prop · H903209 · 2022-04-12 00:00:00 — c)”Teknik” för ”utveckling” eller ”produktion” av hydrauliska sträckbearbetningsmaskiner, inklusive formar härför, för tillverkning av flygplansskrov. d)Används inte. e)”Teknik” för ”utveckling” av integrerad ”programvara” för inkorporering av expertsystem i enheter för ”numerisk styrning” för att understödja avancerade beslut i s.k. shop floor operations. f)”Teknik” för applicering av oorganiska ytbeläggningar eller oorganisk ytförändringsbeläggning (specificerade ikolumn 3 i följande tabell) till substrat för icke-elektronisk användning (specificerade i kolumn 2 i följande tabell) med en process som specificeras i kolumn 1 i följande tabell och som definieras i de tekniska anmärkningarna efter tabellen. L 206/190 Europeiska unionens officiella tidning Tabell och teknisk anmärkning återfinns efter avsnitt 2E301. Denna tabell ska läsas för att specificera ”tekniken” för en särskild beläggningsprocess endast då resultatet av ytbeläggningen i kolumn 3 är i ett stycke direkt mittför det relevanta substratet under kolumn 2. Till exempel, tekniska uppgifter om beläggnings processen med kemisk förångningsdeposition (CVD) är inbegripna för applicering av silicider till kol-kol-, keram- och metall-”matris”-”komposit”substrat, men är inte inbegripna för applicering av silicider till substrat av ’hårdmetall innehållande volframkarbid’ (16) och ’kiselkarbid’ (18). I det andra fallet är den resulterande ytbeläggningen inte förtecknad i stycket under kolumn 3 direkt mittför stycket under kolumn 2 där ’hårdmetall innehållande volframkarbid’ (16) och ’kiselkarbid’ (18) är förtecknade. 2E101 ”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”användning” av utrustning eller ”programvara” som specificeras i avsnitt 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 eller 2D101. 2E201 ”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”användning” av utrustning eller ”programvara” som specificeras i avsnitt 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B233, 2D201 eller 2D202. 2E301 ”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”användning” av varor som specificeras i avsnitten 2B350–2B352. Europeiska unionens officiella tidning L 206/191 Beläggningsprocess (1) Aluminider för interna genomgångar Keramer (19) och glas med låg expansion (14) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) Kol-kol-, keram- och metall”matris””kompositer” Blandningar därav (4) Dielektriska lager (15) Legerade aluminider (2) volframkarbider (16), kiselkarbider Blandningar därav (4) Dielektriska lager (15) Dielektriska lager (15) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) Detektorfönster-material (9) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) L 206/192 Europeiska unionens officiella tidning Beläggningsprocess (1) B. Termisk förångning Fysisk förån gningsdeposition (TE-PVD) (PVD): Elektronstrålar (EB-PVD) Legerade aluminider (2) MCrAlX (5) Modifierat zirkonium (12) Blandningar därav (4) Keramer (19) och glas med låg Dielektriska lager (15) expansion (14) Korrosionsbeständigt stål (7) MCrAlX (5) Modifierat zirkonium (12) Blandningar därav (4) Kol-kol-, keram- och metall”matris””kompositer” Blandningar därav (4) Dielektriska lager (15) volframkarbider (16), kiselkarbider Blandningar därav (4) Dielektriska lager (15) Europeiska unionens officiella tidning L 206/193 Beläggningsprocess (1) Dielektriska lager (15) Dielektriska lager (15) Detektorfönster-material (9) Dielektriska lager (15) Titanlegeringar (13) B.2 Jonassisterad resistivt upphettad fy Keramer (19) och glas med låg Dielektriska lager (15) förångningsdeposition (PVD) expansion (14) Diamantlikt kol (17) Kol-kol-, keram- och Dielektriska lager (15) metall”matris””kompositer” Dielektriska lager (15) volframkarbid (16), Silikonkarbid Dielektriska lager (15) Dielektriska lager (15) Detektorfönster-material (9) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) L 