DarkinH/test huggingface dataset:
Đặt điện áp xoay chiều vào hai đầu đoạn mạch gồm điện trở R và cuộn dây có điện trở mắc nối tiếp. Hình bên là đường cong biểu diễn mối liên hệ của điện áp tức thời giữa hai đầu cuộn dây \mu_{cd} và điện áp tức thời giữa hai đầu điện trở R \mu_{R}. Độ lệch pha giữa \mu_{cd} và \mu_{R} có giá trị là
A. 0,87 rad
B. 0,59 rad
C. 0,34 rad
D. 1,12 rad
Một sóng cơ hình sin truyền theo trục Ox với chu kì T. Khoảng thời gian để sóng truyền được quãng đường bằng một bước sóng là
A. 4T
B. 0,5T
C. T
D. 2T
Theo thứ tự tăng dần về tần số của các sóng vô tuyến, sắp xếp nào sau đây đúng?
A. Sóng cực ngắn, sóng ngắn, sóng trung, sóng dài
B. Sóng dài, sóng ngắn, sóng trung, sóng cực ngắn
C. Sóng cực ngắn, sóng ngắn, sóng dài, sóng trung
D. Sóng dài, sóng trung, sóng ngắn, sóng cực ngắn
Suất điện động e = 100cos(100\pi t + \pi) (V) có giá trị cực đại là
A. 50\sqrt2 V
B. 100\sqrt2 V
C. 100 V
D. 50 V
Một vật dao động điều hòa theo phương trình x = Acos(\omega t + \phi) (\omega > 0). Tần số góc của dao động là
A. \Alpha
B. \omega
C. \Phi
D. \Chi
Cho bốn ánh sáng đơn sắc: đỏ, tím, cam và lục. Chiết suất của thủy tinh có giá trị lớn nhất đối với ánh sáng
A. Lục
B. Cam
C. Đỏ
D. Tím
Gọi c là tốc độ ánh sáng trong chân không. Theo thuyết tương đối, một hạt có khối lượng động (khối lượng tương đối tính) là m thì nó có năng lượng toàn phần là
A. 2mc
B. Mc^2
C. 2mc^2
D. Mc
Khi nói về tia laze, phát biểu nào sau đây sai?
A. Tia laze là ánh sáng trắng
B. Tia laze có tính định hướng cao
C. Tia laze có tính kết hợp cao
D. Tia laze có cường độ lớn
Trong quá trình truyền tải điện năng đi xa, để giảm công suất hao phí trên đường dây truyền tải thì
người ta thường sử dụng biện pháp nào sau đây?
A. Giảm tiết diện dây dẫn
B. Tăng điện áp hiệu dụng ở nơi phát điện
C. Giảm điện áp hiệu dụng ở nơi phát điện
D. Tăng chiều dài dây dẫn
Trong một điện trường đều có cường độ E, khi một điện tích q dương di chuyển cùng chiều đường sức điện một đoạn d thì công của lực điện là
A. \frac{qE}{d}
B. QEd
C. 2qEd
D. \frac{E}{qd
Khi nói về dao động cơ cưỡng bức, phát biểu nào sau đây sai?
