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고려시대의 서울

고려 시기 현재 서울특별시에 해당하는 지역은 양주, 남경, 한양이라고 불렀으며, 단어 '서울'은 수도를 가리키는 일반 명사로서 사용되었다.
남경은 풍수지리적 및 지리적 이점으로 인해 고려 내내 중요한 지역으로 다루어졌으나, 고려의 수도는 주로 개경으로 유지되었다. 고려 말기 일시적으로 한양으로 천도하기도 했으나 오래 가지 못하였으며, 현재의 서울특별시에 해당하는 한양 지역이 제대로 된 수도로 기능하기 시작한 것은 조선 초기 태조 주도의 천도 이후이다.

**정치적 역사**

**남북국시대 말기**
삼국통일 이후 신라는 전국을 9주 5소경으로 나누어 통치하였는데, 이 때 현재의 서울 지역은 한산주에 속했다. 경덕왕 때 한산주를 한주로 바꿀 때 서울 지역을 한양군(漢陽郡)으로 불렀으며, 이 이름은 신라 말까지 계속 사용되었다.

**고려 초기 및 남경 승격**
태조 1년 (918년) 한양은 양주(楊州)로 이름이 바뀌었으며, 성종 시기에는 12목을 설치할 때 양주목으로 격상되어 중요한 지방 행정 구역이라는 지위를 얻었다.
문종 21년 (1067년) 양주는 3경 중 하나인 남경으로 지정되었는데, 이는 남경이 풍수지리적 요인에, 개경과 지리적으로 가깝고, 한강이 있어 물류적으로 유리했기 때문이었다. 이 시기 남경에는 궁궐이 건설되었으며, 인근 주민을 이주시킴으로서 도시로서 급격히 성장하였다.
문종 30년 (1076년) 남경은 폐지되어 다시 양주로 불렸는데, 숙종 6년 (1101년) 김위제가 주장한 남경 천도론을 바탕으로 남경 설립을 담당하는 관청인 남경개창도감(監)이 설치되며 다시 부활하였다. 숙종 9년 (1104년) 남경에 이궁이 완성되었는데, 현재의 경복궁 북쪽, 청와대 부근이었다고 전해지고 있다.
문종 이후로 국왕의 남경 순회는 횟수의 변화는 있지만 꾸준하게 유지되었는데, 무신정권부터는 중단되었다.

**한양**
고려시대에 들어 한양(漢陽)이라는 단어는 예종 시기 이자겸이 한양공(漢陽公)으로 책봉되었다는 기록에서 처음 등장하는데, 이자겸의 출신 지역이 현대의 인천에 해당하는 인주(仁州)였기 때문에 이와 관련이 있을 것으로 보이나, 여기서 말하는 '한양'이 정확히 어디인지는 밝혀지지 않았다.
원나라의 영향을 받던 충렬왕 시기, 3경 제도가 폐지됨에 따라 남경은 한양부(漢陽府)로 개칭되었으며, 남경유수는 한양부윤으로 변경되었다. 이는 원나라의 제도를 고려에 적용시키기 위한 조치였을 것으로 보고 있다.

**고려 말 한양천도론의 대두**
공민왕 시기, 원나라의 영향력을 줄이려는 노력의 일환으로 3경 제도가 부활함에 따라 한양부가 다시 남경으로 복원되었다. 이 때 보우는 한양으로 천도하면 주변 36개국이 조공을 바치러 올 것이라며 한양 천도를 주장하였는데, 이는 묘청의 서경천도운동과 유사하다는 비판을 받았으나, 공민왕은 개경의 권문세족의 권력 독점 문제를 해결하고, 왜구의 개경 인근 해안 지방 공격으로 인한 황폐화 및 홍건적에 의한 개경 함락 등으로 인해 천도안을 받아들여, 남경의 궁궐과 성곽을 수리하기까지 이르렀으나, 잦은 외적의 침입으로 인해 천도를 진행할 만한 국력을 얻지 못하여 결국 실현하지 못했다.
다음 왕인 우왕은 외적의 침입이 개경 인근인 강화도와 교동도까지 확대됨에 따라 다시 한양 천도를 주장했으며, 실제로 1382년 천도를 단행하기도 하였으나, 전과 비슷하게 국력이 약한 시기였기 때문에 백성의 강한 반발에 부딪혀 6개월 후 다시 개경으로 복귀하였다.
위화도 회군 이후 즉위한 공양왕은 고려 왕조를 유지하려는 마지막 시도로서 1346년 한양으로 천도하였으나, 당시 신진사대부와의 정치적 갈등 및 민생의 어려움으로 인해, 마찬가지로 6개월 만에 개경으로 돌아왔다.

**조선 초기**
태조는 즉위 1달 후 바로 한양 천도를 결정하였지만, 개경을 중심으로 한 당대 귀족들의 강한 반대로 인해 실현하지 못했다. 하지만 천도 자체는 중단되지 않았으며, 다음 해부터 시작된 계룡산 천도 계획이 중지된 후, 다시 한양이 천도 대상으로 결정됨에 따라, 1394년 한양부로 천도하였고, 1395년 이름을 한성부로 바꾸었다. 이 시기부터 한양이 완전한 수도 역할을 하기 시작하였다. 

**생활**
문종 시기 처음 설치된 남경의 경계는 동쪽으로 대봉(현재의 낙산), 서쪽으로 기봉(현재의 안산), 북쪽으로 면악(현재의 북악산), 남쪽으로 사리(현재의 용산)이었다고 전해진다.
고려 중기 이인로는 계양의 지방관으로 나가며, 현재의 용산 지역에 있는 한언국(韓彦國)의 서재에 묵었는데, 북한산 등 서울에 있는 지형을 보고 시를 지었다는 점에서 한양에 장기간 거주한 것으로 보인다. 하지만 이 시기 한양의 생활사는 확실하지 않다.
고려 말 이곡이 남긴 글에는 다음과 같이 한양이 과거에 비해 황폐해졌다고 기록되어 있는데, 이로 인해 고려 말 한양 천도 운동의 백성 반발이 심했을 것으로 추정하고 있다.

**같이 보기**
 서울특별시의 역사

**각주**

**외부 링크**
분류:서울특별시의 역사
분류:고려의 역사
사뮈엘 음바페 레페

사뮈엘 음바페 레페(Samuel Mbappé Léppé, 1936년 2월 28일~1985년 12월 25일)는 카메룬의 축구인으로 선수 시절 미드필더로 활동했다. 본명은 음바페 무미 사뮈엘(Mbappé Moumi Samuel)이며 카메룬의 사와족(Sawa) 출신이다.

