วงจรรวม

วงจรรวม
วงจรรวม หรือ วงจรเบ็ดเสร็จ (langx|en|integrated circuit ; IC) หมายถึง วงจรที่นำเอาไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวต้านทาน, ตัวเก็บประจุ และองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ มาประกอบรวมกันบนแผ่นวงจรขนาดเล็ก ในปัจจุบันแผ่นวงจรนี้จะทำด้วยแผ่นซิลิคอน บางทีอาจเรียก ชิป (chip) และสร้างองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ ฝังอยู่บนแผ่นผลึกนี้ ส่วนใหญ่เป็นชนิดที่เรียกว่า monolithic การสร้างองค์ประกอบวงจรบนผิวผลึกนี้ จะใช้กรรมวิธีทางด้านการถ่ายภาพอย่างละเอียด ผสมกับขบวนการทางเคมีทำให้ลายวงจรมีความละเอียดสูงมาก สามารถบรรจุองค์ประกอบวงจรได้จำนวนมาก ภายในไอซี จะมีส่วนของลอจิกมากมาย ในบรรดาวงจรเบ็ดเสร็จที่ซับซ้อนสูง เช่น ไมโครโปรเซสเซอร์ ซึ่งใช้ทำงานควบคุม คอมพิวเตอร์ จนถึงโทรศัพท์มือถือ แม้กระทั่งเตาอบไมโครเวฟแบบดิจิทัล สำหรับชิปหน่วยความจำ (RAM) เป็นอีกประเภทหนึ่งของวงจรเบ็ดเสร็จ ที่มีความสำคัญมากในยุคปัจจุบัน

**ประวัติไอซี**
ไอซี กำเนิดขึ้นโดย   Geoffrey W.A. Dummer  นักวิทยาศาสตร์เรดาร์จากอังกฤษ ต่อมาได้ย้ายไปทำการค้นคว้าต่อที่สหรัฐอเมริกา โดยสามารถสร้างไอซีจากเซรามิกส์ตัวแรกได้ในปี ค.ศ. 1956 แต่ยังไม่ประสบผลสำเร็จนัก ต่อมาในปี ค.ศ. 1957 กองทัพสหรัฐอเมริกานำโดยแจ็ก คิลบีได้ทำการค้นคว้าทดลองต่อ ในวันที่ 6 กุมภาพันธ์ ค.ศ. 1959  คิลบีได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากเจอร์มาเนียม และในพัฒนาการสุดท้ายของไอซี  โรเบิร์ต นอยซ์ได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากซิลิคอน ในวันที่ 25 เมษายน ค.ศ. 1961

**ประเภทของไอซีแบ่งตามจำนวนเกท**
จำนวนของเกทต่อไอซีจะกำหนดประเภทของไอซี (IC) 1 เกท เท่ากับ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ 1 ชิ้น
- ขนาด SSI (Small Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1 ถึง 10 เกท 
- ขนาด MSI (medium scale integration) จะมีตั้งแต่ 10 ถึง 100 เกท 
- ขนาด LSI (large scale integration) จะมีตั้งแต่ 100 ถึง 10,000 เกท
- ขนาด VLSI (Very large scale integration ) จะมีตั้งแต่ 100,000 ถึง 1,000,000 เกท
- ขนาด ULSI (Ultra-Large Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1,000,000 เกทขึ้นไป- ส่วนมากใช้เรียกไอซีที่มีจำนวนเกทสูงมากในประเทศญี่ปุ่น

**กระบวนการผลิต IC (มีขา)**
 DC : Dicing คือกระบวนการนำแผ่น Wafer มาตัดออกเป็นตัว Chip
 DB : Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว 
 WB : Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ขานองลีดเฟรม
 MP : Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วย Resin หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว
 PL : Plating คือกระบวนการเคลือบ แผ่นเฟรมซึ่งจะกลายเป็นขาตัวงาน ด้วยตะกั่วหรือดีบุก 
 FL : Form Lead คือกระบวนการตัดตัว IC ออกจากเฟรม และขึ้นรูปขางานตามแบบที่กำหนด
 FT : Final Test คือกระบวนการทดสอบทางไฟฟ้าขั้นสุดท้าย
 TP : ความหมายของคำศัพท์
 TP : ความหมายของคำศัพท์

**กระบวนการผลิต IC (ไม่มีขา)**
 DG : Dicing คือ การตัด IC ออกจากแผ่น IC รวม (Wafer) แยกเป็นแต่ละชิ้น
 DB : Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว epoxy
 WB : Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ลีดเฟรม
 MO : Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วยพลาสติก หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว
 CU : Post Mold Cure คือการนำ IC ไปอบด้วยความร้อน เพื่อลดความเครียดในชิ้นงาน
 MK : Marking คือ การใช้แสงเลเซอร์ ยิงไปบน IC เพื่อสลักเป็นชื่อ, รุ่น หรือ Lot ของ IC
 BA : Ball Attach คือ การติดลูกบอลตะกั่วลงบนบริเวณตำแหน่งที่จะทำการเชื่อมต่อกับแผงวงจร
 BS : Board Separate คือ การตัดแบ่ง IC แต่ละชิ้นแยกออกจากกัน
 PS : Package Sort คือ การนำ IC ที่ตัดแบ่งแล้ว แยกแต่ละชิ้นใส่ package

**แหล่งข้อมูลอื่น**
 http://www.semiconfareast.com
หมวดหมู่:อิเล็กทรอนิกส์

หมวดหมู่:สิ่งประดิษฐ์ของสหรัฐ