次重组相关主体涉嫌内幕交易被立案调查或立案侦查的情形，根据证监会颁布的《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的暂行规定》及上交所颁布的《关于加强与上市公司重大资产重组相关股票异常交易监管的通知》，可能导致本次重大资产重组暂停、中止或取消。
此外，本次重组存在因交易各方可能对交易方案进行重大调整，而导致需上市公司重新召开董事会审议交易方案乃至可能终止本次交易的风险。
（三）法律和政策风险
本公司为中国注册成立的 A股上市公司，标的公司之一北京豪威的主要经营主体为美国豪威，美国豪威系在美国注册独立法人实体。公司不能排除相关政府和监管机构针对本次交易出台政策、法律或展开调查行动，从而延迟本次交易的交割或导致本次交易终止的风险。根据交易双方《发行股份购买资产协议》约定，如果境外审查机构强制要求对本项交易进行审查，则各方同意无条件
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）配合境外审查机构对本项交易的审查，包括但不限于提供相关资料，签署必要的文件等。如因境外审查机构的审查导致本项交易最终无法完成，则上市公司有权单方解除本协议；如境外审查机构对本项交易提出整改要求，则各方同意以不损害上市公司利益为原则共同商讨解决方案，并按照境外审查机构的要求进行整改。如因上述情形导致上市公司遭受损失的，各交易对方应当尽力配合商讨解决方案，并保障上市公司的利益不受损害。
（四）标的资产评估增值的风险
在本次交易中，截至评估基准日，北京豪威100%股权的评估值为1,413,100万元，比北京豪威归属于股东权益账面价值 957,186.83万元增值47.63%；思比科100%股权的评估值为 54,600万元，比思比科归属于股东权益账面价值7,311.58万元增值646.76%；视信源100%股权的评估值为 29,243.76万元，比视信源归属于股东权益账面价值 220.23万元增值13,178.73%。本次交易标的公司的评估增值幅度较大，主要是由于标的资产具有较好的持续盈利能力和未来业绩增长能力，其市场地位、市场占有率、技术能力、客户资源、管理能力、经营服务、产品研发队伍等重要无形资产未在公司财务报表中体现。由于评估过程的各种假设存在不确定性，存在因未来实际情况与评估假设不一致，特别是宏观经济的波动、产业政策的变化、市场竞争环境改变等情况，使得标的资产未来盈利水平达不到评估时的预测，导致出现标的资产的估值与实际情况不符的情形。提请投资者注意本次交易存在前述相关因素影响标的资产盈利能力进而影响标的公司估值的风险。
（五）标的公司承诺业绩无法实现的风险
根据本公司与交易对方签署的《利润补偿协议》，北京豪威交易对方承诺北京豪威 2019年、2020年和 2021年扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润数分别不低于54,541.50万元、84,541.50万元和112,634.60万元；思比科交易对方承诺思比科 2019年、2020年和 2021年扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润数分别不低于2,500万元、4,500万元和6,500万元；视信源交易对方承诺视信源 2019年、2020年和 2021年扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润数分别不低于1,346万元、2,423万元和3,500万元。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）若因市场竞争加剧、市场开拓未达预期、产业政策变化、税收增加或优惠减少、贸易限制和经济制裁等因素的影响，北京豪威、思比科、视信源均可能存在承诺业绩无法达到预期的风险。
（六）配套融资未能实施或低于预期的风险
本次发行股份购买资产不以募集配套资金的成功实施为前提，最终募集配套资金发行成功与否不影响本次发行股份购买资产行为的实施。本次募集配套资金需经中国证监会核准，能否取得中国证监会核准以及何时取得中国证监会核准存在不确定性。而在中国证监会核准后，受股票市场波动、监管政策导向、公司经营及财务状况变化等因素影响，募集配套资金能否顺利实施存在不确定性。提醒广大投资者关注募集配套资金的相关风险。
（七）募投项目的实施、效益未达预期风险
本次重组募集资金拟用于标的公司项目建设及支付中介机构费用。募集资金投资项目的经济效益测算是根据标的公司目前实际经营状况、市场竞争能力及对未来市场需求的判断等作出的，但由于宏观经济环境和市场竞争态势存在一定的不确定性，如果市场竞争或市场需求发生重大不利变化，可能带来募集资金投资项目效益不及预期的风险。
（八）本次发行股份购买资产对方尚未完成私募基金备案的风险
截至本重组报告书签署日，本次发行股份购买资产的交易对方之元禾华创尚未按照《私募投资基金监督管理暂行办法》、《证券投资基金法》等相关法律法规的规定完成私募投资基金备案。根据中国证监会的相关规定，本次重组中涉及私募投资基金的，应当在重组方案实施前完成备案程序。因此，本次交易存在因交易对方未完成私募基金备案手续导致交易无法实施的风险。
二、标的资产经营风险
（一）宏观经济波动风险
半导体产品应用领域非常广泛，涵盖通讯、安防、汽车电子、医疗、家电、工业控制、航空航天、军事等国民经济的各方面，因此半导体产业不可避免地受到宏观经济波动的影响。宏观经济的变化将直接影响半导体下游产业的
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）供求平衡，进而影响到整个半导体产业自身。
总体来说，全球半导体产业的市场状况基本与世界经济发展形势保持一致。未来，如果宏观经济出现较大波动，将影响到半导体行业的整体发展，包括标的公司从事的半导体芯片设计业务。
（二）行业周期性风险
半导体行业是周期性行业，其增速与全球 GDP增速的相关度很高。由于半导体产品受到技术升级、市场格局、应用领域等因素影响，整个半导体行业具有周期性波动的特点。半导体周期通常也称为―硅周期‖，指半导体产业在 5年左右的时间内会历经从衰落到昌盛的一个周期。近年来，随着半导体产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快，新技术、新工艺在半导体产品中的应用更加迅速，进而导致半导体产品的生命周期不断缩短。从国内来看，我国集成电路产业发展有国家产业政策的支持及巨大内需市场的依托，但智能手机、平板电脑，以及诸多移动产品市场趋向成熟，增长趋缓，价格竞争日趋激烈，新一代虚拟现实、无人驾驶、工业机器人等尚在孕育中，标的公司业务能否继续保持国内市场的较高速度增长存在不确定性，经营业绩可能会因半导体行业周期性而产生较大的波动。
（三）市场变化风险
标的公司的主营业务均为 CMOS图像传感器的研发和销售，主要产品广泛应用于消费电子和工业应用领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络摄像头、安全监控设备、数码相机、汽车和医疗成像等。
报告期内，标的公司在移动通信领域的产品销售占比均较大，若该领域的细分市场出现较大不利变化，标的公司经营业绩将受到重大不利影响。同时，若在未来业务发展中，如果标的公司未能把握行业发展的最新动态，在下游市场发展趋势上出现重大误判，未能在快速成长的应用领域推出适合下游用户需求的产品和服务，将会对标的公司的经营业绩造成重大不利影响。
（四）外协加工风险
标的公司均采用 Fabless运营模式，专注于集成电路芯片的设计、研发，在生产制造、封装及测试等环节采用专业的第三方企业代工模式。该模式于近十
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）多年来全球集成电路芯片产业中逐渐得到越来越多厂商的运用，符合集成电路产业垂直分工的特点。虽然无晶圆厂运营模式降低了企业的生产成本，使集成电路设计企业能以轻资产的模式实现大额的销售收入，但同时也带来在产品外协加工环节中由供应商供货产生的不确定性。目前对于集成电路设计企业而言，晶圆是产品的主要原材料，由于晶圆加工对技术及资金规模的要求极高，不同类型的集成电路芯片产品在选择合适的晶圆代工厂时范围有限，导致晶圆代工厂的产能较为集中。
在行业生产旺季来临时，晶圆厂和封测厂的产能能否保障标的公司的采购需求存在不确定性。同时随着行业中晶圆厂和封测厂在不同产品中产能的切换以及产线的升级，或带来的标的公司采购单价的变动，若外协加工服务的采购单价上升，会对标的公司的毛利造成不利影响。此外，突发的自然灾害等破坏性事件时，也会影响晶圆厂和封测厂向标的公司的正常供货。
虽然标的公司向多家晶圆厂以及封测厂采购晶圆及封装、测试服务，且报告期内供应关系稳定，但上述因素可能给标的公司晶圆厂、封测厂的供应稳定性造成一定影响。因此，标的公司面临一定程度的原材料供应及外协加工稳定性的风险。
（五）技术不能持续创新风险
标的公司自设立以来均专注于集成电路设计业务，经过多年技术积累，美国豪威已发展为全球领先的 CMOS图像传感器设计企业，思比科也成为一家在国内外有重要影响力的 COMS图像传感器供应商，标的公司均掌握了设计高性能 COMS图像传感器的核心技术。持续开发新产品是标的公司在市场中保持竞争优势的重要手段，随着市场竞争的不断加剧，半导体产品生命周期的缩短，如标的公司不能及时准确的把握市场需求和技术发展趋势，将导致标的公司新产品不能获得市场认可，对标的公司市场竞争力产生不利影响。
（六）税收优惠政策变化的风险
北京豪威子公司豪威半导体、豪威科技（上海）均取得《高新技术企业证书》，减按15%的税率计算缴纳企业所得税。
思比科及其子公司太仓思比科微电子技术有限公司、天津安泰微电子技术
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）有限公司均取得《高新技术企业证书》，减按15%的税率计算缴纳企业所得税。
如果标的公司未来不能被认定为高新技术企业或相应的税收优惠政策发生变化，上述公司将不再享受相关的税收优惠，对标的公司经营业绩产生一定影响。
（七）汇率波动风险
北京豪威的主要经营实体为美国豪威及下属企业，美国豪威日常经营活动以美元为结算货币，北京豪威合并财务报表的记账本位币为美元。随着人民币日趋国际化、市场化，人民币汇率波动幅度增大，人民币对美元等货币的汇率变化将导致公司合并财务报表的外币折算风险。
（八）海外业务运营风险
美国豪威的产品研发、销售分布在北美、亚洲、欧洲等国家和地区，如相关国家和地区发生突发政治动荡、战争、经济波动、自然灾害、政策和法律不利变更、税收增加和优惠减少、贸易限制和经济制裁、国际诉讼和仲裁等情况，都可能影响美国豪威业务的正常运营，进而影响重组后上市公司的财务状况和盈利能力。
三、与上市公司相关的风险
（一）收购整合风险
本次交易完成后，北京豪威、思比科均成为上市公司的控股子公司，由于美国豪威与本公司在法律法规、会计税收制度、商业惯例、公司管理制度、企业文化等经营管理方面存在一定差异，虽然本公司董事长虞仁荣先生于 2017年9月起担任美国豪威首席执行官，但对标的公司的整合效应显现尚需一定时间，整合效果与协同效应能否达到预期仍存在一定的不确定性。本公司将通过不断完善公司治理、加强内部控制、提高公司管理水平等措施降低该等风险，并对相关情况进行真实、准确、及时、完整、公平的披露，提醒广大投资者关注本次交易上市公司的整合风险。
（二）商誉减值风险
本次交易完成后，在上市公司合并资产负债表中预计将形成较大金额的商
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）誉。根据企业会计准则规定，商誉需在未来每年年度终了进行减值测试。如果标的公司未来经营状况恶化，则存在商誉减值的风险，从而对上市公司的经营业绩造成不利影响，本公司提醒投资者关注上述风险。
（三）控股股东股权质押风险
截至 2018年 7月 31日，虞仁荣持有本公司 279,435,000股股份，其中已被质押的股份数量为 183,810,205股，占其持股总数的65.78%，占公司总股本的40.33%。受国家政治、经济政策、市场环境、投资者心理因素、公司经营业绩等内外部多种因素的影响，公司股票价格会产生波动，在极端情况下控股股东所质押的股票有被强制平仓的风险，从而可能带来控股股东和实际控制人发生变更的风险。
四、其他风险
（一）股票市场波动风险
股票市场价格波动不仅取决于企业的经营业绩，还受宏观经济周期、利率、资金、供求关系等因素的影响，同时也会因国际、国内政治经济形势及投资者心理因素的变化而产生波动。由于以上多种不确定因素的存在，公司股票可能会产生脱离其本身价值的波动，从而给投资者带来投资风险。投资者在购买本公司股票前应对股票市场价格的波动及股市投资的风险有充分的了解，并做出审慎判断。
（二）其他风险
上市公司不排除因政治、经济、自然灾害等其他不可控因素给上市公司带来不利影响的可能性，提请广大投资者注意相关风险。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十三节其他重要事项
一、本次交易完成后上市公司是否存在资金、资产被实际控制人或其他关联人占用和为实际控制人或其他关联人提供担保的情形
根据立信会计师出具的《关于对上海韦尔半导体股份有限公司控股股东及其他关联方占用资金情况的专项审计说明》（信会师报字[2018]第ZA11390号），上市公司2017年不存在被大股东及其附属企业非经营性占用资金的情形。
本次交易完成前，上市公司不存在资金、资产被实际控制人、控股股东及其关联人占用的情形。
本次交易完成后，上市公司实际控制人、控股股东未发生变化，上市公司不存在因本次交易导致资金、资产被实际控制人、控股股东及其关联人占用的情况。
二、上市公司负债结构的合理性说明
截至 2018年 7月 31日，上市公司合并报表与本次交易完成后的备考合并报表的负债结构指标情况如下：
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|-|-|-|
|项目|实际数（未经审计）|备考数|
|流动负债（万元）|208,904.27|461,785.36|
|非流动负债（万元）|5,452.45|222,324.80|
|负债总额（万元）|214,356.72|684,110.16|
|资产总额（万元）|368,462.67|1,952,967.85|
|资产负债率（%）|58.18|35.03%|
|流动比|1.48|1.96|
|速动比|0.98|1.16|

本次交易完成后，上市公司资产负债率大幅下降，2018年7月31日资产负债率从本次交易前的58.18%降至35.03%，负债结构合理。
三、上市公司最近十二个月重大资产交易情况
截至本草案签署日，上市公司在最近十二月内发生的依据《上市规则》及《公
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）司章程》规定需要由公司董事会审议批准的重大资产交易事项如下：
（一）收购北京豪威1.9543%股权
2018年 7月 2日，韦尔股份召开第四届董事会第二十四次会议，审议通过《关于全资子公司现金收购北京豪威科技有限公司部分股权的议案》，韦尔股份全资子公司香港韦尔拟以现金方式收购 Seagull（A1）、Seagull（C1）、Seagull（C1-Int'l）三家公司合计持有的北京豪威1.9543%股权，转让价格合计 3,964.75万美元。
2018年7月9日，香港韦尔分别与 Seagull（A1）、Seagull（C1）、Seagull（C1-Int'l）签署了《股权转让协议》。
2018年7月20日，北京豪威在北京市工商行政管理局海淀分局办理完毕工商变更手续。
（二）收购北京豪威1.97%股权
2018年7月13日，韦尔股份召开第四届董事会第二十五次会议，审议通过《关于公司现金收购北京豪威科技有限公司部分股权暨关联交易的议案》，韦尔股份拟以现金收购上海清恩持有的北京豪威1.97%股权。立信评估以 2017年 12月 31日为评估基准日对北京豪威进行了整体评估，并出具了《评估报告》（信资评报字（2018）第 40077号）。该事项经公司 2018年第一次临时股东大会审议通过。
2018年8月6日，韦尔股份与上海清恩签署《股权转让协议》。
2018年9月25日，北京豪威在北京市工商行政管理局海淀分局办理完毕工商变更手续。
（三）收购芯能投资100%、芯力投资100%股权
2018年 10月 25日，韦尔股份第四届董事会第三十一次会议审议通过参与竞买芯能投资100%、芯力投资100%股权的议案。芯能投资、芯力投资均为专门投资北京豪威设立的投资实体，合计持有北京豪威10.5464%的股权。
2018年11月12日，韦尔股份股东大会审议通过参与竞买芯能投资100%、芯力投资100%股权的议案。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案） 2018年 11月 28日，云交所确认韦尔股份为瑞滇投资挂牌出售资产芯能投资100%股权、芯力投资100%股权的受让方。
立信评估以2018年7月31日为评估基准日对芯能投资、芯力投资进行了整体评估，并分别出具了《瑞滇投资管理有限公司拟转让所持有的深圳市芯能投资有限公司100%股权所涉及的深圳市芯能投资有限公司股东全部权益资产评估报告》（信资评报字（2018）第 40136-30号）、《瑞滇投资管理有限公司拟转让所持有的深圳市芯力投资有限公司100%股权所涉及的深圳市芯力投资有限公司股东全部权益资产评估报告》（信资评报字（2018）第40136-29号）。
上市公司将以现金购买瑞滇投资持有的芯能投资100%、芯力投资100%股权。
四、本次交易对上市公司治理机制的影响
本次交易前，公司已按照《公司法》、《证券法》、《上市公司治理准则》等法律、法规要求，建立并逐步完善法人治理结构，制定了与之相关的议事规则或工作细则并予以严格执行，规范公司运作的同时加强信息披露工作。公司先后制订了《公司章程》、《股东大会议事规则》、《董事会议事规则》、《监事会议事规则》、《信息披露管理制度》等。
本次交易完成后，北京豪威、思比科、视信源成为韦尔股份的子公司，上市公司的业务规模得以扩大，但公司治理结构未发生重大变化。公司将依据各项法律、法规要求，继续保持合规高效的法人治理结构，进一步完善公司内部决策和管理控制制度，规范公司运作和管理，提高公司治理水平，提升经营效率和盈利能力，维护股东和广大投资者的利益。
五、相关主体买卖上市公司股票的自查情况
因本次交易事项，韦尔股份股票自2018年5月15日起停牌。公司对本次重大资产重组上市公司停牌日前 6个月（2017年 11月 15日）至重组报告书披露前一日止（以下简称―自查期间‖）上市公司及其董事、监事、高级管理人员，交易对方及其董事、监事、高级管理人员（或主要负责人），相关专业机构及其他知悉本次交易的自然人，以及上述相关人员的直系亲属是否进行内幕交易进行
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）了自查，并出具了自查报告。
根据各方的自查报告及中国证券登记结算有限责任公司上海分公司出具的查询记录，在自查期间，自查主体交易上市公司股票的具体情况如下：
（一）韦尔股份
上市公司及其董事、监事、高级管理人员，以及上述相关人员的直系亲属不存在买卖公司股票的情形。
（二）交易对方
1、杨志伟
北京豪威交易对方芯能投资、芯力投资之监事杨志伟买卖韦尔股份股票的情况如下：
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|-|-|-|-|-|
|交易日期|交易单元号|变更股数（股）|结余股数（股）|交易方向|
|2017.11.27|20176|79|79|买入|
|2017.11.27|20176|800|879|买入|
|2017.11.27|20176|121|1,000|买入|
|2018.1.31|20176|-200|800|卖出|
|2018.1.31|20176|-200|600|卖出|
|2018.1.31|20176|-200|400|卖出|
|2018.1.31|20176|-400|—|卖出|
|2018.4.3|20176|100|100|买入|
|2018.4.3|20176|1,000|1,100|买入|
|2018.4.4|20176|-200|900|卖出|
|2018.4.4|20176|-100|800|卖出|
|2018.4.4|20176|-200|600|卖出|
|2018.4.4|20176|-100|500|卖出|
|2018.4.4|20176|-200|300|卖出|
|2018.4.4|20176|-200|100|卖出|
|2018.4.4|20176|-100|—|卖出|
|2018.4.4|20176|600|600|买入|
|2018.4.9|20176|-600|—|卖出|
|2018.4.10|20176|400|400|买入|
|2018.4.19|20176|-300|100|卖出|
|2018.4.23|20176|200|300|买入|
|2018.4.23|20176|100|400|买入|
|2018.4.23|20176|100|500|买入|

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|-|-|-|-|-|
|交易日期|交易单元号|变更股数（股）|结余股数（股）|交易方向|
|2018.4.23|20176|100|600|买入|
|2018.4.23|20176|100|700|买入|

针对上述买卖行为，杨志伟声明如下：
―本人未参与韦尔股份本次交易的谈判、协商及决策，亦未通过其他任何途径知悉韦尔股份本次交易的相关信息，本人在进行上述交易时未掌握本次交易的内幕信息。
本人交易韦尔股份股票的行为系基于对二级市场交易情况的自行判断而进行的个人独立操作，未利用本次交易的内幕信息，与韦尔股份本次交易事项不存在任何关联关系。‖
2、高颖
思比科交易对方旷章曲的配偶高颖买卖韦尔股份股票的情况如下：
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|-|-|-|-|-|
|交易日期|交易单元号|变更股数（股）|结余股数（股）|交易方向|
|2017.11.15|42115|-1,800|0|卖出|
|2018.1.17|42115|200|200|买入|
|2018.1.17|42115|400|600|买入|
|2018.1.17|42115|200|800|买入|
|2018.1.17|42115|500|1300|买入|
|2018.1.22|42115|100|1,400|买入|
|2018.1.22|42115|1,300|2,700|买入|
|2018.1.17|13194|637|637|买入|
|2018.1.17|13194|100|737|买入|
|2018.1.17|13194|100|837|买入|
|2018.1.17|13194|63|900|买入|
|2018.4.13|13194|-900|0|卖出|

针对上述买卖行为，高颖声明如下：
―本人未参与韦尔股份本次交易的谈判、协商及决策，亦未通过其他任何途径知悉韦尔股份本次交易的相关信息，本人在进行上述交易时未掌握本次交易的内幕信息。
本人交易韦尔股份股票的行为系基于对二级市场交易情况的自行判断而进
行的个人独立操作，未利用本次交易的内幕信息，与韦尔股份本次交易事项不
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）存在任何关联关系。‖
（三）国信证券
2018年 4月 2日至 2018年 4月 20日期间，国信证券投资管理总部买卖韦尔股份股票情况如下：
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|-|-|-|-|
|交易账户|交易时间|交易方向|交易数量（股）|
|D890212865|2018年4月2日|买入|450,000|
||2018年4月20日|卖出|-450,000|

国信证券投资管理总部总经理钱海章于2018年5月29日出具了《买卖股票说明》：―国信证券投资管理总部管理的上述交易账户对韦尔股份股票的上述交易行为是基于二级市场的独立判断进行，交易中严格遵守了关于防范内幕交易和证券公司信息隔离墙的相关法律、法规及规范性文件以及投资管理总部内部的相关规定，不存在内幕交易的行为。‖
综上，上述买卖韦尔股份股票行为与本次交易不存在关联关系，不存在公开或泄漏相关信息的情形，也不存在利用该信息进行内幕交易或操纵市场的情形。
除上述外，其他自查主体均不存在在自查期间交易韦尔股份股票的情形。
六、现金分配政策与股东回报计划
本次交易后上市公司的现金分红政策没有发生变更。根据公司章程规定，公司利润分配政策为：
―第一百六十四条公司分配当年税后利润时，应当提取利润的10%列入公司法定公积金。公司法定公积金累计额为公司注册资本的50%以上的，可以不再提取。
公司的法定公积金不足以弥补以前年度亏损的，在依照前款规定提取法定公积金之前，应当先用当年利润弥补亏损。
公司从税后利润中提取法定公积金后，经股东大会决议，还可以从税后利润中提取任意公积金。
公司弥补亏损和提取公积金后所余税后利润，按照股东持有的股份比例分
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）配，但本章程规定不按持股比例分配的除外。
股东大会违反前款规定，在公司弥补亏损和提取法定公积金之前向股东分配利润的，股东必须将违反规定分配的利润退还公司。
公司持有的本公司股份不参与分配利润。
第一百六十五条公司的公积金用于弥补公司的亏损、扩大公司生产经营或者转为增加公司资本。但是，资本公积金将不用于弥补公司的亏损。法定公积金转为资本时，所留存的该项公积金将不少于转增前公司注册资本的25%。
第一百六十六条公司利润分配政策的基本原则：
（一）公司充分考虑对投资者的回报，每年按当年实现的母公司可供分配利润规定比例向股东分配股利；
（二）公司的利润分配政策保持连续性和稳定性，同时兼顾公司的长远利益、全体股东的整体利益及公司的可持续发展；
（三）公司董事会、监事会和股东大会对利润分配政策的决策和论证应当充分考虑独立董事、监事和公众投资者的意见。
（四）公司利润分配政策应符合法律、法规的相关规定。
第一百六十七条公司利润分配的具体政策：
（一）利润分配的形式：公司采用现金、股票或现金与股票相结合的方式分配股利。公司优先采用现金分红的方式。在有条件的情况下，公司可以进行中期利润分配。
（二）公司现金分红的具体条件和比例：
公司最近三年以现金方式累计分配的利润不少于最近三年实现的年均可分配利润的30%。除特殊情况外，公司在当年盈利且累计未分配利润为正的情况下，采取现金方式分配股利，每年以现金方式分配的利润不少于当年实现的母公司可供分配利润的10%。
上述特殊情况指：
1、公司当年发生投资金额超过公司最近一个年度经审计的净资产10%的重
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）大投资情形（募集资金投资项目除外）；
2、公司未来十二个月拟对外投资、收购资产或购买设备累计支出达到或超过公司最新一期经审计净资产10%的重大资金支出；
满足上述条件的重大投资计划或者重大现金支出须由董事会审议后提交股东大会审议批准。
（三）公司发放股票股利的具体条件：
公司在经营情况良好，并且董事会认为公司股票价格与公司股本规模不匹配、发放股票股利有利于公司全体股东整体利益时，可以在满足上述现金分红的条件下，提出股票股利分配预案。
第一百六十八条公司利润分配方案的审议程序：
（一）公司的利润分配方案由公司经营层拟定后提交公司董事会、监事会审议。董事会就利润分配方案的合理性进行充分讨论，形成专项决议后提交股东大会审议。在不违反公司信息披露以及内幕信息管理制度的前提下，公司经营层、董事会应通过多种渠道，具体包括但不限于电话、传真、邮件沟通、筹划投资者接待日、邀请中小股东参会，充分听取独立董事以及中小股东的意见，并结合公司盈利情况、资金需求等因素提出合理的利润分配建议和预案。
股东大会对现金分红具体方案进行审议时，也应当通过前述多种渠道主动与股东特别是中小股东进行沟通和交流，充分听取中小股东的意见和诉求，及时答复中小股东关心的问题。
（二）公司因前述第一百六十二条规定的特殊情况而不进行现金分红时，董事会应就不进行现金分红的具体原因、公司留存收益的确切用途及预计投资收益等事项进行专项说明，经独立董事发表意见后提交股东大会审议，并在公司指定媒体上予以披露。
第一百六十九条公司利润分配方案的实施：
公司股东大会对利润分配方案作出决议后，董事会须在股东大会召开后二个月内完成股利（或股份）的派发事项。
第一百七十条公司利润分配政策的变更：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）如遇到战争、自然灾害等不可抗力、或者公司外部经营环境变化并对公司生产经营造成重大影响，或公司自身经营状况发生较大变化时，公司可对利润分配政策进行调整。
公司调整利润分配政策应由董事会做出专题论述，详细论证调整理由，通过多种渠道（包括但不限于电话、传真、邮件沟通、策划投资者接待日、邀请中小股东参会）征询独立董事和中小股东的意见，形成书面论证报告并经独立董事审议后提交股东大会特别决议通过。审议利润分配政策变更事项时，公司为股东提供网络投票方式。‖
七、本次交易对中小投资者权益保护的安排
为保护投资者尤其是中小投资者的合法权益，本次交易过程将采取以下安排和措施：
（一）及时、准确披露本次交易的相关信息
本次交易属于上市公司重大事件，公司已经切实按照《上市公司信息披露管理办法》、《关于规范上市公司信息披露及相关各方行为的通知》要求履行了信息披露义务，并将继续严格履行信息披露义务。为保护投资者合法权益，防止本次交易对股价造成波动，交易各方在开始筹划本次交易时采取了严格的保密措施，及时向上交所申请停牌并披露影响股价的重大信息。本报告书披露后，上市公司将继续严格按照相关法律法规的要求，及时、准确地披露公司本次交易的进展情况。
（二）确保本次交易定价公允、合理
上市公司聘请会计师、评估机构对本次交易的标的资产进行了审计、评估，标的资产的最终交易价格由交易各方以经具有证券期货业务资格的评估机构出具评估报告的评估结果为基础协商确定，本次交易的定价公允、合理。
同时，公司独立董事对本次交易涉及资产评估定价的公允性发表了独立意见。公司所聘请的独立财务顾问和法律顾问将对本次交易的实施过程、资产过户事宜和相关后续事项的合规性及风险进行核查，发表明确意见。
（三）严格履行相关程序
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）公司在本次交易过程中严格按照相关规定履行法定程序进行表决和披露。
本报告书在提交董事会讨论时，独立董事就该事项发表了独立意见。公司聘请的中介机构分别出具了独立财务顾问报告、法律意见书、审计报告、评估报告
等。根据《重组管理办法》等有关规定，公司董事会将在审议本次交易方案的股东大会召开前发布提示性公告，提醒股东参加审议本次交易方案的股东大会。
公司严格按照《关于加强社会公众股股东权益保护的若干规定》等有关规定，在表决本次交易方案的股东大会中，采用现场投票和网络投票相结合的表决方式，充分保护中小股东行使投票权的权益。
（四）提供网络投票平台
公司将根据中国证监会《关于加强社会公众股股东权益保护的若干规定》等有关规定，在表决本次交易方案的股东大会中，采用现场投票和网络投票相结合的表决方式，充分保护中小股东行使股东权利。股东大会所作决议必须经出席会议的股东所持表决权的三分之二以上通过，关联股东将回避表决。同时，公司对中小投资者投票情况单独统计并予以披露。
（五）其他保护投资者权益的措施
公司全体董事、监事、高级管理人员承诺本次重组过程中所提供信息的真实性、准确性和完整性，保证不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并声明承担个别和连带的法律责任。本次交易完成后，公司将继续保持独立性，在资产、人员、财务、机构和业务上遵循独立原则，遵守中国证监会有关规定，继续规范运作。
（六）并购重组摊薄当期每股收益的填补回报安排
1、本次重组对上市公司预期每期收益的影响
本次重大资产重组中，上市公司发行股份购买资产拟向绍兴韦豪等 39名交易对方发行 398,821,245股股份，不考虑配套融资的影响，本次交易完成后，公司股本规模将由目前的 455,813,940股增加至854,635,185股。
基于上述情况，公司测算了本次重大资产重组完成当年（假设本次重大资产重组在 2019年完成）主要财务指标，关于测算过程的主要假设说明如下：
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（1）以下假设仅为测算本次重大资产重组对公司主要财务指标的影响，不代表公司对 2018年全年及 2019年经营情况及趋势的判断，亦不构成盈利预测。投资者不应据此进行投资决策，投资者据此进行投资决策造成损失的，公司不承担赔偿责任；
（2）假设公司于2019年6月30日完成本次重大资产重组（此假设仅用于分析本次重大资产重组对公司主要财务指标的影响，不代表公司对于业绩的预测，亦不构成对本次重大资产重组实际完成时间的判断），本次重大资产重组最终完成时间以中国证监会核准后实际发行完成时间为准；
（3）假设宏观经济环境、集成电路芯片行业的情况没有发生重大不利变化；
（4）不考虑配套融资发行股份的数量，假设本次重大资产重组发行股份的数量合计为398,821,245股，未扣除本次重组相关的发行及中介费用的影响；
（5）根据业绩承诺方承诺的各标的公司扣非后净利润数据，各标的公司 2019年净利润合计为 58,387.47万元。假设以该承诺业绩作为标的公司 2019年扣非后净利润指标进行测算；
（6）根据上市公司 2018第三季度报告财务数据，假设上市公司 2018年前三季度经营业绩为2018年全年经营业绩的四分之三，假设2019年度经营业绩与 2018年度的预计经营数据持平，即为 32,130.83万元；上述测算不构成盈利预测，投资者不应据此进行投资决策；
（7）不考虑公司截至2018年10月31日已公告未实施的回购股份的影响以及公司2019年限制性股票激励计划对股份数的影响，假设公司2019年不存在其他公积金转增股本、股票股利分配等对股份数有影响的事项；
（8）公司经营环境未发生重大不利变化；
（9）不考虑本次发行募集资金到账后对公司生产经营、财务状况（如财务费用、投资收益）等影响。
经测算，公司本次重大资产重组前后每股收益指标具体影响如下：
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|项目|2018年|2019年|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|||重组完成前|重组完成后（不考虑配套融资）|
|发行在外的普通股加权平均数（万股）|45,581.39|45,581.39|65,522.46|
|扣除非经常性损益后归属于母公司净利润（单位： 万元）|32,130.83|32,130.83|90,518.30|
|扣除非经常性损益后的基本每股收益（单位：元/股）|0.70|0.70|1.38|
|扣除非经常性损益后的稀释每股收益（单位：元/股）|0.70|0.70|1.38|

基于上述假定，本次重大资产重组完成后，不考虑配套融资的影响，上市公司 2019年扣除非经常性损益后归属于上市公司股东的净利润较发行前增长 58,387.47万元，上市公司 2019年扣除非经常性损益后的基本每股收益 1.38元/股，较 2019年重组完成前的基本每股收益增加 0.68元/股，增幅为97.14%，重组后上市公司盈利能力有所上升。
综上，本次交易完成后，上市公司不存在重组完成当年因本次交易导致即期每股收益被摊薄的情形。
2、上市公司填补摊薄即期回报并增强公司持续回报能力的具体措施
为充分发挥本次重组的协同效应、有效防范股东即期回报可能被摊薄的风险和提高公司未来的持续回报能力，上市公司拟采取的具体措施如下：
（1）加快标的资产整合，提升重组后上市公司盈利能力
本次重组完成后，韦尔股份、豪威科技、思比科三个公司在业务、技术、研发、销售渠道、产业链等方面高度协同，这些协同效应将最终体现在经营效率的提高、成本的下降、未来上市公司经营业绩的提高等方面。上市公司将加快对标的公司的整合，进一步发挥规模效应，提升合并后上市公司的盈利及股东回报能力。
（2）进一步加强产品竞争力，健全内部控制体系，优化成本管控
本次重组完成后，一方面公司将进一步加强研发投入，提高产品市场竞争力；另一方面公司将进一步加强成本控制，对发生在业务和管理环节中的各项经营、管理、财务费用进行全面事前、事中、事后管控，合理运用各种融资工
具和渠道，进一步控制资金成本、优化财务结构、降低财务费用。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（3）完善公司治理结构，为公司发展提供制度保障
上市公司将严格遵循《公司法》、《证券法》、《上市公司治理准则》等法律、法规和规范性文件的要求，不断完善公司治理结构，确保股东能够充分行使权利，确保董事会能够按照法律、法规和公司章程的规定行使职权，做出科学、迅速和谨慎的决策，确保独立董事能够认真履行职责，维护公司整体利益，尤其是中小股东的合法权益，为公司发展提供制度保障。
（4）进一步完善利润分配制度，强化投资者回报体制
上市公司持续重视对股东的合理投资回报，同时兼顾公司的可持续发展，制定了持续、稳定、科学的分红政策。上市公司将根据中国证监会《关于进一步落实上市公司现金分红有关事项的通知》、《上市公司监管指引第 3号——上市公司现金分红》等规定持续修改和完善《公司章程》并相应制定股东回报规划。
公司的利润分配政策重视对投资者尤其是中小投资者的合理投资回报，将充分听取投资者和独立董事的意见，切实维护股东依法享有投资收益的权利，体现合并后上市公司积极回报股东的长期发展理念。
3、相关主体出具的承诺
为切实保护中小投资者合法权益，确保本次交易摊薄即期回报事项的填补回报措施能够得到切实履行，公司控股股东、实际控制人虞仁荣，公司全体董事、高级管理人员根据《关于首发及再融资、重大资产重组摊薄即期回报有关事项的指导意见》（中国证券监督管理委员会公告[2015]31号）分别作出了相关承诺，承诺内容如下：
（1）公司控股股东、实际控制人关于公司本次重大资产重组摊薄即期回报采取填补措施的承诺
―承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益。‖
（2）公司董事、高级管理人员关于公司本次重大资产重组摊薄即期回报采取填补措施的承诺
―1、承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害上市公司利益。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）2、承诺对职务消费行为进行约束。
3、承诺不动用上市公司资产从事与履行职责无关的投资、消费活动。
4、承诺由上市公司董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。
5、承诺如未来上市公司推出股权激励计划，则拟公布的上市公司股权激励的行权条件与上市公司填补回报措施的执行情况相挂钩。
6、本承诺出具日后至上市公司本次交易实施完毕前，若中国证监会作出关于填补回报措施及其承诺的其他新的监管规定的，且上述承诺不能满足中国证监会该等规定时，承诺方届时将按照中国证监会的最新规定出具补充承诺。
7、承诺方承诺切实履行上市公司制定的有关填补回报措施以及承诺方对此作出的任何有关填补回报措施的承诺，若承诺方违反该等承诺并给上市公司或者投资者造成损失的，承诺方愿意依法承担对上市公司或者投资者的赔偿责任。‖
八、中介机构意见
（一）独立财务顾问意见
国信证券、中德证券作为本次交易的独立财务顾问，参照《公司法》、《证券法》、《重组管理办法》、《上市公司并购重组财务顾问业务管理办法》、《上市公司重大资产重组财务顾问业务指引》、《上市规则》等法律、法规的规定以及中国证监会的相关要求，通过尽职调查和对本报告书等信息披露文件的审慎核查后，出具了《国信证券股份有限公司、中德证券有限责任公司关于上海韦尔半导体股份有限公司重大资产购买之独立财务顾问报告》，认为：
―1、本次交易方案符合《公司法》、《证券法》、《重组管理办法》、《重组规定》等法律、法规和规范性文件的规定。
2、本次拟购买标的资产的权属清晰，标的公司的股权不存在质押、抵押等财产权利受限的情形。
3、本次交易标的资产的定价原则公允，评估所选取的评估方法、评估假设前提、评估参数适当合理，不存在损害上市公司及股东合法利益的情形。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）4、本次交易不影响公司的上市地位，交易完成后可改善并提高公司的资产质量和盈利能力，增强持续经营能力，符合上市公司及全体股东的利益。
5、本次交易完成后上市公司在业务、资产、财务、人员、机构等方面与实际控制人及关联方将继续保持独立，符合中国证监会关于上市公司独立性的相关规定；公司治理机制符合相关法律法规的规定；有利于上市公司保持健全有效的法人治理结构。‖
（二）法律顾问意见
天元律师作为本次交易的法律顾问，认为：
1、韦尔股份和交易对方具备进行本次交易的主体资格。
2、本次交易方案符合法律、法规和规范性文件的规定。
3、本次交易已履行截至本法律意见出具之日应当履行的批准和授权程序，已取得的批准和授权程序合法有效。
4、标的资产权属清晰，不存在权属纠纷、未被设置质押或其他第三者权益，亦未被采取司法冻结等强制措施，标的资产按照约定方式过户至韦尔股份名下不存在法律障碍。
5、本次交易涉及的债权债务处理及人员安排符合相关法律、法规的规定。
6、截至法律意见出具之日，韦尔股份及相关各方已履行法定的信息披露和报告义务，不存在应当披露而未披露的合同、协议、安排或其他事项。
7、本次交易符合《重组办法》、《重组若干规定》、《发行管理办法》、《发行细则》及相关法律、法规及规范性文件规定的原则和实质性条件。
8、韦尔股份和交易对方具有签署与本次交易相关协议的主体资格；该等协议的内容符合相关法律、法规的规定，在约定的相关条件全部成就时生效并可实际履行。
9、本次交易构成关联交易，韦尔股份已按相关法律、法规、规范性文件及《公司章程》的规定履行现阶段应当履行的信息披露义务和关联交易内部决策程序；本次交易有利于韦尔股份减少关联交易，增强独立性；虞仁荣就减少及规范与为韦尔股份的关联交易出具的承诺以及韦尔股份内部关于规范关联交易的
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）制度有利于保护韦尔股份及其股东的合法权益；虞仁荣已就本次交易完成后避免与韦尔股份同业竞争出具承诺函，该承诺合法有效。
10、参与本次交易的中介机构具有合法的执业资质，具备为本次交易提供相关服务的资格。
11、在自查期间，本次交易相关主体买卖韦尔股份股票的行为不属于利用本次交易的内幕信息进行的内幕交易行为，对本次交易不构成法律障碍。
12、本次交易符合相关法律、法规、规章和规范性文件的规定，不存在法律障碍，不存在其他可能对本次交易构成影响的法律问题和风险。
九、关于上市公司聘请第三方行为的核查
（一）独立财务顾问不存在直接或间接有偿聘请第三方的行为
经核查，在本次交易中，独立财务顾问国信证券、中德证券不存在直接或间接有偿聘请第三方的行为，符合《关于加强证券公司在投资银行类业务中聘请第三方等廉洁从业风险防控的意见》的相关规定。
（二）韦尔股份除依法需聘请的中介机构外不存在直接或间接有偿聘请其他第三方的行为
在本次交易中，韦尔股份聘请国信证券、中德证券担任独立财务顾问，聘请天元律师担任法律顾问，聘请立信会计师、普华永道担任审计机构，聘请立信评估担任评估机构。
除上述依法需聘请的证券服务机构之外，直接或间接有偿聘请其他第三方机构或个人核查情况如下：聘请境外律师事务所美国欧华律师事务所（DLA Piper LLP(US)）、美国 Wilson Sonsini Goodrich& Rosati律师事务所、香港欧华律师事务所（DLA Piper HongKong）、英国欧华律师事务所（DLA Piper UKLLP）、英国欧华律师事务所德国办公室（DLA Piper UK LLP,Germany）、开曼 Collas Crill律师事务所、新加坡 JLC Advisors律师事务所（JLC AdvisorsLLP）、印度Nishith Desai Associates律师事务所、英属维尔京群岛 Harneys律师事务所（Harneys Westwood& RiegelsLP）、韩国 DongsuhYangjae律师事务所、日本 Hayabusa Asuka律师事务所、台湾理律法律事务所、挪威Schjødt律师事务所
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（AdvokatfirmaetSchjødtAS）以及上海百一知识产权代理有限公司对标的公司境外投资、资产、知识产权等事项进行了核查。
经核查，独立财务顾问认为，韦尔股份除聘请的上述中介机构外，不存在直接或间接有偿聘请其他第三方的行为，符合《关于加强证券公司在投资银行类业务中聘请第三方等廉洁从业风险防控的意见》的相关规定。
经核查，在本次交易中，韦尔股份聘请国信证券、中德证券担任独立财务顾问，聘请天元律师担任法律顾问，聘请立信会计师、普华永道担任审计机构，聘请立信评估担任评估机构。此外，还聘请美国欧华律师事务所（DLA Piper LLP(US)）等境外律师事务所和上海百一知识产权代理有限公司对北京豪威境外投资、资产、知识产权等事项进行了核查。
韦尔股份除聘请的上述中介机构外，不存在直接或间接有偿聘请其他第三方的行为，符合《关于加强证券公司在投资银行类业务中聘请第三方等廉洁从业风险防控的意见》的相关规定。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十四节本次交易的有关中介机构情况
一、独立财务顾问
（一）国信证券
名称：国信证券股份有限公司
法定代表人：何如
地址：北京市西城区金融大街兴盛街 6号国信证券大厦7层
电话：010-88005103
传真：010-66211974
经办人：李勇、姚崟、张昊瑜、周超、胡钊、董蕾、宿翔
（二）中德证券
名称：中德证券有限责任公司
法定代表人：侯巍
地址：北京市朝阳区建国路81号华贸中心1号写字楼22层
电话：010-59026666
传真：010-59026970
经办人：胡晓、肖楚男、阮孝莉、张希、高碧凝、田悦、孙振博
二、法律顾问
名称：北京市天元律师事务所
事务所负责人：朱小辉
地址：北京市西城区丰盛胡同28号太平洋保险大厦B座10层
电话：010-57763888
传真：010-57763777
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）经办人：周世君、王昆、崔成立
三、审计机构
（一）普华永道
名称：普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）
事务所负责人：李丹
地址：中国上海市黄浦区湖滨路 202号企业天地2号楼普华永道中心11楼电话：021-23238888
传真：021-23238800
经办人：高建斌、徐兴
（二）立信会计师
名称：立信会计师事务所（特殊普通合伙）
事务所负责人：朱建弟
地址：上海市南京东路61号四楼
电话：021-63391166
传真：021-63392558
经办人：陈竑、戴金燕
四、评估机构
名称：上海立信资产评估有限公司
法定代表人：杨伟暾
地址：上海市浦东新区沈家弄路738号8楼
电话：86-21-68877288
传真：86-21-68877020
经办人：沃兆寅、麻俐荃、陈欣然
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十五节本次交易相关各方的声明
上市公司全体董事、监事及高级管理人员声明
本公司及全体董事、监事及高级管理人员承诺《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要，以及本公司所出具的相关申请文件不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性和完整性承担个别和连带的法律责任。
全体董事（含高级管理人员）：
虞仁荣 马剑秋 纪刚
贾渊 于万喜 张锡盛
陈弘毅 王海峰 文东华
全体监事：
韩杰 陈智斌 胡勇海
上海韦尔半导体股份有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）独立财务顾问声明
本公司及经办人员同意上海韦尔半导体股份有限公司在《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要中引用本公司出具的结论性意见，且所引用的本公司出具的结论性意见已经本公司及经办人员审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要不致因上述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性和完整性承担个别或连带的法律责任。
如本公司及经办人员未能勤勉尽责，导致本次重大资产重组申请文件存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏的，本公司将承担连带赔偿责任。
项目协办人：
张昊瑜 周超 董蕾
胡钊 宿翔
财务顾问主办人：
李勇 姚崟
法定代表人：
何如
国信证券股份有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）独立财务顾问声明
本公司及经办人员同意上海韦尔半导体股份有限公司在《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要中引用本公司出具的结论性意见，且所引用的本公司出具的结论性意见已经本公司及经办人员审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要不致因上述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性和完整性承担个别或连带的法律责任。
如本公司及经办人员未能勤勉尽责，导致本次重大资产重组申请文件存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏的，本公司将承担连带赔偿责任。
项目协办人：
阮孝莉 张希 高碧凝
田悦 孙振博
财务顾问主办人：
胡晓 肖楚男
法定代表人：
候巍
中德证券有限责任公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）法律顾问声明
本所及本所经办律师同意《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要引用本所出具的法律意见书的内容，且所引用内容已经本所及本所经办律师审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要中不致因引用前述内容而出现虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对本所出具的法律意见书的内容的真实性、准确性及完整性承担相应的法律责任。
负责人：
朱小辉
经办律师：
周世君 崔成立
王昆
北京市天元律师事务所年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）审计机构声明
本所及签字注册会计师同意贵公司在《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要中引用本所对北京豪威科技有限公司2016年度、2017年度及截至2018年7月31日止7个月期间的财务报表出具的审计报告。
本所及签字注册会计师确认《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要中不致因完整准确地引用本所出具的上述报告而导致在相应部分出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对本所出具的上述报告的真实性、准确性和完整性依据有关法律法规的规定承担相应的法律责任。
签字注册会计师：
高建斌 徐兴
会计师事务所负责人：
李丹
普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）审计机构声明
本所及签字注册会计师同意《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要中引用本所出具的相关报告，且已阅读所引用报告的内容，确认《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要不致因上述引用前述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担相应的法律责任。
签字注册会计师：
陈竑 戴金燕
会计师事务所负责人：
朱建弟
立信会计师事务所（特殊普通合伙）年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）资产评估机构声明
本公司及经办注册资产评估师保证上海韦尔半导体股份有限公司在《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》及其摘要中引用本公司出具的资产评估报告的相关内容已经本公司审阅，确认《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告
书》不致因上述引用内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担相应的法律责任。
经办注册资产评估师：
沃兆寅 陈欣然
法定代表人（或授权代表）：
杨伟暾
上海立信资产评估有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）第十六节备查文件及备查地点
一、备查文件
1.韦尔股份第四届董事会第三十三次会议决议；
2.韦尔股份第四届监事会第二十二次会议决议；
3.交易对方关于本次重组的内部决策文件；
4.韦尔股份独立董事关于本次交易的专项意见；
5.韦尔股份与北京豪威、思比科、视信源交易对方分别签署的发行股份购买资产协议；
6.韦尔股份与思比科、视信源交易对方分别签署的发行股份购买资产协议之补充协议
7.韦尔股份与北京豪威、思比科、视信源业绩承诺方分别签署的利润补偿协议；
8.韦尔股份与思比科、视信源业绩承诺方分别签署的利润补偿协议之补充协议
9.普华永道出具的北京豪威2016年、2017年和2018年1-7月审计报告；
10.立信会计师出具的思比科2016年、2017年和2018年1-7月审计报告；
11.立信会计师出具的视信源2016年、2017年和2018年1-7月审计报告；
12.韦尔股份2017年和2018年1-7月备考审阅报告；
13.立信评估出具的资产评估报告；
14.天元律师出具的法律意见书；
15.国信证券、中德证券关于本次交易出具的独立财务顾问报告；
16.其他与本次交易有关的重要文件。
二、备查地点
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）投资者可在本报告书刊登后至本次交易完成前的每周一至周五上午9:30-11:30，下午14:00-17:00，于下列地点查阅上述文件：
1、上海韦尔半导体股份有限公司
联系地址：上海市浦东新区龙东大道 3000号张江集电港4号楼4楼
电话：021-50805043
传真：021-50152760
联系人：任冰
2、国信证券股份有限公司
联系地址：北京市西城区兴盛街6号国信证券大厦7层
电话：010-88005103
传真：010-66211974
联系人：李勇、姚崟
3、中德证券有限责任公司
联系地址：北京市朝阳区建国路81号华贸中心1号写字楼22层
电话：010-59026666
传真：010-59026970
联系人：胡晓、肖楚男
投资者亦可在中国证监会指定网站上证所网站（http：//www.sse.com.cn）查阅本报告书全文。
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（本页无正文，为《上海韦尔半导体股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）》之签署页）
上海韦尔半导体股份有限公司年 月 日
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）附件一：北京豪威及其合并报表范围内子公司、分公司房屋租赁情况
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|序号|出租方|承租方|房屋坐落|面积|租赁期限|
|1|北京丰联广场大厦有限公司|豪威科技（上海）|北京朝阳区朝外大街18号丰联广场大厦9层912单元|562.00平方米|2017.06.1-2019.5.31|
|2|泰康保险集团股份有限公司|豪威科技（武汉）|湖北武汉市东湖开发区光谷大道77号武汉光谷金融港A1栋18F|1,068.82平方米|2017.11.1-2020.10.31|
|3|北京中关村国际孵化器有限公司|北京豪威|北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层206室|58.00平方米|2018.10.15-2019.10.14|
|4|北京亦庄移动硅谷有限公司|亦庄豪威科技|北京市经济技术开发区科谷一街10号院6号楼5层501-1室|14.00平方米|2018.5.18-2019.5.17|
|5|上海秉沅实业有限公司|豪威半导体|上海市松江区车墩镇李高北路538号|4,976.50平方米|2018.9.11-2023.9.10|
|6|SF Infinite Drive, LLC/1450Infinite Drive, LLC，后者承继前者的权益|美国豪威|1450 Infinite Drive Louisville,Colorado 80027|11,851平方英尺|2012.8.21-2022.11.30|
|7|Alidade Tech Park, LLC|美国豪威|27280 Haggerty Road, FarmingtonHills, Michigan 48331|土地面积：3,772平方英尺；建筑面积：49,944平方英尺|2015.5.20-2023.3.19|
|8|Ken Gin|美国豪威|1865 Silva Place, Santa Clara, CA95054|1646平方英尺|2013.4.13-2020.4.20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|9|Ascendas (Tuas) Pte. Ltd.|OmniVisionTechnologiesSingapore Pte. Ltd.|Tower A #06-09 3A InternationalBusiness Park, ICON@IBP Singapore609935.|183.18平方米|2016.11.1-2021.6.6|
|10|Ascendas (Tuas) Pte. Ltd.|OmniVisionTechnologiesSingapore Pte. Ltd.|Tower A #06-07/08 3A InternationalBusiness Park, ICON@IBP Singapore609935|344平方米|2018.6.7-2021.6.6|
|11|Smart Works Business CentrePrivate Limited|OmniVisionSemiconductorTechnologiesMarketing IndiaPrivate Limited|Global Technology Park Block C,Marathahalli Outer, Ring Road,Devarabeesanahalli Village, Bellandur,Bengaluru – 560103, Karnataka, India|工作区域中的24个单位|2018.9.20-2020.8.31|
|12|Olaf Liesche|OmniVision Trading(Hong Kong) Co.Ltd.|Isartalstr. 44A, Rgb, 80469 Munich,Germany|165平方米|不限期，自2011.9.15始|
|13|Regus Management (UK)Limited|美国豪威|Ancells Business Park, Ancells Road,Fleet, Hampshire Gu51 2UJ, UK|未载明|2018.3.1-2021.2.28|
|14|Daelim Building（代表ParkByeong-Bae）|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited,Korea Branch|1600-3（Daelim Building 2F）Seocho-dong, Seocho-Gu, Seoul, SouthKorea|396平方米|2014.12.24-2019.12.23|
|15|Shin Yokohama TMK（TokuteiMokuteki Kaisha）|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited|18F,2-8-12,2-8-19 and 2-8-20 ShinYokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi,Kanagawa|483.26平方米|2017.7.1-2019.6.30|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|16|K.K. Hase Honsha K.K.|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited|5F A，651-1 Teraimize-cho, Karasuma-dori, Takoyakushi-sagaru, Nakagyo-ku,Kyoto|81.39平方米|2016.6.11-2018.6.10（除非存在提前六个月的终止通知，否则每2年自动更新）|
|17|Taiyo Soko K.K|OmniVision Trading（Hong Kong）Company Limited|3F 5, 1-19-3 ShinYokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi,Kanagawa|7.92平方米|2016.6.20-2020.6.19|
|18|莊雪娥、黄韵如|台湾豪威国际科技有限公司|台北市内湖区瑞光路258巷2号10楼及10楼之1|房屋面积为416.67坪（约1377.5平方米）及位于地下二楼、三楼停车位共13个|2014.5.1-2019.4.30|
|19|时代广场大楼管理委员会|台湾豪威国际科技有限公司|台北市内湖区瑞光路258巷2号地下一楼共13个停车位|地下一楼停车位13个|2016.4.1-2017.3.31（期满后除非任何一方提前30日书面通知此契约终止，本契约将自动展延。根据主管声明书，双方当事人已口头合意展延本合约期限，本合约目前仍在有效合约期限内。）|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|20|时代广场大楼管理委员会|台湾豪威国际科技有限公司|台北市内湖区瑞光路258巷2号地下一楼|地下一楼平台停车位3个|2016.8.1-2017.7.31（期满后除非任何一方提前30日书面通知此契约终止，本契约将自动展延。根据主管声明书，双方当事人已口头合意展延本合约期限，本合约目前仍在有效合约期限内。）|
|21|英属维尔京群岛商科晟有限公司台湾分公司|台湾豪威科技有限公司|新竹市光复段94地号土地之门牌为新竹市公道五路二段101号11楼之1、2、3、5、6、7及12楼之1、2、3、5、6、7等12户|1,059.94坪（约3504.2平方米）|2013.10.1-2021.6-30|
|22|英属维尔京群岛商科晟有限公司台湾分公司|台湾豪威科技有限公司|新竹市公道五路二段105号地下一层、二层及三层|地下一层、二层及三层共计89个停车位|2013.12.16-2021.6.302014.11.10-2021.6.30|
|23|新芳邻有限公司|台湾豪威科技有限公司|新竹市公道五路二段130巷8弄53号|15个停车位|2017.1.1-2018.-12.31|
|24|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|667平方米|2014.1.1-2021.9.30|
|25|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|5个停车位（第61，1313,1314,1315和1316号）|2019.1.1-2022.12.31|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|26|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|4个位置固定的停车位|2015.1.1-2018.12.31|
|27|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|2个非固定停车位|2016.1.1-2018.12.31|
|28|Oslotech AS|OmnivisionTechnologiesNorway AS|Gaustadalléen 21, 0349 Oslo, Norway|1个固定位置的停车位|2015.11.9-2018.12.31|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）附件二：截至 2018年 7月 31日北京豪威专利明细表
一、在中国境内拥有的专利权
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|1|电邮通用串行总线收发信机的互补金属氧化物半导体摄像机||美国豪威|发明专利||ZL 01110913.0||2001/2/28|2009/6/10||
|2|象限模式互补性金属氧化物半导体摄像成象传感器||美国豪威|发明专利||ZL 00108239.6||2000/4/30|2004/5/19||
|3|用符合数据字减少相邻像素电极同数据相差的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 99805193.4||1999/2/22|2005/9/7||
|4|离轴投射器的光分离和重组系统||美国豪威|发明专利||ZL 98811573.5||1998/10/13|2004/12/29||
|5|离轴投射器的光分离和重组系统||美国豪威|发明专利||ZL 200410031982.7||1998/10/13|2006/7/19||
|6|用于数据平面化的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 98813125.0||1998/11/13|2004/1/28||
|7|用于离轴投影仪的偏心透镜组及其使用方法||美国豪威|发明专利||ZL 98812823.3||1998/11/13|2008/4/2||
|8|减少和显示驱动电路中峰值电流和宽带需求的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 98813086.6||1998/11/13|2003/11/5||
|9|显示器驱动电路及其驱动方法||美国豪威|发明专利||ZL 98813064.5||1998/11/13|2004/12/1||
|10|实现饱和电压和临界电压之间调制的具有多象素的显示器||美国豪威|发明专利||ZL 99808247.3||1999/5/7|2004/5/19||
|11|用于调制多路复用像素显示器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 99808246.5||1999/5/7|2004/11/3||
|12|在器件表面形成薄平坦层的组合CMP腐蚀法||美国豪威|发明专利||ZL 99814742.7||1999/12/23|2004/6/23||
|13|平面反射式光阀底板及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 99814743.5||1999/12/23|2003/12/31||
|14|使用量化控制改良解码器性能的方法与系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310280673.2||2013/7/5|2017/10/20||
|15|通过使用多个解码器信道来改良解码器性能的方法与系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310280520.8||2013/7/5|2017/3/1||
|16|解码行程编码数据的解码器和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310280651.6||2013/7/5|2017/11/14||
|17|用于传感器故障检测的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410041409.8||2014/1/28|2017/6/13||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|18|用于传感器故障检测的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410041441.6||2014/1/28|2016/4/6||
|19|随机存取存储器中压缩数据的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310562165.3||2013/11/12|2017/6/9||
|20|特定应用双模式投影系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410054140.7||2014/2/18|2018/3/9||
|21|CMOS图像传感器中具有减弱的暗电流的有源像素||美国豪威|发明专利||ZL 02143163.9||2002/9/16|2008/1/9||
|22|确定光鼠标相对运动的方法和装置||美国豪威|发明专利||ZL 02150636.1||2002/11/6|2008/2/6||
|23|波前编码成像系统的优化图像处理||美国豪威|发明专利||ZL 03809371.5||2003/2/27|2007/9/19||
|24|波前编码成像系统的优化图像处理||美国豪威|发明专利||ZL 200710136351.5||2003/2/27|2010/11/3||
|25|采用非线性和-或空间变化图像处理的光学成像系统于方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780020519.4||2007/4/3|2012/10/10||
|26|用最小化成像系统中的光程差效应的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200480008870.8||2004/3/31|2010/11/17||
|27|具有扩展的聚焦深度的光刻系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200480014933.0||2004/6/1|2009/7/1||
|28|基于任务的成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200680037455.4||2006/9/19|2010/12/8||
|29|用于优化光学和数字系统设计的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200810131277.2||2004/12/1|2010/9/1||
|30|具有波前编码的变焦透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 200780016385.9||2007/3/6|2011/5/11||
|31|用于生成场景的输出图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010500084.7||2010/9/30|2013/1/9||
|32|带有可为电池充电的图像传感器的移动设备||美国豪威|发明专利||ZL 200510060104.2||2005/3/23|2008/6/11||
|33|采用对偶网络模式的增强的视频传输||美国豪威|发明专利||ZL 200510081684.3||2005/7/4|2009/12/23||
|34|移动通讯设备中远端触发多媒体数据传送的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200510083420.1||2005/7/12|2009/7/22||
|35|低高度成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200580034581.X||2005/9/14|2010/5/5||
|36|低高度成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200810161372.7||2005/9/14|2014/3/12||
|37|并行计算单元的重新寻址||美国豪威|发明专利||ZL 200510099360.2||2005/9/15|2008/11/12||
|38|可从负片产生正像的数码相机||美国豪威|发明专利||ZL 200510131785.7||2005/12/14|2010/5/12||
|39|利用可扫描的全球资源定位地址的设备和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200510052037.X||2005/2/28|2010/8/18||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|40|阵列成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780022655.7||2007/4/17|2013/3/27||
|41|饱和光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 200780018200.8||2007/5/23|2013/4/10||
|42|多矩阵景深的波前编码系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610092419.X||2006/5/25|2009/7/29||
|43|多层光学滤波器设计及相关系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880019580.1||2008/4/25|2012/5/16||
|44|具有图像浮散漏极的、高动态范围的传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200810129354.0||2008/6/26|2012/1/25||
|45|多区域成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880110346.X||2008/8/4|2016/4/20||
|46|在向下采样模式中具有高动态范围的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200810214998.X||2008/9/1|2013/6/12||
|47|投射检测器、包含相同透射检测器的系统和相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880113438.3||2008/9/15|2013/11/6||
||用于改善动态范围的具有多个读取电路路径的图像传感器设备和方法|||发明专利||ZL 200810149014.4|||2013/9/15||
|48|||美国豪威|||||2008/9/16|||
|49|用于色彩内插法的、具有简化存储器的高动态范围的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880120447.5||2008/10/20|2012/4/20||
|50|追踪光指示器的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880121082.8||2008/10/23|2012/1/25||
|51|在投射图像上定位光斑的双模投影装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880123279.5||2008/10/23|2013/9/18||
|52|一种检测图像传感器晶片中像素缺陷的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880125704.4||2008/11/21|2012/12/26||
|53|具有集成闪光灯的可回焊相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 200880127391.6||2008/12/16|2016/9/7||
|54|焊接连接可靠性改进的可回焊相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 200880127336.7||2008/12/16|2013/7/24||
|55|使用垫片封胶封装图像传感器的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980124971.4||2009/4/15|2014/8/20||
|56|用于视频编码器中的高质量帧内模式预测的设备和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980125043.X||2009/4/21|2013/11/6||
|57|薄膜悬浮光学元件及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980107784.5||2009/1/16|2014/5/28||
|58|提供非单调的波前相位轮廓和扩展景深的圆对称的非球面光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 200980112946.4||2009/2/17|2012/9/26||
|59|包括分布式相位修改的成像系统及相关联的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980120522.2||2009/4/3|2013/10/16||
|60|有行缓冲区高效透镜畸变校正功能的图像传感器装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880132805.4||2008/12/18|2016/1/6||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|61|基于对象的光学字符识别预处理算法||美国豪威|发明专利||ZL 201080019810.1||2010/3/8|2015/3/25||
|62|多视频标准中可操作的用于图像传感器的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201080027261.2||2010/6/11|2016/1/20||
|63|自动聚焦方法||美国豪威|发明专利||ZL 200910260425.5||2009/12/4|2013/7/3||
||在具有由执行器定位的镜头的成像系统中实现自动聚焦功能的系统及方法|||发明专利||ZL 200910260424.0|||2012/11/7||
|64|||美国豪威|||||2009/12/4|||
|65|与输入输出装置共享的运算放大器||美国豪威|发明专利||ZL 201010600175.8||2010/12/22|2014/11/5||
|66|形成保护膜于微型摄像芯片上的装置及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010129527.6||2010/3/3|2013/11/27||
|67|交替颜色的图像阵列及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210046132.9||2012/2/27|2016/9/21||
|68|串色图像处理系统和提高清晰度的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110197640.2||2011/7/14|2015/4/8||
|69|光学位置输入系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110232700.X||2011/8/15|2016/3/2||
|70|可调且可切换的多层光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 201110304971.1||2011/9/30|2014/8/13||
|71|具有电可变的扩展景深的光学器件||美国豪威|发明专利||ZL 201110369763.X||2011/11/1|2015/3/25||
|72|形成保护膜与芯片封装上的装置及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010622034.6||2010/12/30|2014/7/16||
|73|形成保护膜与芯片封装上的装置及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110035012.4||2011/1/28|2014/8/20||
|74|具全幅对焦的3D影响撷取装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210029671.1||2012/2/8|2017/7/7||
|75|利用半成品方式的二段式光学对象成形||美国豪威|发明专利||ZL 201210029689.1||2012/2/8|2015/3/4||
|76|挠性薄膜及透镜组件及透镜复制的相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210135641.9||2012/5/3|2016/9/14||
|77|使用颜色相关波前编码扩展透镜系统中景深的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201280037446.0||2012/5/31|2016/8/17||
|78|整合管芯级摄像组件及制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210389870.3||2012/10/15|2016/12/28||
|79|用于晶片级相机的晶片间隔片及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210460441.0||2012/11/15|2016/5/18||
|80|具有延长景深的摄像系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201210528671.6||2012/12/10|2017/7/7||
|81|用于晶片级相机的透镜板及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310091302.X||2013/3/21|2016/9/28||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|82|修正图像系统的渐晕的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310248152.9||2013/6/20|2017/4/26||
|83|用于生成画中画（PIP）图像的设备和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310301227.5||2013/7/17|2017/5/10||
|84|使用多个摄像器以及提供延伸视野的摄像处理系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310319912.0||2013/7/17|2017/5/10||
||利用紫外光可穿透模具来制造用于整合式相机的透镜板的方法以及制造紫外光可穿透模具的方法|||发明专利||ZL 201310325838.3|||2017/6/6||
|85|||美国豪威|||||2013/8/15|||
|86|由移动扫描器重新继续捕获物体的基本影响的系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310392064.6||2013/7/30|2016/4/20||
|87|具有白光、黄光及红光感测元件的背面照射光学传感器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201310439203.6||2013/9/2|2017/4/12||
||用于降低红外反射噪声的重影的红外反射-吸收层及使用其的图像传感器|||发明专利||ZL 201310047959.6|||2017/4/12||
|88|||美国豪威|||||2013/9/24|||
|89|取得均匀光源的装置与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310521466.1||2013/2/7|2017/12/12||
|90|用于测试晶圆的探针卡及制造探针卡的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410080747.2||2013/10/29|2016/11/16||
|91|胶囊内镜的大视场透镜系统以及具有大视场透镜系统的胶囊内镜||美国豪威|发明专利||ZL 201310520669.9||2014/3/6|2017/9/22||
|92|包括至少一个拜耳型摄像机的阵列系统及关联的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310590776.9||2013/11/21|2017/3/1||
|93|一种用于基于级的自动调整的对等媒体流的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410072033.7||2014/2/27|2017/9/12||
|94|电子照相机的自动白平衡的自动化自我训练的装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410090857.7||2014/3/12|2017/4/12||
|95|用于360度摄像机系统的校准的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201480031852.5||2014/4/8|2017/8/18||
|96|采用用于灵活图像方位的正方形图像传感器的取像系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410174186.2||2014/4/28|2017/12/26||
|97|具有广视角的五个非球面表面晶片级透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410186759.3||2014/5/5|2016/8/31||
|98|在线存储器测试系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410190897.9||2014/5/7|2017/7/11||
|99|镜框的同设系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410222332.4||2014/5/23|2016/2/3||
|100|用于生成全景图像的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410272592.2||2014/6/13|2018/2/6||
||用于照相机中的分布式图像处理以使在缝合影响中的伪影最小化的方法及设备|||发明专利||ZL 201410299335.8|||2018/2/6||
|101|||美国豪威|||||2014/6/25|||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|102|自发光互补金属氧化物半导体影响传感器封装||美国豪威|发明专利||ZL 201510427862.7||2014/7/8|2017/7/21||
|103|用于单一成像传感器的摄影机装置及系统以及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410455502.3||2014/9/9|2017/8/11||
|104|凹坑配液过程形成光学透镜的装置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410471111.0||2014/9/16|2017/10/13||
||具有屏蔽、深穿透及颜色检测光二极管的颜色光传感器阵列的传感器和方法|||发明专利||ZL 201410471114.4|||2017/7/25||
|105|||美国豪威|||||2014/9/16|||
|106|镀膜的金刚石切削的复刻母盘和相关联的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410590031.7||2014/10/28|2018/3/9||
|107|双像素大小彩色影响传感器及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410643620.7||2014/11/10|2017/6/16||
|108|图像数据的聚合高动态范围的成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410721378.0||2014/12/2|2018/1/2||
|109|捕获可见光和红外光图像的图像传感器及关联系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410725825.X||2014/12/3|2017/7/7||
|110|具有多晶硅栅极P型掺杂的NMOS源级跟随器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410737170.8||2014/12/5|2018/3/9||
|111|基于数字校准的长距离MIPI D-PHY 串行链路的偏斜消除||美国豪威|发明专利||ZL 201410835919.2||2014/12/29|2017/7/18||
|112|具有高效率热传递的成像设备及其相关系统||美国豪威|发明专利||ZL 201510004893.1||2015/1/5|2018/1/26||
|113|用于空间受限位置中的成像系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510195026.0||2015/4/22|2018/1/26||
|114|光学变焦成像系统及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510216820.9||2015/4/30|2017/5/10||
|115|在晶圆层上将相机立方体镀黑的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510223903.0||2015/5/5|2017/8/25||
|116|悬浮透镜系统及用于制造悬浮式透镜系统的晶圆级方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510239654.4||2015/5/12|2017/5/10||
|117|晶圆级硅基液晶投影组件、系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410221984.6||2014/5/23|2017/4/12||
||透光区及图像传感装置的形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 200810109945.1|||2012/3/21||
||||股份有限||||||||
|118||||||||2008/6/11|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||对准装置及其应用||采钰科技|发明专利||ZL 200810083470.3|||2011/3/16||
|119||||||||2008/3/7|||
||||股份有限||||||||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||透镜模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200810128893.2|||2012/3/21||
||||股份有限||||||||
|120||||||||2008/6/24|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像感测装置的电子组件||采钰科技|发明专利||ZL 200810108321.8|||2011/7/20||
||||股份有限||||||||
|121||||||||2008/6/6|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200810108555.2|||2012/10/10||
||||股份有限||||||||
|122||||||||2008/5/27|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||具电磁波相容镀层的电子元件封装体||采钰科技|发明专利||ZL 200810170087.1|||2012/12/12||
||||股份有限||||||||
|123||||||||2008/10/22|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像传感器装置及其密封模块||采钰科技|发明专利||ZL 200910178054.6|||2011/6/15||
||||股份有限||||||||
|124||||||||2009/9/28|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型影像撷取透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200910009683.6|||2011/8/3||
|125||||||||2009/2/4|||
||||股份有限||||||||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像捕捉镜头||采钰科技|发明专利||ZL 200910142716.4|||2015/2/11||
||||股份有限||||||||
|126||||||||2009/5/31|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型影像撷取透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200910005888.7|||2011/6/29||
||||股份有限||||||||
|127||||||||2009/2/10|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型相机模块||采钰科技|发明专利||ZL 200910165192.0|||2012/11/21||
||||股份有限||||||||
|128||||||||2009/7/27|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||微型图像提取透镜||采钰科技|发明专利||ZL 200910221050.1|||2014/10/8||
||||股份有限||||||||
|129||||||||2009/11/9|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像感测元件的电子装置、晶片级透镜组||采钰科技|发明专利||ZL 201010125289.1|||2012/9/19||
||||股份有限||||||||
|130||||||||2010/2/24|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像摄取透镜模块||采钰科技|发明专利||ZL 201010156921.9|||2013/2/13||
|131||||||||2010/4/6|||
||||股份有限||||||||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||透镜组及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201010131788.1|||2014/3/26||
||||股份有限||||||||
|132||||||||2010/3/16|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像摄取透镜模块及图像摄取系统||采钰科技|发明专利||ZL 201010105509.4|||2012/5/23||
||||股份有限||||||||
|133||||||||2010/1/28|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像提取透镜模块及图像提取装置封装物||采钰科技|发明专利||ZL 201110281919.9|||2014/2/12||
||||股份有限||||||||
|134||||||||2011/9/16|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||光学装置及其设计方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110281453.2|||2014/11/26||
||||股份有限||||||||
|135||||||||2011/9/14|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像感测元件的制造方法和铸造装置||采钰科技|发明专利||ZL 201010275824.1|||2013/11/6||
||||股份有限||||||||
|136||||||||2010/9/7|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像摄取透镜模块及图像摄取系统||采钰科技|发明专利||ZL 201010518057.2|||2014/6/18||
|137||||||||2010/10/20|||
||||股份有限||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201210005389.X|||2016/1/13||
||||股份有限||||||||
|138||||||||2012/1/6|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像感测装置及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201010504411.6|||2013/4/17||
||||股份有限||||||||
|139||||||||2010/10/11|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||透镜模块及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110085946.9|||2014/12/31||
||||股份有限||||||||
|140||||||||2011/4/2|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||透镜模块及其形成方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110281917.X|||2014/3/26||
||||股份有限||||||||
|141||||||||2011/9/16|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110349376.X|||2015/7/29||
||||股份有限||||||||
|142||||||||2011/10/31|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110281907.6|||2015/9/2||
|143||||||||2011/9/16|||
||||股份有限||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110274849.4|||2015/1/21||
||||股份有限||||||||
|144||||||||2011/9/9|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||相机模块及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 201110461196.0|||2015/2/11||
||||股份有限||||||||
|145||||||||2011/12/26|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||相机单元及其微镜头||采钰科技|发明专利||ZL 201210062942.3|||2016/2/24||
||||股份有限||||||||
|146||||||||2012/3/7|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
|147|三片式全非球面转换器鱼眼镜头||美国豪威|发明专利||ZL 201510518923.0||2015/8/21|2017/6/13||
|148|自动化的细胞生长/迁移检测系统及相关的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510541972.6||2015/8/28|2017/10/17||
|149|具有信号分离的颜色滤波器阵列的双模图像传感器及其方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510646042.7||2015/10/8|2018/5/1||
|150|特别用途的背照式光传感器集成电路接地系统||美国豪威|发明专利||ZL 201510726762.4||2015/10/30|2017/9/29||
|151|低剖面混合型透镜系统及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610052338.0||2016/1/26|2017/6/23||
|152|用于硅基液晶投影显示器LCOS的空间交错的偏振转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201610105560.2||2016/2/25|2017/9/1||
|153|含有干粘合剂层之光学组件及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610150979.X||2016/3/16|2018/4/6||
|154|可减少随机电讯信号噪音的CMOS图像传感器和相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610274366.7||2016/4/28|2017/10/27||
|155|用于文件芯片内建相位检测之影响传感器以及相关系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610320488.5||2016/5/16|2017/11/24||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|156|单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法||美国豪威|发明专利||ZL 00101821.3||2000/1/29|2004/11/24||
|157|光学图像传感器集成电路的单片规模封装||美国豪威|发明专利||ZL 01110911.4||2001/2/28|2004/12/29||
|158|具有冷却装置的图像传感器集成电路组件||美国豪威|发明专利||ZL 01112157.2||2001/3/29|2005/4/27||
||用于互补型金属氧化物半导体图像传感器的优化浮置 P+区光电二极管|||发明专利||ZL 00135994.0|||2004/7/14||
|159|||美国豪威|||||2000/11/15|||
|160|用于图像处理的模拟延时线||美国豪威|发明专利||ZL 00118815.1||2000/5/6|2005/5/11||
|161|用于降低图像延迟的改进的主动象素传感器软复位电路||美国豪威|发明专利||ZL 00137081.2||2000/12/14|2005/7/20||
|162|彩色图像数据处理和压缩方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 01110912.2||2001/2/28|2005/7/13||
|163|减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化||美国豪威|发明专利||ZL 02157576.2||2002/11/4|2009/1/23||
|164|MOS图像传感器中快速自动曝光或增益控制的方法||美国豪威|发明专利||ZL 02150634.5||2002/11/7|2008/9/30||
|165|从像素读出光信号的读出电路及读出方法||美国豪威|发明专利||ZL 02150635.3||2002/11/6|2008/2/20||
|166|在互补式金氧半导体影像感测器中快速自动曝光或增益控制的方法||美国豪威|发明专利||ZL 03103484.5||2003/1/24|2005/11/30||
|167|一种从像素中读出像素信号的方法||美国豪威|发明专利||ZL 03108315.3||2003/3/27|2007/3/21||
|168|具有光敏彩色过滤器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 02154899.4||2002/12/3|2005/11/2||
||具有数目减少的列读出电路的CMOS图像传感器和从一行像素读出像素信号的方法|||发明专利||ZL 200410005436.6|||2007/7/11||
|169|||美国豪威|||||2004/2/18|||
|170|具有双重自动曝光控制的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200410002994.7||2004/1/21|2009/3/11||
|171|N-型衬底上的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200510052301.X||2005/2/4|2009/3/11||
|172|数字快门||美国豪威|发明专利||ZL 200510074548.1||2005/5/27|2012/1/11||
|173|混成电荷耦合的CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200510063618.3||2005/3/28|2015/7/29||
|174|自动白平衡的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 200910161257.4||2005/3/28|2012/2/8||
|175|用于局部适配图像处理滤波器的方法及系统||美国豪威|发明专利||ZL 200510073669.4||2005/5/19|2008/5/21||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|176|使用处理过的YUV数据之透镜校正||美国豪威|发明专利||ZL 200410086491.2||2004/10/22|2012/5/16||
|177|检测周围光源闪烁比率用来控制便携式摄像机的帧频的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 200510073662.2||2005/5/19|2009/7/1||
|178|采用不对称传输晶体管的有源像素单元||美国豪威|发明专利||ZL 200510078777.0||2005/6/14|2009/6/17||
|179|具有可变电容输出或浮动节点的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510106091.8||2005/10/1|2010/1/27||
|180|具有非凹面光电二极管的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510113074.7||2005/10/12|2009/11/18||
|181|在积分周期内传输门具有正电压的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510113947.4||2005/10/17|2008/7/2||
|182|光电二极管中带有多种掺杂物植入的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510113109.7||2005/10/14|2009/8/26||
|183|在光电二极管上设有防反射涂层的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510119818.6||2005/11/7|2009/12/16||
|184|CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 200510130905.1||2005/12/8|2011/4/6||
|185|CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法||美国豪威|发明专利||ZL 201010104918.2||2005/12/8|2013/10/30||
|186|具有优化的漂浮扩散的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200610005423.8||2006/1/14|2010/2/1||
|187|具有优化的漂浮扩散的图像传感器及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200910175098.3||2009/9/22|2011/11/2||
|188|光电二极管具有铟连接层的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510126641.2||2005/12/2|2011/8/31||
|189|用于图像传感器的自动聚焦||美国豪威|发明专利||ZL 200610004635.4||2006/1/26|2011/6/29||
|190|用于图像传感器的机械快门装置||美国豪威|发明专利||ZL 200610009083.6||2006/2/17|2012/7/11||
|191|用于图像传感器的氘熔合处理||美国豪威|发明专利||ZL 200610005234.0||2006/1/4|2008/11/26||
|192|由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200510135886.1||2005/12/22|2011/2/2||
|193|一种集成电路||美国豪威|发明专利||ZL 200610005998.X||2006/1/18|2012/11/21||
|194|具有铟掺杂形成的横向掺杂梯度的图像传感器像素及其制备方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610005411.5||2006/1/13|2009/9/30||
|195|图像传感器中采用化学机械抛光的自动准金属硅化物工艺||美国豪威|发明专利||ZL 200610009135.X||2006/2/13|2009/9/2||
|196|用于图像传感器的自动对准金属硅化物处理方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610054902.9||2006/2/14|2012/6/27||
|197|突起的硅光电二极管及像素||美国豪威|发明专利||ZL 200610108557.2||2006/7/21|2010/12/22||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|198|可降低蚀刻损害的图像传感器制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610110604.7||2006/7/18|2008/10/15||
|199|传输门电路下方具有微笑结构的CMOS图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200610079259.5||2006/4/24|2008/8/13||
|200|减少CMOS图像传感器中光学串扰的方法和设备||美国豪威|发明专利||ZL 200610126119.9||2006/8/22|2009/8/26||
|201|涂敷的晶圆级照相模块及其制备方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610129193.6||2006/9/7|2010/9/29||
|202|具有优化图像浮散性能的图像传感器结构及工艺方法||美国豪威|发明专利||ZL 200610108192.3||2006/7/24|2009/7/22||
|203|数码相机中的图像防颤的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 200710006203.1||2007/1/30|2012/4/25||
|204|图像感应装置图像传感器模组及制备方法||美国豪威|发明专利||ZL 200710006194.6||2007/1/29|2009/7/22||
|205|使用能量转换层增加图像传感器中的光吸收的方法和装置||美国豪威|发明专利||ZL 200710127591.9||2007/7/5|2012/12/5||
|206|传感光电二极管上方具有曲面微镜的图像传感器及其制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 200710163496.4||2007/10/25|2012/10/31||
|207|具有图像模糊减少机制的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200810001092.X||2008/1/22|2011/12/14||
|208|具有输出噪声降低机制的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200710194734.8||2007/11/29|2011/9/14||
|209|具有减少的列固定图案噪声的成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010258868.3||2010/8/18|2014/3/12||
|210|白/黑像素校正装置和方法以及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880114259.1||2008/10/21|2013/1/16||
|211|用于图像传感器的光源频率探测电路||美国豪威|发明专利||ZL 200880107035.8||2008/9/11|2013/1/2||
|212|用于高速低电压共模驱动器的复制偏置电路||美国豪威|发明专利||ZL 200880120991.X||2008/11/18|2013/8/7||
|213|限制输出高电压的混合型芯片上调节器||美国豪威|发明专利||ZL 200880124827.6||2008/12/16|2013/5/22||
|214|具有载体基板和再分配层的背面受光成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126380.6||2008/12/23|2013/6/19||
|215|具有全域快门及储存电容器的背侧照明图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980104572.1||2009/1/27|2013/1/23||
|216|图像传感器的自对准滤光片||美国豪威|发明专利||ZL 200980105000.5||2009/2/4|2016/8/3||
|217|具有栅极有源区域上的触点的晶体管||美国豪威|发明专利||ZL 200980114512.8||2009/5/8|2015/3/18||
|218|具有背面P+掺杂层的背面受光成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126428.3||2008/12/23|2013/1/16||
|219|具有深光反射沟槽的背照式图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126436.8||2008/12/17|2013/9/18||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|220|使用双极晶体管的光源频率检测电路||美国豪威|发明专利||ZL 200880116692.9||2008/11/5|2013/3/6||
|221|用于背侧照明图像传感器的黑色参考像素||美国豪威|发明专利||ZL 200980104591.4||2009/2/2|2016/2/17||
|222|具有硅化物光反射层的背面受光成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126427.9||2008/12/24|2013/8/14||
|223|具有聚焦互连的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980120176.8||2009/5/12|2013/9/11||
|224|自适应局部白平衡调节的系统与方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980112405.1||2009/3/11|2016/4/6||
|225|具有红外检测层的背面受光CMOS成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880126448.0||2008/12/24|2012/6/20||
|226|用于背侧照明图像传感器的电路与光传感重迭||美国豪威|发明专利||ZL 200980104585.9||2009/2/2|2013/5/1||
|227|具抖动补偿的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010550436.X||2010/11/10|2013/11/6||
|228|具有全域快门的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010169638.X||2010/4/30|2012/10/10||
|229|具有改良的角度响应的背面照射式成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980145870.5||2009/11/11|2015/4/22||
|230|图像传感器的部分行读出||美国豪威|发明专利||ZL 200980123096.8||2009/6/1|2013/6/19||
|231|具有低串扰及高红色灵敏度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980140364.7||2009/8/17|2013/12/11||
|232|基于单一行的缺陷像素修正的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980143694.1||2009/10/20|2014/8/27||
|233|具有改进背侧表面处理的CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200910211968.8||2009/12/8|2012/7/4||
|234|具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素||美国豪威|发明专利||ZL 201110096075.0||2011/4/1|2013/10/30||
|235|包含具有按比例调整的宽度的金属反射器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010258867.9||2010/8/18|2013/12/25||
|236|具有强化垫结构的背面照明成像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010564504.8||2010/11/16|2013/7/3||
|237|具有离散电子排斥元件阵列的光电检测器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 200910215867.8||2009/12/30|2014/8/27||
|238|具有光检测器阵列及周边区域的较细和较粗互连线的装置||美国豪威|发明专利||ZL 201010265986.7||2010/8/25|2015/1/14||
|239|具有在滤色片中形成的波导的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010550429.X||2010/11/8|2013/9/4||
|240|CMOS像素中的半岛形传输栅||美国豪威|发明专利||ZL 200980154315.9||2009/12/29|2015/3/25||
|241|用于减少串扰的多层图像传感器像素结构||美国豪威|发明专利||ZL 201010159246.5||2010/4/26|2012/11/28||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|242|具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010250961.X||2010/8/9|2013/3/27||
|243|具有外延自对准光传感器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110008440.8||2011/1/6|2014/7/30||
|244|具有改良式黑白平校准的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110046568.3||2011/2/17|2014/4/30||
|245|用于图像传感器的改良的激光退火||美国豪威|发明专利||ZL 201110114682.5||2011/4/25|2015/7/15||
|246|具有改良的光电二极管区域分配的CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110206456.X||2011/7/15|2015/1/7||
|247|双面图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201080065219.X||2010/5/24|2015/12/9||
|248|具有双元件彩色滤波器阵列和三信道彩色输出的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110218062.6||2011/7/22|2016/8/17||
|249|用于晶片级照相机模块的强化结构||美国豪威|发明专利||ZL 201110165204.7||2011/6/7|2015/1/7||
|250|具有流水线化列模数转换器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110375210.5||2011/11/8|2015/9/23||
|251|具有背景电流操纵的背侧受激传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110261318.1||2011/8/8|2014/6/18||
|252|嵌入传送栅||美国豪威|发明专利||ZL 201110245139.9||2011/8/8|2015/4/15||
|253|具有改良噪声屏蔽的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110286464.X||2011/9/7|2015/4/22||
|254|用于CMOS图像传感器的可变电压行驱动器||美国豪威|发明专利||ZL 201310037820.3||2013/1/31|2016/5/18||
|255|具有应力膜的背侧照明图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110261316.2||2011/8/8|2014/6/25||
|256|可见及红外双重模式成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201110317482.X||2011/10/12|2014/9/17||
|257|用于CMOS图像传感器的无损杂质掺杂的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110308295.5||2011/9/29|2015/3/25||
|258|具有补充电容性耦合节点的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110433598.X||2011/12/16|2014/8/20||
|259|具有补充电容性耦合节点的图像传感器和其操作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410347541.1||2011/12/16|2018/2/16||
|260|用于成像像素的黑色点评校正的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310050782.5||2013/2/8|2016/5/18||
|261|使用切割道蚀刻的晶圆切片||美国豪威|发明专利||ZL 201110392612.6||2011/11/23|2015/3/4||
|262|用于背面照明图像传感器的密封环支撑件||美国豪威|发明专利||ZL 201210012196.7||2012/1/5|2015/2/11||
|263|用于CMOS图像传感器的模拟行黑色电平校准||美国豪威|发明专利||ZL 201210020760.X||2012/1/18|2014/12/10||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|264|用于触摸及手势辨识的光学触摸垫||美国豪威|发明专利||ZL 201110460487.8||2011/12/29|2016/4/13||
|265|具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201210256419.4||2012/7/23|2015/10/21||
|266|使用硬掩模的滤色器变化图案化||美国豪威|发明专利||ZL 201110461303.X||2011/12/30|2015/11/25||
|267|低共模驱动器||美国豪威|发明专利||ZL 201210171148.2||2012/5/29|2015/9/2||
|268|用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201210171149.7||2012/5/29|2015/6/10||
|269|用于移动通信设备中的图像重叠的方法以及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201110266327.X||2011/8/30|2016/4/6||
|270|具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域||美国豪威|发明专利||ZL 201210308681.9||2012/8/27|2016/1/20||
|271|具有聚焦能力的图像捕获系统||美国豪威|发明专利||ZL 201110460499.0||2011/12/29|2015/5/13||
|272|用于具有聚焦能力的图像捕获系统的外壳||美国豪威|发明专利||ZL 201110461300.6||2011/12/30|2015/12/16||
|273|多重转换增益图像传感器的多电平复位电压||美国豪威|发明专利||ZL 201210273421.2||2012/8/2|2015/8/19||
|274|双向相机组合件||美国豪威|发明专利||ZL 201210325412.3||2012/9/5|2016/12/28||
|275|用于提供图像传感器像素中的经改进全阱容量的方法、设备及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201210432093.6||2012/11/2|2015/12/9||
|276|包含光导的背侧照明式（BSI）像素||美国豪威|发明专利||ZL 201210505510.5||2012/11/30|2016/5/25||
|277|具有增强例子掺杂的方法及装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310102956.8||2013/3/27|2016/7/20||
|278|相机模块及包括相机模块的系统||美国豪威|发明专利||ZL 201210327641.9||2012/9/6|2016/9/21||
|279|图像传感器的部分掩埋沟道传送装置||美国豪威|发明专利||ZL 201210385836.9||2012/10/12|2016/3/30||
|280|在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310055432.8||2013/2/21|2016/1/13||
|281|用于具有背侧照明的高速CMOS图像传感器的多行同时读出方案||美国豪威|发明专利||ZL 201210384611.1||2012/10/11|2016/12/21||
|282|高动态范围子取样架构||美国豪威|发明专利||ZL 201210385026.3||2012/10/11|2016/6/15||
|283|用于高性能CMOS图像传感器的算术计数器电路、配置和应用||美国豪威|发明专利||ZL 201210384325.5||2012/10/11|2016/12/21||
|284|用于飞行时间传感器的电路配置和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310061361.2||2013/2/27|2016/7/6||
|285|用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计||美国豪威|发明专利||ZL 201210432343.6||2012/11/2|2015/10/21||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|286|具有自对准沟道宽度的晶体管||美国豪威|发明专利||ZL 201210399143.5||2012/10/19|2016/7/6||
|287|用于3D成像的有具有交替偏光的滤光器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310025756.7||2013/1/23|2016/6/22||
|288|用于并行交换视频数据的方法、设备和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310144426.X||2013/4/24|2017/4/12||
|289|用以提供用于缓冲的视频数据的方法、设备及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310176524.1||2013/5/14|2017/5/17||
|290|用于组合图像的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310050822.6||2013/2/8|2016/12/28||
|291|包括图像传感器的设备、半导体装置及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310050923.3||2013/2/8|2016/8/3||
|292|背侧照明成像传感器的侧向光屏蔽物||美国豪威|发明专利||ZL 201310049121.0||2013/2/7|2016/6/15||
|293|具有脉冲操作模式的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310069401.8||2013/3/5|2016/4/13||
|294|用于图像传感器的多斜率列并行模-数转换中的校准||美国豪威|发明专利||ZL 201310086281.2||2013/3/18|2016/9/7||
|295|具有集成周围光检测的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201280067475.1||2012/12/28|2017/10/17||
|296|图像传感器系统的用于传送图像数据及控制信号的共享端子||美国豪威|发明专利||ZL 201210452805.0||2012/11/13|2016/12/21||
|297|图像传感器系统的用于传送时钟及控制信号的共享端子||美国豪威|发明专利||ZL 201210452250.X||2012/11/13|2017/4/12||
|298|用于减少像素单元噪声的方法、设备及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310113035.1||2013/4/2|2017/9/5||
|299|具有卡入式闩锁的晶片级相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 201310109917.0||2013/3/29|2016/12/28||
|300|具有保护管的晶片级相机模块||美国豪威|发明专利||ZL 201310109567.8||2013/3/29|2017/5/17||
|301|具有多种ADC模式的混合模-数转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201310268013.2||2013/6/28|2016/12/28||
|302|双侧图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310119815.7||2013/4/8|2016/5/18||
|303|具有改良性能的大型互补金属氧化物半导体图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201310223504.5||2013/6/6|2016/2/10||
|304|使用次要相机的快门释放||美国豪威|发明专利||ZL 201310190039.X||2013/5/21|2017/4/12||
|305|图像传感器和减少功率消耗的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310311035.2||2013/7/23|2017/5/17||
|306|电容可选择电荷泵||美国豪威|发明专利||ZL 201310320620.9||2013/7/26|2016/3/2||
|307|具有集成电磁干扰屏蔽的集成电路堆叠||美国豪威|发明专利||ZL 201310222125.4||2013/6/5|2016/9/21||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|308|视频产生方法及视频成像获取系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310401775.5||2013/9/6|2017/5/24||
|309|用于低暗电流CMOS像素单元的接地触点结构||美国豪威|发明专利||ZL 201310303157.7||2013/7/18|2017/8/29||
|310|用于减少CMOS图像传感器的模拟图像数据中的噪声的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201310346759.0||2013/8/9|2017/3/1||
|311|用于减少所投影图像中的斑点的装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310291249.8||2013/7/11|2016/8/17||
|312|具有固定电位输出晶体管的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310168391.3||2013/5/9|2016/12/28||
|313|用于减少的电荷注入的CMOS图像传感器开关电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310298240.X||2013/7/16|2016/6/29||
|314|选择性增益控制电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310322171.1||2013/7/29|2017/6/9||
|315|含有具有三角形截面的金属栅格的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310163899.4||2013/5/7|2016/4/13||
|316|紧凑型像素中高动态范围成像||美国豪威|发明专利||ZL 201310317708.5||2013/7/26|2017/12/5||
|317|具有色彩滤光器的分割图像传感器的透镜阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201310313751.4||2013/7/24|2016/9/7||
|318|用于减少输出变化的比较器电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310220590.4||2013/6/5|2016/6/29||
|319|像素阵列、图像传感器系统及用于提供像素阵列的转换增益的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310651681.3||2013/12/5|2017/5/24||
|320|用于为3D成像投射结构光的低Z高度投影系统||美国豪威|发明专利||ZL 201310312234.5||2013/7/24|2015/11/18||
|321|集成电路系统、成像传感器系统及其制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310336858.0||2013/8/5|2016/8/10||
|322|随机估计模-数转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201310243146.4||2013/6/19|2017/4/26||
|323|图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310350125.2||2013/8/13|2016/8/31||
||图像传感器及包含及包含多个可选择经啮合滤光器组的彩色滤光器阵列|||发明专利||ZL 201310574247.X|||2017/4/26||
|324|||美国豪威|||||2013/11/15|||
|325|具有偏移电压移除的带隙参考电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310624671.0||2013/11/27|2017/7/4||
|326|用以减少图像记忆效应的带负电荷层||美国豪威|发明专利||ZL 201310340938.3||2013/8/7|2016/5/18||
|327|用以减少图像记忆效应的带负电荷层||美国豪威|发明专利||ZL201610318158.2||2016/5/13|2018/2/16||
|328|具有衬底噪声隔离的方法及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310705678.5||2013/12/19|2017/9/29||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|329|自适应多转换斜坡模-数转换器||美国豪威|发明专利||ZL 201310497308.7||2013/10/22|2017/9/5||
|330|用于减少像素阵列读出时间的转换电路||美国豪威|发明专利||ZL 201310164514.6||2013/5/7|2017/7/4||
||用于消除具有掺杂等离子体的钉扎层的像素中的滞后的工艺及其设备|||发明专利||ZL 201310698090.1|||2017/4/12||
|331|||美国豪威|||||2013/12/18|||
|332|底部芯片上具有光敏电路元件的堆叠芯片图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310481663.5||2013/10/15|2017/4/12||
|333|包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器||美国豪威|发明专利||ZL 201310524372.X||2013/10/30|2017/1/11||
|334|包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310503867.4||2013/10/23|2017/11/14||
|335|具有三层视频场景的影中影视频流||美国豪威|发明专利||ZL 201310405499.X||2013/9/9|2017/5/24||
|336|用于随机数产生的设备、方法和系统及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201310680647.9||2013/12/12|2017/11/14||
|337|荧光成像模块||美国豪威|发明专利||ZL 201310515993.1||2013/10/28|2016/12/7||
|338|形成用于图像传感器的双尺寸微透镜的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310589075.3||2013/11/20|2017/3/1||
|339|拥有具有增加的光学串扰的像素的图像传感器及其使用||美国豪威|发明专利||ZL 201410064275.1||2014/2/25|2017/9/19||
|340|具有多个放大器晶体管的高动态范围像素||美国豪威|发明专利||ZL 201310511423.5||2013/10/25|2017/5/17||
|341|用于校正图像传感器固定图案噪声的设备、系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410014665.8||2014/1/13|2017/10/20||
|342|基于动态映射的自动白平衡||美国豪威|发明专利||ZL 201310636777.2||2013/12/2|2017/4/26||
|343|具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310655864.2||2013/12/6|2017/4/12||
|344|图像传感器以及成像装置||美国豪威|发明专利||ZL 201310647832.8||2013/12/4|2017/4/12||
|345|具有低轮廓触点的集成电路堆叠||美国豪威|发明专利||ZL 201310724177.1||2013/12/25|2017/4/12||
|346|基于象素强度分布的多目标自动曝光及增益控制的方法和系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410065903.8||2014/2/26|2018/1/5||
||具有拥有栅极之间的窄间隔的全局快门的图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法|||发明专利||ZL 201310724251.X|||2017/5/31||
|347|||美国豪威|||||2013/12/25|||
|348|成像系统及使图像传感器聚焦的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310589090.8||2013/11/20|2017/5/31||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|349|成像系统及使图像传感器聚焦的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410050447.X||2014/2/13|2017/12/1||
|350|从像素阵列读取像素数据的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410210216.0||2014/5/19|2017/9/22||
|351|图像传感器及其操作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410006114.7||2014/1/7|2018/1/26||
|352|像素单元平面化图层中用于黑电平校正的光学屏蔽||美国豪威|发明专利||ZL 201410008314.6||2014/1/8|2018/1/23||
|353|背侧照明式图形传感器及其制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410061250.6||2014/2/24|2017/12/19||
|354|用于图像传感器读取图像数据的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201410010015.6||2014/1/9|2018/1/12||
|355|光子监测装置和堆叠硅光电倍增器||美国豪威|发明专利||ZL 201410005758.4||2014/1/7|2017/1/4||
|356|减少图像传感器中的噪声的谐波音调的方法及图像感测系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410157946.9||2014/4/18|2017/12/22||
|357|彩色滤光片阵列、彩色滤光片阵列设备及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410302864.9||2014/6/27|2017/4/12||
|358|用于提供增强的视觉的眼罩式显示系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310596285.5||2013/11/22|2017/7/4||
|359|具有缩放滤波器阵列和像素内仓的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410355660.1||2014/7/24|2017/8/1||
|360|X射线与光学图像传感器以及其成像系统及制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410063553.1||2014/2/25|2017/8/25||
|361|用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201410074474.0||2014/3/3|2018/1/23||
|362|用于图像传感器的大-小像素图案及其使用||美国豪威|发明专利||ZL 201410074543.8||2014/3/3|2017/10/3||
|363|具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图像传感器像素单元||美国豪威|发明专利||ZL 201410009345.3||2014/1/9|2017/10/3||
|364|用于图像投影仪的去斑光学系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410300995.3||2014/6/26|2017/11/28||
|365|堆叠芯片SPAD图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410252328.2||2014/6/9|2017/8/11||
|366|控制像素阵列的方法及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410306807.8||2014/6/30|2018/1/23||
|367|具有光子计数器的低功率成像系统及操作像素阵列的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410311079.X||2014/7/1|2018/2/9||
||用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器|||发明专利||ZL 201410437739.9|||2017/10/31||
|368|||美国豪威|||||2014/8/29|||
|369|背侧照明式单光子雪崩二极管及包括其的成像传感器系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410446216.0||2014/9/3|2017/7/4||