**어린 시절**
사뮈엘 음바페 레페는 1936년 2월 28일 프랑스령 카메룬의 두알라에서 무메 음바페(Moumè Mbappé)와 로즈 에벨(Rose Ebelle) 사이에서 태어났다.

**구단 경력**
1950년대와 1960년대에 오릭스 두알라에서 활동하며 엘리트 원 5회 우승(1960-61, 1962–63, 1963–64, 1964–65, 1966–67시즌), 카메룬 컵 3회 우승(1963, 1968, 1970년), 아프리칸 챔피언스 클럽컵 1회 우승(1964-65)을 달성했다. 그는 1964-65 아프리칸 챔피언스 클럽컵에서 우승을 달성하며 아프리칸 챔피언스 클럽컵 우승을 달성한 첫 번째 주장이 되었다. 오릭스 두알라에서 활동할 당시 몇몇 유럽 구단들이 그에게 카메룬을 떠나 유럽 축구계에서 활동할 것을 제안했지만 그는 이 제안들을 거절하고 오릭스에 잔류했다.

**국가대표팀 경력**
장군(Maréchal)이라는 별칭을 가지고 있던 사뮈엘은 카메룬 축구 국가대표팀의 주장을 역임했다. 그는 카메룬 대표팀의 일원으로 1970년 아프리카 네이션스컵에 참가했으나 카메룬은 조별 리그에서 탈락했다. 그는 카메룬 국가대표팀에서 4득점을 기록했다.

**사망 및 헌정**
사뮈엘은 합병증과 가난으로 인해 1985년 12월 25일 카메룬의 두알라에서 49세의 나이에 사망했다. 공식적으로 결혼하지 않았지만 그는 죽기 직전에 자신에게 친딸이 있다는 것을 알았다.
사후 카메룬의 축구 선수였던 로제 밀라는 사뮈엘을 "최고의 축구 선수"라고 언급했으며 사뮈엘 에토는 그를 "카메룬의 현대 축구에 영감을 준 역사적 인물"이라고 언급했다.
1992년 카메룬 정부는 사뮈엘의 얼굴이 담겨진 125F 우표를 발행했고 아프리카 축구 연맹은 2015년에 진행된 CAF 수상식에서 그에게 아프리카 전설의 선수상을 부여했다. 카메룬의 두알라에 있는 축구 경기장 스타드 아크와(Stade Akwa)는 그의 행적을 기리는 뜻에서 그의 이름을 딴 스타드 음바페 레페로 명칭이 변경되었다.

**수상 내역**
구단
오릭스 두알라- 엘리트 원: 1960-61, 1962–63, 1963–64, 1964–65, 1966–67- 카메룬 컵: 1963, 1968, 1970- CAF 챔피언스리그: 1964-65

**개인사**
사뮈엘에게는 에벨레 무미 왈테르(Ebèllé Moumi Walter)라는 동생이 있었다. 축구 선수였던 에벨레는 사뮈엘과 함께 오릭스 두알라와 카메룬 축구 국가대표팀에서 활동했다.
사뮈엘은 이름에 음바페(Mbappé)가 들어가지만 킬리안 음바페는 자신은 그와 아무런 혈연 관계가 없다고 언급했다.

**각주**
분류:1985년 사망
분류:1970년 아프리카 네이션스컵 참가 선수
분류:남자 축구 미드필더
분류:카메룬의 남자 축구 선수
분류:카메룬 남자 축구 국가대표팀 선수
분류:1936년 출생
분류:두알라 출신
분류:20세기 카메룬 사람
개성시 (대한민국)

개성시(開城市)는 대한민국 경기도에 있는 대한민국의 시이다. 이북5도위원회가 관리하는 명목상의 행정 구역이다. 면적 29.95㎢, 인구 88,708명(1949). 시청은 수창동에 있었다. 1945년 8월 15일 당시에는 개성시 전역이 38선 이남에 있었기 때문에 대한민국의 지배하에 있었으나, 6.25 전쟁의 결과로 인하여 개성시 전역이 조선민주주의인민공화국의 지배하에 들어갔다.

**행정 구역**
개성시의 법정동은 1950년 6월 당시를 기준으로 한다.

**각주**

**참고 문헌**
 출판사=이북5도위원회

**같이 보기**
 개성시- 개성시의 국회의원

**외부 링크**
  이북5도위원회 - 경기도 내 미수복 시군 소개, 기구 및 정원

분류:경기도의 미수복 시군
분류:1949년 설치
분류:1951년 폐지
분류:경기도의 폐지된 행정 구역
분류:대한민국의 폐지된 도시
양정고등보통학교 정구단

양정고등보통학교 정구단(養正高等普通學校庭球團)은 일제강점기 조선 경기도 경성부에 있었던 정구 선수단이다. 양정고등보통학교가 운영했던 U-18 정구단이며, 1921년 이전에 창단되었고 1940년 이후에 해단되었다.

**시즌별 성적**

**수상 기록**

**참고 문헌**
 출판사=대한체육회- 출판사=대한체육회- url-status=- url-status=- url-status=- 연도=2020

**같이 보기**
 양정고등학교 (서울)- 양정고등학교 육상단- 양정고등학교 육상단 (1921년)- 양정고등학교 축구단- 양정고등보통학교 야구단

**외부 링크**
  양정고등학교 공식 웹사이트
분류:1921년 설립된 정구단
분류:1940년 해체된 정구단
분류:서울특별시의 정구단
분류:대한민국의 남자 정구단
분류:대한민국의 U-18 정구단
분류:대한민국의 고등학교 정구단
분류:대한민국의 없어진 정구단
분류:일제강점기의 정구단
분류:양정고등학교 (서울)
분류:전국체육대회 18세이하부 정구단
노르웨이 공주 아스트리드

아스트리드 메우드 잉게보르그(Astrid Maud Ingeborg, 1932년 2월 12일 ~ )는 올라프 5세와 그의 아내 스웨덴 공주 메르타의 둘째 딸이다. 그녀는 노르웨이 왕 하랄 5세의 누나이자 노르웨이 공주 랑닐의 여동생이다.

**외부 링크**
  Website of the Royal House of Norway: Princess Astrid
분류:1932년 출생
분류:살아있는 사람
분류:노르웨이의 왕녀
분류:노르웨이 글뤽스부르크가
분류:이사벨 가톨릭 여왕 기사단 대십자 기사
분류:송골매 훈장 대십자 기사
분류:군주의 딸
노르웨이 공주 랑닐

랑닐 알렉산드라(Ragnhild Alexandra, 1930년 6월 9일 ~ 2012년 9월 16일)는 올라프 5세와 그의 아내 스웨덴 공주 메르타의 첫째 딸이다. 그녀는 노르웨이 왕 하랄 5세의 누나이자 노르웨이 공주 아스트리드의 언니이다.

