[en] Organic thin-film transistors are promising candidates for novel electronics applications due to the possibility of fabricating organic electronic devices at low temperatures on flexible substrates like plastic or paper. This doctoral thesis deals with the development of a charge-based compact model for the description of the capacitive behavior and the low-frequency noise in organic thin-film transistors. Based on an existing DC model, expressions for the total charges under quasistatic operation conditions are derived. Non-quasistatic effects are captured by different methods, such as the channel-segmentation approach or frequency-dependent scaling functions of the areas in the transistor where charges are calculated. The model for the total charges is verified by capacitance measurements of a staggered organic TFT and by numerical simulations of organic TFTs in the staggered and coplanar architectures using the device simulator Sentaurus TCAD. The non-quasistatic models are verified by frequency-dependent admittance measurements of a staggered transistor and by scattering-parameter measurements of coplanar and staggered transistors. The compact model is implemented in the hardware description language Verilog-A and the simulation of a differential amplifier is compared to measurements, which shows a good agreement. The noise model is verified by measurements of staggered organic TFTs and by TCAD simulations. The compact model shows an overall good agreement and flexibility with respect to the device architecture (e. g. staggered or coplanar) and the used materials.

[es] Los transistores orgánicos de capa fina son candidatos prometedores para nuevas aplicaciones electrónicas debido a la posibilidad de fabricar dispositivos electrónicos orgánicos a bajas temperaturas en sustratos flexibles como plástico o papel. Esta tesis doctoral trata del desarrollo de un modelo compacto basado en la carga para la descripción del comportamiento capacitivo y el ruido de baja frecuencia en transistores orgánicos de capa fina. A partir de un modelo DC existente, se desarrollan expresiones para las cargas totales en condiciones de operación cuasiestáticas. Los efectos no cuasiestáticos se capturan mediante diferentes métodos, como la aproximación de segmentación del canal o las funciones de escalado dependientes de la frecuencia de las áreas del transistor donde se calculan las cargas. El modelo para las cargas totales se verifica mediante medidas de capacitancia de un TFT orgánico escalonado y mediante simulaciones numéricas de TFT orgánicos en las arquitecturas escalonada y coplanar utilizando el simulador de dispositivo TCAD Sentaurus. Los modelos no cuasiestáticos se verifican mediante medidas de admitancia dependientes de la frecuencia de un transistor escalonado y mediante medidas de parámetros de dispersión de transistores coplanares y escalonados. El modelo compacto se implementó en el lenguaje de descripción de hardware Verilog-A y la simulación de un amplificador diferencial se compara con medidas, observándose una buena concordancia. El modelo de ruido se verifica mediante medidas de TFT orgánicos escalonados y mediante simulaciones TCAD. El modelo compacto muestra en general una buena concordancia y flexibilidad con respecto a la arquitectura del dispositivo (p. ej. escalonado o coplanar) y los materiales utilizados.