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user: 2. 遗忘相关的ERP成分 2.1. N2 一类ERP成分已经频繁的在与执行控制机制相关的遗忘研究中被报告出来，即N2成分家族(Folstein & Van Petten， 2008)。这些成分通常在刺激呈现后的250~450 ms达到峰值。Folstein和Van Petten (2008) 的综述指出，N2并非特指一个成分，而是存在几个不同类型的成分，表现在拓扑学分布的不同或能对任务/刺激的不同特征作出反应。接下来，我们将对N2家族子成分的功能性意义进行详细介绍。 首先，N2成分可以反映出抑制的大小，与遗忘正相关。例如，Bergström， De Fockert和Richardson-Klavehn (2009)采用TNT范式进行研究，发现在刺激呈现后约200ms，NT项目中出现了一个早期N2成分，并且NT相比T条件的N2振幅更大，表现更负(Bergström， de Fockert， & Richardson-Klavehn， 2009; Mecklinger， Parra， & Waldhauser， 2009; Chen et al.， 2012)。Bergström等人(2009)也在TNT范式中发现了类似的早期负性成分，且与后续回忆成绩的衰减相关。来自Hanslmayr等人(2009)的研究也给出了N2在记忆抑制中起作用的证据：与T条件相比，NT条件在300ms左右的时间窗表现出显著更大的负性ERP幅度，并且与随后记忆识别测验中的记忆损伤相关。Waldhauser， Lindgren和Johansson (2012)也发现这一效应出现在前额区域的300ms时间窗，NT项目具有比T项目显著更大的N2波幅。 其次，从提取到遗忘，再到成功遗忘，N2是依次增强的。前人研究发现，在成功抑制试次与不成功抑制试次相比较时，N2表现为增强(Schmajuk， Liotti， Busse， & Woldorff， 2006)。Mecklinger等人(2009)和 Waldhauser等人(2012)的研究也表明，NT条件相比T条件存在更大的N2波，并且研究者们注意到独立探测中被成功遗忘的NT项目对应的N2波幅更大。进一步地，在DF范式的研究中可以对这种N2的层级性变化进行更加细致的观察。研究表明，在线索呈现后的200-300ms时间窗，F线索比R线索产生了一个更大的N2幅度，并且TBF_F与TBR_F项目在前额叶区域表现出更多的负性活动(Yang et al.， 2012)，表明成功的遗忘需要占用更强的抑制控制才能完成。 最后，有关情绪性材料的研究表明，相比中性图片，在负性图片之后出现的F线索在前额叶引发了更强的N2反应，表明负性图片的遗忘需要更强的抑制努力或更多的抑制机制占用，暗示负性刺激的遗忘更加艰难(Yang et al.， 2012)。 源定位分析发现，N2的产生源包括前扣带皮层和外侧前额叶皮层(Lavric， Pizzagalli， & Forstmeier， 2004)，显然后者更加符合记忆提取抑制的脑成像研究发现(Anderson et al.， 2004)。一方面，一些研究源定位的结果表明N2是由前扣带(anterior cingulate cortex， ACC)产生，认为该成分反映的是一种冲突监测而不是抑制控制本身(Nieuwenhuis， Yeung， Van Den Wildenberg， & Ridderinkhof， 2003)。另一方面，也有研究发现N2定位于右侧背外侧前额叶(dorsolateral prefrontal cortex， DLPFC)和腹侧PFC，并将其看作直接抑制的指标(Swainson et al.， 2003)。Chen等人(2012)的研究支持N2源位于前额叶皮层的观点，具体包括右侧额上回(superior frontal gyrus， SFG)、右内侧前额叶(medial prefrontal cortex， MFG)以及额下回皮层区域(inferior frontal gyrus， IFG)。 综上，目前N2的产生源还没有一致的定论，笔者认为，记忆的遗忘和抑制控制是一个系统的、连续的过程，而N2也可以细分为不同的子成分，因此，不同阶段的N2子成分可能对应着抑制的不同阶段。第一，发生在150~300 ms左右的N2成分研究结果较为一致，该早期成分可能定位于ACC，承担抑制初期的冲突探测功能，并且相关于后续的遗忘效果。第二，发生于300~500 ms的N2晚期子成分，定位于额叶-中央皮层，是实际抑制的电生理指标，与后续的遗忘效果之间正相关。