206/194 Europeiska unionens officiella tidning Beläggningsprocess (1) Keramer (19) och glas med låg (PVD): ””-förångning expansion (14) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) Kol-kol-, keram- och Dielektriska lager (15) metall”matris””kompositer” Dielektriska lager (15) volframkarbid (16), Silikonkarbid Dielektriska lager (15) Dielektriska lager (15) Detektorfönster-material (9) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) (PVD): Katodstråleurladdning Legerade aluminider (2) MCrAlX (5) Polymerer (11) och organiska ”matris”- Diamantlikt kol (17) Europeiska unionens officiella tidning L 206/195 Beläggningsprocess (1) Pack cementation (se A ovan out-of- Kol-kol-, keram- och pack cementation) (10) metall”matris””kompositer” Blandningar därav (4) Titanlegeringar (13) Legerade aluminider (2) Svårsmälta metaller och legeringar (8) MCrAlX (5) Modifierat zirkonium (12) Blandningar därav (4) Slipbara material som innehåller Legerade aluminider (2) Aluminiumlegeringar (6) MCrAlX (5) Modifierat zirkonium (12) Blandningar därav (4) L 206/196 Europeiska unionens officiella tidning Beläggningsprocess (1) Svårsmälta metaller och legeringar (8) Korrosionsbeständigt stål (7) MCrAlX (5) Modifierat zirkonium (12) Blandningar därav (4) Titanlegeringar (13) Legerade aluminider (2) Slipbara material som innehåller Svårsmälta metaller och legeringar (8) Brända aluminider utom för resistiva Kol-kol-, keram- och metall”matris””kompositer” Blandningar därav (4) Europeiska unionens officiella tidning L 206/197 Beläggningsprocess (1) Legerade aluminider (2) Ädelmetallmodifierade aluminider (3) MCrAlX (5) Modifierat zirkonium (12) Blandningar därav (4) Keramer och glas med låg expansion Blandningar därav (4) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) Titanlegeringar (13) Legerade aluminider (2) L 206/198 Europeiska unionens officiella tidning Beläggningsprocess (1) Kol-kol-, keram- och metall”matris””kompositer” Blandningar därav (4) Dielektriska lager (15) volframkarbider (16), kiselkarbider Blandningar därav (4) Dielektriska lager (15) Dielektriska lager (15) Dielektriska lager (15) Detektorfönster-material (9) Dielektriska lager (15) Diamantlikt kol (17) Svårsmälta metaller och legeringar (8) Europeiska unionens officiella tidning L 206/199 Beläggningsprocess (1) Lagerstål för höga temperaturer Tillsatser av krom tantal eller niob Titanlegeringar (13) volframkarbid (16) (1) Siffrorna inom parentes hänvisar till de anmärkningar som följer efter tabellen. L 206/200 Europeiska unionens officiella tidning TABELL – YTBELÄGGNINGSTEKNIKER – ANMÄRKNINGAR 1.Termen ’beläggningsprocess’ omfattar såväl reparation och förbättring av ytbehandlingen som den ursprungliga ytbehandlingen. 2.Termen ’legerade aluminidbeläggningar’ omfattar enkel- eller flerstegsbeläggningar varvid ett eller flera ämnen överförs före eller med aluminidbeläggningen även om dessa ämnen överförs med en annan ytbehandlingsmetod. Däremot omfattas inte upprepad användning av s.k. enkelstegs ”pack cementation”-processer för att uppnå legerade aluminider. 3.Termen ’ädelmetallmodifierade aluminider’ omfattar flerstegsbeläggningar varvid ädelmetallen eller ädelmetallerna påläggs med någon annan beläggningsprocess före påläggningen av aluminidbeläggningen. 4.Termen ’blandningar därav’ omfattar infiltrerade material, sorterade blandningar, hjälpbeläggningar och multilagerbe läggningar och erhålls genom en eller flera av de beläggningsprocesser som specificeras i tabellen. 5.’MCrAlX’ avser en legerad beläggning där M står för kobolt, järn, nickel eller blandningar därav och X står för hafnium, yttrium, kisel, tantal oberoende av mängd eller andra avsiktliga tillsatser som är större än 0,01 viktprocent, i olika proportioner och kombinationer, utom Europeiska unionens officiella tidning L 206/201 a)CoCrAlY-beläggningar som innehåller mindre än 22 viktprocent krom, mindre än 7 viktprocent aluminium och mindre än 2 viktprocent yttrium, b)CoCrAlY-beläggningar som innehåller 22–24 viktprocent krom, 10–12 viktprocent aluminium och 0,5–0,7 viktprocent yttrium, eller c)NiCrAlY-beläggningar som innehåller 21–23 viktprocent krom, 10–12 viktprocent aluminium och 0,9–1,1 viktprocent yttrium. 