prop · GX03205 · 2010-04-14 00:00:00 — Anm. 3: De reaktansgaser som används i en out-of-pack-process produceras med hjälp av samma basreaktioner och parametrar som pack cementation-processen, med undantag av att substratet som ska beläggas inte är i kontakt med pulverblandningen. b)Termisk förångning fysisk förångningsdeposition (TE-PVD) är en ytbeläggningsprocess som sker i vakuum vid ett tryck som är lägre än Pa varvid en termisk energikälla används för att förånga beläggningsmaterialet. Denna pro cess resulterar i en kondensation eller en beläggning av det förångade materialet på lämpligt placerade substrat. Tillsatsen av gaser i vakuumkammaren under beläggningsprocessen för att skapa blandad beläggning är en vanlig modi fiering av denna process. Användningen av jon- eller elektronstrålar eller plasma för att aktivera eller assistera vid beläggningen är också en van lig modifikation av denna teknik. Användningen av monitorer för att under processen mäta beläggningens optiska egenskaper och tjocklek kan utgöra en del av dessa processer. Europeiska unionens officiella tidning L 134/119 Specifika TE-PVD processer är följande: 1.Elektronstråle-PVD använder en elektronstråle för att upphetta och förånga det material som ska bilda beläggningen. 2.Jonassisterad resistivt upphettad PVD arbetar med elektroresistiva värmekällor i kombination med direkt inver kan från jonstrålar för att producera ett kontrollerat och likformigt flöde av de förångade beläggningsmaterialen. 3.Laserförångning använder antingen pulsade eller kontinuerliga laservågor för att förånga det material som ska bilda beläggning. 4.Katodstrålebeläggning arbetar med en katod av det material som ska bilda beläggning, varvid katoden förbrukas, och vid katoden uppstår en gnisturladdning på ytan genom en kortvarig jordkontakt med hjälp av en trigger. En styrd rörelse av gnistan urholkar katodytan och skapar ett kraftigt joniserat plasma. Anoden kan antingen vara en kon fastsatt till katodens periferi, med hjälp av isolatorer, eller till kammaren. Substratet förspänns så att icke- synlig beläggning kan ske. Anm.: Denna definition omfattar inte slumpmässig katodstrålebeläggning utan förspänt substrat. 5.Jonplätering är en speciell modifikation av den vanliga TE-PVD-processen, varvid ett plasma eller en jonkälla används för att jonisera de ämnen som ska användas för beläggning, och en negativ förspänning läggs på sub stratet för att underlätta extraktionen av de ämnen som ska deponeras från plasman. Införandet av reaktiva ämnen, förångning av fasta material i kammaren samt användning av monitorer för att under processen mäta belägg ningens optiska egenskaper och tjocklek är vanliga modifieringar av denna process. c)Pack Cementation är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess varvid substratet packas in i en pulverblandning (pack) som består av 1.metallpulver som ska utgöra beläggningen (vanligtvis aluminium, krom, kisel eller kombinationer av dessa), 2.en aktivator (vanligtvis ett halogent salt), och 3.ett ballastpulver, oftast aluminium. Substratet och pulverblandningen placeras i en retort som upphettas till en temperatur mellan 1 030 K () och 1 375 K (1 ) i tillräckligt för att beläggningen ska ske. d)Plasmasprutning är en ytbehandlingsprocess i vilken en kanon (blåslampa), som producerar och styr ett plasma tar emot pulver eller tråd av beläggningsmaterialet, smälter det och skjuter det mot ett substrat, varpå en integrerad sam manfogning sker. Plasmasprutning kan antingen ske som lågtryckssprutning eller höghastighetssprutning. Anm. 1: Med lågtryck avses lägre tryck än omgivande atmosfärtryck. Anm. 2: Med höghastighet avses en gashastighet vid sprutmunstycket som överskrider beräknat vid 293 K () och 0,1 MPa. e)Målningsbeläggning är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess i vilken ett metalliskt eller kera miskt pulver med ett organiskt bindemedel uppslammas i en vätska och appliceras på ett substrat genom antingen sprutning, doppning eller målning, med påföljande luft- eller ugnstorkning, samt värmebehandling för att uppnå öns kad beläggning. f)Sputteringbeläggning är en överlagringsbeläggningsprocess som baseras på impulsöverföringsfenomen, varvid posi tiva joner accelereras av ett elektriskt fält mot ytan av ett mål (beläggningsmaterialet). Den kinetiska energin hos de lad dade jonerna är tillräcklig för att atomer från ytan ska frigöras och beläggas på det lämpligt placerade substratet. Anm. 1: Tabellen hänvisar endast till triod-, magnetron- eller reaktiv sputteringbeläggning som används för att öka vidhäft ningen av beläggningen samt radiofrekvent (RF)-förstärkt sputteringbeläggning som används för att tillåta förångning i icke metalliska beläggningsmaterial. Anm. 2: Lågenergijonstrålar (mindre än 5 keV) kan användas för att aktivera beläggningen. g)Jonimplantation är en ytförändringsbeläggningsprocess i vilken det ämne som ska legeras joniseras, accelereras genom en potentialgradient och förs in till ytregionen för substratet. Detta inbegriper processer där jonimplantationen sker med fysisk förångningsdeposition med elektronstråle eller sputteringbeläggning. Europeiska unionens officiella tidning L 134/121 Europeiska unionens officiella tidning L 134/123 System, utrustningar och komponenter Anm. 1: Kontrollstatusen för den utrustning och de komponenter som beskrivs i avsnitten 3A001 eller 3A002, för utom för de som beskrivs i avsnitten 3A001.a.33A001.a.10 eller 3A001.a.12, och som är speciellt kon struerade för eller som har samma funktionella egenskaper som annan utrustning, bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus. Anm. 2: Kontrollstatusen för de integrerade kretsar som beskrivs i avsnitten 3A001.a.33A001.a.9 eller 3A001.a.12, och som är icke föränderligt programmerade till eller konstruerade för en speciell funktion för en annan utrust ning bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus. ANM.: Om en tillverkare eller sökande inte kan avgöra den andra utrustningens kontrollstatus, bestäms de integrerade kretsarnas kontrollstatus av avsnitten 3A001.a.33A001.a.9 och 3A001.a.12. 3A001 Elektroniska komponenter och speciellt konstruerade komponenter till dessa, enligt följande: a)Integrerade kretsar för allmänna ändamål, enligt följande: Anm. 1: Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedö mas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a. Anm. 2: Integrerade kretsar omfattar följande typer: Monolitiska integrerade kretsar. Integrerade kretsar av filmtyp inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir. Optiska integrerade kretsar. 1.Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt någon av följande parametrar: a)En total dos om minst 5 × 103 Gy (kisel), b)en dosratsändring genom störning om minst 5 × 106 Gy (kisel)/s, eller c)en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material. Anm.: 3A001 a.1 c gäller inte för halvledare av metallisolatortyp (). 2.Mikroprocessor-mikrokretsar, mikrodator-mikrokretsar, mikrocontroller-mikrokretsar, integre rade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till digital omvandlare, digital-till- analog-omvandlare, elektro-optiska eller optiska integrerade kretsar för signalbehandling, fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Fast Fourier-transformation (FFT), elektriskt raderbara PROM-minnen (EEPROM), flash-minnen eller statiska (SRAM) med någon av följande egenskaper: a)Specificerade för drift i omgivningstemperaturer över 398 K (). b)Specificerade för drift i omgivningstemperaturer under 218 K ( ). c) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer inkluderande hela intervallet från 218 K ( ) till och med 398 K (). Anm.: Avsnitt 3A001.a.2 gäller inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil- eller tågapplikationer. L 134/124 Europeiska unionens officiella tidning a) (forts.) 3.Mikroprocessor-mikrokretsar, mikrodator-mikrokretsar och mikrocontroller-mikrokretsar till verkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger . Anm.: Avsnitt 3A001.a.3 omfattar digitala signalprocessorer, digitala matrisprocessorer (array processors) och digitala hjälpprocessorer (coprocessors). 4.Integrerade minneskretsar som tillverkats av en sammansatt halvledare. 5.Integrerade kretsar för analog-till-digital- och digital-till-analog-omvandlare enligt följande: a)Analog-till-digital-omvandlare som har någon av följande egenskaper: ANM.: SE ÄVEN AVSNITT 3A101. 1.En upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar, med en dataöverföringshas tighet som är högre än 500 miljoner ord , 2.en upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar med en dataöverförings hastighet som är högre än 200 miljoner ord , 3.en upplösning på 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 105 miljo ner ord , 4.en upplösning på mer än 12 bitar, men högst 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 10 miljoner ord , eller 5.en upplösning på mer än 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än miljoner ord . b)Digital-till-analog-omvandlare med en upplösning på 12 bitar eller mer och en inställnings tid som är kortare än 10 ns. 1.En upplösning på n bitar motsvarar en kvantisering av 2n nivåer. 2.Antalet bitar i utdataord är lika med upplösningen i analog-till-digital-omvandlaren. 