DarkinH/test huggingface dataset:
Hệ số khuyếch đại dòng của mạch base chung là . . . .
A. Lớn hơn 1
B. Đúng bằng 1
C. Hơi nhỏ hơn so với 1
D. Bằng
Cấu hình emitter chung có . . . . .
A. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc
C. Trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc
D. Ngoài các trường hợp trên
Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
A. Hệ số khuyếch đại điện áp và công suất
B. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất
C. Hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất
D. Chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp
Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . .
A. Hệ số khuyếch đại điện áp và công suất
B. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất
C. Hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất
D. Chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp
Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
A. Hệ số khuyếch đại điện áp và công suất
B. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất
C. Hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất
D. Chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp
Một nguồn dòng hằng 10mA cung cấp cho tải 1k        . Nếu thay đổi điện trở tải là 2k        , thì dòng chảy qua tải là bao nhiêu ?
A. 1mA
B. 5mA
C. 10mA
D. 40mA
Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V,và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1k. Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức chênh lệch điện áp đo được giữa hai hai đầu ra collector của transistor là bao nhiêu ?
A. 0V
B. 100mV
C. 5V
D. 7V
Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V, và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1k        . Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức điện áp đo được trên collector của một trong hai đầu ra của transistor so với đất là bao nhiêu ?
A. 0V
B. 100mV
C. 5V
D. 7V
Điện áp tín hiệu trên tải trong mạch ở hình 5.21JC, đo được là 1Vpp. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
A. Beta của transistor thấp
B. Tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch
C. Transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter
D. Mạch đang làm việc đúng chức năng
Điện áp trên base ở mạch hình 5.21JC, đo được là 1,2VDC. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
A. Beta của transistor thấp
B. Tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch
C. Transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter
D. Mạch đang làm việc đúng chức năng
Tín hiệu ra ở mạch hình 5.21JC, dao động trên mức 6VDC. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
A. Beta của transistor thấp
B. Tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch
C. Transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter
D. Mạch đang làm việc đúng chức năng
Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q1 và Q2 đo được là 12V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
A. Transistor Q1 hở mạch
B. Transistor Q2 hở mạch
C. Nguồn dòng bị hỏng
D. Mạch làm việc bình thường
Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q1 đo được là 12V và điện áp trên Q2 đo được là 0,2V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
A. Transistor Q1 hở mạch
B. Transistor Q2 hở mạch
C. Nguồn dòng bị hỏng
D. Mạch làm việc bình thường
Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q1 và Q2 đo được là 6V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
A. Transistor Q1 hở mạch
B. Transistor Q2 hở mạch
C. Nguồn dòng bị hỏng
D. Mạch làm việc bình thường
khi BJT dẫn bão hòa thì VCE xấp xỉ bằng:
A. 0.7V
B. 0.2V
C. VCC
D. VB
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại dùng transistor có công thức:
A. \frac{V_{vào}}{V_{ra}}
B. \frac{V_{ra}}{V_{vào}}
C. \frac{ V_{C}}{V_{B}}
D. \frac{ V_{C}}{V_{E}}
Mạch khuếch đại dùng BJT với cách mắc mạch nào thì tín hiệu ra sẽ ngược pha với tín hiệu vào:
A. Mạch Emitter chung (EC)
B. Mạch Collector chung (CC)
C. Mạch Base chung (BC)
D. Cả B và C
Mạch khuếch đại dùng BJT với cách mắc mạch nào thì tín hiệu ra sẽ cùng pha với tín hiệu vào:
A. Mạch Emitter chung (EC)
B. Mạch Collector chung (CC)
C. Mạch Base chung (BC)
D. Cả B và C
Khi mạch khuếch đại bằng BJT được phân cực để hoạt động ở chế độ A thì:
A. Tiếp giáp B-E được phân cực thuận và tiếp giáp B-C được phân cực thuận
B. Tiếp giáp B-E được phân cực thuận và tiếp giáp B-C được phân cực ngược
C. Tiếp giáp B-E được phân cực ngược và tiếp giáp B-C được phân cực thuận
D. Tiếp giáp B-E được phân cực ngược và tiếp giáp B-C được phân cực ngược
