[ca] El nitrur de gal·li (GaN) és un semiconductor amb una banda prohibida ampla amb aplicacions importants en els LED de la llum blanca, que són una alternativa atractiva a les fonts de llum convencionals a causa de la seva llarga vida útil, robustesa física, unitats de mida petita i un mínim impacte ambiental. El GaN, en la seva forma porosa, s'espera que millori l'extracció de llum d'aquests LEDs. En els últims anys el GaN ha atret també l'atenció del món dels sensors, i molts prototips s'han fabricat utilitzant dispositius HEMT. S'espera que els sensors basats en GaN porós ampliïn la superfície de contacte contra la que l'analit pot interactuar, augmentant la sensibilitat dels dispositius. A més, la realització d'aquests sensors específics per a un analit concret es pot aconseguir funcionalizant la superfície del dispositiu. L'objectiu principal d'aquesta tesi és optimitzar les condicions de creixement per a la fabricació de GaN porós, així com el creixement de InGaN porós, i GaN porós dopat amb Mg i Si per poder fabricar dispositius basats en la unió p-n. En aquesta tesi s'ha abordat també l'estudi de la funcionalització química amb silans i sals de diazoni de la superfície del GaN per tal de fabricar sensors més eficients i selectius. Les partícules i les capes epitaxials nanoporoses de GaN es van sintetitzar en un sol pas mitjançant deposició química en fase vapor (CVD de les seves sigles en anglès) a través de la reacció directa entre el gal·li i l'amoníac. Per al dopat de les partícules i capes poroses, es van triar l'acetilacetonat de magnesi i l'acetat de silici com a precursors de Mg i Si, respectivament, per generar els semiconductors de tipus p i n, respectivament. Els resultats obtinguts mostren avenços prometedors per a la fabricació de dispositius porosos basats en les unions p-n i la funcionalització de superfícies de GaN per a aplicacions de detecció.

[es] El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor con una banda prohibida ancha con aplicaciones importantes en LEDs de luz blanca, que son una alternativa atractiva a las fuentes de luz convencionales debido a su larga vida útil, robustez física, unidades de pequeño tamaño y un impacto ambiental mínimo. El GaN, en su forma porosa, se espera que mejore la extracción de luz de estos LEDs. En los últimos años el GaN ha atraído tambien la atención del mundo de los sensores, y muchos prototipos se han fabricado utilizando dispositivos HEMT. Se espera que los sensores basados en GaN poroso amplíen la superficie de contacto contra la que el analito puede interactuar, aumentando la sensibilidad de los dispositivos. Además, la realización de estos sensores específicos para un analito concreto se puede conseguir funcionalizando químicamente la superficie del dispositivo. El objetivo principal de esta tesis es optimizar las condiciones de crecimiento para la fabricación de GaN poroso, así como el crecimiento de InGaN poroso, y GaN poroso dopado con Mg y Si para poder fabricar dispositivos basados en la unión p-n en un futuro. En esta tesis se ha abordado también el estudio de la funcionalización química con silanos y sales de diazonio de la superficie del GaN con el fin de fabricar sensores más eficientes y selectivos. Las partículas y las capas epitaxiales nanoporosas de GaN se sintetizaron en un solo paso mediante deposición química en fase vapor (CVD de sus siglas en ingles) a través de la reacción directa entre el galio y el amoníaco. Para el dopado de las partículas y capas porosas, se eligieron acetilacetonato de magnesio y acetato de silicio como precursores de Mg y Si, respectivamente, para generar los semiconductores de tipo p y n, respectivamente. Los resultados obtenidos muestran avances prometedores para la fabricación de dispositivos porosos basados en las uniones p-n y la funcionalización de superficies de GaN para aplicaciones de detección.