[ca] En aquest estudi, s'han dipositat capes d'òxid de gal·li mitjançant la tècnica de dipòsit de vapor físic, concretament PLD (dipòsit de làser polsat), sobre substrats de Si monocristal·lins, tant en presència d'una atmosfera oxidant com en un entorn inert. S'ha generat una matriu experimental amb vuit condicions de dipòsit, variant la pressió parcial d'oxígen a la cambra i el temps de dipòsit. L'objectiu era determinar les condicions òptimes per al creixement de pel·lícules primes i avaluar-ne les propietats òptiques i estructurals. S'han utilitzat dues condicions de dipòsit: (1) una pressió residual de 5x10-5 mbar i (2) 0,4 mbar a temperatura ambient. Per a cada condició, es van provar quatre temps de dipòsit diferents: 5, 10, 20 i 40 minuts. Després de sintetitzar les pel·lícules primes sota aquestes condicions de dipòsit, les mostres van ser caracteritzades mitjançant tècniques com la Microscòpia Electrònica de Rastreig de Camp d'Emissió de Camp (FESEM), la difracció de raigs X (XRD), l'espectroscòpia de fotoelectrons de raigs X (XPS) i la Microscòpia de Transmissió d'Ones. Posteriorment, es va realitzar un anàlisi exhaustiu dels resultats obtinguts per identificar la pel·lícula amb la major qualitat i transparència. Les diverses proves realitzades amb les mostres van revelar que l'òxid de gal·li en fase beta s'havia dipositat i sintetitzat amb èxit en la seva fase cristal·lina cúbica i en la fase cristal·lina monoclínica. A més, les imatges de FESEM de les capes mostraven gruixos compactes sense defectes ni heterogeneïtats, atribuïbles a l'ús de la tècnica PLD.

[es] En este estudio, se han depositado capas de óxido de galio utilizando la técnica de deposición física de vapor, específicamente PLD (deposición por láser pulsado), en sustratos de silicio monocristalino, tanto en presencia de una atmósfera oxidante como en un entorno inerte. Se generó una matriz experimental con ocho condiciones de deposición variando la presión parcial de oxígeno en la cámara y el tiempo de deposición. El objetivo era determinar las condiciones óptimas para el crecimiento de películas delgadas y evaluar sus propiedades ópticas y estructurales. Se utilizaron dos condiciones de deposición: (1) una presión residual de 5x10-5 mbar y (2) 0,4 mbar a temperatura ambiente. Para cada condición, se probaron cuatro tiempos de deposición diferentes: 5, 10, 20 y 40 minutos. Después de sintetizar las películas delgadas bajo estas condiciones de deposición, las muestras se caracterizaron utilizando técnicas como la Microscopía Electrónica de Barrido de Emisión de Campo (FESEM), la Difracción de Rayos X (XRD), la Espectroscopía de Fotoelectrones de Rayos X (XPS) y la Microscopía de Transmisión de Ondas. Posteriormente, se realizó un análisis exhaustivo de los resultados obtenidos para identificar la película con la mayor calidad y transparencia. Las diversas pruebas realizadas en las muestras revelaron que el óxido de galio en fase beta se había depositado y sintetizado con éxito en su fase cristalina cúbica y en su fase cristalina monocíclica. Además, las imágenes de FESEM de las capas mostraron grosores compactos, sin defectos ni heterogeneidades, atribuibles al uso de la técnica PLD