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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|370|获取图像数据的方法、高动态范围成像系统及像素单元||美国豪威|发明专利||ZL 201510011546.1||2015/1/9|2018/3/27||
|371|获取图像数据的方法、供使用的HDR成像系统及像素||美国豪威|发明专利||ZL 201510011819.2||2015/1/9|2018/2/16||
|372|具有全局布线通道的集成电路芯片及专用集成电路||美国豪威|发明专利||ZL 201410775868.9||2014/12/15|2017/12/5||
|373|彩色滤光器阵列、图像传感器以及用于减少光谱串扰的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510462856.5||2015/7/31|2018/2/16||
|374|使用移动平台的视频会议||美国豪威|发明专利||ZL 201410804240.7||2014/12/19|2016/10/5||
|375|像素单元及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410822566.2||2014/12/25|2017/12/5||
|376|飞行时间感测单元及飞行时间感测系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410814929.8||2014/12/24|2018/3/27||
|377|用于飞行时间3D图像传感器的可编程电源流||美国豪威|发明专利||ZL 201410820446.9||2014/12/25|2017/9/5||
|378|用于飞行时间成像系统的校准电路及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510319589.6||2015/6/11|2018/2/16||
|379|用于减少色彩混叠的彩色滤光器阵列及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201610322682.7||2016/5/16|2018/4/20||
|380|像素单元、图像传感器及提升像素单元中复位电平的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510751516.4||2015/11/6|2018/3/27||
|381|用于实施扩展范围逐次逼近模-数转换器的方法及系统||美国豪威|发明专利||ZL 201610048436.7||2016/1/25|2017/11/17||
|382|对双转换增益高动态范围传感器的补偿||美国豪威|发明专利||ZL 201610071678.8||2016/2/2|2017/11/14||
|383|具有支撑结构以提供经改进滤光器厚度均匀性的彩色滤光器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201510794430.X||2015/11/18|2018/3/9||
|384|高分辨率阵列摄像机||美国豪威|发明专利||ZL 201510795403.4||2015/11/18|2017/9/19||
|385|通过斜坡产生器的图像传感器电源抑制比噪声消减||美国豪威|发明专利||ZL 201610079549.3||2016/2/4|2018/2/6||
|386|具有强化的晶片结合的集成电路堆叠||美国豪威|发明专利||ZL 201610090300.2||2016/2/18|2017/11/17||
|387|针对于接口电路的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201610812451.4||2016/9/9|2018/3/27||
|388|扩展有效动态范围的图像传感器及图像捕捉系统||美国豪威|发明专利||ZL 200580032021.0||2005/9/20|2010/9/29||
|389|具有电荷装仓的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200480020150.3||2004/7/1|2010/9/8||
|390|具有电荷装仓的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201010136328.8||2004/7/1|2012/1/4||
|391|具有替换电路分布的图像传感器阵列||美国豪威|发明专利||ZL 200480031054.9||2004/10/19|2009/10/14||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|392|扩展动态范围的成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 200580022986.1||2005/6/3|2010/6/16||
|393|具有扩展的动态范围的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200480024674.X||2004/9/1|2012/6/20||
|394|减少不希望有的暗电流的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200580036673.1||2005/10/27|2009/7/15||
|395|包括低噪声采样和保持电路的图像传感器和照相机||美国豪威|发明专利||ZL 200580013653.2||2005/4/27|2009/4/15||
|396|用于消除噪声的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200910007521.9||2005/4/2|2011/4/6||
|397|具有圈帧快门的钉扎光电二极管||美国豪威|发明专利||ZL 200580018194.7||2005/6/2|2011/11/30||
|398|具有全帧快门的钉扎光电二极管像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680018606.1||2006/5/24|2009/11/4||
|399|从二维阵列读取像素值的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200680026084.X||2006/7/18|2012/12/12||
|400|处理彩色和全色像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680027624.6||2006/7/20|2010/10/27||
|401|相同-对称金属屏蔽||美国豪威|发明专利||ZL 200680019261.1||2006/5/31|2009/12/2||
|402|像素阵列上的非对称微透镜||美国豪威|发明专利||ZL 200680019420.8||2006/5/26|2012/10/10||
|403|CMOS有源像素传感器共享的放大器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680019262.6||2006/5/31|2010/12/3||
|404|耦合电容匹配的共享放大器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200680019421.2||2006/5/26|2010/9/29||
|405|具有输出选路结构的CMOS图像传感器及数字照相机||美国豪威|发明专利||ZL 200680035740.2||2006/9/18|2011/8/31||
|406|具有改善的光敏感度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200680027474.9||2006/7/13|2010/9/1||
|407|用于校正掩食或变暗的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200680040078.X||2006/10/12|2010/12/8||
|408|检测数字图像中的条纹的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200680045849.4||2006/11/30|2013/6/19||
|409|光电检测器和用来提高收集的N-层结构||美国豪威|发明专利||ZL 200680035943.1||2006/9/18|2011/11/16||
|410|一种用于读出图像传感器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200880009186.X||2008/3/19|2015/4/1||
|411|用于读出S-H阵列的延迟电路||美国豪威|发明专利||ZL 200780006810.6||2007/2/14|2011/10/19||
|412|具有低串扰的PMOS像素结构||美国豪威|发明专利||ZL 200780023065.6||2007/3/23|2011/9/28||
|413|图像传感器和用于操作图像传感器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780015834.8||2007/4/18|2012/11/14||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|414|使用斜变转移栅极时钟的A-D转换器||美国豪威|发明专利||ZL 200780005721.X||2007/2/7|2011/11/30||
|415|生成数字彩色图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780003483.9||2007/1/17|2011/9/21||
|416|具有改进感光度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200780002939.X||2007/1/12|2013/1/30||
|417|具有改进的光灵敏度的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200780018755.2||2007/5/10|2012/3/7||
|418|用于低暗电流成像器的隔离方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780038888.6||2007/10/9|2011/8/24||
|419|具有增益控制的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200880014156.8||2008/4/22|2014/9/10||
|420|像素面积减小的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200880008428.3||2008/2/20|2012/6/27||
|421|像素面积减小的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201210102673.9||2008/2/20|2015/8/5||
|422|具有两个品片的有源像素传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200780037255.3||2007/10/5|2012/10/10||
|423|一种图像传感器及制造该图像传感器的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200780045848.4||2007/12/5|2011/9/14||
|424|是用全色像素的边缘映射||美国豪威|发明专利||ZL 200880011120.4||2008/3/26|2017/5/17||
|425|图像传感器的多分量读出||美国豪威|发明专利||ZL 200880025375.6||2008/7/8|2013/5/1||
|426|采用全色像素的边缘绘图||美国豪威|发明专利||ZL 200880011100.7||2008/3/25|2016/4/13||
|427|校正曝光期间的成像设备运动||美国豪威|发明专利||ZL 200880025408.7||2008/7/7|2013/3/13||
|428|使用全色图像的噪声降低彩色图像||美国豪威|发明专利||ZL 200880017148.9||2008/5/9|2013/3/27||
|429|用于3维合成像素的高增益读取电路||美国豪威|发明专利||ZL 200980131698.8||2009/9/4|2013/5/29||
|430|具有两个晶片的有源像素传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980108186.X||2009/3/27|2012/7/18||
|431|具有共享处理的多图像传感器系统||美国豪威|发明专利||ZL 200880114509.1||2008/11/12|2013/9/25||
|432|图形传感器的取样与读出||美国豪威|发明专利||ZL 200980103262.8||2009/1/28|2013/9/25||
|433|背照式CMOS图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980154359.1||2009/11/5|2015/2/11||
|434|具有共享扩散区域的堆叠式图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980109452.0||2009/2/12|2013/11/6||
|435|用于图形传感器的同心曝光序列||美国豪威|发明专利||ZL 200980113000.X||2009/4/14|2016/8/3||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|436|利用不同分辨率的图形形成改良图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980126512.X||2009/7/21|2013/7/10||
|437|用于形成图像的方法以及数字成像设备||美国豪威|发明专利||ZL 200980142669.1||2009/11/6|2016/1/6||
|438|具有多个感测层的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980127273.X||2009/7/13|2013/7/24||
|439|具有三维内部互联和CCD的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980151624.0||2009/12/7|2014/3/12||
|440|具有低串扰的背照明传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980151625.5||2009/12/16|2013/8/28||
|441|配置为减少反冲扰动的模拟多路复用器||美国豪威|发明专利||ZL 200980150165.4||2009/11/24|2014/1/8||
|442|具有背侧沟槽的背侧照射式图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980123136.9||2009/7/7|2013/5/1||
|443|具有用于色彩分离的光栅的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980142487.4||2009/10/30|2015/2/18||
|444|具有可控制的传输栅电压的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980151839.2||2009/12/9|2013/12/11||
|445|具有减少的阱跳变的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980118679.1||2009/5/12|2014/6/4||
|446|高动态范围图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980121401.X||2009/6/15|2013/9/4||
|447|可编程微机电微光闸阵列||美国豪威|发明专利||ZL 200980151849.6||2009/12/18|2014/8/20||
|448|具有多个感测层的图像传感器及其操作与制作方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980140232.4||2009/10/5|2014/1/15||
|449|宽孔径图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 200980121397.7||2009/6/9|2016/9/21||
|450|具有电荷域求和的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 200980133568.8||2009/8/24|2014/4/9||
|451|改进缺陷色彩及全色滤色器阵列图像||美国豪威|发明专利||ZL 200980142488.9||2009/10/9|2016/9/28||
|452|抖动焦点的评估||美国豪威|发明专利||ZL 200980139432.8||2009/10/9|2014/9/10||
|453|修改色彩及全色通道彩色滤光器阵列图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 200980154360.4||2009/10/26|2014/4/9||
|454|在产生数字图像时曝光像素组||美国豪威|发明专利||ZL 201080015712.0||2010/3/30|2014/10/22||
|455|产生数字图像的方法及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410483104.2||2010/3/30|2018/5/1||
|456|具有合成全色图像的彩色滤光器阵列（CFA）图像||美国豪威|发明专利||ZL 201080011842.7||2010/2/23|2014/5/14||
|457|具有彩色滤光片阵列图像产生全彩图像||美国豪威|发明专利||ZL 201080015826.5||2010/3/25|2014/4/30||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|458|产生具有减轻的移动模糊的全色图像||美国豪威|发明专利||ZL 201080017071.2||2010/4/8|2014/6/4||
|459|用于图像传感器的列输出电路||美国豪威|发明专利||ZL 201080056470.X||2010/12/8|2016/2/24||
|460|具有前侧和背侧光电检测器的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201080028479.X||2010/6/11|2015/9/23||
|461|四通道滤色片阵列图案||美国豪威|发明专利||ZL 201080023855.6||2010/5/7|2014/12/24||
|462|四通道滤色器陈列内插||美国豪威|发明专利||ZL 201080023844.8||2010/5/27|2014/7/23||
|463|具有四个通道的滤色器阵列图案||美国豪威|发明专利||ZL 201080024921.1||2010/5/21|2014/11/19||
|464|用于四通道彩色滤光片阵列的内插||美国豪威|发明专利||ZL 201080025961.8||2010/6/7|2015/5/20||
|465|用于图像传感器中暂停列读出的方法及设备||美国豪威|发明专利||ZL 201080055516.6||2010/12/15|2015/3/18||
|466|产生图像传感器的列偏移校正||美国豪威|发明专利||ZL 201080059741.7||2010/12/27|2015/3/25||
|467|具有经掺杂的传输栅极的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201080060139.5||2010/12/27|2015/8/12||
|468|图像传感器中的暂停列读出||美国豪威|发明专利||ZL 201080059773.7||2010/12/16|2015/7/22||
|469|产生图像传感器的列偏移校正||美国豪威|发明专利||ZL 201080059683.8||2010/12/15|2015/2/18||
|470|图像传感器中的光帧测器隔离||美国豪威|发明专利||ZL 201110307872.9||2011/9/29|2014/10/15||
|471|用于产生图像传感器中的光电检测器隔离的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110415396.2||2011/12/7|2015/12/16||
|472|具有电荷增输出通道及电荷感测输出通道的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201110415421.7||2011/12/20|2014/11/12||
|473|用于处理由图像传感器捕获的图像的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201110433585.2||2011/12/16|2014/8/27||
|474|暂停图像传感器中的列寻址||美国豪威|发明专利||ZL 201110442895.0||2011/12/20|2015/6/17||
||差分电容乘法器||豪威国际|发明专利||ZL 200610025383.3|||2009/7/22||
|475||||||||2006/3/31|||
||||控股||||||||
||一种GFSK信号多比特调解法||豪威国际|发明专利||ZL 200610025385.2|||2012/7/4||
|476||||||||2006/3/31|||
||||控股||||||||
||一种单芯片上多种精确时钟产生电路及其实现方法||豪威国际|发明专利||ZL 200610026509.9|||2011/4/13||
|477||||||||2006/5/12|||
||||控股||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||调频发射器||豪威国际|发明专利||ZL 200610030289.7|||2012/2/22||
|478||||||||2006/8/22|||
||||控股||||||||
||功率电子开关电路及其死区时间的控制切换方法||豪威国际|发明专利||ZL 200610117843.5|||2011/6/8||
|479||||||||2006/11/1|||
||||控股||||||||
||压力传感器信号调理集成电路的桥臂平衡补偿电阻的设计方法||豪威国际|发明专利||ZL 200710038543.2|||2011/5/11||
|480||||||||2007/3/27|||
||||控股||||||||
||一种用于实现输入信号幅度归一化的系统及方法||豪威国际|发明专利||ZL 200810039405.0|||2010/12/22||
|481||||||||2008/6/23|||
||||控股||||||||
||通过输入信号电平控制开关的音频系统及其开关控制方法||豪威国际|发明专利||ZL 200810040849.6|||2012/6/20||
|482||||||||2008/7/22|||
||||控股||||||||
||协议处理系统||豪威国际|实用新型||ZL 200820151668.6|||2009/7/8||
|483||||||||2008/8/5|||
||||控股||||||||
||信号调理电路及其双采样保持电路||豪威国际|发明专利||ZL 200810200970.0|||2011/6/15||
|484||||||||2008/10/9|||
||||控股||||||||
||一种MP3播放器||豪威国际|实用新型||ZL 200820153860.9|||2009/7/8||
|485||||||||2008/10/9|||
||||控股||||||||
||带有免提通话功能的电动车||豪威国际|实用新型||ZL 200820154591.8|||2009/9/2||
|486||||||||2008/10/29|||
||||控股||||||||
||一种单芯片系统||豪威国际|实用新型||ZL 200820155012.1|||2009/9/2||
|487||||||||2008/11/6|||
||||控股||||||||
||应用于接收机的多相位匹配系统||豪威国际|发明专利||ZL 200910046586.4|||2011/6/15||
|488||||||||2009/2/24|||
||||控股||||||||
||调频收音机系统||豪威国际|实用新型||ZL 200920070660.1|||2010/10/27||
|489||||||||2009/4/17|||
||||控股||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种驰张振荡器||豪威国际|发明专利||ZL 200910052865.1|||2011/1/26||
|490||||||||2009/6/10|||
||||控股||||||||
||RC滤波器的校准电路及方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910056373.X|||2011/10/5||
|491||||||||2009/8/13|||
||||控股||||||||
||锁相环的锁定探测器及其探测方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910194848.1|||2012/4/18||
|492||||||||2009/8/31|||
||||控股||||||||
||频率综合器及其选频电路、选频方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910198290.4|||2012/6/20||
|493||||||||2009/11/4|||
||||控股||||||||
||一种输出电压可控的高线性上混频器及混频方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910198291.9|||2012/6/20||
|494||||||||2009/11/4|||
||||控股||||||||
||降低LO相位误差的系统及方法||豪威国际|发明专利||ZL 200910198292.3|||2012/11/21||
|495||||||||2009/11/4|||
||||控股||||||||
||晶圆级影响模块||采钰科技|发明专利||ZL 200510113450.2|||2012/6/27||
||||股份有限||||||||
|496||||||||2005/10/9|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||影像模块、影响感应装置及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200610159559.4|||2009/9/23||
||||股份有限||||||||
|497||||||||2006/9/27|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||高精密度成像控制的影响感应模块||采钰科技|发明专利||ZL 200610001696.5|||2010/6/16||
||||股份有限||||||||
|498||||||||2006/1/24|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||摄像装置、透镜结构及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710001740.7|||2010/7/21||
||||股份有限||||||||
|499||||||||2007/1/16|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||光电元件芯片及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710088783.3|||2009/8/26||
||||股份有限||||||||
|500||||||||2007/3/22|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||非球面透镜结构的制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710106688.1|||2010/12/1||
||||股份有限||||||||
|501||||||||2007/6/15|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||光学微结构平板以及制作光学微结构构件的模板||采钰科技|发明专利||ZL 200710136007.6|||2011/9/21||
||||股份有限||||||||
|502||||||||2007/7/10|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
||图像传感装置及其制造方法||采钰科技|发明专利||ZL 200710137029.4|||2009/9/23||
||||股份有限||||||||
|503||||||||2007/7/19|||
||||公司；美国||||||||
||||豪威||||||||
|504|用于产生高动态范围影像的系统和方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410403453.9||2014/8/15|2018/5/29||
|505|背照式彩色影像传感器及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510221908.X||2015/5/4|2018/5/1||
|506|圆片级透镜系统及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510378275.3||2015/7/1|2018/5/22||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
|507|用于数码相机的具有红色吸收层的红外截止滤波器||美国豪威|发明专利||ZL 201210041766.5||2012/2/20|2018/5/22||
|508|具有无间隙微透镜的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410478750.X||2014/9/18|2018/5/18||
|509|用于HDR成像的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510751388.3||2015/11/6|2018/5/18||
|510|数字图像数据畸变的修正装置及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201310180134.1||2013/5/15|2017/5/10||
|511|三表面宽视场透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 201610842870.2||2016/9/22|2018/6/22||
|512|用于发射信号的具有可配置可变供电电压的接口电路||美国豪威|发明专利||ZL 201610808363.7||2016/9/7|2018/7/10||
|513|硅基液晶面板及相关方法||美国豪威|发明专利||ZL 201610086102.9||2016/2/15|2017/11/24||
|514|用于电子照相机的自动白平衡系统||美国豪威|发明专利||ZL 201510959203.8||2015/12/18|2018/6/22||
|515|四片式全非球面转接器鱼眼镜头||美国豪威|发明专利||ZL 201510520503.6||2015/8/21|2018/5/25||
|516|分形边缘薄膜及其制造方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510382319.X||2015/7/2|2018/7/6||
|517|图像传感器读出电路及成像系统||美国豪威|发明专利||ZL 201410828187.4||2014/12/26|2018/5/18||
|518|具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201410831765.X||2014/12/26|2018/6/1||
|519|图像传感器及用于图像传感器制造的方法||美国豪威|发明专利||ZL 201410822947.0||2014/12/25|2018/7/10||
|520|增强型背侧照明的近红外图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410815014.9||2014/12/23|2018/6/26||
|521|图像传感器像素及多色图像传感器像素||美国豪威|发明专利||ZL 201410785588.6||2014/12/17|2018/6/22||
|522|图像传感器像素及图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201410371322.7||2014/7/30|2018/6/5||
|523|用于分区图像传感器的透镜阵列||美国豪威|发明专利||ZL 201310198538.3||2013/5/24|2018/6/26||
||一种霍夫曼表的存储方法及用于JEPG的霍夫曼解码方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510149478.5|||2018/6/5||
|524||||||||2015/3/31|||
||||（上海）||||||||
||数据传输系统及方法||豪威科技|发明专利||ZL 201610081151.3|||2018/6/26||
|525||||||||2016/2/4|||
||||（上海）||||||||
||胶囊内窥镜的多模式控制检测方法||豪威科技|发明专利||ZL 201110182923.X|||2014/1/8||
|526||||||||2011/6/30|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||高线性度上混频器||豪威科技|发明专利||ZL 201110264420.7|||2014/10/22||
|527||||||||2011/9/7|||
||||（上海）||||||||
||一种信号解调方法||豪威科技|发明专利||ZL 201110264491.7|||2015/4/15||
|528||||||||2011/9/7|||
||||（上海）||||||||
||载波频率捕获方法及装置||豪威科技|发明专利||ZL 201110288915.3|||2013/12/18||
|529||||||||2011/9/26|||
||||（上海）||||||||
||低复杂度通用采样恢复方法及其装置||豪威科技|发明专利||ZL 201110253485.1|||2013/5/29||
|530||||||||2011/8/30|||
||||（上海）||||||||
||信道估计方法及装置||豪威科技|发明专利||ZL 201210109435.0|||2016/3/23||
|531||||||||2012/4/13|||
||||（上海）||||||||
||一种载波频偏估计方法、装置和系统||豪威科技|发明专利||ZL 201210109978.2|||2015/1/7||
|532||||||||2012/4/13|||
||||（上海）||||||||
||无线局域网多载波模式的低复杂度信道降噪方法及其装置||豪威科技|发明专利||ZL 201210109447.3|||2014/10/22||
|533||||||||2012/4/13|||
||||（上海）||||||||
||H264编码器及编码方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210272224.9|||2015/12/9||
|534||||||||2012/8/2|||
||||（上海）||||||||
||H264编码器及其图像变换、量化及重构的方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210273685.8|||2015/4/1||
|535||||||||2012/8/2|||
||||（上海）||||||||
||晶圆剪薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210328714.6|||2015/7/8||
|536||||||||2012/9/6|||
||||（上海）||||||||
||晶圆剪薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210333127.6|||2014/12/10||
|537||||||||2012/9/10|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器||豪威科技|发明专利||ZL 201210310723.2|||2016/12/21||
|538||||||||2012/8/28|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||晶圆减薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210333074.8|||2015/4/15||
|539||||||||2012/9/10|||
||||（上海）||||||||
||晶圆减薄方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210333108.3|||2015/8/19||
|540||||||||2012/9/10|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器||豪威科技|发明专利||ZL 201210413903.3|||2015/5/27||
|541||||||||2012/10/25|||
||||（上海）||||||||
||背照式COMS影像传感器的制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210564317.9|||2015/8/19||
|542||||||||2012/12/21|||
||||（上海）||||||||
||用于制作镜头的晶圆级贴合方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210367894.9|||2015/8/19||
|543||||||||2012/9/27|||
||||（上海）||||||||
||反射式液晶面板及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201210367895.3|||2015/7/15||
|544||||||||2012/9/27|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310025367.4|||2015/9/23||
|545||||||||2013/1/23|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器的制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310032592.0|||2016/1/20||
|546||||||||2013/1/28|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器的制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310032806.4|||2015/7/8||
|547||||||||2013/1/28|||
||||（上海）||||||||
||DDR2 SDRAM控制器||豪威科技|发明专利||ZL 201310050849.5|||2016/3/2||
|548||||||||2013/2/8|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310074157.4|||2015/8/19||
|549||||||||2013/3/7|||
||||（上海）||||||||
||铜互连结构的制造方法及半导体结构||豪威科技|发明专利||ZL 201310178621.4|||2015/5/20||
|550||||||||2013/5/14|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310277985.8|||2015/10/28||
|551||||||||2013/7/3|||
||||（上海）||||||||
||一种高性能I2C从机数据交换电路及方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310339242.9|||2018/1/2||
|552||||||||2013/8/5|||
||||（上海）||||||||
||一种支持批量读写从机寄存器的主机控制方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310338377.3|||2017/7/4||
|553||||||||2013/8/5|||
||||（上海）||||||||
||一种背照式 CMOS 传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310506758.8|||2018/4/20||
|554||||||||2013/10/23|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201310613804.4|||2016/6/1||
|555||||||||2013/11/27|||
||||（上海）||||||||
||高像素模组快速连续对焦方法及系统||豪威科技|发明专利||ZL 201310739428.3|||2017/6/16||
|556||||||||2013/12/27|||
||||（上海）||||||||
||片上变压器、其版图结构、发射电路及收发电路||豪威科技|发明专利||ZL 201410136620.8|||2016/11/16||
|557||||||||2014/4/4|||
||||（上海）||||||||
||半导体器件制备方法以及堆栈式芯片的制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410136618.0|||2016/11/23||
|558||||||||2014/4/4|||
||||（上海）||||||||
||半导体结构及其制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410243358.7|||2017/3/8||
|559||||||||2014/6/3|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410317670.6|||2017/8/25||
|560||||||||2014/7/4|||
||||（上海）||||||||
||一种堆栈式图像传感器制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410234232.3|||2017/1/4||
|561||||||||2014/5/29|||
||||（上海）||||||||
||背照式CMOS影像传感器及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410317691.8|||2017/10/27||
|562||||||||2014/7/4|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||降低图像延迟的CMOS图像传感器及其制备方法||豪威科技|发明专利||ZL 201410719590.3|||2017/9/5||
|563||||||||2014/12/1|||
||||（上海）||||||||
||一种背照式传感器芯片及其制造方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510197708.5|||2018/5/4||
|564||||||||2015/4/23|||
||||（上海）||||||||
||电路结构及其控制方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510231068.5|||2017/3/29||
|565||||||||2015/5/7|||
||||（上海）||||||||
||液晶盒封口治具||豪威科技|实用新型||ZL 201520229155.2|||2015/7/29||
|566||||||||2015/4/15|||
||||（上海）||||||||
||无线接收机及其使用方法||豪威科技|发明专利||ZL 201510268323.3|||2018/1/26||
|567||||||||2015/5/22|||
||||（上海）||||||||
||偏置电路||豪威科技|发明专利||ZL 201510532731.5|||2017/3/29||
|568||||||||2015/8/26|||
||||（上海）||||||||
||LCOS显示结构中ITO电极的驱动电路||豪威科技|发明专利||ZL 201610067077.X|||2018/1/26||
|569||||||||2016/1/29|||
||||（上海）||||||||
||电流沉负载电路及低压差线性稳压器||豪威科技|发明专利||ZL 201610596446.4|||2017/12/22||
|570||||||||2016/7/27|||
||||（上海）||||||||
||一次性可视宫腔吸引管||豪威科技|实用新型||ZL 201020125444.5|||2010/12/1||
|571||||||||2010/3/8|||
||||（上海）||||||||
||蓝牙音频转换器||豪威科技|实用新型||ZL 201120181313.3|||2011/12/28||
|572||||||||2011/5/31|||
||||（上海）||||||||
||一种具有语音通话转移处理功能的蓝牙音箱||豪威科技|实用新型||ZL 201120229541.3|||2012/2/15||
|573||||||||2011/6/30|||
||||（上海）||||||||
||将人物与人物所视现场合成的拍摄装置||豪威科技|实用新型||ZL 201120249931.7|||2012/2/8||
|574||||||||2011/7/15|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||汽车驾驶监控装置||豪威科技|实用新型||ZL 201120250442.3|||2012/4/25||
|575||||||||2011/7/15|||
||||（上海）||||||||
||内嵌基带滤波功能的上混频器||豪威科技|实用新型||ZL 201120335182.X|||2012/7/4||
|576||||||||2011/9/7|||
||||（上海）||||||||
||背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201220293439.4|||2012/12/26||
|577||||||||2012/6/20|||
||||（上海）||||||||
||CSP手机照相模组||豪威科技|实用新型||ZL 201220315264.2|||2013/1/2||
|578||||||||2012/6/29|||
||||（上海）||||||||
||一种用于保护晶片级照相机模块的强化结构||豪威科技|实用新型||ZL 201220471883.0|||2013/3/6||
|579||||||||2012/9/14|||
||||（上海）||||||||
||一种蓝牙音箱||豪威科技|实用新型||ZL 201220397747.1|||2013/3/6||
|580||||||||2012/8/10|||
||||（上海）||||||||
||一种背照式影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201220500208.6|||2013/3/13||
|581||||||||2012/9/27|||
||||（上海）||||||||
||CMOS影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201320129306.8|||2013/8/14||
|582||||||||2013/3/20|||
||||（上海）||||||||
||前照式影像传感器||豪威科技|实用新型||ZL 201320090371.4|||2013/8/14||
|583||||||||2013/2/27|||
||||（上海）||||||||
||网络摄像机自动认证识别登录系统||豪威科技|实用新型||ZL 201320230357.X|||2013/9/25||
|584||||||||2013/4/28|||
||||（上海）||||||||
||多摄像头模组测试工装||豪威科技|实用新型||ZL 201320360835.9|||2013/12/4||
|585||||||||2013/6/21|||
||||（上海）||||||||
||一种180度以上鱼眼照相模组视场角测试简易装置||豪威科技|实用新型||ZL 201320555558.7|||2014/1/29||
|586||||||||2013/9/6|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种多功能电子宠物项圈||豪威科技|实用新型||ZL 201320725580.1|||2014/10/8||
|587||||||||2013/11/15|||
||||（上海）||||||||
||一种缓冲器偏置电路||豪威科技|实用新型||ZL 201420744985.4|||2015/4/22||
|588||||||||2014/12/1|||
||||（上海）||||||||
||一种镀膜机||豪威科技|实用新型||ZL 201520145971.5|||2015/6/24||
|589||||||||2015/3/13|||
||||（上海）||||||||
||一种堆栈式图像传感器晶圆及芯片||豪威科技|实用新型||ZL 201520479480.4|||2015/11/4||
|590||||||||2015/7/3|||
||||（上海）||||||||
||一种LCOS投影装置||豪威科技|实用新型||ZL 201520321248.8|||2015/11/25||
|591||||||||2015/5/18|||
||||（上海）||||||||
||电路结构||豪威科技|实用新型||ZL 201520292904.6|||2015/7/29||
|592||||||||2015/5/7|||
||||（上海）||||||||
||检测治具||豪威科技|实用新型||ZL 201520316314.2|||2015/9/23||
|593||||||||2015/5/15|||
||||（上海）||||||||
||一种集成拍摄信息的图像输出系统||豪威科技|实用新型||ZL 201520561238.1|||2015/12/30||
|594||||||||2015/7/29|||
||||（上海）||||||||
||一种接收DPHY串行信号的二分频电路||豪威科技|实用新型||ZL 201520835522.3|||2016/3/2||
|595||||||||2015/10/26|||
||||（上海）||||||||
||一种DPHY串行发送电路||豪威科技|实用新型||ZL 201520834171.4|||2016/3/2||
|596||||||||2015/10/26|||
||||（上海）||||||||
||一种FPGA配置端口的保护电路||豪威科技|实用新型||ZL 201520856399.3|||2016/3/2||
|597||||||||2015/10/30|||
||||（上海）||||||||
||电荷泵电路||豪威科技|实用新型||ZL 201620082109.9|||2016/6/22||
|598||||||||2016/1/27|||
||||（上海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种数字预失真装置及射频通信系统||豪威科技|实用新型||ZL 201620292241.2|||2016/8/3||
|599||||||||2016/4/8|||
||||（上海）||||||||
||衬底偏置电路、倍压器以及包含所述倍压器的系统||豪威科技|实用新型||ZL 201620203591.7|||2016/8/31||
|600||||||||2016/3/16|||
||||（上海）||||||||
||一种镜头模组点胶方法||豪威半导|发明专利||ZL 201310455887.9|||2015/12/9||
|601||||||||2013/9/29|||
||||体||||||||
||芯片点胶治具||豪威半导|发明专利||ZL 201510192245.3|||2017/3/29||
|602||||||||2015/4/20|||
||||体||||||||
||LCOS投影仪||豪威半导|发明专利||ZL 201610489219.1|||2017/6/27||
|603||||||||2016/6/28|||
||||体||||||||
||用来改进图象传感器中的微透镜形成的伪模式||豪威半导|发明专利||ZL 200310102572.2|||2008/1/30||
|604||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||适应于元件减少的芯片级封装的图象传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200310104372.0|||2008/3/5||
|605||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||利用保护涂层制造和封装图象传感器小片的方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310104363.1|||2008/3/19||
|606||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||用于形成图象传感器的方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310102569.0|||2008/4/23||
|607||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有用脊结构隔开的微透镜的图象传感器及其制造方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310102573.7|||2008/7/23||
|608||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有减小应力的滤色层的图像传感器及其制造方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310102570.3|||2008/7/23||
|609||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有集成薄膜红外滤光器的图像传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200310104367.X|||2009/4/1||
|610||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||使用现有的冲印微型暗室从数码图像印相的方法和装置||豪威半导|发明专利||ZL 200310100648.8|||2009/5/6||
|611||||||||2003/10/10|||
||||体||||||||
||用于形成具有凹状微透镜的图象传感器的方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310104366.5|||2009/6/10||
|612||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||图像传感器中平面滤色器的制作方法||豪威半导|发明专利||ZL 200310104368.4|||2010/2/3||
|613||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||具有在外围区域的大微透镜的图像传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200810082348.4|||2011/2/23||
|614||||||||2003/10/23|||
||||体||||||||
||具有集成薄膜红外滤光器的图像传感器||豪威半导|发明专利||ZL 200910006630.9|||2011/6/29||
|615||||||||2003/10/24|||
||||体||||||||
||卷带机自动放带系统||豪威半导|实用新型||ZL 201220423229.2|||2013/3/27||
|616||||||||2012/8/23|||
||||体||||||||
||用于真空包装机的电流检测控制装置||豪威半导|实用新型||ZL 201320284512.6|||2013/11/13||
|617||||||||2013/5/22|||
||||体||||||||
||托盘及芯片烘烤系统||豪威半导|实用新型||ZL 201320277406.5|||2014/3/12||
|618||||||||2013/5/20|||
||||体||||||||
||一种点胶治具||豪威半导|实用新型||ZL 201320608733.4|||2014/3/12||
|619||||||||2013/9/29|||
||||体||||||||
||一种用于点胶治具的夹具||豪威半导|实用新型||ZL 201320608724.5|||2014/3/19||
|620||||||||2013/9/29|||
||||体||||||||
||筛选LED芯片的夹具装置||豪威半导|实用新型||ZL 201320834818.4|||2014/6/11||
|621||||||||2013/12/16|||
||||体||||||||
||芯片加热装置||豪威半导|实用新型||ZL 201520196865.X|||2015/7/15||
|622||||||||2015/4/2|||
||||体||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||烤架||豪威半导|实用新型||ZL 201521129636.2|||2016/5/25||
|623||||||||2015/12/30|||
||||体||||||||
||一种LCOS投影仪||豪威半导|实用新型||ZL 201620013291.2|||2016/5/25||
|624||||||||2016/1/8|||
||||体||||||||
||一种封边装置||豪威半导|实用新型||ZL 201620013293.1|||2016/7/13||
|625||||||||2016/1/8|||
||||体||||||||
||LCOS显示面板||豪威半导|实用新型||ZL 201620720080.2|||2017/1/4||
|626||||||||2016/7/8|||
||||体||||||||
||LCOS显示面板||豪威半导|实用新型||ZL 201620809632.7|||2016/12/28||
|627||||||||2016/7/29|||
||||体||||||||
||自对准金属层结构、镜片及其制备方法以及镜片模组||上海豪威|发明专利||ZL 201410222803.1|||2016/8/31||
|628||||||||2014/5/23|||
||||光电子||||||||
||晶圆级变焦镜头模组及其制备方法||上海豪威|发明专利||ZL 201410222370.X|||2017/9/15||
|629||||||||2014/5/23|||
||||光电子||||||||
||一种镜头模具及其制造方法、及镜头基片的制造方法||上海豪威|发明专利||ZL 201510141644.7|||2017/3/29||
|630||||||||2015/3/27|||
||||光电子||||||||
||一种柔性光学元件||上海豪威|实用新型||ZL 201520334828.0|||2015/9/2||
|631||||||||2015/5/21|||
||||光电子||||||||
||一种芯片及光学元件||上海豪威|实用新型||ZL 201520476768.6|||2016/2/3||
|632||||||||2015/7/2|||
||||光电子||||||||
||一种光学元件||上海豪威|实用新型||ZL 201520470526.6|||2015/11/4||
|633||||||||2015/7/2|||
||||光电子||||||||
||一种光学模具||上海豪威|实用新型||ZL 201520847729.2|||2016/3/23||
|634||||||||2015/10/28|||
||||光电子||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称|专利权人||专利类型||专利号|专利申请日||授权公告日|
||一种推刀及包含该推刀的除胶设备||上海豪威|实用新型||ZL 201520897376.7|||2016/4/13||
|635||||||||2015/11/12|||
||||光电子||||||||
|636|具有宽视场的近红外混合透镜系统||美国豪威|发明专利||ZL 201610835626.3||2016/9/20|2018/7/24||
|637|用于获得图像深度信息的系统及方法||美国豪威|发明专利||ZL 201510312839.3||2015/6/9|2018/5/22||
|638|减少光斑的成像系统和相关的图像传感器||美国豪威|发明专利||ZL 201710111802.3||2017/2/28|2018/7/24||

