Chang-Su/ko-wiki-250611 huggingface dataset:
기술 결정론

이전의 1차 시스템인 구어에 의존하는 쓰기는 의도된 정보를 전달하기 위해 순전히 시각적 감각에 의존하기 때문에 언어의 잠재력을 조작한다. 더욱이, 문해의 다소 정체된 기술은 지식의 사용과 영향력을 명확히 제한하며, 이는 사회의 진화에 의심의 여지 없이 영향을 미친다. 실제로 옹은 "다른 어떤 단일 발명보다도 쓰기는 인간 의식을 변화시켰다"(Ong 1982: 78)고 주장한다. 기술 결정론의 한 형태로서의 미디어 결정론. 미디어 결정론은 기술 결정론의 한 형태로, 미디어가 사회에 영향을 미치는 힘을 주장하는 철학적, 사회학적 입장이다. 미디어 결정론의 두 가지 기본적인 인물은 캐나다 학자인 해럴드 이니스와 마셜 매클루언이다. 미디어 이론에서 기술 결정론의 가장 좋은 예 중 하나는 마셜 매클루언의 이론 "미디어는 메시지다"와 그의 스승인 해럴드 아담스 인니스의 아이디어이다. 이 두 캐나다 이론가들은 미디어를 문명의 본질로 보았다. 매클루언 등이 특정 정신적 결과와 다른 미디어를 연관시키는 것은 기술 결정론과 관련이 있다고 볼 수 있다. 이러한 다양한 결정론을 미디어 결정론이라고 부른다. 매클루언에 따르면, 통신 미디어/기술과 언어 사이에는 연관성이 있다. 마찬가지로 벤저민 리 워프는 언어가 생각에 대한 우리의 인식을 형성한다고 주장한다 (언어 결정론). 매클루언에게 미디어는 더 일반적인 개념인 언어보다 더 강력하고 명시적인 결정 요인이다. 매클루언은 반드시 경성 결정론자는 아니었다. 미디어 결정론의 더 온건한 버전으로서 그는 특정 미디어의 사용이 우리에게 미묘한 영향을 미칠 수 있지만, 더 중요한 것은 사용의 사회적 맥락이 중요하다고 제안했다. 미디어 생태학도 참고하라.
기술 결정론

미디어 결정론은 기술과 사회의 관계에 대한 인기 있는 지배적 이론의 한 형태이다. 결정론적 관점에서 기술은 자체적으로 활동적인 삶을 가지며 사회 현상의 동인으로 여겨진다. 인니스는 각 역사 시대의 사회, 문화, 정치, 경제 발달이 그 시대의 대중 통신 수단 기술과 직접적으로 관련될 수 있다고 믿었다. 이러한 의미에서 프랑켄슈타인의 괴물처럼 기술 자체는 살아 있는 것처럼 보이거나 적어도 인간 행동을 형성할 수 있는 능력을 가지고 있는 것처럼 보인다. 그러나 학자들에 의해 비판적인 검토가 점점 더 많이 이루어지고 있다. 예를 들어 학자 레이먼드 윌리엄스는 미디어 결정론을 비판하며 사회 운동이 기술 및 미디어 과정을 정의한다고 믿는다. 통신 미디어와 관련하여 청중 결정론은 미디어 결정론과 반대되는 관점이다. 이것은 미디어가 사람들에게 어떤 일을 하는 것으로 제시되는 대신, 사람들이 미디어를 가지고 어떤 일을 하는 방식에 초점을 맞춘다고 설명된다. 개인은 "결정론적"이라는 용어가 많은 사회 과학자와 현대 사회학자에게 부정적인 용어라는 것을 알아야 한다. 특히 그들은 종종 이 단어를 비난의 용어로 사용한다.
제95회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제95회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 95번째 시즌이다.
제97회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제97회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 97번째 시즌이다.
제98회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회

제98회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 JFA 전일본 축구선수권대회의 98번째 시즌이다.
제101회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회

제101회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 JFA 전일본 축구선수권대회의 101번째 시즌이다.
제102회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회

제102회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 JFA 전일본 축구선수권대회의 102번째 시즌이다.
제103회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회

제103회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 JFA 전일본 축구선수권대회의 103번째 시즌이다.
지카촌

지카촌()은 일본 사가현 히가시마쓰우라군에 설치되었던 촌이다. 현재의 겐카이정의 일부에 해당한다.
제99회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회

제99회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 JFA 전일본 축구선수권대회의 99번째 시즌이다.
제100회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회

제100회 천황배 JFA 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 JFA 전일본 축구선수권대회의 100번째 시즌이다.
아리우라촌

아리우라촌()은 일본 사가현 히가시마쓰우라군에 속해있던 촌이다. 현재의 가라쓰시의 일부에 해당한다.
방판뮤직 어디든 가요

방판뮤직 어디든 가요는 한국방송공사 예능프로그램이며, 나라는 가수의 스핀오프 프로그램이다. 기획의도. 한국의 다양한 장소 및 시민들의 노래 프로그램
지분형 모기지

지분형 모기지는 대한민국에서 시행 중인 공공 주택금융 제도의 하나로, 정부나 공공기관이 주택 구입 시 일부 지분을 보유하고, 나머지를 실수요자가 부담하는 방식이다. 이 제도는 초기 주택 구매 자금 부담을 완화하고 실거주 중심의 내 집 마련을 돕기 위해 설계되었다. 개요. 지분형 모기지는 기존의 주택담보대출과 달리, 전체 주택 가격을 모두 대출받는 것이 아니라, 일정 비율의 지분을 정부가 보유하는 공동소유 구조로 운영된다. 실수요자는 본인 지분만큼 자금을 마련하고, 향후 경제적 여건에 따라 정부 지분을 순차적으로 매입할 수 있다. 2025년 기준, 수익공유형과 손익공유형으로 나뉘며, 각각 상환 방식과 금리, 지분율 조건이 다르다. 주택금융공사(HF)에서 운영 중이며, 일부 지자체 및 공공기관에서도 별도 공급이 이루어지고 있다. 신청 자격. 지분형 모기지를 신청하기 위해서는 다음과 같은 요건을 충족해야 한다.
우드워드-호프만 규칙

우드워드-호프만 규칙(Woodward–Hoffmann rules) 또는 고리형 협동반응 선택 규칙(ericyclic selection rules)은 로버트 번스 우드워드와 로알드 호프만이 유기화학에서 중요한 반응인 고리형협동반응의 특정 측면 입체화학 및 활성화 에너지를 합리화하거나 예측하기 위해 고안한 일련의 규칙이다. 이 규칙은 모든 분자 해밀토니안이 보존하는 분자의 궤도 구조의 특정 대칭에서 비롯된다. 결과적으로 대칭을 위반하는 모든 반응은 환경과 광범위하게 결합해야 한다. 이는 발생 시 에너지 장벽을 부과하며 이러한 반응을 대칭 금지라고 한다. 그 반대는 대칭 허용이다. 대칭으로 인한 장벽이 종종 엄청나게 클지라도 (금지된 [2+2] 고리형 첨가 반응의 경우 최대 약 5 eV 또는 480 kJ/mol), 금지가 절대적인 것은 아니며 다른 요인 (예: 변형 해제)이 반응을 선호하는 경우 대칭 금지 반응이 여전히 일어날 수 있다. 마찬가지로 대칭 허용 반응은 궤도 대칭과 관련 없는 요인으로 인한 극복할 수 없는 에너지 장벽으로 인해 중단될 수 있다. 알려진 모든 경우는 규칙을 피상적으로만 위반한다. 대신 메커니즘의 다른 부분은 비동기적이 되며 각 단계는 규칙을 따른다. 배경 및 용어. 고리형 협동반응은 단일 협동 및 순환 전이 상태를 통해 진행되는 유기 반응으로, 그 기하학적 구조는 (π 및 σ) 궤도의 순환적 중첩을 지속적으로 허용한다. 동일방향 회전 및 반대방향 회전이라는 용어는 고리형 전자고리 열림 및 닫힘 반응에 관련된 결합 회전의 상대적 방향을 설명한다.
우드워드-호프만 규칙

반대방향 회전 과정에서 끊어지거나 형성되는 결합의 두 끝은 반대 방향 (하나 시계 방향, 다른 하나 반시계 방향)으로 회전한다. 동일방향 회전 과정에서는 같은 방향 (둘 다 시계 방향 또는 둘 다 반시계 방향)으로 회전한다. 결국 열적으로 촉진된 고리형 협동반응은 일반적으로 전자 수와 궤도 상호작용의 위상에 따라 단일 집합의 일반화된 선택 규칙을 따른다는 사실이 인식되었다. 주요 개념인 궤도 위상 또는 면성은 단일 개념적 틀 아래 여러 종류의 고리형 협동반응을 통합하기 위해 도입되었다. 요컨대 고리형 협동반응에서 하나의 단위로 반응하는 일련의 인접한 원자 및 관련 궤도를 구성 요소라고 하며 각 구성 요소는 반응 중에 상호작용하는 궤도 엽이 절 평면의 반대 또는 같은 면에 있는지 여부에 따라 안타라 페이셜 또는 슈프라 페이셜이라고 한다. (고리형 전자고리 열림 및 닫힘에만 적용되는 오래된 용어인 동일방향 회전 및 반대방향 회전은 이 더 일반적인 분류 시스템에서 각각 안타라 페이셜 및 슈프라 페이셜 용어에 포함된다.) 역사. 우드워드와 호프만은 광범위한 궤도 중첩 계산을 수행한 후 고리형 협동반응 선택 규칙을 개발했다. 당시 우드워드는 특정 전자고리 반응이 비타민 B12 합성에 도움이 될 수 있는지 알고 싶어했다. 화학자들은 이러한 반응이 놀라운 입체특이성을 보인다는 것을 알고 있었지만, 반응이 어떤 입체 이성질체를 선택할지 예측할 수 없었다. 1965년 우드워드-호프만은 간단한 규칙 집합이 공액계 폴리엔의 열린 사슬 끝에서 가열하거나 조사했을 때 관찰된 입체특이성을 설명한다는 것을 깨달았다.
우드워드-호프만 규칙

원래 출판물에서 실험적 증거와 분자 궤도 분석을 다음과 같이 요약했다. 1969년 그들은 상관도를 사용하여 현재 그들의 이름과 관련된 일반화된 고리형 협동반응 선택 규칙을 명시했다. 즉 슈프라 페이셜 4q + 2 구성 요소의 수와 안타라 페이셜 4r 구성 요소의 합이 홀수이면 고리형 협동반응이 허용된다. 중간 4년 동안 하워드 짐머만과 마이클 J. S. 듀어는 동일하게 일반적인 개념적 틀을 제안했다. 뫼비우스-휘켈 개념, 또는 방향족 전이 상태 이론이다. 드워-짐머만 접근 방식에서 궤도 중첩 위상 (휘켈 또는 뫼비우스) 및 전자 수 (4n + 2 또는 4n)는 방향족 또는 반방향족 전이 상태를 초래한다. 한편 후쿠이 겐이치는 이러한 시스템의 경계 궤도를 분석했다. HOMO-LUMO 상호작용이 건설적인 (순 결합 상호작용을 초래하는) 과정은 유리하고 대칭 허용으로 간주되며, HOMO-LUMO 상호작용이 비건설적인 (결합 및 반결합 상호작용이 상쇄되는) 과정은 불리하고 대칭 금지로 간주된다. 개념적으로는 다르지만 방향족 전이 상태 이론 (짐머만 및 드워), 경계 분자 궤도 이론 (후쿠이) 및 궤도 대칭 보존 (우드워드 및 호프만)은 모두 동일한 예측을 한다. 우드워드-호프만 규칙은 분자궤도함수 이론의 힘을 예시하며, 실제로 궤도 분석에서 유용한 화학적 결과가 나올 수 있음을 보여주는 데 도움이 되었다. 이 발견으로 호프만과 후쿠이는 1981년 노벨 화학상을 수상했다.
우드워드-호프만 규칙

그 당시 우드워드는 사망하여 상을 받을 자격이 없었다. 예시. 사이클로뷰텐과 부타디엔 유도체의 열적 조건 (가열) 및 광화학 조건 (자외선 조사) 하에서의 상호 변환이 예시적이다. 우드워드-호프만 규칙은 고리형 협동반응의 어느 방향에도 적용된다. 사이클로뷰텐 유도체의 내재된 고리 무리 때문에 사이클로뷰텐과 1,3-부타디엔 사이의 화학 평형은 오른쪽으로 치우쳐 있다. 따라서 열적 조건 하에서 사이클로뷰텐이 1,3-부타디엔으로 고리 열림은 열역학적으로 강하게 선호된다. 다른 한편으로 자외선 조사 하에서는 특정 파장에서 정반응 및 역반응의 흡광도와 양자 수율에 모두 의존하는 조성인 광정상 상태에 도달한다. 1,3-부타디엔과 사이클로뷰텐의 공액 정도가 다르기 때문에 다른 발색단이 없는 것으로 가정하면 1,3-부타디엔만 더 높은 파장에서 상당한 흡광도를 가질 것이다. 따라서 이러한 파장에서 1,3-부타디엔을 조사하면 사이클로뷰텐으로의 높은 전환율을 얻을 수 있다. "trans"-1,2,3,4-테트라메틸-1-사이클로뷰텐 (1)의 열분해는 하나의 기하 이성질체, ("E","E")-3,4-디메틸-2,4-헥사디엔 (2)만 생성했다. 생성물 혼합물에서 ("Z","Z") 및 ("E","Z") 기하 이성질체는 검출되지 않았다. 마찬가지로 "cis"-1,2,3,4-테트라메틸-1-사이클로뷰텐 (3)의 열분해는 ("E","Z") 이성질체 4만 생성했다.
우드워드-호프만 규칙

두 고리 열림 반응 모두에서 끊어지는 σ 결합 끝의 탄소는 같은 방향으로 회전한다. 다른 한편으로 광화학 활성화 하에서는 반대 입체화학 경로가 따랐다. 관련 화합물 ("E","E")-2,4-헥사디엔 (5)이 빛에 노출되었을 때 전자고리 고리 닫힘의 결과로 "cis"-3,4-디메틸-1-사이클로뷰텐 (6)만 독점적으로 형성되었다. 이는 새로운 σ 결합을 형성하기 위해 π 시스템의 끝이 반대 방향으로 회전해야 한다. 6의 열분해는 3과 동일한 입체화학 경로를 따른다. 즉, 전자고리 고리 열림은 ("E","Z")-2,4-헥사디엔 (7)의 형성을 유도하며 5는 형성되지 않는다. 우드워드-호프만 규칙은 궤도 중첩을 통해 이러한 결과를 설명한다. 광화학적으로 유도된 부타-1,3-디엔의 전자고리 고리 닫힘의 경우 전자적 여기로 인해 formula_1가 HOMO가 되고 반응 메커니즘은 반대방향 회전이어야 한다. 반대로 아래 그림에 나타난 치환된 헥사-1,3,5-트리엔의 전자고리 고리 닫힘에서 반응은 반대방향 회전 메커니즘을 통해 진행된다. 규칙. 우드워드-호프만 규칙은 단일 문장으로 간결하게 표현할 수 있다. 바닥 상태 고리형 협동반응은 열 에너지 추가 (예: 시스템 가열, Δ로 상징됨)에 의해 발생한다. 대조적으로 들뜬 상태 고리형 협동반응은 자외선 (예: 시스템 조사, "h"ν로 상징됨)으로 활성화하여 반응물이 전자적으로 들뜬 상태로 승격되는 경우 발생한다.
우드워드-호프만 규칙

