[ca] Aquest projecte representa la continuació de l'estudi realitzat anteriorment sobre l'anàlisi de les propietats òptiques i electròniques que presenta el grafè a freqüències compreses a les bandes dels terahertz, l'infraroig proper, la banda visible i l'ultraviolat proper. En aquest estudi s'analitzen noves variacions del grafè respecte a les mostres estudiades en el projecte anterior amb l'objectiu d'examinar les diferents magnituds físiques que es produeixen en un material quan es deposita una monocapa de grafè a la seva superfície i així proporcionar una caracterització més detallada d'aquest material., Essencialment, en el projecte actual s'ha millorat els mètodes de processat de dades, optimitzant els algorismes analítics per ser capaços d'obtenir, de manera molt més eficient, un gran conjunt de propietats optoelectròniques d'un material qualsevol, en un temps computacional dràsticament inferior, amb una duració d'aproximadament 3 segons, quan anteriorment podia arribar a trigar entre 10 i 30 h. Es presenta què és el grafè i les diverses propietats excepcionals que ofereix aquest material, presentant la seva estructura i les seves propietats conegudes. Aquest projecte estudia amb detall aquest material utilitzant diversos mètodes de mesura que permeten realitzar una caracterització espectral a freqüències de terahertz, infraroig proper, visible i ultraviolat proper i posteriorment es realitza un estudi freqüencial d'algunes de les principals propietats òptiques i elèctriques de les mostres que presenten grafè. S'elabora un estudi i comparació de les variacions que s'obtenen per causa de factors externs, com el tipus de dopant utilitzat sobre el grafè –dopat tipus-p i no dopat–, els diferents tipus de substrat sobre el qual s'ha transferit, el número de capes que presenta aquest material i els diferents mètodes d'obtenció del grafè. L'estudi de les propietats del grafè a les freqüències de THz s'ha realitzat amb el mètode THz-TDS, el qual permet analitzar les propietats òptiques i elèctriques de les diferents mostres de grafè, sobre diferents substrats, d'una manera molt immediata i no destructiva, ja que no implementa contactes elèctrics que puguin ocasionar defectes a l'estructura del grafè. Donat que el dispositiu experimental associat amb aquest mètode va quedar ocasionalment no-alineat, s'ha hagut de realitzar tot un procés d'ajust i calibrat del sistema òptic amb el qual s'han obtingut noves millores en la l'obtenció de dades, aconseguint un increment en la resolució amb una amplificació de la senyal útil mesurada de 2,24 dB, i com a conseqüència directa, s'ha arribat a incrementar el rang freqüencial on les dades són vàlides, incrementant la cota superior de 2 THz a 3 THz. A més, s'estudia l'efecte que es produeix al transferir una capa de grafè sobre la superfície d'un material realitzant un anàlisi de les propietats optoelectròniques del conjunt de les mostres per determinar la qualitat i les prestacions que tindrien per a algunes aplicacions concretes i la seva possible implantació en el mercat actual, comparant-lo amb els materials més utilitzats actualment en l'elaboració de dispositius optoelectrònics.

[en] This project represents the continuation of the previous study about the analysis graphene optical and electronic properties over a wide frequency range: terahertz, near-infrared, visible band and near-ultraviolet. In this study we analyze new graphene variations compared to the samples studied in the previous project in order to examine the different physical magnitudes that are produced in a material when a single layer of graphene is transferred on its surface and thus provide a more detailed characterization of this material. Essentialy, in the current project has data processing methods has been improved, optimizing the analytical algorithms to be able to obtain, more efitiently, a large group of optoelectronic properties of any material, in a computational time dramatically lower, with a duration of approximately 3 seconds, when earlier it would took from 10 to 30 h. We present what is graphene and its various exceptional properties that presents this material, showing its structure and known properties. This project studied in detail this material using several measurement methods that allow us to perform a spectral characterization of at THz, near infrared, visible and near ultraviolet and subsequently, we perform a frequency analysis of some of the main electrical and optical properties of samples that contains graphene. We present a study and comparison of the obtained variations due to external factors such as the dopant type on graphene –p-doped and undoped–, a study about the different types of substrate onto which has been transferred and the number of layers of this material and the different methods of obtaining graphene. Graphene properties studies at THz frequencies has been performed with the THz-TDS method, that allows to analyze the optical and electrical properties of different samples of graphene, on various substrates, quickly and non-destructive, because it does not implement electric contacts that may cause defects in the structure of graphene. Given that the experimental device associated with this method was occasionally non-aligned, we had to perform an entire process of adjustment and calibration of the optical system and, as a result, we have obtained further improvements in data collection with an increase in the measured resolution with a useful signal amplification of 2.24 dB, and as a direct consequence, the frequency range of data valid was increased from 2 to 3 THz. Furthermore, we analyze the effect produced by transferring a graphene layer on a material surface carrying out an analysis of the overall optoelectronic properties of all the samples to determine the quality and the performance that would fit in today's market, compared to the most currently used materials in the production of optoelectronic devices.