注：①根据《中华人民共和国专利法》第十二条的规定，发明专利权的期限为二十年，实用新型专利权和外观设计专利权的期限为十年，均自申请日起计算。
②上表中第4至9项截至2018年7月31日状态为―专利权维持‖的专利权，截至本重组报告书出具日，由于专利权已满二十年，状态为―届满终止，待失效‖。
③上表中第483、485至487项截至2018年7月31日状态为―专利权维持‖的专利权，截至本重组报告书出具日，状态为―届满终止失效‖。
④上表中第340、508、595、596、597、634项截至2018年7月31日状态为―专利权维持‖的专利权，截至本重组报告书出具日，状态为―等年费滞纳金‖。
⑤上表中第21项专利号为ZL02143163.9号、第183项专利号为ZL200510119818.6号、第217项专利号为ZL200980114512.8号、第239项专利号为ZL201010550429.X号、第275项专利号为ZL201210432093.6号以及第281项专利号为ZL201210384611.1号共计6项专利，国家知识产权局已受理了思特威就该等专利提出的无效宣告请求。根据北京豪威确认，截至本重组报告书出具之日，国家知识产权局尚未就思特威上述请求作出最终的审查决定。
⑥上表中第178项专利号为ZL200510078777.0的专利，国家知识产权局已受理了思特威、张燕就该专利提出的无效宣告请求。根据北京豪威确认，
上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）截至本重组报告书出具之日，国家知识产权局尚未就思特威、张燕上述请求作出最终的审查决定。
二、在中国境外拥有的专利权
（一）在美国拥有的专利权
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|1|REMOTE VIDEO TELEPHONE SYSTEM||美国|美国豪威|US 6,909,452 B1||2000/3/28||2005/6/21||2021/7/17|
||BIOMETRIC DEVICE WITH INTEGRA TED CMOSIMAGE SENSOR||||US 6,441,482 B1||2000/4/11||2002/8/27|||
|2|||美国|美国豪威|||||||2020/4/11|
||ANALOG VIDEO MONITORING SYSTEM USING APLURALITY OF PHASE LOCKED CMOSIMAGESENSORS||||US 6,937,270 B1||1999/5/3||2005/8/30|||
|3|||美国|美国豪威|||||||2020/7/11|
||ROW AND/OR COLUMN DECODEROPTIMIZATION METHOD AND APPARATUS||||US 6,879,304 B2||2001/6/27||2005/4/12|||
|4|||美国|美国豪威|||||||2019/10/6|
||DISPLAY WITH MULTIPLEXED PIXELS ANDDRIVING METHODS||||US 8,344,980 B2||2008/5/23||2013/1/1|||
|5|||美国|美国豪威|||||||2020/8/9|
||METHOD FOR MANUFACTURING A PLANARREFLECTIVE LIGHT VALVE BACKPLANE||||US 6,277,748 B1||1998/12/23||2001/8/21|||
|6|||美国|美国豪威|||||||2018/12/23|
||COMBINATION CMP-ETCH METHOD FORFORMING A THIN PLANAR LAYER OVER THESURFACE OF A DEVICE||||US 6,429,132 B1||1998/12/23||2002/8/6|||
|7|||美国|美国豪威|||||||2018/12/23|
||PLANAR REFLECTIVE LIGHT VALVEBACKPLANE||||US 6,252,999 B1||1998/12/23||2001/6/26|||
|8|||美国|美国豪威|||||||2018/12/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR USING COMPOUNDDATA WORDS IN A FIELD SEQUENTIAL DISPLAYDRIVING SCHEME||||US 6,326,980 B1||2000/1/18||2001/12/4|||
|9|||美国|美国豪威|||||||2020/1/18|
||PRECISION SURFACE MOUNT FOR A DISPLAYDEVICE||||US 6,654,077 B1||2000/1/18||2003/11/25|||
|10|||美国|美国豪威|||||||2020/1/18|
||SYSTEM AND METHOD FOR USING OFF- AXISILLUMINATION IN A REFLECTIVE PROJECTIONSYSTEM||||US 6,688,748 B2||2001/1/12||2004/2/10|||
|11|||美国|美国豪威|||||||2021/1/12|
|12|MULTI-CHANNEL IMAGING ENGINE APPARATUS||美国|美国豪威|US 6,377,318 B1||2000/1/18||2002/4/23||2020/1/18|
|13|MULTI CHANNEL IMAGING ENGINE APPARATUS||美国|美国豪威|US 6,933,987 B2||2002/2/19||2005/8/23||2020/7/14|
||LOW STRESS PACKAGING FOR A DISPLAYDEVICE||||US 6,307,603 B1||2000/1/18||2001/10/23|||
|14|||美国|美国豪威|||||||2020/1/18|
||SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING THEINTENSITY OUTPUT RISE TIME IN A LIQUIDCRYSTAL DISPLAY||||US 6,762,739 B2||2002/2/14||2004/7/13|||
|15|||美国|美国豪威|||||||2022/10/12|
||MIRROR CONTACT PATTERN FOR A DISPLAYDEVICE||||US 6,914,650 B2||2001/8/22||2005/7/5|||
|16|||美国|美国豪威|||||||2021/8/22|
||LIQUID CRYSTAL DISPLAY MOUNT INCLUDINGA FRAME HAVING STRESS RELIEF RECESS||||US 6,731,354 B2||2001/3/22||2004/5/4|||
|17|||美国|美国豪威|||||||2021/3/22|
||MAGNETIC CHUCK FOR CONVERGENCEAPPARATUS||||US 6,879,231 B2||2001/3/22||2005/4/12|||
|18|||美国|美国豪威|||||||2022/3/23|
|19|MECHANICAL CONVERGENCE DEVICE||美国|美国豪威|US 6,693,351 B2||2001/3/22||2004/2/17||2021/7/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PRECISION FIELD LENS ADJUSTMENTAPPARATUS||||US 6,657,797 B2||2001/3/22||2003/12/2|||
|20|||美国|美国豪威|||||||2021/3/22|
||DUMMY METAL PATTERN METHOD ANDAPPARATUS||||US 6,750,139 B2||2001/12/12||2004/6/15|||
|21|||美国|美国豪威|||||||2021/12/12|
||DISPLAY DEVICE TEST PROCEDURE ANDAPPARATUS||||US 6,650,138 B2||2001/8/22||2003/11/18|||
|22|||美国|美国豪威|||||||2022/3/17|
||COMBINED POWER ROUTING AND LIGHTSHIELDING IN AN LCD ARRAY||||US 6,771,337 B2||2001/8/22||2004/8/3|||
|23|||美国|美国豪威|||||||2022/2/14|
||RESIDUAL DC BIAS CORRECTION IN A VIDEOIMAGING DEVICE||||US 6,781,566 B2||2001/8/22||2004/8/24|||
|24|||美国|美国豪威|||||||2022/5/26|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVINGCONTRAST IN AN ELECTRO-OPTICAL IMAGINGSYSTEM||||US 6,536,903 B2||2001/5/29||2003/3/25|||
|25|||美国|美国豪威|||||||2021/5/29|
||PROJECTION SYSTEM WITH AN OFFSET LENSARRAY TO REDUCE VERTICAL BANDING||||US 6,618,202 B2||2001/5/29||2003/9/9|||
|26|||美国|美国豪威|||||||2021/5/29|
||OPTICAL SYSTEM WITH ANGULARCOMPENSATOR||||US 7,165,843 B2||2004/2/3||2007/1/23|||
|27|||美国|美国豪威|||||||2024/4/21|
||OPTICAL SYSTEM WITH ANGULARCOMPENSATOR||||US 7,559,655 B2||2007/1/12||2009/7/14|||
|28|||美国|美国豪威|||||||2024/7/15|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING IMAGEQUALITY BY SYNCHRONIZING DISPLAYMODULATION WITH LIGHT SOURCE PULSES||||US 7,944,438 B2||2007/4/13||2011/5/17|||
|29|||美国|美国豪威|||||||2030/3/14|
|30|ASYNCHRONOUS DISPLAY DRIVING SCHEME||美国|美国豪威|US 7,545,396 B2||2005/6/16||2009/6/9||2026/8/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AND DISPLAY|||||||||||
||SINGLE PULSE DISPLAY DRIVING SCHEME ANDDISPLAY||||US 7,580,047 B2||2005/6/30||2009/8/25|||
|31|||美国|美国豪威|||||||2026/9/13|
||SYSTEM AND METHOD FOR DISCARDING DATABITS DURING DISPLAY MODULATION||||US 7,605,831 B2||2005/6/30||2009/10/20|||
|32|||美国|美国豪威|||||||2027/5/11|
|33|DISPLAY DRIVING SCHEME AND DISPLAY||美国|美国豪威|US 7,580,048 B2||2005/6/30||2009/8/25||2027/6/2|
|34|DISPLAY DEBIASING SCHEME AND DISPLAY||美国|美国豪威|US 7,692,671 B2||2005/6/30||2010/4/6||2029/1/21|
||SYSTEM AND METHOD FOR USING CURRENTPIXEL VOLTAGES TO DRIVE DISPLAY||||US 7,580,049 B2||2005/6/30||2009/8/25|||
|35|||美国|美国豪威|||||||2027/6/10|
||ASYNCHRONOUS DISPLAY DRIVING SCHEMEAND DISPLAY||||US 8,339,428 B2||2008/3/19||2012/12/25|||
|36|||美国|美国豪威|||||||2028/12/26|
||LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING A THINGASKET AND METHOD FOR MANUFACTURINGTHE SAME||||US 8,164,723 B2||2007/4/16||2012/4/24|||
|37|||美国|美国豪威|||||||2029/9/29|
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD BASEDON THE NUMBER OF PIXEL ROWS IN THEDISPLAY||||US 8,223,179 B2||2007/7/27||2012/7/17|||
|38|||美国|美国豪威|||||||2030/12/22|
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHODFACILITATING UNIFORM RESOURCEREQUIREMENTS DURING DIFFERENT INTERVALSOF A MODULATION PERIOD||||US 8,237,748 B2||2008/1/28||2012/8/7|||
|39|||美国|美国豪威|||||||2030/9/28|
|40|DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THAT||美国|美国豪威|US 8,237,754 B2||2008/1/28||2012/8/7||2030/10/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||COMPENSATES FOR UNUSED FRAME TIME|||||||||||
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD BASEDON THE NUMBER OF PIXEL ROWS IN THEDISPLAY||||US 8,237,756 B2||2008/1/28||2012/8/7|||
|41|||美国|美国豪威|||||||2030/10/1|
||DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD USINGMULTIPLE PIXEL CONTROL UNITS TO DRIVERESPECTIVE SETS OF PIXEL ROWS IN THEDISPLAY DEVICE||||US 8,228,356 B2||2008/1/28||2012/7/24|||
|42|||美国|美国豪威|||||||2030/10/3|
||SYSTEM AND METHOD FOR DITHERING VIDEODATA||||US 9,024,964 B2||2008/6/6||2015/5/5|||
|43|||美国|美国豪威|||||||2030/7/19|
||DATA DEPENDENT DRIVE SCHEME ANDDISPLAY||||US 8,228,349 B2||2008/6/6||2012/7/24|||
|44|||美国|美国豪威|||||||2030/11/28|
||DATA DEPENDENT DRIVE SCHEME ANDDISPLAY||||US 8,228,350 B2||2008/6/6||2012/7/24|||
|45|||美国|美国豪威|||||||2030/11/29|
||SYSTEM AND METHOD FOR DRIVING DISPLAYSWITH SINGLE LATCH PIXELS||||US 8,223,141 B2||2008/10/15||2012/7/17|||
|46|||美国|美国豪威|||||||2031/2/10|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVINGDECODER PERFORMANCE USINGQUANTIZATION CONTROL||||US 9,002,122 B2||2012/7/19||2015/4/7|||
|47|||美国|美国豪威|||||||2033/1/8|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVINGDECODER PERFORMANCE BY USING MULTIPLEDECODING CHANNELS||||US 8,861,877 B2||2012/7/19||2014/10/14|||
|48|||美国|美国豪威|||||||2032/10/30|
|49|DECODER AND METHOD FOR DECODING||美国|美国豪威|US 8,724,913 B2||2012/7/19||2014/5/13||2032/7/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||RUN-LENGTH-ENCODED DATA|||||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR SENSOR FAILUREDETECTION||||US 8,736,684 B1||2013/2/8||2014/5/27|||
|50|||美国|美国豪威|||||||2033/2/8|
||SYSTEM AND METHOD FOR SENSOR FAILUREDETECTION||||US 8,854,475 B2||2013/2/8||2014/10/7|||
|51|||美国|美国豪威|||||||2033/2/10|
||SYSTEM AND METHOD FOR RANDOMLYACCESSING COMPRESSED DATA FROM MEMORY||||US 9,083,977||2012/11/27||2015/7/14|||
|52|||美国|美国豪威|||||||2033/11/7|
||APPLICATION SPECIFIC, DUAL MODEPROJECTION SYSTEM AND METHOD||||US 9,759,554 B2||2013/8/2||2017/9/12|||
|53|||美国|美国豪威|||||||2035/1/26|
|54|360 DEGREE MULTI-CAMERA SYSTEM||美国|美国豪威|US 9,420,176 B2||2014/6/19||2016/8/16||2034/6/19|
|55|360 DEGREE MULTI-CAMERA SYSTEM||美国|美国豪威|US 9,648,234 B2||2016/6/2||2017/5/9||2036/6/2|
||DISPLAY SYSTEM AND METHOD USINGSET-RESET PIXELS||||US 9,728,153 B2||2014/10/21||2017/8/8|||
|56|||美国|美国豪威|||||||2034/11/1|
||LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND INFRAREDIMAGE SENSOR ON SILICON||||US 9,749,562 B2||2015/11/13||2017/8/29|||
|57|||美国|美国豪威|||||||2035/11/13|
||METHOD FOR FORMING AN ALIGNMENT LAYEROF A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE ANDDISPLAY DEVICE MANUFACTURED THEREBY||||US 9,921,442 B2||2016/1/14||2018/3/20|||
|58|||美国|美国豪威|||||||2036/7/23|
||EMI SHIELD WITH A LENS-SIZED APERTURE FORCAMERA MODULES AND CAMERA MODULESINCLUDING THE SAME||||US 9,930,229 B2||2016/7/14||2018/3/27|||
|59|||美国|美国豪威|||||||2036/7/14|
|60|IMAGE SENSOR WITH BIG AND SMALL PIXELS||美国|美国豪威|US 9,986,213 B2||2016/6/29||2018/5/29||2036/6/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AND METHOD OF MANUFACTURE|||||||||||
||MICROCHIP WITH CAP LAYER FORREDISTRIBUTION CIRCUITRY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,922,922 B1||2016/9/16||2018/3/20|||
|61|||美国|美国豪威|||||||2036/9/16|
||COMPLETELY INTEGRATED BASEBALL CAPCAMERA||||US 6,704,044 B1||2000/6/13||2004/3/9|||
|62|||美国|美国豪威|||||||2021/12/6|
|63|COMPLETELY INTEGRATED HELMET CAMERA||美国|美国豪威|US 6,819,354 B1||2000/6/13||2004/11/16||2023/1/31|
||METHOD AND APPARATUS FOR ADDINGWATERMARKS TO IMAGES AND/OR VIDEO DATASTREAMS||||US 6,643,386 B1||2000/8/10||2003/11/4|||
|64|||美国|美国豪威|||||||2022/3/6|
||METHOD AND APPARATUS FOR DETERMININGRELATIVE MOVEMENT IN AN OPTICAL MOUSEUSING FEATURE EXTRACTION||||US 6,859,199 B2||2001/11/6||2005/2/22|||
|65|||美国|美国豪威|||||||2022/4/21|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,649,950 B2||2002/8/14||2003/11/18|||
|66|||美国|美国豪威|||||||2021/11/6|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 7,105,878 B2||2004/9/20||2006/9/12|||
|67|||美国|美国豪威|||||||2024/10/26|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 7,368,772 B2||2003/8/7||2008/5/6|||
|68|||美国|美国豪威|||||||2024/3/19|
||ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,462,365 B1||2001/11/6||2002/10/8|||
|69|||美国|美国豪威|||||||2021/11/6|
||METHOD AND APPARATUS FOR DETERMININGRELATIVE MOVEMENT IN AN OPTICAL MOUSE||||US 7,042,439 B2||2001/11/6||2006/5/9|||
|70|||美国|美国豪威|||||||2023/5/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PASSIVE OPTICAL MOUSE USING IMAGE SENSORWITH OPTIONAL DUAL MODE CAPABILITY||||US 6,765,555 B2||2001/11/7||2004/7/20|||
|71|||美国|美国豪威|||||||2022/6/24|
||OPTIMIZED IMAGE PROCESSING FORWAVEFRONT CODED IMAGING SYSTEMS||||US 7,379,613 B2||2003/2/27||2008/5/27|||
|72|||美国|美国豪威|||||||2025/1/31|
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 7,911,501 B2||2007/4/3||2011/3/22|||
|73|||美国|美国豪威|||||||2028/9/10|
||ADVANCED IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 8,514,303 B2||2011/1/10||2013/8/20|||
|74|||美国|美国豪威|||||||2031/12/4|
||OPTIMIZED IMAGE PROCESSING FORWAVEFRONT CODED IMAGING SYSTEMS||||US 7,995,853 B2||2007/10/30||2011/8/9|||
|75|||美国|美国豪威|||||||2024/10/6|
||OPTIMIZED IMAGE PROCESSING FORWAVEFRONT CODED IMAGING SYSTEMS||||US 8,111,937 B2||2007/10/30||2012/2/7|||
|76|||美国|美国豪威|||||||2025/4/6|
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 8,068,163 B2||2007/4/3||2011/11/29|||
|77|||美国|美国豪威|||||||2026/12/24|
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODSUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLYVARYING IMAGE PROCESSING||||US 8,717,456 B2||2011/11/1||2014/5/6|||
|78|||美国|美国豪威|||||||2031/12/2|
||SYSTEM AND METHOD FOR FORMING ANON-ROTATIONALLY SYMMETRIC PORTION OFA WORKPIECE||||US 7,089,835 B2||2003/7/2||2006/8/15|||
|79|||美国|美国豪威|||||||2023/6/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD AND APPARATUS FOR PRINTINGPHOTOGRAPHS FROM DIGITAL IMAGES USINGEXISTING DPE MINI LABS||||US 6,741,325 B2||2002/10/11||2004/5/25|||
|||||豪威国际控||||||||
|80|||美国||||||||2022/10/11|
|||||股||||||||
||NON-LINEAR WAVEFRONT CODING SYSTEMSAND METHODS|||美国豪威|US 7,550,701 B2||2004/2/25||2009/6/23|||
|81|||美国||||||||2025/11/20|
|||||CDM||||||||
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,260,251 B2||2004/3/31||2007/8/21|||
|82|||美国|美国豪威|||||||2025/1/26|
||METHODS FOR MINIMIZING ABERRATINGEFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,319,783 B2||2006/11/17||2008/1/15|||
|83|||美国|美国豪威|||||||2024/3/31|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,450,745 B2||2006/11/17||2008/11/11|||
|84|||美国|美国豪威|||||||2024/3/31|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 7,889,903 B2||2008/11/7||2011/2/15|||
|85|||美国|美国豪威|||||||2026/11/17|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||US 8,107,705 B2||2011/1/20||2012/1/31|||
|86|||美国|美国豪威|||||||2028/11/7|
||LITHOGRAPHIC SYSTEMS AND METHODS WITHEXTENDED DEPTH OF FOCUS||||US 7,088,419 B2||2004/6/1||2006/8/8|||
|87|||美国|美国豪威|||||||2024/10/7|
||LITHOGRAPHIC SYSTEMS AND METHODS WITHEXTENDED DEPTH OF FOCUS||||US 7,876,417 B2||2006/7/21||2011/1/25|||
|88|||美国|美国豪威|||||||2026/8/23|
||SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZINGOPTICAL AND DIGITAL SYSTEM DESIGNS||||US 7,469,202 B2||2004/12/1||2008/12/23|||
|89|||美国|美国豪威|||||||2025/6/28|
||IRIS IMAGE CAPTURE DEVICES ANDASSOCIATED SYSTEMS||||US 7,652,685 B2||2005/9/13||2010/1/26|||
|90|||美国|美国豪威|||||||2027/11/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|91|TASK-BASED IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 7,944,467 B2||2006/9/19||2011/5/17||2026/9/19|
||ZOOM LENS SYSTEMS WITH WAVEFRONTCODING||||US 7,710,658 B2||2007/3/6||2010/5/4|||
|92|||美国|美国豪威|||||||2026/8/5|
||SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZINGOPTICAL AND DIGITAL SYSTEM DESIGNS||||US 7,860,699 B2||2008/12/22||2010/12/28|||
|93|||美国|美国豪威|||||||2024/7/21|
|94|TASK-BASED IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 8,144,208 B2||2010/7/2||2012/3/27||2025/12/2|
|95|TASK-BASED IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 8,760,516 B2||2011/4/1||2014/6/24||2026/1/28|
||MOBILE DEVICES HAVING AN IMAGE SENSORFOR CHARGING A BATTERY||||US 7,405,763 B2||2004/3/24||2008/7/29|||
|96|||美国|美国豪威|||||||2026/3/3|
||MOBILE DEVICES HAVING AN IMAGE SENSORFOR CHARGING BATTERY||||US 7,936,394 B2||2008/5/27||2011/5/3|||
|97|||美国|美国豪威|||||||2024/9/3|
|98|MULTI-VIDEO INTERFACE FORA MOBILE DEVICE||美国|美国豪威|US 7,480,484 B2||2004/3/30||2009/1/20||2025/9/3|
||LOW BIT RATE VIDEO TRANSMISSION OVERGSM NETWORK||||US 7,596,149 B2||2004/12/9||2009/9/29|||
|99|||美国|美国豪威|||||||2027/3/30|
||ENHANCED VIDEO STREAMING USING DUALNETWORK MODE||||US 7,386,316 B2||2004/7/2||2008/6/10|||
|100|||美国|美国豪威|||||||2026/2/3|
||LOW HEIGHT IMAGING SYSTEM ANDASSOCIATED METHODS||||US 7,453,653 B2||2005/9/14||2008/11/18|||
|101|||美国|美国豪威|||||||2025/1/24|
||IMAGING SYSTEMS HAVING RAY CORRECTOR,AND ASSOCIATED METHODS||||US 8,563,913 B2||2005/9/14||2013/10/22|||
|102|||美国|美国豪威|||||||2028/6/27|
|103|ASPHERIC LENS FORMING METHODS||美国|美国豪威|US 8,426,789 B2||2011/7/12||2013/4/23||2028/1/25|
|104|TRANSPARENT RE-MAPPING OF PARALLEL||美国|美国豪威|US 7,272,813 B2||2004/9/15||2007/9/18||2025/10/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||COMPUTATIONAL UNITS|||||||||||
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS HAVINGIMPROVED ALIGNMENT AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 8,599,301 B2||2007/4/17||2013/12/3|||
|105|||美国|美国豪威|||||||2029/6/25|
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS HAVINGIMPROVED ALIGNMENT AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 9,418,193 B2||2013/12/2||2016/8/16|||
|106|||美国|美国豪威|||||||2027/5/17|
|107|SATURATION OPTICS||美国|美国豪威|US 8,164,040 B2||2007/5/23||2012/4/24||2027/12/23|
||MULTI-LAYER OPTICAL FILTER DESIGNS ANDASSOCIATED SYSTEMS||||US 8,398,871 B2||2009/10/26||2013/3/19|||
|108|||美国|美国豪威|||||||2028/5/28|
||HIGH DYNAMIC RANGE SENSOR WITHBLOOMING DRAIN||||US 7,825,966 B2||2007/10/15||2010/11/2|||
|109|||美国|美国豪威|||||||2028/10/28|
|110|MULTI-REGION IMAGING SYSTEMS||美国|美国豪威|US 8,736,699 B2||2008/8/4||2014/5/27||2028/12/31|
||IMAGE BASED SYSTEMS FOR DETECTINGINFORMATION ON MOVING OBJECTS||||US 8,593,552 B2||2011/9/13||2013/11/26|||
|111|||美国|美国豪威|||||||2027/8/19|
||IMAGE BASED SYSTEMS FOR DETECTINGINFORMATION ON MOVING OBJECTS||||US 9,471,994 B2||2013/11/25||2016/10/18|||
|112|||美国|美国豪威|||||||2035/1/1|
||IMAGE SENSOR WITH HIGH DYNAMIC RANGE INDOWN-SAMPLING MODE||||US 8,022,994 B2||2007/8/31||2011/9/20|||
|113|||美国|美国豪威|||||||2030/2/3|
||TRANSMISSIVE DETECTORS, SYSTEMSINCORPORATING SAME, AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 8,415,607 B2||2008/9/15||2013/4/9|||
|114|||美国|美国豪威|||||||2028/9/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORIMPROVED DYNAMIC RANGE WITH MULTIPLEREADOUT CIRCUIT PATHS||||US 7,995,124 B2||2007/9/14||2011/8/9|||
|115|||美国|美国豪威|||||||2029/6/26|
||HIGH DYNAMIC RANGE SENSOR WITH REDUCEDLINE MEMORY FOR COLOR INTERPOLATION||||US 7,777,804 B2||2007/10/26||2010/8/17|||
|116|||美国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||DUAL-MODE PROJECTION APPARATUS ANDMETHOD FOR LOCATING A LIGHT SPOT IN APROJECTED IMAGE||||US 7,862,179 B2||2007/11/7||2011/1/4|||
|117|||美国|美国豪威|||||||2029/4/8|
||APPARATUS AND METHOD FOR TRACKING ALIGHT POINTER||||US 8,188,973 B2||2007/11/7||2012/5/29|||
|118|||美国|美国豪威|||||||2031/1/30|
||APPARATUS AND METHOD FOR TESTING IMAGESENSOR WAFERS TO IDENTIFY PIXEL DEFECTS||||US 8,000,520 B2||2007/11/28||2011/8/16|||
|119|||美国|美国豪威|||||||2030/6/15|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORSCENE ILLUMINANT ESTIMATION||||US 8,229,215 B2||2007/12/3||2012/7/24|||
|120|||美国|美国豪威|||||||2031/3/15|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORSCENE ILLUMINANT ESTIMATION||||US 8,620,074 B2||2012/5/17||2013/12/31|||
|121|||美国|美国豪威|||||||2027/12/3|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORSCENE ILLUMINANT ESTIMATION||||US 8,768,055 B2||2013/12/16||2014/7/1|||
|122|||美国|美国豪威|||||||2032/5/17|
||REFLOWABLE CAMERA MODULE WITHINTEGRATED FLASH||||US 8,130,312 B2||2008/12/17||2012/3/6|||
|123|||美国|美国豪威|||||||2029/6/12|
|124|MULTILAYER CHIP SCALE PACKAGE||美国|美国豪威|US 7,939,940 B2||2007/12/18||2011/5/10||2028/2/23|
||REFLOWABLE CAMERA MODULE WITHIMPROVED RELIABILITY OF SOLDER||||US 7,911,019 B2||2010/3/16||2011/3/22|||
|125|||美国|美国豪威|||||||2027/12/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CONNECTIONS|||||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR LENS SHADINGCORRECTION OF AN IMAGE SENSOR USINGSPLINES||||US 8,194,159 B2||2008/4/28||2012/6/5|||
|126|||美国|美国豪威|||||||2031/2/13|
||APPARATUS AND METHOD FOR USING SPACERPASTE TO PACKAGE AN IMAGE SENSOR||||US 8,269,300 B2||2008/4/29||2012/9/18|||
|127|||美国|美国豪威|||||||2029/7/4|
||MEMBRANE SUSPENDED OPTICAL ELEMENTS,AND ASSOCIATED METHODS||||US 8,475,061 B2||2009/1/16||2013/7/2|||
|128|||美国|美国豪威|||||||2029/1/16|
|129|IMAGE DATA FUSION SYSTEMS AND METHODS||美国|美国豪威|US 8,824,833 B2||2009/1/30||2014/9/2||2030/2/9|
||CIRCULARLY SYMMETRIC ASPHERIC OPTICSPROVIDING NON-MONOTONIC WAVEFRONTPHASE PROFILE AND EXTENDED DEPTH OFFIELD||||US 8,415,601 B2||2009/2/17||2013/4/9|||
|130|||美国|美国豪威|||||||2029/12/20|
||SYSTEM AND METHOD FOR INDEPENDENTIMAGE SENSOR PARAMETER CONTROL INREGIONS OF INTEREST||||US 8,441,535 B2||2008/3/5||2013/5/14|||
|131|||美国|美国豪威|||||||2029/5/11|
||TRACKING SYSTEM WITH USER-DEFINABLEPRIVATE ID FOR IMPROVED PRIVACYPROTECTION||||US 7,940,170 B2||2008/3/5||2011/5/10|||
|132|||美国|美国豪威|||||||2029/3/9|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FOREMBEDDING RECOVERABLE DATA ON IMAGESENSOR PIXEL ARRAYS||||US 9,521,292 B2||2008/3/12||2016/12/13|||
|133|||美国|美国豪威|||||||2030/9/26|
|134|IMAGING SYSTEM INCLUDING DISTRIBUTED||美国|美国豪威|US 8,922,700 B2||2009/4/3||2014/12/30||2030/9/16|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PHASE MODIFICATION AND ASSOCIATEDMETHODS|||||||||||
||APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR SKINTONE DETECTION IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 8,055,066 B2||2008/4/16||2011/11/8|||
|135|||美国|美国豪威|||||||2030/7/28|
||VIDEO CODING APPARATUS AND METHOD FORSUPPORTING ARBITRARY-SIZEDREGIONS-OF-INTEREST||||US 8,358,700 B2||2008/6/3||2013/1/22|||
|136|||美国|美国豪威|||||||2031/11/23|
||APPARATUS AND METHOD FOR IMAGE SENSORWITH CARBON NANOTUBE BASEDTRANSPARENT CONDUCTIVE COATING||||US 8,946,848 B2||2008/6/5||2015/2/3|||
|137|||美国|美国豪威|||||||2033/11/11|
||SYSTEM, AND METHOD, AND COMPUTERREADABLE MEDIUM FOR DESIGNING ASCALABLE CLUSTERED STORAGE INTEGRATEDCIRCUIT FOR MULTI-MEDIA PROCESSING||||US 8,122,421 B2||2008/8/14||2012/2/21|||
|138|||美国|美国豪威|||||||2030/9/7|
||IMAGE SENSOR APPARATUS AND METHOD FORLINE BUFFER EFFICIENT LENS DISTORTIONCORRECTION||||US 8,792,028 B2||2011/11/18||2014/7/29|||
|139|||美国|美国豪威|||||||2030/4/1|
||OBJECT-BASED OPTICAL CHARACTERRECOGNITION PRE-PROCESSING ALGORITHM||||US 8,457,423 B2||2011/9/6||2013/6/4|||
|140|||美国|美国豪威|||||||2030/3/8|
||SYSTEM AND METHOD FOR AN IMAGE SENSOROPERABLE IN MULTIPLE VIDEO STANDARDS||||US 9,215,385 B2||2012/4/17||2015/12/15|||
|141|||美国|美国豪威|||||||2032/8/9|
||OP-AMP SHARING WITH INPUT AND OUTPUTRESET||||US 8,120,423 B2||2010/12/6||2012/2/21|||
|142|||美国|美国豪威|||||||2029/12/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ALTERNATIVE COLOR IMAGE ARRAY ANDASSOCIATED METHODS||||US 8,624,997 B2||2011/2/25||2014/1/7|||
|143|||美国|美国豪威|||||||2031/4/3|
||OPTICAL ALIGNMENT STRUCTURES ANDASSOCIATED METHODS||||US 8,477,195 B2||2010/6/21||2013/7/2|||
|144|||美国|美国豪威|||||||2031/6/19|
||OPTICAL ALIGNMENT STRUCTURES ANDASSOCIATED METHODS||||US 8,780,211 B2||2013/7/1||2014/7/15|||
|145|||美国|美国豪威|||||||2030/6/21|
||CROSS-COLOR IMAGE PROCESSING SYSTEMSAND METHODS FOR SHARPNESS ENHANCEMENT||||US 8,457,393 B2||2011/7/9||2013/6/4|||
|146|||美国|美国豪威|||||||2030/12/9|
||OPTICAL POSITION INPUT SYSTEM ANDMETHOD||||US 8,269,750 B2||2010/8/13||2012/9/18|||
|147|||美国|美国豪威|||||||2031/2/26|
||MECHANICAL ASSEMBLY FOR FINE FOCUS OF AWAFFER-LEVEL CAMERA MODULE, ANDASSOCIATED METHODS||||US 8,982,269 B2||2010/9/27||2015/3/17|||
|148|||美国|美国豪威|||||||2031/3/4|
||TUNABLE AND SWITCHABLE MULTILAYEROPTICAL DEVICES||||US 8,582,115 B2||2010/10/7||2013/11/12|||
|149|||美国|美国豪威|||||||2031/12/7|
||OPTICAL DEVICE WITH ELECTRICALLYVARIABLE EXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 8,687,040 B2||2010/11/1||2014/4/1|||
|150|||美国|美国豪威|||||||2030/11/1|
||APPARATUS AND METHOD FORTHREE-DIMENSIONAL IMAGE CAPTURE WITHEXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 8,633,969 B2||2011/2/9||2014/1/21|||
|151|||美国|美国豪威|||||||2032/1/22|
||APPARATUS AND METHOD FORTHREE-DIMENSIONAL IMAGE CAPTURE WITHEXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 9,264,696 B2||2014/1/17||2016/2/16|||
|152|||美国|美国豪威|||||||2031/10/4|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TWO-STAGE OPTICAL OBJECT MOLDING USINGPRE-FINAL FORM||||US 8,638,500 B2||2011/2/9||2014/1/28|||
|153|||美国|美国豪威|||||||2031/8/13|
||TWO-STAGE OPTICAL OBJECT MOLDING USINGPRE-FINAL FORM||||US 9,013,797 B2||2014/1/27||2015/4/21|||
|154|||美国|美国豪威|||||||2031/2/9|
||FLEXIBLE MEMBRANE AND LENS ASSEMBLYAND ASSOCIATED METHOD OF LENSREPLICATION||||US 8,885,272 B2||2011/5/3||2014/11/11|||
|155|||美国|美国豪威|||||||2032/5/23|
||WAFER LEVEL OPTICAL PACKAGING SYSTEM,AND ASSOCIATED METHOD OF ALIGNINGOPTICAL WAFERS||||US 9,035,406 B2||2011/5/23||2015/5/19|||
|156|||美国|美国豪威|||||||2034/3/19|
||SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING DEPTHOF FIELD IN A LENS SYSTEM BY USE OFCOLOR-DEPENDENT WAVEFRONT CODING||||US 8,610,813 B2||2011/5/31||2013/12/17|||
|157|||美国|美国豪威|||||||2032/6/12|
||INTEGRATED DIE-LEVEL CAMERAS ANDMETHODS OF MANUFACTURING THE SAME||||US 8,729,653 B2||2011/10/26||2014/5/20|||
|158|||美国|美国豪威|||||||2032/2/21|
||INTEGRATED DIE-LEVEL CAMERAS ANDMETHODS OF MANUFACTURING THE SAME||||US 8,846,435 B2||2014/4/8||2014/9/30|||
|159|||美国|美国豪威|||||||2034/10/26|
||SPACER WAFER FOR WAFER-LEVEL CAMERAAND METHOD OF MANUFACTURING SAME||||US 8,826,511 B2||2011/11/15||2014/9/9|||
|160|||美国|美国豪威|||||||2032/12/11|
||IMAGING SYSTEM AND METHOD HAVINGEXTENDED DEPTH OF FIELD||||US 9,432,642 B2||2011/12/12||2016/8/30|||
|161|||美国|美国豪威|||||||2032/8/21|
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA ANDMETHOD OF MANUFACTURING SAME||||US 8,848,286 B2||2012/4/11||2014/9/30|||
|162|||美国|美国豪威|||||||2032/9/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA ANDMETHOD OF MANUFACTURING SAME||||US 9,798,046 B2||2014/9/29||2017/10/24|||
|163|||美国|美国豪威|||||||2033/7/4|
||APPARATUS AND METHOD FOR CORRECTION OFDISTORTION IN DIGITAL IMAGE DATA||||US 8,787,689 B2||2012/5/15||2014/7/22|||
|164|||美国|美国豪威|||||||2032/6/19|
||METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTINGFOR VIGNETTING AN IMAGING SYSTEM||||US 8,823,841 B2||2012/6/20||2014/9/2|||
|165|||美国|美国豪威|||||||2033/3/28|
||APPARATUS AND METHOD FOR GENERATINGPICTURE-IN-PICTURE (PIP) IMAGE||||US 9,088,750 B2||2012/7/25||2015/7/21|||
|166|||美国|美国豪威|||||||2032/7/25|
||IMAGE PROCESSING SYSTEM AND METHODUSING MULTIPLE IMAGERS FOR PROVIDINGEXTENDED VIEW||||US 9,124,801 B2||2012/7/26||2015/9/1|||
|167|||美国|美国豪威|||||||2033/12/22|
||IMAGE PROCESSING SYSTEM COUPLEDCAMERAS FOR PROVIDING EXTENDED VIEW||||US 9,485,424 B2||2015/8/31||2016/11/1|||
|168|||美国|美国豪威|||||||2035/8/31|
||METHODS FOR FORMING A LENS PLATE FOR ANINTEGRATED CAMERA USINGUV-TRANSPARENT MOLDS AND METHODS FORFORMING UV-TRANSPARENT MOLDS||||US 9,919,455 B2||2012/8/22||2018/3/20|||
|169|||美国|美国豪威|||||||2036/3/13|
||SYSTEMS AND METHODS FOR RESUMINGCAPTURE OF A BASE IMAGE OF AN OBJECT BY AMOBILE SCANNER||||US 8,705,145 B2||2012/9/6||2014/4/22|||
|170|||美国|美国豪威|||||||2032/9/6|
||BACKSIDE-ILLUMINATED PHOTOSENSORARRAY WITH WHITE, YELLOW ANDRED-SENSITIVE ELEMENTS||||US 9,231,015 B2||2012/9/24||2016/1/5|||
|171|||美国|美国豪威|||||||2033/12/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||INFRARED REFLECTION/ABSORPTION LAYERFOR REDUCING GHOST IMAGE OF INFRAREDREFLECTION NOISE AND IMAGE SENSOR USINGTHE SAME||||US 9,111,832 B2||2012/10/29||2015/8/18|||
|172|||美国|美国豪威|||||||2033/11/20|
||INFRARED REFLECTION/ABSORPTION LAYERFOR REDUCING GHOST IMAGE OF INFRAREDREFLECTION NOISE AND IMAGE SENSOR USINGTHE SAME||||US 9,184,200 B2||2015/4/27||2015/11/10|||
|173|||美国|美国豪威|||||||2035/4/27|
||INFRARED REFLECTION/ABSORPTION LAYERFOR REDUCING GHOST IMAGE OF INFRAREDREFLECTION NOISE AND IMAGE SENSOR USINGTHE SAME||||US 9,406,716 B2||2015/10/6||2016/8/20|||
|174|||美国|美国豪威|||||||2032/10/29|
||APPARATUS AND METHOD FOR OBTAININGUNIFORM LIGHT SOURCE||||US 9,239,147 B2||2012/11/7||2016/1/19|||
|175|||美国|美国豪威|||||||2034/3/16|
|176|IMAGE SENSOR TESTING PROBE CARD||美国|美国豪威|US 9,494,617 B2||2013/3/6||2016/11/15||2033/12/31|
||LARGE-FIELD-OF-VIEW LENS SYSTEM FORCAPSULE ENDOSCOPE AND CAPSULEENDOSCOPE HAVING LARGE-FIELD-OF-VIEWLENS SYSTEM||||US 8,749,897 B2||2012/11/7||2014/6/10|||
|177|||美国|美国豪威|||||||2032/12/29|
||CAMERA ARRAY SYSTEMS INCLUDING ATLEAST ONE BAYER TYPE CAMERA ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,924,142 B2||2013/11/21||2018/3/20|||
|178|||美国|美国豪威|||||||2034/10/16|
|179|APPARATUS AND METHOD FOR LEVEL-BASED||美国|美国豪威|US 9,294,563 B2||2013/2/27||2016/3/22||2034/2/10|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SELF-ADJUSTING PEER-TO-PEER MEDIASTREAMING|||||||||||
||APPARATUS AND METHOD FOR AUTOMATEDSELF-TRAINING OF WHITE BALANCE BYELECTRONIC CAMERAS||||US 9,270,866 B2||2014/3/13||2016/2/23|||
|180|||美国|美国豪威|||||||2034/3/13|
||SYSTEMS AND METHODS FOR CALIBRATION OFA 360 DEGREE CAMERA SYSTEM||||US 8,866,913 B1||2014/4/8||2014/10/21|||
|181|||美国|美国豪威|||||||2034/4/8|
||WAFER-LEVEL ARRAY CAMERAS ANDMETHODS FOR FABRICATING THE SAME||||US 9,923,008 B2||2014/4/9||2018/3/20|||
|182|||美国|美国豪威|||||||2037/8/19|
||IMAGING SYSTEMS AND METHODS USINGSQUARE IMAGE SENSOR FOR FLEXIBLE IMAGEORIENTATION||||US 9,531,970 B2||2014/4/25||2016/12/27|||
|183|||美国|美国豪威|||||||2033/7/26|
||FIVE-ASPHERIC-SURFACE WAFER-LEVEL LENSSYSTEMS HAVING WIDE VIEWING ANGLE||||US 8,922,913 B2||2013/5/8||2014/12/30|||
|184|||美国|美国豪威|||||||2033/6/19|
||ON-LINE MEMORY TESTING SYSTEMS ANDMETHODS||||US 9,202,591 B2||2013/5/10||2015/12/1|||
|185|||美国|美国豪威|||||||2034/2/25|
||NEAR-EYE DISPLAY SYSTEMS, DEVICES ANDMETHODS||||US 9,740,030 B2||2014/5/15||2017/8/22|||
|186|||美国|美国豪威|||||||2033/11/28|
|187|MOUNTING SYSTEM FOR GLASSES FRAMES||美国|美国豪威|US 9,316,849 B2||2014/5/15||2016/4/19||2034/5/15|
|188|MOUNTING SYSTEMS FOR GLASSES FRAMES||美国|美国豪威|US 9,835,879 B2||2015/9/28||2017/12/5||2036/3/30|
||SYSTEMS AND METHODS FOR GENERATING APANORAMIC IMAGE||||US 9,681,045 B2||2014/6/13||2017/6/13|||
|189|||美国|美国豪威|||||||2034/6/30|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD AND APPARATUS FOR DISTRIBUTEDIMAGE PROCESSING IN CAMERAS FORMINIMIZING ARTIFACTS IN STITCHED IMAGES||||US 9,438,794 B2||2013/6/25||2016/9/6|||
|190|||美国|美国豪威|||||||2033/6/25|
|191|SELF-ILLUMINATING CMOS IMAGING PACKAGE||美国|美国豪威|US 9,538,909 B2||2013/7/8||2017/1/10||2034/3/4|
||SYSTEMS AND METHODS FOR GENERATINGHIGH DYNAMIC RANGE IMAGES||||US 9,432,589 B2||2013/8/15||2016/8/30|||
|192|||美国|美国豪威|||||||2034/10/2|
||CAMERA DEVICES AND SYSTEMS BASED ON ASINGLE IMAGE SENSOR AND METHODS FORMANUFACTURING THE SAME||||US 9,282,265 B2||2013/9/9||2016/3/8|||
|193|||美国|美国豪威|||||||2034/6/4|
||APPARATUS AND METHOD FOR MOLDINGOPTICAL LENSE DURING A PUDDLE DISPENSINGPROCESS||||US 9,151,878 B2||2013/9/16||2015/10/6|||
|194|||美国|美国豪威|||||||2032/12/17|
||SENSOR AND METHOD FOR COLORPHOTOSENSOR ARRAY WITH SHIELDED,DEEP-PENETRATION, PHOTODIODES FOR COLORDETECTION||||US 9,331,118 B2||2013/9/16||2016/5/3|||
|195|||美国|美国豪威|||||||2033/10/8|
||DUAL PIXEL-SIZED COLOR IMAGE SENSORS ANDMETHODS FOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,147,704 B2||2013/11/11||2015/9/29|||
|196|||美国|美国豪威|||||||2033/11/11|
||THERMAL CARRIER FOR AN LCOS DISPLAYPANEL AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,182,622 B2||2013/11/21||2015/11/10|||
|197|||美国|美国豪威|||||||2034/1/8|
||IMAGE DATA AGGREGATING HIGH DYNAMICRANGE IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 9,172,869 B2||2013/12/4||2015/10/27|||
|198|||美国|美国豪威|||||||2034/3/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING NMOS SOURCEFOLLOWER WITH P-TYPE DOPING INPOLYSILICON GATE||||US 9,319,613 B2||2013/12/5||2016/4/19|||
|199|||美国|美国豪威|||||||2034/2/26|
||DIGITAL CALIBRATION-BASED SKEWCANCELLATION FOR LONG-REACH MIPI D-PHYSERIAL LINKS||||US 9,355,054 B2||2014/1/7||2016/5/31|||
|200|||美国|美国豪威|||||||2034/5/30|
||IMAGE DEVICE HAVING EFFICIENT HEATTRANSFER, AND ASSOCIATED SYSTEMS||||US 9,258,465 B2||2014/1/9||2016/2/9|||
|201|||美国|美国豪威|||||||2034/4/6|
||SYSTEM AND METHOD FOR SCAN-TESTING OFIDLE FUNCTIONAL UNITS IN OPERATINGSYSTEMS||||US 9,310,436 B2||2014/1/28||2016/4/12|||
|202|||美国|美国豪威|||||||2034/6/16|
||IMAGE TRANSFORMATION AND MULTI-VIEWOUTPUT SYSTEMS AND METHODS||||US 9,196,022 B2||2014/3/10||2015/11/24|||
|203|||美国|美国豪威|||||||2034/4/7|
||SYSTEM AND METHOD FOR CONTINUOUS AUTOFOCUS WITHIN CAMERA MODULE||||US 9,288,379 B2||2014/3/12||2016/3/15|||
|204|||美国|美国豪威|||||||2034/6/4|
||IMAGING SYSTEMS AND METHODS FOR USINGIN SPATIALLY CONSTRAINED LOCATIONS||||US 9,757,015 B2||2014/4/23||2017/9/12|||
|205|||美国|美国豪威|||||||2035/3/7|
||FLOORPLAN-OPTIMIZED STACKED IMAGESENSOR AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,652,575 B2||2014/4/7||2017/5/16|||
|206|||美国|美国豪威|||||||2034/10/18|
||OPTICAL ZOOM IMAGING SYSTEMS ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,300,877 B2||2014/5/5||2016/3/29|||
|207|||美国|美国豪威|||||||2034/8/5|
||SYSTEM AND METHOD FOR BLACK COATING OFCAMERA CUBES AT WAFER LEVEL||||US 9,293,505 B2||2014/5/5||2016/3/22|||
|208|||美国|美国豪威|||||||2034/5/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||WAFER-LEVEL BONDING METHOD FOR CAMERAFABRICATION||||US 9,553,126 B2||2014/5/5||2017/1/24|||
|209|||美国|美国豪威|||||||2034/5/5|
||BACKSIDE ILLUMINATED COLOR IMAGESENSORS AND METHODS FOR MANUFACTURINGTHE SAME||||US 9,184,206 B1||2014/5/5||2015/11/10|||
|210|||美国|美国豪威|||||||2034/5/5|
||SUSPENDED LENS SYSTEM HAVING A NON-ZEROOPTICAL TRANSMISSION SUBSTRATE FACINGTHE CONCAVE SURFACE OF A SINGLE-PIECELENS AND WAFER-LEVEL METHOD FORMANUFACTURING THE SAME||||US 9,349,765 B2||2014/5/13||2016/5/24|||
|211|||美国|美国豪威|||||||2034/8/20|
||WAFER-LEVEL LIQUID-CRYSTAL-ON-SILICONPROJECTION ASSEMBLY, SYSTEM ANDMETHODS||||US 9,851,575 B2||2014/5/15||2017/12/26|||
|212|||美国|美国豪威|||||||2035/7/18|
||SYSTEMS AND METHODS FOR OBTAININGIMAGE DEPTH INFORMATION||||US 9,633,441 B2||2014/6/9||2017/4/25|||
|213|||美国|美国豪威|||||||2035/8/1|
||CONCAVE SPACER-WAFER APERTURES ANDWAFER-LEVEL OPTICAL ELEMENTS FORMEDTHEREIN||||US 9,789,114 B2||2014/6/17||2017/10/24|||
|214|||美国|美国豪威|||||||2034/6/17|
||SYSTEM AND METHOD FOR DIGITALCORRELATED DOUBLE SAMPLING IN AN IMAGESENSOR||||US 9,247,162 B2||2014/6/27||2016/1/26|||
|215|||美国|美国豪威|||||||2034/8/6|
||FRACTAL-EDGE THIN FILM AND METHOD OFMANUFACTURE||||US 9,679,940 B2||2014/7/3||2017/6/13|||
|216|||美国|美国豪威|||||||2035/2/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||WAFER-LEVEL LENS SYSTEMS AND METHODSFOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,366,848 B2||2014/7/3||2016/6/14|||
|217|||美国|美国豪威|||||||2034/6/3|
||SYSTEM AND METHOD FOR EMBEDDINGSTEREO IMAGERY||||US 9,197,874 B1||2014/7/17||2015/11/24|||
|218|||美国|美国豪威|||||||2034/7/17|
||LENS-FREE IMAGING SYSTEM AND METHOD FORDETECTING PARTICLES IN SAMPLE DEPOSITEDON IMAGE SENSOR||||US 9,574,989 B2||2014/8/8||2017/2/21|||
|219|||美国|美国豪威|||||||2035/6/11|
||PCB-MOUNTABLE LENS ADAPTER FOR APCB-MOUNTABLE CAMERA MODULE||||US 9,451,137 B2||2014/8/21||2016/9/20|||
|220|||美国|美国豪威|||||||2034/12/16|
||METHOD FOR FORMING LIGHT-TRANSMITTINGREGIONS||||US 7.732,244 B2||2007/12/20||2010/6/8|||
|221|||美国|美国豪威|||||||2028/9/2|
||ALIGNMENT DEVICE AND APPLICATIONTHEREOF||||US 7,741,652 B2||2008/3/7||2010/6/22|||
|222|||美国|美国豪威|||||||2029/1/17|
||LENS MODULE AND A METHOD FORFABRICATING THE SAME||||US 7,920,328 B2||2008/2/28||2011/4/5|||
|223|||美国|美国豪威|||||||2028/7/12|
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSORDEVICE||||US 7,829,966 B2||2007/11/23||2010/11/9|||
|224|||美国|美国豪威|||||||2027/12/23|
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSORDEVICE||||US 7,994,598 B2||2010/10/4||2011/8/9|||
|225|||美国|美国豪威|||||||2027/11/23|
||ELECTRONIC DEVICE PACKAGE WITHELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY (EMC)COATING THEREON||||US 7,964,936 B2||2008/7/10||2011/6/21|||
|226|||美国|美国豪威|||||||2028/9/8|
|227|IMAGE SENSOR DEVICE WITH OPAQUE COATING||美国|美国豪威以|US 8,854,526 B2||2008/10/2||2014/10/7||2030/9/21|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||及VisEra||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||ENCAPSULANT MODULE WITH OPAQUECOATING|||美国豪威以|US 9,350,906 B2||2009/5/13||2016/5/24|||
|||||及VisEra||||||||
|228|||美国|Technologies|||||||2029/5/13|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
|229|MINIATURE IMAGE CAPTURE LENS||美国|美国豪威|US 7,688,531 B1||2008/10/9||2010/3/30||2028/10/9|
|230|IMAGE CAPTURE LENS||美国|美国豪威|US 7,894,143 B2||2008/11/12||2011/2/22||2028/11/12|
|231|MINIATURE IMAGE CAPTURE LENS||美国|美国豪威|US 7,796,349 B2||2008/10/9||2010/9/14||2029/1/1|
||OPTICAL ELEMENT AND MANUFACTUREMETHOD THEREOF|||美国豪威以|US 8,390,930 B2||2008/11/20||2013/3/5|||
|||||及VisEra||||||||
|232|||美国|Technologies|||||||2031/7/3|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||COMPACT CAMERA MODULE|||美国豪威以|US 8,355,628 B2||2009/3/6||2013/1/15|||
|||||及VisEra||||||||
|233|||美国|Technologies|||||||2029/4/9|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
|234|MINIATURE IMAGE CAPTURE LENS||美国|美国豪威以|US 8,125,720 B2||2009/3/24||2012/2/28||2030/7/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||及VisEra||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR AN IMAGESENSING DEVICE|||美国豪威以|US 8,351,219 B2||2009/9/3||2013/1/8|||
|||||及VisEra||||||||
|235|||美国|Technologies|||||||2030/12/13|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULES|||美国豪威以|US 8,289,634 B2||2009/10/2||2012/10/16|||
|||||及VisEra||||||||
|236|||美国|Technologies|||||||2029/10/2|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||LENS ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMINGTHE SAME|||美国豪威以|US 8,059,341 B2||2009/9/23||2011/11/15|||
|||||及VisEra||||||||
|237|||美国|Technologies|||||||2029/9/23|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULES AND IMAGECAPTURE SYSTEMS|||美国豪威以|US 8,279,535 B2||2009/10/2||2012/10/2|||
|||||及VisEra||||||||
|238|||美国||||||||2031/2/20|
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULE AND WAFERLEVEL PACKAGED IMAGE CAPTURE DEVICES|||美国豪威以|US 8,837,060 B2||2011/2/25||2014/9/16|||
|||||及VisEra||||||||
|239|||美国|Technologies|||||||2031/2/25|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||OPTICAL DEVICE HAVING EXTENDED DEPTH OFFIELD AND FABRICATION METHOD THEREOF|||美国豪威以|US 8,351,120 B2||2010/9/15||2013/1/8|||
|||||及VisEra||||||||
|240|||美国|Technologies|||||||2031/2/3|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||METHOD FOR FORMING IMAGE SENSING DEVICE|||美国豪威以|US 9,379,153 B2||2010/4/22||2016/6/28|||
|||||及VisEra||||||||
|241|||美国|Technologies|||||||2034/8/6|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE CAPTURE LENS MODULES AND IMAGECAPTURE SYSTEMS|||美国豪威以|US 8,194,334 B2||2010/4/9||2012/6/5|||
|||||及VisEra||||||||
|242|||美国|Technologies|||||||2031/1/20|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||COMPACT CAMERA MODULE AND METHOD FORFABRICATING THE SAME|||美国豪威以|US 8,500,344 B2||2011/7/25||2013/8/6|||
|243|||美国||||||||2031/8/4|
|||||及VisEra||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE SENSOR DEVICES AND METHODS FORMANUFACTURING THE SAME|||美国豪威以|US 8,557,626 B2||2010/6/4||2013/10/15|||
|||||及VisEra||||||||
|244|||美国|Technologies|||||||2031/2/5|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||IMAGE SENSOR DEVICES AND METHODS FORMANUFACTURING THE SAME|||美国豪威以|US 8,941,202 B2||2013/9/5||2015/1/27|||
|||||及VisEra||||||||
|245|||美国|Technologies|||||||2030/6/4|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||LENS MODULES AND FABRICATION METHODSTHEREOF|||美国豪威以|US 8,000,041 B1||2010/9/20||2011/8/16|||
|||||及VisEra||||||||
|246|||美国|Technologies|||||||2030/9/20|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||LENS ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMINGTHE SAME|||美国豪威以|US 8,072,685 B1||2011/1/31||2011/12/6|||
|||||及VisEra||||||||
|247|||美国|Technologies|||||||2031/1/31|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LENS ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMINGTHE SAME|||美国豪威以|US 8,630,042 B2||2011/10/25||2014/1/14|||
|||||及VisEra||||||||
|248|||美国|Technologies|||||||2031/1/31|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA MODULE AND METHOD FORFABRICATING THE SAME|||美国豪威以|US 8,251,601 B2||2010/12/21||2012/8/28|||
|||||及VisEra||||||||
|249|||美国|Technologies|||||||2030/12/29|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA MODULE AND METHOD FORFABRICATING THE SAME|||美国豪威以|US 8,593,561 B2||2011/3/1||2013/11/26|||
|||||及VisEra||||||||
|250|||美国|Technologies|||||||2032/7/25|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||OPTICAL LENS MODULE|||美国豪威以|US 8,390,942 B2||2011/1/11||2013/3/5|||
|||||及VisEra||||||||
|251|||美国|Technologies|||||||2031/4/20|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA MODULE AND SPACER OF A LENSSTRUCTURE IN THE CAMERA MODULE|||美国豪威以|US 9,075,182 B2||2011/6/3||2015/7/7|||
|252|||美国|及VisEra|||||||2032/6/7|
|||||Technologies||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||METHODS OF FABRICATING CAMERA MODULEAND SPACER OF A LENS STRUCTURE IN THECAMERA MODULE|||美国豪威以|US 9,502,461 B2||2015/5/13||2016/11/22|||
|||||及VisEra||||||||
|253|||美国|Technologies|||||||2031/7/22|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||METHOD FOR FABRICATING CAMERA MODULE|||美国豪威以|US 8,388,793 B1||2011/8/29||2013/3/5|||
|||||及VisEra||||||||
|254|||美国|Technologies|||||||2031/8/29|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||CAMERA UNIT AND MACRO LENS THEREOF|||美国豪威以|US 8,345,360 B2||2011/6/3||2013/1/1|||
|||||及VisEra||||||||
|255|||美国|Technologies|||||||2031/8/14|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||THREE-PIECE ALL-ASPHERIC ADAPTER FISHEYELENS||||US 9,274,322 B1||2014/8/21||2016/3/1|||
|256|||美国|美国豪威|||||||2034/11/21|
||FOUR-PIECE ALL-ASPHERIC ADAPTER FISHEYELENS||||US 9,304,299 B2||2014/8/21||2016/4/5|||
|257|||美国|美国豪威|||||||2036/7/14|
||AUTOMATED CELL GROWTH/MIGRATIONDETECTION SYSTEM AND ASSOCIATED||||US 9,347,082 B2||2014/8/28||2016/5/24|||
|258|||美国|美国豪威|||||||2034/9/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHODS|||||||||||
||WAFER-LEVEL METHODS FOR MAKINGAPERTURED LENSES INVOLVING SEQUENTIALLAYERING OF BIPLANAR TRANSPARENT FILM,OPAQUE LAYER, SPACER WAFER, AND LENSWAFER||||US 9,921,393 B2||2014/9/4||2018/3/20|||
|259|||美国|美国豪威|||||||2036/3/25|
||DUAL-MODE IMAGE SENSOR WITH ASIGNAL-SEPARATING COLOR FILTER ARRAY,AND METHOD FOR SAME||||US 9,570,491 B2||2014/10/8||2017/2/14|||
|260|||美国|美国豪威|||||||2034/10/8|
||DUAL-MODE IMAGE SENSOR WITH ASIGNAL-SEPARATING COLOR FILTER ARRAY,AND METHOD FOR SAME||||US 9,698,194 B2||2016/11/10||2017/7/4|||
|261|||美国|美国豪威|||||||2036/11/10|
||HIGH-THROUGHPUT FLUORESCENCE IMAGINGSYSTEM AND DEVICE WITH SAMPLE HEATINGCAPABILITY, AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,574,991 B2||2014/10/14||2017/2/21|||
|262|||美国|美国豪威|||||||2034/12/22|
||GROUNDING SYSTEM FOR INTEGRATEDCIRCUITS OF PARTICULAR USEFULNESS FORCIRCUITS INCORPORATINGBACKSIDE-ILLUMINATED PHOTOSENSORARRAYS||||US 9,478,580 B2||2014/10/30||2016/10/25|||
|263|||美国|美国豪威|||||||2034/10/30|
||WAFER-LEVEL ENCAPSULATEDSEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FORFABRICATING SAME||||US 9,450,004 B2||2014/11/14||2016/9/20|||
|264|||美国|美国豪威|||||||2034/11/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PANEL CARRIER FOR A LIQUID CRYSTAL ONSILICON PANEL AND METHOD FORELECTRICALLY INTERCONNECTING SAME||||US 9,568,789 B2||2014/11/19||2017/2/14|||
|265|||美国|美国豪威|||||||2035/7/10|
|266|EDGE DETECTION SYSTEM AND METHODS||美国|美国豪威|US 9,697,434 B2||2014/12/10||2017/7/4||2035/5/15|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE METHODS ANDSYSTEMS FOR ELECTRONIC CAMERAS||||US 9,307,215 B1||2014/12/19||2016/4/5|||
|267|||美国|美国豪威|||||||2034/12/19|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE METHODS ANDSYSTEMS FOR ELECTRONIC CAMERAS||||US 9,307,214 B1||2014/12/19||2016/4/5|||
|268|||美国|美国豪威|||||||2034/12/19|
||LOW-PROFILE HYBRID LENS SYSTEMS ANDMETHODS FOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,377,603 B1||2015/1/26||2016/6/28|||
|269|||美国|美国豪威|||||||2035/1/26|
||WIDE-ANGLE CAMERA USING ACHROMATICDOUBLET PRISM ARRAY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,902,120 B2||2015/2/9||2018/2/27|||
|270|||美国|美国豪威|||||||2036/2/5|
||WIDE-ANGLE CAMERA USING ACHROMATICDOUBLET PRISM ARRAY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,438,779 B2||2015/2/9||2016/9/6|||
|271|||美国|美国豪威|||||||2035/2/9|
||LIQUID CRYSTAL ON SILICON PANELS ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,459,500 B2||2015/2/9||2016/10/4|||
|272|||美国|美国豪威|||||||2035/6/19|
||CURVED IMAGE SENSOR SYSTEMS ANDMETHODS FOR MANUFACTURING THE SAME||||US 9,349,763 B1||2015/2/10||2016/5/24|||
|273|||美国|美国豪威|||||||2035/2/10|
|274|CURVED IMAGE SENSOR SYSTEMS||美国|美国豪威|US 9,679,931 B2||2016/5/23||2017/6/13||2036/5/23|
||SPATIALLY INTERLEAVED POLARIZATIONCONVERTER FOR LCOS DISPLAY||||US 9,448,415 B2||2015/2/25||2016/9/20|||
|275|||美国|美国豪威|||||||2035/5/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||HIGHLY-REFLECTIVE LIQUID CRYSTAL ONSILICON PANEL COMPRISING A CONTINUOUSREFLECTIVE COATING COVERING PIXELELECTRODES AND AN INTER-PIXEL COATING||||US 9,958,726 B2||2015/2/25||2018/5/1|||
|276|||美国|美国豪威|||||||2035/3/5|
||AEROGEL-ENCAPSULATED IMAGE SENSOR ANDMANUFACTURING METHOD FOR SAME||||US 9,812,478 B2||2015/3/5||2017/11/7|||
|277|||美国|美国豪威|||||||2035/3/5|
||OPTICAL ASSEMBLIES INCLUDING DRYADHESIVE LAYERS AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,627,559 B2||2015/3/16||2017/4/18|||
|278|||美国|美国豪威|||||||2035/7/8|
||TRENCHED-SUBSTRATE BASED LENSMANUFACTURING METHODS, AND ASSOCIATEDSYSTEMS||||US 9,952,415 B2||2015/4/22||2018/4/24|||
|279|||美国|美国豪威|||||||2036/5/14|
||SEALED-SIDEWALL DEVICE DIE, ANDMANUFACTURING METHOD THEREOF||||US 9,478,576 B1||2015/4/28||2016/10/25|||
|280|||美国|美国豪威|||||||2035/4/28|
||REDUCED RANDOM TELEGRAPH SIGNAL NOISECMOS IMAGE SENSOR AND ASSOCIATEDMETHOD||||US 9,380,234 B1||2015/5/1||2016/6/28|||
|281|||美国|美国豪威|||||||2035/5/1|
||IMAGE SENSORS FOR ROBUST ON CHIP PHASEDETECTION, AND ASSOCIATED SYSTEM ANDMETHODS||||US 9,485,442 B1||2015/5/18||2016/11/1|||
|282|||美国|美国豪威|||||||2035/5/18|
||IMAGING SYSTEMS INCLUDING ROW-PERIODCOMPENSATORS AND ASSOCIATED METHODS||||U 9,843,753 B2||2015/11/2||2017/12/12|||
|283|||美国|美国豪威|||||||2035/11/2|
||IMAGING SYSTEMS WITHSINGLE-PHOTON-AVALANCHE-DIODES AND||||US 9,628,735 B2||2015/6/22||2017/4/18|||
|284|||美国|美国豪威|||||||2035/6/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SENSOR TRANSLATION, AND ASSOCIATEDMETHODS|||||||||||
||RGB-IR PHOTOSENSOR WITH NONUNIFORMBURIED P-WELL DEPTH PROFILE FOR REDUCEDCROSS TALK AND ENHANCED INFRAREDSENSITIVITY||||US 9,865,642 B2||2015/6/5||2018/1/9|||
|285|||美国|美国豪威|||||||2036/2/17|
||SYSTEM AND METHOD FOR EVALUATING ACLASSIFIER IMPLEMENTED WITHIN AN IMAGESIGNAL PROCESSOR||||US 9,842,280 B2||2015/11/4||2017/12/12|||
|286|||美国|美国豪威|||||||2035/11/4|
||NEAR-EYE DISPLAY DEVICE AND METHODSWITH COAXIAL EYE IMAGING||||US 9,958,680 B2||2015/9/29||2018/5/1|||
|287|||美国|美国豪威|||||||2036/1/14|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH PENINSULARGROUND CONTRACTS AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME||||US 9,653,511 B2||2015/8/11||2017/5/16|||
|288|||美国|美国豪威|||||||2035/8/11|
||TWO-SURFACE NARROW FIELD-OF-VIEWCOMPOUNDS LENS||||US 9,897,786 B2||2015/10/5||2018/2/20|||
|289|||美国|美国豪威|||||||2036/4/4|
||NEAR-INFRARED HYBRID LENS SYSTEMS WITHWIDE FIELD OF VIEW||||US 9,804,368 B2||2015/10/5||2017/10/31|||
|290|||美国|美国豪威|||||||2035/10/5|
||FOUR-SURFACE NARROW FIELD-OF-VIEWCOMPOUND LENS||||US 9,897,778 B2||2016/1/12||2018/2/20|||
|291|||美国|美国豪威|||||||2036/1/12|
||THREE-SURFACE WIDE FIELD-OF-VIEW LENSSYSTEM||||US 9,778,443 B2||2015/10/5||2017/10/3|||
|292|||美国|美国豪威|||||||2035/10/5|
|293|WAFER-LEVEL HYBRID COMPOUND LENS AND||美国|美国豪威|US 9,804,367 B2||2015/11/4||2017/10/31||2035/12/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD FOR FABRICATING SAME|||||||||||
||STACKED-LENS ASSEMBLY AND FABRICATIONMETHOD FOR SAME||||US 9,915,763 B2||2015/11/13||2018/3/13|||
|294|||美国|美国豪威|||||||2035/11/13|
||CHIP-SCALE PACKAGED IMAGE SENSORPACKAGES WITH BLACK MASKING ANDASSOCIATED PACKAGING METHODS||||US 9,653,504 B1||2015/11/3||2017/5/16|||
|295|||美国|美国豪威|||||||2035/11/3|
||PUPILLARY ADJUSTABLE HEAD MOUNTEDDEVICE||||US 9,927,619 B2||2015/11/6||2018/3/27|||
|296|||美国|美国豪威|||||||2035/11/6|
||IMAGE SENSOR WITH SYMMETRIC MULTI-PIXELPHASE-DIFFERENCE DETECTORS, ANDASSOCIATED METHODS||||US 9,807,294 B2||2015/8/5||2017/10/31|||
|297|||美国|美国豪威|||||||2036/1/5|
||BSI CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVEDPHASE DETECTING PIXEL||||US 9,443,899 B1||2015/11/4||2016/9/13|||
|298|||美国|美国豪威|||||||2035/11/4|
||PROJECTOR FOR ADAPTOR-LESS SMARTPHONEEYE IMAGING AND ASSOCIATED METHODS||||US 9,526,417 B1||2015/12/7||2016/12/27|||
|299|||美国|美国豪威|||||||2035/12/7|
||FLARE-REDUCING IMAGING SYSTEM ANDASSOCIATED IMAGE SENSOR||||US 9,781,362 B1||2016/3/22||2017/10/3|||
|300|||美国|美国豪威|||||||2036/3/22|
||COMPACT THREE-SURFACE WAFER-LEVEL LENSSYSTEMS||||US 9,798,115 B1||2016/4/26||2017/10/24|||
|301|||美国|美国豪威|||||||2036/4/26|
||PHASE-DETECTION AUTO-FOCUS PIXEL ARRAYAND ASSOCIATED IMAGING SYSTEM||||US 9,838,590 B2||2016/3/16||2017/12/5|||
|302|||美国|美国豪威|||||||2036/6/6|
||CLOCK GENERATOR AND METHOD FORREDUCING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE||||US 9,900,145 B2||2016/5/19||2018/2/20|||
|303|||美国|美国豪威|||||||2036/5/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FROM DIGITAL SYSTEMS|||||||||||
||FIVE-SURFACE WIDE FIELD-OF-VIEWCOMPOUND LENS AND ASSOCIATED CAMERAMODULE||||US 9,835,821 B1||2016/7/26||2017/12/5|||
|304|||美国|美国豪威|||||||2036/7/26|
||IMAGE SENSOR PACKAGES WITH FOLDEDCOVER-GLASS SEALING INTERFACE||||US 9,748,293 B1||2016/8/2||2017/8/29|||
|305|||美国|美国豪威|||||||2036/8/2|
||CAMERA AND METHOD WITH WIDESCREENIMAGE ON NEARLY-SQUARE ASPECT RATIOPHOTOSENSOR ARRAY||||US 9,936,123 B2||2016/8/4||2018/4/3|||
|306|||美国|美国豪威|||||||2036/8/4|
||GHOST ARTIFACT REMOVAL SYSTEM ANDMETHOD||||US 9,916,644 B1||2016/9/9||2018/3/13|||
|307|||美国|美国豪威|||||||2036/9/9|
||HIGH-DYNAMIC-RANGE COLOR IMAGE SENSORSAND ASSOCIATED METHODS||||US 9,954,020 B1||2016/12/30||2018/4/24|||
|308|||美国|美国豪威|||||||2036/12/30|
||ECHO CANCELLATION SYSTEM AND METHODWITH REDUCED RESIDUAL ECHO||||US 9,947,337 B1||2017/3/21||2018/4/17|||
|309|||美国|美国豪威|||||||2037/3/21|
||CHIP SCALE PACKAGING TECHNIQUE FOROPTICAL IMAGE SENSING INTEGRATEDCIRCUITS||||US 6,285,064 B1||2000/3/28||2001/9/4|||
|310|||美国|美国豪威|||||||2020/3/28|
||EDGE ENHANCEMENT WITH BACKGROUNDNOISE SUPPRESSION IN VIDEO IMAGEPROCESSING||||US 6,441,866 B1||1999/1/14||2002/8/27|||
|311|||美国|美国豪威|||||||2019/1/14|
||ON-CHIP DEAD PIXEL CORRECTION IN A CMOSIMAGE SENSOR||||US 7,522,200 B2||2003/10/14||2009/4/21|||
|312|||美国|美国豪威|||||||2020/3/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AUTO BLACK EXPANSION METHOD ANDAPPARATUS FOR AN IMAGE SENSOR||||US 7,046,278 B1||1999/9/20||2006/5/16|||
|313|||美国|美国豪威|||||||2021/2/5|
||OPTIMIZED FLOATING P+ REGION PHOTODIODEFOR A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,339,248 B1||1999/11/15||2002/1/15|||
|314|||美国|美国豪威|||||||2019/11/15|
||OPTIMIZED FLOATING P+ REGION PHOTODIODEFOR A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,486,521 B2||2001/10/2||2002/11/26|||
|315|||美国|美国豪威|||||||2019/11/15|
||CMOS SENSOR HAVING ANALOG DELAY LINEFOR IMAGE PROCESSING||||US 6,707,496 B1||1999/9/15||2004/3/16|||
|316|||美国|美国豪威|||||||2019/9/15|
||COLUMN AMPLIFIER FOR HIGH FIXED PATTERNNOISE REDUCTION||||US 6,128,039||1999/1/11||2000/10/3|||
|317|||美国|美国豪威|||||||2019/1/11|
||EDGE ENHANCEMENT WITH BACKGROUNDNOISE REDUCTION IN VIDEO IMAGEPROCESSING||||US 6,404,460 B1||1999/2/19||2002/6/11|||
|318|||美国|美国豪威|||||||2019/2/19|
||METHOD AND APPARATUS FOR DIGITALCOLUMN FIXED PATTERN NOISE CANCELINGFOR A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,914,627 B1||1998/5/27||2005/7/5|||
|319|||美国|美国豪威|||||||2020/4/23|
||APS SOFT RESET CIRCUIT FOR REDUCING IMAGELAG||||US 6,727,946 B1||1999/12/14||2004/4/27|||
|320|||美国|美国豪威|||||||2019/12/14|
||APS SOFT RESET CIRCUIT FOR REDUCING IMAGELAG||||US 7,456,887 B2||2003/10/21||2008/11/25|||
|321|||美国|美国豪威|||||||2022/5/3|
||ANALOG MEDIAN FILTER CIRCUIT FOR IMAGEPROCESSING||||US 6,121,817||1999/1/11||2000/9/19|||
|322|||美国|美国豪威|||||||2019/1/11|
|323|ON-CHIP FIXED PATTERN NOISE CANCELING||美国|美国豪威|US 6,355,965 B1||2000/3/29||2002/3/12||2020/3/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LOGARITHMIC RESPONSE IMAGER SENSOR|||||||||||
||SURFACE PASSIVATION TO REDUCE DARKCURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,909,162 B2||2001/11/2||2005/6/21|||
|324|||美国|美国豪威|||||||2023/9/9|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH ON-CHIP PATTERNRECOGNITION||||US 6,617,565 B2||2001/11/6||2003/9/9|||
|325|||美国|美国豪威|||||||2022/1/25|
||METHOD OF FAST AUTOMATIC EXPOSURE ORGAIN CONTROL IN A MOS IMAGE SENSOR||||US 6,859,230 B2||2001/11/7||2005/2/22|||
|326|||美国|美国豪威|||||||2023/9/6|
||ZERO DC CURRENT READOUT CIRCUIT FORCMOS IMAGE SENSOR USING A PRECHARGECAPACITOR||||US 6,734,413 B2||2001/11/6||2004/5/11|||
|327|||美国|美国豪威|||||||2022/3/13|
||ZERO DC CURRENT READOUT CIRCUIT FORCMOS IMAGE SENSOR USING A DISCHARGECAPACITOR||||US 6,864,476 B2||2004/1/30||2005/3/8|||
|328|||美国|美国豪威|||||||2021/11/6|
||METHOD OF FAST AUTOMATIC EXPOSURE ORGAIN CONTROL IN A MOS IMAGE SENSOR||||US 7,015,956 B2||2002/1/25||2006/3/21|||
|329|||美国|美国豪威|||||||2024/7/15|
||METHOD AND APPARATUS KTC NOISECANCELLING IN A LINEAR CMOS IMAGE SENSOR||||US 6,982,403 B2||2002/3/27||2006/1/3|||
|330|||美国|美国豪威|||||||2023/10/22|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBERS OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||US 6,953,923 B2||2003/2/18||2005/10/11|||
|331|||美国|美国豪威|||||||2023/10/31|
||IMAGE SENSOR HAVING DUAL AUTOMATICEXPOSURE CONTROL||||US 7,430,011 B2||2003/1/22||2008/9/30|||
|332|||美国|美国豪威|||||||2025/6/9|
||CMOS IMAGE SENSOR USING HIGH FRAME RATEWITH FRAME ADDITION AND MOVEMENT||||US 7,209,601 B2||2003/7/22||2007/4/24|||
|333|||美国|美国豪威|||||||2025/8/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||COMPENSATION|||||||||||
||ACTIVE PIXEL CELL USING NEGATIVE TOPOSITIVE VOLTAGE SWING TRANSFERTRANSISTOR||||US 6,974,943 B2||2003/7/22||2005/12/13|||
|334|||美国|美国豪威|||||||2024/5/17|
||LOW VOLTAGE ACTIVE CMOS PIXEL ON ANN-TYPE SUBSTRATE WITH COMPLETE RESET||||US 7,022,965 B2||2004/2/4||2006/4/4|||
|335|||美国|美国豪威|||||||2024/3/3|
||LOW VOLTAGE ACTIVE CMOS PIXEL ON ANN-TYPE SUBSTRATE WITH COMPLETE RESET||||US 7,161,130 B2||2006/2/6||2007/1/9|||
|336|||美国|美国豪威|||||||2024/2/4|
||CMOS IMAGE SENSOR USING SHAREDTRANSISTORS BETWEEN PIXELS WITH DUALPINNED PHOTODIODE||||US 7,087,883 B2||2004/2/4||2006/8/8|||
|337|||美国|美国豪威|||||||2024/9/16|
||HYBRID CHARGE COUPLED CMOS IMAGESENSOR HAVING AN AMPLIFICATIONTRANSISTOR CONTROLLED BY A SENSE NODE||||US 7,045,754 B2||2004/3/30||2006/5/16|||
|338|||美国|美国豪威|||||||2024/12/22|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,423,779 B2||2004/3/30||2008/9/9|||
|339|||美国|美国豪威|||||||2026/8/10|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,868,930 B2||2008/2/26||2011/1/11|||
|340|||美国|美国豪威|||||||2025/9/17|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,916,347 B2||2008/2/26||2011/3/29|||
|341|||美国|美国豪威|||||||2025/6/13|
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,973,968 B2||2008/2/26||2011/7/5|||
|342|||美国|美国豪威|||||||2025/8/16|
|343|METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATIC||美国|美国豪威|US 7,872,672 B2||2008/2/26||2011/1/18||2025/8/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||WHITE BALANCE|||||||||||
||METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICWHITE BALANCE||||US 7,940,310 B2||2008/2/26||2011/5/10|||
|344|||美国|美国豪威|||||||2025/7/14|
||SACRIFICIAL PROTECTIVE LAYER FOR IMAGESENSORS AND METHOD OF USING||||US 7,091,058 B2||2003/12/11||2006/8/15|||
|345|||美国|美国豪威|||||||2023/12/11|
||METHODS AND SYSTEMS FOR LOCALLYADAPTIVE IMAGE PROCESSING FILTERS||||US 7,822,285 B2||2004/5/20||2010/10/26|||
|346|||美国|美国豪威|||||||2027/6/29|
||LENS CORRECTION USING PROCESSED YUVDATA||||US 7,355,639 B2||2004/1/13||2008/4/8|||
|347|||美国|美国豪威|||||||2025/12/19|
||METHODS AND SYSTEMS FOR DETECTINGFLASH RATE OF SURROUNDING LIGHTS FORCONTROLLING CAMCORDER FRAME RATE||||US 8,045,017 B2||2004/5/20||2011/10/25|||
|348|||美国|美国豪威|||||||2028/2/9|
||IMAGING SENSOR USING ASYMMETRICTRANSFER TRANSISTOR||||US 7,145,122 B2||2004/6/14||2006/12/5|||
|349|||美国|美国豪威|||||||2024/9/23|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL THAT HAS VARIABLECAPACITANCE OUTPUT OR FLOATING NODE||||US 7,193,198 B2||2004/10/1||2007/3/20|||
|350|||美国|美国豪威|||||||2025/5/10|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANON-CONVEX PHOTODIODE||||US 7,154,137 B2||2004/10/12||2006/12/26|||
|351|||美国|美国豪威|||||||2024/10/12|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL THAT HAS POSITIVETRANSFER GATE VOLTAGE DURINGINTEGRATION PERIOD||||US 7,791,663 B2||2004/10/15||2010/9/7|||
|352|||美国|美国豪威|||||||2028/5/12|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL THAT HAS POSITIVETRANSFER GATE VOLTAGE DURING||||US 7,956,913 B2||2010/7/26||2011/6/7|||
|353|||美国|美国豪威|||||||2024/10/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||INTEGRATION PERIOD|||||||||||
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,355,228 B2||2004/10/15||2008/4/8|||
|354|||美国|美国豪威|||||||2025/11/21|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,521,738 B2||2008/3/18||2009/4/21|||
|355|||美国|美国豪威|||||||2024/10/15|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,670,865 B2||2008/3/18||2010/3/2|||
|356|||美国|美国豪威|||||||2024/11/23|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH MULTI-DOPANT IMPLANTATION||||US 7,939,357 B2||2010/1/21||2011/5/10|||
|357|||美国|美国豪威|||||||2028/3/18|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANANTI-REFLECTIVE COATING OVER THEPHOTODIODE||||US 7,196,314 B2||2004/11/9||2007/3/27|||
|358|||美国|美国豪威|||||||2024/12/16|
||LOCAL INTERCONNECT STRUCTURE ANDMETHOD FOR A CMOS IMAGE SENSOR||||US 7,345,330 B2||2004/12/9||2008/3/18|||
|359|||美国|美国豪威|||||||2025/4/13|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANOPTIMIZED FLOATING DIFFUSION||||US 7,115,925 B2||2005/1/14||2006/10/3|||
|360|||美国|美国豪威|||||||2025/1/28|
||IMAGE SENSOR AND PIXEL HAVING ANOPTIMIZED FLOATING DIFFUSION||||US 7,524,695 B2||2006/8/25||2009/4/28|||
|361|||美国|美国豪威|||||||2025/4/12|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODEWITH INDIUM PINNING LAYER||||US 7,432,543 B2||2004/12/3||2008/10/7|||
|362|||美国|美国豪威|||||||2024/12/3|
|363|AUTOMATIC FOCUS FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 7,589,781 B2||2005/1/26||2009/9/15||2028/3/7|
|364|DEUTERIUM ALLOY PROCESS FOR IMAGE||美国|美国豪威|US 7,253,020 B2||2005/1/4||2007/8/7||2025/1/4|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SENSORS|||||||||||
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING A TRANSFERGATE FORMED FROM P+ OR N+ DOPEDPOLYSILICON||||US 7,675,094 B2||2004/12/22||2010/3/9|||
|365|||美国|美国豪威|||||||2026/12/18|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING A LATERALDOPING PROFILE FORMED WITH INDIUMDOPING||||US 7,666,703 B2||2005/1/14||2010/2/23|||
|366|||美国|美国豪威|||||||2028/12/25|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING A LATERALDOPING PROFILE FORMED WITH INDIUMDOPING||||US 7,825,444 B2||2010/1/19||2010/11/2|||
|367|||美国|美国豪威|||||||2025/1/14|
|368|IMAGE ANTI-SHAKE IN DIGITAL CAMERAS||美国|美国豪威|US 7,593,040 B2||2006/3/31||2009/9/22||2028/3/6|
||SELF-ALIGNED PHOTODIODE FOR CMOS IMAGESENSOR AND METHOD OF MAKING||||US 7,344,910 B2||2005/9/27||2008/3/18|||
|369|||美国|美国豪威|||||||2025/11/2|
||IMAGE SENSING DEVICES, IMAGE SENSORMODULES, AND ASSOCIATED METHODS||||US 7,268,335 B2||2006/1/27||2007/9/11|||
|370|||美国|美国豪威|||||||2026/1/27|
||METHOD AND APPARATUS FOR INCREASINGLIGHT ABSORPTION IN AN IMAGE SENSORUSING ENERGY CONVERSION LAYER||||US 7,541,596 B2||2007/6/28||2009/6/2|||
|371|||美国|美国豪威|||||||2026/8/13|
||IMAGE SENSOR HAVING CURVEDMICRO-MIRRORS OVER THE SENSINGPHOTODIODE AND METHOD FOR FABRICATING||||US 7,888,159 B2||2006/10/26||2011/2/15|||
|372|||美国|美国豪威|||||||2028/10/30|
||IMAGE SENSOR HAVING CURVEDMICRO-MIRRORS OVER THE SENSING||||US 8,338,900 B2||2011/1/6||2012/12/25|||
|373|||美国|美国豪威|||||||2026/10/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PHOTODIODE AND METHOD FOR FABRICATING|||||||||||
||IMAGE SENSORS WITH BLOOMING REDUCTIONMECHANISMS||||US 7,808,538 B2||2007/1/22||2010/10/5|||
|374|||美国|美国豪威|||||||2029/4/29|
||IMAGING SENSOR HAVING REDUCED COLUMNFIXED PATTERN NOISE||||US 8,248,490 B2||2010/4/21||2012/8/21|||
|375|||美国|美国豪威|||||||2031/1/26|
||LIGHT SOURCE FREQUENCY DETECTIONCIRCUIT FOR IMAGE SENSOR||||US 7,605,359 B2||2007/9/14||2009/10/20|||
|376|||美国|美国豪威|||||||2028/1/3|
||SWITCHED-CAPACITOR AMPLIFIER WITHIMPROVED RESET PHASE||||US 7,639,073 B2||2007/11/16||2009/12/29|||
|377|||美国|美国豪威|||||||2027/11/16|
||REPLICA BIAS CIRCUIT FOR HIGH SPEED LOWVOLTAGE COMMON MODE DRIVER||||US 7,619,448 B2||2007/12/17||2009/11/17|||
|378|||美国|美国豪威|||||||2028/1/22|
||HYBRID ON-CHIP REGULATOR FOR LIMITEDOUTPUT HIGH VOLTAGE||||US 7,804,345 B2||2008/1/15||2010/9/28|||
|379|||美国|美国豪威|||||||2028/2/8|
||HYBRID ON-CHIP REGULATOR FOR LIMITEDOUTPUT HIGH VOLTAGE||||US 7,868,676 B2||2010/8/20||2011/1/11|||
|380|||美国|美国豪威|||||||2028/1/15|
|381|REDUCED VOLTAGE SUBLVDS RECEIVER||美国|美国豪威|US 7,646,220 B2||2007/9/27||2010/1/12||2027/12/23|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORHAVING A CARRIER SUBTRATE AND AREDISTRIBUTION LAYER||||US 8,809,923 B2||2008/2/6||2014/8/19|||
|382|||美国|美国豪威|||||||2028/2/6|
|383|SELF-ALIGNED FILTER FOR AN IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,319,301 B2||2008/2/11||2012/11/27||2029/3/29|
||ALTERNATING ROW INFRARED FILTER FOR ANIMAGE SENSOR||||US 8,237,121 B2||2008/2/7||2012/8/7|||
|384|||美国|美国豪威|||||||2030/2/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TRANSISTOR WITH CONTACT OVER GATEACTIVE AREA||||US 7,875,913 B2||2008/5/30||2011/1/25|||
|385|||美国|美国豪威|||||||2028/12/19|
|386|GLOBALLY RESET IMAGE SENSOR PIXELS||美国|美国豪威|US 7,781,718 B2||2008/5/30||2010/8/24||2028/5/30|
||FRONTSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORCOMPRISING A COMPLEX-SHAPED REFLECTOR||||US 7,982,177 B2||2008/1/31||2011/7/19|||
|387|||美国|美国豪威|||||||2028/4/8|
||IMAGE SENSOR HAVING DIFFERENTWAVELENGTH FILTERS||||US 7,990,445 B2||2008/5/30||2011/8/2|||
|388|||美国|美国豪威|||||||2029/8/22|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH BACKSIDE p+ DOPED LAYER||||US 7,741,666 B2||2008/6/17||2010/6/22|||
|389|||美国|美国豪威|||||||2028/2/8|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORHAVING DEEP LIGHT REFLECTIVE TRENCHES||||US 7,800,192 B2||2008/9/4||2010/9/21|||
|390|||美国|美国豪威|||||||2028/10/18|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORHAVING DEEP LIGHT REFLECTIVE TRENCHES||||US 8,187,909 B2||2010/8/10||2012/5/29|||
|391|||美国|美国豪威|||||||2029/2/12|
||LIGHT SOURCE FREQUENCY DETECTIONCIRCUIT USING BIPOLAR TRANSISTOR||||US 7,847,834 B2||2007/11/19||2010/12/7|||
|392|||美国|美国豪威|||||||2029/1/27|
||BLACK REFERENCE PIXEL FOR BACKSIDEILLUMINATED IMAGE SENSOR||||US 8,482,639 B2||2008/2/8||2013/7/9|||
|393|||美国|美国豪威|||||||2030/6/10|
||IMAGE SENSOR WITH MICRO-LENSES OFVARYING FOCAL LENGTHS||||US 8,097,890 B2||2008/2/11||2012/1/17|||
|394|||美国|美国豪威|||||||2028/3/22|
||IMAGE SENSOR WITH COLOR PIXELS HAVINGUNIFORM LIGHT ABSORPTION DEPTHS||||US 9,419,035 B2||2012/1/5||2016/8/16|||
|395|||美国|美国豪威|||||||2029/2/22|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH SILICIDE LIGHT REFLECTING LAYER||||US 7,989,859 B2||2008/6/19||2011/8/2|||
|396|||美国|美国豪威|||||||2028/8/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR WITH BURIED SELF ALIGNEDFOCUSING ELEMENT||||US 7,589,306 B2||2008/2/12||2009/9/15|||
|397|||美国|美国豪威|||||||2028/2/12|
||IMAGE SENSOR WITH BURIED SELF ALIGNEDFOCUSING ELEMENT||||US 8,183,510 B2||2009/9/14||2012/5/22|||
|398|||美国|美国豪威|||||||2029/3/7|
||IMAGE SENSOR WITH FOCUSINGINTERCONNECTIONS||||US 8,237,832 B2||2008/5/30||2012/8/7|||
|399|||美国|美国豪威|||||||2029/6/14|
||VARIABLE TRANSFER GATE OXIDE THICKNESSFOR IMAGE SENSOR||||US 7,692,134 B2||2008/3/24||2010/4/6|||
|400|||美国|美国豪威|||||||2028/3/24|
||SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVED IMAGEPROCESSING||||US 8,179,458 B2||2009/10/13||2012/5/15|||
|401|||美国|美国豪威|||||||2030/10/28|
|402|HIGH CONVERSION GAIN IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,299,513 B2||2008/4/30||2012/10/30||2029/5/21|
||SYSTEM AND METHOD FOR ADAPTIVE LOCALWHITE BALANCE ADJUSTMENT||||US 8,013,907 B2||2008/4/8||2011/9/6|||
|403|||美国|美国豪威|||||||2029/11/14|
||IMAGE SENSOR WITH LOW ELECTRICALCROSS-TALK||||US 8,357,984 B2||2008/10/27||2013/1/22|||
|404|||美国|美国豪威|||||||2029/8/10|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH HIGHFULL-WELL-CAPACITY||||US 7,888,215 B2||2008/6/4||2011/2/15|||
|405|||美国|美国豪威|||||||2029/4/11|
||IMAGE SENSORARRAYWITH CONFORMALCOLOR FILTERS||||US 7,968,923 B2||2008/3/12||2011/6/28|||
|406|||美国|美国豪威|||||||2030/1/15|
||IMAGE SENSORARRAYWITH CONFORMALCOLOR FILTERS||||US 8,232,132 B2||2011/5/18||2012/7/31|||
|407|||美国|美国豪威|||||||2028/3/12|
||IMAGE SENSOR WITH PRISMATICDE-MULTIPLEXING||||US 8,581,174 B2||2008/8/26||2013/11/12|||
|408|||美国|美国豪威|||||||2029/9/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH IMPROVED INFRARED SENSITIVITY||||US 7,888,763 B2||2008/9/3||2011/2/15|||
|409|||美国|美国豪威|||||||2028/8/4|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH IMPROVED INFRARED SENSITIVITY||||US 8,329,497 B2||2011/1/4||2012/12/11|||
|410|||美国|美国豪威|||||||2028/4/19|
||TRENCH TRANSFER GATE FOR INCREASEDPIXEL FILL FACTOR||||US 8,658,956 B2||2009/10/20||2014/2/25|||
|411|||美国|美国豪威|||||||2032/3/4|
||LIGHTLY-DOPED DRAINS (LDD) OF IMAGESENSOR TRANISITORS USING SELFCTIVEEPITAXY||||US 8,253,200 B2||2008/11/19||2012/8/28|||
|412|||美国|美国豪威|||||||2029/10/30|
||LIGHTLY-DOPED DRAINS (LDD) OF IMAGESENSOR TRANISITORS USING SELFCTIVEEPITAXY||||US 8,859,352 B2||2012/7/26||2014/10/14|||
|413|||美国|美国豪威|||||||2029/8/31|
||CIRCUIT AND PHOTO SENSOR OVERLAP FORBACKSIDE ILLUMINATION IMAGE SENSOR||||US 8,101,978 B2||2008/3/21||2012/1/24|||
|414|||美国|美国豪威|||||||2029/10/28|
||CIRCUIT AND PHOTO SENSOR OVERLAP FORBACKSIDE ILLUMINATION IMAGE SENSOR||||US 8,228,411 B2||2011/12/15||2012/7/24|||
|415|||美国|美国豪威|||||||2028/3/21|
||MULTILAYER IMAGE SENSOR STRUCTURE FORREDUCING CROSSTALK||||US 7,948,018 B2||2008/4/24||2011/5/24|||
|416|||美国|美国豪威|||||||2028/11/21|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH VERTICAL PIXEL SENSOR||||US 8,063,465 B2||2008/10/28||2011/11/22|||
|417|||美国|美国豪威|||||||2029/8/23|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH VERTICAL PIXEL SENSOR||||US 8,513,762 B2||2011/9/30||2013/8/20|||
|418|||美国|美国豪威|||||||2028/4/24|
|419|MASKED LASER ANNEAL DURING FABRICATION||美国|美国豪威|US 7,901,974 B2||2008/7/23||2011/3/8||2029/5/20|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||OF BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORS|||||||||||
||IMAGE SENSOR WITH GLOBAL SHUTTER AND INPIXEL STORAGE TRANSISTOR||||US 8,089,036 B2||2009/4/30||2012/1/3|||
|420|||美国|美国豪威|||||||2030/5/28|
||IMAGE SENSOR WITH SIMULTANEOUSAUTO-FOCUS AND IMAGE PREVIEW||||US 7,667,169 B2||2008/5/22||2010/2/23|||
|421|||美国|美国豪威|||||||2028/5/22|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH REDUCED LEAKAGE PHOTODIODE||||US 8,212,901 B2||2008/9/5||2012/7/3|||
|422|||美国|美国豪威|||||||2030/12/25|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH LIGHT REFLECTING TRANSFER GATE||||US 7,820,498 B2||2008/8/27||2010/10/26|||
|423|||美国|美国豪威|||||||2029/1/30|
||IMAGE SENSOR WITH BACKSIDE PASSIVATIONAND METAL LAYER||||US 8,008,695 B2||2008/5/29||2011/8/30|||
|424|||美国|美国豪威|||||||2028/8/11|
||IMAGE SENSOR WITH BACKSIDE PASSIVATIONAND METAL LAYER||||US 8,232,133 B2||2011/7/26||2012/7/31|||
|425|||美国|美国豪威|||||||2028/5/29|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE USINGNON-UNIFORM AVERAGING||||US 8,149,292 B2||2008/6/11||2012/4/3|||
|426|||美国|美国豪威|||||||2031/1/16|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH IMPROVED ANGULAR RESPONSE||||US 7,902,618 B2||2008/11/17||2011/3/8|||
|427|||美国|美国豪威|||||||2029/6/5|
|428|PARTIAL ROW READOUT FOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,081,247 B2||2008/6/18||2011/12/20||2030/8/7|
||IMAGE SENSOR WITH LOW CROSSTALK ANDHIGH RED SENSITIVITY||||US 7,910,961 B2||2008/10/8||2011/3/22|||
|429|||美国|美国豪威|||||||2029/8/28|
||SINGLE ROW BASED DEFECTIVE PIXELCORRECTION||||US 8,164,660 B2||2008/10/28||2012/4/24|||
|430|||美国|美国豪威|||||||2031/1/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AUTOMATIC WHITE BALANCING USING METERSENSORS||||US 8,243,162 B2||2008/12/11||2012/8/14|||
|431|||美国|美国豪威|||||||2031/1/15|
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) IMAGE SENSORWITH BACKSIDE DIFFUSION DOPING||||US 8,017,427 B2||2008/12/31||2011/9/13|||
|432|||美国|美国豪威|||||||2029/11/14|
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) IMAGE SENSORWITH BACKSIDE DIFFUSION DOPING||||US 8,415,727 B2||2011/8/4||2013/4/9|||
|433|||美国|美国豪威|||||||2028/12/31|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVEDBACKSIDE SURFACE TREATMENT||||US 7,952,096 B2||2008/12/8||2011/5/31|||
|434|||美国|美国豪威|||||||2029/10/22|
||HIGH FULL-WELL CAPACITY PIXEL WITHGRADED PHOTODETECTOR IMPLANT||||US 8,293,629 B2||2010/4/6||2012/10/23|||
|435|||美国|美国豪威|||||||2030/11/12|
||HIGH FULL-WELL CAPACITY PIXEL WITHGRADED PHOTODETECTOR IMPLANT||||US 8,502,290 B2||2012/9/13||2013/8/6|||
|436|||美国|美国豪威|||||||2030/4/6|
||IMAGE SENSOR HAVING ARRAY OF PIXELS ANDMETAL PEFLECTORS WITH WIDTHS SCALEDBASED ON DISTANCE FROM CENTER OF THEARRAY||||US 8,389,921 B2||2010/4/30||2013/3/5|||
|437|||美国|美国豪威|||||||2031/5/7|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH REINFORCED PAD STRUCTURE||||US 8,247,852 B2||2009/11/17||2012/8/21|||
|438|||美国|美国豪威|||||||2030/7/13|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSORWITH REINFORCED PAD STRUCTURE||||US 8,431,429 B2||2012/7/20||2013/4/30|||
|439|||美国|美国豪威|||||||2029/11/17|
||PHOTO DETECTORARRAY HAVING ARRAY OFDISCRETE ELECTRON REPULSIVE ELEMENTS||||US 8,227,884 B2||2009/11/4||2012/7/24|||
|440|||美国|美国豪威|||||||2030/2/3|
|441|PHOTO DETECTOR ARRAY HAVING ARRAY OF||美国|美国豪威|US 8,766,391 B2||2012/3/26||2014/7/1||2030/4/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DISCRETE ELECTRON REPULSIVE ELEMENTS|||||||||||
||APPARATUS HAVING THINNER INTERCONNECTLINE FOR PHOTODETECTOR ARRAY ANDTHICKER INTERCONNECT LINE FOR PERIPHERYREGION||||US 9,165,969 B2||2010/3/18||2015/10/20|||
|442|||美国|美国豪威|||||||2033/5/7|
||IMAGE SENSOR HAVING WAVEGUIDES FORMEDIN COLOR FILTERS||||US 8,269,264 B2||2009/11/9||2012/9/18|||
|443|||美国|美国豪威|||||||2030/9/1|
||IMAGE SENSOR HAVING WAVEGUIDES FORMEDIN COLOR FILTERS||||US 8,507,964 B2||2012/8/21||2013/8/13|||
|444|||美国|美国豪威|||||||2029/11/9|
||IMAGER WITH VARIABLE AREA COLOR FILTERARRAY AND PIXEL ELEMENTS||||US 8,314,866 B2||2010/4/6||2012/11/20|||
|445|||美国|美国豪威|||||||2030/12/1|
||IMAGER WITH VARIABLE AREA COLOR FILTERARRAY AND PIXEL ELEMENTS||||US 8,723,994 B2||2012/11/1||2014/5/13|||
|446|||美国|美国豪威|||||||2030/6/21|
||CMOS PIXEL INCLUDING A TRANSFER GATEOVERLAPPING THE PHOTOSENSITIVE REGION||||US 8,653,436 B2||2009/12/17||2014/2/18|||
|447|||美国|美国豪威|||||||2031/12/12|
||MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTUREFOR REDUCING CROSSTALK||||US 7,875,918 B2||2009/4/24||2011/1/25|||
|448|||美国|美国豪威|||||||2029/5/30|
||MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTUREFOR REDUCING CROSSTALK||||US 8,330,195 B2||2010/12/14||2012/12/11|||
|449|||美国|美国豪威|||||||2029/9/5|
|450|IMAGE SENSOR WITH CONTACT DUMMY PIXELS||美国|美国豪威|US 8,492,865 B2||2010/8/2||2013/7/23||2031/7/16|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH HEATMANAGEMENT STRUCTURES||||US 8,274,101 B2||2010/8/9||2012/9/25|||
|451|||美国|美国豪威|||||||2031/2/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICESHAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR||||US 8,532,349 B2||2010/2/2||2013/9/10|||
|452|||美国|美国豪威|||||||2032/7/13|
||ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICESHAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR||||US 9,807,347 B2||2013/8/7||2017/10/31|||
|453|||美国|美国豪威|||||||2032/3/9|
||ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICESHAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR||||US 9,819,908 B2||2013/8/7||2017/11/14|||
|454|||美国|美国豪威|||||||2035/8/2|
||ENCAPSULATED IMAGE ACQUISITION DEVICESHAVING ON-BOARD DATA STORAGE, ANDSYSTEMS, KITS, AND METHODS THEREFOR||||US 9,912,913 B2||2013/8/7||2018/3/6|||
|455|||美国|美国豪威|||||||2032/1/5|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED BLACK LEVELCALIBRATION||||US 8,233,066 B2||2010/2/18||2012/7/31|||
|456|||美国|美国豪威|||||||2030/12/27|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED BLACK LEVELCALIBRATION||||US 8,314,869 B2||2012/6/13||2012/11/20|||
|457|||美国|美国豪威|||||||2030/2/18|
|458|LASER ANNEAL FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 8,278,690 B2||2010/4/27||2012/10/2||2030/9/28|
|459|LASER ANNEAL FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 8,318,529 B1||2012/8/3||2012/11/27||2030/4/27|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVEDPHOTODIODE AREA ALLOCATION||||US 8,405,748 B2||2010/7/16||2013/3/26|||
|460|||美国|美国豪威|||||||2031/3/16|
|461|DUAL-SIDED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,947,572 B2||2010/5/24||2015/2/3||2030/5/24|
|462|IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLOR||美国|美国豪威|US 8,345,132 B2||2010/7/23||2013/1/1||2030/7/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOROUTPUT|||||||||||
||IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLORFILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOROUTPUT||||US 8,817,142 B2||2012/11/27||2014/8/26|||
|463|||美国|美国豪威|||||||2030/9/13|
||IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLORFILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOROUTPUT||||US 8,670,052 B2||2012/11/27||2014/3/11|||
|464|||美国|美国豪威|||||||2030/7/23|
||REINFORCEMENT STRUCTURE FORWAFER-LEVEL CAMERA MODULE||||US 8,665,364 B2||2011/5/3||2014/3/4|||
|465|||美国|美国豪威|||||||2031/5/3|
||IMAGE SENSOR WITH PIPELINED COLUMNANALOG-TO-DIGITAL CONVERTERS||||US 8,730,364 B2||2011/4/5||2014/5/20|||
|466|||美国|美国豪威|||||||2032/7/25|
||BACKSIDE STIMULATED SENSOR WITHBACKGROUND CURRENT MANIPULATION||||US 8,519,490 B2||2010/8/9||2013/8/27|||
|467|||美国|美国豪威|||||||2031/9/3|
||BACKSIDE STIMULATED SENSOR WITHBACKGROUND CURRENT MANIPULATION||||US 8,680,630 B2||2013/7/24||2014/3/25|||
|468|||美国|美国豪威|||||||2030/8/9|
||BACKSIDE STIMULATED SENSOR WITHBACKGROUND CURRENT MANIPULATION||||US 8,987,841 B2||2014/3/11||2015/3/24|||
|469|||美国|美国豪威|||||||2034/3/11|
|470|ENTRENCHED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 8,487,350 B2||2010/8/20||2013/7/16||2031/7/27|
|471|ENTRENCHED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 9,570,507 B2||2013/5/17||2017/2/14||2031/4/29|
|472|OPTICAL TOUCH-SCREEN IMAGER||美国|美国豪威|US 8,541,856 B2||2010/12/8||2013/9/24||2031/12/27|
|473|VARIABLE VOLTAGE ROW DRIVER FOR CMOS||美国|美国豪威|US 8,885,085 B2||2012/2/1||2014/11/11||2033/4/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR|||||||||||
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHSTRESSED FILM||||US 8,338,856 B2||2010/8/10||2012/12/25|||
|474|||美国|美国豪威|||||||2030/10/7|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHSTRESSED FILM||||US 8,759,934 B2||2012/10/11||2014/6/24|||
|475|||美国|美国豪威|||||||2030/8/10|
||VISIBLE AND INFRARED DUAL MODE IMAGINGSYSTEM||||US 8,408,821 B2||2010/10/12||2013/4/2|||
|476|||美国|美国豪威|||||||2030/12/6|
||METHOD OF DAMAGE-FREE IMPURITY DOPINGFOR CMOS IMAGE SENSORS||||US 8,614,112 B2||2010/10/1||2013/12/24|||
|477|||美国|美国豪威|||||||2031/9/23|
||IMAGE SENSOR HAVING SUPPLEMENTALCAPACITIVE COUPLING NODE||||US 8,294,077 B2||2010/12/17||2012/10/23|||
|478|||美国|美国豪威|||||||2031/7/5|
||IMAGE SENSOR HAVING SUPPLEMENTALCAPACITIVE COUPLING NODE||||US 8,426,796 B2||2012/9/14||2013/4/23|||
|479|||美国|美国豪威|||||||2030/12/17|
||BLACK LEVEL CORRECTION FOR IMAGINGPIXELS||||US 8,698,922 B2||2012/2/14||2014/4/15|||
|480|||美国|美国豪威|||||||2032/10/12|
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) IMAGE SENSORWITH REDUCED BLOOMING AND ELECTRICALSHUTTER||||US 8,946,795 B2||2011/3/17||2015/2/3|||
|481|||美国|美国豪威|||||||2031/7/30|
||REDUCING NOISE IN IMAGE SENSORS BYCONCURRENTLY READING RESET AND IMAGESIGNAL LEVELS FROM ACTIVE AND REFERENCEPIXELS||||US 8,643,750 B2||2010/12/22||2014/2/4|||
|482|||美国|美国豪威|||||||2031/1/8|
|483|WAFER DICING USING SCRIBE LINE ETCH||美国|美国豪威|US 8,071,429 Bl||2010/11/24||2011/12/6||2030/11/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SEAL RING SUPPORT FOR BACKSIDEILLUMINATED IMAGE SENSOR||||US 8,373,243 B2||2011/1/6||2013/2/12|||
|484|||美国|美国豪威|||||||2031/6/19|
||SEAL RING SUPPORT FOR BACKSIDEILLUMINATED IMAGE SENSOR||||US 8,466,010 B2||2013/1/7||2013/6/18|||
|485|||美国|美国豪威|||||||2031/1/6|
||ANALOG ROW BLACK LEVEL CALIBRATION FORCMOS IMAGE SENSOR||||US 8,405,747 B2||2011/2/17||2013/3/26|||
|486|||美国|美国豪威|||||||2031/8/28|
||ANALOG ROW BLACK LEVEL CALIBRATION FORCMOS IMAGE SENSOR||||US 8,508,629 B2||2013/1/8||2013/8/13|||
|487|||美国|美国豪威|||||||2031/2/17|
|488|MINIATURE WAFER-LEVEL CAMERA MODULES||美国|美国豪威|US 9,876,051 B2||2015/12/15||2018/1/23||2035/12/15|
||MISSING CODE REDISTRIBUTION IN PIPELINEANALOG TO DIGITAL CONVERTER||||US 8,648,913 B2||2011/4/15||2014/2/11|||
|489|||美国|美国豪威|||||||2032/4/25|
||OPTICAL TOUCHPAD FOR TOUCH AND GESTURERECOGNITION||||US 9,213,438 B2||2011/6/2||2015/12/15|||
|490|||美国|美国豪威|||||||2033/5/1|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH PERIPHERALTRENCH CAPACITOR||||US 8,253,178 Bl||2011/8/2||2012/8/28|||
|491|||美国|美国豪威|||||||2031/8/2|
|492|COLOR FILTER PATTERNING USING HARD MASK||美国|美国豪威|US 9,236,411 B2||2011/8/3||2016/1/12||2034/6/3|
||ETCHING NARROW, TALL DIELECTRICISOLATION STRUCTURES FROM A DIELECTRICLAYER||||US 8,338,263 B1||2011/6/20||2012/12/25|||
|493|||美国|美国豪威|||||||2031/6/20|
||ETCHING NARROW, TALL DIELECTRICISOLATION STRUCTURES FROM A DIELECTRICLAYER||||US 8,729,655 B2||2012/8/2||2014/5/20|||
|494|||美国|美国豪威|||||||2031/9/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|495|LOW COMMON MODE DRIVER||美国|美国豪威|US 8,466,982 B2||2011/6/6||2013/6/18||2032/2/22|
|496|IN-PIXEL HIGH DYNAMIC RANGE IMAGING||美国|美国豪威|US 8,643,132 B2||2011/6/8||2014/2/4||2031/8/22|
|497|IMAGE OVERLAY IN A MOBILE DEVICE||美国|美国豪威|US 8,988,558 B2||2011/4/26||2015/3/24||2031/11/7|
||ISOLATION AREA BETWEEN SEMICONDUCTORDEVICES HAVING ADDITIONAL ACTIVE AREA||||US 8,471,316 B2||2011/9/7||2013/6/25|||
|498|||美国|美国豪威|||||||2031/9/13|
||IMAGE SENSOR WITH REDUCED NOISE BYBLOCKING NITRIDATION USING PHOTORESIST||||US 8,642,374 B2||2011/9/7||2014/2/4|||
|499|||美国|美国豪威|||||||2032/3/9|
||IMAGE CAPTURE SYSTEMS WITH FOCUSINGCAPABILITIES||||US 8,878,976 B2||2011/6/8||2014/11/4|||
|500|||美国|美国豪威|||||||2033/4/7|
||ENCLOSURE FOR IMAGE CAPTURE SYSTEMSWITH FOCUSING CAPABILITIES||||US 8,896,743 B2||2011/6/8||2014/11/25|||
|501|||美国|美国豪威|||||||2033/5/26|
||ENHANCED PIXEL CELL ARCHITECTURE FOR ANIMAGE SENSOR HAVING A DIRECT OUTPUTFROM A BURIED CHANNEL SOURCE FOLLOWERTRANSISTOR TO A BIT LINE||||US 8,742,311 B2||2012/2/27||2014/6/3|||
|502|||美国|美国豪威|||||||2033/1/5|
|503|IMAGE SENSOR WITH MICRO-LENS COATING||美国|美国豪威|US 8,952,309 B2||2011/10/4||2015/2/10||2033/6/7|
||MULTILEVEL RESET VOLTAGE FORMULTI-CONVERSION GAIN IMAGE SENSOR||||US 8,729,451 B2||2011/8/30||2014/5/20|||
|504|||美国|美国豪威|||||||2032/8/22|
|505|DUAL-FACING CAMERA ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 8,497,536 B2||2011/9/16||2013/7/30||2031/11/22|
|506|DUAL-FACING CAMERA ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 8,900,912 B2||2013/6/26||2014/12/2||2031/9/16|
|507|DUAL-FACING CAMERA ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 9,305,962 B2||2014/10/30||2016/4/5||2034/10/30|
|508|METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR||美国|美国豪威|US 8,804,021 B2||2011/11/3||2014/8/12||2033/2/8|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PROVIDING IMPROVED FULL WELL CAPACITY INAN IMAGE SENSOR PIXEL|||||||||||
||BACKSIDE-ILLUMINATED (BSI) PIXELINCLUDING LIGHT GUIDE||||US 8,680,454 B2||2011/12/1||2014/3/25|||
|509|||美国|美国豪威|||||||2032/12/1|
||PARTIAL BURIED CHANNEL TRANSFER DEVICEFOR IMAGE SENSORS||||US 9,698,185 B2||2011/10/13||2017/7/4|||
|510|||美国|美国豪威|||||||2035/12/26|
||METHODS OF FORMING VARYING DEPTHTRENCHES IN SEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,575,035 B2||2012/2/22||2013/11/5|||
|511|||美国|美国豪威|||||||2032/2/22|
||MULTIPLE-ROW CONCURRENT READOUTSCHEME FOR HIGH-SPEED CMOS IMAGE SENSORWITH BACKSIDE ILLUMINATION||||US 8,809,759 B2||2012/2/3||2014/8/19|||
|512|||美国|美国豪威|||||||2032/8/20|
||HIGH DYNAMIC RANGE SUB-SAMPLINGARCHITECTURE||||US 8,599,284 B2||2012/2/3||2013/12/3|||
|513|||美国|美国豪威|||||||2032/8/18|
||ARITHMETIC COUNTER CIRCUIT,CONFIGURATION AND APPLICATION FOR HIGHPERFORMANCE CMOS IMAGE SENSORS||||US 8,576,979 B2||2012/2/3||2013/11/5|||
|514|||美国|美国豪威|||||||2032/2/3|
|515|CMOS IMAGE SENSOR WITH RESET SHIFLD LINE||美国|美国豪威|US 8,461,660 B2||2011/9/30||2013/6/11||2031/9/30|
|516|CMOS IMAGE SENSOR WITH RESET SHIFLD LINE||美国|美国豪威|US 9,190,434 B2||2013/4/8||2015/11/17||2031/11/23|
||CIRCUIT CONFIGURATION AND METHOD FORTIME OF FLIGHT SENSOR||||US 8,686,367 B2||2012/3/1||2014/4/1|||
|517|||美国|美国豪威|||||||2032/6/27|
||IMAGE SENSOR FOR TWO-DIMENSIONAL ANDTHREE-DIMENSIONAL IMAGE CAPURE||||US 8,569,700 B2||2012/3/6||2013/10/29|||
|518|||美国|美国豪威|||||||2032/3/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PAD DESIGN FOR CIRCUIT UNDER PAD INSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,569,856 B2||2011/11/3||2013/10/29|||
|519|||美国|美国豪威|||||||2032/3/24|
||PAD DESIGN FOR CIRCUIT UNDER PAD INSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,729,712 B2||2013/10/14||2014/5/20|||
|520|||美国|美国豪威|||||||2031/11/3|
||TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CHANNELWIDTH||||US 8,716,768 B2||2011/10/20||2014/5/6|||
|521|||美国|美国豪威|||||||2032/4/22|
||IMAGE SENSOR WITH OPTICAL FILTERS HAVINGALTERNATING POLARIZATION FOR 3D IMAGING||||US 9,177,983 B2||2012/1/23||2015/11/3|||
|522|||美国|美国豪威|||||||2033/5/10|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOREXCHANGING VIDEO DATA IN PARALLEL||||US 9,167,272 B2||2012/4/25||2015/10/20|||
|523|||美国|美国豪威|||||||2034/7/13|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM TOPROVIDE VIDEO DATA FOR BUFFERING||||US 8,963,944 B2||2012/5/15||2015/2/24|||
|524|||美国|美国豪威|||||||2033/6/14|
|525|SHARED TIME OF FLIGHT PIXEL||美国|美国豪威|US 8,642,938 B2||2012/1/13||2014/2/4||2032/9/4|
|526|METHOD FOR COMBINING IMAGES||美国|美国豪威|US 9,600,863 B2||2012/2/13||2017/3/21||2033/5/8|
||PAD AND CIRCUIT LAYOUT FORSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 8,916,980 B2||2012/2/16||2014/12/23|||
|527|||美国|美国豪威|||||||2032/3/11|
||LATERAL LIGHT SHIELD IN BACKSIDEILLUMINATED IMAGING SENSORS||||US 8,772,898 B2||2012/2/9||2014/7/8|||
|528|||美国|美国豪威|||||||2032/9/27|
||LATERAL LIGHT SHIELD IN BACKSIDEILLUMINATED IMAGINE SENSORS||||US 9,177,982 B2||2014/6/30||2015/11/3|||
|529|||美国|美国豪威|||||||2034/6/30|
||IR-CUT FILTER HAVING RED ABSORBING LAYERFOR DIGITAL CAMERA||||US 9,366,942 B2||2011/12/9||2016/6/14|||
|530|||美国|美国豪威|||||||2039/4/2|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING A PULSED MODE OFOPERATION||||US 8,892,163 B2||2012/3/6||2014/11/18|||
|531|||美国|美国豪威|||||||2032/10/21|
||CALIBRATION IN MULTIPLE SLOPE COLUMNPARALLEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSIONFOR IMAGE SENSORS||||US 8,730,081 B2||2012/3/19||2014/5/20|||
|532|||美国|美国豪威|||||||2032/4/12|
||CALIBRATION IN MULTIPLE SLOPE COLUMNPARALLEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSIONFOR IMAGE SENSORS||||US 8,941,527 B2||2014/4/21||2015/1/27|||
|533|||美国|美国豪威|||||||2032/3/19|
||CALIBRATION IN MULTIPLE SLOPE COLUMNPARALLEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSIONFOR IMAGE SENSORS||||US 8,994,832 B1||2014/12/17||2015/3/31|||
|534|||美国|美国豪威|||||||2032/3/19|
||IMAGE SENSOR WITH INTEGRATED AMBIENTLIGHT DETECTION||||US 8,735,795 B2||2012/1/20||2014/5/27|||
|535|||美国|美国豪威|||||||2032/1/20|
||SHARED TERMINAL OF AN IMAGE SENSORSYSTEM FOR TRANSFERRING IMAGE DATA ANDCONTROL SIGNALS||||US 8,890,945 B2||2012/4/5||2014/11/18|||
|536|||美国|美国豪威|||||||2033/1/25|
||SHARED TERMINAL OF AN IMAGE SENSORSYSTEM FOR TRANSFERRING IMAGE DATA ANDCONTROL SIGNALS||||US 9,319,603 B2||2014/11/17||2016/4/19|||
|537|||美国|美国豪威|||||||2034/11/17|
||SHARED TERMINAL OF AN IMAGE SENSORSYSTEM FOR TRANSFERRING CLOCK ANDCONTROL SIGNALS||||US 8,810,670 B2||2012/4/5||2014/8/19|||
|538|||美国|美国豪威|||||||2032/10/6|
|539|METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR||美国|美国豪威|US 9,007,504 B2||2012/4/6||2015/4/14||2033/5/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||REDUCING PIXEL CELL NOISE|||||||||||
||WAFER LEVEL CAMERA MODULE WITH SNAP-INLATCH||||US 8,804,032 B2||2012/3/30||2014/8/12|||
|540|||美国|美国豪威|||||||2032/3/30|
||HYBRID ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTERHAVING MULTIPLE ADC MODES||||US 8,933,385 B2||2012/7/6||2015/1/13|||
|541|||美国|美国豪威|||||||2033/4/29|
||DOUBLE-SIDED IMAGE SENSOR FORMED ON ASINGLE SEMICONDUCTOR WAFER DIE||||US 8,686,342 B2||2012/4/9||2014/4/1|||
|542|||美国|美国豪威|||||||2032/6/14|
||LARGE CMOS IMAGE SENSOR PIXEL WITHIMPROVED PERFORMANCE||||US 8,581,307 B1||2012/7/6||2013/11/12|||
|543|||美国|美国豪威|||||||2032/7/30|
||SHUTTER RELEASE USING SECONDARYCAMERA||||US 8,957,973 B2||2012/6/11||2015/2/17|||
|544|||美国|美国豪威|||||||2032/6/11|
||SHUTTER RELEASE USING SECONDARYCAMERA||||US 9,313,392 B2||2015/1/7||2016/4/12|||
|545|||美国|美国豪威|||||||2035/1/7|
||NOISE-MATCHING DYNAMIC BIAS FOR COLUMNRAMP COMPARATORS IN A CMOS IMAGESENSOR||||US 8,872,088 B2||2012/8/14||2014/10/28|||
|546|||美国|美国豪威|||||||2033/6/22|
|547|CAPACITANCE SELECTABLE CHARGE PUMP||美国|美国豪威|US 8,878,118 B2||2012/8/15||2014/11/4||2033/7/4|
||INTEGRATED CIRCUIT STACK WITHINTEGRATED ELECTROMAGNETICINTERFERENCE SHIELDING||||US 8,933,544 B2||2012/7/12||2015/1/13|||
|548|||美国|美国豪威|||||||2033/4/11|
||ACQUIRNG GLOBLE SHUTTER-TYPE VIDEOIMAGES WITH CMOS PIXEL ARRAY BYSTROBING LIGHT DURING VERTICAL BLANKING||||US 9,119,544 B2||2012/9/19||2015/9/1|||
|549|||美国|美国豪威|||||||2033/10/12|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||PERIOD IN OTHERWISE DARK ENVIRONMENT|||||||||||
||SYNCHRONIZATION OF IMAGE ACQUISITION INMULTIPLE IMAGE SENSORS WITH ASYNCHRONIZATION CLOCK SIGNAL||||US 9,332,193 B2||2014/4/15||2016/5/3|||
|550|||美国|美国豪威|||||||2032/10/10|
||GROUND CONTACT STRUCTURE FOR A LOWDARK CURRENT CMOS PIXEL CELL||||US 8,686,477 B2||2012/7/25||2014/4/1|||
|551|||美国|美国豪威|||||||2032/7/25|
||LENS ARRAY FOR PARTITIONED IMAGE SENSORTO FOCUS A SINGLE IMAGE ONTO N IMAGESENSOR REGIONS||||US 8,791,403 B2||2012/6/1||2014/7/29|||
|552|||美国|美国豪威|||||||2033/2/22|
||METHOD AND APPARATUS FOR REDUCINGNOISE IN ANALOG IMAGE DATA OF A CMOSIMAGE SENSOR||||US 8,767,098 B2||2012/8/30||2014/7/1|||
|553|||美国|美国豪威|||||||2032/12/1|
||DEVICE AND METHOD FOR REDUCING SPECKLEIN PROJECTED IMAGES||||US 8,905,548 B2||2012/8/23||2014/12/9|||
|554|||美国|美国豪威|||||||2033/1/25|
||IMAGE SENSOR WITH FIXED POTENTIALOUTPUT TRANSISTOR||||US 8,817,154 B2||2012/8/30||2014/8/26|||
|555|||美国|美国豪威|||||||2033/1/10|
||CMOS IMAGE SENSOR SWITCH CIRCUIT FORREDUCED CHARGE INJECTION||||US 8,816,264 B2||2012/7/31||2014/8/26|||
|556|||美国|美国豪威|||||||2033/3/27|
|557|SELECTIVE GAIN CONTROL CIRCUIT||美国|美国豪威|US 8,952,795 B2||2012/9/6||2015/2/10||2033/2/1|
||IMAGE SENSOR HAVING METAL GRID WITH ATRIANGULAR CROSS-SECTION||||US 8,530,266 Bl||2012/7/18||2013/9/10|||
|558|||美国|美国豪威|||||||2032/7/18|
||COMPACT IN-PIXEL HIGH DYNAMIC RANGEIMAGING||||US 8,957,359 B2||2012/10/12||2015/2/17|||
|559|||美国|美国豪威|||||||2033/5/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LENS ARRAY FOR PARTITIONED IMAGE SENSORHAVING COLOR FILTERS||||US 8,988,566 B2||2012/8/9||2015/3/24|||
|560|||美国|美国豪威|||||||2033/7/3|
||COMPARATOR CIRCUIT FOR REDUCED OUTPUTVARIATION||||US 8,748,798 B2||2012/9/5||2014/6/10|||
|561|||美国|美国豪威|||||||2032/12/11|
||CIRCUIT STRUCTURE FOR PROVIDINGCONVERSION GAIN OF A PIXEL ARRAY||||US 9,083,899 B2||2013/2/21||2015/7/14|||
|562|||美国|美国豪威|||||||2034/2/28|
||LOW Z-HEIGHT PROJECTION SYSTEM FORPROJECTING STRUCTURED LIGHT FOR 3DIMAGING||||US 8,870,390 B2||2012/9/11||2014/10/28|||
|563|||美国|美国豪威|||||||2033/2/5|
||DIE SEAL RING FOR INTEGRATED CIRCUITSYSTEM WITH STACKED DEVICE WAFERS||||US 9,142,581 B2||2012/11/5||2015/9/22|||
|564|||美国|美国豪威|||||||2032/11/5|
||DIE SEAL RING FOR INTEGRATED CIRCUITSYSTEM WITH STACKED DEVICE WAFERS||||US 9,305,968 B2||2015/8/13||2016/4/5|||
|565|||美国|美国豪威|||||||2035/8/13|
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FORPROVIDING PRE-EMPHASIS IN A SIGNAL||||US 9,300,331 B2||2012/11/9||2016/3/29|||
|566|||美国|美国豪威|||||||2034/11/28|
||RANDOM ESTIMATION ANALOG-TO-DIGITALCONVERTER||||US 8,698,666 Bl||2012/10/1||2014/4/15|||
|567|||美国|美国豪威|||||||2032/11/24|
||PARTIAL BURIED CHANNEL TRANSFER DEVICEIN IMAGE SENSORS||||US 8,809,925 B2||2012/10/11||2014/8/19|||
|568|||美国|美国豪威|||||||2032/11/28|
||IMAGE SENSOR AND COLOR FILTER ARRAYINCLUDING MULTIPLE SELECTABLE MESHEDFILTER SETS||||US 9,368,530 B2||2013/2/21||2016/6/14|||
|569|||美国|美国豪威|||||||2033/11/14|
|570|BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH OFFSET||美国|美国豪威|US 9,063,556 B2||2013/2/11||2015/6/23||2034/2/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||VOLTAGE REMOVAL|||||||||||
||NEGATIVELY CHARGED LAYER TO REDUCEIMAGE MEMORY EFFECT||||US 8,816,462 B2||2012/10/25||2014/8/26|||
|571|||美国|美国豪威|||||||2032/10/25|
||NEGATIVELY CHARGED LAYER TO REDUCEIMAGE MEMORY EFFECT||||US 9,147,776 B2||2014/7/15||2015/9/29|||
|572|||美国|美国豪威|||||||2034/7/15|
||NEGATIVELY CHARGED LAYER TO REDUCEIMAGE MEMORY EFFECT||||US 9,105,767 B2||2014/7/15||2015/8/11|||
|573|||美国|美国豪威|||||||2034/7/15|
||IMAGE SENSOR WITH SUBSTRATE NOISEISOLATION||||US 9,030,584 B2||2013/3/18||2015/5/12|||
|574|||美国|美国豪威|||||||2033/9/6|
||ADAPTIVE MULTIPLE CONVERSION RAMPANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER||||US 8,816,893 B1||2013/2/12||2014/8/26|||
|575|||美国|美国豪威|||||||2033/2/12|
||CONVERSION CIRCUITRY FOR REDUCING PIXELARRAY READOUT TIME||||US 8,969,774 B2||2012/12/27||2015/3/3|||
|576|||美国|美国豪威|||||||2033/11/7|
||PROCESS TO ELIMINATE LAG IN PIXELS HAVINGA PLASMA-DOPED PINNING LAYER||||US 8,921,187 B2||2013/2/26||2014/12/30|||
|577|||美国|美国豪威|||||||2033/3/25|
||STACKED CHIP IMAGE SENSOR WITHLIGHT-SENSITIVE CIRCUIT ELEMENTS ON THEBOTTOM CHIP||||US 9,478,579 B2||2013/9/20||2016/10/25|||
|578|||美国|美国豪威|||||||2033/12/16|
||BALL GRID ARRAY AND LAND GRID ARRAYHAVING MODIFIED FOOTPRINT||||US 9,560,771 B2||2012/11/27||2017/1/31|||
|579|||美国|美国豪威|||||||2033/3/3|
||COLOR FILTER INCLUDING CLEAR PIXEL ANDHARD MASK||||US 8,941,159 B2||2013/1/30||2015/1/27|||
|580|||美国|美国豪威|||||||2033/5/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||COLOR FILTER INCLUDING CLEAR PIXEL ANDHARD MASK||||US 9,291,755 B2||2014/12/10||2016/3/22|||
|581|||美国|美国豪威|||||||2034/12/10|
||IMAGE SENSOR WITH PIXEL UNITS HAVINGMIRRORED TRANSISTOR LAYOUT||||US 9,165,959 B2||2013/2/25||2015/10/20|||
|582|||美国|美国豪威|||||||2034/1/18|
||VIDEO-IN-VIDEO VIDEO STREAM HAVING ATHREE LAYER VIDEO SCENE||||US 9,131,284 B2||2013/1/4||2015/9/8|||
|583|||美国|美国豪威|||||||2034/5/12|
||APPARATUS, METHOD AND SYSTEM FORRANDOM NUMBER GENERATION||||US 9,304,741 B2||2013/4/22||2016/4/5|||
|584|||美国|美国豪威|||||||2034/8/28|
|585|FLORESCENCE IMAGING MODULE||美国|美国豪威|US 8,785,885 B1||2013/1/30||2014/7/22||2033/4/4|
||METHOD OF FORMING DUAL SIZE MICROLENSESFOR IMAGE SENSORS||||US 9,372,286 B2||2013/4/11||2016/6/21|||
|586|||美国|美国豪威|||||||2034/11/9|
||IMAGE SENSOR WITH PIXELS HAVINGINCREASED OPTICAL CROSSTALK||||US 9,215,430 B2||2013/3/25||2015/12/15|||
|587|||美国|美国豪威|||||||2033/8/5|
||IMAGE SENSOR WITH PIXELS HAVINGINCREASED OPTICAL CROSSTALK||||US 9,935,145 B2||2015/10/29||2018/4/3|||
|588|||美国|美国豪威|||||||2033/4/13|
||HIGH DYNAMIC RANGE PIXEL HAVING APLURALITY OF AMPLIFIER TRANSISTORS||||US 8,969,775 B2||2013/2/28||2015/3/3|||
|589|||美国|美国豪威|||||||2033/9/9|
||CORRECTION OF IMAGE SENSORFIXED-PATTERN NOISE (FPN) DUE TO COLORFILTER PATTERN||||US 9,154,750 B2||2013/5/28||2015/10/6|||
|590|||美国|美国豪威|||||||2033/11/26|
||AUTOMATIC WHITE BALANCE BASED ONDYNAMIC MAPPING||||US 8,854,709 B1||2013/5/8||2014/10/7|||
|591|||美国|美国豪威|||||||2033/6/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ENHANCED PHOTON DETECTION DEVICE WITHBIASED DEEP TRENCH ISOLATION||||US 9,160,949 B2||2013/4/1||2015/10/13|||
|592|||美国|美国豪威|||||||2034/4/1|
||LAYERS FOR INCREASING PERFORMANCE INIMAGE SENSORS||||US 9,224,881 B2||2013/4/4||2015/12/29|||
|593|||美国|美国豪威|||||||2033/4/4|
||IMAGE SENSOR HAVING METAL CONTACTCOUPLED THROUGH A CONTACT ETCH STOPLAYER WITH AN ISOLATION REGION||||US 9,287,308 B2||2013/4/8||2016/3/15|||
|594|||美国|美国豪威|||||||2033/4/8|
||MULTI-TARGET AUTOMATIC EXPOSURE ANDGAIN CONTROL BASED ON PIXEL INTENSITYDISTRIBUTION||||US 8,982,238 B2||2013/7/2||2015/3/17|||
|595|||美国|美国豪威|||||||2033/11/14|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH GLOBALSHUTTER HAVING NARROW SPACING BETWEENGATES||||US 8,835,211 B1||2013/5/24||2014/9/16|||
|596|||美国|美国豪威|||||||2033/5/24|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH GLOBALSHUTTER HAVING NARROW SPACING BETWEENGATES||||US 9,041,072 B2||2014/7/17||2015/5/26|||
|597|||美国|美国豪威|||||||2033/5/24|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH SWITCHEDDEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURE||||US 9,054,007 B2||2013/8/15||2015/6/9|||
|598|||美国|美国豪威|||||||2033/11/23|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH SWITCHEDDEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURE||||US 9,496,304 B2||2015/5/5||2016/11/15|||
|599|||美国|美国豪威|||||||2035/5/5|
||IMAGE SENSOR WITH FAST INTRA-FRAMEFOCUS||||US 9,124,823 B2||2013/7/25||2015/9/1|||
|600|||美国|美国豪威|||||||2033/8/25|
|601|IMAGE SENSOR WITH FAST INTRA-FRAME||美国|美国豪威|US 9,462,179 B2||2015/8/25||2016/10/4||2035/8/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FOCUS|||||||||||
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHFULL RESOLUTION RECOVERY||||US 9,413,992 B2||2014/4/2||2016/8/9|||
|602|||美国|美国豪威|||||||2034/12/13|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL READOUTARCHITECTURE||||US 9,041,842 B2||2013/7/12||2015/5/26|||
|603|||美国|美国豪威|||||||2034/1/1|
||OPTICAL SHIELD IN A PIXEL CELLPLANARIZATION LAYER FOR BLACK LEVELCORRECTION||||US 8,981,512 B1||2013/9/18||2015/3/17|||
|604|||美国|美国豪威|||||||2033/9/18|
||IMAGE SENSOR WITH DOPED SEMICONDUCTORREGION FOR REDUCING IMAGE NOISE||||US 9,123,604 B2||2013/10/17||2015/9/1|||
|605|||美国|美国豪威|||||||2033/10/17|
||METHOD AND APPARATUS FOR READING IMAGEDATA FROM AN IMAGE SENSOR||||US 9,001,250 B2||2013/9/11||2015/4/7|||
|606|||美国|美国豪威|||||||2033/10/3|
||PARTITIONED SILICON PHOTOMULTIPLIER WITHDELAY EQUALIZATION||||US 9,082,675 B2||2013/8/12||2015/7/14|||
|607|||美国|美国豪威|||||||2034/3/15|
||COLOR AND INFRARED FILTER ARRAYPATTERNS TO REDUCE COLOR ALIASING||||US 9,692,992 B2||2014/4/9||2017/6/27|||
|608|||美国|美国豪威|||||||2034/10/14|
||COLOR AND INFRARED FILTER ARRAYPATTERNS TO REDUCE COLOR ALIASING||||US 9,667,933 B2||2015/3/9||2017/5/30|||
|609|||美国|美国豪威|||||||2035/3/9|
||EYEWEAR DISPLAY SYSTEM PROVIDING VISIONENHANCEMENT||||US 9,658,454 B2||2013/9/6||2017/5/23|||
|610|||美国|美国豪威|||||||2034/2/20|
||METHOD OF READING OUT AN IMAGE SENSORWITH TRANSFER GATE BOOST||||US 9,160,958 B2||2013/12/18||2015/10/13|||
|611|||美国|美国豪威|||||||2034/7/2|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR WITH SCALED FILTER ARRAYAND IN-PIXEL BINNING||||US 9,438,866 B2||2014/4/23||2016/9/6|||
|612|||美国|美国豪威|||||||2034/10/3|
|613|X-RAY AND OPTICAL IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,520,439 B2||2013/9/23||2016/12/13||2033/12/25|
||RGBC COLOR FILTER ARRAY PATTERNS TOMINIMIZE COLOR ALIASING||||US 9,369,681 B1||2014/11/25||2016/6/14|||
|614|||美国|美国豪威|||||||2034/11/25|
||RGBC COLOR FILTER ARRAY PATTERNS TOMINIMIZE COLOR ALIASING||||US 9,521,381 B2||2016/4/13||2016/12/13|||
|615|||美国|美国豪威|||||||2036/4/13|
||IMAGE SENSOR WITH DIELECTRIC CHARGETRAPPING DEVICE||||US 9,312,299 B2||2014/4/10||2016/4/12|||
|616|||美国|美国豪威|||||||2034/4/10|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR HIGH DYNAMICRANGE IMAGE SENSOR||||US 9,324,759 B2||2013/12/19||2016/4/26|||
|617|||美国|美国豪威|||||||2034/1/6|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR HIGH DYNAMICRANGE IMAGE SENSOR||||US 9,711,546 B2||2016/3/2||2017/7/18|||
|618|||美国|美国豪威|||||||2033/12/19|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR HIGH DYNAMICRANGE IMAGE SENSOR||||US 9,608,019 B2||2016/3/2||2017/3/28|||
|619|||美国|美国豪威|||||||2036/3/2|
|620|BIG-SMALL PIXEL SCHEME FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 9,305,949 B2||2013/11/1||2016/4/5||2034/4/15|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL HAVING DUALSELF-ALIGNED IMPLANTS NEXT TO STORAGEGATE||||US 8,933,494 B1||2013/9/26||2015/1/13|||
|621|||美国|美国豪威|||||||2033/9/26|
|622|REDUCING SPECKLE IN PROJECTED IMAGES||美国|美国豪威|US 9,753,298 B2||2014/4/8||2017/9/5||2034/4/8|
|623|STACKED CHIP SPAD IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,299,732 B2||2013/10/28||2016/3/29||2036/7/10|
|624|HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR READ||美国|美国豪威|US 9,118,851 B2||2013/11/21||2015/8/25||2034/2/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||OUT ARCHITECTURE|||||||||||
||COMPACT SPACER IN MULTI-LENS ARRAYMODULE||||US 9,386,203 B2||2013/10/28||2016/7/5|||
|625|||美国|美国豪威|||||||2033/11/7|
||IMAGE SENSOR CROPPING IMAGES IN RESPONSETO CROPPING COORDINATE FEEDBACK||||US 9,258,485 B2||2014/3/24||2016/2/9|||
|626|||美国|美国豪威|||||||2034/4/25|
|627|FEATURE DETECTION IN IMAGE CAPTURE||美国|美国豪威|US 9,444,999 B2||2014/8/5||2016/9/13||2034/8/5|
||LOW POWER IMAGING SYSTEM WITH SINGLEPHOTON AVALANCHE DIODE PHOTONCOUNTERS AND GHOST IMAGE REDUCTION||||US 9,210,350 B2||2013/12/9||2015/12/8|||
|628|||美国|美国豪威|||||||2034/5/20|
||SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE IMAGINGSENSOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDESEMICONDUCTOR STACKED CHIPAPPLICATIONS||||US 9,312,401 B2||2014/1/15||2016/4/12|||
|629|||美国|美国豪威|||||||2034/11/22|
||BACK SIDE ILLUMINATED SINGLE PHOTONAVALANCHE DIODE IMAGING SENSOR WITHHIGH SHORT WAVELENGTH DETECTIONEFFICIENCY||||US 9,331,116 B2||2014/1/15||2016/5/3|||
|630|||美国|美国豪威|||||||2034/2/6|
||DUAL CONVERSION GAIN HIGH DYNAMICRANGE SENSOR||||US 9,402,039 B2||2014/11/26||2016/7/26|||
|631|||美国|美国豪威|||||||2036/7/31|
|632|SPLIT PIXEL HIGH DYNAMIC RANGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,571,763 B2||2014/11/26||2017/2/14||2034/12/17|
||STANDARD CELL GLOBAL ROUTING CHANNELSOVER ACTIVE REGIONS||||US 9,136,267 B2||2014/2/7||2015/9/15|||
|633|||美国|美国豪威|||||||2034/3/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||WAFER LEVEL CAMERA HAVING MOVABLECOLOR FILTER GROUPING||||US 9,270,953 B2||2014/5/16||2016/2/23|||
|634|||美国|美国豪威|||||||2034/5/17|
||COLOR IMAGE SENSOR WITH METAL MESH TODETECT INFRARED LIGHT||||US 9,674,493 B2||2014/3/24||2017/6/6|||
|635|||美国|美国豪威|||||||2034/6/5|
||IMAGE SENSOR HAVING A GAPLESSMICROLENSES||||US 9,331,115 B2||2014/3/24||2016/5/3|||
|636|||美国|美国豪威|||||||2034/4/3|
||ENHANCED BACK SIDE ILLUMINATED NEARINFRARED IMAGE SENSOR||||US 9,825,073 B2||2014/5/23||2017/11/21|||
|637|||美国|美国豪威|||||||2034/5/23|
|638|WAFER LEVEL STEPPED SENSOR HOLDER||美国|美国豪威|US 9,467,606 B2||2014/6/10||2016/10/11||2034/6/14|
||PHOTODIODE AND FILTER CONFIGURATION FORHIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR||||US 9,666,631 B2||2014/5/19||2017/5/30|||
|639|||美国|美国豪威|||||||2034/5/19|
||FEED-FORWARD TECHNIQUE FOR POWERSUPPLY REJECTION RATION IMPORVEMENT OFBIT LINE||||US 9,148,596 B1||2014/4/8||2015/9/29|||
|640|||美国|美国豪威|||||||2034/5/23|
||IMAGE SENSOR WITH PIXEL UNITS HAVINGINTERLEAVED PHOTODIODES||||US 9,294,693 B1||2014/10/24||2016/3/22|||
|641|||美国|美国豪威|||||||2034/10/24|
||IMAGE SENSOR PIXEL HAVING STORAGE GATEIMPLANT WITH GRADIENT PROFILE||||US 9,419,044 B2||2014/4/17||2016/8/16|||
|642|||美国|美国豪威|||||||2034/4/28|
|643|SYSTEM AND METHOD FOR HDR IMAGING||美国|美国豪威|US 9,282,256 B1||2014/12/22||2016/3/8||2034/12/22|
||COLOR FILTER ARRAY WITH REFERENCE PIXELTO REDUCE SPECTRAL CROSSTALK||||US 9,479,745 B2||2014/9/19||2016/10/25|||
|644|||美国|美国豪威|||||||2034/11/22|
|645|COLOR FILTER ARRAY WITH REFERENCE PIXEL||美国|美国豪威|US 9,756,298 B2||2016/9/15||2017/9/5||2034/9/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||TO REDUCE SPECTRAL CROSSTALK|||||||||||
||VIDEO CONFERENCING WITH A MOBILEPLATFORM||||US 9,154,736 B1||2014/7/16||2015/10/6|||
|646|||美国|美国豪威|||||||2034/7/16|
||Color and Infrared Image Sensor With DepletionAdjustment Layer||||US 9,859,318 B2||2014/10/22||2018/1/2|||
|647|||美国|美国豪威|||||||2036/5/22|
|648|VISIBLE AND INFRARED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,806,122 B2||2014/7/25||2017/10/31||2035/8/4|
||METHOD OF FABRICATING A SINGLE PHOTONAVALANCHE DIODE IMAGING SENSOR||||US 9,209,320 B1||2014/8/7||2015/12/8|||
|649|||美国|美国豪威|||||||2034/8/7|
||NEGATIVE BIASED SUBSTRATE FOR PIXELS INSTACKED IMAGE SENSORS||||US 9,344,658 B2||2014/7/31||2016/5/17|||
|650|||美国|美国豪威|||||||2034/11/7|
||PIXEL-LEVEL OVERSAMPLING FOR A TIME OFFLIGHT 3D IMAGE SENSOR WITH DUAL RANGEMEASUREMENTS||||US 9,523,765 B2||2014/7/14||2016/12/20|||
|651|||美国|美国豪威|||||||2035/7/10|
||PHOTOSENSITIVE CAPACITOR PIXEL FOR IMAGESENSOR||||US 9,490,282 B2||2015/3/19||2016/11/8|||
|652|||美国|美国豪威|||||||2035/3/19|
||PHOTOSENSITIVE CAPACITOR PIXEL FOR IMAGESENSOR||||US 9,735,196 B2||2016/10/5||2017/8/15|||
|653|||美国|美国豪威|||||||2035/3/19|
||METHOD OF FABRICATING MULTI-WAFERIMAGE SENSOR||||US 9,379,159 B2||2014/10/15||2016/6/28|||
|654|||美国|美国豪威|||||||2034/10/15|
||METHOD OF FABRICATING MULTI-WAFERIMAGE SENSOR||||US 9,748,308 B2||2016/5/26||2017/8/29|||
|655|||美国|美国豪威|||||||2034/10/15|
|656|CONDUCTIVE TRENCH ISOLATION||美国|美国豪威|US 9,111,993 B1||2014/8/21||2015/8/18||2034/8/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|657|CONDUCTIVE TRENCH ISOLATION||美国|美国豪威|US 9,240,431 B1||2015/7/2||2016/1/19||2034/8/21|
|658|BLUE ENHANCED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,455,291 B2||2015/1/20||2016/9/27||2035/1/28|
||IMAGE SENSOR WITH ENHANCED QUANTUMEFFICIENCY||||US 9,565,405 B2||2015/2/3||2017/2/7|||
|659|||美国|美国豪威|||||||2035/6/28|
||PRECHARGED LATCHED PIXEL CELL FOR A TIMEOF FLIGHT 3D IMAGE SENSOR||||US 9,313,476 B2||2014/8/7||2016/4/12|||
|660|||美国|美国豪威|||||||2036/7/1|
||PROGRAMMABLE CURRENT SOURCE FOR ATIME OF FLIGHT 3D IMAGE SENSOR||||US 9,658,336 B2||2014/8/20||2017/5/23|||
|661|||美国|美国豪威|||||||2035/12/25|
||IMAGE SENSOR PIXEL WITH MULTIPLESTORAGE NODES||||US 9,461,088 B2||2014/12/1||2016/10/4|||
|662|||美国|美国豪威|||||||2035/4/22|
||CALIBRATION CIRCUITRY AND METHOD FOR ATIME OF FLIGHT IMAGING SYSTEM||||US 9,720,076 B2||2014/8/29||2017/8/1|||
|663|||美国|美国豪威|||||||2035/11/26|
||IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITHNON-DESTRUCTIVE READOUT||||US 9,406,718 B2||2014/9/29||2016/8/20|||
|664|||美国|美国豪威|||||||2034/9/29|
||HIGH NEAR INFRARED SENSITIVITY IMAGESENSOR||||US 9,799,699 B2||2014/9/24||2017/10/24|||
|665|||美国|美国豪威|||||||2034/9/24|
||ISOLATED GLOBAL SHUTTER PIXEL STORAGESTRUCTURE||||US 9,484,370 B2||2014/10/27||2016/11/1|||
|666|||美国|美国豪威|||||||2034/10/27|
||SELF-ALIGNED ISOLATION STRUCTURES ANDLIGHT FILTERS||||US 9,520,431 B2||2014/10/3||2016/12/13|||
|667|||美国|美国豪威|||||||2034/12/27|
||COLOR FILTER ARRAY PATTERNS FORREDUCTION OF COLOR ALIASING||||US 9,467,665 B1||2015/6/29||2016/10/11|||
|668|||美国|美国豪威|||||||2035/6/29|

