Offre d'emploi : Développement de transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) AlGaN/GaN pour des applications à haute 
Organisme de rattachement : CNRS
Versant : Fonction Publique de l'Etat
Métier : Chercheuse / Chercheur
Catégorie : Catégorie A (cadre)
Statut du poste : Vacant
Nature de l'emploi : Emploi ouvert uniquement aux contractuels
Durée du contrat : 36 mois
Durée du poste : 04/05/2025
Localisation : Nord (59)
Lieu d'affectation : VILLENEUVE D ASCQ
Niveau d'études : Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents
Spécialisation : Formations générales
Langues : Français
Niveaux : Seuil
Temps plein :  Oui