[ca] El nitrur de gal·li (GaN) és un semiconductor amb una banda prohibida ampla amb aplicacions importants en els LED de la llum blanca, que són una alternativa atractiva a les fonts de llum convencionals a causa de la seva llarga vida útil, robustesa física, unitats de mida petita i un mínim impacte ambiental. El GaN, en la seva forma porosa, s'espera que millori l'extracció de llum d'aquests LEDs. En els últims anys el GaN ha atret també l'atenció del món dels sensors, i molts prototips s'han fabricat utilitzant dispositius HEMT. S'espera que els sensors basats en GaN porós ampliïn la superfície de contacte contra la que l'analit pot interactuar, augmentant la sensibilitat dels dispositius. A més, la realització d'aquests sensors específics per a un analit concret es pot aconseguir funcionalizant la superfície del dispositiu. L'objectiu principal d'aquesta tesi és optimitzar les condicions de creixement per a la fabricació de GaN porós, així com el creixement de InGaN porós, i GaN porós dopat amb Mg i Si per poder fabricar dispositius basats en la unió p-n. En aquesta tesi s'ha abordat també l'estudi de la funcionalització química amb silans i sals de diazoni de la superfície del GaN per tal de fabricar sensors més eficients i selectius. Les partícules i les capes epitaxials nanoporoses de GaN es van sintetitzar en un sol pas mitjançant deposició química en fase vapor (CVD de les seves sigles en anglès) a través de la reacció directa entre el gal·li i l'amoníac. Per al dopat de les partícules i capes poroses, es van triar l'acetilacetonat de magnesi i l'acetat de silici com a precursors de Mg i Si, respectivament, per generar els semiconductors de tipus p i n, respectivament. Els resultats obtinguts mostren avenços prometedors per a la fabricació de dispositius porosos basats en les unions p-n i la funcionalització de superfícies de GaN per a aplicacions de detecció.

[en] Gallium nitride (GaN) is a wide band gap semiconductor with important applications in white-light LEDs, which are an attractive alternative to conventional light sources due to its long operation lifetime, physical robustness, small-sized units, and minimal environmental impact. GaN, in its porous form, is expected to enhance the light extraction of these LEDs. In the recent years GaN has also attracted the attention of the sensors world, and many prototypes have been fabricated using HEMT devices. Porous GaN based sensors are expected to enlarge the contact surface against which the analyte can interact, increasing the sensitivity of the devices. Moreover, making these sensors specific for a given target can be achieved by chemically functionalizating the surface of the device. The main objective of this thesis is to optimize the growth conditions for the fabrication of porous GaN, as well as the growth of Mg- and Si-doped porous GaN and InGaN in order to be able to fabricate devices based on p.n junctions in the future. In this thesis, the study of the chemical functionalization with silanes and diazonium salts of the GaN surface in order to further fabricate efficient and selective sensors, has been also approached. Nanoporous GaN particles and epitaxial layers were synthesized in a single step by chemical vapor deposition (CVD) through the direct reaction between gallium and ammonia. For the doping of the porous particles and layers magnesium acetylacetonate and silicone acetate were chosen as Mg and Si precursors, respectively, in order to generate the p- and n-type semiconductors, respectively. The obtained results show promising advances for the fabrication of porous p-n junction-based devices and the functionalization of GaN surfaces for sensing applications.