3.Dataöverföringshastigheten är omvandlarens maximala dataöverföringshastighet, oavsett arkitektur eller översampling. Säljare kan även med dataöverföringshastighet mena samplingshastigheten, omvandlings hastigheten eller kapaciteten. Den anges ofta i megahertz (MHz) eller miljoner sampel (Msps). 4.I syfte att mäta överföringshastigheten motsvarar ett utdataord en hertz eller ett sampel . 6.Elektro-optiska eller optiska integrerade kretsar för signalbehandling som har alla följande egenskaper: a)En eller flera interna laser-dioder, b)en eller flera interna ljusdetekterande element, och c)optiska vågledare. Europeiska unionens officiella tidning L 134/125 a) (forts.) Fältprogrammerbara logiska komponenter med något av följande: a) Det maximala antalet digitala inmatningar/utmatningar överstiger 200. b) Antalet systemgrindar överstiger 230 000. Anm.: Avsnitt 3A001.a.7 omfattar följande: Enkla programmerbara logiska komponenter (SPLD) Komplexa programmerbara logiska komponenter (CPLD) Fältprogrammerbara grindmatriser (FPGA) Fältprogrammerbara logiska matriser (FPLA) Fältprogrammerbara kopplingar (FPIC) 1.Fältprogrammerbara logiska komponenter betecknas även fältprogrammerbara grindmatriser eller fält programmerbara logiska matriser. 2.Det maximala antalet digitala inmatningar/utmatningar i avsnitt 3A001.a.7.a betecknas också det maximala antalet inmatningar/utmatningar för användaren eller det maximala antalet tillgängliga inmatningar/utmatningar, oavsett om den integrerade kretsen är inkapslad eller ej. 9.Integrerade kretsar för neurala nätverk. 10.Kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kretstillverkaren saknar uppgift om kontrollstatusen hos den utrustning där kretsarna ska ingå och där något av föl jande villkor är uppfyllt: a)Fler än 1 500 anslutningar, b)den typiska grindfördröjningstiden är kortare än 0,02 ns, eller c)arbetsfrekvensen överstiger 3 GHz. 11.Andra digitala kretsar än de som beskrivits i avsnitten 3A001.a.33A001.a.10 och 3A001.a.12 och som baseras på en blandning av halvledarmaterial, med något av följande: a)Ett antal grindekvivalenter som är större än 3 000 (grindar med 2 ingångar), eller b)en vippfrekvens som överstiger 1,2 GHz. 12.Processorer för Fast Fourier Transform (FFT) och som har en specificerad verkställighetstid som är mindre än (N log2 N)/20 480 ms för en N-punkters komplex FFT, där N är antalet punkter. När N är lika med 1 024 punkter ger formeln i 3A001.a.12 en verkställighetstid på 500 µs. b)Mikrovåg- eller millimetervågutrustning, enligt följande: 1.Elektroniska vakuumrör och katoder enligt följande: Anm. 1: Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte sådana rör som är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband och som uppfyller följande: a)De överstiger inte 31,8 GHz, och b)de är tilldelade av ITU för radiokommunikationstjänster, men inte för radiobestämning. Anm. 2: Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte icke-rymdkvalificerade rör som uppfyller följande: a)De har en genomsnittlig utgångseffekt på högst 50 W, och b)de är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband som har alla följande egenskaper: 1.De överstiger 31,8 GHz, men överstiger inte 43,5 GHz, och 2.de är tilldelade av ITU för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. L 134/126 Europeiska unionens officiella tidning 3A001 b) 1. a)Vandringsvågrör, för pulsad eller kontinuerlig drift, enligt följande: 1.Rör som kan arbeta vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz. 2.Rör som har en katodupphettning som möjliggör full högfrekvensdrift än 3 s efter tillslag. 3.Rör som har kopplade kaviteter eller är utvecklingar av sådana rör med en relativ band bredd som är större än eller en toppeffekt som överskrider 2,5 kW. 4.Helix-rör, eller utvecklingar av dessa, som uppfyller något av följande: a)De har en effektbandbredd som är mer än en oktav och produkten av den speci ficerade genomsnittliga uteffekten (uttryckt i kW) och den högsta arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 0,5, b)de har en effektbandbredd som är en oktav eller mindre, och produkten av den specificerade uteffekten (uttryckt i kW) och den maximala specificerade arbetsfrek (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 1, eller c)de är rymdkvalificerade. b)Korsfältsförstärkarrör med en förstärkning på mer än . c)Impregnerade katoder till elektronrör som producerar en kontinuerlig emissionsströmtäthet på mer än 5 A/cm2. 2.Effektförstärkare för monolitiska integrerade kretsar som arbetar inom mikrovågsområdet (MMIC- effektförstärkare) som uppfyller något av följande: a)De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genom snittlig utgångseffekt som överstiger 4W (36 dBm) och med en relativ bandbredd som över stiger . b)De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 16 GHz, med en genom snittlig utgångseffekt som överstiger 1W (30 dBm) och med en relativ bandbredd som över stiger . c)De är specificerade för frekvenser som överstiger 16 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genom snittlig utgångseffekt som överstiger 0,8W (29 dBm) och med en relativ bandbredd som överstiger . d)De är specificerade för frekvenser som överstiger 31,8 GHz, men inte 37,5 GHz. e)De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 0,25W (24 dBm) och med en relativ bandbredd som överstiger . f)De är specificerade för frekvenser som överstiger 43,5 GHz. Anm. 1: Avsnitt 3A001.b.2 omfattar inte satellitrundradioutrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensområdet 40,5 till 42,5 GHz. Anm. 2: Kontrollstatusen för MMIC vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frek vensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.2.a-3A001.b.2.f, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt. Anm. 3: Anm. 1 och 2 i inledningen till kategori 3 anger att avsnitt 3A001.b.2 inte omfattar MMIC som speciellt är konstruerade för andra tillämpningar, t.ex. telekommunikation, radar och bilar. 3.Diskreta mikrovågstransistorer som uppfyller något av följande villkor: a)De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genom snittlig utgångseffekt som överstiger (47,8 dBm). Europeiska unionens officiella tidning L 134/127 3A001 b) 3. b)De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genom snittlig utgångseffekt som överstiger 20 W (43 dBm). c)De är specificerade för frekvenser som överstiger 31,8 GHz, men inte 37,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 0,5 W (27 dBm). d)De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 1 W (30 dBm). e)De är specificerade för frekvenser som överstiger 43,5 GHz. Anm.: Kontrollstatusen för transistorer vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frek vensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.3.a-3A001.b.3.e, bestäms genom angivna para metrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt. 4.Halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och mikrovågsutrustningar/moduler som innehåller halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare, med någon av följande egenskaper: a)De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genom snittlig utgångseffekt som överstiger 60W (47,8 dBm) och med en relativ bandbredd som överstiger . b)De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genom snittlig utgångseffekt som överstiger 15W (42 dBm) och med en relativ bandbredd som över stiger . c)De är specificerade för frekvenser som överstiger 31,8 GHz, men inte 37,5 GHz. d)De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 1W (30 dBm) och med en relativ bandbredd som överstiger . e)De är specificerade för frekvenser som överstiger 43,5 GHz. f)De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz och uppfyller samtliga av följande villkor: 1.De har en genomsnittligt utgångseffekt (i watt), P, större än 150 dividerat med en maxi mal arbetsfrekvens (i GHz) i kvadrat [P>150 W*GHz2/f GHz2]. 2.De har en relativ bandbredd på eller mer. 3.Två av sidorna är vinkelräta med en längd, d, (i cm) som är lika med eller mindre än 15 dividerat med den lägsta arbetsfrekvensen i GHz [d = × GHz/fGHz]. den lägsta arbetsfrekvensen (fGHz) i formeln i avsnitt specificerad arbetsfrekvens som sträcker sig ner till 3,2 [d = × GHz/3,2 GHz]. ANM.: MMIC-effektförstärkare ska bedömas mot bakgrund av kriterierna i avsnitt 3A001.b.2. Anm. 1: Avsnitt 3A001.b.4 omfattar inte satellitrundradioutrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensområdet 40,5 till 42,5 GHz. Anm. 2: Kontrollstatusen för en produkt vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.4.a-3A001.b.4.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt. L 134/128 Europeiska unionens officiella tidning b) (forts.) 5.Elektroniskt eller magnetiskt avstämbara bandpass- eller bandstoppfilter, som har mer än 5 avstäm bara resonatorer och som kan avstämmas inom ett frekvensband fmax/fmin = 1,5:1 på mindre än 10 μs, och som har något av följande: a)En bandbredd på av mittfrekvensen för bandpassfiltret, eller b)en bandbredd på av mittfrekvensen för bandstoppfiltret. 7.Omvandlare och harmoniska blandare som är konstruerade för att utöka frekvensområdet för utrustning som beskrivs i avsnitt 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e eller 3A002.f utanför vad som stad gas i dessa avsnitt. 