Chang-Su/ko-wiki-250611 huggingface dataset:
컬티베이터

산업용. 오늘날 상업적으로 경운 작업을 수행하는 정도(예: 근교농원)는 일반적으로 트랙터, 특히 이랑 작물 트랙터에 의해 동력이 공급된다. 산업용 컬티베이터는 크기와 모양이 다양하며, 폭은 에서 까지 다양하다. 많은 컬티베이터는 도로 이동을 더 쉽고 안전하게 하기 위해 접을 수 있는 유압식 날개가 장착되어 있다. 심기 전에 밭을 준비하고 이랑 작물 사이의 잡초를 제어하는 데 다른 유형이 사용된다. 컬티베이터는 드로바를 통해 트랙터 뒤에 견인되는 장치일 수 있다. 삼점 히치에 장착되거나 트랙터 아래 프레임에 장착될 수 있다. 활성 컬티베이터 장치는 동력인출장치 샤프트에 의해 구동된다. 대부분의 컬티베이터는 이차적인 경작 장치로 간주되지만, 활성 컬티베이터는 가벼운 토양에서 쟁기질 대신에 일차적인 경작에 일반적으로 사용된다. 사용 가능한 가장 큰 버전은 폭이 약 이며, 구동하려면 이상의 트랙터(PTO)가 필요하다. 필드 컬티베이터는 다양한 유형의 경작 가능한 농작물 밭에서 경작 작업을 완료하는 데 사용된다. 필드 컬티베이터의 주요 기능은 심을 작물에 적합한 묘상을 준비하고, 토양에 작물 잔류물을 묻어(파종 전에 토양을 데우는 데 도움), 잡초를 제어하고, 토양을 혼합하고 통합하여 작물 생장 기간 동안 충분한 물과 영양분을 얻을 수 있도록 하는 것이다. 이 장치에는 금속 프레임 하단에 여러 개의 샹크가 장착되어 있으며, 기계 후면에는 작은 좁은 막대가 있어 나중에 심을 때 이동하기 쉽도록 토양 표면을 부드럽게 한다. 대부분의 필드 컬티베이터에는 하나 이상의 유압 실린더가 장치를 올리고 내리고 깊이를 제어한다. 이랑 작물 컬티베이터.
컬티베이터

이랑 작물 컬티베이터의 주요 기능은 이미 자라고 있는 작물 열 사이의 잡초를 제어하는 것이다. 이랑 작물 컬티베이터는 일반적으로 삼점 히치로 올리고 내리며 깊이는 게이지 휠로 제어된다. 때로는 스윕 컬티베이터라고 불리기도 하며, 일반적으로 작물 바닥 근처에서 뿌리에서 잡초를 자르고 흙을 뒤집는 두 개의 중앙 날과 중앙 날보다 더 바깥쪽에 있는 두 개의 후방 스윕으로 구성되어 있으며, 행 중앙을 처리하고 너비가 1에서 36행까지 다양할 수 있다. 정원 컬티베이터. 가정 정원이나 소규모 상업 정원과 같은 작은 정원에서 사용되는 소형 경운 장비는 일차 및 이차 경운을 모두 제공할 수 있다. 예를 들어, 회전 컬티베이터는 "쟁기질"과 "써레질"을 모두 수행하여 부드럽고 느슨한 씨앗 밭을 준비한다. 그러나 컬티베이터 이빨이 제공하는 행별 잡초 제거는 제공하지 않는다. 이 작업에는 한 사람이 밀 수 있는 이빨 달린 컬티베이터가 있다. 변형 및 상표. 로터리 틸러는 컬티베이터의 한 종류이다. 넓은 채소밭을 원하는 가정 정원사에게 인기가 많다. 각 작물을 심기 전에 정원을 몇 번 경작할 수 있다. 잔디 심기와 같은 단일 사용 용도를 위해 공구 대여 센터에서 로터리 틸러를 빌릴 수 있다. 가정용 소형 로터리 호미는 로토틸러라는 상표로 알려져 있었고, 다양한 로터리 틸러를 생산한 하워드 그룹에서 만든 또 다른 로터리 호미는 로타베이터로 알려져 있었다.
알칼리 면

알칼리 면(Alkaline noodles)은 보통의 면보다 알칼리 함량이 훨씬 높은 국수의 일종이다. 알칼리를 첨가하면 면의 풍미와 질감이 모두 달라지며, 입과 손가락에서 미끄러지는 느낌을 준다. 또한 노란색을 띠고 일반 면보다 탄력이 더 있다. 중국 요리에서 전통적으로 사용된다. 일반 밀가루, 강력분, 세몰리나 등 다양한 밀가루를 사용할 수 있으며, 결과가 다소 달라진다. 노란색은 밀가루에 자연적으로 함유된 플라본 때문인데, 플라본은 보통 무색이지만 알칼리 pH에서 노란색으로 변한다. 알칼리 공급원. 높은 알칼리도는 일반적으로 주요 성분에 탄산 나트륨(Na2CO3 또는 탄산의 나트륨염)을 첨가하여 얻어진다. 알칼리성 밀가루 국수가 일반적인 중국의 일부 지역에서는 전통적으로 우물에서 나오는 알칼리성 물로 만든다. 더 일반적으로는 20% 탄산 나트륨(응고 방지제이기도 하다)과 80% 탄산 칼륨의 혼합물을 물에 직접 첨가한다. 이 혼합물을 중국에서는 지엔() 또는 지엔 수이()라고 부르고 일본에서는 칸스이()라고 부른다. 때때로 칸스이는 수산화 나트륨 용액 또는 다양한 비율의 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 때로는 인산 나트륨의 분말 혼합물(고체 칸스이)일 수도 있다. 중국 란저우시의 중국 국수에는 쫄깃한 "손으로 잡아 늘린" 타입인 라미안이 포함되는데, 이는 반죽이나 압출 없이 만들어진다. 적절한 질감을 얻으려면 전통적으로 할로게톤 아라크노이데우스(arachnoideus) 식물의 재에서 얻어지는 알칼리성 펑 후이()를 첨가해야 한다.
알칼리 면

전통적인 펑 후이 포타시는 글루텐 생성을 억제하여 국수 반죽을 더 부드럽고 연하게 만드는 탄산 칼륨을 포함한다. 1989년 란저우 대학(현재 간쑤 리시 식품 과학 기술 유한 회사)에서 처음으로 인공 대체제가 개발되었다. 이는 소금, 탄산 나트륨, 삼중인산 나트륨, 메타중아황산나트륨의 혼합물이다. "란저우 당면"은 국수 제조자가 란저우시(간쑤성의 수도) 출신이 아니더라도 뉴욕 타임즈에 따르면 "'시카고 피자'나 '뉴욕 베이글'처럼 어디서든 맛있다는 것을 의미하는 슬로건"이 되고 있다. 펑 후이, 지엔, 칸스이 외에도 유명한 미국 식품 과학자이자 작가인 해럴드 맥기(Harold McGee)는 데이비드 장(모모푸쿠 레스토랑 체인 소유자)와 런던의 푸크시아 던롭(Fuchsia Dunlop)과 같은 유명 셰프들의 경험을 바탕으로 가정 요리사가 일반 베이킹 소다를 300 °F (150 °C)에서 한 시간 동안 구워서 알칼리 면을 만드는 간단한 방법을 제시했다. 중탄산 나트륨을 구우면 수증기와 이산화 탄소 가스가 방출되고 남는 것은 알칼리성 탄산 나트륨이다. 맥기의 파스타 요리에는 생성된 탄산 나트륨이 아주 소량만 사용되는데, 세몰리나 밀가루 1.5 컵에 1 티스푼만 사용된다. 파스타를 만들 때 탄산 나트륨은 먼저 소량의 물에 녹여 세몰리나에 천천히 첨가한다. 그 후 반죽한 반죽을 한 시간 동안 휴지시킨 다음 파스타 기계를 통해 매우 얇게 밀어 원하는 형태의 국수로 가공한다.
오이디게라

오이디게라()는 그린란드 북부의 캄브리아기 초기 지층에서 발견된 멸종한 고충동물 가운데 하나이다. 앞몸은 수평적으로 납작하며, 타원형이고 그물 형태의 무늬를 가지고 있으며, 몸의 중앙선을 따라 다섯 쌍의 아가미 주머니가 고르게 간격을 두고 있다. 꼬리는 또한 둥글납작하고 수평으로 편평하지만 유연한 막으로 연결된 7개의 판들로 나뉘어져 있다. 오이디게라는 물고기처럼 좌우로 몸을 움직이며 헤엄쳤을 것이다. 화학 합성성 미생물매트를 바탕으로 하는 생태계에서 일부 포식자들과 함께 산소극소대역에서 살았을 것이며, 해저 주변에 살아가는 분해물식자 또는 여과섭식자일 가능성이 있다. 명명. 속명 오이디게라("Ooedigera")는 고대 그리스어로 '알 모양의', '타원형의'을 뜻하는 오오에이데스(ωοειδής)와 '오래되다'를 뜻하는 게로스(γέρος)를 합친 조어로 '오래된 타원'이라는 뜻이다. 종소명 펠리("peeli")는 오이디게라가 발견된 모식지를 특정적으로 연구한 그린란드 지질 탐사단의 존 S. 필(John S. Peel) 교수를 기리기 위해 붙인 것이다. 분류. MGUH 29279 모식표본은 북그린란드의 부엔층(Buen Formation)의 캄브리아기 초기 지층인 시리우스 파세트 라거슈테테에서 발견되었다. 이 지역은 캄브리아기 제3절 초기인 약 5억 1900~5억 1650만 년 전과 일치한다. 이 표본은 납작하게 눌린 화석으로 특이하고 가늘은 엽층, 해면, 삼엽충 등의 다른 다양한 생물들의 흔적들이 나타나 있는 몇몇 작은 얼룩들이 파열성 이암에 보존되어 있다.
오이디게라

오이디게라는 베툴리콜라와 함께 멸종한 고충동물아문 베툴리콜라과에 속한다. 오이디게라는 중국의 마오텐산 셰일 바깥에서 세 번째로 발견된 고충류이다.(나머지는 캐나다 뮤럴층의 미기재 표본들과 오스트레일리아 에뮤 베이 셰일의 네소넥트리스이다.) 고충동물아문은 선구동물과 달리 태아발달 과정에서 입과 항문이 반대로 나타나는 거대 동물 분류군인 후구동물의 원시적인 아문이다. 고충동물아문은 처음에는 절지동물에 속하는 것으로 분류되었으나, 몇 번 씩이나 재분류되었다. 원시 척삭동물 또는 원시 피낭류의 비유효한 부류에 해당하는 것으로 여겨졌다. 탈피동물(절지동물, 선형동물 및 근연 분류군이 속한다.), 특히 동문동물(마디 진 지렁이 같은 동물)으로서선구동물에 좀 더 가까운 것으로 추정하기도 하였다. 특징. 모식표본의 경우 전체 몸길이는 41.3mm이며, 달걀형의 앞몸과 마디 진 꼬리로 나누어져 있다. 화석화 과정에서 양 옆으로 눌린 듯 보이며, 외형의 불규칙하게 접힌 부분 때문에 피부는 다른 고충류들보다 더 부드러웠을 것이다. 앞몸은 타원형이며 길이 22.5mm, 높이 14mm이고 수평적으로 납작하다. 앞모서리는 쭉 뻗어있으며 뒷모서리는 뾰족하다. 앞몸 한 가운데에 중앙선이 가로 그어져 있다. 중국의 고충류들과는 다르게, 중앙선을 따라 이어진 이랑의 표시가 없으며, 오이디게라에서 이러한 부분의 결여는 분류함에 있어 중요하지만 더 많은 표본에서 이를 확증할 필요가 있다.
오이디게라

다른 고충류들과 마찬가지로 중앙선에는 5개 이상 또는 이하의 개구부가 고르게 간격을 유지하고 있으며, 앞모서리쪽은 3.3mm, 뒷모서리쪽은 2.4mm 크기이며, 아가미낭에 대응한다. 앞몸은 그물 무늬를 가지고 있는 것으로 보인다. 이러한 장식은 베툴리콜라의 아성체 표본과 비슷한 크기의 베이다조온에서도 보이는데, 오이디게라 이전에 다른 성체 고충류와 비슷한 크기의 장식 형태가 발견되지 않았다. 다른 고충류들처럼 꼬리는 비대칭형이고 수평으로 납작하며, 유연한 막으로 연결된 일곱 개의 마디들로 나누어지는데, 이는 몸을 움직여 앞으로 추진할 수 있게 해준다. 18.8mm의 크기이며 높이는 8.7mm이다. 각각의 마디는 모래시계모양으로 모서리가 오목하다. 제2~7마디는 밑면이 편평하며 제5~7마디는 윗면이 편명하다. 마지막 마디는 다른 고충류들보다 짧다. 꼬리가 비대칭적이고 편평한 것을 고려할 때, 물고기처럼 위아래가 아닌 좌우로 구부러져 움직였을 가능성이 크다. 생태. 고충동물이 무엇을 먹었는지는 대부분 알려져 있지 않다. 씹거나 잡는 데 적합한 입이 없었기 때문에 포식자나 청소부는 아니었을 것이다. 다리가 없기 때문에 굴을 파거나 해저에 살았을 가능성이 낮고, 수주(유영성) 안에 살았을 가능성이 높지만서도 해저 근처에 머물렀을 가능성이 크다(저영성) . 수동적 부유생물이었을 수도 있지만, 아가미는 탈리아강처럼 제트 추진에 사용되었을 가능성이 있다. 또한 입과 아가미를 이용해 물을 적극적으로 삼키고 배출하는 여과섭식에서도 사용되었을 것이다.
오이디게라

그러나 베툴리콜라, 반피아, 포마트룸은 소화관 안에 침전섭식의 증거이거나 화석화의 결과일지도 모르는 침전물의 흔적이 남아 있다. 고충류는 현생 반삭동물인 발라노글로수스("Balanoglossus")처럼 두 가지 섭취 방식을 모두 사용했을 가능성이 있다. 시리우스 파세트에서 약 45종의 동물이 발견되었으며, 주로 삼엽충, 해면, 환형동물, 멸종한 할키에리아류 및 엽족동물을 포함한 고유 동물군이 대부분이다. 여기에서 또 다른 미정 고충류가 발견되었다. 이 지역은 산소극소대역이었을 가능성이 있으며, 이전의 에디아카라기와 마찬가지로 생태계도 주로 초식동물과 여과섭식자를 먹이로 삼은 화학 합성 미생물매트가 우선적으로 바탕이 되었을 것이다. 절지동물과 해면동물이 가장 흔하게 화석으로 발견되기에, 전자와 엽족동물의 구성원들이 주요 포식자였을 것이다. 포식자가 가장 흔한 동물이었던 것으로 보인다.
DTX (폼 팩터)