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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHGUARD RING REGION REFLECTING STRUCTURE||||US 9,685,576 B2||2014/10/3||2017/6/20|||
|669|||美国|美国豪威|||||||2035/4/4|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTINGCORRELATED MULTI-SAMPLING WITHIMPROVED ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTERLINEARITY||||US 9,491,390 B2||2014/11/26||2016/11/8|||
|670|||美国|美国豪威|||||||2035/5/14|
||FLOATING DIFFUSION RESET LEVEL BOOST INPIXEL CELL||||US 9,491,386 B2||2014/12/3||2016/11/8|||
|671|||美国|美国豪威|||||||2034/12/3|
|672|READOUT CIRCUITRY FOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,521,348 B2||2015/4/24||2016/12/13||2035/4/24|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTING ANEXTENDED RANGE APPROXIMATIONANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER||||US 9,391,632 B1||2015/1/27||2016/7/12|||
|673|||美国|美国豪威|||||||2036/8/21|
||COMPENSATION FOR DUAL CONVERSION GAINHIGH DYNAMIC RANGE SENSOR||||US 9,386,240 B1||2015/3/12||2016/7/5|||
|674|||美国|美国豪威|||||||2035/3/12|
||COLOR FILTER ARRAY WITH SUPPORTSTRUCTURES TO PROVIDE IMPROVED FILTERTHICKNESS UNIFORMITY||||US 9,360,607 B1||2015/1/15||2016/6/7|||
|675|||美国|美国豪威|||||||2035/2/20|
||OPTICAL ISOLATION GRID OVER COLOR FILTERARRAY||||US 9,276,029 B1||2015/1/20||2016/3/1|||
|676|||美国|美国豪威|||||||2035/1/20|
|677|LOW POWER SMART IMAGE CAPTURE||美国|美国豪威|US 9,667,867 B2||2015/3/30||2017/5/30||2035/3/30|
|678|HIGH RESOLUTION ARRAY CAMERA||美国|美国豪威|US 9,319,585 B1||2014/12/18||2016/4/19||2034/12/18|
|679|STORAGE TRANSISTOR WITH OPTICAL||美国|美国豪威|US 9,472,587 B2||2015/1/27||2016/10/18||2035/5/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ISOLATION|||||||||||
|680|NON-VISIBLE ILLUMINATION SCHEME||美国|美国豪威|US 9,674,465 B2||2015/6/3||2017/6/6||2035/7/14|
||STACKED EMBEDDED SPAD IMAGE SENSOR FORATTACHED 3D INFORMATION||||US 9,608,027 B2||2015/2/17||2017/3/28|||
|681|||美国|美国豪威|||||||2035/6/6|
||IMAGING PACKAGE WITH REMOVABLETRANSPARENT COVER||||US 9,443,894 B1||2015/3/9||2016/9/13|||
|682|||美国|美国豪威|||||||2035/3/9|
||BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR PIXELWITH DIELECTRIC LAYER REFLECTING RING||||US 9,431,452 B1||2015/5/13||2016/8/30|||
|683|||美国|美国豪威|||||||2035/5/13|
||TIME OF FLIGHT IMAGING WITH IMPROVEDINITIATION SIGNALING||||US 9,819,930 B2||2015/5/26||2017/11/14|||
|684|||美国|美国豪威|||||||2036/6/7|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGING WITH REDUEDFRAME BUFFER||||US 9,654,699 B2||2015/7/2||2017/5/16|||
|685|||美国|美国豪威|||||||2035/7/2|
||IMAGE SENSOR POWER SUPPLY REJECTIONRATIO NOISE REDUCTION THROUGH RAMPGENERATOR||||US 9,380,208 B1||2015/4/13||2016/6/28|||
|686|||美国|美国豪威|||||||2035/4/13|
||RAMP GENERATOR FOR LOW NOISE IMAGESENSOR||||US 9,554,074 B2||2015/4/16||2017/1/24|||
|687|||美国|美国豪威|||||||2035/7/20|
|688|QUANTUM DOT IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,881,955 B2||2015/10/14||2018/1/30||2035/10/16|
||VIRTUAL HIGH DYNAMIC RANGE LARGE-SMALLPIXEL IMAGE SENSOR||||US 9,911,773 B2||2015/6/18||2018/3/6|||
|689|||美国|美国豪威|||||||2035/8/12|
||INTEGRATED CIRCUIT STACK WITHSTRENGTHENED WAFER BONDING||||US 9,343,499 B1||2015/4/23||2016/5/17|||
|690|||美国|美国豪威|||||||2035/4/23|