A. Dao động cưỡng bức có chu kì luôn bằng chu kì của lực cưỡng bức
B. Biên độ của dao động cưỡng bức phụ thuộc vào biên độ của lực cưỡng bức
C. Dao động cưỡng bức có tần số luôn bằng tần số riêng của hệ dao động
D. Biên độ của dao động cưỡng bức phụ thuộc vào tần số của lực cưỡng bức
Cho các hạt nhân: \istope[235][92]{U};\istope[238][92]{U}; \istope[423][94]{U}. Hạt nhân không thể phân hạch là
A. \istope[238][92]{U}
B. \istope[239][94]{Pu}
C. \istope[4][2]{He}
D. \istope[235][92]{U}
Một dây dẫn thẳng dài đặt trong không khí có dòng điện với cường độ chạy qua. Độ lớn cảm ứng từ B do dòng điện này gây ra tại một điểm cách dây một đoạn được tính bởi công thức:
A. B = 2.10^-7\frac{r}{I}
B. B = 2.10^7\frac{r}{I}
C. B = 2.10^-7\frac{I}{r}
D. B = 2.10^7\frac{I}{r}
Trong thí nghiệm giao thoa sóng ở mặt nước, hai nguồn kết hợp đặt tại hai điểm A và B dao động cùng pha theo phương thẳng đứng. Trên đoạn thẳng AB, khoảng cách giữa hai cực tiểu giao thoa liên tiếp là 0,5 cm. Sóng truyền trên mặt nước có bước sóng là
A. 1,0 cm
B. 4,0 cm
C. 2,0 cm
D. 0,25 cm
Một vòng dây dẫn kín, phẳng được đặt trong từ trường đều. Trong khoảng thời gian 0,04 s, từ thông qua vòng dây giảm đều từ giá trị 6.10 ^−3 Wb về 0 thì suất điện động cảm ứng xuất hiện trong vòng dây có độ lớn là
A. 0,12 V
B. 0,15 V
C. 0,30 V
D. 0,24 V
Một con lắc lò xo có k = 40 \frac{N}{m} và m = 100 g. Dao động riêng của con lắc này có tần số góc là
A. 400 rad/s
B. 0,1\pi rad/s
C. 20 rad/s
D. 0,2\pi rad/s
Giới hạn quang điện của một kim loại là 300 nm. Lấy h = 6,625.10^−34 J.s; c = 3.108 \frac{m}{s}. Công  thoát êlectron của kim loại này là
A. 6,625.10^−19 J
B. 6,625.10^−28 J
C. 6,625.10^−25 J
D. 6,625.10^−22 J
Trong thí nghiệm Y-âng về giao thoa ánh sáng, nguồn sáng phát ra ánh sáng đơn sắc. Khoảng cách giữa hai khe là 1 mm, khoảng cách từ mặt phẳng chứa hai khe đến màn quan sát là 1,2 m. Trên màn, khoảng vân đo được là 0,6 mm. Bước sóng của ánh sáng trong thí nghiệm bằng
A. 600 nm
B. 720 nm
C. 480 nm
D. 500 nm
Hạt nhân \istope[7][3]{Li} có khối lượng 7,0144 \mu. Cho khối lượng của prôtôn và nơtron lần lượt là 1,0073 \mu và 1,0087 \mu. Độ hụt khối của hạt nhân \istope[7][3]{Li} là
A. 0,0401 \mu
B. 0,0457 \mu
C. 0,0359 \mu
D. 0,0423 \mu
Đặt vào hai đầu điện trở một điện áp xoay chiều có giá trị hiệu dụng không đổi và tần số f thay đổi được. Khi f = f_{0} và f = 2f_{0} thì công suất tiêu thụ của điện trở tương ứng là P_{1} và P_{2}. Hệ thức nào sau đây đúng?
A. P_{2} = 0,5P_{1}
B. P_{2} = 2P_{1}
C. P_{2} = P_{1}
D. P_{2} = 4P_{1}
Chiếu một tia sáng đơn sắc từ không khí tới mặt nước với góc tới 60 \degree , tia khúc xạ đi vào trong nước với góc khúc xạ là r. Biết chiết suất của không khí và của nước đối với ánh sáng đơn sắc này lần lượt là 1 và 1,333. Giá trị của r là
A. 37,97 \degree
B. 22,03 \degree
C. 40,52 \degree
D. 19,48 \degree
Một thấu kính hội tụ có tiêu cự 30 cm. Vật sáng AB đặt vuông góc với trục chính của thấu kính. Ảnh của vật tạo bởi thấu kính ngược chiều với vật và cao gấp ba lần vật. Vật AB cách thấu kính
A. 15 cm
B. 20 cm
C. 30 cm
D. 40 cm