DTX 폼 팩터는 ATX 사양의 변형으로 스몰 폼 팩터 PC(특히 HTPC)용으로 설계되었으며 크기는 이다. 셔틀의 오리지널 "SFF" 설계와 유사한 시스템의 호환성을 가능하게 하기 위한 산업 표준으로, AMD는 2007년 1월 10일에 개발 발표를 했다. AMD는 DTX 폼 팩터가 개방형 표준이며 ATX 폼 팩터 케이스와 하위 호환된다고 밝혔다. 또한 크기의 PCB를 사용하는 미니 DTX라는 더 짧은 변형을 발표했다. 이 사양은 DTX 마더보드에 최대 2개의 확장 슬롯을 제공하며, 이는 ATX 또는 마이크로ATX 보드의 상위 두 슬롯과 동일한 위치에 있다. 또한 이 사양은 DTX 마더보드에 익스프레스카드 확장 슬롯을 선택적으로 제공한다. 비교. DTX는 ATX 및 마이크로ATX의 더 짧은 버전이며, 미니-DTX는 미니 ITX보다 약간 더 긴 버전이다. 미니-ITX는 하나의 확장 슬롯만 가질 수 있지만, 미니-DTX는 너비가 같고 두 개의 확장 슬롯을 가질 수 있다. 장점. DTX는 생산 비용 절감에 여러 가지 이점을 제공한다.
핵기술

핵기술은 원자핵의 핵반응을 포함하는 기술이다. 주목할 만한 핵기술로는 원자로, 핵의학 및 핵무기가 있다. 이는 또한 연기 감지기 및 총기 조준경 등에도 사용된다. 역사 및 과학적 배경. 발견. 지구상의 일반적이고 자연적인 대부분의 현상은 중력과 전자기학만을 포함하며 핵반응은 포함하지 않는다. 이는 원자핵이 일반적으로 양전하를 띠고 있어 서로를 밀어내기 때문에 서로 떨어져 있기 때문이다. 1896년 앙리 베크렐은 우라늄 염에서 인광을 조사하던 중 이후 방사능이라고 불리게 된 새로운 현상을 발견했다. 그와 피에르 퀴리, 마리 퀴리는 이 현상을 조사하기 시작했다. 이 과정에서 그들은 방사능이 매우 강한 원소인 라듐을 분리해냈다. 그들은 방사성 물질이 세 가지 종류의 강력하고 관통력이 있는 광선을 생성한다는 것을 발견했으며, 이를 처음 세 그리스 알파벳에 따라 알파, 베타, 감마라고 명명했다. 이러한 방사선 중 일부는 일반 물질을 통과할 수 있으며, 모두 다량으로 노출될 경우 해로울 수 있다. 초기 연구자들은 모두 다양한 방사선 화상을 입었는데, 이는 일광화상과 비슷하며 크게 생각하지 않았다. 방사능이라는 새로운 현상은 돌팔이 의사 제조업체에 의해 이용되었고(이전에는 전기와 자기의 발견도 마찬가지였다), 방사능과 관련된 여러 특허 약품과 치료법이 제시되었다. 점차 방사성 붕괴에 의해 생성되는 방사선이 이온화 방사선이며, 화상을 입힐 만큼 적은 양조차도 심각한 장기적 위험을 초래할 수 있다는 사실이 인식되었다. 방사능 연구에 참여한 많은 과학자들은 노출로 인해 암으로 사망했다.
핵기술

방사성 특허 약품은 대부분 사라졌지만, 라듐 염을 사용하여 계기판에 빛나는 다이얼을 만드는 등 방사성 물질의 다른 응용 분야는 지속되었다. 원자에 대한 이해가 깊어짐에 따라 방사능의 본질이 명확해졌다. 일부 더 큰 원자핵은 불안정하여 무작위 시간 간격 후 붕괴(물질 또는 에너지를 방출)한다. 베크렐과 퀴리 부부가 발견한 세 가지 형태의 방사선도 더 완전히 이해되었다. 알파 붕괴는 핵이 알파 입자를 방출하는 것으로, 이는 양성자 두 개와 중성자 두 개로 구성되어 헬륨 핵과 동일하다. 베타 붕괴는 베타 입자, 즉 고에너지 전자를 방출하는 것이다. 감마 붕괴는 감마선을 방출하는데, 이는 알파 및 베타 방사선과 달리 물질이 아니라 매우 높은 진동수와 그에 따른 에너지를 가진 전자기파이다. 이 유형의 방사선은 가장 위험하고 차단하기 가장 어렵다. 이 세 가지 유형의 방사선은 특정 원소에서 자연적으로 발생한다. 또한 대부분의 지구 에너지의 궁극적인 원천이 핵이라는 점도 명확해졌다. 이는 항성 핵융합 반응에 의해 발생하는 태양의 방사선이나 지구 내부의 우라늄 방사성 붕괴, 즉 지열 에너지의 주요 원천을 통해서이다. 핵분열. 자연적인 핵 방사선에서 부산물은 핵에서 유래한 핵에 비해 매우 작다. 핵분열은 핵을 대략 동일한 부분으로 분할하고 이 과정에서 에너지와 중성자를 방출하는 과정이다. 이 중성자가 다른 불안정한 핵에 포획되면 핵분열을 일으킬 수 있으며, 이는 연쇄반응으로 이어진다. 다른 핵을 분열시키는 데 사용되는 핵당 방출되는 평균 중성자 수는 k라고 한다.
핵기술

k 값이 1보다 크면 핵분열 반응이 흡수하는 것보다 더 많은 중성자를 방출하며, 따라서 자가 지속적인 연쇄반응이라고 한다. 자가 지속적인 연쇄반응을 유도할 만큼 충분히 큰 (그리고 적절한 구성의) 핵분열성 물질의 질량을 임계 질량이라고 한다. 중성자가 적절한 핵에 포획되면 즉시 핵분열이 일어나거나 핵이 짧은 시간 동안 불안정한 상태로 유지될 수 있다. 연쇄반응을 계속할 만큼 충분한 즉시 붕괴가 있다면 질량은 즉발 임계 상태라고 하며, 에너지 방출은 빠르고 통제할 수 없이 증가하여 일반적으로 폭발로 이어진다. 제2차 세계 대전 전야에 발견된 이 통찰력은 여러 국가들이 화학 폭발물보다 훨씬 많은 에너지를 생성하기 위해 핵분열 반응을 이용하는 무기인 원자폭탄 건설 가능성을 조사하는 프로그램을 시작하게 했다. 미국이 영국과 캐나다의 도움을 받아 진행한 맨해튼 계획은 1945년 히로시마시와 나가사키시에서 일본에 사용된 여러 핵분열 무기를 개발했다. 이 프로젝트 동안 최초의 핵분열 원자로도 개발되었지만, 주로 무기 제조용이었고 전기를 생산하지는 않았다. 1951년, 최초의 핵분열 발전소는 아이다호주 아르코의 실험적 증식로 제1호(EBR-1)에서 최초로 전기를 생산했으며, 이는 인간의 에너지 사용이 더 집중되는 "원자력 시대"를 열었다. 그러나 지연 중성자가 포함되었을 때만 질량이 임계 상태라면 반응은 예를 들어 중성자 흡수체의 도입 또는 제거를 통해 제어될 수 있다. 이것이 원자로 건설을 가능하게 한다. 고속 중성자는 핵에 쉽게 포획되지 않는다. 일반적으로 중성자 감속재의 핵과의 충돌에 의해 속도를 늦춰야 (느린 중성자) 쉽게 포획될 수 있다.
핵기술

오늘날 이 유형의 핵분열은 일반적으로 전기를 생산하는 데 사용된다. 핵융합. 핵이 충돌하도록 강제되면 핵융합이 일어날 수 있다. 이 과정은 에너지를 방출하거나 흡수할 수 있다. 생성된 핵이 철보다 가벼우면 일반적으로 에너지가 방출된다. 핵이 철보다 무거우면 일반적으로 에너지가 흡수된다. 이 융합 과정은 항성에서 일어나며, 항성은 수소와 헬륨에서 에너지를 얻는다. 항성은 항성 핵합성을 통해 가벼운 원소(리튬부터 칼슘)와 일부 무거운 원소(철과 니켈 너머, S-과정을 통해)를 형성한다. 니켈부터 우라늄 이상의 나머지 무거운 원소의 풍부함은 초신성 핵합성, R-과정 때문이다. 물론 이러한 자연적인 천체 물리학적 과정은 핵 "기술"의 예가 아니다. 핵의 매우 강한 반발력 때문에 통제된 방식으로 융합을 달성하기는 어렵다. 수소 폭탄은 열핵 무기로도 알려져 있으며 융합으로부터 엄청난 파괴력을 얻지만, 에너지는 통제할 수 없다. 통제된 융합은 입자 가속기에서 달성된다. 이것이 많은 인공 원소가 생산되는 방식이다. 퓨저 또한 통제된 융합을 생산할 수 있으며 유용한 중성자원이다. 그러나 이 두 장치는 순 에너지 손실 상태에서 작동한다. 통제 가능하고 실용적인 핵융합 발전은 간혹 상온 핵융합과 같은 속임수에도 불구하고 달성하기 어려운 것으로 입증되었다. 기술적 및 이론적 어려움이 작동하는 민간 핵융합 기술 개발을 방해했지만, 전 세계적으로 연구는 오늘날까지 계속되고 있다.
핵기술

핵융합은 제2차 세계 대전 중 에드워드 텔러가 이끄는 맨해튼 계획 과학자들이 폭탄 제조 방법으로 조사했을 때 초기에는 이론적인 단계에서만 추구되었다. 프로젝트는 핵분열 반응이 폭발을 유도하는 데 필요할 것이라고 결론 내린 후 핵융합을 포기했다. 최초의 완전한 수소 폭탄이 폭발된 것은 1952년이었는데, 이는 중수소와 삼중수소 사이의 반응을 사용했기 때문에 그렇게 불렸다. 핵융합 반응은 핵연료 단위 질량당 핵분열 반응보다 훨씬 에너지가 많지만, 핵융합 연쇄반응을 시작하는 것은 훨씬 어렵다. 핵무기. 핵무기는 핵분열 또는 핵분열과 핵융합의 조합인 핵반응에서 파괴력을 얻는 폭발 장치이다. 두 반응 모두 비교적 적은 양의 물질에서 막대한 양의 에너지를 방출한다. 심지어 작은 핵 장치도 폭발, 화재 및 방사선으로 도시를 파괴할 수 있다. 핵무기는 대량살상무기로 간주되며, 그 사용과 통제는 등장 이후 국제 정책의 주요 측면이었다. 핵무기 설계는 겉보기보다 복잡하다. 이러한 무기는 전개 시 하나 이상의 임계 이하 핵분열성 물질을 안정적으로 유지한 다음 폭발을 위해 임계 상태 (임계 질량 생성)를 유도해야 한다. 또한 장치가 분해되기 전에 연쇄반응이 연료의 상당 부분을 소모하도록 하는 것은 상당히 어렵다. 핵연료의 조달도 겉보기보다 어렵다. 왜냐하면 이 과정에 충분히 불안정한 물질은 현재 지구상에서 적절한 양으로 자연적으로 발생하지 않기 때문이다. 우라늄의 한 동위 원소, 즉 우라늄-235는 자연적으로 발생하며 충분히 불안정하지만, 항상 더 안정한 동위 원소인 우라늄-238과 혼합되어 발견된다.
핵기술

후자는 자연 우라늄 무게의 99% 이상을 차지한다. 따라서 세 중성자의 무게를 기반으로 하는 어떤 동위 원소 분리 방법이 우라늄-235를 농축(분리)하기 위해 수행되어야 한다. 대안적으로, 플루토늄 원소는 이 과정에 사용될 만큼 충분히 불안정한 동위 원소를 가지고 있다. 지구상의 플루토늄은 현재 이러한 용도로 충분한 양으로 자연적으로 발생하지 않으므로 원자로에서 제조되어야 한다. 결과적으로 맨해튼 계획은 이들 원소 각각을 기반으로 하는 핵무기를 제조했다. 그들은 1945년 7월 16일 뉴멕시코주 앨라모고도 근처에서 코드명 "트리니티"라는 시험에서 최초의 핵무기를 폭발시켰다. 이 시험은 내폭 방식이 작동할 것인지 확인하기 위해 수행되었으며, 성공했다. 우라늄 폭탄인 리틀 보이는 1945년 8월 6일 일본 도시 히로시마시에 투하되었고, 3일 후 나가사키에 플루토늄 기반 팻 맨이 투하되었다. 단 하나의 무기로부터 전례 없는 파괴와 인명 피해가 발생한 후 일본 정부는 곧 항복하여 제2차 세계 대전을 종식시켰다. 이 폭격 이후 공격용으로 핵무기가 배치된 적은 없다. 그럼에도 불구하고, 이는 군비 경쟁을 유발하여 핵 억지력을 제공하기 위해 점점 더 파괴적인 폭탄을 개발하게 했다. 약 4년 후인 1949년 8월 29일, 소련은 최초의 핵분열 무기를 폭발시켰다. 영국은 1952년 10월 2일에, 프랑스, 1960년 2월 13일에, 중국은 핵무기의 일부를 폭발시켰다. 히로시마와 나가사키의 사망자 중 약 절반은 방사선 노출로 인해 2~5년 후 사망했다.
핵기술

