[ca] En aquesta tesis s'investiguen diversos aspectes dels transistors orgànics d'efecte de camp (OFETs), tal com la seva fabricació, caracterització elèctrica i aplicacions. S'han preparat pel·lícules primes de diferents semiconductors orgànics (OSCs) de tipus p basats en molècules conjugades petites i mescles d'aquests OSCs amb polímers aïllants utilitzant la tècnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). Aquestes pel·lícules s'han implementat com a capa activa en OFETs. Aquest treball s'ha centrat principalment en comprendre com els diferents paràmetres involucrats en la fabricació d'aquests dispositius estan afectant el rendiment dels OFETs. A més, s'estudien diferents metodologies de dopatge amb l'objectiu de millorar les característiques elèctriques i l'estabilitat dels OFETs fabricats. S'ha demostrat que dopant els OFETs es pot reduir amb èxit la resistència de contacte del dispositiu i omplir les trampes dels portadors de càrrega. Això s'ha estudiat en profunditat realitzant mesures elèctriques i a escala nanomètrica utilitzant la tècnica de microscòpia de força amb sonda Kelvin. A més, en dispositius amb els contactes dopats, s'ha aconseguit inhibir la difusió del dopant cap al canal del dispositiu fent servir molècules dopants que no són planes i també utilitzant com a polímer poliestirè d'alt pes molecular. Això va resultar en OFETs estables a llarg termini. Finalment, es va investigar la influència de la naturalesa del polímer aïllant en la resposta elèctrica del dispositiu així com en la seva resposta a la llum ultravioleta. Canviant el polímer es va modificar la densitat de trampes d'electrons/forats i això va permetre optimitzar les característiques elèctriques i la foto-resposta dels OFETs

[es] En esta tesis investigamos varios aspectos de los transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs), incluida su fabricación, caracterización eléctrica y aplicaciones. Se han preparado películas delgadas de diferentes semiconductores orgánicos (OSCs) de tipo p basados en moléculas conjugadas pequeñas y mezclas de estos OSCs con polímeros aislantes utilizando la técnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). Estas películas se han implementado como capas activas en OFETs. Este trabajo se ha centrado principalmente en comprender cómo los diferentes parámetros involucrados en la fabricación de estos dispositivos están afectando el rendimiento de los OFETs. Además, se estudiaron diferentes metodologías de dopaje con el objetivo de mejorar las características eléctricas y la estabilidad de los OFETs fabricados. Se ha demostrado que dopando los OFETs se puede reducir con éxito la resistencia de contacto del dispositivo y llenar las trampas de los portadores de carga. Esto se ha estudiado en profundidad realizando mediciones eléctricas y a escala nanométrica usando la técnica de microscopía de fuerza con sonda Kelvin. Además, en dispositivos con los contactos dopados, se ha conseguido inhibir la difusión del dopante hacia el canal del dispositivo empleando moléculas dopantes que no son planas y también usando como polímero poliestireno de alto peso molecular. Esto resultó en OFETs estables a largo plazo. Finalmente, se investigó la influencia de la naturaleza del polímero aislante en la respuesta eléctrica del dispositivo así como en su respuesta a la luz ultravioleta. Cambiando el polímero se modificó la densidad de trampas de electrones/huecos y esto permitió optimizar las características eléctricas y la foto-respuesta de los OFETs.