[ca] A la present tesi s'han estudiat propietats de transport electrònic en unions laterals metall-semiconductor de MoS2, utilizant funcions de Green de no equilibri, destinades a contactar canals 2D en transistors. Els resultats obtinguts han contribuït a comprendre l'electrostàtica en unions 2D. A més a més, l'avaluació de diferents geometries de la interfície metall-semiconductor ha permès predir les condicions que proporcionen millors propietats de contacte. Aquests estudis han donat lloc al desenvolupament d'un nou procediment per determinar els règims d'emissió en unions 2D metall-semiconductor, experimentalment o teòrica. D'altra banda, també s'han estudiat dispositius RRAM basats en HfO2 per mitjà de simulacions de dinàmica molecular, implementant un mètode d'equilibratge de càrrega que permet descriure l'efecte d'un camp elèctric extern, amb la qual cosa s'ha pogut caracteritzar el procés de "forming", "reset" i "set". Mitjançant l'anàlisi de la migració d'ions d'oxigen i el canvi en la coordinació dels àtoms de Hf en el dielèctric s'ha pogut descriure la formació i dissolució de filaments conductors durant el funcionament del dispositiu amb un nivell de detall sense precedents. Aquests estudis han estat complementats amb càlculs DFT d'energies de formació i barreres d'activació corresponents a la migració de vacàncies d'oxigen sota l'efecte d'un camp elèctric extern. Per tal d'obtenir aquests resultats, s'ha proposat un nou esquema amb el qual és possible realitzar càlculs DFT en materials 2D, introduint càrrega neta i un camp extern. Finalment, el fenomen de "Resistive swithching" en cel·les RRAM basades en MoS2 amb electrodes d'or s'ha estudiat per mitjà de càlculs de transport usant primers principis, amb l'objectiu de dilucidar les estructures responsables dels estats d'alta i baixa resistivitat.

[es] En la presente tesis se estudiaron propiedades de transporte electrónico en uniones laterales metal-semiconductor de MoS2, usando funciones de Green de no equilibrio, destinadas a contactar canales 2D en transistores. Los resultados obtenidos contribuyeron a comprender la electrostática en uniones 2D. Además, la evaluación de diferentes geometrías de la interfaz metal-semiconductor permitió predecir las condiciones que proporcionan mejores propiedades de contacto. Estos estudios dieron lugar al desarrollo de un nuevo procedimiento para determinar los regímenes de emisión en uniones 2D metal-semiconductoras, experimental o teóricamente. Por otro lado, también se estudiaron dispositivos RRAM basados en HfO2 por medio de simulaciones de dinámica molecular, implementando un método de equilibración de carga que permite describir el efecto de un campo eléctrico externo, con lo cual se pudo caracterizar el proceso de "orming", "reset" y "set". A través del análisis de la migración de iones de oxígeno y el cambio en la coordinación de los átomos de Hf en el dieléctrico se pudo describir la formación y disolución de filamentos conductores durante el funcionamiento del dispositivo con un nivel de detalle sin precedentes. Estos estudios fueron complementados con cálculos de DFT de energías de formación y barreras de activación correspondientes a la migración de vacancias de oxígeno bajo el efecto de un campo eléctrico externo. Para obtener estos resultados, se propuso un novedoso esquema con el que es posible realizar cálculos DFT en materiales 2D, introduciendo carga neta y un campo externo. Finalmente, el fenómeno de "resistive swithching" en celdas RRAM basadas en MoS2 con electrodos de oro se estudió por medio de cálculos de transporte usando primeros principios, con el objetivo de dilucidar las estructuras responsables de los estados de alta y baja resistividad.