Hồi tiếp âm có đặc điểm sau:
A. Tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào
B. Tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào
C. Được dùng để ổn định chế độ công tác (DC) và ổn định các tham số của bộ khếch đại
D. Cả A và C
Hồi tiếp dương có đặc điểm sau:
A. Tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào và để tạo dao động
B. Tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào
C. Được dùng để ổn định chế độ công tác (DC) và ổn định các tham số của bộ khếch đại
D. Cả A và C
Mạch điện của bộ khuếch đại có hồi tiếp có đặc điểm: tín hiệu hồi tiếp đưa về đầu vào nối tiếp với nguồn tín hiệu ban đầu và tỷ lệ với điện áp ở đầu ra, vậy nó thuộc loại hồi tiếp nào:
A. Hồi Tiếp nối tiếp-dòng điện
B. Hồi Tiếp song song-điện áp
C. Hồi Tiếp nối tiếp-điện áp
D. Hồi Tiếp song song-dòng điện
Hồi tiếp âm sẽ cho hệ số khuếch đại như thế nào so với hệ số khuếch đại của mạch không có hồi tiếp:
A. Giảm
B. Tăng
C. Không đổi
D. Tất cả đều sai
Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến trở kháng vào, phát biểu nào sau đây là đúng:
A. Hồi tiếp âm nối tiếp điện áp làm tăng trở kháng vào của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp là g lần
B. Hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện làm tăng trở kháng vào của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp là g lần
C. Hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng vào của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần
D. Cả a,b,c
Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra, phát biểu nào sau đây là đúng:
A. Hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần
B. Hồi tiếp âm điện áp làm giảm trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần
C. Hồi tiếp dòng điện làm tăng trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng hồi tiếp g lần
D. Cả b và c
Với mạch hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện thì trở kháng vào và trở kháng ra thay đổi thế nào:
A. Trở kháng vào giảm g lần và trở kháng ra tăng g lần
B. Trở kháng vào giảm g lần và trở kháng ra giảm g lần
C. Trở kháng vào tăng g lần và trở kháng ra tăng g lần
D. Trở kháng vào tăng g lần và trở kháng ra giảm g lần
Mạch sau ở hình 3 thuộc loại hồi tiếp nào:
A. Hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện
B. Hồi tiếp âm song song dòng điện
C. Hồi tiếp âm song song điện áp
D. Hồi tiếp âm nối tiếp điện áp
Mạch sau ở hình 4 thuộc loại hồi tiếp nào:
A. Hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện
B. Hồi tiếp âm song song dòng điện
C. Hồi tiếp âm nối tiếp điện áp
D. A,B,C đều sai
Mạch sau ở hình 5 thuộc loại hồi tiếp nào:
A. Hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện xoay chiều
B. Hồi tiếp âm song song dòng điện xoay chiều
C. Hồi tiếp âm song song dòng điện một chiều
D. Hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện một chiều
Mạch khuếch đại dùng BJT ở hình 2 mắc theo loại nào:
A. Emitter chung (EC)
B. Collector chung (CC)
C. Base chung (EC)
D. Cả A, B,C đều sai
Mạch khuếch đại dùng BJT ở hình 3 mắc theo loại nào:
A. Emitter chung (EC)
B. Collector chung (CC)
C. Base chung (EC)
D. Cả A, B, C đều sai
Thành phần nào trong mạch ở hình 3 giữ vai trò hồi tiếp:
A. R1
B. R2
C. Cả R1 và R2
D. Cả A, B, C đều sai
Hệ số hồi tiếp K_{ht}=X_{ht}/X_{r} của mạch trong hình 3 được xác định có trị tuyệt đối là:
A. 0
B. 1
C. \frac{1}{R2}
D. R2
Thành phần nào trong mạch ở hình 5 giữ vai trò hồi tiếp:
A. R_{E}
B. R_{C}
C. R_{B}
D. Cả A, B, C đều sai
Hệ số hồi tiếp K_{ht}=X_{ht}/X_{r} của mạch trong hình 5 khi hồi tiếp một chiều được xác định có trị tuyệt đối là:
A. R_{E}
B. 1
C. \frac{1}{R_{E}}
D. 0
Thành phần nào trong mạch ở hình 2 giữ vai trò hồi tiếp:
A. R1
B. R2
C. Cả R1 và R2
D. Cả A, B, C đều sai
Hệ số hồi tiếp K_{ht}=X_{ht}/X_{r} của mạch trong hình 2 được xác định có trị tuyệt đối là:
A. R1
B. 1
C. \frac{1}{R1}
D. 0
Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến mạch khuếch đại như sau, phát biểu nào sau đây đúng:
A. Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp ổn định hơn khi không có hồi tiếp
B. Hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại và tăng méo phi tuyến
C. Hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại
D. Cả A, C
Thực chất của việc ổn định điểm làm việc của mạch khuếch đại dùng BJT là làm cho điểm làm việc không phụ thuộc vào:
A. Nhiệt độ
B. \beta  (=\frac{IC}{IB})
C. Nguồn cung cấp
D. A và B, C đều đúng
Nếu \beta  thay đổi thì sự thiếu ổn định của điểm làm việc trong mạch khuếch đại dùng BJT như thế nào?
