[es] Las energías renovables están experimentando un gran incremento en los últimos años. Debido a sus singularidades, la electrónica de potencia es necesaria para su integración masiva en la red. En este contexto, los módulos de alta potencia de carburo de silicio (SiC) se identifican como posibles candidatos para mejorar las características de los semiconductores insulated gate bipolar transistor (IGBT) de silicio (Si) que se utilizan actualmente en la energía eólica, dadas sus mejores propiedades. El objetivo principal de esta tesis es analizar el impacto de los semiconductores de SiC en la energía eólica, e identificar los principales retos que conlleva su uso en comparación con los módulos de Si. El coste normalizado de la energía (LCoE en inglés) es el indicador principal para evaluar las fuentes de energía. Por ello se ha desarrollado una herramienta de cálculo de LCoE, para analizar el impacto teórico de los semiconductores de SiC en diferentes configuraciones de electrónica de potencia en la energía eólica. Los resultados muestran que los semiconductores de SiC no pueden mejorar el LCoE del sistema actual debido a su alto coste, si se reemplazan los semiconductores uno a uno. En cambio, si se optimiza el sistema completo, aumentando la frecuencia de conmutación, los módulos de SiC pasan a ser competitivos. Además, si como se prevé, el precio del SiC se reduce en los próximos años, sus beneficios serían todavía mayores. Por alto coste del SiC, y sus buenas características de conmutación, la topología de dos niveles (2L) obtiene mayores beneficios que la de tres niveles (3L) con el uso del SiC. Se han fabricado cuatro prototipos de laboratorio para verificar experimentalmente los resultados de la herramienta de cálculo de LCoE. Se han utilizado las topologías de 2 y 3 niveles, y los semiconductores de Si y de SiC. Se ha utilizado el coste normalizado de la conversión de la energía (LCoCE en inglés) como indicador para comparar las configuraciones, dado que los datos económicos de los prototipos de laboratorio son limitados. Las conclusiones principales de la herramienta de cálculo de LCoE son confirmadas experimentalmente. Finalmente se presentan los principales retos que conlleva utilizar los módulos de SiC en alta potencia. Fenómenos que apenas son relevantes con los lentos módulos de Si pasan a ser de vital importancia con los rápidos semiconductores de SiC. Se explican, analizan y enumeran técnicas preventivas para el falso encendido, la sobretensión, la protección de sobrecorriente y los sistemas de medidas. Se utiliza el prototipo de laboratorio para validar las técnicas de diseño para prevenir la sobretensión, diseñando un busbar optimizado para su uso con conmutaciones rápidas de módulos de SiC en convertidores de tres niveles. Las técnicas de optimización se verifican mediante medidas de inductancia con un analizador de impedancias y el análisis de las formas de onda de la conmutación.

[eu] Energia berriztagarriak gorakada nabaria izaten ari dira azken urteetan. Beraien ezaugarriak direla eta, potentzia elektronika beharrezkoa da sarean integrazio masiboa egin ahal izateko. Kontestu honetan, eta beraien ezaugarri tekniko hobeengatik, potentzia altuko silizio karburozko (SiC) moduluak hautagai interesgarriak dira gaur egun erabiltzen diren siliziozko (Si) insulated gate bipolar transistors (IGBT-en ingelesez) prestazioak hobetzeko energia eolikoan. Tesi honen helburu nagusia SiC moduluek energia eolikoan duten inpaktua aztertzea da, beraien integrazioak dakartzan erronka nagusiekin. Energiaren kostu normalizatua (LCoE ingelesez) da energia iturrien lehiakortasuna neurtzen duen adierazle nagusia. Horregatik, LCoE-a kalkulatzen duen erreminta garatu da, SiC moduluek energia eolikoan erabiltzen diren potentzia elektronika konfigurazio ezberdinetan eduki dezaketen inpaktu teorikoa aztertzeko. Emaitzek, beraien kostu altuagatik SiC erdieroaleak gaur egungo LCoE-a hobetzeko gai ez direla erakusten dute, banan-banako aldaketa egin ezkero. Sistema guztia optimizatu ezkero ordea, kommutazio frekuentzia handituz, SiC erdieroaleak lehiakorrak izan daitezke. Hurrengo urteetan beraien kostua espero den bezala murriztuko balitz gainera, are eta interesgarriagoak lirateke. SiC-aren kostu altua eta kommutazio ezaugarri onak direla eta, 2 tentsio mailako (2L) topologiak hiru mailakoak (3L) baino egokiagoak dira SiC erdieroaleak erabiltzeko. Lau laborategiko prototipo eraiki dira esperimentalki LCoE kalkulu erremintak emandako emaitzak frogatzeko. 2 eta 3 mailako topologiak erabili dira, baita Si eta SiC erdieroaleak ere. Energiaren bihurketa kostu normalizatua (LCoCE ingelesez) erabili da konfigurazioen arteko konparaketa egiteko adierazle bezala, laborategiko prototipoen datu ekonomikoak mugatuak direlako. LCoE kalkulu erremintan lorturiko ondorio nagusiak berretsi dira esperimentalki. Azkenik, potentzia altuko SiC moduluen aplikazioak dakartzan erronka nagusiak aurkezten dira. Si IGBT motelekin eraginik ez duten fenomeno batzuk kontuz aztertu behar dira SiC erdieroale azkarrak erabiltzean. Pizketa faltsuekin, gaintentsioarekin, gainkorronte babesarekin edo neurketekin izan daitezkeen arazoak azaldu, aztertu eta prebentzio neurriak zerrendatzen dira. Laborategi prototipoa erabiltzen da gaintentsioa konpontzeko aurkezten diren diseinu teknikak balioztatzeko, 3L bihurgailuetan SiC erdieroaleen kommutazio azkarrarekin. Optimizazio teknikak induktantzia neurketekin eta kommutazio seinaleen azterketarekin balioztatu dira.