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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|691|STACKED CHIP SHARED PIXEL ARCHITECTURE||美国|美国豪威|US 9,667,895 B2||2015/5/8||2017/5/30||2035/7/15|
||HARD MASK AS CONTACT ETCH STOP LAYER INIMAGE SENSORS||||US 9,484,373 B1||2015/11/18||2016/11/1|||
|692|||美国|美国豪威|||||||2035/11/18|
||HARD MASK AS CONTACT ETCH STOP LAYER INIMAGE SENSORS||||US 9,564,470 B1||2016/9/21||2017/2/7|||
|693|||美国|美国豪威|||||||2036-0921|
|694|CURVED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,691,810 B1||2015/12/18||2017/6/27||2035/12/18|
||METHOD AND SYSTEM TO DETECT ALIGHT-EMITTING DIODE||||US 9,681,083 B2||2015/6/12||2017/6/13|||
|695|||美国|美国豪威|||||||2035/8/5|
||READOUT CIRCUITRY TO MITIGATE COLUMNFIXED PATTERN NOISE OF AN IMAGE SENSOR||||US 9,819,890 B2||2015/8/17||2017/11/14|||
|696|||美国|美国豪威|||||||2035/8/17|
||METHOD AND SYSTEM TO IMPLEMENT ASTACKED CHIP HIGH DYNAMIC RANGE IMAGESENSOR||||US 9,819,889 B2||2015/8/7||2017/11/14|||
|697|||美国|美国豪威|||||||2035/8/7|
||COLOR FILTER INCLUDING DIAMOND-SHAPEDPIXELS||||US 9,716,868 B1||2016/3/3||2017/7/25|||
|698|||美国|美国豪威|||||||2036/3/3|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTINGDYNAMIC GROUND SHARING IN AN IMAGESENSOR WITH PIPELINE ARCHITECTURE||||US 9,712,774 B1||2016/1/14||2017/7/18|||
|699|||美国|美国豪威|||||||2036/1/14|
||STACKED INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM WITHTHINNED INTERMEDIATE SEMICONDUCTOR DIE||||US 9,391,111 B1||2015/8/7||2016/7/12|||
|700|||美国|美国豪威|||||||2035/8/7|
|701|PIXEL CONTROL SIGNAL DRIVER||美国|美国豪威|US 9,516,249 B1||2015/9/3||2016/12/6||2035/9/3|
|702|HIGH SPEED ROLLING IMAGE SENSOR WITH||美国|美国豪威|US 9,749,569 B2||2015/12/22||2017/8/29||2036/1/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ADM ARCHITECTURE AND METHOD OFIMPLEMENTING THEREOF|||||||||||
||METHOD AND SYSTEM OF IMPLEMENTING ANUNEVEN TIMING GAP BETWEEN EACH IMAGECAPTURE IN AN IMAGE SENSOR||||US 9,743,025 B2||2015/12/30||2017/8/22|||
|703|||美国|美国豪威|||||||2036/1/16|
||METHOD AND SYSTEM FOR REDUCINGANALOG-TO-DIGTAL CONVERSION TIME FORDARK SIGNALS||||US 9,762,825 B2||2015/12/30||2017/9/12|||
|704|||美国|美国豪威|||||||2035/12/30|
||IMAGE SENSOR POWER SUPPLY REJECTIONRATIO IMPROVEMENT THROUGH RAMPGENERATOR IN CONTINUOUS TIME READOUTCIRCUITRY||||US 9,571,775 B1||2015/11/16||2017/2/14|||
|705|||美国|美国豪威|||||||2035/11/16|
|706|MICROSCOPE ATTACHMENT||美国|美国豪威|US 9,835,842 B2||2015/12/4||2017/12/5||2036/5/27|
|707|GLOBAL SHUTTER CORRECTION||美国|美国豪威|US 9,819,883 B2||2015/12/3||2017/11/14||2036/2/16|
||GLOBAL SHUTTER CONTROL SIGNALGENERATOR WITH REDUCED DRIVINGREQUIREMENTS||||US 9,838,623 B2||2015/11/12||2017/12/5|||
|708|||美国|美国豪威|||||||2036/6/4|
||METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTINGH-BANDING CANCELLATION IN AN IMAGESENSOR||||US 9,838,621 B2||2016/5/5||2017/12/5|||
|709|||美国|美国豪威|||||||2036/5/5|
||INTERFACE CIRCUIT WITH CONFIGURABLEVARIABLE SUPPLY VOLTAGE FORTRANSMITTING SIGNALS||||US 9,608,633 B1||2015/11/24||2017/3/28|||
|710|||美国|美国豪威|||||||2035/11/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR POWER SUPPLY NOISEDETECTION||||US 9,817,048 B2||2015/12/9||2017/11/14|||
|711|||美国|美国豪威|||||||2036/5/5|
|712|FRAME TIMING||美国|美国豪威|US 9,786,249 B2||2015/12/17||2017/10/10||2036/4/30|
||MULTI-LAYER COLOR FILTER FOR LOW COLORERROR AND HIGH SNR||||US 9,671,537 B2||2015/10/22||2017/6/6|||
|713|||美国|美国豪威|||||||2035/10/22|
||INTERFACE CIRCUIT WITH VARIABLE OUTPUTSWING AND OPEN TERMINATION MODE FORTRANSMITTING SIGNALS||||US 9,513,655 B1||2015/11/24||2016/12/6|||
|714|||美国|美国豪威|||||||2035/11/24|
|715|ENHANCED HIGH DYNAMIC RANGE||美国|美国豪威|US 9,900,527 B2||2016/3/8||2018/2/20||2036/6/1|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHREDUCED SENSITIVITY TO HIGH INTENSITYLIGHT||||US 9,590,005 B1||2016/1/25||2017/3/7|||
|716|||美国|美国豪威|||||||2036/1/25|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHREDUCED SENSITIVITY TO HIGH INTENSITYLIGHT||||US 9,966,396 B2||2016/8/17||2018/5/8|||
|717|||美国|美国豪威|||||||2036/8/17|
|718|CONTACT RESISTANCE REDUCTION||美国|美国豪威|US 9,583,527 B1||2016/1/28||2017/2/28||2036/1/28|
|719|EDGE REFLECTION REDUCTION||美国|美国豪威|US 9,608,023 B1||2016/5/2||2017/3/28||2036/5/2|
|720|EDGE REFLECTION REDUCTION||美国|美国豪威|US 9,966,404 B2||2017/2/10||2018/5/8||2037/2/10|
||APPARATUS AND METHOD FOR LOW DYNAMICRANGE AND HIGH DYNAMIC RANGE IMAGEALIGNMENT||||US 9,800,796 B1||2016/6/6||2017/10/24|||
|721|||美国|美国豪威|||||||2036/6/6|
|722|BIASED DEEP TRENCH ISOLATION||美国|美国豪威|US 9,806,117 B2||2016/3/15||2017/10/31||2036/3/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||THROUGH-SEMICONDUCTOR-VIA CAPPINGLAYER AS ETCH STOP LAYER||||US 9,773,829 B2||2016/2/3||2017/9/26|||
|723|||美国|美国豪威|||||||2036/4/28|
|724|GRADED-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,911,770 B2||2016/5/31||2018/3/6||2036/5/31|
||IMAGE SENSOR WITH SEMICONDUCTORTRENCH ISOLATION||||US 9,659,989 B1||2016/4/19||2017/5/23|||
|725|||美国|美国豪威|||||||2036/4/19|
||GLOBAL SHUTTER PIXEL WITH HYBRIDTRANSFER STORAGE GATE-STORAGE DIODESTORAGE NODE||||US 9,843,754 B1||2016/6/14||2017/12/12|||
|726|||美国|美国豪威|||||||2036/7/26|
||HORIZONTAL BANDING REDUCTION WITH RAMPGENERATOR ISOLATION IN AN IMAGE SENSOR||||US 9,848,140 B2||2016/3/31||2017/12/19|||
|727|||美国|美国豪威|||||||2036/4/30|
||ADAPTIVE BODY BIASING CIRCUIT FORLATCH-UP PREVENTION||||US 9,762,833 B1||2016/5/24||2017/9/12|||
|728|||美国|美国豪威|||||||2036/5/24|
|729|IMAGE SENSOR PIXEL NOISE MEASUREMENT||美国|美国豪威|US 9,961,281 B2||2016/6/10||2018/5/1||2036/6/10|
|730|STACKED IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,818,791 B1||2016/10/4||2017/11/14||2036/10/4|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH DUAL FLOATINGDIFFUSIONS PER PIXEL FOR FLICKER-FREEDETECTION OF LIGHT EMITTING DIODES||||US 9,936,153 B1||2016/10/4||2018/4/3|||
|731|||美国|美国豪威|||||||2036/10/4|
||RAMP SIGNAL GENERATOR FOR DOUBLE RAMPANALOG TO DIGITAL CONVERTER||||US 9,774,811 B1||2016/9/27||2017/9/26|||
|732|||美国|美国豪威|||||||2036/9/27|
||ANALOG DITHERING TO REDUCE VERTICALFIXED PATTERN NOISE IN IMAGE SENSORS||||US 9,848,152 B1||2016/9/27||2017/12/19|||
|733|||美国|美国豪威|||||||2036/9/27|
|734|CURRENT GENERATOR||美国|美国豪威|US 9,876,979 B1||2016/12/6||2018/1/23||2036/12/6|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITHVIRTUAL HIGH-LOW SENSITIVITY PIXELS||||US 9,955,090 B2||2016/7/20||2018/4/24|||
|735|||美国|美国豪威|||||||2036/7/20|
||IMAGE SENSOR WITH HYBRID DEEP TRENCHISOLATION||||US 9,923,009 B1||2016/11/3||2018/3/20|||
|736|||美国|美国豪威|||||||2036/11/3|
|737|HORIZONTAL AVALANCHE PHOTODIODE||美国|美国豪威|US 9,881,963 B1||2016/9/13||2018/1/30||2036/10/4|
|738|ISOLATION STRUCTURE IN PHOTODIODE||美国|美国豪威|US 9,799,696 B1||2016/10/13||2017/10/24||2036/10/13|
||BURST MODE CLOCK DATA RECOVERY CIRCUITFOR MIPI C-PHY RECEIVERS||||US 9,735,950 B1||2016/10/18||2017/8/15|||
|739|||美国|美国豪威|||||||2036/10/18|
||THROUGH-SEMICONDUCTOR ANDTHROUGH-DIELECTRIC ISOLATION STRUCTURE||||US 9,986,192 B1||2016/11/28||2018/5/29|||
|740|||美国|美国豪威|||||||2036/11/28|
||FEEDBACK CAPACITOR FORMED BYBONDING-VIA IN PIXEL LEVEL BOND||||US 9,859,312 B1||2017/2/8||2018/1/2|||
|741|||美国|美国豪威|||||||2037/2/8|
|742|SYSTEM-IN-PACKAGE IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 9,935,144 B1||2016/11/28||2018/4/3||2036/11/28|
||BACKSIDE METAL GRID AND METAL PADSIMPLIFICATION||||US 9,911,780 B1||2016/12/22||2018/3/6|||
|743|||美国|美国豪威|||||||2036/12/22|
||IMAGING SENSOR WITH BOOSTED PHOTODIODEDRIVE||||US 9,967,504 B1||2017/4/6||2018/5/8|||
|744|||美国|美国豪威|||||||2037/4/6|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR READOUT ARCHITECTURE USING IN-FRAMEMULTI-BIT EXPOSURE CONTROL||||US 9,955,091 B1||2016/12/20||2018/4/24|||
|745|||美国|美国豪威|||||||2036/12/20|
||ROW DECODER FOR HIGH DYNAMIC RANGEIMAGE SENSOR USING IN-FRAME MULTI-BIT||||US 9,888,185 B1||2016/12/20||2018/2/6|||
|746|||美国|美国豪威|||||||2036/12/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||EXPOSURE CONTROL|||||||||||
||BLOOMING FREE HIGH DYNAMIC RANGE IMAGESENSOR READ OUT ARCHITECTURE USINGIN-FRAME MULTI-BIT EXPOSURE CONTROL||||US 9,961,279 B1||2016/12/20||2018/5/1|||
|747|||美国|美国豪威|||||||2036/12/28|
||IMAGING SENSOR WITH AMPLIFIER HAVINGVARIABLE BIAS AND INCREASED OUTPUTSIGNAL RANGE||||US 9,961,292 B1||2017/1/31||2018/5/1|||
|748|||美国|美国豪威|||||||2037/1/31|
||IMAGE SENSOR WITH INVERTED SOURCEFOLLOWER||||US 9,881,964 B1||2017/2/8||2018/1/30|||
|749|||美国|美国豪威|||||||2037/3/1|
||IMAGE SENSOR WITH INVERTED SOURCEFOLLOWER||||US 9,966,408 B1||2017/10/23||2018/5/8|||
|750|||美国|美国豪威|||||||2037/10/23|
||COMPARATORS FOR DOUBLE RAMP ANALOG TODIGITAL CONVERTER||||US 9,967,505 B1||2017/4/13||2018/5/8|||
|751|||美国|美国豪威|||||||2037/4/13|
||ACTIVE PIXEL SENSOR WITH HIGH FILL FACTORBLOOMING PROTECTION||||US 6,259,124 B1||1998/8/7||2001/7/10|||
|752|||美国|美国豪威|||||||2018/8/7|
||IMAGE SENSOR INCORPORATING SATURATIONTIME MEASUREMENT TO INCREASE DYNAMICRANGE||||6,069,377||1999/5/13||2000/5/30|||
|753|||美国|美国豪威|||||||2019/5/13|
||ACTIVE PIXEL SENSOR WITH WIRED FLOATINGDIFFUSIONS AND SHARED AMPLIFIER||||US 6,657,665 B1||1998/12/31||2003/12/2|||
|754|||美国|美国豪威|||||||2018/12/31|
|755|CMOS ACTIVE PIXEL WITH SCAVENGING DIODE||美国|美国豪威|US 6,365,926 B1||2000/9/20||2002/4/2||2020/9/20|
||ALTERNATE METHOD FOR PHOTODIODEFORMATION IN CMOS IMAGE SENSORS||||US 6,504,195 B2||2000/12/29||2003/1/7|||
|756|||美国|美国豪威|||||||2020/12/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||LINEARITY AND DYNAMIC RANGE FORCOMPLEMENTARY METAL OXIDESEMICONDUCTOR ACTIVE PIXEL IMAGESENSORS||||US 6,730,897 B2||2000/12/29||2004/5/4|||
|757|||美国|美国豪威|||||||2021/7/30|
||THREE TRANSISTOR ACTIVE PIXEL SENSORARCHITECTURE WITH CORRELATED DOUBLESAMPLING||||US 6,587,146 B1||1998/11/20||2003/7/1|||
|758|||美国|美国豪威|||||||2018/11/20|
||PHOTOGATE ACTIVE PIXEL SENSOR WITH HIGHFILL FACTOR AND CORRELATED DOUBLESAMPLING||||US 6,624,850 B1||1998/12/30||2003/9/23|||
|759|||美国|美国豪威|||||||2018/12/30|
||PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR WITHSHARED RESET SIGNAL ROW SELECT||||US 6,218,656 B1||1998/12/30||2001/4/17|||
|760|||美国|美国豪威|||||||2018/12/30|
|761|PLASTIC COVER FOR IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 6,184,514 B1||1998/12/18||2001/2/6||2018/12/18|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH EXTENDEDDYNAMIC RANGE||||US 6,486,504 B1||1999/10/26||2002/11/26|||
|762|||美国|美国豪威|||||||2019/10/26|
||CMOS IMAGE SENSOR WITH EXTENDEDDYNAMIC RANGE||||US 6,680,498 B2||2002/9/6||2004/1/20|||
|763|||美国|美国豪威|||||||2019/12/24|
||CMOS ACTIVE PIXEL IMAGE SENSOR WITHEXTENDED DYNAMIC RANGE AND SENSITIVITY||||US 6,710,804 Bl||2000/1/18||2004/3/23|||
|764|||美国|美国豪威|||||||2020/1/18|
||VARIABLE COLLECTION OF BLOOMING CHARGETO EXTEND DYNAMIC RANGE||||US 6,307,195 Bl||1999/10/26||2001/10/23|||
|765|||美国|美国豪威|||||||2019/10/26|
||COLOR ACTIVE PIXEL SENSOR WITHELECTRONIC SHUTTERING, ANTI-BLOOMING||||US 6,218,692 Bl||1999/11/23||2001/4/17|||
|766|||美国|美国豪威|||||||2019/11/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AND LOW CROSS TALK|||||||||||
||BUILT-IN SELF TEST SIGNALS FOR COLUMNOUTPUT CIRCUITS IN X-Y ADDRESSABLE IMAGESENSOR||||US 6,388,245 Bl||2000/4/28||2002/5/14|||
|767|||美国|美国豪威|||||||2020/4/28|
|768|RANDOM COLOR FILTER ARRAY||美国|美国豪威|US 6,326,108 B2||2001/3/16||2001/12/4||2021/3/16|
||IMAGE SENSOR WITH A SHARED OUTPUTSIGNAL LINE||||US 6,552,323 B2||2000/12/6||2003/4/22|||
|769|||美国|美国豪威|||||||2021/2/21|
||METHOD AND APPARATUS TO EXTEND THEEFFECTIVE DYNAMIC RANGE OF AN IMAGESENSING DEVICE||||US 6,909,461 Bl||2000/7/13||2005/6/21|||
|770|||美国|美国豪威|||||||2022/7/17|
||METHOD AND APPARATUS TO EXTEND THEEFFECTIVE DYNAMIC RANGE OF AN IMAGESENSING DEVICE||||US 7,623,168 B2||2004/9/22||2009/11/24|||
|771|||美国|美国豪威|||||||2022/10/23|
||IMAGE SENSOR PIXEL FOR GLOBALELECTRONIC SHUTTERING||||US 7,129,979 Bl||2000/4/28||2006/10/31|||
|772|||美国|美国豪威|||||||2020/4/28|
||IMAGE SENSOR HAVING IMPROVED SPECTRALRESPONSE UNIFORMITY||||US 6,489,642 Bl||2000/9/28||2002/12/3|||
|773|||美国|美国豪威|||||||2021/2/9|
||DETECTING HOPPING PIXEL DEFECTS IN CCDIMAGE SENSORS||||US 6,903,769 Bl||2000/8/31||2005/6/7|||
|774|||美国|美国豪威|||||||2023/1/27|
||SPARSELY SAMPLED IMAGE SENSING DEVICEWITH COLOR AND LUMINANCE PHOTOSITES||||US 6,476,865 Bl||2001/3/7||2002/11/5|||
|775|||美国|美国豪威|||||||2021/3/7|
|776|ILLUMINATOR AND METHOD OF MAKING SAME||美国|美国豪威|US 6,759,814 B2||2002/3/28||2004/7/6||2022/3/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING BLACK PIXELSDISPOSED IN A SPACED-APART RELATIONSHIPFROM THE ACTIVE PIXELS||||US 6,744,526 B2||2001/9/17||2004/6/1|||
|777|||美国|美国豪威|||||||2022/6/2|
||APPARATUS AND METHOD OF CORRECTING FORDARK CURRENT IN ASOLID STATE IMAGESENSOR||||US 7,064,785 B2||2002/2/7||2006/6/20|||
|778|||美国|美国豪威|||||||2023/11/3|
||MEDIAN-BASED DARK LEVEL ACQUISITION FORA FRAME RATE CLAMP||||US 6,909,460 B2||2001/7/25||2005/6/21|||
|779|||美国|美国豪威|||||||2024/1/8|
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE LAYERS OFDIELECTRICS ADJACENT THE PHOTOSENSITIVEAREA FOR IMPROVED QUANTUM EFFICIENCY||||US 7,126,638 B2||2002/5/9||2006/10/24|||
|780|||美国|美国豪威|||||||2025/1/11|
|781|LARGE AREA FLAT IMAGE SENSOR ASSEMBLY||美国|美国豪威|US 7,276,394 B2||2004/8/20||2007/10/2||2022/5/24|
||LATERAL OVERFLOW DRAIN, ANTI-BLOOMINGSTRUCTURE FOR CCD DEVICES HAVINGIMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE||||US 6,624,453 B2||2001/8/31||2003/9/23|||
|782|||美国|美国豪威|||||||2021/8/31|
||METHOD OF MAKING INLAID COLOR FILTERARRAYS||||US 7,195,848 B2||2004/8/30||2007/3/27|||
|783|||美国|美国豪威|||||||2025/6/5|
||VARIABLE BANDWIDTH CORRELATEDDOUBLING SAMPLING CIRCUITS FOR IMAGESENSORS||||US 6,838, 787B2||2002/1/16||2005/1/4|||
|784|||美国|美国豪威|||||||2022/12/27|
||SYSTEM WITH A RANDOM NUMBER GENERATORUSED TO REMOVE CONTOURING IN CMOSIMAGER DATA HAVING AN EXTENDED||||US 7,349,126 B2||2003/3/13||2008/3/25|||
|785|||美国|美国豪威|||||||2026/1/4|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DYNAMIC RANGE|||||||||||
||SYSTEM WITH A RANDOM NUMBER GENERATORUSED TO REMOVE CONTOURING IN CMOSIMAGER DATA HAVING AN EXTENDEDDYNAMIC RANGE||||US 7,643,177 B2||2008/3/7||2010/1/5|||
|786|||美国|美国豪威|||||||2023/3/13|
||DIGITAL BLACK CLAMP CIRCUIT INELECTRONIC IMAGING SYSTEMS||||US 7,259,787 B2||2003/3/27||2007/8/21|||
|787|||美国|美国豪威|||||||2026/2/17|
||SYSTEM AND METHOD FOR CALIBRATING ANIMAGE CAPTURE DEVICE||||US 7,012,634 B2||2002/3/28||2006/3/14|||
|788|||美国|美国豪威|||||||2024/1/29|
||METHOD FOR FORMING LIGHT SHIELD PROCESSFOR SOLID-STATE IMAGE SENSOR WITHMULTI-METALLIZATION LAYER||||US 6,867,062 B2||2003/8/15||2005/3/15|||
|789|||美国|美国豪威|||||||2023/8/15|
||LIGHT SHIELD PROCESS FOR SOLID-STATEIMAGE SENSORS||||US 7,091,532 B2||2005/1/25||2006/8/15|||
|790|||美国|美国豪威|||||||2023/9/9|
||DETECTING AND CLASSIFYING BLEMISHES ONTHE TRANSMISSIVE SURFACE OF AN IMAGESENSOR PACKAGE||||US 7,103,208 B2||2002/8/26||2006/9/5|||
|791|||美国|美国豪威|||||||2024/8/16|
||IMAGING SYSTEM HAVING EXTENDED USEFULLATITUDE||||US 7,423,679 B2||2002/12/20||2008/9/9|||
|792|||美国|美国豪威|||||||2025/7/17|
|793|CHROMIUM BLACK LIGHT SHIELD||美国|美国豪威|US 6,939,015 B2||2002/9/20||2005/9/6||2022/9/20|
||FIXED PATTERN NOISE REMOVAL IN CMOSIMAGERS ACROSS VARIOUS OPERATIONALCONDITIONS||||US 7,092,017 B2||2002/9/13||2006/8/15|||
|794|||美国|美国豪威|||||||2024/9/7|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||FIXED PATTERN NOISE REMOVAL IN CMOSIMAGERS ACROSS VARIOUS OPERATIONALCONDITIONS||||US 7,443,431 B2||2003/4/25||2008/10/28|||
|795|||美国|美国豪威|||||||2025/2/8|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED OPTICALRESPONSE UNIFORMITY||||US 6,924,472 B2||2002/11/12||2005/8/2|||
|796|||美国|美国豪威|||||||2023/8/11|
||METHOD OF TESTING THE UNIFORMITY OF ANIMAGE SENSOR||||US 7,315,322 B2||2004/7/28||2008/1/1|||
|797|||美国|美国豪威|||||||2026/6/23|
||REDUCED DARK CURRENT FOR CMOS IMAGESENSORS||||US 6,730,899 Bl||2003/1/10||2004/5/4|||
|798|||美国|美国豪威|||||||2023/1/10|
||TIMING GENERATOR FOR ELECTRONIC IMAGESENSOR WITH TABLES THAT CONTROL LINEAND FRAME TIMING||||US 7,304,676 B2||2003/8/6||2007/12/4|||
|799|||美国|美国豪威|||||||2025/9/7|
||IMAGE SENSOR WITH CHARGE BINNING ANDDUAL CHANNEL READOUT||||US 7,859,581 B2||2003/7/15||2010/12/28|||
|800|||美国|美国豪威|||||||2028/1/9|
||ENABLING METHOD TO PREVENT GLITCHES INWAVEFORM OF ARBITRARY PHASE||||US 6,882,206 B2||2003/4/30||2005/4/19|||
|801|||美国|美国豪威|||||||2023/4/30|
|802|PROCESS FOR MAKING A CMOS IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 7,095,066 B2||2004/1/8||2006/8/22||2024/1/8|
||VARYING FEATURE SIZE IN RESIST ACROSS THECHIP WITHOUT THE ARTIFACT OF"GRID-SNAPPING" FROM THE MASK WRITINGTOOL||||US 6,870,168 Bl||2003/11/12||2005/3/22|||
|803|||美国|美国豪威|||||||2023/11/12|
||IMAGE SENSOR ARRAY WITH SUBSTITUTIONALCIRCUIT DISTRIBUTION||||US 7,304,673 B2||2003/10/22||2007/12/4|||
|804|||美国|美国豪威|||||||2025/10/26|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||ELECTRONIC IMAGING SYSTEM WITH ADJUSTEDDARK FLOOR CORRECTION||||US 7,330,208 B2||2004/3/8||2008/2/12|||
|805|||美国|美国豪威|||||||2026/4/6|
||ELECTRONIC IMAGING SYSTEM WITH ADJUSTEDDARK FLOOR CORRECTION||||US 7,907,192 B2||2007/12/20||2011/3/15|||
|806|||美国|美国豪威|||||||2025/7/23|
|807|EXTENDED DYNAMIC RANGE IMAGING SYSTEM||美国|美国豪威|US 7,583,305 B2||2004/7/7||2009/9/1||2026/6/9|
||IMAGE SENSOR AND IMAGE CAPTURE SYSTEMWITH EXTENDED DYNAMIC RANGE||||US 7,830,435 B2||2003/9/3||2010/11/9|||
|808|||美国|美国豪威|||||||2027/8/3|
||LUMINANCE-PRIORITY ELECTRONIC COLORIMAGE SENSOR||||US 6,593,558 Bl||1999/12/30||2003/7/15|||
|809|||美国|美国豪威|||||||2020/8/28|
||ELECTRONIC SERIALIZATION OF IMAGESENSORS||||US 7,522,203 B2||2003/10/1||2009/4/21|||
|810|||美国|美国豪威|||||||2027/1/18|
||CAMERA, IMAGE SENSOR, AND METHOD FORDECREASING UNDESIRABLE DARK CURRENT||||US 7,973,836 B2||2004/10/28||2011/7/5|||
|811|||美国|美国豪威|||||||2027/6/29|
||THIN LIGHTSHIELD PROCESS FOR SOLID-STATEIMAGE SENSORS||||US 6,878,919 Bl||2004/4/28||2005/4/12|||
|812|||美国|美国豪威|||||||2024/4/28|
||THIN LIGHTSHIELD PROCESS FOR SOLID-STATEIMAGE SENSORS||||US 7,391,001 B2||2005/2/28||2008/6/24|||
|813|||美国|美国豪威|||||||2025/3/1|
||METHOD OF THIN LIGHTSHIELD PROCESS FORSOLID-STATE IMAGE SENSORS||||US 7,402,787 B2||2007/10/30||2008/7/22|||
|814|||美国|美国豪威|||||||2024/4/28|
||LOW NOISE SAMPLE AND HOLD CIRCUIT FORIMAGE SENSORS||||US 7,385,636 B2||2004/4/30||2008/6/10|||
|815|||美国|美国豪威|||||||2026/6/1|
||IMAGE SENSOR WITH REDUCED P-WELLCONDUCTIVITY||||US 7,075,129 B2||2004/1/9||2006/7/11|||
|816|||美国|美国豪威|||||||2024/8/1|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METAL INTERCONNECTS FOR INTEGRATEDCIRCUIT DIE COMPRISING NON-OXIDIZINGPORTIONS EXTENDING OUTSIDE SEAL RING||||US 8,072,066 B2||2005/2/2||2011/12/6|||
|817|||美国|美国豪威|||||||2028/1/21|
||METHOD AND APPARATUS FOR REDUCTION OFRESIDUAL SIGNAL IN DIGITAL IMAGESCAPTURED BY IMAGE SENSORS||||US 7,436,452 B2||2004/7/28||2008/10/14|||
|818|||美国|美国豪威|||||||2026/5/17|
||METHODS TO ELIMINATE AMPLIFIER GLOWINGARTIFACT IN DIGITAL IMAGES CAPTURED BYAN IMAGE SENSOR||||US 7,402,882 B2||2004/8/23||2008/7/22|||
|819|||美国|美国豪威|||||||2024/8/23|
||CMOS COMPATIBLE PIXEL CELL THAT UTILIZESA GATED DIODE TO RESET THE CELL||||US 6,380,571 Bl||1998/10/14||2002/4/30|||
|820|||美国|美国豪威|||||||2018/10/14|
||CMOS COMPATIBLE PIXEL CELL THAT UTILIZESA GATED DIODE TO RESET THE CELL||||US 6,384,398 Bl||2001/5/8||2002/5/7|||
|821|||美国|美国豪威|||||||2018/10/14|
||METHOD AND CIRCUIT FOR SETTINGBREAKPOINTS FOR ACTIVE PIXEL SENSOR CELLTO ACHIEVE PIECEWISE LINEAR TRANSFERFUNCTION||||US 6,348,681 Bl||2000/6/5||2002/2/19|||
|822|||美国|美国豪威|||||||2020/6/22|
||LOW COST DIE SIZED MODULE FOR IMAGINGAPPLICATION HAVING A LENS HOUSINGASSEMBLY||||US 6,384,397 Bl||2000/8/8||2002/5/7|||
|823|||美国|美国豪威|||||||2020/7/12|
||METHOD AND APPARATUS FOR A PIXEL CELLEARCHITECTURE HAVING HIGH SENSITIVITY,LOW LAG AND ELECTRONIC SHUTTER||||US 6,635,857 Bl||2000/9/28||2003/10/21|||
|824|||美国|美国豪威|||||||2020/10/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||APPARATUS FOR HIGH SENSITIVITY, LOW LAG,HIGH VOLTAGE SWING IN A PIXEL CELL WITHAN ELECTRONIC SHUTTER||||US 6,720,592 Bl||2001/6/29||2004/4/13|||
|825|||美国|美国豪威|||||||2021/8/10|
||HIGH VOLTAGE RESET METHOD FORINCREASING THE DYNAMIC RANGE OF A CMOSIMAGE SENSOR||||US 6,864,920 Bl||2001/8/24||2005/3/8|||
|826|||美国|美国豪威|||||||2023/6/25|
|827|INTEGRATED RANGE FINDER AND IMAGER||美国|美国豪威|US 6,661,500 Bl||2002/3/15||2003/12/9||2022/3/15|
||AUTOMATIC EXPOSURE CONTROL FOR ANIMAGE SENSOR||||US 7,038,820 Bl||2002/4/3||2006/5/2|||
|828|||美国|美国豪威|||||||2024/10/14|
||AUTOMATICALLY BALANCED EXPOSURE TIMEAND GAIN IN AN IMAGE SENSOR||||US 7,099,056 Bl||2002/9/25||2006/8/29|||
|829|||美国|美国豪威|||||||2025/2/23|
||APPARATUS AND METHOD FOR WAFER LEVELPACKAGING OF OPTICAL IMAGINGSEMICONDUCTOR DEVICES||||US 6,873,024 Bl||2002/8/9||2005/3/29|||
|830|||美国|美国豪威|||||||2022/6/20|
||BLOOMING CONTROL FOR A CMOS IMAGESENSOR||||US 6,861,635 Bl||2002/10/18||2005/3/1|||
|831|||美国|美国豪威|||||||2022/12/29|
||BLACK LEVEL CALIBRATION METHOD FORIMAGER WITH HYSTERESIS COMPARISON ANDADAPTIVE STEP SIZE||||US 7,084,911 B1||2002/11/8||2006/8/1|||
|832|||美国|美国豪威|||||||2025/1/11|
||COLOR IMAGER CELL WITH TRANSISTORSFORMED UNDER THE PHOTODIODES||||US 7,067,895 Bl||2003/1/10||2006/6/27|||
|833|||美国|美国豪威|||||||2023/2/2|
||CMOS IMAGE SENSOR OVERSATURATIONPROTECTION CIRCUIT||||US 7,167,200 Bl||2003/6/27||2007/1/23|||
|834|||美国|美国豪威|||||||2036/7/21|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BIDIRECTIONAL HORIZONTAL SCAN CIRCUITWITH SUB-SAMPLING AND HORIZONTALADDING FUNCTIONS||||US 7,249,299 Bl||2003/8/15||2007/7/24|||
|835|||美国|美国豪威|||||||2025/9/26|
||CHARGE DIFFUSION CROSSTALK REDUCTIONFOR IMAGE SENSORS||||US 7,561,194 B1||2003/10/17||2009/7/14|||
|836|||美国|美国豪威|||||||2026/6/13|
||LOW-COST METHOD OF FORMING A COLORIMAGER||||US 6,852,562 Bl||2003/12/5||2005/2/8|||
|837|||美国|美国豪威|||||||2023/12/5|
||IMAGING CELL WITH A NON-VOLATILEMEMORY THAT PROVIDES A LONGINTEGRATION PERIOD AND METHOD OFOPERATING THE IMAGING CELL||||US 6,972,995 Bl||2004/4/9||2005/12/6|||
|838|||美国|美国豪威|||||||2024/4/9|
||IMAGING CELL THAT HAS A LONGINTEGRATION PERIOD AND METHOD OFOPERATING THE IMAGING CELL||||US 6,972,457 Bl||2004/4/9||2005/12/6|||
|839|||美国|美国豪威|||||||2024/4/9|
||IMAGING CELL THAT HAS A LONGINTEGRATION PERIOD AND METHOD OFOPERATING THE IMAGING CELL||||US 7,218,555 B2||2005/10/3||2007/5/15|||
|840|||美国|美国豪威|||||||2024/4/9|
||METHOD FOR REDUCING DARK CURRENT FORAN ARRAY OF ACTIVE PIXEL SENSOR CELLS||||US 7,053,354 Bl||2004/5/24||2006/5/30|||
|841|||美国|美国豪威|||||||2024/9/25|
||METHOD OF ESTIMATING ELECTRICAL CROSSTALK IN AN ARRAY OF IMAGING CELLS||||US 7,400,352 Bl||2004/5/26||2008/7/15|||
|842|||美国|美国豪威|||||||2026/7/5|
||ACTIVE PIXEL SENSOR CELL WITHINTEGRATING VARACTOR AND METHOD FOR||||US 7,102,117 B2||2004/6/8||2006/9/5|||
|843|||美国|美国豪威|||||||2024/12/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||USING SUCH CELL|||||||||||
||ACTIVE PIXEL SENSOR CELL WITHINTEGRATING VARACTOR AND METHOD FORUSING SUCH CELL||||US 7,262,401 B2||2006/8/1||2007/8/28|||
|844|||美国|美国豪威|||||||2024/7/21|
||METHOD FOR CAPTURING A SEQUENCE OFIMAGES IN CLOSE SUCCESSION||||US 7,508,436 B2||2005/6/29||2009/3/24|||
|845|||美国|美国豪威|||||||2027/2/17|
||USE OF FREQUENCY TRANSFORM IN THEANALYSIS OF IMAGE SENSORS||||US 7,672,518 B2||2005/3/29||2010/3/2|||
|846|||美国|美国豪威|||||||2028/12/31|
||USE OF FREQUENCY TRANSFORMS IN THEANALYSIS OF IMAGE SENSORS||||US 7,672,519 B2||2005/7/13||2010/3/2|||
|847|||美国|美国豪威|||||||2028/6/21|
||PINNED-PHOTODIODE PIXEL WITH GLOBALSHUTTER||||US 7,361,877 B2||2006/3/30||2008/4/22|||
|848|||美国|美国豪威|||||||2026/4/26|
||SELECTIVE PIXEL BINNING AND AVERAGINGBASED ON SCENE ILLUMINANT||||US 8,306,362 B2||2005/7/20||2012/11/6|||
|849|||美国|美国豪威|||||||2028/1/15|
||ON-CHIP BLOCK BALANCING STRUCTURE ANDMETHOD FOR MULTIPLE OUTPUT IMAGESENSORS||||US 7,423,668 B2||2005/7/11||2008/9/9|||
|850|||美国|美国豪威|||||||2026/12/1|
||PROCESSING COLOR AND PANCHROMATICPIXELS||||US 8,274,715 B2||2005/7/28||2012/9/25|||
|851|||美国|美国豪威|||||||2027/6/17|
||PROCESSING COLOR AND PANCHROMATICPIXELS||||US 8,711,452 B2||2012/9/14||2014/4/29|||
|852|||美国|美国豪威|||||||2025/7/28|
||ASYMMETRICAL MICROLENSES ON PIXELARRAYS||||US 7,456,380 B2||2005/10/18||2008/11/25|||
|853|||美国|美国豪威|||||||2025/6/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CMOS IMAGE SENSOR PIXEL WITH SELECTABLEBINNING AND CONVERSION GAIN||||US 7,705,900 B2||2006/4/21||2010/4/27|||
|854|||美国|美国豪威|||||||2028/3/26|
||CMOS SHARED AMPLIFIER PIXELS WITH OUTPUTSIGNAL WIRE BELOW FLOATING DIFFUSIONINTERCONNECT FOR REDUCED FLOATINGDIFFUSION CAPACITANCE||||US 8,253,214 B2||2006/5/25||2012/8/28|||
|855|||美国|美国豪威|||||||2029/10/16|
||SHARED AMPLIFIER PIXEL WITH MATCHEDCOUPLING CAPACITANCES||||US 7,238,926 B2||2006/4/5||2007/7/3|||
|856|||美国|美国豪威|||||||2025/6/1|
||CMOS APS SHARED AMPLIFIER PIXEL WITHSYMMETRICAL FIELD EFFECT TRANSISTORPLACEMENT||||US 7,342,213 B2||2006/5/11||2008/3/11|||
|857|||美国|美国豪威|||||||2025/6/1|
||PIXEL ARRAY OUTPUT ROUTING STRUCTUREFOR MULTI-CHANNEL CMOS IMAGE SENSORS||||US 7,465,934 B2||2005/9/30||2008/12/16|||
|858|||美国|美国豪威|||||||2026/1/20|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 8,139,130 B2||2005/7/28||2012/3/20|||
|859|||美国|美国豪威|||||||2029/4/6|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 8,330,839 B2||2012/3/19||2012/12/11|||
|860|||美国|美国豪威|||||||2025/7/28|
|861|METHOD FORCORRECTING ECLIPSEOR DARKLE||美国|美国豪威|US 7,573,519 B2||2005/10/26||2009/8/11||2027/3/9|
||PROVIDING MULTIPLE VIDEO SIGNALS FROMSINGLE SENSOR||||US 8,031,258 B2||2006/10/4||2011/10/4|||
|862|||美国|美国豪威|||||||2029/5/12|
||PROVIDING MULTIPLE VIDEO SIGNALS FROMSINGLE SENSOR||||US 8,416,339 B2||2011/8/29||2013/4/9|||
|863|||美国|美国豪威|||||||2026/10/4|
|864|METHOD FOR DETECTING STREAKS IN DIGITAL||美国|美国豪威|US 7,508,994 B2||2005/12/5||2009/3/24||2027/2/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||IMAGES|||||||||||
||PHOTODETECTOR AND N-LAYER STRUCTUREFOR IMPROVED COLLECTION EFFICIENCY||||US 7,875,916 B2||2006/6/15||2011/1/25|||
|865|||美国|美国豪威|||||||2028/10/13|
||EXTENDED DYNAMIC RANGE USING VARIABLESENSITIVITY PIXELS||||US 7,674,648 B2||2007/3/21||2010/3/9|||
|866|||美国|美国豪威|||||||2027/3/21|
||DELAY MANAGEMENT CIRCUIT FOR READINGOUT LARGE S/H ARRAYS||||US 7,593,050 B2||2006/2/27||2009/9/22|||
|867|||美国|美国豪威|||||||2027/10/8|
||PMOS PIXEL STRUCTURE WITH LOW CROSSTALK FOR ACTIVE PIXEL IMAGE SENSORS||||US 7,728,277 B2||2006/6/20||2010/6/1|||
|868|||美国|美国豪威|||||||2026/6/20|
||ULTRA-SMALL CMOS IMAGE SENSOR PIXELUSING A PHOTODIODE POTENTIAL TECHNIQUE||||US 7,382,008 B2||2006/5/2||2008/6/3|||
|869|||美国|美国豪威|||||||2026/5/2|
||PIXEL ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER USINGA RAMPED TRANSFER GATE CLOCK||||US 7,652,706 B2||2006/2/15||2010/1/26|||
|870|||美国|美国豪威|||||||2027/7/25|
||INTERPOLATION OF PANCHROMATIC ANDCOLOR PIXELS||||US 7,830,430 B2||2006/1/27||2010/11/9|||
|871|||美国|美国豪威|||||||2029/9/11|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 7,688,368 B2||2006/1/27||2010/3/30|||
|872|||美国|美国豪威|||||||2029/1/3|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 7,916,362 B2||2006/5/22||2011/3/29|||
|873|||美国|美国豪威|||||||2029/7/28|
||IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHTSENSITIVITY||||US 8,194,296 B2||2011/3/10||2012/6/5|||
|874|||美国|美国豪威|||||||2026/5/22|
|875|AUTOFOCUSING STILL AND VIDEO IMAGES||美国|美国豪威|US 7,561,789 B2||2006/6/29||2009/7/14||2027/7/10|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CCD WITH IMPROVED SUBSTRATE VOLTAGESETTING CIRCUIT||||US 7,508,432 B2||2006/7/19||2009/3/24|||
|876|||美国|美国豪威|||||||2027/10/2|
||ISOLATION METHOD FOR LOW DARK CURRENTIMAGER||||US 7,521,278 B2||2006/10/17||2009/4/21|||
|877|||美国|美国豪威|||||||2027/10/19|
||WIDE-RANGE LINEAR OUTPUT PHOTO SENSORCIRCUIT||||US 7,420,152 B2||2006/9/7||2008/9/2|||
|878|||美国|美国豪威|||||||2026/11/19|
|879|LIGHT SENSITIVITY IN IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 7,893,976 B2||2006/12/1||2011/2/22||2029/12/22|
||PROCESSING IMAGES HAVING COLOR ANDPANCHROMATIC PIXELS||||US 7,769,229 B2||2006/11/30||2010/8/3|||
|880|||美国|美国豪威|||||||2029/6/3|
|881|IMAGE SENSOR PIXEL WITH GAIN CONTROL||美国|美国豪威|US 8,159,585 B2||2007/5/1||2012/4/17||2029/7/14|
|882|IMAGE SENSOR PIXEL WITH GAIN CONTROL||美国|美国豪威|US 8,717,476 B2||2012/3/12||2014/5/6||2027/5/1|
||REDUCED PIXEL AREA IMAGE SENSOR||||US 7,915, 702B2||2007/3/15||2011/3/29|||
|883|||美国|美国豪威|||||||2029/2/28|
|884|REDUCED PIXEL AREA IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,294,187 B2||2011/1/26||2012/10/23||2027/3/16|
||ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING A SENSORWAFER CONNECTED TO A SUPPORT CIRCUITWAFER||||US 8,049,256 B2||2007/10/4||2011/11/1|||
|885|||美国|美国豪威|||||||2026/10/5|
|886|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||美国|美国豪威|US 8,558,292 B2||2010/6/11||2013/10/15||2027/7/31|
|887|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||美国|美国豪威|US 8,178,938 B2||2011/3/18||2012/5/15||2027/10/4|
||TWO EPITAXIAL LAYERS TO REDUCECROSSTALK IN AN IMAGE SENSOR||||US 7,776,638 B2||2008/10/8||2010/8/17|||
|888|||美国|美国豪威|||||||2027/3/15|
|889|NOISE REDUCTION OF PANCHROMATIC AND||美国|美国豪威|US 7,876,956 B2||2006/11/10||2011/1/25||2029/11/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||COLOR IMAGE|||||||||||
|890|PRODUCING LOW RESOLUTION IMAGES||美国|美国豪威|US 7,769,230 B2||2006/11/30||2010/8/3||2029/6/3|
||SOLID IMAGE CAPTURING DEVICE, LENS UNITAND IMAGE CAPTURING APPARATUSINCLUDING AN OPTICAL MASK FOR STORINGCHARACTERISTIC DATA||||US 6,980,241 B2||2001/3/23||2005/12/27|||
|891|||美国|美国豪威|||||||2023/7/26|
||METHOD OF SHARPENING USINGPANCHROMATIC PIXELS||||US 7,769,241 B2||2007/1/9||2010/8/3|||
|892|||美国|美国豪威|||||||2029/6/4|
||SILICIDE STRAPPING IN IMAGER TRANSFERGATE DEVICE|||美国豪威|US 7,675,097 B2||2006/12/1||2010/3/9|||
|||||/International||||||||
|893|||美国|Business|||||||2028/1/8|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
||METHODS OF FORMING SILICIDE STRAPPING INIMAGER TRANSFER GATE DEVICE|||美国豪威|US 8,158,453 B2||2010/2/3||2012/4/17|||
|||||/International||||||||
|894|||美国|Business|||||||2030/7/15|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
|895|EDGE MAPPING USING PANCHROMATIC PIXELS||美国|美国豪威|US 7,844,127 B2||2007/3/30||2010/11/30||2029/7/1|
||MULTIPLE COMPONENT READOUT OF IMAGESENSOR||||US 7,855,740 B2||2007/7/20||2010/12/21|||
|896|||美国|美国豪威|||||||2029/6/14|
||EDGE MAPPING INCORPORATINGPANCHROMATIC PIXELS||||US 8,594,451 B2||2007/3/30||2013/11/26|||
|897|||美国|美国豪威|||||||2030/8/8|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DETERMINING AND CORRECTING FOR IMAGINGDEVICE MOTION DURING AN EXPOSURE||||US 8,896,712 B2||2007/7/20||2014/11/25|||
|898|||美国|美国豪威|||||||2029/12/21|
||MICRO-ELECTROMECHANICAL MICROSHUTTERARRAY||||US 7,684,101 B2||2007/10/11||2010/3/23|||
|899|||美国|美国豪威|||||||2028/3/27|
||MICRO-ELECTROMECHANICAL MICROSHUTTERARRAY||||US 8,077,372 B2||2010/1/21||2011/12/13|||
|900|||美国|美国豪威|||||||2027/10/11|
||NOISE REDUCED COLOR IMAGE USINGPANCHROMATIC IMAGE||||US 7,889,921 B2||2007/5/23||2011/2/15|||
|901|||美国|美国豪威|||||||2029/11/23|
||NOISE REDUCED COLOR IMAGE USINGPANCHROMATIC IMAGE||||US 8,224,085 B2||2011/1/3||2012/7/17|||
|902|||美国|美国豪威|||||||2027/5/23|
||HIGH GAIN READ CIRCUIT FOR 3D INTEGRATEDPIXEL||||US 7,965,329 B2||2008/9/9||2011/6/21|||
|903|||美国|美国豪威|||||||2029/9/30|
|904|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||美国|美国豪威|US 7,858,915 B2||2008/3/31||2010/12/28||2029/5/3|
||MULTIPLE IMAGE SENSOR SYSTEM WITHSHARED PROCESSING||||US 7,969,469 B2||2007/11/30||2011/6/28|||
|905|||美国|美国豪威|||||||2029/6/4|
||SAMPLING AND READOUT OF AN IMAGESENSOR HAVING A SPARSE COLOR FILTERARRAY PATTERN||||US 7,999,870 B2||2008/2/1||2011/8/16|||
|906|||美国|美国豪威|||||||2030/3/15|
|907|BACK-ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS||美国|美国豪威|US 8,618,458 B2||2008/11/7||2013/12/31||2031/1/18|
||STACKED IMAGE SENSOR WITH SHAREDDIFFUSION REGIONS IN RESPECTIVE DROPPEDPIXEL POSITIONS OF A PIXEL ARRAY||||US 7,781,716 B2||2008/3/17||2010/8/24|||
|908|||美国|美国豪威|||||||2028/8/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||CONCENTRIC EXPOSURE SEQUENCE FOR IMAGESENSOR||||US 8,164,651 B2||2008/4/29||2012/4/24|||
|909|||美国|美国豪威|||||||2030/2/15|
||METHOD FOR FORMING AN IMPROVED IMAGEUSING IMAGES WITH DIFFERENT RESOLUTIONS||||US 8,130,278 B2||2008/8/1||2012/3/6|||
|910|||美国|美国豪威|||||||2030/2/11|
|911|EXTENDED DEPTH OF FIELD FOR IMAGE SENSOR||美国|美国豪威|US 8,587,681 B2||2008/11/21||2013/11/19||2030/7/15|
||IMAGE SENSOR WITH RAISED PHOTOSENSITIVEELEMENTS||||US 8,211,732 B2||2008/9/11||2012/7/3|||
|912|||美国|美国豪威|||||||2029/9/21|
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSINGLAYERS||||US 8,471,939 B2||2008/8/1||2013/6/25|||
|913|||美国|美国豪威|||||||2030/8/5|
||BACK ILLUMINATED SENSOR WITH LOWCROSSTALK||||US 7,838,956 B2||2008/12/17||2010/11/23|||
|914|||美国|美国豪威|||||||2029/2/13|
||IMAGE SENSORS WITH IMPROVED ANGLERESPONSE||||US 8,350,952 B2||2008/6/4||2013/1/8|||
|915|||美国|美国豪威|||||||2030/1/8|
||ANALOG MULTIPLEXER CONFIGURED TOREDUCE KICKBACK PERTURBATION IN IMAGESENSOR READOUT||||US 8,184,184 B2||2008/12/8||2012/5/22|||
|916|||美国|美国豪威|||||||2031/1/18|
||COLOR FILTER ARRAY ALIGNMENT MARKFORMATION IN BACKSIDE ILLUMINATED IMAGESENSORS||||US 8,017,426 B2||2008/7/9||2011/9/13|||
|917|||美国|美国豪威|||||||2029/7/12|
||WAFER LEVEL PROCESSING FOR BACKSIDEILLUMINATED SENSORS||||US 7,859,033 B2||2008/7/9||2010/12/28|||
|918|||美国|美国豪威|||||||2020/11/26|
||WAFER LEVEL PROCESSING FOR BACKSIDEILLUMINATED SENSORS||||US 8,119,435 B2||2010/11/5||2012/2/21|||
|919|||美国|美国豪威|||||||2028/7/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BAKCSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORWITHSHALLOW BACKSIDE TRENCH FOR PHOTODIODEISOLATION||||US 8,076,170 B2||2010/11/11||2011/12/13|||
|920|||美国|美国豪威|||||||2028/7/9|
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHREDUCED DARK CURRENT||||US 7,915,067 B2||2008/7/9||2011/3/29|||
|921|||美国|美国豪威|||||||2028/8/28|
||IMAGE SENSORS HAVING GRATINGS FOR COLORSEPARATION||||US 8,400,537 B2||2008/11/13||2013/3/19|||
|922|||美国|美国豪威|||||||2030/1/6|
||IMAGE SENSOR WITH CONTROLLABLETRANSFER GATE OFF STATE VOLTAGE LEVELS||||US 8,174,601 B2||2008/12/19||2012/5/8|||
|923|||美国|美国豪威|||||||2030/10/22|
||IMAGE SENSOR HAVING REDUCED WELLBOUNCE||||US 7,807,955 B2||2008/5/30||2010/10/5|||
|924|||美国|美国豪威|||||||2028/10/27|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSORINCLUDING POLARIZER AND MICROLENS||||US 7,964,840 B2||2008/6/19||2011/6/21|||
|925|||美国|美国豪威|||||||2029/1/14|
||PROGRAMMABLEMICRO-ELECTROMECHANICAL MICROSHUTTERARRAY||||US 8,194,178 B2||2009/11/12||2012/6/5|||
|926|||美国|美国豪威|||||||2030/7/23|
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSINGLAYERS||||US 8,054,355 B2||2008/10/16||2011/11/8|||
|927|||美国|美国豪威|||||||2030/4/24|
|928|WIDE APERTURE IMAGE SENSOR PIXEL||美国|美国豪威|US 8,035,716 B2||2008/6/13||2011/10/11||2030/2/22|
||IN-PIXEL SUMMING OF CHARGE GENERATED BYTWO OR MORE PIXELS HAVING TWO RESETTRANSISTORS CONNECTED IN SERIES||||US 7,777,171 B2||2008/8/26||2010/8/17|||
|929|||美国|美国豪威|||||||2028/8/26|
|930|IMAGE SENSORS HAVING NON-UNIFORM LIGHT||美国|美国豪威|US 8,059,180 B2||2008/11/25||2011/11/15||2030/2/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||SHIELDS|||||||||||
||ELIMINATION OF GLOWING ARTIFACT INDIGITAL IMAGES CAPTURED BY AN IMAGESENSOR||||US 8,022,452 B2||2008/12/12||2011/9/20|||
|931|||美国|美国豪威|||||||2029/7/21|
||DEFECTIVE COLOR AND PANCHROMATIC CFAIMAGE||||US 8,111,307 B2||2008/10/25||2012/2/7|||
|932|||美国|美国豪威|||||||2030/5/13|
|933|DITHERED FOCUS EVALUATION||美国|美国豪威|US 8,164,682 B2||2008/10/14||2012/4/24||2030/11/16|
||MODIFYING COLOR AND PANCHROMATICCHANNEL CFA IMAGE||||US 8,073,246 B2||2008/11/7||2011/12/6|||
|934|||美国|美国豪威|||||||2030/7/12|
||EXPOSING PIXEL GROUPS IN PRODUCINGDIGITAL IMAGES||||US 8,218,068 B2||2009/4/1||2012/7/10|||
|935|||美国|美国豪威|||||||2030/12/5|
||EXPOSING PIXEL GROUPS IN PRODUCINGDIGITAL IMAGES||||US 8,355,074 B2||2012/7/3||2013/1/15|||
|936|||美国|美国豪威|||||||2029/4/1|
||CFA IMAGE WITH SYNTHETIC PANCHROMATICIMAGE||||US 8,224,082 B2||2009/3/10||2012/7/17|||
|937|||美国|美国豪威|||||||2031/5/6|
||PRODUCING FULL-COLOR IMAGE USING CFAIMAGE||||US 8,068,153 B2||2009/3/27||2011/11/29|||
|938|||美国|美国豪威|||||||2030/2/16|
||PRODUCING FULL-COLOR IMAGE WITHREDUCED MOTION BLUR||||US 8,045,024 B2||2009/4/15||2011/10/25|||
|939|||美国|美国豪威|||||||2030/3/13|
||COLUMN OUTPUT CIRCUITS FOR IMAGESENSORS||||US 8,411,184 B2||2009/12/22||2013/4/2|||
|940|||美国|美国豪威|||||||2030/10/5|
|941|BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSORS HAVING||美国|美国豪威|US 8,018,016 B2||2009/6/26||2011/9/13||2029/6/26|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||BOTH FRONTSIDE AND BACKSIDEPHOTODETECTORS|||||||||||
||IMAGE SENSOR WITH WELL BOUNCECORRECTION||||US 8,106,427 B2||2009/12/21||2012/1/31|||
|942|||美国|美国豪威|||||||2030/7/21|
||FOUR-CHANNEL COLOR FILTER ARRAYPATTERN||||US 8,203,633 B2||2009/5/27||2012/6/19|||
|943|||美国|美国豪威|||||||2035/11/24|
||FOUR-CHANNEL COLOR FILTER ARRAYINTERPOLATION||||US 8,237,831 B2||2009/5/28||2012/8/7|||
|944|||美国|美国豪威|||||||2029/11/30|
||COLOR FILTER ARRAY PATTERN HAVINGFOUR-CHANNELS||||US 8,125,546 B2||2009/6/5||2012/2/28|||
|945|||美国|美国豪威|||||||2030/4/17|
||INTERPOLATION FOR FOUR-CHANNEL COLORFILTER ARRAY||||US 8,253,832 B2||2009/6/9||2012/8/28|||
|946|||美国|美国豪威|||||||2030/10/16|
||BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSORS HAVINGBOTH FRONTSIDE AND BACKSIDEPHOTODETECTORS||||US 8,076,746 B2||2009/6/26||2011/12/13|||
|947|||美国|美国豪威|||||||2029/11/18|
||SUSPENDING COLUMN READOUT IN IMAGESENSORS||||US 8,525,910 B2||2010/11/23||2013/9/3|||
|948|||美国|美国豪威|||||||2031/5/16|
||GENERATING COLUMN OFFSET CORRECTIONSFOR IMAGE SENSORS||||US 8,269,864 B2||2009/12/31||2012/9/18|||
|949|||美国|美国豪威|||||||2030/11/20|
||GENERATING COLUMN OFFSET CORRECTIONSFOR IMAGE SENSORS||||US 8,228,403 B2||2009/12/31||2012/7/24|||
|950|||美国|美国豪威|||||||2030/10/7|
||METHOD FOR FORMING DEEP ISOLATION INIMAGERS||||US 8,048,711 B2||2010/11/9||2011/11/1|||
|951|||美国|美国豪威|||||||2029/12/30|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|952|IMAGE SENSOR WITH DOPED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 9,000,500 B2||2010/11/9||2015/4/7||2031/10/22|
|953|IMAGE SENSOR WITH DOPED TRANSFER GATE||美国|美国豪威|US 9,431,456 B2||2015/2/10||2016/8/30||2035/2/10|
||WAFER STRUCTURE TO REDUCE DARKCURRENT||||US 8,173,535 B2||2009/12/21||2012/5/8|||
|954|||美国|美国豪威|||||||2030/6/30|
||PAUSING COLUMN READOUT IN IMAGESENSORS||||US 8,659,694 B2||2010/11/24||2014/2/25|||
|955|||美国|美国豪威|||||||2032/7/8|
||GENERATING COLUMN OFFSET CORRECTIONSFOR IMAGE SENSORS||||US 8,199,225 B2||2009/12/31||2012/6/12|||
|956|||美国|美国豪威|||||||2030/10/24|
||ISOLATING WIRE BONDING IN INTEGRATEDELECTRICAL COMPONENTS||||US 8,318,580 B2||2010/4/29||2012/11/27|||
|957|||美国|美国豪威|||||||2031/1/16|
||ISOLATED WIRE BOND IN INTEGRATEDELECTRICAL COMPONENTS||||US 8,748,946 B2||2010/4/29||2014/6/10|||
|958|||美国|美国豪威|||||||2031/11/16|
||PHOTODETECTOR ISOLATION IN IMAGESENSORS||||US 8,378,398 B2||2010/12/13||2013/2/19|||
|959|||美国|美国豪威|||||||2031/3/29|
||PHOTODETECTOR ISOLATION IN IMAGESENSORS||||US 8,101,450 B1||2010/12/13||2012/1/24|||
|960|||美国|美国豪威|||||||2030/12/13|
||IMAGE SENSOR WITH CHARGE MULTIPLICATIONOUTPUT CHANNEL AND CHARGE SENSINGOUTPUT CHANNEL||||US 8,395,689 B2||2010/12/20||2013/3/12|||
|961|||美国|美国豪威|||||||2031/10/28|
||METHOD FOR PROCESSING AN IMAGECAPTURED BY AN IMAGE SENSOR HAVING ACHARGE MULTIPLICATION OUTPUT CHANNELAND A CHARGE SENSING OUTPUT CHANNEL||||US 8,643,758 B2||2010/12/20||2014/2/4|||
|962|||美国|美国豪威|||||||2032/2/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD FOR PRODUCING AN IMAGE SENSORWITH CHARGE MULTIPLICATION OUTPUTCHANNEL AND CHARGE SENSING OUTPUTCHANNEL||||US 8,601,674 B2||2010/12/20||2013/12/10|||
|963|||美国|美国豪威|||||||2031/10/27|
||SUSPENDING COLUMN ADDRESSING IN IMAGESENSORS||||US 8,384,813 B2||2010/12/20||2013/2/26|||
|964|||美国|美国豪威|||||||2031/4/21|
||IMAGE SENSOR HAVING INTEGRATED THINFILM INFRARED FILTER|||豪威国际控|US 6,818,962 B2||2002/10/25||2004/11/16|||
|965|||美国||||||||2023/4/18|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING INTEGRATED THINFILM INFRARED FILTER|||豪威国际控|US 7,388,242 B2||2004/8/19||2008/6/17|||
|966|||美国||||||||2024/9/1|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING COMBINATION COLORFILTER AND CONCAVE-SHAPED MICRO-LENSES|||豪威国际控|US 6,737,719 B1||2002/10/25||2004/5/18|||
|967|||美国||||||||2022/12/30|
|||||股||||||||
||METHOD OF FORMING PLANAR COLOR FILTERSIN AN IMAGE SENSOR|||豪威国际控|US 6,699,729 B1||2002/10/25||2004/3/2|||
|968|||美国||||||||2022/10/25|
|||||股||||||||
||METHOD FOR MAKING AND PACKAGING IMAGESENSOR DIE USING PROTECTIVE COATING|||豪威国际控|US 6,808,960 B2||2002/10/25||2004/10/26|||
|969|||美国||||||||2022/12/19|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENSES WITHINTEGRATED COLOR FILTER AND METHOD OFMAKING||||US 6,861,280 B2||2002/10/25||2005/3/1|||
|||||豪威国际控||||||||
|970|||美国||||||||2022/10/25|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING LARGE MICRO-LENSESAT THE PERIPHERAL REGIONS|||豪威国际控|US 6,638,786 B2||2002/10/25||2003/10/28|||
|971|||美国||||||||2032/8/25|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING REDUCED STRESSCOLOR FILTERS AND METHOD OF MAKING|||豪威国际控|US 6,800,838 B2||2002/10/25||2004/10/5|||
|972|||美国||||||||2023/5/15|
|||||股||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||DUMMY PATTERN FOR IMPROVING MICRO-LENSFORMATION IN AN IMAGE SENSOR|||豪威国际控|US 6,608,358 B1||2002/10/25||2003/8/19|||
|973|||美国||||||||2022/10/25|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH RIDGE STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 8,031,253 B2||2003/6/24||2011/10/4|||
|||||豪威国际控||||||||
|974|||美国||||||||2028/1/23|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH TRENCH STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 6,818,934 B1||2003/6/24||2004/11/16|||
|||||豪威国际控||||||||
|975|||美国||||||||2023/6/24|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH TRENCH STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 6,911,684 B2||2004/8/13||2005/6/28|||
|||||豪威国际控||||||||
|976|||美国||||||||2023/6/24|
|||||股||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING MICRO-LENS ARRAYSEPARATED WITH TRENCH STRUCTURES ANDMETHOD OF MAKING||||US 6,933,167 B2||2004/9/13||2005/8/23|||
|||||豪威国际控||||||||
|977|||美国||||||||2023/6/24|
|||||股||||||||
||ACCURACY ON-CHIP CLOCK GENERATOR FORMULTI-CLOCK DRIVEN SINGLE CHIP SOLUTION|||豪威国际控|US 7,961,040 B2||2008/8/22||2011-06-14`|||
|978|||美国||||||||2029/6/30|
|||||股||||||||
||METHODS OF FABRICATING SELF-ALIGNEDMETAL LAYER STRUCTURE AND OPTIC|||上海豪威光|US 9,359,684 B2||2014/7/31||2016/6/7|||
|979|||美国||||||||2034/7/31|
|||||电子||||||||
||HIGH LINEARITY UP-CONVERSION MIXER|||豪威科技（上|US 8,482,335 B2||2012/8/27||2013/7/9|||
|980|||美国||||||||2032/8/27|
|||||海）||||||||
||SIGNAL DEMODULATION METHOD|||豪威科技（上|US 8,699,629 B2||2012/8/27||2014/4/15|||
|981|||美国||||||||2032/8/27|
|||||海）||||||||
|982|CARRIER FREQUENCY ACQUISITION METHOD||美国|豪威科技（上|US 9,013,973 B2||2012/8/27||2015/4/21||2032/11/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||AND APPARATUS|||海）||||||||
||LOW COMPLEXITY GENERAL SAMPLINGRECOVERY METHOD AND APPARATUS|||豪威科技（上|US 8,582,676 B1||2012/8/27||2013/11/12|||
|983|||美国||||||||2032/8/27|
|||||海）||||||||
||SD/SDIO HOST CONTROLLER|||豪威科技（上|US 8,775,693 B2||2012/8/28||2014/7/8|||
|984|||美国||||||||2032/10/4|
|||||海）||||||||
||METHOD AND APPARATUS FOR CHANNELESTIMATION|||豪威科技（上|US 8,750,436 B2||2012/8/28||2014/6/10|||
|985|||美国||||||||2032/8/28|
|||||海）||||||||
||METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FORCARRIER FREQUENCY OFFSET ESTIMATION|||豪威科技（上|US 8,798,210 B2||2012/8/28||2014/8/5|||
|986|||美国||||||||2033/3/8|
|||||海）||||||||
||LOW-COMPLEXITY CHANNEL NOISE REDUCTIONMETHOD AND APPARATUS FOR MULTI-CARRIERMODE IN WIRELESS LANS||||US 8,565,295 B1||2012/8/28||2013/10/22|||
|||||豪威科技（上||||||||
|987|||美国||||||||2032/8/28|
|||||海）||||||||
||HOUSING FOR WAFER-LEVEL CAMERA MODULE|||豪威科技（上|US 9,030,604 B2||2013/9/11||2015/5/12|||
|988|||美国||||||||2033/9/11|
|||||海）||||||||
||PLASTIC IMAGE SENSOR PACKAGING FORIMAGE SENSORS||||US 7,915,717 B2||2008/8/18||2011/3/29|||
|989|||美国|美国豪威|||||||2029/1/22|
||METHOD AND SYSTEM FOR STILL IMAGEENCODING AND RANDOM ACCESS DECODING|||豪威科技（上|US 9,326,000 B2||2014/7/2||2016/4/26|||
|990|||美国||||||||2034/7/24|
|||||海）||||||||
||WAFER LEVEL BONDING METHOD FORFABRICATING WAFER LEVEL CAMERA LENSES|||豪威科技（上|US 8,822,258 B2||2013/4/18||2014/9/2|||
|991|||美国||||||||2033/4/18|
|||||海）||||||||
||LCOS PANEL AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME|||豪威科技（上|US 9,229,280 B2||2013/4/18||2016/1/5|||
|992|||美国||||||||2033/12/21|
|||||海）||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTORSTRUCTURE|||豪威科技（上|US 9,202,841 B1||2014/9/18||2015/12/1|||
|993|||美国||||||||2034/9/18|
|||||海）||||||||
||BACK-ILLUMINATED SENSOR CHIPS|||豪威科技（上|US 9,553,123 B2||2016/4/20||2017/1/24|||
|994|||美国||||||||2036/4/20|
|||||海）||||||||
||CMOS IMAGE SENSOR WITH REDUCED CROSSTALK||||US 9,923,024 B1||2017/5/26||2018/3/20|||
|995|||美国|美国豪威|||||||2037/5/26|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING ENHANCEDNEAR INFRARED QUANTUM EFFICIENCY||||US 9,991,309 B1||2017/7/5||2018/6/5|||
|996|||美国|美国豪威|||||||2037/7/5|
|997|STORAGE GATE PROTECTION||美国|美国豪威|US 9,859,311 B1||2016/11/28||2018/1/2||2036/11/28|
||WAFER LEVEL IMAGE MODULE|||VisEra|US 7,592,680 B2||2006/9/28||2009/9/22|||
|||||Technologies||||||||
|998|||美国|Company|||||||2026/9/28|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||METHOD FOR MAKING WAFER LEVEL IMAGEMODULE|||VisEra|US 8,524,521 B2||2009/8/11||2013/9/3|||
|||||Technologies||||||||
|999|||美国|Company|||||||2027/11/8|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||IMAGE SENSING DEVICE AND MANUFACTUREMETHOD THEREOF|||Visera|US 8,143,084 B2||2009/1/20||2012/3/27|||
|||||Technologies||||||||
|1000|||美国||||||||2029/10/30|
|||||Company||||||||
|||||Ltd., 美国豪||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||威||||||||
||IMAGE SENSING DEVICE AND MANUFACTUREMETHOD THEREOF|||Visera|US 8,507,936 B2||2012/2/14||2013/8/13|||
|||||Technologies||||||||
|1001|||美国|Company|||||||2029/1/20|
|||||Ltd., 美国豪||||||||
|||||威||||||||
||IMAGE SENSOR MODULE HAVING PRECISEIMAGE-PROJECTION CONTROL|||VisEra|US 7,703,997 B2||2007/1/16||2010/4/27|||
|||||Technologies||||||||
|1002|||美国|Company|||||||2028/6/15|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||OPTOELECTRONIC DEVICE CHIP HAVING ACOMPOSITE SPACER STRUCTURE AND METHODMAKING SAME|||VisEra|US 7,433,555 B2||2006/5/22||2008/10/7|||
|||||Technologies||||||||
|1003|||美国|Company|||||||2026/9/4|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||OPTOELECTRONIC DEVICE CHIP HAVING ACOMPOSITE SPACER STRUCTURE AND METHODMAKING SAME|||VisEra|US 7,860,357 B2||2008/8/9||2010/12/28|||
|||||Technologies||||||||
|1004|||美国|Company|||||||2026/6/7|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||ASPHERIC LENS STRUCTURES ANDFABRICATION METHODS THEREOF|||VisEra|US 7,826,148 B2||2007/2/15||2010/11/2|||
|1005|||美国||||||||2028/8/11|
|||||Technologies||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|||||Company||||||||
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||OPTICAL MICROSTRUCTURE PLATE ANDFABRICATION MOLD THEREOF|||VisEra|US 7,796,337 B2||2007/3/13||2010/9/14|||
|||||Technologies||||||||
|1006|||美国|Company|||||||2029/1/22|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSORDEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF|||VisEra|US 7,679,167 B2||2007/2/16||2010/3/16|||
|||||Technologies||||||||
|1007|||美国|Company|||||||2027/9/9|
|||||Limited, 美国||||||||
|||||豪威||||||||
||DISPLAY SYSTEM AND METHOD SUPPORTINGVARIABLE INPUT RATE AND RESOLUTION||||US 9,997,141 B2||2016/9/13||2018/6/12|||
|1008|||美国|美国豪威|||||||2036/9/13|
|1009|IMAGE SENSOR FAILURE DETECTION||美国|美国豪威|US 9,998,700 B1||2016/12/5||2018/6/12||2037/1/11|
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS HAVINGIMPROVED ALIGNMENT AND ASSOCIATEDMETHODS||||US 10,002,215||2016/8/15||2018/6/19|||
|1010|||美国|美国豪威|||||||2026/4/17|
||CIRCUITRY AND METHOD FOR READOUT OFHYBRID-BONDED IMAGE SENSORS||||US 9,998,698 B1||2017/2/1||2018/6/12|||
|1011|||美国|美国豪威|||||||2037/2/1|
||IMAGE SENSOR FLOATING DIFFUSIONBOOSTING BY TRANSFER GATES||||US 9,998,696 B2||2016/7/21||2018/6/12|||
|1012|||美国|美国豪威|||||||2036/10/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/地区|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||METHOD AND SYSTEM FOR REDUCING NOISE INAN IMAGE SENSOR USING A PARALLEL MULTIRAMPS MERGED COMPARATOR ANALOG TODIGITAL CONVERTER||||US 10,015,429||2016/1/11||2018/7/3|||
|1013|||美国|美国豪威|||||||2036/1/13|
||MOBILE COMPUTING DEVICE HAVINGVIDEO-IN-VIDEO REAL-TIME BROADCASTINGCAPABILITY||||US 10,021,431||2013/1/4||2018/7/10|||
|1014|||美国|美国豪威|||||||2034/5/16|
||IMAGE SENSOR WITH ASYMMETRIC-MICROLENSPHASE-DECTECTION AUTO-FOCUS (PDAF)DETECTORS, ASSOCIATED PDAF IMAGINGSYSTEM AND ASSOICATED METHOD||||US 10,015,389||2016/9/22||2018/7/3|||
|1015|||美国|美国豪威|||||||2036/9/12|
||IMAGE SENSOR WITH FAST INTRA-FRAMEFOCUS||||US 10,015,388||2016/9/2||2018/7/3|||
|1016|||美国|美国豪威|||||||2033/3/8|
|1017|SHORT-RESISTANT CHIP-SCALE PACKAGE||美国|美国豪威|US10,020,335||2016/9/9||2018/7/10||2036/9/9|