A. V_{CE} thay đổi
B. I_{C} thay đổi
C. I_{E} thay đổi
D. A, B, C đều đúng
Cấu hình Collector chung (CC) có đặc điểm:
A. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra cao
C. Trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng RC
D. Ngoài các trường hợp trên
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch Collector chung (CC):
A. Lớn hơn 1
B. Bằng 1
C. Nhỏ hơn 1
D. Bằng \beta
Loại mắc mạch BJT nào dùng cho khuếch đại công suất:
A. BC
B. CC
C. EC
D. Cả A, B, C
Hệ số khuếch đại công suất được xác định theo công thức:
A. K_{u}.K_{i}
B. \beta K_{u}
C. \beta K_{i}
D. Tất cả đều sai
Cấu hình Base chung (BC) có đặc điểm:
A. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng RC
C. Trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng RC
D. Ngoài các trường hợp trên
Hệ số khuếch đại dòng điện của mạch Base chung (BC):
A. Lớn hơn 1
B. Bằng 1
C. Nhỏ hơn 1 một ít
D. Bằng \beta
Cấu hình Emitter chung (EC) có đặc điểm:
A. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng RC khi rce của tiếp giáp C-E rất lớn
C. Trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng RC
D. Ngoài các trường hợp trên
Khi BJT mắc theo kiểu BC thì mạch có khả năng cung cấp:
A. Hệ số khuếch đại điện áp và công suất
B. Hệ số khuếch đại dòng điện và công suất
C. Hệ số khuếch đại điện áp, dòng điện và công suất
D. Chỉ có hệ số khuếch đại điện áp
Khi BJT mắc theo kiểu CC thì mạch có khả năng cung cấp:
A. Hệ số khuếch đại điện áp và công suất
B. Hệ số khuếch đại dòng điện và công suất
C. Hệ số khuếch đại điện áp, dòng điện và công suất
D. Chỉ có hệ số khuếch đại điện áp
Khi BJT mắc theo kiểu EC thì mạch có khả năng cung cấp:
A. Hệ số khuếch đại điện áp và công suất
B. Hệ số khuếch đại dòng điện và công suất
C. Hệ số khuếch đại điện áp, dòng điện và công suất
D. Chỉ có hệ số khuếch đại điện áp
Các tụ C1, C2 trong hình 2 có nhiệm vụ gì:
A. Ổn định điểm làm việc
B. Thoát hồi tiếp xoay chiều
C. Ngăn cách tín hiệu xoay chiều với nguồn cung cấp một chiều
D. A,B, C đều đúng
RE trong hình 5 có nhiệm vụ gì:
A. Ổn định điểm làm việc
B. Hồi tiếp âm dòng điện một chiều
C. A, B đều sai
D. A,B đều đúng
Tụ CE trong hình 5 có nhiệm vụ gì:
A. Ổn định điểm làm việc
B. Thoát hồi tiếp xoay chiều
C. Ngăn cách tín hiệu xoay chiều với nguồn cung cấp một chiều
D. A,B, C đều đúng
Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:
A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ
B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau
C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ
D. Cả A, B, C
Thành phần nào đóng vai trò hồi tiếp đối với tín hiệu một chiều trong mạch ở hình 6:
A. R1
B. R2
C. R3
D. Cả A và B
Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều của mạch khuếch tín hệu nhỏ dùng transistor, ta thực hiện:
A. Ngắn mạch các tụ
B. Giữ nguyên các nguồn cung cấp một chiều
C. Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V
D. Cả A và C
Ở chế độ tĩnh, V_{C} của mạch ở hình 7 được xác định theo công thức:
A. V_{CC}-I_{B}R_{B}
B. V_{CC}-I_{C}R_{C}
C. V_{CC}-I_{E}R_{E}
D. A,B,C đều sai
Xác định chế độ tĩnh của mạch ở hình 7 với R_{B}=470K\Omega , R_{c}=2.2K \Omega , R_{E}=2.2K\Omega , V_{CC}=20V và \Beta=100.
