prop · GX03205 · 2010-04-14 00:00:00 — 2.I avsnitt 3A001.e.1 definieras cell som en elektrokemisk enhet som har positiva och negativa elektro der och elektrolyt samt är en källa till elektrisk energi. Den är grundkomponenten i ett batteri. L 134/130 Europeiska unionens officiella tidning e) 1. 3.I avsnitt 3A001.e.1.a definieras primärcell som en cell som inte är avsedd att laddas genom någon annan källa. 4.I avsnitt 3A001.e.1.b definieras sekundärcell som en cell som är avsedd att laddas genom en extern elektrisk källa. Anm.: Avsnitt 3A001.e.1 omfattar inte batterier, inbegripet batterier som består av en enda cell. 2.Högenergikondensatorer enligt följande: ANM.: SE ÄVEN AVSNITT 3A201.a. a)Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som understiger (enkelpulskondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper: 1.En specificerad spänning lika med eller överstigande , 2.en energitäthet lika med eller högre än 250 J/kg, och 3.en total energi lika med eller större än 25 kJ. b)Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som är lika med eller överstiger (repetitions specificerade kondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper: 1.En specificerad spänning lika med eller överstigande , 2.en energitäthet lika med eller högre än 50 J/kg, 3.en total energi lika med eller större än 100 J, och 4.en laddnings/urladdnings-livslängd som är lika med eller överstiger 10 000 cykler. 3.Supraledande elektromagneter eller solenoider, speciellt konstruerade för att kunna helt laddas eller urladdas på mindre än 1 sekund och som har samtliga följande egenskaper: ANM.: SE ÄVEN AVSNITT 3A201.b. Anm.: Avsnitt 3A001.e.3 omfattar inte supraledande elektromagneter och solenoider som är speciellt kon struerade för att användas i medicinsk utrustning till magnetisk resonans bildbehandling (MRI). a)Energin som levereras vid urladdning överstiger 10 kJ under den första sekunden, b)innerdiametern på den strömförande lindningen är större än , och c)är specificerad för en magnetisk induktion som är större än 8 T eller en total strömtäthet i lindningen som är större än 300 A/mm2. 4.Solceller, CIC-hopsättningar (cell-interconnect-coverglass), solpaneler och solmoduler som är rymdkvalificerade och har en minsta genomsnittlig verkningsgrad som överstiger vid en driftstemperatur på 301 K () under simulerad AM0-belysning med en irradians på per kvadratmeter (W/m2). AM0 eller luftmassenollpunkt avser solljusets spektrala irradians i jordens yttre atmosfär där avståndet mel lan jorden och solen är en astronomisk enhet (AU). f)Roterande kodare som anger positionens absolutvärde med en noggrannhet som är mindre (bättre) än g)Pulsade effektomriktande halvledartyristorenheter och tyristormoduler som använder elektriskt eller optiskt styrda eller elektronstrålestyrda omriktningsmetoder och som har någon av följande egenskaper: 1.En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 30 000 A/μs och en spänning i avstängt tillstånd som överstiger 1 100 V. Europeiska unionens officiella tidning L 134/131 g) (forts.) 2.En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 2 000 A/μs och som har föl jande egenskaper: a)En toppspänning i avstängt tillstånd som är minst 3 000 V. b)En toppström (strömstöt) som är minst 3 000 A. Anm. 1: Avsnitt 3A001.g omfattar följande: Kiselstyrda likriktare (SRC). ET-tyristorer (Electrical Triggering Thyristors) LT-tyristorer (Light Triggering Thyristors) IGC-tyristorer (Integrated ) MOS-styrda tyristorer (MCT) Anm. 2: Avsnitt 3A001.g omfattar inte tyristorenheter och tyristormoduler som ingår i utrustning som är utfor mad för civila järnvägstillämpningar eller civila luftfartygs-tillämpningar. En tyristormodul i avsnitt 3A001.g innehåller en eller flera tyristorenheter. h)Effektomriktande halvledare, dioder eller moduler som har samtliga följande egenskaper: 1.Specificerade för en maximal gränsskiktstemperatur vid drift som överstiger 488 K (). 