eng_Latn: So, if we try to redraw our picture for the energy band gap full, this is E_(v) have a conduction band that is E_(c), E_(g) in the case of silicon is 1.1 and E_(Fi) is 0.54 above E_(v), E_(Fi) which is the fermi energy is located very close to the center of the band.
kan_Knda: ಆಂತರಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಫೆರ್ಮಿ ಮಟ್ಟವು ವೇಲೆನ್ಸಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಮೇಲೆ ಸರಿಸುಮಾರು 0.54 ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ I will do that here, ಹಾಗಾಗಿ, ನಾವು ನಮ್ಮ ಚಿತ್ರವನ್ನು ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರಕ್ಕಾಗಿ ಪುನಃ ಚಿತ್ರಿಸಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸಿದರೆ ನಾನು ಅದನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ಮಾಡುತ್ತೇನೆ, I have a valence band that is ಬಳಿ ಒಂದು ವೇಲೆನ್ಸ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಇದೆ, ಇದು E_(V) ವಾಹಕ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ E_(c), E_(g) ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ 1.1 ಮತ್ತು E_(Fi) 0.54 eV ಮೇಲೆ, E_(Fi) ಇದು ಫೆರ್ಮಿ ಶಕ್ತಿಯು ಕೇಂದ್ರದ ಮಧ್ಯದಲ್ಲಿ ಬಹಳ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದೆ.