eng_Latn: ಆದ್ದರಿಂದ, When we can rewrite the expression n p is nothing but n_(i)² which is the square of the intrinsic carrier concentration that is equal N_(c) N_(v) $\exp\frac{\left( - E_{g} \right)}{kT}$ and then taking square root you get $n_{i}\sqrt{}$, this is expression for the carrier So, the concentration of electrons and holes in an intrinsic semiconductor as a function of temperature, we saw that the conductivity equation is nothing, but n e μ_(e) + p e μ_(h).
kan_Knda: ನಾವು n p ಎಂಬ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯನ್ನು ಪುನಃ ಬರೆಯುವಾಗ n_(i)² ಆದರೆ ಅದು ಆಂತರಿಕ ವಾಹಕ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಚೌಕವಾಗಿದ್ದು ಅದು ಸಮಾನ N_(c) N_(v) $\exp\frac{\left( - E_{g} \right)}{kT}$ ಮತ್ತು ನಂತರ ವರ್ಗಮೂಲವನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುವುದರಿಂದ ನೀವು $n_{i}\sqrt{}$ ಅನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತೀರಿ, ಇದು ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿ ವಾಹಕದ ಏಕಾಗ್ರತೆ.