8.Effektförstärkare för mikrovåg som innehåller rör som omfattas av avsnitt 3A001.b.1 och som har alla följande egenskaper: a)Arbetsfrekvensen är över 3 GHz, b)ett genomsnittligt förhållande mellan effekttäthet och massa som överstiger /kg, och c)en volym som är mindre än . Anm.: Avsnitt 3A001.b.8 omfattar inte utrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frek vensband som är tilldelade av ITU för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. 9.Effektmoduler för mikrovåg (MPM) som består av åtminstone ett vandringsvågrör, en monolitisk integrerad krets för mikrovåg och en integrerad elektronisk effektkonditionerare och som har föl jande egenskaper: a)En tillslagstid från avstängd till full drift som är , b)En volym som understiger den maximala specificerade effekten i W multiplicerad med 10cm3/W, och c)En effektbandbredd som överstiger 1 oktav (fmax > 2fmin) och som har något av följande: 1.För frekvenser som är högst 18 GHz, en utgångseffekt i radiofrekvensområdet som över stiger 100 W, eller 2.en frekvens som överstiger 18 GHz. 1.För beräkning av volymen i avsnitt 3A001.b.9.b ges följande exempel: För en maximal specificerad effekt på 20 W blir volymen 20 W × /W = . 2.Tillslagstiden i avsnitt 3A001.b.9.a avser tiden från helt avstängd till full drift, dvs. inklusive upp värmningstiden för MPM. 10.Oscillatorer eller sammansättningar av oscillatorer som konstruerats för att användas med båda föl jande egenskaper: a)Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(126 + 20log10F 20log10f) för < F < 10 kHz. b)Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(114 + 20log10F 20log10f) för 10 kHz = F < 500 kHz. I avsnitt 3A001.b.10 är F frekvensförskjutningen från arbetsfrekvensen i Hz och f är arbetsfrekvensen i MHz. Europeiska unionens officiella tidning L 134/129 3A001 (forts.) c)Anordningar för akustiska vågor, enligt följande, och speciellt konstruerade komponenter till dessa: 1.Anordningar för akustiska ytvågor samt för akustiska vågor nära ytan (shallow bulk) som har någon av följande egenskaper: a)Bärfrekvensen överstiger 6 GHz. b)Bärfrekvensen överstiger 1 GHz, men inte 6 GHz, och de har någon av följande egenskaper: 1.Frekvensundertryckningen av sidloben överstiger , 2.produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i µs och bandbredd i MHz) överstiger 100, 3.bandbredden överstiger , eller 4.dispersionsfördröjningen är mer än 10 µs. c)Bärfrekvensen är 1 GHz eller lägre och den har någon av följande egenskaper: 1.Produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i µs och bandbredd i MHz) överstiger 100, 2.dispersionsfördröjningen är mer än 10 µs, eller 3.frekvensundertryckningen av sidloben överstiger och bandbredden är större än , Teknisk anm.: Frekvensundertryckningen av sidloben är det maximala undertryckningsvärde som anges i databladet. 2.Anordningar för s.k. bulk-vågor som direkt kan behandla signaler med frekvenser som överstiger 2,6 GHz. 3.Akustisk-optiska anordningar för signalbehandling som medger ömsesidig påverkan mellan akus tiska vågor (s.k. bulk-vågor eller ytvågor) och ljusvågor och som tillåter direkt signal- eller bildbe handling, inklusive spektralanalys, korrelation och convolution. Anm.: Avsnitt 3A001.c omfattar inte anordningar för akustiska vågor som begränsas till enkelbandpass-, lågpass-, högpass- eller notch-filtrering eller resonansfunktion. d)Elektroniska enheter och kretsar som innehåller komponenter tillverkade av supraledande material, spe ciellt konstruerade för drift vid temperaturer under den kritiska temperaturen för åtminstone en av dess supraledande beståndsdelar, och som är försedda med något av följande: 1.Strömomkoppling i digitala kretsar med användning av supraledande grindar och där produkten av grindfördröjningstiden per grind () och effektförlusten per grind (i watt) är mindre än 1014 J, eller 2.frekvensval för alla frekvenser med användning av resonanskretsar med Q-värden som överstiger 10 000. e)Högenergienheter enligt följande: 1.Celler enligt följande: a)Primärceller som har en energitäthet som överstiger 550 Wh/kg . b)Sekundärceller som har en energitäthet som överstiger 250 Wh/kg. 1.I avsnitt 3A001.e.1 beräknas energitäthet (Wh/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den nominella kapaciteten i amperetimmar (Ah) dividerat med massan i kg. Om den nominella kapaciteten inte är specificerad beräknas energitätheten utifrån den nominella spänningen i kvadrat mul tiplicerad med urladdningstiden i timmar dividerat med urladdningsbelastningen i ohm och massan i kg.