[ca] Aquest doctorat. El projecte cobreix les investigacions sobre aïllants topològics (TI) de la família Bi2Se3 amb diferents defectes i l'estudi d'efectes de proximitat de TI a la heteroestructura de grafè amb TI. La primera part d'aquest projecte se centra principalment en l'efecte del desordre en les propietats electròniques de TI amb gruix ultrafí ( 3 nm). S'ha trobat que la manca de coincidència de rotació entre capes quíntuples de TI pot augmentar el "gap" de volum dels TI però preservar la textura d'espín tipus Rashba en l'estat de la superfície; mentre que la hidrogenació en una superfície de TI pot ajudar a reduir l'efecte túnel quàntic i tancar el "gap" de superfície en el punt Γ amb la textura d'espín tipus Rashba per a la pel·lícula TI ultrafina. A més, aquest esquema també pot crear un altre punt Dirac (DP) en el punt M amb textura de spin tipus Dresselhaus. La segona part del projecte investiga els efectes de proximitat de TI dins de la heteroestructura de grafè / TI i el DP en el grafè es plega des del punt K / K 'a Γ punt de la zona Brillouin, a causa del plegament de la banda, trobant que l'alineació entre el substrat de TI i el grafè té un paper clau en la formació de l'estructura de la banda i la textura d'espín del grafè. La configuració d'apilament "hollow" podria induir la distorsió d'unió de Kekulé a la capa de grafè, donant com a resultat l'engrandiment del "gap" (3.2 meV) i el Rashba SOC, el que dóna com a resultat la precessió d'espín propera al Γ punt . A més, aquesta textura atípica de Rashba espín fa que la component d'espín fora del pla disminueixi gradualment a mesura que el punt k s'allunya del punt Γ, el que porta a la anisotropia de gir a la capa de grafè. D'altra banda, la configuració d'apilament "bridge" o "top" podria portar l'evident divisió de la banda en direcció lateral, que podria ser l'origen de l'efecte Edelstein en la capa de grafè; no obstant, no hi ha una anisotropia d'espín evident en aquesta configuració. Totes les primeres dues parts s'han dut a terme a través del càlcul de teoria funcional de la densitat (DFT) i s'ha construït un model d'unió ajustada (TB) per als resultats de DFT per tal de proporcionar una explicació analítica de l'estructura de la banda i la textura de l'spin de grafè en el dispositiu de heteroestructura. L'última part d'aquest doctorat. L'activitat de recerca se centra en estudiar l'efecte d'impureses magnètiques i no magnètiques amb un esquema de dopatge aleatori sobre les propietats electròniques dels TI. El càlcul numèric basat en el model 3D Fu-Kane-Mele TB mostra que el dopatge no magnètic en la superfície de TI només pot induir el potencial in situ a la superfície DP i elevar-lo cap amunt, preservant la textura estàndard d'espín tipus Rashba; paral·lelament, el dopatge magnètic podria trencar la simetria d'inversió de temps i obrir el "gap" de superfície amb l'anisotropia d'espín també, el que significa que la component d'espín fora del pla en la superfície TI dopada magnèticament disminueix gradualment a mesura que el punt k s'allunya del Γ punt. Els treballs de recerca en aquest projecte podrien proporcionar una guia per a la llista d'experiments sobre les propietats electròniques de TI amb diferents tipus de defectes i impureses (magnètics i no magnètics); particularment, l'estudi dels efectes de proximitat en els TI podrien explicar el fenomen fonamental bàsic observat en aquest dispositiu per a l'estudi de la dinàmica d'espín en el laboratori.

[es] Este doctorado. El proyecto cubre las investigaciones sobre aislantes topológicos (TI) de la familia Bi2Se3 con diferentes defectos y el estudio de efectos de proximidad de TI en la heteroestructura de grafeno con TI. La primera parte de este proyecto se centra principalmente en el efecto del desorden en las propiedades electrónicas de TI con espesor ultrafino ( 3 nm). Se ha encontrado que la falta de coincidencia de rotación entre capas quíntuples de TI puede aumentar el "gap" de volumen de los TI pero preservar la textura de espín tipo Rashba en el estado de la superficie; mientras que la hidrogenación en una superficie de TI puede ayudar a reducir el efecto túnel cuántico y cerrar el "gap" de los estados de superficie en el punto Γ con la textura de espín tipo Rashba para la película TI ultrafina. Además, este esquema también puede crear otro punto Dirac (DP) en el punto M con textura de espín tipo Dresselhaus. La segunda parte del proyecto investiga los efectos de proximidad de TI dentro de la heteroestructura de grafeno/TI y el DP en el grafeno se pliega desde el punto K / K' a Γ punto en la zona Brillouin, debido al plegamiento de la banda, encontrando que la alineación entre el sustrato de TI y el grafeno desempeña un papel clave en la formación de la estructura de la banda y la textura de espín del grafeno. La configuración de apilamiento "hollow" podría inducir la distorsión de unión de Kekulé a la capa de grafeno, dando como resultado el agrandamiento del "gap" (3.2 meV) y el Rashba SOC, lo que da como resultado la precesión de espín cercana al Γ punto. Además, esta textura atípica de Rashba espín hace que la componente de espín fuera del plano disminuya gradualmente a medida que el punto k se aleja del punto Γ, lo que lleva a la anisotropía de giro en la capa de grafeno. Por otro lado, la configuración de apilamiento "bridge" o "top" podría traer la evidente división de la banda en dirección lateral, que podría ser el origen del efecto Edelstein en la capa de grafeno; sin embargo, no hay una anisotropía de espín evidente en dicha configuración. Todas las primeras dos partes se han llevado a cabo a través del cálculo de la teoría funcional de la densidad (DFT) y se ha construido un modelo de unión ajustada (TB) para los resultados de DFT con el fin de proporcionar una explicación analítica de la estructura de la banda y la textura del spin de grafeno en el dispositivo de heteroestructura. La última parte de este doctorado. La actividad de investigación se centra en estudiar el efecto de impurezas magnéticas y no magnéticas con un esquema de dopaje aleatorio sobre las propiedades electrónicas de los TI. El cálculo numérico basado en el modelo 3D Fu-Kane-Mele TB mostró que el dopaje no magnético en la superficie de TI solo podía inducir el potencial in situ en la superficie DP y elevarlo hacia arriba, preservando la textura estándar de espín tipo Rashba; mientras, el dopaje magnético podría romper la simetría de inversión de tiempo y abrir el "gap" de superficie con la anisotropía de espín también, lo que significa que la componente de espín fuera del plano en la superficie TI dopada magnéticamente disminuye gradualmente a medida que el punto k se aleja del Γ punto. Los trabajos de investigación en este proyecto podrían proporcionar una guía para la lista de experimentos sobre las propiedades electrónicas de TI con diferentes tipos de defectos e impurezas (magnéticos y no magnéticos); particularmente, el estudio de los efectos de proximidad en los TI podrían explicar el fenómeno fundamental básico observado en dicho dispositivo para el estudio de la dinámica de espín en el laboratorio.