6.Med termen ’aluminiumlegeringar’ avses legeringar som har en brottgräns på minst 190 MPa mätt vid 293 K (). 7.Med termen ’korrosionsbeständigt stål’ avses (American and )-serien 300 eller motsvarande nationella standard för stål. 8.’Svårsmälta metaller och legeringar’ omfattar följande metaller och deras legeringar: niob (columbium), molybden, och tantal. 9.’Detektorfönstermaterial’ enligt följande: aluminiumoxid, kisel, germanium, zinksulfid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir och följande metallhalogenider: detektorfönstermaterial som har en diameter som är större än för zirkoniumfluorid och hafniumfluorid. 10.Kategori 2 omfattar inte ”teknik” för s.k. enstegs pack-cementation av massiva luftfolier. L 206/202 Europeiska unionens officiella tidning 11.’Polymerer’ enligt följande: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonater och polyuretaner. 12.Med ’modifierat zirkonium’ avses tillsatser av andra metalloxider (t.ex. kalciumoxid, magnesiumoxid, yttriumoxid, hafniumoxid, oxider till sällsynta jordmetaller) till zirkonium för att stabilisera speciella kristallografiska faser och faskompositioner. Termisk barriärbeläggning som görs av zirkonium modifierad med kalciumoxid eller magnesiumoxid genom blandning eller fusion omfattas inte. 13.Med ’titanlegeringar’ avses endast rymdlegeringar som har en brottgräns som är minst 900 MPa mätt vid 293 K (). 14.Med ’glas med låg expansion’ avses glas med en termisk expansionskoefficient på högst 1 × 10–7 K–1 mätt vid 293 K (). 15.’Dielektriska lager’ är beläggningar som är uppbyggda av flera lager isolationsmaterial i vilka interferensegen skaperna hos en konstruktion som är sammansatt av material med olika brytningsindex används så att reflexion, genomsläpplighet eller absorption erhålls vid olika våglängder. Med dielektriskta lager avses minst fyra dielektriska lager eller dielektriska/metall-”komposit”-lager. 16.’Hårdmetall innehållande volframkarbid’ omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial som består av volframkarbid/(kobolt, nickel), titankarbid/(kobolt, nickel), kromkarbid/nickel-krom och kromkarbid/nickel. Europeiska unionens officiella tidning L 206/203 17.”Teknik” för beläggning av diamantlikt kol på något av följande omfattas inte: Diskettstationer samt läs- och skrivhuvuden, utrustning för tillverkning av engångsmaterial, ventiler för kranar, akustiska membran för högtalare, motordelar till bilar, skärverktyg, stans- och pressmatriser, kontorsmaskiner, mikrofoner och medicintekniska produkter eller formar för plastgjutning eller plastformning, tillverkade av legeringar som innehåller beryllium. 18.’Kiselkarbid’ omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial. 19.Keramiska substrat i denna punkt omfattar inte keramiska material som innehåller minst 5 viktprocent lera eller cement, antingen som separata beståndsdelar eller i kombination. L 206/204 Europeiska unionens officiella tidning TABELL – YTBELÄGGNINGSTEKNIKER – ANMÄRKNINGAR De processer som specificeras i kolumn 1 i tabellen definieras enligt följande: a)Kemisk förångningsdeposition (CVD) är en ytbehandlings- eller ytförändringsprocess varvid metall, legering, ”komposit”, ett dielektrikum eller en keram deponeras på ett upphettat substrat. Reaktansgaserna sönderdelas eller kombineras i närheten av substratet, varvid en beläggning sker på substratet av det önskade grundämnet, den önskade legeringen eller kompositmaterialet. Energi för denna sönderdelning eller kemiska reaktionsprocess kan erhållas från värmen i substratet, en glimurladdningsplasma eller