A. I_{C}=1mA, V_{CE}=7,732V
B. I_{C}= 2.788mA , V_{CE}= 3.53V
C. I_{C}=2.788mA, V_{CE}=7,732V
D. Ngoài các đáp án trên
Giá trị của r_{e} của mạch ở hình 7 là: với các thông số giống như trên (RB=470K\Omega , Rc=2.2K\Omega , RE=2.2K\Omega , VCC=20V và \beta=100):
A. 9.3\Omega
B. 15.3\Omega
C. 12\Omega
D. Ngoài các đáp án trên
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 7, trở kháng vào của mạch là:
A. R_{B}\parallel Z_{B}
B. R_{C}\parallel Z_{B}
C. R_{B} \parallel R_{E}
D. A, B, C đều sai
Trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi:
A. Tín hiệu vào (V_{in}) khác 0
B. Tín hiệu vào (V_{in})  bằng 0
C. Tín hiệu ra (V_{in}) bằng 0
D. Cả B và C
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 7, trở kháng RA của mạch là: (nếu giả thiết rce vô cùng lớn)
A. R_{C} \parallel R_{E}
B. R_{C}
C. R_{C}\parallel Z_{B}
D. Ngoài các đáp án trên
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 7 được xác định có trị tuyệt đối: với R_{E}>>r_{e}
A. \frac{R_{C}}{r_{e}}
B. \frac{R_{C}}{R_{E}}
C. \frac{R_{C}}{{R_{E}}+r_{e}}
D. B và C đều đúng
Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có trở kháng vào là: Nếu giả thiết bỏ qua r_{e}
A. 149.9 K\omega
B. 0
C. 2.2K\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có trở kháng ra là: nếu giả thiết r_{ce} vô cùng lớn
A. 149.9 K\omega
B. 470K\omega
C. 2.2K\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: với R_{E}>>r_{e}
A. 1
B. 100
C. 50
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (với R_{E}>>r_{e}):
A. 68.1
B. 100
C. 1
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có hệ số khuếch đại công suất (với R_{E}>>r_{e}):
A. 68.1
B. 100
C. 1
D. Ngoài các đáp án trên
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 5, trở kháng vào của mạch là:
A. R_{B}\parallel Z_{B}
B. R_{B}\parallel \beta r_{e}
C. R_{B}\parallel R_{E}
D. A, B, C đều sai
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 5, trở kháng RA của mạch là: (nếu giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. R_{C}\parallel R_{E}
B. R_{C}
C. R_{E}\parallel Z_{B}
D. Ngoài các đáp án trên
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 5 được xác định có trị tuyệt đối: 
(với r_{ce} vô cùng lớn)
A. \frac{R_{C}}{r_{e}}
B. \frac{R_{C}}{R_{E}}
C. \frac{R_{C}}{R_{E}+r_{e}}
D. B và C đều đúng
Xác định chế độ tĩnh của mạch khuếch đại ở hình 5 với  (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100)
A. I_{C}=1mA, V_{CE}=7,732V
B. I_{C}= 2.788mA , V_{CE}= 3.53V
C. I_{C}=2.788mA, V_{CE}=7,732V
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 5 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có trở kháng vào xấp xỉ bằng (Nếu giả thiết R_{B}>>\beta r_{e})
A. 470K\Omega
B. 930\Omega
C. 2.2K\Omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 5 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết r_{ce} =50K\Omega)
A. 470K\Omega
B. 50K\Omega
C. 2.107K\Omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 5 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu r_{ce} vô cùng lớn)
A. 1
B. 100
C. 236.56
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 5 với các thông số cho ở trên (R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, R_{E}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu r_{ce} vô cùng lớn, R_{B}>>\beta r_{e}):
A. 68.1
B. 100
C. 1
D. Ngoài các đáp án trên
Xác định chế độ tĩnh của mạch khuếch đại ở hình 4 với R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100
A. I_{C}=4.106A, V_{CE}=10,97V
B. I_{C}= 4.106mA , V_{CE}= 10,97V
C. I_{C}=2.788mA, V_{CE}=7,732V
D. Ngoài các đáp án trên
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 4, trở kháng vào của mạch là:
