硅穿孔

DRAM芯片與高帶寬內存（HBM）接口相結合
硅通孔（Through Silicon Via，常簡寫為TSV，也稱做硅穿孔）在電子工程領域是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直電連接。TSV是區分3D封裝和3D IC的直接方法，如果使用TSV形成互連，則歸類為3D IC，否則為3D封裝。TSV是一種高性能的互聯技術，可作為引線鍵合和倒裝芯片的替代方案，用於構建3D封裝和3D IC。與層疊式封裝等替代方案相比，TSV提供更高的互聯密度和器件密度，並能顯著縮短連接長度。

**分類**
展示前通孔（via-first）、中通孔（via-middle）和後通孔（via-last）
根據製造工藝的不同，TSV可分為三類：前通孔TSV在元器件（如晶體管、電容器、電阻器等）圖案化前（前端工藝，FEOL）製備；中通孔TSV在元器件圖案化後、但在金屬層（後端工藝，BEOL）製備前完成；後通孔TSV則是在BEOL工藝之後（或期間）製備。中通孔TSV目前廣泛應用於先進的3D IC以及中介層堆疊。
前端工藝中的TSV需要在電子設計自動化（EDA）和製造階段加以精確考量，因為TSV會在FEOL層引發熱-機械應力，從而影響晶體管-晶體管邏輯的性能。

**應用**

**圖像傳感器**
CMOS圖像傳感器（CIS）是率先大規模應用TSV技術的場景之一。最初的CIS應用中，TSV被用於圖像傳感器晶圓的背面，用以實現互聯、消除引線鍵合，並縮小封裝體積、提高互聯密度。隨著Back-illuminated sensor的發展，引入了芯片堆疊技術，重排透鏡、電路和光電二極管的順序，使得光線首先照射到光電二極管，再經過電路。這一技術通過翻轉光電二極管晶圓並對背面進行減薄，再採用氧化物直接鍵合的方式將其粘接到讀取電路層上，外圍則利用TSV進行互聯。

**三維封裝**
3D 封裝（如系統級封裝、多晶片模組等）由兩個或多個芯片垂直堆疊構成，以節省空間和/或提升連接能力。IBM的硅載板封裝技術則採用不同方案，不堆疊芯片，而是使用含TSV的載板連接多個芯片。在多數3D封裝中，芯片間通過邊緣接線連接，這種方式略微增加了封裝的尺寸，通常還需要一個額外的中介層。而在一些新型3D封裝中，TSV替代了邊緣接線，直接在芯片體內實現垂直連接，從而不增加封裝長度和寬度。由於無需中介層，採用TSV的3D封裝也可以更為扁平。該技術有時也被稱作TSS（Through-Silicon Stacking或Thru-Silicon Stacking）。

**三維集成電路**
三維集成電路（3D IC）是一種通過堆疊多個硅晶圓和/或芯片並進行垂直互聯，使其作為單一器件運行的集成電路。藉助TSV技術，3D IC可以在較小的“佔地面積”內集成大量功能。堆疊內的器件可以是異構的，例如在一個芯片中集成互補金屬氧化物半導體邏輯、DRAM和III-V材料。此外，器件內部關鍵電路徑得以大幅縮短，從而提高運行速度。3D Wide I/O DRAM內存標準（JEDEC JESD229）在設計中就包含了TSV技術。
TSV是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB），在晶片鑽出小洞（製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種，Via First, Via Last），從底部填充入金屬，矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔（via），再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。
TSV技術在3D封裝和3D IC中具有重要應用，對於跨入3D IC相當具有優勢。2006年4月，韓國三星表示已成功將TSV技術應用在“晶圓級堆疊封裝”（Wafer level process stack package, WSP）NAND Flash堆疊的技術堆疊八個2Gb NAND Flash晶片，以雷射鑽孔打造出TSV製程，高度是0.56mm。2007年4月三星公佈其以WSP技術應用在DRAM的產品，共堆疊了4顆512Mb的DRAM晶片。到目前為止，晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限，僅有CMOS（CIS）影像感測器、MEMS等少數幾種。

**歷史**
TSV概念的起源可追溯至威廉·肖克利於1958年提交併於1962年獲得授權的專利“Semiconductive Wafer and Method of Making the Same”，該技術後來由IBM的研究人員Merlin Smith和Emanuel Stern進一步發展，並於1964年申請、1967年獲批了專利“Methods of Making Thru-Connections in Semiconductor Wafers”，後者描述了一種通過硅片蝕刻孔洞的方法。TSV最初並非為三維集成而設計，但基於TSV的第一批3D芯片在1980年代後期被髮明。
第一批採用TSV工藝製造的三維集成電路（3D IC）堆疊芯片誕生於1980年代日本。日立製作所於1983年提交了日本專利，隨後富士通於1984年提交專利。1986年，富士通提交了一項描述使用TSV的堆疊芯片結構的日本專利。1989年，東北大學的小柳光正（Mitsumasa Koyonagi）率先開發出使用TSV進行晶圓對晶圓鍵合的技術，並用於製造3DLSI芯片。1999年，日本超級先進電子技術協會（ASET）啟動了名為“高密度電子系統集成技術研發”的項目，資助基於TSV的3D IC芯片研發。東北大學的小柳研究團隊在1999年利用TSV技術製造了三層堆疊的圖像傳感器芯片，2000年製造了三層內存模塊，2001年製造了三層人工視網膜芯片，2002年製造了三層微處理器，並於2005年製造了十層內存芯片。
1997年，由弗勞恩霍夫協會與西門子組成的研究團隊（成員包括Peter Ramm、D. Bollmann、R. Braun、R. Buchner、U. Cao-Minh、Manfred Engelhardt和Armin Klumpp）開發了芯片間通孔（ICV）方法，這是一種TSV工藝的變體，後來被稱為SLID（固液互擴散）技術。
“硅通孔”（through-silicon via，TSV）一詞由Tru-Si Technologies的研究人員Sergey Savastiouk、O. Siniaguine和E. Korczynski在2000年提出，他們提出了一種用於3D晶圓級封裝（WLP）解決方案的TSV方法。
採用TSV的CMOS圖像傳感器於2007年至2008年間被東芝、Aptina和意法半導體等公司商業化，其中東芝將其命名為“Through Chip Via”（TCV）技術。基於TSV的3D堆疊隨機存取存儲器（RAM）最早由爾必達存儲器商業化，該公司於2009年9月開發出首個8GBDRAM模塊（由四顆DDR3SDRAM芯片堆疊而成），並於2011年6月發佈。臺灣積體電路製造於2010年1月宣佈採用TSV技術生產3D IC。2011年，SK海力士推出基於TSV的16GB DDR3 SDRAM（40納米級），三星電子於9月推出基於TSV的3D堆疊32GB DDR3（30納米級）產品，並於10月與美光科技共同宣佈TSV基礎的Hybrid Memory Cube（HMC）技術。2013年，SK海力士製造出首個基於TSV的高帶寬內存（HBM）模塊。中通孔（via middle）技術由IMEC開發，並由Eric Beyne提出，其在成本與互連密度之間提供了最佳權衡。該技術起初獲得高通支持，後來也得到NVIDIA、賽靈思和Altera的支持，這些公司希望通過堆疊（而非縮放）增加芯片上的內存容量，以挑戰英特爾的領先地位。

**相關**
 系統單晶片（SoC）- 系統級封裝（SiP）

**參考 ==