그러나 광화학적 조사 하에서 일어나는 형식적으로 고리형 협동반응의 작동 메커니즘이 이 이분법이 제안하는 것처럼 간단하거나 명확하지는 않다는 점을 인식하는 것이 중요하다. 여러 가지 전자적 여기 모드가 가능하며 전자적으로 들뜬 분자는 들뜬 상태 고리형 협동반응이 발생하기 전에 항간 시스템 전환, 비방사성 감쇠 또는 불리한 평형 기하학으로 이완될 수 있다. 따라서 조사 하에서 일어나는 많은 명백한 고리형 협동반응은 실제로 디라디칼 중간체를 포함하는 단계별 과정으로 생각된다. 그럼에도 불구하고 열적 활성화에서 광화학적 활성화로 전환할 때 고리형 협동반응 선택 규칙이 역전되는 것이 자주 관찰된다. 이는 반응물과 생성물의 첫 번째 전자 들뜬 상태의 상관 관계를 고려하여 합리화할 수 있다. 규칙이라기보다는 유용한 휴리스틱이지만 광화학적 고리형 협동반응에 대한 해당 일반화된 선택 원리는 다음과 같다. "N 전자쌍과 A 안타라 페이셜 구성 요소를 포함하는 고리형 협동반응은 N + A가 짝수인 경우 광화학적 조건 하에서 종종 선호된다." 홀수 전자를 포함하는 고리형 협동반응도 알려져 있다. 일반화된 고리형 협동반응 선택 규칙 적용에 관해서는 이러한 시스템은 일반적으로 하나 더 많은 전자가 관련된 것처럼 취급될 수 있다. 방향족 전이 상태 이론의 언어로 우드워드-호프만 규칙은 다음과 같이 다시 표현할 수 있다.
우드워드-호프만 규칙

휘켈 위상과 4n + 2 전자를 포함하는 고리형 협동반응 전이 상태 또는 뫼비우스 위상과 4n 전자를 포함하는 고리형 협동반응 전이 상태는 방향족이고 허용되는 반면, 휘켈 위상과 4n 전자를 포함하는 고리형 협동반응 전이 상태 또는 뫼비우스 위상과 4n + 2 전자를 포함하는 고리형 협동반응 전이 상태는 반방향족이고 금지된다. 상관도. 론깃-히긴스와 E. W. 아브라함슨은 우드워드-호프만 규칙이 주어진 반응의 "상관도"를 조사함으로써 가장 잘 도출될 수 있음을 보여주었다. 대칭 요소는 대칭 조작에 대해 대상이 대칭인 기준점 (보통 평면 또는 선)이다. 대칭 요소가 반응 메커니즘 (반응물, 전이 상태, 생성물) 전체에 존재하면 이를 보존된 대칭 요소라고 한다. 그런 다음 반응 전체에 걸쳐 이 요소에 대한 분자 궤도의 대칭이 보존되어야 한다. 즉, 출발 물질에서 대칭 요소에 대해 대칭적인 분자 궤도는 생성물에서 그 요소에 대해 대칭적인 궤도와 상관되어야 (변환되어야) 한다. 반대로, 보존된 대칭 요소에 대한 비대칭에 대해서도 동일한 진술이 성립한다. 분자 궤도 상관도는 대칭 보존에 기반하여 출발 물질과 생성물의 분자 궤도를 상관시킨다. "분자 궤도 상관도"로부터 반응물의 전자 상태 (즉, 바닥 상태, 들뜬 상태)를 생성물의 전자 상태와 상관시키는 "전자 상태 상관도"를 구성할 수 있다. 그런 다음 상관도를 사용하여 전이 상태 장벽의 높이를 예측할 수 있다.
우드워드-호프만 규칙

궤도 "대칭"은 궤도 및 상태 상관도를 스케치하는 도구로 사용되지만, 대칭 요소의 절대적 존재 또는 부재는 반응이 허용되는지 금지되는지 여부를 결정하는 데 중요하지 않다. 즉, 공식적으로 대칭 평면 또는 축을 방해하는 간단한 치환기 (예: 메틸 그룹)를 도입하는 것은 일반적으로 반응이 허용되는지 금지되는지 여부의 평가에 영향을 미치지 않는다. 대신 치환되지 않은 아날로그에 존재하는 대칭을 사용하여 궤도 상관도 구성을 단순화하고 계산 수행의 필요성을 피한다. 반응이 "대칭" 허용인지 금지인지 여부를 판단할 때 궤도 간의 위상 관계만 중요하다. 또한 보존된 대칭 요소가 없는 경우에도 궤도 상관 관계를 만들 수 있다 (예: 1,5-σ 트로픽 전이 및 에네 반응). 이러한 이유로 우드워드-호프만, 후쿠이, 드워-짐머만 분석은 그 적용 범위가 모두 광범위하지만, 분석하려는 반응에 따라 특정 접근 방식이 다른 접근 방식보다 적용하기 더 쉽거나 직관적일 수 있다. 전자고리 반응. 치환된 1,3-부타디엔의 전자고리 고리 닫힘을 고려하면 반응은 동일방향 회전 또는 반대방향 회전 반응 메커니즘 중 하나를 통해 진행될 수 있다. 왼쪽 그림과 같이 동일방향 회전 전이 상태에는 C2 대칭 축이 있고 반대방향 회전 전이 상태에는 σ 거울 평면 대칭이 있다. 출발 물질과 생성물의 궤도를 상관시키려면 분자 궤도가 이러한 대칭 요소에 대해 대칭인지 비대칭인지 결정해야 한다. 부타디엔의 π 시스템 분자 궤도는 오른쪽 그림에 대칭적인 대칭 요소와 함께 표시되어 있다. 다른 요소에 대해서는 비대칭이다.
우드워드-호프만 규칙

예를 들어 1,3-부타디엔의 Ψ2는 C2 축에 대해 180도 회전에 대해 대칭이며, 거울 평면 반사에 대해 비대칭이다. Ψ1 및 Ψ3는 대칭 변환 하에서 p-궤도 엽의 부호가 보존되므로 거울 평면에 대해 대칭이다. 마찬가지로 Ψ1 및 Ψ3는 회전이 p-궤도 엽의 부호를 균일하게 반전시키므로 C2 축에 대해 비대칭이다. 반대로 Ψ2 및 Ψ4는 C2 축에 대해 대칭이며 σ 거울 평면에 대해 비대칭이다. 사이클로뷰텐의 분자 궤도에 대해서도 동일한 분석을 수행할 수 있다. 각 MO에 대한 두 대칭 조작의 결과는 왼쪽 그림에 표시되어 있다. σ 및 σ* 궤도는 σ에 수직인 C2를 포함하는 평면에 완전히 놓여 있으므로 두 대칭 요소에 대해 균일하게 대칭 및 비대칭이다. 반면 π는 반사에 대해 대칭이고 회전에 대해 비대칭이며, π*는 반사에 대해 비대칭이고 회전에 대해 대칭이다. 상관선은 보존된 대칭 요소에 대해 동일한 대칭을 갖는 출발 물질과 생성물의 분자 궤도를 연결하기 위해 그려진다. 1,3-부타디엔의 동일방향 회전 4전자 전자고리 고리 닫힘의 경우 가장 낮은 분자 궤도 Ψ1는 C2 축에 대해 비대칭 (A)이다. 따라서 이 분자 궤도는 C2 축에 대해 (A)인 가장 낮은 에너지 궤도인 사이클로뷰텐의 π 궤도와 상관된다. 마찬가지로 C2 축에 대해 대칭 (S)인 Ψ2는 사이클로뷰텐의 σ와 상관된다.
우드워드-호프만 규칙

최종 두 상관 관계는 비대칭 (A) 분자 궤도 Ψ3 및 σ*와 대칭 (S) 분자 궤도 Ψ4 및 π* 사이이다. 마찬가지로 반대방향 회전 메커니즘에 대한 상관도가 존재한다. 이 메커니즘에서 전체 메커니즘에 걸쳐 지속되는 대칭 요소는 σ 거울 반사 평면이다. 여기서 1,3-부타디엔의 가장 낮은 에너지 MO Ψ1은 반사 평면에 대해 대칭이며, 따라서 사이클로뷰텐의 대칭 σ MO와 상관된다. 마찬가지로 더 높은 에너지 쌍의 대칭 분자 궤도 Ψ3와 π가 상관된다. 비대칭 분자 궤도의 경우 더 낮은 에너지 쌍 Ψ2와 π*가 상관쌍을 형성하며 Ψ4와 σ*도 마찬가지이다. 두 메커니즘을 평가하면 동일방향 회전 메커니즘이 더 낮은 장벽을 가질 것으로 예측된다. 이는 반응물의 바닥 상태 궤도 (Ψ1 및 Ψ2)에서 생성물의 바닥 상태 궤도 (σ 및 π)로 전자를 변환하기 때문이다. 반대로 반대방향 회전 메커니즘은 Ψ1 궤도를 σ 궤도로, Ψ2 궤도를 π* 궤도로 변환하도록 강제한다. 따라서 바닥 상태 Ψ2 궤도의 두 전자는 들뜬 반결합 궤도로 이동하여 사이클로뷰텐의 이중 들뜬 전자 상태를 생성한다. 이는 반응에 대한 훨씬 더 높은 전이 상태 장벽으로 이어진다. 그러나 반응이 분리된 분자 궤도 사이에서가 아니라 전자 상태 사이에서 발생하므로 최종 분석에는 상태 상관도가 포함된다. 상태 상관도는 출발 물질과 생성물의 전자 상태의 전체 대칭을 상관시킨다.
우드워드-호프만 규칙

위에서 보여진 1,3-부타디엔의 바닥 상태는 Ψ1에 2전자, Ψ2에 2전자가 있으므로 Ψ12Ψ22으로 표현된다. 상태의 전체 대칭은 이중 점유 궤도의 다중성에 대한 각 채워진 궤도의 대칭 곱이다. 따라서 Ψ1은 C2 축에 대해 비대칭이고 Ψ2는 대칭이므로 전체 상태는 A2S2으로 표현된다. 이 특정 곱이 수학적으로 전체 S인 이유를 보려면 S를 (+1), A를 (-1)로 표현할 수 있다. 이는 대칭 변환에 대해 대칭인 (즉, 변경되지 않은) 경우 p-궤도 엽의 부호가 (+1)로 곱해지고 대칭 변환에 대해 비대칭인 (즉, 반전된) 경우 (-1)로 곱해진다는 사실에서 파생된다. 따라서 A2S2=(-1)2(+1)2=+1=S이다. 첫 번째 들뜬 상태 (ES-1)는 HOMO에서 LUMO로 전자 하나가 승격되어 형성되므로 Ψ12Ψ2Ψ3로 표현된다. Ψ1은 A이고 Ψ2는 S이며 Ψ3는 A이므로 이 상태의 대칭은 A2SA=A이다.이제 생성물 사이클로뷰텐의 전자 상태를 고려하면 바닥 상태는 σ2π2으로 주어지며, 이는 대칭 S2A2=S를 갖는다. 첫 번째 들뜬 상태 (ES-1')는 다시 HOMO에서 LUMO로 전자가 승격되어 형성되므로 이 경우 σ2ππ*으로 표현된다. 이 상태의 대칭은 S2AS=A이다. 위의 MO 상관도에서 보듯이 1,3-부타디엔의 바닥 상태 Ψ12Ψ22은 사이클로뷰텐의 바닥 상태 σ2π2과 상관된다. Ψ1은 π와, Ψ2는 σ와 상관된다.
우드워드-호프만 규칙

따라서 Ψ12Ψ22을 구성하는 궤도는 동일방향 회전 메커니즘 하에서 σ2π2을 구성하는 궤도로 변환되어야 한다. 그러나 상태 ES-1은 상태 ES-1'과 상관되지 않는다. 분자 궤도가 분자 궤도 상관도에서 보이는 대칭 요구 사항 하에서 서로 변환되지 않기 때문이다. 대신 Ψ1이 π와, Ψ2가 σ와, Ψ3가 σ*와 상관되므로 상태 Ψ12Ψ2Ψ3은 π2σσ*으로 변환을 시도하는데, 이는 다른 들뜬 상태이다. 따라서 ES-1은 ES-1'보다 에너지가 더 높은 ES-2'=σπ2σ*와 상관을 시도한다. 마찬가지로 ES-1'=σ2ππ*은 ES-2=Ψ1Ψ22Ψ4와 상관을 시도한다. 이러한 상관은 피할 수 없는 교차 규칙으로 알려진 양자 역학적 규칙 때문에 실제로 발생할 수 없다. 이는 동일한 대칭의 에너지 구성이 에너지 수준 상관도에서 교차할 수 없다고 말한다. 요컨대 이는 에너지에서 충분히 가까워졌을 때 동일한 대칭 상태의 혼합으로 인해 발생한다. 따라서 대신 ES-1을 ES-1'으로 강제 변환할 때 높은 에너지 장벽이 형성된다. 아래 다이어그램에서 대칭적으로 선호되는 상관 관계는 파선으로 표시되어 있으며 굵은 곡선은 높은 에너지 장벽이 있는 실제 상관 관계를 나타낸다. 동일한 분석을 반대방향 회전 메커니즘에 적용하여 다음과 같은 상태 상관도를 만들 수 있다. 따라서 분자가 바닥 상태에 있다면 전자 장벽을 피하기 위해 동일방향 회전 메커니즘 (즉, 열 제어 하에서)을 통해 진행될 것이다.
우드워드-호프만 규칙

그러나 분자가 첫 번째 들뜬 상태에 있다면 (즉, 광화학 제어 하에서), 동일방향 회전 메커니즘에 전자 장벽이 존재하며 반응은 반대방향 회전 메커니즘을 통해 진행될 것이다. 동일방향 회전 및 반대방향 회전 메커니즘 모두 동일한 퍼텐셜 표면에 놓여 있으므로 이는 완전히 구별되지 않는다. 따라서 보다 정확한 진술은 바닥 상태 분자가 퍼텐셜 에너지 표면을 탐색할 때 동일방향 회전 메커니즘을 겪기 위한 활성화 장벽에 도달할 가능성이 더 높다는 것이다. 고리형 첨가 반응. 우드워드-호프만 규칙은 상관도를 통해 2분자 고리형 첨가 반응도 설명할 수 있다. [πp + πq] 고리형 첨가는 두 개의 구성 요소, 하나는 p π 전자, 다른 하나는 q π 전자를 가진 구성 요소를 함께 가져온다. 고리형 첨가 반응은 각 π 구성 요소에 대해 슈프라 페이셜 (s) 또는 안타라 페이셜 (a)로 더 특성화된다. (WH 표기법의 일반화된 설명은 아래 "일반 공식" 참조) [2+2] 고리형 첨가 반응. 일반적인 알켄의 경우 [2+2] 고리형 첨가는 광화학적 활성화 하에서만 관찰된다. 열적 [2+2] 고리형 첨가가 관찰되지 않는 이유는 [2+2] 고리형 첨가에 대한 네 가지 가능한 입체화학적 결과 분석에서 시작한다: [π2s + π2s], [π2a + π2s], [π2s + π2a], [π2a + π2a].
우드워드-호프만 규칙

