[en] RbTiOPO4 is a non-linear optical crystal with high electro-optic coefficients and high optical damage threshold, which makes it suitable for electro-optic applications. There's a current interest in developing dielectric based photonic components for integrated optics, identified as a topic of research by the Europe Horizon 2020. The aim of this thesis is to explore RTP for dielectric based photonic platforms, which have applications in telecommunications and biosensing. In this thesis is reported the successful grow of bulk single crystals of RTP, K:RTP and Na:RTP by Top Seeded Solution Growth technique. The crystals obtained are suitable to be used as platforms to fabricate optical waveguides and for substrates for growth of epitaxial layers. Epitaxial layers of (Yb,Nb):RTP were grown on RTP(001), RTP was grown on K:RTP(001) and K:RTP(100) and KTP was grown on Na:KTP(001) by Liquid phase epitaxy. This methodology allows obtaining a single crystalline layer, with high quality crystalline interface. Waveguide fabrication was performed by RIE and ICP-RIE. Advancement in this etching process on RTP is reported in this thesis. Cs+ ion exchange method was used to produce straight, bends and MZ waveguides. Due to the RTP high ionic conductivity along the c crystallographic direction, ion exchange is highly feasible and almost unidirectional. Waveguiding of the fabricated channel waveguides has been successful. For the Y-Splitter and MZ waveguides fabricated on the RTP/(Yb,Nb):RTP/RTP(001) crystals, by structuring the active layer or the substrate by RIE, the waveguides obtained were single mode in TM polarization at 1550 nm. The propagation loss was 3.5 dB/cm. For straight waveguides fabricated on the RTP/(Yb,Nb):RTP/RTP(001), by structuring the cladding by ICP-RIE, the propagation losses were 0.376 dB/cm at 1550 nm. The waveguides fabricated by Cs+ ion exchange have larger losses due to inhomogeneity on the Cs exchange among different ferroelectric domains present in the structure.

[es] El RbTiOPO4 es un cristal de óptica no-lineal con altos coeficientes electro ópticos y un límite de daño óptico elevado, eso lo convierte en una potencial material para aplicaciones electrópticas. Actualmente existe un gran interés en el desarrollo de componentes ópticos basados en materiales dieléctricos, esto ha sido identificado como un tema puntero de investigación por Europa Horizonte 2020. La finalidad de esta tesis es explorar el RTP cómo plataforma dieléctrica para dispositivos fotónicos, que tienen aplicaciones en les telecomunicaciones y en el sensado biológico. En esta tesis, se han crecido materiales monocristalinos en volumen de RTP, K:RTP y Na:KTP por el método de Top seeded solution growth. Los cristales crecidos son óptimos para ser utilizados como plataforma para fabricar guías de onda y como sustratos para el crecimiento de capas epitaxiales. Capas epitaxiales de (Yb,Nb):RTP sobre RTP(001), RTP sobre K:RTP(001) yK.:RTP(100), i KTP sobre Na:KTP(001) se han crecido mediante la metodología de liquid phase epitaxy. Esta metodología ha permitido obtener capes monocristalinas con una interfase de alta calidad cristalina. La fabricación de guías de onda se ha hecho por RIE y ICP-RIE: Se reporta en esta tesis un avance en el conocimiento del proceso de etching en el RTP. El método de intercambio iónico, con Cs+ como ion, se ha utilizado para producir guías de onda rectas, curvas y MZ. Debido a la alta conductividad iónica del RTP a lo largo de la dirección c cristalográfica, el intercambio iónico es altamente factible y casi unidireccional. Se ha obtenido el guiado con éxito en todas las guías de onda fabricadas. En los Y-Splitters y MZ fabricados sobre los cristales RTP/(Yb,Nb):RTP/RTP(001) estructurados con RIE sobre la capa activa o bien el sustrato, la guía obtenida es monomodo con la polarización TM a 1550 nm. Las pérdidas de propagación son de 3.5 dB/cm. Para las guías de onda rectes fabricadas sobre RTP/(Yb,Nb):RTP/RTP(001) por estructuración del recubrimiento por ICP-RIE, las pérdidas por propagación son de 0.376 dB/cm a 1550 nm.