[ca] Els dispositius de semiconductors orgànics estan guanyant importància en l'obertura d'una gran varietat d'aplicacions en l'actualitat. Una estratègia clau per desenvolupar dispositius electrònics orgànics de millor rendiment és el dopatge molecular, on s'introdueix una molècula dopant per augmentar els portadors de càrrega. Malgrat els avenços en el camp, molt pocs estudis s'han centrat a entendre les relacions estructura-propietat en el dopatge molecular. És ben sabut que l'estructura de les molècules OSC afecta la cristal·linitat de les pel·lícules, però les seves implicacions sobre el mecanisme de dopatge i l'eficiència del dopatge no s'han explorat del tot. En aquesta tesi, explorem les propietats interfacials dopants/semiconductors orgànics en relació amb l'estructura molecular de les molècules emprades. Per a la investigació s'han escollit derivats de BTBT amb diferents grups laterals en combinació amb dos dopants, que tenen una energia d'ionització similar però amb diferents formes moleculars. Mitjançant l'ús d'una combinació de tècniques de difracció de raigs X basades en sincrotró, AFM i mètodes espectroscòpics, s'han investigat les propietats interfacials i l'evolució dels nivells electrònics durant el dopatge. En primer lloc, s'ha investigat l'estructura de la interfície formada entre C60F48 i C8-BTBT. Es va demostrar que l'impacte de C60F48 en els OFET C8-BTBT té un doble paper beneficiós en la millora de la mobilitat i l'estabilitat dels OFET C8-BTBT. S'ha realitzat una investigació addicional del paper dels grups laterals de semiconductors orgànics en les propietats interfacials comparant les interfícies C60F48/DPh-BTBT i C60F48/C8-BTBT. En ambdós casos s'observen diferents morfologies interfacials, que afecten fortament la distribució de la funció de treball a nanoescala de la interfície. Per investigar la influència de l'estructura molecular del dopant, es van investigar pel·lícules d'heteroestructura de F6TCNNQ sobre C8-BTBT. A diferència de C60F48, F6TCNNQ és pla. S'observa que els complexos de transferència de càrrega F6TCNNQ-C8-BTBT s'estaven formant a la interfície durant la deposició F6TCNNQ, que genera portadors mòbils lliures a la pel·lícula, per tant, millora la mobilitat i provoca un canvi en la tensió llindar dels OFET C8-BTBT. Finalment, s'ha realitzat la caracterització de la formació de complexos de transferència de càrrega a diferents temperatures, heteroestructures invertides i pel·lícules coevaporades C8-BTBT-F6TCNNQ.

[en] Organic semiconductor devices are gaining importance by opening a wide variety of applications nowadays. A key strategy for developing better performing organic electronic devices is via molecular doping, where a dopant molecule is introduced to increase charge carriers. Despite the advances in the field, very few studies have focused on understanding the structural-property relationships in molecular doping. It is well known that the structure of OSC molecules affect the crystallinity of the films but its implications on the doping mechanism and efficiency of doping have not been fully explored. In this thesis, we explore the dopant/organic semiconductor interfacial properties in relation to the molecular structure of the employed molecules. BTBT derivatives with different side groups in combination with two dopants, which have similar ionization energy but with different molecular shapes have been chosen for the investigation. By using a combination of synchrotron-based X-ray diffraction techniques, AFM and spectroscopic methods, the interfacial properties and evolution of electronic levels during doping have been investigated. First, the structure of the interface formed between C60F48 and C8-BTBThas been investigated. The impact of C60F48 on C8-BTBT OFETs was demonstrated to have a double beneficial role in improving the mobility and stability of C8-BTBT OFETs. Further investigation of the role of organic semiconductor side groups in the interfacial properties has been conducted by comparing the C60F48/DPh-BTBT and C60F48/C8-BTBT interfaces. Different interfacial morphologies are observed in both cases, which strongly affect the nanoscale work function distribution of the interface. To investigate the influence of dopant molecular structure, heterostructure films of F6TCNNQ on C8-BTBT were investigated. Unlike C60F48, F6TCNNQ is planar. It is observed that F6TCNNQ-C8-BTBT charge transfer complexes were forming at the interface during F6TCNNQ deposition, which generates free mobile carriers in the film hence enhancing the mobility and causing a shift in threshold voltage of C8-BTBT OFETs. Finally, characterization of charge transfer complex formation at different temperatures, inverted heterostructures and C8-BTBT-F6TCNNQ co-evaporated films have been performed