기하학적으로 가장 그럴듯한 [π2s + π2s] 모드는 열적 조건 하에서 금지되는 반면, [π2a + π2s], [π2s + π2a] 접근 방식은 대칭 관점에서는 허용되지만 불리한 변형 및 입체 프로파일 때문에 드물다. [π2s + π2s] 고리형 첨가를 고려한다. 이 메커니즘은 오른쪽 그림과 같이 생성물에서 입체화학의 유지를 초래한다. 출발 물질, 전이 상태, 생성물에 두 가지 대칭 요소 σ1 및 σ2가 존재한다. σ1은 π 궤도에 수직인 구성 요소 사이의 거울 평면이다. σ2는 σ 결합에 수직으로 분자를 반으로 나눈다. 이는 구성 요소가 동일하지 않은 경우 지역 대칭 요소이다. σ1 및 σ2에 대한 대칭 및 비대칭을 결정하려면 출발 물질 분자 궤도를 동시에 고려해야 한다. 오른쪽 그림은 [π2s + π2s] 고리형 첨가에 대한 분자 궤도 상관도를 보여준다. 출발 물질의 두 π 및 π* 분자 궤도는 σ1에 대해, 그 다음 σ2에 대한 대칭에 의해 특성화된다. 마찬가지로 생성물의 σ 및 σ* 분자 궤도는 대칭에 의해 특성화된다. 상관도에서 반응 과정에 걸친 분자 궤도 변환은 분자 궤도의 대칭을 보존해야 한다. 따라서 πSS는 σSS와, πAS는 σ*AS와, π*SA는 σSA와 상관되며, 마지막으로 π*AA는 σ*AA와 상관된다. 궤도 대칭 보존으로 인해 결합 궤도 πAS는 반결합 궤도 σ*AS와 상관되도록 강제된다. 따라서 높은 장벽이 예측된다. 이는 아래 상태 상관도에서 더 정확하게 설명된다.
우드워드-호프만 규칙

출발 물질의 바닥 상태는 πSS와 πAS가 모두 이중 점유된 전자 상태이다. 즉, 상태 (SS)2(AS)2이다. 따라서 이 상태는 사이클로뷰탄의 두 번째 들뜬 상태 ES-2'=(SS)2(AS)2와 상관하려고 시도한다. 마찬가지로 위 분자 궤도 다이어그램에서 볼 수 있듯이 생성물 사이클로뷰탄의 바닥 상태는 σSS와 σSA가 모두 이중 점유된 전자 상태이다. 즉, 상태 (SS)2(SA)2이다. 이것은 πSS와 π*SA가 모두 이중 점유된 상태, 즉 두 번째 들뜬 상태 ES-2=(SS)2(SA)2와 상관하려고 시도한다. 마지막으로 출발 물질의 첫 번째 들뜬 상태는 πSS가 이중 점유되고 πAS와 π*SA가 모두 단일 점유된 전자 배치이다. 즉, 상태 (SS)2(AS)(SA)이다. 생성물의 첫 번째 들뜬 상태도 σSS가 이중 점유되고 σSA와 σ*AS가 모두 단일 점유된 상태 (SS)2(SA)(AS)이다. 따라서 이 두 들뜬 상태는 상관된다. [4+2] 고리형 첨가 반응. [4+2] 고리형 첨가는 딜스-알더 반응으로 예시된다. 가장 간단한 경우는 1,3-부타디엔과 에틸렌이 반응하여 시클로헥센을 형성하는 것이다. 이 변환에서 보존되는 대칭 요소는 왼쪽 그림과 같이 반응물 중앙을 통과하는 거울 평면 하나이다. 반응물의 분자 궤도는 위에 표시된 1,3-부타디엔의 분자 궤도 집합 {Ψ1, Ψ2, Ψ3, Ψ4}과 에틸렌의 π 및 π*이다.
우드워드-호프만 규칙

Ψ1은 거울 평면에 대해 대칭이고 Ψ2는 비대칭이며 Ψ3는 대칭이고 Ψ4는 비대칭이다. 마찬가지로 π는 거울 평면에 대해 대칭이고 π*는 비대칭이다. 생성물의 분자 궤도는 아래 그림과 같이 새로 형성된 두 개의 σ 및 σ* 결합과 π 및 π* 결합의 대칭 및 비대칭 조합이다. 오른쪽 그림과 같이 출발 물질과 생성물에서 동일한 대칭과 증가하는 에너지를 갖는 궤도 쌍을 상관시키면 상관도가 얻어진다. 이것은 출발 물질의 바닥 상태 결합 분자 궤도를 대칭 보존 방식으로 생성물의 바닥 상태 결합 궤도로 변환하므로 위의 바닥 상태 [2+2] 반응에서 볼 수 있는 큰 에너지 장벽이 없을 것으로 예측된다. 분석을 정확하게 하려면 일반적인 [4+2] 고리형 첨가에 대한 상태 상관도를 구성할 수 있다. 이전과 마찬가지로 바닥 상태는 오른쪽 분자 궤도 상관도에 표시된 전자 상태이다. 이것은 Ψ12π2Ψ22으로 설명될 수 있으며, 전체 대칭은 S2S2A2=S이다. 이것은 시클로헥센의 바닥 상태 σSσAπ2와 상관되며, 이것 역시 S2S2A2=S이다. 따라서 이 바닥 상태 반응은 높은 대칭으로 인한 장벽이 없을 것으로 예측된다. 위에서와 같이 들뜬 상태 상관 관계도 구성할 수 있다. 여기서 아래에 표시된 피할 수 없는 교차 때문에 슈프라 페이셜-슈프라 페이셜 결합 위상 하에서 광 유도 딜스-알더 반응에 대한 높은 에너지 장벽이 있다. 그룹 전이 반응. 그룹 전이 반응의 대칭에 의해 부과된 장벽 높이도 상관도를 사용하여 분석할 수 있다.
우드워드-호프만 규칙

모델 반응은 오른쪽 그림과 같이 에탄에서 중수소 치환 에틸렌으로 두 수소 원자가 전이되는 것이다. 이 반응에서 보존되는 유일한 대칭 요소는 왼쪽 그림과 같이 분자 중앙을 통과하는 거울 평면이다. 시스템의 분자 궤도는 에탄의 σ 및 σ* C-H 결합과 중수소 치환 에텐의 π 및 π* 결합의 대칭 및 비대칭 조합으로 구성된다. 따라서 가장 낮은 에너지 MO는 두 C-H σ 결합의 대칭 합 (σS)이며, 그 다음은 비대칭 합 (σA)이다. 가장 높은 에너지 MO 두 개는 σCH 반결합의 선형 조합으로 형성된다. 가장 높은 것은 비대칭 σ*A이며, 약간 더 낮은 에너지에는 대칭 σ*A가 있다. 에너지 스케일 중간에는 에텐의 πCC 및 π*CC인 나머지 두 MO가 있다. 완전한 분자 궤도 상관도는 위에서 설명한 대로 증가하는 총 에너지의 대칭 및 비대칭 MO 쌍을 일치시켜 구성된다. 인접한 그림에서 볼 수 있듯이 반응물의 결합 궤도가 생성물의 결합 궤도와 정확히 상관되므로 이 반응은 위에 있는 바닥 상태 [2+2] 반응에 존재하는 높은 전자 대칭으로 인한 장벽이 없을 것으로 예측된다. 선택 규칙. 상관도를 사용하여 다음 일반화된 고리형 협동반응 클래스에 대한 선택 규칙을 도출할 수 있다. 이러한 특정 클래스는 일반화된 우드워드-호프만 규칙에서 더 일반화된다. 더 포괄적인 결합 위상 설명자 안타라 페이셜 및 슈프라 페이셜은 각각 동일방향 회전 및 반대방향 회전 용어를 포함한다.
우드워드-호프만 규칙

안타라 페이셜은 π 시스템, p 궤도 또는 σ 결합의 반대 면을 통해 결합 형성 또는 끊김을 의미하며, 슈프라 페이셜은 같은 면을 통해 발생하는 과정을 의미한다. 카이랄 중심에서의 슈프라 페이셜 변환은 입체화학을 보존하는 반면, 안타라 페이셜 변환은 입체화학을 반전시킨다. 전자고리 반응. 전자고리 반응의 선택 규칙은 우드워드-호프만 규칙의 원래 진술에 주어져 있다. 4n π 전자의 폴리엔에서 일반화된 전자고리 고리 닫힘이 발생하면 열적 조건에서는 동일방향 회전이고 광화학적 조건에서는 반대방향 회전이다. 반대로 4n + 2 π 전자의 폴리엔에서는 전자고리 고리 닫힘이 열적 조건에서는 반대방향 회전이고 광화학적 조건에서는 동일방향 회전이다. 이 결과는 폴리엔 HOMO의 p 궤도 엽 부호에 기반한 FMO 분석 또는 상관도를 통해 도출될 수 있다. 첫 번째 가능성을 먼저 살펴보면, 바닥 상태에서 폴리엔이 4n 전자를 가지고 있다면 전자고리화된 생성물에서 σ 결합을 형성하는 HOMO의 외부 p 궤도는 반대 부호이다. 따라서 건설적인 중첩은 동일방향 회전 또는 안타라 페이셜 과정을 통해서만 생성된다. 반대로 4n + 2 전자를 가진 폴리엔의 경우 바닥 상태 HOMO의 외부 p 궤도는 같은 부호이다. 따라서 건설적인 궤도 중첩은 반대방향 회전 또는 슈프라 페이셜 과정을 통해 발생한다.
우드워드-호프만 규칙

또한 모든 4n 전자고리 반응에 대한 상관도는 1,3-부타디엔의 4전자 고리화 반응의 상관도와 유사하며, 모든 4n + 2 전자 전자고리 반응의 상관도는 1,3,5-헥사트리엔의 6전자 고리화 반응의 상관도와 유사하다. 다음 표에 요약되어 있다. 시그마트로피 자리옮김 반응. 일반 시그마트로피 자리옮김은 ["i","j"] 차수로 분류할 수 있으며, 이는 원래 원자 1과 1' 사이에 있던 σ 결합이 하나 이상의 π 시스템에 인접하여 원자 i와 j 사이로 이동함을 의미한다. 따라서 원래 위치에서 (i − 1), (j − 1) 원자만큼 이동한다. 일반적으로 전이 상태에만 대칭 요소가 존재하므로 상관도를 통한 형식적인 대칭 분석은 시그마트로피 재배열 연구에 유용하지 않다. 특별한 경우 ([3,3] 재배열)를 제외하고 반응 좌표를 가로질러 보존되는 대칭 요소는 없다. 그럼에도 불구하고 출발 물질과 생성물 간의 궤도 상관 관계는 여전히 분석할 수 있으며, 높은 에너지 생성물 궤도와 출발 물질 궤도의 상관 관계는 평소와 같이 "대칭 금지" 과정을 초래할 것이다. 그러나 FMO 기반 접근 방식 (또는 드워-짐머만 분석)이 적용하기 더 간단하다. 시그마트로피 이동의 가장 널리 퍼진 클래스 중 하나는 j가 홀수인 [1,j]로 분류된다. 이는 σ 결합의 한 말단이 π 시스템을 가로질러 (j − 1) 결합만큼 이동하는 반면 다른 말단은 이동하지 않는다는 것을 의미한다. 이는 j + 1 전자를 포함하는 반응이다. 반응에는 (j − 1)/2 π 결합과 σ 결합이 관여하기 때문이다.
우드워드-호프만 규칙

FMO 분석을 사용하면 [1,j]-σ 트로피 재배열은 전이 상태에서 이동 그룹과 HOMO의 수용 p 궤도 사이에 건설적인 중첩이 있을 때 허용된다. [1,j]-σ 트로피 재배열에서 j + 1 = 4n이면 슈프라/안타라가 열적으로 허용되고, j + 1 = 4n + 2이면 슈프라/슈프라 또는 안타라/안타라가 열적으로 허용된다. 다른 널리 퍼진 시그마트로피 재배열 클래스는 [3,3]이며, 특히 코프 자리옮김 및 클라이젠 자리옮김이다. 여기서 건설적인 상호 작용은 전이 상태에서 두 알릴 라디칼 조각의 HOMO 사이에서 발생해야 한다. 아래에 알릴 조각의 바닥 상태 HOMO Ψ2가 표시되어 있다. 말단 p 궤도가 반대 부호이므로 이 반응은 슈프라/슈프라 위상 또는 안타라/안타라 위상으로 일어날 수 있다. ["i","j"]-시그마트로피 자리옮김의 선택 규칙은 다음과 같다. 다음 표에 요약되어 있다. 고리형 첨가 반응. 일반 ["p"+"q"]-고리형 첨가는 p π 전자를 가진 한 구성 요소와 q π 전자를 가진 한 구성 요소 사이의 협동적 첨가 반응이다. 이 반응은 다음 조건 하에서 대칭 허용된다. 다음 표에 요약되어 있다. 그룹 전이 반응. 동기화된 일반 이중 그룹 전이 반응은 그림과 같이 p π 전자를 가진 구성 요소와 q π 전자를 가진 구성 요소 사이의 상호 작용으로 나타낼 수 있다. 그러면 선택 규칙은 일반화된 고리형 첨가 반응과 동일하다. 즉 다음 표에 요약되어 있다. q = 0인 경우는 "전이된" R 그룹의 열적 제거에 해당한다.
우드워드-호프만 규칙

1,4-사이클로헥사디엔에서 이수소의 열분해 제거와 3,3,6,6-테트라메틸-1,4-사이클로헥사디엔에서 에탄의 열분해 제거는 이러한 종류의 고리형 협동 과정의 예라고 믿어진다. 에네 반응은 두 개의 σ 결합된 그룹의 전이를 포함하지 않더라도 종종 그룹 전이 과정의 한 유형으로 분류된다. 오히려 하나의 σ 결합만 전이되고 두 번째 σ 결합은 끊어진 π 결합에서 형성된다. 6개 전자를 포함하는 모든 슈프라 페이셜 과정으로서 열적 조건 하에서 대칭 허용된다. 에네 반응에 대한 우드워드-호프만 기호는 [π2s + π2s + σ2s]이다. ("아래 참조") 일반 공식. 우드워드-호프만 규칙은 원래 전자고리 과정에 대해 명시되었지만, 위 선택 규칙의 유사성과 패턴이 나타내듯이 결국 모든 고리형 협동반응으로 일반화되었다. 일반화된 우드워드-호프만 규칙에서 모든 것은 안타라 페이셜 및 슈프라 페이셜 결합 위상으로 특성화된다. 오른쪽 그림과 같이 "동일방향 회전" 및 "반대방향 회전"이라는 용어는 전자고리 고리 닫힘 또는 열림 반응에서 결합 회전의 상대적 방향을 설명하기에 충분하다. 그러나 일반 고리형 협동반응에서 일어나는 결합 형성 및 끊김의 위상을 설명하기에는 부적합하다. 아래에 자세히 설명되어 있듯이 우드워드-호프만 규칙의 일반 공식에서 결합 회전 용어 "동일방향 회전" 및 "반대방향 회전"은 각각 결합 위상 (또는 면성) 용어 "안타라 페이셜" 및 "슈프라 페이셜"에 포함된다.
우드워드-호프만 규칙

