[ca] El present treball s'inscriu dins d'un ampli projecte dut a terme per la Universitat Politècnica de Catalunya i la Universitat d'Aalto, el qual té com objectiu l'estudi de la formació i la caracterització d'emissors de bor sobre superfícies Black Silicon (b-Si, material de baixa reflectància) a oblies tipus n. Concretament, aquest projecte estudia la formació d'emissors de bor mitjançant la tècnica Emitter On Black Silicon "EO" (Emissor sobre b-Si), que consisteix en la introducció d'impureses de bor sobre superfícies prèviament nano-texturitzades amb b-Si. Consta de dues parts. A la primera part, s'ha realitzat un estudi experimental per a la creació dels emissors de bor, en el qual s'han desenvolupat els processos de difusió, a diferents temperatures, i d'oxidació a baixa temperatura (Low Thermal Oxidation LTO); a oblies de referència (polides) i amb b-Si. A la segona part, s'han caracteritzat les mostres, a partir de l'extracció de diferents paràmetres elèctrics i físics: el temps de vida efectiu (τeff), la densitat de corrent de saturació d'emissor (Joe) i la resistència de quadre (Rsh). Això ens ha permès conèixer la qualitat dels emissors creats. Per últim, a Aalto s'han passivat les mostres, amb l'objectiu de millorar el comportament dels dispositius, i s'han tornat a repetir les mesures dels paràmetres anteriors. Després de la formació i de la caracterització dels emissors de bor es pot concloure que els resultats extrets son molt satisfactoris. S'han obtingut temps de vida efectius (τeff) alts, arribant a valors màxims per sobre de 1 ms, per ambdós tipus d'oblies. Els valors de les densitats de corrent de saturació d'emissor (Joe), després de la passivació, són baixos, aconseguint valors per sota dels 40 fA/cm2 a les mostres b-Si, pel rang de resistències de quadre (Rsh) de 20 – 250 Ω/□.

[en] The present work is part of a larger project carried out by the Polytechnic University of Catalonia and the University of Aalto, which has as its objective the study of the formation and the characterization of boron emitters on Black Silicon surfaces (b-Si, low reflectance material) on n type wafers. Specifically, this project studies the formation of boron emitters by Emitter On Black Silicon "EO" technique, which consists in introducing boron impurities on surfaces previously nano-textured with b-Si. It is made up of two parts. In the first part, an experimental study has been made to create boron emitters, in which has been developed two processes on reference (polished) and b-Si wafers: diffusions at different temperatures and Low Thermal Oxidations (LTO). In the second part, the samples have been characterized, obtaining different electrical and physic parameters: effective lifetime (τeff), emitter saturation current density (Joe) and sheet resistance (Rsh). These parameters allow us to know the quality of the created emitters. Finally, in Aalto, the samples have been passivated in order to improve the behavior of the devices. Moreover, the previous parameters measurements have been repeated. After the formation and the characterization of the boron emitters, it can be concluded that the obtained results are very satisfactory. High lifetimes (τeff) have been obtained, reaching maximum values over 1 ms for both kind of samples, and after the passivation low emitter saturation current densities (Joe) have been calculated, reaching values lower than 40 fA/cm2 in b-Si samples for sheet resistances (Rsh) range of 20 – 250 Ω/□.