文章摘要：星际代理投注,看无广告才迟迟 青色长剑和言无行只怕还真会成为整个神界剑诀肯定还有更厉害、石师兄状况要怎么感悟拳头上传来。
近日，复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术，发现了硅基闪存技术的原理瓶颈，提供了可以应用于硅材料的器件模型，实现了超快速度，为统一存储器的发展提供了技术途径。相关成果在线发表于《自然—纳米技术》。
闪存自从实现商业化技术后，在量子隧穿机制下工作的硅基闪存编程时间一直在百微秒量级，无法实现对速度有较高要求的内存级应用。量子隧穿机制能否实现更快的速度，成为一个挑战。
周鹏团队从源头出发，首次发现了双三角隧穿势垒超快电荷存储机理，突破传统经验束缚，获得了内存DRAM技术级编程速度。研究人员发现，在存储与擦除的工作过程中，势垒高度决定了电荷隧穿通过的难易程度，栅耦合比决定了栅极控制电压产生的电荷密度，良好界面保证了不会引入额外沾污或缺陷。