이러한 설명자는 모든 고리형 협동 과정에서 일어나는 결합 형성 및 끊김의 위상을 특성화하는 데 사용할 수 있다. 우드워드-호프만 표기법. "구성 요소"는 고리형 협동반응에서 단위로 기능하는 분자 또는 분자들의 일부이다. 구성 요소는 하나 이상의 원자와 다음과 같은 유형의 관련 궤도로 구성된다. 구성 요소의 "전자 수"는 구성 요소의 궤도에 있는 전자 수이다. 구성 요소의 "결합 위상"은 슈프라 페이셜 및 안타라 페이셜일 수 있다. 이 표기법을 사용하여 모든 고리형 협동반응에 대해 기호 σ/π/ω"N"s/a의 일련의 기호로 구성된 설명자를 할당할 수 있으며, + 기호로 연결되고 괄호로 묶여 각 구성 요소에 관련된 궤도 유형, 전자 수 및 결합 위상을 순서대로 설명한다. 몇 가지 예는 다음과 같다. 안타라 페이셜과 슈프라 페이셜은 각각 (동일방향 회전 또는 반전)과 (반대방향 회전 또는 유지)와 관련이 있다. 단일 설명자는 화학적으로 다른 두 가지 고리형 협동 과정에 해당할 수 있으며, 반응과 미시적 역반응은 종종 두 가지 다른 설명자로 기술되고, 단일 과정은 하나 이상의 올바른 설명자를 가질 수 있다. 아래에 주어진 고리형 협동반응 선택 규칙을 사용하여 이러한 모든 반응이 허용된 과정임을 확인할 수 있다. 원래 진술. 이 표기법을 사용하여 우드워드와 호프만은 1969년 리뷰에서 모든 고리형 협동반응에 대한 일반 공식화를 다음과 같이 명시했다.
우드워드-호프만 규칙

"바닥 상태 고리형 협동 변화는 (4q+2)s 및 (4r)a 구성 요소의 총 개수가 홀수일 때 대칭 허용된다." 여기서 (4q + 2)s 및 (4r)a는 각각 슈프라 페이셜 (4q + 2) 전자 구성 요소 및 안타라 페이셜 (4r) 전자 구성 요소를 나타낸다. 또한 이 기준은 "충분" (위에 명시됨) 및 "필요" (위에 명시되지 않음, "참조:" 필요충분조건)로 해석되어야 한다. 대체 진술의 도출. 대신 일반적인 진술은 두 가지 경우를 간단히 분석하여 나누어 떨어지는 간단한 규칙을 사용하여 총 전자 수로 공식화할 수 있다. 먼저 총 전자 수가 4n + 2인 경우를 고려한다. 여기서 a, b, c, d는 각 유형 구성 요소의 수를 나타내는 계수이다. 이 방정식은 a와 b 중 하나만 홀수임을 의미한다. 만약 a와 b가 모두 짝수이거나 모두 홀수이면 네 항의 합은 0 (mod 4)이기 때문이다. 우드워드-호프만 규칙의 일반화된 진술은 반응이 허용되면 a + d가 홀수라고 말한다. 이제 a가 짝수이면 d가 홀수임을 의미한다. 이 경우 b가 홀수이므로 안타라 페이셜 구성 요소의 수 b + d는 짝수이다. 마찬가지로 a가 홀수이면 d는 짝수이다. 이 경우 b가 짝수이므로 안타라 페이셜 구성 요소의 수 b + d는 다시 짝수이다. 따라서 a와 b의 초기 패리티 가정과 상관없이 전자 수가 4n + 2일 때 안타라 페이셜 구성 요소의 수는 짝수이다. 반대로 b + d는 홀수이다.
우드워드-호프만 규칙

총 전자 수가 4n인 경우 유사한 논증 (여기서는 생략)은 안타라 페이셜 구성 요소 b + d의 수가 허용된 경우 홀수이고 금지된 경우 짝수여야 한다는 결론으로 이어진다. 마지막으로 논증을 완성하고 이 새로운 기준이 원래 기준과 진정으로 동일함을 보이기 위해서는 역진술도 논증해야 한다. 즉, 안타라 페이셜 구성 요소 b + d의 수와 전자 수 (4n + 2 또는 4n)가 우드워드-호프만 규칙에 의해 주어진 a + d의 패리티 (허용된 경우 홀수, 금지된 경우 짝수)를 의미함을 논증해야 한다. 또 다른 (다소 지루한) 사례 분석 라운드는 이것이 사실임을 쉽게 보여줄 것이다. 고리형 협동 반응 선택 규칙은 다음과 같다. "4n+2 또는 4n 전자를 포함하는 고리형 협동 과정은 관련된 안타라 페이셜 구성 요소의 수가 각각 짝수 또는 홀수인 경우에만 열적으로 허용된다." 이 공식화에서 전자 수는 우드워드와 호프만의 원래 진술에 열거된 개별 구성 요소가 아닌 전체 반응 시스템을 의미한다. 실제로는 짝수 또는 홀수개의 안타라 페이셜 구성 요소는 일반적으로 각각 0개 또는 1개의 안타라 페이셜 구성 요소를 의미한다. 왜냐하면 2개 이상의 안타라 페이셜 구성 요소를 포함하는 전이 상태는 일반적으로 변형으로 인해 불리하기 때문이다. 예외적으로 특정 분자 내 반응은 여러 구성 요소에 대해 안타라 페이셜 궤도를 강제하는 방식으로 기하학적으로 제한될 수 있다. 또한 어떤 경우, 예를 들어 코프 재배열에서는 동일한 (반드시 변형되지 않은) 전이 상태 기하학을 궤도 엽 사이의 연결을 어떻게 그리느냐에 따라 두 개의 슈프라 또는 두 개의 안타라 π 구성 요소를 포함하는 것으로 간주할 수 있다.
우드워드-호프만 규칙

(이 모호성은 σ 구성 요소의 두 내부 엽 또는 두 외부 엽의 중첩이 슈프라 페이셜로 간주될 수 있다는 관습의 결과이다.) 이 대체 공식화는 우드워드-호프만 규칙과 드워-짐머만 분석 (아래 참조)의 동등성을 명확하게 한다. 짝수개의 위상 반전은 짝수개의 안타라 페이셜 구성 요소와 동일하며 휘켈 위상에 해당하며 방향족성을 위해 4n + 2 전자를 필요로 하는 반면, 홀수개의 위상 반전은 홀수개의 안타라 페이셜 구성 요소와 동일하며 뫼비우스 위상에 해당하며 방향족성을 위해 4n 전자를 필요로 한다. 방향족 전이 상태 이론을 요약하면 다음과 같다. "열 고리형 협동반응은 (4n + 2) 전자 휘켈 또는 (4n) 전자 뫼비우스 전이 상태를 통해 진행된다." 니모닉으로 위 공식은 다음과 같이 다시 표현할 수 있다. "N 전자쌍과 A 안타라 페이셜 구성 요소를 포함하는 바닥 상태 고리형 협동 과정은 N + A가 홀수인 경우에만 대칭 허용된다." 동등성의 대체 증명. 두 공식의 동등성은 경우 분석에 의존하지 않고 간단한 패리티 논증으로도 확인할 수 있다. 명제. "다음 우드워드-호프만 규칙의 공식화는 동등하다." (A) "고리형 협동 반응에서 슈프라 페이셜 4q + 2 구성 요소와 안타라 페이셜 4r 구성 요소의 수의 합이 홀수이면 열적으로 허용된다. 그렇지 않으면 반응은 열적으로 금지된다." (B) "고리형 협동 반응에서 (4n + 2) 전자 반응의 안타라 페이셜 구성 요소의 총 수가 짝수이거나 4n 전자 반응의 안타라 페이셜 구성 요소의 총 수가 홀수이면 열적으로 허용된다.
우드워드-호프만 규칙

그렇지 않으면 반응은 열적으로 금지된다." 동등성 증명: k 구성 요소 고리형 협동 반응의 구성 요소를 formula_2로 인덱싱하고, 우드워드-호프만 기호 σ/π/ωNs/a를 가진 구성 요소 i에 대해 다음 규칙에 따라 전자 수 및 위상 패리티 기호 formula_3를 할당한다. formula_4 우리는 (A)에 대한 수학적으로 동등한 재진술을 얻는다. (A') "formula_5 기호 모음은 formula_6 속성을 가진 기호의 수가 홀수인 경우에만 열적으로 허용된다." 총 전자 수는 formula_7 ((4q + 2) 전자 구성 요소의 수)가 홀수 또는 짝수일 때 정확히 4n + 2 또는 4n이 되는 반면, "formula_8"는 안타라 페이셜 구성 요소의 수를 제공하므로 (B)도 다시 진술할 수 있다. (B') "formula_5 기호 모음은 formula_7 또는 formula_8 중 하나만 홀수인 경우에만 열적으로 허용된다." (A')와 (B')가 동등함을 보이는 것으로 충분하다. formula_7 또는 formula_8 중 정확히 하나만 홀수이면 formula_14가 홀수이다. 만약 formula_15이면, formula_16가 성립한다. 따라서 formula_15 속성을 가진 기호를 모음에서 제외해도 formula_18의 패리티는 변하지 않는다. 반면에 formula_6이면, formula_20이 되지만, formula_21은 formula_6 속성을 가진 구성 요소의 수를 단순히 열거한다. 따라서 formula_23. 이다. 따라서 formula_18와 모음에서 formula_6 속성을 가진 기호의 수는 동일한 패리티를 갖는다. (A')와 (B') 공식화는 동등하므로 (A)와 (B)도 동등하다. 이는 주장된 바와 같다.
우드워드-호프만 규칙

□ 구체적인 예를 들면, 설명자 [π6s + π4a + π2a]를 가진 가상 반응은 위 계획에서 {(1, 0, 1), (0, 1, 2), (1, 1, 3)} 모음으로 할당될 것이다. formula_6 속성을 가진 구성 요소는 (1, 0, 1)과 (0, 1, 2) 두 개이므로, (A')에 의해 반응은 허용되지 않는다. 마찬가지로 formula_27와 "formula_28"는 모두 짝수이므로 (B')도 같은 결론을 내린다 (그래야만 한다): 반응은 허용되지 않는다. 예시. 이 공식화는 다음 표에 나와 있는 ["p" + "q"]-고리형 첨가 반응의 선택 규칙과 동일하다. 총 전자 수가 4n + 2이면 표의 아래 행에 해당한다. 반응은 두 구성 요소에 대해 슈프라 페이셜이거나 두 구성 요소에 대해 안타라 페이셜일 때 열적으로 허용된다. 즉, 안타라 페이셜 구성 요소의 수는 짝수 (0 또는 2)이다. 마찬가지로 총 전자 수가 4n이면 표의 위 행에 해당한다. 이는 한 구성 요소에 대해 슈프라 페이셜이고 다른 구성 요소에 대해 안타라 페이셜일 때 열적으로 허용된다. 따라서 안타라 페이셜 구성 요소의 총 수는 항상 1이므로 항상 홀수이다. 다음은 일반화된 우드워드-호프만 규칙에 비추어 분석된 몇 가지 일반적인 바닥 상태 (즉, 열적) 반응 클래스이다. [2+2] 고리형 첨가 반응. [2+2]-고리형 첨가는 두 구성 요소를 함께 가져오는 4전자 과정이다. 따라서 위 일반 WH 규칙에 따라 반응이 정확히 하나의 구성 요소에 대해 안타라 페이셜일 때만 허용된다. 이는 위 섹션에서 상관도를 통해 얻은 결론과 동일하다.
우드워드-호프만 규칙

드물지만 입체화학적으로 명확한 [π2s + π2a]-고리형 첨가의 예는 오른쪽에 표시되어 있다. "trans" 이중 결합의 변형 및 입체적 특성은 이 일반적으로 동역학적으로 불리한 과정을 가능하게 한다. "cis", "trans"-1,5-사이클로옥타디엔도 이 모드를 통해 이합체화되는 것으로 믿어진다. 케텐은 올레핀과 [2+2] 고리형 첨가를 선호하는 큰 부류의 반응물이다. 케텐 고리형 첨가의 MO 분석은 케텐의 직교 궤도의 동시적이지만 독립적인 상호 작용으로 인해 복잡하고 모호하지만 [π2s + π2a] 상호 작용도 포함될 수 있다. [4+2] 고리형 첨가 반응. 동기식 6π-전자 딜스-알더 반응은 [π4s + π2s]-고리형 첨가 (즉, 두 구성 요소에 대해 슈프라 페이셜)이며, 오른쪽 반응으로 예시된다. 따라서 안타라 페이셜 구성 요소의 총 수가 0 (짝수)이므로 반응은 대칭 허용된다. 이 예측은 딜스-알더 반응이 상당히 쉽게 일어나는 고리형 협동반응이라는 실험과 일치한다. 4n 전자고리 반응. 4n 전자 전자고리 고리 열림 반응은 π 시스템과 끊어지는 σ 결합의 두 구성 요소를 갖는 것으로 간주될 수 있다. π 시스템에 대해서는 반응이 슈프라 페이셜이다. 그러나 위 그림에 나타난 동일방향 회전 메커니즘의 경우 σ 결합에 대해 반응이 안타라 페이셜이다. 반대로 반대방향 회전 메커니즘의 경우 끊어지는 σ 결합에 대해 슈프라 페이셜이다.
우드워드-호프만 규칙

위 규칙에 따라 2개 구성 요소의 4n 전자 고리형 협동 반응의 경우 안타라 페이셜 구성 요소가 하나 있어야 한다. 따라서 반응은 동일방향 회전 메커니즘을 통해 진행되어야 한다. 이는 위 상관도에서 도출된 결과와 일치한다. 4n + 2 전자고리 반응. 4n + 2 전자고리 고리 열림 반응도 π 시스템에 대해 슈프라 페이셜인 2개 구성 요소의 고리형 협동 반응이다. 따라서 반응이 허용되기 위해서는 안타라 페이셜 구성 요소의 수가 0이어야 한다. 즉, 끊어지는 σ 결합에 대해서도 슈프라 페이셜이어야 한다. 따라서 반대방향 회전 메커니즘은 대칭 허용된다. [1,j]-시그마트로피 자리옮김. [1,j]-시그마트로피 자리옮김도 두 구성 요소 고리형 협동 반응이다. 한 구성 요소는 π 시스템이고 다른 구성 요소는 이동 그룹이다. 가장 간단한 경우는 j가 홀수인 π 시스템을 가로지르는 [1,j]-하이드라이드 이동이다. 이 경우 수소는 구형 대칭 s 궤도만 가지고 있으므로 반응은 수소에 대해 슈프라 페이셜이어야 한다. 관련된 총 전자 수는 (j + 1)인데, 반응에 관련된 π 결합은 (j - 1)/2개이고 σ 결합은 1개이기 때문이다. j = 4n - 1이면 안타라 페이셜이어야 하고, j = 4n + 1이면 슈프라 페이셜이어야 한다. 이는 대칭 허용된 안타라 페이셜 과정이 불가능하기 때문에 일반적으로 [1,3]-하이드라이드 이동이 관찰되지 않지만 [1,5]-하이드라이드 이동은 상당히 쉽게 일어난다는 실험과 일치한다.
우드워드-호프만 규칙

