Projet ANR-07-BLAN-0318 – TeraGaN : GaN plasma wave devices for terahertz electronics
Programme : Blanc (BLANC) 2007
Année de financement : 2007
Coordinateur du projet : UNIVERSITE DE LILLE I [SCIENCES ET TECHNOLOGIES] (UNIVERSITE DE LILLE I [SCIENCES ET TECHNOLOGIES])
Partenaires : Entreprise autre que TPE ou PME; Université Lille 1 - Sciences technologies; Université de Montpellier; Université Paris-Sud
Montant : 318000.0 euros
Date de début : 2007
Durée : 36 mois
Résumé : Dans le domaine des composants, les études dans la gamme de fréquence Terahertz prennent de l'ampleur au niveau international en raison des nombreuses applications potentielles. Elles s'étendent des systèmes de transmission optiques à haut débit, à la médecine en passant par le contrôle de qualité industriel, le contrôle de l'environnement et les systèmes d'imagerie pour la sécurité. Dans ce cadre, ce projet a pour objectif de développer des dispositifs électroniques sur la base d'un nouveau concept: celui des ondes de plasma oscillant à la fréquence Hz dans les gaz d'électrons bidimensionnels à mobilité élevée. Ainsi, nous nous proposons à la fois de réaliser des détecteurs et émetteurs accordables, mais aussi de faire progresser la compréhension des phénomènes physiques sous jacents, tels l'étendue du spectre des oscillations dans les transistors à effet de champ (FET), le couplage des oscillations de plasma aux ondes électromagnétiques et les phénomènes linéaires et non linéaires associés aux ondes de plasma. Pour cela nous souhaitons: 1. Développer une théorie électromagnétique auto consistante des d'oscillations de plasma dans des gaz d'électrons bidimensionnels 2. Optimiser la conception de composants intégrant des antennes pour réaliser des émetteurs et des détecteurs accordables fonctionnant en gamme de fréquence Mhz Cela permettra également une meilleure analyse des effets physiques sous jacents. 3. Réaliser des composants submicroniques basés sur une structure transistor à effet de champ dans la filière des semi-conducteurs à grande bande interdite 4. Caractériser les composants fabriqués 5. Etudier la détection et l'émission de rayonnement Ethz par ces structures et réaliser des détecteurs sensibles et des émetteurs susceptibles de fonctionner à basse mais aussi à température ambiante.                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               ...