（二）在欧洲拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/地区|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||CMOS image sensor having integrated universal serialbus (USB) transceiver||||EP1146559||2000/12/13||2006/3/8|||
|1|||法国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Cmos image sensor having integrated universal serial bus(usb) transceiver||||EP1146559||2000/12/13||2006/3/8|||
|2|||英国|美国豪威|||||||2020/12/13|
|3|CMOS image sensor having integrated universal serial||德国|美国豪威|60026473.4||2000/12/13||2006/3/8||2020/12/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||bus (USB) transceiver|||||||||||
|4|System and method for data planarization||德国|美国豪威|69842187.6||1998/11/13||2011/3/16||2018/11/13|
|5|System and Method for Data Planarization||法国|美国豪威|EP1031132||1998/11/13||2011/3/16||2018/11/13|
|6|System and method for data planarization||英国|美国豪威|EP1031132||1998/11/13||2011/3/16||2018/11/13|
||Display with multiplexed pixels for achieving modulationbetween saturation and theshold voltages||||69942147||1999/5/7||2010/3/17|||
|7|||德国|美国豪威|||||||2019/5/7|
||Display with multiplexed pixels for achieving modulationbetween saturation and theshold voltages||||EP1082718||1999/5/7||2010/3/17|||
|8|||法国|美国豪威|||||||2019/5/7|
||Display With Multiplexed Pixels for AchievingModulation Between Saturation and Threshold Voltages||||EP1082718||1999/5/7||2010/3/17|||
|9|||英国|美国豪威|||||||2019/5/7|
|10|Method for Modulating A Multiplexed Pixel Display||德国|美国豪威|69941706.6||1999/5/7||2009/11/25||2019/5/7|
|11|Method For Modulating A Multiplexed Pixel Display||法国|美国豪威|EP1093654||1999/5/7||2009/11/25||2019/5/7|
|12|Method For Modulating A Multiplexed Pixel Display||英国|美国豪威|EP1093654||1999/5/7||2009/11/25||2019/5/7|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||602486677.7||2002/9/10||2017/2/22|||
|13|||德国|美国豪威|||||||2022/9/10|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309007||2002/9/10||2017/2/22|||
|14|||瑞士|美国豪威|||||||2022/9/10|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309007||2002/9/10||2017/2/22|||
|15|||英国|美国豪威|||||||2022/9/10|
||Active pixel having reduced dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309007||2002/9/10||2017/2/22|||
|16|||法国|美国豪威|||||||2022/9/10|
|17|Method and apparatus for determining relative movement||法国|美国豪威|EP1308879||2002/11/5||2007/2/28||2022/11/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||in an optical mouse|||||||||||
||Method and apparatus for determining relative movementin an optical mouse||||60218399.5||2002/11/5||2007/2/28|||
|18|||德国|美国豪威|||||||2022/11/5|
||Method and apparatus for determining relative movementin an optical mouse||||EP1308879||2002/11/5||2007/2/28|||
|19|||英国|美国豪威|||||||2022/11/5|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|20|||英国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|21|||芬兰|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||60317472.8||2003/2/27||2007/11/14|||
|22|||德国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|23|||法国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems|||美国豪威|EP1478966||2003/2/27||2007/11/14|||
|24|||瑞典||||||||2023/2/27|
|||||CDM||||||||
||Optical Imaging Systems and Methods Utilizing NonLinear and-or Spatially Varying Image Processing||||EP2008242||2007/4/3||2011/6/8|||
|25|||法国|美国豪威|||||||2027/4/3|
||Optical Imaging Systems and Methods Utilizing NonLinear and-or Spatially Varying Image Processing||||6.02007E+11||2007/4/3||2011/6/8|||
|26|||德国|美国豪威|||||||2027/4/3|
||Optical Imaging Systems and Methods Utilizing NonLinear and-or Spatially Varying Image Processing|||美国豪威|EP2008242||2007/4/3||2011/6/8|||
|27|||英国||||||||2027/4/3|
|||||CDM||||||||
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1923731||2003/2/27||2012/5/16|||
|28|||英国|美国豪威|||||||2023/2/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||EP1923731||2003/2/27||2012/5/16|||
|29|||法国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Optimized Image Processing for Wavefront CodedImaging Systems||||60340967.9||2003/2/27||2012/5/16|||
|30|||德国|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Method and apparatus for printing photographs fromdigital images using existing DPE mini labs||||EP1413920||2003/10/10||2008/5/14|||
|31|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/10|
||Method and apparatus for printing photographs fromdigital images using existing DPE mini labs||||60320916.5||2003/10/10||2008/5/14|||
|32|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/10|
|33|Zoom Lens Systems with WaveFront Coding||英国|美国豪威|EP1996970||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|34|Zoom Lens Systems with Wave Front Coding||法国|美国豪威|EP1996970||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|35|Zoom Lens Systems with Wave Front Coding||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|36|Zoom Lens Systems with Wave Front Coding||瑞士|美国豪威|EP1996970||2007/3/6||2014/1/1||2027/3/6|
|37|Task Based Imaging Systems||英国|美国豪威|EP2328006||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|38|Task Based Imaging Systems||瑞士|美国豪威|EP2328006||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|39|Task Based Imaging Systems||法国|美国豪威|EP2328006||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|40|Task Based Imaging Systems||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/9/19||2014/8/6||2026/9/19|
|41|Task Based Imaging Systems||英国|美国豪威|EP2328007||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|42|Task Based Imaging Systems||瑞士|美国豪威|EP2328007||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|43|Task Based Imaging Systems||法国|美国豪威|EP2328007||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|44|Task Based Imaging Systems||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/9/19||2014/12/24||2026/9/19|
|45|Transparent re-mapping of parallel computational units||英国|美国豪威|EP1643368||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|
|46|Transparent re-mapping of parallel computational units||瑞士|美国豪威|EP1643368||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|47|Transparent re-mapping of parallel computational units||法国|美国豪威|EP1643368||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|
|48|Transparent re-mapping of parallel computational units||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/9/14||2015/4/15||2025/9/14|
|49|Saturation Optics||法国|美国豪威|EP2033039||2007/5/23||2010/3/24||2027/5/23|
|50|Saturation Optics||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/5/23||2010/3/24||2027/5/23|
|51|Saturation Optics||英国|美国豪威|EP2033039||2007/5/23||2010/3/24||2027/5/23|
|52|Optical System With Segmented Pupil Function||英国|美国豪威|EP2256538||2007/5/23||2015/6/17||2027/4/17|
|53|Optical System With Segmented Pupil Function||瑞士|美国豪威|EP2256538||2007/5/23||2015/6/17||2027/5/23|
|54|Optical System With Segmented Pupil Function||法国|美国豪威|EP2256538||2007/5/23||2015/6/17||2027/5/23|
|55|Optical System With Segmented Pupil Function||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/5/23||2015/6/17||2027/5/23|
|56|Multi-Layer Optical Filter Design Method||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/4/25||2012/1/11||2028/4/25|
|57|Multi-Layer Optical Filter Design Method||法国|美国豪威|EP2142949||2008/4/25||2012/1/11||2028/4/25|
|58|Multi-Layer Optical Filter Design Method||英国|美国豪威|EP2142949||2008/4/25||2012/1/11||2028/4/25|
|59|High dynamic range sensor with blooming drain||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|60|High Dynamic Range Sensor With Blooming Drain||英国|美国豪威|EP2009911||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|61|High Dynamic Range Sensor With Blooming Drain||瑞士|美国豪威|EP2009911||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|62|High Dynamic Range Sensor With Blooming Drain||法国|美国豪威|EP2009911||2008/6/26||2015/8/26||2028/6/26|
|63|Multi-Region Imaging Systems||英国|美国豪威|EP2183635||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
|64|Multi Region Imaging System||瑞士|美国豪威|EP2183635||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
|65|Multi Region Imaging System||法国|美国豪威|EP2183635||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
|66|Multi Region Imaging System||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/8/4||2015/9/16||2028/8/4|
|67|Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, and||英国|美国豪威|EP2210274||2008/9/15||2017/7/19||2028/9/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Associated Methods|||||||||||
||Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, andAssociated Methods||||EP2210274||2008/9/15||2017/7/19|||
|68|||法国|美国豪威|||||||2028/9/15|
||Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, andAssociated Methods||||EP2210274||2008/9/15||2017/7/19|||
|69|||瑞士|美国豪威|||||||2028/9/15|
||Transmissive Detectors, Systems Incorporating Same, andAssociated Methods||||6.02008E+11||2008/9/15||2017/7/19|||
|70|||德国|美国豪威|||||||2028/9/15|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||EP2227898||2008/11/21||2013/1/23|||
|71|||瑞士|美国豪威|||||||2028/11/21|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||EP2227898||2008/11/21||2013/1/23|||
|72|||英国|美国豪威|||||||2028/11/21|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||EP2227898||2008/11/21||2013/1/23|||
|73|||法国|美国豪威|||||||2028/11/21|
||Image Sensor Apparatus and Method for Scene IlluminantEstimation||||6.02008E+11||2008/11/21||2013/1/23|||
|74|||德国|美国豪威|||||||2028/11/21|
|75|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
|76|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||法国|美国豪威|EP2227899||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
|77|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||瑞士|美国豪威|EP2227899||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
|78|Reflowable Camera Module with Integrated Flash||英国|美国豪威|EP2227899||2008/12/16||2015/1/21||2028/12/16|
||Reflowable Camera Module with Improved Reliability ofSolder Connections||||EP2227897||2008/12/16||2012/9/5|||
|79|||英国|美国豪威|||||||2028/12/16|
|80|Reflowable Camera Module with Improved Reliability of||法国|美国豪威|EP2227897||2008/12/16||2012/9/5||2028/12/16|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Solder Connections|||||||||||
||Reflowable Camera Module with Improved Reliability ofSolder Connections||||6.02008E+11||2008/12/16||2012/9/5|||
|81|||德国|美国豪威|||||||2028/12/16|
||Apparatus and Method for Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||EP2294617||2009/4/15||2013/8/7|||
|82|||法国|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Apparatus and Method for Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||6.02009E+11||2009/4/15||2013/8/7|||
|83|||德国|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Apparatus and Method For Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||EP2294617||2009/4/15||2013/8/7|||
|84|||瑞士|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Apparatus and Method For Using Spacer Paste to Packagean Image Sensor||||EP2294617||2009/4/15||2013/8/7|||
|85|||英国|美国豪威|||||||2029/4/15|
||Membrane Suspended Optical Elements and AssociatedMethods||||EP2240805||2009/1/16||2014/2/26|||
|86|||法国|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Membrane Suspended Optical Elements and AssociatedMethods||||EP2240805||2009/1/16||2014/2/26|||
|87|||瑞士|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Membrane Suspended Optical Elements and AssoicatedMethods||||6.02009E+11||2009/1/16||2014/2/26|||
|88|||德国|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Membrane Suspended Optical Elements,and AssociatedMethods||||EP2240805||2009/1/16||2014/2/26|||
|89|||英国|美国豪威|||||||2029/1/16|
||Circularly Symmetric Aspheric Optics ProvidingNon-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field||||EP2255240||2009/2/17||2014/4/9|||
|90|||法国|美国豪威|||||||2029/2/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Circularly Symmetric Aspheric Optics ProvidningNon-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field||||6.02009E+11||2009/2/17||2014/4/9|||
|91|||德国|美国豪威|||||||2029/2/17|
||Circularly Symmetric Aspheric Optics ProvidingNon-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field||||EP2255240||2009/2/17||2014/4/9|||
|92|||瑞士|美国豪威|||||||2029/2/17|
||Circularly Symmetric Aspheric Optics ProvidingNon-monotonic Wavefront Phase Profile and ExtendedDepth of Field||||EP2255240||2009/2/17||2014/4/9|||
|93|||英国|美国豪威|||||||2029/2/17|
||Image sensor apparatus and method for line bufferefficient lens distortion correction||||EP2377307||2008/12/18||2015/11/11|||
|94|||英国|美国豪威|||||||2028/12/18|
||Image Sensor Appraratus and Method For Line BufferEfficient Lens Distortion Correction||||EP2377307||2008/12/18||2015/11/11|||
|95|||法国|美国豪威|||||||2028/12/18|
||Image Sensor Appartus and Method For Line BufferEfficient Lens Distortion||||6.02008E+11||2008/12/18||2015/11/11|||
|96|||德国|美国豪威|||||||2028/12/18|
||Image Sensor Apparatus and Method For Line BufferEfficient Lens Distortion||||EP2377307||2008/12/18||2015/11/11|||
|97|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/18|
|98|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||法国|美国豪威|EP2341615||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
|99|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||瑞士|美国豪威|EP2341615||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
|100|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
|101|OP-AMP Sharing with Input and Output Reset||英国|美国豪威|EP2341615||2010/12/21||2013/3/13||2030/12/21|
|102|Cross-Color Image Processing Systems And Methods For||英国|美国豪威|EP2408210||2011/7/13||2015/2/18||2031/7/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Sharpness Enhancement|||||||||||
||Cross-Color Image Processing Systems And Methods ForSharpness Enhancement||||6.02011E+11||2011/7/13||2015/2/18|||
|103|||德国|美国豪威|||||||2031/7/13|
||Cross-Color Image Processing Systems And Methods ForSharpness Enhancement||||EP2408210||2011/7/13||2015/2/18|||
|104|||法国|美国豪威|||||||2031/7/13|
||Cross-Color Image Processing Systems And Methods ForSharpness Enhancement||||EP2408210||2011/7/13||2015/2/18|||
|105|||瑞士|美国豪威|||||||2031/7/13|
|106|Optical Position Input System and Method||法国|美国豪威|EP2418567||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|107|Optical Position Input System and Method||德国|美国豪威|6.02011E+11||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|108|Optical Position Input System and Method||瑞士|美国豪威|EP2418567||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|109|Optical Position Input System and Method||英国|美国豪威|EP2418567||2011/8/9||2016/10/26||2031/8/9|
|110|Two-Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||法国|美国豪威|EP2487513||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
|111|Two-Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||德国|美国豪威|6.02012E+11||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
|112|Tw- Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||英国|美国豪威|EP2487513||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
|113|Two-Stage Optical Object Molding Using Pre-Final Form||瑞士|美国豪威|EP2487513||2012/2/9||2017/8/9||2032/2/9|
||Flexible Membrane and Lens Assembly and AssociatedMethod of Lens Replication||||EP2520963||2012/5/3||2016/12/28|||
|114|||英国|美国豪威|||||||2032/5/3|
||Flexible Membrane and Lens Assembly and AssociatedMethod of Lens Replication||||EP2520963||2012/5/3||2016/12/28|||
|115|||瑞士|美国豪威|||||||2032/5/3|
||Flexible Membrane and Lens Assembly and AssociatedMethod of Lens Replication||||EP2520963||2012/5/3||2016/12/28|||
|116|||法国|美国豪威|||||||2032/5/3|
|117|Flexible Membrane and Lens Assembly and Associated||德国|美国豪威|6.02012E+11||2012/5/3||2016/12/28||2032/5/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Method of Lens Replication|||||||||||
||Lens Plate for Wafer-level Camera and Method ofManufacturing Same||||EP2650705||2013/4/5||2017/8/9|||
|118|||法国|美国豪威|||||||2033/4/5|
||Lens Plate for Wafer-level Camera and Method ofManufacturing Same||||EP2650705||2013/4/5||2017/8/9|||
|119|||瑞士|美国豪威|||||||2033/4/5|
||Lens Plate for Wafer-level Camera and Method ofManufacturing Same||||6.02013E+11||2013/4/5||2017/8/9|||
|120|||德国|美国豪威|||||||2033/4/5|
||Lens Plate for Wafer-level Camera and Method ofManufacturing Same||||EP2650705||2013/4/5||2017/8/9|||
|121|||英国|美国豪威|||||||2033/4/5|
||Single-chip Color CMOS Image Sensor with Two orMore Line Reading Structure||||69834241||1998/9/15||2006/4/19|||
|122|||德国|美国豪威|||||||2018/9/15|
||Single-chip Color CMOS Image Sensor with Two orMore Line Reading Structure||||EP0940976||1998/9/15||2006/4/19|||
|123|||法国|美国豪威|||||||2018/9/15|
||Single-chip Color CMOS Image Sensor with Two orMore Line Reading Structure||||EP0940976||1998/9/15||2006/4/19|||
|124|||英国|美国豪威|||||||2018/9/15|
||Chip Scale Packaging Method for Optical Image SensorIntegratd Circuits||||60046066.5||2000/12/13||2011/6/15|||
|125|||德国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Chip Scale Packaging Method for Optical Image SensorIntegratd Circuits||||EP1139435||2000/12/13||2011/6/15|||
|126|||法国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Chip Scale Packaging Method for Optical Image SensorIntegratd Circuits||||EP1139435||2000/12/13||2011/6/15|||
|127|||英国|美国豪威|||||||2020/12/13|
|128|An improved active pixel with a pinned photodiode||德国|美国豪威|69928369.8||1999/2/5||2005/11/16||2019/2/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|129|An improved active pixel with a pinned photodiode||法国|美国豪威|EP1026748||1999/2/5||2005/11/16||2019/2/5|
||Method of manufacturing an active pixel pinnedphotodiode||||EP1026748||1999/2/5||2005/11/16|||
|130|||英国|美国豪威|||||||2019/2/5|
|131|Floating region photodiode for a CMOS image sensor||德国|美国豪威|60031221.6||2000/11/15||2006/10/11||2020/11/15|
|132|Floating region photodiode for a CMOS image sensor||法国|美国豪威|EP1102322||2000/11/15||2006/10/11||2020/11/15|
|133|Floating region photodiode for a CMOS image sensor||英国|美国豪威|EP1102322||2000/11/15||2006/10/11||2020/11/15|
||Method and apparatus for color image data processing andcompression||||60038550.7||2000/12/13||2008/4/9|||
|134|||德国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Method and apparatus for color image data processing andcompression||||EP1173005||2000/12/13||2008/4/9|||
|135|||法国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Method and apparatus for color image data processing andcompression||||EP1173005||2000/12/13||2008/4/9|||
|136|||英国|美国豪威|||||||2020/12/13|
||Surface passivation to reduce dark current in a CMOSimage sensor||||60220131.4||2002/10/30||2007/5/16|||
|137|||德国|美国豪威|||||||2022/10/30|
||Surface passivation to reduce dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309008||2002/10/30||2007/5/16|||
|138|||法国|美国豪威|||||||2022/10/30|
||Surface passivation to reduce dark current in a CMOSimage sensor||||EP1309008||2002/10/30||2007/5/16|||
|139|||英国|美国豪威|||||||2022/10/30|
|140|CMOS image sensor with on-chip pattern recognition||德国|美国豪威|60221618.4||2002/11/5||2007/8/8||2022/11/5|
|141|CMOS image sensor with on-chip pattern recognition||法国|美国豪威|EP1309009||2002/11/5||2007/8/8||2022/11/5|
|142|CMOS image sensor with on-chip pattern recognition||英国|美国豪威|EP1309009||2002/11/5||2007/8/8||2022/11/5|
|143|Method of fast automatic exposure or gain control in a||德国|美国豪威|60203869.3||2002/11/5||2005/4/27||2022/11/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||MOS image sensor|||||||||||
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1311114||2002/11/5||2005/4/27|||
|144|||法国|美国豪威|||||||2022/11/5|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1311114||2002/11/5||2005/4/27|||
|145|||英国|美国豪威|||||||2022/11/5|
||Zero DC Current Readout Circuit for CMOS ImageSensor||||EP1309178||2002/11/5||2013/3/27|||
|146|||瑞士|美国豪威|||||||2022/11/5|
|147|Zero DC current readout circuit for CMOS image sensor||德国|美国豪威|60244695.3||2002/11/5||2013/3/27||2022/11/5|
|148|Zero DC current readout circuit for CMOS image sensor||法国|美国豪威|EP1309178||2002/11/5||2013/3/27||2022/11/5|
|149|Zero dc current readout circuit for cmos image sensor||英国|美国豪威|EP1309178||2002/11/5||2013/3/27||2022/11/5|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||60328140||2003/1/3||2009/7/1|||
|150|||德国|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1331809||2003/1/3||2009/7/1|||
|151|||芬兰|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1331809||2003/1/3||2009/7/1|||
|152|||法国|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method of fast automatic exposure or gain control in aMOS image sensor||||EP1331809||2003/1/3||2009/7/1|||
|153|||英国|美国豪威|||||||2023/1/3|
||Method and apparatus for thermal noise canceling in alinear CMOS image sensor||||60321741.9||2003/3/25||2008/6/25|||
|154|||德国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and apparatus for KTC noise canceling in a linearCMOS image sensor||||60334169.1||2003/3/25||2010/9/8|||
|155|||德国|美国豪威|||||||2023/3/25|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Method and apparatus for thermal noise canceling in alinear CMOS image sensor||||EP1349379||2003/3/25||2008/6/25|||
|156|||法国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and Apparatus for KTC noise canceling in alinear CMOS image sensor||||EP1919192||2003/3/25||2010/9/8|||
|157|||法国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and apparatus for thermal noise canceling in alinear cmos image sensor||||EP1349379||2003/3/25||2008/6/25|||
|158|||英国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Method and apparatus for KTC noise canceling in a linearCMOS image sensor||||EP1919192||2003/3/25||2010/9/8|||
|159|||英国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Column readout circuit with increased signal range forCMOS image sensor||||60303418.7||2003/3/25||2006/2/1|||
|160|||德国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Column readout circuit with increased signal range forCMOS image sensor||||EP1349380||2003/3/25||2006/2/1|||
|161|||芬兰|美国豪威|||||||2023/3/25|
||Column readout circuit with increased signal range forCMOS image sensor||||EP1349380||2003/3/25||2006/2/1|||
|162|||英国|美国豪威|||||||2023/3/25|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBER OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||EP1450554||2004/1/13||2018/3/21|||
|163|||瑞士|美国豪威|||||||2024/1/13|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBER OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||6.02004E+11||2004/1/13||2018/3/21|||
|164|||德国|美国豪威|||||||2024/1/13|
||CMOS IMAGE SENSOR HAVING REDUCEDNUMBER OF COLUMN READOUT CIRCUITS||||EP1450554||2004/1/13||2018/3/21|||
|165|||法国|美国豪威|||||||2024/1/13|
||Cmos image sensor having reduced numbers of columnreadout circuits||||EP1450554||2004/1/13||2018/3/21|||
|166|||英国|美国豪威|||||||2024/1/13|
|167|Image sensor having dual automatic exposure control||瑞士|美国豪威|EP1453304||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|168|Image sensor having dual automatic exposure control||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|
|169|Image sensor having dual automatic exposure control||法国|美国豪威|EP1453304||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|
|170|Image sensor having dual automatic exposure control||英国|美国豪威|EP1453304||2004/1/13||2017/3/15||2024/1/13|
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||EP1501288||2004/5/19||2013/4/10|||
|171|||瑞士|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||6.02004E+11||2004/5/19||2013/4/10|||
|172|||德国|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||EP1501288||2004/5/19||2013/4/10|||
|173|||法国|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using high frame rate with frameaddition and movement compensation||||EP1501288||2004/5/19||2013/4/10|||
|174|||英国|美国豪威|||||||2024/5/19|
||CMOS image sensor using shared transistors betweenpixels||||6.02005E+11||2005/2/3||2009/12/30|||
|175|||德国|美国豪威|||||||2025/2/3|
||CMOS image sensor using shared transistors betweenpixels with dual pinned photodiode||||EP1562371||2005/2/3||2009/12/30|||
|176|||芬兰|美国豪威|||||||2025/2/3|
||CMOS image sensor using shared transistors betweenpixels with dual pinned photodiode||||EP1562371||2005/2/3||2009/12/30|||
|177|||法国|美国豪威|||||||2025/2/3|
||Cmos image sensor using shared transistors betweenpixels||||EP1562371||2005/2/3||2009/12/30|||
|178|||英国|美国豪威|||||||2025/2/3|
|179|Hybrid charge coupled CMOS image sensor||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|
|180|Hybrid charge coupled CMOS image sensor||法国|美国豪威|EP1589583||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|
|181|Hybrid charge coupled cmos image sensor||英国|美国豪威|EP1589583||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|182|Hybrid charge coupled CMOS image sensor||爱尔兰|美国豪威|EP1589583||2005/3/30||2007/6/20||2025/3/30|
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||6.02005E+11||2005/3/30||2008/2/13|||
|183|||德国|美国豪威|||||||2025/3/30|
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||EP1601184||2005/3/30||2008/2/13|||
|184|||法国|美国豪威|||||||2025/3/30|
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||EP1601184||2005/3/30||2008/2/13|||
|185|||英国|美国豪威|||||||2025/3/30|
||Methods and systems for locally adaptive imageprocessing filters||||EP1601184||2005/3/30||2008/2/13|||
|186|||爱尔兰|美国豪威|||||||2025/3/30|
||Method of operating an active pixel that has positivetransfer gate voltage during integration period||||6.02005E+11||2005/10/14||2009/5/27|||
|187|||德国|美国豪威|||||||2025/10/14|
||Method of operating an active pixel that has positivetransfer gate voltage during integration period||||EP1648160||2005/10/14||2009/5/27|||
|188|||法国|美国豪威|||||||2025/10/14|
||Method of operating an active pixel that has positivetransfer gate voltage during integration period||||EP1648160||2005/10/14||2009/5/27|||
|189|||英国|美国豪威|||||||2025/10/14|
||Image Sensor and Pixel Having An Anti ReflectiveCoating Over the Photodiode||||EP1655780||2005/10/28||2015/7/22|||
|190|||瑞士|美国豪威|||||||2025/10/28|
||Image Sensor and Pixel Having An Anti ReflectiveCoating Over the Photodiode||||6.02005E+11||2005/10/28||2015/7/22|||
|191|||德国|美国豪威|||||||2025/10/28|
||Image Sensor and Pixel Having An Anti ReflectiveCoating Over the Photodiode||||EP1655780||2005/10/28||2015/7/22|||
|192|||法国|美国豪威|||||||2025/10/28|
||Image sensor and pixel having an anti-reflective coatingover the photodiode||||EP1655780||2005/10/28||2015/7/22|||
|193|||英国|美国豪威|||||||2025/10/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Manufacturing method of local interconnect structure fora CMOS image sensor||||EP1670062||2005/11/17||2014/7/23|||
|194|||瑞士|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Manufacturing method of local interconnect structure fora CMOS image sensor||||6.02005E+11||2005/11/17||2014/7/23|||
|195|||德国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Manufacturing method of local interconnect structure fora CMOS image sensor||||EP1670062||2005/11/17||2014/7/23|||
|196|||法国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Manufacturing method of local interconnect structure fora CMOS image sensor||||EP1670062||2005/11/17||2014/7/23|||
|197|||英国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a photodiode with anindium-boron pinning layer and method of itsmanufacturing||||6.02005E+11||2005/11/17||2011/1/5|||
|198|||德国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a photodiode with anindium-boron pinning layer and method of itsmanufacturing||||EP1667232||2005/11/17||2011/1/5|||
|199|||法国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a photodiode with anindium-boron pinning layer and method of itsmanufacturing||||EP1667232||2005/11/17||2011/1/5|||
|200|||英国|美国豪威|||||||2025/11/17|
|201|Automatic focus for image sensors||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2011/3/9||2026/1/25|
|202|Automatic focus for image sensors||法国|美国豪威|EP1686793||2006/1/25||2011/3/9||2026/1/25|
|203|Automatic focus for image sensors||英国|美国豪威|EP1686793||2006/1/25||2011/3/9||2026/1/25|
||Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+or N+ doped polysilicon||||EP1675182||2005/11/17||2013/2/27|||
|204|||瑞士|美国豪威|||||||2025/11/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+or N+ doped polysilicon||||6.02005E+11||2005/11/17||2013/2/27|||
|205|||德国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+or N+ doped polysilicon||||EP1675182||2005/11/17||2013/2/27|||
|206|||法国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+or N+ doped polysilicon||||EP1675182||2005/11/17||2013/2/27|||
|207|||英国|美国豪威|||||||2025/11/17|
||Multilayered semiconductor substrate and image sensorformed thereon for improved infrared response||||6.02005E+11||2005/12/20||2011/9/28|||
|208|||德国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Multilayered semiconductor substrate and image sensorformed thereon for improved infrared response||||EP1681722||2005/12/20||2011/9/28|||
|209|||法国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Multilayered semiconductor substrate and image sensorformed thereon for improved infrared response||||EP1681722||2005/12/20||2011/9/28|||
|210|||英国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Image sensor pixel having a lateral doping profile formedwith Indium doping||||6.02005E+11||2005/12/20||2012/10/10|||
|211|||德国|美国豪威|||||||2025/12/20|
||Image sensor pixel having a lateral doping profile formedwith Indium doping||||EP1681721||2005/12/20||2012/10/10|||
|212|||英国|美国豪威|||||||2025/12/20|
|213|Image Sensor Using Deep Trench Isolation||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2008/11/26||2026/1/25|
|214|Image Sensor Using Deep Trench Isolation||法国|美国豪威|EP1691418||2006/1/25||2008/11/26||2026/1/25|
|215|Image Sensor Using Deep Trench Isolation||英国|美国豪威|EP1691418||2006/1/25||2008/11/26||2026/1/25|
|216|Salicide process using CMP for image sensor||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2009/11/4||2026/1/25|
|217|Salicide process using CMP for image sensor||法国|美国豪威|EP1691417||2006/1/25||2009/11/4||2026/1/25|
|218|Salicide process using CMP for image sensor||英国|美国豪威|EP1691417||2006/1/25||2009/11/4||2026/1/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|219|Salicide process for image sensor||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/1/25||2010/1/13||2026/1/25|
|220|Salicide process for image sensor||法国|美国豪威|EP1691416||2006/1/25||2010/1/13||2026/1/25|
|221|Salicide process for image sensor||英国|美国豪威|EP1691416||2006/1/25||2010/1/13||2026/1/25|
||Selective smile formation under transfer gate in a CMOSimage sensor pixel||||6.02006E+11||2006/4/6||2010/6/9|||
|222|||德国|美国豪威|||||||2026/4/6|
||Selective smile formation under transfer gate in a CMOSimage sensor pixel||||EP1715678||2006/4/6||2010/6/9|||
|223|||法国|美国豪威|||||||2026/4/6|
||Selective smile formation under transfer gate in a CMOSimage sensor pixel||||EP1715678||2006/4/6||2010/6/9|||
|224|||英国|美国豪威|||||||2026/4/6|
|225|Image anti-shake in digital cameras||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
|226|Image anti-shake in digital cameras||芬兰|美国豪威|EP1814317||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
|227|Image anti-shake in digital cameras||法国|美国豪威|1814317||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
|228|Image anti-shake in digital cameras||英国|美国豪威|EP1814317||2007/1/11||2011/3/9||2027/1/11|
||Image sensing devices, image sensor modules, andassociated methods||||EP1814314||2007/1/11||2016/8/10|||
|229|||瑞士|美国豪威|||||||2027/1/11|
||Image sensing devices, image sensor modules, andassociated methods||||6.02007E+11||2007/1/11||2016/8/10|||
|230|||德国|美国豪威|||||||2027/1/11|
||Image Sensing Devices, Image Sensor Modules andAssociated Methods||||EP1814314||2007/1/11||2016/8/10|||
|231|||法国|美国豪威|||||||2027/1/11|
||Image sensing devices, image sensor modules, andassociated methods||||EP1814314||2007/1/11||2016/8/10|||
|232|||英国|美国豪威|||||||2027/1/11|
|233|Method and apparatus for increasing light absorption in an||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/7/4||2015/10/14||2027/7/4|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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||image sensor using energy conversion layer|||||||||||
||Method and apparatus for increasing light absorption in animage sensor using energy conversion layer||||EP1876648||2007/7/4||2015/10/14|||
|234|||法国|美国豪威|||||||2027/7/4|
||Method and apparatus for increasing light absorption in animage sensor using energy conversion layer||||EP1876648||2007/7/4||2015/10/14|||
|235|||英国|美国豪威|||||||2027/7/4|
||Method for fabricating an image sensor having curvedmicro-mirrors over the sensing photodiode||||6.02007E+11||2007/10/18||2012/7/25|||
|236|||德国|美国豪威|||||||2027/10/18|
||Method for fabricating an image sensor having curvedmicro-mirrors over the sensing photodiode||||EP1916714||2007/10/18||2012/7/25|||
|237|||法国|美国豪威|||||||2027/10/18|
||Method for fabricating an image sensor having curvedmicro-mirrors over the sensing photodiode||||EP 1916714||2007/10/18||2012/7/25|||
|238|||英国|美国豪威|||||||2027/10/18|
|239|Image sensor with blooming reduction mechanisms||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/12/28||2017/10/4||2027/12/28|
|240|Image Sensor with Blooming Reduction Mechanisms||法国|美国豪威|EP1947842||2007/12/28||2017/10/4||2027/12/28|
|241|Image Sensors With Blooming Reduction Mechanisms||英国|美国豪威|EP1947842||2007/12/28||2017/10/4||2027/12/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||EP2381675||2010/6/28||2015/9/23|||
|242|||瑞士|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||6.0201E+11||2010/6/28||2015/9/23|||
|243|||德国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||EP2381675||2010/6/28||2015/9/23|||
|244|||法国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Imaging Sensor having Reduced Column Fixed PatternNoise||||EP2381675||2010/6/28||2015/9/23|||
|245|||英国|美国豪威|||||||2030/6/28|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|246|Light source frequency detection circuit for image sensor||瑞士|美国豪威|EP2196019||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|
|247|Light source frequency detection circuit for image sensor||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|
|248|Light source frequency detection circuit for image sensor||法国|美国豪威|EP2196019||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|
|249|Light source frequency detection circuit for image sensor||英国|美国豪威|EP2196019||2008/9/11||2016/4/13||2028/9/11|
|250|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||瑞士|美国豪威|EP2220764||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|251|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|252|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||法国|美国豪威|EP2220764||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|253|Switched-capacitor amplifier with improved reset phase||英国|美国豪威|EP2220764||2008/11/5||2015/3/11||2028/11/5|
|254|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||瑞士|美国豪威|EP2241000||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
|255|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
|256|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||法国|美国豪威|EP2241000||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
|257|Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage||英国|美国豪威|EP2241000||2008/12/16||2015/2/18||2028/12/16|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||EP2245665||2008/12/23||2014/12/3|||
|258|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||6.02008E+11||2008/12/23||2014/12/3|||
|259|||德国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||EP2245665||2008/12/23||2014/12/3|||
|260|||法国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor having a carriersubstrate and a redistribution layer||||EP2245665||2008/12/23||2014/12/3|||
|261|||英国|美国豪威|||||||2028/12/23|
|262|Globally Reset Image Sensor Pixels||瑞士|美国豪威|EP2289101||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|
|263|Globally Reset Image Sensor Pixels||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|264|Globally Reset Image Sensor Pixels||法国|美国豪威|EP2289101||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|
|265|Globally Reset Image Sensor Pixels||英国|美国豪威|EP2289101||2009/5/12||2016/8/24||2029/5/12|
|266|Image Sensor Reflector||瑞士|美国豪威|EP2245662||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|
|267|Image Sensor Reflector||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|
|268|Image Sensor Reflector||法国|美国豪威|EP2245662||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|
|269|Image Sensor Reflector||英国|美国豪威|EP2245662||2008/12/16||2015/11/11||2028/12/16|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||EP2245666||2008/12/23||2015/2/18|||
|270|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||6.02008E+11||2008/12/23||2015/2/18|||
|271|||德国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||EP2245666||2008/12/23||2015/2/18|||
|272|||法国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated imaging sensor with backside P+doped layer||||EP2245666||2008/12/23||2015/2/18|||
|273|||英国|美国豪威|||||||2028/12/23|
||Backside illuminated image sensor having deep lightreflective trenches||||6.02008E+11||2008/12/17||2012/2/8|||
|274|||德国|美国豪威|||||||2028/12/17|
||Backside illuminated image sensor having deep lightreflective trenches||||EP2245663||2008/12/17||2012/2/8|||
|275|||法国|美国豪威|||||||2028/12/17|
||Backside Illuminated Image Sensor Having Deep LightReflective Trenches||||EP2245663||2008/12/17||2012/2/8|||
|276|||英国|美国豪威|||||||2028/12/17|
||Black reference pixel for backside illuminated imagesensor||||EP2253016||2009/2/2||2014/4/9|||
|277|||瑞士|美国豪威|||||||2029/2/2|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Black reference pixel for backside illuminated imagesensor||||6.02009E+11||2009/2/2||2014/4/9|||
|278|||德国|美国豪威|||||||2029/2/2|
||Black reference pixel for backside illuminated imagesensor||||EP2253016||2009/2/2||2014/4/9|||
|279|||法国|美国豪威|||||||2029/2/2|
||Black reference pixel for backside illuminated imagesensor||||EP2253016||2009/2/2||2014/4/9|||
|280|||英国|美国豪威|||||||2029/2/2|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||EP2245664||2008/12/24||2013/5/15|||
|281|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||6.02008E+11||2008/12/24||2013/5/15|||
|282|||德国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||EP2245664||2008/12/24||2013/5/15|||
|283|||法国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated Imaging Sensor With Silicide LightReflecting Layer||||EP2245664||2008/12/24||2013/5/15|||
|284|||英国|美国豪威|||||||2028/12/24|
|285|Image Sensor with Focusing Interconnections||瑞士|美国豪威|EP2283519||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
|286|Image Sensor with Focusing Interconnections||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
|287|Image Sensor with Focusing Interconnections||法国|美国豪威|EP2283519||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
|288|Image Sensor with Focusing Interconnections||英国|美国豪威|EP2283519||2009/5/12||2012/11/28||2029/5/12|
||Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor WithInfrared Detecting Layer||||EP2253018||2008/12/24||2016/5/4|||
|289|||瑞士|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor WithInfrared Detecting Layer||||6.02008E+11||2008/12/24||2016/5/4|||
|290|||德国|美国豪威|||||||2028/12/24|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor WithInfrared Detecting Layer||||EP2253018||2008/12/24||2016/5/4|||
|291|||法国|美国豪威|||||||2028/12/24|
||Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor WithInfrared Detecting Layer||||EP2253018||2008/12/24||2016/5/4|||
|292|||英国|美国豪威|||||||2028/12/24|
|293|Image Sensor With Shaking Compensation||瑞士|美国豪威|EP2323376||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|294|Image Sensor With Shaking Compensation||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|295|Image Sensor With Shaking Compensation||法国|美国豪威|EP2323376||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|296|Image Sensor With Shaking Compensation||英国|美国豪威|EP2323376||2010/10/7||2016/12/7||2030/10/7|
|297|Image Sensor With Global Shutter||瑞士|美国豪威|EP2247093||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
|298|Image Sensor With Global Shutter||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
|299|Image Sensor With Global Shutter||法国|美国豪威|EP2247093||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
|300|Image Sensor With Global Shutter||英国|美国豪威|EP2247093||2010/4/21||2016/8/10||2030/4/21|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||EP2320462||2010/11/3||2015/7/22|||
|301|||瑞士|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||6.0201E+11||2010/11/3||2015/7/22|||
|302|||德国|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||EP2320462||2010/11/3||2015/7/22|||
|303|||法国|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Image Sensor Having Waveguides Formed In ColorFilters||||EP2320462||2010/11/3||2015/7/22|||
|304|||英国|美国豪威|||||||2030/11/3|
||Multilayer Image Sensor Pixel Structure for ReducingCrosstalk||||EP2244296||2010/4/21||2014/1/8|||
|305|||瑞士|美国豪威|||||||2030/4/21|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Multilayer Image Sensor Pixel Structure for ReducingCrosstalk||||6.0201E+11||2010/4/21||2014/1/8|||
|306|||德国|美国豪威|||||||2030/4/21|
||Multilayer Image Sensor Pixel Structure for ReducingCrosstalk||||EP2244296||2010/4/21||2014/1/8|||
|307|||法国|美国豪威|||||||2030/4/21|
||Multilayer Image Sensor Pixel Structure for ReducingCrosstalk||||EP2244296||2010/4/21||2014/1/8|||
|308|||英国|美国豪威|||||||2030/4/21|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Subregions||||EP2282345||2010/6/28||2014/4/9|||
|309|||瑞士|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Subregions||||6.0201E+11||2010/6/28||2014/4/9|||
|310|||德国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Subregions||||EP2282345||2010/6/28||2014/4/9|||
|311|||法国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Image Sensor With Transfer Gate Having MultipleChannel Sub-regions||||EP2282345||2010/6/28||2014/4/9|||
|312|||英国|美国豪威|||||||2030/6/28|
||Encapsulated Image Acquisition Devices HavingOn-Board Data Storage and Methods Therefor||||EP2351516||2010/12/22||2017/5/10|||
|313|||瑞士|美国豪威|||||||2030/12/22|
||Encapsulated Image Acquisition Devices HavingOn-Board Data Storage and Methods Therefor||||6.0201E+11||2010/12/22||2017/5/10|||
|314|||德国|美国豪威|||||||2030/12/22|
||Encapsulated Image Acquisition Devices HavingOn-Board Data Storage and Methods Therefor||||EP2351516||2010/12/22||2017/5/10|||
|315|||法国|美国豪威|||||||2030/12/22|
||Encapsulated image acquisition devices having on-boarddata storage and methods therefor||||EP2351516||2010/12/22||2017/5/10|||
|316|||英国|美国豪威|||||||2030/12/22|
|317|Image Sensor Having Supplemental Capacitve Coupling||瑞士|美国豪威|EP2466875||2011/11/10||2017/1/4||2031/11/10|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Node|||||||||||
||Image Sensor Having Supplemental Capacitve CouplingNode||||6.02011E+11||2011/11/10||2017/1/4|||
|318|||德国|美国豪威|||||||2031/11/10|
||Image Sensor Having Supplemental Capacitive CouplingNode||||EP2466875||2011/11/10||2017/1/4|||
|319|||法国|美国豪威|||||||2031/11/10|
||Image Sensor Having Supplemental Capacitive CouplingNode||||EP2466875||2011/11/10||2017/1/4|||
|320|||英国|美国豪威|||||||2031/11/10|
|321|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2584607||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|322|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||德国|美国豪威|6.02012E+11||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|323|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||法国|美国豪威|EP2584607||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|324|Partial Buried Channel Transfer Device for Image Sensors||英国|美国豪威|EP2584607||2012/10/9||2018/2/28||2032/10/9|
|325|Apparatus and Method For Random Number Generation||瑞士|美国豪威|EP2796989||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|326|Apparatus and Method For Random Number Generation||德国|美国豪威|6.02014E+11||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|327|Apparatus and Method For Random Number Generation||法国|美国豪威|EP2796989||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|328|Apparatus and method for random number generation||英国|美国豪威|EP2796989||2014/4/22||2017/12/20||2034/4/22|
|329|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2787532||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|330|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||德国|美国豪威|6.02014E+11||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|331|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||法国|美国豪威|EP2787532||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|332|Layers For Increasing Performance In Image Sensors||英国|美国豪威|EP2787532||2014/4/3||2017/10/11||2034/4/3|
|333|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP3070742||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|
|334|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||德国|美国豪威|6.02016E+11||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|
|335|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||法国|美国豪威|EP3070742||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|336|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||英国|美国豪威|EP3070742||2016/3/9||2018/1/3||2036/3/9|
|337|Image Sensor Pixel Cell with Non Destructive Readout||瑞士|美国豪威|EP3001458||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|
|338|Image Sensor Pixel Cell with Non Destructive Readout||德国|美国豪威|6.02015E+11||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|
|339|Image Sensor Pixel Cell with Non Destructive Readout||法国|美国豪威|EP3001458||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|
|340|Image sensor pixel cell with non-destructive readout||英国|美国豪威|EP3001458||2015/9/28||2017/6/28||2035/9/28|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||69835989.5||1998/8/5||2006/9/27|||
|341|||德国|美国豪威|||||||2018/8/5|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||898312||1998/8/5||2006/9/27|||
|342|||法国|美国豪威|||||||2018/8/5|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||EP 0898312||1998/8/5||2006/9/27|||
|343|||英国|美国豪威|||||||2018/8/5|
||Active Pixel Image Sensor With Shared AmplifierRead-Out||||898312||1998/8/5||2006/9/27|||
|344|||意大利|美国豪威|||||||2018/8/5|
|345|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||德国|美国豪威|69839471.2||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
|346|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||法国|美国豪威|913869||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
|347|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||英国|美国豪威|EP0913869||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
|348|Active Pixel Sensor With Programmable Color Balance||意大利|美国豪威|913869||1998/10/17||2008/5/14||2018/10/17|
||Image Sensor Incorporating Saturation TimeMeasurement To Increase Dynamic Range||||60030802.2||2000/4/20||2006/9/20|||
|349|||德国|美国豪威|||||||2020/4/20|
||Image Sensor Incorporating Saturation TimeMeasurement To Increase Dynamic Range||||1052846||2000/4/20||2006/9/20|||
|350|||法国|美国豪威|||||||2020/4/20|
|351|Image Sensor Incorporating Saturation Time||英国|美国豪威|EP1052846||2000/4/20||2006/9/20||2020/4/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Measurement To Increase Dynamic Range|||||||||||
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||69943122||1999/12/1||2011/1/12|||
|352|||德国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||1017106||1999/12/1||2011/1/12|||
|353|||法国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||EP1017106||1999/12/1||2011/1/12|||
|354|||英国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions AndShared Amplifier||||1017106||1999/12/1||2011/1/12|||
|355|||荷兰|美国豪威|||||||2019/12/1|
|356|Active pixel image sensor with improved linearity||德国|美国豪威|60120099.3||2001/12/17||2006/5/31||2021/12/17|
|357|Active Pixel Image Sensor With Improved Linearity||法国|美国豪威|1223746||2001/12/17||2006/5/31||2021/12/17|
|358|Active Pixel Image Sensor With Improved Linearity||英国|美国豪威|EP1223746||2001/12/17||2006/5/31||2021/12/17|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture WithCorrelated Double Sampling||||69935895.7||1999/11/8||2007/4/25|||
|359|||德国|美国豪威|||||||2019/11/8|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture WithCorrelated Double Sampling||||1003220||1999/11/8||2007/4/25|||
|360|||法国|美国豪威|||||||2019/11/8|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture WithCorrelated Double Sampling||||EP1003220||1999/11/8||2007/4/25|||
|361|||英国|美国豪威|||||||2019/11/8|
||Photogate Active Pixel Sensor With High Fill Factor AndCorrelated Double Sampling||||EP1017107||1999/12/1||2011/6/22|||
|362|||法国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||69930206.4||1999/12/1||2006/3/8|||
|363|||德国|美国豪威|||||||2019/12/1|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||1017231||1999/12/1||2006/3/8|||
|364|||法国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Photodiode active pixel sensor with shared reset signaland row select||||EP1017231||1999/12/1||2006/3/8|||
|365|||英国|美国豪威|||||||2019/12/1|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||1017231||1999/12/1||2006/3/8|||
|366|||意大利|美国豪威|||||||2019/12/31|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset SignalRow Select||||1017231||1999/12/1||2006/3/8|||
|367|||荷兰|美国豪威|||||||2019/12/1|
|368|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||德国|美国豪威|60046785.6||2000/10/17||2011/12/28||2020/10/17|
|369|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||法国|美国豪威|1096789||2000/10/17||2011/12/28||2020/10/17|
|370|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||英国|美国豪威|EP1096789||2000/10/17||2011/12/28||2020/10/14|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||60149302.8||2001/1/8||2015/4/1|||
|371|||德国|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||EP1119188||2001/1/8||2015/4/1|||
|372|||法国|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||EP1119188||2001/1/8||2015/4/1|||
|373|||英国|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Cmos Active Pixel Image Sensor With Extended DynamicRange And Sensitivity||||EP1119188||2001/1/8||2015/4/1|||
|374|||荷兰|美国豪威|||||||2021/1/8|
||Variable Collection Of Blooming Charge To ExtendDynamic Range||||60038424.1||2000/10/17||2008/3/26|||
|375|||德国|美国豪威|||||||2020/10/17|
|376|Variable Collection Of Blooming Charge To Extend||法国|美国豪威|1096790||2000/10/17||2008/3/26||2020/10/17|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Dynamic Range|||||||||||
||Variable Collection Of Blooming Charge To ExtendDynamic Range||||EP1096790||2000/10/17||2008/3/26|||
|377|||英国|美国豪威|||||||2020/10/17|
||Variable Collection Of Blooming Charge To ExtendDynamic Range||||1096790||2000/10/17||2008/3/26|||
|378|||荷兰|美国豪威|||||||2020/10/17|
||Built-In Self Test Signals For Column Output Circuits InX-Y Addressable Image Sensor||||60145146.5||2001/4/13||2011/8/17|||
|379|||德国|美国豪威|||||||2021/4/13|
||Built-In Self Test Signals For Column Output Circuits InX-Y Addressable Image Sensor||||1152599||2001/4/13||2011/8/17|||
|380|||法国|美国豪威|||||||2021/4/13|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||60128049||2001/9/21||2007/4/25|||
|381|||德国|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||1207561||2001/9/21||2007/4/25|||
|382|||法国|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||EP1207561||2001/9/21||2007/4/25|||
|383|||英国|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Image Sensor Having Improved Spectral ResponseUniformity||||1207561||2001/9/21||2007/4/25|||
|384|||荷兰|美国豪威|||||||2021/9/21|
||Colour Image Pickup Device With Improved Colour FilterArray||||60243831.4||2002/2/22||2012/10/10|||
|385|||德国|美国豪威|||||||2022/2/22|
||Colour Image Pickup Device With Improved Colour FilterArray||||1241896||2002/2/22||2012/10/10|||
|386|||法国|美国豪威|||||||2022/2/22|
||Colour Image Pickup Device With Improved Colour FilterArray||||EP1241896||2002/2/22||2012/10/10|||
|387|||英国|美国豪威|||||||2022/2/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Median-Based Dark Level Acquisition For A Frame RateClamp||||60201789||2002/7/15||2004/11/3|||
|388|||德国|美国豪威|||||||2022/7/15|
||Median-Based Dark Level Acquisition For A Frame RateClamp||||1280339||2002/7/15||2004/11/3|||
|389|||法国|美国豪威|||||||2022/7/15|
||Median-based dark level acquisition circuit for a framerate clamp||||EP1280339||2002/7/15||2004/11/3|||
|390|||英国|美国豪威|||||||2022/7/15|
||A Lateral Overflow Drain, Anti-Blooming Structure ForCCD Devices Having Improved Breakdown Voltage||||60233371.7||2002/8/19||2009/8/19|||
|391|||德国|美国豪威|||||||2022/8/19|
||A Lateral Overflow Drain, Anti-Blooming Structure ForCCD Devices Having Improved Breakdown Voltage||||1289020||2002/8/19||2009/8/19|||
|392|||法国|美国豪威|||||||2022/8/19|
||A lateral overflow drain, antiblooming structure for ccddevices having improved breakdown voltage||||EP1289020||2002/8/19||2009/8/19|||
|393|||英国|美国豪威|||||||2022/8/19|
||Image Sensor With Improved Optical ResponseUniformity||||60328954.1||2003/11/3||2009/8/26|||
|394|||德国|美国豪威|||||||2023/11/3|
||Image Sensor With Improved Optical ResponseUniformity||||1420455||2003/11/3||2009/8/26|||
|395|||法国|美国豪威|||||||2023/11/3|
||Image Sensor With Improved Optical ResponseUniformity||||EP1420455||2003/11/3||2009/8/26|||
|396|||英国|美国豪威|||||||2023/11/3|
|397|Enabling Method To Prevent Glitches In Waveform||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/4/14||2013/6/12||2024/4/14|
|398|Enabling Method To Prevent Glitches In Waveform||法国|美国豪威|EP1618660||2004/4/14||2013/6/12||2024/4/14|
|399|Enabling Method To Prevent Glitches In Waveform||英国|美国豪威|EP1618660||2004/4/14||2013/6/12||2024/4/14|
|400|Varying Feature Size In Resist||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/11/9||2008/5/21||2024/11/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|401|Varying Feature Size In Resist||法国|美国豪威|1682941||2004/11/9||2008/5/21||2024/11/9|
|402|Varying Feature Size In Resist||英国|美国豪威|EP1682941||2004/11/9||2008/5/21||2024/11/9|
|403|Imag sensor Array with Substitution Circuit Distribution||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/10/19||2010/4/7||2024/10/19|
|404|Imag sensor Array with Substitution Circuit Distribution||法国|美国豪威|1676435||2004/10/19||2010/4/7||2024/10/19|
|405|Imag sensor Array with Substitution Circuit Distribution||英国|美国豪威|EP1676435||2004/10/19||2010/4/7||2024/10/19|
|406|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/3/7||2010/4/21||2025/3/7|
|407|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||法国|美国豪威|1723781||2005/3/7||2010/4/21||2025/3/7|
|408|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||英国|美国豪威|EP1723781||2005/3/7||2010/4/21||2025/3/7|
|409|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/1/6||2010/12/29||2025/1/6|
|410|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||法国|美国豪威|1702364||2005/1/6||2010/12/29||2025/1/6|
|411|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||英国|美国豪威|EP1702364||2005/1/6||2010/12/29||2025/1/6|
|412|Metal Interconnects For Image Sensors||德国|美国豪威|6.02005E+11||2005/6/2||2011/4/27||2025/6/2|
|413|Metal Interconnects For Image Sensors||法国|美国豪威|1751799||2005/6/2||2011/4/27||2025/6/2|
|414|Metal Interconnects For Image Sensors||英国|美国豪威|EP1751799||2005/6/2||2011/4/27||2025/6/2|
|415|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|416|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||法国|美国豪威|1883966||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|417|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||英国|美国豪威|EP1883966||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|418|Pinned-Photodiode Pixel With Global Shutter||荷兰|美国豪威|1883966||2006/5/24||2009/12/16||2026/5/24|
|419|Processing Color And Panchromatic Pixels||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/7/20||2017/8/23||2036/7/20|
|420|Processing Color And Panchromatic Pixels||英国|美国豪威|EP1908301||2006/7/20||2017/8/23||2026/7/20|
|421|Processing Color And Panchromatic Pixels||荷兰|美国豪威|EP1908301||2006/7/20||2017/8/23||2026/7/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|422|Asymmetrical Microlenses On Pixel Arrays||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|
|423|Asymmetrical Microlenses On Pixel Arrays||法国|美国豪威|EP1894253||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|
|424|Asymmetrical microlenses on pixel arrayss||英国|美国豪威|EP1894253||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|
|425|Asymmetrical Microlenses On Pixel Arrays||荷兰|美国豪威|EP1894253||2006/5/26||2011/7/13||2026/5/26|
|426|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|427|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||法国|美国豪威|EP1900191||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|428|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||英国|美国豪威|EP1900191||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|429|CMOS Image Sensor Pixel With Selectable Binning||荷兰|美国豪威|EP1900191||2006/5/26||2015/7/8||2026/5/26|
|430|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/5/31||2012/10/31||2026/5/31|
|431|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||法国|美国豪威|EP1894246||2006/5/31||2012/10/31||2026/5/31|
|432|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||英国|美国豪威|EP1894246||2006/5/31||2012/10/31||2026/5/31|
|433|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|434|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||法国|美国豪威|EP1929789||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|435|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||英国|美国豪威|EP1929789||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|436|Output Routing Structure For CMOS Image Sensors||荷兰|美国豪威|EP1929789||2006/9/18||2016/12/14||2026/9/18|
|437|Method For Detecting Streaks In Digital Images||德国|美国豪威|6.02006E+11||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|438|Method For Detecting Streaks In Digital Images||法国|美国豪威|EP1958158||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|439|Method For Detecting Streaks In Digital Images||英国|美国豪威|EP1958158||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|440|Method For Detecting Streaks In Digital Images||荷兰|美国豪威|EP1958158||2006/11/30||2017/1/4||2026/11/30|
|441|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|
|442|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||法国|美国豪威|EP1989875||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|443|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||英国|美国豪威|EP1989875||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|
|444|Delay Circuit For Reading Out S-H Arrays||荷兰|美国豪威|EP1989875||2007/2/14||2014/7/30||2027/2/14|
|445|PMOS Pixel Structure with Low Cross Talk||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|
|446|PMOS Pixel Structure with Low Cross Talk||法国|美国豪威|EP2030240||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|
|447|Pmos pixel structure with low cross talk||英国|美国豪威|EP2030240||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|
|448|PMOS Pixel Structure with Low Cross Talk||荷兰|美国豪威|EP2030240||2007/3/23||2015/8/26||2027/3/23|
|449|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/4/18||2016/9/14||2027/4/18|
|450|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||法国|美国豪威|EP2014084||2007/4/18||2016/9/14||2027/4/18|
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|452|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||荷兰|美国豪威|EP2014084||2007/4/18||2016/9/14||2027/4/18|
|453|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|454|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||法国|美国豪威|EP2005731||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|455|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||英国|美国豪威|EP2005731||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|456|A-D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||荷兰|美国豪威|EP2005731||2007/2/7||2014/4/9||2027/2/7|
|457|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/1/17||2015/10/7||2027/1/17|
|458|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||英国|美国豪威|EP1977613||2007/1/17||2015/10/7||2027/1/17|
|459|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||荷兰|美国豪威|EP1977613||2007/1/17||2015/10/7||2027/1/17|
|460|Image Sensor with Improved Light Sensitivity||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/1/12||2015/9/9||2027/1/12|
|461|Image Sensor with Improved Light Sensitivity||英国|美国豪威|EP1977614||2007/1/12||2015/9/9||2027/1/12|
|462|Image Sensor with Improved Light Sensitivity||荷兰|美国豪威|EP1977614||2007/1/12||2015/9/9||2027/1/12|
|463|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|464|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||法国|美国豪威|EP2041958||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|
|465|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||英国|美国豪威|EP2041958||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|
|466|Ccd With Improved Substrate Voltage Setting Circuit||荷兰|美国豪威|EP2041958||2007/7/18||2015/10/21||2027/7/18|
|467|Image Sensor Pixel With Gain Control||瑞士|美国豪威|EP2140676||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
|468|Image Sensor Pixel with Gain Control||瑞士|美国豪威|EP2150038||2008/4/22||2013/6/12||2028/4/22|
|469|Image Sensor Pixel With Gain Control||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
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|471|Image Sensor Pixel With Gain Control||法国|美国豪威|EP2140676||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
|472|Image Sensor Pixel with Gain Control||法国|美国豪威|EP2150038||2008/4/22||2013/6/12||2028/4/22|
|473|Image Sensor Pixel With Gain Control||英国|美国豪威|EP2140676||2008/4/22||2015/8/19||2028/4/22|
|474|Image Sensor Pixel with Gain Control||英国|美国豪威|EP2150038||2008/4/22||2013/6/12||2028/4/22|
|475|Reduced Pixel Area Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP2118930||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|476|Reduced Pixel Area Image Sensor||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|477|Reduced Pixel Area Image Sensor||法国|美国豪威|EP2118930||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|478|Reduced Pixel Area Image Sensor||英国|美国豪威|EP2118930||2008/2/20||2015/1/14||2028/2/20|
|479|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|480|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||法国|美国豪威|2057675||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|481|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||英国|美国豪威|EP2057675||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|482|Implant At Shallow Trench Isolation Corner||荷兰|美国豪威|2057675||2007/8/29||2010/9/29||2027/8/29|
|483|Noise Reduction of Panchromatic and Color Image||德国|美国豪威|6.02007E+11||2007/10/29||2012/3/28||2027/10/29|
|484|Noise Reduction of Panchromatic and Color Image||法国|美国豪威|EP2089848||2007/10/29||2012/3/28||2027/10/29|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|485|Noise Reduction of Panchromatic and Color Image||英国|美国豪威|EP2089848||2007/10/29||2012/3/28||2027/10/29|
||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|EP2089905||2007/11/30||2014/1/22|||
|||||International||||||||
|486|||瑞士|Business|||||||2027/11/30|
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||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|6.02007E+11||2007/11/30||2014/1/22|||
|||||International||||||||
|487|||德国|Business|||||||2027/11/30|
|||||Machines||||||||
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||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|EP2089905||2007/11/30||2014/1/22|||
|||||International||||||||
|488|||法国|Business|||||||2027/11/30|
|||||Machines||||||||
|||||Corporation||||||||
||Silicide Strapping in Imager Transfer Gate Device|||美国豪威 and|EP2089905||2007/11/30||2014/1/22|||
|||||International||||||||
|489|||英国|Business|||||||2027/11/30|
|||||Machines||||||||
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|490|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||瑞士|美国豪威|EP2130176||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|
|491|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|492|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||法国|美国豪威|EP2130176||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|
|493|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||英国|美国豪威|EP21300176||2008/3/26||2017/6/7||2028/3/26|
|494|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||瑞士|美国豪威|EP2130175||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|
|495|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|
|496|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||法国|美国豪威|EP2130175||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|
|497|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||英国|美国豪威|EP2130175||2008/3/25||2017/5/3||2028/3/25|
|498|High Gain Read Circuit for 3D Integrated Pixel||瑞士|美国豪威|EP2324506||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|499|High Gain Read Circuit For 3D Integrated Pixel||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|500|High Gain Read Circuit For 3D Integrated Pixel||法国|美国豪威|EP2324506||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|501|High Gain Read Circuit For 3D Integrated Pixel||英国|美国豪威|EP2324506||2009/9/4||2013/5/8||2029/9/4|
|502|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||瑞士|美国豪威|EP2215832||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|503|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||德国|美国豪威|6.02008E+11||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|504|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||法国|美国豪威|EP2215832||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|505|Multiple Image Sensor System With Shared Processing||英国|美国豪威|EP2215832||2008/11/12||2014/6/11||2028/11/12|
|506|sampling and readout of an image sensor||瑞士|美国豪威|EP2339828||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|507|Sampling And Readout Of An Image Sensor||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|508|Sampling And Readout Of An Image Sensor||法国|美国豪威|EP2339828||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|509|Sampling And Readout Of An Image Sensor||英国|美国豪威|EP2339828||2009/1/28||2018/3/28||2029/1/28|
|510|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2345079||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|
|511|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|
|512|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||法国|美国豪威|EP2345079||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|513|Back-Illuminated Cmos Image Sensors||英国|美国豪威|EP2345079||2009/11/5||2016/6/15||2029/11/5|
|514|Stacked Image Sensor With Shared Diffusion Regions||瑞士|美国豪威|EP2255389||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|
|515|Stacked Image Sensor With Shared Diffusion Regions||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|
|516|Stacked Image Sensor With Shared Diffusion Regions||法国|美国豪威|EP2255389||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|
|517|Stacked image sensor with shared diffusion regions||英国|美国豪威|EP2255389||2009/2/12||2014/1/22||2029/2/12|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||EP2308236||2009/7/21||2016/5/25|||
|518|||瑞士|美国豪威|||||||2029/7/21|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||6.02009E+11||2009/7/21||2016/5/25|||
|519|||德国|美国豪威|||||||2029/7/21|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||EP2308236||2009/7/21||2016/5/25|||
|520|||法国|美国豪威|||||||2029/7/12|
||Improved Image Formation Using Different ResolutionImages||||EP2308236||2009/7/21||2016/5/25|||
|521|||英国|美国豪威|||||||2029/7/21|
|522|Extended Depth Of Field For Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP2351354||2009/11/6||2016/8/10||2029/11/6|
|523|Extended Depth Of Field For Image Sensor||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/11/6||2016/8/10||2029/11/6|
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|526|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||瑞士|美国豪威|EP2313927||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|527|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|528|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||法国|美国豪威|EP2313927||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|529|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||英国|美国豪威|EP2313927||2009/7/13||2015/12/2||2029/7/13|
|530|Image Sensor With Improved Angle Response||瑞士|美国豪威|EP2301074||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|531|Image Sensor With Improved Angle Response||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|
|532|Image Sensor With Improved Angle Response||法国|美国豪威|EP2301074||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|
|533|Image Sensor With Improved Angle Response||英国|美国豪威|EP2301074||2009/6/1||2016/8/10||2029/6/1|
|534|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2304797||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
|535|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
|536|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||法国|美国豪威|EP2304797||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
|537|CFA Alignment Mark Formation In Image Sensors||英国|美国豪威|EP2304797||2009/7/7||2012/12/12||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||EP2311091||2009/7/7||2016/11/23|||
|538|||瑞士|美国豪威|||||||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||6.02009E+11||2009/7/7||2016/11/23|||
|539|||德国|美国豪威|||||||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||EP2311091||2009/7/7||2016/11/23|||
|540|||法国|美国豪威|||||||2029/7/7|
||Backside Illuminated Image Sensor With BacksideTrenches||||EP2311091||2009/7/7||2016/11/23|||
|541|||英国|美国豪威|||||||2029/7/7|
|542|Image Sensors having Gratings for Color Separation||瑞士|美国豪威|EP2347443||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|543|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|544|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||法国|美国豪威|EP2347443||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|545|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||英国|美国豪威|EP2347443||2009/10/30||2017/4/12||2029/10/30|
|546|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||瑞士|美国豪威|EP2286579||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|
|547|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|
|548|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||法国|美国豪威|EP2286579||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
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|549|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||英国|美国豪威|EP2286579||2009/5/12||2013/7/10||2029/5/12|
|550|High Dynamic Range Image Sensor||瑞士|美国豪威|EP2297784||2009/6/15||2013/8/21||2029/6/15|
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|552|High Dynamic Range Image Sensor||法国|美国豪威|EP2297784||2009/6/15||2013/8/21||2029/6/15|
|553|High Dynamic Range Image Sensor||英国|美国豪威|EP2297784||2009/6/15||2013/8/21||2029/6/15|
|554|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||瑞士|美国豪威|EP2345080||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|555|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|556|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||法国|美国豪威|EP2345080||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|557|Image sensor having multiple sensing layers||英国|美国豪威|EP2345080||2009/10/5||2015/7/22||2029/10/5|
|558|Wide Aperture Image Sensor Pixel||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/6/9||2011/12/14||2029/6/9|
|559|Wide Aperture Image Sensor Pixel||法国|美国豪威|2304798||2009/6/9||2011/12/14||2029/6/9|
|560|Wide Aperture Image Sensor Pixel||英国|美国豪威|EP2304798||2009/6/9||2011/12/14||2029/6/9|
|561|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||瑞士|美国豪威|EP2321959||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|562|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|563|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||法国|美国豪威|EP2321959||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|564|Image Sensor Pixel With Charge Domain Summing||英国|美国豪威|EP2321959||2009/8/24||2017/8/16||2029/8/24|
|565|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||瑞士|美国豪威|EP2359588||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|566|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|567|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||法国|美国豪威|EP2359588||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|568|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||英国|美国豪威|EP2359588||2009/11/20||2013/4/10||2029/11/20|
|569|Dithered Focus Evaluation||瑞士|美国豪威|EP2335404||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
|570|Dithered Focus Evaluation||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|
|571|Dithered Focus Evaluation||法国|美国豪威|EP2335404||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|
|572|Dithered Focus Evaluation||英国|美国豪威|EP2335404||2009/10/9||2016/10/5||2029/10/9|
|573|Modifying Color and Panchromatic Channel CFA Image||瑞士|美国豪威|EP2359604||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|574|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||德国|美国豪威|6.02009E+11||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|575|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||法国|美国豪威|EP2359604||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|576|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||英国|美国豪威|EP2359604||2009/10/26||2013/12/11||2029/10/26|
|577|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||瑞士|美国豪威|EP2415254||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|578|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||瑞士|美国豪威|EP3038356||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|579|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|580|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|581|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||法国|美国豪威|EP2415254||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|582|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||法国|美国豪威|EP3038356||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|583|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||英国|美国豪威|EP2415254||2010/3/30||2016/7/6||2030/3/30|
|584|Exposing Pixel Groups In Producing Digital Images||英国|美国豪威|EP3038356||2010/3/30||2017/8/30||2030/3/30|
|585|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||瑞士|美国豪威|EP2420051||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
|586|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
|587|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||法国|美国豪威|EP2420051||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
|588|Producing Full-Color Image With Reduced Motion Blur||英国|美国豪威|EP2420051||2010/4/8||2013/8/14||2030/4/8|
||Image Sensors Having Frontside and BacksidePhotodectors||||EP2446472||2010/6/11||2016/12/28|||
|589|||瑞士|美国豪威|||||||2030/6/11|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Image Sensors Having Frontside and BacksidePhotodectors||||6.0201E+11||2010/6/11||2016/12/28|||
|590|||德国|美国豪威|||||||2030/6/11|
||Image Sensors Having Frontside and BacksidePhotodectors||||EP2446472||2010/6/11||2016/12/28|||
|591|||法国|美国豪威|||||||2030/6/11|
||Image sensors having frontside and backsidephotodetectors||||EP2446472||2010/6/11||2016/12/28|||
|592|||英国|美国豪威|||||||2030/6/11|
|593|Four-Channel Color Filter Array Pattern||瑞士|美国豪威|EP2436187||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|594|Four-Channel Color Filter Array Pattern||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|595|Four-Channel Color Filter Array Pattern||法国|美国豪威|EP2436187||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|596|Four-Channel Color Filter Array Pattern||英国|美国豪威|EP2436187||2010/5/7||2014/4/30||2030/5/7|
|597|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||瑞士|美国豪威|EP2519932||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|598|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|599|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||法国|美国豪威|EP2519932||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|600|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||英国|美国豪威|EP2519932||2010/12/27||2017/7/26||2030/12/27|
|601|Image Sensor With Doped Transfer Gate||瑞士|美国豪威|EP2519973||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
|602|Image Sensor With Doped Transfer Gate||德国|美国豪威|6.0201E+11||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
|603|Image Sensor With Doped Transfer Gate||法国|美国豪威|EP2519973||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
|604|Image Sensor With Doped Transfer Gate||英国|美国豪威|EP2519973||2010/12/27||2017/2/15||2030/12/27|
||Image sensor adapted for reduced component chip scalepackaging||||60328159.1||2003/10/23||2009/7/1|||
|605|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image Sensor Adapted For Reduced Component ChipScale Packaging||||EP1434276||2003/10/23||2009/7/1|||
|606|||法国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Image sensor adapted for reduced component chip scalepackaging||||EP1434276||2003/10/23||2009/7/1|||
|607|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
|608|Method of forming planar color filters in an image sensor||瑞士|豪威国际控股|EP1414076||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|
|609|Method of forming planar color filters in an image sensor||德国|豪威国际控股|60347426.8||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|
|610|Method of forming planar color filters in an image sensor||法国|豪威国际控股|EP1414076||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|
|611|Method of forming planar color filters in an image sensor||英国|豪威国际控股|EP1414076||2003/10/23||2015/3/25||2023/10/23|
||Image sensor having enlarge micro-lenses at theperipheral regions||||60318168.6||2003/10/23||2007/12/19|||
|612|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image sensor having enlarge micro-lenses at theperipheral regions||||EP1414072||2003/10/23||2007/12/19|||
|613|||法国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image sensor having enlarged micro-lenses at theperipheral regions||||EP1414072||2003/10/23||2007/12/19|||
|614|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Dummy pattern for improving micro-lens formation in animage sensor||||60307762.5||2003/10/23||2006/8/23|||
|615|||德国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Dummy pattern for improving micro-lens formation in animage sensor||||EP1414075||2003/10/23||2006/8/23|||
|616|||法国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Dummy pattern for improving micro-lens formation in animage sensor||||EP1414075||2003/10/23||2006/8/23|||
|617|||英国|豪威国际控股|||||||2023/10/23|
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
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|618|||瑞士||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
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上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|6.02006E+11||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|619|||德国||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|620|||法国||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Image sensing device and manufacture method thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|621|||英国||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Image Sensor Device and Manufacture Method Thereof|||美国豪威 and|EP1840968||2006/9/22||2014/6/25|||
|||||Visera||||||||
|622|||荷兰||||||||2026/9/22|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof|||美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2010/11/17|||
|||||Visera||||||||
|623|||瑞士||||||||2027/6/20|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof||||6.02007E+11||2007/6/20||2014/9/17|||
|624|||德国|美国豪威|||||||2027/6/20|
|625|Electronic Assembly Comprising An Image Sensor Chip||法国|美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2014/9/17||2027/6/20|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||And Fabrication Method Thereof|||Visera||||||||
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof|||美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2014/9/17|||
|||||Visera||||||||
|626|||英国||||||||2027/6/20|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Electronic Assembly Comprising An Image Sensor ChipAnd Fabrication Method Thereof|||美国豪威 and|EP1942661||2007/6/20||2014/9/17|||
|||||Visera||||||||
|627|||荷兰||||||||2027/6/20|
|||||Technologies||||||||
|||||Co. Ltd.||||||||
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|628|||欧盟|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|629|||瑞士|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||6.02008E+11||2008/11/18||2018/4/25|||
|630|||德国|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|631|||芬兰|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|632|||法国|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|633|||爱尔兰|美国豪威|||||||2028/11/18|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||/地区|||||||||
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|634|||荷兰|美国豪威|||||||2028/11/18|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|635|||瑞典|美国豪威|||||||2028/11/18|
|636|Image sensor with charge binning||德国|美国豪威|6.02004E+11||2004/7/1||2017/8/23||2024/7/1|
|637|Image sensor with charge binning||法国|美国豪威|2323409||2004/7/1||2017/8/23||2024/7/1|
||Replica bias circuit for high speed low voltage commonmode driver||||EP2229733||2008/11/18||2018/4/25|||
|638|||英国|美国豪威|||||||2028/11/18|
|639|Pixel binning and averaging based on illumination||英国|美国豪威|EP1908273||2006/7/18||2018/5/9||2026/7/18|
|640|Image sensor with charge binning||英国|美国豪威|EP2323409||2004/7/1||2017/8/23||2024/7/1|
||Lithographic systems and methods with extended depth offocus||||EP1687829||2004/1/6||2012/8/8|||
|641|||英国|美国豪威|||||||2024/1/6|
|642|Image sensor pixel layout to reduce fixed pattern noise||英国|美国豪威|EP1152472||2001/4/13||2007/11/7||2021/4/13|
||System and method for reducing inter-pixel distortion bydynamic redefinition of display segment boundaries||||EP1093653||1999/7/5||2010/9/8|||
|643|||英国|美国豪威|||||||2019/7/5|
||System and method for extending depth of field in a lenssystem by use of color-dependent wavefront coding||||EP2715447||2012/5/31||2018/7/18|||
|644|||英国|美国豪威|||||||2032/5/31|
|645|Processing images having color and panchromatic pixels||英国|美国豪威|EP2092757||2007/11/15||2018/7/18||2027/11/15|
|646|Providing multiple video signals from single sensor||英国|美国豪威|EP2067353||2007/9/24||2018/7/18||2027/9/24|
|647|Method for correcting eclipse or darkle||英国|美国豪威|EP1941716||2006/12/10||2018/7/4||2026/12/10|
||Method, apparatus and system for providing improved fullwell capacity in an image sensor pixel||||EP2590220||2012/10/31||2018/6/27|||
|648|||英国|美国豪威|||||||2032/10/31|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|||申请国|||||||||
|序号|专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
|||/地区|||||||||
||Light source frequency detection circuit using bipolartransistor|||EP2215830||2008/11/5||2018/6/27|||
|649||英国|美国豪威|||||||2028/11/5|

注：上表中第4项至第6项、第122至124项、第341至348项截至2018年7月31日的状态为有效，截至报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为―失效‖。
（三）在中国台湾拥有的专利权
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|||申请国/|||||||
|序号|专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
|||地区|||||||
||具非挥发性记忆体之互补式金属氧化物半导体影像感测器|||发明第176177号|||||
|1||台湾|美国豪威|||2000/12/15|2003/4/11|2020/12/14|
|2|一种于反射式投影系统使用偏轴照明的系统及方法|台湾|美国豪威|发明第176205号||2002/1/11|2003/3/21|2022/1/10|
|3|制造拟似金属图案的方法及其装置|台湾|美国豪威|发明第195452号||2002/12/11|2004/1/11|2022/12/10|
||显示装置及使用暂时偏移调变时间期间之显示装置驱动设计|||发明第I365430号|||||
|4||台湾|美国豪威|||2006/5/25|2012/6/1|2026/5/24|
|5|单脉冲显示器驱动设计及显示器|台湾|美国豪威|发明第I460696号||2006/5/25|2014/11/11|2026/5/24|
|6|于显示器调变删除资料位元的系统及方法|台湾|美国豪威|发明第I444985号||2006/5/25|2014/7/11|2026/5/24|
|7|显示器驱动设计及显示器|台湾|美国豪威|发明第I460697号||2006/5/25|2014/11/11|2026/5/24|
|8|显示器去偏设计及显示器|台湾|美国豪威|发明第I453710号||2006/5/25|2014/9/21|2026/5/24|
|9|使用目前像素电压以驱动显示器的方法及系统|台湾|美国豪威|发明第I453709号||2006/5/25|2014/9/21|2026/5/24|
|10|由量化控制改良解码器效能的方法与系统|台湾|美国豪威|发明第I514853号||2012/12/19|2015/12/21|2032/12/18|
|11|由量化控制改良解码器效能的方法与系统|台湾|美国豪威|发明第I496116号||2012/12/19|2015/8/11|2032/12/18|
|12|用于解码行程编码资料的解码器与方法|台湾|美国豪威|发明第I539793号||2012/12/19|2016/6/21|2032/12/18|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|13|可减低垂直条纹之透镜对应排列的投影系统||台湾|美国豪威|发明第I222547号||2002/5/22|2004/10/21|2022/5/21|
|14|用于感测器故障检测的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I524737号||2013/9/24|2016/3/1|2033/9/23|
|15|用于感测器故障检测的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I507811号||2013/9/24|2015/11/11|2033/9/23|
|16|随机存取记忆体中压缩资料的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I524740号||2013/6/11|2016/3/1|2033/6/10|
|17|特定应用双模式投影系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I542904号||2013/9/24|2016/7/21|2033/9/23|
|18|特定应用双模式投影系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I592699号||2013/9/24|2017/7/21|2033/9/23|
|19|360度多摄影机系统||台湾|美国豪威|发明第I544794号||2015/3/9|2016/8/1|2035/3/8|
|20|省电显示系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I563484号||2015/7/17|2016/12/21|2035/7/16|
|21|液晶显示器及硅基红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I613803号||2016/8/24|2018/2/1|2036/8/23|
||在互补式金属氧化物半导体影像感测器中具有减低暗电流之主动像素||||发明第189275号|||||
|22|||台湾|美国豪威|||2002/8/22|2003/11/1|2022/8/21|
|23|决定在光学滑鼠中相对移动之方法与装置||台湾|美国豪威|发明第I261778号||2002/10/30|2006/9/11|2022/10/29|
||利用现有快递冲印系统将数位影像冲印为相片之方法与装置||||发明第I240145号|||||
|24|||台湾|豪威半导体|||2003/10/7|2005/9/21|2023/10/6|
|25|具有影像感测器并用以充电之行动装置||台湾|美国豪威|发明第I305698号||2005/2/4|2009/1/21|2025/2/3|
|26|用于行动装置之多重视讯界面||台湾|美国豪威|发明第I273475号||2005/2/4|2007/2/11|2025/2/3|
|27|于GSM网路上传递低位元率影像||台湾|美国豪威|发明第I281351号||2005/11/2|2007/5/11|2025/11/1|
|28|使用双网路模式之增强影像串流之方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I311422号||2005/7/4|2009/6/21|2025/7/3|
|29|于行动通讯装置中远端触发多媒体资料之传送||台湾|美国豪威|发明第I280778号||2005/7/4|2007/5/1|2025/7/3|
|30|平行计算单元之可透视重新定位||台湾|美国豪威|发明第I370967号||2005/8/30|2012/8/21|2025/8/29|
|31|可将负片影像转换为正片影像的数位相机||台湾|美国豪威|发明第I293004号||2005/11/4|2008/1/21|2025/11/3|
|32|阵列成像系统及其相关方法||台湾|美国豪威|发明第I397995号||2007/4/17|2013/6/1|2027/4/16|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||成像电磁能之成像系统、相位修改光学及设计瞳孔函数之方法||||发明第I447502号|||||
|33|||台湾|美国豪威|||2007/5/23|2014/8/1|2027/5/22|
|34|多层光学滤波器设计及相关系统||台湾|美国豪威|发明第I412946号||2008/4/25|2013/10/21|2028/4/24|
|35|具晕染抑制功能之高动态范围感测器||台湾|美国豪威|发明第I392351号||2008/6/18|2013/4/1|2028/6/17|
|36|多区域成像系统||台湾|美国豪威|发明第I495337号||2008/8/4|2015/8/1|2028/8/3|
|37|在缩减取样模式中具有高动态范围的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I389563号||2008/8/22|2013/3/11|2028/8/21|
|38|透射式侦测器、使用该侦测器之系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I455326号||2008/9/12|2014/10/1|2028/9/11|
||藉由多个读出电路路径改善动态范围之影像感测设备与方法||||发明第I415454号|||||
|39|||台湾|美国豪威|||2008/8/22|2013/11/11|2028/8/21|
|40|在影像感测中达到高动态范围的方法及影像感测系统||台湾|美国豪威|发明第I392375号||2008/10/22|2013/4/1|2028/10/21|
|41|用于定位投影影像中一光点之双模投影装置与方法||台湾|美国豪威|发明第I400554号||2008/10/28|2013/7/1|2028/10/27|
|42|用于追踪光指标器之装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I375898号||2008/10/28|2012/11/1|2028/10/27|
|43|测试影像感测器晶圆以辨识像素缺陷之装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I399819号||2008/11/18|2013/6/21|2028/11/17|
|44|用以估计场景光源之影像感测器装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I399503号||2008/11/18|2013/6/21|2028/11/17|
|45|具有整合式闪光灯之可回焊相机模组||台湾|美国豪威|发明第I382753号||2008/12/16|2013/1/11|2028/12/15|
||不使用底部填充封胶即可改善焊点可靠度之相机模组封装结构及其方法||||发明第I383476号|||||
|46|||台湾|美国豪威|||2008/12/18|2013/1/21|2028/12/17|
|47|一种使用间隔结合剂封装图像感测器之方法与装置||台湾|美国豪威|发明第I411068号||2009/4/17|2013/10/1|2029/4/16|
|48|膜悬置光学元件与相关方法||台湾|美国豪威|发明第I432788号||2009/1/15|2014/4/1|2029/1/14|
|49|藉由多孔径成像系统捕捉的影像之融合||台湾|美国豪威|发明第I399975号||2009/2/2|2013/6/21|2029/2/1|
||成像光学元件、光学成像系统以及用于提供非单调波前相位之基于电脑的方法||||发明第I459030号|||||
|50|||台湾|美国豪威|||2009/2/13|2014/11/1|2029/2/12|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|51|以物件为基础之光学字元辨识之预处理演算法||台湾|美国豪威|发明第I463415号||2010/3/5|2014/12/1|2030/3/4|
|52|用以提供影像资料之系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I513300号||2010/6/15|2015/12/11|2030/6/14|
||放大装置及用以放大第一差动信号及第二差动信号之方法||||发明第I427921号|||||
|53|||台湾|美国豪威|||2010/12/7|2014/2/21|2030/12/6|
|54|形成保护膜于微型摄像晶片上之装置及其形成方法||台湾|美国豪威|发明第I430343号||2010/1/26|2014/3/11|2030/1/25|
||影像感测器及用以对影像感测器所产生之影像进行向下取样之方法||||发明第I491252号|||||
|55|||台湾|美国豪威|||2012/2/9|2015/7/1|2032/2/8|
|56|光学对齐结构和相关方法||台湾|美国豪威|发明第I517371号||2011/5/13|2016/1/11|2031/5/12|
|57|探针卡||台湾|美国豪威|发明第I421502号||2010/6/25|2014/1/1|2030/6/24|
|58|串色影像处理系统和提高清晰度的方法||台湾|美国豪威|发明第I450594号||2011/7/13|2014/8/21|2031/7/12|
|59|光学位置输入系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I471784号||2011/8/5|2015/2/1|2031/8/4|
|60|用于晶圆级摄影模组之微调聚焦之机械组件及其方法||台湾|美国豪威|发明第I486661号||2011/9/27|2015/6/1|2031/9/26|
|61|一种用以提供扩展景深之光学系统、方法及装置||台湾|美国豪威|发明第I452337号||2011/11/1|2014/9/11|2031/10/31|
|62|形成保护膜于晶片封装上之装置及其形成方法||台湾|美国豪威|发明第I451503号||2010/12/27|2014/9/1|2030/12/26|
|63|形成保护膜于晶片封装上之装置及其形成方法||台湾|美国豪威|发明第I408781号||2011/1/25|2013/9/11|2031/1/24|
||具全幅对焦之三维影像撷取装置及方法||||发明第I490629号|||||
|64|||台湾|美国豪威|||2012/2/3|2015/7/1|2032/2/2|
|65|利用半成品方式之二段式光学物件成形||台湾|美国豪威|发明第I448734号||2012/2/3|2014/8/11|2032/2/2|
|66|可挠性薄膜及透镜组件及透镜复制之相关方法||台湾|美国豪威|发明第I539195号||2012/4/24|2016/6/21|2032/4/23|
|67|以色相关波前编码延伸透镜系统景深的系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I480583号||2012/5/31|2015/4/11|2032/5/30|
|68|整合晶粒级摄像元件及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I475672号||2012/10/2|2015/3/1|2032/10/1|
|69|晶圆级相机、用于晶圆级相机的晶圆间隔层及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I584361号||2012/9/28|2017/5/21|2032/9/27|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||晶圆级相机子系统及用于晶圆级相机的晶圆间隔层之制造方法||||发明第I543347号|||||
|70|||台湾|美国豪威|||2012/11/13|2016/7/21|2032/11/12|
|71|具有选择景深之摄像系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I514870号||2012/11/19|2015/12/21|2032/11/18|
|72|晶圆级摄像器之透镜板及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I490555号||2013/3/22|2015/7/1|2033/3/21|
|73|用于修正在数位影像资料中之失真的设备和方法||台湾|美国豪威|发明第I513303号||2013/5/8|2015/12/11|2033/5/7|
|74|修正一影像系统之晕影的方法及装置||台湾|美国豪威|发明第I479454号||2013/6/20|2015/4/1|2033/6/19|
|75|用于产生子母画面（PIP）影像之设备及方法||台湾|美国豪威|发明第I533701号||2012/9/28|2016/5/11|2032/9/27|
|76|使用多个摄像器以提供延伸视野的影像处理系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I514872号||2013/7/26|2015/12/21|2033/7/25|
|77|用于提供延伸视野影像的摄像系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I569643号||2013/7/26|2017/2/1|2033/7/25|
||利用紫外光可穿透模具来制造用于整合式相机之透镜板的方法以及制造紫外光可穿透模具的方法||||发明第I522223号|||||
|78|||台湾|美国豪威|||2013/7/26|2016/2/21|2033/7/25|
||由行动扫描器重新继续撷取物体之基本影像之系统与方法||||发明第I502956号|||||
|79|||台湾|美国豪威|||2013/8/19|2015/10/1|2033/8/18|
||具白光、黄光及红光感光元件之背照式感光元件感测器阵列||||发明第I515884号|||||
|80|||台湾|美国豪威|||2013/8/29|2016/1/1|2033/8/28|
||藉由时间匹配之间歇性照明来控制摄像系统之光强度之系统与方法||||发明第I573462号|||||
|81|||台湾|美国豪威|||2013/9/27|2017/3/1|2033/9/26|
|82|取得均匀光源之装置与方法||台湾|美国豪威|发明第I509266号||2013/10/11|2015/11/21|2033/10/10|
|83|影像感测器测试探针卡及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I509254号||2014/2/27|2015/11/21|2034/2/26|
||胶囊内视镜之大视场透镜系统以及具有大视场透镜系统之胶囊内视镜||||发明第I511699号|||||
|84|||台湾|美国豪威|||2013/10/11|2015/12/11|2033/10/10|
|85|包括至少一拜耳型摄影机的摄影机阵列系统及关联的方||台湾|美国豪威|发明第I525382号||2013/11/21|2016/3/11|2033/11/20|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||法|||||||||
|86|一种基于层之自助调整同级媒体串流之装置和方法||台湾|美国豪威|发明第I530147号||2014/2/24|2016/4/11|2034/2/23|
||电子照相机之自动白平衡之自动化自我训练之装置及方法||||发明第I551150号|||||
|87|||台湾|美国豪威|||2014/3/13|2016/9/21|2034/3/12|
|88|资讯科技装置输入系统及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I607343号||2014/2/27|2017/12/1|2034/2/26|
|89|一种校准360度照相机系统之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I502985号||2014/4/8|2015/10/1|2034/4/7|
|90|晶圆级阵列相机及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I572022号||2014/4/14|2017/2/21|2034/4/13|
|91|晶圆级阵列相机||台湾|美国豪威|发明第I621252号||2014/4/14|2018/4/11|2034/4/13|
||使用正方形影像感测器以用于弹性影像方位之取像系统及方法||||发明第I536822号|||||
|92|||台湾|美国豪威|||2014/4/25|2016/6/1|2034/4/24|
||具有广视角的五个非球面表面晶圆级透镜系统及透镜系统||||发明第I493220号|||||
|93|||台湾|美国豪威|||2014/5/7|2015/7/21|2034/5/6|
|94|线上记忆体测试系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I527046号||2014/5/5|2016/3/21|2034/5/4|
|95|投影机及其光学元件调整系统||台湾|美国豪威|发明第I494632号||2013/5/17|2015/8/1|2033/5/16|
|96|近眼显示系统、装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I533029号||2014/5/22|2016/5/11|2034/5/21|
|97|对准近眼显示装置的系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I572898号||2014/5/22|2017/3/1|2034/5/21|
|98|镜框之固设系统||台湾|美国豪威|发明第I486666号||2014/5/22|2015/6/1|2034/5/21|
|99|产生全景画像的系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I545388号||2014/6/12|2016/8/11|2034/6/11|
|100|具有整合式方位指示器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I523631号||2014/6/18|2016/3/1|2034/6/17|
||用于照相机中之分布式影像处理以使在拼接影像中之假影最小化之方法及设备||||发明第I542941号|||||
|101|||台湾|美国豪威|||2014/6/18|2016/7/21|2034/6/17|
|102|用于提供三维彩色影像之多频带影像感测器及其方法||台湾|美国豪威|发明第I564593号||2014/6/18|2017/1/1|2034/6/17|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|103|自发光互补金属氧化物半导体影像感测器封装||台湾|美国豪威|发明第I573554号||2014/6/18|2017/3/11|2034/6/17|
|104|用以产生高动态范围影像之系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I550558号||2014/8/15|2016/9/21|2034/8/14|
||基于单一成像感测器的摄影机装置及系统以及其制造方法||||发明第I584643号|||||
|105|||台湾|美国豪威|||2014/9/5|2017/5/21|2034/9/4|
|106|以覆液喷洒制程形塑光学透镜的装置和方法||台湾|美国豪威|发明第I571373号||2014/9/15|2017/2/21|2034/9/14|
||具有屏蔽、深穿透及颜色检测光二极体的颜色光感测器阵列的感应器和方法||||发明第I558220号|||||
|107|||台湾|美国豪威|||2014/9/15|2016/11/11|2034/9/14|
|108|涂层式钻石磨削复制母模及其相关方法||台湾|美国豪威|发明第I552325号||2014/10/28|2016/10/1|2034/10/27|
|109|双像素大小彩色影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I567958号||2014/11/3|2017/1/21|2034/11/2|
|110|用于硅基液晶显示面板之热载体及关联方法||台湾|美国豪威|发明第I519883号||2014/11/3|2016/2/1|2034/11/2|
|111|影像资料汇集高动态范围成像系统及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I554104号||2014/11/14|2016/10/11|2034/11/13|
||用于捕获可见光影像与红外光影像两者之影像感测器，以及相关联系统与方法||||发明第I590427号|||||
|112|||台湾|美国豪威|||2014/11/20|2017/7/1|2034/11/19|
||具有在多晶硅闸极中运用 P 型掺杂之 NMOS 源极随耦器的影像感测器||||发明第I543352号|||||
|113|||台湾|美国豪威|||2014/11/28|2016/7/21|2034/11/27|
|114|具有机载资料储存器的胶囊相机及用于其的方法||台湾|美国豪威|发明第I597043号||2014/12/16|2017/9/1|2034/12/15|
||用于长距离行动产业处理器介面实体层串列链路之基于数位校准的偏斜抵消||||发明第I530148号|||||
|115|||台湾|美国豪威|||2014/12/16|2016/4/11|2034/12/15|
|116|具有高效率热传递之成像设备及其相关系统||台湾|美国豪威|发明第I574561号||2015/1/5|2017/3/11|2035/1/4|
|117|用以在作业系统中扫描测试闲置功能单元之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I550399号||2015/1/8|2016/9/21|2035/1/7|
|118|图像转换和多视图输出系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I524306号||2015/2/12|2016/3/1|2035/2/11|
|119|用于相机模组中的连续自动对焦系统与方法||台湾|美国豪威|发明第I551139号||2015/2/16|2016/9/21|2035/2/15|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|120|用于空间受限位置中之成像系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I565318号||2015/4/21|2017/1/1|2035/4/20|
|121|平面布局最佳化之堆叠式影像感测器及其方法||台湾|美国豪威|发明第I553498号||2015/4/1|2016/10/11|2035/3/31|
|122|光学变焦成像系统及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I568258号||2015/4/21|2017/1/21|2035/4/20|
|123|在晶圆层上将相机立方体镀黑之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I551880号||2015/4/21|2016/10/1|2035/4/20|
|124|用于相机制造之晶圆级结合方法||台湾|美国豪威|发明第I577003号||2015/4/29|2017/4/1|2035/4/28|
|125|背照式彩色影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I549277号||2015/4/29|2016/9/11|2035/4/28|
|126|悬式透镜系统及用于制造悬式透镜系统之晶圆级方法||台湾|美国豪威|发明第I575303号||2015/4/21|2017/3/21|2035/4/20|
|127|晶圆级硅基液晶投影组建、系统与方法||台湾|美国豪威|发明第I521296号||2014/5/22|2016/2/11|2034/5/21|
|128|用于获得影像深度资讯之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I577171号||2015/5/21|2017/4/1|2035/5/20|
|129|凹形间隔件晶圆孔洞及形成于其中之晶圆级光学元件||台湾|美国豪威|发明第I569056号||2015/5/21|2017/2/1|2035/5/20|
|130|在影像感测器中进行数位相关双倍取样的系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I549512号||2015/6/26|2016/9/11|2035/6/25|
|131|一种多层结构||台湾|美国豪威|发明第I602702号||2015/6/25|2017/10/21|2035/6/24|
|132|晶圆级透镜系统及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I579587号||2015/6/30|2017/4/21|2035/6/29|
||具有真空密封透镜盖的热成像系统和相关的晶圆级制造方法||||发明第I575231号|||||
|133|||台湾|美国豪威|||2015/7/9|2017/3/21|2035/7/8|
|134|用于嵌入立体影像的系统、方法及其软体产品||台湾|美国豪威|发明第I536832号||2015/7/17|2016/6/1|2035/7/16|
||用于检测置于影像感测器上之样品中颗粒之无透镜成像系统与方法||||发明第I582409号|||||
|135|||台湾|美国豪威|||2015/7/20|2017/5/11|2035/7/19|
|136|用于可PCB安装的相机模组之可PCB安装的透镜配接器||台湾|美国豪威|发明第I569436号||2015/8/21|2017/2/1|2035/8/20|
||透光区及影像感测装置之形成方法|||美国豪威、采|发明第I382273号|||||
|137|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/27|2013/1/11|2028/5/26|
|||||限公司||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||对准装置及其应用|||美国豪威、采|发明第I358618号|||||
|138|||台湾|钰科技股份有|||2008/3/7|2012/2/21|2028/3/6|
|||||限公司||||||
||透镜模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I439734号|||||
|139|||台湾|钰科技股份有|||2008/6/3|2014/6/1|2028/6/2|
|||||限公司||||||
||影像感测装置之电子组件|||美国豪威、采|发明第I379411号|||||
|140|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/26|2012/12/11|2028/5/25|
|||||限公司||||||
||软模及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I424468号|||||
|141|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/27|2014/1/21|2028/5/26|
|||||限公司||||||
||微透镜|||美国豪威、采|发明第I378264号|||||
|142|||台湾|钰科技股份有|||2008/5/19|2012/12/1|2028/5/18|
|||||限公司||||||
||具电磁波相容镀层的电子元件封装体|||美国豪威、采|发明第I382516号|||||
|143|||台湾|钰科技股份有|||2008/10/9|2013/1/11|2028/10/8|
|||||限公司||||||
||影像感测器装置及其密封模组|||美国豪威、采|发明第I500119号|||||
|144|||台湾|钰科技股份有|||2009/9/16|2015/9/11|2029/9/15|
|||||限公司||||||
||微型影像撷取透镜|||美国豪威、采|发明第I436090号|||||
|145|||台湾||||2009/1/16|2014/5/1|2029/1/15|
|||||钰科技股份有||||||