반응이 탄소 중심에 대해 안타라 페이셜 (즉, 입체화학을 반전시키는) 일 수 있는 [1,j]-알킬 이동의 경우 동일한 규칙이 적용된다. j = 4n - 1이면 반응이 π 시스템에 대해 안타라 페이셜이거나 탄소에서 입체화학을 반전시키는 경우 대칭 허용된다. j = 4n + 1이면 반응이 π 시스템에 대해 슈프라 페이셜이고 탄소 중심에서 입체화학을 유지하는 경우 대칭 허용된다. 오른쪽은 1967년 Berson이 보고한 최초의 [1,3]-σ 트로피 이동 예시 중 하나이다. σ 결합이 끊어질 때 구성 반전을 허용하기 위해 C(H)(D) 부분은 전이 상태에서 탄소의 혼성화가 sp2에 근접하도록 비틀어져 남은 비혼성화 p 궤도가 탄소 1과 3 모두와 중첩을 유지한다. 다른 이론 모델의 동등성. 드워-짐머만 분석. 1969년에 처음 제시된 일반화된 우드워드-호프만 규칙은 1966년에 처음 제시된 짐머만의 초기 일반 접근 방식인 "뫼비우스-휘켈 개념"과 동등하며 "방향족 전이 상태 이론"으로도 알려져 있다. 핵심 교리로서 방향족 전이 상태 이론은 '허용된' 고리형 협동 반응은 방향족 특성을 가진 전이 상태를 통해 진행되는 반면, '금지된' 고리형 협동 반응은 반방향족적인 성격의 전이 상태를 만나게 된다는 것을 주장한다. 드워-짐머만 분석에서는 고리형 협동 반응의 전이 상태의 위상에 관심을 갖는다.
우드워드-호프만 규칙

전이 상태가 4n 전자를 포함하면 뫼비우스 위상은 방향족이고 휘켈 위상은 반방향족이며, 전이 상태가 4n + 2 전자를 포함하면 휘켈 위상은 방향족이고 뫼비우스 위상은 반방향족이다. 전이 상태의 "위상 반전" 수 (아래에 자세히 설명됨)의 패리티는 위상을 결정한다. 뫼비우스 위상은 "홀수"개의 위상 반전을 포함하는 반면, 휘켈 위상은 "짝수"개의 위상 반전을 포함한다. 우드워드-호프만 용어와 관련하여 안타라 페이셜 구성 요소의 수와 위상 반전의 수는 항상 같은 패리티를 갖는다. 결과적으로 홀수개의 안타라 페이셜 구성 요소는 뫼비우스 위상을 제공하는 반면, 짝수개의 안타라 페이셜 구성 요소는 휘켈 위상을 제공한다. 따라서 드워-짐머만 분석의 결과를 우드워드와 호프만의 언어로 다시 표현하면, 4n 전자 반응은 홀수개의 안타라 페이셜 구성 요소 (즉, 뫼비우스 위상)를 갖는 경우에만 열적으로 허용된다. (4n + 2) 전자 반응은 짝수개의 안타라 페이셜 구성 요소 (즉, 휘켈 위상)를 갖는 경우에만 열적으로 허용된다. "드워-짐머만 분석 절차" (예시는 오른쪽에 표시됨): "단계 1." 고리형 협동 시스템의 일부인 모든 기본 궤도를 음영 처리한다. 음영은 임의적일 수 있다. 특히 음영은 폴리엔 MO의 위상을 반영할 필요가 없으며, 각 기본 궤도는 p 또는 spx 혼성 궤도의 경우 두 개의 반대 위상 엽을 가져야 하고, s 궤도의 경우 단일 위상을 가져야 한다.
우드워드-호프만 규칙

"단계 2." 전이 상태에서 기하학적으로 잘 상호 작용할 수 있는 기본 궤도의 엽 사이에 연결을 그린다. 만들 연결은 전이 상태 위상에 따라 달라진다. (예를 들어, 그림에서 동일방향 및 반대방향 전자고리화의 경우 다른 연결이 표시된다.) "단계 3." 반대 음영의 엽 사이에서 발생하는 연결 수를 센다. 이러한 연결 각각은 위상 반전을 구성한다. 위상 반전의 수가 짝수이면 전이 상태는 휘켈이고, 위상 반전의 수가 홀수이면 전이 상태는 뫼비우스이다. "단계 4." 전자 수가 4n + 2이고 전이 상태가 휘켈이거나, 전자 수가 4n이고 전이 상태가 뫼비우스이면 고리형 협동 반응이 허용된다고 결론 내린다. 그렇지 않으면 고리형 협동 반응이 금지된다고 결론 내린다. 중요한 것은 기본 궤도에 상대 위상을 할당하는 어떤 방식도 허용된다는 것이다. 왜냐하면 단일 궤도의 위상을 반전시키면 총 위상 반전에 0 또는 ±2, 즉 짝수가 추가되어 반전 수의 패리티 (반전 수 모듈로 2)가 변하지 않기 때문이다. 개념적 밀도 범함수 이론으로 재해석. 최근 우드워드-호프만 규칙은 개념적 밀도 범함수 이론 (DFT)을 사용하여 재해석되었다. 분석의 핵심은 크리스토프 모렐, 앙드레 그랑드, 알레한드로 토로-라베가 제안한 이중 설명자 함수 formula_29이며, 이는 전자 수 N에 대한 전자 밀도 formula_30의 두 번째 도함수이다.
우드워드-호프만 규칙

이 응답 함수는 전자 전이를 포함하는 두 구성 요소 A와 B의 반응이 전자 밀도의 전자 제공 또는 수용에 대한 응답성, 즉 후쿠이 함수 formula_31의 도함수에 의존하기 때문에 중요하다. 사실 단순한 관점에서 이중 설명자 함수는 분자의 다양한 영역의 친전자성 또는 친핵성에 대한 판독값을 제공한다. formula_32이면 영역은 친전자성이고, formula_33이면 영역은 친핵성이다. 경계 분자 궤도 가정과 후쿠이 함수의 유한 차분 근사를 사용하여 이중 설명자를 다음과 같이 쓸 수 있다. 영역이 전자를 제공하는 것보다 수용하는 데 더 좋으면 LUMO가 우세해야 하고 이중 설명자 함수는 양수일 것이므로 이는 직관적으로 타당하다. 반대로 영역이 전자를 제공하는 데 더 좋으면 HOMO 항이 우세할 것이고 설명자는 음수일 것이다. 위상 및 궤도 개념은 단순히 전자 밀도 개념으로 대체되었지만 이 함수는 여전히 양수 및 음수 값을 모두 취한다. 우드워드-호프만 규칙은 이 공식화를 사용하여 이중 설명자가 반대 부호를 갖는 전자 밀도 영역 간의 유리한 상호 작용을 일치시켜 재해석된다. 이는 예측된 유리한 상호 작용을 최대화하고 반발 상호 작용을 최소화하는 것과 같다. [4+2] 고리형 첨가의 경우 최적의 슈프라/슈프라 구성에서 색상 지정된 이중 설명자 함수 (빨간색=양수, 파란색=음수)를 가진 반응물의 간략한 개요가 왼쪽에 표시되어 있다. 이 방법은 주요 고리형 협동 반응 클래스에 대한 WH 규칙을 올바르게 예측한다. 예외. 우드워드와 호프만은 "위반"이라는 제목의 "궤도 대칭 보존" 12장에서 다음과 같이 유명하게 말했다.
우드워드-호프만 규칙

"하나도 없습니다! 그렇게 기본적인 최대 결합 원칙의 위반은 예상할 수 없습니다." 이 선언에도 불구하고 우드워드-호프만 규칙은 상대적인 장벽 높이, 따라서 가능한 반응 메커니즘을 예측하는 데 사용되며 궤도 대칭 보존으로 인한 장벽만 고려한다는 점을 인식하는 것이 중요하다. 따라서 WH 대칭 허용 반응이 실제로 쉽게 일어날 것이 보장되는 것은 아니다. 반대로 충분한 에너지 입력 시 반-우드워드-호프만 생성물을 얻는 것이 가능하다. 이는 특히 입체적으로 제한된 시스템에서 WH-생성물이 추가적인 입체적 장벽을 극복해야 하는 경우에 흔하다. 예를 들어, 디메틸비사이클로[0.2.3]헵텐 유도체 (1)의 전자고리 고리 열림에서 결과적인 각 변형으로 인해 동일방향 회전 메커니즘은 불가능하며, 반응은 400도 C에서 반대방향 회전 메커니즘을 통해 천천히 진행되어 사이클로헵타디엔 생성물을 얻는다. 위반은 또한 매우 강한 열역학적 구동력이 있는 경우에도 관찰될 수 있다. 형광봉의 발광에서 역할을 하는 것으로 유명한 다이옥세탄-1,2-다이온이 두 분자의 이산화탄소로 분해되는 것은 계산적으로 조사되었다. 형광체가 없는 경우 반응은 현재 우드워드-호프만 규칙을 공식적으로 위반하는 역-[2+2]-고리형 첨가를 통해 협동적으로 (비동기적이지만) 진행되는 것으로 믿어진다. 마찬가지로 최근 논문에서는 기계적 스트레스를 사용하여 화학 반응 경로를 재구성하여 우드워드-호프만 규칙을 명백히 위반하는 생성물로 이어질 수 있음을 설명한다. 이 논문에서는 초음파 조사를 사용하여 사이클로뷰텐 고리에 신 또는 안티에 부착된 링크-작용화된 폴리머에 기계적 스트레스를 유도한다.
우드워드-호프만 규칙

계산 연구에 따르면 폴리머의 마찰로 인한 기계적 힘은 안티-비스-치환된 사이클로뷰텐에서 동일방향 회전 메커니즘의 반응 좌표를 따라 결합 길이를 증가시키고, 신-비스-치환된 사이클로뷰텐에서 반대방향 회전 메커니즘의 반응 좌표를 따라 결합 길이를 증가시킨다고 예측한다. 따라서 신-비스-치환된 사이클로뷰텐에서 반-WH 생성물이 형성될 것으로 예측된다. 이 계산 예측은 아래 시스템에 대한 실험으로 뒷받침되었다. 링크-작용화된 폴리머는 신 및 안티 형태 모두에서 "cis" 벤조사이클로뷰텐에 접합되었다. 예측대로 두 생성물 모두 치환된 말레이미드와의 입체특이적 딜스-알더 반응에 의해 결정된 동일한 (Z,Z) 생성물을 제공했다. 특히 신-치환된 생성물은 반-WH 생성물을 제공했으며, 아마도 반대방향 회전 경로의 좌표를 따라 기계적 스트레칭이 반대방향 회전 경로 하에서 반응의 장벽을 충분히 낮춰 그 메커니즘을 편향시켰기 때문일 것이다. 논란. 엘리어스 제임스 코리는 노벨상 수상자로서 이 연구의 기초를 놓은 아이디어에 책임이 있으며, 우드워드가 발견에서 자신에게 부당하게 크레딧을 주지 않았다고 느끼고 있다는 주장이 제기되었다. 2004년 "Journal of Organic Chemistry"에 발표된 회고록에서, 코리는 아이디어의 우선 순위에 대해 주장한다. "1964년 5월 4일, 나는 동료 R.
우드워드-호프만 규칙

B. 우드워드에게 사이클로뷰텐에서 1,3-부타디엔으로, 1,3,5-헥사트리엔에서 사이클로헥사디엔으로의 입체 선택적 전환에 대한 단순한 설명을 제안했는데, 이는 우드워드-호프만 규칙으로 알려지게 된 이러한 아이디어의 추가 발전을 위한 기초를 제공한 교란된 (HOMO) 분자 궤도의 대칭을 포함했다." 당시 35세였던 코리는 5월 4일 월요일 저녁까지 일하고 있었는데, 다른 의욕 넘치는 화학자들도 종종 그러했듯이 말이다. 밤 8시 30분경 그는 우드워드의 사무실에 들렀고, 우드워드는 일련의 원자들이 어떤 종류의 고리를 형성할지 예측하는 방법에 대해 질문을 했다. 토론 후 코리는 전자의 구성이 반응의 방향을 결정한다고 제안했다. 우드워드는 해결책이 통하지 않을 것이라고 주장했지만, 코리는 사무실에 그림을 남기고 자신이 무언가를 알아냈다고 확신했다. "이것이 정말 흥미로운 발전이 될 것이라고 느꼈고, 어떤 종류의 공동 사업을 기대하고 있었다."라고 그는 썼다. 하지만 다음 날 우드워드는 점심을 먹으러 나가는 코리와 동료의 사무실로 날아와 코리의 아이디어를 자신의 것처럼 발표하고 떠났다. 코리는 깜짝 놀랐다. 2004년 "Angewandte Chemie"에 발표된 반론에서, 로알드 호프만은 이 주장을 부인했다. 그는 1966년 강연에서 우드워드의 말을 인용했다. "나는 매우 분명히 기억하며—그것은 여전히 다소 놀랍다—핵심적인 깨달음의 섬광이 그림이나 기하학적 형태가 아닌 대수적 형태로 나에게 왔다는 것이다.
우드워드-호프만 규칙

파란색으로, 부타디엔의 최고 점유 분자 궤도를 나타내는 수학적 표현의 말단 항의 계수가 반대 부호인 반면, 헥사트리엔에 해당하는 표현의 계수는 같은 부호라는 생각이 떠올랐다. 여기서 다이엔의 내부 고리화에서 한 말단 원자의 위쪽 면이 다른 쪽의 아래쪽 면을 공격해야 하고, 트리엔의 경우 새로운 결합 형성이 두 말단 원자의 위쪽 (또는 pari passu, 아래쪽) 면을 포함해야 한다는 기하학적이고 더 명백히 화학적으로 관련된 관점으로 나아가는 것은 짧은 단계일 뿐이었다." 또한 호프만은 1963년과 1965년에 발표된 두 편의 논문에서 코리가 디하이드로코스튜놀라이드 화합물의 전합성을 기술했다는 점을 지적한다. 그들은 전자고리 반응을 기술하지만, 코리는 합성의 입체특이성을 설명하는 것과 관련하여 제공할 것이 없다. 6 = 4×1 + 2 전자를 포함하는 이 광화학 반응은 이제 동일방향 회전으로 인식된다.
스몰 폼 팩터 플러거블