방사능 무기는 위험한 핵 물질을 적 지역에 살포하도록 설계된 핵무기의 한 유형이다. 이러한 무기는 핵분열 폭탄이나 핵융합 폭탄의 폭발 능력을 갖지 않지만, 많은 사람을 죽이고 넓은 지역을 오염시킬 것이다. 방사능 무기는 배치된 적이 없다. 재래식 군대에서는 쓸모없는 것으로 간주되지만, 이러한 무기는 핵테러에 대한 우려를 제기한다. 1945년 이후 2,000회 이상의 핵실험이 실시되었다. 1963년, 모든 핵보유국 및 많은 비핵보유국은 부분적 핵실험 금지 조약에 서명하여 대기, 수중 또는 우주 공간에서의 핵실험 자제를 약속했다. 이 조약은 지하 핵실험을 허용했다. 프랑스는 1974년까지 대기 실험을 계속했고, 중국은 1980년까지 계속했다. 미국의 마지막 지하 실험은 1992년, 소련은 1990년, 영국은 1991년이었고, 프랑스와 중국은 모두 1996년까지 실험을 계속했다. 1996년 포괄적 핵실험 금지 조약(2011년 현재 발효되지 않음)에 서명한 후, 이들 모든 국가는 모든 핵실험을 중단할 것을 약속했다. 비서명국인 인도와 파키스탄은 1998년에 마지막으로 핵무기를 실험했다. 핵무기는 알려진 가장 파괴적인 무기, 즉 전형적인 대량살상무기이다. 냉전 기간 동안 반대 세력은 수억 명의 사람들을 죽일 수 있는 거대한 핵무기를 보유했다. 닥터 스트레인지러브와 원자 카페와 같은 영화에 묘사된 핵 파괴의 그림자 아래 여러 세대의 사람들이 자랐다. 그러나 핵무기 폭발 시 발생하는 엄청난 에너지 방출은 새로운 에너지원의 가능성도 시사했다. 민간 사용. 원자력.
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원자력은 추진, 난방 및 전기 생산을 포함한 작업에 에너지를 방출하기 위해 제어된 핵분열 사용을 포함하는 핵기술의 한 유형이다. 원자력 에너지는 열을 생성하는 제어된 핵 연쇄반응에 의해 생산되며, 이는 물을 끓이고 증기를 생산하고 증기 터빈을 구동하는 데 사용된다. 터빈은 전기를 생산하거나 기계적 작업을 수행하는 데 사용된다. 현재 원자력은 세계 전기의 약 15.7%(2004년 기준)를 공급하며 항공모함, 쇄빙선 및 잠수함을 추진하는 데 사용된다(일부 항구에서의 경제성과 우려로 인해 지금까지 수송선에 원자력 사용은 방지되었다). 모든 원자력 발전소는 핵분열을 사용한다. 인공 핵융합 반응으로 실용적인 전기원은 발생하지 않았다. 의료 응용. 핵기술의 의료 응용은 진단 및 방사선 치료로 나뉜다. 영상 - 의학에서 이온화 방사선의 가장 큰 용도는 의학 영상에서 X선을 사용하여 인체 내부 이미지를 만드는 것이다. 이는 인간의 방사선 노출의 가장 큰 인공적인 원천이다. 의료 및 치과 X선 영상 장치는 코발트-60 또는 다른 X선 원천을 사용한다. 인체에서 방사성 추적자 또는 조영제로 작용하기 위해 유기 분자에 부착되는 방사성 의약품이 다수 사용된다. 양전자 방출 핵종은 양전자 방출 단층촬영으로 알려진 응용 분야에서 고해상도, 단시간 영상에 사용된다. 방사선은 방사선 치료에서도 질병 치료에 사용된다. 산업 응용. 일부 이온화 방사선은 물질을 관통할 수 있으므로 다양한 측정 방법에 사용된다. X선 및 감마선은 산업 방사선 촬영에서 고체 제품 내부 이미지를 만드는 데 사용되며, 비파괴 검사 및 검사의 수단으로 사용된다. 방사선 촬영할 부품은 원천과 카세트 안의 사진 필름 사이에 배치된다.
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특정 노출 시간 후 필름이 현상되고 재료의 내부 결함을 보여준다. 게이지 - 게이지는 감마선의 지수적 흡수 법칙을 사용한다. 정전기 제어 - 종이, 플라스틱, 합성 섬유 등의 생산에서 정전기 발생을 방지하기 위해 생산 라인 끝에 재료 근처에 알파 방출체 241Am의 리본 모양 원천을 배치할 수 있다. 이 원천은 공기를 이온화하여 재료의 전기 전하를 제거한다. 방사성 추적자 - 방사성 동위 원소는 화학적으로 대부분 비활성 원소와 유사하게 작용하므로 특정 화학 물질의 동작은 방사능을 추적하여 추적할 수 있다. 예: 석유 및 가스 탐사- 핵 유정 검층은 새롭거나 기존 유정의 상업적 생존 가능성을 예측하는 데 사용된다. 이 기술은 중성자 또는 감마선 원천과 방사선 검출기를 시추공에 내려 주변 암석의 다공성 및 암석학적 특성을 결정하는 데 사용된다. 도로 건설 - 핵 수분/밀도 게이지는 토양, 아스팔트 및 콘크리트의 밀도를 결정하는 데 사용된다. 일반적으로 세슘-137 원천이 사용된다. 식품 가공 및 농업. 생물학과 농업에서는 원자력 정원과 같이 새로운 또는 개선된 종을 생산하기 위해 돌연변이를 유도하는 데 방사선이 사용된다. 해충 방제의 또 다른 용도는 멸균 곤충 기법으로, 수컷 곤충을 방사선으로 멸균하고 방출하여 자손을 낳지 않도록 하여 개체수를 줄이는 것이다. 산업 및 식품 응용 분야에서는 도구 및 장비의 멸균에 방사선이 사용된다. 장점은 멸균 전에 물체를 플라스틱에 봉인할 수 있다는 것이다. 식품 생산 분야에서 새롭게 떠오르는 용도는 식품 방사선 조사를 이용한 식품의 멸균이다.
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식품 방사선 조사는 식품에 이온화 방사선을 조사하여 식품에 존재할 수 있는 미생물, 세균, 바이러스 또는 곤충을 파괴하는 과정이다. 사용되는 방사선 원천에는 방사성 동위 원소 감마선 원천, X선 발생기 및 전자 가속기가 포함된다. 추가 응용 분야에는 발아 억제, 숙성 지연, 주스 수율 증가, 재수화 개선 등이 있다. 방사선 조사는 기술적 목표를 달성하기 위해 의도적으로 물질을 방사선에 노출시키는 더 일반적인 용어이다 (이 문맥에서는 '이온화 방사선'이 암시된다). 따라서 의료 기기, 플라스틱, 가스관 튜브, 바닥 난방 호스, 식품 포장용 수축 필름, 자동차 부품, 전선 및 케이블 (절연), 타이어, 심지어 보석과 같은 비식품 품목에도 사용된다. 조사된 식품 양에 비해 이러한 일상적인 응용 분야의 부피는 엄청나지만 소비자에게는 눈에 띄지 않는다. 이온화 방사선으로 식품을 가공하는 실제 효과는 생명의 기본 유전 정보인 DNA에 대한 손상과 관련이 있다. 미생물은 더 이상 증식하고 악성 또는 병원성 활동을 계속할 수 없다. 변질을 유발하는 미생물은 활동을 계속할 수 없다. 곤충은 생존하지 못하거나 번식 능력을 잃는다. 식물은 자연적인 숙성 또는 노화 과정을 계속할 수 없다. 이러한 모든 효과는 소비자와 식품 산업 모두에게 유익하다. 효과적인 식품 방사선 조사에 투입되는 에너지 양은 동일한 식품을 요리하는 것보다 적다. 일반적인 10 kGy 선량에서도 (가열과 관련하여) 물리적으로 물과 동일한 대부분의 식품은 약 2.5 °C(4.5 °F)만 따뜻해진다.
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이온화 방사선으로 식품을 가공하는 특수성은 원자 전이당 에너지 밀도가 매우 높다는 사실이다. 이는 분자를 절단하고 이온화(따라서 이름)를 유도할 수 있으며, 이는 단순한 가열로는 달성할 수 없다. 이것이 새롭고 유익한 효과를 가져오지만 동시에 새로운 우려를 불러일으키는 이유이다. 고체 식품을 이온화 방사선으로 처리하는 것은 우유와 같은 액체의 열 살균과 유사한 효과를 제공할 수 있다. 그러나 조사된 식품을 설명하기 위해 차가운 살균이라는 용어를 사용하는 것은 논란의 여지가 있는데, 살균과 조사는 근본적으로 다른 과정이지만 의도된 최종 결과는 경우에 따라 유사할 수 있기 때문이다. 식품 방사선 조사에 반대하는 사람들은 유도 방사능의 건강 위험에 대해 우려한다. 산업 옹호 단체인 미국 과학 보건 협의회의 "Irradiated Foods"라는 보고서는 다음과 같이 명시하고 있다. "식품 처리에 승인된 방사선 원천 유형은 식품의 어떤 원소도 방사능을 띠게 할 에너지 수준보다 훨씬 낮은 특정 에너지 수준을 가지고 있다. 조사된 식품은 공항 X선 스캐너를 통과하는 수하물이나 X선 촬영된 치아보다 더 방사능을 띠게 되지 않는다." 식품 방사선 조사는 본질적으로 비핵 기술이다. 이는 전자 가속기 및 제동 복사로 변환하여 생성될 수 있는 이온화 방사선의 사용에 의존하지만, 핵 붕괴에서 발생하는 감마선도 사용할 수 있다. 이온화 방사선 처리를 위한 전 세계적인 산업이 있으며, 대다수는 가속기를 사용하며 처리 용량 면에서도 가속기를 사용한다. 식품 방사선 조사는 의료 용품, 플라스틱 재료, 원자재, 보석, 케이블 및 전선 등과 비교하면 틈새 응용 분야일 뿐이다. 사고. 핵 사고는 관련된 강력한 힘 때문에 종종 매우 위험하다.
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역사적으로 첫 번째 사건은 치명적인 방사선 노출을 포함했다. 마리 퀴리는 높은 노출 수준으로 인해 발생한 재생불량성빈혈로 사망했다. 두 명의 과학자, 각각 미국인과 캐나다인인 해리 더그힐란과 루이스 슬로틴은 동일한 플루토늄 덩어리를 잘못 다루다가 사망했다. 기존 무기와 달리 핵무기의 강렬한 빛, 열, 폭발력만이 치명적인 요소는 아니다. 히로시마와 나가사키의 사망자 중 약 절반은 방사선 노출로 인해 2~5년 후 사망했다. 민간 원자력 및 방사능 사고는 주로 원자력 발전소와 관련이 있다. 가장 흔한 것은 작업자를 위험한 물질에 노출시키는 핵 누출이다. 노심 용융은 주변 환경으로 핵 물질이 방출되는 더 심각한 위험을 의미한다. 가장 중요한 노심 용융 사고는 펜실베이니아주의 스리마일섬 원자력 발전소 사고와 소련 우크라이나의 체르노빌 원자력 발전소 사고에서 발생했다. 유사한 사고를 겪은 군용 원자로는 영국의 윈드스케일 화재와 미국의 SL-1이다. 군용 사고는 일반적으로 핵무기의 손실 또는 예상치 못한 폭발을 포함한다. 1954년 캐슬 브라보 시험은 예상보다 큰 위력을 생산하여 인근 섬, 일본 어선(사망자 1명 포함)을 오염시켰고 일본에서 오염된 물고기에 대한 우려를 불러일으켰다. 1950년대부터 1970년대까지 여러 핵폭탄이 잠수함과 항공기에서 손실되었으며, 일부는 회수되지 않았다. 지난 20년 동안 그러한 사고는 눈에 띄게 감소했다.
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환경적 이점의 예. 원자력 지지자들은 매년 원자력으로 생산된 전기가 화석 연료에서 발생하는 4억 7천만 톤의 이산화탄소 배출량을 줄인다고 지적한다. 또한 원자력 에너지가 생산하는 비교적 적은 양의 폐기물은 대규모 원자력 에너지 생산 시설에 의해 안전하게 처리되거나 다른 에너지 용도로 재활용/재사용된다. 원자력 지지자들은 또한 다른 형태의 전기를 활용하는 데 따른 기회비용을 언급한다. 예를 들어 환경 보호국은 석탄이 환경 영향으로 인해 연간 3만 명을 사망시키지만 체르노빌 사고로 60명이 사망했다고 추정한다. 원자력 지지자들이 제시한 실제적인 영향의 예는 버몬트 양키 원자력 발전소 폐쇄 후 두 달 동안 탄소 배출량이 65만 톤 증가한 것이다.
Cut the Crap

《Cut the Crap》은 영국의 펑크 록 밴드 더 클래시의 여섯 번째이자 마지막 스튜디오 음반으로, 1985년 11월 4일, CBS 레코드를 통해 발매되었다. 이 음반은 1985년 초 독일 뮌헨의 베리턴 스튜디오에서 녹음되었으며, 당시 밴드는 공동 창립자이자 리드 기타리스트 및 공동 주요 작곡가였던 믹 존스와 드러머 토퍼 헤든이 리드 보컬리스트 조 스트러머와 베이시스트 폴 사이모넌에 의해 해고되는 격동의 시기를 겪고 있었다. 존스와 헤든의 자리는 무명에 가까웠던 기타리스트 빈스 화이트와 닉 셰퍼드, 드러머 피트 하워드가 대신했다. 긴장이 감돌던 녹음 세션 동안, 더 클래시의 매니저 버나드 로즈는 밴드의 작곡 및 음악적 방향을 두고 스트러머와 주도권 다툼을 벌였다. 스트러머와 로즈는 대부분의 곡을 공동 작곡하였다. 음반 제작 과정에서 로즈는 편곡, 트랙 배열, 최종 믹스를 주도했다. 스트러머가 선호한 전자 드럼 사운드와 로즈가 삽입한 샘플링에 크게 의존한 로즈의 프로덕션 방식은 널리 혹평을 받았다. 한 평론가는 이 음반의 사운드를 "요란하고, 마치 '힙하고 현대적인 80년대 스타일'로 들리도록 의도된 것처럼 보인다"고 묘사했다. 음반 제목은 1981년 포스트 아포칼립스 영화 《매드 맥스 2》의 대사에서 따온 것으로, 로즈가 정했다. 녹음 과정과 스트러머, 로즈 간의 긴장은 다른 밴드 구성원들에게 환멸을 안겼다. 화이트와 셰퍼드의 기여는 최종 믹스에서 거의 사라졌고, 하워드의 드럼은 전자 드럼 머신으로 대체되었다.
Cut the Crap

