[ca] La recerca en tecnologies fotovoltaiques s'ha basat majoritàriament en la teoria de la unió PN però, gràcies a la interpretació mitjançant potencials electroquímics més que camps elèctrics, la visió d'una cèl·lula solar com a un absorbidor més dos filtres ha guanyat pes en els últims anys. Per aquest motiu, la investigació en nous contactes selectius és, actualment, de gran rellevància. Sobretot per aquells que no incorporen processos a altes temperatures, ni materials crítics o tòxics. En el treball que es presenta a continuació s'ha pogut constatar els beneficis d'utilitzar una unió "Metall-Dipol-Semiconductor" amb Polietilenimina (PEI) com a contacte selectiu d'electrons. Per tal de caracteritzar la qualitat del contacte s'han realitzat diferents mesures elèctriques i òptiques, amb els resultats de les quals s'ha elaborat un model teòric explicant el comportament darrera el contacte de PEI. A més, s'han fabricat diferents cèl·lules solars a partir de diversos absorbidors, trobant un contacte lliure de materials crítics i de processos altament costosos amb el qual s'han obtingut resultats força prometedors. Actualment, les cèl·lules fotovoltaiques basades en silici cristal·lí (c-Si) dominen àmpliament el mercat gràcies a les seves eficiències comercials superiors al 15%. Però, degut a que la majoria d'aquests dispositius utilitzen interfícies dopades i contactes metàl·lics directament dipositats, el cost energètic vinculat a la seva fabricació és molt elevat. Dipositant fàcilment una fina capa de PEI entre el semiconductor i el metall mitjançant la tècnica de "spin-coating", som capaços de fabricar un contacte de gran eficiència sense necessitat de dopar per difusió tèrmica la interfície de l'absorbidor. A més, al estudiar aquest contacte orgànic sobre diferents absorbidors de capa fina, on l'ús de materials crítics i tòxics és un dels seus màxims inconvenients, hem pogut presentar un contacte amb unes prestacions molt similars a les del contacte d'electrons clàssic de CdS, però sense involucrar aquest.

[en] Research in photovoltaic (PV) devices has usually focused on PN junction theory. However, with the new perspective on electronic transport driven by electrochemical potentials rather than electrical fields, the understanding of solar cells as the combination of an absorber and two selective contacts has gained strength. As a consequence, there has been a growing interest in researching new selective contacts to obtain high efficiency and low-temperature processed photovoltaic devices that can reduce their cost and ecological footprint. In this work, we report the promising performance obtained with a "Metal-Dipolar-Semiconductor" junction based on Polyethylenimine (PEI) as electron transport layer. Electrical and optical characterization have been performed to determine the contact quality over different absorbers, and a theoretical model explaining these results has been presented. Different photovoltaic devices have been fabricated and characterized, finding promising free-dopant and CRM-free architectures for different absorbers. Currently, the global photovoltaic market is dominated by crystalline silicon (c-Si) based technologies with heavily doped, directly metallized contacts, which implies high-temperature steps. With the simple deposition of PEI between the semiconductor and the metal through spin-coating technique, we were able to obtain high-performance contacts without doping. In addition, regarding the study over thin-film absorbers, where the use of critical raw materials (CRM) is one of their main drawbacks, we proved that a stack combining a zinc oxide buffer layer and the polymeric interlayer yields outputs comparable to the classical CdS selective contact.