日期: 2026-07-13
代码: 000733.SZ
事件: 新增概念（新增概念）
2026-07-13新增概念：氮化镓
入选理由：2024年4月9日回复称，公司碳化硅器件有SIC SBD和SIC MOSFET，产品覆盖600V～1700V等十余款型号；氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列。