[ca] En el present treball de fi de màster s'ha realitzat un estudi sobre un nou òxid semiconductor transparent, el β-Ga2O3, que és susceptible d'integració en dispositius optoelectrònics per optimitzar-ne les característiques. El β-Ga2O3 és un material semiconductor de banda ampla, les propietats del qual, juntament amb la relativa facilitat de preparació, el converteixen en un punt de recent atracció per a la recerca, tant fonamental com aplicada, així es ho reflecteixen el índexs de publicacions a l'àrea enginyeria. A l'estudi s'han dipositat capes d'òxid de gal·li mitjançant la tècnica de deposició física en fase de vapor, específicament, PLD (deposició per làser polsat) sobre substrats d'Al-Si-B (comercialment conegut com a Corning) i en presència d'una atmosfera oxidant. S'ha generat una matriu de vuit condicions de deposició mitjançant la variació de la pressió parcial d'oxigen a la cambra i la temperatura del substrat, per intentar trobar les condicions òptimes de creixement de les capes primes, així com de les propietats òptiques i estructurals. Les diferents condicions de deposició han estat: (1) 0,1mbar i 350°C, (2) 0,1mbar i 400°C, (3) 0,1mbar i 450°C, (4) 0,1mbar i 500°C, (5) 0, 4mbar i 350°C, (6) 0,4mbar i 400°C, (7) 0,4mbar i 450°C, (8) 0,4mbar i 500°C. Després de la sinterització de les capes primes en funció de la condició de deposició, s'han caracteritzat les mostres mitjançant: difracció per raigs X (XRD), Espectroscòpia Raman, Espectroscòpia de fotoelectrons de raigs X (XPS), Microscòpia electrònica de rastreig d'emissió de camp (FESEM), Microscòpia confocal i transmissió d'ones. Finalment, s'ha realitzat una anàlisi dels resultats obtinguts per determinar la pel·lícula amb aquella condició que presenta una millor qualitat i transparència. Els diversos assaigs realitzats en les mostres han revelat que s'ha aconseguit dipositar i sintetitzar amb èxit l'òxid de gal·li en fase beta a la fase cristal·lina cúbica i en concret per a la condició 2 la fase cristal·lina monoclínica. D'altra banda, s'ha detectat que hi ha una relació de correlació fortament lineal entre les relacions estequiomètriques dels compostos i l'absorbància (a major proporció de gal·li major absorbància). Per a tots els compostos sintetitzats, s'han pogut observar valors d'absorbància molt semblants als del substrat sobre el qual s'ha dipositat, cosa que implica una transparència molt bona de les capes. Finalment, el tipus de creixement de capes trobat ha estat del tipus mixt i les imatges FESEM de les capes mostren uns gruixos compactes, sense defectes ni heterogeneïtats, a causa de la tècnica PLD

[en] In the present master's thesis, a study has been carried out on a new semiconducting transparent metal oxide, β-Ga2O3, which is susceptible to be integrated in a variety of optoelectronic devices for the optimization of its characteristics. The β-Ga2O3 is a wide bandgap semiconductor material whose properties, together with the relative ease of preparation, makes it a point of recent attraction for both fundamental and applied research, as can be seen in the indexes of publications in the engineering area. In the study, gallium oxide layers have been deposited by means of the physical vapor deposition technique, specifically PLD (pulsed laser deposition) on Al-Si-B substrates (commercially known as Corning) and in the presence of an oxidizing atmosphere. A matrix of eight deposition conditions has been generated by varying the oxygen partial pressure in the chamber and the substrate temperature, in order to find out the optimum conditions for thin film growth, optical and structural properties. The following deposition conditions have been used: (1) 0.1mbar and 350°C, (2) 0.1mbar and 400°C, (3) 0.1mbar and 450°C, (4) 0.1mbar and 500°C, (5) 0.4mbar and 350°C, (6) 0.4mbar and 400°C, (7) 0.4mbar and 450°C, (8) 0.4mbar and 500°C. After synthesizing the thin films according to the deposition condition, the samples have been characterized by: X-ray diffraction (XRD), Raman Spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM), Confocal and Transmission Wave Microscopy. Finally, an analysis of the results obtained has been carried out to determine the film with the highest quality and transparency. The various tests carried out on the samples, have revealed that the gallium oxide in beta phase has been successfully deposited and synthesized in its cubic crystalline phase and specifically for condition 2 the monoclinic crystalline phase. On the other hand, it has been detected that there is a strongly linear relationship between the stoichiometric ratios of the compounds and the absorbance (the higher the proportion of gallium, the higher the absorbance). For all the compounds synthesized, it has been possible to observe absorbance values very similar to those of the substrate on which they have been deposited, which implies a very good transparency of the layers. Finally, the type of layer growth found has been of the mixed type and the FESEM images of the layers show compact thicknesses, without defects or heterogeneities, due to the PLD technique