**외부 링크**
  Official biography at kongehuset.no-  Aftenposten article about her life (Norwegian)
분류:1930년 출생
분류:살아있는 사람
분류:노르웨이의 왕녀
분류:노르웨이 글뤽스부르크가
분류:군주의 딸
분류:노르웨이에서 브라질로 이민간 사람
고창고등보통학교 정구단

고창고등보통학교 정구단(高敞高等普通學校庭球團)은 일제강점기 조선 전라북도 고창군에 있었던 정구 선수단이다. 고창고등보통학교가 운영했던 U-18 정구단이며, 1921년에 창단되었고 1927년 이후에 해단되었다.

**시즌별 성적**

**각주**

**참고 문헌**
 출판사=대한체육회- url-status=- url-status=- url-status=- 출판사=대한체육회

**같이 보기**
 고창고등학교- 고창고등보통학교 축구단

**외부 링크**
  고창고등학교 웹사이트
분류:1921년 설립된 정구단
분류:1927년 해체된 정구단
분류:고창군의 정구단
분류:대한민국의 남자 정구단
분류:대한민국의 U-18 정구단
분류:대한민국의 고등학교 정구단
분류:대한민국의 없어진 정구단
분류:일제강점기의 정구단
분류:고창고등학교
분류:전국체육대회 18세이하부 정구단
오산고등보통학교 정구단

오산고등보통학교 정구단(五山高等普通學校庭球團)은 일제강점기 조선 평안북도 정주군에 있었던 정구 선수단이다. 오산고등보통학교가 운영했던 U-18 정구단이며, 1925년 이전에 창단되었고 1940년 이후에 해단되었다.

**시즌별 성적**

**각주**

**참고 문헌**
 출판사=대한체육회- 출판사=대한체육회- url-status=- url-status=- url-status=- 연도=2020

**같이 보기**
 오산고등학교 (서울)- 오산고등보통학교 축구단- 오산학교 야구단
분류:1925년 설립된 정구단
분류:1940년 해체된 정구단
분류:정주시의 정구단
분류:정주군의 정구단
분류:대한민국의 남자 정구단
분류:대한민국의 U-18 정구단
분류:대한민국의 고등학교 정구단
분류:대한민국의 없어진 정구단
분류:일제강점기의 정구단
분류:오산고등학교 (서울)
분류:전조선중학정구대회 정구단
돈파치

《돈파치》는 일본 기업 케이브가 제작한 일련의 진행형 슈팅 게임 시리즈이다. 전 토아플랜 개발자들을 주축으로 개발된 게임으로 1995년 《돈파치》로 시작했다.

**게임**
 《돈파치》 (1995)- 《도돈파치》 (1997)- 《도돈파치 II》 (2001)- 《도돈파치 대왕생》 (2002)- 《도돈파치 대부활》 (2008)- 《도돈파치 맥시멈》 (2012)- 《도돈파치 최대왕생》 (2012)

**각주**

**내용주**

**참조주**

**외부 링크**
분류:1995년 시작한 비디오 게임 시리즈
구도 (소안면)

구도(鳩島)는 전라남도 완도군 소안면 구도리에 있는 섬이다. 2009년 기준 28 세대 79명이 거주하였으나 2014년 27세대로 줄었다. 바로 이웃한 노화도와 다리로 연결되어 있다.
구도는 주변의 다른 섬들과 함께 리아스식 해안을 이룬다. 이는 중생대에 형성된 각종 화성암들이 경동운동을 통해 침하하며 생긴 것이다. 구도는 대부분 중성화산암류로 형성되어 있다.
고구마 등의 구근 작물과 보리, 콩, 배추, 파 등을 재배하지만 자급할만한 양이 나오지는 않아 주민들은 농업과 함께 양식과 어로로 생계를 유지한다. 연중 멸치 어장이 형성되어 있고, 과거에는 김 양식이 주를 이루었으나 최근 전복 양식이 활발하다.

**각주**
분류:완도군의 지리
분류:전라남도의 섬
과티타

과티타(guatita)는 에콰도르의 양 요리이다. 과거에는 트레인타이우노(treintaiüno)로도 불렸다. 에콰도르의 국민 음식 가운데 하나이기도 하다.

**이름**
스페인어 "과티타(guatita)"는 "배, 속"을 뜻하는 "과타(guata)"에 지소형 접사 "-이타(-ita)"를 붙인 말이다.

**만들기**
오렌지 즙이나 레몬 즙으로 깨끗이 씻은 쇠양을 고수, 파, 마늘 등 향신채, 쿠민가루 등 향신료와 함께 압력솥에 푹 삶는다. 팬에 붉은 팜유를 두르고, 피망, 양파 등 향신채를 쿠민가루 등 향신료, 오레가노 등 마른 허브와 볶다가, 땅콩버터와 우유, 소금, 감자와 삶은 양, 양을 삶은 육수를 넣어 끓인다. 감자가 익으면 고수를 곁들여 낸다.

**같이 보기**
 메누도- 몬동고- 카우 카우- 파타스카

**각주**
분류:국민 음식
분류:부속 고기 요리
분류:쇠고기 요리
분류:에콰도르 요리
송요한

송요한은 아래와 같은 의미를 내포한다.- 송요한: 슈퍼 시크릿의 등장인물 (지민의 계약자이자 흡혈귀)- 송요한 (감독): 검정고무신 시리즈의 미술감독- 송요한: 카트라이더 팀 Flush의 참가 선수

**같이 보기**
송요한
에칭 (미세가공)

에칭(Etching)은 제조 과정에서 웨이퍼 표면의 층을 화학적으로 제거하기 위해 미세 가공에 사용된다. 에칭은 제조에서 매우 중요한 프로세스 모듈이며, 모든 웨이퍼는 완성되기 전에 많은 에칭 단계를 거친다.
많은 에칭 단계에서 웨이퍼의 일부는 에칭에 저항하는 "마스킹" 물질에 의해 에칭제로부터 보호된다. 일부 경우, 마스킹 재료는 포토리소그래피를 사용하여 패턴화된 포토레지스트이다. 다른 상황에서는 질화규소와 같이 내구성이 더 뛰어난 마스크가 필요하다.