에픽 레코드는 이 음반이 더 클래시의 미국 시장 성공을 견인하길 바랐으며, 선공개 싱글을 위한 고비용 뮤직 비디오도 기획했다. 《Cut the Crap》은 발매 당시 영국 음악 언론으로부터 "주요 아티스트가 발표한 음반 중 가장 재앙적인 작품 중 하나"라는 혹평을 받았다. 스트러머는 이 음반을 부정하고, 발매 몇 주 만에 더 클래시를 해체시켰다. 그는 이후 솔로 경력 동안 이 음반의 수록곡 중 단 한 곡만을 라이브로 연주했으며, 《Cut the Crap》은 대부분의 더 클래시 컴필레이션 및 박스 세트에서 완전히 제외되었다. 오늘날까지도 일반적으로 밴드의 최악의 음반으로 평가받고 있지만, 몇몇 현대 평론가들은 스트러머의 작곡과 보컬 퍼포먼스, 특히〈This Is England〉, 〈Dirty Punk〉, 〈Three Card Trick〉과 같은 곡들에서 그의 역량을 높이 평가하고 있다. 배경. 1983년 더 클래시는 내부 갈등을 겪으며 핵심 구성원 두 명이 해고되었다. 리드 기타리스트 믹 존스는 리드 보컬리스트 조 스트러머가 밴드의 정체성과 어울리지 않는다고 여긴 록스타 흉내를 부리기 시작했고, 드러머 토퍼 헤든은 헤로인 중독으로 인해 신뢰할 수 없는 상태가 되었다. 1983년 6월, 런던에서 진행된 리허설에서 멤버 간의 긴장이 다시 표면화되었으며, 두 명의 주요 작곡자는 더 이상 서로를 신뢰하지 않게 되었다. 이는 존스의 리허설 불참과 신시사이저 사용 때문이었다. 믹 존스와 베이시스트 폴 사이모넌은 모두, 이전에 존스와의 개인적인 불화로 해고되었던 매니저 버나드 로즈가 새로 협상한 계약서에 서명을 거부했다고 밝혔다.
Cut the Crap

이 시점에서 스트러머와 존스의 관계는 완전히 무너진 상태였다. 리허설이 시작된 지 얼마 지나지 않아, 스트러머와 사이모넌은 존스를 해고했다. 해고가 공식 발표되기 일주일 전, 스트러머, 사이모넌, 로즈는 새로운 멤버를 찾기 시작했고 피트 하워드를 만나게 되었다. 밴드는 기타리스트를 교체하기 위해 《멜로디 메이커》지에 익명으로 광고를 게재했다. 100명이 넘는 지원자를 오디션한 끝에, 무명 뮤지션이었던 닉 셰퍼드와 그렉 화이트를 최종적으로 영입했다. 화이트는 사이모넌이 "그렉이라는 이름을 가진 사람과는 밴드 활동을 못 하겠다"며 불만을 표하자, 빈스라는 예명을 사용하게 되었다. 두 사람은 정식 음반 계약이 아닌 주급 100파운드의 급여를 받는 조건으로 활동했다. 스트러머는 밴드의 주요 작사가였고, 존스는 주로 음악을 작곡해왔다. 그러나 존스가 해고된 후, 밴드는 펑크 음악은 누구나 쓸 수 있다는 가정 하에 작곡을 시도했다. 이는 큰 실수로 드러났으며, 더 클래시의 구성원들이 모르는 사이에 로즈는 이미 존스의 공백을 메우기 위한 자신만의 해법을 구상하고 있었다. 그는 음악에 대한 주도권을 자신이 쥐겠다는 것이었다. 곡 목록. 모든 곡들은 조 스트로머와 버나드 로즈에 의해 작사/작곡하였다.
유럽 분자생물학 연구소

유럽 분자생물학 연구소(European Molecular Biology Laboratory, EMBL)는 분자생물학 연구를 위한 정부간 국제 기구로, 29개 회원국, 2개 예비 회원국, 1개 준회원국의 지원을 받고 있다. EMBL은 1974년에 설립되었으며 회원국의 공공 연구 자금으로 운영된다. EMBL의 연구는 110개 이상의 독립적인 연구 그룹과 서비스 팀이 분자생물학의 전 범위를 다루며 수행한다. 연구소는 6개 지역에서 운영된다: 하이델베르크 (독일)의 본부 연구소와 바르셀로나 (스페인), 그르노블 (프랑스), 함부르크 (독일), 힝스턴 (EBI, 영국), 로마 (이탈리아)의 지역 연구소들이 있다. EMBL 그룹 및 연구소는 분자생물학 및 분자 의학의 기초 연구를 수행하며 과학자, 학생 및 방문객을 교육한다. 이 조직은 회원국의 서비스, 새로운 기기 및 방법, 기술 개발을 돕는다. 이스라엘은 유럽 이외 지역에 위치한 유일한 정회원국이다. 역사. EMBL은 레오 실라드, 제임스 D. 왓슨과 존 켄드루의 아이디어에서 시작되었다. 그들의 목표는 유럽 입자 물리 연구소와 유사한 국제 연구 센터를 설립하여 미국이 주도하는 분자생물학 분야에 맞서는 것이었다. 켄드루는 1982년까지 EMBL의 초대 사무총장으로 재임했으며, 레너트 필립손이 뒤를 이었다. 1993년부터 2005년까지 포티스 카파토스가 소장으로 재임했고, 2005년부터 2018년까지 EMBL의 제4대 소장으로 이아인 매태이가 뒤를 이었다. 2019년 1월 에디스 허드가 EMBL의 제5대 소장이자 이 직책을 맡은 첫 여성이 되었다.
유럽 분자생물학 연구소

허드는 2022년 1월 19일 조직의 5개년 과학 프로그램인 Molecules to Ecosystems를 발표했다. 연구. 각 EMBL 지역은 특정 연구 분야를 가지고 있다. EBI는 생물정보학 연구 및 서비스의 중심지이며, 수많은 과학 데이터베이스를 무료로 개발하고 유지 관리한다. 그르노블과 함부르크에서는 구조생물학에 중점을 둔 연구가 진행된다. EMBL 로마 지역은 후성유전학 및 신경생물학 연구에 전념하고 있다. EMBL 바르셀로나의 과학자들은 건강과 질병 상태에서 조직과 장기가 어떻게 기능하고 발달하는지 탐구하고 있다. 하이델베르크 본부에는 세포생물학과 생물리학, 발생생물학, 유전체학, 구조생물학 및 전산생물학 분야의 연구팀이 있으며, 위에서 언급한 연구 분야를 보완하는 서비스 그룹도 있다. EMBL에서는 많은 과학적 돌파구가 이루어졌다. 초파리 배아 발달의 첫 번째 체계적인 유전학적 분석은 EMBL에서 크리스티아네 뉘슬라인폴하르트와 에릭 비스하우스에 의해 수행되었으며, 그들은 1995년 노벨 생리학·의학상을 수상했다. 1980년대 초, 자크 뒤보셰와 그의 EMBL 팀은 생물학적 구조를 위한 저온전자현미경을 개발했다. 그들은 2017년 노벨 화학상을 수상했다. 과학 서비스. EMBL은 구조생물학, 이미징 및 시퀀싱 시설을 포함하여 5개 유럽 지역에서 외부 연구자들에게 첨단 실험 및 데이터 서비스를 제공하는 것을 핵심 임무 중 하나로 삼고 있다. 2021년, EMBL은 하이델베르크 본부에 고해상도 광학 및 전자 현미경을 위한 새로운 센터인 EMBL 이미징 센터를 완공했다.
유럽 분자생물학 연구소

이 센터는 전 세계 방문 과학자들에게 개방되어 있으며, 최신 이미징 기술과 전문 조언 및 다른 곳에서는 아직 이용할 수 없는 산업 선도 개발을 결합하여 생명 과학을 위한 독특한 서비스 시설을 제공한다. 교육. 첨단 교육은 EMBL의 5가지 핵심 임무 중 하나이다. 수년 동안 연구소는 다양한 교육 활동을 구축했으며, 그중 EMBL 국제 박사 과정(EIPP)은 약 200명의 학생으로 구성된 대표적인 프로그램이다. 1997년부터 자체 학위를 수여할 권리를 얻었지만, 현재 학생들은 협력 대학에서 학위를 받고 있다. 다른 활동으로는 EMBL 학제 간 박사 후 과정(EIPOD) 및 방문 프로그램이 포함된 박사 후 과정 프로그램이 있다. EMBL 첨단 교육 센터. 2010년 3월, EMBL 첨단 교육 센터(ATC)가 하이델베르크 본부 캠퍼스에서 개관했다. 이 센터는 이중 나선형으로 형성되어, 과학 회의, 세미나, 교육 과정을 개최하고 교육 실험실 및 강의실에 대한 접근을 제공한다. ATC는 또한 EMBL의 생명 과학을 위한 유럽 학습 연구소(ELLS) 를 주최하며, 이는 분자 생물학의 최신 개발에 대한 중등학교 교사들을 위한 교육을 제공하고 학생 홍보 프로그램을 운영한다. 과학과 사회. EMBL은 또한 활발한 과학 및 사회 프로그램을 운영하며, 일반 대중과 과학계에 생명 과학 연구의 현재 문제에 대한 활동 및 이벤트를 제공한다. 회원국. EMBL은 현재 29개 회원국, 1개 준회원국, 2개 예비 회원국의 지원을 받고 있다.
찬 신이치

찬 신이치(, 2002년 9월 5일~)는 일본의 축구 선수이다. 현재 상하이 선화 소속으로 뛰고 있다.
이더넷 흐름 제어

이더넷 흐름 제어(Ethernet flow control)는 이더넷 계열의 컴퓨터 망에서 데이터 전송을 일시적으로 중지하는 메커니즘이다. 이 메커니즘의 목표는 혼잡 제어가 발생했을 때 패킷 손실을 방지하는 것이다. 최초의 흐름 제어 메커니즘인 일시 정지 프레임은 IEEE 802.3x 표준에 의해 정의되었다. 이어서 IEEE 802.1Qbb 표준에 정의된 우선순위 기반 흐름 제어는 IEEE P802.1p에 정의된 각 CoS(CoS)에 대해 독립적으로 제어할 수 있는 링크 레벨 흐름 제어 메커니즘을 제공한다. 이는 데이터 센터 브리징(DCB) 네트워크에 적용 가능하며, 기본 데이터 트래픽 및 대용량 파일 전송보다 보이스 오버 IP(VoIP), 비디오 오버 IP 및 데이터베이스 동기화 트래픽의 우선순위를 높일 수 있도록 한다. 설명. 송신 스테이션(컴퓨터 또는 네트워크 스위치)은 링크의 다른 쪽 끝이 데이터를 받아들일 수 있는 속도보다 더 빠르게 데이터를 전송할 수 있다. 흐름 제어를 사용하면 수신 스테이션은 수신자가 따라잡을 때까지 전송을 일시 중단하도록 송신자에게 신호를 보낼 수 있다. 이더넷에서의 흐름 제어는 데이터 링크 계층에서 구현될 수 있다. 최초의 흐름 제어 메커니즘인 일시 정지 프레임은 전기전자공학자협회(IEEE)의 전이중 통신 이더넷 링크 세그먼트를 정의한 태스크포스에 의해 정의되었다. IEEE 표준 802.3x는 1997년에 발행되었다. 일시 정지 프레임. 과부하가 걸린 네트워크 노드는 일시 정지 프레임을 보내 특정 기간 동안 송신자의 전송을 중지할 수 있다.
이더넷 흐름 제어

일시 정지 명령을 전달하기 위해 매체 접근 제어(MAC) 프레임(이더타입 0x8808)이 사용되며, 제어 오피코드는 0x0001(십육진법)로 설정된다. 전이중 통신 동작으로 구성된 스테이션만 일시 정지 프레임을 보낼 수 있다. 스테이션이 링크의 다른 쪽 끝을 일시 중지하려는 경우, 해당 링크의 고유한 48-비트 대상 주소 또는 예약된 48-비트 멀티캐스트 주소인 로 일시 정지 프레임을 보낸다. 잘 알려진 주소를 사용함으로써 스테이션이 링크의 다른 쪽 끝에 있는 스테이션의 주소를 검색하고 저장할 필요가 없어진다. 이 멀티캐스트 주소를 사용하는 또 다른 장점은 네트워크 스위치 간의 흐름 제어 사용에서 비롯된다. 사용되는 특정 멀티캐스트 주소는 브리징에 사용되는 스위치의 동작을 지정하는 IEEE 802.1D 표준에 의해 예약된 주소 범위에서 선택된다. 일반적으로, 멀티캐스트 대상을 가진 프레임이 스위치로 전송되면 스위치의 다른 모든 포트로 전달된다. 그러나 이 멀티캐스트 주소 범위는 특별하며 802.1D 호환 스위치에 의해 전달되지 않는다. 대신, 이 범위로 전송된 프레임은 스위치 내에서만 처리되도록 의도된 프레임으로 이해된다. 일시 정지 프레임에는 요청된 일시 정지 기간이 2-바이트(16비트), 부호 없는 정수(0부터 65535) 형태로 포함된다. 이 숫자는 요청된 일시 정지 시간의 길이다. 일시 정지 시간은 퀀텀 단위로 측정되며, 각 퀀텀은 512 비트 시간과 같다. 1999년까지 여러 공급업체가 일시 정지 프레임 수신을 지원했지만, 전송을 구현한 곳은 더 적었다.
이더넷 흐름 제어