A. R_{B}\parallel Z_{B}
B. R_{B}\parallel \beta r_{e}
C. R_{B}\parallel R_{E}
D. A, B, C đều sai
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 4, trở kháng RA của mạch là: (nếu giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. R_{C}\parallel R_{E}
B. R_{C}
C. R_{C}\parallel Z_{B}
D. Ngoài các đáp án trên
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 4 được xác định có trị tuyệt đối:  (với r_{ce} vô cùng lớn)
A. \frac{R_{C}}{r_{e}}
B. \frac{R_{C}}{R_{E}}
C. \frac{R_{C}}{R_{E}+r_{e}}
D. B và C đều đúng
Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100 có trở kháng vào xấp xỉ bằng (Nếu giả thiết R_{B}>>\beta r_{e})
A. 470K\omega
B. 930\omega
C. 2.2K\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100 có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. 470K\omega
B. 2.5K\omega
C. 2.2K\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100 có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu r_{ce} vô cùng lớn)
A. 1
B. 347.5
C. 100
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên R_{B}=470K\Omega, R_{c}=2.2K\omega, V_{CC}=20V và \Beta=100 có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu r_{ce} vô cùng lớn, R_{B}>>\beta r_{e}):
A. 68.1
B. 633
C. 1
D. Ngoài các đáp án trên
Cho mạch khuếch đại ở hình 14, xác định chế độ tĩnh của mạch với R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100
A. I_{C}=3.6mA, V_{CE}=3.2V
B. I_{C}=3.6A, V_{CE}=3.2V
C. I_{C}=1mA, V_{CE}=3.2V
D. Ngoài các đáp án trên
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 14, trở kháng vào của mạch là:
A. R_{1}\parallel R_{2}\parallel \beta r_{e}
B. R_{1}\parallel R_{2}\parallel r_{e}
C. R_{1}\parallel R_{2}\parallel R_{E}
D. A, B, C đều sai
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 14, trở kháng RA của mạch là: (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. R_{C}\parallel R_{E}
B. R_{C}
C. R_{C}\parallel r_{ce}
D. B và C đều đúng
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 14 được xác định có trị tuyệt đối:  (với r_{ce} vô cùng lớn)
A. \frac{R_{C}}{r_{e}}
B. \frac{R_{C}}{R_{E}}
C. \frac{R_{C}}{R_{E}+r_{e}}
D. B và C đều đúng
Mạch khuếch đại ở hình 14 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có trở kháng vào xấp xỉ bằng (giả thiết R_{B}>>\beta r_{e})
A. 56K\omega
B. 1K\omega
C. 698\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 14 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. 470K\omega
B. 2.5K\omega
C. 1K\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 14 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega,
R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu r_{ce} vô cùng
lớn)
A. 138,9
B. 347.5
C. 100
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 14 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu r_{ce} vô cùng lớn, R_{B}>>\beta_{re}):
A. 138,9
B. 100
C. 1
D. Ngoài các đáp án trên
Cho mạch khuếch đại ở hình 15, xác định chế độ tĩnh của mạch với R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100
A. I_{C}=3.6mA, V_{CE}=3.2V
B. I_{C}=3.6A, V_{CE}=3.2V
C. I_{C}=1mA, V_{CE}=3.2V
D. Ngoài các đáp án trên
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 15, trở kháng vào của mạch là:
A. R_{1}\parallel R_{2}\parallel \beta r_{e}
B. R_{1}\parallel R_{2}\parallel r_{e}
C. R_{1}\parallel R_{2}\parallel Z_{B}
D. A, B, C đều sai
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 15, trở kháng R_{A} của mạch là: (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. R_{C}\parallel R_{E}
B. R_{C}
C. R_{C}\parallel r_{e}
D. B và C đều đúng
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 15 được xác định có trị tuyệt đối:  (với r_{ce} vô cùng lớn, R_{E}>>r_{e})