**에칭 매개체 및 기술**
에칭액의 기본 두 가지 유형은 액체상("습식")과 플라스마상("건식")이다. 이들 각각은 여러 종류로 존재한다.
Etching, simplified animation of etchant action on a copper sheet with mask

**같이 보기**
 주괴
분류:식각
분류:반도체 기술
포토리소그래피

포토리소그래피(Photolithography, 광학 리소그래피)는 집적 회로 제조에 사용되는 프로세스이다. 여기에는 빛을 사용하여 기판(일반적으로 실리콘 웨이퍼)에 패턴을 전사하는 작업이 포함된다.
이 공정은 포토레지스트라고 불리는 감광성 물질을 기판에 도포하는 것으로 시작된다. 그런 다음 원하는 패턴이 포함된 포토마스크를 포토레지스트 위에 놓는다. 포토마스크를 통해 빛이 조사되어 특정 영역의 포토레지스트가 노출된다. 노출된 영역은 화학적 변화를 거쳐 현상액에 용해되거나 불용성으로 변한다. 현상 후 패턴은 에칭, 화학기상증착 또는 이온 주입 공정을 통해 기판에 전사된다.
일반적으로 자외선(UV)이 사용된다.
포토리소그래피 공정은 사용되는 빛의 종류에 따라 자외선 리소그래피, 심자외선 리소그래피, EUVL(극자외선 리소그래피), X선 리소그래피 등으로 분류될 수 있다. 사용되는 빛의 파장에 따라 포토레지스트에 형성될 수 있는 최소 형상 크기가 결정된다.
포토리소그래피는 솔리드 스테이트 메모리 및 마이크로프로세서와 같은 집적 회로("IC" 또는 "칩")의 반도체 제조를 위한 가장 일반적인 방법이다. 크기가 수 나노미터에 이르는 매우 작은 패턴을 만들 수 있다. 생성되는 객체의 모양과 크기를 정밀하게 제어할 수 있다. 단일 단계로 전체 웨이퍼에 패턴을 신속하고 상대적으로 저렴한 비용으로 생성할 수 있다. 복잡한 집적 회로에서 웨이퍼는 포토리소그래피 사이클을 최대 50회까지 거칠 수 있다. 이는 또한 미세 전자 기계 시스템의 제조와 같은 일반적인 미세 가공에 중요한 기술이기도 하다. 그러나 완벽하게 평평하지 않은 표면에 마스크를 생성하는 데는 포토리소그래피를 사용할 수 없다. 그리고 모든 칩 제조 공정과 마찬가지로 매우 깨끗한 작동 조건이 필요하다.
포토리소그래피는 패턴화된 박막을 생성하는 프로세스의 일반적인 용어인 마이크로리소그래피의 하위 부문이다. 이 광범위한 종류의 다른 기술에는 조종 가능한 전자빔의 사용이 포함되며, 드물게는 나노임프린팅, 간섭, 자기장 또는 스캐닝 프로브가 포함된다. 더 넓은 수준에서는 마이크로 및 나노 구조의 직접 자기 조립과 경쟁할 수 있다.
포토리소그래피는 렌즈를 통해 직접 투영하거나 접촉 인쇄처럼 기판 위에 직접 배치된 마스크를 조명하여 포토레지스트의 패턴이 빛에 노출되어 생성된다는 점에서 사진술과 몇 가지 기본 원리를 공유한다. 이 기술은 인쇄 회로 기판을 만드는 데 사용되는 방법의 고정밀 버전으로도 볼 수 있다. 이 이름은 종이에 석판 인쇄용 판을 생산하는 전통적인 사진 방법과의 느슨한 비유에서 유래되었다. 그러나 공정의 후속 단계는 전통적인 리소그래피보다 에칭과 더 많은 공통점을 가지고 있다.
기존의 포토레지스트는 일반적으로 수지, 증감제, 용매의 세 가지 구성 요소로 구성된다.

**같이 보기**
 파운드리- ASML- 반도체 제조

**각주**

**외부 링크**
  BYU Photolithography Resources-  Semiconductor Lithography an overview of lithography-  Optical Lithography IntroductionIBM site with lithography-related articles
분류:리소그래피
극자외선 리소그래피

극자외선 리소그래피(Extreme ultraviolet lithography, EUVL, 단순히 EUV) 또는 첨단 자외선 반도체 인쇄 기술은 반도체 산업에서 집적 회로(IC) 제조에 사용되는 최첨단 기술이다. 극자외선(EUV) 빛을 사용해 실리콘 웨이퍼에 복잡한 패턴을 만드는 일종의 포토리소그래피이다.
2023년 현재 ASML 홀딩은 5nm 및 3nm 공정 노드를 대상으로 칩 생산용 EUV 시스템을 생산 및 판매하는 유일한 회사이다.
EUVL에 사용되는 EUV 파장은 레이저 펄스 주석(Sn) 액적 플라즈마를 사용하여 13.5나노미터(nm)에 가깝다. 반사형 포토마스크를 사용하여 포토레지스트로 덮인 기판을 노출시켜 패턴을 생성한다.
2019 국제 전자 장치 회의(IEDM)에서 TSMC는 핀, 게이트 또는 금속 라인에 컷을 적용할 수 있는 접점, 비아, 금속 라인 및 컷 레이어의 5nm 노드에 EUV를 사용한다고 보고했다.
IEDM 2020에서 TSMC는 5nm 노드 최소 금속 피치가 7nm 노드(40nm)보다 30%(~28nm) 감소할 것이라고 보고했다.
삼성의 5nm 노드는 리소그래피 측면에서 7nm 노드와 설계 규칙이 동일하며 최소 금속 피치는 36nm이다.

**외부 링크**
  EUV presents economic challenges-  Industry mulls 6.7-nm wavelength EUV
분류:리소그래피
감지 증폭기

감지 증폭기 또는 센스 증폭기(Sense amplifier)는 전자 시스템에서 작은 신호를 증폭하고 감지하는 데 사용되는 회로이다. 이는 일반적으로 DRAM(동적 랜덤 액세스 메모리)과 같은 메모리 회로에서 메모리 셀에 저장된 약한 신호를 읽고 증폭하는 데 사용된다.
현대 컴퓨터 메모리에서 감지 증폭기는 반도체 메모리 칩(집적 회로)의 회로를 구성하는 요소 중 하나이다. 이 용어 자체는 자기코어 메모리 시대로 거슬러 올라간다. 감지 증폭기는 메모리에서 데이터를 읽을 때 사용되는 읽기 회로의 일부이다. 그 역할은 메모리 셀에 저장된 데이터 비트(1 또는 0)를 나타내는 비트라인에서 저전력 신호를 감지하고 작은 전압 스윙을 인식 가능한 논리 레벨로 증폭하여 데이터가 메모리 외부 논리에 의해 적절하게 해석될 수 있도록 하는 것이다.
현대의 감지 증폭기 회로는 2~6개(보통 4개)의 트랜지스터로 구성되는 반면, 초기 코어 메모리용 감지 증폭기에는 최대 13개의 트랜지스터가 포함되는 경우도 있다. 메모리 셀의 각 열마다 하나의 감지 증폭기가 있으므로 최신 메모리 칩에는 일반적으로 수백 또는 수천 개의 동일한 감지 증폭기가 있다. 따라서 감지 증폭기는 컴퓨터 메모리 하위 시스템에 남아 있는 몇 안 되는 아날로그 회로 중 하나이다.