2.En repetitiv toppspänning i frånläge (blockeringsspänning) som överstiger 300 V. 3.En kontinuerlig strömstyrka som överstiger 1 A. Anm. 1: I avsnitt 3A001.h inbegriper repetitiv toppspänning i frånläge drain till source-spänning, collector till emitter-spänning, repetitiv toppbackspänning och repetitiv toppblockeringsspänning i frånläge. Anm. 2: Avsnitt 3A001.h omfattar följande: JFE-transistorer (Junction Field Effect Transistors) VJFE-transistorer (Vertical Junction Field Effect Transistors) MOSFE-transistorer (Field Effect Transistors) DMOSFE-transistorer (Field Effect Transistors) IGB-transistorer (Insulated ) HEM-transistorer (High Electron Mobility Transistors) BJ-transistorer (Bipolar Junction Transistors) Tyristorer och kiselstyrda likriktare (SRC) ETO-tyristorer (Emitter Turn-off Thyristors) L 134/132 Europeiska unionens officiella tidning h) (forts.) Anm. 3: Avsnitt 3A001.h omfattar inte effektomriktare, dioder eller moduler som ingår i utrustning som är utformad för civila motorfordonstillämpningar, civila järnvägstillämpningar eller civila luftfartygs-tillämpningar. En modul i avsnitt 3A001.h innehåller en eller flera effektomriktande halvledare eller dioder. 3A002 Elektronisk utrustning med allmän användning och tillbehör till sådan utrustning, enligt följande: a)Följande inspelningsutrustning samt till dessa utrustningar speciellt konstruerade testband: 1.Analoga magnetiska instrumentbandspelare, inklusive sådana som tillåter inspelning av digitala sig naler (t.ex. genom att använda digitala moduler (HDDR) för hög packningstäthet) som har någon av följande egenskaper: a)En bandbredd som överstiger per elektronisk kanal eller spår, b)en bandbredd som överstiger per elektronisk kanal eller spår om utrustningen har mer än 42 spår, eller c)ett tidsförskjutnings(bas)-fel, mätt enligt tillämpliga IRIG- eller EIA-dokument, som är mindre än ± 0,1 μs. Anm.: Analoga magnetiska bandspelare speciellt konstruerade för civilt bruk ska inte betraktas som instrumentbandspelare. 2.Digitala magnetiska videobandspelare som har en maximal digital överföringshastighet som över stiger /s. Anm.: Avsnitt 3A002.a.2 omfattar inte sådana digitala magnetiska videobandspelare som är speciellt kon struerade för TV-inspelningar i signalformat, som kan omfatta ett komprimerat signalformat enligt standarder eller rekommendationer från ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI eller IEEE för civila TV-tillämpningar. 3.Digitala magnetiska instrumentdatabandspelare som har fast eller roterande huvud och som har någon av följande egenskaper: a)En maximal digital interfaceöverföringshastighet som överstiger /s, eller b)som är rymdkvalificerade. Anm.: Avsnitt 3A002.a.3 omfattar inte analoga magnetiska bandspelare som är utrustade med HDDR omvandlingselektronik och utformade för att endast spela in digitala data. 4.Utrustning med en maximal digital interfaceöverföringshastighet som överstiger /s, och som är konstruerad för att omvandla digitala magnetiska videobandspelare till digitala instrumentdatabandspelare. 5.Utrustning för digitalisering av vågformer samt utrustning för registrering av transienter (transient recorders), med följande egenskaper: a)Digitaliseringshastigheten är lika med eller bättre än 200 miljoner samplingar och en upplösning på 10 bitar eller mer, och b)en kontinuerlig kapacitet på 2 Gbit/s eller mer. Europeiska unionens officiella tidning L 134/133 a) 5. 1.För sådana instrument, som är uppbyggda med en parallell bussarkitektur, är den kontinuerliga kapa citeten lika med högsta ordhastigheten multiplicerat med antalet bitar i ordet. 2.Kontinuerlig kapacitet är den högsta datahastigheten som instrumentet kontinuerligt kan förse ett mass minne med information utan att någon information går förlorad med bibehållen samplingsfrekvens och analog-till-digital konvertering. 6.Digital instrumentdataupptagningsutrustning som använder teknik för lagring av data på magnet skivor och har båda följande egenskaper: a)Digitaliseringshastighet på miljoner samplingar och en upplösning på 8 bitar eller mer, och b)en kontinuerlig kapacitet på 1 Gbit/s eller mer. b)Frekvenssyntesutrustningar elektroniska sammansättningar som har för att byta frekvens från en vald frekvens till en annan som understiger 1 ms. Anm.: Kontrollstatusen för signalanalysatorer, signalgeneratorer, nätverksanalysatorer och testmottagare för mik rovåg som självständiga instrument bestäms av avsnitt 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e respektive 3A002.f. c)Radiofrekvens-signalanalysatorer enligt följande: Signalanalysatorer som kan analysera frekvenser över 31,8 GHz men som inte överstiger 37,5 GHz och som har en upplösningsbandbredd (RBW) på som överstiger . 2.Signalanalysatorer som kan analysera frekvenser över 43,5 GHz. 3.Dynamiska signalanalysatorer med en realtidsbandbredd som överstiger 500 kHz. Anm.: Avsnitt 3A002.c.3 omfattar inte de dynamiska signalanalysatorer som endast använder filter som har en procentuell bandbredd (kallas även oktavfilter eller filter för del av en oktav). d)Signalgeneratorer där utgångssignalen genereras genom frekvenssyntes, där noggrannheten, kort- och långtidsstabiliteten kontrolleras från, avleds från eller korrigeras av en intern masterreferensoscillator och som har någon av följande egenskaper: 1.En maximal syntetiskt erhållen frekvens som överstiger 31,8 GHz men inte 43,5 GHz, och som är specificerade för att alstra en pulslängd på mindre än 100 ns. 2.En maximal syntetiskt erhållen frekvens som överstiger 43,5 GHz. 3.En tid för att byta frekvens från en vald frekvens till en annan enligt något av följande: a)Mindre än 312 ps. b)Mindre än 100 μs för ett frekvensbyte som överstiger 1,6 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 3,2 GHz men inte 10,6 GHz. c)Mindre än 250 μs för ett frekvensbyte som överstiger inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 10,6 GHz men inte 31,8 GHz. d)Mindre än 500 μs för ett frekvensbyte som överstiger inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 31,8 GHz men inte 43,5 GHz. e)Mindre än 1 ms inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 43,5 GHz. L 134/134 Europeiska unionens officiella tidning d) (forts.) 4.En maximal syntetiskt erhållen frekvens som överstiger 3,2 GHz och som har båda följande egenskaper: a)Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(126 + 20log10F 20log10f) för < F < 10 kHz. b)Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(114 + 20log10F 20log10f) för 10 kHz = F < 500 kHz. I avsnitt 3A002.d.4 är F frekvensförskjutningen från arbetsfrekvensen i Hz och f är arbetsfrekvensen i MHz. Anm. 1: I avsnitt 3A002.d inkluderar signalgeneratorer där utgångssignalen genereras genom frekvenssyntes även godtyckliga vågforms- och funktionsgeneratorer. Anm. 2: Avsnitt 3A002.d omfattar inte utrustningar där utgångsfrekvensen produceras antingen genom addi tion eller subtraktion av två eller flera frekvenser från kristalloscillatorer eller genom en addition eller sub traktion följd av en multiplikation av resultatet. 1.Godtyckliga vågforms- och funktionsgeneratorer specificeras normalt genom samplingshastigheten (t.ex. Gsampling/s), som omvandlas till radiofrekvensområdet genom två. En godtycklig vågform på 1 Gsampling/s har således en direkt utgångskapacitet på . När översampling används är den direkta utgångskapaciteten emellertid proportionellt lägre. 2.Med pulslängd avses i avsnitt 3A002.d.1 den tid som förflyter mellan det att pulsens framkant uppnår av toppeffekten och dess bakkant uppnår av toppeffekten. e)Nätverksanalysatorer med en maximal arbetsfrekvens som överstiger 43,5 GHz. f)Testmottagare för mikrovåg som har alla följande egenskaper: 1.En maximal arbetsfrekvens som överstiger 43,5 GHz, och 2.kan mäta amplitud och fas simultant. g)Atomfrekvensstandarder som har någon av följande egenskaper: 2.Icke-rubidium och med en långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 1011/månad. 3.Icke-rymdkvalificerade och med följande egenskaper: a)En rubidiumstandard. b)Långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 1011/månad. c)En total effektförbrukning som understiger 1 W. 3A003 Värmestyrningssystem för kallsprutning som använder en sluten slinga med inkapslad vätskehanterings- och rekonditioneringsutrustning där en dielektrisk vätska sprutas in i den elektroniska komponenten med hjälp av särskilt konstruerade sprutmunstycken som är konstruerade för att hålla de elektroniska komponenterna inom respektive temperaturområde, och särskilt konstruerade komponenter till dessa. 3A101 Elektroniska utrustningar, enheter och komponenter, andra än de som omfattas av avsnitt 3A001, enligt följande: a)Analog-till-digitalomvandlare, användbara i missiler, konstruerade för att uppfylla militära krav för mil jötålig utrustning. b)Radiografisk utrustning (acceleratorer) i stånd att alstra elektromagnetisk strålning framkallad av broms strålning från accelererade elektroner på 2 MeV eller mer, samt system som innehåller denna radiogra fiska utrustning (accelerators). Anm.: Avsnitt 3A101.b omfattar inte utrustning som är specifikt utformad för medicinska ändamål. Europeiska unionens officiella tidning L 134/135 3A102 Termiska batterier som är utformade eller modifierade för missiler. 1.Med termiska batterier avses i avsnitt 3A102 engångsbatterier som innehåller ett fast icke-ledande oorganiskt salt som elektrolyt. Dessa batterier innehåller ett pyrotekniskt material som när det antänds smälter elektrolyten och akti verar batteriet. 2.Med missil avses i avsnitt 3A102 kompletta raketsystem och system för obemannade luftfarkoster med en räck vidd som överstiger . 3A201 Elektroniska komponenter som inte omfattas av avsnitt 3A001, enligt följande: a)Kondensatorer som har någon av följande uppsättning egenskaper: 1.a) Märkspänning större än 1,4 kV, b)energiinnehåll större än 10 J, c)kapacitans större än 0,5 µF, och d)serieinduktans mindre än 50 nH, eller 2.a) märkspänning större än 750 V, b)kapacitans större än 0,25 µF, och c)serieinduktans mindre än 10 nH. b)Elektromagneter med supraledande solenoider och som uppfyller samtliga följande krav: 1.Kan producera magnetfält kraftigare än 2 T. 2.Längdens förhållande till innerdiametern är större än 2. 3.En inre diameter större än , och 4.ett magnetfält som är homogent, bättre än över de centrala av den inre volymen. Anm.: Avsnitt 3A201.b omfattar inte magneter som är särskilt utformade för och exporterade som del av bild system för medicinsk tillämpning baserade på kärnspinnresonans (NMR). Frasen som del av avser inte nödvändigtvis fysisk del av samma skeppning; separata skeppningar från olika källor är tillåtna, under för utsättning att ifrågavarande exportdokument tydligt anger att skeppningarna används som del av bildsystemen. c)Röntgenblixtaggregat eller pulsade elektronacceleratorer som har någon av följande uppsättning egenskaper: 1.a) En toppenergi för de accelererade elektronerna om 500 keV eller mer men mindre än 25 MeV, och b)ett godhetstal (K) lika med 0,25 eller mer, eller 2.a) en toppenergi för de accelererade elektronerna om 25 MeV eller mer, och b)en toppeffekt större än 50 MW. Anm.: Avsnitt 3A201.c omfattar inte acceleratorer som ingår som delar i apparatur utformad för annat än användning av elektronstråle eller röntgenstrålning (t.ex. elektronmikroskop) och sådana som utformats för medicinska ändamål: L 134/136 Europeiska unionens officiella tidning c) (forts.) 1.Godhetstalet (K) definieras som K = 1,7 × 103V2,65Q V är elektronernas toppenergi i millioner elektronvolt. Om pulslängden i acceleratorstrålen är kortare än eller lika med 1 µs, då är Q den totala accelererade ladd ningen i coulomb. Om strålens pulslängd är längre än 1 µs då är Q den maximala accelererade laddningen på 1 µs. Q är lika med integralen av i med avseende på t, över den tidslängd som är kortast av 1 µs eller tidslängden av pulsen (Q = idt) där i är strålströmmen i ampere och t tiden . 