문제점. 일시 정지 프레임의 원래 동기 중 하나는 전속력 수신을 처리하기 위한 충분한 버퍼링이 없는 네트워크 인터페이스 컨트롤러(NIC)를 처리하는 것이었다. 이 문제는 버스 속도 및 메모리 크기의 발전으로 더 이상 일반적이지 않다. 더 가능성이 높은 시나리오는 스위치 내에서 발생하는 혼잡 제어이다. 예를 들어, 유입되는 링크의 속도가 나가는 링크보다 빠르거나, 두 개 이상의 링크를 통해 들어오는 여러 흐름의 합계가 출력 링크 대역폭보다 클 수 있다. 이는 결국 스위치 내의 어떤 양의 버퍼링도 소진시킬 것이다. 그러나 송신 링크를 차단하면 정체를 유발하지 않는 흐름까지 포함하여 해당 링크를 통한 모든 흐름이 지연될 것이다. 이 상황은 헤드 오브 라인 (HOL) 블로킹의 한 경우이며, 일반적으로 많은 수의 흐름이 집계되는 코어 네트워크 스위치에서 더 자주 발생할 수 있다. 많은 스위치는 내부적으로 HOL 블로킹을 제거하기 위해 가상 출력 큐라는 기술을 사용하므로 일시 정지 프레임을 보내지 않는다. 후속 노력. 혼잡 관리. 또 다른 노력은 2004년 3월에 시작되어 2004년 5월에 IEEE P802.3ar 혼잡 관리 태스크포스가 되었다. 2006년 5월, 태스크포스의 목표가 약 1% 단위로 전송 데이터 속도를 제한하는 메커니즘을 지정하도록 수정되었다. 해당 요청은 철회되었고 태스크포스는 2008년에 해체되었다. 우선순위 흐름 제어. 이더넷 흐름 제어는 모든 우선순위의 데이터가 기존 버퍼를 비우기 위해 중지되므로 (저우선순위 데이터도 포함될 수 있는 버퍼) IEEE 802.1p에 정의된 이더넷 서비스 등급을 방해한다. 이 문제에 대한 해결책으로 시스코 시스템즈는 표준 프로토콜에 대한 자체 우선순위 흐름 제어 확장을 정의했다.
이더넷 흐름 제어

이 메커니즘은 일반 일시 정지 프레임에서 42-바이트 패딩 중 14바이트를 사용한다. 우선순위 일시 정지 프레임의 MAC 제어 오피코드는 0x0101이다. 원래의 일시 정지와 달리 우선순위 일시 정지는 여덟 가지 우선순위 클래스 각각에 대한 일시 정지 시간을 퀀텀 단위로 별도로 나타낸다. 이 확장 기능은 2008년 3월 27일에 승인된 우선순위 기반 흐름 제어(PFC) 프로젝트에 의해 IEEE 802.1Qbb로 표준화되었다. 드래프트 2.3은 2010년 6월 7일에 제안되었다. 시스코의 클라우디오 데산티(Claudio DeSanti)가 편집자였다. 이 노력은 이더넷 상의 파이버 채널을 개발한 데이터 센터 브리징 태스크 그룹의 일부였다.
에어로 디 아크로-뱃

에어로 디 아크로-뱃(Aero the Acro-Bat)은 1993년 이과나 엔터테인먼트에서 개발하고 선소프트에서 배급한 비디오 게임이다. 슈퍼 패미컴과 메가 드라이브로 출시되었다. 붉은색의 의인화된 박쥐인 에어로 디 아크로-뱃은 David Siller가 만들었다. 2002년, 메트로 3D는 게임보이 어드밴스용으로 게임의 버전을 출시했으며 배터리 백업 기능을 갖추고 있었다(원래 버전에는 없었다). 게임보이 어드밴스 버전은 유럽에서 Aero The Acro-Bat - Rascal Rival Revenge, 일본에서 어크로뱃 키즈(Acrobat Kid, アクロバットキッズ)라는 제목으로 출시되었다. 슈퍼 패미컴 버전은 2010년 7월 PAL 지역과 북미에서 Wii의 버추얼 콘솔로 재출시되었다. 2024년 8월에는 슈퍼 패미컴 버전이 닌텐도 스위치, 플레이스테이션 4, 플레이스테이션 5, 엑스박스 원, Xbox Series X/S용으로 재출시되었으며, 일본 닌텐도 스위치 사용자들을 위해 신유덴에서 에어로: 아크롮 키즈(Aero: Acrobat Kid, エアロ アクロバット キッズ)라는 새로운 일본어 현지화가 제공되었다. 게임보이 어드밴스 버전은 11월에 같은 플랫폼으로 재출시되었다. 후속작인 에어로 디 아크로-뱃 2가 1994년에 출시되었으며, 스핀오프작인 제로 더 카미카제 스쿼럴(Zero the Kamikaze Squirrel)이 뒤따랐다. 줄거리. 에드거 엑터라는 이름의 버릇없고 부잣집 아들은 항상 월드 오브 어뮤즈먼트 서커스 및 펀파크에 자주 방문했지만, 실패한 장난으로 사자를 죽일 뻔한 후 출입 금지되었다.
에어로 디 아크로-뱃

20년 후, 에드거는 강력하고 사악한 산업가가 되었다. 제로 더 카미카제 스쿼럴과 그의 사이코 서커스 갱단의 도움을 받아 에드거는 펀파크를 파괴하고 모든 서커스 공연자들을 납치한다. 에어로 디 아크로-뱃은 서커스의 가장 위대한 스타이자 공연자들(그의 여자친구 에리얼 포함)을 구하고 에드거의 사악한 음모를 막을 유일한 희망이다. 게임 플레이. 레벨은 전형적인 2D 플랫폼 스타일로 진행된다. 레벨을 클리어하기 위해 플레이어는 특정 과제를 달성해야 출구 워프가 나타난다. 이러한 과제에는 후프 통과, 사라질 때까지 플랫폼 밟기, 롤러코스터 타기 등이 포함된다. 각 세계에는 5개의 레벨이 있으며, 레벨은 넓고 많은 레벨에는 즉시 사망하는 불편하게 배치된 스파이크가 포함되어 있다. 에어로는 제한된 수의 별을 발사하거나 공중에서 목표물에 공중 대각선 드릴 공격을 가해 적을 공격할 수 있다. 레벨 끝에서 충분한 점수를 모으면 보너스 레벨을 플레이할 수 있으며, 에어로는 수영장으로 다이빙해야 한다. 보너스 레벨은 제네시스 버전에서는 수직 플랫폼 레벨이다. 선소프트가 슈퍼 패미컴용으로 게임을 컨버전했을 때 보너스 레벨을 변경하여 모드 7을 활용하여 오버월드 맵 위로 조작하는 간단한 레벨로 만들었다. 개발. 수년 동안 데이비드 실러(David Siller)는 게임 캐릭터에 대한 아이디어를 머릿속에 담고 있었다. 그는 1992년에 에어로의 컨셉을 처음 스케치했다. 에어로의 초기 디자인은 인간 곡예사를 닮았지만, 실러는 항상 그를 박쥐로 만들려고 의도했다. 게임 플레이 메커니즘은 남코의 마피 시리즈를 부분적으로 기반으로 했다.
에어로 디 아크로-뱃

이 무렵 실러는 선소프트 오브 아메리카(Sunsoft of America)에 합류하기로 동의했다. 최종 컨셉은 데이비드의 아들인 저스틴 실러가 디자인했으며, 그는 70년대와 80년대의 다양한 테마에서 영감을 받았다. 실러가 제안한 일부 적, 아이템 및 레벨 내 콘텐츠는 완성된 게임에 포함되지 않았다. 이 컨셉에는 미션 목표 기능이 포함되어 있었는데, 원래 출시에는 추가되지 않았지만 게임보이 어드밴스 버전에서 구현되고 수정되었다. 원래 에어로는 오리지널 패밀리컴퓨터용으로 출시될 예정이었지만, 이 시점에서 16비트 콘솔이 시장에 나왔기 때문에 패밀리컴퓨터 버전은 취소되었다. 게임 작업의 대부분은 오렌지군 (캘리포니아주)에서 이루어졌다. 슈퍼 패미컴과 메가 드라이브 버전 모두 동시에 작업 중이었다. 선소프트는 1994년 언젠가 아타리 재규어로 게임을 이식할 계획을 세웠지만, 이 버전은 출시되지 않았다. 후속작들의 성공 후, 실러는 선소프트를 떠나 유니버설 인터랙티브에 합류했다. 유니버설은 실러의 캐릭터 권리를 구매하고 에어로를 마스코트로 만들려고 했다. 그는 두 번째 게임의 후속작인 "Aero the Acrobat 3D"를 PlayStation으로 출시하여 시리즈를 3부작으로 완성할 의도였지만, 유니버설이 크래쉬 밴디쿳에 관심을 돌리면서 이 컨셉은 개발 단계에 이르지 못했다. 그 게임의 성공에 이어 크래쉬가 에어로 대신 공식 마스코트가 되었다. 새로운 아크로-뱃 게임을 시작하는 데 실패한 실러는 유니버설을 떠나면서 에어로를 다시 구매했다.
에어로 디 아크로-뱃

실러가 캡콤에서 일하는 동안 미국 지사의 Bill Gardner는 에어로를 활용하고 싶었지만, 캡콤 본사는 실러의 계약에 따라 그 요청을 거부했다. 2002년 여름까지 실러는 텍사스주로 이전해야 했다. 그는 자신의 스튜디오를 설립할 자금이 없었지만, 아토믹 플래닛을 고용하여 자신의 오리지널 게임을 게임보이 어드밴스로 이식할 수 있었다. 메트로 3D는 이 게임이 마케팅에 매우 유망하다고 판단했고 실러는 개발 기간 동안 이식 작업을 총괄했다. 또한 실러는 가까운 미래에 에어로 디 아크로-뱃와 제로 더 카미카제 스쿼럴를 게임보이 어드밴스로 이식하고 "A-Z Force"라는 컬렉션으로 컴파일하려고 했지만, 그는 오리지널 게임 디자인에 집중하기 위해 이러한 계획을 취소했다. 출시. 게임의 홍보 미술 작품은 네바다에서 열린 1993년 겨울 소비자 가전 전시회 및 시카고에서 열린 1993년 여름 소비자 가전 전시회에서 프로토타입 버전과 함께 전시되었으며, 다른 전시물들 사이에서 눈에 띄었다. 에어로 디 아크로-뱃은 선소프트의 새로운 마스코트가 되었다. 1993년 후반에 선소프트는 주소로 3x5 엽서를 보낸 선착순 100명에게 슈퍼 패미컴 또는 메가 드라이브 버전의 게임을 무료로 제공했다. 라타라이카 게임즈는 2024년 8월 2일에 닌텐도 스위치, 플레이스테이션 4, 플레이스테이션 5, 엑스박스 원 및 Xbox Series X/S용으로 에어로 디 아크로-뱃을 재출시했다.
에어로 디 아크로-뱃

평가. 일렉트로닉 게이밍 먼슬리는 슈퍼 패미컴 버전에 10점 만점에 8.3점을 주었고 메가 드라이브 버전에 10점 만점에 7.6점을 주었다. 그들은 슈퍼 패미컴 버전의 예외적으로 좋은 음악이 없다는 점을 비판했지만, 넓고 도전적인 레벨로 여전히 훌륭한 게임이라고 평가했다. 또한 그들은 에어로 디 아크로-뱃을 1993년 최고의 새 캐릭터로 선정했다. 닌텐도 라이프는 슈퍼 패미컴 버전의 버추얼 콘솔 버전에 10점 만점에 6점을 주었다. GameFan의 네 명의 리뷰어는 제네시스 버전에 93, 97, 87, 90점을 주었다. Video Games: The Ultimate Gaming Magazine은 제네시스와 SNES 버전 모두 10점 만점에 8점을 주었다. 반대로, Digital Press는 게임에 10점 만점에 3점만을 주었다.
제3회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제3회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 3번째 시즌이다.
LEDA 1852

LEDA 1852(MCG +01-02-015)는 물고기자리 방향으로 약 89.9 메가파섹 떨어진 나선 은하이다. 0049+05 void 공동에 위치한다. 형태 및 진화. 타원 은하였으나, 막대나선은하로 현재 진화하였다.
제1회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제1회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 1번째 시즌이다.
제2회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제2회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 2번째 시즌이다.
제5회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제5회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 5번째 시즌이다.
제4회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제4회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 4번째 시즌이다.
제7회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제7회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 7번째 시즌이다.
제9회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제9회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 9번째 시즌이다.
스피콘 단자

스피콘(Speakon, speakON으로 표기)은 원래 노이트릭에서 제조한 전기 단자의 등록 상표명으로, 대부분 프로페셔널 오디오 시스템에서 스피커를 앰프에 연결하는 데 사용된다. 다른 제조사들도 종종 "스피커 트위스트 커넥터"라는 이름으로 호환 제품을 만든다. 스피콘 단자는 최소 제곱평균제곱근 연속 전류 30A를 견딜 수 있다. 이는 1/4인치 TS 폰 커넥터, 2극 트위스트 락, 스피커용 XLR 단자보다 높다. 디자인. 스피콘 단자는 납땜 또는 나사 연결을 위해 설계된 잠금 시스템으로 설계된다. 라인 단자(보통 암컷, 래치 포함)는 패널 단자(보통 수컷)와 결합하며, 일반적으로 케이블의 양쪽 끝에는 동일한 단자가 있다. 케이블을 연결해야 하는 경우 커플러를 사용할 수 있다(기본적으로 플라스틱 튜브 끝에 장착된 두 개의 패널 단자로 구성됨). 이 디자인은 1987년에 고안되었다. 암컷 케이블 단자가 수컷 섀시 단자에 꽂히는 것처럼 보이기 때문에 많은 사용자들과 심지어 단자 공급업체들조차 어떤 것이 수컷 단자이고 어떤 것이 암컷 단자인지 혼란스러워한다는 점에 유의하라. 기억하기 가장 쉬운 방법은 Neutrik 부품 번호를 보는 것이다. 여기서 "F"는 암컷, "M"은 수컷을 나타낸다(예: "NL4FX"는 '일반적인' 케이블 단자(래치 포함)이다). 스피콘 단자는 스피커 케이블에 사용될 때 명확하도록 설계되었다. 1/4인치 스피커 잭과 XLR 연결의 경우, 사용자가 저전류 차폐 마이크 또는 악기 케이블을 고전류 스피커 애플리케이션에 잘못 사용할 수 있다.
스피콘 단자