**같이 보기**
 차동 증폭기

**각주**

**외부 링크**
   Current Shunt Monitoring Products-   Current Sensing Overview-  High-speed sense amplifier for SRAM applications-  Data caching in DRAM row buffers
분류:기억
분류:반도체 기술
실리콘 온 인슐레이터

실리콘 온 인슐레이터(silicon on insulator, SOI)는 반도체 제조에서 층상 실리콘-절연체-실리콘 기판에 실리콘 반도체 장치를 제조하여 장치 내의 기생 용량을 줄여 성능을 향상시키는 기술이다. SOI 기반 장치는 실리콘 접합이 전기 절연체(일반적으로 이산화 규소 또는 사파이어) 위에 있다는 점에서 기존의 실리콘 기반 장치와 다르다(이러한 유형의 장치를 사파이어 위의 실리콘 또는 SOS라고 함). 절연체 선택은 주로 의도된 응용 분야에 따라 달라진다. 사파이어는 고성능 무선 주파수(RF) 및 방사선에 민감한 응용 분야에 사용되고 이산화규소는 기타 마이크로 전자 장치의 단채널 효과 감소를 위해 사용된다. 절연층과 최상층의 실리콘층도 적용 분야에 따라 크게 달라진다.

**같이 보기**
 웨이퍼

**각주**

**외부 링크**
  SOI Industry Consortium - a site with extensive information and education for SOI technology-  SOI IP portal - A search engine for SOI IP-  AMDboard url=https://web.archive.org/web/20161221211712/http://www.amdboard.com/soispecial.html - a site with extensive information regarding SOI technology-  Advanced Substrate News - a newsletter about the SOI industry, produced by Soitec-  MIGAS '04 url=https://web.archive.org/web/20210225164742/http://www.migas.inpg.fr/2004/ - The 7th session of MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, devoted to SOI technology and devices-  MIGAS '09 url=https://web.archive.org/web/20210224143344/http://www.migas.inpg.fr/2009/ - 12th session of the International Summer School on Advanced Microelectronics: "Silicon on Insulator (SOI) Nanodevices"
분류:반도체 구조
분류:MOSFET
분류:나노일렉트로닉스
분류:규소
분류:반도체 기술
웨이퍼 레벨 패키징

인쇄 회로 기판에 부착된 웨이퍼 레벨 패키지
웨이퍼 레벨 패키징(Wafer-level packaging, WLP)은 IC가 제조되는 웨이퍼가 절단되기 전에 패키징 구성 요소를 집적 회로(IC)에 부착하는 프로세스이다. WSP에서는 패키징의 상단 및 하단 레이어와 솔더 범프가 웨이퍼에 있는 동안 집적 회로에 부착된다. 이 공정은 패키징 부품을 부착하기 전에 웨이퍼를 개별 회로(다이스)로 절단하는 기존 공정과 다르다.
WLP는 본질적으로 진정한 칩 스케일 패키지(CSP) 기술이다. 결과 패키지가 실제로 다이와 동일한 크기이기 때문이다. 웨이퍼 레벨 패키징을 사용하면 웨이퍼 팹, 패키징, 테스트, 번인을 웨이퍼 레벨에서 통합하여 실리콘 시작부터 고객 배송까지 장치가 수행하는 제조 프로세스를 간소화할 수 있다. 현재 웨이퍼 레벨 패키징에 대한 단일 업계 표준 방법은 없다.
WLP의 주요 응용 분야는 (크기 제약으로 인해) 스마트폰이다. 예를 들어, 애플의 아이폰 5에는 최소 11개의 WLP가 있고, 삼성 갤럭시 S III에는 6개의 WLP가 있으며, HTC 원 X에는 7개가 있다. 스마트폰에서 WLP가 제공하는 기능으로는 센서, 전원 관리, 무선 등이 있다. 실제로 최근 아이폰7은 더 얇고 가벼운 모델을 구현하기 위해 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징 기술을 적용할 것이라는 소문이 돌았다.
WL-CSP(웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키징)는 현재 시장에서 가장 작은 패키지로 ASE(Advanced Semiconductor Engineering)와 같은 OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test) 회사에서 생산된다. WL-CSP 또는 WLCSP 패키지는 다이의 핀이나 접점을 재배열하여 충분히 크고 공간을 확보할 수 있도록 재분배 레이어(RDL, 인터포저 또는 입출력 피치)가 있는 베어 다이이다. BGA(볼 그리드 배열) 패키지처럼 처리된다.
웨이퍼 레벨 패키징에는 팬인(Fan-in)과 팬아웃(Fan-out)의 두 가지 종류가 있다. 팬인 WLCSP 패키지에는 다이와 동일한 크기의 인터포저가 있는 반면, 팬아웃 WLCSP 패키지에는 기존 BGA 패키지와 유사하게 다이보다 큰 인터포저가 있다. 차이점은 인터포저가 내장되어 있다는 것이다. 다이를 다이 위에 직접 부착하고 플립 칩 방식을 사용하여 리플로우하는 대신 다이 바로 위에 있다. 이는 팬인 WLSCP 패키지에서도 마찬가지이다. 두 경우 모두 인터포저가 있는 다이는 에폭시와 같은 캡슐화 재료로 덮일 수 있다.
2015년 2월, 라즈베리 파이 2의 WL-CSP 칩에 칩 내에서 광전 효과를 유발하는 크세논 플래시(또는 기타 밝은 장파광 플래시)에 문제가 있는 것으로 밝혀졌다. 따라서 웨이퍼 레벨 패키징에서는 매우 밝은 빛에 대한 노출을 신중하게 고려해야 한다.

**각주**
분류:칩 패키지
분류:전자공학 제조
전자빔 리소그래피

전자빔 리소그래피 셋업의 예
전자빔 리소그래피(Electron-beam lithography, e-빔 리소그래피, EBL로 약칭)는 집중된 전자 빔을 스캐닝하여 레지스트(노출)라고 하는 전자 감응 필름으로 덮인 표면에 맞춤형 모양을 그리는 방법이다. 전자빔은 레지스트의 용해도를 변화시켜 레지스트를 용매에 담그어 레지스트의 노출 또는 비노출 영역을 선택적으로 제거할 수 있다. 포토리소그래피와 마찬가지로 목적은 종종 에칭을 통해 기판 재료로 전사될 수 있는 레지스트에 매우 작은 구조를 만드는 것이다.
전자빔 리소그래피의 주요 장점은 10nm 미만의 해상도로 맞춤형 패턴(직접 기록)을 그릴 수 있다는 것이다. 이러한 형태의 마스크 없는 리소그래피는 해상도는 높지만 처리량이 낮기 때문에 포토마스크 제조, 반도체 소자의 소량 생산, 연구개발에만 사용이 제한된다.

