[en] Renewable energies are experiencing a significant growth in the recent years. Due to their characteristics, power electronics are necessary for their massive integration into the grid. In this context, high power silicon carbide (SiC) modules are identified as possible candidates to improve the features of currently used silicon (Si) insulated gate bipolar transistors (IGBT) in the wind energy, given their improved characteristics. The main goal of this thesis is to analyze their impact in wind energy systems, and to identify the challenges high power SiC modules bring when compared to Si IGBTs. The levelized cost of energy (LCoE) is the main market competiveness indicator for the energy sources. This is why a LCoE calculation tool is developed to analyze the theoretical impact of SiC semiconductors in several wind energy systems' power electronics configurations. The results show SiC semiconductors are not able to improve the LCoE of the current configuration because of their high cost, if the semiconductors are replaced one to one. However, if the whole system is optimized, increasing the switching frequency, the SiC semiconductors become competitive. In additon, if their cost is reduced, as expected for the future years, their befenits are increased. The good switching characteristics and the high cost of three level (3L) topologies favour the two level (2L) topology over 3L topologies for the use of SiC semiconductors. Four laboratory prototypes are built to experimentaly verify the LCoE calculation tool results. 2L and 3L topologies are used, with Si and SiC semiconductors. The levelized cost of conversion energy (LCoCE) is used as an indicator to compare the configurations, because the available economical data in the laboratory prototypes is limited. The major conclusions obtained in the theoretical analysis by the LCoE calculation tool are confirmed experimentally. Finally, the main challenges of the application of high power SiC modules are presented. Several issues that do not affect the designs with slow Si IGBTs need to be considered when using fast switching SiC devices. Issues with the false turn on, the overshoot, the overcurrent protection and the measurements are explained, analyzed and prevention techniques listed. The laboratory prototype is used to validate design techniques to prevent overshoot issues by designing an optimized busbar for the fast switching of SiC modules in 3L converters. The optimization techniques are validated by inductance measurement with an impedance analyzer and swtching waveform analysis.

[es] Las energías renovables están experimentando un gran incremento en los últimos años. Debido a sus singularidades, la electrónica de potencia es necesaria para su integración masiva en la red. En este contexto, los módulos de alta potencia de carburo de silicio (SiC) se identifican como posibles candidatos para mejorar las características de los semiconductores insulated gate bipolar transistor (IGBT) de silicio (Si) que se utilizan actualmente en la energía eólica, dadas sus mejores propiedades. El objetivo principal de esta tesis es analizar el impacto de los semiconductores de SiC en la energía eólica, e identificar los principales retos que conlleva su uso en comparación con los módulos de Si. El coste normalizado de la energía (LCoE en inglés) es el indicador principal para evaluar las fuentes de energía. Por ello se ha desarrollado una herramienta de cálculo de LCoE, para analizar el impacto teórico de los semiconductores de SiC en diferentes configuraciones de electrónica de potencia en la energía eólica. Los resultados muestran que los semiconductores de SiC no pueden mejorar el LCoE del sistema actual debido a su alto coste, si se reemplazan los semiconductores uno a uno. En cambio, si se optimiza el sistema completo, aumentando la frecuencia de conmutación, los módulos de SiC pasan a ser competitivos. Además, si como se prevé, el precio del SiC se reduce en los próximos años, sus beneficios serían todavía mayores. Por alto coste del SiC, y sus buenas características de conmutación, la topología de dos niveles (2L) obtiene mayores beneficios que la de tres niveles (3L) con el uso del SiC. Se han fabricado cuatro prototipos de laboratorio para verificar experimentalmente los resultados de la herramienta de cálculo de LCoE. Se han utilizado las topologías de 2 y 3 niveles, y los semiconductores de Si y de SiC. Se ha utilizado el coste normalizado de la conversión de la energía (LCoCE en inglés) como indicador para comparar las configuraciones, dado que los datos económicos de los prototipos de laboratorio son limitados. Las conclusiones principales de la herramienta de cálculo de LCoE son confirmadas experimentalmente. Finalmente se presentan los principales retos que conlleva utilizar los módulos de SiC en alta potencia. Fenómenos que apenas son relevantes con los lentos módulos de Si pasan a ser de vital importancia con los rápidos semiconductores de SiC. Se explican, analizan y enumeran técnicas preventivas para el falso encendido, la sobretensión, la protección de sobrecorriente y los sistemas de medidas. Se utiliza el prototipo de laboratorio para validar las técnicas de diseño para prevenir la sobretensión, diseñando un busbar optimizado para su uso con conmutaciones rápidas de módulos de SiC en convertidores de tres niveles. Las técnicas de optimización se verifican mediante medidas de inductancia con un analizador de impedancias y el análisis de las formas de onda de la conmutación.