此外，在负性情绪材料的遗忘过程中，N2还可能仅反映一种抑制努力，与后续遗忘是否成功无关。 2.2. 早期正成分EPC 介绍过与遗忘具有直接关系的N2成分，接下来我们将对与遗忘间接相关的，表现为活动下降的成分进行详细阐述。首先，基于DF范式，Paz-Caballero等人(1999)发现TBF_R比TBR_R项目诱发了更大、更早的前额正电位(200~300 ms， early positive component， EPC)，又称额叶新/旧效应。Ullsperger， Mecklinger， & Müller (2000)也发现在类似的时间窗，TBF项目会诱发较早的前额叶新/旧效应，而这种效应在TBR项目中不存在。类似的，陈雨，周曙(2011)发现TBF项目存在左额颞区(300~450 ms)新/旧效应。这种特异性出现于TBF项目中的前额EPC，表明对于要求遗忘的项目而言，不仅存在早期的冲突监测，更重要的是，前额叶的控制作用已经启动，可以为后续的成功抑制奠定良好的电生理基础。 2.3. 晚期正成分LPC 其次，LPC (late positive component)是发生于晚期(500~750 ms)的一项记忆提取相关的正成分。最初，DF研究认为较晚期的LPC主要反映了选择性复述机制，表现为与TBR项目相比，TBF项目的顶叶新/旧效应较小或者不存在(Paz-Caballero & Menor， 1999; Ullsperger， Mecklinger， & Müller， 2000)。陈雨，周曙(2011)也发现R线索与F线索相比具有更大的LPC。而后，Van Hooff， Whitaker和Ford (2009)也发现TBF_R项目减弱的新/旧效应在500~750ms最明显。此外，在DF范式进行四种条件划分的情况下，TBF_F与CR的新词相比，引发了较少的顶叶活动，即发生了顶叶新/旧效应的反转(the reversed old/new effect; Nowicka， Jednorog， Wypych， & Marchewka， 2009)，表明成功遗忘的项目具有更低的记忆提取水平。TNT的研究也支持DF中的发现，具体表现为NT项目与T项目相比，在500-800 ms的顶叶效应减少(Depue et al.， 2013)。TNT范式下的前人研究已经证实左侧顶叶正活动是有意提取的指标(Bergstrom， Velmans， de Fockert， & Richardson-Klavehn， 2007; Bergstrom， de Fockert， & Richardson-Klavehn， 2009; Mecklinger et al.， 2009)，因此该成分的活动在遗忘过程中必然会受到抑制。并且，只有直接抑制策略可以降低项目呈现后300~600ms期间的、与回忆相关的中央–顶叶正活动(Mecklinger et al.， 2009; Bergstrom et al.， 2009)。其他测查TNT相关的ERP损伤研究也表明(Bergstrom et al.， 2007; Mecklinger et al.， 2009; Hanslmayr et al.， 2009)，NT试次中的左侧顶叶正活动(LPC)减少，反映了NT试次中被试对自动回忆进行的有意回避和阻止。Waldhauser等人(2012)在顶叶区域观察到NT项目的正电位比T项目弱，说明NT项目得到较少的回忆加工(Waldhauser， Lindgren， & Johansson， 2012)。 关注刺激情绪特征的研究表明，负性与正性和中性相比具有显著更多的正性LPC (Gallant & Dyson， 2016)。回顾前人文献可知，LPC被认为反映了对情绪性信息的选择性注意朝向和加工(Brown et al.， 2012)。因此，负性材料会受到更多的注意和记忆加工，这种更显著的LPC可以预测后续负性项目遗忘的减少。 综上，新/旧效应可以存在于前额叶和顶叶两个区域，并且早期前额叶的新/旧效应(代表成分EPC)主要是基于熟悉性的加工，能够再认的TBF项目主要是依赖熟悉性而不是回想(朱永泽，毛伟宾，赵浩远，李玉婷，2015)，该效应有助于TBF项目的抑制和成功遗忘。而晚期顶叶新/旧效应(LPC)主要是基于回想的加工(Hauswald & Kissler， 2008)，在TBR项目中增强，而在TBF项目中减弱甚或消失。四种条件间的顶叶新/旧效应大小关系为TBR_R > TBR_F > CR > TBF_F，表明TBF_F项目受到主动抑制的调节作用，记忆提取最少。源定位分析指出，LPC的神经基质是由皮层脑网络和皮层子结构组成的，例如视觉皮层、前额叶皮层、顶叶皮层和深部情绪加工结构(例如脑岛、杏仁核；Liu et al.， 2012)。