2.Toppeffekt = (toppspänning i volt) x (toppström i ampere). 3.I maskiner baserade på accelerations-kaviteter för mikrovågor är pulsens tidsutsträckning det mindre av 1 µs och längden av det sammanpressade (bunchade) vågpaketets varaktighet genererad av en modulatorpuls. 4.I maskiner baserade på accelerationskaviteter för mikrovågor är strålens toppström lika med medelström men under det sammanpressade (bunchade) vågpaketets varaktighet. 3A225 Frekvensomvandlare eller generatorer, andra än de som omfattas av avsnitt 0B001.b.13, som uppfyller samt liga följande villkor: a)Flerfasig utgång och som kan producera en effekt av 40 W eller mer. b)Kan arbeta inom frekvensområdet 600 till . c)Total harmonisk distorsion bättre (mindre) än . d)Frekvensstyrning bättre (lägre) än . Frekvensomvandlarna i avsnitt 3A225 benämns också med de engelska beteckningarna converters eller inverters. 3A226 Likströmsaggregat med hög effekt, andra än de som omfattas av avsnitt 0B001.j.6, och som uppfyller föl jande båda villkor: a)Kan kontinuerligt producera, , 100 V eller mer, med en utgångsström av 500 A eller mer, och b)en ström- eller spänningsstabilitet som är bättre än . 3A227 Högspänning-likströmsaggregat, andra än de som omfattas av avsnitt 0B001.j.5, och som uppfyller följande båda villkor: a)Kan kontinuerligt producera, , eller mer med en utgångsström av 1 A eller mer, och b)en ström- eller spänningsstabilitet som är bättre än . 3A228 Brytarenheter enligt följande: a)Kallkatodrör, oavsett om de är gasfyllda eller ej, vilka fungerar på liknande sätt som gnistgap, och upp fyller samtliga följande krav: 1.Har tre eller flera elektroder. 2.Anodens märkta toppspänning är minst 2,5 kV. 3.Anodens märkta toppström är minst 100 A. 4.Anodens fördröjning är högst 10 µs. Anm.: Avsnitt 3A228 omfattar krytroner och sprytroner. Europeiska unionens officiella tidning L 134/137 3A228 (forts.) b)Triggade gnistgap som uppfyller följande båda villkor: 1.En anodfördröjning om 15 µs eller mindre, och 2.en märkt toppström om minst 500 A. c)Moduler eller delsystem med en snabb slutarfunktion, andra än de som omfattas av avsnitt 3A001.g, som uppfyller samtliga följande krav: 1.Anodens märkta toppspänning är större än , 2.anodens märkta toppström minst 500 A, och 3.tillslagstiden är 1 µs eller mindre. 3A229 Pulsgeneratorer för hög strömstyrka enligt följande: ANM.: SE ÄVEN MILITÄRA FÖRTECKNINGEN. Anm. Se avsnitt 1A007.a för tändaggregat. a)Används inte. b)Moduluppbyggda elektriska pulsgeneratorer som har alla följande egenskaper: 1.Portabla, mobila eller avsedda för svåra förhållanden. 2.Inneslutna i en dammtät behållare. 3.Kapabla att leverera sin energi på mindre än 15 µs. 4.Kapabla att leverera en strömstyrka överstigande 100 A. 5.Har en stigtid som är kortare än 10 µs vid lägre belastning än 40 O. 6.Ingen dimension är större än . 7.Väger mindre än . 8.Specificerad för användning i ett brett temperaturområde 223 K ( ) till 373 K () eller specificerad som lämplig för rymdanvändning. Anm.: Avsnitt 3A229.b omfattar drivaggregat till xenonblixtar. I avsnitt 3A229.b definieras stigtid som tidsintervallet mellan och av strömamplituden när genera torn driver en resistiv last. 3A230 Snabba pulsgeneratorer som har följande två egenskaper: a)Utgående spänning högre än 6 V vid en resistiv belastning av mindre än 55 O, och b)en stigtid för pulsen som är kortare än 500 ps. I avsnitt 3A230 definieras stigtid för pulsen som tidsintervallet mellan och av spänningsamplituden. L 134/138 Europeiska unionens officiella tidning 3A231 Neutrongeneratorsystem, även rör, som har följande två egenskaper: a)Utformade för drift utan yttre vakuumsystem, och b)som använder elektrostatisk acceleration för att inducera en reaktion mellan tritium och deuterium. 