[en] The present work is part of a larger project carried out by the Polytechnic University of Catalonia and the University of Aalto, which has as its objective the study of the formation and the characterization of boron emitters on Black Silicon surfaces (b-Si, low reflectance material) on n type wafers. Specifically, this project studies the formation of boron emitters by Emitter On Black Silicon "EO" technique, which consists in introducing boron impurities on surfaces previously nano-textured with b-Si. It is made up of two parts. In the first part, an experimental study has been made to create boron emitters, in which has been developed two processes on reference (polished) and b-Si wafers: diffusions at different temperatures and Low Thermal Oxidations (LTO). In the second part, the samples have been characterized, obtaining different electrical and physic parameters: effective lifetime (τeff), emitter saturation current density (Joe) and sheet resistance (Rsh). These parameters allow us to know the quality of the created emitters. Finally, in Aalto, the samples have been passivated in order to improve the behavior of the devices. Moreover, the previous parameters measurements have been repeated. After the formation and the characterization of the boron emitters, it can be concluded that the obtained results are very satisfactory. High lifetimes (τeff) have been obtained, reaching maximum values over 1 ms for both kind of samples, and after the passivation low emitter saturation current densities (Joe) have been calculated, reaching values lower than 40 fA/cm2 in b-Si samples for sheet resistances (Rsh) range of 20 – 250 Ω/□.

[es] El presente trabajo se inscribe dentro de un amplio proyecto llevado a cabo por la Universidad Politécnica de Cataluña y la Universidad de Aalto, el cual tiene por objetivo el estudio de la formación y la caracterización de emisores de boro sobre superficies Black Silicon (b-Si, material con baja reflectancia) en obleas tipo n. Concretamente, este proyecto estudia la formación de emisores de boro mediante la técnica Emitter On Black Silicon "EO" (Emisor sobre b-Si), que consiste en la introducción de impurezas de boro sobre superficies previamente nano-texturizadas con b-Si. Consta de dos partes. En la primera parte, se ha efectuado un estudio experimental para la creación de emisores de boro, en el cual se han desarrollado los procesos de difusión, a diferentes temperaturas, y de oxidación a baja temperatura (Low Thermal Oxidation LTO); en obleas de referencia (pulidas) y con b-Si. En la segunda parte, se han caracterizado las muestras, a partir de la extracción de diferentes parámetros eléctricos y físicos: el tiempo de vida efectivo (τeff), la densidad de corriente de saturación de emisor (Joe) y la resistencia de cuadro (Rsh). Esto nos ha permitido conocer la calidad de los emisores creados. Por último, en Aalto, se han pasivado las muestras, con el objetivo de mejorar el comportamiento de los dispositivos, y se han vuelto a repetir las medidas de los parámetros anteriores. Tras la formación y la caracterización de los emisores de boro se puede concluir que los resultados extraídos son muy satisfactorios. Se han conseguido tiempos de vida (τeff) altos, alcanzando valores máximos por encima de 1ms, para ambos tipos de obleas. Las densidades de corriente de saturación de emisor (Joe), después de la pasivación, son bajas, consiguiendo valores inferiores a 40 fA/cm2 en muestras con b-Si, para el rango de resistencias de cuadro (Rsh) de 20 – 250 Ω/□.