Một sợi dây đàn hồi dài 30 cm có hai đầu cố định. Trên dây đang có sóng dừng. Biết sóng truyền trên dây với bước sóng 20 cm và biên độ dao động của điểm bụng là 2 cm. Số điểm trên dây mà phần tử tại đó dao động với biên độ 6 mm là
A. 8
B. 6
C. 3
D. 4
: Để xác định suất điện động E của một nguồn điện, một học sinh mắc mạch điện như hình bên (H1). Đóng khóa K và điều chỉnh con chạy C, kết quả đo được mô tả bởi đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của \frac{1}{I} (nghịch đảo số chỉ ampe kế A) vào giá trị R của biến trở như hình bên (H2). Giá trị trung bình của E được xác định bởi thí nghiệm này là
A. 1,0 V
B. 1,5 V
C. 2,0 V
D. 2,5 V
Cho mạch điện như hình bên. Biết E = 12 V; r = 1 \omega; R 1 = 5  \omega; R 2 = R 3 = 10 \omega. Bỏ qua điện trở của dây nối. Hiệu điện thế giữa hai đầu R 1 là
A. 10,2 V
B. 4,8 V
C. 9,6 V
D. 7,6 V
Xét nguyên tử hiđrô theo mẫu nguyên tử Bo. Khi nguyên tử hiđrô chuyển từ trạng thái dừng có năng lượng E_{n} về trạng thái cơ bản có năng lượng - 13,6 eV thì nó phát ra một phôtôn ứng với bức xạ có bước sóng 0,1218 {\mu}m. Lấy h = 6,625.10^{-34} J.s; c = 3.10^{8} \frac{m}{s}; 1 eV = 1,6.10^{−19} J. Giá trị của E_{n} là
A. −1,51 eV
B. −0,54 eV
C. −3,4 eV
D. −0,85 eV
Một ống Cu-lít-giơ (ống tia X) đang hoạt động. Bỏ qua động năng ban đầu của các êlectron khi bứt ra khỏi catôt. Ban đầu, hiệu điện thế giữa anôt và catôt là U thì tốc độ của êlectron khi đập vào anôt là v. Khi hiệu điện thế giữa anôt và catôt là 1,5U thì tốc độ của êlectron đập vào anôt thay đổi một lượng 4000 k\frac{m}{s} so với ban đầu. Giá trị của v là
A. 1,78.10^7 \frac{m}{s}
B. 3,27.10^6 \frac{m}{s}
C. 8,00.10^7 \frac{m}{s}
D. 2,67.10^6 \frac{m}{s}
Trong không khí, ba điện tích điểm q_{1}, q_{2} , q_{3} lần lượt được đặt tại ba điểm A, B, C nằm trên cùng một đường thẳng. Biết AC = 60 cm, q_{1} = 4q_{3} , lực điện do q_{1} và q_{3} tác dụng lên q_{2} cân bằng nhau. B cách A và C lần
lượt là
A. 80 cm và 20 cm
B. 20 cm và 40 cm
C. 20 cm và 80 cm
D. 40 cm và 20 cm
Một mạch dao động lí tưởng gồm cuộn cảm thuần có độ tự cảm 5 mH và tụ điện có điện dung 50 {\mu}F. Trong mạch đang có dao động điện từ tự do với hiệu điện thế cực đại giữa hai bản tụ điện là 6 V. Tại thời điểm hiệu điện thế giữa hai bản tụ điện là 4 V thì cường độ dòng điện trong mạch có độ lớn bằng
A. \frac{\sqrt5}{5} A
B. \frac{\sqrt5}{2} A
C. \frac{3}{5} A
D. \frac{1}{4} A
Trong thí nghiệm Y-âng về giao thoa ánh sáng, nguồn sáng phát ra vô số ánh sáng đơn sắc có bước sóng \lambda biến thiên liên tục trong khoảng từ 400 nm đến 760 nm (400 nm < \lambda < 760 nm). Trên màn quan sát, tại M chỉ có một bức xạ cho vân sáng và hai bức xạ có bước sóng \lambda 1 và \lambda 2 (\lambda1 < \lambda2) cho vân tối. Giá trị nhỏ nhất của \lambda2 là
A. 667 nm
B. 608 nm
C. 507 nm
D. 560 nm
Dùng hạt \alpha có động năng 5,00 MeV bắn vào hạt nhân \istope[4][2]{He} đứng yên gây ra phản ứng: \istope[4][2]{He}+\istope[14][7]{N}\rightarrow\istope[1][1]{H}+X. Phản ứng này thu năng lượng 1,21 MeV và không kèm theo bức xạ gamma. Lấy khối lượng các hạt nhân tính theo đơn vị u bằng số khối của chúng. Khi hạt nhân X bay ra theo hướng lệch với hướng chuyển động của hạt \alpha một góc lớn nhất thì động năng của hạt X có giá trị gần nhất với giá trị nào sau đây?
