Offre d'emploi : CDD Doctorant Nouveau procédé épitaxial de GaN sur Silicium pour transistor de puissance à avalanche H/
Organisme de rattachement : CNRS
Versant : Fonction Publique de l'Etat
Métier : Chercheuse / Chercheur
Catégorie : Catégorie A (cadre)
Statut du poste : Vacant
Nature de l'emploi : Emploi ouvert uniquement aux contractuels
Nature de contrat : CDD de 3 ans
Durée du contrat : 36 mois
Durée du poste : 18/01/2026
Localisation : Alpes Maritimes (06)
Lieu d'affectation : VALBONNE
Niveau d'études : Niveau 7 Master/diplômes équivalents
Spécialisation : Formations générales
Langues : Français
Niveaux : Seuil
Temps plein :  Oui