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|||||限公司||||||
||影像撷取镜头|||美国豪威、采|发明第I393932号|||||
|146|||台湾|钰科技股份有|||2009/5/21|2013/4/21|2029/5/20|
|||||限公司||||||
||微型影像撷取透镜|||美国豪威、采|发明第I392892号|||||
|147|||台湾|钰科技股份有|||2009/1/19|2013/4/11|2029/1/18|
|||||限公司||||||
||光学元件及其制造方法、影像撷取装置|||美国豪威、采|发明第I436117号|||||
|148|||台湾|钰科技股份有|||2009/4/16|2014/5/1|2029/4/15|
|||||限公司||||||
||微型相机模组|||美国豪威、采|发明第I417629号|||||
|149|||台湾|钰科技股份有|||2009/7/15|2013/12/1|2029/7/14|
|||||限公司||||||
||微型影像撷取透镜|||美国豪威、采|发明第I410672号|||||
|150|||台湾|钰科技股份有|||2009/10/26|2013/10/1|2029/10/25|
|||||限公司||||||
||影像感测元件之电子装置、晶圆级透镜组|||美国豪威、采|发明第I411295号|||||
|151|||台湾|钰科技股份有|||2010/2/5|2013/10/1|2030/2/4|
|||||限公司||||||
||影像摄取透镜模组|||美国豪威、采|发明第I406002号|||||
|152|||台湾|钰科技股份有|||2010/3/23|2013/8/21|2030/3/22|
|||||限公司||||||
|153|照相模组及其制造方法||台湾|美国豪威、采|发明第I475674号||2010/8/25|2015/3/1|2030/8/24|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
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|||||钰科技股份有||||||
|||||限公司||||||
||影像摄取透镜模组及影像摄取系统|||美国豪威、采|发明第I418872号|||||
|154|||台湾|钰科技股份有|||2010/1/14|2013/12/11|2030/1/13|
|||||限公司||||||
||影像撷取透镜模组及影像撷取装置封装物|||美国豪威、采|发明第I454748号|||||
|155|||台湾|钰科技股份有|||2011/7/14|2014/10/1|2031/7/13|
|||||限公司||||||
||光学装置及其设计方法|||美国豪威、采|发明第I467309号|||||
|156|||台湾|钰科技股份有|||2011/7/13|2015/1/1|2031/7/12|
|||||限公司||||||
||影像感测元件之制造方法及铸造装置|||美国豪威、采|发明第I453111号|||||
|157|||台湾|钰科技股份有|||2010/8/24|2014/9/21|2030/8/23|
|||||限公司||||||
||影像摄取透镜模组及影像摄取系统|||美国豪威、采|发明第I421531号|||||
|158|||台湾|钰科技股份有|||2010/10/12|2014/1/1|2030/10/11|
|||||限公司||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I436118号|||||
|159|||台湾|钰科技股份有|||2011/12/14|2014/5/1|2031/12/13|
|||||限公司||||||
||影像感测装置及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I420661号|||||
|160|||台湾|钰科技股份有|||2010/9/29|2013/12/21|2030/9/28|
|||||限公司||||||

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||透镜模组及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I435134号|||||
|161|||台湾|钰科技股份有|||2011/4/1|2014/4/21|2031/3/31|
|||||限公司||||||
||透镜组及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I476097号|||||
|162|||台湾|钰科技股份有|||2011/7/12|2015/3/11|2031/7/11|
|||||限公司||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I491249号|||||
|163|||台湾|钰科技股份有|||2011/10/7|2015/7/1|2031/10/6|
|||||限公司||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I522671号|||||
|164|||台湾|钰科技股份有|||2011/7/13|2016/2/21|2031/7/12|
|||||限公司||||||
||光学透镜模组|||美国豪威、采|发明第I456246号|||||
|165|||台湾|钰科技股份有|||2011/12/8|2014/10/11|2031/12/7|
|||||限公司||||||
||相机模组的制造方法|||美国豪威、采|发明第I460485号|||||
|166|||台湾|钰科技股份有|||2011/12/2|2014/11/11|2031/12/1|
|||||限公司||||||
||相机单元及其微镜头|||美国豪威、采|发明第I457606号|||||
|167|||台湾|钰科技股份有|||2012/2/3|2014/10/21|2032/2/2|
|||||限公司||||||
|168|三片式全非球面转接器鱼眼镜头||台湾|美国豪威|发明第I545344号||2015/8/21|2016/8/11|2035/8/20|
|169|四片式全非球面之外接器鱼眼镜头||台湾|美国豪威|发明第I550304号||2015/8/21|2016/9/21|2035/8/20|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|170|自动化的细胞生长/迁移检测系统及相关的方法||台湾|美国豪威|发明第I548742号||2015/8/19|2016/9/11|2035/8/18|
|171|制造有孔透镜之晶圆级方法及相关有孔透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I609200号||2015/9/2|2017/12/21|2035/9/1|
||具有信号分离的彩色滤波器阵列的双模影像感测器及其方法||||发明第I563648号|||||
|172|||台湾|美国豪威|||2015/10/8|2016/12/21|2035/10/7|
||具样品加热能力之高输出荧光成像系统与装置以及相关方法||||发明第I596332号|||||
|173|||台湾|美国豪威|||2015/10/6|2017/8/21|2035/10/5|
|174|具有嵌入式微流体的色敏影像感测器和相关方法||台湾|美国豪威|发明第I575720号||2015/10/28|2017/3/21|2035/10/27|
|175|具有嵌入式微流体的色敏影像感测器和相关方法||台湾|美国豪威|发明第I588983号||2015/10/28|2017/6/21|2035/10/27|
||用于供结合背面照明式光感测器阵列的电路之特别用途的积体电路之接地系统||||发明第I585956号|||||
|176|||台湾|美国豪威|||2015/10/30|2017/6/1|2035/10/29|
|177|晶圆级封装式半导体装置及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I566393号||2015/11/13|2017/1/11|2035/11/12|
|178|原件嵌入式影像感测器及其圆晶级制造方法||台湾|美国豪威|发明第I573247号||2015/11/13|2017/3/1|2035/11/12|
|179|用于硅基液晶面板的面板载体和用于将其电互连的方法||台湾|美国豪威|发明第I560490号||2015/11/17|2016/12/1|2035/11/16|
|180|边缘侦测系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I588757号||2015/12/4|2017/6/21|2035/12/3|
|181|用于电子照相机之自动白平衡系统||台湾|美国豪威|发明第I588779号||2015/12/18|2017/6/21|2035/12/17|
|182|用于电子照相机之自动白平衡方法||台湾|美国豪威|发明第I539812号||2015/12/18|2016/6/21|2035/12/17|
|183|低剖面混合型透镜系统及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I578019号||2016/1/26|2017/4/11|2036/1/25|
|184|透镜式分光器棱镜阵列及其相关方法||台湾|美国豪威|发明第I597525号||2016/1/26|2017/9/1|2036/1/25|
|185|使用消色差双棱镜阵列之广角摄影机及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I605273号||2016/2/15|2017/11/11|2036/2/14|
|186|使用消色差双棱镜阵列之广角摄影机及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I575952号||2016/2/15|2017/3/21|2036/2/14|
|187|硅基液晶面板及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I567453号||2016/2/15|2017/1/21|2036/2/14|
|188|曲面影像感测器系统及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I584453号||2016/2/15|2017/5/21|2036/2/14|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||用于LCOS显示器之空间交错的偏振转换器及用于将具有复数线性偏振状态的输入光束转换到具有单一化共同极化状态的输出光束之方法||||发明第I579596号|||||
|189|||台湾|美国豪威|||2016/2/25|2017/4/21|2036/2/24|
|190|高反射硅基液晶面板||台湾|美国豪威|发明第I611246号||2016/2/25|2018/1/11|2036/2/24|
|191|气凝胶包覆式影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I618234号||2016/3/4|2018/3/11|2036/3/3|
|192|含有干粘合剂层之光学组建及相关方法||台湾|美国豪威|发明第I584645号||2016/3/16|2017/5/21|2036/3/15|
||可减少随机电报信号杂讯的 CMOS 影像感测器和相关方法||||发明第I563849号|||||
|193|||台湾|美国豪威|||2016/4/29|2016/12/21|2036/4/28|
||用于稳健晶片内建相位检测之影像感测器以及相关系统和方法||||发明第I569647号|||||
|194|||台湾|美国豪威|||2016/5/12|2017/2/1|2036/5/11|
||具有单光子累崩二极体和感测器平移的成像系统以及相关的方法||||发明第I596938号|||||
|195|||台湾|美国豪威|||2016/6/14|2017/8/21|2036/6/13|
||具有用来减少串扰和增强红外线灵敏度的非均一埋藏P井深度态样的RGB-IR光感测器||||发明第I588982号|||||
|196|||台湾|美国豪威|||2016/5/31|2017/6/21|2036/5/30|
|197|用于评价图像信号处理器中实施的分类器的系统和方法||台湾|美国豪威|发明第I615809号||2016/10/19|2018/2/21|2036/10/18|
|198|包含位置受控的孔径的光学间隔件之制造方法||台湾|美国豪威|发明第I609776号||2016/7/19|2018/1/1|2036/7/18|
|199|利用同轴眼睛成像之近眼显示装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I601979号||2015/9/30|2017/10/11|2035/9/29|
||具半岛式接地点之互补式金属氧化物半导体影像感测器与其制造方法||||发明第I584455号|||||
|200|||台湾|美国豪威|||2016/7/12|2017/5/21|2036/7/11|
|201|具有宽视野之近红外线混合透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I610093号||2016/9/6|2018/1/1|2036/9/5|
|202|四表面窄视场复合透镜||台湾|美国豪威|发明第I624682号||2016/12/13|2018/5/21|2036/12/12|
|203|三表面宽视场透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I610092号||2016/9/6|2018/1/1|2036/9/5|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|204|晶圆级混合式复合透镜与其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I610099号||2016/10/7|2018/1/1|2036/10/6|
||具有黑色遮罩的晶片尺寸封装之影像感测器封装及相关封装方法||||发明第I614883号|||||
|205|||台湾|美国豪威|||2016/10/13|2018/2/11|2036/10/12|
|206|凹口间隔式相机模组及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I590472号||2016/9/26|2017/7/1|2036/9/25|
||具有对称之多像素相位差检测器之影像感测器、成像系统及相关检测方法||||发明第I605297号|||||
|207|||台湾|美国豪威|||2016/7/19|2017/11/11|2036/7/18|
||具有改进的相位侦测像素的 BSI CMOS 影像感测器及其方法||||发明第I597832号|||||
|208|||台湾|美国豪威|||2016/10/13|2017/9/1|2036/10/12|
||用于无转接器智慧型手机眼睛成像之投影机及其相关方法||||发明第I606265号|||||
|209|||台湾|美国豪威|||2016/11/4|2017/11/21|2036/11/3|
|210|减少光斑成像系统和相关的图像感测器||台湾|美国豪威|发明第I617905号||2017/3/21|2018/3/11|2037/3/20|
|211|六非球面透镜||台湾|美国豪威|发明第I624683号||2017/9/29|2018/5/21|2037/9/28|
|212|具有基于特征的重影去除的阵列照相机影像组合||台湾|美国豪威|发明第I621099号||2017/9/13|2018/4/11|2037/9/12|
||具有二个或多数线读取结构及高感度交错彩色结构之单晶片彩色CMOS影像感应器||||发明第122401号|||||
|213|||台湾|美国豪威|||1999/2/8|2000/10/1|2019/2/7|
|214|使用于光学影像感测器积体电路的晶片尺度封装||台湾|美国豪威|发明第147348号||2000/11/8|2001/11/21|2020/11/7|
|215|具有一钉入之光二极体的改良式主动像素及其制法||台湾|美国豪威|发明第125291号||1999/1/18|2000/12/11|2019/1/17|
|216|互补式金氧半影像感测器之最佳化浮动P+区域光二极体||台湾|美国豪威|发明第149084号||2000/11/8|2002/1/1|2020/11/7|
|217|降低影像延迟之改良APS平缓重置电路||台湾|美国豪威|发明第174469号||2000/11/8|2003/3/11|2020/11/7|
|218|彩色影像资料处理及压缩之方法及设备||台湾|美国豪威|发明第167560号||2000/12/8|2002/11/1|2020/12/7|
|219|具有晶片上图案辨识之互补式金氧半电晶体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第198235号||2002/10/30|2004/3/1|2022/10/29|
|220|于互补式金氧半导体影像感测器中快速自动曝光或增益||台湾|美国豪威|发明第203268号||2002/10/30|2004/6/1|2022/10/29|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日||失效日期|
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||控制之方法||||||||||
|221|读出电路与从一图素读出一光信号之方法||台湾|美国豪威|发明第I231041号||2002/10/30|2005/4/11||2022/10/29|
||于互补式金氧半导体影像感测器中快速自动曝光或增益控制之方法||||发明第203039号||||||
|222|||台湾|美国豪威|||2002/10/30|2004/5/21||2022/10/29|
||消除在一线性互补式金氧半电晶体影像感应器中 KTC 杂讯之装置及方法||||发明第I233299号||||||
|223|||台湾|美国豪威|||2003/3/27|2005/5/21||2023/3/26|
||具有增加讯号范围之行读出电路之互补式金氧半电晶体之影像感应器||||发明第I227946号||||||
|224|||台湾|美国豪威|||2003/3/27|2005/2/11||2023/3/26|
|225|具有光敏彩色滤光器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I228933号||2002/12/3|2005/3/1||2022/12/2|
||影像感测器、单一积体电路印模、及在影像装置中用于影像压缩与/或解压缩之方法||||发明第I373262号||||||
|226|||台湾|美国豪威|||2004/5/7|2012/9/21||2024/5/6|
||具有减少数量行读出电具有减少数目行读出电路之互补式金氧半导体影像感应器||||发明第I235602号||||||
|227|||台湾|美国豪威|||2004/1/16|2005/7/1||2024/1/15|
|228|拥有双自动控制之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I237500号||2004/1/20|2005/8/1||2024/1/19|
||使用具有圆框相加及移动补偿的高圆框率之互补金氧半导体影像感测器||||发明第I343741号||||||
|229|||台湾|美国豪威|||2004/5/7|2011/6/11||2024/5/6|
|230|使用负向至正向电压摆动转换电晶体之主动式像素单元||台湾|美国豪威|发明第I351106号||2004/5/7|2011/10/21||2024/5/6|
|231|形成于N-型基底上之互补式金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I281728号||2005/1/26|2007/5/21||2025/1/25|
||于像素间使用共享电晶体之互补式金氧半导体影像感测器||||发明第I256132号||||||
|232|||台湾|美国豪威|||2005/1/26|2006/6/1||2025/1/25|
|233|混合式电荷耦合互补式金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I270205号||2005/2/5|2007/1/1|2025/2/4||
|234|自动白平衡之方法与装置||台湾|美国豪威|发明第I259326号||2005/2/16|2006/8/1||2025/2/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日||授予日||失效日期|
||||地区|||||||||
|235|用于局部调适影像处理滤波器之方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I258717号||2005/2/17||2006/7/21||2025/2/16|
|236|使用经处理的YUV资料之透镜校正||台湾|美国豪威|发明第I361904号||2004/9/22||2012/4/11||2024/9/21|
||检测环境光之闪光速度以控制摄影机帧速度之方法与系统||||发明第I281085号|||||||
|237|||台湾|美国豪威|||2005/2/16||2007/5/11||2025/2/15|
|238|具有埋入式电晶体之主动像素||台湾|美国豪威|发明第I248205号||2005/2/16||2006/1/21||2025/2/15|
|239|利用非对称转换电晶体之主动像素晶胞||台湾|美国豪威|发明第I294188号||2005/2/16||2008/3/1||2025/2/15|
|240|影像感测器以及具有可变电容输出或浮动节点之像素||台湾|美国豪威|发明第I280788号||2005/8/31||2007/5/1||2025/8/30|
||在浮接节点具有可调式电容量之影像感测器与像素感测器||||发明第I286029号|||||||
|241|||台湾|美国豪威|||2005/10/12||2007/8/21||2025/10/11|
|242|具有非凸性光电二极体之影像感测器与像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I282170号||2005/10/7||2007/6/1||2025/10/6|
||于讯号累积期间具有正移转闸极电压之影像感测器与像素感测器||||发明第I290800号|||||||
|243|||台湾|美国豪威|||2005/10/7||2007/12/1||2025/10/6|
||具有多重掺杂布植之光电二极之影像感测器与像素感测器||||发明第I298205号|||2008/6/21||2025/10/6||
|244|||台湾|美国豪威|||2005/10/7|||||
|245|具有抗反光镀膜光电二极体之影像感测器与像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I295850号||2005/10/12||2008/4/11||2025/10/11|
|246|用于CMOS影像感测器之局部内接线结果与其方法||台湾|美国豪威|发明第I304248号||2005/11/2||2008/12/11||2025/11/1|
||在光电二极体上具有复晶硅层之影像感测器与像素感测器||||发明第I295503号|||||||
|247|||台湾|美国豪威|||2005/11/2||2008/4/1||2025/11/1|
||具有一个最佳化浮动扩散放大器之影像感测器和像素感测元件||||发明第I285431号|||||||
|248|||台湾|美国豪威|||2005/12/9||2007/8/11||2025/12/8|
|249|具有铟钉压层光电二极体之影像像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I295108号||2005/11/2||2008/3/21||2025/11/1|
|250|用于影像传感器之自动对焦装置以及其方法||台湾|美国豪威|发明第I325087号||2005/12/26||2010/5/21||2025/12/25|

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|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
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|251|用于影像传感器之氘合金制程|||台湾||美国豪威|发明第I319214号|||2005/12/1||2010/1/1||2025/11/30|
||一影像像素感测器具有由P型或N型掺杂多晶硅所形成之移转闸||||||发明第I299210号||||||||
|252||||台湾||美国豪威||||2005/11/8||2008/7/21||2025/11/7|
||多层半导体基底与形成于其上用以增进红外线反应之影像感测器||||||发明第I305414号||||||||
|253||||台湾||美国豪威||||2005/12/28||2009/1/11||2025/12/27|
||具有铟掺杂物所形成之侧面掺杂轮廓之影像感测器和像素感测元件||||||发明第I262596号||||||||
|254||||台湾||美国豪威||||2005/12/9||2006/9/21||2025/12/8|
||用于影像感测器之使用化学机械研磨之自动对准硅化物制程||||||发明第I358825号||||||||
|255||||台湾||美国豪威||||2006/1/12||2012/2/21||2026/1/11|
|256|用于影像感测器之自动对准硅化物制程|||台湾||美国豪威|发明第I319909号|||2006/1/12||2010/1/21||2026/1/11|
|257|降低蚀刻侵蚀之影像感测器制造方法|||台湾||美国豪威|发明第I309864号|||2006/6/23||2009/5/11||2026/6/22|
|258|防影像晃动之数位相机|||台湾||美国豪威|发明第I339986号|||2007/1/10||2011/4/1||2027/1/9|
|259|影像感测组件与影像感测模块及其制造方法||台湾||美国豪威||发明第I331876号||2007/1/15||2010/10/11||2027/1/14||
||使用能量转换层以增加影像感测器中之光吸收之方法及装置||||||发明第I419310号||||||||
|260||||台湾||美国豪威||||2007/7/5||2013/12/11||2027/7/4|
||感测光二极体上具有弧形微镜之影像感测器及其制造方法||||||发明第I459546号||||||||
|261||||台湾||美国豪威||||2007/10/25||2014/11/1||2027/10/24|
|262|具有光晕降低机制的影像感应器|||台湾||美国豪威|发明第I461060号|||2008/1/21||2014/11/11||2028/1/20|
|263|具有减少行固定图案杂讯之成像感测器|||台湾||美国豪威|发明第I429283号|||2010/6/29||2014/3/1||2030/6/28|
|264|影像感应器之光源频率侦测电路|||台湾||美国豪威|发明第I386654号|||2008/9/12||2013/2/21||2028/9/11|
||具有改良重设阶段之切换式电容器放大器，包含该切换式电容放大器之系统，及操作该切换式电容器放大器之方法||||||发明第I433455号||||||||
|265||||台湾||美国豪威||||2008/11/13||2014/4/1||2028/11/12|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|266|差动发信发射器及方法||台湾|美国豪威|发明第I452832号||2008/12/2|2014/9/11|2028/12/1|
|267|限制输出高电压之混合型晶片上调节器||台湾|美国豪威|发明第I411231号||2009/1/13|2013/10/1|2029/1/12|
|268|限制输出高电压之混合型晶片上调节器||台湾|美国豪威|发明第I544744号||2009/1/13|2016/8/1|2029/1/12|
|269|降压差动接收器||台湾|美国豪威|发明第I397257号||2008/9/26|2013/5/21|2028/9/25|
|270|具有载体基板和再分配层之背面受光影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I478329号||2009/1/14|2015/3/21|2029/1/13|
|271|具有全域快门及储存电容之背侧照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I430660号||2009/2/6|2014/3/11|2029/2/5|
|272|影像感测器之自校滤波器||台湾|美国豪威|发明第I419311号||2009/2/11|2013/12/11|2029/2/10|
|273|具有在闸极作用区域上之接触的电晶体||台湾|美国豪威|发明第I398001号||2009/5/21|2013/6/1|2029/5/20|
|274|全域性重设影像感应器像素||台湾|美国豪威|发明第I443813号||2009/5/26|2014/7/1|2029/5/25|
|275|影像感测反射器||台湾|美国豪威|发明第I460848号||2009/1/13|2014/11/11|2029/1/12|
|276|具有背面P+掺杂层之背面受光影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I423433号||2009/1/14|2014/1/11|2029/1/13|
|277|具有深光反射沟渠之背照式影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I407553号||2009/1/13|2013/9/1|2029/1/12|
|278|使用双极性电晶体之光源频率侦测电路||台湾|美国豪威|发明第I401946号||2008/11/13|2013/7/11|2028/11/12|
|279|用于背侧照明影像感测器之黑色参考像素||台湾|美国豪威|发明第I541986号||2009/2/6|2016/7/11|2029/2/5|
|280|具有硅化物光反射层之背面受光成像感测器||台湾|美国豪威|发明第I415254号||2009/1/15|2013/11/11|2029/1/14|
||具有聚焦互连之影像感测器，及有效率地捕捉入射光之方法与装置||||发明第I407782号|||||
|281|||台湾|美国豪威|||2009/5/26|2013/9/1|2029/5/25|
|282|具有低电气串扰之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I412127号||2009/2/6|2013/10/11|2029/2/5|
|283|背面受光影像感测器及其控制方法||台湾|美国豪威|发明第I407555号||2009/1/15|2013/9/1|2029/1/14|
|284|用于增加之像素填充因子之沟槽传输闸||台湾|美国豪威|发明第I442558号||2010/9/13|2014/6/21|2030/9/12|
|285|使用选择性磊晶之影像感测器电晶体之轻度掺杂汲极||台湾|美国豪威|发明第I453902号||2009/11/18|2014/9/21|2029/11/17|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|286|用于背侧照明影像感测器之电路与光感测器重叠||台湾|美国豪威|发明第I406402号||2009/2/6|2013/8/21|2029/2/5|
|287|具有全域光闸之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I422222号||2010/4/29|2014/1/1|2030/4/28|
|288|具有背面钝化及金属层的影像感应器||台湾|美国豪威|发明第I413245号||2009/5/27|2013/10/21|2029/5/26|
|289|具有改良之角度回应之背部照明成像感测器||台湾|美国豪威|发明第I453903号||2009/11/16|2014/9/21|2029/11/15|
|290|单一列为基的缺陷像素修正||台湾|美国豪威|发明第I393451号||2009/10/27|2013/4/11|2029/10/26|
|291|用于背面扩散掺杂之方法、设备及系统||台湾|美国豪威|发明第I416601号||2009/12/16|2013/11/21|2029/12/15|
||背面照射式（BSI）互补式金氧半导体（CMOS）影像感测器阵列及其制造方法||||发明第I456745号|||||
|292|||台湾|美国豪威|||2009/12/2|2014/10/11|2029/12/1|
|293|具有递变式光侦测器植入之高全井电容像素||台湾|美国豪威|发明第I483390号||2011/2/1|2015/5/1|2031/1/31|
|294|包含具有按比例调整之宽度的金属反射器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I416719号||2010/6/29|2013/11/21|2030/6/28|
|295|具有强化垫结构之背面受光成像感测器||台湾|美国豪威|发明第I466277号||2010/10/1|2014/12/21|2030/9/30|
|296|具有电子透镜之光侦测器阵列||台湾|美国豪威|发明第I404201号||2009/12/22|2013/8/1|2029/12/21|
|297|具有离散电子排斥元件阵列之光侦测器阵列||台湾|美国豪威|发明第I469333号||2009/12/18|2015/1/11|2029/12/17|
|298|具有互连结构之装置及形成互连结构之方法||台湾|美国豪威|发明第I412126号||2010/5/21|2013/10/11|2030/5/20|
|299|具有形成于彩色滤光器中之波导之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I438894号||2010/9/27|2014/5/21|2030/9/26|
|300|在一互补式金氧半导体像素中之半岛形传送闸||台湾|美国豪威|发明第I413246号||2009/12/31|2013/10/21|2029/12/30|
|301|用于减少串扰之多层影像感测器像素结构||台湾|美国豪威|发明第I416717号||2010/4/23|2013/11/21|2030/4/22|
|302|具有多重通道子区域之传输闸极的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I416718号||2010/6/28|2013/11/21|2030/6/27|
|303|具有接触伪像素之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I543345号||2010/9/15|2016/7/21|2030/9/14|
|304|具有热管理结构之互补金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I441322号||2010/9/30|2014/6/11|2030/9/29|
|305|具有磊晶自对准光感测器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I423434号||2010/11/18|2014/1/11|2030/11/17|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||具有板上资料储存器之囊封影像获取装置，及其系统，套件及方法||||发明第I432166号|||||
|306|||台湾|美国豪威|||2010/12/14|2014/4/1|2030/12/13|
||具有板上资料储存器之囊封影像获取装置及其系统、套件及方法||||发明第I566737号|||||
|307|||台湾|美国豪威|||2010/12/14|2017/1/21|2030/12/13|
|308|具有改良式黑阶校准之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I436642号||2011/1/27|2014/5/1|2031/1/26|
|309|用于影像感测器之经改良雷射退火||台湾|美国豪威|发明第I509696号||2011/2/1|2015/11/21|2031/1/31|
||具有改良的光二极体区域配置之互补金氧半导体影像感测器||||发明第I458348号|||||
|310|||台湾|美国豪威|||2011/6/2|2014/10/21|2031/6/1|
|311|双面影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I420660号||2010/6/28|2013/12/21|2030/6/27|
||具有双元件彩色滤光器阵列及三通道彩色输出之影像感测器||||发明第I510088号|||||
|312|||台湾|美国豪威|||2011/5/5|2015/11/21|2031/5/4|
|313|用于晶圆层级照相机模组之强化结构||台湾|美国豪威|发明第I450580号||2011/5/27|2014/8/21|2031/5/26|
|314|具有管线化行类比数位转化器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I454142号||2011/5/31|2014/9/21|2031/5/30|
|315|具有背景电流操纵之背侧受激感测器||台湾|美国豪威|发明第I465719号||2011/6/22|2014/12/21|2031/6/21|
|316|具有背景电流操纵之背侧受激感测器||台湾|美国豪威|发明第I541502号||2011/6/22|2016/7/11|2031/6/21|
|317|嵌入传送闸||台湾|美国豪威|发明第I520316号||2011/4/28|2016/2/1|2031/4/27|
|318|光学触控荧幕成像器||台湾|美国豪威|发明第I514555号||2011/1/11|2015/12/21|2031/1/10|
|319|用于互补金氧半导体影像感测器之可变电压列驱动器||台湾|美国豪威|发明第I531234号||2013/1/30|2016/4/21|2033/1/29|
|320|具有应力膜之背侧照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I458085号||2011/4/28|2014/10/21|2031/4/27|
|321|可见及红外线双模式成像系统||台湾|美国豪威|发明第I469634号||2011/10/4|2015/1/11|2031/10/3|
||用于互补金氧半导体影像感测器之无损害杂质掺杂之方法||||发明第I435445号|||||
|322|||台湾|美国豪威|||2011/9/8|2014/4/21|2031/9/7|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
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|323|具有补充电容性耦合节点之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I507035号||2011/11/8|2015/11/1|2031/11/7|
|324|具有补充电容性耦合节点之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I573463号||2011/11/8|2017/3/1|2031/11/7|
|325|用于修正成像像素之黑色位准||台湾|美国豪威|发明第I507036号||2013/2/6|2015/11/1|2033/2/5|
|326|具有减少晕光及电遮光器之背侧照射式影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I478331号||2012/2/22|2015/3/21|2032/2/21|
|327|使用切割道蚀刻之晶圆切片||台湾|美国豪威|发明第I449096号||2011/10/25|2014/8/11|2031/10/24|
||背面照明成像感测器与制造具有密封环支撑件之背面照明成像感测器之方法||||发明第I438655号|||||
|328|||台湾|美国豪威|||2011/5/23|2014/5/21|2031/5/22|
|329|用于黑阶校准之影像感测器及CMOS影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I501642号||2012/1/6|2015/9/21|2032/1/5|
|330|用于黑阶校准之影像传感器及CMOS影像传感器||台湾|美国豪威|发明第I569645号||2012/1/6|2017/2/1|2032/1/5|
|331|微型晶圆级相机模组||台湾|美国豪威|发明第I464475号||2012/3/14|2014/12/11|2032/3/13|
|332|用于触摸及手势辨识之光学触控垫||台湾|美国豪威|发明第I461991号||2011/11/29|2014/11/21|2031/11/28|
|333|具有周边沟渠电容器之互补金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I475677号||2012/7/6|2015/3/1|2032/7/5|
|334|使用硬遮罩之色彩滤光器图案化||台湾|美国豪威|发明第I489637号||2011/12/1|2015/6/21|2031/11/30|
|335|低共模驱动器||台湾|美国豪威|发明第I473430号||2011/11/22|2015/2/11|2031/11/21|
|336|像素中高动态范围成像||台湾|美国豪威|发明第I504258号||2011/12/6|2015/10/11|2031/12/5|
|337|在行动装置中之影像重叠||台湾|美国豪威|发明第I493971号||2011/7/6|2015/7/21|2031/7/5|
|338|介于具有额外作用区域之半导体装置之间之隔离区域||台湾|美国豪威|发明第I479598号||2012/7/31|2015/4/1|2032/7/30|
||具有藉由使用光阻阻挡氮化之经减少的杂讯之影像感测器||||发明第I511278号|||||
|339|||台湾|美国豪威|||2012/8/10|2015/12/1|2032/8/9|
|340|具有聚焦能力之影像捕捉系统||台湾|美国豪威|发明第I439780号||2011/12/2|2014/6/1|2031/12/1|
|341|用于具有聚焦功能之影像撷取系统之外壳||台湾|美国豪威|发明第I505705号||2011/12/5|2015/10/21|2031/12/4|
|342|用于影像感测器之增强像素单元架构||台湾|美国豪威|发明第I538514号||2013/2/26|2016/6/11|2033/2/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|343|用于多转换增益影像感测器之多位准重设电压||台湾|美国豪威|发明第I499295号||2012/7/17|2015/9/1|2032/7/16|
|344|成像装置，成像系统及制造双面相机组件之方法||台湾|美国豪威|发明第I566338号||2012/8/10|2017/1/11|2032/8/9|
||用于在影像感测器像素中提供改良之满井容量之方法、装置及系统||||发明第I520318号|||||
|345|||台湾|美国豪威|||2012/11/1|2016/2/1|2032/10/31|
|346|具有光导之背侧照射像素||台湾|美国豪威|发明第I481018号||2012/11/28|2015/4/11|2032/11/27|
|347|用于相机模组之电磁干扰屏蔽||台湾|美国豪威|发明第I496462号||2012/9/7|2015/8/11|2032/9/6|
|348|用于影像感测器之部分埋入式通道传输装置||台湾|美国豪威|发明第I585958号||2012/10/12|2017/6/1|2032/10/11|
|349|在半导体装置中形成不同深度沟渠之方法||台湾|美国豪威|发明第I502734号||2013/2/21|2015/10/1|2033/2/20|
||用于具有背侧照明之高速互补金氧半导体影像感测器之多个列同时读出方案||||发明第I519160号|||||
|350|||台湾|美国豪威|||2012/10/9|2016/1/21|2032/10/8|
|351|高动态范围次取样架构||台湾|美国豪威|发明第I510089号||2012/10/9|2015/11/21|2032/10/8|
||用于高效能互补金氧半导体影像感测器之算术计数电路，组态及应用||||发明第I519162号|||||
|352|||台湾|美国豪威|||2012/10/9|2016/1/21|2032/10/8|
|353|用于判定飞行时间之方法及飞行时间成像设备与系统||台湾|美国豪威|发明第I480586号||2013/2/26|2015/4/11|2033/2/25|
|354|在半导体装置中用于在垫片下电路之垫片设计||台湾|美国豪威|发明第I495096号||2012/10/31|2015/8/1|2032/10/30|
|355|具有自我对准之通道宽度之电晶体||台湾|美国豪威|发明第I482282号||2012/10/19|2015/4/21|2032/10/18|
||包含具有用于三维成像之交替偏光之光学滤光器之影像感测器||||发明第I515883号|||||
|356|||台湾|美国豪威|||2013/1/22|2016/1/1|2033/1/21|
|357|用于平行交换视讯资料之方法、装置及系统||台湾|美国豪威|发明第I540902号||2013/4/22|2016/7/1|2033/4/21|
|358|提供用于缓冲之视讯资料的方法、装置及系统||台湾|美国豪威|发明第I499303号||2013/4/30|2015/9/1|2033/4/29|
|359|共用飞行时间像素||台湾|美国豪威|发明第I524762号||2012/3/20|2016/3/1|2032/3/19|
|360|结合影像之方法||台湾|美国豪威|发明第I493504号||2013/2/7|2015/7/21|2033/2/6|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|361|用于半导体装置之垫及电路布局||台湾|美国豪威|发明第I517373号||2013/2/8|2016/1/11|2033/2/7|
|362|在背侧照明成像感测器中之横向光屏蔽||台湾|美国豪威|发明第I533443号||2013/2/5|2016/5/11|2033/2/4|
|363|用于数位相机之具有红色吸收层之红外线截止滤波器||台湾|美国豪威|发明第I475260号||2012/1/20|2015/3/1|2032/1/19|
|364|具有脉冲式操作模式之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I527453号||2013/3/5|2016/3/21|2033/3/4|
||用于影像感测器在多个斜率行平行类比至数位转换中之校准||||发明第I524766号|||||
|365|||台湾|美国豪威|||2013/3/18|2016/3/1|2033/3/17|
|366|具有整合周围光侦测之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I524763号||2012/4/11|2016/3/1|2032/4/10|
||影像感测器，主机控制器，影像感测器系统，执行包含于影像感测器系统中之逻辑之方法及其有形非暂时性机器可存取媒体||||发明第I517709号|||||
|367|||台湾|美国豪威|||2012/11/13|2016/1/11|2032/11/12|
|368|用于传送时脉及控制信号之影像感测器系统之共用端子||台湾|美国豪威|发明第I527452号||2012/11/13|2016/3/21|2032/11/12|
|369|用于暗电流校正之系统、装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I514877号||2013/3/27|2015/12/21|2033/3/26|
|370|影像感测器装置及其操作方法||台湾|美国豪威|发明第I491225号||2013/4/2|2015/7/1|2033/4/1|
|371|具有扣压闩锁之晶圆级照相机模组||台湾|美国豪威|发明第I530176号||2013/3/29|2016/4/11|2033/3/28|
|372|具有保护管之晶圆层级照相机模组||台湾|美国豪威|发明第I488293号||2013/3/29|2015/6/11|2033/3/28|
|373|具有多种类比数位转换器模式之混合类比数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I473436号||2012/8/15|2015/2/11|2032/8/14|
|374|双侧影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I502735号||2013/4/8|2015/10/1|2033/4/7|
||具改良效能之大型互补金属氧化物半导体影像感测器像素||||发明第I532158号|||||
|375|||台湾|美国豪威|||2013/5/21|2016/5/1|2033/5/20|
|376|使用次要相机之快门释放||台湾|美国豪威|发明第I471681号||2012/9/6|2015/2/1|2032/9/5|
||在互补式金氧半影像感测器中用于行斜波比较器之杂讯匹配动态偏压||||发明第I504260号|||||
|377|||台湾|美国豪威|||2013/7/10|2015/10/11|2033/7/9|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|378|影像感测器、升压转换器及调节电源供应器之方法||台湾|美国豪威|发明第I493852号||2013/7/10|2015/7/21|2033/7/9|
|379|具有积体电磁干扰防护之积体电路堆叠||台湾|美国豪威|发明第I533430号||2013/5/13|2016/5/11|2033/5/12|
|380|视讯产生方法及视讯影像获取系统||台湾|美国豪威|发明第I544797号||2013/7/17|2016/8/1|2033/7/16|
||用于低暗电流互补金属氧化物半导体像素单元之接地点结构||||发明第I502736号|||||
|381|||台湾|美国豪威|||2013/6/27|2015/10/1|2033/6/26|
|382|分区影像感测器之透镜阵列||台湾|美国豪威|发明第I610107号||2013/5/2|2018/1/1|2033/5/1|
||用于减少互补式金属氧化物半导体影像感测器之类比影像资料中之杂讯之方法及装置||||发明第I531236号|||||
|383|||台湾|美国豪威|||2013/7/11|2016/4/21|2033/7/10|
|384|用于减少经投影影像中之斑点之装置及方法||台湾|美国豪威|发明第I485439号||2013/7/1|2015/5/21|2033/6/30|
|385|具固定电位输出电晶体之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I507039号||2013/4/18|2015/11/1|2033/4/17|
||用于减少电荷注入之互补金属氧化物半导体影像感测器开关电路||||发明第I496466号|||||
|386|||台湾|美国豪威|||2013/7/5|2015/8/11|2033/7/4|
|387|选择性增益控制电路||台湾|美国豪威|发明第I526026号||2013/7/11|2016/3/11|2033/7/10|
|388|具有具三角形截面之金属格栅之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I515880号||2013/4/10|2016/1/1|2033/4/9|
|389|小型像素内高动态范围成像||台湾|美国豪威|发明第I518887号||2013/7/16|2016/1/21|2033/7/15|
|390|用于具彩色滤光片之分割影像感测器之镜片阵列||台湾|美国豪威|发明第I549273号||2013/7/4|2016/9/11|2033/7/3|
|391|用于减少输出变化之比较器电路||台湾|美国豪威|发明第I482473号||2013/5/15|2015/4/21|2033/5/14|
|392|用于提供像素阵列之转换增益之电路结构||台湾|美国豪威|发明第I531240号||2013/11/4|2016/4/21|2033/11/3|
|393|用于投影用于3D成像之经结构化光之低Z高度投影系统||台湾|美国豪威|发明第I484222号||2013/7/2|2015/5/11|2033/7/1|
|394|用于具有堆叠装置晶圆之积体电路系统之晶粒密封环||台湾|美国豪威|发明第I528521号||2013/7/19|2016/4/1|2033/7/18|
|395|随机估计类比至数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I493879号||2013/5/15|2015/7/21|2033/5/14|
|396|影像感测器中部分嵌入式通道转移装置||台湾|美国豪威|发明第I511186号||2013/7/18|2015/12/1|2033/7/17|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||影像感测器及包含多组可选择之纲目滤光片之彩色滤光片阵列||||发明第I528538号|||||
|397|||台湾|美国豪威|||2013/10/24|2016/4/1|2033/10/23|
|398|具偏移电压移除之带隙参考电路||台湾|美国豪威|发明第I528821号||2013/10/23|2016/4/1|2033/10/22|
|399|减少影像记忆效应之带负电层||台湾|美国豪威|发明第I518888号||2013/7/19|2016/1/21|2033/7/18|
|400|具有基板杂讯隔离之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I541990号||2013/10/30|2016/7/11|2033/10/29|
|401|适应性多转换斜坡类比至数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I520497号||2013/9/24|2016/2/1|2033/9/23|
|402|用于减少像素阵列读出时间之转换电路||台湾|美国豪威|发明第I511562号||2013/4/10|2015/12/1|2033/4/9|
|403|消除具有电浆掺杂钉扎层之像素中之滞后之方法||台湾|美国豪威|发明第I515886号||2013/10/30|2016/1/1|2033/10/29|
||具有在底部晶片上之光敏电路元件之堆叠晶片影像感测器||||发明第I528537号|||||
|404|||台湾|美国豪威|||2013/10/15|2016/4/1|2033/10/14|
|405|具有修改之覆盖区之球状格栅阵列及岛状格栅阵列||台湾|美国豪威|发明第I533425号||2013/8/15|2016/5/11|2033/8/14|
|406|无线摄影机之声音组态||台湾|美国豪威|发明第I520564号||2013/8/6|2016/2/1|2033/8/5|
|407|影像感测设备及用于形成一彩色滤光器配置之制程||台湾|美国豪威|发明第I538180号||2013/10/9|2016/6/11|2033/10/8|
|408|包含具有镜像电晶体布局像素单元之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I523213号||2013/9/24|2016/2/21|2033/9/23|
|409|具有子母视讯即时广播功能之行动计算装置||台湾|美国豪威|发明第I517716号||2013/8/15|2016/1/11|2033/8/14|
|410|具有三层视讯场景之子母视讯之视讯流||台湾|美国豪威|发明第I528782号||2013/8/15|2016/4/1|2033/8/14|
|411|随机数产生之设备、方法及影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I505184号||2013/10/30|2015/10/21|2033/10/29|
|412|荧光成像模组||台湾|美国豪威|发明第I476395号||2013/9/30|2015/3/11|2033/9/29|
|413|具有增加的光学串扰的像素之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I557890号||2014/3/13|2016/11/11|2034/3/12|
|414|具有增加的光学串扰的像素之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I585963号||2014/3/13|2017/6/1|2034/3/12|
|415|具有复数个放大器电晶体之高动态范围像素||台湾|美国豪威|发明第I516123号||2013/9/27|2016/1/1|2033/9/26|
|416|影像感测器及影像感测程序||台湾|美国豪威|发明第I519161号||2013/12/9|2016/1/21|2033/12/8|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|417|基于动态映射之自动白平衡||台湾|美国豪威|发明第I568265号||2013/11/1|2017/1/21|2033/10/31|
|418|具有加偏压深沟渠隔离之增强光子侦测装置||台湾|美国豪威|发明第I509823号||2013/10/30|2015/11/21|2033/10/29|
|419|影像感测器及成像装置||台湾|美国豪威|发明第I520321号||2013/11/1|2016/2/1|2033/10/31|
||具有透过含隔离区之接触蚀刻终止层耦接之金属接点之影像感测器||||发明第I559513号|||||
|420|||台湾|美国豪威|||2013/10/28|2016/11/21|2033/10/27|
|421|具低轮廓接触点之积体电路堆叠||台湾|美国豪威|发明第I532156号||2013/12/4|2016/5/1|2033/12/3|
||影像感测器、多目标自动曝光及增益控制之方法、及电脑可读媒体||||发明第I549508号|||||
|422|||台湾|美国豪威|||2014/4/2|2016/9/11|2034/4/1|
|423|可变形物体分类之强健分析及藉由影像感测器之辨识||台湾|美国豪威|发明第I606404号||2013/10/30|2017/11/21|2033/10/29|
|424|具有具闸极间窄间距之全域快门之影像感测器像素单元||台湾|美国豪威|发明第I515887号||2013/12/5|2016/1/1|2033/12/4|
|425|具经切换之深沟渠隔离结构的影像感测器画素单元||台湾|美国豪威|发明第I509784号||2013/10/31|2015/11/21|2033/10/30|
|426|具有快速框内聚焦的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I514878号||2013/12/13|2015/12/21|2033/12/12|
|427|具有快速框内聚焦的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I559770号||2013/12/13|2016/11/21|2033/12/12|
|428|具有完整解析度回复之高动态范围影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I551143号||2014/5/19|2016/9/21|2034/5/18|
|429|影像感测器像素小区读出架构||台湾|美国豪威|发明第I531241号||2013/12/9|2016/4/21|2033/12/8|
|430|用于黑阶校正之像素单元平面化层中的光学遮蔽||台湾|美国豪威|发明第I590660号||2014/1/14|2017/7/1|2034/1/13|
|431|具有用于减少影像杂讯之掺杂半导体区域之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I529922号||2014/3/7|2016/4/11|2034/3/6|
|432|自影像感测器读取影像资料之方法及装置||台湾|美国豪威|发明第I514879号||2013/12/23|2015/12/21|2033/12/22|
|433|具延迟等化之经分割硅光电倍增器||台湾|美国豪威|发明第I533013号||2013/12/11|2016/5/11|2033/12/10|
|434|用以减少颜色混叠之颜色及红外线滤波器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I585501号||2014/6/27|2017/6/1|2034/6/26|
|435|用以减少颜色混叠之颜色及红外线滤波器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I585502号||2014/6/27|2017/6/1|2034/6/26|
|436|具有一互动式荧幕之投影机相机系统||台湾|美国豪威|发明第I510963号||2014/7/17|2015/12/1|2034/7/16|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|437|提供视力增进之眼戴式显示系统||台湾|美国豪威|发明第I515456号||2013/10/31|2016/1/1|2033/10/30|
|438|用于读取具有转移闸极升压之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I533700号||2014/5/12|2016/5/11|2034/5/11|
|439|具有比例滤波阵列及像素内合并的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I610426号||2014/7/21|2018/1/1|2034/7/20|
|440|X射线及光学影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I536551号||2014/3/7|2016/6/1|2034/3/6|
|441|用以最小化颜色混叠之红绿蓝色彩色滤光器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I579599号||2015/9/2|2017/4/21|2035/9/1|
|442|用以最小化颜色混叠之红绿蓝色彩色滤光器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I579600号||2015/9/2|2017/4/21|2035/9/1|
|443|具有介电电荷捕捉装置之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I569435号||2014/8/1|2017/2/1|2034/7/31|
|444|用于高动态范围影像感测器之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I549275号||2014/3/27|2016/9/11|2034/3/26|
|445|用于高动态范围影像感测器之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I591812号||2014/3/27|2017/7/11|2034/3/26|
|446|用于高动态范围影像感测器之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I587494号||2014/3/27|2017/6/11|2034/3/26|
|447|影像感测器之大-小像素方案||台湾|美国豪威|发明第I502737号||2014/3/21|2015/10/1|2034/3/20|
|448|用于影像感测器之像素单元及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I523214号||2013/12/23|2016/2/21|2033/12/22|
|449|影像投射器及用于其之去光斑光学系统||台湾|美国豪威|发明第I551891号||2014/7/29|2016/10/1|2034/7/28|
|450|堆叠式晶片单光子突崩二极体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I543350号||2014/7/21|2016/7/21|2034/7/20|
|451|高动态范围影像感测器读出架构||台湾|美国豪威|发明第I549507号||2014/7/31|2016/9/11|2034/7/30|
|452|在多透镜阵列模组中之紧密间隔||台湾|美国豪威|发明第I560860号||2014/7/17|2016/12/1|2034/7/16|
|453|回应于裁剪座标回馈裁剪影像之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I528326号||2014/7/18|2016/4/1|2034/7/17|
|454|在影像撷取中之特征侦测||台湾|美国豪威|发明第I525556号||2014/10/21|2016/3/11|2034/10/20|
||具有单光子崩溃二极体、光子计数器及鬼影减量之低功率成像系统||||发明第I541985号|||||
|455|||台湾|美国豪威|||2014/7/30|2016/7/11|2034/7/29|
|456|成像感测器系统及积体电路系统||台湾|美国豪威|发明第I563645号||2014/8/15|2016/12/21|2034/8/14|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
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||具有高度的短波长侦测效率之背侧照明单光子崩溃二极体成像感测器系统||||发明第I541991号|||||
|457|||台湾|美国豪威|||2014/8/18|2016/7/11|2034/8/17|
|458|双转换增益之高动态范围感测器||台湾|美国豪威|发明第I563851号||2015/1/9|2016/12/21|2035/1/8|
|459|分离像素高动态范围感测器||台湾|美国豪威|发明第I565324号||2015/1/9|2017/1/1|2035/1/8|
|460|在作用区域上标准单元全域布线通道||台湾|美国豪威|发明第I525780号||2014/9/30|2016/3/11|2034/9/29|
|461|影像撷取单元及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I560470号||2014/10/13|2016/12/1|2034/10/12|
|462|具有金属网孔以侦测红外光之彩色影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I549276号||2014/8/13|2016/9/11|2034/8/12|
|463|具有无隙微透镜的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I552324号||2014/8/22|2016/10/1|2034/8/21|
|464|增强式背侧照明近红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I550839号||2014/10/14|2016/9/21|2034/10/13|
|465|晶圆级步阶式感测器固持件||台湾|美国豪威|发明第I539197号||2014/10/15|2016/6/21|2034/10/14|
|466|用于高动态范围影像感测器的光二极体及滤光器组态||台湾|美国豪威|发明第I613802号||2014/9/29|2018/2/1|2034/9/28|
|467|用于改善位元线之电源供应拒斥比之前馈技术||台湾|美国豪威|发明第I528819号||2014/10/3|2016/4/1|2034/10/2|
|468|组合式可见光及非可见光投影系统||台湾|美国豪威|发明第I557491号||2014/10/9|2016/11/11|2034/10/8|
|469|具有具交错式光电二极体之像素单元之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I587493号||2015/10/23|2017/6/11|2035/10/22|
|470|具有具梯度分布之储存闸极植入的影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I544615号||2014/10/3|2016/8/1|2034/10/2|
|471|不具运动假影之高动态范围（HDR）影像||台湾|美国豪威|发明第I561084号||2015/7/31|2016/12/1|2035/7/30|
|472|用于高动态范围成像之系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I589156号||2015/12/1|2017/6/21|2035/11/30|
|473|具有参考像素以减少光谱串扰之彩色滤光片阵列||台湾|美国豪威|发明第I584651号||2015/8/20|2017/5/21|2035/8/19|
|474|彩色滤光片阵列、影像感测器及用以减少光谱串扰之方法||台湾|美国豪威|发明第I615033号||2015/8/20|2018/2/11|2035/8/19|
|475|具有行动平台之视讯会议||台湾|美国豪威|发明第I536843号||2014/10/16|2016/6/1|2034/10/15|
|476|行动平台以及自行动平台通信之方法||台湾|美国豪威|发明第I531988号||2014/10/17|2016/5/1|2034/10/16|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|477|具有耗尽调整层之色彩及红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I590430号||2015/10/21|2017/7/1|2035/10/20|
|478|可见光与红外线影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I593092号||2014/11/3|2017/7/21|2034/11/2|
|479|制造一单一光子崩溃二极体成像感测器的方法||台湾|美国豪威|发明第I567959号||2015/6/3|2017/1/21|2035/6/2|
|480|用于堆叠式影像感测器中之像素之负偏压基板||台湾|美国豪威|发明第I545954号||2014/11/3|2016/8/11|2034/11/2|
||飞行时间像素单元、飞行时间感测系统与利用飞行时间判定至一物件之一往返距离之方法||||发明第I550299号|||||
|481|||台湾|美国豪威|||2014/10/21|2016/9/21|2034/10/20|
|482|用于影像感测器之感光性电容画素||台湾|美国豪威|发明第I590432号||2016/2/24|2017/7/1|2036/2/23|
|483|用于影像感测器之感光性电容画素||台湾|美国豪威|发明第I610427号||2016/2/24|2018/1/1|2036/2/23|
|484|制造多晶圆影像感测器之方法||台湾|美国豪威|发明第I599026号||2015/10/14|2017/9/11|2035/10/13|
|485|影像感测器及制造其之方法||台湾|美国豪威|发明第I554110号||2014/11/11|2016/10/11|2034/11/10|
|486|蓝光增强之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I599027号||2016/1/19|2017/9/11|2036/1/18|
|487|具有增强量子效率的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I596944号||2016/1/26|2017/8/21|2036/1/25|
|488|用于飞行时间三维影像感测器的预充电锁存像素单元||台湾|美国豪威|发明第I552570号||2014/11/5|2016/10/1|2034/11/4|
|489|用于飞行时间三维影像感测器的可程式化电流源||台湾|美国豪威|发明第I591366号||2014/11/7|2017/7/11|2034/11/6|
|490|具有多个储存节点之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I573461号||2015/11/30|2017/3/1|2035/11/29|
|491|用于飞行时间成像系统之校准电路与方法||台湾|美国豪威|发明第I544232号||2015/6/2|2016/8/1|2035/6/1|
|492|具有非破坏性读出之影像感测器像素单元||台湾|美国豪威|发明第I578788号||2015/6/23|2017/4/11|2035/6/22|
|493|高近红外线敏感性影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I590429号||2015/7/7|2017/7/1|2035/7/6|
|494|具有具中心接触件之通道区域之光感测器||台湾|美国豪威|发明第I577004号||2015/10/2|2017/4/1|2035/10/1|
|495|隔离的全域快门像素储存结构||台湾|美国豪威|发明第I570903号||2015/10/26|2017/2/11|2035/10/25|
|496|隔离的全域快门像素储存结构||台湾|美国豪威|发明第I620311号||2015/10/26|2018/4/1|2035/10/25|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|497|自我对齐隔离结构及滤光器||台湾|美国豪威|发明第I578507号||2015/10/2|2017/4/11|2035/10/1|
|498|用于减少颜色混叠之彩色滤光器阵列图案||台湾|美国豪威|发明第I600927号||2016/5/31|2017/10/1|2036/5/30|
|499|具有保护环区域反射结构之背侧照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I619237号||2015/10/2|2018/3/21|2035/10/1|
||用于执行具有改良类比至数位转换器线性之相关多重取样的方法及系统||||发明第I578711号|||||
|500|||台湾|美国豪威|||2015/11/25|2017/4/11|2035/11/24|
|501|用于提升像素单元中重设位准之方法及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I569646号||2015/12/2|2017/2/1|2035/12/1|
|502|用于影像感测器之读出电路||台湾|美国豪威|发明第I596945号||2016/3/15|2017/8/21|2036/3/14|
|503|用于实施延伸范围近似类比数位转换器之方法及系统||台湾|美国豪威|发明第I574514号||2016/1/26|2017/3/11|2036/1/25|
|504|针对双转换增益大动态范围感测器的补偿||台湾|美国豪威|发明第I573460号||2016/2/24|2017/3/1|2036/2/23|
||具有支持结构以提供改良之滤光片厚度均匀性之彩色滤光片阵列||||发明第I552326号|||||
|505|||台湾|美国豪威|||2015/12/1|2016/10/1|2035/11/30|
|506|在彩色滤波器阵列上之光学隔离栅格||台湾|美国豪威|发明第I567963号||2016/1/19|2017/1/21|2036/1/18|
|507|低电力智能影像撷取||台湾|美国豪威|发明第I596940号||2016/3/3|2017/8/21|2036/3/2|
|508|高解析度阵列相机||台湾|美国豪威|发明第I549519号||2015/12/2|2016/9/11|2035/12/1|
|509|具有光学隔离之储存电晶体||台湾|美国豪威|发明第I567962号||2016/1/18|2017/1/21|2036/1/17|
|510|影像感测器及影像撷取程序||台湾|美国豪威|发明第I612371号||2016/6/2|2018/1/21|2036/6/1|
||用于附接之三维咨询之堆叠嵌入式硅光子雪崩二极体影像感测器||||发明第I618233号|||||
|511|||台湾|美国豪威|||2016/1/28|2018/3/11|2036/1/27|
|512|具有介电层反射环之背照式影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I578511号||2016/3/17|2017/4/11|2036/3/16|
|513|具有改良初始化发信号之飞行时间成像||台湾|美国豪威|发明第I575929号||2016/5/25|2017/3/21|2036/5/24|
|514|具有经减少框架缓冲器之高动态范围成像||台湾|美国豪威|发明第I577188号||2016/5/26|2017/4/1|2036/5/25|
|515|经由斜波产生器之影像感测器电源供应抑制比杂讯减少||台湾|美国豪威|发明第I578789号||2016/3/10|2017/4/11|2036/3/9|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|516|用于影像感测器之读出电路及影像系统||台湾|美国豪威|发明第I586172号||2016/3/10|2017/6/1|2036/3/9|
|517|量子点影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I618235号||2016/6/4|2018/3/11|2036/6/3|
|518|虚拟高动态范围大小像素影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I581415号||2016/5/26|2017/5/1|2036/5/25|
|519|具有强化晶圆结合之积体电路堆叠||台湾|美国豪威|发明第I573259号||2016/3/10|2017/3/1|2036/3/9|
|520|堆叠式晶片共享像素结构||台湾|美国豪威|发明第I615032号||2016/3/17|2018/2/11|2036/3/16|
|521|弯曲之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I615959号||2016/10/20|2018/2/21|2036/10/19|
|522|侦测发光二极体之方法及系统||台湾|美国豪威|发明第I612283号||2016/5/31|2018/1/21|2036/5/30|
|523|影像感测器之读出电路及其操作方法||台湾|美国豪威|发明第I620447号||2016/5/17|2018/4/1|2036/5/16|
|524|实施一堆叠晶片高动态范围影像感测器的方法与系统||台湾|美国豪威|发明第I586169号||2016/6/17|2017/6/1|2036/6/16|
|525|具有薄化之中间半导体晶粒之堆叠式积体电路系统||台湾|美国豪威|发明第I591766号||2016/5/17|2017/7/11|2036/5/16|
|526|像素控制信号驱动器||台湾|美国豪威|发明第I603618号||2016/6/2|2017/10/21|2036/6/1|
||在影像感测器中在每一影像撷取之间实施不均等时序间隔之方法及系统||||发明第I616099号|||||
|527|||台湾|美国豪威|||2016/10/13|2018/2/21|2036/10/12|
|528|用于减少对于黑讯号之类比数位转换时间之方法及系统||台湾|美国豪威|发明第I622301号||2016/10/13|2018/4/21|2036/10/12|
||经由连续时间读出电路中之斜坡产生器之影像感测器功率供应拒绝比率改善||||发明第I620443号|||||
|529|||台湾|美国豪威|||2016/6/2|2018/4/1|2036/6/1|
|530|全域快门校正||台湾|美国豪威|发明第I618414号||2016/9/20|2018/3/11|2036/9/19|
|531|像素单元及成像系统||台湾|美国豪威|发明第I613916号||2016/6/16|2018/2/1|2036/6/15|
|532|具有用于传输信号之可组态可变供应电压之介面电路||台湾|美国豪威|发明第I612771号||2016/9/9|2018/1/21|2036/9/8|
|533|像素单元、成像系统及控制像素单元之全域快门之方法||台湾|美国豪威|发明第I613917号||2016/6/16|2018/2/1|2036/6/15|
|534|用于影像处理的显示器系统及方法||台湾|美国豪威|发明第I613913号||2016/12/16|2018/2/1|2036/12/15|
|535|具有可程式化彩色平衡的主动像素感测器||台湾|美国豪威|发明第117582号||1998/9/11|2000/7/11|2018/9/10|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|536|积体互补型金氧半导体之主动像素数位相机||台湾|美国豪威|发明第181050号||1999/1/11|2003/7/11|2019/1/10|
|537|高速互补型金属氧化物半导体影像行关连双取样电路||台湾|美国豪威|发明第145133号||1999/2/25|2001/12/1|2019/2/24|
|538|并入饱和时间量测以增加动态范围的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第138675号||2000/4/5|2001/8/1|2020/4/4|
|539|具有接线式浮动扩散及共享式放大器的主动像素感测器||台湾|美国豪威|发明第141696号||1999/10/30|2001/10/1|2019/10/29|
|540|具残余拾取二极体之互补金氧半导体主动像素||台湾|美国豪威|发明第165500号||2001/7/26|2002/11/1|2021/7/25|
|541|具有相关联双采样的三电晶体主动像素感测器架构||台湾|美国豪威|发明第145561号||1999/10/6|2001/12/1|2019/10/5|
||具有高填入因素及关联式双重取样的光电闸主动像素感测器||||发明第139378号|||||
|542|||台湾|美国豪威|||1999/10/30|2001/9/1|2019/10/29|
||具有共享之重置信号列选择之光电二极体主动像素感测器||||发明第139377号|||||
|543|||台湾|美国豪威|||1999/10/30|2001/9/1|2019/10/29|
||具有延伸的动态范围之互补式金属氧化物半导体影像感测器及其使用方法||||发明第154653号|||||
|544|||台湾|美国豪威|||2000/8/29|2002/5/1|2020/8/28|
||具延伸动态范围及敏感性之互补式金氧半导体像素影像感测器||||发明第159831号|||||
|545|||台湾|美国豪威|||2000/11/28|2002/8/1|2020/11/27|
|546|用以延伸动态范围之可变动辉散电荷之收集||台湾|美国豪威|发明第146462号||2000/9/1|2001/12/11|2020/8/31|
|547|具有电荷贮存及双通道读出之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I358942号||2004/5/28|2012/2/21|2024/5/27|
|548|具有延伸动态范围之影像感测器及影像捕捉系统||台湾|美国豪威|发明第I387334号||2004/9/2|2013/2/21|2024/9/1|
|549|减少不良暗电流之方法||台湾|美国豪威|发明第I424561号||2005/10/27|2014/1/21|2025/10/26|
|550|低杂讯样本及保持电路||台湾|美国豪威|发明第I363561号||2005/4/29|2012/5/1|2025/4/28|
|551|用于影像感测元件之金属内连线||台湾|美国豪威|发明第I385756号||2005/6/3|2013/2/11|2025/6/2|
|552|具有全景快门之针孔式光二极体像素||台湾|美国豪威|发明第I403150号||2006/5/26|2013/7/21|2026/5/25|
|553|根据照度之像素合并及均化||台湾|美国豪威|发明第I394445号||2006/6/23|2013/4/21|2026/6/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|554|像素阵列上之非对称微透镜||台湾|美国豪威|发明第I406425号||2006/5/23|2013/8/21|2026/5/22|
||具有可选择接收性之互补式金属氧化物半导体影像感测器像素||||发明第I432022号|||||
|555|||台湾|美国豪威|||2006/5/30|2014/3/21|2026/5/29|
||共享放大器像素之互补式金氧半导体之主动式像素感测器||||发明第I399848号|||||
|556|||台湾|美国豪威|||2006/6/2|2013/6/21|2026/6/1|
|557|具对称场效电晶体配置之像素||台湾|美国豪威|发明第I385793号||2006/5/30|2013/2/11|2026/5/29|
|558|用于互补金氧半导体影像感测器之输出选路结构||台湾|美国豪威|发明第I379597号||2006/9/29|2012/12/11|2026/9/28|
|559|用以侦测数位影像中条纹的方法||台湾|美国豪威|发明第I462026号||2006/12/4|2014/11/21|2026/12/3|
|560|用于改良式收集之光侦测器以及N层结构||台湾|美国豪威|发明第I382531号||2006/9/27|2013/1/11|2026/9/26|
|561|利用可变敏感度像素之加强动态范围||台湾|美国豪威|发明第I430657号||2008/3/21|2014/3/11|2028/3/20|
|562|读取取样/维持阵列之延迟电路||台湾|美国豪威|发明第I395474号||2007/2/26|2013/5/1|2027/2/25|
|563|具有低串音之P型金属氧化半导体影像素结构||台湾|美国豪威|发明第I427763号||2007/4/27|2014/2/21|2027/4/26|
|564|利用一光电二极体之互补金氧化半导体影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I489620号||2007/4/30|2015/6/21|2027/4/29|
|565|使用斜面传输闸极时脉的类比/数位转换器||台湾|美国豪威|发明第I403094号||2007/2/14|2013/7/21|2027/2/13|
|566|影像感测器中改良的光感性||台湾|美国豪威|发明第I435167号||2007/11/30|2014/4/21|2027/11/29|
|567|具有彩色及全色像素之影像处理||台湾|美国豪威|发明第I432036号||2007/11/29|2014/3/21|2027/11/28|
|568|具有增益控制之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I450579号||2008/4/30|2014/8/21|2028/4/29|
|569|减低画素区域影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I418021号||2008/3/14|2013/12/1|2028/3/13|
|570|减低画素区域影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I559514号||2008/3/14|2016/11/21|2028/3/13|
|571|于浅沟槽隔离转角处加入植入物之方法||台湾|美国豪威|发明第I413167号||2007/8/31|2013/10/21|2027/8/30|
|572|具有二晶圆之主动式像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I451566号||2007/10/5|2014/9/1|2027/10/4|
|573|具有二磊晶层之影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I451564号||2007/12/10|2014/9/1|2027/12/9|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|574|处理像素阵列及处理影像的方法||台湾|美国豪威|发明第I428006号||2007/11/29|2014/2/21|2027/11/28|
|575|使用全色像素之锐化方法||台湾|美国豪威|发明第I430202号||2008/1/8|2014/3/11|2028/1/7|
||成像器转移闸极装置中之硅化物带|||美国豪威/萬國|发明第I420659号|||||
|576|||台湾||||2007/11/30|2013/12/21|2027/11/29|
|||||商業機器公司||||||
|577|利用全彩像素映射边缘||台湾|美国豪威|发明第I467495号||2008/3/28|2015/1/1|2028/3/27|
|578|影像感测器之多重构成要素读出||台湾|美国豪威|发明第I455580号||2008/7/18|2014/10/1|2028/7/17|
|579|结合全色像素之边缘映射||台湾|美国豪威|发明第I430184号||2008/3/28|2014/3/11|2028/3/27|
|580|微机电微快门阵列、成像模组及用于形成影像之方法||台湾|美国豪威|发明第I447515号||2008/10/9|2014/8/1|2028/10/8|
|581|利用全彩影像之杂讯减低彩色影像||台湾|美国豪威|发明第I455597号||2008/5/22|2014/10/1|2028/5/21|
|582|利用全彩影像之杂讯减低彩色影像||台湾|美国豪威|发明第I542223号||2008/5/22|2016/7/11|2028/5/21|
|583|用于三维整合像素之高增益读取电路||台湾|美国豪威|发明第I507033号||2009/9/8|2015/11/1|2029/9/7|
|584|具有二晶圆之主动式像素感测器||台湾|美国豪威|发明第I442555号||2009/3/30|2014/6/21|2029/3/29|
|585|具有分享处理之多重影像感测系统及其操作方法||台湾|美国豪威|发明第I489863号||2008/11/28|2015/6/21|2028/11/27|
|586|影像感测器之取样及读出||台湾|美国豪威|发明第I499293号||2009/1/23|2015/9/1|2029/1/22|
|587|背照式互补式金氧半导体影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I469334号||2009/11/6|2015/1/11|2029/11/5|
|588|具有共享漫射区域之堆叠影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I502731号||2009/3/16|2015/10/1|2029/3/15|
|589|影像感测器之同心曝光序列||台湾|美国豪威|发明第I455583号||2009/4/28|2014/10/1|2029/4/27|
|590|使用不同解析度影像之改良影像形成||台湾|美国豪威|发明第I452539号||2009/7/31|2014/9/11|2029/7/30|
|591|影像感测器之延伸景深||台湾|美国豪威|发明第I500319号||2009/11/20|2015/9/11|2029/11/19|
|592|具有多重感测层之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I431766号||2009/7/31|2014/3/21|2029/7/30|
|593|具有低串扰之背照明感测器||台湾|美国豪威|发明第I493695号||2009/12/16|2015/7/21|2029/12/15|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|594|影像感测器之塑胶影像感测器封装||台湾|美国豪威|发明第I475671号||2009/8/17|2015/3/1|2029/8/16|
|595|配置以减少反冲扰动之类比多工器||台湾|美国豪威|发明第I497909号||2009/12/7|2015/8/21|2029/12/6|
|596|影像感测器中之彩色滤光片阵列对准标记形成||台湾|美国豪威|发明第I463645号||2009/7/8|2014/12/1|2029/7/7|
|597|具有背面沟槽之背面照明影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I452684号||2009/7/8|2014/9/11|2029/7/7|
|598|具有用于色彩分离之光栅之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I476908号||2009/11/12|2015/3/11|2029/11/11|
|599|具有可控制的转移闸极电压的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I493969号||2009/12/18|2015/7/21|2029/12/17|
|600|具有减低并弹回之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I514873号||2009/5/27|2015/12/21|2029/5/26|
|601|高动态范围影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I536554号||2009/6/18|2016/6/1|2029/6/17|
|602|可程式化微机电微光栅阵列||台湾|美国豪威|发明第I459803号||2009/12/18|2014/11/1|2029/12/17|
|603|具有多个感测层之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I508270号||2009/10/15|2015/11/11|2029/10/14|
|604|宽通孔影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I466275号||2009/6/12|2014/12/21|2029/6/11|
|605|具电荷区域加总之影像感测器像素||台湾|美国豪威|发明第I496464号||2009/8/25|2015/8/11|2029/8/24|
|606|改善缺陷色彩及全色彩色滤光器阵列影像||台湾|美国豪威|发明第I451754号||2009/10/23|2014/9/1|2029/10/22|
|607|修改色彩及全色通道彩色滤光片阵列影像||台湾|美国豪威|发明第I459324号||2009/11/6|2014/11/1|2029/11/5|
|608|在产生数位影像中曝光像素群组||台湾|美国豪威|发明第I504257号||2010/3/31|2015/10/11|2030/3/30|
|609|在产生数位影像中曝光像素群组||台湾|美国豪威|发明第I561083号||2010/3/31|2016/12/1|2030/3/30|
|610|具有合成全色影像之彩色滤光器阵列影像||台湾|美国豪威|发明第I462055号||2010/3/9|2014/11/21|2030/3/8|
|611|利用彩色滤光片阵列影像产生全彩影像||台湾|美国豪威|发明第I495336号||2010/3/26|2015/8/1|2030/3/25|
|612|形成全彩色影像之方法||台湾|美国豪威|发明第I496463号||2010/4/14|2015/8/11|2030/4/13|
|613|用于影像感测器之行输出电路||台湾|美国豪威|发明第I497999号||2010/12/21|2015/8/21|2030/12/20|
|614|具有前侧及背侧光侦测器之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I501389号||2010/6/25|2015/9/21|2030/6/24|