från upphettning med ”laser”-strålning. ANM. 1 CVD omfattar följande processer: beläggning med ett gasflöde out-of-pack-beläggning, pulserande CVD, styrd termisk kärnbildande nedbrytningsprocess (CNTD), plasmaförstärkta eller plasmaassisterade CVD-processer. ANM. 2 Med pack menas ett substrat som är inbakat i en pulverblandning. ANM. 3 De reaktansgaser som används i en out-of-pack-process produceras med hjälp av samma basreaktioner och parametrar som pack cementation-processen, med undantag av att substratet som ska beläggas inte är i kontakt med pulverblandningen. Europeiska unionens officiella tidning L 206/205 b)Termisk förångning – fysisk förångningsdeposition (TE-PVD) är en ytbeläggningsprocess som sker i vakuum vid ett tryck som är lägre än Pa varvid en termisk energikälla används för att förånga beläggningsmaterialet. Denna process resulterar i en kondensation eller en beläggning av det förångade materialet på lämpligt placerade substrat. Tillsatsen av gaser i vakuumkammaren under beläggningsprocessen för att skapa blandad beläggning är en vanlig modifiering av denna process. Användningen av jon- eller elektronstrålar eller plasma för att aktivera eller assistera vid beläggningen är också en vanlig modifikation av denna teknik. Användningen av monitorer för att under processen mäta beläggningens optiska egenskaper och tjocklek kan utgöra en del av dessa processer. Specifika TE-PVD processer är följande: 1.Elektronstråle-PVD använder en elektronstråle för att upphetta och förånga det material som ska bilda beläggningen. 2.Jonassisterad resistivt upphettad PVD arbetar med elektroresistiva värmekällor i kombination med direkt inverkan från jonstrålar för att producera ett kontrollerat och likformigt flöde av de förångade beläggningsmaterialen. 3.””förångning använder antingen pulsade eller kontinuerliga ”laser”vågor för att förånga det material som ska bilda beläggning. L 206/206 Europeiska unionens officiella tidning 4.Katodstrålebeläggning arbetar med en katod av det material som ska bilda beläggning, varvid katoden förbrukas, och vid katoden uppstår en gnisturladdning på ytan genom en kortvarig jordkontakt med hjälp av en trigger. En styrd rörelse av gnistan urholkar katodytan och skapar ett kraftigt joniserat plasma. Anoden kan antingen vara en kon fastsatt till katodens periferi, med hjälp av isolatorer, eller till kammaren. Substratet förspänns så att icke-synlig beläggning kan ske. Denna definition omfattar inte slumpmässig katodstrålebeläggning utan förspänt substrat. 5.Jonplätering är en speciell modifikation av den vanliga TE-PVD-processen, varvid ett plasma eller en jonkälla används för att jonisera de ämnen som ska användas för beläggning, och en negativ förspänning läggs på substratet för att underlätta extraktionen av de ämnen som ska deponeras från plasman. Införandet av reaktiva ämnen, förångning av fasta material i kammaren samt användning av monitorer för att under processen mäta beläggningens optiska egenskaper och tjocklek är vanliga modifieringar av denna process. Europeiska unionens officiella tidning L 206/207 c)Pack Cementation är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess varvid substratet packas in i en pulverblandning (pack) som består av 1.det metallpulver som ska utgöra beläggningen (vanligtvis aluminium, krom, kisel eller kombinationer av dessa), 2.en aktivator (vanligtvis ett halogent salt), och 3.ett ballastpulver, oftast aluminium. Substratet och pulverblandningen placeras i en retort som upphettas till en temperatur mellan 1 030 K () och 1 375 K (1 ) i tillräckligt för att beläggningen ska ske. d)Plasmasprutning är en ytbehandlingsprocess i vilken en kanon (”blåslampa”), som producerar och styr ett plasma tar emot pulver eller tråd av beläggningsmaterialet, smälter det och skjuter det mot ett substrat, varpå en integrerad sammanfogning sker. Plasmasprutning kan antingen ske som lågtryckssprutning