3A232 Tändsystem för flerpunktständning, andra än de som omfattas av avsnitt 1A007, enligt följande: ANM.: SE ÄVEN MILITÄRA FÖRTECKNINGEN. ANM.: Se avsnitt 1A007.b för sprängkapslar. a)Används inte. b)Anordningar som, utlösta av en enda puls, använder en eller flera sprängkapslar i syfte att nästan sam tidigt initiera detonation i en sprängämnesyta över en area större än med en spridning i tänd tid över hela ytan som är mindre än 2,5 µs. Anm.: Avsnitt 3A232 omfattar inte detonatorer som endast använder primära explosiver såsom blyazid (Pb(N3)2). 3A233 Masspektrometrar, andra än de som omfattas av avsnitt 0B002.g, som kan mäta joner med en massa av 230 amu (amu = atommassenhet) eller mer och som har en upplösning bättre än 2/230, samt jonkällor till sådana, enligt följande: a)Masspektrometrar med induktivt kopplad plasmajonkälla (ICP/MS). b)Masspektrometrar med glimurladdningsjonkälla (GDMS). c)Masspektrometrar med jonkälla som bygger på termisk jonisation (). d)Masspektrometrar med jonkälla som använder indirekt upphettning (electron bombardment) och med en jonisationskammare tillverkad av, fodrad eller klädd med material som är resistenta mot UF6 (uranhexafluorid). e)Masspektrometer av molekylstråletyp, antingen 1.med en jonisationskammare gjord av, fodrad eller klädd med rostfritt stål eller molybden och som är försedd med en kylfälla för 193 K ( ) eller lägre, eller 2.med en jonisationskammare gjord av, fodrad eller klädd med material som är resistenta mot UF6. f)Masspektrometrar utrustade med jonkälla med mikrofluorering konstruerad för att användas med akti nider eller aktinidfluorider. Europeiska unionens officiella tidning L 134/139 Test-, inspektions- och produktionsutrustning Utrustning för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar spe ciellt konstruerade komponenter och tillbehör: Utrustning för epitaxiell tillväxt enligt följande: Utrustning som kan producera ett lager av ett annat material än kisel med en jämnhetsavvikelse mindre än ± över en sträcka av . Anm.: Avsnitt 3B001.a.1 omfattar utrustning för atomskiktsepitaxi (ALE). Metallorganiska kemiska förångningsreaktorer (MOCVD) speciellt konstruerade för att ge kristall tillväxt av halvledarblandningar genom kemisk reaktion mellan material enligt avsnitt 3C003 Utrustning för epitaxiell tillväxt med hjälp av molekylärstrålar och gaskällor. Utrustning för jonimplantation som har någon av följande egenskaper: En strålenergi (accelerationsspänning) som överstiger 1 MeV, är speciellt konstruerad för att optimalt kunna arbeta vid en strålenergi (accelerationsspänning) som är mindre än 2 keV, har direkt skrivmöjlighet, eller en strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-substratet. Utrustning för torr anisotropisk plasmaetsning där: Utrustningen arbetar med kassett-till-kassettmatning och slussöppning, och som har någon av föl a) Den är speciellt konstruerad för att optimalt kunna producera kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre med ± 3 sigmaprecision, eller b) den är speciellt konstruerad för att generera mindre än 0,04 partiklar/cm2 med en mätbar par tikelstorlek som är större än 0,1 µm i diameter. Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning enligt avsnitt 3B001.e, och har någon av föl a) den är speciellt konstruerad för att optimalt kunna producera kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre med ± 3 sigmaprecision, eller b) den är speciellt konstruerad för att generera mindre än 0,04 partiklar/cm2 med en mätbar par tikelstorlek som är större än 0,1 µm i diameter. Utrustning för plasmaförstärkt kemisk förångningsdeposition (CVD) enligt följande: Utrustningen arbetar med kassett-till-kassettmatning och slussöppning, och är speciellt konstru erad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvle darenheter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre. Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning som anges i avsnitt 3B001.e och konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledaren heter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre. e) Automatiskt laddningssystem för flera kammare för tillverkning av halvledare med alla följande