스피콘 케이블은 고전류 오디오 애플리케이션에만 사용된다. 스피콘 단자는 두 개의 동심원 링으로 접점을 배열하며, 내부 접점은 +1, +2 등으로 명명되고, 외부 접점은 (4극 및 8극 버전에서만) -1, -2 등으로 명명된다. 위상 규약은 + 접점에 양의 전압이 가해지면 스피커에서 공기가 밀려나가는 것이다. 스피콘 단자는 2극, 4극 및 8극 구성으로 만들어진다. 2극 라인 단자는 4극 패널 단자와 결합하여 +1 및 -1에 연결되지만, 반대 조합은 작동하지 않는다. 8극 단자는 추가적인 극을 수용하기 위해 물리적으로 더 크다. 4극 단자는 두 개의 개별 케이블 없이도 바이앰핑(4개의 연결 중 2개는 고주파 신호용, 나머지 2개는 저주파 신호용)과 같은 것을 허용하기 때문에 기성 케이블의 가용성 측면에서 가장 흔하다. 마찬가지로, 8극 단자는 트라이앰핑(저, 중, 고주파수 각각에 대해 2개의 극, 2개는 미사용) 또는 쿼드앰핑(고, 중, 저, 서브 각각에 대해 2개의 극)에 사용할 수 있다. 4극 케이블의 또 다른 사용법은 앰프의 두 출력 채널에 연결된 '결합기' Y-케이블과 스피커에 신호를 전달하는 '분할기' Y-케이블을 사용하여 앰프에서 한 쌍의 스피커로 두 채널의 증폭된 신호를 전달하는 것이다. '결합기' 및 '분할기' Y-케이블은 동일하다. 한쪽 끝에 두 개의 2극 단자가 있고, 다른쪽 끝의 4극 라인 단자의 ±1 및 ±2 핀에 각각 연결된다. 일부 앰프 및 믹서 앰프는 '결합기' 없이도 이러한 작업을 수행하도록 구성되어 있다.
스피콘 단자

4극 케이블과 1/4″ 폰 플러그를 모두 수용할 수 있는 2극 "콤보" 수납 장치도 제공된다. 2019년에 제조사는 수컷 라인 단자와 암컷 패널 단자를 포함하는 STX 시리즈를 출시했다.
제8회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제8회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 8번째 시즌이다.
제10회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제10회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 10번째 시즌이다.
제12회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제12회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 12번째 시즌이다.
제16회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제16회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 16번째 시즌이다.
제17회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제17회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 17번째 시즌이다.
제13회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제13회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 13번째 시즌이다.
제19회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제19회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 19번째 시즌이다.
제20회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제20회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 20번째 시즌이다.
제11회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제11회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 11번째 시즌이다.
제26회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제26회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 26번째 시즌이다.
제18회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제18회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 18번째 시즌이다.
매체 의존 인터페이스

매체 의존 인터페이스(Medium-dependent interface, MDI)는 컴퓨터 망에서 물리 계층 구현부터 전송을 전달하는 물리 매체까지의 인터페이스(물리적 및 전기/광학적 모두)를 설명한다. 이더넷 오버 트위스트 페어(Ethernet over twisted pair)는 매체 의존 인터페이스크로스오버(MDI-X) 인터페이스도 정의한다. 최신 네트워크 인터페이스의 자동 MDI-X 포트는 연결에 크로스오버가 필요한지 감지하고 링크의 다른 쪽 끝과 보완되도록 자동으로 MDI 또는 MDI-X 구성을 선택한다. 이더넷. 널리 사용되는 이더넷 제품군은 일반적인 매체 의존 인터페이스를 정의한다. 10BASE5의 경우, 동축 케이블에 대한 연결은 뱀파이어 탭(vampire tap) 또는 한 쌍의 N 커넥터를 사용하여 이루어졌다. 10BASE2의 경우, 동축 케이블에 대한 연결은 일반적으로 T자형 피스가 부착된 단일 BNC 단자로 이루어졌다. 트위스트 페어 케이블링 8P8C의 경우, 모듈식 커넥터가 사용된다(이 맥락에서는 종종 RJ45라고 불린다). 광섬유의 경우, 제조업체 및 물리적 공간 가용성에 따라 다양한 커넥터가 사용된다. 10BASE-T 및 100BASE-TX에서는 통신의 두 방향에 대해 별도의 트위스트 페어가 사용된다. 트위스트 페어 케이블은 일반적으로 핀 대 핀(스트레이트 스루)으로 배선되므로 매체 의존 인터페이스에 사용되는 두 가지 다른 핀 배치가 있다. 이들은 MDI 및 MDI-X(매체 의존 인터페이스 크로스오버)라고 한다. MDI 포트를 MDI-X 포트에 연결할 때는 스트레이트 케이블이 사용되는 반면, 두 개의 MDI 포트 또는 두 개의 MDI-X 포트를 연결하려면 크로스오버 케이블을 사용해야 한다.
매체 의존 인터페이스

일반적으로 MDI는 종단 장치와 라우터에 사용되는 반면 MDI-X는 허브와 스위치에 사용된다. 일부 허브 및 스위치에는 크로스오버 케이블 없이 다른 허브 또는 스위치에 연결하기 위한 MDI 업링크 포트(종종 스위치 가능)가 있다. MDI vs. MDI-X. 이 용어는 일반적으로 컴퓨터 또는 기타 네트워크 장치에 암컷 8P8C 포트 연결을 사용하는 이더넷 오버 트위스티드 페어 기술의 변형을 지칭한다. X는 MDI 장치의 전송 와이어가 MDI-X 장치의 수신 와이어에 연결되어야 한다는 사실을 나타낸다. 스트레이트 케이블은 MDI 장치의 1번 및 2번 핀(전송)을 MDI-X 장치의 1번 및 2번 핀(수신)에 연결한다. 마찬가지로 3번 및 6번 핀은 MDI 장치에서는 수신 핀이고 MDI-X 장치에서는 전송 핀이다. 일반적인 관행은 네트워크 허브, 브리지 및 스위치가 MDI-X 구성을 사용하는 반면, 개인용 컴퓨터, 워크스테이션, 서버 및 라우터와 같은 다른 모든 노드는 MDI 인터페이스를 사용한다. 일부 라우터 및 기타 장치에는 특정 포트에서 MDI와 MDI-X 사이를 전환하는 업링크/일반 스위치가 있었다. 한쪽의 전송기를 다른 쪽의 수신기에 연결해야 하고 그 반대로 연결해야 하므로 두 장치 사이에는 항상 홀수 개의 크로스오버가 있어야 하며, MDI-X 포트에는 내부 크로스오버가 포함된다. 따라서 MDI를 MDI-X에 연결하려면 스트레이트 케이블(총 한 개의 크로스오버)이 필요하다.
매체 의존 인터페이스

MDI를 MDI에 연결(크로스오버 없음)하거나 MDI-X를 MDI-X에 연결(두 개의 크로스오버)하려면 홀수 개를 얻기 위해 케이블에 (또 다른) 크로스오버가 필요하다. 통합 배선의 여러 패치 패널을 통해 더 복잡한 설정을 사용할 때 연결은 여러 패치 및 건물 케이블 세그먼트를 사용할 수 있다. 필요한 모든 크로스오버를 한쪽에, 즉 중앙 허브/스위치 또는 각 보조 허브/스위치에 갖는 것이 좋다. 자동 MDI-X. 동일한 구성(MDI to MDI, 또는 MDI-X to MDI-X)의 두 포트를 10 또는 100 Mbit/s 연결(10BASE-T 또는 100BASE-TX)로 연결하려면, 각 인터페이스가 전송하는 페어를 다른 인터페이스의 수신 도체에 연결하기 위해 이더넷 크로스오버 케이블이 필요하다. 계층적 스타 네트워크 토폴로지 이외의 모든 것에 두 가지 종류의 케이블이 필요하다는 혼란은 더 자동적인 해결책을 촉발했다. 자동 MDI-X 또는 오토 MDI-X 또는 자동 크로스오버 기능이 있는 트위스트 페어 이더넷 포트는 필요한 구성(MDI 또는 MDI-X)을 자동으로 감지하여 스위치를 상호 연결하거나 네트워크 노드를 P2P로 연결하기 위한 크로스오버 케이블의 필요성을 없앤다. 링크의 한쪽 끝에서 활성화되어 있는 한, 어떤 종류의 케이블이든 사용할 수 있다. 자동 MDI-X가 올바르게 작동하려면 인터페이스의 데이터 전송률과 이중 통신 설정이 자동으로 설정되어야 한다. 자동 MDI-X는 휴렛 팩커드 엔지니어인 다니엘 조셉 도브와 브루스 W. 멜빈이 개발했다. 의사 난수 생성기는 링크의 자동 협상을 시작하기 위해 네트워크 포트가 MDI 또는 MDI-X 구성으로 시작할지 결정한다.
매체 의존 인터페이스

두 개의 자동 MDI-X 포트가 서로 연결될 때(이는 최신 제품에서 일반적이다) 알고리즘 해상 시간은 일반적으로 500ms 미만이다. 그러나 각 끝이 계속 전환되는 루프의 극히 드문 경우(확률 5×1021분의 1 미만)를 해결하기 위해 약 1.4초의 비동기 타이머가 사용된다. 이후 도브는 1000BASE-T 표준 내에서 자동 MDI-X를 추진했으며, 포트가 자동 협상하지 않더라도 링크가 자동으로 설정될 수 있도록 하는 강제 모드 자동 MDI-X용 특허 알고리즘도 개발했다. 이는 주어진 장치에 구현될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있으므로, 자동 MDI-X를 MDI-X(허브 또는 스위치) 포트에 연결할 때, 특히 자동 협상이 비활성화된 경우 간혹 크로스오버 케이블이 여전히 필요할 수 있다. 최신 라우터, 허브 및 스위치(일부 10/100 및 실제로는 모든 1기가비트 또는 10기가비트 장치 포함)는 10/100 Mbit 연결에 자동 MDI-X를 사용하여 케이블이 연결되면 적절한 구성으로 자동 전환한다. 트위스트 페어 케이블을 통한 기가비트 및 그 이상의 이더넷 링크는 양방향 동시 전송을 위해 4개의 케이블 페어를 모두 사용한다. 이러한 이유로 전용 전송 및 수신 페어가 없으며, 따라서 1000BASE-T 통신에는 크로스오버 케이블이 전혀 필요하지 않다. 물리 매체 부착 하위 계층(PMA)은 각 페어를 식별하며 일반적으로 크로스오버 케이블에서도 작동하고, 페어가 비정상적으로 바뀌거나 페어의 극성이 예상치 못하게 반전되어도 작동한다.
2 nm 공정

반도체 제조에서 2 nm 공정은 3 nm 공정 노드 이후의 다음 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터) 다이 슈링크이다. "2 나노미터" 또는 "20 옹스트롬(인텔이 사용하는 용어)"이라는 용어는 트랜지스터의 실제 물리적 특징(예: 게이트 길이, 금속 피치 또는 게이트 피치)과는 관련이 없다. 전기전자공학자협회(IEEE)가 발행한 장치 및 시스템을 위한 국제 로드맵(International Roadmap for Devices and Systems)의 2021년 업데이트에 포함된 예상에 따르면 "2.1 nm 노드 범위 레이블"은 45나노미터의 접촉된 게이트 피치와 20나노미터의 가장 좁은 금속 피치를 가질 것으로 예상된다. 따라서 2 nm는 주로 반도체 산업에서 이전 3 nm 노드 세대에 비해 트랜지스터 밀도 증가(고도의 소형화), 속도 향상, 전력 소비 감소 측면에서 새롭고 개선된 칩 세대를 지칭하는 마케팅 용어로 사용된다. TSMC는 2024년 7월에 2 nm 공정의 리스크 생산을 시작했으며, 2025년 하반기에 양산을 계획하고 있고, 삼성전자는 2025년에 생산을 시작할 계획이다. 인텔은 당초 2024년에 생산을 예상했으나 2 nm 노드를 폐기하고 더 작은 18 옹스트롬(18A) 노드를 선택했다. 배경. 2018년까지 FinFET을 대체할 여러 트랜지스터 아키텍처가 제안되었으며, 대부분은 GAAFET의 개념을 기반으로 한다.
2 nm 공정

수평 및 수직 나노와이어, 수평 나노시트 트랜지스터(삼성 MBCFET, 인텔 나노리본), 수직 FET(VFET) 및 기타 수직 트랜지스터, 상보형 FET(CFET), 스택형 FET, 나노링, 육각형 와이어, 사각형 와이어 및 원형 와이어 게이트 올 어라운드 트랜지스터와 같은 여러 종류의 수평 게이트 올 어라운드 트랜지스터 및 급진적으로 다른 재료를 사용하는 네거티브 커패시턴스 FET(NC-FET)이다. 2018년 말, TSMC 회장 마크 리우(Mark Liu)는 칩 스케일링이 3 nm 및 2 nm 노드까지 계속될 것이라고 예측했다. 그러나 2019년 현재 다른 반도체 소자 전문가들은 3 nm를 초과하는 노드가 실현 가능할지 여부에 대해 결정하지 않았다. TSMC는 2019년에 2 nm 연구를 시작했으며, FinFET에서 GAAFET로 전환할 것으로 예상했다. 2021년 7월, TSMC는 2 nm 공장 건설에 대한 정부 승인을 받았다. 2020년 8월, 신주시에 2 nm 기술 연구 개발 연구소 건설을 시작했으며, 2021년까지 부분적으로 운영될 것으로 예상되었다. 2020년 9월, TSMC는 이를 확인하고 수요에 따라 타이중시에도 생산 시설을 설치할 수 있다고 밝혔다. 타이완 경제 일보(2020년)에 따르면, 2023년 말에 높은 수율의 리스크 생산이 예상되었다. 닛케이에 따르면, 당시 회사는 2023년까지 2 nm 생산 장비를 설치할 것으로 예상했다. 인텔의 2019년 로드맵은 2025년과 2027년에 각각 동등할 가능성이 있는 3 nm 및 2 nm 노드를 계획했으며, 2019년 12월에는 2029년에 1.4 nm 생산 계획을 발표했다.
2 nm 공정

2020년 말, 17개 유럽 연합 국가들이 최대 2 nm의 공정 노드 개발과 맞춤형 프로세서 설계 및 제조를 포함한 전체 반도체 산업 개발을 위한 공동 선언에 서명하고 최대 1,450억 유로의 자금을 할당했다. 2021년 5월, IBM은 게이트 길이 12 nm의 세 개의 실리콘 층 나노시트를 사용하여 2 nm급 GAAFET 트랜지스터가 포함된 칩을 생산했다고 발표했다. 2021년 7월, 인텔은 2021년부터의 공정 노드 로드맵을 공개했다. 회사는 "Intel 20A"라고 불리는 2 nm 공정 노드를 확인했으며, "A"는 0.1 나노미터에 해당하는 단위인 옹스트롬을 나타낸다. 동시에 주요 경쟁업체의 유사한 명칭과 제품 이름을 일치시키는 새로운 공정 노드 명명 체계를 도입했다. 당시 인텔의 20A 노드는 FinFET에서 게이트 올 어라운드 트랜지스터(GAAFET)로 전환하는 첫 번째 노드가 될 것으로 예상되었으며, 인텔 버전은 'RibbonFET'으로 명명되었다. 2021년 로드맵은 20A 노드의 대량 생산을 2024년으로, 18A를 2025년으로 계획했다. 2021년 10월, 삼성 파운드리 포럼 2021에서 삼성은 2025년에 MBCFET(멀티 브리지 채널 FET, GAAFET의 삼성 버전) 2 nm 공정으로 양산을 시작할 것이라고 발표했다. 2022년 4월, TSMC는 GAAFET N2 공정 기술이 2024년 말에 리스크 생산 단계에 진입하고 2025년에 생산 단계에 진입할 것이라고 발표했다.
2 nm 공정

