[en] This TFG is focused on the development of high quality n+ and p+ regions based on laser processed dielectric films. The involved films consist of a thin intrinsic amorphous silicon layer (a-Si:H(i)) capped with a doped (phosphorus for n+ and boron for p+ regions, respectively) amorphous silicon film (a-Si:H(n) or a-Si:H(p)). Finally, a dielectric silicon carbide layer (SiCx) is deposited on top. All these films are deposited by PECVD. This approach has already applied in finished c-Si solar cells for n+ regions with very thin aSi:H(i) in the range of 4-5 nm. Based on this results, this work has two main goals. Firstly, we explore the effects of increasing the thickness of the a-Si:H(i) layer on the surface passivation properties of the stack. As a figure of merit, we will use the effective surface recombination velocity (Seff): the lower the value, the better the passivation quality. The experimental results demonstrate that Seff is reduced to 1-3 cm/s when the a-Si:H(i) layer thickness is increased to 28 nm. Secondly, we develop good quality n + regions to create contacts on n-type c-Si substrates (n+/N) using this thicker a-Si:H(i) layers. The goal is to improve the performance of the n+ regions already developed in MNT group. We deduce a specific contact resistance in the 10-3 -10-4 ·cm2 range, which is an excellent result. Next, we use dummy n+/P junction to determine the optimum laser power which is 910-1160 mW. On the other hand a surface recombination velocity of 8500 cm/s is obtained at the n+ contacts. Despite this value is higher than expected, it still low enough to allow highefficiency solar cells. Finally, we explore the case of p + regions by changing the doping atoms in the intermediate a-Si:H film from phosphorus to boron. This is done by replacing phosphine (PH3) gas by Trimethilboron (TMB, (CH3)3B) gas during the film deposition. These regions create p+/N junctions in the final device. The characterization of test devices lead to an optimum laser power of 1010-1070 mW with a saturation current density of 1.58 pA/cm2 , which is a result comparable to the state of the art of similar junctions.

[es] Este TFG está enfocado al desarrollo de regiones n+ y p+ de alta calidad basadas en capas de dieléctrico procesadas mediante laser. Las capas involucradas constan de una fina capa intrínseca de silicio amorfo (a-Si:H(i)) cubierta con una capa de silicio amorfo dopado (con fósforo para los n+ y boro para las regiones p+ respectivamente) (a-Si:H(n) o a-Si:H(p)). Finalmente, una capa de carburo de silicio dieléctrico (SiCx) se deposita en la parte superior de todo. Todas las capas se van a generar por deposición mediante PECVD. Esta aproximación ya se ha aplicado para el caso de células solares de c-Si para regiones n+ con una capa muy delgada de a-Si:H(i) en un rango de grosor de entre 4-5 nm. Basándose en estos resultados, este trabajo consta de dos objetivos principales. En primer lugar, explorar los efectos que tiene incrementar el grosor de la capa de a-Si:H(i) sobre las propiedades de pasivación del "stack". Como figura de mérito, se va a utilizar la velocidad de recombinación efectiva (Seff): cuanto más bajo sea su valor, mejor va a ser la pasivación. Los resultados experimentados demuestran que Seff se reducen hasta 1-3 cm/s al incrementarse el grosor de la capa de a-Si:H(i) hasta 28 nm. En segundo lugar, desarrollar regiones n+ para crear contactos en sustratos de c-Si de tipo n (n+ /N) mediante capas de a-Si:H(i) más gruesas. El objetivo es mejorar las especificaciones de las regiones n+ previamente desarrolladas por el grupo MNT. Se obtiene una resistencia de contacto específica en el rango de 10-3 -10-4 ·cm2 , el cual es un resultado excelente. Seguidamente se van a utilizar uniones n+ /P de prueba para determinar la potencia optima de laser que es de 910-1160 mW. En paralelo, se obtiene una velocidad de recombinación superficial de 8500 cm/s en los contactos n+ . a pesar de que este valor es más alto de lo esperado, sigue siendo suficientemente bajo como para permitir células solares de alta eficiencia. Finalmente, se explora el caso de regiones p+ sustituyendo los átomos de fosforo dopantes en la capa intermedia de a-Si:H para átomos de boro. Esto se podrá llevar a cabo sustituyendo gas fosfina (PH3) por trimetilboro ((CH3)3B) en el proceso de deposición. Estas regiones van a generar uniones p+ /N en el dispositivo final. La caracterización de los dispositivos de prueba nos lleva a una potencia de laser óptima de 1010-1070 mW con una densidad de corriente de saturación de 1,58 pA/cm2 , lo cual es un resultado comparable al estado del arte para uniones similares.