[ca] En el present treball de fi de màster s'ha realitzat un estudi sobre un nou òxid semiconductor transparent, el β-Ga2O3, que és susceptible d'integració en dispositius optoelectrònics per optimitzar-ne les característiques. El β-Ga2O3 és un material semiconductor de banda ampla, les propietats del qual, juntament amb la relativa facilitat de preparació, el converteixen en un punt de recent atracció per a la recerca, tant fonamental com aplicada, així es ho reflecteixen el índexs de publicacions a l'àrea enginyeria. A l'estudi s'han dipositat capes d'òxid de gal·li mitjançant la tècnica de deposició física en fase de vapor, específicament, PLD (deposició per làser polsat) sobre substrats d'Al-Si-B (comercialment conegut com a Corning) i en presència d'una atmosfera oxidant. S'ha generat una matriu de vuit condicions de deposició mitjançant la variació de la pressió parcial d'oxigen a la cambra i la temperatura del substrat, per intentar trobar les condicions òptimes de creixement de les capes primes, així com de les propietats òptiques i estructurals. Les diferents condicions de deposició han estat: (1) 0,1mbar i 350°C, (2) 0,1mbar i 400°C, (3) 0,1mbar i 450°C, (4) 0,1mbar i 500°C, (5) 0, 4mbar i 350°C, (6) 0,4mbar i 400°C, (7) 0,4mbar i 450°C, (8) 0,4mbar i 500°C. Després de la sinterització de les capes primes en funció de la condició de deposició, s'han caracteritzat les mostres mitjançant: difracció per raigs X (XRD), Espectroscòpia Raman, Espectroscòpia de fotoelectrons de raigs X (XPS), Microscòpia electrònica de rastreig d'emissió de camp (FESEM), Microscòpia confocal i transmissió d'ones. Finalment, s'ha realitzat una anàlisi dels resultats obtinguts per determinar la pel·lícula amb aquella condició que presenta una millor qualitat i transparència. Els diversos assaigs realitzats en les mostres han revelat que s'ha aconseguit dipositar i sintetitzar amb èxit l'òxid de gal·li en fase beta a la fase cristal·lina cúbica i en concret per a la condició 2 la fase cristal·lina monoclínica. D'altra banda, s'ha detectat que hi ha una relació de correlació fortament lineal entre les relacions estequiomètriques dels compostos i l'absorbància (a major proporció de gal·li major absorbància). Per a tots els compostos sintetitzats, s'han pogut observar valors d'absorbància molt semblants als del substrat sobre el qual s'ha dipositat, cosa que implica una transparència molt bona de les capes. Finalment, el tipus de creixement de capes trobat ha estat del tipus mixt i les imatges FESEM de les capes mostren uns gruixos compactes, sense defectes ni heterogeneïtats, a causa de la tècnica PLD

[es] En el presente trabajo de fin de máster se ha realizado un estudio sobre un nuevo óxido metálico transparente semiconductor, el β-Ga2O3, que es susceptible de integración en dispositivos optoelectrónicos para la optimización de sus características. El β-Ga2O3 es un material semiconductor de banda ancha cuyas propiedades, junto con la relativa facilidad de preparación, lo convierten en un punto de reciente atracción para la investigación tanto fundamental como aplicada, así se puede observar en los índices de publicaciones en el área de ingeniería. En el estudio se han depositado capas de óxido de gálio mediante la técnica de deposición física en fase de vapor, esepcíficamente, PLD (deposición por láser pulsado) sobre sustratos de Al-Si-B (comercialmente conocido como Corning) y en presencia de una atmósfera oxidente. Se ha generado una matriz de ocho condiciones de deposición mediante la variación de la presión parcial de oxigeno en la cámara y la temperatura del sustrato, para tratar de encontrar las condiciones óptimas de crecimiento de las capas delgadas y propiedades ópticas y estructurales. Las diferentes condiciones de deposición han sido: (C1) 0,1mbar y 350°C, (C2) 0,1mbar y 400°C, (C3) 0,1mbar y 450°C, (C4) 0,1mbar y 500°C, (C5) 0,4mbar y 350°C, (C6) 0,4mbar y 400°C, (C7) 0,4mbar y 450°C, (C8) 0,4mbar y 500°C. Tras la sintetización de las capas delgadas en función de la condición de deposición, se han carectirizado las muestras mediante: difracción por rayos X (XRD), Espectroscopía Raman, Espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS), Microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (FESEM), Microscopía confocal y transmisión de ondas. Finalmente, se ha llevado a cabo un análisis de los resultados obtenidos para determinar la película cuya condición presenta una mayor calidad y transparencia. Los diversos ensayos realizados sobre las muestras han revelado que se ha logrado depositar y sintetizar con éxito el óxido de galio en fase beta en su fase cristalina cúbica y en concreto para la condición C2 la fase cristalina monoclínica. Por otra parte, se ha detectado que existe una relación de correlación fuertemente lineal entre las relaciones estequiométricas de los compuestos y la absorbancia (a mayor proporción de galio mayor absorbancia). Para todos los compuestos sintetizados, se han podido observar valores de absorbancia muy parecidos a los del sustrato sobre el que se ha depositado, lo que implica una muy buena transparencia de las capas. Por último, el tipo de crecimiento de capas hallado ha sido del tipo mixto y las imágenes FESEM de las capas muestras unos espesores compactos, sin defectos ni heterogeneidades, debido a la técnica PLD