A. 0,62 MeV
B. 0,92 MeV
C. 0,82 MeV
D. 0,72 MeV
Ở mặt nước, một nguồn sóng đặt tại O dao động điều hòa theo phương thẳng đứng. Sóng truyền trên mặt nước với bước sóng \lambda. M và N là hai điểm ở mặt nước sao cho OM = 6\lambda, ON = 8\lambda và OM vuông góc với ON. Trên đoạn thẳng MN, số điểm mà tại đó các phần tử nước dao động ngược pha với dao động của nguồn O là
A. 3
B. 6
C. 5
D. 4
Chất phóng xạ pôlôni \istope[210][84]{Po} phát ra tia \alpha và biến đổi thành chì \istope[206][82]{Pb} . Gọi chu kì bán rã của pôlôni là T. Ban đầu (t = 0) có một mẫu \istope[210][84]{Po} nguyên chất. Trong khoảng thời gian từ t = 0 đến t = 2T, có 63 mg {_84^{210}}Po trong mẫu bị phân rã. Lấy khối lượng nguyên tử tính theo đơn vị u bằng số khối của hạt nhân của nguyên tử đó. Trong khoảng thời gian từ t = 2T đến t = 3T, lượng \istope[206][82]{Pb} được tạo thành trong mẫu có khối lượng là
A. 72,1 mg
B. 5,25 mg
C. 73,5 mg
D. 10,3 mg
Ở mặt nước có hai nguồn kết hợp đặt tại hai điểm A và B, dao động cùng pha theo phương thẳng đứng, phát ra hai sóng có bước sóng \lambda. Trên AB có 9 vị trí mà ở đó các phần tử nước dao động với biên độ cực đại. C và D là hai điểm ở mặt nước sao cho ABCD là hình vuông. M là một điểm thuộc cạnh CD và nằm trên vân cực đại giao thoa bậc nhất (MA − MB = \lambda). Biết phần tử tại M dao động ngược pha với các nguồn. Độ dài đoạn AB gần nhất với giá trị nào sau đây?
A. 4,6 \lambda
B. 4,4 \lambda
C. 4,7 \lambda
D. 4,3 \lambda
Một vật nhỏ dao động điều hòa dọc theo trục Ox. Khi vật cách vị trí cân bằng một đoạn 2 cm thì động năng của vật là 0,48 J. Khi vật cách vị trí cân bằng một đoạn 6 cm thì động năng của vật là 0,32 J. Biên độ dao động của vật bằng
A. 8 cm
B. 14 cm
C. 10 cm
D. 12 cm
Đặt điện áp xoay chiều u = U_{0}cos{\omega}t (U_{0} và \omega có giá trị dương, không đổi) vào hai đầu đoạn mạch AB như hình bên, trong đó tụ điện có điện dung C thay đổi được. Biết R = 5r, cảm kháng của cuộn dây Z_{L} = 4r và CL\omega^{2} > 1. Khi C = C_{0}và khi C = 0,5C_{0} thì điện áp giữa hai đầu M, B có biểu thức tương ứng là u_{1} = U_{01}cos(\omega t + \phi) và u_{2} = U_{01}cos(\omega t + \phi) (U_{01} và U_{02} có giá trị dương). Giá trị của \phi là
A. 0,47 rad
B. 0,62 rad
C. 1,05 rad
D. 0,79 rad
Đặt điện áp uAB = 30cos100{\pi}t (V) vào hai đầu đoạn mạch AB như hình bên, trong đó cuộn cảm thuần có độ tự cảm L và tụ điện có điện dung C thay đổi được. Khi C = C_{0} thì điện áp hiệu dụng giữa hai đầu đoạn mạch MN đạt giá trị cực đại và điện áp hiệu dụng giữa hai đầu đoạn mạch AN là 30\sqrt2 V. Khi C = 0,5C_{0} thì biểu thức điện áp giữa hai đầu cuộn cảm là
A. UMN = 15\sqrt3cos(100πt + \frac{5\pi}{6}) V
B. UMN = 15\sqrt3cos(100πt + \frac{\pi}{3}) V
C. UMN = 30\sqrt3cos(100πt + \frac{5\pi}{6}) V
D. UMN = 30\sqrt3cos(100πt + \frac{\pi}{3}) V
Hai vật M_{1} và M_{2} dao động điều hòa cùng tần số. Hình bên là đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của li độ x của M_{1} và vận tốc v_{2} của M_{2} theo thời gian t. Hai dao động của M_{1} và M_{2} lệch pha nhau
A. \frac{\pi}{3}
B. \frac{2\pi}{3}
C. \frac{5\pi}{6}
D. \frac{\pi}{6}
Đặt điện áp xoay chiều u vào hai đầu đoạn mạch có R, L, C mắc nối tiếp thì dòng điện trong đoạn mạch có cường độ i. Hình bên là một phần đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của tích u.i theo thời gian t. Hệ số công suất của đoạn mạch là
A. 0,625
B. 0,866
C. 0,500
D. 0,707
Điện năng được truyền từ một nhà máy phát điện gồm 8 tổ máy đến nơi tiêu thụ bằng đường dây tải điện một pha. Giờ cao điểm cần cả 8 tổ máy hoạt động, hiệu suất truyền tải đạt 70%. Coi điện áp hiệu dụng ở nhà máy không đổi, hệ số công suất của mạch điện bằng 1, công suất phát điện của các tổ máy khi hoạt động là không đổi và như nhau. Khi công suất tiêu thụ điện ở nơi tiêu thụ giảm còn 72,5% so với giờ cao điểm thì cần bao nhiêu tổ máy hoạt động?