A. R_{C}\parallel r_{e}
B. R_{C}\parallel R_{E}
C. R_{C}\parallel (R_{E} + r_{e})
D. B và C đều đúng
Mạch khuếch đại ở hình 15 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega,
R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có trở kháng vào xấp xỉ bằng (giả thiết R_{B}>>\beta r_{e})
A. 56K\omega
B. 1K\omega
C. 16.68K\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 15 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. 470K\omega
B. 2.5K\omega
C. 1K\omega
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 15 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu r_{ce} vô cùng
lớn, R_{E}>>r_{e})
A. 138,9
B. 1.67
C. 100
D. Ngoài các đáp án trên
Mạch khuếch đại ở hình 15 với các thông số cho ở trên R_{1}=56K\omega, R_{2}=39K\omega, R_{c}=1K\omega, R_{E}=600\omega, V_{CC}=9V và \beta=100 có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ ((nếu r_{ce} vô cùng lớn, R_{B}>>\beta r_{e})
A. 1.67
B. 100
C. 1
D. Ngoài các đáp án trên
Cho mạch khuếch đại ở hình 16, xác định chế độ tĩnh của mạch với R_{B}=180K\omega, R_{c}=2.7K\omega, R_{E}=1K\omega, V_{CC}=9V và \beta=100.
A. I_{C}=1.5A, V_{CE}=3.45V
B. I_{C}=1.5mA, V_{CE}=3.45V
C. I_{C}=1\mu A, V_{CE}=3.2V
D. Ngoài các đáp án trên
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 16, trở kháng R_{A} của mạch là: (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. R_{C}\parallel R_{B}
B. R_{C}
C. R_{C}\parallel r_{e}
D. B và C đều đúng
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 16 được xác định có trị tuyệt đối:
A. \frac{R_{C}}{r_{e}}
B. \frac{R_{C}}{R_{E}}
C. \frac{R_{C}}{R_{E}+r_{e}}
D. B và C đều đúng
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 18, trở kháng RA của mạch là: (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. R_{E}\parallel R_{B}
B. R_{E}
C. R_{E}\parallel r_{e}
D. B và C đều đúng
Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 18, trở kháng vào của mạch là: (giả thiết r_{ce} vô cùng lớn)
A. R_{B}\parallel Z_{B}
B. R_{E}
C. R_{B}\parallel r_{e}
D. Đáp án khác
Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại hình 18 được xác định có trị tuyệt đối xấp xỉ: (với r_{ce} vô cùng lớn, R_{E}>>r_{e})
A. \frac{R_{C}}{r_{e}}
B. \frac{R_{C}}{R_{E}}
C. 1
D. B và C đều đúng
Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT.
A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2
B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2
C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2
D. Tất cả đều sai
Hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với:
A. Tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng
B. Hệ số khuếch đại điện áp của tầng đầu tiên
C. Tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB
D. A và C đều đúng
Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:
A. Tổng trở kháng vào của mỗi tầng
B. Tích trở kháng vào của mỗi tầng
C. Trở kháng vào của tầng đầu tiên
D. Trở kháng vào của tầng cuối cùng
Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:
A. Tổng trở kháng ra của mỗi tầng
B. Tích trở kháng ra của mỗi tầng
C. Trở kháng ra của tầng đầu tiên
D. Trở kháng ra của tầng cuối cùng
Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:
A. Các tụ ghép cho phép mạch khuếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC
B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau
C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở Emitter nên làm tăng hệ số khuếch đại
D. B và C đều đúng
Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:
A. Không truyền đạt được tín hiệu có tần số thấp
B. Làm suy giảm hệ số khuếch đại
C. Mạch phân cực trong mỗi tầng ảnh hưởng lẫn nhau
D. Tất cả đều sai