[en] The objective of this thesis was to explore, through the results of the simulation Monte Carlo (MC), improvements involves the use of narrow gap semiconductors (InAs and InSb) in the channel of HEMTs to improve their behavior at high frequency and low noise. The first step in simulating any type of device is the correct simulation of semiconductors involved. Not only are to be studied semiconductors will lead to the channel (InAs and InSb), but also in charge of forming the barrier (ALSB and AlInSb). For obtaining accurate simulation parameters, it was necessary not only an intensive search of the literature, but also the fine-tuning of any parameter. After obtaining the simulation parameters, we studied the transport properties of both electrons and holes inside the semiconductor by the results obtained with our single particle MC simulator suitably modified for the correct simulation of these gap semiconductors narrow. The next step is the analysis of heterostructures formed with the narrow gap semiconductor in the channel and in which the later will be based HEMTs. We studied two heterostructures: ALSB / InAs and Al0.15In0.85As/InSb. These two heterostructures have been compared from the results obtained with our two-dimensional MC simulator properly modified to correctly simulate this type of heterojunction. After the study of semiconductor heterostructures isolated and have studied the characteristics of InAs-based HEMTs / ALSB. We have explained the process of manufacturing these devices, and both static and dynamic characteristics obtained from the MC simulation have been compared with experimental results measured at the Chalmers University of thechnology.

[es] El objetivo de esta tesis ha sido explorar, a trav?s de los resultados obtenidos de la simulaci?n Monte Carlo (MC), las mejoras que supone la utilizaci?n de semiconductores de gap estrecho (InAs e InSb) en el canal de los HEMTs con el fin de mejorar su comportamiento a alta frecuencia y bajo ruido. El primer paso a la hora de simular cualquier tipo de dispositivo es la correcta simulaci?n de los semiconductores involucrados. No s?lo han de ser estudiados los semiconductores que dar?n lugar al canal (InAs e InSb), sino tambi?n los encargados de formar la barrera (AlSb y AlInSb). Para la correcta obtenci?n de los par?metros de simulaci?n, no s?lo ha sido necesario una intensa b?squeda bibliogr?fica, sino tambi?n el ajuste minucioso de alguno de los par?metros. Una vez obtenidos los par?metros de simulaci?n, hemos estudiado las propiedades de transporte tanto de electrones como de huecos en el interior de los semiconductores a trav?s de los resultados obtenidos con nuestro simulador MC de part?cula ?nica convenientemente modificado para la correcta simulaci?n de estos semiconductores de gap estrecho. El siguiente paso es el an?lisis de las heteroestructuras formadas con los semiconductores de gap estrecho en el canal y en las que posteriormente estar?n basados los HEMTs. Hemos estudiado dos heteroestructuras: AlSb/InAs y Al0.15In0.85As/InSb. Estas dos heteroestructuras han sido comparadas a partir de los resultados obtenidos con nuestro simulador MC bidimensional adecuadamente modificado con el fin de simular correctamente este tipo de heterouniones. Tras el estudio de los semiconductores aislados y de las heteroestructuras hemos estudiado las caracter?sticas de los HEMTs basados en InAs/AlSb. Hemos explicado el proceso de fabricaci?n de estos dispositivos, y las caracter?sticas tanto est?ticas como din?micas obtenidas a partir de la simulaci?n MC han sido comparadas con los resultados experimentales medidos en la Chalmers University of Thechnology.