eller höghastighetssprutning. ANM. 1 Med lågtryck avses lägre tryck än omgivande atmosfärtryck. ANM. 2 Med höghastighet avses en gashastighet vid sprutmunstycket som överskrider beräknat vid 293 K () och 0,1 MPa. e)Målningsbeläggning är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess i vilken ett metalliskt eller keramiskt pulver med ett organiskt bindemedel uppslammas i en vätska och appliceras på ett substrat genom antingen sprutning, doppning eller målning, med påföljande luft- eller ugnstorkning, samt värmebehandling för att uppnå önskad beläggning. L 206/208 Europeiska unionens officiella tidning f)Sputteringbeläggning är en överlagringsbeläggningsprocess som baseras på impulsöverföringsfenomen, varvid positiva joner accelereras av ett elektriskt fält mot ytan av ett mål (beläggningsmaterialet). Den kinetiska energin hos de laddade jonerna är tillräcklig för att atomer från ytan ska frigöras och beläggas på det lämpligt placerade substratet. ANM. 1 Tabellen hänvisar endast till triod-, magnetron- eller reaktiv sputteringbeläggning som används för att öka vidhäftningen av beläggningen samt radiofrekvent (RF)-förstärkt sputteringbeläggning som används för att tillåta förångning i icke metalliska beläggningsmaterial. ANM. 2 Lågenergijonstrålar (mindre än 5 keV) kan användas för att aktivera beläggningen. g)Jonimplantation är en ytförändringsbeläggningsprocess i vilken det ämne som ska legeras joniseras, accelereras genom en potentialgradient och förs in till ytregionen för substratet. Detta inbegriper processer där jonimplantationen sker med fysisk förångningsdeposition med elektronstråle eller sputteringbeläggning. Europeiska unionens officiella tidning L 206/209 DEL V – Kategori 3 System, utrustning och komponenter Anmärkning 1: Kontrollstatusen för den utrustning och de komponenter som beskrivs i avsnitt 3A001 eller 3A002, förutom för de som beskrivs i avsnitt 3A001.a.3–3A001.a.10 eller 3A001.a.12–3A001.a.14 och som är speciellt konstruerade för eller som har samma funktionella egenskaper som annan utrustning, bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus. Anmärkning 2: Kontrollstatusen för de integrerade kretsar som beskrivs i avsnitt 3A001.a.3–3A001.a.9 eller 3A001. a.12–3A001.a.14 och som är icke föränderligt programmerade till eller konstruerade för en speciell funktion för en annan utrustning bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus. ANM. Om en tillverkare eller sökande inte kan avgöra den andra utrustningens kontrollstatus, bestäms de integrerade kretsarnas kontrollstatus av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 och 3A001.a.12–3A001.a.14. Anmärkning 3: Statusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a, 3A001.b, 3A001.d, 3A001.e.4, 3A001.g, 3A001.h eller 3A001.i. 3A001 Elektroniska produkter enligt följande: a) Integrerade kretsar för allmänna ändamål enligt följande: Integrerade kretsar omfattar följande typer: — ”Monolitiska integrerade kretsar”. — ”Integrerade hybridkretsar”. — ”Integrerade multikretsar”. — ”Integrerade kretsar av filmtyp” inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir. — ”Optiska integrerade kretsar”. — ”Tredimensionella integrerade kretsar”. — ”Monolitiska integrerade mikrovågskretsar” (”MMIC”). L 206/210 Europeiska unionens officiella tidning 1.Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt något av följande: a)En total dos om minst 5 x 103 Gy (kisel), b)en dosratsändring genom störning om minst 5 x 106 Gy (kisel)/s, eller c)en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 x 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material. Anmärkning: 3A001 a.1.c omfattar inte halvledare av metallisolatortyp (MIS – ). 2.”