dram係一種半導體記憶體，作用原理係利用電容入面嘅儲存電荷嘅多少嚟代表一個二進制位元係1定係0。由於現實中電晶體會有漏電電流嘅現象，搞到電容上所儲存嘅電荷數量唔夠去正確判別資料，而造成資料損毀。因此對於dram嚟講，週期性咁充電係一個唔可以避免嘅要件。