A. 5
B. 6
C. 4
D. 7
Cho cơ hệ như hình bên. Vật m khối lượng 100 g có thể chuyển động tịnh tiến, không ma sát trên mặt phẳng nằm ngang dọc theo trục lò xo có k = 40 \frac{N}{m}. Vật M khối lượng 300 g có thể trượt trên m với hệ số ma sát \mu = 0,2. Ban đầu, giữ m đứng yên ở vị trí lò xo dãn 4,5 cm, dây D (mềm, nhẹ, không dãn) song song với trục lò xo. Biết M luôn ở trên m và mặt tiếp xúc giữa hai vật nằm ngang. Lấy g = 10 \frac{m}{s^2}. Thả nhẹ cho m chuyển động. Tính từ lúc thả đến khi lò xo trở về trạng thái có chiều dài tự nhiên lần thứ 3 thì tốc độ trung bình của m là
A. 16,7 \frac{cm}{s}
B. 23,9 \frac{cm}{s}
C. 29,1 \frac{cm}{s}
D. 8,36 \frac{cm}{s}
Điện áp phân cực tại collector (V_{C}) của mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A xấp xĩ bằng . . .
A. V_{CC}
B. Một nửa V_{CC}
C. 0V
D. 0,2V
Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . .
A. 1k
B. Tỷ lệ nghịch với beta
C. Tỷ lệ thuận với beta
D. Không phải các trường hợp trên
Trở kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . .
A. Rc
B. Tỷ lệ nghịch với beta
C. Tỷ lệ thuận với beta
D. 1k
Độ lệch pha giữa hai tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng . . . . . . . .
A. 0^{\circ}
B. 90^{\circ}
C. 180^{\circ}
D. 270^{\circ}
Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực base là . . .
A. A_{v}= \frac{V_{CC}}{V_{C}}
B. A_{v}= \frac{V_{B}}{V_{E}}
C. A_{v}= \frac{r_{c}}{r_{e}}
D. A_{v}= R_{l}x
Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . .
A. Đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]
B. Đồng hồ đo trở kháng
C. Máy vẽ đặc tuyến
D. Điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng
Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . .
A. Đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]
B. Đồng hồ đo trở kháng
C. Máy vẽ đặc tuyến
D. Điện thế kế đặt vào vị trí của điện trở tải
Họ đặc tuyến ra của BJT là đồ thị của . . . . . .
A. Dòng base theo điện áp collector-emitter
B. Dòng collector theo điện áp base-emitter
C. Dòng collector theo điện áp collector-emitter
D. Dòng emitter theo điện áp base - emitter
Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . .
A. Sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên cả hai tiếp giáp
B. Sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp collector - base
C. Sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp emitter - base
D. Không phải các ý trên
Khi đầu que dương của một đồng hồ đo điện trở [ohmmeter] được nối đến base, còn đầu que
âm được nối đến collector của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
A. 0
B. Điện trở thấp
C. 5k
D. Điện trở cao
Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực
emitter của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
A. 0
B. Điện trở thấp
C. 5k
D. Điện trở cao
Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ?
A. 0
B. Điện trở thấp
C. 5k
D. Điện trở cao
Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ?
A. 0,2V
B. 0,7V
C. 7,5V
D. 15V
Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ?
A. 0,2V
B. 0,7V
C. 7,5V
D. 15V
Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
A. 0,2V
B. 0,7V
C. 7,5V
D. 15V
Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
A. 0,2V
B. 0,7V
C. 7,5V
D. 15V
Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
A. 50mVpp
B. 0,2Vpp
C. 7,5Vpp
D. 15Vpp
Nếu tụ đầu ra (C2) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor
là bao nhiêu ?
A. 50mVpp
B. 0,2Vpp
C. 7,5Vpp
D. 15Vpp
Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ?
A. Do beta thay đổi theo nhiệt độ,
B. Do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng
C. Do beta khác nhau trong các BJT cùng loại
D. Cả a và c
Giá trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là . . . . . . . . .
A. + 50% và - 50%
B. +50% và - 100%
C. + 100% và - 50%
D. + 100% và - 100%
Nếu beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch đại như thế nào ?
A. Điện áp collector sẽ thay đổi
B. Dòng collector sẽ thay đổi
C. Dòng emitter sẽ thay đổi
D. Tất cả các ý trên
Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của Rb1và Rb2được xem là độc lập
với dòng base của transistor ?
A. Dòng base không chảy qua Rb1hoặc Rb2
B. Dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1và Rb2
C. Chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1và Rb2
D. Tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp
Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn
luôn bằng . . . . .
A. 0V
B. 0,2V
C. 0,7V
D. 2V
Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, khi đã tính được điện áp emitter DC, thì dòng
collector tại điểm tĩnh có thể tính gần đúng bằng cách chia điện áp emitter cho . . . . .
A. Điện trở ở nhánh base
B. Điện trở ở nhánh emitter
C. Điện trở ở nhánh collector
D. Điện trở của tải
Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector được tính bằng cách . . . . . . .
A. Nhân dòng collector với điện trở collector
B. Nhân dòng collector với điện trở tải
C. Cộng điện áp base với điện áp emitter
D. Trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện áp nguồn
Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là
gì ?
A. Làm giảm độ ổn định
B. Trở kháng ra thấp
C. Suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp
D. Cả b và c
Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (Rb1và Rb2) xuất hiện dưới dạng . . . . . với các linh
A. Kiện khác.. nối tiếp
B. Nối tiếp / song song
C. Song song
D. Nối tiếp ngược chiều nhau
Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc . . . . . .
A. Nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base
B. Song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base
C. Song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter
D. Nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter
Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . .
A. Điện trở collector
B. Điện trở tải
C. Điện trở collector mắc song song với điện trở tải
D. Beta lần điện trở collector
Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng vào cao nhất ?
A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ
B. Phân tách điện trở emitter
C. Không được rẽ mạch tụ
D. Tất cả các ý trên
Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ?
A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ
B. Phân tách điện trở emitter
C. Không được rẽ mạch tụ
D. Tất cả các ý trên
Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ?
A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ
B. Phân tách điện trở emitter
C. Không được rẽ mạch tụ
D. Tất cả các ý trên
Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có méo dạng ít nhất ?
A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ
B. Phân tách điện trở emitter
C. Không được rẽ mạch tụ
D. Tất cả các ý trên
Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter thường bằng . . . . . .
A. 0V
B. 0,7V
C. 2V
D. V_{cc}
Nhược điểm của mạch khuyếch đại phân cực emitter khi so với mạch khuyếch đại phân cực
phân áp là mạch khuyếch đại phân cực emitter yêu cầu . . . . .
A. Các transistor có beta cao hơn
B. Hai nguồn cung cấp
C. Giá trị Vcc cao hơn
D. Không phải các ý trên
Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter là . . . . .
A. Phụ thuộc vào beta
B. Được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cực phân áp
C. Bằng với x r_{e}
D. Luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch kh. đại phân cực phân áp
Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với . . . .
A. Các tín hiệu tần số cao
B. Các nguồn cung cấp điện áp thấp
C. Các mạch cần trở kháng vào rất cao
D. Các mạch cần trở kháng ra rất thấp
Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh hưởng bởi . . . .
A. Giá trị công suất trên điện trở collector
B. Hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại
C. Giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp
D. Cả b và c
Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?
A. Do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng
B. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo
C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước
D. Cả b và c
Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì ?
A. Các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC
B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau
C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại
D. Cả b và c
Hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ của mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
A. Tổng trở kháng vào của mỗi tầng
B. Tích hệ số khuyếch đại điện áp của mỗi tầng
C. Hệ số khuyếch đại điện áp của tầng đầu tiên
D. Hệ số khuyếch đại điện áp của tầng cuối
Các mạch khuyếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuyếch đại ghép RC là ở chỗ chúng có thể khuyếch đại . . . . . .
A. Các mức tín hiệu lớn hơn
B. Các tín hiệu tần số cao
C. Các mức tín hiệu nhỏ hơn
D. Các tín hiệu tần số thấp
Trong thực tế các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề . . . . . .
A. Về hệ số khuyếch đại
B. Về độ bảo hoà
C. Về độ trôi DC
D. Về trở kháng
Điện áp đo được trên collector của Q2 ở mạch hình 4.24JC, là 13,8VDC,
A. Mạch đang làm việc đúng chức năng
B. Transistor Q2 bị hở mạch giữa collector và emitter
C. Tụ C5 bị ngắn mạch
D. Điện trở R8 bị ngắn mạch
Điện áp DC tại điểm nối của hai điện trở R4và R5 ở mạch hình 4.24JC, bằng 0V.
A. Mạch đang làm việc đúng chức năng
B. Transistor Q1 bị ngắn mạch giữa collector và emitter
C. Tụ C4 hở mạch
D. Điện trở R2 bị ngắn mạch
Phát biểu nào sau đây là đúng, với mạch khuếch đại vi sai đảm bảo yêu cầu phải có:
A. Hệ số nén tín hiệu đồng pha lớn
B. Hệ số khuếch đại vi sai lớn
C. Hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ
D. Tất cả đều đúng
Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q1 gần bằng 3,
A. Mạch đúng chức năng
B. Tụ C4 hở mạch
C. Tụ C4 bị ngắn mạch
D. Tụ C2 hở mạch
Trong mạch khuyếch đại collector chung, cực collector . . . . .
A. Được nối với mức đất của nguồn DC
B. Được nối với mức đất của tín hiệu
C. Nối với V_{cc}
D. Cả b và c
Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực . . . . . . . .
A. Emitter
B. Hồi tiếp điện áp collector
C. Phân áp
D. Cả a và c
Cấu hình collector chung có . . . . . .
A. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc
C. Trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc
D. Ngoài các trường hợp trên
Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector chung là . . . . .
A. Lớn hơn 1
B. Đúng bằng 1
C. Hơi nhỏ hơn 1
D. Bằng với
Hệ số khuyếch đại công suất của một mạch có thể tính được bằng phép nhân. . . . .
A. Beta với hệ số khuyếch đại điện áp
B. Bình phương dòng tải với điện áp tải
C. Hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng
D. Công suất vào và công suất ra
Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?
A. Emitter chung
B. Base chung
C. Collector chung
D. Tất cả các ý trên
Cặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung sẽ . . . . . . .
A. Làm tăng trở kháng vào của mạch
B. Cho phép mạch điều khiển tải điện trở thấp hơn
C. Thay đổi điện áp phân cực emitter bằng 0,7V
D. Tất cả các ý trên
Nếu cặp Darlington được lắp bằng hai transistor với mỗi transistor bằng 40, thì mạch Darlington có beta bằng . . . . .
A. 40
B. 80
C. 60
D. 1600
Mạch Darlington khi hoạt động khuyếch đại ở chế độ A, điện áp giữa cực base và emitter là bao nhiêu ?
A. 0,2V
B. 0,7V
C. 1,4V
D. 2V
Thông thường, tầng collector chung là tầng cuối cùng trước tải. Chức năng chính của tầng collector chung là để . . . . . .
A. Cho khuyếch đại điện áp
B. Làm bộ đệm cho các bộ khuyếch đại điện áp khỏi điện trở tải thấp
C. Cho sự đảo pha tín hiệu
D. Cho đường dẫn tần số cao để cải thiện đáp ứng tần số tầng cuối cao
Một bộ khuyếch đại điện áp có ba tầng có các hệ số khuyếch đại là 32, 16, và 1. Hệ số khuyếch đại điện áp của toàn mạch là bao nhiêu ?
A. 49V
B. 49
C. 512V
D. 512
Cấu hình base chung có . . . .
A. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc
C. Trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc
D. Ngoài các ý trên