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar”, mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till-digital-omvandlare, integrerade kretsar som innehåller analog-till-digital-omvandlare och som lagrar eller bearbetar digitaliserade data, digital- till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling”, fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Snabb Fourier-transform (FFT), statiska (SRAM) eller ’icke- flyktiga minnen’ som är något av följande: a)Specificerade för drift i omgivningstemperaturer över 398 K (). b)Specificerade för drift i omgivningstemperaturer under 218 K (– ). c)Specificerade för drift i omgivningstemperaturer i området från 218 K (– ) till och med 398 K (). Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.2 omfattar inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil- eller tågapplikationer. ’Icke-flyktiga minnen’ är minnen som bevarar data efter att strömmen stängs av. Europeiska unionens officiella tidning L 206/211 ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar” tillverkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger 40 Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.3 omfattar digitala signalprocessorer, digitala matrisprocessorer (array processors) och digitala hjälpprocessorer (coprocessors). 5.Integrerade kretsar med analog-till-digitalomvandlare (ADC) och digital-till-analog-omvandlare (DAC) enligt följande: a)ADC som har något av följande: ANM. SE ÄVEN AVSNITT 3A101. 1.En upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än miljarder samplingar (Gsps). 2.En upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 600 miljoner samplingar (Msps). 3.En upplösning på 12 bitar eller mer, men mindre än 14 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 400 Msps. 4.En upplösning på 14 bitar eller mer, men mindre än 16 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 250 Msps. 5.En upplösning på minst 16 bitar eller mer, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 65 Msps. ANM. För integrerade kretsar som innehåller analog-till-digital-omvandlare och som lagrar eller bearbetar digitaliserade data, se avsnitt 3A001.a.14. 1.En upplösning på n bitar motsvarar en kvantisering av 2n nivåer. 2.ADC:ns upplösning är antalet bitar för den digitala utdata som motsvarar den uppmätta analoga ingången. Effektivt antal bitar (ENOB) används inte för att fastställa ADC:ns upplösning. 3.För ”flerkanals-ADC” ska ”samplingsfrekvensen” inte läggas ihop, och ”samplingsfrekvensen” är den maximala hastigheten för en enstaka kanal. 4.För ”interfolierade ADC” (interleaved ADC’s) eller för ”flerkanals-ADC” som är specificerade till att drivas interfolierat, ska ”samplingsfrekvenserna” läggas ihop och ”samplingsfrekvensen” är den maximala sammanlagda totala hastigheten av alla interfolierade kanaler. L 206/212 Europeiska unionens officiella tidning b)Digital-till-analog-omvandlare (DAC) som har något av följande: 1.En upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 3 500 Msps. 2.En upplösning på 12 bitar eller mer och har något av följande: a)En ’justerad uppdateringshastighet’ som överstiger 1 250 Msps men inte 3 500 Msps och som har något av följande: 1.En inställningstid på mindre än 9 ns till eller inom nivån av fullskala från ett fullskalesteg. 2.Ett ’spuriosfritt dynamiskt område’ (SFDR) som är större än 68 dBc (bärare) vid syntetisering av en fullskalig analog signal på eller den högsta fullskaliga analoga signalen under . b)En ’justerad uppdateringshastighet’ som överstiger 3 500 Msps. Europeiska unionens officiella tidning L 206/213 1.’Spuriosfritt dynamiskt område’ (SFDR) definieras som kvoten av RMS-värdet för bärfrekvensen (maximisig nalkomponent) på digitalomvandlarens ingång och RMS-värdet av den näst största bruskomponenten eller komponenten av harmonisk distorsion på dess utgång. 2.SFDR fastställs direkt i specifikationstabellen eller med utgångspunkt i karaktäriseringsdiagrammen med SFDR mot frekvens. 3En signal definieras som fullskalig när amplituden är större än – 3 dBfs (full skala). 4.’Justerad uppdateringshastighet’ för DAC: