日期: 2023-11-21
代码: 688035.SS
事件: 新增概念（新增概念）
2023-11-21新增概念：高带宽内存
入选理由：2023年8月7日回复称,HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠,每一层dram之间通过bump焊接到一起,bump非常脆弱,需要用underfill填充保护,起到应力平衡的作用。公司芯片级underfill已有型号通过国内部分客户验证,整体上仍处于前期验证导入阶段。