2022년 7월, TSMC는 N2 공정 기술이 백사이드 파워 딜리버리(backside power delivery)를 특징으로 할 것으로 예상되며, 동일 전력에서 10~15% 더 높은 성능 또는 동일 성능에서 20~30% 더 낮은 전력, N3E 대비 20% 이상 더 높은 트랜지스터 밀도를 제공할 것으로 예상한다고 발표했다. 2022년 7월, 삼성은 회사의 이전에 발표된 "2GAP"(2nm Gate All-around Production)이라는 공정 기술에 대해 여러 정보를 공개했다. 이 공정은 이전 계획대로 2025년에 대량 생산에 들어갈 예정이었다. 나노시트 수는 "3GAP"의 3개에서 4개로 증가할 것으로 예상되었다. 회사는 금속화 개선에 노력했으며, 특히 2GAP 이상에 계획된 저저항 비아를 위한 "단일 결정립 금속"과 직접 식각 금속 상호 연결에 노력했다. 2022년 8월, 일본 기업 컨소시엄은 정부 지원을 받아 2 nm 칩 제조를 위한 새로운 벤처인 라피더스에 자금을 지원했다. 라피더스는 2022년 12월에 IMEC 및 IBM과 계약을 체결했다. 2023년 4월, TSMC는 기술 심포지엄에서 2 nm 기술 플랫폼의 두 가지 공정을 더 소개했다. "N2P"는 후면 전력 공급을 특징으로 하며 2026년에 계획되어 있으며, "N2X"는 고성능 응용 프로그램을 위한 것이다. 또한 N2 공정에서 고성능 표준 라이브러리를 사용하여 제작된 ARM Cortex-A715 코어는 동일 전력에서 16.4% 더 빠르거나 동일 속도에서 37.2%의 전력을 절약하거나 3-2 핀 라이브러리를 사용하여 N3E에서 제작된 코어에 비해 동일 전압(0.8 V)에서 동시에 약 10% 더 빠르고 약 20%의 전력을 절약하는 것으로 밝혀졌다.
2 nm 공정

2024년 9월, 인텔은 더 이상 20A 공정 노드를 진행하지 않고 18A 개발에 집중할 것이라고 발표했다. 인텔은 20A의 생산을 피하면 5억 달러 이상을 절약할 수 있다고 예상했다. 인텔은 20A 공정에서 RibbonFET 게이트 올 어라운드(GAA) 아키텍처와 PowerVia 백사이드 파워 딜리버리(backside power delivery)를 성공적으로 구현하여 18A 개발을 가속화했다고 언급했다. 인텔 20A를 사용할 예정이었던 인텔의 애로우 레이크 프로세서 제품군은 대신 "외부 파트너"로부터 다이를 조달하고 인텔이 패키징할 예정이다. 2 nm 이상. 2021년 7월, 인텔은 2025년에 18A 생산을 계획하고 있다고 보고했다. 인텔의 2022년 2월 로드맵에는 18A가 이전에 인텔 20A 대비 와트당 성능에서 10% 향상을 제공할 것으로 예상되었다고 추가되었다. 인텔의 2024년 8월 뉴스룸 발표에서는 18A 공정이 2025년 상반기에 제조 준비가 완료될 것이라고 추가적으로 나타났다. 2021년 12월, 수직 나노시트를 갖춘 수직 전송 FET(VTFET) CMOS 로직 트랜지스터 설계가 45 nm 미만의 게이트 피치로 시연되었다. 2022년 5월, IMEC는 2년마다 새로운 노드를 도입하고 제곱근 2 노드 명명 규칙을 2036년까지 확장하는 공정 기술 로드맵을 제시했다. 이 로드맵은 그 때까지 도입될 TSMC의 명명 체계와 유사하게 이름 붙여진 "A2"(2 옹스트롬 노드를 나타냄) 공정 노드로 끝난다. 예상되는 트랜지스터 구조 및 상호 연결 축소 외에 IMEC에서 예측한 혁신은 다음과 같다.
2 nm 공정

2022년 9월, 삼성전자는 2027년까지 1.4 nm를 대량 생산하겠다는 목표를 포함한 미래 사업 목표를 제시했다. 2023년 현재 인텔, TSMC, 삼성 모두 CFET 트랜지스터를 시연했다. 이 트랜지스터는 두 개의 쌓인 수평 나노시트 트랜지스터로 구성되며, 하나는 p형(pFET 트랜지스터), 다른 하나는 n형(nFET 트랜지스터)이다.
제31회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제31회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 31번째 시즌이다.
제33회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

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제29회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제29회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 29번째 시즌이다.
제34회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

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제32회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

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제30회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

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제35회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

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멀티게이트 소자

멀티게이트 소자, 멀티게이트 MOSFET 또는 멀티게이트 전계 효과 트랜지스터 (MuGFET)는 단일 트랜지스터에 하나 이상의 게이트가 있는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 나타낸다. 다중 게이트는 단일 게이트 전극에 의해 제어될 수 있으며, 여기서 다중 게이트 표면은 전기적으로 단일 게이트 역할을 하거나, 독립적인 게이트 전극에 의해 제어될 수 있다. 독립적인 게이트 전극을 사용하는 멀티게이트 소자는 때때로 독립 다중 게이트 전계 효과 트랜지스터 (MIGFET)라고 불린다. 가장 널리 사용되는 멀티게이트 소자는 비평면 트랜지스터 또는 3D 트랜지스터인 핀 전계 효과 트랜지스터(FinFET) 및 GAAFET(게이트 올 어라운드 전계 효과 트랜지스터)이다. 멀티게이트 트랜지스터는 MOS 반도체 제조업체들이 더 작은 마이크로프로세서와 메모리 셀을 만들기 위해 개발하고 있는 여러 전략 중 하나이며, 구어적으로 무어의 법칙을 확장하는 것(밀도 스케일링에 관한 좁고 구체적인 버전이며, 데나드 스케일링과의 부주의한 역사적 혼동은 제외)이라고 한다. 멀티게이트 트랜지스터 개발 노력은 전기기술종합연구소, 도시바, 그르노블 INP, 히타치 제작소, IBM, TSMC, 캘리포니아 대학교 버클리, 인피니온 테크놀로지스, 인텔, 어드밴스트 마이크로 디바이시스, 삼성전자, 한국과학기술원, 프리스케일 세미컨덕터 등에서 보고되었으며, ITRS는 이러한 장치가 32 나노미터 이하 기술의 초석이 될 것이라고 정확하게 예측했다. 광범위한 구현의 주요 걸림돌은 제조 가능성이다.
멀티게이트 소자

평면 및 비평면 설계 모두 특히 리소그래피 및 패터닝과 관련하여 상당한 어려움을 겪기 때문이다. 소자 스케일링을 위한 다른 보완적인 전략에는 채널 스트레인 엔지니어링, 실리콘 온 인슐레이터 기반 기술, high-κ/금속 게이트 재료가 포함된다. 듀얼 게이트 MOSFET은 일반적으로 초단파 (VHF) 믹서 및 민감한 VHF 프런트 엔드 증폭기에 사용된다. 이들은 모토로라, NXP 반도체 및 히타치 제작소와 같은 제조업체에서 구할 수 있다. 유형. 수십 가지의 멀티게이트 트랜지스터 변형이 문헌에서 발견될 수 있다. 일반적으로 이러한 변형은 아키텍처(평면 대 비평면 설계) 및 채널/게이트 수(2, 3 또는 4)로 구별하고 분류할 수 있다. 평면 이중 게이트 MOSFET (DGMOS). 평면 이중 게이트 MOSFET (DGMOS)는 기존의 평면 (층별) 제조 공정을 사용하여 이중 게이트 MOSFET (금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 소자를 생성하여 비평면 수직 트랜지스터 구조와 관련된 보다 엄격한 리소그래피 요구 사항을 피한다. 평면 이중 게이트 트랜지스터에서 드레인-소스 채널은 독립적으로 제작된 두 개의 게이트/게이트 산화물 스택 사이에 끼워져 있다. 이러한 구조를 제작하는 데 주요 과제는 상부 및 하부 게이트 사이에서 만족스러운 자체 정렬을 달성하는 것이다. FlexFET. FlexFET는 다마신 금속 상부 게이트 MOSFET과 주입된 JFET 하부 게이트를 갖춘 평면의 독립적으로 이중 게이트 트랜지스터로, 게이트 트렌치에서 자체 정렬된다.
멀티게이트 소자

이 소자는 리소그래피 이하 채널 길이, 비주입된 초박형 소스 및 드레인 확장, 비에피라이즈된 소스 및 드레인 영역, 게이트 마지막 플로우로 인해 확장성이 높다. FlexFET는 (1) 상부 및 하부 게이트 모두 트랜지스터 작동을 제공하고, (2) 게이트 작동이 상부 게이트 작동이 하부 게이트 작동에 영향을 미치고 그 반대도 마찬가지인 방식으로 결합된다는 점에서 진정한 이중 게이트 트랜지스터이다. FlexFET는 American Semiconductor, Inc.에서 개발하고 제조한다. FinFET. FinFET(핀 전계 효과 트랜지스터)는 비평면 트랜지스터 또는 "3D" 트랜지스터의 한 유형이다(3D 마이크로칩과 혼동하지 말 것). FinFET은 기판 위에 얇은 실리콘 "핀" 반전 채널이 존재하여 게이트가 핀의 좌우면에 두 개의 접촉점을 만들 수 있다는 점에서 전통적인 MOSFET과 차별화된다. 핀의 두께(소스에서 드레인 방향으로 측정)는 소자의 유효 채널 길이를 결정한다. 랩어라운드 게이트 구조는 채널에 대한 전기적 제어를 향상시켜 누설 전류를 줄이고 다른 단채널 효과를 극복하는 데 도움이 된다. 최초의 FinFET 트랜지스터 유형은 "공핍형 린 채널 트랜지스터" 또는 "DELTA" 트랜지스터라고 불렸으며, 이는 1989년 히타치 중앙 연구소의 히사모토 디그, 카가 토루, 카와모토 요시후미, 다케다 에이지에 의해 처음 제조되었다. 1990년대 후반, 히사모토 디그는 TSMC의 후칭밍과 캘리포니아 대학교 버클리 연구팀(류쯔자이, 제프리 보커, 황쉬에주, 릴랜드 창, 닉 린더트, S.
멀티게이트 소자

아메드, 사이러스 태버리, 최양규, 푸쉬카 라나데, 스리람 발라수브라마니안, A. 아가르왈, M. 아민 포함)과 함께 DELTA 기술 개발을 위해 국제 연구팀과 협력하기 시작했다. 1998년, 이 팀은 최초의 N-채널 FinFET을 개발하고 17nm 공정까지 성공적으로 소자를 제작했다. 이듬해에는 최초의 P-채널 FinFET을 개발했다. 그들은 2000년 12월 논문에서 "FinFET"(핀 전계 효과 트랜지스터)라는 용어를 만들었다. 현재 사용되는 FinFET 용어는 덜 정확한 정의를 가지고 있다. 마이크로프로세서 제조업체 중 AMD, IBM, 프리스케일은 이중 게이트 개발 노력을 FinFET 개발이라고 설명하는 반면, 인텔은 밀접하게 관련된 삼중 게이트 아키텍처를 설명할 때 이 용어를 사용하는 것을 피한다. 기술 문헌에서 FinFET는 게이트 수에 관계없이 핀 기반 멀티게이트 트랜지스터 아키텍처를 일반적으로 설명하는 데 사용된다. 단일 FinFET 트랜지스터가 여러 개의 핀을 포함하는 것이 일반적이며, 이들은 나란히 배열되어 있고 모두 동일한 게이트로 덮여 있으며, 구동 강도와 성능을 높이기 위해 전기적으로 하나처럼 작동한다. 게이트는 핀의 전체를 덮을 수도 있다. 2002년 12월 TSMC (대만 반도체 제조 회사)는 0.7 볼트만으로 작동하는 25 nm 트랜지스터를 시연했다. "오메가 FinFET" 설계는 게이트가 소스/드레인 구조를 감싸는 모양과 그리스 문자 오메가 (Ω)의 유사성을 따서 명명되었다. N형 트랜지스터는 0.39 피코초 (ps), P형 트랜지스터는 0.88 ps의 게이트 지연을 갖는다.
멀티게이트 소자

2004년, 삼성전자는 FinFET 소자 대량 생산을 가능하게 하는 "벌크 FinFET" 설계를 시연했다. 그들은 90nm 벌크 FinFET 공정으로 제조된 동적 랜덤 액세스 메모리 (DRAM)를 시연했다. 2006년, 한국과학기술원(KAIST)과 국립나노팹센터의 한국 연구팀이 FinFET 기술을 기반으로 세계에서 가장 작은 나노일렉트로닉스 소자인 3 nm 트랜지스터를 개발했다. 2011년, 라이스 대학교 연구원 마수드 로스타미와 카르틱 모한람은 FinFET이 두 개의 전기적으로 독립적인 게이트를 가질 수 있으며, 이는 회로 설계자에게 효율적이고 저전력 게이트로 설계할 수 있는 더 많은 유연성을 제공한다는 것을 입증했다. 2012년, 인텔은 미래 상용 장치에 FinFET를 사용하기 시작했다. 유출된 정보에 따르면 인텔의 FinFET는 사각형이 아닌 삼각형의 특이한 모양을 가지고 있으며, 이는 삼각형이 더 높은 구조 강도를 가지고 더 안정적으로 제조될 수 있거나 삼각 기둥이 직사각형 기둥보다 더 높은 면적 대 부피 비율을 가지고 있어 스위칭 성능을 향상시키기 때문일 것으로 추측된다. 2012년 9월, 글로벌파운드리스는 2014년에 FinFET 3D 트랜지스터를 특징으로 하는 14나노미터 공정 기술을 제공할 계획을 발표했다. 다음 달에 경쟁사인 TSMC는 2013년 11월에 16 nm FinFET의 초기 또는 "위험" 생산을 시작한다고 발표했다. 2014년 3월, TSMC는 여러 16 nm FinFET 다이 온 웨이퍼 제조 공정의 구현에 거의 도달했다고 발표했다. AMD는 2016년 6월 폴라리스 칩 아키텍처를 사용하고 14 nm FinFET으로 만든 GPU를 출시했다.
멀티게이트 소자