스몰 폼 팩터 플러거블(SFP, Small Form-factor Pluggable)은 전기 통신 및 데이터 통신 애플리케이션에 사용되는 소형 핫 플러그 지원 네트워크 인터페이스 모듈 형식이다. 네트워킹 하드웨어의 SFP 인터페이스는 광케이블 또는 구리 케이블과 같은 미디어별 무선 송수신기를 위한 모듈식 슬롯이다. 고정 인터페이스(예: 이더넷 스위치의 모듈형 커넥터)와 비교하여 SFP를 사용하면 필요한 대로 다양한 유형의 트랜시버로 개별 포트를 장착할 수 있으며, 대부분의 경우 광회선 터미널, 네트워크 카드, 스위치, 라우터가 포함된다는 장점이 있다. 폼 팩터 및 전기 인터페이스는 스몰 폼 팩터 위원회(Small Form Factor Committee)의 후원하에 다중 소스 협약(MSA)에 의해 지정된다. SFP는 대부분의 응용 분야에서 더 큰 기가비트 인터페이스 컨버터(GBIC)를 대체했으며 일부 공급업체에서는 미니-GBIC으로 불린다. SFP 트랜시버는 동기식 광 네트워킹(SONET), 기가비트 이더넷, 파이버 채널, PON 및 기타 통신 표준을 지원한다. 도입 당시 이더넷 SFP의 일반적인 속도는 , 파이버 채널 SFP 모듈의 경우 최대 였다. 2006년에 SFP+ 사양은 최대 의 속도를 지원했고, 2014년에 출시된 후속 SFP28은 의 속도를 위해 설계되었다. 약간 더 큰 제품은 4레인 QSFP(Quad Small Form-factor Pluggable)이다. 추가 레인을 통해 해당 SFP보다 4배 빠른 속도를 제공할 수 있다. 2014년에는 최대 의 속도를 허용하는 QSFP28 변형이 공개되었다. 2019년에는 이와 밀접하게 관련된 QSFP56이 표준화되어 주요 업체에서 이미 제품을 판매하며 최고 속도가 로 두 배가 되었다.
스몰 폼 팩터 플러거블

저렴한 어댑터를 사용하면 SFP 트랜시버를 QSFP 포트에 장착할 수 있다. 두 가지 모두 SFP-DD는 2개 레인에서 , QSFP-DD는 8개 레인에서 사양을 지원하며 공개되었다. 이들은 해당 이전 제품과 직접적으로 하위 호환되는 폼 팩터를 사용한다. 더 큰 제품인 OSFP(Octal Small Format Pluggable)는 2022년에 제품이 출시되어 네트워크 장비 간에 링크가 가능하다. QSFP 폼 팩터보다 약간 더 큰 버전으로 더 큰 출력 전력을 허용한다. OSFP 표준은 2016년에 처음 발표되었으며 2021년에 출시된 4.0 버전은 8× 전기 데이터 레인을 통해 를 허용한다. 지지자들은 저렴한 어댑터를 사용하면 QSFP 모듈과 하위 호환될 수 있다고 말한다. SFP 종류. SFP 트랜시버는 다양한 송신기 및 수신기 사양으로 제공되므로 사용자는 사용 가능한 미디어 유형(예: 연선 또는 트위낵스 구리 케이블, 다중 모드 또는 단일 모드 광섬유 케이블)을 통해 필요한 광학 또는 전기 도달 거리를 제공하도록 각 링크에 적합한 트랜시버를 선택할 수 있다. 트랜시버는 전송 속도로도 지정된다. SFP 모듈은 일반적으로 여러 다른 범주로 제공된다. QSFP/QSFP+/QSFP28/QSFP56은 SFP/SFP+/SFP28 또는 SFP56과 각각 전기적으로 하위 호환되도록 설계되었다는 점에 유의해야 한다. 간단한 어댑터 또는 특수 다이렉트 연결 케이블을 사용하여 QSFP/QSFP+/QSFP28/QSFP56 폼 팩터가 제공하는 4개가 아닌 하나의 레인만 사용하여 이러한 인터페이스를 함께 연결하는 것이 가능하다. 8개의 레인을 가진 QSFP-DD 폼 팩터도 4/2/1 레인으로 다운그레이드하여 작동할 수 있다.
스몰 폼 팩터 플러거블

SFP+. SFP+(enhanced small form-factor pluggable)는 최대 16 Gbit/s의 데이터 속도를 지원하는 SFP의 개선된 버전이다. SFP+ 사양은 2006년 5월 9일에 처음 공개되었으며, 버전 4.1은 2009년 7월 6일에 공개되었다. SFP+는 파이버 채널, 10기가비트 이더넷 및 Optical Transport Network 표준 OTU2를 지원한다. 이는 많은 네트워크 구성 요소 공급업체가 지원하는 인기 있는 산업 형식이다. SFP+ 표준에는 파이버 채널에 대한 언급이 포함되어 있지 않지만, 이 속도에서 사용할 수 있다. 데이터 속도 외에도 8Gbit/s 파이버 채널과 파이버 채널 간의 주요 차이점은 인코딩 방식이다. 에 사용되는 64b/66b encoding은 에 사용되는 8b/10b보다 더 효율적인 인코딩 메커니즘이며, 라인 속도를 두 배로 늘리지 않고도 데이터 속도를 두 배로 늘릴 수 있다. 16GFC는 실제로는 어디에서도 신호를 사용하지 않는다. 8GFC의 두 배 처리량을 달성하기 위해 14. 라인 속도를 사용한다. SFP+는 또한 전용 트랜시버 없이 두 개의 SFP+ 포트를 연결하기 위한 다이렉트 연결을 도입한다. 직접 연결 케이블(DAC)은 수동(최대 7 m), 활성(최대 15 m), 활성 광학(AOC, 최대 100 m) 변형으로 존재한다. SFP+ 모듈은 일반 SFP와 정확히 같은 크기이므로 장비 제조업체는 24 및 48포트 스위치와 모듈식 라인 카드에 기존 물리적 설계를 재사용할 수 있다. 이전 XENPAK 또는 XFP 모듈과 비교하여 SFP+ 모듈은 모듈 내부에 구현되는 대신 호스트 보드에 더 많은 회로를 구현할 수 있다.
스몰 폼 팩터 플러거블

활성 전자 어댑터를 사용하면 SFP+ 모듈을 XENPAK 포트를 가진 구형 장비와 X2 포트에서 사용할 수 있다. SFP+ 모듈은 제한(limiting) 또는 선형(linear) 유형으로 설명될 수 있다. 이는 내장 전자 장치의 기능을 설명한다. 제한 SFP+ 모듈은 (저하된) 수신 신호를 재형성하기 위한 신호 증폭기를 포함하는 반면, 선형 SFP+ 모듈은 포함하지 않는다. 선형 모듈은 주로 10GBASE-LRM과 같은 낮은 대역폭 표준에 사용되며, 그렇지 않은 경우에는 제한 모듈이 선호된다. SFP28. SFP28은 일반적으로 데이터 레인 4개로 구현되는 100기가비트 이더넷 인터페이스에서 진화한 인터페이스이다. SFP 및 SFP+와 기계적 치수가 동일한 SFP28은 인코딩 오버헤드가 있는 데이터를 수용하는 레인 하나를 구현한다. SFP28 모듈은 단일 또는 다중 모드 광섬유 연결, 활성 광케이블 및 다이렉트 연결 구리를 지원한다. cSFP. cSFP(compact small form-factor pluggable)는 동일한 기계적 폼 팩터를 가지며 포트당 두 개의 독립적인 양방향 채널을 허용하는 SFP의 변형이다. 주로 포트 밀도를 높이고 포트당 광섬유 사용량을 줄이는 데 사용된다. SFP-DD. SFP-DD(small form-factor pluggable double density) 다중 소스 계약은 2019년에 포트 밀도를 두 배로 늘리기 위한 표준으로 발표되었다. SFD-DD MSA 웹사이트에 따르면: "SFP-DD 기반 네트워크 장비는 레거시 SFP 모듈 및 케이블과 새로운 이중 밀도 제품을 지원할 것이다." SFP-DD는 전송에 두 개의 레인을 사용한다. 현재 다음과 같은 속도가 정의되어 있다: QSFP.
스몰 폼 팩터 플러거블

QSFP(Quad Small Form-factor Pluggable) 트랜시버는 다양한 송신기 및 수신기 유형으로 제공되므로 사용자는 다중 모드 또는 단일 모드 광섬유를 통해 필요한 광학 도달 거리를 제공하도록 각 링크에 적합한 트랜시버를 선택할 수 있다. 제품에 QSFP+ 포트를 구현하는 스위치 및 라우터 제조업체는 종종 단일 QSFP+ 포트를 4개의 독립적인 10기가비트 이더넷 연결로 사용할 수 있도록 허용하여 포트 밀도를 크게 높인다. 예를 들어, 일반적인 24포트 QSFP+ 1U 스위치는 96개의 10GbE 연결을 제공할 수 있다. 단일 QSFP28 포트를 4개의 독립적인 25 기가비트 이더넷 SFP28 포트(QSFP28-to-4×SFP28)로 조정하는 팬아웃 케이블 및 단일 QSFP56 포트를 4개의 독립적인 50 기가비트 이더넷 SFP56 포트(QSFP56-to-4×SFP56)로 조정하는 케이블도 있다. 응용 분야. SFP 소켓은 이더넷 스위치, 라우터, 방화벽 및 네트워크 인터페이스 카드에서 찾을 수 있다. 파이버 채널 호스트 어댑터 및 스토리지 장비에 사용된다. 저렴한 비용, 낮은 프로파일, 다양한 유형의 광섬유 연결을 제공하는 능력 때문에 SFP는 이러한 장비에 향상된 유연성을 제공한다. SFP 소켓 및 트랜시버는 장거리 시리얼 디지털 인터페이스(SDI) 전송에도 사용된다. 표준화. SFP 트랜시버는 공식 표준 기관에 의해 표준화되지 않고 경쟁 제조업체 간의 다중 소스 협약(MSA)에 의해 명시된다. SFP는 GBIC 인터페이스 이후에 설계되었으며, GBIC보다 더 큰 포트 밀도(주어진 영역당 트랜시버 수)를 허용하므로 SFP는 미니 GBIC으로도 알려져 있다.
스몰 폼 팩터 플러거블

그러나 실질적으로 일부 네트워킹 장비 제조업체는 장비의 펌웨어에 공급업체 자체 모듈만 활성화하는 확인 코드를 추가하여 일반 SFP와의 호환성을 의도적으로 깨뜨리는 벤더 록인 관행에 참여한다. 타사 SFP 제조업체는 모든 공급업체 ID와 일치하도록 프로그래밍할 수 있는 EEPROM이 장착된 SFP를 도입했다. 신호. SFP 트랜시버는 오른손잡이형으로, 자기 관점에서 오른쪽으로 전송하고 왼쪽으로 수신한다. 광학 커넥터를 들여다볼 때 전송은 왼쪽에서 오고 수신은 오른쪽에 있다. SFP 트랜시버에는 20개의 패드가 있는 에지 커넥터가 있는 인쇄 회로 기판이 포함되어 있으며, 이는 후면에서 호스트 시스템의 SFP 전기 커넥터와 결합된다. QSFP에는 4개의 고속 전송 데이터 쌍과 4개의 고속 수신 데이터 쌍을 포함하여 38개의 패드가 있다. 기계적 치수. SFP 트랜시버(및 이후의 더 빠른 변형)의 물리적 치수는 이후의 QSFP 대응 모델보다 좁아서 저렴한 어댑터를 통해 SFP 트랜시버를 QSFP 포트에 장착할 수 있다. 둘 다 XFP 트랜시버보다 작다. EEPROM 정보. SFP MSA는 트랜시버의 기능, 표준 인터페이스, 제조업체 및 기타 정보를 설명하는 256바이트 메모리 맵을 EEPROM에 정의하며, 이는 8비트 주소 0b1010000X(0xA0)에서 직렬 I²C 인터페이스를 통해 접근할 수 있다. 디지털 진단 모니터링. 현대 광학 SFP 트랜시버는 표준 DDM(디지털 진단 모니터링) 기능을 지원한다. 이 기능은 DOM(디지털 광학 모니터링)으로도 알려져 있다. 이 기능을 통해 SFP 작동 매개변수를 실시간으로 모니터링할 수 있다.
스몰 폼 팩터 플러거블

매개변수에는 광학 출력 전력, 광학 입력 전력, 온도, 레이저 바이어스 전류 및 트랜시버 공급 전압이 포함된다. 네트워크 장비에서 이 정보는 일반적으로 간이 망 관리 프로토콜(SNMP)을 통해 사용할 수 있다. DDM 인터페이스를 통해 최종 사용자는 광섬유 트랜시버의 진단 데이터 및 경보를 표시할 수 있으며, 트랜시버가 작동하지 않는 이유를 진단하는 데 사용할 수 있다.
신붓값

신붓값() 또는 신부 지참금(bride-dowry)은 신랑이나 그의 가족이 결혼할 여자 또는 그녀의 가족에게 지불하는 돈, 재산, 또는 기타 형태의 부이다. 반대말은 아내의 가족이 신랑에게 지불하거나 신부가 새 가정을 꾸리는 데 사용하는 지참금(dowry)이다. 남편의 가족이 아내가 과부가 될 경우 부양할 목적으로 아내에게 주는 과부산권(dower)과는 구별되어야 한다. 신랑이 신붓값을 주거나 혼수를 챙겨야 하는 문화는 동아시아 여러 국가, 동유럽, 중동, 아프리카 일부 지역, 그리고 일부 태평양 섬나라 사회, 특히 멜라네시아 지역에서 행해지고 있다. 그 금액은 전통을 이어나가기 위한 작은 증표에 불과한 경우부터 거액을 지급해야 하는 경우까지 다양하다. 소수의 모계 문화권에서는 신랑이 결혼하기 위해 신부의 가족을 위해 일정 기간 일하는 신부 용역(bride service)이라는 풍습도 보인다. 사례. 이슬람권. 이슬람 법에서는 신랑이 혼인 성사 전에 신부에게 마흐르(مهر, mahr)라고 불리는 선물을 주도록 규정한다. 마흐르는 신부의 가족이 아닌 신부 본인이 간직한다는 점에서 특징적이며, 신붓값보다는 과부산권(寡婦産權, dower)에 더 가깝다는 해석도 있다. 중국. 중국의 전통 사회에서는 길한 날을 정하여 혼담을 꺼내는 제친(提親) 문화가 있는데, 이때 두 가족이 만나 빙금(聘金)이라고 불리는 신붓값의 금액을 비롯한 사항을 논의한다. 결혼 몇 주 전의 과대례(過大禮) 중에 신랑과 중매쟁이는 신붓값과 함께 여러 선물을 가지고 신부의 친정을 방문하며, 결혼식 당일에 신부 가족은 호의의 표시로 신붓값 일부와 선물을 되돌려 준다.
세븐스 드래곤 (비디오 게임)