**각주**

**같이 보기**
 포토리소그래피
분류:리소그래피
분류:전자빔
아구스틴 페드로 후스토

아구스틴 페드로 후스토
아구스틴 페드로 후스토 롤론(Agustín Pedro Justo Rolón)은 아르헨티나의 대통령을 역임한 아르헨티나의 군인, 외교관, 정치인이다. 후스토는 부정 선거로 인해 대통령이 되었다. 그 기간은 Década Infame(Década Infame)이라 불린다. 그는 아르헨티나 중앙은행을 설립하고 국가적인 소득세를 도입하였다.

**같이 보기**
 아르헨티나의 대통령

**외부 링크**
분류:1876년 출생
분류:1943년 사망
분류:아르헨티나의 장군
분류:악명 높은 10년 관련자
분류:부에노스아이레스 대학교 동문
분류:아르헨티나 육군군사참모대학교 동문
분류:이탈리아계 아르헨티나인
분류:20세기 정치인
자유 전자 레이저

네덜란드의 자유 전자 레이저 FELIX
자유 전자 레이저(Free-electron laser, FEL)는 매우 밝고 짧은 방사선 펄스를 생성하는 4세대 광원이다. FEL은 레이저와 같은 기능을 하지만 원자 또는 분자 여기로부터의 유도 방출을 사용하는 대신 상대론적 전자를 이득 매질로 사용한다. FEL에서는 전자 다발이 언듈레이터 또는 위글러(wiggler)라는 자기 구조를 통과하여 방사선을 생성하고, 방사선은 전자와 다시 상호작용하여 전자가 일관되게 방출되도록 하여 강도를 기하급수적으로 증가시킨다.
전자 운동 에너지와 언듈레이터 매개변수는 원하는 대로 조정할 수 있으며, 자유 전자 레이저는 조정이 가능하고 현재 마이크로파의 파장 범위에 있는 다른 유형의 레이저보다 더 넓은 주파수 범위에 대해 구축될 수 있다. (테라헤르츠 방사선과 적외선에서부터 가시광선, 자외선, X선에 이르기까지)
최초의 자유 전자 레이저는 1953년 스탠퍼드 대학교에서 위글러 구성을 사용하여 언듈레이터를 만든 한스 모츠(Hans Motz)와 그의 동료가 개발한 기술을 사용하여 1971년 스탠포드 대학교에서 존 메이디(John Madey)에 의해 개발되었다. 메이디는 43MeV 전자빔과 5m 길이의 위글러를 사용하여 신호를 증폭했다.

**같이 보기**
 제동 복사- 국제 선형 충돌기- 싱크로트론 방사

**각주**

**외부 링크**
  Chapter dedicated to XFEL, included in the web to learn crystallography CSIC-  Lightsources.org-  LCLS the Linac Coherent Light Source, the world's first hard x-ray FEL at the SLAC National Accelerator Laboratory-  FERMI, the new FEL at the ELETTRA synchrotron in Trieste-  The World Wide Web Virtual Library: Free-Electron Laser research and applications url=https://web.archive.org/web/20081028200500/http://sbfel3.ucsb.edu/www/vl_fel.html-  European XFEL-  PSI SwissFEL-  PAL-XFEL, South Korea-  The Free Electron Laser for Infrared eXperiments FELIX-  Jefferson Lab's Free-Electron Laser Program-  Free-Electron Lasers: The Next Generation by Davide Castelvecchi New Scientist, January 21, 2006-  Airborne megawatt class free-electron laser for defense and security-  FERMI@Elettra Free-Electron Laser Project-  Center for Free-Electron Laser Science (CFEL)-  FELIX Laboratory, free-electron lasers in Nijmegen, the Netherlands
분류:전자빔
분류:의학 기기
분류:가속물리학
위글러

위글러는 다음 뜻을 함의한다.- 위글러 (마리오): 마리오 게임 시리즈의 등장인물- 위글러 (JTAG): 매크리게이터 시스템스의 JTAG 도구- 모기 유충의 다른 표현- 위글러 (도구)

**같이 보기**
위글러- 위글
저에너지 전자 회절

그림 1: Si(100) 재구성 표면의 LEED 패턴. 기본 격자는 정사각형 격자인 반면 표면 재구성은 2×1 주기성을 갖는다. 본문에서 논의된 바와 같이, 패턴은 서로 다른 결정학 축을 따라 방향이 지정된 대칭 등가 영역에 재구성이 존재함을 보여준다. 회절 반점은 반구형 형광 스크린에 탄성적으로 산란된 전자가 가속되어 생성된다. 또한 1차 전자빔을 생성하는 전자총도 보인다. 화면의 일부를 덮는다.
저에너지 전자 회절(Low-energy electron diffraction, LEED)은 저에너지 전자(30~200eV)의 시준빔을 충격하고 회절된 전자를 형광등 화면의 점으로 관찰하여 단결정 물질의 표면 구조를 결정하는 기술이다.
LEED는 다음 두 가지 방법 중 하나로 사용될 수 있다.
#질적으로 회절 패턴이 기록되고 지점 위치를 분석하면 표면 구조의 대칭성에 대한 정보를 얻을 수 있다. 흡착물질이 존재하는 경우 정성 분석을 통해 기질 단위 셀에 대한 흡착물질 단위 셀의 크기 및 회전 정렬에 대한 정보를 밝힐 수 있다.
#정량적으로, 회절된 빔의 강도는 입사 전자빔 에너지의 함수로 기록되어 소위 I-V 곡선을 생성한다. 이론적 곡선과 비교하여 이는 표면의 원자 위치에 대한 정확한 정보를 제공할 수 있다.