이 회사는 그래픽, 게임, 가상 현실, 멀티미디어 애플리케이션을 위한 안정적인 프레임 속도를 제공하면서 "세대적 전력 효율성 도약"을 제공하는 설계를 생산하려 노력했다. 2017년 3월, 삼성과 eSilicon은 2.5D 패키지의 14 nm FinFET ASIC 생산을 위한 테이프아웃을 발표했다. Tri-gate transistor. 트라이게이트 트랜지스터, 또는 삼중 게이트 트랜지스터는 세 면에 게이트가 있는 MOSFET의 한 유형이다. 삼중 게이트 트랜지스터는 1987년 도시바 연구팀인 K. 히에다, 후미오 호리구치, H. 와타나베에 의해 처음 시연되었다. 그들은 좁은 벌크 Si 기반 트랜지스터의 완전 공핍형(FD) 몸체가 몸체 바이어스 효과 감소로 인해 스위칭 개선에 도움이 된다는 것을 깨달았다. 1992년, IBM 연구원 Hon-Sum Wong이 삼중 게이트 MOSFET을 시연했다. 인텔은 2002년 9월 이 기술을 발표했다. 인텔은 "트랜지스터 스위칭 성능을 극대화하고 전력 낭비 누설을 줄이는" "트라이게이트 트랜지스터"를 발표했다. 1년 후인 2003년 9월, AMD는 국제 고체 장치 및 재료 학회에서 유사한 기술에 대해 연구하고 있다고 발표했다. 2011년 5월 인텔의 발표까지 이 기술에 대한 추가 발표는 없었지만, IDF 2011에서 그들은 IDF 2009에서 이 기술을 기반으로 한 작동 가능한 SRAM 칩을 시연했다고 밝혔다. 2012년 4월 23일, 인텔은 트라이게이트 트랜지스터를 특징으로 하는 새로운 CPU 라인인 아이비 브리지를 출시했다. 인텔은 2002년부터 트라이게이트 아키텍처를 연구해왔지만, 대량 생산 문제를 해결하는 데는 2011년까지 걸렸다.
멀티게이트 소자

새로운 스타일의 트랜지스터는 2011년 5월 4일 샌프란시스코에서 설명되었다. 인텔 공장은 2011년과 2012년에 아이비 브리지 CPU를 제조할 수 있도록 업그레이드될 것으로 예상된다고 발표되었다. 새로운 트랜지스터는 저전력 장치용 아톰 칩에도 사용될 것이라고 발표되었다. 트라이게이트 제조는 인텔이 아이비 브리지, 하스웰, 스카이레이크 프로세서에 사용된 비평면 트랜지스터 아키텍처에 사용되었다. 이 트랜지스터는 두 개의 수직 게이트 위에 단일 게이트가 쌓여 있어(채널의 세 면을 감싼 단일 게이트) 전자가 이동할 수 있는 표면적이 사실상 세 배가 된다. 인텔은 트라이게이트 트랜지스터가 누설을 줄이고 이전 트랜지스터보다 훨씬 적은 전력을 소비한다고 보고한다. 이를 통해 이전 인텔 트랜지스터 유형보다 최대 37% 더 빠른 속도 또는 50% 미만의 전력 소비를 달성할 수 있다. 인텔은 "추가적인 제어는 트랜지스터가 '켜짐' 상태일 때 가능한 한 많은 트랜지스터 전류(성능을 위해)를 흐르게 하고, '꺼짐' 상태일 때 가능한 한 0에 가깝게(전력 최소화를 위해), 그리고 트랜지스터가 두 상태 사이에서 매우 빠르게 스위칭할 수 있도록 합니다(다시 한번, 성능을 위해)."라고 설명한다. 인텔은 샌디브리지 이후의 모든 제품이 이 설계를 기반으로 할 것이라고 밝혔다. 트라이게이트라는 용어는 때때로 세 개의 유효 게이트 또는 채널을 가진 모든 멀티게이트 FET를 통칭하는 데 사용된다. 게이트 올 어라운드 FET (GAAFET). 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET)는 7 nm 이하 크기에서도 작동할 수 있어 FinFET의 후속 기술이다. IBM은 이를 사용하여 5 nm 공정 기술을 시연했다.
멀티게이트 소자

주변 게이트 트랜지스터(SGT)라고도 불리는 GAAFET는 게이트 재료가 모든 면에서 채널 영역을 둘러싸는 것을 제외하고 FinFET와 개념적으로 유사하다. 설계에 따라 게이트 올 어라운드 FET는 두 개 또는 네 개의 유효 게이트를 가질 수 있다. 게이트 올 어라운드 FET는 이론적으로나 실험적으로 성공적으로 특성화되었다. 또한 실리콘보다 전자 이동도가 높은 InGaAs의 나노와이어에 성공적으로 에칭되었다. 게이트 올 어라운드(GAA) MOSFET은 1988년 마스오카 후지오, 히로시 다카토, 카즈마사 스노우치로 구성된 도시바 연구팀이 수직 나노와이어 GAAFET인 "주변 게이트 트랜지스터"(SGT)를 시연하면서 처음 시연되었다. 플래시 메모리 발명가로 가장 잘 알려진 마스오카는 나중에 도시바를 떠나 2004년 Unisantis Electronics를 설립하여 도호쿠 대학과 함께 주변 게이트 기술을 연구했다. 2006년, 한국과학기술원(KAIST)과 국립나노팹센터의 한국 연구팀이 게이트 올 어라운드(GAA) FinFET 기술을 기반으로 세계에서 가장 작은 나노일렉트로닉스 소자인 3 nm 트랜지스터를 개발했다. GAAFET 트랜지스터는 high-k/금속 게이트 재료를 사용할 수 있다. 최대 7개의 나노시트를 가진 GAAFET이 시연되었으며, 이는 개선된 성능 및 감소된 소자 풋프린트를 허용한다. GAAFET의 나노시트 폭은 제어 가능하여 소자 특성 조정을 더 쉽게 할 수 있다. 2020년 현재 삼성과 인텔은 GAAFET 트랜지스터(특히 MBCFET 트랜지스터)를 대량 생산할 계획을 발표했으며, TSMC는 TSMC가 GAAFET 트랜지스터를 개발하고 있음에도 불구하고 3 nm 노드에서는 FinFET를 계속 사용할 것이라고 발표했다.
멀티게이트 소자

멀티 브리지 채널 (MBC) FET. 멀티 브리지 채널 FET(MBCFET)는 나노와이어 대신 나노시트를 사용한다는 점을 제외하고 GAAFET와 유사하다. MBCFET는 삼성전자가 미국에 등록한 워드마크(상표)이다. 삼성은 파운드리 고객을 위해 3 nm 노드에서 MBCFET 트랜지스터를 대량 생산할 계획이다. 인텔도 MBCFET "나노리본" 트랜지스터의 변형인 RibbonFET을 개발하고 있다. FinFET와 달리 시트의 폭과 수를 변경하여 구동 강도 또는 특정 전압에서 트랜지스터가 구동할 수 있는 전류량을 조정할 수 있다. 시트의 폭은 종종 8에서 50나노미터까지 다양하다. 나노시트의 폭은 Weff, 즉 유효 폭으로 알려져 있다. 산업적 요구. 평면 트랜지스터는 수십 년 동안 집적 회로의 핵심이었으며, 그동안 개별 트랜지스터의 크기는 꾸준히 줄어들었다. 크기가 줄어들면서 평면 트랜지스터는 바람직하지 않은 단채널 효과, 특히 장치가 요구하는 유휴 전력을 증가시키는 "오프 상태" 누설 전류로 점점 더 고통받고 있다. 멀티게이트 소자에서 채널은 여러 표면에 걸쳐 여러 게이트로 둘러싸여 있다. 따라서 채널에 대한 전기적 제어가 향상되어 "오프 상태" 누설 전류를 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 여러 게이트는 "켜짐" 상태의 전류, 즉 구동 전류를 향상시키기도 한다. 멀티게이트 트랜지스터는 또한 더 높은 고유 이득과 더 낮은 채널 길이 변조로 인해 더 나은 아날로그 성능을 제공한다. 이러한 장점은 낮은 전력 소비와 향상된 소자 성능으로 이어진다.
멀티게이트 소자

비평면 소자는 기존 평면 트랜지스터보다 더 소형이며, 이는 더 높은 트랜지스터 밀도를 가능하게 하여 전체 마이크로일렉트로닉스의 소형화를 이끈다. 통합 과제. 비평면 멀티게이트 소자를 기존 반도체 제조 공정에 통합하는 주요 과제는 다음과 같다. 컴팩트 모델링. UC Berkeley BSIM 그룹이 2012년 3월 1일에 공식 출시한 BSIMCMG106.0.0는 FinFET의 첫 번째 표준 모델이다. BSIM-CMG는 Verilog-A로 구현된다. 물리적 표면 전위 기반 공식은 유한한 몸체 도핑을 갖는 내재적 및 외재적 모델 모두에 대해 도출된다. 소스 및 드레인 끝의 표면 전위는 폴리 공핍 및 양자 역학적 효과와 함께 해석적으로 해결된다. 유한한 몸체 도핑의 효과는 섭동 접근 방식을 통해 포착된다. 해석적 표면 전위 해는 2차원 소자 시뮬레이션 결과와 밀접하게 일치한다. 채널 도핑 농도가 무시할 수 있을 만큼 낮으면 특정 플래그(COREMOD = 1)를 설정하여 계산 효율성을 더욱 향상시킬 수 있다. 모든 중요한 멀티 게이트 (MG) 트랜지스터 동작은 이 모델에 의해 포착된다. 부피 반전은 푸아송 방정식의 해에 포함되므로 후속 I-V 공식은 부피 반전 효과를 자동으로 포착한다. MG MOSFET의 몸체에서 정전기 전위 분석은 단채널 효과 (SCE)에 대한 모델 방정식을 제공했다. 끝 게이트 (상/하 게이트) (삼중 또는 사중 게이트)의 추가적인 정전기 제어도 단채널 모델에 포착된다.
제38회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

제38회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 38번째 시즌이다.
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BTX (폼 팩터)

BTX(Balanced Technology eXtended)는 메인보드의 컴퓨터 폼 팩터로, 원래는 2004년 말과 2005년 초에 노후화된 ATX 메인보드 폼 팩터를 대체하기 위한 것이었다. 이 폼 팩터는 1996년경의 ATX 사양을 준수하는 메인보드에서 새로운 기술(종종 더 많은 전력을 요구하고 더 많은 열을 발생시킨다)을 사용할 때 발생하는 일부 문제를 완화하기 위해 설계되었다. ATX 및 BTX 표준은 모두 인텔이 제안했다. 그러나 2006년 9월, 인텔이 펜티엄 4의 확장 및 열 문제를 겪은 후 저전력 CPU에 다시 집중하기로 결정하면서 인텔의 BTX 리테일 제품 개발은 취소되었다. BTX를 처음 구현한 회사는 게이트웨이였고, 이어 델과 MPC가 뒤를 이었다. 애플의 맥 프로 1세대는 BTX 설계 시스템의 일부 요소를 사용했지만, BTX 규격을 준수하지 않고 독자적인 폼 팩터를 사용했다. 향상점. 피코BTX. 피코 BTX는 BTX 표준을 소형화하기 위한 메인보드 폼 팩터이다. 피코 BTX 메인보드의 크기는 이다. 이는 현재의 많은 "마이크로" 크기 메인보드보다 작기 때문에 "피코-"라는 이름이 붙었다. 이 메인보드는 BTX 라인의 다른 크기와 공통된 상반부를 공유하지만, 하프 높이 또는 라이저 카드 애플리케이션용으로 설계된 하나 또는 두 개의 확장 슬롯만 지원한다. 다른 더 작은 BTX 크기는 다음과 같다: 크기의 마이크로BTX와 크기의 나노 BTX.
BTX (폼 팩터)

공식 사양 전체에서 "열 모듈"이라고 불리는 CPU에 부착되는 방열판은 더 이상 메인보드에만 부착되는 것이 아니라 케이스 자체에 부착되어 기계적 충격 시 질량의 관성 부하가 더 이상 메인보드를 손상시킬 수 없게 된다. 방열판과 섀시 사이의 구조적 인터페이스는 간격의 4개의 장착 구멍으로 정의된다. 그리고 이 부착 수단은 특정 강성을 가져야 하므로 사양에서는 "지원 및 유지 모듈 (SRM)"이라고 한다. 반응. BTX 폼 팩터는 ATX 및 관련 표준에 비해 개선되었음에도 불구하고 널리 채택되지 않았다. 결과적으로 BTX 호환 부품의 가용성 및 다양성이 제한적이다. BTX가 주요 시장에서 견인력을 얻지 못한 한 가지 이유는 BTX의 주요 의도된 이점 중 두 가지를 제거하는 에너지 효율적인 부품(CPU, 칩셋 및 GPU)의 등장으로 인해 전력이 덜 필요하고 폐열이 덜 발생했기 때문이다. 다른 이유는 OEM 채택자의 부족이었다. 초기에는 게이트웨이와 델만이 새로운 형식의 컴퓨터를 제공했으며, 나중에 HP와 후지쯔 지멘스(현: 후지쯔)도 일부 BTX 기반 컴퓨터를 제공했다. 대부분의 다른 제조업체는 ATX 표준을 유지했으며, 일부 제품에 BTX를 채택한 소수의 제조업체조차도 ATX 폼 팩터로 대부분의 장비를 계속 생산했다.
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제36회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 36번째 시즌이다.
가라쓰촌

가라쓰촌()은 일본 사가현 히가시마쓰우라군에 속해있던 촌이다. 현재의 가라쓰시의 일부에 해당한다.
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제43회 천황배 전일본 축구 선수권 대회는 천황배 전일본 축구 선수권 대회의 43번째 시즌이다.
제46회 천황배 전일본 축구 선수권 대회

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