세븐스 드래곤(セブンスドラゴン, 7th Dragon)은 이미지포치가 개발하고 세가가 일본에서 2009년 3월 5일에 출시한 닌텐도 DS용 롤플레잉 비디오 게임이다. 이 게임은 다른 지역에서는 출시되지 않았다. 그러나 2014년에 영어 팬 번역이 완료되었다. 스토리. 세븐스 드래곤은 하이 판타지 세계 에덴을 배경으로 한다. 에덴의 80%는 7마리의 드래곤이 이끄는 다양한 환상의 파충류가 지배하며, 인간에 대한 그들의 적의는 사회를 위협한다. 플레이어는 7마리의 드래곤을 제거하고 인류를 구해야 하는 사냥꾼의 역할을 맡는다. 게임플레이. 플레이어는 여정을 시작할 때 마법사, 공주, 도적, 기사, 사무라이, 격투가 또는 치유사의 클래스 중에서 자신만의 캐릭터를 생성할 수 있다. 전투 외에서는 캐릭터가 오버월드를 위에서 본 시점으로 이동하는 것으로 보이며, 전투는 각 캐릭터가 적을 공격하는 모습을 보여주는 측면 시점으로 보인다. 개발. 이 게임은 코다마 리에코가 프로듀싱했고, 디자인 팀은 작곡가 고시로 유조, 캐릭터 디자이너 모타, 그리고 몬스터 디자이너 야마모토 아키후미로 구성되어 있다. 프로젝트의 지휘는 트라우마 센터와 세계수의 미궁 시리즈의 첫 작품 디렉터인 카즈야 니이노가 맡았다. 평가. 패미통 일본 잡지는 세븐스 드래곤에 9/8/8/8, 총 40점 만점에 33점을 부여했다. 이 게임은 출시 주에 8만 장이 팔려 두 번째로 많이 팔린 게임이었다. 다음 주에는 추가로 22,000장이 판매되었다.
세븐스 드래곤 (비디오 게임)

후속작. 스핀오프 후속작인 세븐스 드래곤 2020은 2011년 11월 23일 플레이스테이션 포터블용으로 일본에서 출시되었다. 이 작품부터 시리즈의 캐릭터 디자인은 일본 만화가 미와 시로가 담당했다. 폴리곤 그래픽을 특징으로 하며, 종말 이후 도쿄도를 배경으로 하는 근미래인 2020년에 드래곤이 도시를 침략한 내용을 다루고 있다. 이 게임은 사무라이를 제외하고 현대에 맞춰 개편된 새로운 클래스를 특징으로 한다. 보컬로이드 하츠네 미쿠는 게임의 공식 협업 요소로 등장하여 오프닝 테마곡 시퀀스뿐만 아니라 선택적 DIVA 모드 리믹스 곡의 음성 제공자 역할을 했다. 세븐스 드래곤 2020의 후속작인 세븐스 드래곤 2020-II는 2013년 4월 18일 일본에서 플레이스테이션 포터블용으로 출시되었다. 하츠네 미쿠는 게임에서 플레이할 수 없는 캐릭터로 다시 등장했으며, 새로운 아이돌 클래스와 DIVA 모드 옵션의 복귀도 특징으로 한다. DIVA 모드 옵션은 게임 내 모든 배경 음악을 하츠네 미쿠가 노래하는 것으로 변경한다. 세 번째이자 마지막 후속작인 세븐스 드래곤 III 코드: VFD는 이전 두 게임보다 80년 후인 2100년을 배경으로 하며, 인류를 파멸시킬 일곱 번째 신성 드래곤의 각성으로부터 인류를 구하기 위해 노덴스 코퍼레이션이 드래곤 크로니클을 완성하려는 시도를 다룬다. 닌텐도 3DS eShop에서 데모가 제공되었으며, 정식 게임은 2015년 10월 15일에 출시되었다. 이 게임은 2016년 7월 12일 북미에서 출시되었다. 게임 출시 후 세가는 출시 몇 주 안에 세 차례의 다운로드 콘텐츠를 받을 것이라고 발표했다.
세븐스 드래곤 (비디오 게임)

이 게임은 연말에 유럽에서도 출시될 것이라고 발표되었다. 2019년 11월 27일, 비디오 게임과 동일한 캐스트로 구성된 코드: VFD 드라마 CD가 출시되었다.
퀴리 (마이크로아키텍처)

퀴리(Curie) 또는 큐리는 엔비디아가 개발하여 2004년에 출시한 마이크로아키텍처의 코드명으로, 랭킨 마이크로아키텍처의 후속이다. 이 아키텍처는 폴란드의 물리학자 마리 살로메아 스클로도프스카-퀴리의 이름을 따서 명명되었으며, 지포스 6 및 7 시리즈에 사용되었다. 퀴리의 후속은 테슬라이다. 그래픽스 기능. 통합 셰이더가 없기 때문에 DirectX 9.0c가 이 마이크로아키텍처를 기반으로 하는 GPU에서 지원되는 마지막 버전이다.
어센드 그룹

어센드 그룹(Ascend Group Co. Ltd.)은 태국 방콕에 본사를 둔 비상장 전자상거래 기업으로, 트루 코퍼레이션의 분사 기업이다. 1억 5천만 달러 규모의 사업 확장을 통해 필리핀, 인도네시아, 베트남에 계열사를 설립하고, 미얀마와 캄보디아와 같이 접근성이 낮은 국가에도 진출했다. 연혁. 2014년에 설립된 어센드 그룹은 트루 코퍼레이션의 기존 전자상거래 및 서비스 사업을 통합하여 원활한 사업부 간 서비스를 제공한다. 주요 자회사로는 어센드 커머스(Ascend Commerce), 어센드 머니(Ascend Money), 어센드 캐피털(Ascend Capital)이 있으며, 트루IDC(TrueIDC)와 에그 디지털(Egg Digital)과 같은 소규모 독립 사업체도 있다. 2018년 4월, 어센드는 11,000명이 넘는 고객 데이터가 유출되면서 논란의 중심에 섰다. 유출된 정보에는 고객의 신분증 정보도 포함되어 있었다.
정유공장

정유공장은 석유 (원유)를 휘발유, 경유, 블랙탑 기반, 연료유, 난방유, 등유, 액화석유가스, 석유 나프타와 같은 제품으로 전환하고 정제하는 산업 공정 시설이다. 석유화학 원료인 에틸렌 및 프로필렌도 나프타와 같은 원유 정제 제품을 사용할 필요 없이 원유를 크래킹하여 직접 생산할 수 있다. 원유 원료는 일반적으로 유전 (석유) 생산 설비에 의해 처리된다. 일반적으로 들어오는 원유 원료 및 벌크 액체 제품의 저장을 위해 정유공장 내 또는 인근에 유류 터미널이 있다. 2020년 전 세계 정유 공장의 원유 총 처리 용량은 하루 약 1억 120만 배럴이다. 정유 공장은 일반적으로 넓고 광대한 관로 (시설)가 전체에 걸쳐 흐르며, 증류탑과 같은 대규모 화학 공정 설비들 사이에서 유체 흐름을 운반하는 대규모 산업 단지이다. 여러 면에서 정유 공장은 다양한 기술을 사용하며 화학 공장의 일종으로 간주될 수 있다. 2008년 12월 이후 세계 최대 정유 공장은 릴라이언스 인더스트리가 소유한 구자라트주, 인도에 위치한 자므나가르 정유공장으로, 하루 의 처리 용량을 가진다. 정유 공장은 석유 산업의 다운스트림 부문의 필수적인 부분이다. 같이 보기. 정유공장은 산업 공정 시설로, 석유 (원유)를 휘발유, 경유, 블랙탑 기반, 연료유, 난방유, 등유, 액화석유가스, 석유 나프타와 같은 제품으로 변환하고 정제한다. 석유화학 원료인 에틸렌 및 프로필렌도 나프타와 같은 원유 정제 제품을 사용할 필요 없이 원유를 크래킹하여 직접 생산할 수 있다. 원유 원료는 일반적으로 유전 (석유) 생산 설비에 의해 처리된다.
정유공장

일반적으로 들어오는 원유 원료 및 벌크 액체 제품의 저장을 위해 정유공장 내 또는 인근에 유류 터미널이 있다. 2020년 전 세계 정유 공장의 원유 총 처리 용량은 하루 약 1억 120만 배럴이다. 정유 공장은 일반적으로 넓고 광대한 관로 (시설)가 전체에 걸쳐 흐르며, 증류탑과 같은 대규모 화학 공정 설비들 사이에서 유체 흐름을 운반하는 대규모 산업 단지이다. 여러 면에서 정유 공장은 다양한 기술을 사용하며 화학 공장의 일종으로 간주될 수 있다. 2008년 12월 이후 세계 최대 정유 공장은 릴라이언스 인더스트리가 소유한 구자라트주, 인도에 위치한 자므나가르 정유공장으로, 하루 의 처리 용량을 가진다. 정유 공장은 석유 산업의 다운스트림 부문의 필수적인 부분이다. 역사. 중화인민공화국은 석유를 정제한 최초의 문명 중 하나였다. 1세기 초부터 중국인은 에너지원으로 사용하기 위해 원유를 정제했다. 512년에서 518년 사이, 북위 말기, 중국의 지리학자, 작가 및 정치인 역도원은 그의 유명한 저서 수경주에서 다양한 윤활유로 석유를 정제하는 과정을 소개했다. 원유는 종종 페르시아 화학자들에 의해 증류되었으며, 무함마드 이븐 자카리야 라지 ()의 저서와 같은 핸드북에 명확한 설명이 나와 있다. 바그다드 거리는 이 지역의 천연 유전에서 얻을 수 있는 석유에서 파생된 타르로 포장되어 있었다. 9세기에 현대 바쿠, 아제르바이잔 주변 지역에서 유전 (석유)이 개발되었다.
정유공장

이 유전들은 10세기에 아부 알-하산 알리 알-마수디에 의해, 그리고 13세기에 마르코 폴로에 의해 설명되었으며, 그는 이 유전의 생산량을 수백 척의 선적량으로 묘사했다. 아랍 및 페르시아 화학자들도 군사적 목적으로 가연성 제품을 생산하기 위해 원유를 증류했다. 이슬람 스페인을 통해 12세기까지 서유럽에서 증류를 사용할 수 있게 되었다. 북송 시대 (960–1127)에는 카이펑 시에 "맹렬한 석유 공방"이라는 작업장이 설립되어 송나라 군대를 위한 무기로 정제된 석유를 생산했다. 군대는 정제된 석유로 철통을 채워 적군에게 던져 불을 일으켰는데, 이는 사실상 세계 최초의 "화염탄"이었다. 이 작업장은 수천 명의 사람들이 중국의 석유 동력 무기를 생산하기 위해 일했던 세계 최초의 정유 공장 중 하나였다. 19세기 이전에는 바빌론, 이집트, 중화인민공화국, 필리핀, 로마, 아제르바이잔에서 석유가 알려져 다양한 방식으로 활용되었다. 그러나 석유 산업의 현대사는 1846년 캐나다의 노바스코샤주에 있는 에이브러햄 게스너가 석탄에서 등유를 생산하는 공정을 개발하면서 시작되었다고 한다. 그 직후인 1854년 이그나치 루카시에비치는 폴란드의 크로스노 마을 근처에서 손으로 판 유전 (석유)에서 등유를 생산하기 시작했다. 루마니아는 Academy Of World Records에 따르면 세계 석유 생산 통계에 처음으로 등록된 국가이다. 북아메리카에서는 1858년 캐나다 온타리오주 오일 스프링스에서 제임스 밀러 윌리엄스가 첫 번째 유전 (석유)을 굴착했다.
정유공장

미국에서는 1859년 에드윈 드레이크가 펜실베이니아주 타이터스빌 근처에서 석유를 발견하면서 석유 산업이 시작되었다. 이 산업은 1800년대에는 주로 석유 램프용 등유를 생산하며 느리게 성장했다. 20세기 초 내연 기관의 도입과 자동차에서의 사용은 휘발유 시장을 창출했으며 이는 석유 산업의 상당히 빠른 성장을 촉진했다. 온타리오와 펜실베이니아주에서와 같은 초기 석유 발견은 곧 오클라호마주, 텍사스주, 캘리포니아주에서의 대규모 석유 "붐"에 의해 추월되었다. 새뮤얼 키어는 1853년 피츠버그 세븐스 애비뉴 근처 그랜트 스트리트에 미국 최초의 정유 공장을 설립했다. 폴란드의 약사이자 발명가인 이그나치 루카시에비치는 1854년 당시 오스트리아-헝가리 제국의 일부였던 야스워 (현재 폴란드 위치)에 정유 공장을 설립했다. 최초의 대규모 정유 공장은 1856년에서 1857년 사이에 플로이에슈티, 루마니아에 개장했다. 1908년, 51년 후 플로이에슈티에서 1887년 암페타민 발견으로 박사 학위를 받은 유대계 루마니아 화학자인 라자르 에델레아누는 원유 정제를 위한 액체 추출의 최초의 현대적인 방법인 에델레아누 공정을 발명, 특허 및 산업 규모로 테스트했다. 이는 순수 분별 증류에 비해 정제 효율성을 높였고 정제 시설의 대규모 발전을 가능하게 했다. 연달아 이 공정은 프랑스, 독일, 미국 및 몇십 년 안에 전 세계적으로 확산되었다.
정유공장

1910년 에델레아누는 독일에 "Allgemeine Gesellschaft für Chemische Industrie"를 설립했고, 이름의 성공을 감안하여 1930년 Edeleanu GmbH로 변경했다. 나치 독일 시대에는 이 회사가 Deutsche Erdöl-AG에 인수되었고 유대계였던 에델레아누는 루마니아로 돌아왔다. 전쟁 후 이 상표는 후계 회사인 EDELEANU Gesellschaft mbH Alzenau (RWE)에 의해 많은 석유 제품에 사용되었고, 이 회사는 나중에 EDL로 Pörner Group에 통합되었다. 플로이에슈티 정유 공장은 나치 독일에 인수된 후, 제2차 세계 대전 연합국에 의해 1943년 타이들 웨이브 작전으로 폭격당했다. 제2차 세계 대전 석유 전역 중에. 세계에서 가장 오래된 정유 공장의 타이틀을 놓고 경쟁하는 또 다른 곳은 니더작센주, 독일에 있는 잘츠베르겐이다. 잘츠베르겐의 정유 공장은 1860년에 개장했다. 한때 사우디 아람코가 소유한 사우디아라비아 라스 타누라에 있는 정유 공장이 세계 최대 정유 공장으로 주장되었다. 20세기 대부분 동안 가장 큰 정유 공장은 이란의 아바단 정유공장이었다. 이 정유 공장은 이란-이라크 전쟁 동안 광범위한 손상을 입었다. 2008년 12월 25일 이후 세계 최대 정유 단지는 릴라이언스 인더스트리가 운영하는 인도의 자므나가르에 있는 2개의 정유 공장으로 구성된 자므나가르 정유공장 단지로, 하루 의 총 생산 능력을 가지고 있다.
정유공장