**각주**
분류:회절
분류:재료과학
분류:전자빔
분류:과학 기술
투과전자현미경

투과전자현미경의 동작원리
투과 전자 현미경(transmission electron microscope, TEM) 또는 투과 전자 현미경검사(transmission electron microscopy, 투과 전자 현미경검사법, 투과 전자 현미경법)는 전자빔이 표본을 통과하여 이미지를 형성하는 현미경 또는 해당 기술이다. 표본은 대부분 두께가 100 nm 미만인 매우 얇은 부분이거나 그리드 위의 현탁액이다. 빔이 시료를 통과할 때 전자와 시료의 상호 작용으로 이미지가 형성된다. 그런 다음 이미지는 확대되어 형광 스크린, 사진 필름 층, 전하 결합 장치에 부착된 섬광체 또는 직접 전자 검출기와 같은 검출기 등의 이미징 장치에 초점을 맞춘다.
투과전자현미경은 전자의 드브로이 파장이 더 작기 때문에 광학 현미경보다 훨씬 더 높은 해상도로 영상을 촬영할 수 있다. 이를 통해 장비는 광학 현미경으로 볼 수 있는 분해 가능한 물체보다 수천 배 더 작은 원자 단일 기둥만큼 작은 세부 사항도 포착할 수 있다. 투과전자현미경은 물리, 화학, 생물학 분야의 주요 분석 방법이다. TEM은 암 연구, 바이러스학, 재료과학은 물론 오염, 나노기술, 반도체 연구뿐만 아니라 고생물학, 화분학 등 다른 분야에도 적용된다.
TEM 장비에는 기존 이미징, 스캐닝 TEM 이미징(STEM), 회절, 분광학 및 이들의 조합을 포함한 다양한 작동 모드가 있다. 기존 이미징 내에서도 "이미지 대비 메커니즘"이라고 불리는 근본적으로 다른 대비 생성 방식이 많이 있다. 각 메커니즘은 대비 메커니즘뿐만 아니라 현미경이 사용되는 방식(렌즈, 조리개 및 감지기 설정)에 따라 사용자에게 다양한 종류의 정보를 알려준다. 이것이 의미하는 바는 TEM이 매우 다양한 나노미터 및 원자 분해능 정보를 반환할 수 있다는 것이다. 이상적인 경우에는 모든 원자가 어디에 있는지뿐만 아니라 원자가 어떤 종류인지, 원자가 서로 어떻게 결합되어 있는지도 알 수 있다. 이러한 이유로 TEM은 생물학 및 재료 분야 모두에서 나노과학의 필수 도구로 간주된다.
최초의 TEM은 1931년 맥스 놀과 에른스트 루스카에 의해 시연되었으며, 이 그룹은 1933년에 빛보다 더 큰 해상도를 가진 최초의 TEM을 개발했고, 1939년에 최초의 상업용 TEM을 개발했다. 1986년에 루스카는 다음으로 투과전자현미경 개발을 인정받아 노벨 물리학상을 수상했다.

**같이 보기**
 전자현미경- 저온전자현미경- 전자 회절

**각주**

**외부 링크**
  The National Center for Electron Microscopy, Berkeley California USA url=https://web.archive.org/web/20140821132900/http://ncem.lbl.gov/-  The National Center for Macromolecular Imaging, Houston Texas USA-  The National Resource for Automated Molecular Microscopy, New York USA url=https://web.archive.org/web/20110309082311/http://nramm.scripps.edu/-  Tutorial courses in Transmission Electron Microscopy-  Cambridge University Teaching and Learning Package on TEM-  Online course on Transmission Electron Microscopy and Crystalline Imperfections Eric Stach (2008).-  Transmission electron microscope simulator (Teaching tool).-  animations and explanations on various types of microscopes including electron microscopes (Université Paris Sud)
분류:전자빔
분류:과학적 기법
포토마스크

포토마스크
포토마스크(Photomask) 또는 간단히 마스크(mask)는 정의된 패턴으로 빛을 비추는 투명한 영역이 있는 불투명 판이다. 포토마스크는 집적 회로(IC 또는 "칩") 생산을 위한 포토리소그래피에서 일반적으로 사용되어 얇은 웨이퍼 재료(일반적으로 규소)에 패턴을 생성한다. 반도체 제조에서는 마스크를 레티클(reticle)이라고도 한다.
포토리소그래피에서는 여러 개의 마스크가 차례로 사용되며 각 마스크는 완성된 디자인의 레이어를 재현하며 함께 마스크 세트(mask set)로 알려져 있다.

**같이 보기**
 배치설계권- 스테핑

**각주**
분류:리소그래피
소프트 리소그래피

그림 1 - 스탬프 "잉크" 패턴이 있는 PDMS 스탬프를 에탄올과 ODT(옥타데칸티올) 용액에 넣는다.
그림 2 - 솔루션의 ODT가 PDMS 스탬프에 고정된다. Stamp에는 이제 잉크 역할을 하는 ODT가 부착되어 있다.
그림 3 - ODT가 포함된 PDMS 스탬프가 금 기판에 배치된다. 스탬프가 제거되면 금과 접촉한 ODT가 금에 달라붙어 있다. 따라서 스탬프의 패턴은 ODT "잉크"를 통해 금으로 전사된다.
소프트 리소그래피(Soft lithography)는 기술 분야에서 "탄성 스탬프, 몰드 및 순응성 포토마스크"를 사용하여 구조를 제작하거나 복제하는 기술 계열이다. 이는 엘라스토머 재료, 특히 PDMS를 사용하기 때문에 "소프트"(soft)라고 불린다.
소프트 리소그래피는 일반적으로 마이크로미터에서 나노미터 규모로 측정된 형상을 구성하는 데 사용된다. 로저스(Rogers)와 누조(Nuzzo, 2005)에 따르면 소프트 리소그래피의 개발은 1995년부터 2005년까지 급속히 확대되었다. 소프트 리소그래피 도구는 현재 상업적으로 이용 가능하다.

**이점**
소프트 리소그래피는 다른 형태의 리소그래피(예: 포토리소그래피 및 전자 빔 리소그래피)에 비해 몇 가지 고유한 장점을 가지고 있다. 여기에는 다음이 포함된다.- 대량 생산 시 기존 포토리소그래피에 비해 비용이 저렴함- 생명공학기술 응용 분야에 매우 적합함- 플라스틱 전자제품의 응용 분야에 매우 적합하다.- 크거나 비평면(비평탄) 표면을 포함하는 응용 분야에 매우 적합하다.- 기존 리소그래피 기술보다 더 많은 패턴 전사 방법(더 많은 "잉크" 옵션)- 나노구조를 생성하기 위해 광반응 표면이 필요하지 않음- 실험실 환경에서 포토리소그래피보다 세부 사항이 더 작다(~30nm 대 ~100nm). 해상도는 사용된 마스크에 따라 다르며 6 nm에 도달할 수 있다.

**각주**

**참고 문헌**
  pmid = 29711088 - bibcode = 1998AnRMS..28..153X -  s2cid = 1386132 -  doi-access = free 
분류:리소그래피
마이크로접촉 프린팅

마이크로접촉 프린팅, 마이크로접촉 인쇄, 마이크로컨택트 프린팅, 미세접촉 인쇄방법(Microcontact printing 또는 μCP)은 마스터 폴리디메틸실록산(PDMS) 스탬프 또는 우레탄 고무 마이크로 스탬프의 릴리프 패턴을 사용하여 기판 표면에 잉크의 자기 조립 단층(SAM) 패턴을 형성하는, 나노 전사 인쇄(nTP)의 경우와 같은 등각 접촉을 통한 소프트 리소그래피의 한 형태이다. 응용 분야는 마이크로일렉트로닉스, 표면화학, 세포생물학 등 광범위하다.