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|615|用于捕捉彩色影像之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I504276号||2010/5/26|2015/10/11|2030/5/25|
|616|影像感测器中悬置行读出||台湾|美国豪威|发明第I446790号||2010/12/30|2014/7/21|2030/12/29|
|617|用于补偿影像感测器中之行固定图形杂讯的方法||台湾|美国豪威|发明第I491254号||2010/12/29|2015/7/1|2030/12/28|
|618|用于确定影像感测器之行偏移校正的方法||台湾|美国豪威|发明第I454143号||2010/12/29|2014/9/21|2030/12/28|
|619|在成像器中形成深隔离的方法||台湾|美国豪威|发明第I455293号||2010/12/29|2014/10/1|2030/12/28|
|620|具有经掺杂之传输闸极的影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I525801号||2010/12/29|2016/3/11|2030/12/28|
|621|影像感测器中之暂停行读出||台湾|美国豪威|发明第I533697号||2010/12/30|2016/5/11|2030/12/29|
|622|用于确定影像感测器之行偏移校正的方法||台湾|美国豪威|发明第I493970号||2010/12/29|2015/7/21|2030/12/28|
|623|在积体电子元件中隔离打线接合||台湾|美国豪威|发明第I462203号||2011/4/28|2014/11/21|2031/4/27|
|624|积体电组件中之隔离焊线||台湾|美国豪威|发明第I455294号||2011/3/1|2014/10/1|2031/2/28|
|625|在影像感测器中之光侦测器隔离||台湾|美国豪威|发明第I456750号||2011/9/13|2014/10/11|2031/9/12|
|626|在影像感测器中光侦测器之隔离||台湾|美国豪威|发明第I493696号||2011/11/8|2015/7/21|2031/11/7|
||具有电荷倍增输出通道及电荷感测输出通道之影像感测器||||发明第I475681号|||||
|627|||台湾|美国豪威|||2011/11/17|2015/3/1|2031/11/16|
||用于处理藉由具有电荷倍增输出通道及电荷感测输出通道之影像感测器所捕捉之影像之方法||||发明第I471007号|||||
|628|||台湾|美国豪威|||2011/11/28|2015/1/21|2031/11/27|
|629|用于产生一影像感测器及一影像捕捉装置之方法||台湾|美国豪威|发明第I466283号||2011/11/28|2014/12/21|2031/11/27|
|630|在影像感测器中暂停行定址||台湾|美国豪威|发明第I505711号||2011/12/15|2015/10/21|2031/12/14|
|631|具有结合薄膜红外线滤波器之影像感测器||台湾|豪威半导体|发明第I239646号||2003/10/9|2005/9/11|2023/10/8|
|632|具有结合彩色滤波器与凹形微透镜之影像感测器||台湾|豪威半导体|发明第I252937号||2003/10/9|2006/4/11|2023/10/8|
|633|应用于降低组成晶片级封装之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I240409号||2003/10/9|2005/9/21|2023/10/8|
|634|影像感测器中之平面彩色滤波器之形成方法||台湾|豪威半导体|发明第I227037号||2003/10/9|2005/1/21|2023/10/8|

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|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|635|利用保护覆盖以制造与封装影像感测器晶粒之方法||台湾|美国豪威|发明第I265601号||2003/10/9|2006/11/1|2023/10/8|
||具有结合彩色滤波器与微透镜之影像感测器及其制造方法||||发明第I240992号|||||
|636|||台湾|豪威半导体|||2003/10/9|2005/10/1|2023/10/8|
|637|于周边部位拥有大体积微型透镜之影像感测器||台湾|美国豪威|发明第I274425号||2003/10/9|2007/2/21|2023/10/8|
|638|拥有低应力滤光片之影像感测器及其制造方法||台湾|美国豪威|发明第I275188号||2003/10/9|2007/3/1|2023/10/8|
||拥有以脊背结构分隔微型透镜阵列之影像感测器及其制造方法||||发明第I233984号|||||
|639|||台湾|豪威半导体|||2003/10/9|2005/6/11|2023/10/8|
||拥有以沟渠结构分隔微型透镜阵列之影像感测器及其制造方法||||发明第I243581号|||||
|640|||台湾|美国豪威|||2003/10/9|2005/11/11|2023/10/8|
|641|一种用于液晶面板测试之平台与方法||台湾|美国豪威|发明第I575280号||2016/6/14|2017/3/21|2036/6/13|
||晶圆级影像模组|||采钰科技股份|发明第I289365号|||||
|642|||台湾|有限公司、美|||2005/9/29|2007/11/1|2025/9/28|
|||||国豪威||||||
||影像感应装置与其制造方法|||采钰科技股份|发明第I288973号|||||
|643|||台湾|有限公司、美|||2005/9/27|2007/10/21|2025/9/26|
|||||国豪威||||||
||高精密度成像控制之影像感应模组|||采钰科技股份|发明第I267208号|||||
|644|||台湾|有限公司、美|||2006/1/18|2006/11/21|2026/1/17|
|||||国豪威||||||
||摄像装置、透镜结果、及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I332789号|||||
|645|||台湾|有限公司、美|||2007/1/10|2010/11/1|2027/1/9|
|||||国豪威||||||

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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
||光电元件晶片及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I325635号|||||
|646|||台湾|有限公司、美|||2007/2/27|2010/6/1|2027/2/26|
|||||国豪威||||||
||非球面透镜结构及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I359285号|||||
|647|||台湾|有限公司、美|||2007/5/30|2012/3/1|2027/5/29|
|||||国豪威||||||
||光学微结构平板以及用以制作光学微结构构件的模板|||采钰科技股份|发明第I335864号|||||
|648|||台湾|有限公司、美|||2007/6/15|2011/1/11|2027/6/14|
|||||国豪威||||||
||用于影像感测装置的封装模组与电子组件及其制造方法|||采钰科技股份|发明第I334307号|||||
|649|||台湾|有限公司、美|||2007/6/20|2010/12/1|2027/6/19|
|||||国豪威||||||
|650|硅基液晶测试平台||台湾|美国豪威|发明第I588461号||2016/5/27|2017/6/21|2036/5/26|
|651|用于测试影像感测芯片之测试座||台湾|美国豪威|发明第I596351号||2016/5/25|2017/8/21|2036/5/24|
|652|产生全景影像的方法、储存媒介以及摄影机系统||台湾|美国豪威|发明第I622293号||2015/3/9|2018/4/21|2035/3/8|
|653|基于有槽基板的透镜制造方法以及相关透镜系统||台湾|美国豪威|发明第I625541号||2016/4/14|2018/6/1|2036/4/13|
|654|密封側壁之元件晶粒及其製造方法||台湾|美国豪威|发明第I625850号||2016/4/27|2018/6/1|2036/4/26|
|655|二表面窄视场复合透镜||台湾|美国豪威|发明第I625545号||2016/9/13|2018/6/1|2036/9/12|
|656|抗短路芯片级封装及其方法||台湾|美国豪威|发明第I630689号||2017/8/8|2018/7/21|2037/8/7|
|657|五表面宽视场复合透镜与相关联相机模块||台湾|美国豪威|发明第I625565号||2017/7/4|2018/6/1|2037/7/3|
|658|无热复合透镜||台湾|美国豪威|发明第I629502号||2017/11/28|2018/7/11|2037/11/27|
|659|具有快速图框内聚焦之影像传感器||台湾|美国豪威|发明第I624178号||2016/8/3|2018/5/11|2036/8/2|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|660|包括菱形像素之彩色滤光器||台湾|美国豪威|发明第I624179号||2017/2/10|2018/5/11|2037/2/9|
||用于在具有管道架构之影像传感器中实施动态接地共享之方法及系统||||发明第I626619号|||||
|661|||台湾|美国豪威|||2017/1/13|2018/6/11|2037/1/12|
||具有类比数位转换器与内存单元微砖架构之高速滚动影像传感器及其实施方法||||发明第I625057号|||||
|662|||台湾|美国豪威|||2016/10/11|2018/5/21|2036/10/10|
|663|显微镜附件||台湾|美国豪威|发明第I624684号||2016/9/20|2018/5/21|2036/9/19|
|664|低彩色误差及高信嗓比之多层彩色滤光器||台湾|美国豪威|发明第I628470号||2016/6/4|2018/7/1|2036/6/3|
|665|具有多步蚀刻之光通道||台湾|美国豪威|发明第I624042号||2016/9/20|2018/5/11|2036/9/19|
|666|用于传输信号之接口电路及产生输出差动信号之方法||台湾|美国豪威|发明第I624746号||2016/9/12|2018/5/21|2036/9/11|
|667|具有对高强度之光降低敏感度之高动态范围图像传感器||台湾|美国豪威|发明第I627736号||2016/10/18|2018/6/21|2036/10/17|
|668|接触阻抗减少||台湾|美国豪威|发明第626737号||2016/12/28|2018/6/11|2036/12/27|
|669|影像感測器封裝及影像感測器封裝製作方法||台湾|美国豪威|发明第629775号||2017/2/7|2018/7/11|2037/2/6|
|670|偏压深沟槽隔杂||台湾|美国豪威|发明第I624043号||2017/3/14|2018/5/11|2037/3/13|
|671|影像传感器及影像传感器制造之方法||台湾|美国豪威|发明第I629773号||2016/10/24|2018/7/11|2036/10/23|
|672|制作影像传感器及半导体装置之方法||台湾|美国豪威|发明第I629774号||2017/1/17|2018/7/11|2037/1/16|
|673|在影像传感器中具有斜面产生器隔离之水平条带减少||台湾|美国豪威|发明第I627864号||2017/3/17|2018/6/21|2037/3/16|
|674|改善的高动态范围||台湾|美国豪威|发明第I628622号||2017/1/16|2018/7/1|2037/1/15|
|675|用于重组晶圆之测试系统及其方法||台湾|美国豪威|发明第I603410号||2016/6/14|2017/10/21|2036/6/13|
|676|用于测试影像感测芯片之测试座||台湾|美国豪威|发明第I606244号||2016/10/24|2017/11/21|2036/10/23|
|677|用于细间距封装测试之测试座||台湾|美国豪威|发明第I617812号||2017/2/16|2018/3/11|2037/2/15|
||镜头组及其形成方法|||美国豪威、采|发明第I403779号|||||
|678|||台湾||||2010/3/3|2013/8/1|2030/3/2|
|||||钰科技股份有||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国/|||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号|申请日|授予日|失效日期|
||||地区|||||||
|||||限公司||||||
||相机模组及其制造方法|||美国豪威、采|发明第I552592号|||||
|679|||台湾|钰科技股份有|||2011/8/22|2016/10/1|2030/8/21|
|||||限公司||||||

注：①上表中第535项截至2018年7月31日的状态为有效，截至本报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为―失效‖。
（四）在印度拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|序号||专利名称|申请国/地区|专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||OPTICAL IMAGING SYSTEM AND METHOD FORUTILIZING NONLINEAR AND/OR SPATIALLY VARYINGIMAGE PROCESSING||||286897||2007/4/3||2017/8/31|||
|1|||印度|美国豪威|||||||2027/4/3|
||A TASK-BASED OPTICAL IMAGING SYSTEM AND AMETHOD FOR REDUCING FOCUS-RELATEDABERRATIONS||||229134||2004/3/31||2009/2/13|||
|||||美国豪威||||||||
|2|||印度||||||||2024/3/31|
|||||CDM||||||||
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZINGABERRATING EFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||285744||2004/3/31||2017/7/27|||
|3|||印度|美国豪威|||||||2024/3/31|

（五）在以色列拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||地区|||||||||
||OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODS UTILIZINGNONLINEAR AND/OR SPATIALLY VARYING IMAGE||||194374||2007/4/3||2013/3/1|||
|1|||以色列|美国豪威|||||||2027/4/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||地区|||||||||
||PROCESSING|||||||||||
||IMAGING SYSTEM FOR REDUCING REFLECTIONS FROM ADETECTOR||||170697||2004/3/31||2011/12/28|||
|2|||以色列|美国豪威|||||||2024/3/31|
||SYSTEMS AND METHODS FOR MINIMIZING ABERRATINGEFFECTS IN IMAGING SYSTEMS||||208545||2004/3/31||2014/4/1|||
|3|||以色列|美国豪威|||||||2024/3/31|
||LOW HEIGHT IMAGING SYSTEM AND ASSOCIATEDMETHODS||||181890||2005/9/14||2013/5/4|||
|4|||以色列|美国豪威|||||||2025/9/14|
|5|ARRAYED IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATED METHOD||以色列|美国豪威|194792||2007/4/17||2014/5/1||2027/4/17|

（六）在加拿大拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
||SYSTEM AND METHOD FOR USING COMPOUND DATAWORDS TO REDUCE THE DATA PHASE DIFFERENCEBETWEEN ADJACENT PIXEL ELECTRODES||||2322510||1999/2/22||2009/7/21|||
|1|||加拿大|美国豪威|||||||2019/2/22|
|2|SYSTEM AND METHOD FOR DATA PLANARIZATION||加拿大|美国豪威|2309906||1998/11/13||2008/5/20||2018/11/13|
||DISPLAY WITH MULTIPLEXED PIXELS FOR ACHIEVINGMODULATION BETWEEN SATURATION AND THRESHOLDVOLTAGES||||2331683||1999/5/7||2008/3/4|||
|3|||加拿大|美国豪威|||||||2019/5/7|
||METHOD FOR MODULATING A MULTIPLEXED PIXELDISPLAY||||2331695||1999/5/7||2008/3/4|||
|4|||加拿大|美国豪威|||||||2019/5/7|
|5|COMBINATION CMP-ETCH METHOD FOR FORMING A||加拿大|美国豪威|2355614||1999/12/23||2008/11/18||2019/12/23|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
||THIN PLANAR LAYER OVER THE SURFACE OF A DEVICE|||||||||||
||PLANAR REFLECTIVE LIGHT VALVE BACKPLANE ANDMETHOD FOR MANUFACTURING THE SAME||||2355626||1999/12/23||2008/7/15|||
|6|||加拿大|美国豪威|||||||2019/12/23|
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA AND METHODOF MANUFACTURING SAME||||2810676||2013/3/27||2017/11/14|||
|7|||加拿大|美国豪威|||||||2033/3/27|
||SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING INTER-PIXELDISTORTION BY DYNAMIC REDEFINITION OF DISPLAYSEGMENT BOUNDARIES||||2331692||1999/5/7||2007/9/25|||
|8|||加拿大|美国豪威|||||||2019/5/7|
||INTERNAL ROW SEQUENCER FOR REDUCINGBANDWIDTH AND PEAK CURRENT REQUIREMENTS IN ADISPLAY DRIVER CIRCUIT||||2325028||1999/3/22||2009/6/2|||
|9|||加拿大|美国豪威|||||||2019/3/22|

注：上表中第2项截至2018年7月31日的状态为有效，截至报告签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为―失效‖。
（七）在澳大利亚拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国/|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||地区|||||||||
||LENS PLATE FOR WAFER-LEVEL CAMERA AND METHODOF MANUFACTURING SAME||澳大利||2013202052||2013/3/27||2016/9/22|||
|1||||美国豪威|||||||2033/3/27|
||||亚|||||||||

（八）在韩国拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||专利名称||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|1|OPTICAL IMAGING SYSTEMS AND METHODS UTILIZING||韩国|美国豪威|10-1161471||2007/4/3||2012/6/25||2027/4/3|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||NONLINEAR AND/OR SPATIALLY VARYING IMAGEPROCESSING||||||||||||||
|2|TASK-BASED IMAGING SYSTEM|||韩国||美国豪威|10-1265377||2006/9/19||2013/5/10|||2026/9/19|
|3|ZOOM LENS SYSTEMS AND METHOD FOR USE THEREOF|||韩国||美国豪威|10-1301448||2007/3/6||2013/8/22|||2027/3/6|
|4|IMAGING SYSTEM AND ASSOCIATED METHODS|||韩国||美国豪威|10-0859036||2005/9/14||2008/9/10|||2025/9/14|
||ARRAYED IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATEDMETHODS||||||10-1475529||2007/4/17||2014/12/16||||
|5||||韩国||美国豪威||||||||2027/4/17|
|6|SATURATION OPTICS|||韩国||美国豪威|10-1305868||2007/5/23||2013/9/2|||2027/5/23|
||HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITH REDUCEDLINE MEMORY FOR COLOR INTERPOLATION||||||10-1317272||2008/10/20||2013/10/4||||
|7||||韩国||美国豪威||||||||2028/11/21|
||APPARATUS AND METHOD FOR TESTING IMAGESENSOR WAFERS TO IDENTIFY PIXEL DEFECTS||韩国||美国豪威||10-1172405||2008/11/21||2012/8/2||2028/11/21||
|8|||||||||||||||
||CIRCUIT AND PHOTO SENSOR OVERLAP FOR BACKSIDEILLUMINATION IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1129128||2009/2/2||2012/3/14||2029/2/2||
|9|||||||||||||||
||CIRCUIT CONFIGURATION AND METHOD FOR TIME OFFLIGHT SENSOR||韩国||美国豪威||10-1465318||2013/2/28||2014/11/19||2033/2/28||
|10|||||||||||||||
||APPARATUS, METHOD AND SYSTEM FOR RANDOMNUMBER GENERATION||韩国||美国豪威||10-1593300||2014/4/22||2016/2/2||2034/4/22||
|11|||||||||||||||
||LAYERS FOR INCREASING PERFORMANCE IN IMAGESENSORS||韩国||美国豪威||10-1560086||2014/4/4||2015/10/6||2034/4/4||
|12|||||||||||||||
||IMAGE SENSOR HAVING METAL CONTACT COUPLEDTHROUGH A CONTACT ETCH STOP LAYER WITH AN||韩国||美国豪威||10-1693921||2014/4/7||2017/1/2||2034/4/7||
|13|||||||||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||ISOLATION REGION||||||||||||||
||COLOR AND INFRARED FILTER ARRAY PATTERNS TOREDUCE COLOR ALIASING||韩国||美国豪威||10-1613015||2014/7/1||2016/4/8||2034/7/1||
|14|||||||||||||||
||PHOTOSENSITIVE CAPACITOR PIXEL FOR IMAGESENSOR||韩国||美国豪威||10-1834065||2016/3/17||2018/2/23||2036/3/17||
|15|||||||||||||||
||COLOR FILTER ARRAY PATTERNS FOR REDUCTION OFCOLOR ALIASING||韩国||美国豪威||10-1714978||2016/6/28||2017/3/3||2036/6/28||
|16|||||||||||||||
||IMAGE SENSOR AND A METHOD FOR MANUFACTURINGA SOLID IMAGE SENSING DEVICE BY AT LEAST ONEELECTRICAL FUNCTION UNIT INTEGRATED INADJACENT PIXELS||韩国||美国豪威||10-0637945||1998/8/12||2006/10/17||2018/8/12||
|17|||||||||||||||
||SEMICONDUCTOR BASED IMAGE SENSOR ANDFABRICATING METHOD THEREOF, ESPECIALLY FORPROVIDING A PROGRAMMABLE COLOR BALANCE||韩国||美国豪威||10-0592619||1998/10/29||2006/6/15||2018/10/29||
|18|||||||||||||||
||AN INTEGRATED CMOS ACTIVE PIXEL DIGITALCAMERA||韩国||美国豪威||10-0592614||1999/1/21||2006/6/15||2019/1/21||
|19|||||||||||||||
||POSITIVE PIXEL SENSOR AND MANUFACTURINGMETHOD OF THE SAME, PARTICULARLY CONCERNEDWITH MINIMIZING BULK DARK CURRENT ANDMAXIMIZING CHARGE TRANSFER BY FORMING TWO P-NJUNCTIONS HAVING DEPLETION REGIONS CATCHINGRED, GREEN, AND BLUE WAVES EASILY||韩国||美国豪威||10-0647959||1998/11/11||2006/11/13||2018/11/11||
|20|||||||||||||||
|21|IMAGE SENSOR INCORPORATING SATURATION TIME||韩国||美国豪威||10-0718404||2000/5/12||2007/5/8||2020/5/12||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||MEASUREMENTTO INCREASE DYNAMIC RANGE||||||||||||||
||ACTIVE PIXEL SENSOR WITH WIRED FLOATINGDIFFUSIONS AND SHARED AMPLIFIER||韩国||美国豪威||10-0805412||1999/12/28||2008/2/13||2019/12/28||
|22|||||||||||||||
||THREE TRANSISTOR ACTIVE PIXEL SENSORARCHITECTURE WITH CORRELATED DOUBLESAMPLING||韩国||美国豪威||10-0636485||1999/11/18||2006/10/12||2019/11/18||
|23|||||||||||||||
||PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR WITH SHAREDRESET SIGNAL ROW SELECT||韩国||美国豪威||10-0750778||1999/12/28||2007/8/13||2019/12/28||
|24|||||||||||||||
||CMOS IMAGE SENSOR WITH EXTENDED DYNAMICRANGE||韩国||美国豪威||10-0657103||2000/10/25||2006/12/6||2020/10/25||
|25|||||||||||||||
||CMOS ACTIVE PIXEL IMAGE SENSOR WITH EXTENDEDDYNAMIC RANGE AND SENSITIVITY||韩国||美国豪威||10-0814211||2001/1/17||2008/3/10||2021/1/17||
|26|||||||||||||||
||VARIABLE COLLECTION OF BLOOMING CHARGE TOEXTEND DYNAMIC RANGE||韩国||美国豪威||10-0659443||2000/10/25||2006/12/12||2020/10/25||
|27|||||||||||||||
|28|IMAGE SENSOR WITH CHARGE BINNING||韩国||美国豪威||10-1159014||2004/7/1||2012/6/15||2024/7/1||
||IMAGE SENSOR ARRAY WITH SUBSTITUTIONALCIRCUIT DISTRIBUTION||韩国||美国豪威||10-1103956||2004/10/19||2012/1/2||2024/10/19||
|29|||||||||||||||
|30|IMAGE SENSOR WITH EXTENDED DYNAMIC RANGE||韩国||美国豪威||10-1038386||2004/9/1||2011/5/25||2024/9/1||
||METHOD FOR DECREASING UNDESIRABLE DARKCUREENT||韩国||美国豪威||10-1254820||2005/10/27||2013/4/9||2025/10/27||
|31|||||||||||||||
|32|LOW NOISE SAMPLE AND HOLD CIRCUIT||韩国||美国豪威||10-1143094||2005/4/27||2012/4/27||2025/4/27||
|33|METAL INTERCONNECTS FOR IMAGE SNSORS||韩国||美国豪威||10-1210176||2005/6/2||2012/12/3||2025/6/2||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
|34|PINNED-PHOTODIODE PIXEL WITH GLOBAL SHUTTER||韩国||美国豪威||10-1344539||2006/5/24||2013/12/17||2026/5/24||
||PIXEL BINNING AND AVERAGING BASED ONILLUMINATION||韩国||美国豪威||10-1246410||2006/7/18||2013/3/15||2026/7/18||
|35|||||||||||||||
|36|ASYMMETRICAL MICROLENSES ON PIXEL ARRAYS||韩国||美国豪威||10-1274305||2006/5/26||2013/6/5||2026/5/26||
||CMOS IMAGE SENSOR PIXEL WITH SELECTABLEBINNING||韩国||美国豪威||10-1254360||2006/5/26||2013/4/8||2026/5/26||
|37|||||||||||||||
|38|CMOS ACTIVE PIXEL SENSOR SHARED AMPLIFIER PIXEL||韩国||美国豪威||10-1254832||2006/5/31||2013/4/9||2026/5/31||
||SHARED AMPLIFIER PIXEL WITH MATCHED COUPLINGCAPACITANCES||韩国||美国豪威||10-1244573||2006/5/26||2013/3/11||2026/5/26||
|39|||||||||||||||
||PIXEL WITH SYMMETRICAL FIELD EFFECT TRANSISTORPLACEMENT||韩国||美国豪威||10-1320784||2006/5/26||2013/10/15||2026/5/26||
|40|||||||||||||||
||OUTPUT ROUTING STRUCTURE FOR CMOS IMAGESENSORS||韩国||美国豪威||10-1293385||2006/9/18||2013/7/30||2026/9/18||
|41|||||||||||||||
|42|METHOD FOR CORRECTING ECLIPSE OR DARKLE||韩国||美国豪威||10-1289516||2006/10/12||2013/7/18||2026/10/12||
|43|METHOD FOR DETECTING STREAKS IN DIGITAL IMAGES||韩国||美国豪威||10-0961027||2006/11/30||2010/5/25||2026/11/30||
||EXTENDED DYNAMIC RANGE USING VARIABLESENSITIVITY PIXELS||韩国||美国豪威||10-1488036||2008/3/19||2015/1/23||2028/3/19||
|44|||||||||||||||
|45|DELAY CIRCUIT FOR READING OUT S/H ARRAYS||韩国||美国豪威||10-1332073||2007/2/14||2013/11/15||2027/2/14||
|46|PMOS PIXEL STRUCTURE WITH LOW CROSS TALK||韩国||美国豪威||10-1329432||2007/3/23||2013/11/7||2027/3/23||
|47|CMOS IMAGE SENSOR PIXEL USING A PHOTODIODE||韩国||美国豪威||10-1379046||2007/4/18||2014/3/21||2027/4/18||
||INTERPOLATION OF PANCHROMATIC AND COLORPIXELS||韩国||美国豪威||10-1342806||2007/1/17||2013/12/11||2027/1/17||
|48|||||||||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
|49|IMAGE SENSOR WITH IMPROVED LIGHT SENSITIVITY||韩国||美国豪威||10-1441696||2007/5/10||2014/9/11||2027/5/10||
|50|ISOLATION METHOD FOR LOW DARK CURRENT IMAGER||韩国||美国豪威||10-1392540||2007/10/9||2014/4/29||2027/10/9||
|51|IMAGE SENSOR PIXEL WITH GAIN CONTROL||韩国||美国豪威||10-1388276||2008/4/22||2014/4/16||2028/4/22||
|52|REDUCED PIXEL AREA IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1398767||2008/2/20||2014/5/16||2028/2/20||
|53|IMPLANT AT SHALLOW TRENCH ISOLATION CORNER||韩国||美国豪威||10-1329462||2007/8/29||2013/11/7||2027/8/29||
|54|ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING TWO WAFERS||韩国||美国豪威||10-1390071||2007/10/5||2014/4/22||2027/10/5||
||TWO EPITAXIAL LAYERS WITH BURIED SUBCOLLECTORTO REDUCE CROSSTALK IN AN IMAGE SNSOR||韩国||美国豪威||10-1373866||2007/12/5||2014/3/6||2027/12/5||
|55|||||||||||||||
||SILICIDE STRAPPING IN IMAGER TRANSFER GATEDEVICE||韩国||美国豪威/InternationalBusinessMachinesCorporation||10-1437194||2007/11/30||2014/8/27||2027/11/30||
|56|||||||||||||||
|57|HIGH GAIN READ CIRCUIT FOR 3D INTEGRATED PIXEL||韩国||美国豪威||10-1568350||2009/9/4||2015/11/5||2029/9/4||
||MULTIPLE IMAGE SENSOR SYSTEM WITH SHAREDPROCESSING||韩国||美国豪威||10-1471929||2008/11/12||2014/12/5||2028/11/12||
|58|||||||||||||||
|59|SAMPLING AND READOUT OF AN IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1410184||2009/1/28||2014/6/13||2029/1/28||
|60|BACK-ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS||韩国||美国豪威||10-1594927||2009/11/5||2016/2/11||2029/11/5||
||STACKED IMAGE SENSOR WITH SHARED DIFFUSIONREGIONS||韩国||美国豪威||10-1533134||2009/2/12||2015/6/25||2029/2/12||
|61|||||||||||||||
|62|IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSING LAYERS||韩国||美国豪威||10-1417232||2009/7/13||2014/6/30||2029/7/13||
|63|CFA ALIGNMENT MARK FORMATION IN IMAGE||韩国||美国豪威||10-1351145||2009/7/7||2014/1/7||2029/7/7||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||SENSORS||||||||||||||
||BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITHBACKSIDE TRENCHES||韩国||美国豪威||10-1341048||2009/7/7||2013/12/6||2029/7/7||
|64|||||||||||||||
||IMAGE SENSORS HAVING GRATINGS FOR COLORSEPARATION||韩国||美国豪威||10-1593258||2009/10/30||2016/2/2||2029/10/30||
|65|||||||||||||||
|66|IMAGE SENSOR HAVING REDUCED WELL BOUNCE||韩国||美国豪威||10-1460585||2009/5/12||2014/11/5||2029/5/12||
|67|HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR||韩国||美国豪威||10-1554238||2009/6/15||2015/9/14||2029/6/15||
||IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSING LAYERSAND ITS METHOD OF OPERATION AND FABRICATION||韩国||美国豪威||10-1414662||2009/10/5||2014/6/26||2029/10/5||
|68|||||||||||||||
|69|WIDE APERTURE IMAGE SENSOR PIXEL||韩国||美国豪威||10-1438710||2009/6/9||2014/9/1||2029/6/9||
||IMAGE SENSOR PIXEL WITH CHARGE DOMAINSUMMING||韩国||美国豪威||10-1540656||2009/8/24||2015/7/24||2029/8/24||
|70|||||||||||||||
||IMPROVING DEFECTIVE COLOR AND PANCHROMATICCFA IMAGE||韩国||美国豪威||10-1267661||2009/10/9||2013/5/20||2029/10/9||
|71|||||||||||||||
||ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSOR DEVICEAND FABRICATION METHOD THEREOF||韩国||VisEraTechnologiesCompanyLimited；美国豪威||10-0903824||2007/7/10||2009/6/12||2027/7/10||
|72|||||||||||||||
||ENHANCED PHOTON DETECTION DEVICE WITH BIASEDDEEP TRENCH ISOLATION||韩国||美国豪威||10-1765990||2014/3/31||2017/8/1||2034/3/31||
|73|||||||||||||||
|74|Miniature IMAGE CAPTURE LENS||韩国||VisEra||10-1022303||2008/12/12||2011/3/8||2028/12/12||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
||||||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
|||||申请国|||||||||||
|序号||专利名称||||专利权人||专利号||申请日||授予日||失效日期|
|||||家/地区|||||||||||
||||||TechnologiesCompanyLimited；美国豪威||||||||||
||Miniature IMAGE CAPTURE LENS||韩国||VisEraTechnologiesCompanyLimited；美国豪威||10-1023976||2008/12/15||2011/3/15||2028/12/15||
|75|||||||||||||||

注：上表中第17、18及20项截至2018年7月31日的状态为有效，截至本报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为―失效‖。
（九）在日本拥有的专利权
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|1|Method for Modulating Multiplexed Pixel Display||日本|美国豪威|5327824||1999/5/7||2013/8/2||2019/5/7|
|2|Application Specific, Dual Mode Projection System And Method||日本|美国豪威|6291037||2014/8/1||2018/2/16||2034/8/1|
||Wavefront Coded Imaging Systems with Optimized ImageProcessing||||5318027||2003/2/27||2013/7/19|||
|3|||日本|美国豪威|||||||2023/2/27|
||Systems and Methods for Minimizing Aberrating Effects inImaging Systems||||4565192||2004/3/31||2010/8/13|||
|4|||日本|美国豪威|||||||2024/3/31|
|5|Lithographic Systems and Methods with Extended Depth of Focus||日本|美国豪威|4749332||2004/6/1||2011/5/27||2024/6/1|
|6|Task Based Imaging Systems||日本|美国豪威|5033802||2006/9/19||2012/7/6||2026/9/19|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
|||||||||||||
|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|7|Saturation Optics||日本|美国豪威|4945635||2007/5/23||2012/3/9||2027/5/23|
||Ultra Short Three Optical Surfaces Wafer-Level Lens|||美国豪威/|5039991||2009/8/27||2012/7/20|||
|||||VisEra||||||||
|8|||日本|Technologies|||||||2029/8/27|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||Image Capture Lens Module And Image Capture System|||美国豪威/|5612952||2010/7/30||2014/9/12|||
|||||VisEra||||||||
|9|||日本|Technologies|||||||2030/7/30|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||Circuit and photo sensor overlap for backside illumination imagesensor||||5166557||2009/2/2||2012/12/28|||
|10|||日本|美国豪威|||||||2029/2/2|
|11|Circuit Configuration and Method for Time of Flight Sensor||日本|美国豪威|5579893||2013/2/28||2014/7/18||2033/2/28|
|12|Apparatus, Method and System For Random Number Generation||日本|美国豪威|5726348||2014/4/21||2015/4/10||2034/4/21|
||Enhanced Photon Detection Device with Biased Deep TrenchIsolation||||6078886||2014/3/31||2017/1/27|||
|13|||日本|美国豪威|||||||2034/3/31|
|14|Layers For Improving Image Sensor Performance||日本|美国豪威|5990812||2014/4/3||2016/8/26||2034/4/3|
|15|Color and Infrared Filter Array Patterns To Reduce Color Aliasing||日本|美国豪威|6066963||2014/6/30||2017/1/6||2034/6/30|
|16|RGBC Color Filter Array Patterns To Minimze Color Aliasing||日本|美国豪威|6144321||2015/11/24||2017/5/19||2035/11/24|
|17|Photosensitive Capacitor Pixel for Image Sensor||日本|美国豪威|6163221||2016/3/18||2017/6/23||2036/3/18|
|18|Color Filter Array Patterns For Reduction of Color Aliasing||日本|美国豪威|6221082||2016/6/24||2017/10/13||2036/6/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|19|Active Pixel Image Sensor With Shared Amplifier Read-Out||日本|美国豪威|4267095||1998/8/13||2009/2/27||2018/8/13|
|20|Image Sensor||日本|美国豪威|4220032||1998/10/22||2008/11/21||2018/10/22|
|21|Image Sensor Device And Semiconductor Image Sensing Device||日本|美国豪威|3868648||1999/1/21||2006/10/20||2019/1/21|
||Correlation Double Sampling Circuit In High-Speed CMOS ImageColumn||||3947634||1999/4/8||2007/4/20|||
|22|||日本|美国豪威|||||||2019/4/8|
|23|Active Pixel Sensor||日本|美国豪威|4374115||2000/5/10||2009/9/11||2020/5/10|
||Active Pixel Sensor With Wired Floating Diffusions And SharedAmplifier||||4401507||1999/12/28||2009/11/6|||
|24|||日本|美国豪威|||||||2019/12/28|
|25|Active Pixel Image Sensors||日本|美国豪威|4156831||2001/12/25||2008/7/18||2021/12/25|
||Three Transistor Active Pixel Sensor Architecture with CorrelatedDouble Sampling||||4394783||1999/11/9||2009/10/23|||
|26|||日本|美国豪威|||||||2019/11/9|
|27|Active Image Sensor And Controlling Method Therefor||日本|美国豪威|4402786||2000/1/4||2009/11/6||2020/1/4|
||Photodiode Active Pixel Sensor With Shared Reset Signal RowSelect||||4829393||1999/12/27||2011/9/22|||
|28|||日本|美国豪威|||||||2019/12/27|
|29|CMOS Image Sensor With Extended Dynamic Range||日本|美国豪威|4536901||2000/10/20||2010/6/25||2020/10/20|
|30|Zoom Lens Systems with WFC||日本|美国豪威|5420255||2007/3/6||2013/11/29||2027/3/6|
|31|Image Sensor||日本|美国豪威|4614545||2001/1/15||2010/10/29||2021/1/15|
|32|MOS Imager Increasing Dynamic Range||日本|美国豪威|4037602||2000/10/26||2007/11/9||2020/10/26|
|33|Image Sensor||日本|美国豪威|4656753||2001/4/27||2011/1/7||2021/4/27|
|34|Image Sensor||日本|美国豪威|4638097||2001/11/30||2010/12/3||2021/11/30|
|35|Image Sensing Device and Method of Making Thereof||日本|美国豪威|4832660||2001/4/25||2011/9/30||2021/4/25|
|36|Image Sensor||日本|美国豪威|4936619||2001/9/27||2012/3/2||2021/9/27|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|37|Method Of Capturing A Color Digital Image||日本|美国豪威|4351825||2002/3/5||2009/7/31||2022/3/5|
|38|An Image Sensor Having Black Pixels||日本|美国豪威|4053296||2002/1/25||2007/12/14||2022/1/25|
|39|Dark Level Determination Circuit For Image Sensor||日本|美国豪威|3985897||2002/7/25||2007/7/20||2022/7/25|
|40|Correlated Doubling Sampling Circuits||日本|美国豪威|4263909||2002/12/27||2009/2/20||2022/12/27|
|41|Image Data Processor And Image Data Processing Method||日本|美国豪威|4511852||2004/3/12||2010/5/14||2024/3/12|
|42|Image Sensor With Improved Optical Response Uniformity||日本|美国豪威|4879454||2003/11/10||2011/12/9||2023/11/10|
|43|Image Sensor With Charge Binning||日本|美国豪威|4611296||2004/7/1||2010/10/22||2024/7/1|
|44|Imaging System With Adjusted Dark Floor Correction||日本|美国豪威|4657287||2005/3/7||2011/1/7||2025/3/7|
|45|Image Sensor and Camera||日本|美国豪威|4682191||2005/4/27||2011/2/10||2025/4/27|
|46|Image Sensor With Reduced P-Well Conductivity||日本|美国豪威|5047628||2005/1/6||2012/7/27||2025/1/6|
|47|Metal Interconnects For Image Sensors||日本|美国豪威|4856064||2005/6/2||2011/11/4||2025/6/2|
|48|Pixel Binning And Averaging Based On Illumination||日本|美国豪威|5114400||2006/7/18||2012/10/19||2026/7/18|
|49|Pixel Binning And Averaging Based On Illumination||日本|美国豪威|5619825||2012/7/6||2014/9/26||2026/7/18|
|50|Processing Color And Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|4971323||2006/7/20||2012/4/13||2026/7/20|
|51|Asymmetrical Microlens On Pixel Arrays||日本|美国豪威|4884465||2006/5/26||2011/12/16||2026/5/26|
|52|CMOS Image Sensor Pixel with Selectable Binning||日本|美国豪威|5355079||2006/5/26||2013/9/6||2026/5/26|
|53|CMOS Active Pixel Sensor Shared Amplifier Pixel||日本|美国豪威|5036709||2006/5/31||2012/7/13||2026/5/31|
|54|Output Routing Structure For CMOS Imager Sensors||日本|美国豪威|4770926||2006/9/18||2011/7/1||2026/9/18|
|55|Image Sensor With Improved Light Sensitivity||日本|美国豪威|5462345||2012/12/6||2014/1/24||2026/7/13|
|56|Providing Multiple Video Signals From Single Sensor||日本|美国豪威|5086357||2007/9/24||2012/9/14||2027/9/24|
|57|Method For Detecting Streaks In Digital Images||日本|美国豪威|5011307||2006/11/30||2012/6/8||2026/11/30|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|58|Extended Dynamic Range Using Variable Sensitivity Pixels||日本|美国豪威|5190074||2008/3/19||2013/2/1||2028/3/19|
|59|A Delay Management Circuit For Reading Out Large S/H Arrays||日本|美国豪威|4917616||2007/2/14||2012/2/3||2027/2/14|
|60|Pmos Pixel Structure With Low Cross Talk||日本|美国豪威|5295105||2007/3/23||2013/6/21||2027/3/23|
|61|CMOS Image Sensor Pixel Using A Photodiode||日本|美国豪威|4961013||2007/4/18||2012/3/30||2027/4/18|
|62|A/D Converter Using Ramped Transfer Gate Clocks||日本|美国豪威|4916517||2007/2/7||2012/2/3||2027/2/7|
|63|Interpolation Of Panchromatic And Color Pixels||日本|美国豪威|5123212||2007/1/17||2012/11/2||2027/1/17|
|64|Image Sensor With Improved Light Sensitivity||日本|美国豪威|5149279||2007/5/10||2012/12/7||2027/5/10|
|65|Autofocusing Still And Video Images||日本|美国豪威|5399899||2007/6/18||2013/11/1||2027/6/18|
|66|Image Sensor||日本|美国豪威|4982562||2007/7/18||2012/4/27||2027/7/18|
|67|Isolation Method For Low Dark Current Imager||日本|美国豪威|5113180||2007/10/9||2012/10/19||2027/10/9|
|68|Improved Light Sensitivity In Image Sensors||日本|美国豪威|5155333||2007/11/16||2012/12/14||2027/11/16|
|69|Improved Light Sensitivity In Image Sensors||日本|美国豪威|5547786||2012/10/11||2014/5/23||2027/11/16|
|70|Processing Images Having Color and Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5603455||2013/6/4||2014/8/29||2027/11/15|
|71|Processing Images Having Color And Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5330258||2007/11/15||2013/8/2||2027/11/15|
|72|Image Sensor Pixel With Gain Control||日本|美国豪威|5230726||2008/4/22||2013/3/29||2028/4/22|
|73|Image Sensor||日本|美国豪威|5357063||2008/2/20||2013/9/6||2028/2/20|
||Method For Isolating Element Formed On SemiconductorSubstrate||||5281008||2007/8/29||2013/5/31|||
|74|||日本|美国豪威|||||||2027/8/29|
|75|Image Sensor And For Manufacturing The Same||日本|美国豪威|5399917||2007/12/5||2013/11/1||2027/12/5|
|76|Noise Reduction Of Panchromatic And Color Image||日本|美国豪威|5156022||2007/10/29||2012/12/14||2027/10/29|
|77|Producing Low Resolution Images||日本|美国豪威|5345944||2007/11/15||2013/8/23||2027/11/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|78|Method Of Sharpening Using Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5260552||2007/12/12||2013/5/2||2027/12/12|
||Silicide Strapping In Imager Transfer Gate Device|||美国豪威|5096483||2007/11/30||2012/9/28|||
|79|||日本||||||||2027/11/30|
|||||/IBM||||||||
|80|Edge Mapping Using Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5395053||2008/3/26||2013/10/25||2028/3/26|
|81|Multiple Component Read Out Of Image Sensor||日本|美国豪威|5351156||2008/7/8||2013/8/30||2028/7/8|
|82|Edge Mapping Incorporating Panchromatic Pixels||日本|美国豪威|5291084||2008/3/25||2013/6/14||2028/3/25|
|83|Correcting Imaging Device Motion During An Exposure||日本|美国豪威|5124642||2008/7/7||2012/11/2||2028/7/7|
|84|Noise Reduced Color Image Using Panchromatic Image||日本|美国豪威|5260635||2008/5/9||2013/5/2||2028/5/9|
|85|Image Sensor||日本|美国豪威|5507563||2009/9/4||2014/3/28||2029/9/4|
|86|Image Processing System And Controlling Process Therefor||日本|美国豪威|5140738||2008/11/12||2012/11/22||2028/11/12|
|87|Sampling And Readout Of An Image Sensor||日本|美国豪威|5469613||2009/1/28||2014/2/7||2029/1/28|
|88|Sampling And Readout Of An Image Sensor||日本|美国豪威|5587090||2010/8/3||2014/8/1||2029/1/28|
|89|Concentric Exposure Sequence For Image Sensor||日本|美国豪威|5686726||2009/4/14||2015/1/30||2029/4/14|
|90|Image Processing Device||日本|美国豪威|5346082||2009/7/21||2013/8/23||2029/7/21|
|91|Image Sensor Having Multiple Sensing Layers||日本|美国豪威|5562953||2009/7/13||2014/6/20||2029/7/13|
|92|Image Sensor With Improved Angle Response||日本|美国豪威|5816548||2009/6/1||2015/10/2||2029/6/1|
||Color Filter Array Alignment Mark Formation In BacksideIlluminated Image Sensors||||5427234||2009/7/7||2013/12/6|||
|93|||日本|美国豪威|||||||2029/7/7|
|94|Backside Illuminated Image Sensor With Backside Trenches||日本|美国豪威|5420656||2009/7/7||2013/11/29||2029/7/7|
|95|Image Sensors Having Gratings for Color Separation||日本|美国豪威|5676462||2009/10/30||2015/1/9||2029/10/30|
|96|Image Sensor Having Reduced Well Bounce||日本|美国豪威|5520937||2009/5/12||2014/4/11||2029/5/12|
|97|High Dynamic Range Image Sensor||日本|美国豪威|5562949||2009/6/15||2014/6/20||2029/6/15|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|98|Wide Aperture Image Sensor Pixel||日本|美国豪威|5343128||2009/6/9||2013/8/16||2029/6/9|
|99|Image Sensor Pixel with Charge Domain Summing||日本|美国豪威|5562959||2009/8/24||2014/6/20||2029/8/24|
|100|Image Sensors Having Non-Uniform Light Shields||日本|美国豪威|5684139||2009/11/20||2015/1/23||2029/11/20|
|101|Improving Defective Color and Panchromatic CFA Image||日本|美国豪威|5140766||2009/10/9||2012/11/22||2029/10/9|
|102|Improving Defective Color and Panchromatic CFA Image||日本|美国豪威|5529230||2012/10/1||2014/4/25||2029/10/9|
|103|Dithered Focus Evaluation||日本|美国豪威|5745416||2009/10/9||2015/5/15||2029/10/9|
|104|Modifying Color And Panchromatic Channel CFA Image||日本|美国豪威|5461568||2009/10/26||2014/1/24||2029/10/26|
|105|Generating Column Offset Corrections For Image Sensors||日本|美国豪威|5624630||2010/12/15||2014/10/3||2030/12/15|
||Wafer Level Image Module|||美国豪威/|5141859||2006/9/29||2012/11/30|||
|||||VisEra||||||||
|106|||日本|Technologies|||||||2026/9/29|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||Wafer Level Focusing Method, Structure and Apparatus of ImageModule|||美国豪威/|5345186||2011/8/2||2013/8/23|||
|||||VisEra||||||||
|107|||日本|Technologies|||||||2026/9/29|
|||||Company||||||||
|||||Limited||||||||
||Electronic Assembly For Image Sensor Device, And FabricatingMethod Thereof|||美国豪威/|4852675||2007/9/5||2011/11/4|||
|||||VisEra||||||||
|108|||日本||||||||2027/9/5|
|||||Technologies||||||||
|||||Company||||||||

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|
||专利名称||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|||||Limited||||||||
|109|Arrayed Imaging Systems And Associated Methods||日本|美国豪威|5934459||2007/4/17||2016/5/13||2027/4/17|

注：上表中第19及20项截至2018年7月31日的状态为有效，截至本报告书签署日，由于上述专利权已届终止期，状态变更为―失效‖。
（十）在中国香港拥有的专利权
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||||申请国家/地区|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
|1|用于传感器故障检测的系统及方法||香港|美国豪威|HK1196484||2014/9/25||2016/12/30||2034/1/28|
|2|CMO图像传感器中具有减弱暗电流的有源像素||香港|美国豪威|HK1055013||2003/10/6||2008/10/31||2022/9/16|
|3|阵列成像系统及相关方法||香港|美国豪威|HK1134858||2009/12/17||2013/7/19||2027/4/17|
|4|形成保护膜于芯片级封装上的装置及其形成方法||香港|美国豪威|HK1174150||2013/1/30||2014/11/28||2031/1/28|
|5|挠性薄膜及透镜组件及透镜复制的相关方法||香港|美国豪威|HK1173503||2013/1/18||2017/9/15||2032/5/3|
|6|使用颜色相关波前编码扩展透镜系统中景深的系统和方法||香港|美国豪威|HK1192328||2014/6/13||2017/5/12||2032/5/31|
|7|整合管芯级摄像组件及其制造方法||香港|美国豪威|HK1188060||2014/1/26||2017/10/27||2032/10/15|
|8|用于晶片级相机的晶片间隔片及其制造方法||香港|美国豪威|HK1184274||2013/10/21||2017/1/27||2032/11/15|
|9|用于晶片级照相机的透镜板及其制造方法||香港|美国豪威|HK1186777||2013/12/19||2017/9/15||2033/3/21|
|10|数字图像数据畸变的修正装置及方法||香港|美国豪威|HK1190019||2014/3/25||2018/2/23||2033/5/15|
|11|修正图像系统的渐晕的方法及装置||香港|美国豪威|HK1190020||2014/3/25||2018/2/23||2033/6/20|
|12|用于生成画中画（PIP）图像的设计与方法||香港|美国豪威|HK1191786||2014/5/26||2018/2/15||2033/7/17|
|13|使用多个摄像器以提供延伸视野的影像处理系统及方法||香港|美国豪威|HK1189319||2014/3/10||2018/3/9||2033/7/26|
||利用紫外光可穿透模具来制造用于整合式相机的透镜板的方法以及制造紫外光可穿透模具的方法||||HK1192199||2014/6/12||2017/2/10|||
|14|||香港|美国豪威|||||||2033/7/30|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|15|由移动扫描器重新继续捕获物体的基本影响的系统于方法||香港|美国豪威|HK1191425||2014/5/15||2018/1/26||2033/9/2|
|16|具有白光、黄光及红光感测元件的背面照射光学传感器阵列||香港|美国豪威|HK1191451||2014/5/15||2018/1/26||2033/9/24|
|17|取得均匀光源的装置与方法||香港|美国豪威|HK1197937||2014/10/8||2018/5/11||2034/3/6|
|18|取得均匀光源的装置与方法||香港|美国豪威|HK1195669||2014/9/2||2017/9/15||2033/10/29|
||胶囊内镜的大视场透镜系统以及具有大视场透镜系统的胶囊内镜||||HK1195468||2014/9/2||2016/10/7|||
|19|||香港|美国豪威|||||||2033/10/29|
|20|包括至少一个拜耳型摄像机的阵列系统及关联的方法||香港|美国豪威|HK1197127||2014/10/21||2018/3/29||2033/11/21|
|21|一种用于基于级的自动调整的对等媒体流的装置和方法||香港|美国豪威|HK1197124||2014/10/8||2018/4/27||2034/2/27|
|22|电子照相机的自动白平衡的自动化自我训练的装置和方法||香港|美国豪威|HK1203011||2015/4/2||2018/3/2||2034/3/12|
|23|用于360度摄像机系统的校准的系统和方法||香港|美国豪威|HK1220063||2016/7/11||2018/4/13||2034/4/8|
|24|具有广视角的五个非球面表面晶片级透镜系统||香港|美国豪威|HK1199935||2015/1/7||2017/9/1||2034/5/5|
|25|在线存储器测试系统及方法||香港|美国豪威|HK1199975||2015/1/7||2018/3/29||2034/5/7|
|26|镜框的固摄系统||香港|美国豪威|HK1199307||2014/12/23||2016/10/7||2034/5/23|
|27|自发光互补金属氧化物半导体影响传感器封装||香港|美国豪威|HK1210000||2015/11/6||2018/4/6||2034/7/8|
|28|基于单一成像传感器的摄影机装置及系统以及其制造方法||香港|美国豪威|HK1205609||2015/6/26||2018/4/13||2034/9/9|
|29|凹坑配液过程形成光学透镜的装置和方法||香港|美国豪威|HK1204780||2015/6/3||2018/5/11||2034/9/16|
||具有屏蔽、深穿透及颜色检测光二极管的颜色光传感器阵列的传感器和方法||||HK1203695||2015/4/29||2018/4/6|||
|30|||香港|美国豪威|||||||2034/9/16|
|31|双像素大小彩色摄像传感器及其制造方法||香港|美国豪威|HK1205843||2015/7/2||2018/3/29||2034/11/10|
|32|捕获可见光和红外光图像的图像传感器及关联系统和方法||香港|美国豪威|HK1206519||2015/7/22||2018/3/23||2034/12/3|
|33|基于数字校准的长距离MIPI D-PHY串行链路的偏斜消除||香港|美国豪威|HK1209507||2015/10/15||2017/7/18||2034/12/29|
|34|在晶圆层上将相机立方体镀黑的系统及方法||香港|美国豪威|HK1212099||2015/12/31||2018/4/27||2035/5/5|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|35|晶圆级矽基液晶投影组件、系统于方法||香港|美国豪威|HK1214001||2016/2/23||2018/1/26||2034/5/23|
|36|三片式全非球面转接器鱼眼镜头||香港|美国豪威|HK1220509||2016/7/18||2018/3/16||2035/8/21|
|37|自动化的细胞生长-迁移检测系统及相关的方法||香港|美国豪威|HK1217210||2016/5/6||2018/5/11||2035/8/28|
||用於供結合背面照明式光傳感器數組的電路的特別用途的集成電路的接地系統傳感器集成電路||||HK1223734||2016/10/14||2018/5/4|||
|38|||香港|美国豪威|||||||2035/10/30|
|39|低剖面混合型透镜系统及其制造方法||香港|美国豪威|HK1225446||2016/11/25||2018/4/13||2036/1/26|
|40|用于矽基液晶投影显示器LCOS的空间交错的偏振转换器||香港|美国豪威|HK1225448||2016/11/28||2018/4/20||2036/2/25|
|41|用于背侧照明图像传感器的黑色参考像素||香港|美国豪威|HK1190228||2014/4/2||2017/5/5||2029/2/2|
|42|CMOS像素中的半岛形传输栅||香港|美国豪威|HK1172446||2012/12/20||2016/1/22||2029/12/29|
|43|双面图像传感器||香港|美国豪威|HK1179049||2013/5/22||2016/7/8||2030/5/24|
|44|具有流水线化列模数转换器的图像传感器||香港|美国豪威|HK1172174||2012/12/10||2016/9/2||2031/11/8|
|45|用于CMOS图像转换器的可变电压行驱动器||香港|美国豪威|HK1185487||2013/11/18||2017/3/24||2033/1/31|
|46|可见及红外双重模式成像系统||香港|美国豪威|HK1170618||2012/11/9||2015/7/31||2031/10/11|
|47|用于CMOS图像传感器的无损杂质掺杂的方法||香港|美国豪威|HK1170844||2012/11/9||2016/1/22||2031/9/29|
|48|具有补充电容性耦合节点的图像传感器||香港|美国豪威|HK1171592||2012/11/27||2015/7/17||2031/12/16|
|49|用于成像像素的黑色电平校正的方法和系统||香港|美国豪威|HK1186029||2013/11/27||2017/3/24||2033/2/8|
|50|使用切割道触刻的晶圆切片||香港|美国豪威|HK1172152||2012/12/10||2015/12/24||2031/11/23|
|51|用于背面照明图像传感器的密封环支撑件||香港|美国豪威|HK1172735||2012/12/29||2015/9/25||2032/1/5|
|52|用于CMOS图像传感器的模拟行黑色电平校准||香港|美国豪威|HK1171144||2012/11/20||2015/7/10||2032/1/18|
|53|用于触摸及手势辨识的光学触摸垫||香港|美国豪威|HK1179374||2013/5/24||2017/3/3||2031/12/29|
|54|具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器||香港|美国豪威|HK1179756||2013/6/9||2016/5/20||2032/7/23|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|55|使用硬掩模的滤色器图案化||香港|美国豪威|HK1179050||2013/6/3||2016/6/30||2031/12/30|
|56|低共振驱动器||香港|美国豪威|HK1178695||2013/5/27||2016/4/8||2032/5/29|
|57|用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素||香港|美国豪威|HK1178689||2013/5/27||2015/12/11||2032/5/29|
|58|在移動設備中的圖像重疊||香港|美国豪威|HK1177074||2013/3/25||2017/6/30||2031/8/30|
|59|具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域||香港|美国豪威|HK1180455||2013/6/28||2016/10/7||2032/8/27|
|60|具有聚焦能力的图像捕获系统||香港|美国豪威|HK1178723||2013/5/27||2015/11/27||2031/12/29|
|61|用于具有聚焦能力的图像捕获系统的外壳||香港|美国豪威|HK1179448||2013/5/24||2016/7/29||2031/12/30|
|62|多重转换增益图像传感器的多电平复位电压||香港|美国豪威|HK1180863||2013/7/10||2016/4/1||2032/8/2|
|63|双向相机组合件||香港|美国豪威|HK1181192||2013/7/19||2017/11/10||2032/9/5|
||用于提供图像传感器像素中的经改进全阱容量的方法、设备及系统||||HK1183162||2013/9/5||2016/7/8|||
|64|||香港|美国豪威|||||||2032/11/2|
|65|包含光导的背侧照明式（BSI）像素||香港|美国豪威|HK1183745||2013/9/27||2017/4/7||2032/11/30|
|66|具有增强离子掺杂的方法及装置||香港|美国豪威|HK1188033||2014/2/10||2017/5/12||2033/3/27|
|67|相机模块及包括相机模块的系统||香港|美国豪威|HK1181919||2013/8/2||2017/9/1||2032/9/6|
|68|图像传感器的部分掩埋沟道传送装置||香港|美国豪威|HK1181552||2013/7/29||2017/1/27||2032/10/12|
|69|在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法||香港|美国豪威|HK1186575||2013/12/18||2016/9/23||2033/2/21|
||用于具有背侧照明的高速CMOS图像传感器的多行同时读出方案||||HK1180157||2013/6/20||2017/10/20|||
|70|||香港|美国豪威|||||||2032/10/11|
|71|高动态范围子取样架构||香港|美国豪威|HK1180156||2013/6/20||2017/4/28||2032/10/11|
|72|用于高性能CMOS图像传感器的算术计数器电路、配置和应用||香港|美国豪威|HK1180158||2013/6/20||2017/11/10||2032/10/11|
|73|用于飞行时间传感器的电路配置和方法||香港|美国豪威|HK1186890||2013/12/20||2017/5/12||2033/2/27|
|74|用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计||香港|美国豪威|HK1183161||2013/9/5||2016/5/20||2032/11/2|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|75|具有自对准沟道宽度的晶体管||香港|美国豪威|HK1182530||2013/8/22||2017/5/12||2032/10/19|
|76|用于3D成像的有具有交替偏光的滤光器的图像传感器||香港|美国豪威|HK1185448||2013/11/13||2017/4/28||2033/1/23|
|77|用于并行交换视频数据的方法、设备和系统||香港|美国豪威|HK1188887||2014/2/26||2018/2/23||2033/4/24|
|78|用以提供用于缓冲的视频数据的方法、设备及系统||香港|美国豪威|HK1188889||2014/2/28||2018/3/16||2033/5/14|
|79|用于组合图像的方法和系统||香港|美国豪威|HK1185986||2013/11/29||2017/11/17||2033/2/8|
|80|背侧照明成像传感器中的侧向光屏蔽物||香港|美国豪威|HK1186001||2013/11/27||2017/4/28||2033/2/7|
|81|具有脉冲操作模式的图形传感器||香港|美国豪威|HK1186807||2013/12/24||2017/2/17||2033/3/5|
|82|用于图像传感器的多斜率列并行模-数转换中的校准||香港|美国豪威|HK1186854||2013/12/24||2017/8/18||2033/3/18|
|83|图像传感器系统的用于传送图像数据及控制信号的共享端子||香港|美国豪威|HK1183389||2013/9/12||2018/5/4||2032/11/13|
|84|图像传感器系统的用于传送时钟及控制信号的共享端子||香港|美国豪威|HK1183390||2013/9/13||2018/3/2||2032/11/13|
|85|用于减少像素单元噪声的方法、设备及系统||香港|美国豪威|HK1188349||2014/2/10||2018/5/4||2033/4/2|
|86|具有卡入式闩锁的晶片级相机模块||香港|美国豪威|HK1188356||2014/2/17||2017/11/10||2033/3/29|
|87|具有保护管的晶片级相机模块||香港|美国豪威|HK1188355||2014/2/17||2018/3/16||2033/3/29|
|88|具有多种ADC模式的混合模-数转换器||香港|美国豪威|HK1190836||2014/4/23||2017/11/24||2033/6/28|
|89|双侧图像转换器||香港|美国豪威|HK1188330||2014/2/10||2017/3/24||2033/4/8|
|90|具有改良性能的大型互补金属氧化物半导体图像传感器像素||香港|美国豪威|HK1190825||2014/4/23||2016/10/28||2033/6/6|
|91|使用次要相机的快门释放||香港|美国豪威|HK1190547||2014/4/16||2018/3/2||2033/5/21|
|92|用於CMOS圖像傳感器中的列斜坡比較器的噪聲匹配動態偏置||香港|美国豪威|HK1190850||2014/4/23||2018/3/16||2034/7/23|
|93|电容和选择电荷泵||香港|美国豪威|HK1190832||2014/4/23||2016/11/25||2033/7/26|
|94|具有集成电磁干扰屏蔽集成电路堆叠||香港|美国豪威|HK1190824||2014/4/23||2017/9/1||2033/6/5|
|95|视频产生方法及视频成像获取系统||香港|美国豪威|HK1194578||2014/7/29||2018/3/16||2021/9/6|

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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|96|用于低暗电流CMOS像素单元的接地触点结构||香港|美国豪威|HK1192388||2014/6/5||2018/5/4||2033/7/18|
||用于减少CMOS图像传感器的模拟图像数据中的噪声的方法及设备||||HK1193687||2014/7/8||2018/1/19|||
|97|||香港|美国豪威|||||||2033/8/9|
|98|用于减少所投影图像中的斑点的装置和方法||香港|美国豪威|HK1192948||2014/6/26||2017/8/18||2033/7/11|
|99|具有固定电位输出晶体管的图像传感器||香港|美国豪威|HK1193676||2014/7/8||2017/11/17||2033/5/9|
|100|用于减少的电荷注入的CMOS图像传感器开关电路||香港|美国豪威|HK1190835||2014/4/23||2017/5/5||2033/7/16|
|101|选择性增益控制电路||香港|美国豪威|HK1193524||2014/7/7||2018/3/23||2033/7/29|
|102|含有具有三角形截面的金属栅格的图像传感器||香港|美国豪威|HK1190826||2014/4/23||2017/2/10||2033/5/7|
|103|具有色彩滤光器的分割图形传感器的透镜阵列||香港|美国豪威|HK1192371||2014/6/11||2017/9/1||2033/7/24|
|104|用于减少输出变化的比较器电路||香港|美国豪威|HK1193512||2014/7/7||2017/5/5||2033/6/5|
||像素阵列、图像传感器系统及用于提供像素阵列的转换增益的方法||||HK1197513||2014/10/30||2018/3/16|||
|105|||香港|美国豪威|||||||2033/12/5|
|106|用于为3D成像投射结构光的低Z高度投影系统||香港|美国豪威|HK1193878||2014/7/15||2016/6/3||2033/7/24|
|107|集成电路系统、成像传感器系统及其制作方法||香港|美国豪威|HK1195823||2014/9/9||2017/7/14||2033/8/5|
|108|随机估计模-数转换器||香港|美国豪威|HK1194872||2014/8/5||2018/3/2||2033/6/19|
|109|图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置||香港|美国豪威|HK1194858||2014/8/5||2017/9/1||2033/8/13|
||图像传感器及包含多个可选择经啮合滤光器组的彩色滤光器阵列||||HK1197514||2014/10/30||2018/3/2|||
|110|||香港|美国豪威|||||||2033/11/15|
|111|具有偏移电压移除的带隙参考电路||香港|美国豪威|HK1197502||2014/10/31||2018/4/6||2033/11/27|
|112|用以减少图像记忆效应的带负电荷层||香港|美国豪威|HK1194856||2014/8/5||2017/3/24||2033/8/7|
|113|具有衬底噪声隔离的方法及图像传感器||香港|美国豪威|HK1200999||2015/2/4||2018/5/11||2033/12/19|
|114|自适应多转换斜坡模-数转换器||香港|美国豪威|HK1197115||2014/10/23||2018/4/27||2033/10/22|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|115|用于减少像素阵列读出时间的转换电路||香港|美国豪威|HK1197503||2014/10/30||2018/4/6||2033/5/7|
||用于消除具有掺杂等离子体的钉扎层的像素中的滞后的工艺及其设备||||HK1197493||2014/10/31||2018/3/2|||
|116|||香港|美国豪威|||||||2033/12/18|
|117|底部芯片上具有光敏电路元件的堆叠芯片图像传感器||香港|美国豪威|HK1195165||2014/8/14||2018/2/23||2033/10/15|
|118|包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器||香港|美国豪威|HK1200243||2015/1/21||2017/11/24||2033/10/30|
|119|具有三层视频场景的影中影视频流||香港|美国豪威|HK1196731||2014/10/8||2018/3/16||2033/9/9|
|120|荧光成像模块||香港|美国豪威|HK1197763||2014/11/12||2017/10/13||2033/10/28|
|121|形成用于图像传感器的双尺寸微透镜的方法||香港|美国豪威|HK1202987||2015/4/13||2018/1/19||2033/11/20|
|122|拥有具有增加的光学串扰的像素的图像传感器||香港|美国豪威|HK1201986||2015/3/9||2018/5/4||2034/2/25|
|123|具有多个放大器晶体管的高动态范围像素||香港|美国豪威|HK1199684||2015/1/6||2018/3/16||2033/10/25|
|124|基于动态映射的自动白平衡||香港|美国豪威|HK1202010||2015/3/12||2018/3/2||2033/12/2|
|125|具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置||香港|美国豪威|HK1202706||2015/3/26||2018/2/23||2033/12/6|
|126|图像传感器以及成像装置||香港|美国豪威|HK1202985||2015/4/8||2018/2/23||2033/12/4|
|127|具有低轮廓触点的集成电路堆叠||香港|美国豪威|HK1201991||2015/3/12||2018/2/23||2033/12/25|
||具有拥有栅极之间的窄间隔的全局快门的图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法||||HK1204389||2015/5/19||2018/3/16|||
|128|||香港|美国豪威|||||||2033/12/25|
|129|具有切换式深沟槽隔离结构图案传感器像素单元||香港|美国豪威|HK1207469||2015/8/14||2018/3/16||2033/11/20|
|130|从像素阵列读取像素数据的方法及成像系统||香港|美国豪威|HK1204406||2015/5/19||2018/5/4||2034/5/19|
|131|光子检测装置和堆叠硅光电倍增器||香港|美国豪威|HK1207209||2015/8/13||2017/11/24||2034/1/7|
|132|彩色激光片阵列、彩色滤光片阵列设备及图像传感器||香港|美国豪威|HK1206102||2015/7/6||2018/2/23||2034/6/27|
|133|用于提供增强的视觉的眼罩式显示系统及方法||香港|美国豪威|HK1204807||2015/6/2||2018/4/6||2033/11/22|
|134|X射线与光学图像传感器以及其成像系统及制作方法||香港|美国豪威|HK1208613||2015/9/24||2018/4/27||2034/2/25|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|135|用于图像传感器的大-小像素方案及其使用||香港|美国豪威|HK1209901||2015/10/22||2018/5/11||2034/3/3|
|136|具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图案传感器像素单元||香港|美国豪威|HK1209234||2015/10/8||2018/5/11||2034/1/9|
|137|堆叠芯片SPAD图像传感器||香港|美国豪威|HK1209897||2015/10/19||2018/4/27||2034/6/9|
|138|背侧照明式单光子雪崩二极管及包括其的成像传感器系统||香港|美国豪威|HK1208285||2015/9/10||2018/4/6||2034/9/3|
|139|使用移动平台的视频会议||香港|美国豪威|HK1216470||2016/4/18||2017/9/1||2034/12/19|
|140|用于飞行时间3D图像传感器的可编程电流源||香港|美国豪威|HK1221780||2016/8/17||2018/4/27||2034/12/25|
|141|高分辨率阵列摄像机||香港|美国豪威|HK1221841||2016/8/17||2018/5/4||2035/11/18|
|142|像素面积减小的图像传感器||香港|美国豪威|HK1171870||2012/12/7||2016/2/19||2028/2/20|
|143|用于图像传感器的列输出电路||香港|美国豪威|HK1171597||2012/11/28||2016/11/4||2030/12/8|
|144|具有前侧和背侧光电检测器的图像传感器||香港|美国豪威|HK1174438||2013/2/6||2016/7/22||2030/6/11|
|145|四通道滤色片阵列图案||香港|美国豪威|HK1171309||2012/11/23||2015/10/30||2030/5/7|
|146|四通道滤色片阵列内插||香港|美国豪威|HK1170877||2012/11/9||2015/7/17||2030/5/27|
|147|具有四个通道的滤色器阵列图案||香港|美国豪威|HK1170878||2012/11/12||2015/7/17||2030/5/21|
|148|用于四通道彩色滤光片阵列的内插||香港|美国豪威|HK1170880||2012/11/14||2015/12/24||2030/6/7|
|149|用于图像传感器中暂停列读出的方法及设备||香港|美国豪威|HK1173018||2013/1/7||2015/10/16||2030/12/15|
|150|产生图像传感器的列偏移校正||香港|美国豪威|HK1176447||2013/3/14||2015/11/20||2030/12/27|
|151|具有经掺杂的传输栅极的图像传感器||香港|美国豪威|HK1179757||2013/6/9||2016/5/6||2030/12/27|
|152|图像传感器中的暂停列读出||香港|美国豪威|HK1173592||2013/1/15||2016/4/1||2030/12/16|
|153|产生图像传感器的列偏移校正||香港|美国豪威|HK1175912||2013/3/12||2015/11/13||2030/12/15|
|154|图像传感器中的光侦测器隔离||香港|美国豪威|HK1170843||2012/11/9||2015/9/11||2031/9/29|
|155|用于产生图像传感器中的光电检测器隔离的方法||香港|美国豪威|HK1172731||2012/12/25||2016/11/11||2031/12/7|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|156|具有电荷倍增输出通道及电荷感测输出通道的图像传感器||香港|美国豪威|HK1173017||2013/1/7||2015/8/21||2031/12/7|
|157|用于处理由图像传感器捕获的图像的方法||香港|美国豪威|HK1172762||2012/12/25||2015/7/24||2031/12/16|
|158|暂停图像传感器中的列寻址||香港|美国豪威|HK1172763||2012/12/25||2016/3/24||2031/12/20|
|159|用于矫正图像传感器固定图案噪声的设备、系统和方法||香港|美国豪威|HK1204407||2015/5/19||2018/5/25||2034/1/13|
|160|具有集成周围光检测的图像传感器||香港|美国豪威|HK1199999||2015/1/15||2018/5/25||2032/12/28|
|161|随机存取存储器中压缩数据的系统及方法||香港|美国豪威|HK1194225||2014/7/21||2018/3/16||2033/11/12|
|162|由量化控制改良解码器性能的方法与系统||香港|美国豪威|HK1190847||2014/4/17||2018/3/2||2033/7/5|
|163|由量化控制改良解码器性能的方法与系统||香港|美国豪威|HK1190846||2014/4/17||2018/5/11||2033/7/5|
|164|包括图像传感器的设备、半导体装置及其制造方法||香港|美国豪威|HK1185452||2013/11/18||2017/7/14||2033/2/8|
|165|光学变焦成像系统及相关方法||香港|美国豪威|HK1212043||2015/12/31||2018/3/23||2035/4/30|
|166|悬式透镜系统及用于制造悬式透镜系统的晶圆级方法||香港|美国豪威|HK1212044||2015/12/31||2018/3/16||2035/5/12|
|167|用于传感器故障检测的系统及方法||香港|美国豪威|HK1196485||2016/9/25||2018/3/29||2034/1/28|
|168|用于传感器故障检测的系统及方法||香港|美国豪威|HK1204836||2015/6/3||2018/7/27||2034/1/8|
|169|用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素||香港|美国豪威|HK1207473||2015/8/19||2018/7/27||2034/3/3|
|170|基于像素强度分布的多目标自动曝光机增益控制的方法及系统||香港|美国豪威|HK1210892||2015/11/23||2018/7/27||2034/6/30|
|171|基于像素强度分布的多目标自动曝光及增益控制的方法及系统||香港|美国豪威|HK1206178||2015/7/7||2018/7/20||2034/2/26|
|172|用于从图像传感器读取图像数据的方法及设备||香港|美国豪威|HK1204184||2015/5/12||2018/7/20||2034/1/9|
|173|用於空間受限位置中的成像系統及方法||香港|美国豪威|HK1213752||2016/2/18||2018/7/13||2035/4/22|
|174|具有高效率热传递的成像设备及其相关系统||香港|美国豪威|HK1208110||2015/9/8||2018/7/13||2035/1/5|
|175|减少图像传感器中的噪声的谐波音调的方法及图像感测系统||香港|美国豪威|HK1209539||2015/10/12||2018/7/6||2034/4/18|
|176|背侧照明式图像传感器及其制作方法||香港|美国豪威|HK1209523||2015/10/14||2018/6/29||2034/2/24|

上海韦尔半导体股份有限公司 发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）
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||||申请国|||||||||
|序号||专利名称||专利权人||专利号||申请日||授予日|失效日期|
||||家/地区|||||||||
|177|对双转换增益高动态范围传感器的补偿||香港|美国豪威|HK1225545||2016/12/5||2018/6/29||2036/2/2|
|178|具有延长景深的摄像系统于方法||香港|美国豪威|HK1190014||2013/10/31||2018/6/22||2032/12/10|
|179|采用用于灵活图像方位的正方形图像传感器的取像系统及方法||香港|美国豪威|HK1199342||2014/12/22||2018/6/22||2034/4/28|
|180|图像数据的聚合高动态范围的成像系统及相关方法||香港|美国豪威|HK1206518||2015/7/22||2018/6/22||2034/12/2|
|181|紧凑型像素中高动态范围成像||香港|美国豪威|HK1194888||2014/8/13||2018/6/22||2033/7/26|
|182|成像系统及使图像传感器聚焦的方法||香港|美国豪威|HK1204405||2015/5/19||2018/6/22||2034/2/13|
|183|具有缩放滤波器阵列和像素内装仓的图像传感器||香港|美国豪威|HK1212129||2015/12/23||2018/6/22||2034/7/24|
|184|用于图像投影仪的去斑光学系统||香港|美国豪威|HK1212781||2016/1/21||2018/6/22||2034/6/26|
|185|具有全局布线通道的集成电路芯片及专用集成电路||香港|美国豪威|HK1208959||2015/9/28||2018/6/22||2034/12/15|
|186|像素单元及成像系统||香港|美国豪威|HK1216359||2016/4/15||2018/6/22||2034/12/25|
|187|解码行程编码数据的解码器和方法||香港|美国豪威|HK1190848||2014/4/17||2018/6/15||2033/7/5|
|188|包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器||香港|美国豪威|HK1199552||2014/12/29||2018/6/15||2033/10/23|
|189|用于随机数产生的设备、方法和系统及图像传感器||香港|美国豪威|HK1203258||2015/4/15||2018/6/15||2033/12/12|
|190|用于实施扩展范围逐次逼近模/数转换器的方法及系统||香港|美国豪威|HK1224474||2016/11/4||2018/6/15||2036/1/25|
|191|具有强化的晶片接合的集成电路堆叠||香港|美国豪威|HK1225857||2016/12/12||2018/6/15||2036/2/18|
|192|硅基液晶面板及相关方法||香港|美国豪威|HK1222919||2016/9/20||2018/6/8||2036/2/15|
||用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器||||HK1208286||2015/9/10||2018/6/8|||
|193|||香港|美国豪威|||||||2034/8/29|
||用于降低红外反射噪声的重影的红外反射/吸收层及使用其的图像的图像传感器||||HK1195824||2014/9/11||2018/6/22|||
|194|||香港|美国豪威|||||||2034/9/11|