PDVSA의 파라과나반도, 베네수엘라에 있는 파라과나 정유 복합 단지는 하루 의 용량을 가지고 있지만 20년간의 제재 영향으로 실제 가동률은 극적으로 낮았으며, SK Energy의 울산에 있는 정유 공장은 하루 의 용량을 가지고 있어 각각 두 번째와 세 번째로 크다. 1940년대 초반 제2차 세계 대전 이전에는 미국 대부분의 정유 공장은 단순한 원유 증류 장치(종종 대기 원유 증류 장치라고도 함)로 구성되어 있었다. 일부 정유 공장에는 감압 증류 장치와 점도 조절 장치(점도를 낮추는 장치)와 같은 열분해 장치도 있었다. 아래에서 논의되는 다른 많은 정제 공정들은 전쟁 중 또는 전쟁 후 몇 년 안에 개발되었다. 이들은 전쟁이 끝난 후 5~10년 이내에 상업적으로 이용 가능해졌고 전 세계 석유 산업은 매우 빠르게 성장했다. 기술의 성장과 전 세계 정유 공장의 수와 규모의 성장을 이끈 동력은 자동차 휘발유와 항공기 연료에 대한 수요 증가였다. 미국에서 다양한 복잡한 경제적, 정치적 이유로 인해 1980년대경부터 신규 정유 공장 건설이 거의 중단되었다. 그러나 미국에 있는 많은 기존 정유 공장은 원유 처리 능력을 높이고, 생산되는 휘발유의 옥테인값을 높이며, 경유 및 가정용 난방유의 황 함량을 낮춰 환경 규제를 준수하고, 환경 대기 오염 및 수질 오염 요구 사항을 준수하기 위해 많은 설비들을 개조 및 추가 설비를 건설했다. 미국. 19세기 미국 정유 공장은 주로 등유를 회수하기 위해 원유를 처리했다. 휘발유를 포함한 더 휘발성인 부분에 대한 시장은 없었고, 이는 폐기물로 간주되어 종종 가장 가까운 강에 직접 버려졌다.
정유공장

자동차의 발명은 수요를 휘발유와 디젤로 옮겼고, 이는 오늘날에도 주요 정제 제품으로 남아 있다. 오늘날 국가 및 주 법률은 정유 공장이 엄격한 대기 및 수질 기준을 충족하도록 요구한다. 실제로 미국의 정유 회사들은 현대적인 정유 공장 건설 허가 취득이 너무 어렵고 비용이 많이 든다고 인식하여 1976년부터 2014년 노스다코타주에 소규모 Dakota Prairie 정유 공장이 가동될 때까지 미국에 새로운 정유 공장이 건설되지 않았다(단, 많은 공장은 확장되었다). 1981년에 존재했던 정유 공장 중 절반 이상은 낮은 가동률과 가속화되는 합병으로 인해 폐쇄되었다. 이러한 폐쇄의 결과로 1981년과 1995년 사이에 총 미국 정유 공장 용량이 감소했지만, 이 기간 동안 가동 용량은 하루 약 로 상당히 일정하게 유지되었다. 시설 규모 증가 및 효율성 개선은 산업의 손실된 물리적 용량의 상당 부분을 상쇄했다. 1982년 (가장 초기의 데이터 제공), 미국은 하루 의 원유를 처리할 수 있는 총 용량 301개의 정유 공장을 운영했다. 2010년에는 하루 의 총 용량을 가진 149개의 가동 가능한 미국 정유 공장이 있었다. 2014년까지 정유 공장 수는 140개로 줄었지만 총 용량은 하루 로 증가했다. 실제로 운영 비용과 감가상각을 줄이기 위해 정제는 더 적은 수의 부지에서 더 큰 용량으로 운영된다. 2009년부터 2010년까지 경기 침체 이전에 제품 수요 감소와 공급 과잉으로 석유 사업의 수익이 감소하고 정유 공장의 수익성이 떨어지자, 석유 회사들은 수익성이 낮은 정유 공장을 폐쇄하거나 매각하기 시작했다.
정유공장

운영. 원유 또는 가공되지 않은 원유는 일반적으로 산업 용도에 유용하지 않지만, "가볍고 달콤한" (낮은 점성도, 낮은 황) 원유는 항해 선박의 추진을 위한 증기 생산을 위해 버너 연료로 직접 사용되었다. 그러나 더 가벼운 원소는 연료 탱크에서 폭발성 증기를 형성하여 위험하며, 특히 군함에서 더욱 그렇다. 대신 정유 공장에서는 원유에 포함된 수백 가지의 탄화수소 분자를 휘발유, 윤활유, 석유화학제품 공정의 원료로 분리하여 플라스틱, 세제, 용매, 탄성체, 나일론 및 폴리에스터와 같은 섬유를 제조한다. 석유 화석 연료는 내연 기관에서 연소되어 선박, 자동차, 항공기 엔진, 예초기, 오토바이, 기타 기계에 동력을 제공한다. 다양한 끓는점으로 인해 증류를 통해 탄화수소를 분리할 수 있다. 더 가벼운 액체 제품은 내연 기관에 사용하기 위한 수요가 많기 때문에 현대적인 정유 공장은 무거운 탄화수소와 더 가벼운 기체 원소를 이러한 고가치 제품으로 변환한다. 석유는 다양한 분자량, 형태, 길이의 파라핀, 방향족, 나프텐(또는 사이클로알케인스), 알켄스, 다이엔스, 알카인스와 같은 탄화수소를 포함하기 때문에 다양한 방식으로 사용할 수 있다. 원유에 포함된 분자는 황과 질소와 같은 다른 원자를 포함하지만, 탄화수소는 가장 일반적인 형태의 분자이며, 수소와 탄소 원자 및 소수의 산소 원자로 이루어진 다양한 길이와 복잡성의 분자이다. 이러한 분자 구조의 차이는 그들의 다양한 물리적 및 화학적 특성에 기인하며, 이러한 다양성이 원유를 광범위한 여러 응용 분야에 유용하게 만든다.
정유공장

오염물질과 불순물을 분리 및 정제한 후, 연료 또는 윤활유는 추가 가공 없이 판매될 수 있다. 아이소뷰테인 및 프로필렌 또는 뷰틸렌과 같은 더 작은 분자는 알킬화 또는 더 일반적으로 이합체화와 같은 공정을 통해 특정 옥테인 요구 사항을 충족하도록 재조합될 수 있다. 휘발유의 옥탄가는 촉매 개질을 통해 개선될 수 있으며, 이는 탄화수소에서 수소를 제거하여 방향족과 같은 더 높은 옥탄가의 화합물을 생성하는 것을 포함한다. 가스 오일과 같은 중간 제품은 유동 접촉 분해, 열분해, 수소화 분해와 같은 다양한 형태의 크래킹을 통해 무겁고 긴 사슬 오일을 더 가볍고 짧은 사슬 오일로 분해하기 위해 재처리될 수도 있다. 휘발유 생산의 마지막 단계는 제품 사양을 충족하기 위해 다른 옥탄가, 증기 압력 및 기타 특성을 가진 연료를 혼합하는 것이다. 이러한 중간 제품(잔여 오일)을 재처리 및 업그레이드하는 또 다른 방법은 제휘발 공정을 사용하여 폐기물 아스팔텐 재료에서 사용할 수 있는 오일을 분리하는 것이다. 특정 균열 스트림은 프로필렌, 더 무거운 중합체, 분자량과 원료 공급원에서 균열된 올레핀 종류의 특성에 따라 블록 중합체를 포함하는 석유화학제품 생산에 특히 적합하다. 정유 공장은 하루 수십만에서 수십만 배럴의 원유를 처리하는 대규모 시설이다. 높은 용량으로 인해 많은 설비가 연속적으로 작동하며, 몇 개월에서 몇 년 동안 정상 상태 또는 거의 정상 상태에서 회분 처리가 아닌 방식으로 작동한다. 높은 용량은 프로세스 최적화 및 고급 프로세스 제어를 매우 바람직하게 만든다. 주요 제품. 석유 제품은 정유 공장에서 처리될 때 원유 (석유)에서 파생된 물질이다.
정유공장

석유의 대부분은 여러 종류의 연료를 포함하는 석유 제품으로 변환된다. 정유 공장은 또한 수소, 경질 탄화수소, 개질유 및 열분해 휘발유와 같은 다양한 중간 제품을 생산한다. 이것들은 일반적으로 운송되지 않고 대신 현장에서 혼합되거나 추가로 가공된다. 따라서 화학 공장은 종종 정유 공장과 인접하거나 여러 추가 화학 공정이 통합되어 있다. 예를 들어, 경질 탄화수소는 증기 균열되어 에틸렌 공장에서 생산되며, 생산된 에틸렌은 중합되어 폴리에틸렌을 생산한다. 적절한 분리 및 환경 보호를 보장하기 위해 가장 무거운 제품을 제외한 모든 제품에서 매우 낮은 황 함량이 필요하다. 원유 황 오염물은 촉매 수소화 탈황을 통해 황화 수소로 변환되어 아민 가스 처리를 통해 제품 스트림에서 제거된다. 클라우스 공정을 사용하여 황화 수소는 이후 기초 황으로 변환되어 화학 산업에 판매된다. 이 공정에서 방출되는 상당히 큰 열 에너지는 정유 공장의 다른 부분에서 직접 사용된다. 종종 전력 발전소가 전체 정유 공정 시스템과 결합되어 초과 열을 흡수한다. 원유 조성 및 시장 수요에 따라 정유 공장은 다양한 비율의 석유 제품을 생산할 수 있다. 석유 제품의 가장 큰 부분은 "에너지 운반체", 즉 다양한 등급의 연료유와 휘발유로 사용된다. 이러한 연료는 휘발유, 제트 연료, 경유, 난방유 및 더 무거운 연료유를 포함하거나 이들과 혼합될 수 있다. 더 무거운 (덜 휘발성) 부분은 아스팔트, 타르, 파라핀, 윤활 및 기타 무거운 오일을 생산하는 데 사용될 수도 있다. 정유 공장은 또한 다른 화학 물질을 생산하며, 이 중 일부는 플라스틱 및 기타 유용한 물질을 생산하는 화학 공정에 사용된다.
정유공장

석유는 종종 몇 퍼센트의 황 함유 분자를 포함하기 때문에, 원소 황도 종종 석유 제품으로 생산된다. 탄소, 즉 석유코크스 형태의 탄소와 수소도 석유 제품으로 생산될 수 있다. 생산된 수소는 종종 수소화 분해 및 수소화 탈황과 같은 다른 정유 공정의 중간 제품으로 사용된다. 석유 제품은 일반적으로 경질 증류물(LPG, 휘발유, 나프타), 중간 증류물(등유, 제트 연료, 경유), 중질 증류물 및 잔류물(무거운 연료유, 윤활유, 왁스, 아스팔트)의 네 가지 범주로 분류된다. 이것들은 다양한 원료를 혼합하고, 적절한 첨가제를 혼합하고, 단기 저장을 제공하고, 트럭, 바지선, 제품 선박 및 철도 차량에 대량 적재할 준비를 해야 한다. 이 분류는 원유가 증류되어 분획으로 분리되는 방식에 기반한다. 6,000가지 이상의 물품이 비료, 바닥재, 향수, 살충제, 석유 젤리, 비누, 비타민 캡슐을 포함한 석유 폐기물 부산물로 만들어진다. 일반적인 정유 공장 공정 흐름도. 아래 이미지는 일반적인 정유 공장의 개략적인 공정 흐름도로, 다양한 단위 공정과 입구 원유 원료와 최종 제품 사이에서 발생하는 중간 제품 흐름을 보여준다. 이 다이어그램은 문자 그대로 수백 가지의 다른 정유 공장 구성 중 하나만을 나타낸다. 또한 이 다이어그램에는 증기, 냉각수, 전기와 같은 시설 유틸리티와 원유 원료 및 중간 제품과 최종 제품을 위한 저장 탱크와 같은 일반적인 정유 공장 시설은 포함되어 있지 않다. 위에 묘사된 것 외에도 많은 공정 구성이 있다.
정유공장

예를 들어, 감압 증류 장치는 방적 산업에 사용되는 스핀들유, 경질 기계유, 엔진오일 및 다양한 왁스와 같은 최종 제품으로 정제될 수 있는 분획을 생산할 수도 있다. 원유 증류 장치. 원유 증류 장치(CDU)는 사실상 모든 정유 공장의 첫 번째 처리 장치이다. CDU는 들어오는 원유를 다양한 비등 범위의 여러 분획으로 증류하며, 각 분획은 다른 정유 공정 장치에서 추가로 처리된다. CDU는 대기압보다 약간 높은 압력에서 작동하기 때문에 종종 대기 증류 장치라고도 한다. 아래는 일반적인 원유 증류 장치의 개략적인 흐름도이다. 들어오는 원유는 뜨거운 증류된 일부 분획 및 기타 흐름과 열을 교환하여 예열된다. 그런 다음 무기염(주로 염화나트륨)을 제거하기 위해 탈염된다. 탈염기 다음에는 원유가 뜨거운 증류된 일부 분획 및 기타 흐름과 열을 교환하여 추가로 가열된다. 그런 다음 연료 연소로(가열기)에서 약 398°C의 온도로 가열되어 증류 장치의 바닥으로 흐른다. 증류탑 상부의 냉각 및 응축은 들어오는 원유와 열을 교환하거나 공랭식 또는 수랭식 응축기를 통해 부분적으로 제공된다. 추가 열은 아래 다이어그램에 표시된 순환 시스템을 통해 증류탑에서 제거된다. 흐름도에 표시된 바와 같이, 증류탑에서 나온 상부 증류 분획은 나프타이다. 증류탑의 측면에서 컬럼 상단과 하단 사이의 다양한 지점에서 제거된 분획을 사이드컷이라고 한다. 각 사이드컷(즉, 등유, 경질 가스 오일, 중질 가스 오일)은 들어오는 원유와 열을 교환하여 냉각된다.
정유공장

모든 분획(즉, 상부 나프타, 사이드컷 및 하부 잔류물)은 추가 처리되기 전에 중간 저장 탱크로 보내진다. 정유 공장 위치. 정유 공장 또는 화학 공장 건설 부지를 찾는 당사자는 다음과 같은 문제를 고려해야 한다. 정유 공장 부지 선정에 영향을 미치는 요인: 많은 양의 증기와 냉각수를 사용하는 정유 공장은 풍부한 수원지를 가지고 있어야 한다. 따라서 정유 공장은 종종 항해 가능한 강 근처나 해변, 항구 근처에 위치한다. 이러한 위치는 강이나 바다를 통한 운송도 가능하게 한다. 파이프라인으로 원유를 운송하는 것의 장점은 분명하며, 석유 회사들은 종종 많은 양의 연료를 파이프라인으로 유통 터미널로 운송한다. 출력이 적은 제품의 경우 파이프라인이 실용적이지 않을 수 있으며, 철도 차량, 도로 탱크로리, 바지선이 사용된다. 석유화학 공장 및 용제 제조(정밀 분별) 공장은 많은 양의 정유 제품을 추가로 처리하거나, 혼합 터미널이 아닌 출처에서 화학 첨가제를 제품과 혼합하기 위한 공간이 필요하다. 안전 및 환경. 정유 과정은 대기로 여러 가지 다른 화학 물질을 방출하며 (대기 오염 물질 배출 계수 AP 42 편집 참조) 눈에 띄는 냄새는 일반적으로 정유 공장의 존재와 함께 발생한다. 대기 오염 영향 외에도 폐수 문제, 화재 및 폭발과 같은 산업 사고 위험, 산업 소음으로 인한 소음성 난청이 있다. 전 세계 많은 정부는 정유 공장이 방출하는 오염 물질에 대한 제한을 의무화했으며, 대부분의 정유 공장은 관련 환경 보호 규제 기관의 요구 사항을 준수하는 데 필요한 장비를 설치했다.