**역사**
리소그래피와 우표 인쇄는 모두 수세기 동안 사용되어 왔다. 그러나 이 둘의 결합으로 마이크로접촉 인쇄 방식이 탄생했다. 이 방법은 하버드 대학교의 조지 M. 화이트사이즈(George M. Whitesides)와 아밋 쿠마르(Amit Kumar)에 의해 처음 소개되었다. 처음부터 소프트 리소그래피의 많은 방법이 연구되었다.

**각주**

**출처**
 display-authors=etal- year=2007- year= 2009-  www.microcontactprinting.net : a website dealing with microcontact printing (articles, patents, thesis, tips, education, ...) url=https://web.archive.org/web/20170516090901/http://www.microcontactprinting.net/-  www.researchmicrostamps.com:  a service that provides micro stamps via simple online sales.
분류:리소그래피
람다점

비열 용량 대 온도의 플롯이다.
람다점(Lambda point)은 일반 유체 헬륨(헬륨 I)이 초유체 헬륨 II(1기압에서 약 2.17K)로 전환되는 온도이다. He-I와 He-II가 공존할 수 있는 최저 압력은 C 및 abbr=on의 증기-He-I-He-II 삼중점이며, 이는 "포화 증기"이다. 그 온도에서의 압력(밀폐 용기 내 액체 표면 위에 열 평형 상태에 있는 순수 헬륨 가스)이다. He-I과 He-II가 공존할 수 있는 최고 압력은 C, abbr=on에서 헬륨 고체를 갖는 bcc−He-I−He-II 삼중점이다.
람다점의 이름은 비열 용량을 온도의 함수로 그려낸 그래프에서 유래되었다(예: 1기압에서 위 범위의 주어진 압력에 대해). 이는 그리스 문자 람다 와 유사하다. 비열 용량은 온도가 람다점에 가까워질수록 가파른 피크(peak)를 갖는다. 이 피크의 끝은 매우 날카로워서 열용량의 발산을 특징짓는 임계 지수는 무중력 상태에서만 정확하게 측정될 수 있으며 상당한 양의 유체에 걸쳐 균일한 밀도를 제공한다. 따라서 열용량은 1992년 우주왕복선 탑재체에 포함된 실험에서 전이 아래 2nK 내에서 측정되었다.

**각주**

**외부 링크**
  What is superfluidity?
분류:문턱 온도
분류:초유체
파멥신

파멥신(PharmAbcine Inc.)는 대한민국의 바이오 기업이다. 본사는 대전시 유성구 대덕대로 593 대덕테크비즈센터 307호에 위치해 있으며 대표이사는 유진산이다.
타이어뱅크가 50억원 규모 제3자배정 유상증자를 통해 파멥신을 인수했다

**상장**
2018년 11월 21일 공모가 60,000원에 상장하였다.

**같이 보기**
 타이어뱅크

**참고문헌**

**외부 링크**
  공식홈페이지
분류:대한민국의 기업
분류:대전광역시의 기업
초순수

초순수(Ultrapure water, UPW), 고순도수(high-purity water) 또는 고도로 정제된 물(highly purified water, HPW)은 매우 엄격한 사양에 따라 정제된 물이다. 초순수는 유기 및 무기 화합물(용해된 입자상 물질, 휘발성 및 비휘발성, 반응성 및 불활성, 친수성 및 소수성, 용해된 기체)을 포함한 모든 오염 물질 유형에 대해 물이 최고 수준의 순도로 처리된다는 사실을 강조하기 위해 제조에서 일반적으로 사용되는 용어이다.
초순수와 일반적으로 사용되는 용어인 탈이온수(DI)는 동일하지 않다. UPW는 유기 입자와 용존 가스를 제거한다는 점 외에도 일반적인 UPW 시스템은 정제수를 생산하는 전처리 단계, 물을 추가로 정화하는 1차 단계, 가장 비용이 많이 드는 연마 단계의 3단계로 처리 과정이 구성된다.
많은 조직과 그룹이 UPW 생산과 관련된 표준을 개발하고 게시한다. 마이크로 전자공학 및 전력 분야에는 국제 반도체 장비 재료(SEMI)(마이크로 전자 공학 및 광전지), 미국 재료 시험 협회(ASTM 인터내셔널)(반도체, 전력), 전력 연구소(EPRI)(전력), 미국 기계공학회(ASME)(전력) 및 국제 물 및 증기 특성 협회(IAPWS)(전력). 제약 공장은 약전에서 개발한 수질 기준을 따르며, 그 중 세 가지 예로는 미국 약전, 유럽 약전, 일본 약전이 있다.
UPW 품질에 대해 가장 널리 사용되는 요구 사항은 ASTM D5127 "전자 및 반도체 산업에 사용되는 초순수에 대한 표준 가이드" 및 SEMI F63 "반도체 공정에 사용되는 초순수에 대한 가이드"에 문서화되어 있다.
초순수는 영국 AGR 차량의 보일러 급수로도 사용된다.

**각주**
분류:물
분류:물 처리
프로페셔널 오디오

다양한 라이브 오디오 제작 및 녹음 장비의 포터블 구성
프로페셔널 오디오(Professional audio) 또는 프로 오디오(Pro Audio)는 고품질 스튜디오급 오디오 장비의 활동 및 카테고리를 모두 의미한다. 일반적으로 이는 믹싱 콘솔, 녹음 장비 및 사운드 강화 시스템을 사용하여 라이브 이벤트 지원 및 녹음 작업을 수행하는 숙련된 사운드 엔지니어, 오디오 엔지니어, 음반 제작자 및 오디오 기술자의 사운드 녹음, 사운드 강화 시스템 설정 및 오디오 믹싱, 스튜디오 음악 제작을 포함한다. 프로페셔널 오디오는 일반적으로 비상업적 환경에서의 청취에 맞춰진 소비자용 또는 가정용 오디오와 다르다.
프로페셔널 오디오에는 방송 라디오, 녹음 스튜디오, TV 스튜디오의 오디오 마스터링, 라이브 콘서트, DJ 공연, 오디오 샘플링, 전관 방송 시스템 설정, 영화관의 사운드 강화, 호텔과 레스토랑의 파이프 음악 디자인 및 설정 등 사운드 강화가 포함되지만 이에 국한되지는 않는다. 프로페셔널 오디오 장비는 프로페셔널 오디오 매장 및 음반 판매점에서 판매된다.

**같이 보기**
 사운드 디자인
분류:음향 제작
분류:음향 기술
분류:방송공학
분류:음악 관련 직업